JP6102187B2 - 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置 - Google Patents

発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6102187B2
JP6102187B2 JP2012241155A JP2012241155A JP6102187B2 JP 6102187 B2 JP6102187 B2 JP 6102187B2 JP 2012241155 A JP2012241155 A JP 2012241155A JP 2012241155 A JP2012241155 A JP 2012241155A JP 6102187 B2 JP6102187 B2 JP 6102187B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting device
lead frames
molded body
extending portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012241155A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014093323A (ja
JP2014093323A5 (ja
Inventor
林 英樹
英樹 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Priority to JP2012241155A priority Critical patent/JP6102187B2/ja
Priority to US14/064,200 priority patent/US9281460B2/en
Publication of JP2014093323A publication Critical patent/JP2014093323A/ja
Publication of JP2014093323A5 publication Critical patent/JP2014093323A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6102187B2 publication Critical patent/JP6102187B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/171Frame
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/171Frame
    • H01L2924/1715Shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、発光装置用パッケージ(以下、単に「パッケージ」と略すことがある)、及び発光装置に関するものである。
例えば特許文献1に記載されているように、表面実装(Surface Mount Device:SMD)型の発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)は、2つのリードフレームに、凹部を有する樹脂ケースを一体に成形した発光装置用パッケージを用いて、その凹部内にLEDチップを搭載し、封止樹脂により封止することにより製造されている。
特開2011−134902号公報
しかしながら、特許文献1に記載のような従来の発光装置用パッケージにおいては、外部からの衝撃や荷重或いは周囲環境温度によって、樹脂ケースにクラックや割れが発生したり、樹脂ケースがリードフレームから剥離したりして、長期の信頼性を十分に確保できない虞があった。特に、このような問題は、長細い形状の発光装置用パッケージにおいて発生しやすい。
そこで、本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、信頼性の高い発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明は、上面視において、長手方向と、該長手方向に直交する短手方向と、を有し、前記長手方向に並べられた2つのリードフレームと、前記2つのリードフレームと一体に成形された樹脂成形体と、を備える発光装置用パッケージであって、前記2つのリードフレームは其々、上面側及び/又は下面側に設けられた凹みにより肉薄にされ該凹みが前記樹脂成形体に被覆された第1肉薄領域を有し、且つ、他方のリードフレーム側に幅狭になって延伸する延伸部を有し、前記延伸部は、その全部が前記第1肉薄領域内にあって、且つ、その少なくとも一部が上面視で前記短手方向において互いに対向する位置にあることを特徴とする。
また、本発明に係る発光装置用パッケージは、以下のように構成することができる。
前記2つのリードフレームは其々、前記第1肉薄領域を形成する前記凹みが下面側にのみ設けられていてもよい。
前記2つのリードフレームの間の離間領域は、上面視において、前記短手方向の両端部が前記短手方向に略平行に設けられていてもよい。
前記2つのリードフレームは其々、前記延伸部の上面に設けられた窪みを有し、該窪みは前記樹脂成形体に埋められていてもよい。
前記延伸部は、該発光装置用パッケージの略中央に位置していてもよい。
前記2つのリードフレームは其々、前記第1肉薄領域から離間して且つ前記短手方向の両端部に、下面側に設けられた凹みにより肉薄にされ該凹みが前記樹脂成形体に被覆された第2肉薄領域を有していてもよい。
前記2つのリードフレームは其々、前記長手方向における前記延伸部と反対の側に設けられた貫通穴を有し、該貫通穴は前記樹脂成形体に埋められていてもよい。
前記2つのリードフレームの最下面は、前記樹脂成形体の最下面と共に該発光装置用パッケージの下面を構成していてもよい。
さらに、本発明に係る発光装置は、上記のいずれかの発光装置用パッケージと、前記2つのリードフレームのうちの少なくとも一方の上面に載置された発光素子と、を備えることを特徴とする。
また、本発明に係る発光装置は、以下のように構成することができる。
前記発光装置は、前記2つのリードフレームのうちの前記発光素子が載置されたリードフレームとは異なるリードフレームの前記延伸部の上面と前記発光素子を接続するワイヤを備えていてもよい。
前記発光素子は、前記2つのリードフレームに1つずつ載置されていてもよい。
前記延伸部は、該発光装置用パッケージの略中央に位置しており、前記発光装置は、前記2つのリードフレームのうちのいずれか一方の前記延伸部の上面に載置された保護素子を備えていてもよい。
本発明の発光装置用パッケージによれば、特に2つのリードフレームの間の離間領域付近に掛かる応力に対する耐性を高めて、樹脂成形体のクラックや割れ、剥離を抑制することができ、信頼性の高いパッケージとすることができる。また、それにより、信頼性の高い発光装置を作製することができる。
本発明の一実施の形態に係る発光装置の概略上面図(a)と、そのA−A断面における概略断面図(b)である。 本発明の一実施の形態に係る発光装置用パッケージの概略上面図(a)及び概略下面図(b)と、そのB−B断面,C−C断面を各々拡大して示す概略断面図(c),(d)である。
以下、発明の実施の形態について適宜図面を参照して説明する。但し、以下に説明する発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本発明を以下のものに限定しない。また、一の実施の形態、実施例において説明する内容は、他の実施の形態、実施例にも適用可能である。また、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。
<実施の形態1>
