JP6681970B2 - 側面発光型発光装置 - Google Patents

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Description

本発明は、発光効率を極大化するための発光装置及びその製造方法に関する。
発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）は、ＧａＡｓ
系、ＡｌＧａＡｓ系、ＧａＮ系、ＩｎＧａＮ系及びＩｎＧａＡｌＰ系などの化合物半導体
材料を利用して発光源を構成することによって、多様な色を実現できる。
このような発光装置は、カラーを表示する点灯表示器、文字表示器及び映像表示器など
の多様な分野において光源として用いられている。
前記発光ダイオードは、パッケージ内部にＬＥＤチップが搭載されて発光装置として用
いられている。
このような発光ダイオードパッケージに搭載されたＬＥＤチップにより発生する光は、
パッケージ内部で光吸収及び光散乱により損失されることによって、発光ダイオードパッ
ケージの光度がＬＥＤチップ状態の光度に比べて低くなる。これによって、発光装置の光
効率は落ちる。
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、発光効率を極大化する
ための発光装置及びその製造方法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、発光素子が搭載されるキャビティの深さを最小化し得るよ
うにした発光装置及びその製造方法を提供することにある。
また、本発明のさらに他の目的は、キャビティの側壁が多段に傾斜するように形成され
た発光装置及びその製造方法を提供することにある。
上記の目的を達成すべく、本発明に係る発光装置は、４５０μｍ以下の深さに形成され
たキャビティと、前記キャビティに備えられた一つ以上の発光素子と、を含む。
また、上記の目的を達成すべく、本発明に係る発光装置は、２５０〜４５０μｍの深さ
に形成されたキャビティ及び前記キャビティに発光素子が備えられたパッケージ本体と、
一つ以上のパッケージ本体が搭載された基板と、前記パッケージ本体の一側に配置された
導光板と、を含む。
また、上記の目的を達成すべく、本発明に係る発光装置の製造方法は、２５０〜４５０
μｍの深さに形成されたキャビティ及び前記キャビティの底面に少なくとも一つのリード
フレームを備えたパッケージ本体を形成するステップと、前記リードフレームに発光素子
を搭載するステップと、前記キャビティにモールディング部材がモールディングされるス
テップと、を含む。
本発明の発光装置及びその製造方法によれば、発光効率を極大化することができ、かつ
発光素子が搭載されるキャビティの深さを最小化することができる。
また、キャビティの側壁が多段に傾斜するように形成された発光装置及びその製造方法
を提供することができる。
以下、実施形態について、添付した図面を参照して詳細に説明する。
図１は、第１の実施形態に係る発光装置の横断面図であり、図２は、第１の実施形態に
係る発光装置の縦断面図である。
図１及び図２に示すように、発光装置１００は、側面発光型又は上面発光型パッケージ
で実現されることができ、表示装置のライトユニット（ｌｉｇｈｔ ｕｎｉｔ）や照明機
器などに多様に適用され得る。以下では、説明の便宜上、側面発光型ＬＥＤパッケージに
ついて説明する。
前記発光装置１００は、キャビティ１１２を備えたパッケージ本体１１０、発光素子１
２０、リードフレーム１３０を含む。
前記パッケージ本体１１０は、樹脂材質を利用して形成され得る。前記パッケージ本体
１１０は、例えば、一定形状のプレス（Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｇ又はＣｕ／Ａｇ基板）金型にＰ
