KR102076243B1 - 발광 소자 패키지 - Google Patents

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Abstract

실시 예는 서로 이격하여 배치되는 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임, 상기 제1 리드 프레임 상에 배치되는 발광 소자, 상기 발광 소자 주위를 둘러싸도록 상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임 상에 배치되는 반사부, 및 상기 발광 소자 주위를 밀봉하고 상기 반사부, 상기 제1 리드 프레임, 및 상기 제2 리드 프레임 상에 배치되는 광 투과부를 포함하며, 상기 광 투과부는 가장 자리로부터 중앙으로 갈수록 높이가 적어도 한번 계단적으로 증가하는 형상을 갖는다.

Description

발광 소자 패키지{A LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}
실시 예는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)나 레이저 다이오드(Laser Diode:LD)와 같은 발광 소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비 전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.
따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL:Cold Cathode Fluorescent Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.
조명 장치나 표시 장치에는 발광 소자 패키지가 널리 사용되고 있다. 발광 소자 패키지는 일반적으로 몸체, 몸체 내에 위치하는 리드 프레임들, 및 리드 프레임들 중 어느 하나에 위치하는 발광 소자(예컨대, LED)를 포함할 수 있다.
실시 예는 지향각을 향상시키고, 후면 광속 비율을 감소시킬 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 서로 이격하여 배치되는 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임; 상기 제1 리드 프레임 상에 배치되는 발광 소자; 상기 발광 소자 주위를 둘러싸도록 상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임 상에 배치되는 반사부; 및 상기 발광 소자 주위를 밀봉하고 상기 반사부, 상기 제1 리드 프레임, 및 상기 제2 리드 프레임 상에 배치되는 광 투과부를 포함하며, 상기 광 투과부는 가장 자리로부터 중앙으로 갈수록 높이가 적어도 한번 계단적으로 증가하는 형상을 가질 수 있다.
상기 광 투과부는 상기 반사부, 상기 제1 리드 프레임, 및 상기 제2 리드 프레임 상에 배치되는 하단부; 및 상기 하단부 상에 배치되는 상단부를 포함하며, 상기 상단부와 상기 하단부는 수평 방향으로 단차가 존재하며, 상기 수평 방향은 상기 제1 리드 프레임의 상부면과 수평한 방향일 수 있다.
상기 상단부의 중심은 상기 하단부의 중심에 정렬될 수 있다. 상기 상단부의 형상은 원통형 또는 육면체일 수 있다.
상기 하단부와 상기 상단부 사이의 상기 단차는 0.2mm ~ 0.5mm이고, 상기 하단부의 상부면을 기준으로 상기 상단부의 측면이 기울어진 각도는 15° ~ 50°이고, 상기 반사부의 상부면으로부터 상기 상단부의 상부면까지의 높이는 0.3mm ~ 1.5mm일 수 있다.
상기 상단부는 수직 방향으로 적층되는 복수의 부분들을 포함하며, 상기 복수의 부분들은 수직 방향으로 갈수록 직경이 감소할 수 있다.
상기 복수의 부분들 중 인접하는 2개의 부분들 사이에는 수평 방향으로 단차가 존재할 수 있다.
상기 복수의 부분들 각각의 중심은 상기 하단부의 중심에 정렬될 수 있다.
상기 복수의 부분들 각각의 측면과 상부면이 만나는 모서리 부분은 곡면일 수 있다.
상기 복수의 부분들 중 인접하는 2개의 부분들 사이의 단차는 0.2mm ~ 0.5mm이고, 상기 하단부의 상부면을 기준으로 상기 복수의 부분들 각각의 측면이 기울어진 각도는 15° ~ 50°일 수 있다.
실시 예는 지향각을 향상시키고, 후면 광속 비율을 감소시킬 수 있다.
도 1은 제1 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 사시도를 나타낸다.
도 2는 도 1의 광 투과부가 제거된 사시도를 나타낸다.
도 3은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 4는 제2 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 사시도를 나타낸다.
도 5는 도 4에 도시된 발광 소자 패키지의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 6은 제3 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 사시도를 나타낸다.
도 7은 도 6에 도시된 발광 소자 패키지의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 8은 제4 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 사시도를 나타낸다.
도 9는 도 8에 도시된 발광 소자 패키지의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 10은 일반적인 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 11은 도 10에 도시된 발광 소자 패키지의 지향각을 나타낸다.
도 12는 지향각을 향상시킨 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 13은 도 12에 도시된 발광 소자 패키지의 지향각 및 후면 광속 비율을 나타낸다.
도 14는 제3 실시 예의 지향각 및 후면 광속 비율에 대한 시뮬레이션 결과를 나타낸다.
도 15는 제4 실시 예의 지향각과 후면 광속 비율에 대한 시뮬레이션 결과를 나타낸다.
도 16은 제1 및 제2 실시 예들의 지향각 및 후면 광속 비율에 대한 제1 시뮬레이션 결과를 나타낸다.
도 17은 제1 및 제2 실시 예들의 지향각 및 후면 광속 비율에 대한 제2 시뮬레이션 결과를 나타낸다.
도 18은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치를 나타낸다.
도 19는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다.
도 20은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 해드 램프를 나타낸다.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 설명한다.
