JP6989763B2

JP6989763B2 - 発光装置の製造方法

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Publication number: JP6989763B2
Application number: JP2017167547A
Authority: JP
Inventors: 眞志奥尾
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Priority date: 2017-08-31
Filing date: 2017-08-31
Publication date: 2022-01-12
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Description

本発明は、発光装置及びその製造方法に関する。

従来から、基板上に被覆部材を配置する発光装置では、被覆部材の基板への接触面に接着補助材を適用するか、基板上面を粗面化するなどにより、被覆部材の基板への密着性を図っている（例えば、特許文献１及び２）。

特開２００８－２４３８６４号特開２０１０－０２７９７４号

基板材料が、被覆部材を構成する材料との間で熱膨張係数が異なる場合、発光装置の点灯と消灯との繰り返しの温度サイクルによって、両者の膨張及び収縮に起因する熱衝撃が発生し、両者の剥がれが生じることがある。

本発明は、このような課題に鑑みなされたものであり、基板への被覆部材への密着性を向上させた発光装置を提供するとともに、そのような発光装置を簡便に製造することができる発光装置の製造方法を提供することを目的とする。

本開示は、以下の発明を含む。
（１）上面に一対の配線パターンを有する基板と、
前記配線パターン上に実装された発光素子と、
前記基板及び前記発光素子を被覆する被覆部材とを備え、
前記基板の上面であって、かつ前記発光素子の外周の一部に、前記発光素子に近い側の壁と遠い側の壁とを備えた１以上の溝を有し、該１つの溝において、前記発光素子に遠い側の壁は、前記近い側の壁よりも、前記基板の上面に対して勾配が急な斜面を有する発光装置。
（２）上面に配線パターンと、該配線パターンを含んで発光素子を載置するための載置部とを有する基板を準備し、
該基板の上面であって、かつ前記発光素子の載置部の外周の一部に、前記発光素子の載置部に近い側の壁と遠い側の壁を備え、前記発光素子の載置部に遠い側の壁が、前記近い側の壁よりも、前記基板の上面に対して勾配が急な斜面を有するように、１以上の溝を形成することを含む発光装置の製造方法。

本発明の一実施形態の発光装置及びその製造方法によれば、基板への被覆部材の密着性を向上させた発光装置を簡便に製造することができる。

本開示の一実施形態の発光装置を模式的に示す平面図である。図１ＡにおけるＩ－Ｉ’線断面図及び部分拡大断面図である。本開示の一実施形態の発光装置における溝を模式的に示す平面図である。本開示の別の実施形態の発光装置における溝を模式的に示す平面図である。本開示のさらに別の実施形態の発光装置における溝を模式的に示す平面図である。本開示のさらに別の実施形態の発光装置における溝を模式的に示す平面図である。本開示の一実施形態の発光装置の製造方法を示す製造工程断面図である。図３Ａによって得られた溝の形状を示す断面図である。本開示のさらに別の実施形態の発光装置の製造方法を示す製造工程図である。本開示のさらに別の実施形態の発光装置の製造方法を示す製造工程図である。本開示のさらに別の実施形態の発光装置の製造方法を示す製造工程図である。

以下の説明において参照する図面は、実施形態を概略的に示したものであるため、各部材のスケール、間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、平面図とその断面図とにおいて、各部材のスケール及び／又は間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。

〔発光装置１０〕
本開示の一実施形態における発光装置１０は、図１Ａ及び１Ｂに示すように、基板１と、発光素子２と、これら基板１及び発光素子２とを被覆する被覆部材３とを備える。さらに、発光装置１０は、発光素子２の上に、透光部材６を備えることが好ましい。
基板１の上面１ａは、発光素子２の外周の一部又は全部において、発光素子２に近い側の壁４ａと遠い側の壁４ｂとを備えた１以上の溝４を有する。１つの溝４は、発光素子２に遠い側の壁４ｂが、近い側の壁４ａよりも、基板１の上面に対して勾配が急な斜面を有する。
このような構成により、基板１における溝４を含む上面１ａが被覆部材３で被覆されている場合に、接着補助材等を用いることなく、被覆部材３の基板１の上面１ａへの密着性を向上させることができる。発光素子の点灯及び消灯の繰り返しによる熱サイクルによって、被覆部材３の熱膨張及び収縮に起因する体積に変化が生じるが、本開示の一実施形態における発光装置１０の溝４は、発光素子２から遠い側の壁４ｂが、近い側の壁４ａよりも、基板１の上面に対して勾配が急な斜面を有するために、発光素子から離れる方向への被覆部材３の膨張を抑制することができる。特に、基板１の上面において、被覆部材３の移動量を少なくすることができる。そのため、熱膨張後の収縮時における体積変化が少なく、基板１の上面における被覆部材３の移動量が少ない。これによって、基板と被覆部材との剥離を効果的に防止することが可能となる。

