CN102569620B - 发光装置封装件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种发光装置封装件及其制造方法。发光装置封装件包括：引线框架，由金属形成，并且发光装置芯片安装在引线框架上；模制框架，通过注入成型结合到所述引线框架。所述引线框架包括：安装部分，所述发光装置芯片安装在所述安装部分上；第一连接部分和第二连接部分，设置在所述安装部分的沿着第一方向的两侧上并且通过引线键合连接到所述发光装置芯片，其中，第一连接部分相对于所述安装部分成阶梯状，并且阶梯量小于引线框架的材料厚度。

Description

发光装置封装件及其制造方法
技术领域
本公开涉及发光装置封装件和制造发光装置封装件的方法，在所述发光装置封装件中，利用引线框架和模制框架来封装发光装置芯片。
背景技术
诸如发光二极管(LED)的发光装置芯片是指由于包括发光源通过化合物半导体的PN结能够再现不同颜色的光的半导体装置。LED的寿命长，结构紧凑，重量轻，光的方向性强并且可以以相对低的电压驱动。此外，LED抵抗冲击和振动，不需要预热时间或者复杂的驱动操作，并可以以不同的形式封装。因此，LED可以用于各种用途。
通过封装操作将诸如LED的发光装置芯片安装在金属引线框架和模制框架中，以将发光装置芯片制造为半导体。
发明内容
提供了模制框架和引线框架相互牢固地结合的发光装置封装件和制造所述发光装置封装件的方法。
提供了可以保持均匀的光通量的发光装置封装件和制造所述发光装置封装件的方法。
提供了这样的发光装置封装件和制造所述发光装置封装件的方法，在所述发光装置封装件中，模制框架和引线框架相互牢固地结合并且发光效率高。
提供了这样的发光装置封装件和制造所述发光装置封装件的方法，在所述发光装置封装件中，模制框架和引线框架相互牢固地结合并且可以减小所述发光装置封装件的总厚度。
提供了这样的发光装置封装件和制造所述发光装置封装件的方法，在所述发光装置封装件中，可以减少连接到发光芯片的引线的变形并且可以降低引线断裂的风险。
另外的方面部分地将在以下的描述中进行阐述，并且部分地通过描述将是清楚的，或者可以由本实施例的实施而了解。
根据本发明的一个方面，一种发光装置封装件包括：引线框架，由金属形成，发光装置芯片安装在引线框架上；模制框架，通过注入成型结合到所述引线框架，其中，所述引线框架包括安装部分、第一连接部分和第二连接部分，发光装置芯片安装在安装部分上，第一连接部分和第二连接部分设置在所述安装部分的沿着第一方向的两侧上并且通过引线键合连接到所述发光装置芯片，其中，第一连接部分相对于所述安装部分是成阶梯状的，并且阶梯量小于引线框架的材料厚度。
第二连接部分相对于所述安装部分是成阶梯状的，并且阶梯量小于引线框架的材料厚度。
所述发光装置封装件还可以包括第一反射部分，所述第一反射部分反射从所述发光装置芯片发射的光并且设置在安装部分的沿垂直于第一方向的第二方向的两侧上。第一反射部分对于所述安装部分的倾斜角可以为大约30度到大约60度。所述第一反射部分的高度可以是所述引线框架的材料厚度的大约0.5倍到大约1.5倍。第一反射部分沿着第一方向的长度比所述发光装置芯片的长度长。
所述安装部分可以是矩形的，并且第二方向是短轴方向。所述模制框架可以包括第二反射部分，所述第二反射部分反射从所述发光装置芯片发射的光并且设置在安装部分的沿着第一方向的两侧上。所述模制框架可以由液晶聚合物(LCP)形成。
根据本发明的另一个方面，一种发光装置封装件包括：发光装置芯片；安装部分，所述安装部分是矩形的并且所述发光装置芯片安装在所述安装部分上；第一反射部分，由金属制成，设置在安装部分的沿着短轴方向的两侧上，并且反射从所述发光装置芯片发射的光；第二反射部分，由聚合物制成，设置在安装部分的沿着长轴方向的两侧上，并且反射从所述发光装置芯片发射的光。
第一反射部分对于所述安装部分的倾斜角度可以从大约30度到大约60度。
