KR20120099963A - 발광다이오드 패키지 - Google Patents

발광다이오드 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR20120099963A
KR20120099963A KR1020110018519A KR20110018519A KR20120099963A KR 20120099963 A KR20120099963 A KR 20120099963A KR 1020110018519 A KR1020110018519 A KR 1020110018519A KR 20110018519 A KR20110018519 A KR 20110018519A KR 20120099963 A KR20120099963 A KR 20120099963A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
lead frame
hole cup
extension region
Prior art date
Application number
KR1020110018519A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101812761B1 (ko
Inventor
강도형
김오석
Original Assignee
서울반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울반도체 주식회사 filed Critical 서울반도체 주식회사
Priority to KR1020110018519A priority Critical patent/KR101812761B1/ko
Priority to TW101106630A priority patent/TWI517458B/zh
Priority to US13/410,399 priority patent/US8994061B2/en
Priority to CN201210052644.6A priority patent/CN102655142B/zh
Publication of KR20120099963A publication Critical patent/KR20120099963A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101812761B1 publication Critical patent/KR101812761B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting

Abstract

발광다이오드 패키지가 개시된다. 이 발광다이오드 패키지는 제1 홀컵이 형성된 제1 리드프레임과; 제2 홀컵이 형성되되, 제1 리드프레임과 갭을 두고 대향되게 배치된 제2 리드프레임과; 제1 홀컵 내에 배치되는 제1 발광다이오드 칩과; 제2 홀컵 내에 배치되는 제2 발광다이오드 칩을 포함한다. 제1 리드프레임과 제2 리드프레임 각각은 갭과 제1 홀컵과의 사이 그리고 갭과 제2 홀컵 사이에 인접 영역보다 넓은 제1 확장 영역 및 제2 확장 영역을 각각 포함한다.

