TWI435467B - 發光二極體封裝體 - Google Patents

Description

發光二極體封裝體

本發明是有關於一種發光二極體封裝體，特別是有關於採用開口部的側面發光型發光二極體封裝體，其中開口部的內壁至少一部分設置有階梯狀突起。

基本上，使用發光二極體晶片的光源系統，是根據用途的不同將發光二極體晶片裝入各種類型的封裝體而形成。因為側面發光型發光二極體封裝體位於導光板的側面，以提供與之平行的光，所以通常作為顯示器的背光照明器。

圖1和圖2分別是習知側面發光型發光二極體封裝體的俯視圖和立體圖，圖3是沿圖1的一點鏈線A－A的剖面圖。

參考圖1到圖3，側面發光型發光二極體封裝體包括一對導線端子，也就是第一和第二導線端子11和13。第一和第二導線端子11和13由以磷青銅板(phosphor bronze plate)製成的導線架(lead frame)所製成，其表面鍍銀以增加光的反射率。第一和第二導線端子11和13由封裝體本體15支撐。封裝體本體15通常藉由使用聚鄰苯二甲醯胺(Polyphthalamide,PPA)嵌入成型(insert molding)導線端子而形成。

為方便描述，封裝體本體15以第一和第二導線端子11和13的平面位置為基準，分為上封裝體本體15a和下封裝體本體15b。

上封裝體本體15a具有開口部16，用於暴露第一和第二導線端子11和13。第一和第二導線端子11和13位於開口部16的底部長面上，也就是下封裝體本體15b上，同時在開口部16內彼此分開。此外，第一和第二導線端子11和13突出至封裝體本體15之外，以與外部電源進行電性連接。突出的第一和第二導線端子11和13可以具有各種形狀並被彎折成各種形狀。圖1和2繪示第一和第二導線端子11和13，從封裝體本體15的下表面彎折延伸至其側表面，以實現表面黏著。

發光二極體晶片17安裝在位於開口部16內的第一導線端子11上，以與第一導線端子11進行電性連接，同時和第二導線端子13使用金線(bonding wire)進行電性連接。開口部16可填充透光樹脂23，透光樹脂內可包含有磷光體(phosphor)。

習知側面發光型發光二極體封裝體具有縱長形狀的開口部16和側壁。特別地，位於主軸上的側壁15w可以傾斜設置以擴大沿著主軸方向的可視角度。因此，提供了一種適合於作為顯示器的背光的側面發光型發光二極體封裝體，且可以藉由選擇合適的發光二極體晶片和磷光體，來提供發射白光的發光二極體。

然而，在習知側面發光型發光二極體封裝體中，由於透光樹脂23的上表面呈凹面形狀，所以，當曝露發光二極體晶片的開口部16被填充含有磷光體的透光樹脂23時，發光效率會被降低。而當藉由增加透光樹脂的數量來解決此問題時，透光樹脂23會突出在封裝體本體15的上表面，所以透光樹脂23會受到外力而損壞。

本發明的一個目的是提供一種能提高發光效率的側面發光型發光二極體封裝體。

本發明的另一個目的是提供一種側面發光型發光二極體封裝體，此封裝體能藉由採用設有階梯狀突起的開口部來形成凸透鏡形狀的透光樹脂。

根據用來達成這些目的的本發明，提供一種側面發光型發光二極體封裝體，其採用設置有階梯狀突起的開口部。側面發光型發光二極體封裝體包括封裝體本體，封裝體本體具有開口部，用於沿著發光方向曝露發光二極體晶片。另外，側面發光型發光二極體封裝體還包括覆蓋發光二極體晶片的透光樹脂。其中，開口部的內壁的至少一部分設有階梯狀突起，此突起將開口部劃分為上部分及下部分，且此開口部的位於階梯狀突起下方的下部分填充有透光樹脂。

在此，透光樹脂較佳是呈凸透鏡形狀。

另外，透光樹脂的高度較佳設定成使透光樹脂位於封裝體本體的上表面之下。

而且，透光樹脂較佳包含磷光體。從而，發光二極體晶片的發光可被匯聚以提高封裝體的發光效率。

從另一觀點看，本發明提供一種側面發光型發光二極體封裝體，用於從發光二極體晶片向外發光。側面發光型發光二極體封裝體包括封裝體本體，封裝體本體具有開口部，用於沿著發光方向曝露發光二極體晶片；以及透光樹脂，透光樹脂覆蓋發光二極體晶片。其中，開口部的內壁的至少一部分設有階梯狀突起，此突起將開口部劃分為上部分及下部分，此開口部的位於此階梯狀突起的下部分填充有透光樹脂。同時，設定透光樹脂的高度，以使透光樹脂位於封裝體本體的上表面之下。