所述第一反射部分的高度可以是所述安装部分的厚度的大约0.5倍到大约1.5倍。
第一反射部分的沿长轴方向的长度可以比所述发光装置芯片的长度长。
所述聚合物可以包括液晶聚合物(LCP)。
所述发光装置封装件还可以包括第一连接部分和第二连接部分，所述第一连接部分和第二连接部分设置在所述安装部分的沿着短轴方向的两侧上，并且通过引线键合连接到所述发光装置芯片，其中，第一连接部分和第二连接部分中的至少一个在长轴方向上与安装部分分隔开，并且相对于所述安装部分成阶梯状，阶梯量小于引线框架的材料厚度。
根据本发明的另一方面，一种制造发光装置封装件的方法包括：通过加工金属板形成引线框架，所述引线框架包括安装部分、第一连接部分、第二连接部分和第一反射表面，其中，第一连接部分和第二连接部分设置在所述安装部分的沿第一方向的两侧上，第一连接部分通过第一支撑臂连接到金属板，第二连接部分通过第二支撑臂连接到金属板，所述第一反射表面从安装部分的沿垂直于第一方向的第二方向的两个边界延伸并且通过第三支撑臂连接到所述金属板；通过在引线框架上对聚合物执行注入成型工艺来形成模制框架，以将引线框架和模制框架彼此结合，其中，所述模制框架包括设置在所述安装部分的沿第一方向的两侧上的第二反射表面；在所述安装部分上安装发光装置芯片；在切割所述第一支撑臂和第二支撑臂之后，通过引线键合将所述发光装置芯片与第一连接部分和第二连接部分电连接。
所述方法还可以包括：用透光的填料填充所述发光芯片的上部以形成发光装置封装件；通过切割第三支撑臂从所述金属板分离所述发光装置封装件。
所述聚合物可以包括液晶聚合物(LCP)。所述发光装置封装件可以是矩形的，并且第二方向可以是短轴方向。
第一连接部分和第二连接部分中的至少一个可以与所述安装部分分隔开。第一连接部分和第二连接部分中的至少一个可以相对于所述安装部分向上成阶梯状。阶梯量可以等于或者小于所述引线框架的材料厚度。第一反射部分对于所述安装部分的倾斜角可以在大约30度到大约60度。所述第一反射部分的高度可以是所述引线框架的材料厚度的大约0.5倍到大约1.5倍。第一反射部分在第一方向上的长度可以比所述发光装置芯片的长度长。
附图说明
通过结合附图对实施例进行的以下描述，这些和/或者其它方面将会变得明显和更加容易理解，在附图中：
图1是示出根据本发明实施例的发光装置封装件的透视图；
图2是根据本发明实施例的沿线A-A截取的图1中的发光装置封装件的剖视图；
图3是根据本发明实施例的沿线B-B截取的图1中的发光装置封装件的剖视图；
图4是示出根据本发明另一实施例的发光装置封装件的剖视图；
图5是示出根据本发明另一实施例的发光装置封装件的剖视图；
图6是示出根据本发明实施例的由金属板形成引线框架的方法的平面图；
图7是示出根据本发明实施例的结合有模制框架的引线框架的平面图；
图8是示出根据本发明实施例的连接第一连接部分、第二连接部分与金属板的被切割的第一支撑臂和第二支撑臂的平面图；
图9是示出根据本发明实施例的发光装置封装件的平面图，在发光装置封装件中，发光装置芯片安装在安装部分中并执行了引线键合操作；
图10是示出根据本发明实施例的发光装置封装件的填充了填料的腔的平面图；
图11是示出根据本发明实施例的通过切割第三支撑臂从金属板分离的发光装置封装件的平面图。
具体实施方式
现在将详细描述实施例，在附图中示出了实施例的示例，其中，相同的标号始终表示相同的元件。在这方面，本实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为局限于在此阐述的描述。因此，下面仅参照附图描述了实施例以解释本描述的方面。
图1是示出了根据本发明实施例的发光装置封装件1的透视图。图2是根据本发明实施例的沿线A-A截取的图1中的发光装置封装件1的剖视图。图3是根据本发明实施例的沿线B-B截取图1中的发光装置封装件1的剖视图。