Description

발광다이오드 패키지{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}
본 발명은 발광다이오드 패키지에 관한 것이며, 더 상세하게는, 신뢰성이 좋은 발광다이오드 패키지에 관한 것이다.
일반적으로, 발광다이오드 패키지는 발광다이오드 칩과 발광다이오드 칩에 전력을 인가하기 위한 리드프레임들을 포함한다. 리드프레임들은 패키지 몸체에 의해 지지되며, 발광다이오드 칩은 본딩와이어에 의해 리드프레임들과 전기적으로 연결된다. 패키지 몸체는 리드프레임들을 지지하는 역할 외에 발광다이오드 칩을 내부에 수용하여 보호하는 역할도 한다.
종래에는 한 쌍의 발광다이오드 칩을 서로 대향된 한 쌍의 리드프레임 각각에 실장한 구조의 발광다이오드 패키지가 개발되었다.
도 1은 종래의 발광다이오드 패키지를 도시한 평면도이다.
도 1을 참조하면, 한 쌍의 리드프레임(2a, 2b)이 일자형의 갭에 의해 서로 이격되도록 배치되며, 이 한 쌍의 리드프레임(2a, 2b)은 플라스틱 소재의 패키지 몸체(4)에 의해 지지된다. 한 쌍의 리드프레임(2a, 2b) 각각의 대응되게 한 쌍의 발광다이오드 칩(6a, 6b)이 실장된다. 패키지 몸체(4)는 한 쌍의 발광다이오드 칩(6a, 6b)을 노출시키는 캐비티를 포함하며, 캐비티 내에는 발광다이오드 칩(6a, 6b)으로부터 광을 투과할 수 있는 투광성의 봉지재가 충전된다.
종래의 발광다이오드 패키지에 있어서, 하나의 본딩와이어(w1)가 제1 리드프레임(2a) 상에 있는 제1 발광다이오드 칩(6a)과 이웃하는 제2 리드프레임(2b) 사이를 연결하고, 다른 본딩와이어(w2)가 제2 리드프레임(2b) 상에 있는 제2 발광다이오드 칩(6b)과 제1 리드프레임(2a) 사이를 연결한다.
발광다이오드 칩(6a 또는 6b)과 리드프레임(2a 또는 2b)의 내측 단부 사이에는 충분한 와이어 본딩 영역이 확보되어야 하며, 이는 제1 발광다이오드 칩(6a)과 제2 발광다이오드 칩(6b) 사이의 거리를 좁히는 설계에 있어서 많은 제한을 야기한다. 또한, 발광다이오드 칩(6a 또는 6b)과 리드프레임(2a 또는 2b)의 내측 단부 사이에 충분한 영역이 확보되지 않은 경우, 제너다이오드(7)의 설치 위치를 정하는데 있어서도 많은 제한을 야기한다.
발광다이오드 칩을 수용하는 홀컵을 리드프레임에 형성하는 기술을 발광다이오드 패키지에 적용하면, 발광다이오드 패키지의 광 효율과 방열 성능을 향상시킬 수 있다. 그러나, 이 기술을 전술한 종래의 발광다이오드 패키지에 적용하는 것은 쉽지 않은데, 이는 충분치 않은 리드프레임의 와이어 본딩 영역으로 인해 홀컵의 크기가 제한되기 때문이다.
본 발명이 해결하려는 하나의 과제는, 이웃하는 리드프레임들에 설치된 발광다이오드 칩 사이의 거리를 늘리지 않고도, 리드프레임들의 와이어 본딩 영역 또는 제너다이오드 설치 영역을 증가시킬 수 있는 발광다이오드 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 다른 과제는, 이웃하는 리드프레임들 각각에 홀컵을 적용하되, 홀컵의 크기 감소 없이도, 리드프레임들의 와이어 본딩 영역 및/또는 제너다이오드 설치 영역을 증가시킬 수 있는 발광다이오드 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따른 발광다이오드 패키지는, 제1 홀컵이 형성된 제1 리드프레임과; 제2 홀컵이 형성되되, 상기 제1 리드프레임과 갭을 두고 대향되게 배치된 제2 리드프레임과; 상기 제1 홀컵 내에 배치되는 제1 발광다이오드 칩과; 상기 제2 홀컵 내에 배치되는 제2 발광다이오드 칩을 포함하며, 상기 제1 리드프레임과 상기 제2 리드프레임 각각은 상기 갭과 상기 제1 홀컵과의 사이 그리고 상기 갭과 상기 제2 홀컵 사이에 인접 영역보다 넓은 제1 확장 영역 및 제2 확장 영역을 각각 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 제1 확장 영역과 상기 제2 확장 영역은 상기 갭의 굴곡진 모양 또는 사선 모양에 의해 형성될 수 있다.
