CN105006509B - 量子点led封装方法以及封装结构 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及量子点LED，提供了一种量子点LED封装方法，采用量子点与聚合物的混合溶液制备量子点薄膜，同时还在LED芯片上制备顶部具有凹陷部的球冠状透镜，然后将量子点薄膜置于球冠状透镜的正上方且形成对引线框架的密封；本发明还提供一种量子点LED封装结构，包括引线框架以及LED芯片，LED芯片上罩盖有球冠状透镜，还包括量子点薄膜，量子点薄膜密封引线框架的开口，且球冠状透镜的顶部设置有凹陷部，凹陷部位于LED芯片正上方。本发明的封装方法可以成型封装结构，量子点薄膜与球冠状透镜之间没有添加填充物，可以有效提高量子点薄膜的取光效率和流明效率，同时球冠状透镜凹陷部结构可以提高发出光空间颜色的均匀性，保证高电流时的光学性能稳定性。

Description

量子点LED封装方法以及封装结构
技术领域
本发明涉及量子点LED，尤其涉及一种量子点LED封装方法以及封装结构。
背景技术
LED(Light Emitting Diode)是一种电致发光的半导体发光器件，具有使用寿命长、环保节能、高显色系数、电光转换效率高、体积小、高可靠性等优点。由于LED独特的优越性，在许多领域得到了广泛应用和迅速发展，被业界认为是最有前景和重要性的下一代固体照明光源，具有巨大的市场潜力。
基于半导体量子点(QD)的量子点LED器件具有色彩饱和、纯度高、单色性佳、颜色可调以及可以用比较简单的溶液制备方法获得并可大规模制备等优点。随着核壳结构的量子点的出现，核量子点的光氧化和光致褪色等缺陷得以改进，光致发光量子产率和光学稳定性更高，量子点LED器件的外量子产率得到很大的提高，成为当前最受瞩目的发光器件之一，并展现了美好的应用前景。但在大电流下量子点发光呈现饱和效应，随着电流增大，量子点LED产生光效下降，色温升高，转换效率降低等问题，即电流稳定性能较差，同时由于LED芯片发射光呈朗伯型分布，传统平面远离封装的量子点LED空间颜色均匀性较差。
发明内容
本发明的目的在于提供一种量子点LED封装方法，旨在用于解决采用现有封装方法封装后的量子点LED芯片在高电流时稳定性较差的问题。
本发明是这样实现的：
本发明提供一种量子点LED封装方法，包括以下工艺步骤：
混合含有量子点的溶液与聚合物并形成混合溶液，将所述混合溶液置于密闭容器内，对所述混合溶液进行超声振荡；
将振荡后的所述混合溶液由所述密闭容器转移至平底容器内，加热蒸发所述混合溶液至获得量子点薄膜；
取LED芯片置于引线框架内，于所述LED芯片上制备有球冠状透镜，所述LED芯片位于所述球冠状透镜内，且所述球冠状透镜的顶部具有向所述LED芯片延伸的凹陷部，所述凹陷部位于所述LED芯片的正上方；
将所述量子点薄膜置于所述球冠状透镜正上方且密封所述引线框架。
具体地，制备所述球冠状透镜时，取一模具，所述模具具有与所述球冠状透镜外形相同的空腔，将所述模具倒扣于所述引线框架内，且所述LED芯片位于所述空腔内，向所述空腔内填充硅胶或环氧树脂且加热固化，所述空腔内形成所述球冠状透镜，去掉所述模具。
具体地，制备所述球冠状透镜时，采用点胶设备于所述LED芯片上成型完整的球冠，采用与所述凹陷部外形相同的模具压头由所述球冠顶部伸入所述球冠内，对其加热固化并形成所述球冠状透镜。
进一步地，所述混合溶液中所述量子点与所述聚合物的质量比在1:50～1:200之间。
进一步地，上述各步骤均在超净环境中进行，且采用的工具使用前均经过无水乙醇和去离子水清洗后再在真空干燥箱中干燥。
进一步地，所述LED芯片的中心对应所述凹陷部的中心。
具体地，所述聚合物为聚苯乙烯或者聚甲基丙烯酸甲酯或者聚对苯二甲酸乙二醇酯。