参照图1至图3，发光装置封装件1包括由金属形成的引线框架200和模制框架100。发光装置芯片300安装在引线框架200中。
发光装置芯片300可以是发光二极管芯片。根据形成发光二极管芯片的化合物半导体的材料，发光二极管芯片可以发射蓝光、绿光或红光。此外，发光二极管芯片的表面可以涂覆荧光材料以发射白光。例如，蓝色发光二极管芯片可以包括具有通过交替堆叠GaN和InGaN形成的多个量子阱层的活性层，并且由AlXGaYNZ化合物半导体形成的P-型覆盖层和N-型覆盖层可以分别形成在活性层上面和下面。在当前的实施例中，发光二极管芯片被用作发光装置芯片300，但是本发明的实施例不局限于此。例如，发光装置芯片300可以是UV光电二极管芯片、激光二极管芯片、有机发光二极管芯片等。
引线框架200包括：安装部分210，发光装置芯片300安装在安装部分210上；第一连接部分220和第二连接部分230，通过引线键合电连接到发光装置芯片300；第一反射部分240，反射由发光装置芯片300发射的光以将光发射到发光装置封装件1的外面。第一连接部分220和第二连接部分230沿第一方向D1位于安装部分210的两侧上。例如，第一连接部分220可以通过引线301连接到发光装置芯片300的阴极电极，并且第二连接部分230可以通过引线302连接到发光装置芯片300的阳极电极。第一连接部分220和第二连接部分230暴露到模制框架100的外面，并且作为向发光装置芯片300供应电流的端子。第一反射部分240沿着垂直于第一方向D1的第二方向D2设置。通过冲压或者蚀刻诸如铝、铜等的金属板可以制造引线框架200。
例如，利用插入注塑成型方法可以将模制框架100结合到引线框架200。例如，模制框架100可以由电绝缘聚合物形成。模制框架100形成为具有腔的形式，安装部分210、第一连接部分220和第二连接部分230以及第一反射部分240在腔中暴露。模制框架100包括反射从发光装置芯片300发射的光以使光从发光装置封装件1发射的第二反射部分101。第二反射部分101沿着第一方向D1设置在安装部分210的两侧上。另外，模制框架100的沿着第二方向D2的除了第一反射部分240之外的内侧102起到反射光的反射部分的作用。因此，在发光装置封装件1中，发光装置芯片300设置在完全凹陷的腔2的下表面上，并且对应于腔2的内侧的第一反射部分240和内侧102起到反射光的反射部分的作用，以将光发射到发光装置封装件1的外面。安装部分210的下表面与引线框架200的第一连接部分220和第二连接部分230可以从模制框架100向下暴露并且起到热辐射表面的作用。
如上所述，通过将模制框架100结合到引线框架200，并且通过引线键合电连接发光装置芯片300与第一连接部分220和第二连接部分230，然后用诸如硅的透光填料填充腔2来包封腔2，制造发光装置封装件1。根据需要，在填充填料之前，可以用荧光材料涂覆发光装置芯片300的上部或上面以及侧部。
为了增加引线框架200和模制框架100之间的结合强度，第一连接部分220和/或第二连接部分230与安装部分210分开地形成，并且聚合物可以填充在第一连接部分220和第二连接部分230之间的间隙中。参照图2，第一连接部分220设置为与安装部分210分开间隙G1。此外，第一连接部分220从安装部分210向上呈阶梯状。因此，作为模制框架100的材料的聚合物填充到与间隙G1对应的内部310和第一连接部分220下面的阶梯空间311，从而更加稳固地结合引线框架200和模制框架100。
引线301的长度需要长于发光装置芯片300的阴极电极和第一连接部分220之间的距离，并且引线301沿向上的方向弯曲。当第一连接部分220从安装部分210向上呈阶梯状时，进一步升高了引线301的弯曲部分的顶端。发光装置封装件1的厚度H需要是够得厚以将引线301完全容纳在发光装置封装件1中。第一连接部分220相对于安装部分210的阶梯量S1越大，则发光装置封装件1的厚度H越厚，并且从安装部分210到发光装置封装件1的上部的高度H2越高。高度H2越高，则从发光装置芯片300发射的光的发光效率越低。
