JP6395045B2 - 複合基板並びに発光装置及びその製造方法 - Google Patents

複合基板並びに発光装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6395045B2
JP6395045B2 JP2014233564A JP2014233564A JP6395045B2 JP 6395045 B2 JP6395045 B2 JP 6395045B2 JP 2014233564 A JP2014233564 A JP 2014233564A JP 2014233564 A JP2014233564 A JP 2014233564A JP 6395045 B2 JP6395045 B2 JP 6395045B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode lead
light emitting
lead
wire
molded body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014233564A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016100350A (ja
Inventor
基寿 野木
基寿 野木
才気 山本
才気 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Priority to JP2014233564A priority Critical patent/JP6395045B2/ja
Priority to US14/944,230 priority patent/US10147856B2/en
Publication of JP2016100350A publication Critical patent/JP2016100350A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6395045B2 publication Critical patent/JP6395045B2/ja
Priority to US16/177,330 priority patent/US10475977B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/4901—Structure
    • H01L2224/4903—Connectors having different sizes, e.g. different diameters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Description

本発明は、複合基板、並びに発光装置及びその製造方法に関する。
例えば特許文献１（特に図６参照）には、サイドビュータイプの発光装置の製造方法が記載されている。
特開２０１１−０４９２４５号公報
上記従来の発光装置の製造において、第１リード及び第２リードをリードフレームから切り離すと、発光素子の導通試験及び／又は発光装置の発光試験の作業が煩雑になる。
そこで、本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、第１電極リード及び第２電極リードをリードフレームから切り離しても、発光素子の導通試験及び／又は発光装置の発光試験の作業性が比較的良好な、複合基板又は発光装置若しくはその製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の複合基板は、複数の支持リードを有する板状のリードフレームと、前記各支持リードに支持された複数の素子収容器と、を備える複合基板であって、前記複数の素子収容器は各々、第１電極リードと、第２電極リードと、前記第１電極リード及び前記第２電極リードと一体に成形された樹脂成形体と、を有し、前記樹脂成形体の内側において、前記第１電極リード、前記第２電極リード、及び前記支持リードを互いに離間させて保持しており、前記複数の素子収容器のうちの少なくとも１つは、前記第１電極リードと前記支持リードを接続し前記樹脂成形体に被覆されたワイヤを有することを特徴とする。
また、本発明の発光装置の製造方法は、本発明の複合基板を準備する第１工程と、発光素子を、前記ワイヤを有する素子収容器に収容し且つ前記第１電極リード及び前記第２電極リードに電気的に接続する第２工程と、前記第１電極リード及び前記第２電極リードが前記リードフレームから切り離された状態において、前記発光素子の導通を確認する第３工程と、前記素子収容器を前記支持リードから取り外す第４工程と、をこの順に含むことを特徴とする。
また、本発明の発光装置は、第１電極リードと、第２電極リードと、前記第１電極リード及び前記第２電極リードと一体に成形され外面に窪み部を含む樹脂成形体と、を有する素子収容器と、前記素子収容器に収容され前記第１電極リード及び前記第２電極リードに電気的に接続された発光素子と、前記樹脂成形体に被覆され前記第１電極リードから前記窪み部に至るワイヤと、を備えることを特徴とする。
本発明によれば、第１電極リード及び第２電極リードをリードフレームから切り離しても、発光素子の導通試験及び／又は発光装置の発光試験を比較的作業性良く行うことができる。
本発明の一実施の形態に係る複合基板の概略上面図（ａ）と、そのＡ部を拡大して示す概略上面図（ｂ）と、そのＢ−Ｂ断面における概略断面図（ｃ）である。 本発明の一実施の形態に係る発光装置の製造方法の一例を示す概略断面図（ａ）〜（ｅ）である。
以下、発明の実施の形態について適宜図面を参照して説明する。但し、以下に説明する複合基板並びに発光装置及びその製造方法は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本発明を以下のものに限定しない。また、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。
＜実施の形態１＞
（複合基板）
図１（ａ）は、実施の形態１に係る複合基板５０の概略上面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ部を拡大して示す概略上面図である。図１（ｃ）は、図１（ｂ）のＢ−Ｂ断面における概略断面図である。
