TWI713237B - 發光二極體封裝結構 - Google Patents
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Abstract
本發明公開一種發光二極體封裝結構,包含LED支架、驅動支架組、殼體、多個LED晶片、驅動晶片、及透光封裝體。LED支架包含承載段及相連於承載段的兩個彎折接腳。驅動支架組包含兩個側支架,每個側支架包含功能段及彎折接腳。殼體形成有露出承載段及兩個功能段的容置槽。多個彎折接腳由殼體側面穿出並彎折至殼體底面。多個LED晶片固定且電性連接於承載段。驅動晶片固定於其中一個功能段、並電性連接於其中另一個功能段。多個LED晶片各電性連接於驅動晶片,以能被驅動晶片驅動而發出光線。透光封裝體充填於容置槽內,以埋置多個TED晶片與驅動晶片。
Description
本發明涉及一種封裝結構,尤其涉及一種發光二極體封裝結構。
當現有發光二極體封裝結構的內部配置有多個LED晶片時,上述多個LED晶片需要電性連接於外部驅動晶片,藉以能被上述外部驅動晶片所控制。因此,現有發光二極體封裝結構的設計需要受到上述外部驅動晶片的限制。
於是,本發明人認為上述缺陷可改善,乃特潛心研究並配合科學原理的運用,終於提出一種設計合理且有效改善上述缺陷的本發明。
本發明實施例在於提供一種發光二極體封裝結構,其能有效地改善現有發光二極體封裝結構所可能產生的缺陷。
本發明實施例公開一種發光二極體封裝結構,包括:一LED支架,包含有一承載段及相連於所述承載段的兩個彎折接腳;一驅動支架組,與所述LED支架呈間隔設置且包含有兩個側支架;其中,每個所述側支架包含一功能段、相連於所述功能段的一延伸段、及相連於所述延伸段的一彎折接腳;一殼體,包含有一頂面、一底面、及連接所述頂面與所述底面的多個側面,並且所述殼體自所述頂面凹設形成有一容置槽,以露出所述承載段及兩個所述功能段;其中,所述LED支架的兩個所述彎折接腳及所述驅動支架組的兩個所述彎折接腳皆由多個所述側面的其中一個所述
側面穿出所述殼體、並彎折延伸至所述底面;多個LED晶片,位於所述容置槽內、並固定且電性連接於所述承載段;一驅動晶片,位於所述容置槽內,所述驅動晶片固定於兩個所述功能段的其中一個所述功能段、並以打線電性連接於其中另一個所述功能段;其中,多個所述LED晶片各以打線電性連接於所述驅動晶片,以能被所述驅動晶片驅動而發出光線;以及一透光封裝體,充填於所述容置槽內,以使多個所述LED晶片與所述驅動晶片埋置於所述透光封裝體內。
綜上所述,本發明實施例所公開的發光二極體封裝結構,其內部配置有能夠驅動多個LED晶片的驅動晶片,以使所述發光二極體封裝結構的內部構造無須受到外部驅動晶片的限制。再者,所述發光二極體封裝結構的彎折接腳是由殼體的其中一個側面穿出、並彎折延伸至殼體的底面,據以使發光二極體封裝結構能夠視使用者需求而選擇性地實現側向發光或正向發光。
為能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容,請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖,但是此等說明與附圖僅用來說明本發明,而非對本發明的保護範圍作任何的限制。
100:發光二極體封裝結構
1:殼體
11:頂面
111:容置槽
12:底面
121:凹槽
122:F形支撐肋
13:側面
13a:寬側面
13b:窄側面
131:凸肋
2:LED支架
21:承載段
211:阻流溝槽
212:內缺口
213:外缺口
22:彎折接腳
221:側視焊接段
222:正視焊接段
3:驅動支架組
31:側支架
311:功能段
312:延伸段
3121:貫孔
3122:U形槽
3123:缺口
313:彎折接腳
3131:側視焊接段
3132:正視焊接段
32:導電支架
321:功能段
3211:阻流溝槽
3212:打線區
3213:固晶區
322:彎折接腳
3221:側視焊接段
3222:正視焊接段
3223:避讓口
4:LED晶片