表1示出了分析从安装部分210到发光装置封装件1的上部的高度H2和光通量之间的关系的结果。L1和L2指矩形发光装置封装件1的长轴和短轴，H指发光装置封装件1的总高度。FL指发光通量和基准光通量的比。此处，样品1的光通量设置为基准光通量。
[表1]
编号 L1(mm) L2(mm) H(mm) H2(mm) FL(％)
1(基准) 4 2 0.85 0.55 100
2 3 2 0.85 0.55 97.1
3 4 1.8 0.85 0.55 97.9
4 3 1.8 0.85 0.55 95.1
5 4 2 1 0.7 98.9
6 3 1.8 1 0.7 93.1
比较表1中的样品1和5以及样品4和6，当长轴L1和短轴L2相同时，从安装部分210到发光装置封装件1的高度H2越低，则发射的光通量越多。
根据本发明的当前实施例，第一连接部分220相对于安装部分210的阶梯量S1小于引线框架200的材料厚度S。例如，当阶梯量S1是材料厚度S的一半时，引线301的高度可以小于当阶梯量S1和材料厚度S相同时引线301的高度。如上所述，通过将第一连接部分220的阶梯量S1调节为小于引线框架200的材料厚度S，并且稳定地结合引线框架200和模制框架100，可以减小发光装置封装件1的总高度H，并且可以提高发光效率。
参照图4，第二连接部分230可以在第一方向D1上与安装部分210分隔开间隙G2。根据上述结构，如图4所示，形成模制框架100的聚合物填充在间隙G2的内部320中，从而更稳固地结合引线框架200和模制框架100。
参照图5，第二连接部分230在第一方向D1上与安装部分210分隔开间隙G2、并且可以相对于安装部分210向上呈阶梯状。根据上述结构，模制框架100的聚合物可以填充在间隙G2的内部320和第二连接部分230下面的阶梯空间321中，从而引线框架200和模制框架100可以相互更加稳固地结合。为了减小引线302占据的空间，第二连接部分230的阶梯量S2可以调整成小于引线框架200的材料厚度S。
从发光装置芯片300发射的光被第一反射部分240和第二反射部分101以及模制框架100的沿着第二方向D2的除了第一反射部分240之外的内侧102反射，并且出射到发光装置封装件1的外面。形成模制框架101的聚合物如果一直暴露在发光装置芯片300辐射的光和热下，则聚合物变色，并且会改变被反射的光的色度，从而降低光质量。
分别比较表1中的样品1和样品3以及样品2和4，当长轴L1和从安装部分210到发光装置封装件1的上部的高度H2相同时，短轴L2越短，则发射的光通量越少。这表明更多的光通量会入射到发光装置封装件1的短轴方向上的内侧上。
根据当前的实施例，通过利用引线框架200形成矩形发光装置封装件1的沿第二方向D2设置的内侧的部分，其中，由于邻近于发光装置芯片300，导致入射更多的光通量。也就是说，沿发光装置芯片300的短轴方向设置由金属形成的第一反射部分240。由于第一反射部分240由金属形成，因此与聚合物相比，第一反射部分240的诸如变色的性质变化相对小。因此，可以实现在长时间内能够发射质量均匀的光的发光装置封装件1。
第一反射部分240可以在短轴方向以一定角度从安装部分210的边界沿着向上的方向弯曲。第一反射部分240可以具有足以覆盖发光装置芯片300沿着长轴方向的长度的长度。换句话说，第一反射部分240沿着长轴方向的长度可以等于或者大于发光装置芯片300沿着长轴方向的长度。第一反射部分240对于安装部分210的角度可以从大约30度到大约60度。当第一反射部分240的高度H3太高时，发光效率反而下降，并且当高度H3太低时，发光效果下降。考虑这些因素，第一反射部分240的高度H3可以设置为引线框架200的材料厚度S的0.5倍到1.5倍。