根據本發明的實施例，採用設有階梯狀突起的開口部，此突起將開口部劃分為上部分及下部分。液態的樹脂呈點狀分布，使得可輕易形成凸透鏡形狀的透光樹脂，此透光樹脂被界定在此開口部的下部分。因此，可提供能夠改良發光效率的發光二極體封裝體，特別是側面發光型發光二極體封裝體。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉一個實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

圖4a和圖4b繪示根據本發明的實施例的側面發光型發光二極體封裝體的俯視圖。圖5繪示側面發光型發光二極體封裝體沿圖4a和圖4b所示的一點鏈線B－B的剖面圖。

參考圖4a、圖4b和圖5，側面發光型發光二極體封裝體包括一對導線端子，也就是第一和第二導線端子51和53。第一和第二導線端子51和53界定發光二極體晶片的安裝區域。同時，第二導線端子53與第一導線端子51分隔開，並和第一導線端子51實質上位於同一高度。

第一和第二導線端子51和53由以磷青銅板製成的導線架所製成，且基本上鍍銀以增加光的反射率。

第一和第二導線端子51和53由封裝體本體55支撐。封裝體本體55可藉由嵌入成型第一和第二導線端子51和53而形成。為了便於描述，封裝體本體55以第一和第二導線端子51和53的平面位置為基準，分為上封裝體本體55a和下封裝體本體55b。

封裝體本體55具有縱長形狀的開口部65，用於曝露第一和第二導線端子51和53的部分，以及安裝在上側的發光二極體晶片57。在下面的描述中，縱長的開口部65的縱向長度方向被定義為主軸方向，而垂直於此長度方向的定義為副軸。

第一和第二導線端子51和53在開口部65內彼此分隔開。此外，第一和第二導線端子51和53突出至封裝體本體55之外，以與外部電源進行電性連接。突出的第一和第二導線端子51和53可以具有各種形狀並可被彎折成各種形狀。在此，第一和第二導線端子51和53，從封裝體本體55的下表面彎折延伸至側面，以實現表面黏著。

參考圖4a和圖5，開口部65的內壁沿橫跨主軸的方向設置有階梯狀突起65b。因此，階梯狀突起65b將開口部劃分為上部分及下部分。上部分是由階梯狀突起65b上方的上內壁65a界定形成；下部分是由階梯狀突起65b下方的下內壁65c界定形成。

再參考圖5，包含磷光體的透光樹脂63可形成在發光二極體晶片57上。透光樹脂63可使包含磷光體的液態樹脂呈點狀分布形成在開口部65的下部分，此開口部65的下部分是由位於階梯狀突起65b下方的下內壁65c界定形成。因此，透光樹脂63會受限而在開口部65的下部分形成一個凸透鏡形狀。因為習知側面發光型發光二極體封裝體具有平坦的底面，所以很難藉由使液態樹脂呈點狀分布來形成透光樹脂。然而，根據本發明的實施例，因為在開口部65內的階梯狀突起65b將開口部65劃分為上部分及下部分，所以界定在開口部65的下部分的透光樹脂63很容易使用液態樹脂成形。

透光樹脂63可例如由環氧樹脂或矽樹脂成形。透光樹脂可包含磷光體，以將發光二極體晶片57發出的光，例如藍光，轉化為黃光，使得可以提供發出白光的側面發光型發光二極體封裝體。選擇不同的發光二極體晶片57和磷光體，可以實現發射不同的顏色的光。

同時，透光樹脂63的高度較佳是設定成使得在開口部65下部分成形的透光樹脂63位於封裝體本體55的上表面55c之下。

同時，參考圖4b和圖5，縱長形狀的階梯狀突起65b可在開口部65的整個內壁成形。這樣，階梯狀突起65b沿開口部65的主軸方向的寬度可能較窄，而開口部沿其副軸方向的寬度可能較寬。這樣的階梯狀突起65b將開口部65劃分為上部分及下部分。上部分是由位於階梯狀突起65b上方的上內壁65a界定形成；下部分為位於階梯狀突起65b下方的下內壁65c界定形成，這使得界定於開口部65的下部分且呈凸透鏡形狀的透光樹脂63，可按如上所述輕易形成。

由於可以提供一種具有呈凸透鏡形狀的透光樹脂的側面發光型發光二極體封裝體，其透光樹脂可以避免被外力損壞或污染，因此，相較於具有呈凹面或平坦形狀的透光樹脂的側面發光型發光二極體封裝體而言，凸透鏡形狀的透光樹脂63可以產生聚光效果，從而提高發光效率。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