図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、実施の形態１の複合基板５０は、発光装置用の複合基板である。複合基板５０は、板状のリードフレーム１０と、複数の素子収容器２０と、を備えている。リードフレーム１０は、複数の支持リード１１を有している。複数の素子収容器２０は、各支持リード１１に支持されている。複数の素子収容器２０は各々、第１電極リード２１１と、第２電極リード２１２と、樹脂成形体２５と、を有している。樹脂成形体２５は、第１電極リード２１１及び第２電極リード２１２と一体に成形されている。また、複数の素子収容器２０は各々、樹脂成形体２５の内側において、第１電極リード２１１、第２電極リード２１２、及び支持リード１１を互いに離間させて保持している。そして、複数の素子収容器２０のうちの少なくとも１つは、第１電極リード２１１と支持リード１１を接続し樹脂成形体２５に被覆されたワイヤ３０（第１ワイヤ）を有している。なお、複合基板５０内におけるワイヤ３０を有する素子収容器２０の数は、１つでも２つ以上でもよいが、全数であることが好ましい。また、ワイヤ３０は、その全部が樹脂成形体２５の内側にあることが好ましいが、その一部が樹脂成形体２５の外側にあってもよい。また、ここでいう樹脂成形体２５の「内側」、「外側」とは、素子収容器２０における発光素子が載置される側を上側として、樹脂成形体２５の上面視における外面（輪郭）を基準に考えるものとする（これは以下も同様とする）。
より詳細には、リードフレーム１０は、複数の開口部１３が縦横に略等間隔に設けられて、残部が略格子状の基礎枠部１５を成している。リードフレーム１０は、各開口部１３に対応して一対の支持リード１１を有している。その一対の支持リード１１は、基礎枠部１５の互いに逆側から開口部１３の中心側に向かって各々延伸している。そして、各素子収容器２０は、一対の支持リードの先端領域１１ａを樹脂成形体２５内に保持することで、その一対の支持リード１１に支持されている。また、第１電極リード２１１及び第２電極リード２１２も、リードフレーム１０から切り離される前には、リードフレーム１０が各開口部１３に対応して有しており、基礎枠部１５から開口部１３の中心側に向かって各々延伸している。そして、各素子収容器の樹脂成形体２５は、発光素子を収容するための素子収容凹部２５ａを有し、その素子収容凹部２５ａの底面の一部を第１電極リード２１１及び第２電極リード２１２の上面の一部（其々、第１露出領域２１１ｂ、第２露出領域２１２ｂとする）が構成するように成形されている。樹脂成形体２５の内側において、樹脂成形体２５に被覆された第１電極リード２１１及び第２電極リード２１２の部位を其々、第１被覆領域２１１ａ、第２被覆領域２１２ａとする。第１電極リード２１１及び第２電極リード２１２の樹脂成形体２５の外側にある部位は、リードフレーム１０から切り離された後、其々、第１外部端子領域２１１ｃ、第２外部端子領域２１２ｃとなる。この第１外部端子領域２１１ｃ、第２外部端子領域２１２ｃは其々、図１（ｂ）中に破線で示すように、略Ｌ字形状を有している。なお、図１（ａ）〜（ｃ）は、第１外部端子領域２１１ｃ、第２外部端子領域２１２ｃが既にリードフレーム１０から切り離されて折り曲げられた状態を示している。そして、ワイヤ３０は、第１電極リードの第１被覆領域２１１ａと支持リードの先端領域１１ａを接続している。
このような構成を有する複合基板５０は、ワイヤ３０を有する素子収容器２０において、第１電極リード２１１がワイヤ３０によってリードフレーム１０（特に基礎枠部１５）と電気的に接続されているので、第１電極リード２１１及び第２電極リード２１２を、リードフレーム１０から切り離したり、その後さらに折り曲げたりしても、発光素子の導通試験及び／又は発光装置の発光試験を比較的作業性良く行うことができる。なお、ワイヤ３０の接続先は、第１電極リード２１１から第２電極リード２１２に替えてもよい。また、ワイヤ３０は、第１電極リード２１１及び第２電極リード２１２のいずれか一方と支持リード１１を接続していることが好ましい。但し、ワイヤ３０は、第１電極リード２１１と一の支持リード１１、並びに第２電極リード２１２と他の支持リード１１を各々接続していてもよい。この場合は、後述するように、ワイヤボンディング装置の不着検知機能を利用して発光素子の導通試験を行う際、極性反転機能を持たないワイヤボンディング装置を使用しやすい利点がある。
以下、複合基板５０の好ましい形態について説明する。
図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、ワイヤ３０を有する素子収容器２０において、第１電極リード２１１及び第２電極リード２１２は各々、リードフレーム１０から切り離されている。このような場合に、（ワイヤ３０がなければ、）発光素子の導通試験又は発光装置の発光試験の際、各素子収容器２０の第１電極リード２１１（例えば第１外部端子領域２１１ｃ）と第２電極リード２１２（例えば第２外部端子領域２１２ｃ）の其々に試験端子を順次接続していく作業が必要になる。しかしながら、第１電極リード２１１がワイヤ３０によってリードフレーム１０と電気的に接続されていれば、一方の試験端子をリードフレーム１０の所定箇所（例えば基礎枠部１５）に接続しておき、他方の試験端子を各素子収容器２０の第２電極リード２１２（例えば第２外部端子領域２１２ｃ）に順次接続していく作業で済む。このように、第１電極リード２１１及び第２電極リード２１２が各々、リードフレーム１０から切り離されたとき、ワイヤ３０の存在意義が高くなる。また、複合基板５０において、第１電極リード２１１及び第２電極リード２１２が各々リードフレーム１０から切り離されていれば、その切断時に発生する応力の発光素子及び／又は封止部材への悪影響を回避することができる。
図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、ワイヤ３０を有する素子収容器２０において、第１電極リード２１１及び第２電極リード２１２は各々、樹脂成形体２５の外側において樹脂成形体２５の外面に沿うように折り曲げられている。このような場合に、（ワイヤ３０がなければ、）発光素子の導通試験又は発光装置の発光試験の際、各素子収容器２０の第１電極リード２１１と第２電極リード２１２の其々に試験端子を順次接続していく作業が更に煩雑になる。したがって、第１電極リード２１１及び第２電極リード２１２が各々、リードフレーム１０から切り離され、更に樹脂成形体２５の外側において樹脂成形体２５の外面に沿うように折り曲げられたとき、ワイヤ３０の存在意義がよりいっそう高くなる。また、複合基板５０において、第１電極リード２１１及び第２電極リード２１２が各々樹脂成形体２５の外側において樹脂成形体２５の外面に沿うように折り曲げられていれば、その折り曲げ加工時に発生する応力の発光素子及び／又は封止部材への悪影響を回避することができる。なお、第１電極リード２１１及び第２電極リード２１２が樹脂成形体２５の外側において実質的に折り曲げられない（例えば平板状である）素子収容器の場合にも、ワイヤ３０は上記のように効果を奏すことができる。