通过另外在发光装置封装件1的长轴方向上形成反射部分也可以提高发光效率。当通过弯曲引线框架200形成反射部分时，引线框架200需要从第一连接部分220和第二连接部分230弯曲，这使得引线框架200的结构变得复杂。根据发光装置封装件1，第二反射部分101形成为模制框架100的沿着长轴方向的两侧上的一部分。由于第二反射部分101与沿短轴方向设置的第一反射部分24相比设置得相对远离发光装置芯片300，从而第二反射部分101较少受从发光装置芯片300发出的热和光的影响。此外，模制框架100的沿着短轴方向的内侧102也设置为远离发光装置芯片300，从而内侧102较少受发光装置芯片300发出的热和光的影响。通过利用耐热的液晶聚合物(LCP)形成模制框架100，可以减少由于模制框架100的短轴方向上的内侧102和第二反射部分101的变色导致的发光质量的劣化。
以下，将描述根据本发明实施例的制造发光装置封装件的方法。
(1)引线框架的成型
参照图6，对诸如铝或者铜的金属板400冲压或蚀刻等以形成安装部分210.第一连接部分220和第二连接部分230以及第一反射部分240。
通过在向上的方向上以一定角度关于安装部分210的沿着第一方向D1的边界弯曲安装部分210，来形成第一反射部分240。如上所述，第一反射部分240沿着长轴方向的长度可以等于或者大于发光装置芯片300沿着长轴方向的长度。第一反射部分240相对于安装部分210的倾斜角度(图3中的C)可以是30度到60度，并且第一反射部分240的高度H3可以设置为引线框架200的材料厚度S的0.5倍到1.5倍。
如图2所示，第一连接部分220可以与安装部分210在第一方向D1上分隔开间隙G1。此外，第一连接部分220可以相对于安装部分210以小于引线框架200的材料厚度S的量成阶梯状。
第二连接部分230与第一连接部分220相对设置，安装部分210位于第二连接部分230和第一连接部分220之间。如图2所示，第二连接部分230可以通过从安装部分210延伸形成。可选择地，如图4所示，第二连接部分230可以与安装部分210分隔开间隙G2。可选择地，如图5所示，第二连接部分230可以相对于安装部分210以小于引线框架200的材料厚度S的量成阶梯状。
在执行下面将描述的注入成型工艺前，为了保持引线框架200连接到金属板400，第一连接部分220形成为通过第一支撑臂221连接到金属板400，并且第二连接部分230形成为通过第二支撑臂231连接到金属板400。第一反射部分240通过第三支撑臂241连接到金属板400。在注入成型工艺之前执行从引线框架200去除杂质的清洗操作。另外，可以对引线框架200的表面执行镀覆操作。
(2)模制框架的成型
接下来，将模制框架100结合到引线框架200。可以通过对诸如苯丙醇胺(PPA)，液晶聚合物(LCP)等的聚合物执行诸如插入注入成型工艺的注入成型工艺来形成模制框架100。当LCP用作聚合物时，可以尽可能降低由于从发光装置芯片300发出的光和热导致的变色的可能性，以保持均匀的发光质量。例如，其上形成有引线框架200的金属板400插入到具有下述结构的模具中，在所述结构中，雕刻有图1至图5示出的模制框架100的形式并且可以使安装部分210、第一连接部分220、第二连接部分230和第一反射部分240暴露，将聚合物注入到模具中并且固化。然后，如图7所示，制造出模制框架100结合到引线框架200的结合结构410。由于第一支撑臂221、第二支撑臂231和第三支撑臂241通过模制框架100连接到金属板400，所以结合结构410也连接到金属板400。
(3)第一次修整(trimming)
接下来，进行第一修整操作。如图8所示，切掉分别将第一连接部分220和第二连接部分230连接到金属板400的第一支撑臂221和第二支撑臂231，以从金属板400分离第一连接部分220和第二连接部分230。第三支撑臂241连接到金属板400，从而结合结构410仍连接到金属板400。
