TWI533062B - 光源模組、其製造方法以及包含上述的背光單元 - Google Patents

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Description

光源模組、其製造方法以及包含上述的背光單元 【相關申請案的交叉參考】
本申請案主張2013年9月26日申請的韓國專利申請案第10-2013-0114736號以及2014年9月16日申請的韓國專利申請案第10-2014-0123053號的優先權及權益，所述申請案特此出於所有目的如同完全闡述於本文中一般以引用方式併入本文中。
本發明是關於光源模組、其製造方法以及包含所述光源模組的背光單元，且更特定言之，是關於具有優良發光效率的光源模組、其製造方法以及包含所述光源模組的纖薄背光單元。
一般而言，背光單元廣泛用於將光提供至顯示元件，諸如，液晶顯示器(liquid crystal display,LCD)元件或表面發光元件。
提供至LCD元件的背光單元取決於發光元件的位置而主 要劃分為直射型以及邊射型。
直射型背光單元已主要與20英寸或20英寸以上的大螢幕LCD一起開發，且特徵在於，安置於擴散板之下的多個光源直接朝向LCD面板的前表面發射光。此等直射型背光單元由於具有比邊射型背光單元高的發光效率而主要用於需要高明度的大螢幕LCD元件。
邊射型背光單元用於相對小型的LCD元件(諸如，膝上型電腦以及桌上型電腦的監視器)，且具有優良的光均一性、長使用壽命，且由於纖薄而具有適用於LCD元件中的優點。
圖1為典型發光二極體(light emitting diode,LED)封裝以及包含所述LED封裝的背光單元的剖視圖。參看圖1，在先前技術中，LED封裝10安裝於背光單元的側表面上。在此狀況下，由於對應於LED封裝的寬度的高度，背光單元的纖薄性受到限制。
當LED封裝具有減小的寬度以克服此限制時，電流散佈降低LED封裝的效率。因此，雖然如上所述由於LED封裝而在實現背光單元的纖薄性方面受到限制，但使用者仍需要較纖薄的背光單元。因此，需要包含新穎LED封裝的邊射型背光單元。
本發明旨在提供藉由與光導板並排安裝發光二極體(LED)晶片而實施的邊射型纖薄背光單元。
此外，本發明旨在提供光源模組、其製造方法以及包含 所述光源模組的背光單元，其中藉由在面向所述光導板的LED晶片的側表面上形成波長轉換層，接著在除所述LED晶片的所述側表面之外的所述LED晶片的區域上形成反射體，而使光出射路徑朝向所述光導板，藉此在所述LED晶片與所述光導板並排安裝時，提高所述LED晶片的發光效率。
此外，本發明旨在提供光源模組、其製造方法以及包含所述光源模組的背光單元，其中包含反射性材料的底填料形成於LED晶片與基板之間以防止自所述LED晶片產生的光經由除指定的光出射面之外的其他面發射且將光集中於光出射面上，藉此提高發光效率。
此外，本發明旨在提供光源模組、其製造方法以及包含所述光源模組的背光單元，其中底填料經形成以使得反射性材料未塗佈至光出射面上，藉此自光出射路徑移除障礙且減小LED晶片與光導板之間的距離以提高發光效率。
根據本發明的一個態樣，一種光源模組包含：發光二極體(LED)晶片，經由其下表面而電連接至基板，且包含形成於其一個側表面上的光出射面，以使得所述LED晶片的光經由所述光出射面而發射；波長轉換層，形成於所述LED晶片上且封閉至少所述LED晶片的所述光出射面；以及反射體，形成於除所述光出射面之外的所述LED晶片的區域上。
所述光源模組可更包含介入於所述基板與所述LED晶片之間且包含反射性材料的底填料。
所述反射性材料可包含選自由以下各者組成的群組的一種材料：TiO2、SiO2、ZrO2、PbCO3、PbO、Al2O3、ZnO、Sb2O3及其組合。