（基板１）
基板１は、上面１ａに配線パターン５を有し、配線パターン５上に発光素子２を搭載する。
基板１の材料としては、例えば、ガラスエポキシ、樹脂（例えば、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）レジン等）、セラミックスなどの絶縁性部材、表面に絶縁性部材を形成した金属部材等が挙げられる。なかでも、基板の材料は、耐熱性及び耐候性の高いセラミックスを利用したものが好ましい。セラミックス材料としては、アルミナ、窒化アルミニウムなどが挙げられる。

配線パターン５は、発光素子に電流を供給し得るものであればよく、当該分野で通常使用されている材料、厚み、形状等で形成されている。具体的には、配線パターン５は、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、プラチナ、チタン、タングステン、パラジウム、鉄、ニッケル等の金属又はこれらを含む合金等によって形成することができる。特に、基板の上面に形成される配線パターンは、発光素子２からの光を効率よく取り出すために、その最表面が銀又は金などの反射率の高い材料で覆われていることが好ましい。配線パターンは、電解めっき、無電解めっき、蒸着、スパッタ等によって形成される。例えば、発光素子２の外部接続用の電極の最表面が金によって形成されている場合、配線パターンの最表面もＡｕとすることが好ましい。これによって、発光素子２と基板１との接合性を向上することができる。

配線パターン５は、基板１の上面に正負一対のパターンを有していることが好ましい。このような配線パターンによって、発光素子２の第１外部接続部２１及び第２外部接続部２２をフリップチップ実装により接続することができる。配線パターン５は、基板１の上面のみならず、内部及び／又は下面に配置されていてもよい。

基板１は、その上面１ａにおいて、後述する発光素子２が載置される領域（以下、載置部ということがある）２Ａの外周の一部又は全部において溝４を有する。溝４は、１つのみでもよいし、２以上形成されていてもよい。一例として、基板の平面視において、発光素子２又は載置部２Ａの重心から発光装置の外縁に延長する１つの直線に対して、交差する溝を１つのみ又は２以上形成されていてもよい。例えば、溝４は、基板１の上面１ａにおいて、発光素子２に対して順次遠ざかるように複数配置されていることが好ましい。溝４は、基板の平面視において、その外形が、円又は楕円、三角形、四角形、六角形等の多角形等の種々の形状とすることができる。また、基板の平面視において、直線状、曲線状、屈曲した部分を有するこれらが組み合わせられた形状等とすることができる。例えば、このような溝４は、図２Ａ～図２Ｄに示すように、載置部２Ａに対して種々の数、形状、配置とすることができる。例えば、溝４は、基板１の上面１ａにおいて、発光素子２を挟んで対称な位置に配置されていることが好ましい。

溝４は、延長方向に対する断面図（図１Ｂの矢印で表した拡大図）において、発光素子２に近い側の壁４ａと遠い側の壁４ｂとを備えている。言い換えると、延長方向に対する断面図又は溝の発光素子２に近い側の壁４ａと遠い側の壁４ｂとの最短距離（幅）における断面図において、最も深い部分を通る直線に対して非対称の断面を有する。溝４は、２つの壁に挟まれた底面を有していてもよい。そして、発光素子２に遠い側の壁４ｂは、少なくともその一部において、近い側の壁４ａよりも基板１の上面に対して勾配が急な斜面を有する。なかでも、発光素子２に遠い側の壁４ｂの全部が、近い側の壁４ａよりも、基板１の上面に対して勾配が急な斜面を有することが好ましい。ここでの、発光素子２に近い側の壁４ａ及び遠い側の壁４ｂは、溝４における最も深い部分を基準に、発光素子の近いか遠いかで設定される。
一例として、図１Ｂにおいて、発光素子２に遠い側の壁４ｂの基板１の上面に対する角度θ１＞発光素子２に近い側の壁４ａの基板１の上面に対する角度θ２の関係を有する。角度θ１は、例えば、８０～１５０度が好ましく、８５～１１０度がより好ましい。角度θ２は、角度θ１よりも、５度以上小さければよく、１０度以上小さいことが好ましく、１５度以上小さいことがより好ましい。角度θ２は、例えば、２０～８５度が好ましく、３０～８０度がより好ましく、４５～７０度がさらに好ましい。
他の例として、図５に示すように、発光素子に遠い側の壁４ｂの一部のみの基板１の上面に対する角度θ１＞発光素子に近い側の壁４ａの基板１の上面に対する角度θ２の関係を有していてもよい。

