TWI835720B - 發光二極體模組及其製造方法及相關之閃光燈模組、汽車頭燈或投影發光二極體系統 - Google Patents
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Abstract
本發明描述一種發光二極體模組(100)，其包括：至少一個發光二極體結構(10)，一整合反射器配置(70)，其中該整合反射器配置(70)包括用於反射經由該至少一個發光二極體結構(10)之一發光區域(11)發射之光之一反射器表面(72)，其中該整合反射器配置(70)進一步包括用於將經由該發光二極體結構(10)之一側表面發射之光漫反射回至該發光二極體結構(10)之一背反射表面(74)，且其中該背反射表面(74)直接附接至該發光二極體結構(10)之該側表面之至少一部分，使得在該發光二極體模組(100)之操作期間，減少藉由該發光二極體結構(10)之該側表面之一雜散光發射。
本發明進一步描述一種製造此一發光二極體模組(100)之對應方法。本發明最後描述一種包括至少一個發光二極體模組(100)之閃光燈模組、汽車頭燈或投影發光二極體系統。
Description
本發明係關於一種具有高近場對比率的LED模組。本發明進一步係關於一種製造具有高近場對比率的LED模組之方法。本發明最後係關於一種包括至少一個發光二極體模組之照明裝置，諸如一閃光燈模組、一汽車頭燈(前照燈)或一投影發光二極體系統。
發光二極體(LED)模組之高近場對比度要求對於無眩光(glare-free)照明器件成像光學設計變得日益重要。近場對比度強烈取決於個別晶片及封裝佈局。
本發明之一目的係提供一種具有高近場對比率的LED模組。另一目的係提供一種製造具有高近場對比率的LED模組之經改良方法。
在獨立技術方案中描述本發明。附屬技術方案包括較佳實施例。
根據一第一態樣，提供一種製造一發光二極體模組之方法。該方法包括以下步驟：-將至少一個發光二極體結構配置於一載體結構上，-藉由一模具(mold chase)將該至少一個發光二極體結構圍封於一腔中，使得該至少一個發光二極體結構之發光區域由一保護表面覆蓋，
-將一流體模製化合物提供於該腔中，使得該發光二極體結構之一側表面之至少一部分由該流體模製化合物覆蓋，且使得形成用於反射經由該至少一個發光二極體結構之光轉換結構之一發光區域發射之光之一反射器表面，-硬化該模製化合物使得將一背反射表面直接附接至該發光二極體結構之該側表面之該部分，使得在該發光二極體模組之操作期間，減少或甚至抑制藉由該發光二極體結構之該側表面之一雜散光發射。
該保護表面可由該模具構成。
較佳可將該流體模製化合物壓入該腔中。較佳可在將該流體模製化合物壓入該腔中之前抽空該腔。在提供該流體模製化合物期間，該腔中之一壓力較佳可低於1Pa。因此，上文描述之該發光二極體模組較佳可藉由一轉移模製程序而製造，使得該整合反射器配置由藉由該轉移模製程序產生之一塊材料組成。藉由該保護表面可避免對該一或多個發光區域之後續清潔，以避免對該整合反射器配置之任何損害。
根據另一態樣，提供一種發光二極體模組。該發光二極體模組包括：-至少一個發光二極體結構，-一整合反射器配置，其中該整合反射器配置包括用於反射經由該至少一個發光二極體結構之一發光區域發射之光之一反射器表面，其中該整合反射器配置進一步包括用於將經由該發光二極體結構之一側表面發射之光漫反射回至該發光二極體結構之一背反射表面，且其中該背反射表面直接附接至該發光二極體結構之該側表面之至少一部分，使得在該發光二極體模組之操作期間，減少或甚至抑制藉由該發光二極體結構之該側表面之
一雜散光發射。
通常，很少存在用以囊封尤其覆晶LED之側壁之方式。最通常使用施配程序及包覆模製程序來用高光反射率材料囊封LED光源之側壁。就包覆模製而言，藉由噴砂而自該LED光源之發光區域移除過量塗佈材料。實驗已顯示，側塗佈及後續噴砂引起雜散光及因此不足近場對比度。另外，可因歸因於磷光體層之曝露側壁之增加的表面積及/或自基台散射或反射之光而引起一增加的光展量。就施配程序而言，可因施配材料在側壁處之彎月面(meniscus)而引起增加的光展量，且除此之外對材料流之控制係困難的。全部所提及因素導致雜散光，此對於諸如閃光燈模組、汽車頭燈或投影LED系統之應用係不利的。