5:驅動晶片
51:金屬墊
6:透光封裝體
7:齊那二極體晶片
G:隔離溝槽
Wa:導線
P1:第一平面
P2:第二平面
L:長度方向
W:寬度方向
H:高度方向
W100:最大寬度
H100:最大高度
圖1為本發明發光二極體封裝結構的立體示意圖。
圖2為圖1另一視角的立體示意圖。
圖3為圖1沿剖線Ⅲ-Ⅲ的剖視示意圖。
圖4為圖1的左側平面示意圖。
圖5為圖1的後側平面示意圖。
圖6為圖1的仰視平面示意圖。
圖7為本發明發光二極體封裝結構的LED支架與驅動支架組的立體示意圖。
圖8為圖7另一視角的立體示意圖。
圖9為圖1的俯側平面示意圖(省略透光封裝體)。
請參閱圖1至圖9,其為本發明的實施例,需先說明的是,本實施例對應附圖所提及的相關數量與外型,僅用來具體地說明本發明的實施方式,以便於了解本發明的內容,而非用來侷限本發明的保護範圍。
如圖1至圖3所示,本實施例公開一種發光二極體封裝結構100,包含有一殼體1、固定於上述殼體1且呈間隔設置的一LED支架2與一驅動支架組3、設置於上述LED支架2的多個LED晶片4、設置於上述驅動支架組3的一驅動晶片5、及密封上述多個LED晶片4與驅動晶片5的一透光封裝體6。另,所述發光二極體封裝結構100也可以進一步包含有固定於驅動支架組3且埋置於透光封裝體6的一齊那(Zener)二極體晶片7。以下將分別就本實施例發光二極體封裝結構100的各個元件構造與連接關係作一說明。
如圖4至圖6所示,所述殼體1大致呈長形且定義有相互正交的一長度方向L、一寬度方向W、與一高度方向H。其中,所述殼體1包含有一頂面11、一底面12、及連接上述頂面11與底面12的多個側面13,並且上述多個側面13於本實施例中是以包含有兩個寬側面13a及兩個窄側面13b來說明,但本發明不受限於此。
進一步地說,所述殼體1自其頂面11凹設形成有一容置槽111(如:圖3),並且所述容置槽111呈長形且大致平行於上述長度方向L;也就是說,所述長度方向L也可以是由容置槽111所定義。其中,如圖4所示,所述殼體1包含有位於其中一個側面13
(如:寬側面13a)且呈間隔設置的多個凸肋131,並且每個凸肋131呈長形且自殼體1的頂面11朝向底面12延伸所形成,而本實施例的凸肋131是與上述殼體1的底面12之間留有一段距離。每個凸肋131在長度方向L上的一寬度,較佳是自所述殼體1的頂面11朝底面12的方向呈遞增狀。
再者,如圖5所示,所述殼體1於其底面12凹設形成有多個凹槽121,並且每個凹槽121的一端連通至形成有上述凸肋131的該側面13;也就是說,所述多個凹槽121於本實施例中是大致沿長度方向L排成一列,而位於外側的兩個凹槽121則是分別進一步地連通至兩個窄側面13b。
而於本實施例中,如圖4和圖5所示,所述殼體1的底面12通過形成上述多個凹槽121而構成間隔設置的兩個F形支撐肋122;也就是說,位於上述兩個F形支撐肋122之間的該凹槽121是連通至殼體1的兩個寬側面13a,但本發明不以此為限。其中,所述兩個F形支撐肋122彼此相鄰的部位沿高度方向H分別對應於所述多個凸肋131中的外側兩個凸肋131。
如圖7和圖8所示,所述LED支架2於本實施例中為一體成形的單件式構造、並包含有一承載段21及相連於上述承載段21的兩個彎折接腳22。其中,所述承載段21呈長形且平行於長度方向L,而上述兩個彎折接腳22則是間隔地相連於承載段21,以使所述兩個彎折接腳22具有相同的極性。
進一步地說,如圖7和圖9所示,所述承載段21埋置於殼體1、並且上述承載段21的至少部分表面裸露於容置槽111。其中,裸露於容置槽111的LED支架2的承載段21表面相當於是位在容置槽111的槽底、並且凹設形成有多個阻流溝槽211。而於本實施例中,上述多個阻流溝槽211的長度大致相同、且平行於所述寬度方向W,但本發明不以此為限。
