JP2018006562A - 発光装置及びバックライト光源 - Google Patents

Abstract

【課題】出射光の輝度ムラや色ムラを低減することができる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００は、長手方向と短手方向とを持つ底面２３ｂとそれを囲む側壁２３ｃ〜２３ｆとからなる凹部２３ａを有するパッケージ２と、底面２３ｂにおいて、長手方向に並んで配置される第１発光素子１ａ及び第２発光素子１ｂと、凹部２３ａ内に設けられ、第１発光素子１ａからの光を波長変換する波長変換部材と、を備える。正面視で、第１発光素子１ａ及び第２発光素子１ｂは、矩形を除く多角形形状であり、第１発光素子１ａ及び第２発光素子１ｂは、それぞれの最長の一辺が、底面２３ｂの長手方向と平行又は略平行で、互いに対向する辺同士が平行又は略平行となるように、互いに離間して配置され、波長変換部材は、少なくとも底面２３ｂの第１発光素子１ａ及び第２発光素子１ｂとの間の領域に配置されている。
【選択図】図１

Description

本開示は、発光装置及びバックライト光源に関する。

ＬＥＤ（発光ダイオード）などの半導体発光素子を用いた発光装置は、バックライト、照明、車載ライトなどの市場において、小型化、光取り出しの高効率アップ、高出力化で高信頼性とする要求が、ますます、強くなっている。特に、バックライト用のサイドビュー型の発光装置は、小型化、薄型化しつつ、高効率、高出力の要求が強くなっている。

導光板を用いたバックライトでは、導光板の側面にサイドビュー型の発光装置の発光面、つまり光取り出し面を近接させて、導光板の側面から光を入射させる。発光装置に搭載されるＬＥＤチップは、一般的には正面視形状が長方形のダイスが用いられる。また、発光装置において、発光素子は、長方形の長辺が、導光板の上面及び下面と平行になるように、導光板の側面に取り付けられる。また、発光装置において、発光素子の周囲には、蛍光体を含有する樹脂で封止される。

このようなサイドビュー型の発光装置としては、例えば、特許文献１の図１に記載されたＬＥＤモジュールや、特許文献２の図２に記載された白色発光ダイオードを挙げることができる。

特開２０１４−１１３５９号公報 特開２００７−１５８２９６号公報

特許文献１や特許文献２に開示されている発光装置は、発光素子が配置された凹部の開口部である光取り出し面の長手方向が、導光板の上面及び下面と平行となるように、導光板の側面に接して又は近接して設けられることで照明装置が構成される。このような照明装置において、導光板に入射された光は、主として導光板の上面と下面との間で反射を繰り返しながら伝播し、導光板内で混光され、導光板の一方の主面から照明光として取り出される。

導光板は、主面の幅に比べて、厚さが非常に薄いため、厚さ方向、すなわち発光装置の光取り出し面の短手方向については、光が導光板の上面と下面との間で反射を繰り返すことで均等に混光され易い。これに対して、導光板の幅方向、すなわち発光装置の光取り出し面の長手方向には、導光板の反射面となる側面間の距離が長いため、混光され難い。このため、発光装置の長手方向の輝度ムラや色ムラが大きいと、導光板を介して取り出される照明光も、幅方向の輝度ムラや色ムラが残り易くなる。

特許文献１や特許文献２に開示されている発光装置は、光取り出し面の長手方向の各位置について見ると、短手方向の全体に亘って、蛍光体のみが設けられている領域と、発光素子と蛍光体とが設けられている領域とがある。また、正面視で矩形の発光素子が用いられるため、短手方向の全体に亘って蛍光体のみが設けられている領域と、発光素子と蛍光体とが設けられている領域とにおける輝度や色のコントラストが大きい。このため、このような発光装置を用いた照明装置においては、導光板から取り出される照明光も、輝度ムラや色ムラが十分に解消されないことがある。

本開示に係る実施形態は、出射光の輝度ムラや色ムラを低減する発光装置を提供することを課題とする。

本開示の実施形態に係る発光装置は、長手方向と短手方向とを持つ底面と前記底面を囲む側壁とからなる凹部を有するパッケージと、前記凹部の前記底面において、前記底面の長手方向に並んで配置される第１発光素子及び第２発光素子と、前記凹部内に設けられ、前記第１発光素子からの光を異なる波長の光に変換する波長変換部材と、を備え、前記底面に向かって垂直な方向から観察する正面視において、前記第１発光素子及び前記第２発光素子は、矩形を除く多角形形状であり、正面視において、前記第１発光素子及び前記第２発光素子は、それぞれの最長の一辺が、前記底面の長手方向と平行又は略平行となり、かつ、前記第１発光素子及び前記第２発光素子の互いに対向する辺同士が平行又は略平行となるように、互いに離間して前記底面に配置され、前記波長変換部材は、少なくとも前記底面の前記第１発光素子及び前記第２発光素子との間の領域に配置されている。

本開示の実施形態に係る発光装置によれば、出射光の輝度ムラや色ムラを低減することができる。

第１実施形態に係る発光装置の構成を示す斜視図である。 第１実施形態に係る発光装置の構成を示す正面図である。 第１実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。 第１実施形態に係る発光装置の構成を示す底面図である。 第１実施形態に係る発光装置の構成を示す右側面図である。 第１実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図であり、図２ＡのＩＩＩＡ−ＩＩＩＡ線における断面を示す。 第１実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図であり、図２ＡのＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ線における断面を示す。 第１実施形態に係る発光装置における発光素子の詳細な構成を示す平面図である。 第１実施形態に係る発光装置における発光素子の詳細な構成を示す断面図であり、図４ＡのＩＶＢ−ＩＶＢ線における断面を示す。 第１実施形態に係る発光装置の正面図及び発光面の幅方向の色度変化及び凹部の底面において発光素子の占める面積率を示すグラフ図である。 比較例に係る発光装置の正面図及び発光面の幅方向の色度変化及び凹部の底面において発光素子の占める面積率を示すグラフ図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子準備工程において、ウエハを仮想的に区画する境界線を示す平面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子準備工程において、ウエハ上に発光素子が形成された状態を示す平面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子接合工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における配線工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における封止工程を示す断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の構成を示す正面図である。 第３実施形態に係る発光装置の構成を示す正面図である。 第４実施形態に係る発光装置の構成を示す正面図である。 第５実施形態に係る発光装置の構成を示す正面図である。 第５実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図であり、図１０ＡのＸＢ−ＸＢ線における断面を示す。 第５実施形態に係る発光装置に用いられる蛍光体の反射スペクトルを示すグラフ図である。 第６実施形態に係る発光装置の構成を示す正面図である。 第６実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図であり、図１２ＡのＸＩＩＢ−ＸＩＩＢ線における断面を示す。 第６実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子実装工程を示す断面図である。 第６実施形態に係る発光装置の製造方法において、封止工程における第１工程を示す断面図である。 第６実施形態に係る発光装置の製造方法において、封止工程における第２工程を示す断面図である。 第６実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例において、発光素子実装工程を示す断面図である。 第６実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例において、透光性層形成工程を示す断面図である。 第７実施形態に係る発光装置の構成を示す正面図である。 第１実施形態に係る発光装置を用いたバックライト光源の構成を示す断面図である。

以下、実施形態に係る発光装置及びその製造方法について説明する。
なお、以下の説明において参照する図面は、実施形態を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、例えば正面図や平面図とその断面図において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。

また、実施形態に係る発光装置及びその製造方法において、「上」、「下」、「左」及び「右」などは、状況に応じて入れ替わるものである。本明細書において、「上」、「下」などは、説明のために参照する図面において構成要素間の相対的な位置を示すものであって、特に断らない限り絶対的な位置を示すことを意図したものではない。

＜第１実施形態＞
［発光装置の構成］
第１実施形態に係る発光装置の構成について、図１〜図３Ｂを参照して説明する。図１は、第１実施形態に係る発光装置の構成を示す斜視図である。図２Ａは、第１実施形態に係る発光装置の構成を示す正面図である。図２Ｂは、第１実施形態に係る発光装置の構成を示す正面図である。図２Ｃは、第１実施形態に係る発光装置の構成を示す底面図である。図２Ｄは、第１実施形態に係る発光装置の構成を示す右側面図である。図３Ａは、第１実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図であり、図２ＡのＩＩＩＡ−ＩＩＩＡ線における断面を示す。図３Ｂは、第１実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図であり、図２ＡのＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ線における断面を示す。
なお、図１〜図３Ｂの各図には座標軸を示し、便宜的に、Ｙ軸のプラス方向に向かって見た図２Ａを正面図、Ｚ軸のマイナス方向に向かって見た図２Ｂを平面図（上面図）、Ｚ軸のプラス方向に向かって見た図２Ｃを底面図、Ｘ軸のマイナス方向に向かって見た図２Ｄを右側面図とする。
また、各図面において、発光装置１００の凹部２３ａの底面２３ｂの長手方向をＸ軸方向とし、底面２３ｂの短手方向をＺ軸方向とし、底面２３ｂに垂直な方向をＹ軸方向としている。

第１実施形態に係る発光装置１００は、２つの発光素子１と、１つのパッケージ２とを備えて構成されている。
２つの発光素子（第１発光素子、第２発光素子）１は、パッケージ２の、正面に開口を有する凹部２３ａ内に設けられ、リード電極２１，２２の内部リード部２１ａ，２２ａ間に、ワイヤ４を用いて電気的に直列接続されている。発光素子１は、凹部２３ａの底面２３ｂにダイボンド樹脂５を用いて接合されている。更に、凹部２３ａ内には透光性を有する封止樹脂３が設けられ、発光素子１が封止されている。
また、発光素子１が発する光は、透光性を有する封止樹脂３を介して凹部２３ａの開口から正面方向であるＹ軸のマイナス方向に出射される。発光装置１００は、例えば、液晶ディスプレイのバックライト用の光源に適するように、厚さ方向であるＺ軸方向に扁平に形成されている。

発光素子１は、Ｙ軸に垂直な面であるパッケージ２の凹部２３ａの底面２３ｂに設けられた一方の極性の内部リード部２１ａにダイボンド樹脂５を用いて接合されている。また、２つの発光素子１の正負のパッド電極（アノード及びカソード）及び内部リード部２１ａ，２２ａは、ボンディング用のワイヤ４を用いて電気的に接続されている。

なお、本実施形態において、発光装置１００はサイドビュー型（側面発光型）であるため、発光素子１の基板１１の主面が発光装置１００の上面に対して直交するように、発光素子１が実装される。本明細書において発光素子１の詳細な構成を説明する際に、便宜的に、発光素子１を平面視するとは、基板１１の主面の法線方向から観察することをいうものとする。従って、発光装置１００に実装された状態において、発光素子１の平面（上面）は、発光装置１００を正面視したときに観察される面のことである。

ここで、発光素子１の詳細な構成例について、図４Ａ及び図４Ｂを参照して説明する。図４Ａは、第１実施形態に係る発光装置における発光素子の詳細な構成を示す平面図である。図４Ｂは、第１実施形態に係る発光装置における発光素子の詳細な構成を示す断面図であり、図４ＡのＩＶＢ−ＩＶＢ線における断面を示す。

発光素子１は、ＬＥＤなどの半導体発光素子を好適に用いることができる。本実施形態における発光素子１は、Ｙ軸のマイナス方向から観察する平面視で横長の平行四辺形に形成され、基板１１と、半導体積層体１２と、ｎ側電極１３と、ｐ側電極１４と、絶縁膜１５と、保護膜１６とを備えて構成されている。また、本実施形態における発光素子１は、基板１１の一方の主面上に、ＬＥＤ（発光ダイオード）構造を有する半導体積層体１２を備え、更に半導体積層体１２の一方の面側にｎ側電極１３及びｐ側電極１４を備え、フェイスアップ型の実装に適した構造を有している。