上文及下文描述之發光二極體模組可有助於減少雜散光且避免一增加的光展量。
該至少一個發光二極體結構包括一發光二極體晶粒及一光轉換結構。該光轉換結構可附接至該發光二極體晶粒之一發光側。該至少一個發光二極體結構之該發光區域可為該光轉換結構之一表面。
該光轉換結構可為通常附接至該發光二極體(LED)晶粒之一發光表面之一轉換器材料板。就一覆晶LED晶粒而言，該LED晶粒之該發光表面係配置成遠離電接觸件(參見圖1)之該LED晶粒之上表面。該整合反射器配置環繞該至少一個發光二極體(LED)結構，使得基本上無光可經由該光轉換結構之側表面及該LED晶粒之側表面離開該LED結構。該背反射表面與該LED結構直接接觸，且因此直接附接至該LED結構之該側表面。該LED結構可包括一個側表面(例如，一圓形LED結構)或一個以上側表面(例如，在一矩形LED結構之情況中，四個)。選取環繞該LED結構之材料及
材料厚度以避免該發光區域周圍的一光暈。該整合反射器配置由至少部分嵌入該LED結構之一塊材料組成。
該整合反射器配置較佳經配置使得該發光區域(例如，該光轉換結構之上表面)周圍的該整合反射器配置之一表面至少與該發光區域在相同水平面。例如，該整合反射器配置可經配置使得該光轉換結構之該上表面(發光區域)及直接在該(等)發光區域周圍之該整合反射器配置之部分建立一個共同平坦表面。該(等)發光區域周圍的平坦區域避免曝露該LED結構及尤其該光轉換結構之該(等)側表面之任何部分，使得光可直接經由該LED結構之該等側表面之此一部分發射。此外，該整合反射器配置使能夠將該一或多個反射器表面配置成靠近該(等)發光區域。
該整合反射器配置較佳經配置以在該至少一個發光二極體結構之該光轉換結構之該發光區域外部提供一驟然照度截止，使得在該發光二極體模組之操作期間，一近場對比度係至少150、較佳至少200，且更佳至少250。
近場對比度被計算為LEA(發光區域)之中值發光與距LEA之邊緣150μm遠之線中的中值發光之一比率。
對比度=Emed_LEA/Emed_150um。
該發光區域外部之驟然照度截止簡化藉由包括一光源之(若干)光學裝置(包括此等發光二極體模組之一或多者)對由該發光二極體模組發射之該光之後續操縱。至少150之高近場對比度避免可因該發光區域周圍的一光暈引起之眩光。高近場對比度進一步可限制在照明應用中可能無法使用之以大角度發射之光。
該背反射表面較佳特徵為至少95%之一反射率。
該背反射表面環繞該發光二極體結構之該等側表面之至少一部分，使得基本上避免可在該(等)發光區域上方之半球中自該發光二極體模組逸出之雜散光。至少95%或甚至99%之高反射率抑制雜散光且將經由該等側表面(尤其該光轉換結構之該等側表面)發射之光漫反射回至該發光二極體結構。漫反射可使此光之至少一部分能夠再循環且經由該(等)發光區域逸出。
該背反射表面可至少延伸至該至少一個發光區域之一水平面，如上文描述。該背反射表面可尤其延伸超出該(等)發光區域之該水平面，使得該發光二極體結構及尤其該(等)發光區域由垂直於該(等)發光區域之反射器表面圍封。該等反射器表面經配置以漫反射經由該(等)發光區域發射之光，使得取決於該等反射器表面超過該(等)發光區域之該水平面之高度，可減少相對於垂直於該(等)發光區域之一光軸成較大角度之光量。該等反射器表面超過該(等)發光區域之該水平面之高度可為例如500μm。該高度可取決於由該等反射器表面包圍之該一或多個發光區域之大小。
該整合反射器配置可包括包含裝載有氧化物顆粒之矽氧樹脂之一材料。氧化物顆粒可包括從以下群組中選取之至少一種氧化物：SiO2、TiO2、Zr2O3、Y2O3、Al2O3。
氧化物顆粒經嵌入於矽氧樹脂中以實現該整合反射器配置之高(漫)反射率。像矽氧樹脂之一材料使能夠使用轉移模製來製造該整合反射器配置。可添加進一步材料(如氧化物纖維或玻璃纖維)以增加該整合反射器配置之材料之堅固性。
該矽氧樹脂較佳裝載有SiO2及TiO2之一混合物。
該矽氧樹脂內之氧化物顆粒之含量係至少60%、較佳至少70%，且最
佳至少80%。該含量係指該矽氧樹脂中之各自氧化物顆粒或氧化物顆粒混合物之質量分率或質量百分比。該矽氧樹脂中之氧化物顆粒之高含量實現經硬化樹脂之95%以上之高反射率。尤其氧化矽及氧化鈦之混合物實現具有5Gpa以上之一楊氏模數(Young modulus)之堅固材料，以實現整合反射器配置之足夠可靠性。