再者,所述LED支架2在承載段21與其每個彎折接腳22相接處的內側部位,分別凹設形成有一內缺口212,並且每個內缺口212被殼體1所填滿。而於本實施例中,所述LED支架2在承載段21與其每個彎折接腳22相接處的外側部位,分別凹設形成有一外缺口213,並且每個外缺口213被殼體1所填滿。據此,所述LED支架2通過形成有上述內缺口212以及外缺口213,以能夠有效地提升所述LED支架2與殼體1之間的結合性、並有效地減少水氣穿過殼體1而入侵至發光二極體封裝結構100內。
如圖1、圖4、及圖5所示,所述LED支架2的兩個彎折接腳22由其中一個側面13(如:形成有凸肋131的寬側面13a)穿出所述殼體1、並彎折延伸至上述殼體1的底面12。其中,上述LED支架2的每個彎折接腳22於本實施例中大致呈L形、且包含有一側視焊接段221以及一正視焊接段222。LED支架2的每個彎折接腳22的側視焊接段221相鄰於其所穿出的側面13,而LED支架2的每個彎折接腳22的正視焊接段222相鄰於殼體1的底面12。
更詳細地說,所述LED支架2的兩個側視焊接段221之間設置有一個所述凸肋131,並且上述LED支架2的兩個側視焊接段221的外側分別設有其他兩個凸肋131。再者,由於所述兩個F形支撐肋122之間的凹槽121連通至上述LED支架2的彎折接腳22所穿出的側面13,所以LED支架2的兩個正視焊接段222被設置於所述兩個F形支撐肋122之間的凹槽121內。
如圖7和圖9所示,所述驅動支架組3包含有兩個側支架31以及兩個導電支架32,並且上述兩個側支架31位於LED支架2的外側,而上述LED支架2與每個側支架31之間設有一個所述導電支架32。其中,每個側支架31包含一功能段311、相連於上述功能段311的一延伸段312、及相連於所述延伸段312的一彎折
接腳313。
需先說明的是,本實施例中的任一個側支架31的延伸段312與彎折接腳313是大致鏡像對稱於另一個側支架31的延伸段312與彎折接腳313,而所述兩個側支架31的功能段311構造則略有差異(其中一個側支架31的功能段311的長度較長,用以供驅動晶片5設置於其上;而另一個側支架31的功能段311的長度較短,用以供驅動晶片5打線連接)。
進一步地說,所述兩個側支架31的延伸段312完全埋置於殼體1內、且分別鄰近於殼體1的兩個窄側面13b。而為使所述側支架31能與殼體1緊密地結合以強化彼此之間的結合強度、並有效地減少水氣穿過殼體1而入侵至發光二極體封裝結構100內,本實施例的發光二極體封裝結構100較佳是於每個側支架31中形成有下述構造:
所述側支架31的功能段311與延伸段312相連構成一L形構造,並且所述延伸段312在對應於L型構造轉角處的部位形成有一貫孔3121,而所述貫孔3121被殼體1所填滿;所述功能段311的邊緣與延伸段312的邊緣共同凹設形成有一U形槽3122,並且所述U形槽3122被上述殼體1所填滿,以使所述U形槽3122的部分及填於其內的殼體1部分皆位於所述容置槽111的槽底;所述延伸段312的邊緣凹設形成有分別面向不同方向的多個缺口3123,並且上述多個缺口3123被所述殼體1所填滿。
所述兩個側支架31的功能段311則是分別自兩個延伸段312沿所述長度方向L並彼此相向地延伸、以使所述每個側支架31的功能段311埋置於殼體1,並且上述每個側支架31的功能段311的至少部分表面裸露於容置槽111。其中,裸露於容置槽111的每個側支架31的功能段311表面相當於是位在容置槽111的槽底,並且用以供驅動晶片5設置的功能段311的長度大於容置槽111槽底長度的50%,而上述兩個側支架31的功能段311延伸方向是
大致平行於LED支架2的承載段21。
如圖1、圖4、及圖5所示,所述兩個側支架31的彎折接腳313是由其中一個側面13(如:形成有凸肋131的寬側面13a)穿出所述殼體1、並彎折延伸至殼體1的底面12。其中,每個側支架31的延伸段312與彎折接腳313於本實施例中大致呈U形;也就是說,上述每個側支架31的彎折接腳313大致呈L形、且包含有一側視焊接段3131以及一正視焊接段3132。每個側支架31的彎折接腳313的側視焊接段3131相鄰於其所穿出的側面13,而每個側支架31的彎折接腳313的正視焊接段3132相鄰於殼體1的底面12。
