TWI676768B - 發光單元 - Google Patents

Abstract

一種發光單元包含：反射結構、透光體及發光晶片。反射結構具有凹槽，反射結構對應於凹槽形成有一側開口及一底開口，側開口及底開口彼此相鄰，凹槽的寬度朝所述側開口方向擴展。透光體填充設置於凹槽中，透光體對應於側開口形成有一出光面，透光體對應於底開口形成有一電極暴露面。發光晶片部份設置於透光體中，發光晶片具有底面及多個發光面，底面設置有至少兩個電極部，此至少兩個電極部露出於電極暴露面。本發明的發光單元為側發光的發光單元，且透過反射結構的設計，將可提升發光晶片所發出的光束的利用率。

Description

發光單元

本發明涉及一種發光單元，特別是一種側向發光的發光單元。

常見的側向發光單元多為引腳支架類型的產品。然因使用引腳支架的緣故，其體積會大於晶片數倍，有礙於微小化發展趨勢。

另一方面，雖然近來LED業界發展出晶片級封裝技術(Chip Scale Package,CSP)，藉此技藝可使LED單元的體積可更近一步縮小。然目前CSP發光單元均為正向發光類型產品，至今尚無專為側向發光而設計的CSP發光單元問世。至此，有部分業者直接將正向發光的CSP側置來進行側向發光。然而此做法需額外製程將其電極延伸到發光單元的側面，不但耗時且徒增成本。更甚者，其產品厚度會受限於晶片寬度，無法達到薄形化之目的，非業界所欲。

本發明的主要目的在於提供一種新式的CSP發光單元，除可避免將電極延伸至側面，亦可使發光單元厚度不受限於晶片寬度。

為了實現上述目的，本發明提供一種發光單元，其包括：一反射結構、一透光體及一發光晶片。反射結構具有一凹槽，反射結構對應於凹槽形成有一側開口及一底開口，側開口及底開口彼此相鄰；形成凹槽的內側面定義為一頂面及一環側面。透光體填充設置於凹槽中，透光體於側開口形成有一出光面，透光體於底開口形成有一電極暴露面，透光體內參雜有螢光粉。發光晶片部份設置於透光體中，發光晶片具有一底面，底面設置有至少兩個電極部，此至 少兩個電極部露出於電極暴露面；發光晶片具有一底面、一頂發光面及一環發光面；透光體包覆發光晶片的部分；頂發光面對頂面的距離不小於50微米；其中，凹槽的截面寬度朝側開口方向擴展。

在一個可實施的實施例中，底面露出於電極暴露面。

在一個可實施的實施例中，電極暴露面呈半橢圓形或半圓形。

在一個可實施例的實施例中，凹槽具有一環側面，環側面的至少一部份區段呈弧面狀。

在一個可實施的實施例中，電極暴露面呈多邊形。

在一個可實施的實施例中，電極暴露面為一梯形面。

在一個可實施的實施例中，梯形面的下底邊鄰近於出光面設置。

在一個可實施的實施例中，梯形面的至少一個底角的角度介於60度至90度。

在一個可實施的實施例中，發光晶片與梯形面的腰邊的最短距離不小於10微米。

在一個可實施的實施例中，發光晶片與梯形面的上底邊的最短距離不小於50微米。

在一個可實施的實施例中，發光晶片與梯形面的下底邊的最短距離不小於50微米。

在一個可實施的實施例中，環側面對應區隔有一第一區段面、一第二區段面及一第三區段面，頂面、第一區段面、第二區段面及第三區段面中的至少一個能反射發光晶片所發出的光束，若發光晶片面對第三區段面的發光面，與第三區段面於一橫向方向的最短距離為D5，則第三區段面與出光面的夾角θ5與距離D5符合：D5

(50μm)×tan(90-θ5)的關係式。

在一個可實施的實施例中，底面與電極暴露面齊平。

在一個可實施的實施例中，發光晶片的底面凸出於電極暴露面。

本發明的有益效果可以在於：透過反射結構的設計，本發明的發光單元作為側發光的發光單元，相較於現有的利用晶片級封裝技術(Chip Scale Package,CSP)所製成的側發光單元，具有更好的發光效率。