ＰＡ（高強化プラスチック）などの樹脂材質を利用して射出成形される。前記パッケージ
本体１１０は、他の例として、リードフレーム１３０を有する下部基板にキャビティが形
成された上部基板が積層される構造に形成されることができる。
ここで、発光装置１００が側面発光型ＬＥＤパッケージで実現される場合、パッケージ
本体１１０の横方向は、パッケージ本体１１０の長さ方向Ｘであって長軸になり、パッケ
ージ本体１１０の縦方向は、パッケージ本体１１０の厚さ方向Ｙであって、短軸になる。
このようなパッケージ本体１１０の一側には、キャビティ１１２が形成され、前記キャ
ビティ１１２の下部には、パッケージ本体１１０の長さ方向Ｘに挿入されるリードフレー
ム１３０が形成される。
前記リードフレーム１３０は、複数が電気的にオープン（ｏｐｅｎ）され、各リードフ
レーム１３０のリード電極１３２、１３４は、パッケージ本体１１０の外部に配置される
。ここで、キャビティ１１２の下部底面は、前記リードフレーム１３０の上面になり得る
。
前記パッケージ本体１１０のキャビティ１１２は、一定深さ以下に形成される。前記キ
ャビティ１１２の深さｄ１は、キャビティ上段からリードフレーム１３０の上面までの距
離であり、例えば、２５０〜４５０μｍに形成されることができる。
前記キャビティ１１２の側壁１１３、１１４のうち、少なくとも一側壁は、傾斜するよ
うに形成され得、実施形態では、全ての側壁が傾斜するように形成されるものと説明し、
これに限定しない。
キャビティ１１２の側壁１１３、１１４は、キャビティ１１２の底面に垂直な軸Ｚを基
準に所定角度に傾斜するように形成される。前記Ｚ軸は、キャビティ１１２の底面又はリ
ードフレーム１３０の上面に垂直した軸である。
図１に示すように、前記キャビティ１１２の長さ方向に位置した第１側壁１１３がなす
第１内部角度Θ１は、２０〜８０゜であり、前記キャビティ１１２の第１側壁１１３の角
度Θ１１は、Ｚ軸を基準に外側に１０〜４０゜傾斜するように形成される。図２に示すよ
うに、前記キャビティ１１２の厚さ方向に位置した第２側壁１１４がなす第２内部角度Θ
２は、２０〜４０゜であり、キャビティ１１２の第２側壁１１４の角度Θ２１は、Ｚ軸を
基準に外側に１０〜２０゜傾斜するように形成される。
ここで、前記第１及び第２内部角度Θ１、Θ２は、同一又は異なるように形成できる。
また、第１側壁１１３及び第２側壁１１４の傾斜した角度Θ１１、Θ２１は、同一又は異
なるように形成されることができる。
このようなキャビティ１１２は、傾斜した側壁１１３、１１４により、下部直径より上
部直径が大きく形成される。また、前記キャビティ１１２の各側壁１１３、１１４には、
反射物質（例：Ａｇ、Ａｌ）がコーティングされるか、又は反射板が付着され得る。前記
キャビティ１１２の外形状は、多角形形状に形成され得るが、これに限定しない。
前記キャビティ１１２には、１つ以上の半導体素子が備えられることができる。前記半
導体素子は、例えば、一つ以上の発光素子１２０、受光素子及び保護素子を選択的に含む
。
前記発光素子１２０は、例えば、ＧａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＧａＮ系、ＩｎＧａＮ
系及びＩｎＧａＡｌＰ系などの化合物半導体材料を利用したＬＥＤチップを一つ以上含む
。前記ＬＥＤチップは、例えば、青色ＬＥＤチップ、紫外線ＬＥＤチップ、赤色ＬＥＤチ
ップ、緑色ＬＥＤチップ、黄緑色（Ｙｅｌｌｏｗ ｇｒｅｅｎ）ＬＥＤチップを含み、Ｐ
Ｎ接合構造又はＮＰＮ接合構造、２つの電極が水平型又は垂直型に配置されるチップを含
むことができる。
前記発光素子１２０は、少なくとも一つのリードフレーム１３０の上面に非導電性接着