更詳細地說,由於所述兩個F形支撐肋122所包圍且彼此遠離的兩個凹槽121皆連通至上述側支架31彎折接腳313所穿出的側面13,所以兩個側支架31的正視焊接段3132分別被設置於上述兩個F形支撐肋122所包圍且彼此遠離的兩個凹槽121內(如:圖5中最外側的兩個凹槽121)。
如圖7和圖9所示,每個導電支架32包含有一功能段321及相連於上述功能段321的一彎折接腳322。其中,所述每個導電支架32的功能段321埋置於殼體1、並且上述每個導電支架32的功能段321至少部分表面裸露於容置槽111。其中,裸露於容置槽111的每個導電支架32的功能段321表面相當於是位在容置槽111的槽底、並且其中一個導電支架32的功能段321凹設形成有一阻流溝槽3211。也就是說,上述導電支架32的功能段321較佳是以其阻流溝槽3211而區分為一打線區3212與一固晶區3213,但本發明不受限於此。
進一步地說,所述兩個導電支架32的功能段321是與LED支架2的承載段21沿長度方向L排成一列,並且兩個導電支架32的功能段321分別位於承載段21的相反兩側,而上述兩個側支
架31的功能段311則是排列成另一列。
如圖1、圖4、及圖5所示,所述每個導電支架32的彎折接腳322由其中一個側面13(如:形成有凸肋131的寬側面13a)穿出所述殼體1、並彎折延伸至殼體1的底面12。其中,每個導電支架32於本實施例中大致呈U形;也就是說,上述每個導電支架32的彎折接腳322於本實施例中大致呈L形、且包含有一側視焊接段3221以及一正視焊接段3222。每個導電支架32的彎折接腳322的側視焊接段3221相鄰於其所穿出的側面13,而每個導電支架32的彎折接腳322的正視焊接段3222相鄰於殼體1的底面12。
更詳細地說,上述LED支架2的任一個彎折接腳22與相鄰的側支架31彎折接腳313之間設置有一個所述導電支架32的彎折接腳322,並且所述每個導電支架32的側視焊接段3221與相鄰的LED支架2彎折接腳22之間設置有一個所述凸肋131。其中,上述兩個導電支架32的彎折接腳322於彼此相向處(如:側視焊接段3221內緣)各凹設有一避讓口3223,並且每個避讓口3223收容有一個所述凸肋131的局部。
再者,由於所述兩個F形支撐肋122所包圍且彼此相鄰的兩個凹槽121皆連通至上述導電支架32彎折接腳322所穿出的側面13,所以兩個導電支架32的正視焊接段3222分別被設置於上述兩個F形支撐肋122所包圍且彼此相鄰的兩個凹槽121內。
另,如圖8所示,上述LED支架2、兩個側支架31、及兩個導電支架32在埋置於所述殼體1且面向其底面12的一表面上凹設形成有多條隔離溝槽G,並且每條隔離溝槽G於本實施例中平行於所述長度方向L且以多個區段分別配置於上述LED支架2、兩個側支架31、及兩個導電支架32,而多個隔離溝槽G被所述殼體1所填滿。據此,所述LED支架2與驅動支架組3能通過形成
有上述多個隔離溝槽G,而強化其與殼體1之間的結合強度、並有效地減少水氣穿過上述殼體1而入侵至發光二極體封裝結構100內。
依上所述,所述LED支架2與驅動支架組3於本實施例中相對於殼體1之間的連接關係可以統整如下,但本發明不以此為限。舉例來說,在本發明未繪示的其他實施例中,所述LED支架2、兩個側支架31、及兩個導電支架32也可以是其中的部分元件實現本實施例所載的技術特徵。
具體來說,如圖4、圖5、及圖9所示,所述殼體1的容置槽111露出上述LED支架2的承載段21及驅動支架組3的每個功能段311、321,並且每個彎折接腳22、313、322由多個側面13的其中一個側面13(的大致中央高度處)穿出所述殼體1、並彎折延伸至殼體1的底面12,據以使發光二極體封裝結構100能夠視使用者需求而選擇性地實現側向發光或正向發光。而所述殼體1的多個凸肋131位於上述每個彎折接腳22、313、322所穿出的側面13上。