為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而所附圖式僅提供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制者。

100‧‧‧發光單元

10‧‧‧反射結構

10a‧‧‧凹槽

10b‧‧‧側開口

10c‧‧‧底開口

101‧‧‧頂面

102‧‧‧環側面

1021、1021a‧‧‧第一區段面

1022、1021b‧‧‧第二區段面

1023、1021c‧‧‧第三區段面

1021d‧‧‧第四區段面

1021e‧‧‧第五區段面

103‧‧‧端面

20‧‧‧透光體

201‧‧‧出光面

202‧‧‧電極暴露面

2021‧‧‧上頂邊

2022‧‧‧下底邊

2023‧‧‧腰邊

30‧‧‧發光晶片

301‧‧‧底面

302‧‧‧頂發光面

303‧‧‧環發光面

3031‧‧‧第一側發光面

3032‧‧‧第二側發光面

3033‧‧‧第三側發光面

3034‧‧‧第四側發光面

31‧‧‧電極部

S‧‧‧暫時載板

D1‧‧‧寬度

D2‧‧‧寬度

D3‧‧‧距離

D4‧‧‧距離

D5‧‧‧距離

D5’‧‧‧距離

D6‧‧‧距離

D7‧‧‧厚度

θ1~θ20‧‧‧夾角

L1~L4‧‧‧距離

圖1為本發明的發光單元的第一實施例的立體示意圖。

圖2為本發明的發光單元的第一實施例的另一視角的示意圖。

圖3為本發明的發光單元的第一實施例的反射結構的示意圖。

圖4為本發明的發光單元的第一實施例的剖面側視圖。

圖5為本發明的發光單元的第一實施例的前視圖。

圖6為本發明的發光單元的第二實施例的立體示意圖。

圖7為本發明的發光單元的第二實施例的另一視角的示意圖。

圖8為本發明的發光單元的第二實施例的反射結構的示意圖。

圖9為本發明的發光單元的第二實施例的仰視圖。

圖10為本發明的發光單元的第三實施例的側面剖視圖。

圖11為本發明的發光單元的第四實施例的側面剖視圖。

圖12為本發明的發光單元的第五實施例的側面剖視圖。

圖13為本發明的發光單元的第六實施例的仰視圖。

圖14為本發明的發光單元的第七實施例的仰視圖。

圖15為本發明的發光單元的第八實施例的仰視圖。

圖16為本發明的發光單元的第九實施例的仰視圖。

圖17至圖19為本發明的發光單元的製作流程示意圖。

於以下說明中，如有指出請參閱特定圖式或是如特定圖式所示，其僅是用以強調於後續說明中，所述及的相關內容大部份出現 於該特定圖式中，但不限制該後續說明中僅可參考所述特定圖式。

請一併參閱圖1至圖5，其顯示為本發明的發光單元的第一實施例的示意圖，圖1為本發明的發光單元的立體示意圖，圖2為本發明的發光單元的另一視角的示意圖，圖3為本發明的發光單元的反射結構的示意圖，圖4為本發明的發光單元的剖面側視圖，圖5為本發明的發光單元的前視圖。

發光單元100包含一反射結構10、一透光體20及一發光晶片30。反射結構10包覆透光體20的部份，透光體20包覆發光晶片30的部份。

如圖3所示，反射結構10彼此相鄰的兩外側面分別形成有一側開口10b及一底開口10c，且反射結構10由側開口10b及底開口10c向反射結構10內部的方向凹陷，而共同形成有一凹槽10a。反射結構10形成凹槽10a的內側面定義為一頂面101及一環側面102，環側面102與頂面101的部分周緣相連接。

於本實施例中，凹槽10a是大致呈矩形立方體，而環側面102對應區隔有一第一區段面1021、一第二區段面1022及一第三區段面1023。第一區段面1021彼此相反的兩側邊分別與第二區段面1022及第三區段面1023相連接，而第一區段面1021位於第二區段面1022及第三區段面1023之間，第一區段面1021大致面對側開口10b設置。