剤で接着され、ワイヤー（ｗｉｒｅ）１５２、１５４又はフリップチップ（ｆｌｉｐ ｃ
ｈｉｐ）方式によりリードフレーム１３０と接続される。
前記キャビティ１１２には、モールディング部材１４０が満たされる。前記モールディ
ング部材１４０は、透光性樹脂で満たされ、前記透光性樹脂には、蛍光体が添加されるこ
ともできる。前記モールディング部材１４０は、一液型（Ｏｎｅ Ｌｉｑｕｉｄ ｔｙｐ
ｅ）エポキシ、二液型（ｔｗｏ ｌｉｑｕｉｄ ｔｙｐｅ）エポキシ、ハードタイプ（ｈ
ａｒｄ ｔｙｐｅ）シリコーン、ソフトタイプ（ｓｏｆｔ ｔｙｐｅ）シリコーンなどの
樹脂材料を利用することができる。ここで、前記モールディング部材１４０は、モールデ
ィング液又は添加物を使用目的、使用環境及び製品の特性に応じて選択的に使用すること
ができる。
このようなモールディング部材１４０の表面は、フラット（ｆｌａｔ）形状、凹レンズ
形状又は凸レンズ形状のうちの何れかの形状に形成されることができ、前記モールディン
グ部材１４０上に凸レンズがさらに付着されることもできる。
このような発光装置１００は、キャビティ１１２の底面と上面（発光ウィンドウ領域ｗ
１）の広さは、従来のように等しく維持し、かつキャビティ１１２の深さｄ１を４５０μ
ｍ以下に低く形成することによって、キャビティ１１２の側壁の傾斜角度が増加する。
これにより、発光装置１００は、既存より約２０％以上の光効率が改善され、ライトユ
ニットの光源として適用される場合、既存より約３０％以上の輝度改善効果がある。また
、キャビティの深さを最小化し、かつ側壁の傾斜角度を増加させることによって、側面型
発光ダイオードパッケージでの光度及び光量を増加させることができる。
図３は、図２の発光装置１００を利用したライトユニット２００の側断面図である。
図３に示すように、ライトユニット２００は、発光装置１００、基板１６０、導光板１
６２、反射部１６４を含む。
前記基板１６０上には、一つ以上の発光装置１００が搭載される。前記導光板（ＬＧＰ
：Ｌｉｇｈｔ Ｇｕｉｄｅ Ｐａｎｅｌ）１６２は、発光装置１００の出射方向に配置さ
れ、入射される光を面光源として出射する。
前記導光板１６２の下部には、漏れる光を反射させるための反射部１６４が配置され、
前記導光板１６２の上部には、一枚以上の光学シート（図示せず）、例えば、拡散シート
、プリズムシートが配置されることができる。ここで、前記基板１６０は、フレキシブル
基板（ＦＰＣＢ）で実現されることができ、前記反射部１６４は、反射シートで実現され
ることができる。
前記発光装置１００と導光板１６２との間隔ｄ１２は、組立て誤差により約２００μｍ
程度のギャップが発生し得る。このとき、モールディング部材１４０の表面がフラット形
態であれば、モールディング部材１４０の表面と導光板１６２との間の間隔ｄ１３は、ｄ
１２となる。
又は、モールディング部材１４０の表面が凹レンズ形状であれば、モールディング部材
１４０の表面と導光板１６２との間の間隔は、約３００μｍとなる。このとき、キャビテ
ィ１１２の上段とモールディング部材１４０の表面（凹レンズ形状の高さ）との間隔は、
最大１００μｍになる。
そして、キャビティ１１２の深さが最大４５０μｍの場合、キャビティ１１２の底面か
ら導光板１６２との間の間隔ｄ１４は、最大６５０μｍ（＝２００μｍ＋４５０μｍ）程
度になるので、発光素子１２０から導光板１６２までの距離は、従来より最大３０％程度
減らすことができる。
このように発光装置１００の発光素子１２０から発生した光は、モールディング部材１
４０を透過するか、キャビティ１１２の側壁１１４により反射してパッケージ本体１１０
の外部に放出される。前記パッケージ本体１１０から放出した光は、導光板１６２に入射
されることによって、導光板１６２から面光源として出力される。