溝４の幅は、発光素子２に遠い側の壁４ｂと近い側の壁４ａとの傾斜角度、溝の深さ等によって適宜調整することができ、例えば、基板１の上面の平面視において、１μｍ～２０００μｍが挙げられる。また、その深さは、１μｍ～５０００μｍが挙げられる。ここで、幅とは、溝４の形状にかかわらず、溝４の発光素子２に近い側の壁４ａと遠い側の壁４ｂの距離を意味する。
溝４の発光素子２からの距離は、例えば、１μｍ～１００００μｍが挙げられ、１０μｍ～５０００μｍが好ましい。
溝４を平行に複数形成する場合は、その距離は、例えば、２μｍ～１００００μｍが挙げられる。
なお、溝４の幅、深さ、発光素子からの距離等は、一定でなく、部分によって変動していてもよい。

このような形態で溝４を有することにより、基板１の上面１ａが被覆部材３で被覆されている場合に、接着補助材等を用いることなく、被覆部材３の基板１の上面１ａへの密着性を向上させることができる。つまり、発光素子の点灯及び消灯の繰り返しによる熱サイクルによって、被覆部材３の熱膨張及び収縮に起因する体積に変化が生じるが、このような溝４は、発光素子２から遠い側の壁４ｂが、近い側の壁４ａよりも、基板１の上面に対して勾配が急な斜面を有するために、発光素子から離れる方向への被覆部材３の膨張を抑制することができる。特に、基板１の上面において、被覆部材３の移動量を少なくすることができる。そのため、熱膨張後の収縮時における体積変化が少なく、基板１の上面における被覆部材３の移動量が少ない。これによって、基板と被覆部材との剥離を効果的に防止することが可能となる。

（発光素子２）
発光素子２は、当該分野で公知の半導体発光素子であれば、どのような波長、形状、大きさ等のものを利用してもよい。
発光素子２は、通常、第１半導体層、発光層及び第２半導体層がこの順に積層された半導体積層体と、一対の電極（例えば、第１電極及び第２電極）とを備える。
半導体積層体は、例えば、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体、ＩＩ－ＶＩ族化合物半導体等、種々の半導体によって形成することができる。具体的には、Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１－Ｘ－Ｙ}Ｎ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等の窒化物系の半導体材料が挙げられ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等を用いることができる。各層の膜厚及び層構造は、当該分野で公知のものを利用することができる。その形状は、例えば、平面視において円又は楕円、三角形、四角形、六角形等の多角形等が挙げられ、なかでも、四角形が好ましい。

第１電極及び第２電極は、半導体積層体の上面側に配置されていてもよいし、上面側と下面側との双方に配置されていてもよい。なかでも、フリップチップ実装が可能であることから上面側に双方が配置されていることが好ましい。
第１電極及び第２電極は、当該分野で公知の電極材料、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属又はこれらの合金の単層膜又は積層膜によって形成することができる。具体的には、これら電極は、半導体層側からＴｉ／Ｒｈ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｗ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｒｈ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ａｌ-Ｃｕ合金／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ａｌ-Ｓｉ-Ｃｕ合金／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｒｈなどの積層膜によって形成することができる。膜厚は、当該分野で用いられる膜の膜厚のいずれでもよい。
発光素子は、上記の他、反射膜、絶縁膜、保護膜等を適宜有していてもよい。

