CN110148661B - 具电极辨识的晶片级封装发光装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提出一种晶片级封装的发光装置及其制造方法，发光装置包含一LED晶片及一封装结构。LED晶片包含上表面、下表面、第一立面、第二立面及一对电极组，上表面定义有垂直交错的第一水平方向及第二水平方向，第一立面及第二立面沿着第一水平方向相分隔，该对电极组设置于下表面。封装结构覆盖LED晶片的上表面、第一立面及第二立面，且包含沿着第一水平方向相分隔的第一侧面及一第二侧面。第一侧面及第一立面之间定义有第一区域，且第二侧面及第二立面之间定义有第二区域。藉此，可藉由辨识第一与第二区域的面积大小而辨别出LED晶片的电极方位。

Description

具电极辨识的晶片级封装发光装置及其制造方法

技术领域

本发明是关于一种发光装置及其制造方法，特别是关于一种具电极辨识的晶片级封装发光装置及其制造方法。

背景技术

LED(发光二极管)晶片是普遍地使用来提供照明、显示或指示用的光源，而LED晶片通常会设置于一封装构造(其中可包含荧光材料)中，以成为一发光装置。

随着LED技术的发展，晶片级封装(chip-scale package，CSP)发光装置以其明显的优势于近年开始受到广大的重视。相较于传统支架型LED与陶瓷基板型LED，CSP发光装置具有以下优点：(1)不需要金线及额外的支架或陶瓷基板等副载具(submount)，因此可明显节省材料成本；(2)因省略了支架或陶瓷基板等副载具，可进一步降低LED晶片与散热板之间的热阻，因此在相同操作条件下将具有较低的操作温度，或进而增加操作功率；(3)较低的操作温度可使LED具有较高的晶片量子转换效率；(4)大幅缩小的封装尺寸使得在设计模组或灯具时，具有更大的设计弹性；(5)具有小发光面积，因此可缩小光展量(Etendue)，使得二次光学更容易设计，亦或藉此获得高发光强度(intensity)。

然而，由于CSP发光装置不需额外的基板或支架等副载具，使得CSP发光装置外观上缺乏电极正负极辨识性，也就是，若从CSP发光装置的正上方来观察，其所呈现的外形是为对称形状，难以藉此判断CSP发光装置内的LED晶片正负电极的方向性。虽然能从CSP发光装置的下方来判断正负电极的方向性后，再将CSP发光装置翻转、排列、焊接至应用端的电路板上，但此举实属不便，造成焊接程序的产率不高。此外，一旦CSP发光装置排列于电路板上后，就难以再判断正负电极的方向性，无法检查CSP发光装置是否以正确的电极方向放置于电路板上。

即便有业界试图于CSP发光装置的荧光层上形成凹槽、贯穿槽等微结构、然后在凹槽或贯穿槽中加入不同于荧光层的颜色的材料，以辨识电极的方向。然而，荧光层本身的尺寸已属微小，要在其上形成更小的凹槽或贯穿槽显为困难，原因例如：需使用较佳精度的工具，才能使凹槽或贯穿槽有极小的尺寸。在该凹槽或贯穿槽中加入其他材料更显困难，原因例如：由于凹槽或贯穿槽的尺寸极小，而未固化前的材料难以流入至凹槽或贯穿槽中，造成材料没有填满凹槽或贯穿槽、或是造成材料位于凹槽或贯穿槽之外。

因此，采行此种作法除了会增加CSP发光装置的制造程序外，「凹槽或贯穿槽的形成」及「其他材料的添加」的良率应难符合预期，最终可能导致CSP发光装置的产率及良率大幅地下降。

有鉴于此，如何改善上述的缺失，乃为此业界待解决的问题。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种具电极辨识的晶片级封装发光装置(下简称发光装置)及其制造方法，该发光装置具有可供识别电极方向的特征，且较佳地还能维持发光装置的制造产率及/或良率。

为达上述目的，本发明所提出的晶片级封装发光装置包含：一LED晶片包含一上表面、相对于该上表面的一下表面、一第一立面、一第二立面、一第一电极及一第二电极，第一立面及第二立面皆形成于并连接上表面与下表面之间，第一电极及第二电极设置于下表面，其中，上表面是定义有相垂直交错的一第一水平方向及一第二水平方向，第一立面及第二立面沿着第一水平方向相分隔；以及一封装结构，覆盖LED晶片的上表面、第一立面及第二立面，但露出下表面、第一电极及第二电极，其中，封装结构包含沿着第一水平方向为相分隔的一第一侧面及一第二侧面；其中，沿着第一水平方向，第一侧面及该第一立面之间定义有一第一区域，而第二侧面及第二立面之间定义有一第二区域，第一区域的面积是不等于第二区域的面积。

较佳地，沿着第一水平方向，第一侧面及第一立面之间的一第一距离可小于第二侧面及第二立面之间的一第二距离，以使第一区域的面积小于第二区域的面积。

较佳地，沿着该第二水平方向，第一侧面的一宽度可大于第二侧面及第二立面的一宽度，以使第一区域的面积大于第二区域的面积。

较佳地，封装结构更包含一倒角面以及沿着第二水平方向为相分隔的一第三侧面及一第四侧面，倒角面连接第三侧面与第二侧面。

为达上述目的，本发明所提出的另一晶片级封装发光装置包含：一LED晶片，包含一上表面、相对于该上表面的一下表面、一第一立面、一第二立面、一第一电极及一第二电极，该第一立面及该第二立面皆形成于该上表面与该下表面之间，该第一电极及该第二电极设置于该下表面，其中，该上表面是定义有相垂直交错的一第一水平方向及一第二水平方向，该第一立面及该第二立面沿着该第一水平方向相分隔；以及一封装结构，覆盖该LED晶片的该上表面、该第一立面及该第二立面，但露出该下表面、该第一电极及该第二电极，其中，该封装结构包含一光致发光层及一反射结构，该光致发光层设置于该LED晶片的该上表面上，且该光致发光层包含沿着该第一水平方向为相分隔的一第一光致发光层侧面及一第二光致发光层侧面；而该反射结构沿着该第一水平方向覆盖该LED晶片及该光致发光层，且该反射结构包含沿着该第一水平方向为相分隔的一第一反射结构侧面及一第二反射结构侧面；其中，沿着该第一水平方向，该第一反射结构侧面与该第一光致发光层侧面之间定义有一第一区域，而该第二反射结构侧面与该第二光致发光层侧面之间定义有一第二区域，该第一区域是不等于该第二区域。

较佳地，沿着该第一水平方向，该第一反射结构侧面与该第一光致发光层侧面之间的一第三距离是小于该第二反射结构侧面与该第二光致发光层侧面之间的一第四距离。

为达上述目的，本发明所提出的晶片级封装的发光装置的制造方法，包含：形成提供复数个LED晶片，其中，该些LED晶片的每一个包含一上表面、相对于该上表面的一下表面、一第一立面、一第二立面、一第一电极及一第二电极，该第一立面及该第二立面皆形成于上表面与下表面之间，第一电极及第二电极设置于下表面，其中，上表面是定义有相垂直交错的一第一水平方向及一第二水平方向，第一立面及第二立面沿着第一水平方向相分隔；以及形成复数个封装结构于该等LED晶片上，以覆盖LED晶片的每一个的上表面、第一立面及第二立面，但露出下表面及第一电极及第二电极，其中，封装结构包含沿着第一水平方向为相分隔的一第一侧面及一第二侧面，第一侧面及第一立面之间定义有一第一区域，而第二侧面及第二立面之间定义有一第二区域，第一区域的面积是不等于第二区域的面积。

藉此，本发明所提出的发光装置及其制造方法至少可提供以下有益技术效果：

1、从发光装置的上方观之，发光装置呈现出尺寸不同的第一区域及第二区域而有外观上的非对称性，藉此透过人眼或机器视觉可识别出该非对称性所对应的晶片电极方向。

2、发光装置所呈现的外观非对称性可于单粒化(例如切割或模造)制程中来实现，而单粒化制程属发光装置的必要制程，不会增加额外的制程步骤，也不需藉由高精度的工具来实现。因此，不会影响发光装置的既有制造产率。

3、发光装置所呈现的非对称性也不是透过额外添加或注入微小的材料来实现，因此不会影响到发光装置的既有制造良率。

4、当发光装置的封装结构包含光致发光层及反射结构、而且反射结构沿着第一水平方向覆盖LED晶片及光致发光层时，第一区域及第二区域可定义于反射结构上，藉此，第一区域及第二区域的面积差异将由反射结构的厚薄所呈现出，因此不会造成光致发光层的形状不对称而影响发光装置的光学特性。申言之，发光装置的外观可为非对称性，而光致发光层的形状仍具有对称结构，因此，LED晶片所发出的光线通过光致发光层后，光线的光型不受具有非对称外观的反射结构所影响。

为让上述目的、技术特征及优点能更明显易懂，下文是以较佳的实施例配合所附图式进行详细说明。

附图说明

图1为依据本发明较佳实施例的发光装置的剖面示意图；

图2A及图2B分别为图1的发光装置的俯视及仰视示意图；

图3A至图3C各为图1的发光装置的其他态样的俯视及仰视示意图；

图4A及图4B分别为依据本发明另一较佳实施例的发光装置的俯视及仰视示意图；

图5为图4A的发光装置的另一态样的俯视示意图；

图6A至图6E为依据本发明又一较佳实施例的发光装置的制造方法的步骤示意图；

图7A及图7B为依据本发明再一较佳实施例的发光装置的制造方法的步骤示意图；以及

图8A及图8B为依据本发明更一较佳实施例的发光装置的制造方法的示意图。

【符号说明】

A1、A2发光装置

10LED晶片

11上表面

12下表面

13第一立面

14第二立面

15第一电极

16第二电极

20封装结构

21第一侧面、第一反射结构侧面

22第二侧面、第二反射结构侧面

251第一侧面、第一光致发光层侧面

252第二侧面、第二光致发光层侧面

23第三侧面

24第四侧面

25光致发光层

26反射结构

40离型材料

41冲切刀具

411刀刃

50模具

51模穴

52倒角面

B1第一区域

B2第二区域

C1倒角面

D1第一水平方向

D2第二水平方向

L1第一距离

L2第二距离

L3第三距离

L4第四距离

W1、W2宽度

具体实施方式

请参阅图1至图2B所示，其为依据本发明较佳实施例的晶片级封装的发光装置A1的示意图，发光装置A1可包含一LED晶片10及一封装结构20，各元件的技术内容依序说明如下。

LED晶片10可为一覆晶式LED晶片，可发出红光、绿光、蓝光、红外光或紫外光等第一光线，而外观上LED晶片10包含一上表面11、相对于上表面11的一下表面12、一第一立面13、一第二立面14、一第一电极15及一第二电极16。该上表面11与该下表面12可为实质上平行且相对地设置，上表面11及下表面12可为矩形者，而上表面11(及下表面12)的其中两边线对应于第一水平方向D1、另两边线是对应于第二水平方向D2。换言之，LED晶片10沿着其上表面11定义有相互垂直交错的第一水平方向D1与第二水平方向D2，且第一水平方向D1与第二水平方向D2的每一个皆与LED晶片10的光轴方向(垂直于上表面11的方向，图未示)相垂直。

第一立面13及第二立面14形成于上表面11与下表面12之间、且连接上表面11与下表面12；第一立面13及第二立面14还沿着第一水平方向D1相分隔，故位于LED晶片10的相对侧。LED晶片10包含另两立面(未标号)，其亦连接上表面11与下表面12、且沿着第二水平方向D2相分隔。

如图2B所示，第一电极15及第二电极16设置于下表面12、且与下表面12可共同形成一下电极面；第一电极15及第二电极16可沿着第一水平方向D1相分隔排列，且第一电极15及第二电极16亦可沿着第二水平方向D2相分隔排列。第一电极15及第二电极16的一者可作为正电极、而另一者可作为负电极。

封装结构20可改变部分LED晶片10所发射的第一光线的波长、或是用以限制该发光装置的光形、发光范围等。封装结构20覆盖LED晶片10的上表面11、第一立面13及第二立面14，但是露出下表面12、第一电极15及第二电极16；申言之，封装结构20没有覆盖LED晶片10的下电极面，不会阻碍第一电极15及第二电极16焊接至电路板(图未示)。此外，本态样中，封装结构20亦覆盖LED晶片10的沿着第二水平方向D2相分隔的两立面(未标号)。

如图2B所示，外观上封装结构20包含沿着第一水平方向D1为相分隔的一第一侧面21及一第二侧面22、以及沿着第二水平方向D2为相分隔的一第三侧面23及一第四侧面24。沿着第一水平方向D1，封装结构20的第一侧面21及LED晶片10的第一立面13之间定义有一第一区域B1，而第二侧面22及第二立面14之间定义有一第二区域B2，第一区域B1的面积是不等于第二区域B2的面积，此不等面积的第一区域B1与第二区域B2可以产生一电极方向的识别特征。也就是，由俯视图或仰视图观之，第一区域B1可为第一侧面21与第一立面13之间的封装结构20投影至一平面所构成的二维区域，而第二区域B2可第二侧面22与第二立面14之间的封装结构20投影至同一平面所构成的二维区域。由于第一区域B1与第二区域B2的面积不相等，第二区域B2的面积显大于第一区域B1的面积(例如为1.2倍、1.3倍、1.5倍、甚至为2倍)，故肉眼及机器视觉可轻易判断出何者为第一区域B1或第二区域B2，进而判断出第一电极15及第二电极16的电极排列方向。

第一区域B1与第二区域B2的面积不相等可藉由封装结构20的尺寸差异来达成。具体而言，封装结构20包含有一第一特征尺寸及一第二特征尺寸；沿着第一水平方向D1，第一特征尺寸是为第一侧面21及第一立面13之间的一距离L1(下称第一距离)，而第二特征尺寸是为第二侧面22及第二立面14之间的一距离L2(下称第二距离)，而第一距离L1小于第二距离L2，致使第一区域B1的面积小于第二区域B2的面积(两区域B1、B2的宽度可相同)。较佳地，第二距离L2可至少为第一距离L1的1.2倍、1.3倍、1.5倍、2倍，或其他可让使用者的肉眼或机器视觉辨别距离差异的倍数。

封装结构20于元件组成上，可包含一光致发光层、一反射结构、一导光结构、一透光层、一湿气阻隔层、一吸湿层、及一缓冲层等元件的至少其中一者，换言之，封装结构20所具有的方向识别特征应不受限于封装结构20的元件组成，可应用于例如本案申请人所申请的第201710812987.0、201710057384.4、201610082142.6、201610075824.4、201610033392.0、201610009956.7申请号的中国专利申请案等所揭露的发光装置的封装结构或对应封装结构的元件；这些包覆LED晶片的封装结构或元件能包含本实施例(或尔后所述的其他实施例)的不同大小的两区域，使外观上呈现出不对称性；该些申请案的技术内容可并入本案作为封装结构20的各种实施态样。

于本实施例中，封装结构20较佳地包含一光致发光层25及一反射结构26，光致发光层25可包含荧光材料或量子点材料等可部分改变第一光线波长的材料而形成一较长波长的第二光线，并混合于一透光胶材中，或可参考申请人的US 9,797,041的美国专利所揭露的荧光层的形成方法。较佳地，光致发光层25的面积大于或实质等于LED晶片10的上表面面积，并对称设置于LED晶片10的上表面11上；若光致发光层25的面积大于LED晶片10的上表面面积，沿着第一水平方向D1，光致发光层25包含两相隔的第一光致发光层侧面251(下称第一侧面251)及第二光致发光层侧面252(下称第二侧面252)，第一侧面251及第二侧面252可分别与LED晶片10的第一立面13及第二立面14相距；若光致发光层25的面积实质等于LED晶片10的上表面面积，第一侧面251及第二侧面252可与第一立面13及第二立面14相齐平(图未示)。

反射结构26可包含光散射微粒混合于一透光胶材中，致使光线难以穿过反射结构26。反射结构26沿着第一水平方向D1覆盖LED晶片10及光致发光层25的侧面251、252(如图2A所示)、但未有沿着第二水平方向D1覆盖LED晶片10及光致发光层25。反射结构26的沿着第一水平方向D1相分隔的第一反射结构侧面21(下称第一侧面21)及第二反射结构侧面22(下称第二侧面22)是分别为封装结构20整体上的第一侧面21及第二侧面22。如此非对称性的反射结构26可有效限制并缩小沿着第一水平方向D1的发光角度，而不影响发光装置沿着D2的发光角度。

藉由辨识反射结构26的第一侧面21与第一立面13之间的第一区域B1(第一距离L1)不等于第二侧面22与第二立面14之间的第二区域B2(第二距离L2)，可识别出预先设定的电极排列方向。另一方面，沿着第一水平方向D1，反射结构26的第一侧面21与光致发光层25的第一侧面251之间的第三距离L3亦不等于反射结构26的第二侧面22与光致发光层25的第二侧面252之间的第四距离L4，例如，若第一距离L1小于第二距离L2，则第三距离L3小于第四距离L4，两距离L3、L4的差异(以及所对应的区域差异)亦可作为电极排列方向的辨识用；申言之，此两距离L3、L4亦表示反射结构26包含厚度不同的两部分。此外，由于反射结构26(例如白色)与光致发光层25(例如黄色)呈现出不同的颜色，将更利于使用目视或机器视觉判断出两距离L3、L4的差异而辨识出预先设定的电极排列方向。

另一方面，光致发光层25的形状为对称地形成于LED晶片10的上方与侧面，因此具有不同厚度(即距离L3与L4)的反射结构26不会影响发光装置的光色、光形或发光强度。

于其他态样中，反射结构26可沿着第二水平方向D2覆盖LED晶片10及光致发光层25(如图3A及图3C所示)，而LED晶片10可为长条形晶片，其上表面11及下表面12可为长方形(如图3B所示)。

请参阅图4A及图4B，其为依据本发明另一较佳实施例发光装置A2的俯视及仰视示意图。发光装置A2亦具有不同面积的第一区域B1及第二区域B2，以作为电极方向的辨识用，而第一区域B1及第二区域B2的面积差异是藉由封装结构20的两宽度W1、W2的差异来达成。

具体而言，沿着第二水平方向D2，第一侧面(或第一反射结构侧面)21的一宽度W1是大于第二侧面(或第二反射结构侧面)22的一宽度W2，使得第一区域B1大于第二区域B2。也就是，封装结构20可包含一倒角面C1，倒角面C1连接第三侧面23与第二侧面22(两者为互相垂直且不相连接)，但第一侧面21未有连接另一倒角面，使得第二侧面22的宽度W2相对地较小。除了倒角面C1外，封装结构20亦可包含一个以上的倒角特征(包含圆角特征)，封装结构20亦可包含形成于第二侧面22的一凹槽(图未示)，以使第一区域B1(宽度W1)及第二区域B2(宽度W2)不同。封装结构20亦包含一第四侧面24，其沿着第二水平方向D2与第三侧面23相分隔。

于其他态样中，反射结构26可仅沿着第二水平方向D2覆盖LED晶片10及光致发光层25(图未示)，而LED晶片10可为长条形晶片(如图5所示)。

虽于上述实施例中，具有识别特征的方向皆位于LED晶片10的第一水平方向D1上(也就是，第一电极15及/或第二电极16侧)，但不以此为限制。识别特征亦可位于LED晶片10的第二水平方向D2上的其中一侧。

接着将说明依据本发明其他较佳实施例的发光装置的制造方法，该制造方法可制造出相同或类似于上述实施例的晶片级封装的发光装置A1、A2，故制造方法的技术内容与晶片级封装的发光装置的技术内容可相互参考、应用，相同的部份将省略或简化。

请参阅图6A至图6E，该制造方法至少包含两部分：提供复数个LED晶片10(如图6A所示)；以及形成复数个封装结构20于该等LED晶片10上(如图6B至图6E所示)，并使封装结构20具有尺寸不同的两区域，以供辨识电极方向用。

详细而言，如图6A所示，先将复数个彼此相连的光致发光层25设置于一离型材料40上，并且放置复数个LED晶片10于光致发光层25上，使LED晶片10的上表面11与光致发光层25相贴合，以形成一LED晶片阵列。如图6B所示，移除该些光致发光层25的每一者的一部分，以使该些光致发光层25相分隔，如图6C所示，于离型材料40上形成反射结构26，并使反射结构26填满相分隔的光致发光层25之间与相分隔的LED晶片10之间；所形成的反射结构26不会覆盖到LED晶片10的下表面12，以露出第一电极15及第二电极16；此时，反射结构26及光致发光层25构成复数个相连的封装结构20。

如图6E所示，尔后沿着第一水平方向D1及第二水平方向D2切割彼此相连的封装结构20，以使封装结构20的每一个中，沿着第一水平方向D1的第一侧面21及第一立面13之间的一第一距离L1是小于第二侧面22及第二立面14之间的一第二距离L2(或者使对应第一距离L1的第三距离L3小于对应第二距离L2的第四距离L4)；换言之，沿着第二水平方向D2上，所切割的位置并不在两相连的封装结构20的中间，而是偏向其中一个封装结构20。如此，可形成如图1至图3C中的多种态样的发光装置A1。如图6D所示，在切割封装构造之前或之后移除离型材料40。

于另一较佳实施例中，制造方法的形成封装结构20的步骤可包含：如图7A所示，切割该等封装结构20，以使封装结构20的每一个中，沿着该第一水平方D1形成相分隔的第一侧面21及第二侧面22，并沿着第二水平方向D2形成相分隔的第三侧面23及第四侧面24；如此，该等封装结构20可相分隔。接着，如图7B所示，可藉由一冲切刀具41来于该等封装结构20的每一个上形成一倒角面C1(如图4A所示)。如此，可形成如图4A至图5中的多种态样的发光装置A2。

另说明的是，冲切刀具41包含复数个刀刃411，该些刀刃411为倾斜设置于第一水平方向D1及第二水平方向D2；于冲切时，刀刃411可移除封装结构20的一角而形成倒角面C1。于其他态样中，冲切刀具41可包含一环形刀刃(图未示)，可藉由一次冲切来将相连的该等封装结构20分离(如图7A所示)、并同时于每一个封装结构20上形成倒角面C1。

于又一实施例中，形成封装结构20的步骤亦可包含：如图8A所示，将复数LED晶片10分别放置于一模具50的复数个模穴51中，其中，该等模穴51的每一个包含一倒角面52；此外，LED晶片10上已有设置光致发光层25(如图4A所示)，两者放置于模穴51中。接着，如图8B所示，于模穴51中分别形成包含反射结构26的封装结构20，以使反射结构26形成对应模穴51的形状；由于模穴51具有倒角面52于一角，所形成的反射结构26亦会有一倒角面C1。如此，可形成如图4A至图5中的多种态样的发光装置A2。

上述模穴51亦可不含倒角面52，藉由偏移放置复数LED晶片10，使其沿着第一水平方向D1，第一侧面21及第一立面13之间的一第一距离L1小于第二侧面22及第二立面14之间的一第二距离L2(或者使对应第一距离L1的第三距离L3小于对应第二距离L2的第四距离L4)，以形成如图1至图3C的多种态样的发光装置A1。

综上所述，本发明的晶片级封装的发光装置可具有电极排列方向的识别特征，且此识别特征可于封装结构的形成或单粒化的制程中一并形成，故不会影响发光装置的既有制造产率及良率，以简洁的手段有效地解决晶片级封装发光装置难以识别元件方向的问题。

上述的实施例仅用来例举本发明的实施态样，以及阐释本发明的技术特征，并非用来限制本发明的保护范畴。任何熟悉此技术者可轻易完成的改变或均等性的安排均属于发明所主张的范围，本发明的权利保护范围应以申请专利范围为准。

Claims (12)

1.一种晶片级封装的发光装置，其特征在于，包含：

一LED晶片，包含一上表面、相对于该上表面的一下表面、一第一立面、一第二立面、一第一电极及一第二电极，该第一立面及该第二立面皆形成于该上表面与该下表面之间，该第一电极及该第二电极设置于该下表面，其中，该上表面是定义有相垂直交错的一第一水平方向及一第二水平方向，该第一立面及该第二立面沿着该第一水平方向相分隔；以及

一封装结构，覆盖该LED晶片的该上表面、该第一立面及该第二立面，但露出该下表面、该第一电极及该第二电极，其中，该封装结构包含沿着该第一水平方向为相分隔的一第一侧面及一第二侧面；

其中，沿着该第一水平方向，该第一侧面及该第一立面之间的一第一距离是小于该第二侧面及该第二立面之间的一第二距离。

2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该第二距离是至少为该第一距离的1.2倍。

3.如权利要求1至2任一项所述的发光装置，其特征在于，该封装结构包含一光致发光层、一反射结构、一导光结构、一透光层、一湿气阻隔层、一吸湿层及一缓冲层的至少其中一者。

4.一种晶片级封装的发光装置，其特征在于，包含：

一LED晶片，包含一上表面、相对于该上表面的一下表面、一第一立面、一第二立面、一第一电极及一第二电极，该第一立面及该第二立面皆形成于该上表面与该下表面之间，该第一电极及该第二电极设置于该下表面，其中，该上表面是定义有相垂直交错的一第一水平方向及一第二水平方向，该第一立面及该第二立面沿着该第一水平方向相分隔；以及

一封装结构，覆盖该LED晶片的该上表面、该第一立面及该第二立面，但露出该下表面、该第一电极及该第二电极，其中，该封装结构包含一光致发光层及一反射结构，该光致发光层设置于该LED晶片的该上表面上，且该光致发光层包含沿着该第一水平方向为相分隔的一第一光致发光层侧面及一第二光致发光层侧面，而该反射结构沿着该第一水平方向覆盖该LED晶片及该光致发光层，且该反射结构包含沿着该第一水平方向为相分隔的一第一反射结构侧面及一第二反射结构侧面；

其中，沿着该第一水平方向，该第一反射结构侧面与该第一光致发光层侧面之间定义有一第一区域，而该第二反射结构侧面与该第二光致发光层侧面之间定义有一第二区域，该第一区域是不等于该第二区域。

5.如权利要求4所述的发光装置，其特征在于，沿着该第一水平方向，该第一反射结构侧面与该第一光致发光层侧面之间的一第三距离是小于该第二反射结构侧面与该第二光致发光层侧面之间的一第四距离。

6.如权利要求4所述的发光装置，其特征在于，沿着该第二水平方向，该第一反射结构侧面的一宽度是大于该第二反射结构侧面的一宽度。

7.如权利要求4至6任一项所述的发光装置，其特征在于，该反射结构更沿着该第二水平方向覆盖该LED晶片及该光致发光层。

8.一种晶片级封装的发光装置的制造方法，其特征在于，包含：

提供复数个LED晶片，其中，该些LED晶片的每一个包含一上表面、相对于该上表面的一下表面、一第一立面、一第二立面、一第一电极及一第二电极，该第一立面及该第二立面皆形成于该上表面与该下表面之间，该第一电极及该第二电极设置于该下表面，其中，该上表面是定义有相垂直交错的一第一水平方向及一第二水平方向，该第一立面及该第二立面沿着该第一水平方向相分隔；以及

形成复数个封装结构于该等LED晶片上，以覆盖该等LED晶片的每一个的该上表面、该第一立面及该第二立面，但露出该下表面、该第一电极及该第二电极，其中，该封装结构包含一光致发光层及一反射结构,该光致发光层设置于该LED晶片的该上表面上,且该光致发光层包含沿着该第一水平方向为相分隔的一第一光致发光层侧面及一第二光致发光层侧面,而该反射结构沿着该第一水平方向覆盖该LED晶片及该光致发光层,且该反射结构包含沿着该第一水平方向为相分隔的一第一反射结构侧面及一第二反射结构侧面；以及

其中,沿着该第一水平方向,该第一反射结构侧面与该第一光致发光层侧面之间定义有一第一区域，而该第二反射结构侧面与该第二光致发光层侧面之间定义有一第二区域,该第一区域是不等于该第二区域。

9.如权利要求8所述的发光装置的制造方法，其特征在于，形成该等封装结构的步骤是包含：

切割该等封装结构，以使该等封装结构的每一个中，沿着该第一水平方向的该第一反射结构侧面及该第一光致发光层侧面之间的一第三距离是小于该第二反射结构侧面及该第二光致发光层侧面之间的一第四距离。

10.如权利要求8所述的发光装置的制造方法，其特征在于，形成该等封装结构的步骤是包含：

将该等LED晶片分别放置于一模具的复数个模穴中，其特征在于，该等模穴的每一个包含一倒角面；以及

于该等模穴中分别形成该等封装结构，以使该等封装结构的每一个中，沿着该第一水平方向形成相分隔的一第一反射结构侧面及一第二反射结构侧面，并沿着该第二水平方向形成相分隔的一第三反射结构侧面及一第四反射结构侧面，并形成一倒角面，使该倒角面连接该第三反射结构侧面与该第二反射结构侧面。

11.如权利要求8所述的发光装置的制造方法，其特征在于，形成该等封装结构的步骤是包含：

切割该等封装结构，以使该等封装结构的每一个中，沿着该第一水平方向形成相分隔的一第一反射结构侧面及一第二反射结构侧面，并沿着该第二水平方向形成相分隔的一第三反射结构侧面及一第四反射结构侧面，并形成一倒角面，使该倒角面连接该第三反射结构侧面与该第二反射结构侧面。

12.如权利要求11所述的发光装置的制造方法，其特征在于，切割该等封装结构时，是藉由一冲切刀具来完成，其中，该冲切刀具包含复数个刀刃。

Images