図1(a)は、実施の形態1に係る発光装置を示す概略上面図であり、図1(b)は、図1(a)におけるA−A断面を示す概略断面図である。また、図2(a)及び(b)は其々、実施の形態1に係る発光装置用パッケージの概略上面図と概略下面図であり、図2(c)及び(d)は其々、図2(a)におけるB−B断面,C−C断面を拡大して示す概略断面図である。なお、便宜上、図1と図2は縮尺が異なっている。
図1に示すように、実施の形態1に係る発光装置200は、主として、図2に示す発光装置用パッケージ100に、発光素子30が搭載され、封止部材60により封止されて構成されている。本例の封止部材60は、蛍光体70を含有しているが、省略することもできる。
図1,2に示すように、パッケージ100は、上面視において一方向に長尺な形状を有している。すなわち、パッケージ100は、上面視において、長手方向と、該長手方向に直交する短手方向と、を有する。より厳密に定義すると、長手方向は、上面視において、リードフレームのパッケージ長手方向に延びる端面つまり短手方向の端面に平行な方向である。図1,2中では、パッケージの長手方向がx方向、短手方向がy方向であり、上下方向がz方向である。また、x方向を横方向、y方向を縦方向、z方向を厚さ方向とする。
図2に示すように、パッケージ100は、2つのリードフレーム11,12と、この2つのリードフレームと一体に成形された樹脂成形体20と、を備えている。2つのリードフレーム11,12は、パッケージ100の長手方向に並べられている。リードフレーム11,12は其々、パッケージ100と同様に、パッケージの長手方向に長尺な形状を有している。2つのリードフレーム11,12は、互いを離間する離間領域13を樹脂成形体20に埋められて、この離間領域13を電気的絶縁領域として、樹脂成形体20に一体的に保持されている。なお、発光素子が載置されるのは、パッケージ100の上面側である。図1,2中では、左側のリードフレームを第1のリードフレーム11、右側のリードフレームを第2のリードフレーム12とする。
なお、2つのリードフレーム11,12は、最大幅(短手方向の最大幅;例えばリードフレームの幅が略一定である主要部の幅)が異なっていてよいが、最大幅(短手方向の最大幅)が略同じであることが好ましい。また、2つのリードフレーム11,12は、上面視において互いに斜めの関係に配置されていてもよいが、略平行に配置されていることが好ましい。更には、2つのリードフレーム11,12は、上面視において長手方向に平行な中心軸が短手方向に互いに変位した関係に配置されていてもよいが、上面視において長手方向に平行な中心軸が略一致するように配置されていることが好ましい。
樹脂成形体20は、上面視においてパッケージの長手方向に長い長方形状を有している。また、樹脂成形体20は、2つのリードフレーム11,12の短手方向の両端面の一部を被覆している(ここでは一部であるが全部でもよい)。また、樹脂成形体20は、2つのリードフレーム11,12の上面の一部(特に周縁部)も被覆している。さらに、樹脂成形体20は、2つのリードフレーム11,12と共に、発光素子を収容する凹部を形成している。具体的には、凹部の底面は、リードフレーム11,12の上面と、離間領域13を埋める樹脂成形体20の表面と、により構成されている。本例では、凹部の底面は略平坦であるが、例えば離間領域13上に突起が設けられていてもよい。この突起は、発光素子から出射される光を効率良く取り出すために、凹部底面に近づくにつれて幅広になっていることが好ましい。また、この突起は、樹脂成形体20と一体に成形されていてもよいし、樹脂成形体20とは別に設けられていてもよい。凹部の側壁面は、樹脂成形体20の表面により構成されている。凹部の側壁面は、垂直であってもよいが、発光素子から出射される光を効率良く取り出すために、凹部底面に近づくにつれて開口が幅狭となるように傾斜していることが好ましい。
そして、2つのリードフレーム11,12は其々、他方のリードフレーム側に幅狭になって延伸する延伸部14を有している。また、その延伸部14の少なくとも一部(本例では一部)は、上面視でパッケージの短手方向において互いに対向する位置にある。さらに、2つのリードフレーム11,12は其々、下面側に設けられた凹みにより肉薄にされて、その凹みが樹脂成形体20に被覆された第1肉薄領域15を有している。特に本例では、第1肉薄領域15は、各リードフレーム11,12の互いに対向する側の端部において、短手方向の端から端まで連続して設けられている。つまり、本例の第1肉薄領域15を形成する凹みは、他方のリードフレーム側及び短手方向の両端面側に開放している。そして、延伸部14の全部は、第1肉薄領域15内にある。なお、第1肉薄領域15を形成する凹みは、リードフレーム11,12の上面側及び/又は下面側に設けられていてもよい。また、2つのリードフレーム11,12の延伸部14は、上面視で短手方向において互いに対向する位置にあれば、上下方向(図1,2中でz方向)においては異なる位置にあってもよい。
ここで、「肉薄」とは、リードフレーム11,12の厚さが部分的に小さくなっていることである。つまり、例えばリードフレームが下面側に設けられた凹みにより肉薄にされると、下面側に肉薄領域と肉厚領域の段差を生じていることになる。なお、リードフレームの肉薄領域、窪みや溝、貫通穴などの諸形状は、リードフレーム11,12を構成する板材に、プレスや圧延、エッチングなどの加工を施すことで形成することができる。
以上のように構成されたパッケージ100は、延伸部14が上面視で短手方向に互いに対向する位置にあるため、2つのリードフレーム11,12の間の離間領域13が、上面視において、例えば屈曲した形状など、単に短手方向に平行な一直線状とは異なる形状として設けられる。したがって、離間領域が単に短手方向に平行な一直線状に設けられる場合に比べて、例えばパッケージを離間領域で折ろうとするような、離間領域付近に掛かる応力に対するパッケージの強度を高めることができる。また、延伸部14の全部が第1肉薄領域15内にあることで、両リードフレームの第1肉薄領域15を被覆するように連続的に形成された樹脂成形体20によって延伸部14を支持して、パッケージの強度を更に高めることができる。
特に本例のように、2つのリードフレーム11,12は其々、第1肉薄領域15を形成する凹みが下面側にのみ設けられていることが好ましい。これにより、延伸部14の下面の略全てを樹脂成形体20で被覆することができ、両リードフレームの第1肉薄領域15を被覆するように連続的に形成された樹脂成形体20によって延伸部14を下面側から支持できるので、パッケージの強度を高めやすい。また、2つのリードフレーム11,12が樹脂成形体20から下方に離脱するのを抑制することができる。なお、特に、2つのリードフレーム11,12の第1肉薄領域15は、圧延加工によって、「異形条」として設けられることが、面精度が高く且つ薄くしやすいので、好ましい。
また、一方のリードフレームの延伸部14が他方のリードフレーム側に延伸しているので、この延伸部14の上面に発光素子30や保護素子80用のワイヤ50の接続点を設けることで、ワイヤ50を比較的短く形成することができる。これにより、ワイヤ50による光吸収を軽減でき、光の取り出し効率を高めることができる。
以下、発光装置用パッケージ100及び発光装置200の好ましい形態について説明する。