該反射器表面可經配置使得在相對於該至少一個發光區域之100μm之一距離處，由該反射器表面包圍之一開口小於該至少一個發光二極體結構之該發光區域之2倍。該(等)反射器表面之該開口界定平行於該(等)發光區域之一平面。就僅一個發光區域而言，若該等反射器表面(例如，矩形發光區域)延伸超出該發光區域之該水平面使得延伸部界定垂直於該發光區域之該等反射器表面，則該開口將具有與該發光區域相同之大小。在此情況中，與該等反射器表面之高度無關，開口將具有與該發光區域之面積相同之大小。在此情況中，開口之大小與發光區域之大小之間之比率將為1。該發光區域周圍的每一平坦邊緣及該等反射器表面與該發光區域之間90°以上之一角度將使開口之大小相對於發光區域之大小增加。關於一發光區域陣列，此亦同樣有效。因此，較佳將該等發光二極體結構配置為彼此儘可能接近以減小開口與該(等)發光區域之間之比率。
該發光二極體模組可包括配置於一基台上之至少兩個發光二極體結構。該整合反射器配置嵌入該基台之至少一部分。
嵌入該基台之至少一部分可簡化包括大量LED結構(LED陣列)之一發光二極體模組之製造。
根據另一態樣，提供一種閃光燈模組、汽車頭燈或投影發光二極體系統。該閃光燈模組、汽車頭燈或投影發光二極體系統可包括如上文描述
之至少一個發光二極體模組。該等照明裝置可包括如上文描述之兩個、三個、四個或更多個發光二極體模組。
可使用藉由如上文描述之發光二極體模組之雜散光減少來改良可藉由包括此一發光二極體模組之任何照明裝置提供之光圖案。
應瞭解，本發明之一較佳實施例亦可為附屬技術方案與各自獨立技術方案之任何組合。
下文定義進一步有利實施例。
1:光轉換結構
3:n層
4:主動層
5:n接觸件
7:p層
9:p接觸件
10:發光二極體(LED)結構
11:發光區域
20:基台/載體結構
21:基台晶片
23:電接觸墊
30:發光二極體(LED)陣列
40:帶/載體結構
50:模具
52:保護表面
60:模製化合物/化合物材料
70:整合反射器配置
72:反射器表面
74:背反射表面
100:發光二極體(LED)模組
自下文中描述之實施例將明白本發明之此等及其他態樣，且將參考該等實施例闡明本發明之此等及其他態樣。
現將藉由實例基於參考隨附圖式之實施例描述本發明。
在圖式中：圖1展示一發光二極體之一主要略圖
圖2展示一發光二極體陣列之一主要略圖
圖3展示產生一發光二極體模組之一第一生產步驟之一主要略圖
圖4展示產生一發光二極體模組之一第二生產步驟之一主要略圖
圖5展示產生一發光二極體模組之一第三生產步驟之一主要略圖
圖6展示產生一發光二極體模組之一第四生產步驟之一主要略圖
圖7展示一發光二極體模組陣列之一俯視圖之一主要略圖
圖8展示一發光二極體模組之一第一實施例
圖9展示一發光二極體模組之一第二實施例
在圖中各處，相似符號指代相似物件。圖中之物件不一定按比例繪製。
現將藉由圖描述本發明之各種實施例。
圖1展示一發光二極體(LED)結構10之一截面之一主要略圖。LED結構10包括可藉由n接觸件5電接觸之一n層3。n層3之後接著主動層4。主動層4可包括一量子井結構，其經配置以發射具有由主動層之組合物(例如，AlInGaN)決定之一波長之光。主動層4嵌入於n層3與一p層7之間。P層7可藉由p接觸件9電接觸。n層3、主動層4、p層7、n接觸件5及p接觸件9之配置建立一覆晶LED晶粒。p接觸件及n接觸件配置於LED晶粒之相同側上。可存在未展示之進一步支撐層。一光轉換結構1附接至n層3之一頂表面，該頂表面與附接至主動層4之n層3之表面相對。n層3之頂表面係LED晶粒之發光表面。光轉換結構1可包括一磷光體(如一摻雜鈰之磷光體石榴石YAG：Ce)。光轉換結構1經配置以將由主動層4發射之一次光(例如，藍光)轉換為特徵為長於一次光之一波長之二次光(例如，黃光)。LED結構10經配置以經由光轉換結構1之一頂表面發射光之至少一主要部分，其中頂表面與附接至n層3之光轉換結構1之表面相對。光轉換結構1之頂表面係LED結構10之發光區域11。一些光可自光轉換結構1之側表面且甚至經由主動層4及鄰近層之側表面洩漏出。經由LED結構10之側表面之此光洩漏可降低照明應用中之近場對比度。
