CN101427369A - 具有散热器支撑部件的引线框架、使用该引线框架的发光二极管封装件的制造方法以及由该方法制造的发光二极管封装件 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种具有散热器支撑部件的引线框架、一种采用所述引线框架的发光二极管封装件以及一种使用所述引线框架的发光二极管封装件的制造方法。所述引线框架包括围绕预定区域的外部框架。散热器支撑部件从外部框架向内延伸以彼此面对。每个支撑部件具有结合到散热器的端部。此外，引线端从外部框架向内延伸以彼此面对。引线端与支撑部件分隔开。因此，可以在将散热器结合到支撑部件的端部之后，通过嵌入成型技术来形成封装件主体，并且可以容易地将散热器和引线端对齐。

Description

具有散热器支撑部件的引线框架、使用该引线框架的发光二极管封装件的制造方法以及由该方法制造的发光二极管封装件
技术领域
本发明涉及一种引线框架、一种使用该引线框架的发光二极管封装件的制造方法以及一种通过该方法制造的发光二极管封装件，更具体地讲，本发明涉及一种具有支撑部件的引线框架、一种使用该引线框架的发光二极管封装件的制造方法以及一种通过该方法制造的发光二极管封装件，所述支撑部件能够在通过嵌入成型(insert molding)技术形成封装件主体之前将散热器(heat sink)固定到引线框架，从而将散热器和引线框架对齐。
背景技术
为了将发光二极管(LED)用作用于照明的光源，要求LED具有几十流明的发光功率(luminous power)。LED的发光功率通常与输入功率成比例。因此，可以通过增加输入到LED的功率来得到高发光功率。然而，输入功率的增加导致LED的结温度升高。LED的结温度的升高导致指示输入能量被转换为可见光的程度的光度效率(photometric efficiency)降低。因此，要求LED具有用于防止由输入功率的增加导致LED的结温度升高的结构。
在第6,274,924(B1)号美国专利(题目：表面安装LED封装件)中已经公开了一种设置有这样的结构的LED封装件。根据所述文件，由于LED芯片(die)热结合在散热器上，所以LED芯片可以保持在低的结温度下。因此，相对高的输入功率被提供到LED芯片，从而可以得到高发光功率。
然而，由于通过形成封装件主体然后将散热器插入到封装件主体中来制造传统的LED封装件，所以问题在于，散热器会易于与封装件主体分开。同时，可以通过将散热器和引线端对齐，然后通过嵌入成型技术形成用于支撑散热器和引线端的封装件主体来制造LED封装件。然而，由于在传统的LED中引线端和散热器彼此分开，所以难以将引线端和散热器彼此对齐。
发明内容
技术问题
本发明的一个目的在于提供一种具有优良的散热特性的LED封装件，其中，虽然输入高的输入功率，但可以防止LED芯片的结温度升高，因此可以获得高发光功率。
本发明的另一目的在于提供一种能够将引线端和散热器容易地对齐的LED封装件。
本发明的又一目的在于提供一种引线框架，其中，可以将引线端和散热器容易地对齐，因此可以容易地制造LED封装件。
技术方案
为了实现这些目的，本发明提供一种具有散热器支撑部件的引线框架、一种使用该引线框架的发光二极管(LED)封装件的制造方法以及一种通过该方法制造的LED封装件。
根据本发明一方面的引线框架包括围绕预定区域的外部框架。散热器支撑部件从外部框架向内延伸以彼此面对。每个支撑部件具有结合到散热器的端部。此外，引线端从外部框架向内延伸以彼此面对。引线端与支撑部件分隔开。因此，可以在将散热器结合到支撑部件的端部之后，通过嵌入成型技术来形成封装件主体，并且可以容易地将散热器和引线端对齐。
每个引线端具有围绕散热器布置的内部引线和从内部引线延伸的外部引线。在本发明的一些实施例中，每个内部引线可以沿着支撑部件之间的散热器的外围延伸。这样的内部引线提供了将键合有导线的足够的区域。另外，支撑部件的每个端部可以沿着内部引线之间的散热器的外围延伸。延伸的端部使得接触散热器的接触表面增大，从而稳定地支撑散热器，并且延伸的端部防止支撑部件与封装件主体分开。此外，支撑部件可以弯曲，使得支撑部件的端部定位得低于引线端的端部。支撑部件弯曲的端部埋入封装件主体，以防止支撑部件与封装件主体分开。
根据本发明另一方面的制造LED封装件的方法包括准备引线框架。所述引线框架包括围绕预定区域的外部框架。散热器支撑部件从外部框架向内延伸以彼此面对。每个支撑部件具有结合到散热器的端部。此外，引线端从外部框架向内延伸以彼此面对。引线端与支撑部件分隔开。同时，将散热器结合并固定到支撑部件。然后，通过注入成型技术在散热器、支撑部件和引线端上形成用于支撑散热器、支撑部件和引线端的封装件主体。封装件主体具有用于暴露散热器的顶端部和引线端的部分的开口。根据本方面，由于将散热器结合并固定到支撑部件，所以引线端和散热器自对齐。因此，在没有用于将散热器和引线端对齐的额外器件的情况下将散热器和引线端对齐，从而可以容易地制造LED。
LED芯片安装在散热器的顶表面上，LED芯片通过键合导线电连接到引线端。然后，形成用于包封LED芯片和键合导线的成型件。成型件可以形成为透镜形状。成型件可以包括用于包封LED芯片和键合导线的部分的第一成型件以及用于包封第一成型件和键合导线的全部的第二成型件。
同时，可以形成封装件主体，使得散热器的顶表面位于与封装件主体的顶表面相同的位置或高于封装件主体的顶表面的位置。因此，安装在散热器的顶表面上的LED芯片位于高于封装件主体的顶表面的位置。因此，防止从LED芯片发射的光在封装件主体的内壁中被吸收并损失，从而可以提高LED芯片的发光效率。此外，由于消除了封装件主体的影响，所以可以使用成型件或其它的透镜来容易地控制从LED芯片发射的光的路径(诸如视角、光分布等)。