일 실시예에 따라, 상기 제1 발광다이오드 칩으로부터 이어진 본딩와이어의 일단부가 상기 제2 확장 영역에 본딩되고 상기 제2 발광다이오드 칩으로부터 이어진 본딩와이어의 일단부가 상기 제1 확장 영역에 본딩될 수 있다.
일 실시예에 따라, 상기 제1 확장 영역 또는 상기 제2 확장 영역에는 제너다이오드가 설치될 수 있다.
일 실시예에 따라, 상기 제1 확장 영역과 상기 제2 확장 영역은 상기 갭을 사이에 두고 대각선 방향으로 마주할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따른 발광다이오드 패키지는, 갭을 사이에 두고 내측 단부들끼리 서로 인접하게 배치된 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임과; 상기 제1 리드프레임 및 상기 제2 리드프레임 각각에 실장되는 제1 발광다이오드 칩 및 제2 발광다이오드 칩을 포함하며, 상기 내측 단부들 각각은 와이어 본딩 영역을 확장시키는 선행 단부와 그와 연결된 후행 단부를 포함하며, 상기 제1 발광다이오드 칩 및 상기 제2 발광다이오드 칩으로부터 이어진 본딩와이어 각각은 상기 선행 단부 부근의 확장된 영역에 본딩된다.
일 실시예 따라, 상기 제1 리드프레임과 상기 제2 리드프레임 각각에는 상기 제1 발광다이오드 칩 및 상기 제2 발광다이오드 칩이 수용되는 제1 홀컵과 제2 홀컵이 형성될 수 있다.
일 실시예에 따라, 상기 제1 홀컵과 상기 제1 리드프레임의 선행 단부 사이에 제1 확장 영역이 형성되고 상기 제2 홀컵과 상기 제2 리드프레임의 선행 단부 사이에 제2 확장 영역이 형성되며, 상기 제1 발광다이오드 칩으로부터 이어진 본딩와이어의 일단부는 상기 제2 확장 영역에 본딩되고, 상기 제2 발광다이오드 칩으로부터 이어진 본딩와이어의 일단부는 상기 제1 확장 영역에 본딩될 수 있다.
일 실시예에 따라, 상기 제1 확장 영역 또는 상기 제2 확장 영역에 제너다이오드가 설치될 수 있다.
본 발명에 따르면, 이웃하는 리드프레임들에 설치된 발광다이오드 칩 사이의 거리를 늘리지 않고도, 리드프레임들의 와이어 본딩 영역 또는 제너다이오드 설치 영역을 증가시킬 수 있는 발광다이오드 패키지가 구현된다. 또한, 본 발명에 따르면, 이웃하는 리드프레임들 각각에 홀컵을 적용한 발광다이오드 패키지에 있어서, 홀컵의 크기 감소 없이도, 리드프레임들의 와이어 본딩 영역 및/또는 제너다이오드 설치 영역을 증가시킬 수 있는 장점을 제공한다.
도 1은 종래의 발광다이오드 패키지를 도시한 평면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 도시한 평면도.
도 3은 도 2의 I-I를 따라 도시한 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 단면도.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 도시한 평면도.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 동일한 참조번호는 동일한 구성요소를 나타내며, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 도시한 평면도이고, 도 3은 도 2의 I-I를 따라 취해진 발광다이오드 패키지의 단면도이다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 발광다이오드 패키지(1)는 제1 및 제2 리드프레임(21, 22)과, 상기 제1 및 제2 리드프레임(21, 22)을 지지하는 대략 장방형의 패키지 몸체(40)와, 상기 제1 및 제2 리드프레임(21, 22)을 통해 전력을 인가받아 발광 동작되는 제1 및 제2 발광다이오드 칩(61, 62)을 포함한다.