所述底填料可包含螢光材料。
所述LED晶片可藉由覆晶接合或表面安裝技術(SMT)而安裝於所述基板上。
所述LED晶片可包含：第一半導體層，以第一導電類型雜質摻雜；主動層，形成於所述第一半導體層之下；第二半導體層，以第二導電類型雜質摻雜且形成於所述主動層之下；第一電極，電連接至所述第一半導體層；第二電極，電連接至所述第二半導體層；第一電極襯墊，電連接至所述第一電極；以及第二電極襯墊，電連接至所述第二電極，其中所述LED晶片可經由所述第一電極襯墊以及所述第二電極襯墊而電連接至所述基板。
根據本發明的另一態樣，一種背光單元包含：光導板；以及光源模組，設置於所述光導板的至少一側上且發射光，其中所述光源模組包含：發光二極體(LED)晶片，經由其下表面而電連接至基板，且包含形成於其一個側表面上的光出射面，以使得所述LED晶片的光經由所述光出射面而發射；波長轉換層，形成於所述LED晶片上且封閉至少所述LED晶片的所述光出射面；以及反射體，形成於除所述光出射面之外的所述LED晶片的區域上。
所述光源模組可更包含介入於所述基板與所述LED晶片 之間且包含反射性材料的底填料。
所述底填料可包含螢光材料。
所述LED晶片可藉由覆晶接合或表面安裝技術(SMT)而安裝於所述基板上。
根據本發明的另一態樣，一種製造光源模組的方法包含：製造發光二極體(LED)晶片，所述LED晶片包含形成於其一個側表面上的光出射面，以使得所述LED晶片的光經由所述光出射面而發射；在所述LED晶片上形成波長轉換層，以封閉至少所述LED晶片的所述光出射面；以及在除所述光出射面之外的所述LED晶片的區域上形成反射體。
形成所述反射體可包含：在所述LED晶片的上表面以及側表面上形成所述反射體；以及當所述反射體形成於所述光出射面上時，藉由自對應於所述光出射面的區域移除所述反射體而暴露所述波長轉換層。
暴露所述波長轉換層可包含藉由高速切割而自對應於所述光出射面的所述區域移除所述反射體。
所述方法可更包含在形成所述反射體之後在所述基板與所述LED晶片之間形成包含反射性材料的底填料。
形成所述底填料可包含：形成設置於所述基板上以鄰接所述LED晶片的所述光出射面的屏障；將所述底填料注入至所述基板與所述LED晶片之間的區域中；以及在形成所述底填料之後移除所述屏障。
所述方法可更包含將所述LED晶片電連接至基板，其中所述LED晶片可藉由覆晶接合或表面安裝技術(SMT)而安裝於所述基板上。
製造所述LED晶片可包含：形成以第一導電類型雜質摻雜的第一半導體層；在所述第一半導體層之下形成主動層；在所述主動層之下形成以第二導電類型雜質摻雜的第二半導體層；形成電連接至所述第一半導體層的第一電極；形成電連接至所述第二半導體層的第二電極；形成電連接至所述第一電極的第一襯墊；以及形成電連接至所述第二電極的第二襯墊。
根據本發明的實施例，LED晶片與光導板並排安裝，藉此提供邊射型纖薄背光單元。
此外，根據本發明的實施例，藉由在面向光導板的LED晶片的側表面上形成波長轉換層，接著在除所述LED晶片的所述側表面之外的所述LED晶片的區域上形成反射體，而使光出射路徑朝向所述光導板，藉此在所述LED晶片與所述光導板並排安裝時，提高所述LED晶片的發光效率。
此外，根據本發明的實施例，包含反射性材料的底填料形成於LED晶片與基板之間以防止自所述LED晶片產生的光經由除指定的光出射面之外的所述LED晶片的其他面發射且將光集中於光出射面上，藉此提高發光效率。
此外，根據本發明的實施例，底填料經形成以使得反射性材料未塗佈至光出射面上，藉此自光出射路徑移除障礙且減小 LED晶片與光導板之間的距離以提高發光效率。
10‧‧‧LED封裝
23‧‧‧第一半導體層
25‧‧‧主動層
27‧‧‧第二半導體層