도 1은 제1 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100)의 사시도를 나타내고, 도 2는 도 1의 광 투과부가 제거된 사시도를 나타내고, 도 3은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 발광 소자 패키지(100)는 제1 리드 프레임(11), 제2 리드 프레임(12), 발광 소자(20), 반사부(30), 격리부(35), 광 투과부(50), 및 와이어(62,64)를 포함한다.
제1 리드 프레임(11)과 제2 리드 프레임(12)은 서로 전기적으로 분리되도록 이격되어 배치될 수 있다.
발광 소자(20)는 제1 리드 프레임(11)의 상부면(142) 상에 배치될 수 있으며, 도 2에 도시된 것과 같이, 와이어들(62,64)에 의하여 제1 리드 프레임(11)과 제2 리드 프레임(12)에 전기적으로 연결될 수 있다.
예컨대, 제1 와이어(62)는 발광 소자(22)와 제2 리드 프레임(12)을 전기적으로 연결할 수 있고, 제2 와이어(64)는 발광 소자(24)와 제2 리드 프레임(12)을 전기적으로 연결할 수 있다. 그러나 다른 실시 예에서는 플립 칩(flip chip), 다이 본딩(die bonding) 방식 등으로 발광 소자(20)가 제1 리드 프레임(11) 및 제2 리드 프레임(12)과 전기적으로 연결될 수도 있다.
제1 리드 프레임(11), 및 제2 리드 프레임(12)은 금속과 같은 전도성 재질, 예컨대, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 어느 하나, 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있으며, 단층 또는 다층 구조일 수 있다.
반사부(30)는 발광 소자(20)의 주위를 둘러싸도록 제1 리드 프레임(11)과 제2 리드 프레임(12) 상에 배치되며, 발광 소자(20)로부터 조사되는 빛을 반사시킬 수 있다. 반사부(30)의 높이(h1)는 발광 소자(20)의 높이(h2)와 동일하거나 낮을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시 예에서는 반사부(30)의 높이(h1)는 발광 소자(20)의 높이(h2)보다 높을 수 있다.
반사부(30)는 제1 리드 프레임(11)과 제2 리드 프레임(12) 각각의 상부면의 일부를 노출할 수 있으며, 발광 소자(20)는 반사부(30)에 의하여 노출되는 제1 리드 프레임(11)의 상부면(142)의 일부 상에 배치될 수 있고, 와이어들(62,64)은 발광 소자(20)와 반사부(30)에 의하여 노출되는 제2 리드 프레임(12)의 상부면의 일부를 전기적으로 연결할 수 있다.
격리부(35)는 제1 리드 프레임(11)과 제2 리드 프레임(12) 사이에 배치될 수 있으며, 제1 리드 프레임(11)과 제2 리드 프레임(12)을 전기적으로 절연시킬 수 있다. 격리부(35)는 반사부(30)와 일체형일 수 있고, 반사부(30)의 일부를 이룰 수 있다.
반사부(30)는 상부면(31)과 반사 측벽(32)을 포함할 수 있다. 상부면(31)은 제1 리드 프레임(11)과 접촉하는 반사부(30)의 하부면과 마주보는 면일 수 있고, 반사 측벽(32)은 발광 소자(20)를 마주보는 면일 수 있다.
반사 측벽(32)은 제1 리드 프레임(11)의 상부면(142)을 기준으로 일정한 각도(α)로 기울어진 경사면일 수 있다. 예컨대, α는 예각일 수 있다.
광 투과부(50)는 발광 소자(20)를 밀봉하여 보호하도록 반사부(30), 제1 리드 프레임(11), 및 제2 리드 프레임(12) 상에 배치될 수 있다.
광 투과부(50)는 투광성이고 몰딩(molding) 가능한 재질, 예컨대, 에폭시 또는 실리콘과 같은 무색 투명한 고분자 수지로 이루어질 수 있다.
광 투과부(50)은 발광 소자(20)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있도록 형광체(222)를 포함할 수 있다. 예컨대, 광 투과부(50)는 적색 형광체, 녹색 형광체, 및 황색 형광체 등 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
광 투과부(50)는 가장 자리로부터 중앙으로 갈수록 높이가 적어도 한번 계단적으로 증가할 수 있다. 광 투과부(50)는 수직 방향으로 적층되는 하단부(101) 및 상단부(102)를 포함할 수 있다.
수직 방향은 제1 리드 프레임(11)에서 광 투과부(50)로 향하는 방향, 또는 제1 리드 프레임(11)의 상부면(142)과 수직한 방향일 수 있다.
하단부(101)는 반사부(30), 제1 리드 프레임(11), 및 제2 리드 프레임(12) 상에 배치될 수 있고, 상단부(102)는 하단부(101) 상에 배치될 수 있다.
하단부(101)의 외주면의 형상은 반사부(30)의 외주면의 형상과 일치할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상단부(102)의 직경(D1)은 아래에서 위로 갈수록 감소할 수 있다. 상단부(102)의 중심은 하단부(101)의 중심과 정렬될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
후술하는 바와 같이, 실시 예가 5% 이하인 후면 광속 비율을 갖도록 하기 위하여 반사부(30)의 상부면(31)으로부터 상단부(102)의 상부면(212)까지의 높이(H1)는 0.3mm ~ 1.5mm일 수 있다.