进一步地，所述LED芯片的电极与所述引线框架的底部焊盘间通过引线键合实现电互连。
本发明还提供一种量子点LED封装结构，包括上端为开口的引线框架以及位于所述引线框架内的LED芯片，所述LED芯片上罩盖有球冠状透镜，还包括设置于所述球冠状透镜正上方的量子点薄膜，所述量子点薄膜密封所述引线框架的所述开口，且所述球冠状透镜的顶部设置有向所述LED芯片延伸的凹陷部，所述凹陷部位于所述LED芯片正上方。
进一步地，所述量子点薄膜的内表面与所述球冠状透镜的顶部之间具有间隙。
本发明具有以下有益效果：
本发明的封装方法中，采用量子点与聚合物的混合溶液成型量子点薄膜，同时在LED芯片上成型球冠状透镜，球冠状透镜具有凹陷部，将量子点薄膜置于球冠状透镜的正上方。通过上述封装方法成型的封装结构中，量子点薄膜与球冠状透镜表面之间为空气，对此量子点受LED芯片激发产生的光在量子点薄膜内表面处被反射至外界，即量子点激发光均可由量子点薄膜射出，使其在工作时具有较高的取光效率和流明效率，而且由于在球冠状透镜的顶部处具有凹陷部，使得LED芯片发出光可以更加均匀照射至量子点薄膜上，对此在大电流时量子点薄膜对应球冠状透镜顶部处的量子点不会快速呈现饱和效应，难以产生色温升高的现象，流明效率降低变少，同时提高发出光的空间颜色均匀性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本发明实施例提供的量子点LED封装方法的量子点薄膜制备步骤示意图；
图2为图1的量子点LED封装方法的球冠状透镜的其中一制备方式的示意图；
图3为图1的量子点LED封装方法的球冠状透镜的另一种一制备方式的示意图；
图4为图1的量子点LED封装方法的量子点薄膜与引线框架的粘接；
图5为本发明实施例提供的量子点LED封装结构的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
参见图1以及图4，本发明实施例提供一种量子点LED封装方法，采用量子点211封装LED芯片1，包括以下工艺步骤：
将含有量子点211的溶液与聚合物212进行混合，并形成两者的混合溶液2，然后将该混合溶液2置于一密闭容器3内，且对其进行超声振荡，量子点211为无机的纳米荧光材料，将其置于三氯甲烷或者甲苯等有机溶剂内形成含有量子点211的溶液，对于聚合物212则为聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯或者聚对苯二甲酸乙二醇酯等聚合物212，将其与含有荧光材料的三氯甲烷或者甲苯有机溶剂进行混合，可将两者直接置于密闭容器3内进行混合，密闭容器3上端为开口，混合时采用封口膜31对其密封，将内置混合溶液2的密闭容器3放在装有41水的超声机4内进行超声振荡，通常需要一个小时以上，通过超声振荡可以有利于将含有量子点211的溶液与聚合物212混合均匀，混合溶液2均与透明；
将振荡混合均匀后的混合溶液2由密闭容器3内转移至平底容器5内，对平底容器5进行加热，混合溶液2蒸发至获得量子点薄膜21，平底容器5为敞口，其采用陶瓷材料制成且底面为平面，既耐腐蚀也耐高温，形状可为圆形或正方形，将内置混合溶液2的平底容器5整体放置于一热板6上，采用40℃左右的温度加热蒸发平底容器5内的混合溶液2，当其内液体蒸发完全后在平底容器5的底面上堆积形成具有量子点211的量子点薄膜21，量子点211均匀分布于聚合物212内；
取一LED芯片1，将其置于一个引线框架7的中间位置，在该LED芯片1上制备形成有球冠状透镜11，LED芯片1位于成型的球冠状透镜11内，在球冠状透镜11的顶部位置成型有向LED芯片1延伸的凹陷部111，且该凹陷部111位于LED芯片1的正上方，通常该凹陷部111呈倒圆锥，竖直向下，凹陷部111于球冠状透镜11的顶部尺寸大于底部处的尺寸，对于引线框架7主要用于形成LED芯片1与外界的电连接关系，其上端也为开口，一般LED芯片1的电极与引线框架7的底部焊盘的引线之间通过键合的方式形成电互连；