ここで、凹部２３ａの正面視での形状は、Ｘ軸方向を長手方向とし、Ｚ軸方向を短手方向とする略矩形である。また、発光素子１は、発光装置１００を正面視した場合において、横長の平行四辺形をしており、当該平行四辺形の長辺が、底面２３ｂの長手方向であるＸ軸と平行になるように配置されている。また、２つの発光素子１は、底面２３ｂの長手方向に沿って、平行四辺形の短辺が互いに離間して対向するように並置されている。
また、発光装置１００を正面視した場合において、２つの発光素子１の互いに対向する辺は、底面２３ｂの長手方向に平行なＸ軸に対して、１５°以上７５°以下の角度で傾斜していることが好ましい。更に、２つの発光素子１の互いに対向する辺は、長手方向に平行なＸ軸への正射影に重なりを有することが好ましい。このように２つの発光素子１を配置することにより、長手方向における発光光の色ムラや輝度ムラを低減することができる。色ムラや輝度ムラの低減についての詳細は後記する。

本明細書において、発光素子１の長手方向と凹部２３ａの底面２３ｂの長手方向とが「平行」又は「略平行」とは、平行からの傾斜角が１０°以内である場合を含むものとする。
また、本明細書において、発光素子１の正面視形状、すなわち発光装置１００を正面視した場合の発光素子１の外形形状が「平行四辺形」であるとは、特に断らない限り、矩形を除くものとする。すなわち、平行四辺形の何れの内角も、直角以外であるものとする。
また、本明細書において、平行四辺形には、四辺の長さが等しい菱形が含まれるものとする。発光素子１の外形形状が菱形である場合は、発光素子１は、何れかの辺が底面２３ｂの長手方向であるＸ軸と平行になるように配置するものとする。

基板１１は、半導体積層体１２を支持するものである。また、基板１１は、半導体積層体１２をエピタキシャル成長させるための成長基板であってもよい。基板１１としては、例えば、半導体積層体１２に窒化物半導体を用いる場合、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）基板を用いることができる。

半導体積層体１２は、基板１１の一方の主面上に、ｎ型半導体層１２ｎ及びｐ型半導体層１２ｐが積層されてなり、ｎ側電極１３及びｐ側電極１４間に電流を通電することにより発光するようになっている。半導体積層体１２は、ｎ型半導体層１２ｎとｐ型半導体層１２ｐとの間に活性層１２ａを備えることが好ましい。

半導体積層体１２には、ｐ型半導体層１２ｐ及び活性層１２ａが部分的に存在しない領域、すなわちｐ型半導体層１２ｐの表面から凹んだ段差部１２ｂが形成されている。段差部１２ｂの底面はｎ型半導体層１２ｎで構成されている。本実施形態では、段差部１２ｂは、発光素子１の外縁部に設けられており、左端の角部には段差部１２ｂが他部よりも広く設けられている。当該左端の角部に設けられた段差部１２ｂの底面の一部にｎ側電極１３が設けられ、ｎ型半導体層１２ｎと電気的に接続されている。

また、ｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面には、ｐ側電極１４の下層部として透光性電極１４１が設けられ、更に透光性電極１４１の上面の一部にパッド電極１４２が設けられている。また、平面視でパッド電極１４２が配置された領域の直下領域及びその近傍領域において、ｐ型半導体層１２ｐと透光性電極１４１との間に絶縁膜１５が設けられている。
また、パッド電極１３２及びパッド電極１４２の外部接続部を除き、半導体積層体１２、ｎ側電極１３及びｐ側電極１４の表面は、保護膜１６で被覆されている。

半導体積層体１２は、ＭＯＣＶＤ法などにより基板上に半導体を積層して形成したものが好適に用いられる。半導体材料としては、混晶度の選択により、紫外光から赤外光までの発光波長を種々選択することができるため、Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ＜１）で表される窒化ガリウム系の半導体をより好適に用いることができる。

ｎ側電極１３は、半導体積層体１２の段差部１２ｂの底面において、ｎ型半導体層１２ｎと電気的に接続されるように設けられ、発光素子１に外部からの電流を供給するための負極側の電極である。また、ｎ側電極１３は、光反射膜１３１とパッド電極１３２とが積層された構造を有している。
下層側の光反射膜１３１は、半導体積層体１２内を伝播してｎ側電極１３の下面に入射する光を反射することで、ｎ側電極１３による光の吸収を抑制し、外部への光取り出し効率を高めるためのものである。そのため、光反射膜１３１は、半導体積層体１２が発する波長の光に対して、少なくともパッド電極１３２の下面よりも良好な光反射性を有するものが好ましく、例えば、Ａｌ、Ｒｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ又はこれらの何れかの金属を主成分とする合金を有するものを挙げることができる。

上層側のパッド電極１３２は、外部の電源と接続するための層である。パッド電極１３２は、ワイヤボンディングなどによる外部との接続に適するように、例えば、Ｃｕ、Ａｕ又はこれらの何れかの金属を主成分とする合金を用いることができる。

ｐ側電極１４は、ｐ型半導体層１２ｐの上面において、ｐ型半導体層１２ｐと電気的に接続されるように設けられ、発光素子１に外部からの電流を供給するための正極側の電極である。また、ｐ側電極１４は、透光性電極１４１とパッド電極１４２とが積層された構造を有している。

下層側の透光性電極１４１は、ｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面を被覆するように設けられている。透光性電極１４１は、パッド電極１４２を介して外部から供給される電流をｐ型半導体層１２ｐの全面に拡散するための電流拡散層として機能するものである。また、半導体積層体１２から発した光は、主として透光性電極１４１を介して外部に取り出される。このため、透光性電極１４１は、半導体積層体１２が発する光の波長において良好な透光性を有することが好ましい。

透光性電極１４１は、導電性金属酸化物から形成される。導電性金属酸化物としては、Ｚｎ（亜鉛）、Ｉｎ（インジウム）、Ｓｎ（スズ）、Ｇａ（ガリウム）及びＴｉ（チタン）からなる群から選択された少なくとも１種の元素を含む酸化物が挙げられる。なかでも、ＩＴＯ（ＳｎドープＩｎ_２Ｏ_３）は、可視光（可視領域）において高い透光性を有し、導電率の高い材料であることから、ｐ型半導体層１２ｐ上の上面の略全面を覆うのに好適な材料である。

上層側のパッド電極１４２は、透光性電極１４１の上面の一部に設けられ、外部の電極と接続するための層である。また、パッド電極１４２は、ワイヤボンディングなどにより外部と接続するための外部接続部１４２ａと、当該外部接続部１４２ａから平面視での外形形状である平行四辺形の対角線に沿ってｎ側電極１３に向けて延伸して、電流をより効率的に拡散させるための延伸部１４２ｂとから構成されている。

パッド電極１４２は、前記したｎ側電極１３のパッド電極１３２と同様に、ワイヤボンディングなどによる外部との接続に適するように、例えば、Ｃｕ、Ａｕ又はこれらの何れかの金属を主成分とする合金を用いることができる。
なお、本実施形態において、パッド電極１４２は、外部接続部１４２ａ及び延伸部１４２ｂが、ともに同じ材料で構成されている。

ｎ側電極１３の外部接続部であるパッド電極１３２は、発光素子１の外形形状である平行四辺形の一方の鋭角となる角部の近傍に設けられている。また、ｐ側電極１４の外部接続部であるパッド電極１４２の外部接続部１４２ａは、発光素子１の平面視での外形形状である平行四辺形の他方の鋭角となる角部の近傍に設けられている。このため、ワイヤ４を用いて発光素子１の電極の外部接続部とリード電極２１，２２の内部リード部２１ａ，２２ａとを接続する際に、発光素子１の電極の外部接続部に隣接する平行四辺形の短辺を跨ぐように配線することで、長手方向についての内部リード部２１ａ，２２ａのワイヤボンディングのための領域を低減することができる。

ワイヤボンディングのための領域の低減について、更に詳しく説明する。
内部リード部２１ａ，２２ａ側のワイヤ４の接続位置は、発光素子１の外縁から、一定の距離を空ける必要がある。特に発光装置１００を薄型化するためには、発光素子１を配置した際に、発光素子１の短手方向において、凹部２３ａの底面２３ｂにワイヤボンディングのための十分な広さの領域を確保するのが難しい場合がある。このため、発光素子１の外形形状が横長の矩形の場合は、ワイヤ４は、当該矩形の短辺を跨いで底面２３ｂの長手方向に延伸して、発光素子１から一定の距離だけ離間した位置に接合される。つまり、発光素子１の外形形状が矩形の場合は、底面２３ｂの長手方向に、発光素子１を配置する領域に加えて、ワイヤ４を接合するための領域を確保する必要がある。

一方、発光素子１の外形形状が平行四辺形である場合は、当該平行四辺形の鋭角の角部の近傍に配置されたｎ側電極１３又はｐ側電極１４の外部接続部から見て短手方向において、底面２３ｂにワイヤ４の他端を接合するための領域を確保することができる。従って、発光素子１の外部接続部から隣接する短辺を跨いで、底面２３ｂの短手方向乃至斜め方向に延伸するようにワイヤ４を配線することができる。このため、底面２３ｂの長手方向において、ワイヤ４を接合するための領域を低減することができる。言い換えれば、長手方向において、発光素子１を、底面２３ｂの端部近傍まで配置することが可能となる。
なお、ワイヤボンディングのための十分な領域を確保するためには、短辺の傾斜角は、底面２３ｂの長手方向に対して、１５°〜７５°程度とすることが好ましい。

絶縁膜１５は、ｐ型半導体層１２ｐ上であって、平面視で、パッド電極１４２が配置された領域の直下領域及びその近傍領域に、パッド電極１４２を包含するように設けられている。絶縁膜１５は、ｐ型半導体層１２ｐと透光性電極１４１との間に設けられることにより、パッド電極１４２の直下領域のｐ型半導体層１２ｐに流れる電流を抑制し、当該領域での発光を抑制させることができる。そして、パッド電極１４２に向かって伝播する光量を低減させることでパッド電極１４２によって吸収される光量を低減し、その結果として、半導体積層体１２全体としての発光量を増加させることができる。

また、絶縁膜１５は、透光性を有し、透光性電極１４１よりも屈折率が低い材料で構成されることが好ましい。これによって、ｐ型半導体層１２ｐと絶縁膜１５との界面で、半導体積層体１２内を上方に伝播する光をスネルの法則に基づいて全反射させることができる。つまり、パッド電極１４２に向かう光を手前で効率的に反射させることにより、パッド電極１４２による光吸収を低減させることができる。

絶縁膜１５としては、例えば、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３などの酸化物、ＳｉＮなどの窒化物、ＭｇＦなどのフッ化物を好適に用いることができる。これらの中で、屈折率が低いＳｉＯ_２をより好適に用いることができる。

保護膜１６は、透光性及び絶縁性を有し、基板１１の側面及び下面を除き、発光素子１の上面及び側面の略全体を被覆する膜である。また、保護膜１６は、パッド電極１３２の上面に開口部１６ｎを有し、パッド電極１４２の上面に開口部１６ｐを有している。保護膜１６としては、前記した絶縁膜１５と同様の材料を用いることができ、例えば、ＳｉＯ_２を好適に用いることができる。