図2に示すパッケージ100において、2つのリードフレームの間の離間領域13は、上面視において、短手方向の両端部が短手方向に略平行に設けられている。これにより、2つのリードフレーム11,12の離間領域13の短手方向の端部において、両リードフレーム11,12が短手方向に略平行に対向するようになるので、離間領域13の短手方向の端部の幅を小さくしやすく、パッケージの強度を高めやすい。特に、離間領域13の幅は、全域において略一定であることが好ましい。また、図2に示すパッケージ100では、2つのリードフレームの延伸部14は、幅を徐々に狭めながら延伸して設けられている。したがって、2つのリードフレーム11,12の延伸部14の互いに対向する端面(上面視における辺)の一部は、短手方向に対して斜めに、すなわち上面視でパッケージの短手方向においても長手方向においても互いに対向するように、設けられている。このようにすれば、離間領域13を小型に設けやすく、小さい領域において延伸部14を長く延伸させて設けやすい。なお、2つのリードフレーム11,12の延伸部14の互いに対向する端面(上面視における辺)の一部が長手方向に平行に近づくほど、離間領域付近に掛かる応力に対するパッケージの強度を高めやすい。
図2に示すパッケージ100において、2つのリードフレーム11,12の延伸部14は、パッケージの略中央に設けられている。このように、延伸部14がパッケージの略中央に位置していることにより、2つのリードフレーム11,12の其々に発光素子を載置しやすく、それにより好ましい配光特性が得られやすい。その反面、2つのリードフレーム11,12の両方が中央の離間領域13から長手方向に略均等に延伸して設けられるので、離間領域13に応力が掛かりやすくなるが、本発明の構成によりそれを補強することができる。
図2に示すパッケージ100において、2つのリードフレーム11,12は其々、第1肉薄領域15から離間して、且つ短手方向の両端部に、下面側に設けられた凹みにより肉薄にされて、その凹みが樹脂成形体20に被覆された第2肉薄領域16を有している。これにより、リードフレーム11,12の下面側において、第1肉薄領域15と第2肉薄領域16の間に肉厚領域が形成され、この肉厚領域と第2肉薄領域16の段差が第2肉薄領域16を形成する凹みを被覆する樹脂成形体20に係止するように作用し、リードフレーム11,12が樹脂成形体20から長手方向に離脱するのを抑制することができる。また、2つのリードフレーム11,12が樹脂成形体20から下方に離脱するのを抑制することができる。なお、第2肉薄領域16を形成する凹みは、リードフレーム11,12の下面側において、短手方向の端面側に開放して設けられる。第2肉薄領域16の上面視形状は、点状や破線状などでもよいが、長手方向に延伸して直線状に設けられることが、比較的小さい領域において小型に且つ効果的に形成でき、好ましい。第2肉薄領域16の断面形状は、矩形状が形成しやすく好ましい。また、第2肉薄領域16の加工方法は、プレスが簡便で良い。
図2に示すパッケージ100において、第1肉薄領域15は、第2肉薄領域16より薄くなっている。第1肉薄領域15が薄く設けられることで、第1肉薄領域15を形成する凹みを被覆する樹脂成形体20が厚く設けられやすくなる。これにより、離間領域13付近に掛かる応力に対するパッケージの強度を高めやすく、また2つのリードフレーム11,12が樹脂成形体20から下方に離脱するのをより抑制しやすい。一方、第2肉薄領域16を形成する凹みを被覆する樹脂成形体20によるリードフレーム11,12の離脱抑制効果は、第1肉薄領域15のそれに対して補助的に奏するものであり、第2肉薄領域16は厚く、つまりそれを形成する凹みは浅く設けられるほうが、加工によるバリの発生などが少なく、好ましい。
図2に示すパッケージ100において、2つのリードフレーム11,12は其々、延伸部14の上面に設けられた窪み17を有している。そして、この窪み17は、樹脂成形体20に埋められている。これにより、樹脂成形体20の延伸部14に対する密着性を高めて、樹脂成形体20がリードフレーム11,12から剥離するのを抑制することができる。この窪み17の上面視形状は、点状や破線状などでもよいが、長手方向に延伸して直線状に設けられることが、比較的小さい領域において小型に且つ効果的に形成でき、好ましい。断面形状は、半円形状、矩形状、逆台形状などでもよいが、逆三角形状(V字状)が形成しやすく好ましい。また、本例のように、窪み17は、延伸部14以外の第1肉薄領域15の上面や、第2肉薄領域16の上面まで連続して形成されていてもよい。
図2に示すパッケージ100において、2つのリードフレーム11,12は其々、長手方向における延伸部14と反対の側に設けられた貫通穴18を有している。そして、この貫通穴18は、樹脂成形体20に埋められている。これにより、貫通穴18の内面が樹脂成形体20に係止するように作用し、リードフレーム11,12が樹脂成形体20から長手方向に離脱するのを抑制することができる。この貫通穴18は、リードフレーム11,12の長手方向の端面側(延伸部14と反対の側)に開放していてもよいが、本例のように、その長手方向の端面から離間してリードフレーム11,12の内側に設けられていることが好ましい。これにより、貫通穴18の内面が上面視における面内全方向に対して樹脂成形体20に係止するように作用し、リードフレーム11,12の樹脂成形体20からの離脱を抑制しやすい。貫通穴18の上面視形状は、矩形状(角が丸みを帯びていてもよい)や円形状でよい。なお、この貫通穴18は、樹脂成形体20を成形する際、その構成材料の注入口として利用することができる。
図2に示すパッケージ100において、リードフレーム11,12の長手方向の端部は、樹脂成形体20から延出している。これにより、パッケージ100又は発光装置200の半田付け等の実装性を高めることができる。更には、そのリードフレーム11,12の延出部は、中央部が切り欠かれて、二股に分かれている。これにより、半田付け等の実装性をよりいっそう高めることができる。なお、このリードフレーム11,12の延出部の外側の角は、面取りが施されている。これにより、多数のパッケージや発光装置を袋に詰めて保管、運搬等する際に、他のパッケージや発光装置の損傷を抑制することができる。
図2に示すパッケージ100において、2つのリードフレーム11,12の最下面は、樹脂成形体20の最下面と共にパッケージ100の下面を構成している。これにより、2つのリードフレーム11,12の最下面を、パッケージ100の実装面とすることができ、リードフレーム11,12から効率良く放熱することができる。それにより、樹脂成形体20の劣化やリードフレーム11からの剥離を抑制したり、発光素子30や保護素子80の放熱性を高めたり、することができる。
図1に示す発光装置200において、発光素子30は、パッケージ100における、第1のリードフレーム11と、第2のリードフレーム12と、の両方の上面に其々、接着剤40により接着されている。第1のリードフレーム11に接着されている発光素子30は、第2のリードフレーム12の延伸部14の上面とワイヤ50で接続されている。第2のリードフレーム12に接着されている発光素子30は、第1のリードフレーム11の延伸部14の上面とワイヤ50で接続されている。
このように、発光装置200は、パッケージ100と、2つのリードフレーム11,12のうちの少なくとも一方の上面に載置された発光素子30と、を備えている。これにより、信頼性の高いパッケージを用いて、信頼性の高い発光装置とすることができる。また、発光装置200は、2つのリードフレーム11,12のうちの発光素子30が載置されたリードフレームとは異なるリードフレームの延伸部14の上面と発光素子30を接続するワイヤ40を備えていることが好ましい。パッケージ100では、一方のリードフレームの延伸部14が他方のリードフレーム側に延伸して設けられているため、他方のリードフレームに接続するワイヤ50を比較的短く形成でき、ワイヤ50による光吸収を軽減でき、光の取り出し効率を高めやすい。