其中,每個彎折接腳22、313、322的側視焊接段221、3131、3221相鄰於其所穿出的側面13,而每個彎折接腳22、313、322的正視焊接段222、3132、3222相鄰於底面12。再者,上述多個彎折接腳22、313、322的側視焊接段221、3131、3221位於一第一平面P1上、且突伸出或齊平於凸肋131;而多個彎折接腳22、313、322的正視焊接段222、3132、3222位於垂直所述第一平面P1的一第二平面P2上、且突伸出或齊平於殼體1底面。據此,所述發光二極體封裝結構100便於以側視焊接段221、3131、3221進行焊接,或是以正視焊接段222、3132、3222進行焊接。
另,每個凹槽121的一端連通至每個彎折接腳22、313、322所穿出的側面13,並且所述多個正視焊接段222、3132、3222分
別設置於多個凹槽121內。其中,所述LED支架2的兩個正視焊接段222位於兩個F形支撐肋122之間,上述每個側支架31及其相鄰導電支架32的正視焊接段3132、3222設置於一個所述F形支撐肋122內。
需說明的是,在本實施例中的每個彎折接腳22、313、322,其側視焊接段221、3131、3221的長度較佳是等同於正視焊接段222、3132、3222的長度,但本發明不受限於此。舉例來說,在本發明未繪示的其他實施例中,每個彎折接腳22、313、322的側視焊接段221、3131、3221的長度可以是其正視焊接段222、3132、3222的長度的90%~110%。
如圖3和圖9所示,所述多個LED晶片4位於上述殼體1的容置槽111內、並固定且電性連接於LED支架2的承載段21。其中,每個LED晶片4於本實施例中是位於多個阻流溝槽211中的兩個相鄰近的所述阻流溝槽211之間(也就是,任兩個相鄰的LED晶片4是以一個所述阻流溝槽211來隔開),並且每個LED晶片4通過導線Wa而電性連接於所述承載段21。
需說明的是,本實施例的多個LED晶片4較佳是能分別用來發出波長介於620nm~630nm的所述紅色光線、520nm~535nm的所述綠色光線、及447nm~472nm的所述藍色光線,但本發明不以此為限。
如圖3和圖9所示,所述驅動晶片5位於上述殼體1的容置槽111內、並固定於其中一個側支架31的功能段311、並以打線電性連接於其中另一個側支架31的功能段311以及兩個導電支架32的功能段321。需說明的是,所述驅動晶片5於本實施例中也以打線電性連接至其所固定的該功能段311,但本發明不受限於此。再者,多個LED晶片4各以打線電性連接於所述驅動晶片5,
以能被所述驅動晶片5驅動而發出光線。
進一步地說,所述驅動晶片5包含有多個金屬墊51,並且上述多個金屬墊51分別以導線Wa連接於驅動支架組3的四個功能段311、321及多個LED晶片4。其中,對應於驅動支架組3的四個功能段311、321的所述四個金屬墊51較佳是分別位於上述驅動晶片5的四個角落,而對應於多個LED晶片4的其他金屬墊51則是位於驅動晶片5鄰近承載段21的位置,據以使本實施例的發光二極體封裝結構100的打線步驟能夠更為簡便、並且有效地避免該些導線Wa交錯或太長而衍生信賴度問題。
如圖3和圖9所示,所述齊那二極體晶片7固定於兩個導電支架32的其中一個所述導電支架32的功能段321。也就是說,在形成有阻流溝槽3211的功能段321中,所述齊那二極體晶片7是固定於該功能段321的固晶區3213,而所述打線區3212則是供驅動晶片5進行打線連接。再者,所述齊那二極體晶片7於本實施例中通過打線而電性連接於LED支架2的承載段21。
如圖3所示,所述透光封裝體6充填於上述殼體1的容置槽111內,以使上述多個LED晶片4、驅動晶片5、及齊那二極體晶片7埋置於透光封裝體6內。其中,所述殼體1的容置槽111於本實施例中是被透光封裝體6所填滿,但本發明不以此為限。
另,如圖6所示,所述發光二極體封裝結構100在寬度方向W上的一最大寬度W100除以在高度方向H上的一最大高度H100的一比值,其較佳是介於0.8~1.2。而所述發光二極體封裝結構100在長度方向L上的一最大長度至少為上述最大寬度W100(或最大高度H100)的兩倍。據此,本實施例的發光二極體封裝結構100能夠視使用者需求,而以其多個側視焊接段221、3131、3221進行焊接固定,來實現側向發光,或者以其多個正視焊接段222、