ここで、発光素子１２０からキャビティ１１２の上段までの間隔と、キャビティ１１２
の上段から導光板１６２の入光部までの間隔ｄ１２を最小化することによって、光損失区
間を減らして光抽出効果を極大化させることができる。また、導光板１６２と発光装置１
００との結合による光効率の減少を防止でき、導光板１６２でのガイド損失を減らし、輝
度の強度を改善することができる。
ここで、発光装置１００から放出される光量は、発光素子１２０と導光板１６２との間
の間隔、モールディング部材１４０の表面形状、キャビティ１１２の内部角度などのパラ
メートルにより変わることができる。
また、上記の発光装置を利用して、携帯端末機などの液晶表示装置のバックライト光源
、照明分野などの面発光装置として構成できる。そして、ライトユニットのような面発光
装置において、発光素子から発生する光の損失区間を最小化し、光抽出効果を最大化でき
る。また、輝度の強度を改善できる。
図４は、実施形態に係る発光装置を介して出射された光の分布及び光量を測定するため
の図である。
図４に示すように、発光素子１２０から出射される光は、モールディング部材１４０を
介して発光装置の前方に位置した受光部１６６及び導光板１６２に入射される。このとき
、前記受光部１６６は、前記導光板１６２に入射される光量（ＦＬＵＸ）を測定する。受
光部１６６は、５ｍｍ×０．６ｍｍの面積で設置される。
図５は、実施形態に係る発光装置のキャビティ深さ及びモールディング部材１４０の表
面形状を変更した場合、図４の受光部１６６に受光された光分布及び光量などを比較した
表である。ここで、試験条件としては、パッケージ本体は、ＰＰＡ樹脂（Ｒｅｆｌｅｃｔ
ａｎｃｅ＝９０％適用）であり、モールディング部材の材質はシリコーン樹脂（ｒｅｆｒ
ａｃｔｉｖｅ ｉｎｄｅｘ＝１．４２）であり、発光素子は容積が２５０μｍ×４８０μ
ｍ×８０μｍであり、ピーク波長（ｐｅａｋ ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ）は４５５ｎｍであ
り、半波高全幅値（ＦＷＨＭ）は、２２ｎｍのチップを適用する。
ここで、配光分布は、発光装置の長軸方向（又は長さ方向）の配光分布（実線）と短縮
方向（又は厚さ方向）の配光分布（点線）により測定し、総光量は、発光装置から出射さ
れた光量であり、導光板（ＬＧＰ）の入射光量は、前記受光部（図４の１６６）により実
際に受光された光量又は導光板に入射された光量である。
図５に示すように、第１パッケージタイプ区分１は、キャビティの深さが６００μｍで
あり、モールディング部材の表面がフラット形状である。このようなパッケージ構造にお
ける配光分布は、指向角度が相対的に狭く分布されており、総光量は、０．１５４ｌｍ、
導光板の入射光量は、０．１２４ｌｍで測定される。
第２パッケージタイプ区分２は、キャビティの深さが６００μｍであり、モールディン
グ部材の表面が凹レンズ形状である。このようなパッケージ構造において配光分布は、狭
い指向角度で分布されており、総光量は、０．１４１ｌｍであり、導光板の入射光量は、
０．１０２ｌｍで測定される。
第３パッケージタイプ区分３は、キャビティの深さが３００μｍであり、モールディン
グ部材の表面がフラット形状である。このようなパッケージ構造において配光分布は、第
１及び第２パッケージタイプよりは指向特性が広く形成され、総光量は、０．２０７ｌｍ
であり、導光板の入射光量は、０．１７０ｌｍで測定される。
第４パッケージタイプ区分４は、キャビティの深さが３００μｍであり、モールディン
グ部材の表面が凹レンズ形状である。このようなパッケージ構造において配光分布は、第
１及び第２パッケージタイプよりは指向特性が広く形成され、総光量は、０．１８２ｌｍ
であり、導光板の入射光量は、０．１５８ｌｍで測定される。