同时，去除外部框架，切割并形成位于封装件主体的外部的支撑部件和引线端，从而完成LED封装件。
根据本发明又一方面的LED封装件包括散热器。支撑部件结合到散热器。每个支撑部件具有结合到散热器的端部。同时，引线端与支撑部件和散热器分隔开，并布置在散热器的两侧。封装件主体通过成型形成在散热器、支撑部件和引线端上，以支撑散热器、支撑部件和引线端。封装件主体具有用于暴露散热器的顶端部和引线端的部分的开口。因此，支撑部件和散热器彼此结合，从而可以防止散热器与封装件主体分开。
同时，散热器可以包括体部件和从体部件的侧表面突出的突起。突起埋入封装件主体中，支撑部件结合到体部件。
此外，散热器可以具有用于容纳支撑部件的端部的支撑部件容纳槽。支撑部件容纳槽容纳支撑部件的端部，从而将支撑部件稳定地结合到散热器。
同时，散热器的体部件的顶表面可以位于与封装件主体的顶表面相同的位置或高于封装件主体的顶表面的位置。因此，安装在散热器的体部件的顶表面上的LED芯片位于高于封装件主体的顶表面的位置，从而可以减少由于封装件主体的光吸收导致的光损失，并可以容易地控制发射到外部的光的路径。
同时，散热器可以具有定位在体部件上的反射杯。反射杯反射从LED芯片发射的光，以在窄视角范围内增加发射的光的发光密度。
在结合散热器和支撑部件之后，通过注入成型热固性树脂或热塑性树脂由塑料树脂来形成封装件主体。因此，可以容易地形成具有复杂结构的封装件主体，并且可以将封装件主体牢固地结合到散热器。
同时，每个支撑部件可以具有弯曲部分。因此，结合到散热器的支撑部件的端部定位得低于引线端。同时，弯曲部分埋入封装件主体中。因此，弯曲部分防止支撑部件与封装件主体分开。
每个引线端具有从封装件主体突出到封装件主体的外部的外部引线。外部引线可以沿封装件主体的侧壁弯曲到封装件主体的底表面。因此，可以使LED封装件的安装表面最小化。
同时，LED芯片安装在散热器的顶表面上。LED芯片可以安装在反射杯中。同时，通过键合导线来电连接LED芯片和引线端。另外，成型树脂可以包封LED芯片和键合导线。成型树脂可以具有例如凸透镜形状的各种形状。有益效果
根据本发明的实施例，可以提供一种通过采用散热器而具有优良散热特性并因此得到高发光功率的LED封装件。此外，在将散热器结合并固定到支撑部件之后，可以通过注入成型工艺来形成封装件主体，从而可以将引线端和散热器容易地对齐，并可以防止散热器与封装件主体分开。此外，虽然采用散热器支撑部件，但是可以防止引线端和散热器之间的间隔距离增大，从而可以防止LED封装件尺寸增大。
附图说明
图1是示出根据本发明实施例的引线框架的透视图；
图2是示出根据本发明实施例的散热器的透视图；
图3至图6是示出根据本发明实施例的发光二极管(LED)封装件的制造方法的透视图；
图7(a)至图7(c)是示出根据本发明实施例的LED封装件的透视图和剖面透视图；
图8(a)和图8(b)是示出根据本发明其它实施例的引线框架的透视图。
[标号列表]
10、60、70：引线框架11：外部框架
13、15：引线端13a、15a：外部引线
13b、15b：内部引线17：支撑部件
19：连接部件20：散热器
21：体部件21a：支撑部件容纳槽
23：突起25：反射杯
30：封装件主体40：发光二极管芯片
50：成型件
具体实施方式
下文中，将参照附图详细描述本发明的优选实施例。
图1是示出根据本发明实施例的引线框架10的透视图。
参照图1，引线框架10具有围绕预定区域的外部框架11。预定区域包括散热器定位的区域。如本附图所示，外部框架11为矩形形状。然而，外部框架11不限于此，而是可以为圆形或其它多边形的形状。
散热器支撑部件17从外部框架11向内延伸以彼此面对。每个支撑部件17具有结合到散热器的端部。此外，引线端13和15从外部框架11向内延伸以彼此面对。引线端13和15与支撑部件17分隔开。
引线端13和15分别具有外部引线13a和15a以及内部引线13b和15b。内部引线13b和15b布置在散热器将定位的区域周围。外部引线13a和15a分别从内部引线13b和15b向外延伸以连接到外部框架11。如本附图所示，外部引线13a和15a中的每个可以具有宽的宽度，从而增大外部引线13a和15a的安装表面。内部引线和外部引线彼此连接的部分可以形成为具有窄的宽度，使得引线易于弯曲。
同时，内部引线13b和15b可以沿着支撑部件17之间的散热器的外围延伸。延伸的内部引线13b和15b提供可以结合导线的足够的区域。可以设置用于将外部框架11连接到内部引线13b和15b的连接部件19，使得延伸的内部引线13b和15b被稳定地固定到外部框架11。
支撑部件17可以弯曲，从而将支撑部件17的端部定位得低于引线端13和15的端部。支撑部件17的弯曲部分可以埋入封装件主体中，以防止支撑部分17与封装件主体分开。
可以根据发光二极管(LED)芯片的种类和数量以及键合导线连接方法来确定引线端13和15的所需数量。引线框架10可以具有大量的引线端，以便用于各种情况。
可以通过压制由作为铜合金的磷青铜制成的板来制造根据本发明实施例的引线框架10。同时，虽然图1中示出了单个引线框架10，但是可以由一块磷青铜板制造并布置多个引线框架10。具体地讲，由一块磷青铜板制造的多个引线框架10用于LED封装件的批量生产。
图2是示出根据本发明实施例的使用在LED封装件中的散热器20的透视图。