発光素子２は、通常、基板１の配線パターン５と、例えば、金、銀、銅などのバンプ、銀、金、銅、プラチナ、アルミニウム、パラジウムなどの金属粉末と樹脂バインダを含む金属ペースト、錫－ビスマス系、錫－銅系、錫－銀系、金－錫系などの半田、低融点金属などのろう材等の接合部材を用いて、基板１上に実装することができる。

（被覆部材３）
被覆部材３は、基板１及び発光素子２を被覆する部材であり、基板１上であって、発光素子２の上面を除く部分を被覆する。特に、被覆部材３は、発光素子２の側面、発光素子２と基板１との間、基板１の上面、配線パターン５の側面の全てを被覆していることが好ましい。また、発光素子２の側面に透光性樹脂を配置し、その透光性樹脂を介して被覆部材３が配置されてもよい。
被覆部材３は、光反射性、透光性、遮光性等を有する樹脂、これらの樹脂に光反射性物質、蛍光体、拡散材、着色剤等を含有した樹脂等によって形成することができる。なかでも、被覆部材は、光反射性及び／又は遮光性を有することが好ましい。被覆部材を構成する樹脂、光反射性物質等は、当該分野で通常使用されているもののいずれをも利用することができる。例えば、樹脂としては、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂の１種以上を含む樹脂又はハイブリッド樹脂等が挙げられる。光反射性物質としては、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライトなどが挙げられる。
被覆部材３は、例えば、シリコーン樹脂又はエポキシ樹脂と光反射材とを含んで構成されていることが好ましい。

被覆部材３を構成する材料は、発光素子２と基板１との間に入り込みやすく、ボイドの発生を防止しやすいという観点から、流動性が高く、熱又は光の照射により硬化する樹脂を含むことが好ましい。このような材料は、例えば、０．５～３０Ｐａ・ｓの粘度での流動性を示すものが挙げられる。また、被覆部材３を構成する材料における光反射性物質等の含有量等によって光の反射量、透過量等を変動させることができる。被覆部材３は、例えば、光反射性物質を２０ｗｔ％以上含有することが好ましい。
被覆部材３は、例えば、射出成形、ポッティング成形、樹脂印刷法、トランスファーモールド法、圧縮成形などで成形することができる。
被覆部材３の厚み（基板１の上面から、被覆部材３の上面までの長さ）は、例えば、２０μｍ～５００μｍ、発光素子２の側面における厚み（発光素子２の側面から、被覆部材３の外縁までの長さ）は、例えば、２０μｍ～１００００μｍが挙げられる。被覆部材３の外縁は、平面視において、基板１の外縁より大きくても、小さくてもよいが、一致することが好ましい。

（透光部材６）
発光装置１０は、発光素子２の上面に透光部材６を有することが好ましい。透光部材６は、発光素子の光取り出し面を被覆し、発光素子から出射される光の５０％以上又は６０％以上、好ましくは７０％以上を透過させ、外部に放出することが可能な部材である。透光部材は、光拡散材、発光素子２から出射される光の少なくとも一部を波長変換可能な蛍光体を含有することができる。透光部材６の下面外縁は、発光素子の上面外縁と一致することが好ましいが、上面外縁より内側又は外側のいずれかに配置されていてもよい。透光部材の厚みは、例えば、５０μｍ～３００μｍが挙げられる。

透光部材は、例えば、樹脂、ガラス、無機物等により形成することができる。また、蛍光体を含有する透光部材は、蛍光体の焼結体、樹脂、ガラス又は他の無機物に蛍光体を含有させたもの等が挙げられる。また、平板状の樹脂、ガラス、無機物等の成形体の表面に蛍光体を含有する樹脂層を形成したものでもよい。透光部材は、透明度が高いほど、被覆部材との界面において光を反射させやすいため、輝度を向上させることが可能となる。