ここで、このようなパッケージタイプは、キャビティの深さ及びモールディング部材の
表面を変更したものである。実施形態の第３及び第４パッケージタイプ区分３、区分４と
第１及び第２パッケージタイプ区分１、区分２とを比較する場合、第３及び第４パッケー
ジタイプ区分３、区分４は、第１及び第２パッケージタイプ区分１、区分２よりは配光分
布の指向特性が広く、総光量及び導光板の入射光量が増加する。
図６は、実施形態に係る発光装置において、キャビティの第２内部角度（Ｉｎｓｉｄｅ
ａｎｇｌｅ）Θ７、Θ８、Θ９と前記キャビティの底面の広さとモールディング部材の
表面形状を異なるようにして、総光量と導光板の入射光量を測定した図である。ここで、
試験条件は、図５と同じ条件を適用する。
第１１〜第１３パッケージタイプ区分１１、区分１２、区分１３は、モールディング部
材の表面がフラット形状であり、キャビティの内部角度Θ７、Θ８、Θ９及び底面の広さ
を変更して測定する。第１４〜第１６パッケージタイプ区分１４、区分１５、区分１６は
、モールディング部材の表面が凹レンズ形状であり、キャビティの内部角度Θ７、Θ８、
Θ９及び底面の広さを変更して測定するようになる。ここで、第１１〜第１６パッケージ
タイプ区分１１〜区分１６のキャビティの深さは、全て同じ深さであり、実施形態で提供
する２５０〜４５０μｍの範囲内にある。
前記第１１パッケージタイプ区分１１及び第１４パッケージタイプ区分１４は、キャビ
ティの内部角度Θ７が２５゜であり、キャビティの底面の広さは３５０μｍである。第１
２パッケージタイプ区分１２及び第１５パッケージタイプ区分１５は、キャビティの内部
角度Θ８が２８．５゜であり、キャビティの底面の広さは、３１０μｍである。第１３パ
ッケージタイプ区分１３及び第１６パッケージタイプ区分１６は、キャビティの内部角度
Θ９が２０．６゜であり、キャビティの底面の広さは、３８０μｍである。ここで、前記
キャビティの内部角度Θ７、Θ８、Θ９は、該当キャビティの底面の広さと反比例する。
総光量を見れば、第１１パッケージタイプ区分１１は０．２３３ｌｍ、第１２パッケー
ジタイプ区分１２は０．２１１ｌｍ、第１３パッケージタイプ区分１３は０．１９９ｌｍ
、第１４パッケージタイプ区分１４は０．２１２ｌｍ、第１５パッケージタイプ区分１５
は０．１８８ｌｍ、そして第１６パッケージタイプ区分１６は０．２１２ｌｍで測定され
る。
導光板ＬＧＰの入射光量を見れば、第１１パッケージタイプ区分１１は０．１６９ｌｍ
、第１２パッケージタイプ区分１２は０．１６０ｌｍ、第１３パッケージタイプ区分１３
は０．１４７ｌｍ、第１４パッケージタイプ区分１４は０．１６６ｌｍ、第１５パッケー
ジタイプ区分１５は０．１４９ｌｍ、第１６パッケージタイプ区分１６は０．１６６ｌｍ
である。
ここで、前記第１１〜第１６パッケージタイプ区分１１〜区分１６は、図５の第１及び
第２パッケージタイプ区分１、区分２よりは光量特性が全て高く現れている。また、第１
１パッケージタイプ区分１１は、総光量や導光板の入射光量が他のパッケージタイプに比
べて最も高く現れている。すなわち、同一深さのキャビティでは、キャビティの内部角度
と底面の広さに応じて、総光量や導光板の入射光量に差があるようになる。
このような発光装置では、キャビティの深さを最小化し、かつ側壁の傾斜角度を増加さ
せることによって、側面型発光ダイオードパッケージでの光度及び光量を増加させること
ができる。
図７は、第２の実施形態であって、発光装置１０１の縦断面図である。
図７に示すように、パッケージ本体１１０は、キャビティ１１２の側壁１１４が２回以
上折り曲げられた構造である。前記キャビティ１１２の側壁１１４は、下部側壁１１５及
び上部側壁１１６を含み、下部側壁１１５の第３内部角度Θ３は、上部側壁１１６の第４