図１（ｃ）に示すように、ワイヤ３０は、支持リード１１にウェッジボンディングされていることが好ましい。ウェッジボンディングはボールボンディングに比べて接続強度が低いため、素子収容器２０（発光装置）を支持リード１１から取り外す際、ワイヤ３０が支持リード１１から剥離しやすく、素子収容器２０の損傷を抑制しやすい。また、ウェッジボンディングは、支持リード１１との接続部近傍におけるワイヤ３０の高さを低くしやすいため、樹脂成形体２５の成形金型とワイヤ３０との干渉を回避しやすく、またワイヤ３０を樹脂成形体２５により被覆しやすい。
図１（ｂ），（ｃ）に示すように、素子収容器２０における発光素子が載置される側を上側としたとき、ワイヤ３０は、第１電極リード２１１（第１被覆領域２１１ａ）の下面と支持リード１１（先端領域１１ａ）の下面を接続していることが好ましい。素子収容器２０における発光素子が載置される側には素子収容凹部２５ａが設けられるため、樹脂成形体２５が第１電極リード２１１の上下両側に設けられる場合、樹脂成形体２５の体積は第１電極リード２１１の上側より下側のほうが大きくなりやすい。したがって、ワイヤ３０が第１電極リード２１１の下面と支持リード１１の下面を接続していれば、ワイヤ３０を樹脂成形体２５により被覆しやすい。また、発光素子から発せられる光のワイヤ３０による吸収を抑制又は回避しやすい。一方、ワイヤ３０は、第１電極リード２１１の上面と支持リード１１の上面を接続していてもよい。その場合は、第１電極リード２１１及び第２電極リード２１２が樹脂成形体２５の外側において実質的に折り曲げられず、第１電極リード２１１及び第２電極リード２１２の最下面より下側に樹脂成形体２５が実質的にない素子収容器、つまり第１電極リード２１１の最下面及び第２電極リード２１２の最下面が樹脂成形体２５の最下面と略同一面となって露出した素子収容器に好適である。また、その場合は、支持リードの先端領域１１ａは、この先端領域１１ａの下側にも樹脂成形体２５を形成して素子収容器の支持リードからの意図しない外れを抑制するために、先端面と下面に連続する凹みを有したり、先端側の厚さが小さくなるように下面が傾斜したり、していることが好ましい。
（発光装置の製造方法）
図２（ａ）〜（ｅ）は、実施の形態１に係る発光装置１００の製造方法の一例を示す概略断面図である。実施の形態１の発光装置１００の製造方法は、少なくとも以下の４つの工程すなわち第１、第２、第３、第４工程をこの順に含む。なお、図２（ａ）〜（ｅ）は、複合基板５０内の複数の素子収容器２０のうちの１つすなわち１つの発光装置１００について示しているが、各工程は複合基板５０内の複数の素子収容器２０すなわち複数の発光装置１００について行うことが好ましい。
第１工程は、複合基板５０を準備する工程である（図２（ａ）に含む）。複合基板５０は、製造してもよいし、既製品を購入してもよい。複合基板５０は、複数のワイヤ３０をリードフレーム１０の所定箇所に設けた後、各ワイヤ３０を覆い隠すように、成形金型を用いて、樹脂成形体２５をリードフレーム１０に成形することで製造される。また、樹脂成形体２５の成形後、第１電極リード２１１及び第２電極リード２１２を、リードフレーム１０から切り離し、樹脂成形体２５の外側において樹脂成形体２５の外面に沿うように折り曲げておくことが好ましい。ここでは、複合基板５０は、図１（ａ）〜（Ｃ）に示した上記のものを用いる。
第２工程は、発光素子６０を、ワイヤ３０を有する素子収容器２０に収容し且つ第１電極リード２１１及び第２電極リード２１２に電気的に接続する工程である。まず、図２（ａ）に示すように、ワイヤ３０を有する素子収容器２０に発光素子６０を収容する。具体的には、例えば、発光素子６０を素子収容凹部２５ａの底面に接着剤で接着する。次に、図２（ｂ）に示すように、発光素子６０を第１電極リード２１１及び第２電極リード２１２に電気的に接続する。具体的には、例えば、発光素子６０の正負の電極と第１電極リード２１１及び第２電極リード２１２とをワイヤ６５（第２ワイヤ）で各々接続する。
第３工程は、第１電極リード２１１及び第２電極リード２１２がリードフレーム１０から切り離された状態において、発光素子６０の導通を確認する工程である。この第３工程は、例えば、図２（ｂ）に示す、発光素子６０へのワイヤ６５（第２ワイヤ）の接続過程において行うことができる。これは、ワイヤボンディング装置の不着検知機能を利用するものである。具体的には、例えば、ワイヤボンディング装置と電気的に接続された試験端子Ｔ１をリードフレーム１０の所定箇所（例えば基礎枠部１５）に接続しておけば、発光素子６０へのワイヤ６５（第２ワイヤ）の接続の完了と同時に、ワイヤボンディング装置にて発光素子６０の導通を検知することができる（この場合、ワイヤボンディング装置に保持されているワイヤ６５（第２ワイヤ）を他方の試験端子と見なすことができる）。或いは、発光素子６０と第１電極リード２１１及び第２電極リード２１２の電気的接続の完了後に、一方の試験端子Ｔ１をリードフレーム１０の所定箇所（例えば基礎枠部１５）に接続しておき、他方の試験端子（図２（ｄ）のＴ２に相当）を各素子収容器２０の第２電極リード２１２に順次接続して、各素子収容器２０に収容された発光素子６０の導通を確認してもよい。なお、ワイヤ３０が第２電極リード２１２に接続されている場合は、他方の試験端子を各素子収容器２０の第１電極リード２１１に順次接続していけばよい。
第４工程は、図２（ｅ）に示すように、素子収容器２０すなわち発光装置１００を支持リード１１から取り外す工程である。例えば、金型又は治具等を用いて、素子収容器２０を上方向又は下方向に押圧することにより、素子収容器２０すなわち発光装置１００を支持リード１１から取り外す。このとき、ワイヤ３０の支持リード１１からの剥離のしやすさの観点から、ワイヤ３０が第１電極リード２１１の下面と支持リード１１の下面を接続している場合には、素子収容器２０を上方から下方に向かって押圧することが好ましい。逆に、ワイヤ３０が第１電極リード２１１の上面と支持リード１１の上面を接続している場合には、素子収容器２０を下方から上方に向かって押圧することが好ましい。そして、この第４工程により、樹脂成形体２５の外面には窪み部２５ｂが形成される。この窪み部２５ｂは、樹脂成形体２５において支持リードの先端領域１１ａを保持していた部位である。また、ワイヤ３０は、支持リード１１から剥離し、その全部又は殆ど（例えば支持リード１１との接続部近傍のみがなくなった状態）が素子収容器２０に残存することになる。