なお、発光素子１において、ｎ側電極１３，ｐ側電極１４、段差部１２ｂの配置領域や、パッド電極１３２，１４２の形状などは、本実施形態に限定されるものではなく、適宜な形状とすることができる。また、ｎ側電極１３についても延伸部を設けるようにしてもよい。

図１〜図３Ｂに戻って、発光装置１００の構成について説明を続ける。
パッケージ２は、リード電極２１、２２と、樹脂部２３とを有して構成されている。パッケージ２は、外形が、発光装置１００の厚さ方向であるＺ軸方向に扁平に形成された略直方体形状を有しており、液晶ディスプレイのバックライト用の光源などに好適に用いられるサイドビュー型の実装に適している。

リード電極２１及びリード電極２２は、正負の極性に対応した一対の電極である。リード電極２１，２２は、樹脂部２３内に設けられ、発光素子１を搭載するための内部リード部２１ａ，２２ａと、樹脂部２３の底面側から突出し、実装基板と接続するための端子となる外部リード部２１ｂ，２２ｂとから構成されている。
リード電極２１，２２は、板状の金属を用いて形成され、波形板状、凹凸を有する板状であってもよい。その厚みは均一であってもよいし、部分的に厚く又は薄くなってもよい。

内部リード部２１ａ，２２ａは、Ｙ軸に垂直な面である底面２３ｂにおいて、樹脂部２３から露出して設けられている。当該凹部２３ａの底面２３ｂにおいて、内部リード部２１ａと内部リード部２２ａとは、互いに電気的に分離されている。発光素子１は、半導体積層体１２が内部リード部２１ａと絶縁された状態で、ダイボンド樹脂を用いて当該内部リード部２１ａに接合されている。また、２つの発光素子１は、一対の極性の内部リード部２１ａ，２２ａ間において直列接続されるように、発光素子１の電極であるｎ側電極１３及びｐ側電極１４と、内部リード部２１ａ，２２ａとが、ワイヤ４を用いて、電気的に接続されている。

外部リード部２１ｂ，２２ｂは、それぞれ対応する極性の内部リード部２１ａ，２２ａと連続して形成されており、樹脂部２３の底面から突出し、樹脂部２３の底面に沿って背面側であるＹ軸のプラス方向に延伸するように屈曲し、更に一部が樹脂部２３の左右の側面に沿って上方であるＺ軸のプラス方向に延伸するように屈曲して設けられている。発光装置１００は、底面を実装基板と対向させ、半田などの導電性の接着部材を用いて、外部リード部２１ｂ，２２ｂが実装基板の配線パターンと接合されることで実装される。

リード電極２１，２２を構成する材料は特に限定されないが、熱伝導率の比較的大きな材料、比較的大きい機械的強度を有するもの、あるいは打ち抜きプレス加工又はエッチング加工等が容易な材料が好ましい。具体的には、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル等の金属又は鉄−ニッケル合金、燐青銅等の合金等が挙げられる。また、内部リード部２１ａ，２２ａの凹部２３ａの底面２３ｂに露出した面には、搭載される発光素子１及び波長変換部材６からの光を効率よく取り出すために、良好な光反射性を有するＡｇなどの反射メッキが施されていることが好ましい。

樹脂部２３は、内部リード部２１ａ，２２ａを取り囲むように設けられ、リード電極２１，２２を支持するためのパッケージ２の母体である。樹脂部２３の底面からは、内部リード部２１ａ，２２ａから連続する外部リード部２１ｂ，２２ｂが突出している。外部リード部２１ｂ，２２ｂは、屈曲しながら樹脂部２３の底面及び側面に沿うように設けられている。

樹脂部２３は、発光装置１００の正面側であるＹ軸のマイナス方向に開口する凹部２３ａを有している。Ｙ軸のマイナス方向を法線ベクトルとする面である当該凹部２３ａの底面２３ｂには、内部リード部２１ａ，２２ａが露出するように設けられ、更に内部リード部２１ａの樹脂部２３から露出した面に発光素子１が搭載されている。
また、樹脂部２３の背面には、射出成形法で樹脂部２３を形成する際の、金型内へ樹脂材料を注入するゲートの痕であるゲート痕２３ｇが形成されている。

樹脂部２３は、透光性を有する樹脂に光反射性物質の粒子を含有することで光反射性を付与された材料で形成され、凹部２３ａにおいて、発光素子１からの光を反射して、正面方向に効率的に出射させるための光反射部材としても機能する。
また、凹部２３ａ内には透光性の封止樹脂３が充填されている。

凹部２３ａは、底面２３ｂと、底面２３ｂを囲む側壁とからなり、正面視で、横長の略長方形の開口部を有している。より詳しくは、開口は、正面視で長方形の下辺側の角部が凹んだ八角形の形状をしている。また、底面２３ｂは、横長の略長方形をした長尺形状を有しており、当該底面２３ｂに内部リード部２１ａ，２２ａが設けられている。より詳しくは、底面２３ｂは、長方形の下辺側の角部を面取りした、六角形の形状をしている。
また、凹部２３ａの側壁は、発光装置１００の厚さ方向であるＺ軸方向に互いに対向して設けられた上壁部２３ｃ及び下壁部２３ｄと、発光装置１００の幅方向であるＸ軸方向に互いに対向して設けられた左壁部２３ｅ及び右壁部２３ｆとで構成されている。
凹部２３ａの底面２３ｂが長方形又は略長方形である場合、一方の発光素子１の最長の一辺は、底面２３ｂの一方の長辺と対向するように配置され、他方の発光素子１の最長の一辺は、底面２３ｂの他方の長辺と対向するように配置されることもできる。ここで長辺は、底面２３ａの外周の内の、底面２３ａの長手方向に平行な辺をいう。

ここで、上壁部２３ｃ及び下壁部２３ｄは、左壁部２３ｅ及び右壁部２３ｆと比較して、薄く形成されている。また、凹部２３ａの底面２３ｂに設けられた内部リード部２１ａ，２２ａの一部が、一方の薄壁部である下壁部２３ｄの外側面の側まで延び、外部との接続用端子となる外部リード部２１ｂ，２２ｂとして当該外側面の側から突出し、更に屈曲して樹脂部２３の下面に沿って延伸するように設けられている。
このように、発光装置１００は、サイドビュー型の実装に適するようにリード電極２１，２２が設けられているとともに、サイドビュー型の発光装置１００として、より薄型となるように樹脂部２３が構成されている。

また、上壁部２３ｃ、下壁部２３ｄ、左壁部２３ｅ及び右壁部２３ｆは、高さ方向であるＺ軸方向又は幅方向であるＸ軸方向について、発光素子１が搭載された凹部２３ａの底面２３ｂから開口に向かうほど、凹部２３ａが広がるように傾斜した内側面を有している。このため、発光素子１の側面（Ｙ軸に平行な面）から発して凹部２３ａの内側面に向かって伝播する光は、当該傾斜した内側面によって正面方向であるＹ軸のマイナス方向に向かって反射される。
なお、上壁部２３ｃ及び下壁部２３ｄの内側面は、発光装置１００がより薄型の構造となるように傾斜を設けずに、凹部２３ａの底面２３ｂに対して略垂直な面で構成されてもよい。また、凹部２３ａの底面２３ｂや開口の形状は、横長形状であることが好ましく、前記した六角形や八角形に限らず、矩形やその他の多角形、楕円形であってもよい。

樹脂部２３に用いられる樹脂材料としては、発光素子１が発する光の波長に対して良好な透光性を有することが好ましく、例えば、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、シリコーンハイブリッド樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ変性樹脂、ユリア樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂、ポリフタルアミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリエステル樹脂、液晶樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリアミド樹脂又はこれらの樹脂を１種類以上含むハイブリッド樹脂などが挙げられる。

樹脂部２３に含有させる光反射性物質としては、前記した樹脂材料との屈折率差が大きく、良好な透光性を有する材料の粒子を用いることが好ましい。このような光反射性物質としては、屈折率が、例えば１．８以上であることが好ましく、樹脂材料との屈折率差は、例えば０．４以上であることが好ましい。また、光反射性物質の粒子の平均粒径は、高い効率で光散乱効果を得られるように、０．０８μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。

なお、本明細書において、光反射性物質や波長変換物質などの粒子の平均粒径の値は、電子顕微鏡を用いた観察によるものとする。粒子は一定軸方向の長さについて測定する定方向径を使用し、電子顕微鏡（ＳＥＭ，ＴＥＭ）で粒子の大きさを測定する個数基準（個数分布）を用いる。

また、光反射性物質として、具体的には、ＴｉＯ_２（酸化チタン）、Ａｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム）などの白色顔料の粒子を用いることができる。なかでも、ＴｉＯ_２は、水分などに対して比較的安定でかつ高屈折率であり、また熱伝導性にも優れるため好ましい。

また、当該樹脂材料は、十分な光反射性が得られ、かつ、パッケージの形状を形成する際の成形性が損なわれない範囲で、光反射性物質が含有されている。そのためには、樹脂部２３に含有される光反射性物質の含有率は、１０質量％以上６０質量％以下とすることが好ましい。

封止樹脂３は、透光性を有する樹脂材料を主成分とし、樹脂部２３の凹部２３ａを充填するように設けられ、凹部２３ａの底面２３ｂに搭載される発光素子１を封止する部材である。また、封止樹脂３は、発光素子１が発する光を異なる波長の光に変換する波長変換部材６として波長変換物質である蛍光体の粒子を含有するようにしてもよい。例えば、発光素子１が青色光を発し、波長変換部材６が青色光の一部を黄色光に変換するように構成することで、これらの光が混色した白色光を発光装置１００から出射させることができる。
なお、封止樹脂３に含有させる波長変換部材６は複数種類でもよく、波長変換部材６に代えて、又は加えて、光拡散性物質を含有させてもよい。

封止樹脂３としては、発光素子１が発する光の波長及び前記した波長変換部材６が発する光の波長に対して良好な透光性を有し、封止部材として耐候性、耐光性及び耐熱性の良好な材料が好ましい。このような材料としては、前記した樹脂部２３と同様の樹脂材料やガラスなどを用いることができる。封止樹脂３の材料としては、特に、耐熱性、耐光性に優れているシリコーン樹脂、フッ素樹脂が好ましい。

また、波長変換部材６としては、当該分野で公知のものを使用することができる。例えば、緑〜黄色に発光するセリウムで賦活されたＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体、緑色に発光するセリウムで賦活されたＬＡＧ（ルテチウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体、緑〜赤色に発光するユーロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２）系蛍光体、青〜赤色に発光するユーロピウムで賦活されたシリケート（（Ｓｒ，Ｂａ）_２ＳｉＯ_４）系蛍光体、緑色に発光する組成が（Ｓｉ，Ａｌ）_６（Ｏ，Ｎ）_８：Ｅｕで表されるβサイアロン蛍光体、組成がＳｒＧａ_２Ｓ_４：Ｅｕで表される硫化物系蛍光体、赤色に発光する組成がＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕで表されるＣＡＳＮ系又は（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕで表されるＳＣＡＳＮ系蛍光体などの窒化物系蛍光体、赤色に発光する組成が（Ｋ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ）で表されるＫＳＦ系蛍光体などのフッ化物蛍光体、赤色に発光する硫化物系蛍光体、赤色に発光する組成が（３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ_２・ＧｅＯ_２：Ｍｎ）で表されるゲルマン酸塩（ＭＧＦ）系蛍光体、などが挙げられる。