内部角度Θ４より大きく形成される。前記キャビティ１１２の深さ（＝ｄ５＋ｄ６）は、
４５０μｍ以下に形成され、上部側壁１１６の高さｄ６は、下部側壁１１５の高さｄ５よ
り高く形成される。
例えば、キャビティ１１２の下部側壁１１５は、キャビティ１１２の底面から７０〜２
５０μｍ地点までであり、第３内部角度Θ３は、３０〜５０゜に傾斜する。上部側壁１１
６は、上部側壁１１６が始まる地点からキャビティ上段までの高さｄ６であって、２００
〜３８０μｍに形成され、上部側壁の第４内部角度Θ４は、約０〜２０゜程度に傾斜する
。ここで、下部側壁１１５の第３内部角度Θ３内で両側壁１１５の角度Θ３１、Θ３２は
、互いに同一又は異なることができる。また、上部側壁１１６の角度Θ４内で両側壁の角
度Θ４１、Θ４２は、互いに同一又は異なることができる。
前記キャビティ１１２の下部側壁１１５は、発光素子１２０から発生した光が最大限上
側に反射できる高さ、例えば、発光素子１２０の高さ（例、７０〜１３０μｍ）より高く
形成されることができる。このとき、キャビティ１１２の下部側壁１１５の角度Θ３によ
って発光素子１２０と下部側壁１１５との間の距離ｄ７がより遠ざかるようになることに
よって、発光素子１２０から発生する熱又は光により、射出樹脂が変色（すなわち、側壁
の変色）することを防止できる。
また、キャビティ１１２の側壁１１４に対した傾斜角度を調節することによって、他の
キャビティに比べて光効率を最大限高めることができる。
図８〜図１０は、第１の実施形態に係る発光装置において、半導体素子の多様な実装例
を示した断面図である。
図８に示すように、発光装置１０２には、一つ以上の発光素子１２０と保護素子１２２
が搭載される。パッケージ本体１１０のキャビティ１１２には、一つ以上の発光素子１２
０及び保護素子１２２がリードフレーム１３０にチップ形態で実装される。前記発光素子
１２０は、一側のリードフレーム１３０に接着され、ワイヤー１５２、１５４により接続
される。前記保護素子１２２は、他側のリードフレーム１３０に接着され、他のリードフ
レームとワイヤー１５６により接続される。又は、キャビティ内でワイヤーの高さを減ら
すために、半導体素子をリバース（ｒｅｖｅｒｓｅ）方式により搭載することもできる。
図９に示すように、発光装置１０３は、一つ以上の発光素子１２３がフリップチップ方
式により搭載される。このために、発光素子１２３の両電極が２つのリードフレーム１３
０にソルダーバンプを利用してフリップチップ方式により接続される。
図１０に示すように、発光装置１０４は、一つ以上の垂直型発光素子１２４を含む。こ
のために、垂直型発光素子１２４の第１電極は、一側のリードフレーム１３０に導電性接
着剤により接着され、垂直型発光素子１２４の第２電極は、他側のリードフレーム１３０
にワイヤー１５４により接続される。
そして、図８〜図１０のパッケージ本体１１０の外部には、二つのリードフレーム１３
０のリード電極１３２、１３４が形成される。
図１１は、実施形態に係る発光装置のパッケージ構造を示した図であって、半導体素子
が搭載される前の図である。図１１（ａ）は、パッケージ本体の横断面図であり、図１１
（ｂ）は、パッケージ本体の正面図であり、図１１（ｃ）は、パッケージ本体の底面図で
ある。
図１１の（ａ）に示すように、パッケージ本体１１０のキャビティ１１２の下部に位置
したリードフレーム１３０は、キャビティ１１２の底面に対応する高さｄ１でベースライ
ンを構成する。
図１１の（ｂ）、（ｃ）に示すように、リードフレーム１３０の第１及び第２リード電
極１３２、１３４は、パッケージ本体１１０の外部から側面方向へ１次フォーミング（ｆ
ｏｒｍｉｎｇ）され、パッケージ本体１１０の底面の両側に形成された溝１１８に２次フ