参照图2，散热器20包括体部件21和从体部件21的侧表面突出的突起23。虽然如本附图所示，体部件21为圆柱形状，但是体部件21不限于此，而是可以为多边柱形状。虽然突起23可以具有与体部件21类似的形状，但是突起23不限于此。即，突起可以从体部件21的部分限制性地突出。
此外，散热器20可以具有用于容纳支撑部件17的支撑部件容纳槽21a。支撑部件容纳槽21a形成在体部件21的侧表面上。虽然如本附图所示，支撑部件容纳槽21a形成为沿体部件21的侧表面的圆形，但是支撑部件容纳槽21a不限于此。即，支撑部件容纳槽可以限制性地形成在体部件21的部分上，使得支撑部件17容纳在支撑部件容纳槽中。
此外，散热器20可以具有在体部件21的顶表面上的反射杯25。LED芯片安装在反射杯25中，通过反射杯25在窄视角范围内提高发光强度。
可以使用压制或成型工艺由具有高导热率的金属或导热树脂来制造散热器20。此外，使用与制造引线框架10的工艺分开的工艺来制造散热器20。
图3至图6是示出根据本发明实施例的LED封装件的制造方法的透视图，图7示出根据本发明实施例的通过所述制造方法完成的LED封装件的透视图和剖面透视图。
参照图3，将散热器20结合并固定到引线框架10的支撑部件17。在形成支撑部件容纳槽21a的情况下，支撑部件17的端部容纳在支撑部件容纳槽21a中以支撑散热器20。此时，引线端13和15与散热器20分开。
参照图4，将散热器20固定到引线框架10，然后通过嵌入成型技术来形成封装件主体30。通过注入成型热固性树脂或热塑性树脂来形成封装件主体30。
在散热器20周围形成封装件主体30以支撑支撑部件17、连接部件19、引线端13和15以及散热器20。支撑部件17的部分以及引线端13和15的部分(即，外部引线13a和15a)突出到封装件主体30的外部。此外，封装件主体30具有用于暴露散热器20的顶端部和引线端的部分(即，内部引线13b和15b的部分)的开口。
可以通过所述开口来暴露支撑部件17的部分。然而，在支撑部件17被弯曲的情况下，支撑部件17的弯曲部分和端部埋入封装件主体30中。
散热器20的底表面暴露到外部。突起23埋入封装件主体30中，以防止散热器20与封装件主体30分开。
同时，虽然散热器20的顶表面定位得低于封装件主体30的顶表面，但是本发明不限于此。在一些实施例中，散热器20的顶表面(即，散热器20的体部件(图2的21)的顶表面)位于与封装件主体30的顶表面相同的位置或高于封装件主体30的顶表面的位置。
由于散热器20结合到引线框架10，然后通过注入成型热固性树脂或热塑性树脂来形成封装件主体30，所以可以容易地形成具有各种形状的封装件主体，并可以将散热器20牢固地结合到封装件主体30。
参照图5，在散热器20的顶表面上安装LED芯片40。LED芯片40可以是在LED芯片40的顶表面和底表面上均具有一个电极的一键芯片(one-bond die)，或者是在LED芯片40的顶表面上具有两个电极的两键芯片(two-bond die)。
在LED芯片40为一键芯片的情况下，散热器20可以由具有导电性的金属材料制成。此时，通过诸如银(Ag)环氧树脂(epoxy)的导电粘结剂在散热器20上安装LED芯片40。可选择地，在将要安装在散热器20上的LED芯片40为两键芯片的情况下，散热器20没有必要是导电性的，并且可以通过各种导热粘结剂以及银环氧树脂在散热器20上安装LED芯片40。
同时，可以在散热器20上安装多个LED芯片40。此外，多个LED芯片40可以为可以发射具有不同波长的光的LED。此时，LED芯片40可以为分别发射红光、绿光和蓝光的LED。因此，可以使用LED芯片40来提供发射所有种类颜色光的LED封装件。
参照图6，通过键合导线将LED芯片40与内部引线13b和15b电连接。在LED芯片40为两键芯片的情况下，通过两条键合导线将LED芯片40连接到内部引线13b和15b，如本附图所示。同时，在LED芯片40为一键芯片的情况下，可以通过键合导线将任意一个内部引线(例如，内部引线15b)电连接到散热器20。因此，通过键合导线和散热器20将内部引线15b电连接到一键芯片40的底表面。
同时，在通过键合导线将LED芯片40与引线端13和15电连接之后，形成用于包封LED芯片40和键合导线的成型件50。成型件50可以通过填充在封装件主体30的开口中来包封LED芯片40和键合导线。另外，成型件50可以包括限制在散热器20上以包封LED芯片40的第一成型件和用于包封第一成型件和键合导线的全部的第二成型件。
此外，成型件50可以包含荧光体(phosphor)。所述荧光体可以包含在第一成型件和/或第二成型件中。例如，例如，荧光体可以将光的颜色从蓝色转换为黄色，或转换为绿色和红色。因此，如果在散热器20上安装发射蓝光的LED芯片，则可以通过将从LED芯片发射的光部分地转换为黄光或绿光和红光来提供向外部发射白光的LED封装件。另外，成型件还可以包含漫射材料。漫射材料将从LED芯片40发射的光漫射，以防止从外部看到LED芯片40和键合导线，并且还使得光能够被均匀地发射到外部。
成型件50可以形成为各种形状。如本附图中所示，成型件50可以形成为凸透镜形状。同时，成型件50被限制在封装件主体30的开口中，并可以将透镜附于成型件50的顶表面。
参照图7(a)，去除外部框架11，然后弯曲引线端13和15，从而形成可以表面安装的引线。此时，可以沿封装件主体30的侧表面弯曲引线端13和15，然后朝向封装件主体30的外部弯曲引线端13和15。或者，如本附图中所示，可以朝向封装件主体30的底部弯曲引线端13和15。