将成型后的量子点薄膜21由平底容器5内取出且将其置于球冠状透镜11的正上方，同时还通过量子点薄膜21形成对引线框架7上端开口的密封，对此采用量子点薄膜21实现对LED芯片1的封装，量子点薄膜21通过硅胶或者环氧树脂粘接于引线框架7上，且在粘接完成后通过热板6加热以使两者之间连接处的硅胶或者环氧树脂固化。
在上述制作方式中，先制备量子点薄膜21以及球冠状透镜11，采用球冠状透镜11封装LED芯片1，然后采用量子点薄膜21以及引线框架7封装球冠状透镜11以及LED芯片1，在制备量子点薄膜21时，聚合物212为基体，成型后量子点211均匀分布于聚合物212基体内。成型后的封装结构中，量子点薄膜21的内表面与球冠状透镜11的外表面之间没有填充物，具体为两者之间为空气，空气与量子点薄膜21的折射率不同，当LED芯片1通电发光后，该发出光射至量子点薄膜21内并激发量子点211发光，量子点211发出光在射至量子点薄膜21内表面处时，由于折射率的问题，被反射至封装结构的外侧，即量子点211发出光只有较少部分入射至引线框架7内，从而使其具有较高的取光效率以及流明效率，另外由于球冠状透镜11的顶部具有凹陷部111，则使得LED芯片1的发出光不会聚集于球冠状透镜11的顶部处，不会造成球冠状透镜11顶部处光强较大，两侧光强较弱的问题，即LED芯片1的发出光透射球冠状透镜11后比较均匀照射至量子点薄膜21上，在高电流时难以产生色温升高的现象，使得流明效率降低变少，同时提高发出光的空间颜色均匀性。
参见图2以及图3，对于球冠状透镜11的制备可以采取多种方式，其一可在制备球冠状透镜11时，先制作有一模具8，该模具8具有空腔81，而空腔81的外形尺寸与所需制备的球冠状透镜11的外形尺寸相同，将该模具8倒扣于引线框架7内，且LED芯片1位于空腔81内，向该空腔81内填充硅胶或者环氧树脂等，当空腔81被充满后将引线框架7整体置于热板6上加热固化，通常采用100-150℃的温度加热30-60min，当然温度较低时对应加热时间较长，使得空腔81内的硅胶或者环氧树脂完全固化，去掉模具8后则形成球冠状透镜11。在另一种制备球冠状透镜11的方式中，先采用点胶设备9在LED芯片1上逐渐点涂硅胶或者环氧树脂直至形成完整的球冠状，然后采用与凹陷部111外形尺寸相同的模具压头91对准球冠状顶部竖直浸入硅胶或者环氧树脂内一部分，通常凹陷部111呈倒扣的圆锥，对应地模具压头91也为圆锥状，保持这种状态对引线框架7进行加热直至硅胶或者环氧树脂完全固化形成球冠状透镜11，且当模具压头91抽离后球冠状透镜11的顶部处形成圆锥状的凹陷部111。通过上述两种制备方法，均可以在LED芯片1上成型球冠状透镜11，且能够在其顶部处形成凹陷部111，操作比较方便。对于成型后的球冠状透镜11其顶部应低于引线框架7的顶部，即其不能够由引线框架7的上端开口伸出，方便量子点薄膜21密封该开口位置。
细化上述制作工艺，在混合含有量子点溶液与聚合物212时，量子点211与聚合物212之间应按照一定的比例混合，通常采用质量比，且质量比范围在1:50～1:200之间。一般量子点211采用硒化镉/硫化锌(CdSe/ZnS)量子点211，其均为纳米级的荧光材料，将这种量子点211添加入三氯甲烷或者甲苯等有机溶剂中，从而形成具有量子点211的溶液，然后按照上述质量比将聚合物212添加入上述溶液中，进而形成混合溶液2，在加热蒸发后剩余聚合物212与量子点211形成量子点薄膜21。