如圖1至圖3所示，頂面101、第一區段面1021、第二區段面1022及第三區段面1023中的至少一個能反射發光晶片30所發出的光束，在實際應用中，頂面101、第一區段面1021、第二區段面1022及第三區段面1023可以是皆能反射發光晶片30所發出的光束；當然，在不同的應用中，也可以是僅有第二區段面1022及第三區段面1023能反射發光晶片30所發出的光束。

在本實施例中，是以第一區段面1021、第二區段面1022及第三區段面1023皆呈現為平面狀為例，但不以此為限，其可依據需 求變化，舉例來說，第一區段面1021、第二區段面1022及第三區段面1023中的至少一個也可以是呈現為弧面狀。

透光體20填充設置於凹槽10a中，透光體20於側開口10b形成有一出光面201，透光體20於底開口10c形成有一電極暴露面202。在實際應用中，透光體20可以是填滿凹槽10a設置，但不以此為限，透光體20也可以不完全地填滿凹槽10a設置。於此所指的透光體20可以是依據需求變化，例如可以是透明的封裝膠體、參雜有擴散粒子的封裝膠體、參雜有螢光粉的封裝膠體等，可依據需求(例如是發光晶片30的種類)變化，於此不加以限制。

如圖1及圖4所示，在實際應用中，出光面201可以是大致與反射結構10鄰近於出光面201的端面103齊平，但不以此為限，在不同的實施例中，出光面201也可以略微內縮於反射結構10中，或者出光面201也可以是略微凸出於反射結構10。其中，出光面201例如可以為平坦面，但不以此為限，在特殊的應用中，出光面201也可以為粗糙面，可借此提高光均勻度。

如圖1、圖4及圖5所示，出光面201可以是呈現為矩形狀，但不以此為限，出光面201的外型可以是依據需求變化，例如為梯形等。出光面201與電極暴露面202彼此間可以是大致垂直地設置，但出光面201與電極暴露面202彼此間的夾角θ1(如圖4所示)不以90度為限，出光面201與電極暴露面202的夾角θ1也可以是大於或是小於90度。如圖2所示，透光體20的電極暴露面202可以是一矩形面，關於矩形面的尺寸可以是依據需求變化，於此不加以限制。

如圖2至圖5所示，發光晶片30的大部份被透光體20所包覆，發光晶片30具有一底面301、一頂發光面302及一環發光面303，環發光面303連接底面301及頂發光面302的周緣，而環發光面303位於底面301及頂發光面302之間。

如圖2及圖4所示，發光晶片30的底面301可以是與電極暴露面202齊平，底面301設置有兩個電極部31，兩個電極部31凸出於底面301及電極暴露面202，兩個電極部31用來與外部電路板電性連接，而發光晶片30則能通過電極部31取得電力及接收來自外部的控制訊號。關於發光晶片30的種類於此不加以限制，可以是依據需求為能發出各種不同顏色光束的發光晶片30。

值得一提的是，在實際應用中，發光晶片30可以是從電極暴露面202置入於透光體20中，置入深度有以發光晶片30的厚度為限。即相較於將正向發光的CSP發光單元側置的做法，本案發光單元的厚度考量是以發光晶片30的厚度為基礎。如此，可更進一步薄化發光單元整體的厚度。

如圖2、圖4及圖5所示，於具體實施中，發光晶片30可以為矩形立方體結構，而環發光面303可以是對應具有四個側發光面，四個側發光面分別定義為一第一側發光面3031、一第二側發光面3032、一第三側發光面3033及一第四側發光面3034。第一側發光面3031面對出光面201設置，而發光晶片30通過第一側發光面3031所射出的光束，將能通過透光體20後直接由出光面201向外射出。

第二側發光面3032及第三側發光面3033分別與第一側發光面3031彼此相反的兩側邊連接，第四側發光面3034位於第一側發光面3031的相反側，且第四側發光面3034彼此相反的兩側邊對應與第二側發光面3032及第三側發光面3033相連接。發光晶片30通過第二側發光面3032、第三側發光面3033及第四側發光面3034所發出的大部分光束，將被反射結構10反射，而由出光面201向外射出。是以，本發明的發光單元100透過反射結構10的設計，將可大幅提升發光晶片30所發出的光束的利用率，進而提升發光單元100整體的發光強度。特別說明的是，關於發光晶片30的外型不以矩形立方體為限，其可依據需求改變。