なお、実施の形態１では、図２（ｃ）に示すように、第２工程の後（ここでは第３工程の後）、発光素子６０を封止する封止部材７０（図２（ｄ）に含む）を形成する工程（第５工程）を含む。封止部材７０は、例えば、封止部材の液状材料７０ａ（ここでは蛍光体を含有する）を、素子収容凹部２５ａに充填して熱処理等により固化させることで形成される。これにより、リードフレーム１０上において、発光装置１００が形成された状態となる。
さらに、実施の形態１では、図２（ｄ）に示すように、第５工程の後、第１電極リード２１１及び第２電極リード２１２がリードフレーム１０から切り離された状態において、発光装置を発光させる工程（第６工程）を含む。例えば、一方の試験端子Ｔ１をリードフレーム１０の所定箇所（例えば基礎枠部１５）に接続しておき、他方の試験端子Ｔ２を各素子収容器２０の第２電極リード２１２に順次接続して、各素子収容器２０に収容された発光素子６０を発光させ、任意で光度、色度等を計測する。なお、この第６工程に第３工程を兼ねさせて、第３工程を省略してもよい。
このような構成を有する発光装置１００の製造方法は、第１電極リード２１１がワイヤ３０によってリードフレーム１０（特に基礎枠部１５）と電気的に接続されているので、第１電極リード２１１及び第２電極リード２１２がリードフレーム１０から切り離された状態においても、発光素子６０の導通試験及び／又は発光装置１００の発光試験を比較的作業性良く行うことができる。
（発光装置）
図２（ｅ）に示すように、実施の形態１の発光装置１００は、素子収容器２０と、素子収容器２０に収容された発光素子６０と、を備えている。素子収容器２０は、第１電極リード２１１と、第２電極リード２１２と、樹脂成形体２５と、ワイヤ３０と、を有している。樹脂成形体２５は、第１電極リード２１１及び第２電極リード２１２と一体に成形されている。また、樹脂成形体２５は、外面に窪み部２５ｂを含んでいる。ワイヤ３０は、樹脂成形体２５に被覆され第１電極リード２１１から窪み部２５ｂに至っている。発光素子６０は、第１電極リード２１１及び第２電極リード２１２に電気的に接続されている。
このような構成を有する発光装置１００は、第１電極リード２１１から窪み部２５ｂに至るワイヤ３０を有しているので、発光素子６０の導通試験及び／又は発光装置１００の発光試験を比較的作業性良く行うことができる。なお、図２（ｅ）に示すように、発光装置１００は、発光素子６０を封止する封止部材７０を備えていてもよい。
図２（ｅ）に示すように、発光素子６０は、第１電極リード２１１に載置されていることが好ましい。言い換えると、素子収容器２０において、第１電極リード２１１は、発光素子６０が載置されることが好ましい。発光素子が載置される電極リードは、通常、発光素子の載置領域を確保するため、上面視（平面視）において比較的大きい面積を有する。本実施の形態においても、第１電極リード２１１は、上面視において、第２電極リード２１２より大きい面積を有している。このように、発光素子が載置される第１電極リード２１１にワイヤ３０を接続することで、ワイヤ３０を素子収容器２０に設けやすく、また、発光素子６０から発生する熱を、ワイヤ３０を介して放散することができる。
図２（ｅ）に示すように、発光装置１００は、側面発光型（サイドビュー型）発光装置であることが好ましい。言い換えると、素子収容器２０は、側面発光型発光装置用の素子収容器であることが好ましい。側面発光型発光装置用の素子収容器２０は、第１電極リード２１１及び第２電極リード２１２が各々、樹脂成形体２５の外側において樹脂成形体２５の外面に沿うように折り曲げられることが多いため、ワイヤ３０の存在意義が高くなりやすい。また、側面発光型発光装置用の素子収容器２０は小型（薄型）であり、第１電極リード２１１及び第２電極リード２１２も小型に形成され、第１電極リード２１１及び／又は第２電極リード２１２に試験端子を接続しにくいため、ワイヤ３０の存在意義が高くなりやすい。
以下、本発明の複合基板及び発光装置における各構成要素について説明する。
（複合基板５０）
複合基板は、少なくとも、リードフレームと、そのリードフレーム上に設けられた複数の素子収容器とにより構成される。複合基板における複数の素子収容器は、通常、リードフレーム上に、縦横に略等間隔に配列される。複合基板は、例えば「パッケージアレイ」等と呼ばれるものであってよい。
（リードフレーム１０）
リードフレームは、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル、コバルト、モリブデン、又はこれらの合金の平板に、プレス（打ち抜き含む）、エッチング、圧延など各種の加工を施したものが母体となる。リードフレームは、これらの金属又は合金の積層体で構成されてもよいが、単層で構成されるのが簡便で良い。特に、銅を主成分とする銅合金（燐青銅、鉄入り銅など）が好ましい。また、その表面に、銀、アルミニウム、ロジウム又はこれらの合金などの光反射膜が設けられていてもよく、なかでも光反射性に優れる銀又は銀合金が好ましい。リードフレームの厚さ（板厚）は、特に限定されないが、例えば０．０５ｍｍ以上１ｍｍ以下が挙げられ、０．１ｍｍ以上０．４ｍｍ以下が好ましく、０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下がより好ましい。
（素子収容器２０）
素子収容器は、発光素子を収容し、その発光素子に外部から給電するための電極（端子）を有する容器である。素子収容器は、少なくとも、第１電極リード及び第２電極リードと、樹脂成形体と、により構成され、本実施の形態では更にワイヤ（第１ワイヤ）を備えている。素子収容器は、例えば「パッケージ」等と呼ばれるものであってよい。また、側面発光型発光装置用の素子収容器だけでなく、上面発光型（トップビュー型）発光装置用の素子収容器も含む。
（第１電極リード２１１、第２電極リード２１２）
第１電極リード及び第２電極リードは、リードフレームの小片である。第１電極リード及び第２電極リードは、素子収容器における正負一対の電極（端子）を構成する。１つの素子収容器において、第１電極リード及び第２電極リードは、少なくとも一対あればよいが、複数対あってもよい。第１電極リード及び第２電極リードが複数対ある場合には、その各対に対応してワイヤ（第１ワイヤ）が設けられていることが好ましい。