상기 패키지 몸체(40)는, 상기 제1 및 제2 리드프레임(21, 22)을 지지하도록, PPA와 같은 플라스틱 수지를 원료로 하는 사출 성형에 의해 만들어질 수 있다. 본 실시예에 있어서, 상기 패키지 몸체(40)의 상부에는 기다란 장방형의 캐비티(42)가 형성된다. 상기 캐비티(42)를 통해 상기 제1 및 제2 리드프레임(21, 22)의 상부 표면이 영역적으로 노출된다. 상기 캐비티(42) 내에서 상기 제1 및 제2 발광다이오드 칩(61, 62)이 상기 제1 및 제2 리드프레임(21, 22) 각각에 실장되어 있다. 투광성의 봉지재(80; 도 3에만 도시함)는 상기 제1 및 제2 발광다이오드 칩(61, 62)의 보호를 위해 상기 캐비티(42) 내에 채워져 형성된다.
상기 제1 및 제2 리드프레임(21, 22) 각각은 패키지 몸체(40)의 내부로부터 양 측면으로 돌출 연장되어 발광 다이오드 패키지(1)의 외부 단자들을 형성한다. 이때, 외부 단자들을 구성하는 제1 및 제2 리드프레임(21, 22)의 외측 부분들 일부는 절곡된 구조에 의해 패키지 몸체(40)의 저면과 거의 동일 평면 상에 있게 된다.
상기 패키지 몸체(40)의 내측 캐비티(42) 영역에서는, 상기 제1 리드프레임(21)과 상기 제2 리드프레임(22)이 서로 이격되어 그들 사이에 하나의 갭(g)을 형성한다. 또한, 상기 제1 리드프레임(21)과 상기 제2 리드프레임(22)에는 제1 홀컵(212)과 제2 홀컵(222)이 각각 형성된다. 상기 제1 발광다이오드 칩(61)은 상기 제1 홀컵(212) 내에 위치하고 상기 제2 발광다이오드 칩(62)은 상기 제2 홀컵(222) 내에 위치한다. 상기 제1 홀컵(212)과 상기 제2 홀컵(222) 각각은 전술한 캐비티(42)의 길이 방향을 따라 기다란, 즉, 대략 직선인 짧은 변과 긴 변을 포함하는 대략 장방형의 형상을 갖는다. 또한, 상기 제1 및 제2 홀컵(212, 222)의 내측 벽면들은 반사 특성을 높이도록 경사면으로 이루어져 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 홀컵(212, 222)의 저면은 상기 패키지 몸체(40)의 저면과 대략 동일 평면을 이루면서 외부로 노출된다.
한편, 전술한 갭(g)은 대략 번개 모양으로 굴곡진 형상을 가지며, 이 굴곡진 형상에 의해, 상기 제1 및 제2 리드프레임(21, 22)의 내측 단부들 각각은 선행 단부(213a 또는 223a)와 그와 연결된 채 뒤로 처져 있는 후행 단부(213b 또는 223b)로 구분된다. 상기 선행 단부(213a 또는 223a)는 해당 리드프레임(21 또는 22)으로부터 이웃하는 다른 리드프레임(21 또는 22)을 향해 상기 후행 단부(213b 또는 223b)에 비해 더 돌출되어 있다. 제1 리드프레임(21)의 선행 단부(213a)는 제2 리드프레임(22)의 후행 단부(223b)와 인접하게 마주하며, 상기 제1 리드프레임(21)의 후행 단부(213b)는 상기 제2 리드프레임(22)의 선행 단부(223a)와 인접하게 마주한다.
상기 선행 단부(213a 또는 223a)로 인해 그 부근 영역의 면적이 다른 단부 영역의 면적보다 확장되어 있다. 본 실시예에서, 이와 같이 확장된 영역은 발광다이오드 칩(61 또는 62)으로부터 이어진 본딩와이어(W1 또는 W2)가 본딩되는 와이어 본딩 영역으로 정해진다. 이에 따라, 전술한 제1 발광다이오드 칩(61)과 제2 발광다이오드 칩(62) 사이의 거리를 크게 늘리지 않고도, 제1 리드프레임(21)과 제2 리드프레임(22)의 내측 단부 부근에 충분히 확장된 와이어 본딩 영역을 보장할 수 있다.
전술한 구조에 의해, 상기 제1 및 제2 리드프레임(21, 22) 각각은 제1 홀컵(212)과 상기 갭(g) 사이 및 상기 제2 홀컵(222)과 상기 갭(g) 사이 각각에 인접 영역에 비해 더 큰 면적을 갖는 제1 확장 영역(214)과 제2 확장 영역(224)을 포함한다. 더 구체적으로, 상기 제1 리드프레임(21)의 제1 홀컵(212)과 상기 제1 리드프레임(21)의 선행 단부(213a) 사이에는 제1 확장 영역(214)이 제공되고, 상기 제2 리드프레임(22)의 제2 홀컵(222)과 상기 제2 리드프레임(22)의 선행 단부(223b) 사이에 제2 확장 영역(224)이 제공된다. 상기 제1 확장 영역(214)에는 상기 제2 리드프레임(22) 상의 제2 발광다이오드 칩(62)으로부터 이어진 본딩와이어(W2)의 일단부가 본딩되며, 상기 제2 확장 영역(224)에는 상기 제1 리드프레임(21) 상의 제1 발광다이오드 칩(61)으로부터 이어진 본딩와이어(W1)의 일단부가 본딩된다. 본 실시예에 있어서, 상기 제2 확장 영역(224)에는 제너다이오드(70)기 설치된다.