透光部材に含有させる蛍光体としては、例えば、発光素子２として、青色発光素子又は紫外線発光素子を用いる場合には、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＹＡＧ：Ｃｅ）、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＬＡＧ：Ｃｅ）、ユウロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム系蛍光体（ＣａＯ－Ａｌ_２Ｏ_３－ＳｉＯ_２：Ｅｕ）、ユウロピウムで賦活されたシリケート系蛍光体（例えば（Ｓｒ，Ｂａ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ）、β サイアロン系蛍光体（例えばＳｉ_６－ｚＡｌ_ｚＯ_ｚＮ_８－ｚ：Ｅｕ（０＜Ｚ＜４．２））、ＣＡＳＮ系蛍光体、ＳＣＡＳＮ系蛍光体等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（Ｋ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ）、硫化物系蛍光体、量子ドット蛍光体等が挙げられる。これらの蛍光体と、青色発光素子又は紫外線発光素子との組み合わせにより、所望の発光色の発光装置（例えば白色系の発光装置）を得ることができる。このような蛍光体を透光部材に含有される場合、蛍光体の濃度は、例えば５～５０％程度とすることが好ましい。

透光部材は、発光素子の光取り出し面を被覆するように接合されている。透光部材と発光素子との接合は、接着材を介して又は介さずに接合することができる。接着材は、例えば、エポキシ又はシリコーン等の樹脂を用いたものが利用できる。透光部材と発光素子との接合には、圧着、焼結、表面活性化接合、原子拡散接合、水酸基接合による直接接合法を用いてもよい。発光装置１０が、透光部材６を有する場合、透光部材６の側面の一部又は全部が被覆部材３で被覆されていることが好ましい。

発光装置１０は、任意に、保護素子等の別の素子又は電子部品等を有していてもよい。これらの素子及び電子部品は、被覆部材３内に埋設されていることが好ましい。

〔発光装置の製造方法〕
この実施形態における発光装置の製造方法は、
上面に配線パターン５と、配線パターン５を含んで載置部２Ａとを有する基板１を準備し、
基板１の上面１ａであって、かつ載置部２Ａの外周の一部に、載置部２Ａに近い側の壁４ａと遠い側の壁４ｂを備え、載置部２Ａに遠い側の壁４ｂが、近い側の壁４ａよりも、基板１の上面１ａに対して勾配が急な斜面を有するように、１以上の溝を形成することを含む。
この発光装置の製造方法は、さらに、溝を形成する前又は後に、基板１の載置部２Ａに発光素子２を搭載することを含んでいてもよい。
また、溝４を形成した後であって、かつ基板１の載置部２Ａに発光素子２を搭載した後に、基板１及び発光素子２を被覆する被覆部材３を形成することを含んでいてもよい。
さらに、発光素子２の上面に透光部材６を配置することを含んでいてもよい。

（溝４の形成）
上述したような基板１を準備した後、基板１の上面１ａに溝４を形成する。
載置部２Ａに遠い側の壁４ｂが、近い側の壁４ａよりも、基板１の上面１ａに対して勾配が急な斜面を有する溝を形成する方法は、例えば、以下の方法が挙げられる。

まず、図３Ａに示すように、基板１の上面１ａにレーザ光１１ａ～１１ｃを、基板１の載置部２Ａに近い側から遠い側に移動させながら、連続して又は複数回照射する。この場合、レーザ光１１ａ～１１ｂは、基板１の上面１ａに対して、垂直な方向から照射することが好ましい。また、レーザ光は、載置部２Ａ側から、進行方向を、載置部２Ａから遠ざかるよう設定して照射することが好ましい。
つまり、まず、レーザ光１１ｂを照射することで幅狭の溝が形成される。その後、図３Ａ中の矢印に示すように右から左へ方向にレーザ光源を移動して照射する。この時、レーザ光１１ａとレーザ光１１ｂと光軸間の距離は、レーザ光の波長の半分以下程度とすることができ、例えば、数十μｍ以下である。これにより、レーザ光１１ａの照射により形成された幅狭の溝内の壁４ｂにレーザ光が照射される。言い換えると、溝内におけるレーザ光源の進行方向の壁４ｂにレーザ光が照射される。よって、溝の内部のうち、壁４ｂにレーザ光が多く照射されて加工することになる。これにより、図３Ｂに示すように、壁４ｂ側の角度が急勾配となり、壁４ａ側は、相対的になだらかな勾配となる。