(4)发光装置芯片的安装和引线键合
接下来，如图9所示，将发光装置芯片300安装在安装部分210中。可以利用诸如粘合剂将发光装置芯片300附于安装部分210。然后，使用引线301将第一连接部分220连接到发光装置芯片300的阴极电极，并且使用引线302将第二连接部分230连接到发光装置芯片300的阳极电极。
(5)填充操作
接来，如图10所示，可以执行用诸如硅的透光的填料填充腔2的包封操作。根据需要，在填充填料前，可以用荧光材料涂覆发光装置芯片300的上部或上面以及侧部。可选择地并且明显地，提前用荧光材料涂覆了上部或上面以及侧部发光装置芯片300可以安装在安装部分210中。
(6)分离
接下来，如图11所示，通过切割第三支撑臂241从金属板400分离发光装置封装件1，以完成发光装置封装件1的制造。
在第一修整操作中，对第一支撑臂221和第二支撑臂223施加的压力可以被传递到模制框架100和引线框架200。由于在第一修整操作中切掉了沿着与引线键合方向相同的方向(即，沿着长轴方向)设置的第一支撑臂221和第二支撑臂231，所以由于施加到第一支撑臂221和第二支撑臂231的压力。模制框架100和引线框架200会在长轴方向上临时地和/或永久地变形。当在引线键合之后执行从金属板400分离第一连接部分220和第二连接部分230的第一修整操作时，由于模制框架100和引线框架200的长轴方向上的变形，所以引线301和302可能会变形或者断裂。具体地讲，当第一连接部分220与安装部分210分隔开间隙G1并且第二连接部分230与安装部分210分隔开间隙G2时，第一连接部分220和第二连接部分230在第一修整操作中更可能变形，并且引线301和302断裂或者变形的可能性会进一步增加。因此，在制造发光装置封装件的方法中，根据本发明的当前实施例，在执行引线键合操作之前，执行从金属板400分离第一连接部分220和第二连接部分230的第一修整操作。
引线键合操作之后切割第三支撑臂241的第二修整操作是切割设置在短轴方向上的第三支撑臂241的操作，其中，短轴方向是垂直于引线键合方向的方向。因此，即使当模制框架100和引线框架200部分地变形时，变形对引线301和302的影响小于第一修整操作中的变形的影响。
如上所述，在制造发光装置封装件的方法中，根据本发明当前实施例，从金属板400分离发光装置封装件1的修整操作分为第一修整操作和第二修整操作。在引线键合操作之前执行在与引线键合方向相同的方向上切割第一支撑臂221和第二支撑臂231的第一修整操作，并且在引线键合操作之后执行在垂直于引线键合方向的方向上切割第三支撑臂241的第二修整操作。因此，可以降低在修整操作中引线301和302的变形或者断裂的可能性。
应该理解，在此描述的示例性实施例应该仅以描述的意义来考虑，而不应该以限制为目的。对每个实施例中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施例中的其它类似的特征或方面。

Claims (25)

1.一种发光装置封装件，所述发光装置封装件包括：
引线框架，由金属形成，发光装置芯片安装在引线框架上；和
模制框架，通过注入成型结合到引线框架，
其中，所述引线框架包括安装部分、第一连接部分以及第二连接部分，发光装置芯片安装在安装部分上，第一连接部分和第二连接部分设置在安装部分的沿着第一方向的两侧上并且通过引线键合连接到发光装置芯片，
其中，第一连接部分相对于安装部分成阶梯状，并且阶梯量小于引线框架的材料厚度。
2.如权利要求1所述的发光装置封装件，其中，第二连接部分相对于安装部分成阶梯状，并且阶梯量小于引线框架的材料厚度。
3.如权利要求1所述的发光装置封装件，所述发光装置封装件还包括第一反射部分，所述第一反射部分反射从发光装置芯片发射的光并且设置在安装部分的沿着垂直于第一方向的第二方向的两侧上。