なお、本明細書において、色名と色度座標との関係、光の波長範囲と単色光の色名との関係等は、特に断らない限り、日本工業規格ＪＩＳＺ８１１０に従うものとする。具体的には、単色光の波長範囲が、３８０ｎｍ〜４５５ｎｍは青紫色、４５５ｎｍ〜４８５ｎｍは青色、４８５ｎｍ〜４９５ｎｍは青緑色、４９５ｎｍ〜５４８ｎｍは緑色、５４８ｎｍ〜５７３ｎｍは黄緑色、５７３ｎｍ〜５８４ｎｍは黄色、５８４ｎｍ〜６１０ｎｍは黄赤色、６１０ｎｍ〜７８０ｎｍは赤色である。

また、封止樹脂３に含有させる光拡散性物質としては、具体的には、ＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３などの白色顔料の粒子を用いることができる。なかでも、ＴｉＯ_２は、水分などに対して比較的安定でかつ高屈折率であり、また熱伝導性にも優れるため好ましい。

封止樹脂３に含有される光拡散性物質の粒子の平均粒径は、０．００１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、これによって高い効率の光散乱性を得ることができる。特に、封止樹脂３における光拡散性物質の粒子の平均粒径は、０．００１μｍ〜０．０５μｍがより好ましい。これによって、高い光散乱効果、つまり、レイリー散乱効果が得られ、発光装置１００としての光取り出し効率をより高くすることができる。
また、平均粒径が、好ましくは０．００１μｍ〜０．０５μｍの光拡散性物質の粒子と、前記した蛍光体、特に、ＣＡＳＮ系、ＳＣＡＳＮ系のような窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系のようなフッ化物系蛍光体、硫化物系蛍光体とを合わせて用いることにより、光取り出し効率を向上することができる。また、光取り出し効率が向上する分、蛍光体の使用量を低減することで蛍光体の発熱による温度上昇が抑制できるため、蛍光体の劣化が低減され、発光装置１００の信頼性を向上することができる。

ワイヤ４は、発光素子１のｎ側電極１３のパッド電極１３２及びｐ側電極１４のパッド電極１４２と、対応する極性の内部リード部２１ａ，２２ａとを電気的に接続するものである。Ａｕ，Ｃｕ，Ａｌ，Ａｇ又はこれらの何れかの金属を主成分とする合金を好適に用いることができる。

ダイボンド樹脂５は、発光素子１を凹部２３ａの底面２３ｂに設けられた内部リード部２１ａに接着するための接着部材である。
ダイボンド樹脂５としては、発光素子１が発する光や熱によって変色や劣化が起き難い樹脂材料が好ましく、更に、良好な透光性を有し、封止樹脂３の屈折率と同等以下が好ましい。ダイボンド樹脂５の屈折率を封止樹脂３の屈折率と同等以下にすることで、発光素子１からダイボンド樹脂５を介して出射される光が、ダイボンド樹脂５と封止樹脂３との界面で全反射されずに、効率的に外部に取り出すことができる。このような樹脂材料としては、シロキサン骨格を有するシリコーン系のダイボンド樹脂が好ましい。シリコーン系のダイボンド樹脂としては、シリコーン樹脂、シリコーンハイブリッド樹脂、シリコーン変性樹脂が挙げられる。

［発光装置の動作］
次に、発光装置１００の動作について、図２Ａ〜図３Ｂを参照して説明する。
なお、説明の便宜上、第１実施形態に係る発光装置１００において、発光素子１は青色光を発光し、封止樹脂３には波長変換部材６として青色光を吸収して黄色光を発光する蛍光体の粒子が含有されているものとして説明する。

発光装置１００は、外部リード部２１ｂ，２２ｂを介して外部電源に接続されると、更に内部リード部２１ａ，２２ａ及びワイヤ４を介して発光素子１に電流が供給され、発光素子１が青色光を発する。発光素子１が発した青色光は、封止樹脂３を伝播する際に、一部が波長変換部材６によって黄色光に変換される。そして、これらの光は、凹部２３ａ内に設けられている発光素子１、ダイボンド樹脂５、内部リード部２１ａ，２２ａ、樹脂部２３及び封止樹脂３の各部材の界面で一部が反射され、一部が吸収されながら、青色光と黄色光とが混色した白色光として、パッケージ２の凹部２３ａの開口面から出射される。

ここで、発光装置１００からの出射光の、長手方向における色ムラについて、図５Ａ及び図５Ｂを参照して説明する。図５Ａは、第１実施形態に係る発光装置の正面図及び発光面の幅方向の色度変化及び凹部の底面において発光素子の占める面積率を示すグラフ図である。図５Ｂは、比較例に係る発光装置の正面図及び発光面の幅方向の色度変化及び凹部の底面において発光素子の占める面積率を示すグラフ図である。
なお、図５Ａ及び図５Ｂ中のグラフ図において、破線は、凹部２３ａの底面２３ｂにおいてＸ軸方向の各位置における厚さ方向の発光素子１の占める面積率を示し、実線は、Ｘ軸方向の各位置における厚さ方向に平均化した色度を示す。より詳しくは、面積率は、底面２３ｂのＺ軸方向の長さに対する発光素子１のＺ軸方向の長さを示す。色度は、グラフのプラス方向ほど青く、マイナス方向ほど黄色いことを示す指標である。

説明の便宜上、第１実施形態に係る発光装置１００及び比較例に係る発光装置１１００の何れにおいても、発光素子１及び発光素子１００１は青色光を発光し、封止樹脂３には青色光を吸収して黄色光を発光する波長変換部材６が含有されているものとして説明する。
ここでは、発光装置１００の色度のムラである色ムラについて説明するが、輝度ムラについても同様に説明することができる。

なお、比較例に係る発光装置１１００は、発光装置１００において、正面視での外形形状が平行四辺形である発光素子１に代えて、正面視での外形形状が矩形である発光素子１００１を２個配置したものである。また、発光素子１００１の外形形状である矩形の長辺は、発光素子１の外形形状である平行四辺形の長辺と同じ長さであり、両者の短手方向の長さは同じである。従って、発光素子１と発光素子１００１とは、正面視における面積は同じである。発光装置１１００は、発光装置１００と同様にして発光素子１００１を発光させることにより、青色光と黄色光とが混色した白色光が、パッケージ２の凹部２３ａの開口面から出射される。

発光装置１００において、波長変換部材６は、発光素子１の表面及び発光素子１が配置されていない凹部２３ａの底面２３ｂの略全面を被覆するように配置されている。また、発光素子１の正面から出射される青色光は、一部が青色光のまま外部により出され、他の部分が発光素子１の正面に設けられている波長変換部材６によって黄色光に波長変換されて外部に取り出される。従って、正面視において、発光素子１が配置された領域からは、青色光と黄色光とが混色した白色光が取り出される。
また、発光素子１の側面、つまり、凹部２３ａの内側面と対向する面から出射される青色光は、凹部２３ａの底面２３ｂに設けられている波長変換部材６によって、一部が黄色光に波長変換される。従って、正面視において、凹部２３ａの底面２３ｂの発光素子１が配置されていない領域からは、黄色味がかった白色光が取り出される。

このため、発光装置１００の光取り出し面である凹部２３ａの開口面において、正面視において発光素子１が配置されている領域からは青味がかった白色光が出射し、他の領域からは黄色味がかった白色光が出射する。また、前記したように、発光装置１００をサイドエッジ入射型の導光板を用いたバックライト光源に適用した場合において、厚さ方向であるＺ軸方向については、十分に混色されるが、幅方向であるＸ軸方向については、混色され難い。そこで、発光装置１００の厚さ方向については出射光の色度を平均化し、幅方向についての色ムラについて考察する。

厚さ方向について色度を平均化した場合に、凹部２３ａの底面２３ｂの長手方向であり、発光装置１００の幅方向であるＸ軸方向の色度は、凹部２３ａの底面２３ｂの全面積に対する発光素子１の占める面積、つまり発光素子１の面積率によって定められる。
ここで、底面２３ｂのＺ軸方向の長さを一定とし、発光素子１のＺ軸方向の長さが最大の場合に面積率が最大となり、このときの面積率をＡ_２とする。また、発光素子１が配置されていない領域では、面積率が最小となり、このときの面積率をＡ_１とする。

第１実施形態に係る発光装置１００では、Ｘ軸方向の位置Ｘ_０〜位置Ｘ_１、及び位置Ｘ_８よりも右側には発光素子１が配置されておらず、面積率が最小値Ａ_１となる。位置Ｘ_２〜位置Ｘ_３、及び位置Ｘ_６〜位置Ｘ_７において、面積率が最大値Ａ_２となる。位置Ｘ_１〜位置Ｘ_２、位置Ｘ_３〜位置Ｘ_４、位置Ｘ_５〜位置Ｘ_６、及び位置Ｘ_７〜位置Ｘ_８は、正面視で発光素子１のＸ軸に対して傾斜した辺が設けられた領域であり、発光素子１のＺ軸方向の長さの変化に伴って、面積率が徐々に変化している。位置Ｘ_４〜位置Ｘ_５は、正面視で発光素子１の傾斜した辺が設けられた領域であるが、２つの発光素子１のそれぞれが占める面積率の増加と減少とが相殺するため、面積率が、Ａ_１よりも大きな一定値となっている。

比較例に係る発光装置１１００では、Ｘ軸方向の位置Ｘ_１０〜位置Ｘ_１１、位置Ｘ_１２〜位置Ｘ_１３、及び位置Ｘ_１４よりも右側には発光素子１００１が配置されておらず、面積率が最小値Ａ_１となる。位置Ｘ_１１〜位置Ｘ_１２、及び位置Ｘ_１３〜位置Ｘ_１４において、面積率が最大値Ａ_２となる。発光素子１００１は矩形であるから、面積率が徐々に変化する領域はない。

発光装置１００及び発光装置１１００の何れにおいても、色度は、面積率が最大のＡ_２のときに青色寄りとなり、面積率が最小のＡ_１のときに黄色寄りとなる。発光素子１の正面からの出射光は、正面に垂直に伝播する光線だけでなく、正面に対して斜め方向に伝播する光線も含まれる。また、蛍光体が発光する光は拡散光である。従って、正面視で発光素子１が配置された領域の外縁近傍では、混光する成分がある。このため、面積率の変化に比べて、色度の変化が緩やかになる傾向がある。

外形形状が矩形である発光素子１００１を備えた発光装置１１００では、面積率の変化が急峻であるため、色度の変化も急峻であり、発光素子１００１が配置された領域と配置されていない領域との色度のコントラストが大きくなっている。言い換えれば、発光装置１１００は、色ムラの大きさを示す色度の変化幅ΔＣ_２が大きいものとなっている。
これに対して、外形形状が平行四辺形である発光素子１を備えた発光装置１００では、面積率の変化が発光装置１１００よりも緩やかであり、色度の変化幅ΔＣ_１が発光装置１１００よりも小さく抑制することができる。
特に、発光素子１の外形形状の左右の辺が、垂直ではなく傾斜しているため、発光素子１の左右両端の長さが、それぞれの中央部から漸減するため、色度の急激な変化を抑制することができる。更に、前記したように、発光素子１からの光と蛍光体からの光とが混光する効果により、色ムラをより低減することができる。また、２つの発光素子１は、互いに対向する辺が底面２３ｂの長手方向に対して傾斜して、かつ、当該辺同士が近接して配置されることが好ましく、当該辺の底面２３ｂの長手方向に平行なＸ軸への正射影同士が重複するように配置されることがより好ましい。これにより、２つの発光素子１間における色ムラを、より効果的に低減することができる。