同时，切断并去除伸出到封装件主体30的外部的连接部件19和支撑部件17。此时，可以沿封装件主体30的侧部弯曲支撑部件17以用作散热路径。结果，完成了可以表面安装的LED封装件。
下文中，将参照图7(a)至图7(c)详细描述根据本发明实施例的LED封装件。
再次参照图7(a)至图7(c)，LED封装件包括散热器20。如参照图2的描述，散热器20具有体部件21和突起23。散热器20可以具有支撑部件容纳槽21a。此外，反射杯25可以定位在散热器20的顶表面上。
同时，散热器支撑部件17结合到散热器20。支撑部件17的端部结合到散热器20，所述端部可以容纳在支撑部件容纳槽21a中以结合到散热器。此外，引线端13和15与支撑部件17和散热器20分隔开，以被定位在散热器20的两侧。引线端13和15具有分别突出到封装件主体30的外部的外部引线13a和15a以及内部引线13b和15b。每个内部引线13b和15b可以沿着支撑部件17之间的散热部件20的外围延伸。
封装件主体30通过成型而形成在散热器20、支撑部件17以及引线端13和15上，并支撑散热器20、支撑部件17以及引线端13和15。在将散热器20结合并固定到支撑部件17之后，可以通过注入成型热固性树脂或热塑性树脂由塑料树脂形成封装件主体30。封装件主体30具有用于暴露散热器20的顶端部和引线端13和15的部分(即，内部引线13b和15b)的开口。
同时，如图7(b)中所示，散热器20的体部件从封装件主体30的底表面突出。因此，通过散热器20可以容易地进行散热。此外，虽然外部引线13a和15a可以弯曲到封装件主体30的底表面从而被表面安装，但是外部引线13a和15a不限于此，而是可以弯曲到封装件主体30的外部。此外，可以切断并去除突出到封装件主体30的外部的支撑部件17。然而，支撑部件17可以朝向封装件主体30的侧壁弯曲。同时，切断并去除突出到封装件主体30的外部的连接部件19。
LED芯片40安装在散热器20的顶表面上。LED芯片40可以安装在反射杯25中，并通过键合导线电连接到内部引线13b和15b。虽然在此显示的LED芯片40示出为两键芯片，但是LED芯片40不限于此。即，LED芯片40可以为一键芯片。此外，多个LED芯片40可以安装在散热器20上，并且可以在其上安装用于防止静电放电的齐纳二极管(未示出)。
同时，虽然散热器20的顶表面定位得低于封装件主体30的顶表面，但是本发明不限于此。在一些实施例中，散热器20的顶表面(即，散热器20的体部件(图2的21)的顶表面)位于与封装件主体30的顶表面相同的位置或高于封装件主体30的顶表面的位置。此时，安装在散热器20的顶表面上的LED芯片40位于高于封装件主体30的顶表面的位置。因此，从LED芯片40发射的光直接辐射到封装件主体30，从而可以防止光被封装件主体30吸收而损失。
成型件50包封LED芯片40和键合导线。成型件50通过填充在封装件主体30的开口中来包封LED芯片40。如本附图所示，成型件50可以形成为透镜形状。成型件50可以包括第一成型件和第二成型件。此外，成型件50通过填充在封装件主体30的开口中来包封LED芯片40，并且透镜(未示出)可以附于成型件50上。特别地，如果LED芯片40位于高于封装件主体30的顶表面的位置，则从LED芯片40发射的光不是被封装件主体30反射，而是可以辐射穿过成型件50和所述透镜。因此，可由成型件50或透镜容易地控制从LED芯片40发射的光的路径(目的地角(destination angle)、光分布等)。
同时，成型件50可以包含荧光体，因此，可以实现例如白光的各种光。可以在形成成型件50之前或在形成成型件50之后应用荧光体。此外，成型件50可以包含漫射材料。
图8(a)和图8(b)是示出根据本发明其它实施例的引线框架60和70的透视图。
参照图8(a)，引线框架60具有支撑部件17以及引线端13和15，如参照图1的描述。然而，与图1的引线框架10相反，引线端13和15的端部沿散热器的外围延伸，而支撑部件17的端部沿着引线端13和15之间的散热器的外围延伸。延伸的端部使得接触散热器的接触表面增大，从而稳定地支撑散热器，并且延伸的端部防止支撑部件17与封装件主体分开。同时，连接部件(未示出)可以将支撑部件17的延伸的端部连接到外部框架11，从而支撑支撑部件17的端部。
参照图8(b)，引线框架70具有支撑部件17以及引线端13和15，如参照图1的描述。然而，与图1的引线框架10相反，引线端13和15的端部沿散热器的外围延伸，支撑部件17的端部沿着引线端13和15之间的散热器的外围延伸。因此，引线端13和15的延伸的端部可以提供键合导线的足够的键合区域，支撑部件17的延伸的端部可以使得接触散热器的接触表面增大，以稳定地支撑散热器，并可以防止支撑部件17与封装件主体分开。此外，连接部件(未示出)可以将支撑部件17的延伸的端部连接到外部框架11，从而支撑支撑部件17的端部，并将引线框架13和15的端部连接到外部框架11，从而支撑引线框架13和15。
由于通过制造采用引线框架10的LED封装件的方法和通过该方法制造的LED封装件，可以容易地理解制造采用引线框架60和70的LED封装件的方法和通过该方法制造的LED封装件，所以将省略对它们的描述。

Claims (22)

1、一种具有散热器支撑部件的引线框架，包括：
外部框架，围绕预定区域；
散热器支撑部件，从外部框架向内延伸以彼此面对，每个支撑部件具有结合到散热器的端部；
引线端，从外部框架向内延伸以彼此面对，并与支撑部件分隔开。
2、如权利要求1所述的引线框架，其中，每个引线端具有围绕散热器布置的内部引线和从内部引线延伸的外部引线，每个内部引线沿着支撑部件之间的散热器的外围延伸。