리드프레임 상에 본딩와이어가 본딩되는 영역이 충분하지 못한 경우, 신뢰성 있는 와이어 본딩 작업을 할 수 없는데, 본 발명의 실시예에 따르면, 와이어 본딩을 할 수 없는 홀컵(212 또는 222)의 영역이 리드프레임(21 또는 22)에 큰 면적으로 존재함에도 불구하고, 전술한 제1 및 제2 확장 영역(214, 224)의 제공에 의해 충분한 면적의 와이어 본딩 영역을 보장한다. 또한, 상기 제1 및 제2 확장 영역(212, 214)의 제공을 통해, 상기 제1 및 제2 홀컵(212, 222)의 크기를 기존에 비해 증가시킬 수 있다. 홀컵의 크기 증가는 발광다이오드 패키지의 발광 효율을 높이는데 기여할 수 있다.
상기 제1 확장 영역(214)과 상기 제2 확장 영역(224)의 다양한 배치가 고려될 수 있으나, 도 2에 잘 도시된 바와 같이, 상기 제1 확장 영역(214)과 상기 제2 확장 영역(224)은 대각선 방향으로 배치된다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 도시한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 제1 리드프레임(21)과 제2 리드프레임(22)이 서로 이격되어 그들 사이에 하나의 갭(g)이 형성되되, 상기 갭(g)은 앞선 실시예와 달리 사선(inclined line) 형태를 갖는다. 사선 모양의 갭(g)에 의해 상기 제1 및 제2 리드프레임(21, 22)의 내측 단부들 각각은 선행 단부(213a 또는 223a)와 후행 단부(213b 또는 223b)를 갖지만, 상기 갭(g)과 상기 내측 단부들이 연속적인 직선 상에 있으므로 구분되지 않는다. 편의를 위해, 발광다이오드 패키지(1)의 중앙을 횡으로 가로지르는 가상의 기준선(L)을 기준으로 하여, 선행 단부(213a 또는 223a)와 후행 단부(213b 또는 223b)를 구분하기로 한다.
앞선 실시예와 마찬가지로, 상기 선행 단부(213a 또는 223a)는 해당 리드프레임(21 또는 22)으로부터 이웃하는 다른 리드프레임(21 또는 22)을 향해 상기 후행 단부(213b 또는 223b)에 비해 더 돌출되어 있다. 제1 리드프레임(21)의 선행 단부(213a)는 제2 리드프레임(22)의 후행 단부(223b)와 인접하게 마주하며, 상기 제1 리드프레임(21)의 후행 단부(213b)는 상기 제2 리드프레임(22)의 선행 단부(223a)와 인접하게 마주한다.
또한, 상기 기준선(L)을 기준으로 하면, 상기 제1 리드프레임(21)의 제1 홀컵(212)과 상기 제1 리드프레임(21)의 선행 단부(213a) 사이에는 제1 확장 영역(214)이 제공되고, 상기 제2 리드프레임(22)의 제2 홀컵(222)과 상기 제2 리드프레임(22)의 선행 단부(223b) 사이에는 제2 확장 영역(224)이 제공된다. 상기 제1 확장 영역(214)에는 상기 제2 리드프레임(22) 상의 제2 발광다이오드 칩(62)으로부터 이어진 본딩와이어(W2)의 일단부가 본딩되며, 상기 제2 확장 영역(224)에는 상기 제1 리드프레임(21) 상의 제1 발광다이오드 칩(61)으로부터 이어진 본딩와이어(W1)의 일단부가 본딩된다. 본 실시예에 있어서, 상기 제2 확장 영역(224)에는 제너다이오드(70)가 설치된다.
21: 제1 리드프레임 22: 제2 리드프레임
40: 패키지 몸체 42: 캐비티
61: 제1 발광다이오드 칩 62: 제2 발광다이오드 칩
212: 제1 홀컵 222: 제2 홀컵
214: 제1 확장 영역 224: 제2 확장 영역
213a, 223a: 선행 단부 213b, 223b: 후행 단부