なお、本実施形態において、発光素子１は、２つ搭載されているが、３つ以上搭載することもできる。複数の発光素子は、同じ色又は互いに異なる色を発するものでもよい。また、３つ以上の発光素子１を搭載する場合は、全ての発光素子１が底面２３ｂの長手方向に沿って配置されることが好ましく、互いに隣接して配置される２つの発光素子１同士は、正面視において、底面２３ｂの長手方向に対して傾斜した辺同士が互いに対向するように配置されることが好ましい。また、３つ以上の発光素子を搭載する発光装置の例は、他の実施形態として後記する。

［発光装置の製造方法］
次に、発光装置１００の製造方法について、図６〜図８Ｃを参照して説明する。図６は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。図７Ａは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子準備工程において、ウエハを仮想的に区画する境界線を示す平面図である。図７Ｂは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子準備工程において、ウエハ上に発光素子が形成された状態を示す平面図である。図８Ａは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子接合工程を示す断面図である。図８Ｂは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法における配線工程を示す断面図である。図８Ｃは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法における封止工程を示す断面図である。
なお、図７Ａ及び図７Ｂにおいて、「平面図」とは、ウエハの主面の法線方向から観察した図のことである。従って、後記する発光素子準備工程Ｓ１１の説明においては、ウエハの主面に垂直な方向を上下方向とする。また、図８Ａ〜図８Ｃは、図２ＡのＩＩＩＡ−ＩＩＩＡ線に相当する位置における断面を示す。

（発光装置の製造方法）
第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法は、発光素子準備工程Ｓ１１と、パッケージ準備工程Ｓ１２と、発光素子実装工程Ｓ１３と、封止工程Ｓ１４と、が含まれている。また、発光素子実装工程Ｓ１３には、発光素子接合工程Ｓ１３１と、配線工程Ｓ１３２とが含まれている。

発光素子準備工程Ｓ１１は、図４Ａ及び図４Ｂに示したような構成の、個片化された発光素子１を準備する工程である。
以下に、ウエハレベルプロセスで発光素子１を製造する工程例について説明するが、これに限定されるものではない。なお、ウエハレベルプロセスで発光素子１を製造するに際しては、例えば図７Ａに示すように、個々の発光素子１を区画する仮想線である境界線ＢＤを定め、複数の同形状の発光素子１が形成される。

（半導体積層体形成工程）
具体的には、まず、サファイアなどの基板１１上に、ＭＯＣＶＤ法などにより、前記した半導体材料を用いて、ｎ型半導体層１２ｎ、活性層１２ａ及びｐ型半導体層１２ｐを順次積層した半導体積層体１２を形成する。その後、ｐ型半導体層１２ｐにｐ型化アニール処理をする。

（ｎ型半導体層露出工程）
半導体積層体１２が形成されると、半導体積層体１２の表面の一部の領域について、上面側からｐ型半導体層１２ｐ及び活性層１２ａの全部、並びにｎ型半導体層１２ｎの一部をエッチングにより除去してｎ型半導体層１２ｎが底面に露出した段差部１２ｂを形成する。

（絶縁膜形成工程）
次に、ｐ型半導体層１２ｐの上面において、ｐ側のパッド電極１４２が設けられる領域及びその近傍に、スパッタリング法などにより、ＳｉＯ_２などの絶縁材料を用いて絶縁膜１５を形成する。

（透光性電極形成工程）
その後、ｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面を覆うように、スパッタリング法などにより、ＩＴＯなどの透光性導電材料を用いて透光性電極１４１を形成する。
（ｐ側パッド電極形成工程）
更に、透光性電極１４１の上面の一部に、スパッタリング法などにより、Ｃｕ、Ａｕなどの金属材料を用いてパッド電極１４２を形成することで、ｐ側電極１４を形成する。

（ｎ側パッド電極形成工程）
また、段差部１２ｂにおいて、スパッタリング法などにより、Ａｌなどの光反射性の良好な金属材料を用いて光反射膜１３１を形成し、更に光反射膜１３１の上面に、スパッタリング法などにより、Ｃｕ、Ａｕなどの金属材料を用いてパッド電極１３２を形成することで、ｎ側電極１３を形成する。
なお、ｎ側電極１３とｐ側電極１４とは、何れを先に形成してもよく、一部のサブ工程、例えば、パッド電極１３２とパッド電極１４２とを同じ工程で形成するようにしてもよい。

（保護膜形成工程）
次に、パッド電極１３２及びパッド電極１４２の上面の外部と接続するための領域に開口部１６ｎ，１６ｐを有するように、スパッタリング法などにより、ＳｉＯ_２などの透光性の絶縁材料を用いて、ウエハ全体を被覆する保護膜１６を形成する。

なお、ｎ側電極１３及びｐ側電極１４の各層、絶縁膜１５、保護膜１６は、フォトリソグラフィ法により適宜な形状のマスクを形成し、当該マスクを利用したエッチング法やリフトオフ法によりパターニングすることができる。
以上のサブ工程を行うことにより、図７Ｂに示したように、ウエハ状態の発光素子１を形成することができる。

（個片化工程）
次に、ウエハを境界線ＢＤに沿って切断することで、発光素子１を個片化する。
また、発光素子１の外形形状を平行四辺形とすることにより、１枚のウエハ上に複数の発光素子１を形成する際に稠密に区画することができ、ダイシングソーを用いたダイシング法やスクライブ法を用いて、ウエハを直線状の切断加工のみで個片化できる。
また、ウエハを切断する前に、基板１１の裏面を研磨して薄肉化するようにしてもよい。これにより、容易にウエハを切断することができる。

なお、外形形状が台形や三角形の場合も、平行四辺形の場合と同様に、ウエハを稠密に区画するとともに、直線状の切断のみで個片化することができる。また、五角形や六角形の場合は、面積の使用効率よく区画すると、直線状の切断加工のみでは個片化できない場合がある。この場合は、折れ線状に切断可能なレーザダイシング法を用いて個片化することができる。
レーザダイシング法は、基板１１の内部に集光されるようにレーザ光（好ましくは、フェムト秒のパルスレーザ光）を照射して、焦点の近傍の基板１１を変質させることで切断溝を形成する手法である。レーザ光を境界線ＢＤに沿って基板１１に照射することで、基板１１の内部に折れ線状の切断溝を形成することができる。その後、基板１１に、例えばローラなど用いて応力を印加することで、境界線ＢＤに沿って形成された切断溝を起点としてウエハを個片化することができる。
なお、レーザダイシング法を用いてウエハを非矩形の形状に切断する手法は、例えば、特開２００６−１３５３０９号公報に詳しいので、更なる説明は省略する。

パッケージ準備工程Ｓ１２は、図１〜図３Ｂに示した発光装置１００の内のパッケージ２を準備する工程である。この工程で準備されるパッケージ２は、発光素子１が実装されず、封止樹脂３が設けられていない状態のものである。
パッケージ準備工程Ｓ１２において、パッケージ２を準備するために、例えば、トランスファー成形法や射出成形法、圧縮成形法、押出成形法などの金型を用いた成形方法で製造するようにしてもよいし、市販のパッケージを入手するようにしてもよい。
なお、発光素子準備工程Ｓ１１とパッケージ準備工程Ｓ１２とは、何れを先に行ってもよく、並行して行うようにしてもよい。

パッケージ２の製造方法の例について説明する。パッケージ２は、板金を打ち抜き加工して形成したリードフレーム（リード電極２１，２２）を、樹脂部２３の形状の空洞を有する上下の金型で挟み込み、金型の一部に設けられたゲート穴から樹脂材料を注入し、注入した樹脂材料を硬化又は固化させた後に金型から取り出すことで製造することができる。また、複数のパッケージ２がリードフレームで連結された状態で製造する場合は、リードフレームを切断することでパッケージ２を個片化する。
金型を用いたパッケージの製造方法は、例えば、特開２００８−７２０７４号公報に詳しいので、更なる説明は省略する。

発光素子実装工程Ｓ１３は、パッケージ準備工程Ｓ１２で準備されたパッケージ２の凹部２３ａに、発光素子準備工程Ｓ１１で準備された発光素子１を実装する工程である。より詳細には、発光素子実装工程Ｓ１３は、サブ工程として、発光素子接合工程Ｓ１３１と、配線工程Ｓ１３２とを含んで構成される。

まず、発光素子接合工程Ｓ１３１において、パッケージ２の凹部２３ａの底面２３ｂである内部リード部２１ａの上面に、ダイボンド樹脂５（好ましくは、シリコーン系のダイボンド樹脂）を用いて発光素子１を接合する。このとき、ディスペンサやピン転写などを用いて、内部リード部２１ａの上面の接合部位に適量のダイボンド樹脂５を供給する。そして、発光素子１を、ｎ側電極１３及びｐ側電極１４が設けられた面を上方に向けて、コレットなど用いて、ダイボンド樹脂５が配置された前記した接合部位に搬送し、発光素子１の長手方向である外形形状の平行四辺形の長辺が凹部２３ａの底面２３ｂの長手方向と平行となるように、基板１１側の面と内部リード部２１ａの上面とを接合させる。
また、２つの発光素子１は、これらの外形形状である平行四辺形の短辺同士が、互いに所定の間隔を空けて対向するように、底面２３ｂの長手方向に沿って並置する。

次に、配線工程Ｓ１３２において、左側の発光素子１のｐ側電極１４とリード電極２１の内部リード部２１ａの上面と、左側の発光素子１のｎ側電極１３と右側の発光素子１のｐ側電極１４と、右側の発光素子１のｎ側電極１３とリード電極２２の内部リード部２２ａの上面とが、それぞれ電気的に接続されるように、ワイヤ４を配線する。ワイヤ４は、ワイヤボンディング装置を用いて配線することができる。

次に、封止工程Ｓ１４において、パッケージ２の凹部２３ａに、ポッティング法などにより未硬化の封止樹脂３を充填し、その後に封止樹脂３を硬化させることで発光素子１を封止する。封止樹脂３は、透光性を有する樹脂に、波長変換部材６や光拡散性物質の粒子を含有するようにしてもよい。
なお、封止工程Ｓ１４において、凹部２３ａの開口が鉛直方向の上方を向くようにパッケージ２が配置される。

また、封止樹脂３に波長変換部材６を含有させる場合は、未硬化の樹脂材料を凹部２３ａに供給した後、波長変換部材６を発光素子１及び底面２３ｂ側に沈降させてから、樹脂材料を硬化させることが好ましい。波長変換部材６を、発光素子１の表面近傍及び凹部２３ａの底面２３ｂに高濃度に偏在させることで、波長変換部材６による発光素子１からの光の波長変換効率を高めることができる。また、波長変換効率を高めることで、波長変換部材６の含有量を低減することができる。
以上説明した手順により、発光装置１００を製造することができる。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る発光装置について、図９Ａを参照して説明する。図９Ａは、第２実施形態に係る発光装置の構成を示す正面図である。

第２実施形態に係る発光装置１００Ａは、第１実施形態に係る発光装置１００において、外形形状が平行四辺形である２つの発光素子１に代えて、外形形状が三角形である２つの発光素子１Ａを備えるものである。
発光素子１Ａの外形形状は、より詳細には、底辺が他の２辺よりも長い二等辺三角形である。従って、発光素子１Ａは、二等辺三角形の底辺が長手方向である。発光素子１Ａは、外形形状の長手方向である底辺が、凹部２３ａの底面２３ｂの長手方向と平行となるように配置されている。また、２つの発光素子１Ａは、外形形状である三角形の頂点が、一方は上向きに、他方が下向きに配置されている。また、２つの発光素子１Ａは、外形形状である三角形の１辺同士が、互いに所定の間隔だけ離れて対向し、当該互いに対向する辺の底面２３ｂの長手方向に平行なＸ軸への正射影は、互いに重なるように配置されている。このため、発光装置１００Ａは、出射光の底面２３ｂの長手方向の輝度ムラや色ムラを低減することができる。