상단부(102)와 상기 하단부(101) 사이에는 수평 방향으로 단차(P1)가 존재할 수 있다. 예컨대, 상단부(102)의 측면은 수평 방향으로 하단부(101)의 측면과 단차(P1)가 존재할 수 있다. 여기서 수평 방향은 제1 리드 프레임(11)의 상부면과 평행한 방향 또는 수직 방향과 수직인 방향(예컨대, 수평 방향)일 수 있다.
예컨대, 상단부(102)의 측면(211)은 하단부(101)의 측면(201)으로부터 수평 방향으로 일정 거리(P1) 이격하여 위치할 수 있다. 후술하는 바와 같이, 실시 예가 5% 이하인 후면 광속 비율을 갖도록 하기 위하여 하단부(101)와 상단부(102) 간의 수평 방향으로의 단차(P1)는 0.2mm ~ 0.5mm일 수 있다.
하단부(101)는 반사부(30)의 상면(31)과 측면(32), 및 제1 및 제2 리드 프레임들(11,12) 각각의 상부면과 접할 수 있다. 하단부(101)의 측면(201)은 제1 및 제2 리드 프레임들(11,12) 각각의 측면과 동일 평면에 위치할 수 있으나, 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.
상단부(102)의 측면(211)은 반사부(30)에 수직 방향으로 정렬 또는 중첩될 수 있다. 예컨대, 상단부(102)의 측면(211)은 반사부(30)의 측벽(32)과 수직 방향으로 정렬 또는 중첩될 수 있다.
하단부(101)의 상부면(202)을 기준으로 상단부(102)의 측면(211)이 기울어진 각도(θ1)는 0°보다 크고, 50°보다 작거나 같을 수 있으며, 예컨대, 실시 예가 5% 이하인 후면 광속 비율을 갖도록 하기 위하여 θ1은 15° ~ 50°일 수 있다.
예컨대, 0°< θ1 < 15°일 경우에는 P1과 H1의 값에 좌우되어 후면 광속 비율이 5% 이내일 수도 있고, 또는 5%를 초과할 수도 있다. 그러나 15°≤ θ1 ≤ 50°일 경우에는 P1의 값이 0.2mm ~ 0.5mm 범위 이내이고, H1의 값이 0.3mm ~ 1.5mm 범위 이내라면, 후면 광속 비율은 5% 이내일 수 있다.
상단부(102)의 측면(211)과 상단부(102)의 상부면(212)이 만나는 모서리 부분(R1)은 곡면일 수 있다. 이때 모서리의 부분(R1)의 곡률의 반지름에 따라 지향각이 달라질 수 있는데, 130°~180°의 지향각을 얻기 위해서 실시 예에 따른 모서리 부분(R1)의 곡률은 반지름이 0.1mm ~ 0.2mm인 원의 곡률과 동일할 수 있다.
도 4는 제2 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100-1)의 사시도를 나타내고, 도 5는 도 4에 도시된 발광 소자 패키지(100-1)의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 1과 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 간략하게 하거나, 생략한다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 제2 실시 예(100-1)는 제1 실시 예(100)의 변형 예로서, 제2 실시 예(100-1)의 상단부(102-1)는 수직 방향으로 적층되고, 직경이 서로 다른 복수의 부분들(51-1 내지 51-n, n>1인 자연수)를 포함할 수 있다. 광 투과부(50-1)를 수직 방향으로 자른 단면은 계단 구조일 수 있다.
복수의 부분들(51-1 내지 51-n, 예컨대, n=2) 각각의 형상은 원통 형상일 수 있으며, 수직 방향으로 갈수록 직경이 감소할 수 있다. 복수의 부분들(51-1 내지 51-n, 예컨대, n=2) 각각의 중심은 하단부(101)의 중심에 정렬될 수 있다.
실시 예가 5% 이하인 후면 광속 비율을 갖도록 하기 위하여 하단부(101)와 상단부(102-1) 간의 수평 방향으로의 단차(P1)는 0.2mm ~ 0.5mm일 수 있다.
실시 예가 5% 이하인 후면 광속 비율을 갖도록 하기 위하여 반사부(30)의 상부면(31)으로부터 최상단에 위치하는 부분(예컨대, 51-2))의 상부면(212-1)까지의 높이(H2)는 0.3mm ~ 1.5mm일 수 있다.
인접하는 2개의 부분들(예컨대, 51-1과 51-2) 사이에는 수평 방향으로 단차(P2)가 존재할 수 있다. 예컨대, 제2 부분(51-2)의 측면은 제1 부분(51-1)의 측면으로부터 수평 방향으로 일정 거리(P2) 이격하여 위치할 수 있다.
실시 예가 5% 이하인 후면 광속 비율을 갖도록 하기 위하여 인접하는 2개의 부분들(예컨대, 51-1과 51-2) 사이의 단차(P2)는 0.2mm ~ 0.5mm일 수 있다.