如圖1及圖4所示，在具體的應用中，發光單元100將可透過兩個電極部31固定於外部電路板(圖未示)，發光單元100通過頂發光面302及環發光面303所發出的大部份光束通過透光體20後，將被反射結構10反射，而由透光體20的出光面201向外射出，從而發光單元100可達到側向發光的功效。

值得一提的是，如圖4及圖5所示，發光晶片30的頂發光面302、第一側發光面3031、第二側發光面3032、第三側發光面3033及第四側發光面3034，分別與頂面101、第一區段面1021、第二區段面1022及第三區段面1023的距離D6、L1、L2、L3、L4，在實際應用中可以是不小於50微米(μm)，透過上述各距離的設計，將可使發光晶片30所發出的光束具有較佳的使用效率及混光空間(特別是在透光體20中參雜有螢光粉的情況下)。

請一併參閱圖6至圖9，其顯示為本發明的發光單元的第二實施例的示意圖。如圖所示，本實施例與前述實施例最大不同之處在於：凹槽10a的截面寬度朝側開口10b方向擴展，即越接近側開口10b，其寬度越寬，藉此，可提升發光單元整體的出光效率。換言之，凹槽10a是大致呈梯形立方體。

更詳細來說，透光體20的電極暴露面202可以為一梯形面，梯形面(電極暴露面202)具有一上頂邊2021、一下底邊2022及兩個腰邊2023，上頂邊2021遠離出光面201設置，下底邊2022鄰近出光面201設置，且上頂邊2021於一橫向方向(如圖中所示X軸方向)的寬度D1小於下底邊2022於橫向方向的寬度D2，兩個腰邊2023可以是等長，而梯形面(電極暴露面202)可以為等腰梯形，但兩個腰邊2023的長度不侷限於必須等長。

上頂邊2021與兩個腰邊2023的夾角θ2、θ3是不小於90度，即，第一區段面1021與第二區段面1022、第三區段面1023的夾角θ2、θ3是不小於90度，如此，發光晶片30所發出的光束，通過透光體20而被第二區段面1022或第三區段面1023反射後，大 部分的光束將朝向出光面201的方向射出，從而可大幅提昇發光晶片30所發出的光束的利用率。在不同的應用中，第一區段面1021與第二區段面1022彼此間的夾角θ2，可以是不同於第一區段面1021與第三區段面1023彼此間的夾角θ3。

下底邊2022與兩個腰邊2023的夾角θ4、θ5(即梯形面的兩個底角)可以是小於90度，即，第二區段面1022、第三區段面1023與出光面201彼此間的夾角θ4、θ5是小於90度。在下底邊2022與兩個腰邊2023的夾角θ4、θ5為60度至90度的實施例中，將可以大幅發光晶片30所發出的光束的利用率。

特別說明的是，於本實施例中，是以電極暴露面202為梯形面為例，但電極暴露面202的外型不以此為限，電極暴露面202的外型可以依據需求為任意多邊形，例如五邊形、六邊形等。

發光晶片30與梯形面(電極暴露面202)的上頂邊2021的最短距離D3可以是不小於50微米(μm)，即，發光晶片30的第四側發光面3034與第一區段面1021的最短距離D3是不小於50微米(μm)；發光晶片30與梯形面(電極暴露面202)的下底邊2022的最短距離D4不小於50微米(μm)，即，發光晶片30的第一側發光面3031與出光面201的最短距離D4是不小於50微米(μm)；發光晶片30與梯形面(電極暴露面202)的腰邊2023的最短距離D5是不小於10微米(μm)，即，第二區段面1022與第二側發光面3032的最短距離D5或第三區段面1023與第三側發光面3033的最短距離D5是不小於10微米(μm)；頂發光面302與反射結構10的頂面101的最短距離D6不小於50微米(μm)；形成頂面101的側壁的最小厚度D7不小於50微米(μm)(如圖4及圖5所示)。透過上述各距離的設計，將可使發光晶片30所發出的光束具有較佳的使用效率及混光空間(在透光體中參雜有螢光粉的情況下)。其中，第二區段面1022與第二側發光面3032的最短距離D5’，及第三區段面1023與第三側發光面3033的最短距離D5是不小於10微米(μm)， 兩個距離D5’、D5可以是相同或是不同，於此不加以限制。