28‧‧‧反射性層
29‧‧‧阻障層
30‧‧‧反射性電極
31‧‧‧下方絕緣層
33‧‧‧電流散佈層
35‧‧‧上方絕緣層
37a‧‧‧第一電極襯墊
37b‧‧‧第二電極襯墊
100‧‧‧光源模組
110‧‧‧LED晶片
111‧‧‧基板
113‧‧‧半導體堆疊
120‧‧‧波長轉換層
130‧‧‧反射體
140‧‧‧基板
141a‧‧‧基板襯墊
141b‧‧‧基板襯墊
150a‧‧‧凸塊
150b‧‧‧凸塊
170‧‧‧屏障
200‧‧‧底填料
230‧‧‧光學薄片
240‧‧‧框架
250‧‧‧光導板
260‧‧‧反射性薄片
270‧‧‧下蓋
280‧‧‧頂蓋
BLU‧‧‧背光單元
DP‧‧‧顯示面板
EA‧‧‧光出射面
FS‧‧‧彩色濾光片基板
M‧‧‧台面
SS‧‧‧薄膜電晶體基板
結合附圖，自以下實施例的詳細描述，本發明的上述及其他態樣、特徵以及優點將變得顯而易見。
圖1為先前技術中的發光二極體封裝以及包含所述發光二極體封裝的背光單元的剖視圖。
圖2至圖5為根據本發明的實施例的光源模組的剖視圖。
圖6(a)為圖2至圖5所示的LED晶片的平面圖。
圖6(b)為沿著圖6(a)所示的線I-I'截取的LED晶片的剖視圖。
圖7為根據本發明的一個實施例的包含背光單元的顯示元件的分解透視圖。
圖8為沿著圖7所示的線II-II'截取的顯示元件的剖視圖。
圖9至圖11展示根據本發明的一個實施例的光源模組的製造程序。
在下文中，將參看附圖來詳細描述本發明的例示性實施例。以舉例方式提供以下實施例以便將本發明的精神全面地傳達給熟習此項技術者。因此，本發明不限於本文中所揭露的實施例且亦可按照不同形式實施。此外，可在圖式中誇示部件的形狀。在本說明書全文中，類似參考數字表示具有相同或相似功能的類 似部件。落入本文的精神及範疇內的部件的修改不包含限制性含義，是為了清楚表示本發明的精神而提供，且可僅受隨附申請專利範圍限制。
下文中，將參看附圖來具體描述本發明的實施例，以使得熟習本發明所屬技術者可容易進行本發明。
圖2至圖5為根據本發明的例示性實施例的光源模組的剖視圖。參看圖2至圖5，根據本發明的一個例示性實施例的光源模組100包含發光二極體(LED)晶片110、波長轉換層120以及反射體130。
LED晶片110包含生長基板111以及半導體堆疊113。LED晶片110可藉由直接覆晶接合或表面安裝技術(SMT)而電連接至基板140。暴露於LED晶片110的下表面上的電極襯墊37a、37b分別經由凸塊150a、150b而電連接至基板襯墊141a、141b。因為光源模組100不使用導線，所以不需要模組組件來保護導線，且不需要移除波長轉換層120的部分來暴露接合襯墊。因此，相比使用接合導線的LED晶片，覆晶型LED晶片110展現較小的顏色偏差以及明度不均一性。此亦使得有可能簡化模組製造程序。
波長轉換層120覆蓋LED晶片110。LED晶片110包含藉以發射光的側表面，即，光出射面EA。波長轉換層120可封閉至少光出射面EA且亦可封閉LED晶片110的上表面以及側表面。亦即，波長轉換層可僅形成於LED晶片110的光出射面EA 上，或LED晶片110的光出射面EA、上表面以及一些側表面上。或者，波長轉換層亦可形成於LED晶片110的上表面以及所有側表面(包含光出射面EA)上。此外，波長轉換層120可由能夠轉換自LED晶片110發射的光的波長的螢光材料形成。波長轉換層120可塗佈至LED晶片110上達預定厚度，以覆蓋LED晶片110的上表面以及側表面。當波長轉換層120覆蓋LED晶片的上表面以及側表面時，覆蓋上表面的區域的厚度可與覆蓋側表面的區域的厚度相同或不同。此外，覆蓋光出射面EA的區域可具有與覆蓋上表面以及除光出射面EA之外的側表面的區域的厚度不同的厚度。