3132、3222進行焊接固定,來實現正向發光。
綜上所述,本發明實施例所公開的發光二極體封裝結構100,其內部配置有能夠驅動多個LED晶片4的驅動晶片5,以使所述發光二極體封裝結構100的內部構造無須受到外部驅動晶片的限制。再者,所述發光二極體封裝結構100的彎折接腳22、313、322是由殼體1的其中一個側面13穿出、並彎折延伸至殼體1的底面12,據以使發光二極體封裝結構100能夠視使用者需求而選擇性地實現側向發光或正向發光。
以上所述僅為本發明的優選可行實施例,並非用來侷限本發明的保護範圍,凡依本發明專利範圍所做的均等變化與修飾,皆應屬本發明的權利要求書的保護範圍。
100‧‧‧發光二極體封裝結構
1‧‧‧殼體
11‧‧‧頂面
111‧‧‧容置槽
12‧‧‧底面
121‧‧‧凹槽
13b‧‧‧窄側面
2‧‧‧LED支架
21‧‧‧承載段
211‧‧‧阻流溝槽
22‧‧‧彎折接腳
3‧‧‧驅動支架組
31‧‧‧側支架
32‧‧‧導電支架
4‧‧‧LED晶片
5‧‧‧驅動晶片
6‧‧‧透光封裝體
7‧‧‧齊那二極體晶片
L‧‧‧長度方向
H‧‧‧高度方向
Claims (16)
- 一種發光二極體封裝結構,包括:一LED支架,包含有一承載段及相連於所述承載段的兩個彎折接腳;一驅動支架組,與所述LED支架呈間隔設置且包含有兩個側支架;其中,每個所述側支架包含一功能段、相連於所述功能段的一延伸段、及相連於所述延伸段的一彎折接腳;一殼體,包含有一頂面、一底面、及連接所述頂面與所述底面的多個側面,並且所述殼體自所述頂面凹設形成有一容置槽,以露出所述承載段及兩個所述功能段;其中,所述LED支架的兩個所述彎折接腳及所述驅動支架組的兩個所述彎折接腳皆由多個所述側面的其中一個所述側面穿出所述殼體、並彎折延伸至所述底面;多個LED晶片,位於所述容置槽內、並固定且電性連接於所述承載段;一驅動晶片,位於所述容置槽內,所述驅動晶片固定於兩個所述功能段的其中一個所述功能段、並以打線電性連接於其中另一個所述功能段;其中,多個所述LED晶片各以打線電性連接於所述驅動晶片,以能被所述驅動晶片驅動而發出光線;以及一透光封裝體,充填於所述容置槽內,以使多個所述LED晶片與所述驅動晶片埋置於所述透光封裝體內。
- 如請求項1所述的發光二極體封裝結構,其中,於每個所述側支架中,所述功能段與所述延伸段相連構成一L形構造,並且所述延伸段在對應於所述L型構造轉角處的部位形成有一貫孔,而所述貫孔被所述殼體所填滿。
- 如請求項1所述的發光二極體封裝結構,其中,於每個所述側支架中,所述功能段的邊緣與所述延伸段的邊緣共同凹設形成 有一U形槽,並且所述U形槽被所述殼體所填滿,以使所述U形槽的部分及填於其內的所述殼體部分皆位於所述容置槽的槽底。
- 如請求項1所述的發光二極體封裝結構,其中,於每個所述側支架中,所述延伸段的邊緣凹設形成有分別面向不同方向的多個缺口,並且多個所述缺口被所述殼體所填滿。
- 如請求項1所述的發光二極體封裝結構,其中,所述LED支架在所述承載段與其每個所述彎折接腳相接處的內側部位,凹設形成有一內缺口,並且每個所述內缺口被所述殼體所填滿。
- 如請求項1所述的發光二極體封裝結構,其中,裸露於所述容置槽的所述LED支架表面上凹設形成有多個阻流溝槽,並且每個所述LED晶片位於多個所述阻流溝槽中的兩個相鄰近的所述阻流溝槽之間。
- 如請求項1所述的發光二極體封裝結構,其中,所述容置槽呈長形且定義有一長度方向,所述殼體定義有正交於所述長度方向且相互正交的一寬度方向與一高度方向,並且所述發光二極體封裝結構在所述寬度方向上的一最大寬度除以在所述高度方向上的一最大高度的一比值,其介於0.8~1.2。
- 如請求項1所述的發光二極體封裝結構,其中,所述殼體包含有多個凸肋,並且多個凸肋位於每個所述彎折接腳所穿出的所述側面上,而每個所述凸肋自所述頂面朝向所述底面延伸所形成。