如圖9所示，在第二區段面1022與出光面201的夾角θ4與及第三區段面1023與出光面201的夾角θ5相同的實施例中，若第一區段面1021於橫向方向(如圖中所示X軸方向)的寬度定義為D1，出光面201於橫向方向的寬度定義為D2，發光晶片30面對第二區段面1022(或第三區段面1023)的第二側發光面3032(或第三側發光面3033)於縱向方向(如圖中所示Y軸方向)的寬度定義為W；若第二區段面1022與出光面201的夾角θ4、第一區段面1021於橫向方向的寬度D1及出光面201於橫向方向的寬度D2符合以下關係式，則發光晶片30所發出的光束，將可具有最佳的使用效率。

如上述假設(夾角θ5與夾角θ4相等)，若發光晶片30面對第三區段面1023的第三側發光面3033，與第三區段面1023於橫向方向的最短距離定義為D5；其中，第三區段面1023與出光面201的夾角θ5與距離D5，符合以下關係式：D5

(50μm)×tan(90-θ5)。

請參閱圖10，其顯示為本發明的發光單元的第三實施例的剖面側視圖。本實施例與前述實施例最大不同之處在於：第一區段面1021與電極暴露面202的夾角θ6可以是大於90度，亦即，第一區段面1021與鉛直線(如圖中所示Y軸)之間是形成有一夾角θ7；在實際應用中，第一區段面1021與鉛直線之間所形成的夾角θ7是小於5度。本實施例通過上述不同之處的設計，可以使通過第四側發光面3034射出的光束，更容易地被第一區段面1021反射，而朝向出光面201的方向射出，進而可提升發光晶片30所發出的光束的使用率。

特別說明的是，請一併參閱圖2、圖7及圖9，在實際應用中，透過改變凹槽10a的外型，將可據以改變發光單元整體的出光量；舉例來說，在實際的量測數據中，假設圖1所示的發光單元其整體的出光量為1單位，則在圖9所示的實施例中，若腰邊2023與下底邊2022的夾角θ4、θ5皆為75度時，則發光單元整體的出光量將為1.02單位；在圖6所示的實施例中，若腰邊2023與下底邊2022的夾角θ4、θ5皆為60度時，則發光單元整體的出光量將為1.12單位。

請參閱圖11，其顯示為本發明的發光單元的第四實施例的剖面側視圖。本實施例與前述第三實施例最大不同之處在於：頂面101與水平線(如圖中所示X軸)之間可以是形成有一夾角θ8，夾角θ8可以是依據需求設計，以使通過頂發光面302所發出的部分光束能通過頂面101的反射而朝向出光面201的方向向外射出(即避免朝內射入的現象產生)。特別說明的是，在不同的應用中，也可以是第一區段面1021與電極暴露面202垂直地設置。

請參閱圖12，其為本發明的發光單元100的第五實施例的剖面側視圖。本實施例與前述實施例最大不同之處在於：發光晶片30的底面也可以是與兩個電極部31一同凸出於電極暴露面202設置，如此，用來使電極部31固定於外部電路板(圖未示)上的銲料的部份，將可以容置於電極部31、外部電路板及透光體20之間，從而可加強電極部31固定於電路板的連接強度，同時可以減少迴焊時發光元件滑移的程度。

請參閱圖13，其顯示為本發明的發光單元的第六實施例的仰視圖。如圖所示，本實施例與前述實施例最大不同之處在於：環側面102可以是一連續曲面，而電極暴露面202可以為半圓形面。在實際應用中，電極暴露面202可以是正半圓形面、非正半圓形面、正半橢圓形面、非正半橢圓形面等，於此不加以限制。