Claims (9)

  1. 제1 홀컵이 형성된 제1 리드프레임;
    제2 홀컵이 형성되되, 상기 제1 리드프레임과 갭을 두고 대향되게 배치된 제2 리드프레임;
    상기 제1 홀컵 내에 배치되는 제1 발광다이오드 칩; 및
    상기 제2 홀컵 내에 배치되는 제2 발광다이오드 칩을 포함하며,
    상기 제1 리드프레임과 상기 제2 리드프레임 각각은 상기 갭과 상기 제1 홀컵과의 사이 그리고 상기 갭과 상기 제2 홀컵 사이에 인접 영역보다 넓은 제1 확장 영역 및 제2 확장 영역을 각각 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 확장 영역과 상기 제2 확장 영역은 상기 갭의 굴곡진 모양 또는 사선 모양에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 발광다이오드 칩으로부터 이어진 본딩와이어의 일단부가 상기 제2 확장 영역에 본딩되고 상기 제2 발광다이오드 칩으로부터 이어진 본딩와이어의 일단부가 상기 제1 확장 영역에 본딩되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 확장 영역 또는 상기 제2 확장 영역에는 제너다이오드가 설치되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 확장 영역과 상기 제2 확장 영역은 상기 갭을 사이에 두고 대각선 방향으로 마주하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  6. 갭을 사이에 두고 내측 단부들끼리 서로 인접하게 배치된 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임과;
    상기 제1 리드프레임 및 상기 제2 리드프레임 각각에 실장되는 제1 발광다이오드 칩 및 제2 발광다이오드 칩을 포함하며,
    상기 내측 단부들 각각은 와이어 본딩 영역을 확장시키는 선행 단부와 그와 연결된 후행 단부를 포함하며,
    상기 제1 발광다이오드 칩 및 상기 제2 발광다이오드 칩으로부터 이어진 본딩와이어 각각은 상기 선행 단부 부근의 확장된 영역에 본딩되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 제1 리드프레임과 상기 제2 리드프레임 각각에는 상기 제1 발광다이오드 칩 및 상기 제2 발광다이오드 칩이 수용되는 제1 홀컵과 제2 홀컵이 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지,
  8. 청구항 7에 있어서, 상기 제1 홀컵과 상기 제1 리드프레임의 선행 단부 사이에 제1 확장 영역이 형성되고 상기 제2 홀컵과 상기 제2 리드프레임의 선행 단부 사이에 제2 확장 영역이 형성되며, 상기 제1 발광다이오드 칩으로부터 이어진 본딩와이어의 일단부는 상기 제2 확장 영역에 본딩되고, 상기 제2 발광다이오드 칩으로부터 이어진 본딩와이어의 일단부는 상기 제1 확장 영역에 본딩되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  9. 청구항 8에 있어서, 상기 제1 확장 영역 또는 상기 제2 확장 영역에 제너다이오드가 설치되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.