反射體130形成於除光出射面EA之外的LED晶片110的區域上。此時，反射體130可直接形成於LED晶片110上或介入於兩者之間的另一部件上。亦即，根據各種實施例，反射體130可如圖2所示直接形成於LED晶片110上，或如圖3及圖4所示形成於LED晶片110上所形成的波長轉換層120上。
反射體130用於朝向光出射面EA反射光。亦即，形成於除光出射面EA之外的LED晶片110的區域上的反射體用於朝向光出射面EA導引光，以便經由所述光出射面EA發射光。
基板140包含電連接至LED晶片110的基板襯墊141a、141b。凸塊150a、150b分別設置於基板襯墊141a、141b上。雖然不受特定限制，但基板140可為(例如)有利於散熱的金屬印刷電路板(PCB)。基板140可為具有長軸及短軸的杆型基板。
底填料200介入於LED晶片110與基板140之間。底填料200用於反射自LED晶片110產生的光，藉此提高發光效率。此外，底填料200用於防止LED晶片110與基板140之間的濕氣滲入。底填料200包含反射性材料。舉例而言，底填料200可包含樹脂以及樹脂內的反射性材料。反射性材料可包含選自以下各者的材料：TiO2、SiO2、ZrO2、PbCO3、PbO、Al2O3、ZnO、Sb2O3及其組合。底填料200形成為直至與被界定為光出射面EA的LED晶片110的一個表面對準的區域為止。雖然不受特定限制，但底填料200可藉由施配而形成。底填料200可更包含螢光材料(未圖示)。底填料200可具有預定黏著強度。
因此，光源模組100可使用反射體130以及底填料200而將光集中於其側表面(光出射面EA)上，同時將光損耗最小化，藉此將發光效率最大化。
此外，LED晶片110藉由直接覆晶接合或SMT而電連接至基板140，藉此，與使用導線的封裝型的典型光源模組相比，光源模組100可實現高效率及緊湊性，此外，可將光源模組100製造為比安裝於光導板的側表面上的典型封裝型光源模組纖薄。
將參看圖6(a)及圖6(b)更詳細地描述LED晶片110的結構。圖6(a)為圖5所示的LED晶片的平面圖，且圖6(b)為沿著圖6(a)所示的線I-I'截取的LED晶片的剖視圖。參看圖6(a)及圖6(b)，根據本發明的發光二極體(LED)晶片可包含生長基板111以及半導體堆疊113。
半導體堆疊113包含：第一半導體層23，形成於生長基板111上且以第一導電類型雜質摻雜；以及台面M，在第一半導體層23上彼此分離。台面M中的每一者包含：主動層25；以及第二半導體層27，以第二導電類型雜質摻雜。主動層25介入於第一半導體層23與第二半導體層27之間。反射性電極30分別設置於台面M上。
台面M可具有細長形狀且如圖所示在一個方向上彼此平行地延伸。此形狀使得在生長基板111的晶片區域上形成相同形狀的台面M是簡單的。
雖然反射性電極30可在台面M形成之後形成於各別台面M上，但本發明不限於此。或者，在台面M的形成之前且在第二半導體層27的生長之後，反射性電極30可預先形成於第二半導體層27上。反射性電極30覆蓋實質上台面M的所有上表面且具有實質上與台面M的平面的形狀相同的形狀。
反射性電極30包含反射性層28且可更包含阻障層29。阻障層29可覆蓋反射性層28的上表面以及側表面。舉例而言，藉由形成反射性層28的圖案，接著在圖案上形成阻障層29，阻障層29可形成為覆蓋反射性層28的上表面以及側表面。舉例而言，可藉由沉積Ag、Ag合金、Ni/Ag、NiZn/Ag或TiO/Ag，接著圖案化，而形成反射性層28。阻障層29可由Ni、Cr、Ti、Pt、Rd、Ru、W、Mo、TiW或其複合層形成，且防止金屬材料在反射性層中的擴散或污染。
