TWI616003B - 發光裝置用封裝及用其之發光裝置 - Google Patents

發光裝置用封裝及用其之發光裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI616003B
TWI616003B TW103122392A TW103122392A TWI616003B TW I616003 B TWI616003 B TW I616003B TW 103122392 A TW103122392 A TW 103122392A TW 103122392 A TW103122392 A TW 103122392A TW I616003 B TWI616003 B TW I616003B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
lead frame
light
package
extending portion
emitting device
Prior art date
Application number
TW103122392A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201511366A (zh
Inventor
世岡慎平
中林拓也
Original Assignee
日亞化學工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日亞化學工業股份有限公司 filed Critical 日亞化學工業股份有限公司
Publication of TW201511366A publication Critical patent/TW201511366A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI616003B publication Critical patent/TWI616003B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/13Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139Silver (Ag) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147Copper (Cu) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45163Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/45169Platinum (Pt) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/4905Shape
    • H01L2224/4909Loop shape arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/49105Connecting at different heights
    • H01L2224/49107Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4911Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本發明係一種發光裝置用封裝(100),其於俯視下具有長邊方向(x)及與該長邊方向(x)正交之短邊方向(y),且包含沿上述長邊方向(x)排列之第1引線框(11)及第2引線框(12)、設於上述第1引線框(11)與上述第2引線框(12)之間之第3引線框(13)、以及與上述第1、第2、第3引線框(11、12、13)一體地成形之樹脂成形體(20),上述第1引線框(11)具有本體部(115)、及自上述本體部(115)向上述第2引線框(12)側寬度變窄地延伸之第1延伸部(111),上述第2引線框(12)具有本體部(125)、及自上述本體部(125)向上述第1引線框(11)側寬度變窄地延伸之第2延伸部(122),上述第1延伸部(111)及上述第2延伸部(122)分別於俯視下於短邊方向(y)上與上述第3引線框(13)對向。