（樹脂成形体２５）
樹脂成形体は、素子収容器における容器の母体をなす。樹脂成形体は、光反射性の観点から、発光素子の発光ピーク波長における光反射率が、７５％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。さらに、樹脂成形体は、白色であることが好ましい。樹脂成形体は、固化前には流動性を有する状態つまり液状（ゾル状又はスラリー状を含む）である。樹脂成形体は、射出成形法、トランスファ成形法などにより成形することができる。樹脂成形体の母材は、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を用いることができる。特に、熱可塑性樹脂は比較的柔軟であり、素子収容器を支持リードから取り外す際、樹脂成形体のひび割れや欠け等の損傷を回避しやすい。また、熱可塑性樹脂は比較的安価である。熱硬化性樹脂は、液状時の粘度が比較的低く、樹脂成形体を成形する際、ワイヤ（第１ワイヤ）の破断を回避しやすい。熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリビスマレイミドトリアジン樹脂、不飽和ポリエステル、又はこれらの変性樹脂若しくはハイブリッド樹脂のうちのいずれかを用いることができる。なかでも、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、不飽和ポリエステル、又はこれらの変性樹脂若しくはハイブリッド樹脂のうちのいずれかが好ましい。特に、不飽和ポリエステル、又はこれらの変性樹脂若しくはハイブリッド樹脂は、熱硬化性樹脂の優れた特性を有しながら、射出成形が可能であり、好適である。熱可塑性樹脂は、脂環式ポリアミド樹脂、半芳香族ポリアミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリシクロヘキサンテレフタレート、液晶ポリマー、ポリカーボネート樹脂、シンジオタクチックポリスチレン、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリアリレート樹脂、又はこれらの変性樹脂若しくはハイブリッド樹脂のうちのいずれかを用いることができる。なかでも、脂環式ポリアミド樹脂、ポリシクロヘキサンテレフタレート、又はこれらの変性樹脂若しくはハイブリッド樹脂のうちのいずれかが好ましい。樹脂成形体は、光反射性、機械的強度、熱膨張性などの観点から、これらの母材中に、以下のような白色顔料と充填剤を含有することが好ましいが、これに限定されない。
（白色顔料）
白色顔料は、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム、チタン酸バリウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムなどが挙げられる。白色顔料は、これらのうちの１種を単独で、又はこれらのうちの２種以上を組み合わせて用いることができる。なかでも、酸化チタンは、屈折率が比較的高く、光隠蔽性に優れるため、好ましい。白色顔料の形状は、特に限定されず、不定形（破砕状）でもよいが、流動性の観点では球状が好ましい。
（充填剤）
充填剤は、シリカ、酸化アルミニウム、ガラス、チタン酸カリウム、ワラストナイト（珪酸カルシウム）、マイカ、タルクなどが挙げられる。充填剤は、これらのうちの１種を単独で、又はこれらのうちの２種以上を組み合わせて用いることができる。但し、充填剤は、上記の白色顔料とは異なるものとする。充填剤の形状は、特に限定されず、不定形（破砕状）でもよいが、強化剤としての機能の観点では繊維状又は板状（鱗片状）が好ましく、流動性の観点では球状が好ましい。
（ワイヤ３０）
ワイヤ（第１ワイヤ）は、支持リードと電極リードとを接続する導線である。具体的には、金、銅、銀、白金、アルミニウム又はこれらの合金の金属線（ここでいう「金属」は合金を含む）を用いることができる。特に、金又は金合金は、樹脂成形体からの応力などによる破断が生じにくいため、好ましい。また、銅又は銅合金は、放熱性の観点で好ましい。また、ワイヤは、光反射性を高めるために、少なくとも表面が銀又は銀合金で構成されていてもよい。第１電極リード及び第２電極リードのいずれか一方と支持リードを接続するワイヤは、少なくとも１本あればよいが、破断発生時の保障等のために複数本あってもよい。ワイヤの線径は、特に限定されないが、例えば５μｍ以上２ｍｍ以下が挙げられる。下限値としては、強度確保（破断回避）及び／又は放熱性の観点から、１５μｍ以上が好ましく、２０μｍ以上がより好ましい。上限値としては、素子収容器（発光装置）を支持リードから取り外す際の支持リードからの剥離のしやすさの観点から、１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましい。また上限値は、支持リードの先端領域の大きさにも依存しており、この程度が好ましい。なお、発光素子と電極リードを接続する第２ワイヤは、第１ワイヤと同様のものを用いることができる。但し、樹脂成形体の成形の際における破断回避等の観点から、ワイヤ（第１ワイヤ）の線径は、第２ワイヤの線径より大きいことが好ましい。
（発光装置１００）
発光装置は、発光素子が素子収容器に収容され第１電極リード及び第２電極リードに電気的に接続され且つ封止されて構成される。発光装置は、例えば「発光ダイオード（ＬＥＤ）」等と呼ばれるものであってよい。また、側面発光型発光装置だけでなく、上面発光型（トップビュー型）発光装置も含む。
（発光素子６０）
発光素子は、ＬＥＤ素子などの半導体発光素子を用いることができる。発光素子は、多くの場合に基板を有するが、少なくとも、種々の半導体で構成される素子構造と、正負一対の電極と、を有するものであればよい。特に、紫外〜可視域の発光が可能な窒化物半導体（ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ、０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）の発光素子が好ましい。このほか、緑色〜赤色発光のガリウム砒素系、ガリウム燐系半導体の発光素子でもよい。正負一対の電極が同一面側に設けられている発光素子の場合、各電極をワイヤ（第２ワイヤ）で第１電極リード及び第２電極リードと接続される（フェイスアップ実装）。また、各電極を導電性接着剤で第１電極リード及び第２電極リードと接続されてもよい（フリップチップ実装（フェイスダウン実装））。正負一対の電極が互いに反対の面に各々設けられている対向電極構造の発光素子の場合、下面電極が導電性接着剤で一方の電極リード（例えば第１電極リード）に接着され、上面電極がワイヤ（第２ワイヤ）で他方の電極リード（例えば第２電極リードと接続される。１つの素子収容器に搭載される発光素子の個数は１つでも複数でもよい。複数の発光素子は、ワイヤ（第２ワイヤ）により直列又は並列に接続することができる。また、１つの素子収容器に、例えば青色・緑色・赤色発光の３つの発光素子が搭載されてもよい。