在台面M形成之後，第一半導體層23的邊緣亦可經受蝕刻。因此，可暴露基板111的上表面。亦可形成第一半導體層23的側表面。
根據本發明的LED晶片更包含下方絕緣層31以覆蓋台面M以及第一半導體層23。下方絕緣層31在其特定區域中具有開口以允許電連接至第一半導體層23以及第二半導體層27。舉例而言，下方絕緣層31可具有暴露第一半導體層23的開口以及暴露反射性電極30的開口。
開口可設置於台面M之間且接近基板111的邊緣，且可具有沿著台面M延伸的細長形狀。此外，開口可限制性地設置於台面M上以偏向台面的相同末端。
根據本發明的LED晶片更包含形成於下方絕緣層31上的電流散佈層33。電流散佈層33覆蓋台面M以及第一半導體層23。電流散佈層33具有設置於各別台面M上方的開口，以使得反射性電極經由所述開口而暴露。電流散佈層33可經由下方絕緣層31的開口而與第一半導體層23形成歐姆接觸。電流散佈層33藉由下方絕緣層31而與台面M以及反射性電極30電絕緣。
電流散佈層33的開口具有比下方絕緣層31的面積大的面積，以便防止電流散佈層33接觸反射性電極30。
電流散佈層33形成於其開口之外的基板111的實質上整個上方區域上方。因此，電流可容易經由電流散佈層33而分散。電流散佈層33可包含高反射性金屬層，諸如，Al層，且高反射性 金屬層可形成於接合層(諸如，Ti、Cr、Ni層或其類似者)上。此外，具有Ni、Cr或Au的單層或複合層結構的保護層可形成高反射性金屬層上。電流散佈層33可具有(例如)Ti/Al/Ti/Ni/Au的多層結構。
LED晶片更包含形成於電流散佈層33上的上方絕緣層35。上方絕緣層35具有暴露電流散佈層33的開口以及暴露反射性電極30的開口。上方絕緣層35可使用氧化物絕緣層、氮化物絕緣層、此等絕緣層的混合層或交替堆疊、或聚合物(諸如，聚醯亞胺、鐵氟龍、聚對二甲苯或其類似者)而形成。
第一電極襯墊37a以及第二電極襯墊37b形成於上方絕緣層35上。第一電極襯墊37a經由上方絕緣層35的開口而連接至電流散佈層33，且第二電極襯墊37b經由上方絕緣層35的開口而連接至反射性電極30。第一電極襯墊37a以及第二電極襯墊37b可用作用於將LED晶片安裝於電路板上的凸塊的連接的襯墊或用於SMT的襯墊。
第一電極襯墊37a以及第二電極襯墊37b可藉由同一製程(例如，藉由光微影及蝕刻，或藉由剝離技術)而同時形成。第一電極襯墊37a以及第二電極襯墊37b可包含由(例如)Ti、Cr、Ni或其類似者形成的接合層以及由Ag、Au及其類似者形成的高導電金屬層。第一電極襯墊37a以及第二電極襯墊37b可經形成以使得其末端設置於同一平面上，且LED晶片可因此藉由覆晶接合而接合至在基板上形成於同一高度處的導電圖案。
LED晶片藉由將生長基板111劃分為個別LED晶片單元而完整地製造。亦可在劃分為個別LED晶片單元之前或之後自LED晶片移除生長基板111。
因此，與封裝型的典型發光元件相比，藉由覆晶接合而直接接合至基板的根據本發明的LED晶片具有實現高效率及緊湊性的優點。
圖7為根據本發明的一個實施例的包含背光單元的顯示元件的分解透視圖，且圖8為沿著圖7所示的線II-II'截取的顯示元件的剖視圖。
參看圖7及圖8，顯示元件包含：顯示面板DP，用於顯示影像；背光單元BLU，安置於顯示面板DP的後側處且發射光；框架240，支撐顯示面板DP且收納背光單元BLU；以及頂蓋280，圍繞顯示面板DP。
顯示面板DP包含彩色濾光片基板FS以及薄膜電晶體(TFT)基板SS，其彼此組裝以面向彼此，同時維持均一胞元間隙。取決於其類型，顯示面板DP可更包含位於彩色濾光片基板FS與薄膜電晶體基板SS之間的液晶層。