請參閱圖14，其顯示為本發明的發光單元的第七實施例的仰 視圖。如圖所示，本實施例與前述實施例最大不同之處在於：第一區段面1021呈平面狀，而第二區段面1022及第三區段面1023為弧面狀；亦即，環側面102的部分區段可以為弧面狀，而環側面102的另一部分則可以是為平面狀。關於第二區段面1022及第三區段面1023的曲率可以是依據需求變化，且第二區段面1022的曲率可以是與第三區段面1023的曲率相同或是不相同，於此不加以限制。其中，第一區段面1021於橫向方向(即圖中所示座標系的X軸方向)的長度與發光晶片30的第四側發光面3034於橫向方向的長度，可以是依據需求變化，於此不加以限制。在第一區段面1021於橫向方向的長度小於發光晶片30的第四側發光面3034的長度的實施例中，通過第四側發光面3034向外射出的部分光束，將直接被第二區段面1022或第三區段面1023反射，而朝向出光面201的方向射出。

請參閱圖15，其顯示為本發明的發光單元100的第八實施例的仰視圖。如圖所示，本實施例與前述實施例最大不同之處在於：電極暴露面202為五邊形面，而環側面102可對應區隔為一第一區段面1021a、一第二區段面1021b、一第三區段面1021c及一第四區段面1021d。第一區段面1021a的一側邊與第二區段面1021b的一側邊相連接，第一區段面1021a及第二區段面1021b遠離出光面201設置，第一區段面1021a遠離與第二區段面1021b相連接的一側邊與第三區段面1021c相連接，第二區段面1021b遠離與第一區段面1021a相連接的一側邊與第四區段面1021d相連接。

第一區段面1021a、第二區段面1021b、第三區段面1021c及第四區段面1021d在本實施例圖式中，皆是以平面狀為例，但不以此為限，在不同的應用中，第一區段面1021a、第二區段面1021b、第三區段面1021c及第四區段面1021d的其中至少一個可以是依據需求為弧面。關於第一區段面1021a與第二區段面1021b彼此間所形成的夾角θ10可以依據需求為鈍角或銳角。第一區段面 1021a與第三區段面1021c彼此間的夾角θ11則可以是不小於90度，第二區段面1021b與第四區段面1021d彼此間的夾角θ12同樣可以是不小於90度，第三區段面1021c與出光面201的夾角θ13則可以是不大於90度，第四區段面1021d與出光面201的夾角θ14同樣可以是不大於90度。

請參閱圖16，其為本發明的發光單元100的第九實施例的示意圖。如圖所示，本實施例與前述實施例最大不同之處在於：電極暴露面202可以為六邊形面。環側面102可以對應區隔為一第一區段面1021a、一第二區段面1022b、一第三區段面1023c、一第四區段面1021d及一第五區段面1021e。第一區段面1021a面對第四側發光面3034設置，第二區段面1021b及第三區段面1021c分別與第一區段面1021a彼此相反的兩側邊相連接，第四區段面1021d與第二區段面1021b相反於與第一區段面1021a相連接的側邊相連接，第五區段面1021e則與第三區段面1021c相反於與第一區段面1021a相連接的側邊相連接。

如圖所示，在實際應用中，第一區段面1021a與第二區段面1021b或第三區段面1021c彼此間的夾角θ15、θ16可以是大於90度，第二區段面1021b與第四區段面1021d彼此間的夾角θ17是大於90度，第三區段面1021c與第五區段面1021e彼此間的夾角θ18是大於90度，而第四區段面1021d與出光面201的夾角θ19則是不大於90度，第五區段面1021e與出光面201的夾角θ20同樣是不大於90度。

請一併參閱圖17至圖19，其顯示為本發明的發光單元的製作流程示意圖。如圖17所示，製作發光單元100的第一步驟可以為：將多個發光晶片30固定設置於一暫時載板S。關於發光晶片30的數量、彼此相鄰的兩個發光晶片30的間距等，可依據需求設計，於此不加以限制。

如圖18所示，製作發光單元100的第二步驟可以為：於暫時 載板S上形成多個透光體20，並使多個透光體20對應包覆多個發光晶片30。在具體的應用中，可以是利用模具，於暫時載板S上直接模塑形成多個透光體20。亦可於發光晶片30上形成一連續的透光層，隨後以模具沖壓或刀具切割形成多個透光體20。另外於本實施例中，是以多個透光體20皆呈現為梯形立方體為例，但各個透光體20的外型不以此為限，例如可以是前述各實施例所述及的外型；另外，在不同的應用中，於此第二步驟中，也可以是使部分的透光體20具有相同的外型，而使另一部分的透光體20具有不相同的外型，亦即，於第二步驟中不侷限為同時形成多個具有相同外型的透光體20。