ォーミングされる。前記第１及び第２リード電極１３２、１３４の両端１３３、１３５は
、パッケージ本体１１０の底面の両側に配置されて、基板上に表面実装技術（ＳＭＴ）に
より実装され得る。
上述した本発明の好ましい実施の形態は、例示の目的のために開示されたものであり、
本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想
を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形、及び変更が可能であり、このような置換、変
更などは、特許請求の範囲に属するものである。
第１の実施形態に係る発光装置の横断面図である。 第１の実施形態に係る発光装置の縦断面図である。 第１の実施形態の発光装置を備えたライトユニットを示した断面図である。 第１の実施形態に係る発光装置の光量を測定するための図である。 第１の実施形態に係る発光装置において、キャビティの深さとモールディング形状に応じる光量を比較した表である。 第１の実施形態に係る発光装置において、キャビティの底面の広さ、内部角度及びモールディング形状に応じる光量を比較した表である。 第２の実施形態に係る発光装置の縦断面図である。 第１の実施形態に係る発光装置の他の例を示した図である。 第１の実施形態に係る発光装置の他の例を示した図である。 第１の実施形態に係る発光装置の他の例を示した図である。 第１の実施形態に係る発光装置のパッケージ構造を示した図である。
１００ 発光装置、 １１０ パッケージ本体、 １１２ キャビティ、 １１３、１
１４ 側壁、 １２０ 発光素子、 １３０ リードフレーム、 １３２、１３４ リー
ド電極、 １４０ モールディング部材、 １５２ １５４,ワイヤー。

Claims (17)

  1. 樹脂とキャビティを有するパッケージ本体を含み、
    前記キャビティは、底面と前記底面を取囲む内壁を含み、
    前記パッケージ本体は、前記キャビティの上部面となり、開口部を有する前面と、前記前面に対して前記パッケージ本体の反対面に配置された後面とを含み、
    前記後面は、前記前面方向に凹んだリセスを含み、
    前記内壁は、第１内壁、前記第１内壁に対向する第２内壁、第３内壁、前記第３内壁に対向する第４内壁を含み、
    前記キャビティに配置された発光素子と、
    第１部分と第２部分を含むリードフレームを含み、
    前記第１部分は、前記発光素子の下部を支持し、前記発光素子に電気的に連結され、
    前記第２部分は、前記第１部分から前記パッケージ本体の外部に延長された平坦部を含み、
    前記キャビティの前記第１内壁と前記キャビティの前記第２内壁との間の第１角度は、前記キャビティの前記第３内壁と前記キャビティの前記第４内壁との間の第２角度と異なり、
    前記キャビティの前記底面に対する前記キャビティの前記第１内壁の傾斜角は、前記キャビティの前記底面に対する前記キャビティの前記第３内壁の傾斜角と異なり、
    前記キャビティの前記底面に対する前記キャビティの前記第１内壁の傾斜角は、前記キャビティの前記底面に対する前記キャビティの前記第２内壁の傾斜角と異なり、
    前記パッケージの前記前面から前記キャビティの前記底面までの距離は、４５０μｍより小さく、
    前記パッケージ本体は、前記パッケージ本体の横面から前記前面と前記パッケージ本体の前記後面との間に延長された側面を含み、
    前記側面は、前記キャビティの近くに前記パッケージ本体の前記前面に垂直な方向に配置された第１側面と、前記第１側面から延長された第２側面を含み、
    前記パッケージ本体の前記第２側面は、前記パッケージ本体の前記前面に垂直な軸に対して傾斜するように配置され、