（封止部材７０、封止部材の液状材料７０ａ）
封止部材は、発光素子を封止して、埃や水分、外力などから保護する部材である。封止部材は、電気的絶縁性を有し、発光素子から出射される光に対して透光性（好ましくは発光素子の発光ピーク波長における光透過率が７０％以上、より好ましくは８５％以上）を有する部材であればよい。封止部材の母材は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ＴＰＸ樹脂、ポリノルボルネン樹脂、又はこれらの変性樹脂若しくはハイブリッド樹脂が挙げられる。なかでも、シリコーン樹脂又はその変性樹脂若しくはハイブリッド樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れ、固化後の体積収縮が少ないため、好ましい。封止部材は、これらの母材中に、蛍光体を含有することが好ましいが、これに限定されない。
（蛍光体）
蛍光体は、発光素子から出射される一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を出射する。具体的には、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット、ユウロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム、ユウロピウムで賦活されたサイアロン、ユウロピウムで賦活されたシリケート、マンガンで賦活されたフッ化珪酸カリウムなどが挙げられる。このほか、蛍光体は量子ドットであってもよい。量子ドットは、粒径１ｎｍ以上１００ｎｍ以下程度の粒子であり、粒径によって発光波長を変えることができる。量子ドットは、例えば、セレン化カドミウム、テルル化カドミウム、硫化亜鉛、硫化カドミウム、硫化鉛、セレン化鉛、又はテルル化カドミウム・水銀などが挙げられる。蛍光体は、これらのうちの１種を単独で、又はこれらのうちの２種以上を組み合わせて用いることができる。これにより、可視波長の一次光及び二次光の混色光（例えば白色光）を出射する発光装置とすることができる。
以下、本発明に係る実施例について詳述する。なお、本発明は以下に示す実施例のみに限定されないことは言うまでもない。
＜実施例１＞
実施例１の複合基板は、図１（ａ）〜（ｃ）に示す例の複合基板５０の構造を有する、側面発光型ＬＥＤ用のパッケージアレイである。以下、図１（ａ）に示す複合基板の向きで縦、横（左右）を特定して説明する。
リードフレーム１０は、開口部１３の打ち抜き加工が施された鉄入り銅の母体上に銀の光反射膜が設けられた金属板である。リードフレーム１０は、外形が縦２０４ｍｍ、横６０ｍｍの略矩形状であり、厚さが０．１１ｍｍである。素子収容器２０は、リードフレーム１０上に、縦に６０個、横に８個、略等間隔に設けられている。各素子収容器２０は、各開口部１３において、左右の基礎枠部１５から延伸した一対の支持リード１１に支持されている。各素子収容器２０は、外形が縦０．４ｍｍ、横３．０ｍｍ、厚さ０．８５ｍｍであり、縦０．２９ｍｍ、横２．２ｍｍ、深さ０．３ｍｍの素子収容凹部２５ａを上面側に含む樹脂成形体２５を有している。樹脂成形体２５は、脂環式ポリアミド樹脂の母材中に、酸化チタンの白色顔料と、球状のシリカ及び繊維状のワラストナイトの充填剤とを含有している。第１電極リード及び第２電極リードは其々、樹脂成形体２５の内側にある部位として、樹脂成形体２５に被覆された第１被覆領域２１１ａ及び第２被覆領域２１２ａ、並びに素子収容凹部２５ａの底面の一部を構成する第１露出領域２１１ｂ及び第２露出領域２１２ｂを有している。第１露出領域２１１ｂは、発光素子の載置領域を含んでおり、第２露出領域２１２ｂより大きい。また、第１電極リード及び第２電極リードは其々、樹脂成形体２５の外側にある部位として、第１外部端子領域２１１ｃ及び第２外部端子領域２１２ｃを有している。第１外部端子領域２１１ｃ及び第２外部端子領域２１２ｃは、リードフレーム１０から切り離され、樹脂成形体２５の外側面の１つ（実装側主面）から延出しその外側面に沿うように折り曲げられ、更に別の外側面（左右端面）に沿うように折り曲げられている。支持リードの先端領域１１ａは、縦０．２ｍｍであって、先端面から横幅７０μｍの直方体状の部位が樹脂成形体２５内に保持されている。ワイヤ３０は、複合基板５０上の全ての素子収容器２０に１本ずつ設けられている。ワイヤ３０は、第１電極リード（第１被覆領域２１１ａ）の下面にボールボンディングされ、樹脂成形体２５内にある支持リードの先端領域１１ａの下面にウェッジボンディングされている。ワイヤ３０は、線径が３０μｍの金線である。
以上のように構成された実施例１の複合基板は、実施の形態１の複合基板５０と同様の効果を奏することができる。
本発明に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト装置、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、プロジェクタ装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置などに利用することができる。
１０…リードフレーム（１１……支持リード（１１ａ…先端領域）、１３…開口部、１５…基礎枠部）
２０…素子収容器（２１１…第１電極リード（２１１ａ…第１被覆領域、２１１ｂ…第１露出領域、２１１ｃ…第１外部端子領域）、２１２…第２電極リード（２１２ａ…第２被覆領域、２１２ｂ…第２露出領域、２１２ｃ…第２外部端子領域）、２５…樹脂成形体（２５ａ…素子収容凹部、２５ｂ…窪み部））
３０…ワイヤ（第１ワイヤ）
５０…複合基板
６０…発光素子
６５…第２ワイヤ
７０…封止部材（７０ａ…封止部材の液状材料）
１００…発光装置
Ｔ１，Ｔ２…試験端子