11．．．第一導線端子

13．．．第二導線端子

15．．．封裝體本體

15a．．．上封裝體本體

15b．．．下封裝體本體

15w．．．側壁

16．．．開口部

17．．．發光二極體晶片

19．．．金線

51．．．第一導線端子

53．．．第二導線端子

55．．．封裝體本體

57．．．發光二極體晶片

59．．．金線

63．．．透光樹脂

65．．．開口部

65a．．．上內壁

65b．．．階梯狀突起

65c．．．下內壁

圖1繪示習知側面發光型發光二極體封裝體的俯視圖。

圖2繪示習知側面發光型發光二極體封裝體的立體圖。

圖3繪示習知側面發光型發光二極體封裝體沿圖1所示的一點鏈線A－A的剖面圖。

圖4a和圖4b繪示根據本發明的實施例的側面發光型發光二極體封裝體的俯視圖。

圖5繪示根據本發明的實施例的側面發光型發光二極體封裝體沿圖4a和圖4b所示的一點鏈線B－B的剖面圖。

51．．．第一導線端子

53．．．第二導線端子

55．．．封裝體本體

57．．．發光二極體晶片

59．．．金線

65．．．開口部

65a．．．上內壁

65b．．．階梯狀突起

65c．．．下內壁

Claims (12)

1. 一種側面發光型發光二極體封裝體，用於自發光二極體晶片朝側面發光，所述發光二極體封裝體包括：第一和第二導線端子，所述發光二極體晶片直接位於第一導線端子上，封裝體本體，具有開口部，所述開口部用於沿發光方向曝露所述發光二極體晶片並暴露出所述第一和第二導線端子的一部分；以及透光樹脂，覆蓋所述發光二極體晶片，其中，所述開口部的內壁的至少一部分設置有階梯狀突起，該階梯狀突起用於將所述開口部劃分為上部分及下部分，且所述開口部的位於所述階梯狀突起下方的下部分填充有所述透光樹脂，所述階梯狀突起於所述開口部主軸方向之長度大於所述階梯狀突起於所述開口部副軸方向之長度。
2. 如申請專利範圍第1項所述之側面發光型發光二極體封裝體，其中所述透光樹脂呈凸透鏡形狀。
3. 如申請專利範圍第2項所述之側面發光型發光二極體封裝體，其中所述透光樹脂的高度設置成使所述透光樹脂位於所述封裝體本體的上表面之下。
4. 如申請專利範圍第1項所述之側面發光型發光二極體封裝體，其中所述透光樹脂包含磷光體。
5. 一種發光二極體封裝體，用於從發光二極體晶片向外發光，所述發光二極體封裝體包括： 第一和第二導線端子，所述發光二極體晶片直接位於第一導線端子上，封裝體本體，具有開口部，所述開口部用於沿發光方向曝露所述發光二極體晶片並暴露出所述第一和第二導線端子的一部分；以及透光樹脂，覆蓋所述發光二極體晶片，其中，所述開口部的內壁的至少一部分設置有階梯狀突起，該階梯狀突起用於將所述開口部劃分為上部分及下部分，所述開口部的位於所述階梯狀突起下方的下部分填充有所述透光樹脂，且所述透光樹脂的高度設置成使所述透光樹脂位於所述封裝體本體的上表面之下，所述階梯狀突起於所述開口部主軸方向之長度大於所述階梯狀突起於所述開口部副軸方向之長度。
6. 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體封裝體，其中所述透光樹脂呈凸透鏡形狀。
7. 一種側面發光型發光二極體封裝體，用於自發光二極體晶片朝側面發光，所述發光二極體封裝體包括：封裝體本體，具有凹陷部，所述凹陷部用於沿發光方向曝露所述發光二極體晶片；以及透光樹脂，覆蓋所述發光二極體晶片，其中所述透光樹脂呈凸透鏡形狀；其中，所述凹陷部的內壁的至少一部分設置有階梯狀突起，該階梯狀突起用於將所述凹陷部劃分為上部分及下部分，且所述透光樹脂填充於所述凹陷部，而所述凹陷部 的所述上部分具有無樹脂區，其中所述透光樹脂透過所述無樹脂區而暴露於所述封裝體本體之外，且所述透光樹脂之凸透鏡形狀的頂端設置於所述封裝體本體的上表面之下與所述階梯狀突起之上，所述階梯狀突起於所述凹陷部主軸方向之長度大於所述階梯狀突起於所述凹陷部副軸方向之長度。
8. 如申請專利範圍第7項所述之側面發光型發光二極體封裝體，其中所述透光樹脂包含磷光體。
9. 如申請專利範圍第7項所述之側面發光型發光二極體封裝體，其中至少所述凹陷部的所述下部分包括下開口部完全圍繞著所述發光二極體晶片。
10. 如申請專利範圍第9項所述之側面發光型發光二極體封裝體，其中所述上部分包括上開口部，所述上開口部的寬度大於所述下開口部的寬度。
11. 如申請專利範圍第7項所述之側面發光型發光二極體封裝體，其中所述透光樹脂與所述下部分的內壁接觸，但與所述上部分的內壁無接觸。
12. 如申請專利範圍第7項所述之側面發光型發光二極體封裝體，其中所述凹陷部具一縱長的形狀。