3、如权利要求2所述的引线框架，其中，支撑部件的每个端部沿着内部引线之间的散热器的外围延伸。
4、如权利要求1所述的引线框架，其中，每个引线端具有围绕散热器布置的内部引线和从内部引线延伸的外部引线，每个支撑部件的端部沿着内部引线之间的散热器的外围延伸。
5、如权利要求1所述的引线框架，其中，支撑部件被弯曲，使得支撑部件的端部定位得低于引线端的端部。
6、一种发光二极管LED封装件，包括：
散热器；
散热器支撑部件，每个支撑部件具有结合到散热器的端部；
引线端，与支撑部件和散热器分开，并布置在散热器的两侧；
封装件主体，通过成型形成在散热器、支撑部件和引线端上，以用于支撑散热器、支撑部件和引线端，封装件主体具有用于暴露散热器的顶端部和引线端的部分的开口。
7、如权利要求6所述的发光二极管封装件，其中，散热器包括体部件和从体部件的侧表面突出的突起，突起埋入封装件主体中，支撑部件结合到体部件。
8、如权利要求7所述的发光二极管封装件，其中，散热器具有用于容纳支撑部件的端部的支撑部件容纳槽。
9、如权利要求7所述的发光二极管封装件，其中，散热器的体部件的顶表面位于与封装件主体的顶表面相同的位置或高于封装件主体的顶表面的位置。
10、如权利要求7所述的发光二极管封装件，其中，散热器还包括定位在体部件上的反射杯。
11、如权利要求10所述的发光二极管封装件，其中，反射杯的底表面位于与封装件主体的顶表面相同的位置或高于封装件主体的顶表面的位置。
12、如权利要求6所述的发光二极管封装件，其中，在结合散热器和支撑部件之后，通过注入成型热固性树脂或热塑性树脂来形成封装件主体。
13、如权利要求6所述的发光二极管封装件，其中，每个引线端具有围绕散热器布置的内部引线和从内部引线延伸并突出到封装件主体的外部的外部引线，每个内部引线沿着支撑部件之间的散热器的外围延伸。
14、如权利要求13所述的发光二极管封装件，其中，支撑部件的每个端部沿着内部引线之间的散热器的外围延伸。
15、如权利要求6所述的发光二极管封装件，其中，每个引线端具有围绕散热器布置的内部引线和从内部引线延伸的外部引线，每个支撑部件的端部沿着内部引线之间的散热器的外围延伸。
16、如权利要求6所述的发光二极管封装件，其中，每个支撑部件具有弯曲部分，结合到散热器的支撑部件的端部定位得低于引线端，弯曲部分埋入封装件主体中。
17、如权利要求6所述的发光二极管封装件，其中，每个引线端具有从封装件主体突出到封装件主体的外部的外部引线，外部引线沿封装件主体的侧壁弯曲到封装件主体的底表面。
18、如权利要求6所述的发光二极管封装件，还包括：
发光二极管芯片，安装在散热器的顶表面上；
键合导线，用于电连接发光二极管芯片和引线端。
19、如权利要求18所述的发光二极管封装件，还包括用于包封发光二极管芯片和键合导线的成型树脂。
20、一种制造发光二极管封装件的方法，包括如下步骤：
制备如权利要求1至权利要求5中任意一项所述的引线框架；
将散热器结合并固定到支撑部件；
使用嵌入成型技术形成封装件主体，以支撑散热器以及围绕散热器的支撑部件和引线端，
其中，封装件主体具有用于暴露散热器顶端部和引线端的部分的开口。
21、如权利要求20所述的方法，还包括如下步骤：
在散热器的顶表面上安装一个或一个以上的发光二极管芯片；
形成键合导线，以将对应的发光二极管芯片电连接到引线端；
形成用于包封发光二极管芯片和键合导线的成型件。
22、如权利要求21所述的方法，还包括去除外部框架、切割并形成位于封装件主体的外部的支撑部件和引线端的步骤。
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WO (1) WO2008002088A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107271504A (zh) * 2016-04-06 2017-10-20 江振丰 电化学感测试片导电件设置方法及其电化学感测试片

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US8669572B2 (en) 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
US7675145B2 (en) 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US8748915B2 (en) 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
US7635915B2 (en) 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
US8735920B2 (en) 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
US8367945B2 (en) 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US9711703B2 (en) * 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
TWI352439B (en) * 2007-09-21 2011-11-11 Lite On Technology Corp Light emitting diode packaging device, heat-dissip