하단부(101)의 상부면을 기준으로 복수의 부분들(51-1 내지 51-n, n>1인 자연수) 각각의 측면이 기울어진 각도(예컨대, θ1, θ2)는 0°보다 크고, 50°보다 작거나 같을 수 있으며, 예컨대, 실시 예가 5% 이하인 후면 광속 비율을 갖도록 하기 위하여 θ1 및 θ2는 15° ~ 50°일 수 있다.
복수의 부분들(51-1 내지 51-n, 예컨대, n=2) 각각의 측면과 상부면이 만나는 모서리 부분(R1, R2)은 곡면일 수 있다. 이때 모서리의 부분(R1)의 곡률의 반지름에 따라 지향각이 달라질 수 있는데, 130°~180°의 지향각을 얻기 위해서 실시 예에 따른 각 모서리 부분의 곡률은 반지름이 0.1mm ~ 0.2mm인 원의 곡률과 동일할 수 있다.
도 6은 제3 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100-2)의 사시도를 나타내고, 도 7은 도 6에 도시된 발광 소자 패키지(100-2)의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 1과 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 간략하게 하거나, 생략한다.
도 6 및 도 7를 참조하면, 제3 실시 예(100-2)의 광 투과부(50-2)는 하단부(101), 및 상단부(102)를 포함한다. 제1 실시 예(100)의 상단부(102)의 형상은 원통 형상이지만, 제3 실시 예(100-2)의 상단부(103)의 형상은 육면체, 예컨대, 정육면체, 직육면체, 사각뿔대일 수 있다.
상단부(102)의 중심은 하단부(101)의 중심과 정렬될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
실시 예가 5% 이하인 후면 광속 비율을 갖도록 하기 위하여 반사부(30)의 상부면(31)으로부터 상단부(103)의 상부면(312)까지의 높이는 0.3mm ~ 1.5mm일 수 있다.
하단부(101)과 상단부(103) 사이에는 수평 방향으로 단차(P1)가 존재할 수 있다. 즉 상단부(103)의 측면(311)은 하단부(101)의 측면(301)으로부터 수평 방향으로 일정 거리(P1) 이격하여 위치할 수 있다.
실시 예가 5% 이하인 후면 광속 비율을 갖도록 하기 위하여 하단부(101)와 상단부(103) 간의 수평 방향으로의 단차(P1)는 0.2mm ~ 0.5mm일 수 있다.
상단부(103)의 측면(311)은 반사부(30)에 수직 방향으로 정렬 또는 중첩될 수 있다. 예컨대, 상단부(103)의 측면(311)은 반사부(30)의 측벽(32)과 수직 방향으로 정렬 또는 중첩될 수 있다.
하단부(101)의 상부면(302)을 기준으로 상단부(103)의 측면(311)이 기울어진 각도(θ1)는 0°보다 크고, 50°보다 작거나 같을 수 있으며, 예컨대, 실시 예가 5% 이하인 후면 광속 비율을 갖도록 하기 위하여 θ1은 15° ~ 50°일 수 있다.
상단부(103)의 측면(311)과 상단부(103)의 상부면(312)이 만나는 모서리 부분(R1)은 곡면일 수 있으며, 이때 모서리의 부분(R1)의 곡률에 따라 지향각이 달라질 수 있는데, 130°~180°의 지향각을 얻기 위해서 실시 예에 따른 모서리 부분(R1)의 곡률은 반지름이 0.1mm ~ 0.2mm인 원의 곡률과 동일할 수 있다.
도 8은 제4 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100-3)의 사시도를 나타내고, 도 9는 도 8에 도시된 발광 소자 패키지(100-3)의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 1과 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 간략하게 하거나, 생략한다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 제4 실시 예(100-3)는 제3 실시 예의 변형 예로서, 광 투과부(50-3)의 상단부(103-1)는 수직 방향으로 적층되고, 상면(또는 하면)의 면적이 서로 다른 서로 다른 복수의 부분들(53-1 내지 53-n, n>1인 자연수)를 포함할 수 있다.
복수의 부분들(53-1 내지 53-n, n>1인 자연수) 각각의 형상은 육면체, 예컨대, 정육면체, 직육면체, 사각뿔대일 수 있다. 예컨대, 복수의 부분들(53-1 내지 53-n, n>1인 자연수) 각각의 상면(또는 하면)의 서로 대응하는 변의 길이는 서로 다를 수 있다.
수직 방향으로 갈수록 복수의 부분들(53-1 내지 53-n, n>1인 자연수) 각각의 상면(또는 하면)의 서로 대응하는 변의 길이는 감소할 수 있다.
반사부(30)의 상부면(31)으로부터 상단부(103-1)의 상부면(312)까지의 높이, 하단부(101)의 상부면을 기준으로 복수의 부분들(53-1 내지 53-n, n>1인 자연수) 각각의 측면이 기울어진 각도, 하단부(101)와 상단부(103-1) 간의 수평 방향으로의 단차(P1), 및 인접하는 2개의 부분들(예컨대, 53-1과 53-2) 사이의 단차(P2)는 도 4 및 도 5에서 설명한 바와 동일할 수 있다.