図1に示す発光装置200において、発光素子30は、2つのリードフレーム11,12に1つずつ載置されている。発光素子30を2つのリードフレーム11,12の其々に載置することで、2つの発光素子30の距離を大きくしやすく、それにより輝度分布を制御しやすい。また、パッケージ100では、一方のリードフレームの延伸部14が他方のリードフレーム側に延伸して設けられているため、発光素子30を2つのリードフレームの其々に載置しても、他方のリードフレームに接続するワイヤ50を比較的短く形成でき、ワイヤ50による光吸収を軽減でき、光の取り出し効率を高めやすい。
図1に示す発光装置200において、パッケージ100の略中央に位置する第2のリードフレーム12の延伸部14の上面に、保護素子80が導電性の接着剤45により接着されている。また、その保護素子80は、第1のリードフレーム11の延伸部14の上面とワイヤ50で接続されている。
このように、延伸部14がパッケージ100の略中央に位置しており、発光装置200は、2つのリードフレーム11,12のうちのいずれか一方の延伸部14の上面に載置された保護素子80を備えていることが好ましい。これにより、発光素子30と保護素子80の距離を大きくしやすく、保護素子80による光吸収を軽減して、光の取り出し効率を高めやすい。また、発光装置200は、2つのリードフレーム11,12のうちの保護素子80が載置されたリードフレームとは異なるリードフレームの延伸部14の上面と保護素子80を接続するワイヤ50を備えていることが好ましい。これにより、保護素子80と他方のリードフレームを接続するワイヤ50を比較的短く形成できるため、ワイヤ50による光吸収を軽減でき、光の取り出し効率を更に高めやすい。
図1に示す発光装置200において、各リードフレーム11,12にある2つの第2肉薄領域16は、長手方向に延伸して発光素子30を挟んで設けられている。このように、2つの第2肉薄領域16が発光素子30を挟んで設けられることにより、発光素子30の近隣における樹脂成形体20のリードフレーム11,12からの剥離を抑制し、樹脂成形体20の凹部の側壁面を光反射面として安定して機能させることができる。また、リードフレーム11,12の発光素子30が載置されている領域の直下に位置する下面が樹脂成形体20から露出されていることで、このリードフレームの露出面を発光装置200の実装面とすることができ、発光素子30の放熱性を高めやすい。
以下、本発明の発光装置用パッケージ及び発光装置の各構成要素について説明する。
(リードフレーム11,12)
リードフレームは、発光素子や保護素子に接続されて導電可能な金属部材を用いることができる。具体的には、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル、コバルト、モリブデン、又はこれらの合金、燐青銅、鉄入り銅などの金属板に各種の加工を施したものが挙げられる。また、その表層に、銀、アルミニウム、ロジウム、金、銅、又はこれらの合金などの鍍金や光反射膜が設けられていてもよく、なかでも光反射性に最も優れる銀が好ましい。
(樹脂成形体20)
樹脂成形体の母材は、脂肪族ポリアミド樹脂、半芳香族ポリアミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリシクロヘキサンテレフタレート、液晶ポリマー、ポリカーボネート樹脂、シンジオタクチックポリスチレン、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリアリレート樹脂などの熱可塑性樹脂、ポリビスマレイミドトリアジン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、シリコーン変成樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、などの熱硬化性樹脂が挙げられる。また、これらの母材中に、充填剤又は着色顔料として、ガラス、シリカ、酸化チタン、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム、ワラストナイト、マイカ、酸化亜鉛、チタン酸バリウム、チタン酸カリウム、ホウ酸アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、炭化ケイ素、酸化アンチモン、スズ酸亜鉛、ホウ酸亜鉛、酸化鉄、酸化クロム、酸化マンガン、カーボンブラックなどの粒子又は繊維を混入させることができる。
(発光素子30)
発光素子は、LED素子や半導体レーザ(Laser Diode:LD)素子などの半導体発光素子を用いることができる。発光素子は、種々の半導体で構成される素子構造に正負一対の電極が設けられているものであればよい。特に、蛍光体を効率良く励起可能な窒化物半導体(InAlGa1−x−yN、0≦x、0≦y、x+y≦1)の発光素子が好ましい。このほか、緑色〜赤色発光のガリウム砒素系、ガリウム燐系半導体の発光素子でもよい。正負一対の電極が同一面側に設けられている発光素子の場合、各電極をワイヤでリードフレームと接続してフェイスアップ実装される。正負一対の電極が互いに反対の面に各々設けられている対向電極構造の発光素子の場合、下面電極が導電性接着剤でリードフレームに接着され、上面電極がワイヤでリードフレームと接続される。後述の保護素子の実装形態も同様である。また、発光素子の実装面側に、銀やアルミニウムなどの金属層や誘電体反射膜が設けられることで、光の取り出し効率を高めることができる。1つの発光装置用パッケージに搭載される発光素子の個数は1つでも複数でもよく、その大きさや形状、発光波長も任意に選べばよい。複数の発光素子は、リードフレームやワイヤにより直列又は並列に接続することができる。また、1つの発光装置用パッケージに、例えば青色発光と赤色発光の2つ、青色発光と緑色発光の2つ、青色・緑色・赤色発光の3つなどの組み合わせの発光素子が搭載されてもよい。3つの発光素子を搭載する場合、例えば図1における保護素子の位置に発光素子を載置してもよい。
(接着剤40,45)
接着剤は、発光素子又は保護素子をリードフレームに接着する部材である。絶縁性接着剤は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、又はこれらの変性樹脂やハイブリッド樹脂などを用いることができる。導電性接着剤としては、銀、金、パラジウムなどの導電性ペーストや、金−錫などの半田、低融点金属などのろう材を用いることができる。
(ワイヤ50)
ワイヤは、発光素子の電極又は保護素子の電極と、リードフレームと、を接続する導線である。具体的には、金、銅、銀、白金、アルミニウム又はこれらの合金の金属線を用いることができる。特に、封止部材からの応力による破断が生じにくく、熱抵抗などに優れる金線が好ましい。また、光反射性を高めるために、少なくとも表面が銀で構成されているものでもよい。
(封止部材60)
封止部材は、発光素子や保護素子、ワイヤなどを封止して、埃や水分、外力などから保護する部材である。封止部材の母材は、電気的絶縁性を有し、発光素子から出射される光を透過可能(好ましくは透過率70%以上)であればよい。具体的には、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、TPX樹脂、ポリノルボルネン樹脂、これらの変性樹脂、又はこれらの樹脂を1種以上含むハイブリッド樹脂が挙げられる。ガラスでもよい。なかでも、シリコーン樹脂は、耐熱性や耐光性に優れ、固化後の体積収縮が少ないため、好ましい。また、封止部材は、その母材中に、充填剤や蛍光体など、種々の機能を持つ粒子が添加されてもよい。充填剤は、拡散剤や着色剤などを用いることができる。具体的には、シリカ、酸化チタン、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、酸化亜鉛、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化クロム、酸化マンガン、ガラス、カーボンブラックなどが挙げられる。充填剤の粒子の形状は、破砕状でも球状でもよい。また、中空又は多孔質のものでもよい。
