CN206271751U - 芯片级led封装器件以及led显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种芯片级LED封装器件以及LED显示装置，其中，所述芯片级LED封装器件包括：倒装芯片；覆膜层，覆盖于所述倒装芯片上；标记，设于所述覆膜层上，用于标识所述倒装芯片的正极和/或负极。本实用新型芯片级LED封装器件通过在覆膜层上设置标记而判断倒装芯片的正极或负极，应用于应用端时，可快速区分正负极，提高生产效率。

Description

芯片级LED封装器件以及LED显示装置

技术领域

本实用新型涉及LED技术领域，尤其涉及一种芯片级LED封装器件以及LED显示装置。

背景技术

LED封装中的芯片级封装(Chip Scale Package,CSP)也称圆片级封装(WaferLevel Package,WLP)或者晶圆级封装，是指在未划片前完成对于LED芯片的封装，使得测试、划片都可以在封装完成之后进行，对于降低封装成本、提高良品率、缩小封装尺寸都有积极的作用。

芯片级LED封装器件，由芯片级封装工艺获得，一般定义为：封装体积与LED芯片体积相同或者封装体积不大于LED芯片体积的20％，且功能完整的封装元件。相比传统封装方式，芯片级封装方式免去了支架、焊线流程，获得的封装器件可以直接贴合在设有驱动电路的载板上。其中，芯片级LED封装器件的一般生产工艺是通过模具注塑成型或者压膜直接对倒装芯片进行覆膜，后期切割分离，即划片。

现有的采用PPA(Polyphthalamide，聚对苯二酰对苯二胺)支架的LED封装器件通过注塑成型带有缺角的支架，并通过缺角标识正负极。然而，由于工艺和尺寸的限制，芯片级LED封装器件很难通过上述成型工艺实现正负极的区分，进而芯片级LED封装器件在应用端应用时无法快速的区分正负极，影响生产效率。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种芯片级LED封装器件，旨在通过设置标记而判断该芯片级LED封装器件的正极或负极。

为实现上述目的，本实用新型提供一种芯片级LED封装器件，所述芯片级LED封装器件包括：倒装芯片；覆膜层，覆盖于所述倒装芯片上；标记，设于所述覆膜层上，用于标识所述倒装芯片的正极和/或负极。

优选地，所述标记为形成于所述覆膜层的表面的凹陷结构。

优选地，所述标记为多个间隔设置的凹点。

优选地，所述标记为可分离设于所述覆膜层的表面的凸起结构。

优选地，所述标记包括可分离粘贴于所述覆膜层的表面的粘贴层以及设于所述粘贴层上的热缩性薄膜层。

优选地，所述标记为可光分解的光刻胶层。

优选地，所述标记呈多边形、圆形、椭圆形、十字形或者“⊥”形。

优选地，所述覆膜层包括覆盖于所述倒装芯片上的荧光层以及覆盖于所述荧光层上的透镜层，所述标记设于所述透镜层的表面。

优选地，所述芯片级LED封装器件还包括基板，所述倒装芯片固晶于所述基板上。

此外，为实现上述目的，本实用新型还提供一种LED显示装置，所述LED显示装置包括安装板以及阵列分布于所述安装板上的多个芯片级LED封装器件，所述芯片级LED封装器件包括：倒装芯片；覆膜层，覆盖于所述倒装芯片上；标记，设于所述覆膜层上，用于标识所述倒装芯片的正极和/或负极。

本实用新型技术方案，通过在覆膜层上设置标记，该标记对应倒装芯片的正极和/或负极设置或者指向正极和/或负极设置，从而可以通过观察该标记而判断芯片级LED封装器件的正负极；因此，在应用端应用时，可快速识别电极极性，提高生产效率，避免电极连接错误。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本实用新型芯片级LED封装器件第一实施例的俯视图；

图2为图1中芯片级LED封装器件沿A-A线的剖视图；

图3为本实用新型芯片级LED封装器件第二实施例的俯视图；

图4为图3中芯片级LED封装器件沿B-B线的剖视图；

图5为本实用新型芯片级LED封装器件第三实施例的俯视图；

图6为图5中芯片级LED封装器件沿C-C线的剖视图；

图7为本实用新型芯片级LED封装器件第四实施例的俯视图；

图8为图7中芯片级LED封装器件沿D-D线的剖视图；

图9为图7中芯片级LED封装器件的制程示意图。

本实用新型目的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明，本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，在本实用新型中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。

本实用新型提供一种芯片级LED封装器件，请参照图1及图2，在第一实施例中，该芯片级LED封装器件包括依次设置的倒装芯片1和覆膜层2，该覆膜层2覆盖在倒装芯片1上。其中，该芯片级LED封装器件还包括标记3，该标记3设于该覆膜层2上，用于标识倒装芯片1的正极和/或负极。

本实施例的芯片级LED封装器件通过在覆膜层2上设置标记3，该标记3对应倒装芯片1的正极和/或负极设置或者指向正极和/或负极设置，从而可以通过观察该标记3而判断芯片级LED封装器件的正负极；因此，在应用端应用时，可快速识别电极极性，提高生产效率，避免电极连接错误。