도 10은 일반적인 발광 소자 패키지(80)의 단면도를 나타내고, 도 11은 도 10에 도시된 발광 소자 패키지의 지향각을 나타낸다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 리드 프레임(11-1) 상에 배치되는 반사벽(5)의 높이에 따라 발광 소자 패키지(80)의 지향각이 결정될 수 있다. 도 10에 도시된 일반적인 발광 소자 패키지(80)는 몰딩부(3)의 상부면이 반사벽(5)의 상부면과 동일한 평면 상에 위치하고, 몰딩부(3)의 측면이 반사벽(5)에 의하여 완전히 둘러싸여 있는 구조를 갖는다. 실험 결과에 따르면, 도 10에 도시된 발광 소자 패키지(80)의 지향각은 117°임을 알 수 있다.
실시 예는 반사부(30)의 높이를 발광 소자(20)의 높이와 근사하게 낮추고, 광 투과부(50)의 측면을 반사부(30)로부터 개방하고, 광 투과부(50)의 가장자리 하부면을 반사부(30)의 상부면과 접하도록 함으로써, 지향각을 130°이상으로 향상시킬 수 있다.
도 12는 지향각을 향상시킨 발광 소자 패키지(90)의 단면도를 나타내고, 도 13은 도 12에 도시된 발광 소자 패키지의 지향각 및 후면 광속 비율을 나타낸다.
여기서 후면 광속 비율이라 함은 지향각이 0°인 선을 기준으로 후방으로 조사되는 빛의 광속의 비율을 의미할 수 있다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 발광 소자 패키지(90)는 발광 소자(20)와 전기적으로 연결되는 제1 리드 프레임(11), 및 제2 리드 프레임(미도시), 발광 소자(20) 주위의 제1 및 제2 리드 프레임들(11,12) 상에 배치되는 반사부(30), 및 발광 소자(20)를 포위하도록 반사부(30)와 제1 및 제2 리드 프레임들(11,12) 상에 배치되는 광 투과부(58)를 포함한다.
광 투과부(58) 하부면의 가장 자리가 반사부(30)의 상부면과 접촉하고, 광 투과부(58)의 측면(58-1)이 반사부(30)로부터 개방될 수 있다. 즉 광 투과부(58)의 측면(58)이 반사부(30)의 상부면 상에 위치할 수 있다.
이러한 구조적인 차이점으로 인하여 도 12에 도시된 반사부(30)의 높이는 도 10에 도시된 반사벽(5)의 높이보다 낮을 수 있으며, 도 12에 도시된 발광 소자 패키지의 지향각은 도 10에 도시된 발광 소자 패키지보다 향상될 수 있다.
도 12에 도시된 발광 소자 패키지의 지향각은 도 13을 참조하면, 147°임을 알 수 있다. 다만 도 13의 그래프를 참조할 때, 도 12에 도시된 발광 소자 패키지(90)의 후면 광속 비율(601)은 5%를 초과하는 것을 알 수 있다.
도 14는 제3 실시 예의 지향각 및 후면 광속 비율에 대한 시뮬레이션 결과를 나타낸다. A는 하단부(101)와 상단부(103) 간의 수평 방향으로의 단차를 나타내고, B는 하단부(101)의 상부면을 기준으로 상단부(103)의 측면(311)이 기울어진 각도를 나타내고, C는 반사부(30)의 상부면(31)으로부터 상단부(103)의 상부면(312)까지의 높이를 나타낸다. 그리고 Case 1 내지 Case 3의 상단부(103)의 측면(311)과 상단부(103)의 상부면(312)이 만나는 모서리 부분(R1)은 0.1mm일 수 있고, Case 4 내지 Case 6의 R1은 0.2mm일 수 있다.
도 14를 참조하면, Case 1 내지 Case 6의 A는 0.2mm, 0.3 또는 0.4mm일 수 있고, B는 0°일 수 있고, C는 0.35mm일 수 있다. 도 14에 도시된 Case 1 내지 Case 6은 0°~ 180°범위의 지향각을 가짐을 알 수 있다.
도 15는 제3 및 제4 실시 예의 지향각과 후면 광속 비율에 대한 시뮬레이션 결과를 나타낸다.
A는 하단부(101)와 상단부(103-1) 간의 수평 방향으로의 단차를 나타내고, B는 하단부(101)의 상부면을 기준으로 상단부(103-1)의 측면(53-1,53-2)이 기울어진 각도를 나타내고, C는 반사부(30)의 상부면(31)으로부터 상단부(103-1)의 상부면(312)까지의 높이를 나타낸다.
도 15를 참조하면, Case 1은 제3 실시 예의 경우일 수 있고, Case 2 및 Case 3은 제4 실시 예의 경우일 수 있다.
Case 1 내지 Case 3의 A는 0.3mm 일 수 있고, B는 48°, 30°또는 0°일 수 있고, C는 1.1mm일 수 있다. 도 15에 도시된 Case 1 내지 Case 3은 0°~ 180°범위의 지향각, 및 5% 이하인 후면 광속 비율을 가짐을 알 수 있다.
도 16은 제1 및 제2 실시 예들의 지향각 및 후면 광속 비율에 대한 제1 시뮬레이션 결과를 나타낸다. A는 하단부(101)와 상단부(102) 간의 수평 방향으로의 단차를 나타내고, B는 하단부(101)의 상부면을 기준으로 상단부(102)의 측면(211)이 기울어진 각도를 나타내고, C는 반사부(30)의 상부면(31)으로부터 상단부(102)의 상부면(212)까지의 높이를 나타낸다.