US8866169B2 (en) 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
USD633631S1 (en) 2007-12-14 2011-03-01 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
USD634863S1 (en) 2008-01-10 2011-03-22 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
US8049230B2 (en) * 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
US8791471B2 (en) 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
KR101486917B1 (ko) * 2008-11-27 2015-01-29 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지의 제조 방법 및 이로부터 제조된 발광다이오드 패키지
US8598602B2 (en) 2009-01-12 2013-12-03 Cree, Inc. Light emitting device packages with improved heat transfer
US7923739B2 (en) 2009-06-05 2011-04-12 Cree, Inc. Solid state lighting device
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
US8860043B2 (en) * 2009-06-05 2014-10-14 Cree, Inc. Light emitting device packages, systems and methods
US8686445B1 (en) 2009-06-05 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods
US9111778B2 (en) 2009-06-05 2015-08-18 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) devices, systems, and methods
US8415692B2 (en) 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
US8269244B2 (en) 2010-06-28 2012-09-18 Cree, Inc. LED package with efficient, isolated thermal path
US8648359B2 (en) 2010-06-28 2014-02-11 Cree, Inc. Light emitting devices and methods
USD643819S1 (en) 2010-07-16 2011-08-23 Cree, Inc. Package for light emitting diode (LED) lighting
KR101766720B1 (ko) * 2010-11-25 2017-08-23 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
USD679842S1 (en) 2011-01-03 2013-04-09 Cree, Inc. High brightness LED package
US8610140B2 (en) 2010-12-15 2013-12-17 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) packages, systems, devices and related methods
TW201251140A (en) 2011-01-31 2012-12-16 Cree Inc High brightness light emitting diode (LED) packages, systems and methods with improved resin filling and high adhesion
WO2012109225A1 (en) 2011-02-07 2012-08-16 Cree, Inc. Components and methods for light emitting diode (led) lighting
WO2013015464A1 (ko) * 2011-07-25 2013-01-31 삼성전자주식회사 엘이디 패키지 및 그 제조방법
CN103782403B (zh) 2011-09-06 2017-06-30 克利公司 具有改进的引线接合的光发射器封装件和装置及相关方法
US20130107462A1 (en) * 2011-10-27 2013-05-02 Zhirong LU Hidden pin type high-power led support and hidden pin type high-power led packaging structure and technology using same