また、発光素子１Ａは、２つの底角の近傍に、それぞれｎ側電極１３及びｐ側電極の外部接続部が設けられている。発光素子１Ａは、角部の近傍に電極の外部接続部を配置しているため、当該外部接続部から、近傍の辺を跨いで底面２３ｂの短手方向に延伸するようにワイヤ４を配線することで、底面２３ｂの長手方向において、ワイヤ４を接合するための領域を低減できる。
なお、発光素子１Ａの外形形状は、二等辺三角形に限らず、正三角形や三辺の長さが互いに異なる三角形であってもよい。

第２実施形態に係る発光装置１００Ａは、第１実施形態に係る発光装置１００とは、発光素子１Ａの外形形状が異なるだけであり、発光装置１００と同様に動作し、同様に製造することができるため、詳細な説明は省略する。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態に係る発光装置について、図９Ｂを参照して説明する。図９Ｂは、第３実施形態に係る発光装置の構成を示す正面図である。

第３実施形態に係る発光装置１００Ｂは、第１実施形態に係る発光装置１００において、外形形状が平行四辺形である２つの発光素子１に代えて、外形形状が台形である２つの発光素子１Ｂを備えるものである。
本明細書において、発光素子１Ｂの正面視形状が「台形」であるとは、特に断らない限り、矩形及び平行四辺形を除くものとする。すなわち、台形の少なくとも一方の底角が直角ではなく、かつ、対角が等しくないものとする。
また、一方の発光素子１Ｂの当該台形の直角でない底角側の脚をなす辺、すなわち、底面２３ｂの長手方向に対して傾斜した辺が、他方の発光素子１Ｂの傾斜した辺と互いに対向するように、２つの発光素子１Ｂが配置されるものとする。なお、２つの発光素子１Ｂの外形形状は、高い左右の対称性が得られるように、合同であることが好ましいが、これに限らず、互いに対向する脚の傾斜角が異なるものであってもよい。

発光素子１Ｂは、正面視での外形形状が、下底側の２つの底角が等しく、かつ、２つの脚の長さが等しい等脚台形である。また、２つの発光素子１Ｂは、何れも底辺が凹部２３ａの底面２３ｂの長手方向であるＸ軸方向に平行なり、一方の発光素子１Ｂの当該台形の短い方の底辺が下底となり、他方の発光素子１Ｂの当該台形の長い方の底辺が下底となるように、互いに上下逆向きに配置されている。
また、２つの発光素子１Ｂは、外形形状である台形の垂直でない脚同士が、互いに所定の間隔だけ離れて対向し、当該互いに対向する脚の底面２３ｂの長手方向に平行なＸ軸への正射影が、互いに重なるように配置されている。このため、発光装置１００Ｂは、出射光の底面２３ｂの長手方向の輝度ムラや色ムラを低減することができる。

また、発光素子１Ｂは、長い方の底辺の２つの底角の近傍に、それぞれｎ側電極１３及びｐ側電極の外部接続部が設けられている。このため、当該外部接続部から、近傍の脚を跨いで短手方向に延伸するようにワイヤ４を配線することで、底面２３ｂの長手方向において、ワイヤ４を接合するための領域を低減できる。

第３実施形態に係る発光装置１００Ｂは、第１実施形態に係る発光装置１００とは、発光素子１Ｂの外形形状が異なるだけであり、発光装置１００と同様に動作し、同様に製造することができるため、詳細な説明は省略する。

＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態に係る発光装置について、図９Ｃを参照して説明する。図９Ｃは、第４実施形態に係る発光装置の構成を示す正面図である。

第４実施形態に係る発光装置１００Ｃは、第１実施形態に係る発光装置１００において、外形形状が平行四辺形である２つの発光素子１に代えて、外形形状が三角形である発光素子１Ａと、外形形状が台形である発光素子１Ｂとを備えるものである。
前記した実施形態に係る発光装置１００，１００Ａ，１００Ｂは、何れも、外形形状が同形である２つの発光素子１，１Ａ，１Ｂを備えるものであるが、第３実施形態に係る発光装置１００Ｃのように、異なる外形形状の発光素子を組み合わせて用いることもできる。

互いに外形形状の異なる２つの発光素子１Ａと発光素子１Ｂとを用いる場合であっても、正面視において互いに対向する辺同士は、所定の間隔を空けて、略平行となるように配置する。このとき、発光素子１Ａ，１Ｂは、互いに対向する辺の、底面２３ｂの長手方向に平行なＸ軸への正射影が、互いに重なるように配置することが好ましい。これによって、発光装置１００Ｃは、出射光の底面２３ｂの長手方向の輝度ムラや色ムラを低減することができる。

第４実施形態に係る発光装置１００Ｃは、第１実施形態に係る発光装置１００とは、発光素子１Ａ，１Ｂの外形形状が異なるだけで、発光装置１００と同様に動作し、同様に製造することができるため、詳細な説明は省略する。

なお、組み合わせる発光素子の外形形状は、台形と三角形に限らず、平行四辺形と三角形、平行四辺形と台形としてもよく、更には、矩形を除く他の多角形同士を組み合わせるようにしてもよい。

＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態に係る発光装置について、図１０Ａ〜図１１を参照して説明する。図１０Ａは、第５実施形態に係る発光装置の構成を示す正面図である。図１０Ｂは、第５実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図であり、図１０ＡのＸＢ−ＸＢ線における断面を示す。図１１は、第５実施形態に係る発光装置に用いられる蛍光体の反射スペクトルを示すグラフ図である。
なお、正面図である図１０Ａにおいて、波長変換部材６が配置される領域に、ドットのハッチングを施して示している。

第５実施形態に係る発光装置１００Ｄは、第１実施形態に係る発光装置１００において、外形形状が平行四辺形である２つの発光素子１に代えて、外形形状が三角形である発光素子１Ｃａ，１Ｃｂ，１Ｄを備えるものである。３つの発光素子１Ｃａ，１Ｃｂ，１Ｄは、正面視において、外形形状が略同じであり、外形形状である三角形の頂点が交互に下向き、上向きとなるように、底面２３ｂにおいて、底面２３ｂの長手方向に一列に配置されている。中央に配置される発光素子１Ｄは緑色光を発光し、その左右両側に配置される発光素子１Ｃａ，１Ｃｂは、青色光を発光する。また、封止樹脂３は、主として発光素子１Ｃａ，１Ｃｂからの青色光の一部を吸収して、赤色光を発光する波長変換部材６が含有されており、波長変換部材６は、凹部２３ａの底面２３ｂ及び発光素子１Ｃａ，１Ｃｂ，１Ｄの表面の近傍に偏在するように配置されている。

前記した実施形態に係る発光装置１００〜１００Ｃでは、発光素子１〜１Ｂは、何れも青色光を発光し、当該青色光の一部を封止樹脂３に含有される波長変換部材６によって、黄色ないし赤色光に変換し、発光素子１〜１Ｂからの光と混色させることで、白色光を生成するものである。これに対して、第５実施形態に係る発光装置１００Ｄは、緑色光成分を蛍光体で生成することに代えて、緑色光を発光する発光素子１Ｄを用いるものである。蛍光体の発光による緑色光よりも、ＬＥＤである発光素子１Ｄの発光による緑色光の方が、一般的に発光スペクトルの発光波長域が狭い。このため、液晶表示素子を用いたカラー画像表示装置などで用いられる青色及び赤色のカラーフィルタを透過した後に得られる青色及び赤色の各原色の色純度を向上させることができる。従って、発光装置１００Ｄを、このようなカラー画像表示装置のバックライト光源として用いることにより、カラー画像表示装置の色再現範囲を拡げることができる。

また、相対的に視感度の高い緑色光を発光する発光素子１Ｄを中央に配置し、視感度の低い青色光を発光する発光素子１Ｃａ，１Ｃｂをの両隣に配置することで、各色の光量のバランスを取り易くすることができる。また、このように配置することで、左右の対称性を高くすることができるため、色ムラを低減することができる。

封止樹脂３に含有させる波長変換部材６は、前記したように、赤色光を発光するものが少なくとも用いられる。また、赤色光を発光する蛍光体としては、前記したように、ＫＳＦ系蛍光体、ＭＧＦ系蛍光体、ＳＣＡＳＮ系蛍光体などを挙げることができる。赤色光を発光する蛍光体は、その発光波長よりも短波長側の光を吸収する。従って、発光素子１Ｃａ，１Ｃｂからの青色光の他に、発光素子１Ｄからの緑色光も吸収するものがある。緑色光を吸収する蛍光体は、緑色光を赤色光に波長変換するが、青色光を赤色光に波長変換する場合に比べて変換効率が低い。このため、発光装置１００Ｄの全体としての発光効率が低下する。

図１１において、実線で示したＳＣＡＳＮ系蛍光体は、波長が５３０ｎｍ近傍の緑色光の反射率が低くなっている。言い換えれば、ＳＣＡＳＮ系蛍光体は、緑色光の吸収が多い蛍光体である。これに対して、破線で示したＭＧＦ系蛍光体及び一点鎖線で示したＫＳＦ系蛍光体は、波長が５３０ｎｍ近傍の緑色光の反射率が高くなっている。言い換えれば、ＭＧＦ系蛍光体及びＫＳＦ系蛍光体は、緑色光の吸収が少ない蛍光体である。
このため、発光素子１Ｄの近傍に、波長変換部材６としてＭＧＦ系蛍光体又はＫＳＦ系蛍光体を配置しても、波長変換部材６による緑色光の吸収による光量低下が抑制されて、発光装置１００Ｄの発光効率を高めることができる。
特に、波長変換部材６としてＭＧＦ系蛍光体又はＫＳＦ系蛍光体を用いる場合は、発光素子１Ｃａ，１Ｃｂの正面と同様に、発光素子１Ｄの正面に波長変換部材６を配置しても、緑色光の光量低下を抑制できる。このため、底面２３ｂに配置される発光素子の発光色の違いを考慮することなく、封止樹脂３を配置することができるため、製造工程を簡略化することができる。

第５実施形態に係る発光装置１００Ｄは、第１実施形態に係る発光装置１００とは、発光素子１Ｃａ，１Ｃｂ，１Ｄの外形形状が異なり、用いる発光素子の個数が異なるだけで、発光装置１００と同様に動作し、同様に製造することができるため、詳細な説明は省略する。

なお、発光素子１Ｃａ，１Ｃｂ，１Ｄの外形形状は、三角形に限らず、前記した発光装置１００〜１００Ｃのように、平行四辺形や台形、その他の多角形のものを用いてもよく、外形形状の異なるものを組み合わせて用いるようにしてもよい。
また、用いる発光素子及び蛍光体の発光色の組み合わせは、前記した例に限定されず、他の組み合わせであってもよい。発光素子１Ｃａ，１Ｃｂの発光色と発光素子１Ｄとの発光色とが異なり、発光素子１Ｄの発光ピーク波長が発光素子１Ｃａ，１Ｃｂの発光ピーク波長よりも長波長側であり、かつ、用いる波長変換部材６の発光ピーク波長が発光素子１Ｄの発光ピーク波長よりも長いものであればよい。また、この場合において、波長変換部材６の発光素子１Ｄの発光ピーク波長における光反射率が十分に高いことが好ましい。ここで、光反射率が十分に高いとは、例えば、好ましくは４０％以上であり、より好ましくは６０％以上であり、更に好ましくは８０％以上である。