도 16을 참조하면, Case 1 내지 Case 7의 A는 0.2mm 또는 0.3mm일 수 있고, B는 0° 또는 36°일 수 있고, C는 0.6mm 또는 1,1mm일 수 있다. 이때 case 3 내지 case 7의 상단부는 제1단 및 제2단으로 구성될 수 있으며, h1은 제1단의 높이를 나타내고, h2는 제2단의 높이를 나타낼 수 있다. 제1단 및 제2단 각각의 높이에 따라 지향각 및 후면 광속 비율이 달라짐을 알 수 있다. 그리고 도 16에 도시된 Case 1 내지 Case 7은 0°~ 180°범위의 지향각, 및 5% 이하인 후면 광속 비율을 가짐을 알 수 있다.
도 17은 제1 및 제2 실시 예들의 지향각 및 후면 광속 비율에 대한 제2 시뮬레이션 결과를 나타낸다.
도 17을 참조하면, Case 1 내지 Case 7의 A는 0.2mm 또는 0.3mm일 수 있고, B는 0°일 수 있고, C는 0.6mm일 수 있다. 그리고 도 17에 도시된 Case 1 내지 Case 7은 0°~ 180°범위의 지향각, 및 5% 이하인 후면 광속 비율을 가짐을 알 수 있다.
도 18 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치를 나타낸다.
도 18 참조하면, 조명 장치는 커버(1100), 광원 모듈(1200), 방열체(1400), 전원 제공부(1600), 내부 케이스(1700), 및 소켓(1800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(1300)와 홀더(1500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
광원 모듈(1200)은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지들 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
커버(1100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상일 수 있으며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상일 수 있다. 커버(1100)는 광원 모듈(1200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 커버(1100)는 광원 모듈(1200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기시킬 수 있다. 커버(1100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 커버(1100)는 방열체(1400)와 결합될 수 있다. 커버(1100)는 방열체(1400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.
커버(1100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 커버(1100)의 내면의 표면 거칠기는 커버(1100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 광원 모듈(1200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.
커버(1100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 커버(1100)는 외부에서 광원 모듈(1200)이 보이도록 투명할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고 불투명할 수 있다. 커버(1100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.
광원 모듈(1200)은 방열체(1400)의 일 면에 배치될 수 있으며, 광원 모듈(1200)로부터 발생한 열은 방열체(1400)로 전도될 수 있다. 광원 모듈(1200)은 광원부(1210), 연결 플레이트(1230), 및 커넥터(1250)를 포함할 수 있다.
부재(1300)는 방열체(1400)의 상면 위에 배치될 수 있고, 복수의 광원부(1210)들과 커넥터(1250)가 삽입되는 가이드홈(1310)을 갖는다. 가이드홈(1310)은 광원부(1210)의 기판 및 커넥터(1250)와 대응 또는 정렬될 수 있다.
부재(1300)의 표면은 광 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다.
예를 들면, 부재(1300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 부재(1300)는 커버(1100)의 내면에 반사되어 광원 모듈(1200)을 향하여 되돌아오는 빛을 다시 커버(1100) 방향으로 반사할 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
부재(1300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 광원 모듈(1200)의 연결 플레이트(1230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 방열체(1400)와 연결 플레이트(1230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 부재(1300)는 절연 물질로 구성되어 연결 플레이트(1230)와 방열체(1400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 방열체(1400)는 광원 모듈(1200)로부터의 열과 전원 제공부(1600)로부터의 열을 전달받아 방열할 수 있다.
홀더(1500)는 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)의 수납홈(1719)을 막는다. 따라서, 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)에 수납되는 전원 제공부(1600)는 밀폐될 수 있다. 홀더(1500)는 가이드 돌출부(1510)를 가질 수 있으며, 가이드 돌출부(1510)는 전원 제공부(1600)의 돌출부(1610)가 관통하는 홀을 가질 수 있다.
전원 제공부(1600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈(1200)로 제공한다. 전원 제공부(1600)는 내부 케이스(1700)의 수납홈(1719)에 수납될 수 있고, 홀더(1500)에 의해 내부 케이스(1700)의 내부에 밀폐될 수 있다. 전원 제공부(1600)는 돌출부(1610), 가이드부(1630), 베이스(1650), 연장부(1670)를 포함할 수 있다.
가이드부(1630)는 베이스(1650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 가질 수 있다. 가이드부(1630)는 홀더(1500)에 삽입될 수 있다. 베이스(1650)의 일 면 위에는 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 광원 모듈(1200)의 구동을 제어하는 구동칩, 광원 모듈(1200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
연장부(1670)는 베이스(1650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 가질 수 있다. 연장부(1670)는 내부 케이스(1700)의 연결부(1750) 내부에 삽입될 수 있고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받을 수 있다. 예컨대, 연장부(1670)는 내부 케이스(1700)의 연결부(1750)와 폭이 같거나 작을 수 있다. 연장부(1670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결될 수 있고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(1800)에 전기적으로 연결될 수 있다.
내부 케이스(1700)는 내부에 전원 제공부(1600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 전원 제공부(1600)가 내부 케이스(1700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.
도 19는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다.