また、レーザ光の照射によって図２Ｃ、２Ｄのような発光素子２を取り囲む溝４を複数形成する場合、あらかじめ設定された溝４の深さとなるように、例えば、レーザ光１１ａ～１１ｃの３列のレーザ光の照射で一つ（一列）の第１溝４Ｘを形成する。次いで、第１溝から離れた位置に、同様にレーザ光１１ａ～１１ｃの３列のレーザ光の照射で１つ（１列）の第２溝４Ｙを形成する。さらに、第２溝４Ｙから離れた位置に、同様にレーザ光１１ａ～１１ｃの３列のレーザ光の照射で１つ（１列）の第３溝４Ｚを形成する。これにより、載置部２Ａに遠い側の壁４ｂが、近い側の壁４ａよりも、基板１の上面１ａに対して勾配が急な斜面を有するように、溝４を形成することができる。

レーザ光を出射するレーザ光源としては、基本波長が１０６４ｎｍのＮｄ：ＹＡＧレーザのＹＡＧＳＨＧレーザ（Ｎｄ：ＹＡＧの第２高調波（５３２ｎｍ）、ＹＡＧＴＨＧレーザ（Ｎｄ：ＹＡＧの第３高調波（３５５ｎｍ））等を用いることができる。また、レーザ光は、連続発振、又は、パルス発振されるものを用いることができる。パルス発振させる場合は、１列の幅狭の溝が複数回のパルスレーザ光によって形成される。

また、別の方法として、図４に示すように、基板１の上面１ａにレーザ光１１ｄを、基板１の上面１ａに直交する方向から、発光素子２の載置部２Ａの近い側に傾けて照射する。
これによって、載置部２Ａに遠い側の壁４ｂが、近い側の壁４ａよりも、基板１の上面１ａに対して勾配が急な斜面を有するように溝４を形成することができる。
このような方法は、例えば、図２Ａ、２Ｃ等に示すように、発光素子２の外周を取り囲むように溝４を１つ又は発光素子２から遠ざかるように３つの溝を形成する場合に、簡便であり、有利である。

さらに別の方法として、図５に示すように、回転式又は非回転式のブレード１２を用いて溝を形成してもよい。例えば、基板１の上面１ａに直交する方向から、発光素子の載置部２Ａに近い側に傾けて、基板１の上面１ａにブレード１２を押し当てる、又はスライドして切削する。
これによって、載置部２Ａに遠い側の壁４ｂが、近い側の壁４ａよりも、基板１の上面１ａに対して勾配が急な斜面を有するように溝４を形成することができる。

発光装置を製造する場合、基板として、複数の発光装置に対応する配線パターンを含む集合基板を用いて、複数の発光装置を同時に製造してもよい。
この場合、例えば、図６に示すように、マトリクス状に発光素子２を基板１の上面１ａに搭載し、上述した方法により溝４を形成する。
その後、上述したように、任意に透光部材６を形成し、被覆部材３を形成する。
続いて、発光装置１０に分割する分割予定線Ｘ、Ｙに沿って、基板１及び被覆部材３を分割することにより、複数の発光装置１０を一括形成することができる。
分割は、当該分野で公知の方法を利用して行うことができる。
この方法によって、簡便に、かつ効率的に複数の発光装置１０を形成することができる。

１０発光装置
１基板
１ａ上面
２発光素子
２Ａ載置部
３被覆部材
４溝
４ａ発光素子に近い側の壁
４ｂ発光素子に遠い側の壁
４Ｘ第１溝
４Ｙ第２溝
４Ｚ第３溝
５配線パターン
６透光部材
１１ａ～１１ｄレーザ光
１２ブレード
Ｘ、Ｙ分割予定線

Claims

上面に配線パターンと、該配線パターンを含んで発光素子を載置するための載置部とを有する基板を準備し、
前記基板の上面にレーザ光を、前記発光素子の載置部に近い側から遠い側にずらしながら照射して、該基板の上面であって、かつ前記発光素子の載置部の外周の一部に、前記発光素子の載置部に近い側の壁と遠い側の壁を備え、前記発光素子の載置部に遠い側の壁が、前記近い側の壁よりも、前記基板の上面に対して勾配が急な斜面を有するように、１以上の溝を形成することを含む発光装置の製造方法。
前記溝を形成する前又は後に、前記基板の載置部に発光素子を搭載することを含む請求項１に記載の発光装置の製造方法。
さらに、前記溝を形成した後であって、かつ前記基板の載置部に発光素子を搭載した後に、前記基板及び前記発光素子を被覆する被覆部材を形成することを含む請求項２に記載の発光装置の製造方法。