＜第６実施形態＞
次に、第６実施形態に係る発光装置について、図１２Ａ及び図１２Ｂを参照して説明する。図１２Ａは、第６実施形態に係る発光装置の構成を示す正面図である。図１２Ｂは、第６実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図であり、図１２ＡのＸＩＩＢ−ＸＩＩＢ線における断面図である。
なお、正面図である図１２Ａにおいて、波長変換部材６が配置される領域に、ドットのハッチングを施して示している。

第６実施形態に係る発光装置１００Ｅは、第５実施形態に係る発光装置１００Ｄにおいて、中心に配置される緑色に発光する発光素子１Ｄに代えて、緑色に発光する発光素子１Ｅを備え、発光素子１Ｅの正面に波長変換部材６を配置しないことが異なる。
また、発光素子１Ｅは、Ｙ軸方向の寸法である厚さが、発光素子１Ｃａ，１Ｃｂよりも厚く形成されている。

封止樹脂３Ｅは、波長変換部材６を含有し、底面２３ｂに近い方である下層側の第１層３１と、波長変換部材６を含有せず、底面２３ｂから遠い方である上層側の第２層３２とが積層されることで構成されている。第１層３１のＹ軸方向の寸法である厚さは、発光素子１Ｃａ，１Ｃｂよりも厚く、発光素子１Ｅよりも薄く設けられており、第２層３２は、正面側の端面が、凹部２３ａの開口面と同一面となるように設けられている。
他の構成については、第５実施形態に係る発光装置１００Ｄを同様であるから、詳細な説明は省略する。

第６実施形態に係る発光装置１００Ｅは、発光素子１Ｃａ，１Ｃｂよりも長い発光ピーク波長で発光する発光素子１Ｅの正面に、発光素子１Ｅよりも長い発光ピーク波長で発光する波長変換部材６を配置しない。このため、波長変換部材６が、発光素子１Ｅの発光ピーク波長の光を多く吸収する場合であっても、発光素子１Ｅからの光の多くを、発光素子１Ｅの正面を通って発光装置１００Ｅの外部に取り出すことができる。従って、例えば、発光素子１Ｅが緑色光を発光し、波長変換部材６が赤色光を発光する場合において、波長変換部材６として、ＳＣＡＳＮ系蛍光体を用いても、発光装置１００Ｅとしての発光効率の低下や緑色光成分の低下を抑制することができる。

また、発光素子１Ｅの正面側に波長変換部材６を配置しないことで、正面からの出射光は光散乱されず、波長変換部材６に吸収される機会が低減される。また、発光素子１Ｅの正面における光の多重散乱が抑制されることで、発光素子１Ｅの正面側に設けられている全面電極やパッド電極、ワイヤ４による吸収も低減される。これらの点からも、発光装置１００Ｅの発光効率の低下が抑制される。
また、発光素子１Ｅの正面での光散乱が低減されることで、発光素子１Ｅからの出射光の正面方向への指向性を高めることができる。

［発光装置の製造方法］
次に、第６実施形態に係る発光装置１００Ｅの製造方法について、図１３Ａ〜図１３Ｃを参照して説明する。図１３Ａは、第６実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子実装工程を示す断面図である。図１３Ｂは、第６実施形態に係る発光装置の製造方法において、封止工程における第１工程を示す断面図である。図１３Ｃは、第６実施形態に係る発光装置の製造方法において、封止工程における第２工程を示す断面図である。
なお、図１３Ａ〜図１３Ｃは、図１２ＡのＸＩＩＢ−ＸＩＩＢ線に相当する位置における断面を示す。

第６実施形態に係る発光装置１００Ｅは、第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法を、以下に説明するように変更することで製造することができる。

（発光素子準備工程）
発光素子準備工程Ｓ１１において、青色光を発光する発光素子１Ｃａ，１Ｃｂと、緑色光を発光する発光素子１Ｅを準備する。このとき、発光素子１Ｅとして、発光素子１Ｃａ，１Ｃｂよりも厚いものを準備する。
例えば、前記した発光素子の製造方法の例において、個片化工程の前に、基板１１の裏面を研磨する工程を行い、当該工程において基板１１を薄肉化する際の研磨量を、発光素子１Ｅの方が、発光素子１Ｃａ，１Ｃｂよりも少なくする。これによって、発光素子１Ｅの厚さを、発光素子１Ｃａ，１Ｃｂよりも厚く製造することができる。例えば、研磨前の基板１１の厚さが３００μｍである場合に、発光素子１Ｃａ，１Ｃｂの研磨後の基板１１の厚さを１００μｍ程度とした場合に、発光素子１Ｅの研磨後の基板１１の厚さを１５０〜２００μｍ程度とすることができる。なお、発光素子１Ｅの基板１１は研磨せずに、厚さ３００μｍのままとしてもよい。

（発光素子実装工程）
まず、発光素子実装工程Ｓ１３の発光素子接合工程Ｓ１３１において、パッケージ２の凹部２３ａの底面２３ｂである内部リード部２１ａに、ダイボンド樹脂５を用いて発光素子１Ｃａ，１Ｃｂ，１Ｅを接合する。
次に、配線工程Ｓ１３２において、発光素子１Ｃａ、発光素子１Ｄ及び発光素子１Ｃｂが、内部リード部２１ａと内部リード部２２ａとの間に直列接続されるように、ワイヤ４を配線する。

（封止工程の第１工程）
次に、封止工程Ｓ１４の第１工程において、パッケージ２の凹部２３ａに、ポッティング法などにより波長変換部材６を含有する未硬化の樹脂材料を供給し、好ましくは波長変換部材６が沈降するのを待ってから、樹脂材料を硬化させることで、封止樹脂３Ｅの第１層３１を形成する。
なお、封止工程Ｓ１４において、凹部２３ａの開口が鉛直方向の上方を向くようにパッケージ２が配置される。

（封止工程の第２工程）
次に、封止工程Ｓ１４の第２工程において、凹部２３ａの空間に、波長変換部材６を含有しない未硬化の樹脂材料を供給し、その後に樹脂材料を硬化させることで第２層３２を形成する。第１層３１と第２層３２とに用いる樹脂材料は、少なくとも屈折率が同じであることが好ましく、同じ材料であることがより好ましい。これにより、第１層３１と第２層３２との間に光学的な界面が生じることなく接合した封止樹脂３Ｅを形成することができる。

なお、第１工程において、樹脂材料は仮硬化させておき、第２工程で、第１層３１と第２層３２とを同時に本硬化させることが好ましい。これによって、第１層３１と第２層３２とを、より強固に接合することができる。
その他の工程は、第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法と同様に行うことで、第６実施形態に係る発光装置１００Ｅを製造することができる。

［発光装置の製造方法の変形例］
次に、第６実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例について、図１４Ａ及び図１４Ｂを参照して説明する。図１４Ａは、第６実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例において、発光素子実装工程を示す断面図である。図１４Ｂは、第６実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例において、透光性層形成工程を示す断面図である。
なお、図１４Ａ及び図１４Ｂは、図１２ＡのＸＩＩＢ−ＸＩＩＢ線に相当する位置における断面を示す。

第６実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例は、前記した第６実施形態に係る発光装置１００Ｅの製造方法において、発光素子１Ｅに代えて、発光素子１Ｃａ，１Ｃｂと同じ厚さの緑色に発光する発光素子１Ｆを用いるものである。このために、本変形例では、発光素子実装工程Ｓ１３と封止工程Ｓ１４との間に、透光性層形成工程が含まれる。

（発光素子実装工程）
まず、発光素子実装工程Ｓ１３の発光素子接合工程Ｓ１３１において、パッケージ２の凹部２３ａの底面２３ｂである内部リード部２１ａに、ダイボンド樹脂５を用いて、同じ厚さの発光素子１Ｃａ，１Ｃｂ，１Ｆを接合する。
次に、配線工程Ｓ１３２において、発光素子１Ｃａ、発光素子１Ｄ及び発光素子１Ｃｂが、内部リード部２１ａと内部リード部２２ａとの間に直列接続されるように、ワイヤ４を配線する。

（透光性層形成工程）
次に、透光性層形成工程において、発光素子１Ｆの正面に、透光性層７を形成する。透光性層７は、波長変換部材６を含有せず、封止樹脂３Ｅと同様の樹脂を用いて形成される。
なお、透光性層形成工程において、凹部２３ａの開口が鉛直方向の上方を向くようにパッケージ２が配置される。

発光素子１Ｆの正面に、当該正面から溢れないように、比較的に高粘度に調整された未硬化の樹脂材料をディスペンサなどを用いて供給し、その後に樹脂材料を硬化させることで形成することができる。透光性層７は、前記した発光素子１Ｅと発光素子１Ｆとの厚さの差と、同程度の厚さで形成する。従って、発光素子１Ｆと透光性層７とを合わせて、前記した発光素子１Ｅと同等の厚さの発光素子として用いることができる。
なお、透光性層７は、未硬化の樹脂材料を用いて形成することに限らず、所定の厚さのガラス板や樹脂板などの透光性部材を、透光性接合剤を用いて接合することで形成してもよい。また、透光性層７に代えて同形状のマスクを形成し、第１層３１を形成後に除去して発光素子１Ｆの正面を露出させ、第２層３２を形成するようにしてもよい。

次に、封止樹脂３Ｅを前記した方法で形成することで、変形例に係る発光装置を製造することができる。

＜第７実施形態＞
次に、第７実施形態に係る発光装置について、図１５を参照して説明する。図１５は、第７実施形態に係る発光装置の構成を示す正面図である。
なお、正面図である図１５において、波長変換部材６が配置される領域に、ドットのハッチングを施して示している。

第７実施形態に係る発光装置１００Ｆは、第６実施形態に係る発光装置１００Ｅにおいて、発光素子１Ｃａ，１Ｃｂに代えて、発光素子１Ｅと同じ厚さの青色に発光する発光素子１Ｇａ，１Ｇｂを備え、発光素子１Ｅの正面に加えて、発光素子１Ｇａ，１Ｇｂの正面にも波長変換部材６を配置しないことが異なる。また、発光装置１００Ｆは、第６実施形態における封止樹脂３Ｅと同様に、波長変換部材６を含有する下層側の第１層と、波長変換部材６を含有しない上層側の第２層とから構成されている。封止樹脂３Ｆの第１層は、発光素子１Ｇａ，１Ｇｂ，１Ｅよりも薄い厚さで設けられている。

発光素子１Ｇａ，１Ｇｂ，１Ｅの何れの正面にも波長変換部材６を配置しないことで、発光素子１Ｅからの緑色光に加えて、発光素子１Ｇａ，１Ｇｂからの青色光の光量も多くすることができる。また、発光素子１Ｇａ，１Ｇｂ，１Ｅの正面に波長変換部材６を配置しないことで、これらの発光素子１Ｇａ，１Ｇｂ，１Ｅからの光の光散乱が低減されることで、全面電極、パッド電極、ワイヤ４などによる光吸収が低減され、また、発光装置１００Ｆの正面方向に指向性を高めることができる。

第７実施形態に係る発光装置１００Ｆは、第６実施形態に係る発光装置１００Ｅの製造方法を以下のように変更することで製造することができる。
発光素子準備工程Ｓ１１において、発光素子１Ｃａ，１Ｃｂに代えて、発光素子１Ｅと同じ厚さの発光素子１Ｇａ，１Ｇｂを準備する。
封止工程Ｓ１４において、発光素子１Ｇａ，１Ｇｂ，１Ｅよりも薄い厚さで、波長変換部材６を含有する第１層３１を設け、その後、波長変換部材６を含有しない第２層３２を設けることで、封止樹脂３Ｆを形成する。なお、第６実施形態の製造方法の変形例と同様に、透光性層７を形成するようにしてもよい。
他の工程については、第６実施形態と同様に行うことで、発光装置１００Ｆを製造することができる。