需要说明的是，在本实用新型中，该倒装芯片1可以设置在基板上，也可以不设置在基板，即该芯片级LED封装器件为带基板或者不带基板的芯片级LED封装器件。该覆膜层2可以仅覆盖倒装芯片1的顶面，也可以覆盖倒装芯片1的顶面和四个侧面；该覆膜层2可以包含荧光粉和凝胶，通过流体状的凝胶的固化而将荧光粉均匀地覆盖在倒装芯片1上；该覆膜层2也可以包括覆盖倒装芯片1的荧光层和设置在荧光层上的透镜层，透镜层通常选用折射率较高的硅胶。该标记3可以对应正极和/或负极设置而标识正极和/或负极，或者指向正极和/或负极而判断正极和/或负极，例如箭头指向或三角形指向等等。

在本实施例中，进一步地，该标记3为形成于覆膜层2的表面的凹陷结构。

由于该凹陷结构设置在覆膜层2的表面，其容易被观察到，且该凹陷结构容易设置，方便加工，有利于成本控制。

在本实施例中，进一步地，该标记3通过压印或者激光烧蚀成型。

通过压印方式设置标记3，仅在覆膜层2上形成凹陷结构，基本不会影响覆膜层2的性能，保证了芯片级LED封装器件的光学性能；同时，压印技术为现有工艺，其工序简单，容易操作。通过激光烧蚀部分覆膜层2，而形成凹陷结构，可以容易地识别该标记3；而且，激光烧蚀技术为现有工艺，其可以准确控制标记3的位置、大小，提高工艺的效率。

在本实施例中，进一步地，该标记3呈多边形、圆形、椭圆形、十字形或者“⊥”形，但不限于列举的情况。其中，多边形不限于三角形、方形、或五边形等等。

通过设置上述形状的标记3，使该标记3更容易被识别，更易于判断正极或负极。

需要说明的是，在本实用新型中，该标记3可以由构成形状的整体面积凹陷成型、由构成形状的线条凹陷成型或者由构成形状的轮廓凹陷成型；以三角形为例，该标记3可以由三条边围成的整个面积凹陷成型，也可以仅由三条边凹陷成型，还可以由整体轮廓呈三角形的若干凹陷点构成。

在本实施例中，进一步地，该标记3由构成形状的整体面积凹陷成型，如此设置，可以使标记3易于被观察到。优选地，该标记3呈三角形，其易于标识指向电极方向，如图1和图2所示。

在本实施例中，进一步地，该芯片级LED封装器件为无基板结构，其覆膜层2覆盖倒装芯片1的顶面和四个侧面，且该覆膜层2包含荧光粉和凝胶。该标记3设置在侧边位置。

本实施例的芯片级LED封装器件的具体工艺如下：

首先，在模具中设置多个阵列排布的倒装芯片1，并向模具中注塑流体状的荧光粉和凝胶的混合物，该混合物覆盖倒装芯片1且固化后形成覆膜层2；然后，开模，并通过压印技术或激光烧蚀技术在覆膜层2上对应每一倒装芯片1成型标记3，由于压印技术或激光烧蚀技术均为现有技术，其具体工艺在此不做赘述；最后，划片而获得单个芯片级LED封装器件。

请参照图3和图4，图3为本实用新型芯片级LED封装器件第二实施例的俯视图；图4为图3中芯片级LED封装器件沿B-B线的剖视图。本实施例与上述第一实施例的不同之处在于：

该标记3由构成形状的线条凹陷成型，即由围合成三角形的三条边凹陷成型，如此设置，可以在易于辨认标记3的前提下，减小标记3的面积，尽可能地减小标记3设置对覆膜层2的性能的影响，也进一步保证了芯片级LED封装器件的光学性能。

请参照图5和图6，图5为本实用新型芯片级LED封装器件第三实施例的俯视图；图6为图5中芯片级LED封装器件沿C-C线的剖视图。本实施例与上述第一实施例的不同之处在于：

该标记3由构成形状的轮廓凹陷成型，即该标记3为多个间隔设置的凹点，该多个凹点整体上成型了该标记3的形状的轮廓。如此设置，同样在可辨认标记3的基础上，最小化标记3的面积，使标记3对覆膜层2的性能的影响最小。

在本实施例中，进一步地，该标记3位于覆膜层2的表面的中心位置。

在本实施例中，进一步地，该芯片级LED封装器件还包括基板4，该倒装芯片1固晶于基板4上。通过设置基板4，有利于保证芯片级LED封装器件应用时的电气连接性能和稳定性。

在本实施例中，进一步地，该覆膜层2包括覆盖于倒装芯片1上的荧光层20以及覆盖于荧光层20上的透镜层22，该标记3设于透镜层22的表面。同时，该覆膜层2也覆盖在基板4上，如图6所示。

本实施例的芯片级LED封装器件的具体工艺如下：

首先，在阵列基板上固晶多个倒装芯片1，该多个倒装芯片1呈阵列分布；其次，在多个倒装芯片1上贴附荧光膜，并在荧光膜上注塑硅胶，该硅胶固化成型为透镜层22；然后，通过压印技术或激光烧蚀技术在透镜层22上对应每一倒装芯片1成型标记3；最后，划片而获得单个芯片级LED封装器件。