进一步地，上述的操作步骤应均在超净环境中进行，且在制作工艺中所需的工具在使用前均应经过无水乙醇以及去离子水进行清洗，且在清洗后置于真空干燥箱中干燥，一般为在10000级的超净间中进行。由于量子点211的尺寸为纳米级，对此将制作过程置于超净环境中，可有效避免环境中的杂质影响量子点薄膜21中量子点211的分布，而采用上述清洗方式也是为了避免使用的工具对其干扰，降低封装后封装结构质量。
取优化方案，LED芯片1的中心对应凹陷部111的中心。本实施例中，LED芯片1的中心与凹陷部111的中心位于同一直线上，从而使得LED芯片1发出光难以聚集至球冠状透镜11的顶部，其可较均匀分布于球冠状透镜11的凹陷部111的外侧，即LED芯片1发出光在透射球冠状透镜11的外侧均匀发出，可以进一步保证封装结构发出光的空间颜色均匀性。对于LED芯片1可以采用蓝色LED芯片1，也可以采用紫外LED芯片1。
参见图5，本发明实施例还提供一种量子点LED封装结构，其主要采用上述的封装方法制成，包括引线框架7以及LED芯片1，引线框架7的上端为开口，LED芯片1可由该开口置于引线框架7内的中间位置，在LED芯片1上罩盖有球冠状透镜11，封装结构还包括设置于球冠状透镜11正上方的量子点薄膜21，同时该量子点薄膜21密封引线框架7的开口，另外对于球冠状透镜11，在其顶部处设置有凹陷部111，该凹陷部111由球冠状透镜11的顶部向LED芯片1延伸，且其位于LED芯片1的正上方。本实施例中，量子点薄膜21与球冠状透镜11表面之间为空气，由于空气与量子点薄膜21的折射率不同，使得量子点211受LED芯片1激发产生的光在量子点薄膜21内表面处被反射至外界，即量子点薄膜21激发光难以入射至引线框架7内被吸收，可以有效提高其取光效率以及流明效率，而且由于在球冠状透镜11的顶部处具有凹陷部111，使得LED芯片1发出光不会聚焦至球冠状透镜11的顶部位置，由球冠状透镜11射出的LED芯片1发出光均匀照射至量子点薄膜21上，在高电流时难以产生色温升高的现象，使得流明效率降低变少，同时提高发出光的空间颜色均匀性。
优化上述实施例，量子点薄膜21的内表面与球冠状透镜11的顶部之间具有间隙。本实施例中，量子点薄膜21与球冠状透镜11的顶部之间具有间隙，即量子点薄膜21与球冠状透镜11之间不接触，对此在量子点211激发出光后，其发出光不会直接透射入球冠状透镜11内，而是由量子点薄膜21的内表面处反射至外侧，可以大大降低量子点211发出光射入引线框架7内的入射量，提高封装结构的取光效率以及流明效率。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种量子点LED封装方法，其特征在于，包括以下工艺步骤：
混合含有量子点的溶液与聚合物并形成混合溶液，将所述混合溶液置于密闭容器内，对所述混合溶液进行超声振荡；
将振荡后的所述混合溶液由所述密闭容器转移至平底容器内，加热蒸发所述混合溶液至获得量子点薄膜；
取LED芯片置于引线框架内，于所述LED芯片上制备有球冠状透镜，所述LED芯片位于所述球冠状透镜内，且所述球冠状透镜的顶部具有向所述LED芯片延伸的凹陷部，所述凹陷部位于所述LED芯片的正上方；
将所述量子点薄膜置于所述球冠状透镜正上方且密封所述引线框架。
2.如权利要求1所述的量子点LED封装方法，其特征在于：制备所述球冠状透镜时，取一模具，所述模具具有与所述球冠状透镜外形相同的空腔，将所述模具倒扣于所述引线框架内，且所述LED芯片位于所述空腔内，向所述空腔内填充硅胶或环氧树脂且加热固化，所述空腔内形成所述球冠状透镜，去掉所述模具。
3.如权利要求1所述的量子点LED封装方法，其特征在于：制备所述球冠状透镜时，采用点胶设备于所述LED芯片上成型完整的球冠，采用与所述凹陷部外形相同的模具压头由所述球冠顶部伸入所述球冠内，对其加热固化并形成所述球冠状透镜。