Claims (11)

  1. 複数の支持リードを有する板状のリードフレームと、前記各支持リードに支持された複数の素子収容器と、を備える複合基板であって、
    前記複数の素子収容器は各々、
    第１電極リードと、第２電極リードと、前記第１電極リード及び前記第２電極リードと
    一体に成形された樹脂成形体と、を有し、
    前記樹脂成形体の内側において、前記第１電極リード、前記第２電極リード、及び前記
    支持リードを互いに離間させて保持しており、
    前記複数の素子収容器は各々、前記第１電極リードと前記支持リードを接続し前記樹脂成形体に被覆されたワイヤを有する複合基板。
  2. 前記ワイヤを有する素子収容器において、前記第１電極リード及び前記第２電極リードは各々、前記リードフレームから切り離されている請求項１に記載の複合基板。
  3. 前記第１電極リード及び前記第２電極リードは各々、前記樹脂成形体の外側において前記樹脂成形体の外面に沿うように折り曲げられている請求項２に記載の複合基板。
  4. 前記ワイヤは、前記支持リードにウェッジボンディングされている請求項１乃至３のいずれか一項に記載の複合基板。
  5. 前記素子収容器における発光素子が載置される側を上側としたとき、
    前記ワイヤは、前記第１電極リードの下面と前記支持リードの下面を接続している請求項１乃至４のいずれか一項に記載の複合基板。
  6. 前記第１電極リードは、発光素子が載置される請求項１乃至５のいずれか一項に記載の複合基板。
  7. 前記素子収容器は、側面発光型発光装置用の素子収容器である請求項１乃至６のいずれか一項に記載の複合基板。
  8. 請求項１乃至７のいずれか一項に記載の複合基板を準備する第１工程と、
    発光素子を、前記ワイヤを有する素子収容器に収容し且つ前記第１電極リード及び前記第２電極リードに電気的に接続する第２工程と、
    前記第１電極リード及び前記第２電極リードが前記リードフレームから切り離された状態において、前記発光素子の導通を確認する第３工程と、
    前記素子収容器を前記支持リードから取り外す第４工程と、をこの順に含む発光装置の製造方法。
  9. 第１電極リードと、第２電極リードと、前記第１電極リード及び前記第２電極リードと一体に成形され外面に窪み部を含む樹脂成形体と、前記樹脂成形体に被覆され前記第１電極リードから前記窪み部に至るワイヤと、を有する素子収容器と、
    前記素子収容器に収容され前記第１電極リード及び前記第２電極リードに電気的に接続された発光素子と、を備える発光装置。
  10. 前記発光素子は、前記第１電極リードに載置されている請求項９に記載の発光装置。
  11. 当該発光装置は、側面発光型発光装置である請求項９又は１０に記載の発光装置。
JP2014233564A 2014-11-18 2014-11-18 複合基板並びに発光装置及びその製造方法 Active JP6395045B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014233564A JP6395045B2 (ja) 2014-11-18 2014-11-18 複合基板並びに発光装置及びその製造方法
US14/944,230 US10147856B2 (en) 2014-11-18 2015-11-18 Composite substrate, light emitting device, and method of manufacturing the light emitting device
US16/177,330 US10475977B2 (en) 2014-11-18 2018-10-31 Light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014233564A JP6395045B2 (ja) 2014-11-18 2014-11-18 複合基板並びに発光装置及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016100350A JP2016100350A (ja) 2016-05-30
JP6395045B2 true JP6395045B2 (ja) 2018-09-26