雖然未詳細展示，但薄膜電晶體基板SS包含彼此交叉以在兩者之間界定像素的閘極線及資料線，以及設置於其之間的每一交叉區域中且以一對一的對應關係連接至像素中的每一者中所安裝的像素電極的薄膜電晶體。彩色濾光片基板FS包含對應於各別像素的R、G及B彩色濾光片、沿著基板的周邊而安置且屏蔽 閘極線、資料線以及薄膜電晶體的黑色矩陣，以及覆蓋所有此等組件的共同電極。此處，共同電極可形成於薄膜電晶體基板SS上。
背光單元BLU將光供應至顯示面板DP，且包含：下蓋270，在其上側處部分開放；光源模組100，在下蓋270內安置於一側上；以及光導板250，平行於光源模組100而安置以將點光轉換為表面光。在先前技術中，光源模組100通常安置於下蓋270的內側表面上。在此狀況下，由於光源模組100的寬度，在減小背光單元或包含背光單元的顯示面板的高度方面存在限制。根據本發明，光源模組100在下蓋270內設置於底表面上，藉此使得背光單元或包含背光單元的顯示面板比先前技術中的背光單元或包含背光單元的顯示面板纖薄。根據描述，在下蓋270內設置於底表面上的光源模組100可被說明為平行於光導板250而安置。
此外，根據本發明的背光單元BLU更包含：光學薄片230，設置於光導板250上以擴散及收集光；以及反射性薄片260，設置於光導板250之下以朝向顯示面板DP反射朝向光導板250的下方部分行進的光。
本文中，將不省略光源模組100的詳細描述。參看圖5以瞭解其細節。
藉由以覆晶接合或SMT將LED晶片直接安裝於基板上，接著在基板與LED晶片之間形成包含反射性材料的底填料而製造光源模組100。因此，光源模組100有利於背光單元的纖薄性，且能夠藉由使用反射體以及底填料而將光集中於光源模組100 的一側上而使發光效率最大化，同時使光損耗最小化。
圖9至圖11展示根據本發明的例示性實施例的光源模組的製造程序。參看圖9至圖11，光源模組的製造程序包含製造LED晶片。在此操作中，首先製造LED晶片110。
可藉由在生長基板111上形成半導體堆疊113而製造LED晶片110。LED 110可在其下方部分上形成有電極襯墊37a、37b。光源模組的特徵與圖2至圖5所示的光源模組的特徵相同。因此，類似特徵由類似參考數字表示，且將關於製造程序來簡要地描述，而不提供所述特徵的詳細描述。
LED晶片的製造包含形成以第一導電類型雜質摻雜的第一半導體層、在第一半導體層之下形成主動層以及在主動層之下形成以第二導電類型雜質摻雜的第二半導體層。此後，形成第一電極以電連接至第一半導體層，形成第二電極以電連接至第二半導體，且形成第一襯墊以及第二襯墊以分別電連接至第一電極以及第二電極。
接著，在形成波長轉換層的操作中，形成波長轉換層120以封閉至少LED晶片的光出射面。接著，在形成反射體130的操作中，在除光出射面之外的LED晶片的區域上形成反射體130。
根據各種實施例，反射體130可直接形成於LED晶片上或LED晶片上所形成的另一部件(諸如，波長轉換層120)上。當反射體形成於光出射面上時，波長轉換層藉由自對應於光出射面的區域移除反射體而暴露。
所暴露的波長轉換層120對應於LED晶片110的光出射面EA。雖然不受特定限制，但高速切割可用於移除反射體130。
根據本發明的實施例的光源模組的製造程序更包含將LED晶片電連接至基板。在此操作中，LED晶片110的電極襯墊37a、37b分別連接至基板140的基板襯墊141a、141b。此時，LED晶片110可藉由覆晶接合或表面安裝技術(SMT)而直接電連接至基板140。此處，凸塊150a、150b分別介入於基板襯墊141a、141b與電極襯墊37a、37b之間。
根據本發明的實施例，形成波長轉換層以及反射體的操作以及將LED晶片電連接至基板的操作可按照不同次序來執行。亦即，LED晶片可在波長轉換層以及反射體形成於LED晶片上之前或之後電連接至基板。