US8564004B2 (en) 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
KR20130124856A (ko) * 2012-05-07 2013-11-15 삼성전자주식회사 반도체 소자 리드프레임 및 이를 이용한 반도체 소자 패키지
TWI540769B (zh) 2013-05-27 2016-07-01 億光電子工業股份有限公司 承載結構及發光裝置
EP3340296B1 (en) 2016-12-20 2019-10-02 Melexis Technologies NV Light emitting diode device
JP6817862B2 (ja) * 2017-03-24 2021-01-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US11885474B2 (en) 2021-09-28 2024-01-30 Lumileds Llc LED module with separate heat sink and referencing part, headlight, and method of manufacture

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS518783B2 (zh) * 1971-11-10 1976-03-19
JPS518783A (en) 1974-07-12 1976-01-23 Tokyo Shibaura Electric Co Hanshagataranpuno seizohoho
JPS6161445A (ja) * 1984-08-31 1986-03-29 Nec Kansai Ltd 放熱板付リ−ドフレ−ムの製造方法
JP2651427B2 (ja) * 1988-04-22 1997-09-10 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
DE4017697C2 (de) 1990-06-01 2003-12-11 Bosch Gmbh Robert Elektronisches Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und Verwendung
US6326678B1 (en) 1993-09-03 2001-12-04 Asat, Limited Molded plastic package with heat sink and enhanced electrical performance
KR970010678B1 (ko) * 1994-03-30 1997-06-30 엘지반도체 주식회사 리드 프레임 및 이를 이용한 반도체 패키지
SE9701744L (sv) 1997-05-12 1998-04-20 Stefan Gunnarsson Självrengörande roterande tandläkarspegel
US6274924B1 (en) * 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
US6517218B2 (en) * 2000-03-31 2003-02-11 Relume Corporation LED integrated heat sink
JP4066608B2 (ja) 2001-03-16 2008-03-26 日亜化学工業株式会社 パッケージ成形体及びその製造方法
DE10117889A1 (de) * 2001-04-10 2002-10-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen und Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, strahlungsemittierendes Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung
CN1207784C (zh) * 2001-04-16 2005-06-22 矽品精密工业股份有限公司 交叉堆叠式双芯片封装装置及制造方法
DE10131698A1 (de) 2001-06-29 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP4211359B2 (ja) * 2002-03-06 2009-01-21 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
US7429757B2 (en) 2002-06-19 2008-09-30 Sanken Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting device capable of increasing its brightness
US7692206B2 (en) 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
JP3910144B2 (ja) 2003-01-06 2007-04-25 シャープ株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