도 19를 참조하면, 표시 장치(800)는 바텀 커버(810)와, 바텀 커버(810) 상에 배치되는 반사판(820)과, 광을 방출하는 발광 모듈(830, 835)과, 반사판(820)의 전방에 배치되며 발광 모듈(830,835)에서 발산되는 빛을 표시 장치 전방으로 안내하는 도광판(840)과, 도광판(840)의 전방에 배치되는 프리즘 시트들(850,860)을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널(870)과, 디스플레이 패널(870)과 연결되고 디스플레이 패널(870)에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로(872)와, 디스플레이 패널(870)의 전방에 배치되는 컬러 필터(880)를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버(810), 반사판(820), 발광 모듈(830,835), 도광판(840), 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.
발광 모듈은 기판(830) 상에 실장되는 발광 소자 패키지들(835)을 포함할 수 있다. 여기서, 기판(830)은 PCB 등이 사용될 수 있다. 발광 소자 패키지(835)는 상술한 실시 예들 중 어느 하나일 수 있다.
바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 그리고, 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있으며, 도광판(840)의 후면이나, 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.
여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.
그리고, 도광판(830)은 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다.
그리고, 제1 프리즘 시트(850)는 지지 필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성될 수 있으며, 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.
그리고, 제2 프리즘 시트(860)에서 지지 필름 일면의 마루와 골의 방향은, 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 발광 모듈과 반사 시트로부터 전달된 빛을 디스플레이 패널(1870)의 전면으로 고르게 분산하기 위함이다.
그리고, 도시되지는 않았으나, 도광판(840)과 제1 프리즘 시트(850) 사이에 확산 시트가 배치될 수 있다. 확산 시트는 폴리에스터와 폴리카보네이트 계열의 재료로 이루어질 수 있으며, 백라이트 유닛으로부터 입사된 빛을 굴절과 산란을 통하여 광 투사각을 최대로 넓힐 수 있다. 그리고, 확산 시트는 광확산제를 포함하는 지지층과, 광출사면(제1 프리즘 시트 방향)과 광입사면(반사시트 방향)에 형성되며 광확산제를 포함하지 않는 제1 레이어와 제2 레이어를 포함할 수 있다.
실시 예에서 확산 시트, 제1 프리즘시트(850), 및 제2 프리즘시트(860)가 광학 시트를 이루는데, 광학 시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.
디스플레이 패널(870)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(860) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 표시 장치가 구비될 수 있다.
도 20은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 해드 램프(head lamp, 900)를 나타낸다. 도 20을 참조하면, 해드 램프(900)는 발광 모듈(901), 리플렉터(reflector, 902), 쉐이드(903), 및 렌즈(904)를 포함한다.
발광 모듈(901)은 기판(미도시) 상에 배치되는 복수의 발광 소자 패키지들(미도시)을 포함할 수 있다. 이때 발광 소자 패키지는 상술한 실시 예들 중 어느 하나일 수 있다.
리플렉터(902)는 발광 모듈(901)로부터 조사되는 빛(911)을 일정 방향, 예컨대, 전방(912)으로 반사시킨다.
쉐이드(903)는 리플렉터(902)와 렌즈(904) 사이에 배치되며, 리플렉터(902)에 의하여 반사되어 렌즈(904)로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 부재로서, 쉐이드(903)의 일측부(903-1)와 타측부(903-2)는 서로 높이가 다를 수 있다.
발광 모듈(901)로부터 조사되는 빛은 리플렉터(902) 및 쉐이드(903)에서 반사된 후 렌즈(904)를 투과하여 차체 전방을 향할 수 있다. 렌즈(904)는 리플렉터(902)에 의하여 반사된 빛을 전방으로 굴절시킬 수 있다.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
11: 제1 리드 프레임 12: 제2 리드 프레임
20: 발광 소자 30: 반사부
35: 격리부 50: 광 투과부
62,64: 와이어.

Claims (10)

  1. 서로 이격하여 배치되는 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임;
    상기 제1 리드 프레임 상에 배치되는 발광 소자;
    상기 발광 소자 주위를 둘러싸도록 상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임 상에 배치되고, 상면과 반사 측벽을 포함하는 반사부; 및
    상기 반사부의 상면, 상기 제1 리드 프레임, 및 상기 제2 리드 프레임 상에 배치되는 하단부, 및 상기 하단부 상에 배치되고 상기 하단부의 직경보다 작은 직경을 갖는 상단부를 포함하는 광 투과부를 포함하고,
    상기 상단부의 측면은 상기 반사 측벽과 수직 방향으로 중첩되고,
    상기 하단부의 상면은 상기 반사부의 상면보다 높게 위치하고,
    상기 상단부와 상기 하단부는 수평 방향으로 단차가 존재하고,
    상기 상단부와 상기 하단부 사이의 상기 단차는 0.2mm ~ 0.5mm이고,
    상기 하단부의 상면을 기준으로 상기 상단부의 측면이 기울어진 각도는 15° ~ 50°이고,
    상기 반사부의 상면으로부터 상기 상단부의 상면까지의 높이는 0.3mm ~ 1.5mm인 발광 소자 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 상단부의 측면은 상기 하단부의 상면의 가장자리로부터 이격되는 발광 소자 패키지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 상단부의 중심은 상기 하단부의 중심에 정렬되는 발광 소자 패키지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 상단부의 형상은 원통형 또는 육면체인 발광 소자 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 상단부의 측면과 상기 상단부의 상면이 만나는 모서리 부분은 곡면인 발광 소자 패키지.