(蛍光体70)
蛍光体は、発光素子から出射される一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を出射する。具体的には、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)、ユウロピウム及び/又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム(CaO−Al−SiO)、ユウロピウムで賦活されたシリケート((Sr,Ba)SiO)などが挙げられる。これにより、可視波長の一次光及び二次光の混色光(例えば白色系)を出射する発光装置や、紫外光の一次光に励起されて可視波長の二次光を出射する発光装置とすることができる。なお、蛍光体は、パッケージの凹部底面側に沈降していてもよいし、凹部内において分散していてもよい。
(保護素子80)
保護素子は、静電気や高電圧サージから発光素子を保護するための素子である。具体的には、ツェナーダイオードが挙げられる。保護素子は、光吸収を抑えるために、白色樹脂などの光反射部材により被覆されていてもよい。
以下、本発明に係る実施例について詳述する。なお、本発明は以下に示す実施例のみに限定されないことは言うまでもない。
<実施例1>
実施例1の発光装置は、図1に示す例の構造を有する、トップビュー式のSMD型LEDである。
パッケージ100は、大きさが横7.0mm、縦2.0mm、厚さ0.65mmであり、正極・負極を構成する2つのリードフレーム11,12に、樹脂成形体20が一体に成形されて構成されている。なお、このパッケージ100は、複数組のリードフレーム11,12が縦横に連なって成る加工金属板を、金型内に設置して、流動性を有する状態の樹脂成形体20の構成材料を注入して固化、離型させた後、各パッケージに分離(個片化)することで作製される。
2つのリードフレーム11,12は其々、表面に銀の鍍金が施された、幅(縦)1.5mm、最大厚3.0mmの銅合金の板状小片である。2つのリードフレーム11,12は其々、互いに対向する側における両端の角が略直角になっている。また、2つのリードフレーム11,12の間の離間領域13は、幅が0.3mmで略一定であり、上面視で2回屈曲した形状に設けられている。つまり、離間領域13の短手方向の両端部は、上面視で短手方向に略平行に設けられている。また、離間領域13の中央部は、上面視で短手方向に対して斜めに設けられている。よって、この斜めの辺を有する部位が延伸部14となっている。第1肉薄領域15は、2つのリードフレーム11,12の互いに対向する側(パッケージ中央部)において、離間領域13の中心(パッケージ中心)を挟んで横幅1.43mmの範囲を厚さ0.12mmに、下面側から圧延加工された領域である。なお、離間領域13は、プレスによる打ち抜きで形成されており、延伸部14の全部は第1肉薄領域15内にある(第1肉薄領域15の端から0.2mm程度内側)。第2肉薄領域16を形成する凹みは、各リードフレーム11,12の下面側において、第1肉薄領域15から0.13mm程度離間して、短手方向の端面側に開放する、長さ(横)1.35mm、幅(縦)0.15mm、深さ0.1mmの略直方体状に設けられている。第2肉薄領域16は、プレス加工により形成されている。また、各リードフレーム11,12の上面には、中心が短手方向の端面から0.1mm内側にあり、幅0.05mm、深さ0.01〜0.04mmのV字溝である窪み17が長手方向に延伸して設けられ、この窪み17は樹脂成形体20に埋められている。さらに、各リードフレーム11,12は、長手方向の外側寄りに、端面から離間して、横0.7mm、縦1.0mmの角が丸みを帯びた上面視矩形状の貫通穴18が設けられ、この貫通穴18は樹脂成形体20に埋められている。また、一方のリードフレームの貫通穴18は、樹脂成形体20の構成材料の注入口として利用され、その貫通穴18内に充填された樹脂成形体20の下面には「ゲート痕」と呼ばれる突起が形成されている。なお、貫通穴18の近隣には、窪み17と同様のV字溝である、短手方向に延伸した窪みが設けられ、この窪みも樹脂成形体20に埋められている。また、2つのリードフレーム11,12は其々、長手方向において、樹脂成形体20の外側に延出して、更に二股に分かれており、この延出部が外部接続用の端子として機能する。
樹脂成形体20は、上面視の外形が横6.2mm、縦2.0mmの長方形状であり、酸化チタンを含有する脂肪族ポリアミド樹脂製の成形体である。樹脂成形体20の上面側の略中央には、横6.0mm、縦1.6mm、深さ0.35mmの上面視トラック形状(矩形の両側に半円が付いたような形状)の凹部が形成されている。凹部底面は、横4.2mm、縦1.1mmの同様形状である(側壁面の傾斜角度は、長手方向が凹部底面から158.7°、短手方向が凹部底面から125.5°である)。
パッケージ100の凹部底面を構成する各リードフレーム11,12の上面には、2つの発光素子30が、シリコーン樹脂である接着剤40で接着されている。この発光素子30は、サファイア基板上に、窒化物半導体のn型層、活性層、p型層が順次積層された、青色(中心波長約460nm)発光可能な、縦650μm、横650μm、厚さ150μmのLED素子である。2つの発光素子30の中心間距離は2.5mmである。また、各発光素子30は、p,n電極の一方がその素子が載置されているリードフレームにワイヤ50で接続され、p,n電極の他方が他方のリードフレームの延伸部14にワイヤ50で接続されている。これにより、2つの発光素子30は、並列接続されている。ワイヤ50は、線径25μmの金線である。
また、一方のリードフレームの延伸部14の上面には、対向電極構造のツェナーダイオードである保護素子80が、銀ペーストである接着剤45で接着されている。また、保護素子80は、その上面電極がワイヤ50で他方のリードフレームの延伸部14に接続されている。
上記2つの発光素子30と保護素子80が収容されたパッケージ100の凹部には、封止部材60が充填され、各素子を被覆している。封止部材60は、シリコーン樹脂を母材とし、その中にYAG:Ceの蛍光体と、シリカの充填材と、を含有している。封止部材60の上面は、樹脂成形体20の上面と略同一面であり、ほぼ平坦面になっている。この封止部材60は、流動性を有する状態において、ディスペンサを用いてパッケージ100の凹部内に充填され、加熱などにより固化させることで形成される。
以上のように構成された実施例1の発光装置200は、順電流260mAにて、順電圧3.15V、光束86.6ルーメン(色度(x、y)=(0.259,0.223))で発光可能である。
<評価>
実施例1の発光装置200において、パッケージ100の強度等を評価する。1.6mm厚のガラスエポキシ基板(FR−4)に発光装置を実装して、その基板を裏から5秒間押し込む基板曲げ試験では、押し込み量5mmを超えるまでクラックの発生はない。抗折強度試験におけるパッケージ破壊時の荷重は、16.5Nである。また、インク浸入試験では、パッケージ凹部内へのインクの浸入がなく、リードフレーム11,12と樹脂成形体20の高い密着性が得られている。
本発明に係る発光装置用パッケージは、SMD型LEDのパッケージとして好適に利用することができる。また、本発明に係るパッケージを用いた発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置などに利用することができる。
100…発光装置用パッケージ(11,12…リードフレーム、13…離間領域、14…延伸部、15…第1肉薄領域、16…第2肉薄領域、17…窪み、18…貫通穴、20…樹脂成形体)
30…発光素子
40,45…接着剤
50…ワイヤ
60…封止部材
70…蛍光体
80…保護素子
200…発光装置