JP4174823B2 (ja) * 2003-03-27 2008-11-05 サンケン電気株式会社 半導体発光装置
WO2004107461A1 (en) * 2003-05-28 2004-12-09 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and light emitting diode system having at least two heat sinks
TWI227935B (en) 2004-02-27 2005-02-11 Lite On Technology Corp Opto-electronic semiconductor components
US7279346B2 (en) * 2004-03-31 2007-10-09 Cree, Inc. Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another
US20050225222A1 (en) * 2004-04-09 2005-10-13 Joseph Mazzochette Light emitting diode arrays with improved light extraction
TWM258416U (en) 2004-06-04 2005-03-01 Lite On Technology Corp Power LED package module
JP2006080288A (ja) * 2004-09-09 2006-03-23 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄ搭載用部品及びその製造方法
JP2006093470A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Toshiba Corp リードフレーム、発光装置、発光装置の製造方法
US7119422B2 (en) 2004-11-15 2006-10-10 Unity Opto Technology Co., Ltd. Solid-state semiconductor light emitting device
JP2006173155A (ja) * 2004-12-13 2006-06-29 Enomoto Co Ltd Ｌｅｄリードフレーム及びその製造に用いる射出成形用金型
WO2006065007A1 (en) * 2004-12-16 2006-06-22 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Leadframe having a heat sink supporting ring, fabricating method of a light emitting diodepackage using the same and light emitting diodepackage fabbricated by the method
KR100665117B1 (ko) * 2005-02-17 2007-01-09 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 하우징 및 그 제조 방법
KR100631903B1 (ko) * 2005-02-17 2006-10-11 삼성전기주식회사 고출력 ｌｅｄ 하우징 및 그 제조 방법
US8076680B2 (en) * 2005-03-11 2011-12-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. LED package having an array of light emitting cells coupled in series
JP4711715B2 (ja) * 2005-03-30 2011-06-29 株式会社東芝 半導体発光装置及び半導体発光ユニット
KR100593945B1 (ko) 2005-05-30 2006-06-30 삼성전기주식회사 고출력 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR100616684B1 (ko) * 2005-06-03 2006-08-28 삼성전기주식회사 고출력 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
WO2007069399A1 (ja) * 2005-12-12 2007-06-21 Nichia Corporation 発光装置及び半導体装置とその製造方法
EP1816688B1 (en) * 2006-02-02 2016-11-02 LG Electronics Inc. Light emitting diode package
KR100809816B1 (ko) * 2006-02-02 2008-03-04 엘지전자 주식회사 리드프레임, 그를 이용한 발광 소자 패키지 및 그의 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107271504A (zh) * 2016-04-06 2017-10-20 江振丰 电化学感测试片导电件设置方法及其电化学感测试片

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