Family

ID=55962458

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014233564A Active JP6395045B2 (ja) 2014-11-18 2014-11-18 複合基板並びに発光装置及びその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US10147856B2 (ja)
JP (1) JP6395045B2 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7065381B2 (ja) * 2016-07-19 2022-05-12 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光反射体、ベース体、発光装置及びベース体の製造方法
JP6354809B2 (ja) * 2016-08-16 2018-07-11 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び複合基板
JP6583297B2 (ja) * 2017-01-20 2019-10-02 日亜化学工業株式会社 発光装置用複合基板および発光装置の製造方法
JP7048879B2 (ja) * 2017-10-12 2022-04-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN110233192A (zh) * 2018-08-30 2019-09-13 深圳市聚飞光电股份有限公司 一种发光器件及其制作方法、引线框架、支架、发光装置
JP7057512B2 (ja) * 2019-08-30 2022-04-20 日亜化学工業株式会社 発光装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100193903B1 (ko) * 1995-12-30 1999-06-15 윤종용 본딩 와이어의 단선 불량을 감지할 수 있는 회로 기판 및 와이어 본딩 장치
WO1998012568A1 (en) * 1996-09-18 1998-03-26 Hitachi, Ltd. Process for producing semiconductor device and semiconductor device
JP3853279B2 (ja) * 2002-02-01 2006-12-06 シャープ株式会社 半導体レーザ装置及びその製造方法、並びにそれを用いた光ピックアップ
JP4525277B2 (ja) * 2004-09-30 2010-08-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP2006287074A (ja) * 2005-04-04 2006-10-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ装置のリードフレーム及びそれを用いた半導体レーザ装置の製造方法
US8251530B2 (en) 2007-03-26 2012-08-28 Nichia Corporation Light emitting device
JP5026848B2 (ja) * 2007-04-19 2012-09-19 スタンレー電気株式会社 光半導体デバイスおよびその製造方法
KR101326888B1 (ko) 2007-06-20 2013-11-11 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 패키지
US7847376B2 (en) * 2007-07-19 2010-12-07 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP5277610B2 (ja) * 2007-10-29 2013-08-28 日亜化学工業株式会社 発光装置及び面発光装置並びに発光装置用パッケージ
KR100896068B1 (ko) 2007-11-30 2009-05-07 일진반도체 주식회사 정전기 방전 보호 기능을 갖는 발광다이오드 소자
US8314442B2 (en) 2008-02-08 2012-11-20 Nichia Corporation Light emitting device
JP5359135B2 (ja) * 2008-09-10 2013-12-04 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2010251493A (ja) 2009-04-15 2010-11-04 Panasonic Corp 半導体発光装置用リードフレーム及び半導体発光装置
JP2010281625A (ja) * 2009-06-03 2010-12-16 Yamaha Corp 半導体チップの検査方法
JP5251788B2 (ja) 2009-08-25 2013-07-31 豊田合成株式会社 サイドビュータイプの発光装置及びその製造方法
JP2012028699A (ja) 2010-07-27 2012-02-09 Panasonic Corp 半導体装置、リードフレーム集合体及びその製造方法
KR101693642B1 (ko) * 2010-12-21 2017-01-17 삼성전자 주식회사 발광소자 패키지 제조방법
JP2012175054A (ja) 2011-02-24 2012-09-10 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄパッケージ
DE102011056708A1 (de) * 2011-12-20 2013-06-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen, Leiterrahmenverbund und optoelektronisches Halbleiterbauteil

Also Published As

Publication number Publication date
US20190074420A1 (en) 2019-03-07
US10147856B2 (en) 2018-12-04
JP2016100350A (ja) 2016-05-30
US10475977B2 (en) 2019-11-12
US20160141475A1 (en) 2016-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10115876B2 (en) Light emitting device mount, leadframe, and light emitting apparatus
JP6395045B2 (ja) 複合基板並びに発光装置及びその製造方法
JP6107136B2 (ja) 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置
TWI616003B (zh) 發光裝置用封裝及用其之發光裝置
US10608147B2 (en) Package and light-emitting device
JP4961978B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP6303457B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP6669217B2 (ja) パッケージ及びそれを用いた発光装置
JP6544410B2 (ja) 発光素子実装用基体及びそれを備える発光装置
JP6171295B2 (ja) 発光装置
JP6414609B2 (ja) 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置
JP7460911B2 (ja) 発光装置及びそれを用いたディスプレイ
JP6604193B2 (ja) 発光装置、並びにパッケージ及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170901

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180516

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180522

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180711

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180803

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180816

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6395045

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250