如圖19所述，製作發光單元100的第三步驟可以為：於暫時載板S上形成多個反射結構10，多個反射結構10對應包覆多個透光體20的部分，而各個透光體20大致垂直於暫時載板S的一側面(即前載實施例所述出光面201)，是不被反射結構10所包覆。於暫時載板S上形成反射結構10的方式，例如可以是利用模具直接在透光體20上形成反射結構10。亦可於透光體20上形成一連續的反射層，隨後以模具沖壓或刀具切割形成多個反射結構10。另外，關於反射結構10的外型可以是依據需求變化。於此第三步驟中，可以是同時形成多個具有相同外型的反射結構10，或者，可以是同時形成部分具有相同外型的反射結構10及部分具有不同外型的反射結構10，於此不加以限制。製作發光單元100的第四步驟可以為：切割暫時載板S以形成多個發光單元100。

綜上所述，本發明的發光單元100為一側發光的發光單元，透過反射結構10的設計，將可大幅提高發光晶片30所發出的光束的利用率。

以上所述僅為本發明的較佳可行實施例，非因此侷限本發明的專利範圍，故舉凡運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的保護範圍內。

Claims (14)

1. 一種發光單元，其包括：一反射結構，其具有一凹槽，所述反射結構對應於所述凹槽形成有一側開口及一底開口，所述側開口及所述底開口彼此相鄰；形成所述凹槽的內側面定義為一頂面及一環側面；一透光體，其填充設置於所述凹槽中，所述透光體對應於所述側開口形成有一出光面，所述透光體對應於所述底開口形成有一電極暴露面，所述透光體內參雜有螢光粉；以及一發光晶片，其部份設置於所述透光體中，所述發光晶片具有一底面，所述底面設置有至少兩個電極部，所述至少兩個電極部外露於所述電極暴露面；所述發光晶片具有一底面、一頂發光面及一環發光面；所述透光體包覆所述發光晶片的部分；所述頂發光面對所述頂面的距離不小於50微米；其中，所述凹槽的截面寬度朝所述側開口方向擴展。
2. 如請求項1所述的發光單元，其中，所述底面露出於所述電極暴露面。
3. 如請求項1所述的發光單元，其中，所述電極暴露面呈半橢圓形或半圓形。
4. 如請求項1所述的發光單元，其中，所述凹槽具有一環側面，所述環側面的至少一部份區段呈弧面狀。
5. 如請求項1所述的發光單元，其中，所述電極暴露面呈多邊形。
6. 如請求項5所述的發光單元，其中，所述電極暴露面為一梯形面。
7. 如請求項6所述的發光單元，其中，所述梯形面的下底邊鄰近於所述出光面設置。
8. 如請求項6所述的發光單元，其中，所述梯形面的至少一個底角的角度介於60度至90度。
9. 如請求項6所述的發光單元，其中，所述發光晶片與所述梯形面的腰邊的最短距離不小於10微米。
10. 如請求項6所述的發光單元，其中，所述發光晶片與所述梯形面的上底邊的最短距離不小於50微米。
11. 如請求項6所述的發光單元，其中，所述發光晶片與所述梯形面的下底邊的最短距離不小於50微米。
12. 如請求項6所述的發光單元，其中，所述環側面區隔有一第一區段面、一第二區段面及一第三區段面，所述頂面、所述第一區段面、所述第二區段面及所述第三區段面中的至少一個能反射所述發光晶片所發出的光束，所述發光晶片面對所述第三區段面的發光面，與所述第三區段面於一橫向方向的最短距離為D5，則所述第三區段面與所述出光面的夾角θ5與距離D5符合：D5(50μm)×tan(90-θ5)的關係式。
13. 如請求項1所述的發光單元，其中，所述底面與所述電極暴露面面齊平。
14. 如請求項1所述的發光單元，其中，所述底面凸出於所述電極暴露面。