4.如权利要求1所述的量子点LED封装方法，其特征在于：所述混合溶液中所述量子点与所述聚合物的质量比在1:50～1:200之间。
5.如权利要求1所述的量子点LED封装方法，其特征在于：上述各步骤均在超净环境中进行，且采用的工具使用前均经过无水乙醇和去离子水清洗后再在真空干燥箱中干燥。
6.如权利要求1所述的量子点LED封装方法，其特征在于：所述LED芯片的中心对应所述凹陷部的中心。
7.如权利要求1所述的量子点LED封装方法，其特征在于：所述聚合物为聚苯乙烯或者聚甲基丙烯酸甲酯或者聚对苯二甲酸乙二醇酯。
8.如权利要求1所述的量子点LED封装方法，其特征在于：所述LED芯片的电极与所述引线框架的底部焊盘间通过引线键合实现电互连。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106753331A (zh) * 2016-12-05 2017-05-31 河北工业大学 一种基于发光纳米颗粒的复合荧光材料及led封装结构
CN106585061B (zh) * 2016-12-06 2018-08-17 厦门世纳芯科技有限公司 一种高质量量子点荧光薄膜材料及其制备方法
CN113362702A (zh) * 2021-06-28 2021-09-07 武汉华星光电技术有限公司 增亮膜及其制备方法、背光模组、显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101436557A (zh) * 2007-11-13 2009-05-20 香港科技大学 Led阵列封装的晶圆级封装方法及其制造的led封装器件
CN102280565A (zh) * 2010-06-14 2011-12-14 三星Led株式会社 使用量子点的发光装置封装件、照明设备和显示设备
CN102640581A (zh) * 2009-10-22 2012-08-15 瑟莫尔解决方案资源有限责任公司 包覆模制的led照明组件及其制造方法
JP5262054B2 (ja) * 2007-10-10 2013-08-14 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
CN103328605A (zh) * 2011-01-28 2013-09-25 昭和电工株式会社 包含量子点荧光体的组合物、量子点荧光体分散树脂成型体、包含量子点荧光体的结构物、发光装置、电子设备、机械装置及量子点荧光体分散树脂成型体的制造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5262054B2 (ja) * 2007-10-10 2013-08-14 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
CN101436557A (zh) * 2007-11-13 2009-05-20 香港科技大学 Led阵列封装的晶圆级封装方法及其制造的led封装器件
CN102640581A (zh) * 2009-10-22 2012-08-15 瑟莫尔解决方案资源有限责任公司 包覆模制的led照明组件及其制造方法
CN102280565A (zh) * 2010-06-14 2011-12-14 三星Led株式会社 使用量子点的发光装置封装件、照明设备和显示设备
CN103328605A (zh) * 2011-01-28 2013-09-25 昭和电工株式会社 包含量子点荧光体的组合物、量子点荧光体分散树脂成型体、包含量子点荧光体的结构物、发光装置、电子设备、机械装置及量子点荧光体分散树脂成型体的制造方法

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