＜応用例＞
［バックライト光源の構成］
次に、各実施形態に係る発光装置の応用例として、これらの発光装置を用いた照明装置であるバックライト光源について、図１６を参照して説明する。図１６は、第１実施形態に係る発光装置を用いたバックライト光源の構成を示す断面図である。
なお、応用例として、第１実施形態に係る発光装置１００を用いる場合について説明するが、発光装置１００に代えて、他の実施形態に係る発光装置１００Ａ〜１００Ｆやこれらの変形例に係る発光装置を用いることもできる。

本応用例に係るバックライト光源２００は、液晶表示装置などのバックライトに適した面発光型の照明装置である。バックライト光源２００は、発光装置１００が実装された実装基板２０１と、板状の導光部材２０２と、発光装置１００及び導光部材２０２の下面側に設けられた光反射シート２０３と、導光部材２０２の光取り出し面である上面側に積層して設けられた光拡散シート２０４及びプリズムシート２０５，２０６と、を備え、照明光の出射方向である上面に開口を有するフレーム２０７内に収容されている。また、実装基板２０１の配線パターンは、リード線２０８を介して外部の電源と接続され、発光装置１００の外部リード部２１ｂ，２２ｂは、それぞれ実装基板２０１の対応する極性の配線パターンと、半田などの導電性の接合部材２０９を用いて電気的に接合されている。

導光部材２０２は、透光性を有する樹脂などで形成され、光入射端面（右側面）側からその対向面（左側面）に向かって厚さが減少するテーパ断面形状を有している。導光部材２０２の光入射端面は発光装置１００の光出射面である凹部２３ａの開口面と密着するように配置され、光入射端面の高さと、発光装置１００の高さとが略一致するように設けられている。発光装置１００から出射された光は、光入射端面から導光部材２０２に入射され、導光部材２０２の内部を伝播しながら反射や拡散を繰り返しながら、導光部材２０２の上面側から出射される。

また、光反射シート２０３は、例えば、表面にＡｇやＡｌなどの反射膜が形成された樹脂などで形成され、発光装置１００や導光部材２０２からの漏れ光をこれらの部材に戻して、光の利用効率を高める機能を有する。光拡散シート２０４は、導光部材２０２の上面側から出射された光の強度分布を均等にする機能を有する。プリズムシート２０５，２０６は、表面に微小な三角プリズムが多数形成された透光性の樹脂などで形成され、下面からの入射光をシート面の法線方向に屈折させて集光する機能を有する。プリズムシート２０５とプリズムシート２０６とは、光を屈折させる方向が互いに直交するように配置される。フレーム２０７は、Ａｌやステンレス鋼などの板材を折り曲げ加工して箱状に形成したものである。

板状の導光部材２０２の側面から光を入射して、導光部材２０２の主面側から光を出射するバックライト光源２００において、前記したように、導光部材２０２の厚さ方向であるＺ軸方向の入射光の輝度ムラや色ムラは、導光部材２０２内を伝播する間に十分に均一化される。一方、導光部材２０２の幅方向であるＸ軸方向の入射光の輝度ムラや色ムラは、導光部材２０２内で十分な均一化がされない。このため、発光装置１００からの入射光の幅方向の輝度ムラや色ムラが、バックライト光源２００の輝度ムラや色ムラに大きく影響する。
発光装置１００は、前記したように、凹部２３ａの底面２３ｂの長手方向であるＸ軸方向の輝度ムラや色ムラが低減されている。従って、この発光装置１００を用いたバックライト光源２００も、その出射光の輝度ムラや色ムラが低減される。

以上、本発明に係る発光装置について、発明を実施するための形態により具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。

本開示の実施形態に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内などの各種表示装置、更には、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナなどにおける画像読取装置、プロジェクタ装置など、種々の光源に利用することができる。

１，１Ａ，１Ｂ 発光素子（第１発光素子、第２発光素子）
１Ｃａ，１Ｇａ 発光素子（第１発光素子）
１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ 発光素子（第２発光素子）
１Ｃｂ，１Ｇｂ 発光素子（第３発光素子）
１１ 基板
１２ 半導体積層体
１２ｎ ｎ型半導体層
１２ａ 活性層
１２ｐ ｐ型半導体層
１２ｂ 段差部
１３ ｎ側電極
１３１ 光反射膜
１３２ パッド電極
１４ ｐ側電極
１４１ 透光性電極
１４２ パッド電極
１４２ａ 外部接続部
１４２ｂ 延伸部
１５ 絶縁膜
１６ 保護膜
１６ｎ，１６ｐ 開口部
２ パッケージ
２１，２２ リード電極
２１ａ，２２ａ 内部リード部
２１ｂ，２２ｂ 外部リード部
２３ 樹脂部
２３ａ 凹部
２３ｂ 底面
２３ｃ 上壁部（側壁）
２３ｄ 下壁部（側壁）
２３ｅ 左壁部（側壁）
２３ｆ 右壁部（側壁）
２３ｇ ゲート痕
３，３Ｅ 封止樹脂
３１ 第１層
３２ 第２層
４ ワイヤ
５ ダイボンド樹脂
６ 波長変換部材
７ 透光性層
１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ，１００Ｅ，１００Ｆ 発光装置
２００ バックライト光源
２０１ 実装基板
２０１ａ 基体
２０１ｂ 配線パターン
２０２ 導光部材
２０３ 光反射シート
２０４ 光拡散シート
２０５ プリズムシート
２０６ プリズムシート
２０７ フレーム
２０８ リード線
２０９ 接合部材

Claims (20)

1. 長手方向と短手方向とを持つ底面と前記底面を囲む側壁とからなる凹部を有するパッケージと、
   前記凹部の前記底面において、前記底面の長手方向に並んで配置される第１発光素子及び第２発光素子と、
   前記凹部内に設けられ、前記第１発光素子からの光を異なる波長の光に変換する波長変換部材と、を備え、
   前記底面に向かって垂直な方向から観察する正面視において、前記第１発光素子及び前記第２発光素子は、矩形を除く多角形形状であり、
   正面視において、前記第１発光素子及び前記第２発光素子は、それぞれの最長の一辺が、前記底面の長手方向と平行又は略平行となり、かつ、前記第１発光素子及び前記第２発光素子の互いに対向する辺同士が平行又は略平行となるように、互いに離間して前記底面に配置され、
   前記波長変換部材は、少なくとも前記底面の前記第１発光素子及び前記第２発光素子との間の領域に配置されている、発光装置。
2. 正面視において、前記第１発光素子及び前記第２発光素子は、それぞれが平行四辺形、台形又は三角形の何れかである、請求項１に記載の発光装置。
3. 正面視において、前記第１発光素子及び前記第２発光素子の互いに対向する辺は、前記底面の長手方向に対して、１５°以上７５°以下の角度で傾斜している、請求項１又は請求項２に記載の発光装置。
4. 前記第１発光素子の発光ピーク波長は、前記第２発光素子の発光ピーク波長よりも短波長側にある、請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の発光装置。
5. 正面視において、
   前記底面は長方形又は略長方形であり、
   前記第１発光素子の前記最長の一辺は、前記底面の一方の長辺と対向するように配置され、
   前記第２発光素子の前記最長の一辺は、前記底面の他方の長辺と対向するように配置される、請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の発光装置。
6. 正面視において前記第１発光素子及び前記第２発光素子の互いに対向する辺は、前記底面の長手方向に平行な直線への正射影が重なりを有する、請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の発光装置。
7. 正面視において、前記第１発光素子の外形形状と、前記第２発光素子の外形形状とが同じである、請求項１乃至請求項６の何れか一項に記載の発光装置。
8. 前記第１発光素子の発光色と、前記第２発光素子の発光色とが同じである、請求項１乃至請求項７の何れか一項に記載の発光装置。
9. 正面視において、
   前記第１発光素子は、前記底面の長手方向における前記第２発光素子が配置されている側と反対側で、かつ、前記底面の短手方向に延伸する導電部材によって前記底面に設けられている電極と電気的に接続されている、請求項１乃至請求項８の何れか一項に記載の発光装置。
10. 前記波長変換部材は、酸化物蛍光体、フッ化物蛍光体、窒化物蛍光体、酸窒化物蛍光体の少なくとも１種を含有する、請求項１乃至請求項９の何れか一項に記載の発光装置。
11. 前記波長変換部材は、前記第１発光素子の上面及び前記第２発光素子の上面を覆っている、請求項１乃至請求項１０の何れか一項に記載の発光装置。
12. 更に第３発光素子を備え、
    前記第１発光素子、前記第２発光素子及び前記第３発光素子が、この順に前記底面の長手方向に並べられ、
    正面視において、前記第３発光素子は、矩形を除く多角形形状であり、最長の一辺が、前記底面の長手方向と平行又は略平行となり、かつ、前記第２発光素子及び前記第３発光素子の互いに対向する辺同士が平行又は略平行となるように、互いに離間して前記底面に配置され、
    前記第１発光素子の発光ピーク波長と前記第３発光素子の発光ピーク波長とが同じで、前記第２発光素子の発光ピーク波長が、前記第１発光素子及び前記第３発光素子の発光ピーク波長よりも長く、
    前記波長変換部材は、前記底面の前記第２発光素子及び前記第３発光素子との間の領域に配置されている、請求項８を引用する場合を除く、請求項１乃至請求項１１の何れか一項に記載の発光装置。
13. 正面視において、前記第３発光素子は、平行四辺形、台形又は三角形の何れかである、請求項１２に記載の発光装置。
14. 前記波長変換部材は、前記第１発光素子、前記第２発光素子及び前記第３発光素子の、側面又は上面の少なくとも一方の面を覆っている、請求項１２又は請求項１３に記載の発光装置。
15. 前記第１発光素子及び前記第３発光素子は、青色光を発光し、
    前記第２発光素子は緑色光を発光し、
    前記波長変換部材は、赤色光を発光する、請求項１４に記載の発光装置。
16. 前記波長変換部材は、前記第２発光素子の発光ピーク波長における光反射率が８０％以上の蛍光体である、請求項１４又は請求項１５に記載の発光装置。
17. 前記第１発光素子及び前記第３発光素子は、発光ピーク波長が３８０ｎｍ〜４８５ｎｍの間にあり、
    前記第２発光素子は発光ピーク波長が４８５ｎｍ〜５７３ｎｍの間にあり、
    前記波長変換部材は、５８４ｎｍ〜７８０ｎｍの間に発光ピーク波長を有し、前記第２発光素子の発光ピーク波長における光反射率が８０％以上の蛍光体である、請求項１４に記載の発光装置。
18. 前記波長変換部材は、組成がＫ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎで表されるフッ化物蛍光体又は３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ_２・ＧｅＯ_２：Ｍｎで表されるゲルマン酸塩蛍光体である、請求項１４乃至請求項１７の何れか一項に記載に発光装置。
19. 前記波長変換部材の発光ピーク波長は、前記第２発光素子の発光ピーク波長よりも長く、
    前記波長変換部材は、前記第２発光素子の上面に設けられていない、請求項１２乃至請求項１８の何れか一項に記載の発光装置。
20. 請求項１乃至請求項１９の何れか一項に記載の発光装置と、
    平板状の導光部材と、を備え、
    前記発光装置と前記導光部材とは、前記凹部の開口が前記導光部材の側面に対向するように配置される、バックライト光源。

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