圖2展示一發光二極體陣列30之一截面之一主要略圖。發光二極體陣列30包括附接至一基台20之數個LED結構10(在截面中展示三個)。基台20包括LED結構10安裝於其上之一基台晶片21及LED結構10之n接觸件及p接觸件(未展示)可藉由其電連接之電接觸墊23。
圖3展示產生一發光二極體(LED)模組100之一第一生產步驟之一主
要略圖。將LED結構10放置於一帶40(或任何其他適合載體結構)上。在圖4中展示之一第二生產步驟中藉由模具50圍封LED結構10。模具50包括經配置以覆蓋LED結構10之頂表面(發光區域11)之一保護表面52。模具50圍封載體結構上之LED結構10，使得LED結構10周圍存在提供整合反射器配置70之形狀(form)之一腔。抽空此腔且將一流體模製化合物60壓入帶40與模具50之間的腔中。在此情況中，模製化合物60包括裝載有氧化矽及氧化鈦顆粒之一混合物之一矽氧樹脂。在此實例中，模製化合物60中之氧化物顆粒之質量分率或百分比係80%。在圖6中展示之一第四處理步驟中，硬化模製化合物60且移除模具50。保護表面52覆蓋LED結構10及尤其LED結構10之頂表面(其等係LED結構10之發光區域11)。因此，LED結構10之發光區域11上不存在經硬化化合物材料。因此，避免了LED結構10之發光區域11之一後續清潔步驟。模具50及保護表面52經配置使得LED結構10周圍的模製化合物60之經硬化材料至少與LED結構10之頂表面在相同水平面。經硬化模製化合物60經配置使得較佳將由LED結構10發射之光漫反射回至LED結構10，以實現經由發光區域11之一者之一第二光發射機會。在此情況中，經硬化模製化合物60之反射率係97%。光之其餘部分較佳藉由經硬化化合物材料60吸收，以儘可能地抑制發光區域11周圍之光洩漏。發光區域周圍的平坦邊緣特徵為200μm之一寬度。此實施例之近場對比度係160。
圖7展示已根據關於圖3至圖6論述之程序步驟產生之一發光二極體模組100陣列之一俯視圖之一主要略圖。經硬化模製化合物60環繞LED結構10之發光區域11，使得經硬化模製化合物之一部分形成反射器表面72，其中各反射器表面環繞一各自發光區域11。反射器表面72與平行於發光
區域11之平面圍封成約80°之一角度。反射器表面72在發光區域11之一水平面處開始，以在各自發光區域11周圍建立反射由發光區域11發射之光之一反射器。反射器表面72之間之橋藉由例如切割而實現各LED模組100之分離。
圖8展示一LED模組100之一第一實施例之一截面。根據如圖3至圖6中描述之轉移模製程序處理LED模組100。最後，LED模組係自與關於圖7所展示且論述類似之一LED模組100陣列切割而成。在此情況中，由經硬化模製化合物組成之整合反射器配置70包括環繞一矩形LED結構10之四個背反射表面74。背反射表面74經配置使得將經由LED結構10之側表面發射之基本上全部光反射回至LED結構10。整合反射器配置70進一步包括反射器表面72，在此情況中，反射器表面72與平行於發光區域11之一表面圍封成90°之一角度。事實上，在此情況中，反射器表面72係背反射表面74之延伸部。在此實施例中，反射器表面72之一高度超過發光區域11之水平面300μm。在此情況中，光可經由其自發光二極體模組100逸出之反射器表面72之開口在反射器表面72之各高度處具有與發光區域11之面積大小相同之大小。
圖9展示一發光二極體模組100之一截面之一第二實施例。截面展示安裝於一基台20上之五個LED結構10，該基台20提供安裝於基台20上之全部LED結構10之電連接。基台20及全部LED結構10由經硬化模製化合物60環繞，使得形成一整合反射器配置70，其中反射器表面72建立用於安裝於基台20上之全部LED結構10(例如，一3×5 LED結構10陣列)之一反射器。整合反射器配置70進一步包括環繞各LED結構10之背反射表面74，使得LED結構10之間之整合反射器配置70之表面與發光區域11(其等
係光轉換結構1之上表面)在相同水平面，如上文論述。LED結構10相對於彼此以40μm之一距離配置。