4.如权利要求3所述的发光装置封装件，其中，第一反射部分对于安装部分的倾斜角为30度到60度。
5.如权利要求4所述的发光装置封装件，其中，第一反射部分的高度是引线框架的材料厚度的0.5倍到1.5倍。
6.如权利要求5所述的发光装置封装件，其中，第一反射部分沿着第一方向的长度比发光装置芯片的长度长。
7.如权利要求3所述的发光装置封装件，其中，安装部分呈矩形，并且第二方向是短轴方向。
8.如权利要求7所述的发光装置封装件，其中，模制框架包括第二反射部分，所述第二反射部分反射从发光装置芯片发射的光并且设置在安装部分的沿着第一方向的两侧上。
9.如权利要求8所述的发光装置封装件，其中，模制框架由液晶聚合物形成。
10.一种发光装置封装件，所述发光装置封装件包括：
发光装置芯片；
安装部分，安装部分呈矩形并且发光装置芯片安装在安装部分上；
第一反射部分，由金属制成并且设置在安装部分的沿着短轴方向的两侧上，并且第一反射部分反射从发光装置芯片发射的光；和
第二反射部分，由聚合物制成并且设置在安装部分的沿着长轴方向的两侧上，并且第二反射部分反射从发光装置芯片发射的光。
11.如权利要求10所述的发光装置封装件，其中，第一反射部分对于安装部分的倾斜角度是从30度到60度。
12.如权利要求10所述的发光装置封装件，其中，第一反射部分的高度是安装部分的厚度的0.5倍到1.5倍。
13.如权利要求10所述的发光装置封装件，其中，第一反射部分的沿长轴方向的长度比发光装置芯片的长度长。
14.如权利要求10所述的发光装置封装件，其中，所述聚合物包括液晶聚合物。
15.如权利要求10所述的发光装置封装件，所述发光装置封装件还包括第一连接部分和第二连接部分，所述第一连接部分和第二连接部分设置在安装部分的沿着短轴方向的两侧上，并且通过引线键合连接到发光装置芯片，
其中，第一连接部分和第二连接部分中的至少一个在长轴方向上与安装部分分隔开，并且相对于安装部分成阶梯状，阶梯量小于引线框架的材料厚度。
16.一种制造发光装置封装件的方法，所述方法包括：
通过处理金属板形成引线框架，所述引线框架包括安装部分、第一连接部分、第二连接部分和第一反射表面，其中，第一连接部分和第二连接部分设置在安装部分的沿着第一方向的两侧上，第一连接部分通过第一支撑臂连接到金属板，第二连接部分通过第二支撑臂连接到金属板，第一反射表面从安装部分的沿垂直于第一方向的第二方向的两个边界延伸并且通过第三支撑臂连接到金属板；
通过对引线框架上的聚合物执行注入成型工艺形成模制框架，以将引线框架和模制框架彼此结合，其中，模制框架包括设置在安装部分的沿第一方向的两侧上的第二反射表面；
在安装部分上安装发光装置芯片；以及
切割所述第一支撑臂和第二支撑臂之后，通过引线键合将发光装置芯片与第一连接部分和第二连接部分电连接。
17.如权利要求16所述的方法，所述方法还包括：
用透光的填料填充发光芯片的上部以形成发光装置封装件；以及
通过切割第三支撑臂从金属板分离发光装置封装件。
18.如权利要求16所述的方法，其中，聚合物包括液晶聚合物。
19.如权利要求16所述的方法，其中，发光装置封装件呈矩形，并且第二方向是短轴方向。
20.如权利要求19所述的方法，其中，第一连接部分和第二连接部分中的至少一个与安装部分分隔开。
21.如权利要求20所述的方法，其中，第一连接部分和第二连接部分中的至少一个相对于安装部分向上成阶梯状。
22.如权利要求21所述的方法，其中，阶梯量小于引线框架的材料厚度。
23.如权利要求19所述的方法，其中，第一反射部分对于安装部分的倾斜角是30度到60度。
24.如权利要求23所述的方法，其中，第一反射部分的高度是引线框架的材料厚度的0.5倍到1.5倍。
25.如权利要求23所述的方法，其中，第一反射部分在第一方向上的长度比发光装置芯片的长度长。
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