光源模組的製造程序更包含在基板140與LED晶片110之間形成底填料200。具體言之，屏障170形成於對應於LED晶片110的光出射面EA的表面上。屏障170接觸LED晶片110的光出射面EA。屏障170設置為鄰接基板140。屏障170可藉由包含光阻或黏著劑的框架結構而形成於基板140上。在屏障170形成之後，底填料注入至基板與LED晶片之間的區域中。在此狀況下，屏障170用於限制將形成底填料200的區域。特定言之，屏障170防止底填料200延伸至光出射面EA。屏障170可在底填料200形成之後藉由蝕刻或其他物理方法來移除。
底填料200用於反射自LED晶片110產生的光，藉此提 高發光效率，且防止濕氣的滲入。底填料200包含反射性材料。舉例而言，底填料200可包含樹脂以及樹脂內的反射性材料，且反射性材料可包含選自由以下各者組成的群組的一種材料：TiO2、SiO2、ZrO2、PbCO3、PbO、Al2O3、ZnO、Sb2O3及其組合。屏障170允許底填料200形成為直至與光出射面EA對準的區域為止。雖然不受特定限制，但底填料200可藉由施配而形成。底填料200可更包含螢光材料(未圖示)。底填料200可具有預定黏著強度。
如上所述，根據本發明的實施例的光源模組可使用反射體130以及底填料200而將光集中於其一側上，同時將光損耗最小化，藉此將發光效率最大化。
此外，與使用導線的封裝型的典型光源模組相比，LED晶片110藉由直接覆晶接合或SMT而電連接至基板140的根據本發明的光源模組可實現高效率及緊湊性。
雖然已描述本發明的各種實施例，但本發明不限於特定實施例。此外，特定實施例中所說明的部件可按相同或相似方式用於其他實施例，而不偏離本發明的精神及範疇。
37a‧‧‧第一電極襯墊
37b‧‧‧第二電極襯墊
100‧‧‧光源模組
110‧‧‧LED晶片
111‧‧‧基板
113‧‧‧半導體堆疊
120‧‧‧波長轉換層
130‧‧‧反射體
140‧‧‧基板
141a‧‧‧基板襯墊
141b‧‧‧基板襯墊
150a‧‧‧凸塊
150b‧‧‧凸塊
200‧‧‧底填料

Claims (17)

  1. 一種光源模組，包括：發光二極體(LED)晶片，經由其下表面而電連接至基板，且包括橫向安置的光出射面，其中所述LED晶片的光經由所述光出射面而發射；波長轉換層，安置於所述LED晶片上且至少覆蓋所述光出射面；以及反射體，安置於所述LED晶片上且暴露所述光出射面，其中所述反射體覆蓋所述LED晶片的上表面以及所述LED晶片之除所述光出射面之外的至少一個側表面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的光源模組，更包括介入於所述基板與所述LED晶片之間且包括反射性材料的底填料。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的光源模組，其中所述反射性材料包括選自由以下各者組成的群組的一種材料：TiO2、SiO2、ZrO2、PbCO3、PbO、Al2O3、ZnO、Sb2O3及其組合。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的光源模組，其中所述底填料包括螢光材料。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的光源模組，其中所述LED晶片藉由覆晶接合或表面安裝技術(SMT)而安裝於所述基板上。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的光源模組，其中所述LED晶片包括：第一半導體層，以第一導電類型雜質摻雜； 主動層，形成於所述第一半導體層之下；第二半導體層，以第二導電類型雜質摻雜且形成於所述主動層之下；第一電極，電連接至所述第一半導體層；第二電極，電連接至所述第二半導體層；第一電極襯墊，電連接至所述第一電極；以及第二電極襯墊，電連接至所述第二電極，其中所述LED晶片經由所述第一電極襯墊以及所述第二電極襯墊而電連接至所述基板。