替代地，可在基台20之頂部上處理整合反射器配置70。可將具有經安裝LED結構10之大量基台20彼此耦合，且可將包括用以建立各自整合反射器配置70之一腔陣列之一模具50放置於經耦合基台20之頂部上。在此情況中，以與關於圖3至圖6所描述基本上相同之方式處理各自包括一LED結構10陣列之LED模組100，其中帶由經耦合基台20取代。最後，在一後續處理步驟中分離基台。
雖然已在圖式及前述描述中詳細繪示且描述本發明，但此繪示及描述應視為闡釋性的或例示性的且非限制性的。
在閱讀本發明之後，熟習此項技術者將明白其他修改。此等修改可涉及此項技術中已知之其他特徵，可使用該等其他特徵來代替本文中已描述之特徵，或除本文中已描述之特徵外亦可使用該等其他特徵。
熟習此項技術者可自對圖式、本發明及隨附申請專利範圍之一研究而理解且實現所揭示實施例之變動。在申請專利範圍中，字詞「包括」不排除其他元件或步驟，且不定冠詞「一(a)」或「一個(an)」不排除複數個元件或步驟。在互異之附屬請求項中列舉特定措施之純粹事實並不指示此等措施之一組合無法優化使用。
申請專利範圍中之任何元件符號不應視為限制其之範疇。
10:發光二極體(LED)結構
11:發光區域
20:基台/載體結構
70:整合反射器配置
72:反射器表面
74:背反射表面
100:發光二極體(LED)模組
Claims (13)
- 一種製造一發光二極體模組(100)之方法，該方法包括以下步驟：將至少一個發光二極體結構(10)配置於一載體結構(20、40)上，其中該至少一個發光二極體結構(10)包括一發光二極體晶粒及一光轉換結構(1)，其中該光轉換結構(1)經附接至該發光二極體晶粒之一發光側，其中該發光二極體結構(10)之頂表面係該發光二極體結構(10)之一發光區域(11)，且其中該至少一個發光二極體結構(10)之該發光區域(11)係該光轉換結構(1)之一表面，藉由一模具(50)將該至少一個發光二極體結構(10)圍封於一腔中，使得該至少一個發光二極體結構(10)之發光區域(11)由一保護表面(52)覆蓋，將一流體模製化合物(60)提供於該腔中，使得該發光二極體結構(10)之一側表面之至少一部分由該流體模製化合物(60)覆蓋，及硬化該模製化合物(60)，使得將一背反射表面(74)直接附接至該發光二極體結構(10)之該側表面之該部分以用於將經由該發光二極體結構(10)之一側表面發射之光漫反射回該發光二極體結構(10)，該背反射表面(74)延伸至該至少一個發光區域(11)之水平面，其中該保護表面(52)覆蓋該發光二極體結構(10)使得該發光二極體結構(10)之該發光區域(11)上不存在經硬化化合物材料，且其中該模具(50)經配置以藉由提供且硬化該流體模製化合物(60)而提供一整合反射器配置(70)，其中該整合反射器配置(70)包括該背反射表面(74)及用於反射經由該 至少一個發光二極體結構(10)之該發光區域(11)發射之光之一反射器表面(72)，該反射器表面(72)延伸超出該至少一個發光區域(11)之該水平面，且其中該光轉換結構(1)之上表面及直接在該至少一個發光區域(11)周圍之該整合反射器配置(70)之一部分建立一個共同平坦表面。
- 如請求項1之方法，其中該保護表面(52)係由該模具(50)構成。
- 如請求項1或2之方法，其中將該流體模製化合物(60)壓入該腔中，其中在提供該流體模製化合物(60)期間，該腔中之一壓力低於1Pa。
- 一種發光二極體模組(100)，其包括：至少一個發光二極體結構(10)，其中該至少一個發光二極體結構(10)包括一發光二極體晶粒及一光轉換結構(1)，其中該光轉換結構(1)經附接至該發光二極體晶粒之一發光側，其中該發光二極體結構(10)之頂表面係該發光二極體結構(10)之一發光區域(11)，且其中該至少一個發光二極體結構(10)之發光區域(11)係該光轉換結構(1)之一表面，及一整合反射器配置(70)，其包括一背反射表面(74)及一反射器表面(72)，該背反射表面(74)將經由該發光二極體結構(10)之一側表面發射之光漫反射回至該發光二極體結構(10)，該反射器表面(72)反射經由該至少一個發光二極體結構(10)之該發光區域(11)發射之光，其中該背反射表面(74)直接附接至該發光二極體結構(10)之該側表面之至少一部分且延伸至該至少一個發光區域(11)之水平面，使得在該發光二極體模組(100)之操 作期間，減少藉由該發光二極體結構(10)之該側表面之一雜散光發射，其中該反射器表面(72)延伸超出該至少一個發光區域(11)之該水平面，且其中該光轉換結構(1)之上表面及直接在該至少一個發光區域(11)周圍之該整合反射器配置(70)之一部分建立一個共同平坦表面。