  6. 제1항에 있어서, 상기 상단부는,
    수직 방향으로 적층되는 복수의 부분들을 포함하며,
    상기 복수의 부분들은 수직 방향으로 갈수록 직경이 감소하는 발광 소자 패키지.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 복수의 부분들 중 인접하는 2개의 부분들 사이에는 수평 방향으로 단차가 존재하는 발광 소자 패키지.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 복수의 부분들 각각의 중심은 상기 하단부의 중심에 정렬되는 발광 소자 패키지.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 복수의 부분들 각각은 제1 측면과 제1 상면을 포함하고,
    상기 제1 측면과 상기 제1 상면이 만나는 모서리 부분은 곡면인 발광 소자 패키지.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 복수의 부분들 중 인접하는 2개의 부분들 사이의 단차는 0.2mm ~ 0.5mm이고, 상기 하단부의 상면을 기준으로 상기 복수의 부분들 각각의 측면이 기울어진 각도는 15° ~ 50°인 발광 소자 패키지.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9437793B2 (en) * 2014-02-21 2016-09-06 Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. Package support, fabrication method and LED package
USD778848S1 (en) * 2015-04-07 2017-02-14 Cree, Inc. Solid state light emitter component
JP6118437B1 (ja) * 2015-12-21 2017-04-19 ルーメンス カンパニー リミテッド Ｌｅｄモジュール
JP1566953S (ko) * 2016-04-28 2017-01-16
CN108533981A (zh) * 2017-03-02 2018-09-14 展晶科技(深圳)有限公司 发光元件
US10020426B1 (en) 2017-04-10 2018-07-10 Advanced Optoelectronic Technology, Inc Light emitting device
JP7257247B2 (ja) * 2019-05-16 2023-04-13 スタンレー電気株式会社 発光装置
JP7300089B2 (ja) * 2019-10-08 2023-06-29 日本電気硝子株式会社 保護キャップ、発光装置および保護キャップの製造方法
US11119862B2 (en) 2019-10-11 2021-09-14 Seagate Technology Llc Delta information volumes to enable chained replication of data by uploading snapshots of data to cloud
CN113302757B (zh) 2021-03-03 2023-12-05 泉州三安半导体科技有限公司 Led封装器件及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004186092A (ja) 2002-12-05 2004-07-02 Omron Corp 発光光源、発光光源アレイ及び当該発光光源を用いた機器
JP2005277139A (ja) 2004-03-25 2005-10-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置
US20130037837A1 (en) 2011-08-08 2013-02-14 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Miniature leadless surface mount lamp with dome and reflector cup

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2632462A1 (de) * 1976-07-19 1978-01-26 Siemens Ag Leuchtdiode
JP3789747B2 (ja) * 2000-11-15 2006-06-28 三洋電機株式会社 発光装置の製造方法
JP2006012918A (ja) * 2004-06-22 2006-01-12 Harison Toshiba Lighting Corp 発光装置
TWI277223B (en) * 2004-11-03 2007-03-21 Chen-Lun Hsingchen A low thermal resistance LED package
JP2007042749A (ja) * 2005-08-01 2007-02-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置とこれを用いた表示装置及び照明装置、並びに発光装置の製造方法
KR20070033801A (ko) 2005-09-22 2007-03-27 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
JP4965858B2 (ja) * 2005-12-26 2012-07-04 株式会社東芝 レンズ付発光ダイオード装置
KR100819883B1 (ko) 2006-02-17 2008-04-07 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR100820529B1 (ko) * 2006-05-11 2008-04-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 그 제조방법, 면 발광 장치
EP2843716A3 (en) * 2006-11-15 2015-04-29 The Regents of The University of California Textured phosphor conversion layer light emitting diode
DE102009018088A1 (de) * 2008-04-30 2009-12-24 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh Modul zur Homogenisierung von Licht, das von einer Festkörper-Lichtquelle (z.B. einer LED) emittiert wird
JP2010171379A (ja) * 2008-12-25 2010-08-05 Seiko Instruments Inc 発光デバイス
JP2010182809A (ja) * 2009-02-04 2010-08-19 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2011009143A (ja) 2009-06-29 2011-01-13 Sony Corp 照明装置およびバックライト
EP2450613B1 (en) * 2010-11-08 2015-01-28 LG Innotek Co., Ltd. Lighting device
US9144118B2 (en) * 2011-01-20 2015-09-22 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device, lighting device, display device, and method for manufacturing light-emitting device
KR20120084526A (ko) 2011-01-20 2012-07-30 삼성엘이디 주식회사 발광소자 패키지

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004186092A (ja) 2002-12-05 2004-07-02 Omron Corp 発光光源、発光光源アレイ及び当該発光光源を用いた機器
JP2005277139A (ja) 2004-03-25 2005-10-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置
US20130037837A1 (en) 2011-08-08 2013-02-14 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Miniature leadless surface mount lamp with dome and reflector cup

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