Claims (11)

  1. 上面視において、長手方向と、該長手方向に直交する短手方向と、を有し、
    前記長手方向に並べられた2つのリードフレームと、
    前記2つのリードフレームのうちの少なくとも一方の上面に載置された発光素子と、
    前記2つのリードフレームと一体に成形された樹脂成形体と、を備える発光装置であって、
    前記2つのリードフレームは其々、下面側に設けられた凹みにより肉薄にされ該凹みが前記樹脂成形体に被覆された第1肉薄領域と第2肉薄領域とを有し、且つ、他方のリードフレーム側に幅狭になって延伸する延伸部を有し、
    前記延伸部は、その全部が前記第1肉薄領域内にあって、且つ、その少なくとも一部が上面視で前記長手方向及び前記短手方向において互いに対向する位置にあり、
    前記第2肉薄領域は、前記2つのリードフレームそれぞれの短手方向の両端部に位置し、
    前記発光装置の下面において、前記第1肉薄領域を被覆する前記樹脂成形体の一部と前記第2肉薄領域を被覆する前記樹脂成形体の一部との間には、前記2つのリードフレームの厚み方向において前記第1肉薄領域および前記第2肉薄領域よりも肉厚な肉厚領域があり、
    前記2つのリードフレームのうちの前記発光素子が載置されたリードフレームとは異なるリードフレームの前記延伸部の上面と、前記発光素子がワイヤで接続されることを特徴とする発光装置。
  2. 前記2つのリードフレームの間の離間領域は、上面視において、前記短手方向の両端部が前記短手方向に略平行に設けられている請求項に記載の発光装置。
  3. 前記2つのリードフレームは其々、前記延伸部の上面に設けられた窪みを有し、該窪みは前記樹脂成形体に埋められている請求項又はに記載の発光装置。
  4. 前記延伸部は、該発光装置の略中央に位置している請求項1乃至のいずれか一項に記載の発光装置。
  5. 前記第1肉薄領域は、前記第2肉薄領域より薄い請求項1乃至4のいずれか一項に記載の発光装置。
  6. 前記両端部の第2肉薄領域は前記発光素子を挟んで設けられている請求項1乃至5のいずれか一項に記載の発光装置。
  7. 前記2つのリードフレームは其々、前記長手方向における前記延伸部と反対の側に設けられた貫通穴を有し、該貫通穴は前記樹脂成形体に埋められている請求項1乃至のいずれか一項に記載の発光装置。
  8. 前記2つのリードフレームの最下面は、前記樹脂成形体の最下面と共に該発光装置の下面を構成している請求項1乃至のいずれか一項に記載の発光装置。
  9. 前記発光素子は、前記2つのリードフレームに1つずつ載置されている請求項1乃至のいずれか1項に記載の発光装置。
  10. 前記延伸部は、該発光装置の略中央に位置しており、
    前記発光装置は、前記2つのリードフレームのうちのいずれか一方の前記延伸部の上面に載置された保護素子を備える請求項1乃至9のいずれか一項に記載の発光装置。
  11. 前記2つのリードフレームは其々、前記長手方向の端部において前記樹脂成形体から延出する延出部を有し、
    前記延出部は切り欠き部を有する請求項1乃至10のいずれか1項に記載の発光装置。
JP2012241155A 2012-10-31 2012-10-31 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置 Active JP6102187B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012241155A JP6102187B2 (ja) 2012-10-31 2012-10-31 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
US14/064,200 US9281460B2 (en) 2012-10-31 2013-10-28 Light emitting device package and light emitting device having lead-frames

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012241155A JP6102187B2 (ja) 2012-10-31 2012-10-31 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2014093323A JP2014093323A (ja) 2014-05-19
JP2014093323A5 JP2014093323A5 (ja) 2015-11-12
JP6102187B2 true JP6102187B2 (ja) 2017-03-29

Family

ID=50546215

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012241155A Active JP6102187B2 (ja) 2012-10-31 2012-10-31 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9281460B2 (ja)
JP (1) JP6102187B2 (ja)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5122172B2 (ja) 2007-03-30 2013-01-16 ローム株式会社 半導体発光装置
KR101957884B1 (ko) * 2012-05-14 2019-03-13 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 조명 장치
JP6107136B2 (ja) 2012-12-29 2017-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置
JP6484396B2 (ja) 2013-06-28 2019-03-13 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
US9437793B2 (en) * 2014-02-21 2016-09-06 Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. Package support, fabrication method and LED package
WO2015151273A1 (ja) * 2014-04-04 2015-10-08 三菱電機株式会社 半導体装置
JP6413412B2 (ja) * 2014-07-11 2018-10-31 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
DE102014112706A1 (de) * 2014-09-03 2016-03-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Bauelement und Herstellung eines elektronischen Bauelements
JP6569217B2 (ja) * 2014-12-22 2019-09-04 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9711700B2 (en) * 2014-12-26 2017-07-18 Nichia Corporation Light emitting device and method for producing the same
JP6526463B2 (ja) * 2015-03-31 2019-06-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
KR102423236B1 (ko) * 2015-09-03 2022-07-20 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지
JP6721346B2 (ja) 2016-01-27 2020-07-15 ローム株式会社 半導体装置
KR102554231B1 (ko) * 2016-06-16 2023-07-12 서울바이오시스 주식회사 전극 구조를 갖는 수직형 발광 다이오드 및 그것을 갖는 발광 다이오드 패키지

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3130684B2 (ja) 1992-11-06 2001-01-31 沖電気工業株式会社 振込依頼書の発行処理方法
JP3488570B2 (ja) 1996-03-29 2004-01-19 ローム株式会社 Led発光装置およびこれを用いた面発光照明装置
US20030075724A1 (en) * 2001-10-19 2003-04-24 Bily Wang Wing-shaped surface mount package for light emitting diodes
DE10041686A1 (de) 2000-08-24 2002-03-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement mit einer Vielzahl von Lumineszenzdiodenchips
JP2003110145A (ja) 2001-09-27 2003-04-11 Harvatek Corp 発光ダイオード用の翼形表面実装パッケージ
JP2004221186A (ja) * 2003-01-10 2004-08-05 Nanotemu:Kk 半導体発光装置
JP2005197329A (ja) * 2004-01-05 2005-07-21 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型半導体装置及びそのリードフレーム構造
JP4359195B2 (ja) 2004-06-11 2009-11-04 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
JP2006210624A (ja) * 2005-01-27 2006-08-10 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
KR100638721B1 (ko) * 2005-01-28 2006-10-30 삼성전기주식회사 수지 흐름 개선용 리드 프레임 구조를 갖는 측면형발광다이오드 패키지
US7675145B2 (en) * 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
KR100809210B1 (ko) 2006-07-10 2008-02-29 삼성전기주식회사 고출력 led 패키지 및 그 제조방법
JP4846498B2 (ja) 2006-09-22 2011-12-28 株式会社東芝 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法
TWM312778U (en) 2006-12-22 2007-05-21 Lighthouse Technology Co Ltd Improved LED
JP5168152B2 (ja) 2006-12-28 2013-03-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2008156020A1 (ja) 2007-06-19 2008-12-24 Sharp Kabushiki Kaisha 基板及び照明装置
TWM330569U (en) 2007-10-09 2008-04-11 Everlight Electronics Co Ltd LED seal structure
JP5379503B2 (ja) * 2009-02-04 2013-12-25 アピックヤマダ株式会社 Ledパッケージ、ledパッケージの製造方法、及び金型
JP5446843B2 (ja) 2009-12-24 2014-03-19 豊田合成株式会社 Led発光装置
JP5010716B2 (ja) 2010-01-29 2012-08-29 株式会社東芝 Ledパッケージ
JP5378568B2 (ja) 2010-01-29 2013-12-25 株式会社東芝 Ledパッケージ
JP2012004596A (ja) * 2010-01-29 2012-01-05 Toshiba Corp Ledパッケージ及びその製造方法
JP5587625B2 (ja) * 2010-02-01 2014-09-10 アピックヤマダ株式会社 リードフレーム及びledパッケージ用基板
KR101039994B1 (ko) 2010-05-24 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR101103674B1 (ko) 2010-06-01 2012-01-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR20120001189A (ko) 2010-06-29 2012-01-04 삼성엘이디 주식회사 발광 다이오드 패키지
WO2012014382A1 (ja) 2010-07-27 2012-02-02 パナソニック株式会社 半導体装置
JP2012028694A (ja) * 2010-07-27 2012-02-09 Panasonic Corp 半導体装置
KR101114197B1 (ko) * 2010-08-09 2012-02-22 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
TWM400099U (en) * 2010-09-27 2011-03-11 Silitek Electronic Guangzhou Lead frame, package structure and lighting device thereof
JP5886584B2 (ja) 2010-11-05 2016-03-16 ローム株式会社 半導体発光装置
JP5766976B2 (ja) * 2011-02-28 2015-08-19 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
KR101812761B1 (ko) * 2011-03-02 2017-12-28 서울반도체 주식회사 발광다이오드 패키지
JP2012190970A (ja) 2011-03-10 2012-10-04 Panasonic Corp 発光素子用パッケージ及びそれを用いた発光装置
JP2012195430A (ja) 2011-03-16 2012-10-11 Sanken Electric Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
KR101116951B1 (ko) 2011-03-21 2012-03-14 희성전자 주식회사 발광다이오드 패키지
JP5781801B2 (ja) * 2011-03-29 2015-09-24 シチズン電子株式会社 Led発光装置
CN103367615B (zh) * 2012-04-06 2018-02-02 日亚化学工业株式会社 发光装置用封装成形体及使用了它的发光装置
KR101957884B1 (ko) * 2012-05-14 2019-03-13 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 조명 장치
KR101886157B1 (ko) * 2012-08-23 2018-08-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 조명시스템
JP6107136B2 (ja) * 2012-12-29 2017-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置
TW201434134A (zh) * 2013-02-27 2014-09-01 Everlight Electronics Co Ltd 發光裝置、背光模組及照明模組
US9728685B2 (en) * 2013-02-28 2017-08-08 Nichia Corporation Light emitting device and lighting device including same
US9748164B2 (en) * 2013-03-05 2017-08-29 Nichia Corporation Semiconductor device
JP6291713B2 (ja) * 2013-03-14 2018-03-14 日亜化学工業株式会社 発光素子実装用基体及びそれを備える発光装置、並びにリードフレーム
JP6221403B2 (ja) * 2013-06-26 2017-11-01 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6484396B2 (ja) * 2013-06-28 2019-03-13 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
JP6237174B2 (ja) * 2013-12-05 2017-11-29 日亜化学工業株式会社 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014093323A (ja) 2014-05-19
US20140117403A1 (en) 2014-05-01
US9281460B2 (en) 2016-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6102187B2 (ja) 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
JP6484396B2 (ja) 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
US10374136B2 (en) Light emitting apparatus
JP6107136B2 (ja) 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置
JP2016054251A (ja) パッケージ及びそれを用いた発光装置
JP6544410B2 (ja) 発光素子実装用基体及びそれを備える発光装置
JP6610703B2 (ja) 発光装置用パッケージ
JP6414609B2 (ja) 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置
JP2019033263A (ja) パッケージ及びそれを用いた発光装置
JP2018101708A (ja) パッケージ、発光装置、発光装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150924

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150924

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160427

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160524

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160719

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20160920

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161220

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20161228

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170131

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170213

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6102187

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250