请参照图7至图9，图7为本实用新型芯片级LED封装器件第四实施例的俯视图；图8为图7中芯片级LED封装器件沿D-D线的剖视图；图9为图7中芯片级LED封装器件的制程示意图。本实施例与上述第一实施例的不同之处在于：

该标记3为可分离设于覆膜层2的表面的凸起结构。

该凸起结构可分离设置，在应用端应用时，可将凸起结构与覆膜层2分离，从而避免了凸起结构对芯片级LED封装器件的光学性能的影响。

需要说明的是，在本实用新型中，该凸起结构可以是，但不限于，涂层、贴膜、胶层等等，其厚度、大小根据实际需要设置。

在本实施例中，进一步地，该凸起结构包括粘贴层(未图示)以及设于粘贴层上的热缩性薄膜层(未图示)，粘贴层可分离粘贴于覆膜层2的表面。

加热该凸起结构时，由于热缩性薄膜层受热收缩，在其内应力的作用下，可使粘贴层与覆膜层2的表面分离而脱落，因此，该凸起结构受热容易分离，无需手动逐一除去该凸起结构。

在本实施例中，该凸起结构优选为具有热缩性薄膜层的离型膜。

在本实施例中，进一步地，该标记3设置在覆膜层2的边角位置。

本实施例的芯片级LED封装器件的具体工艺如下：

如图9所示，首先，通过模具在阵列排布的多个倒装芯片1上注塑流体状的荧光粉和凝胶的混合物，该混合物固化形成覆膜层2；其次，开模，并将整张离型膜覆盖在覆膜层2的整个表面上；然后，将该离型膜的绝大部分撕去，留下形成标记3的极小部分，使一标记3对应一倒装芯片1设置；最后，划片而获得单个芯片级LED封装器件。

本实用新型还提供芯片级LED封装器件的第五实施例，本实施例与第四实施例的不同之处在于：

该凸起结构为可光分解的光刻胶层，通过紫外光或其他高能光照射该凸起结构，该凸起结构发生分解而与覆膜层2的表面分离，同样易于除去标记3，避免标记3对芯片级LED封装器件的光学性能的影响。

本实施例的芯片级LED封装器件的具体工艺如下：

首先，通过模具在阵列排布的多个倒装芯片1上注塑流体状的荧光粉和凝胶的混合物，该混合物固化形成覆膜层2；其次，开模并将掩模固定在覆膜层2的表面，该掩模上开设有多个阵列排布的镂空部，镂空部的形状与标记3的形状相同，且一镂空部对应一倒装芯片1设置；接着，在掩模上涂布光刻胶，通过该掩模而在覆膜层2的表面成型标记3；最后，移开掩模，划片而获得单个芯片级LED封装器件。

本实用新型还提供一种LED显示装置，在一实施例中，该LED显示装置包括安装板以及阵列分布于安装板上的多个芯片级LED封装器件，该芯片级LED封装器件的具体结构参照上述实施例，由于本实施例的LED显示装置采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此同样具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。其中，本实施例的LED显示装置为通过芯片级LED封装器件发光而显示各种信息(图像、视频、文字、文本等等)的设备，其包括LED显示模组、LED显示屏以及LED数码管等等。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的实用新型构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种芯片级LED封装器件，其特征在于，包括：

倒装芯片；

覆膜层，覆盖于所述倒装芯片上；

标记，设于所述覆膜层上，用于标识所述倒装芯片的正极和/或负极。

2.如权利要求1所述的芯片级LED封装器件，其特征在于，所述标记为形成于所述覆膜层的表面的凹陷结构。

3.如权利要求2所述的芯片级LED封装器件，其特征在于，所述标记为多个间隔设置的凹点。

4.如权利要求1所述的芯片级LED封装器件，其特征在于，所述标记为可分离设于所述覆膜层的表面的凸起结构。

5.如权利要求4所述的芯片级LED封装器件，其特征在于，所述标记包括可分离粘贴于所述覆膜层的表面的粘贴层以及设于所述粘贴层上的热缩性薄膜层。

6.如权利要求4所述的芯片级LED封装器件，其特征在于，所述标记为可光分解的光刻胶层。

7.如权利要求1至6任意一项所述的芯片级LED封装器件，其特征在于，所述标记呈多边形、圆形、椭圆形、十字形或者“⊥”形。

8.如权利要求1所述的芯片级LED封装器件，其特征在于，所述覆膜层包括覆盖于所述倒装芯片上的荧光层以及覆盖于所述荧光层上的透镜层，所述标记设于所述透镜层的表面。

9.如权利要求1所述的芯片级LED封装器件，其特征在于，还包括基板，所述倒装芯片固晶于所述基板上。

10.一种LED显示装置，包括安装板以及阵列分布于所述安装板上的多个芯片级LED封装器件，其特征在于，所述芯片级LED封装器件为权利要求1至9任意一项所述的芯片级LED封装器件。