  7. 一種背光單元，包括：光導板；以及光源模組，安置於所述光導板的至少一側上且經設置以發射光，其中所述光源模組包括：發光二極體(LED)晶片，經由其下表面而電連接至基板，且包括橫向安置的光出射面，其中所述LED晶片的光經由所述光出射面而發射；波長轉換層，安置於所述LED晶片上且至少覆蓋所述光出射面；以及反射體，安置於所述LED晶片上且暴露所述光出射面，其中所述反射體覆蓋所述LED晶片的上表面以及所述LED晶片之除所述光出射面之外的至少一個側表面。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的背光單元，其中所述光源模組更包括介入於所述基板與所述LED晶片之間且包括反射性材料的底填料。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的背光單元，其中所述底填料包括螢光材料。
  10. 如申請專利範圍第7項所述的背光單元，其中所述LED晶片藉由覆晶接合或表面安裝技術(SMT)而安裝於所述基板上。
  11. 一種製造光源模組的方法，包括：製造發光二極體(LED)晶片，所述LED晶片包含光出射面，其中所述LED晶片的光經由所述光出射面而發射；在所述LED晶片上形成波長轉換層以至少覆蓋所述LED晶片的所述光出射面；以及在所述LED晶片上形成暴露所述光出射面的反射體，其中所述反射體覆蓋所述LED晶片的上表面以及所述LED晶片之除所述光出射面之外的至少一個側表面。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的製造光源模組的方法，其中形成所述反射體包括：在所述LED晶片的上表面以及側表面上形成所述反射體；以及若所述反射體形成於所述光出射面上，則藉由自對應於所述光出射面的區域移除所述反射體而暴露所述波長轉換層。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的製造光源模組的方法，其 中暴露所述波長轉換層包括切割所述反射體以暴露所述光出射面。
  14. 如申請專利範圍第11項所述的製造光源模組的方法，更包括在形成所述反射體之後在所述基板與所述LED晶片之間形成包括反射性材料的底填料。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的製造光源模組的方法，其中形成所述底填料包括：形成設置於所述基板上以鄰接所述LED晶片的所述光出射面的屏障；將所述底填料注入至所述基板與所述LED晶片之間的區域中；以及在形成所述底填料之後移除所述屏障。
  16. 如申請專利範圍第11項所述的製造光源模組的方法，更包括將所述LED晶片電連接至基板，其中所述LED晶片藉由覆晶接合或表面安裝技術(SMT)而安裝於所述基板上。
  17. 如申請專利範圍第11項所述的製造光源模組的方法，其中製造所述LED晶片包括：形成以第一導電類型雜質摻雜的第一半導體層；在所述第一半導體層之下形成主動層；在所述主動層之下形成以第二導電類型雜質摻雜的第二半導體層； 形成電連接至所述第一半導體層的第一電極；形成電連接至所述第二半導體層的第二電極；形成電連接至所述第一電極的第一襯墊；以及形成電連接至所述第二電極的第二襯墊。
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