    前記パッケージ本体の前記前面に対する前記第１側面の傾斜角は、前記パッケージ本体の前記前面に対する前記第２側面の傾斜角と異なり、
    前記第３内壁と前記第４内壁のそれぞれは、下部側壁と上部側壁を含み、
    前記第３内壁の前記下部側壁と前記第４内壁の前記下部側壁との間の角度は、前記第３内壁の前記上部側壁と前記第４内壁の前記上部側壁との間の角度より大きく、
    前記キャビティの前記第３内壁の前記下部側壁の傾斜角が前記キャビティの前記第４内壁の前記下部側壁の傾斜角と異なり、
    前記リードフレームは、前記パッケージ本体の前記第１側面と前記第２側面との間に提供された部分を含む、発光装置。
  2. 前記下部側壁と前記キャビティの前記底面の間の角度は、前記上部側壁と前記キャビティの前記底面の間の角度より大きい、請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記キャビティの前記底面に対する前記キャビティの前記第２内壁の傾斜角が、前記キャビティの前記底面に対する前記キャビティの前記第４内壁の傾斜角と異なる、請求項１に記載の発光装置。
  4. 前記パッケージ本体の前記第１側面と前記パッケージ本体の前記前面の間の角度が、前記パッケージ本体の前記第２側面と前記パッケージ本体の前記前面の間の角度より大きい、請求項１に記載の発光装置。
  5. 前記第１側面の厚さが、前記第２側面の厚さより小さい、請求項４に記載の発光装置。
  6. 前記パッケージ本体の前記前面から前記パッケージ本体の前記キャビティの前記底面までの深さは、前記パッケージ本体の前記後面の前記リセスの深さより大きい、請求項１に記載の発光装置。
  7. 前記パッケージ本体の前記前面に対する前記パッケージ本体の前記第１側面の傾斜角が、前記第１側面から延長された前記パッケージ本体の前記第２側面が前記パッケージ本体の前記前面に対する傾斜角と異なる、請求項１に記載の発光装置。
  8. 前記パッケージ本体は、前記パッケージ本体の前記前面と前記後面との間に延長された底面を含み、
    前記底面は、段差部を含み、
    前記リードフレームの前記平坦部は、前記パッケージ本体の前記底面の前記段差部に配置される、請求項１に記載の発光装置。
  9. 前記リードフレームの前記平坦部の底面は、前記パッケージ本体の前記底面より低く位置される、請求項８に記載の発光装置。
  10. 前記リードフレームの前記平坦部と前記リードフレームの前記平坦部が配置された前記パッケージ本体の前記側面との間にギャップ(gap)が提供される、請求項８に記載の発光装置。
  11. 前記第１角度は、２０度〜４０度の範囲である、請求項１に記載の発光装置。
  12. 前記キャビティの前記底面に垂直な軸に対する前記キャビティの前記第３内壁の傾斜角は、前記キャビティの前記底面に垂直な前記軸に対する前記キャビティの前記第４内壁の傾斜角と異なる、請求項１に記載の発光装置。
  13. 前記キャビティの前記底面に垂直な前記軸に対する前記キャビティの前記第３内壁の傾斜角は、１０度〜２０度の範囲である、請求項１２に記載の発光装置。
  14. 前記発光素子は、前記パッケージ本体の前記後面の前記リセスと垂直方向に重なる、請求項１に記載の発光装置。
  15. 前記パッケージ本体の前記後面の前記リセスの幅は、前記発光素子の幅より大きい、請求項１４に記載の発光装置。
  16. 前記キャビティの幅は、前記パッケージ本体の前記後面の前記リセスの幅より大きい、請求項１４に記載の発光装置。
  17. 前記キャビティの前記底面に対する前記キャビティの前記第１内壁の傾斜角は、前記パッケージ本体の前記前面に対する前記第２側面の傾斜角と異なる、請求項１に記載の発光装置。
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