JP3904585B2 - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
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(24)発光素子を形成する半導体チップの中央より端部により多くの光エネルギー変換材料が配置された上記23項に記載のランプ。
チップ形状が正六角形のIII族窒化物半導体からなる青色発光素子を以下のとおり作製した。図5は本実施例で作製した発光素子の平面図であり、1はp電極、2はp電極ボンディングパッド、3はn型層露出面、および4はn電極である。
III族窒化物半導体からなる青色発光素子を以下のとおり作製した。その平面形状は実施例1と同じである。
実施例1のレーザー光の照射方法を以下のようにして行なった。図4の様に、第一の方向にチップ形状の六角形の一辺をなす長さと同じ長さの割溝を断続的に破線状に形成し第一の方向の破線状割溝(E)とする。次に、ステージを60度回転させる。第一の方向の破線状割溝(E)の各割溝の端部を開始端としてチップ形状の六角形の一辺をなす長さと同じ長さの割溝を破線状に形成し第二の方向の破線状割溝(F)とする。次に、ステージをさらに60度回転させる。第二の方向の破線状割溝(F)の各割溝の端部を開始端としてチップ形状の六角形の一辺をなす長さと同じ長さの割溝を破線状に形成し第三の方向の破線状割溝(G)とする。これにより半導体ウェーハ上に一辺300μmのハニカム状の六角形チップ形状を得る割溝を形成した。割溝の寸法と断面形状は実施例1とほぼ同一であった。得られたチップを実施例1と同様にLEDランプに成型して評価したところ電流20mAで7.3〜8.1mWの発光出力を示した。
実施例2の半導体ウェーハを研削して厚さを約80μmにした後に、球形金型上に載置して上から押し付けることにより個々のチップに分離した。外形不良のないものを取り出したところ、歩留まりは約85%であった。
p電極としてp側コンタクト層側から順にPtおよびRhを積層した構造を持つ光反射性のp電極を形成したこと以外は、実施例2と同様にして正六角形のチップを約7000個得た。外形不良の無いものを取り出したところ、歩留まりは約80%であった。
実施例5の半導体ウェーハを研削および研磨して厚さを約80μmにした後に、割溝形成位置に対応する基板研磨面側の位置にレーザー光を照射して深さ約15μm幅約20μmの第二の割溝を形成した。割溝形状はほぼV字型で、基板角部を面取りした形状に仕上がった。このウェーハをローラーにより応力をかけて分離することにより、正六角形のチップを約7000個得た。外形不良の無いものを取り出したところ、歩留まりは約90%であった。
図2に示した直線(C)の割溝を形成した後、さらに図3に示した直線(D)の割溝を形成して、図6に示した五角形のチップが得られる割溝を形成したこと以外は実施例1と同様にして、五角形のチップを約14000個得た。外形不良のないものを取り出したところ、歩留まりは約80%であった。
割溝をチップ形状が半径275μmの円形になるように形成したほかは実施例1と同一の手順で発光素子を作製した。円と円との間に発光素子として使えない領域が出来るのでチップ化できる有効面積は正六角形の場合と比べて約80%になった。なお、電極形状は図7に示したように、n電極形成面(3)をチップ中央部に形成し、その周囲にp電極(1)を配置した。実施例1の手順に沿って円形のチップを約6000個得た。外形不良のないものを取り出したところ、歩留まりは約70%であった。
2 p電極ボンディングパッド
3 n型層露出部
4 n電極
Claims (4)
- チップ形状が六角形であるIII族窒化物半導体素子の製造方法において、基板上に、III族窒化物半導体からなる、n型層、発光層およびp型層をこの順序でエピタキシャル成長させて半導体ウェーハを形成する第一の工程と、該半導体ウェーハにレーザー光を照射して割溝を形成する第二の工程と、基板のエピタキシャル成長させた主面とは異なる主面側を研削および/または研磨する第三の工程と、該割溝に応力を加えることにより個々のチップに分離する第四の工程とを有し、該第二の工程が、屈曲した折れ線状の割溝を設け、その折れ線状の割溝が平行移動した形で複数の屈曲した折れ線状の割溝を設け、次いで隣合った該折れ線状の割溝の屈曲点を一つおきにつなぐ直線状の割溝を設けることからなることを特徴とするIII族窒化物半導体素子の製造方法。
- チップ形状が六角形であるIII族窒化物半導体素子の製造方法において、基板上に、III族窒化物半導体からなる、n型層、発光層およびp型層をこの順序でエピタキシャル成長させて半導体ウェーハを形成する第一の工程と、該半導体ウェーハにレーザー光を照射して割溝を形成する第二の工程と、基板のエピタキシャル成長させた主面とは異なる主面側を研削および/または研磨する第三の工程と、該割溝に応力を加えることにより個々のチップに分離する第四の工程とを有し、該第二の工程が、第一の破線状の割溝を設け、第一の破線状の割溝と第一の角度で交差する第二の破線状の割溝を設け、さらに第二の破線状の割溝と第二の角度で交差し且つ第一の破線状の割溝とも第三の角度で交差する第三の破線状の割溝を設けることからなり、第一の角度と第二の角度と第三の角度の和が180度であることからなることを特徴とするIII族窒化物半導体素子の製造方法。
- チップ形状が五角形であるIII族窒化物半導体素子の製造方法において、基板上に、III族窒化物半導体からなる、n型層、発光層およびp型層をこの順序でエピタキシャル成長させて半導体ウェーハを形成する第一の工程と、該半導体ウェーハにレーザー光を照射して割溝を形成する第二の工程と、基板のエピタキシャル成長させた主面とは異なる主面側を研削および/または研磨する第三の工程と、該割溝に応力を加えることにより個々のチップに分離する第四の工程とを有し、該第二の工程が、屈曲した折れ線状の割溝を設け、その折れ線状の割溝が平行移動した形で複数の屈曲した折れ線状の割溝を設け、次いで隣合った該折れ線状の割溝の屈曲点を一つおきにつなぐ直線状の割溝を設けることにより六角形状の割溝とし、さらに該六角形状の割溝の相対する二辺間をつなぐ直線状の割溝を設けることからなることを特徴とするIII族窒化物半導体素子の製造方法。
- チップ形状が五角形であるIII族窒化物半導体素子の製造方法において、基板上に、III族窒化物半導体からなる、n型層、発光層およびp型層をこの順序でエピタキシャル成長させて半導体ウェーハを形成する第一の工程と、該半導体ウェーハにレーザー光を照射して割溝を形成する第二の工程と、基板のエピタキシャル成長させた主面とは異なる主面側を研削および/または研磨する第三の工程と、該割溝に応力を加えることにより個々のチップに分離する第四の工程とを有し、該第二の工程が、第一の破線状の割溝を設け、第一の破線状の割溝と第一の角度で交差する第二の破線状の割溝を設け、さらに第二の破線状の割溝と第二の角度で交差し且つ第一の破線状の割溝とも第三の角度で交差する第三の破線状の割溝を設けるものであって、第一の角度と第二の角度と第三の角度の和が180度であることにより、六角形状の割溝を形成し、さらに該六角形状の割溝の相対する二辺間をつなぐ直線状の割溝を設けることからなることを特徴とするIII族窒化物半導体素子の製造方法。
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