- 如請求項4之發光二極體模組(100)，其中該整合反射器配置(70)經配置以在該至少一個發光二極體結構(10)之該發光區域(11)外部提供一驟然照度截止(sharp luminance cut-off)，使得在該發光二極體模組(100)之操作期間，一近場對比度係至少150，其中該近場對比度為該發光區域(11)之中值發光(median luminescence)與距該發光區域(11)之邊緣150μm遠之線中之中值發光之一比率。
- 如請求項4或5之發光二極體模組(100)，其中該背反射表面(74)特徵為至少95%之一反射率。
- 如請求項4或5之發光二極體模組(100)，其中該整合反射器配置(70)包括包含裝載有氧化物顆粒之矽氧樹脂之一材料，其中該等氧化物顆粒包括從以下群組中選取之至少一種氧化物：SiO2、TiO2、Zr2O3、Y2O3、Al2O3。
- 如請求項7之發光二極體模組(100)，其中該矽氧樹脂裝載有SiO2及TiO2之一混合物。
- 如請求項7之發光二極體模組(100)，其中該矽氧樹脂內之該等氧化物顆粒之含量係至少60%。
- 如請求項4或5之發光二極體模組(100)，其中該反射器表面(72)經配置使得在相對於該至少一個發光區域(11)之該水平面之100μm之一距離處，由該反射器表面(72)包圍之一開口小於該至少一個發光二極體結構(10)之該發光區域(11)之2倍。
- 如請求項4或5之發光二極體模組(100)，其中該反射器表面(72)包括經配置而垂直於該至少一個發光區域(11)之至少一個反射區域。
- 如請求項4或5之發光二極體模組(100)，其中該發光二極體模組(100)包括配置於一基台(20)上之至少兩個發光二極體結構(10)，其中該整合反射器配置(70)嵌入該基台(20)之至少一部分。
- 一種閃光燈模組、汽車頭燈或投影發光二極體系統，其包括如請求項4至12中任一項之至少一個發光二極體模組(100)。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201662434680P | 2016-12-15 | 2016-12-15 | |
| US62/434,680 | 2016-12-15 | ||
| ??17150551.4 | 2017-01-06 | ||
| EP17150551 | 2017-01-06 | ||
| EP17150551.4 | 2017-01-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201828489A TW201828489A (zh) | 2018-08-01 |
| TWI835720B true TWI835720B (zh) | 2024-03-21 |
Family
ID=
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130113010A1 (en) | 2010-04-30 | 2013-05-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic Component and Method for Producing an Optoelectronic Component |
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130113010A1 (en) | 2010-04-30 | 2013-05-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic Component and Method for Producing an Optoelectronic Component |
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