- 如請求項1所述的發光二極體封裝結構,其中,所述驅動支架組在所述LED支架與每個所述側支架之間設置有一導電支架,每個所述導電支架包含有一功能段及相連於所述功能段的一彎折接腳;每個所述導電支架的所述功能段露出於所述容置槽,並且所述發光二極體封裝結構的每個所述彎折接腳由多個所述側面的其中一個所述側面穿出所述殼體、並彎折延伸至所 述底面。
- 如請求項9所述的發光二極體封裝結構,其中,所述殼體包含有形成於其外表面的多個凸肋,兩個所述導電支架的所述彎折接腳於彼此相向處各凹設有一避讓口,並且每個所述避讓口收容有一個所述凸肋的局部。
- 如請求項9所述的發光二極體封裝結構,其進一步包括埋置於所述透光封裝體的一齊那(Zener)二極體晶片,並且所述齊那二極體晶片固定於兩個所述導電支架的其中一個所述導電支架的所述功能段。
- 如請求項9所述的發光二極體封裝結構,其中,每個所述彎折接腳包含有一側視焊接段以及一正視焊接段,每個所述彎折接腳的所述側視焊接段相鄰於其所穿出的所述側面,而每個所述彎折接腳的所述正視焊接段相鄰於所述底面。
- 如請求項12所述的發光二極體封裝結構,其中,多個所述彎折接腳的所述側視焊接段位於一第一平面上,而多個所述彎折接腳的所述正視焊接段位於垂直所述第一平面的一第二平面上。
- 如請求項12所述的發光二極體封裝結構,其中,所述殼體於所述底面凹設形成有多個凹槽,並且每個所述凹槽的一端連通至每個所述彎折接腳所穿出的所述側面,並且多個所述正視焊接段設置於多個所述凹槽內。
- 如請求項14所述的發光二極體封裝結構,其中,所述殼體的所述底面通過形成多個所述凹槽而構成間隔設置的兩個F形支撐肋,並且所述LED支架的兩個正視焊接段位於兩個所述F形支撐肋之間,每個所述側支架及其相鄰所述導電支架的所述正視焊接段設置於一個所述F形支撐肋內。
- 如請求項9所述的發光二極體封裝結構,其中,所述驅動晶片包含有多個金屬墊,多個所述金屬墊分別以多條導線連接於四 個所述功能段及多個所述LED晶片。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW107126706A TWI713237B (zh) | 2018-08-01 | 2018-08-01 | 發光二極體封裝結構 |
US16/273,628 US10655828B2 (en) | 2018-08-01 | 2019-02-12 | LED package structure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW107126706A TWI713237B (zh) | 2018-08-01 | 2018-08-01 | 發光二極體封裝結構 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202008617A TW202008617A (zh) | 2020-02-16 |
TWI713237B true TWI713237B (zh) | 2020-12-11 |
Family
ID=69229540
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW107126706A TWI713237B (zh) | 2018-08-01 | 2018-08-01 | 發光二極體封裝結構 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10655828B2 (zh) |
TW (1) | TWI713237B (zh) |
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---|---|
US20200041111A1 (en) | 2020-02-06 |
US10655828B2 (en) | 2020-05-19 |
TW202008617A (zh) | 2020-02-16 |
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