KR1020110018519A 2011-03-02 2011-03-02 발광다이오드 패키지 KR101812761B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110018519A KR101812761B1 (ko) 2011-03-02 2011-03-02 발광다이오드 패키지
TW101106630A TWI517458B (zh) 2011-03-02 2012-03-01 發光二極體封裝
US13/410,399 US8994061B2 (en) 2011-03-02 2012-03-02 Light emitting diode package
CN201210052644.6A CN102655142B (zh) 2011-03-02 2012-03-02 发光二极管封装件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110018519A KR101812761B1 (ko) 2011-03-02 2011-03-02 발광다이오드 패키지

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120099963A true KR20120099963A (ko) 2012-09-12
KR101812761B1 KR101812761B1 (ko) 2017-12-28

Family

ID=46730740

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110018519A KR101812761B1 (ko) 2011-03-02 2011-03-02 발광다이오드 패키지

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8994061B2 (ko)
KR (1) KR101812761B1 (ko)
CN (1) CN102655142B (ko)
TW (1) TWI517458B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140128632A (ko) * 2013-04-29 2014-11-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR20200007644A (ko) 2018-07-13 2020-01-22 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102403306B (zh) * 2010-09-10 2015-09-02 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
KR101957884B1 (ko) * 2012-05-14 2019-03-13 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 조명 장치
KR101886157B1 (ko) * 2012-08-23 2018-08-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 조명시스템
KR101896691B1 (ko) * 2012-10-11 2018-09-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 조명 시스템
JP6102187B2 (ja) * 2012-10-31 2017-03-29 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
JP6107136B2 (ja) * 2012-12-29 2017-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置
JP6081229B2 (ja) * 2013-03-01 2017-02-15 株式会社東芝 半導体装置、無線装置、及び記憶装置
TWI506822B (zh) * 2013-03-25 2015-11-01 I Chiun Precision Ind Co Ltd 具有不對稱環壁的發光二極體晶片承載座
JP6261720B2 (ja) * 2013-05-17 2018-01-17 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ オプトエレクトロニクス素子およびオプトエレクトロニクス素子の製造方法
CN104425694A (zh) * 2013-08-29 2015-03-18 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
JP6413412B2 (ja) * 2014-07-11 2018-10-31 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
CN106876555A (zh) * 2017-04-17 2017-06-20 惠州雷曼光电科技有限公司 贴片式led支架以及贴片式led器件
JP6652117B2 (ja) * 2017-11-29 2020-02-19 日亜化学工業株式会社 樹脂パッケージおよび発光装置
KR20190127218A (ko) * 2018-05-04 2019-11-13 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 패키지 및 이를 포함하는 광조사장치

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6054716A (en) * 1997-01-10 2000-04-25 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having a protecting device
KR101273083B1 (ko) * 2007-06-21 2013-06-10 엘지이노텍 주식회사 발광장치
JP5052326B2 (ja) * 2007-10-31 2012-10-17 シャープ株式会社 チップ部品型ｌｅｄ及びその製造方法
KR101007131B1 (ko) * 2008-11-25 2011-01-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
US7923739B2 (en) * 2009-06-05 2011-04-12 Cree, Inc. Solid state lighting device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140128632A (ko) * 2013-04-29 2014-11-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR20200007644A (ko) 2018-07-13 2020-01-22 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자

Also Published As

Publication number Publication date
TWI517458B (zh) 2016-01-11
CN102655142A (zh) 2012-09-05
CN102655142B (zh) 2017-06-23
TW201238104A (en) 2012-09-16
KR101812761B1 (ko) 2017-12-28
US8994061B2 (en) 2015-03-31
US20120223343A1 (en) 2012-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20120099963A (ko) 발광다이오드 패키지
JP5538233B2 (ja) スリム型ｌｅｄパッケージ
KR20090104577A (ko) 멀티칩 ｌｅｄ 패키지
JP2011077188A (ja) 照明装置
US9373607B2 (en) Light emitting diode package
JP2014049764A (ja) 側面型発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
TWI509848B (zh) 發光二極體封裝結構及其製造方法
KR101282829B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
TWI509834B (zh) 發光二極體封裝結構及其製造方法
CN104103734A (zh) 发光二极管封装结构
KR101670951B1 (ko) 발광 장치
KR101078028B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 발광 소자 패키지용 리드 프레임
TW201409763A (zh) 發光二極體封裝結構及其製造方法
KR101121728B1 (ko) 방열 구조를 갖는 ｌｅｄ 패키지
KR101017393B1 (ko) 발광영역이 확장된 사이드뷰 타입 ｌｅｄ 패키지
KR100747642B1 (ko) 측면 발광형 ｌｅｄ 패키지
TW201448286A (zh) 發光二極體封裝結構及其製造方法
TWI531096B (zh) 側面發光型發光二極體封裝結構及其製造方法
TW201349600A (zh) 發光二極體及其封裝方法
KR101186649B1 (ko) 사이드뷰 발광다이오드 패키지
KR20110080902A (ko) Ｌｅｄ 패키지
KR101701453B1 (ko) Ｌｅｄ 패키지
TW201427107A (zh) 發光二極體封裝結構
JP2015103751A (ja) 発光装置
KR101161385B1 (ko) 발광 다이오드 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant