CN102655142A - 发光二极管封装件 - Google Patents
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Abstract
本发明的实施例提供了一种发光二极管封装件。发光二极管封装件包括:第一引线框架,包括形成在其中的第一孔杯;第二引线框架,包括形成在其中的第二孔杯并被设置成面对第一引线框架,在第一引线框架和第二引线框架之间设置有间隙;第一发光二极管芯片,设置在第一孔杯上;以及第二发光二极管芯片,设置在第二孔杯上。第一引线框架具有面积比与其相邻的区域大并形成在所述间隙和第一孔杯之间的第一扩大区域,第二引线框架具有面积比与其相邻的区域大并形成在所述间隙和第二孔杯之间的第二扩大区域。
Description
本申请要求于2011年3月2日提交的第10-2011-0018519号韩国专利申请的优先权和权益,为了如这里所充分阐述的所有目的,通过引用将该申请包含于此。
技术领域
本发明涉及一种发光二极管封装件,更具体地讲,涉及一种具有优异可靠性的发光二极管封装件。
背景技术
通常,发光二极管封装件包括发光二极管芯片和用于将功率施加到发光二极管芯片的引线框架。引线框架由封装件主体支撑并通过键合引线电连接到发光二极管芯片。封装件主体不仅用于支撑引线框架,还用于保护包括容纳在其中的发光二极管芯片。
发光二极管封装件通常具有一对发光二极管芯片安装在一对面对的引线框架上的结构。
图1是传统发光二极管封装件的平面图。
参照图1,一对引线框架2a、2b通过限定在它们之间的线性间隙而布置,并被由塑料材料制成的封装件主体4支撑。一对发光二极管芯片6a、6b分别安装在一对引线框架2a、2b上。封装件主体4包括腔,一对发光二极管芯片6a、6b通过腔暴露,并且腔填充有透光包封材料,使得从发光二极管芯片6a、6b发射的光穿过包封材料。
在传统的LED封装件中,一条键合引线w1连接在第一引线框架2a上的第一发光二极管芯片6a和第二引线框架2b之间,另一条键合引线w2连接在第二引线框架2b上的第二发光二极管芯片6b和第一引线框架2a之间。
需要确保在发光二极管芯片6a或6b的内端与引线框架2a或2b的内端之间有充足的引线键合区域,在试图减小第一发光二极管6a和第二发光二极管芯片6b之间的距离时造成许多限制。当在发光二极管芯片6a或6b的内端与引线框架2a或2b的内端之间确保不了充足的引线键合区域时,定位齐纳二极管(Zener diode)7受到了许多限制。
在引线框架上形成用于容纳发光二极管芯片的孔杯(hole cup)的技术应用到发光二极管封装件可以改善发光二极管封装件的发光效率和散热性能。然而,因由引线框架的不足的引线键合区域导致的对孔杯的尺寸限制,难以将该技术应用到如上所述的传统的发光二极管封装件。
发明内容
本发明的一个示例性实施例提供了一种发光二极管封装件,该发光二极管封装件被构造成在未增大安装在相邻的引线框架上的发光二极管芯片之间的距离的情况下,允许用于引线框架的引线键合区域或齐纳二极管的安装区域增大。
本发明的另一示例性实施例提供了一种发光二极管封装件,该发光二极管封装件被构造成在将孔杯应用到相邻的引线框架而未减小孔杯的尺寸的情况下,允许用于引线框架的引线键合区域或齐纳二极管的安装区域增大。
本发明的附加特征将在下面的描述中被阐述,并且部分通过描述将是明显的,或者可以通过本发明的实践而获得。
根据本发明的一方面,一种发光二极管封装件包括:第一引线框架,包括形成在其中的第一孔杯;第二引线框架,包括形成在其中的第二孔杯并被设置成面对第一引线框架,在第一引线框架和第二引线框架之间设置有间隙;第一发光二极管芯片,设置在第一孔杯上;以及第二发光二极管芯片,设置在第二孔杯上。这里,第一引线框架具有面积比与其相邻的区域大并形成在间隙和第一孔杯之间的第一扩大区域,第二引线框架具有面积比与其相邻的区域大并形成在间隙和第二孔杯之间的第二扩大区域。
根据一个示例性实施例,第一扩大区域和第二扩大区域可以通过弯曲形状或倾斜线形状的间隙而形成。
根据一个示例性实施例,从第一发光二极管芯片延伸出的键合引线的一端可以键合到第二扩大区域,从第二发光二极管芯片延伸出的键合引线的一端可以键合到第一扩大区域。
根据一个示例性实施例,第一扩大区域或第二扩大区域可以包括齐纳二极管。
根据一个示例性实施例,第一扩大区域可以沿对角线方向面对第二扩大区域,并且在第一扩大区域和第二扩大区域之间设置有所述间隙。
根据本发明的另一方面,一种发光二极管封装件包括:第一引线框架和第二引线框架,被布置成使得其间设置有间隙的第一引线框架和第二引线框架的内端彼此相邻;以及第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片,分别设置在第一引线框架和第二引线框架上。这里,每个内端包括扩大引线键合区域的引端和连接到引端的尾端,从第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片延伸出的每条键合引线键合到在对应的引端附近的扩大区域。
根据一个示例性实施例,第一引线框架包括容纳第一发光二极管芯片的第一孔杯,第二引线框架包括容纳第二发光二极管芯片的第二孔杯。
根据一个示例性实施例,第一扩大区域可以形成在第一孔杯和第一引线框架的引端之间,第二扩大区域可以形成在第二孔杯和第二引线框架的引端之间,从第一发光二极管芯片延伸出的键合引线的一端可以键合到第二扩大区域,从第二发光二极管芯片延伸出的键合引线的一端可以键合到第一扩大区域。
根据一个示例性实施例,第一扩大区域或第二扩大区域包括齐纳二极管。
将理解的是,前面的总体描述和下面的详细描述均是示例性的和解释性的,并意图提供对所主张的本发明的进一步解释。
附图说明
包括附图以提供对本发明的进一步理解,附图包含在说明书的一部分中并构成说明书的一部分,附图示出了本发明的实施例并与描述一起用于解释本发明的原理。
图1是传统的发光二极管封装件的平面图。
图2是根据本发明一个示例性实施例的发光二极管封装件的平面图。
图3是沿图2中的线I-I截取的剖视图。
图4是根据本发明另一示例性实施例的发光二极管封装件的平面图。
具体实施方式
在下文中将参照附图更充分地描述本发明,在附图中示出了本发明的示例性实施例。然而,本发明可以以许多不同的形式实施并且不应被解释为局限于这里提出的示例性实施例。相反,提供这些示例性实施例使本公开是彻底的,并且这些示例性实施例将把本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。在附图中,为了清楚起见,可以夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。在附图中,相同的标号代表相同的元件。
图2是根据本发明一个示例性实施例的发光二极管封装件的平面图,图3是沿图2中的线I-I截取的剖视图。
如图2和图3所示,根据一个示例性实施例的发光二极管封装件1包括:第一引线框架21和第二引线框架22;近似矩形的封装件主体40,支撑第一引线框架21和第二引线框架22;以及第一发光二极管芯片61和第二发光二极管芯片62,从第一引线框架21和第二引线框架22接收功率以发光。
封装件主体40可以通过注射成型由诸如聚邻苯二甲酰胺(PPA)的塑料树脂形成,以支撑第一引线框架21和第二引线框架22。在本实施例中,封装件主体40在其上部形成有伸长的矩形腔42。第一引线框架21和第二引线框架22的上表面通过腔42被部分地暴露。在腔42内,第一发光二极管芯片61和第二发光二极管芯片62分别安装在第一引线框架21和第二引线框架22上。透光包封材料80(见图3)填充腔42,以保护第一发光二极管芯片61和第二发光二极管芯片62。
第一引线框架21和第二引线框架22延伸穿过封装件主体40的相对的侧部,并形成发光二极管封装件1的外部端子。这里,第一引线框架21和第二引线框架22的构成外部端子的外部部分的部分弯曲成与封装件主体40的底表面基本共面。
在封装件主体40的腔42的内部,第一引线框架21和第二引线框架22彼此分开而在它们之间限定了间隙(g)。此外,第一引线框架21和第二引线框架22分别形成有第一孔杯212和第二孔杯222。第一发光二极管芯片61放置在第一孔杯212上,第二发光二极管芯片62放置在第二孔杯222上。第一孔杯212和第二孔杯222中的每个具有沿腔42的长度伸长的近似矩形的形状,即,具有长边和短边的矩形形状。另外,第一孔杯212和第二孔杯222的内壁具有倾斜的表面,以改善反射率。另外,第一孔杯212和第二孔杯222的底表面暴露到外部并与封装件主体40的底表面基本共面。
同时,间隙(g)具有像闪电的弯曲形状,该弯曲形状将第一引线框架21和第二引线框架22的每个内端分成引端(leading end)213a或223a和连接到引端并在其后部形成的尾端(trailing end)213b或223b。相对于尾端213b或223b,引端213a或223a从对应的引线框架21或22向另一引线框架22或21突出得更多。第一引线框架21的引端213a相邻地面对第二引线框架22的尾端223b,第一引线框架21的尾端213b相邻地面对第二引线框架22的引端223a。
引端213a或223a与另一端的面积相比使引端213a或223a附近的区域的面积扩大。在本实施例中,将这样的扩大的区域设置为键合有从发光二极管芯片61或62延伸出的键合引线w1或w2的引线键合区域。因此,在未增大第一发光二极管芯片61和第二发光二极管芯片62之间的距离的情况下,能够确保在第一引线框架21和第二引线框架22的内端附近的被充分扩大的引线键合区域。
在上述结构中,第一引线框架21包括形成在第一孔杯212和间隙(g)之间的第一扩大区域214,第二引线框架22包括形成第二孔杯222和间隙(g)之间的第二扩大区域224,第一扩大区域214和第二扩大区域224具有比与其相邻的其他区域更大的面积。更具体地讲,第一扩大区域214形成在第一引线框架21的第一孔杯212和第一引线框架21的引端213a之间,第二扩大区域224形成在第二引线框架22的第二孔杯222和第二引线框架22的引端223a之间。从第二引线框架22上的第二发光二极管芯片62延伸出的键合引线w2的一端键合到第一扩大区域214,从第一引线框架21上的第一发光二极管芯片61延伸出的键合引线w1的一端键合到第二扩大区域224。在本实施例中,齐纳二极管70安装在第二扩大区域224上。
在引线键合操作中,引线框架上的不足的引线键合区域提供了低的可靠性。根据示例性实施例,虽然孔杯212或222在引线框架21或22上占据了大的面积并且不允许引线键合到其,但如上所述地提供第一扩大区域214和第二扩大区域224确保了充足的引线键合区域。此外,与现有的孔杯相比,提供第一扩大区域214和第二扩大区域224可以增大第一孔杯212和第二孔杯222的尺寸。孔杯的尺寸的增大可以改善发光二极管封装件的发光效率。
虽然在图2中被最佳地示出的本实施例中,第一扩大区域214和第二扩大区域224沿对角线方向布置,但将理解的是,可以以各种方式布置第一扩大区域214和第二扩大区域224。
图4是根据本发明另一示例性实施例的发光二极管封装件的平面图。
参照图4,第一引线框架21和第二引线框架22彼此分开以限定它们之间的间隙(g)。在本实施例中,间隙(g)具有倾斜线的形状。由于倾斜线形状的间隙(g)被限定在第一引线框架21和第二引线框架22的内端之间,所以第一引线框架21和第二引线框架22的每个内端具有引端213a或223a和尾端213b或223b,但是由于间隙(g)和内端存在于连续的直线上,所以引端和尾端没有彼此区分开。为了方便起见,引端213a或223a与尾端213b或223b将参照沿横向方向与发光二极管封装件1的中心交叉的虚拟参考线L而彼此区分开。
如在上述的实施例中一样,引端213a或223a从对应的引线框架21或22向另一引线框架22或21的突出多于尾端213b或223b从对应的引线框架21或22向另一引线框架22或21的突出。第一引线框架21的引端213a相邻地面对第二引线框架22的尾端223b,第一引线框架21的尾端213b相邻地面对第二引线框架22的引端223a。
此外,相对参考线L,第一扩大区域214形成在第一引线框架21的第一孔杯212和第一引线框架21的引端213a之间,第二扩大区域224形成在第二引线框架22的第二孔杯222和第二引线框架22的引端223a之间。从第二引线框架22上的第二发光二极管芯片62延伸出的键合引线w2的一端键合到第一扩大区域214,从第一引线框架21上的第一发光二极管芯片61延伸出的键合引线w1的一端键合到第二扩大区域224。在本实施例中,齐纳二极管70安装在第二扩大区域224上。
根据示例性实施例,发光二极管封装件在未增大安装在相邻的引线框架上的发光二极管芯片之间的距离的情况下,允许用于引线框架的引线键合区域或齐纳二极管的安装区域增大。此外,根据一些示例性实施例,发光二极管封装件在将孔杯应用到相邻的引线框架而未减小孔杯的尺寸的情况下,允许用于引线框架的引线键合区域或齐纳二极管的安装区域增大。
虽然已结合附图参照一些示例性实施例示出了本发明,但对本领域技术人员明显的将是,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,可以对本发明做出各种变型和改变。此外,应该理解的是,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,也可以将特定实施例中的一些特征应用到其他实施例。因此,应该理解的是,实施例仅通过举例说明的方式提供并给出,以提供本发明的完全公开并向本领域技术人员提供对本发明的彻底理解。因此,本发明意图覆盖变型和改变,只要它们落入权利要求及它们的等同物的范围内。
Claims (9)
1.一种发光二极管封装件,所述发光二极管封装件包括:
第一引线框架,包括形成在其中的第一孔杯;
第二引线框架,包括形成在其中的第二孔杯并被设置成面对第一引线框架,在第一引线框架和第二引线框架之间设置有间隙;
第一发光二极管芯片,设置在第一孔杯上;以及
第二发光二极管芯片,设置在第二孔杯上,
第一引线框架具有面积比与其相邻的区域大并形成在所述间隙和第一孔杯之间的第一扩大区域,第二引线框架具有面积比与其相邻的区域大并形成在所述间隙和第二孔杯之间的第二扩大区域。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,第一扩大区域和第二扩大区域通过弯曲形状或倾斜线形状的间隙而形成。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,从第一发光二极管芯片延伸出的键合引线的一端键合到第二扩大区域,从第二发光二极管芯片延伸出的键合引线的一端键合到第一扩大区域。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,第一扩大区域或第二扩大区域包括齐纳二极管。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,第一扩大区域沿对角线方向面对第二扩大区域,并且在第一扩大区域和第二扩大区域之间设置有所述间隙。
6.一种发光二极管封装件,所述发光二极管封装件包括:
第一引线框架和第二引线框架,被布置成使得其间设置有间隙的第一引线框架和第二引线框架的内端彼此相邻;
第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片,分别设置在第一引线框架和第二引线框架上,
其中,每个内端包括扩大引线键合区域的引端和连接到引端的尾端,从第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片延伸出的每条键合引线键合到在对应的引端附近的扩大区域。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装件,其中,第一引线框架包括容纳第一发光二极管芯片的第一孔杯,第二引线框架包括容纳第二发光二极管芯片的第二孔杯。
8.如权利要求7所述的发光二极管封装件,其中,第一扩大区域形成在第一孔杯和第一引线框架的引端之间,第二扩大区域形成在第二孔杯和第二引线框架的引端之间,从第一发光二极管芯片延伸出的键合引线的一端键合到第二扩大区域,从第二发光二极管芯片延伸出的键合引线的一端键合到第一扩大区域。
9.如权利要求8所述的发光二极管封装件,其中,第一扩大区域或第二扩大区域包括齐纳二极管。
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