Description

發光裝置用封裝及用其之發光裝置
本發明係關於一種發光裝置用封裝(以下有時簡稱為「封裝」)及發光裝置。
例如日本專利特開2011-134902號公報中記載有表面安裝(Surface Mount Device:SMD)型之發光二極體(Light Emitting Diode:LED)。
該表面安裝型之發光二極體係藉由如下方式製造:使用於2個引線框一體地成形有具有凹部之樹脂盒之發光裝置用封裝,於該凹部內搭載LED晶片,並利用密封樹脂進行密封。
然而,於如日本專利特開2011-134902號公報中記載之先前之發光裝置用封裝中,有如下擔憂:因來自外部之衝擊或荷重或者周圍環境溫度,而於樹脂盒產生裂紋或破裂,或樹脂盒自引線框剝離,無法充分地確保長期之可靠性。此種問題尤其容易於細長形狀之發光裝置用封裝中發生。
因此,本發明係鑒於此種情況而完成者,其目的在於提供一種可靠性較高之發光裝置用封裝及用其之發光裝置。
為解決上述問題,本發明係一種發光裝置用封裝,其特徵在於:於俯視下具有長邊方向及與該長邊方向正交之短邊方向,且包含 沿上述長邊方向排列之第1引線框及第2引線框、設於上述第1引線框與上述第2引線框之間之第3引線框、及與上述第1、第2、第3引線框一體地成形之樹脂成形體,上述第1引線框具有本體部、及自上述本體部向上述第2引線框側寬度變窄地延伸之第1延伸部,上述第2引線框具有本體部、及自上述本體部向上述第1引線框側寬度變窄地延伸之第2延伸部,上述第1延伸部及上述第2延伸部分別於俯視下於上述短邊方向上與上述第3引線框對向。
又,本發明係一種發光裝置用封裝,其特徵在於:於俯視下具有長邊方向及與該長邊方向正交之短邊方向,且包含沿上述長邊方向排列之第1引線框及第2引線框、以及與上述第1、第2引線框一體地成形之樹脂成形體,上述樹脂成形體與第1、第2引線框一起形成收容發光元件之凹部,上述第1引線框具有本體部及第3延伸部,該第3延伸部係自上述本體部向上述第2引線框側寬度變窄地延伸且埋入於上述樹脂成形體中而未於該封裝之外部及上述凹部內露出。
又,本發明係一種發光裝置用封裝,其特徵在於:於俯視下具有長邊方向及與該長邊方向正交之短邊方向,且包含沿上述長邊方向排列之第1引線框及第2引線框、設於上述第1引線框與上述第2引線框之間之第3引線框、及與上述第1、第2、第3引線框一體地成形之樹脂成形體,上述樹脂成形體與第1、第2、第3引線框一起形成收容發光元件之凹部,上述第1引線框與上述第3引線框之至少一者具有第1埋入延伸部,該第1埋入延伸部係於上述第1引線框與上述第3引線框之間寬度變窄地延伸且埋入於上述樹脂成形體中而未於該封裝之外部及上述凹部內露出。
根據本發明之發光裝置用封裝,尤其可提高對於施加於第1引線框與第2引線框之間之隔開區域附近之應力的耐性,而抑制樹脂成形體之裂紋或破裂、剝離,可形成可靠性較高之封裝。又,藉此可製作 可靠性較高之發光裝置。
本發明之上述以及進一步之目的及其特徵將藉由下述之具體實施形態並結合相應之圖式變得明瞭。
11‧‧‧第1引線框
12‧‧‧第2引線框
13‧‧‧第3引線框
15‧‧‧隔開區域
20‧‧‧樹脂成形體
25‧‧‧凹部
31‧‧‧第1發光元件
32‧‧‧第2發光元件
40‧‧‧金屬線
50‧‧‧密封構件
60‧‧‧螢光體
70‧‧‧保護元件
100、140、150、180‧‧‧發光裝置用封裝
111‧‧‧第1延伸部
113‧‧‧第3延伸部
115‧‧‧第一本體部
117‧‧‧懸掛引線部
119‧‧‧下表面之凹坑
122‧‧‧第2延伸部
124‧‧‧第4延伸部
125‧‧‧第二本體部
127‧‧‧懸掛引線部
129‧‧‧下表面之凹坑
133‧‧‧第1埋入延伸部
134‧‧‧第2埋入延伸部
137‧‧‧懸掛引線部
200、240、250、280‧‧‧發光裝置
圖1A係本發明之一實施形態之發光裝置之概略俯視圖,圖1B係圖1A之A-A剖面之概略剖面圖,圖1C係概略仰視圖。
圖2A係本發明之一實施形態之發光裝置之概略俯視圖,圖2B係圖2A之B-B剖面之概略剖面圖,圖2C係概略仰視圖。
圖3A係本發明之一實施形態之發光裝置之概略俯視圖,圖3B係圖3A之C-C剖面之概略剖面圖,圖3C係概略仰視圖。
圖4A係本發明之一實施形態之發光裝置之概略俯視圖,圖4B係圖4A之D-D剖面之概略剖面圖,圖4C係概略仰視圖。
圖5係表示本發明之一實施例之發光裝置之基板彎曲試驗之結果的曲線圖。
以下,適當地參照圖式對發明之實施形態進行說明。然而,以下說明之發光裝置用封裝及用其之發光裝置係用於將本發明之技術思想具體化者,只要無特定之記載,則本發明不限於以下者。又,於一實施形態、實施例中說明之內容亦可應用於其他之實施形態、實施例。又,為使說明變得明確,有將各圖式所示之構件之大小或位置關係等加以放大之情況。
<實施形態1>
圖1A、1C分別係實施形態1之發光裝置之概略俯視圖及概略仰視圖,圖1B係表示圖1A之A-A剖面之概略剖面圖。
如圖1A~C所示,實施形態1之發光裝置200主要係於同圖所示之發光裝置用封裝100搭載發光元件31、32,並利用密封構件50進行密 封而構成。本例之密封構件50含有螢光體60,但亦可省略。
如圖1A~C所示,封裝100於俯視下具有於一方向較長之形狀。即,封裝100於俯視下具有長邊方向及與該長邊方向正交之短邊方向。若更嚴格地定義,則長邊方向係俯視下與引線框之沿封裝長邊方向延伸之端面、即短邊方向之端面平行之方向。圖中,封裝之長邊方向為x方向,短邊方向為y方向,上下方向為z方向。又,將x方向設為橫方向,將y方向設為縱方向,將z方向設為厚度方向。
如圖1A~C所示,封裝100具備第1引線框11、第2引線框12及第3引線框13、以及與該第1、第2、第3引線框一體地成形之樹脂成形體20。第1引線框11及第2引線框12沿著封裝100之長邊方向排列。第3引線框13設於第1引線框11與第2引線框12之間。第1、第2、第3引線框11、12、13分別與封裝100同樣地具有於封裝之長邊方向較長之形狀。第1、第2、第3引線框11、12、13為板狀,且實質上未進行彎曲加工。第1、第2、第3引線框11、12、13係由樹脂成形體20填埋將彼此隔開之隔開區域15,且將該隔開區域15作為電氣絕緣區域而由樹脂成形體20一體地保持。再者,於封裝100之上表面側載置發光元件。又,此處係將圖中右側之引線框設為第1引線框11、將左側之引線框設為第2引線框12而進行說明,但亦可與之相反。
樹脂成形體20於俯視下具有於封裝之長邊方向較長之長方形狀。又,樹脂成形體20被覆第1、第2、第3引線框11、12、13之端面(除懸掛引線部117、127、137以外)。又,樹脂成形體20亦被覆第1、第2、第3引線框11、12、13之上表面之一部分(尤其是周緣部)。進而,樹脂成形體20與第1、第2、第3引線框11、12、13一起形成收容發光元件31、32之凹部25。具體而言,凹部25之底面主要由第1、第2、第3引線框11、12、13之上表面、及填埋隔開區域15之樹脂成形體20之表面構成。本例中,凹部25之底面大致平坦,但例如亦可於隔開 區域15上設置突起。為效率良好地提取自發光元件出射之光,該突起較佳為隨著靠近凹部25之底面而變寬。又,該突起既可與樹脂成形體20一體地成形,亦可與樹脂成形體20分開地設置。凹部25之側壁面由樹脂成形體20之表面構成。凹部25之側壁面亦可與凹部25之底面垂直,但為效率良好地提取自發光元件出射之光,較佳為以隨著靠近凹部25之底面而開口之寬度變窄之方式傾斜。再者,此處係對具有凹部25之封裝進行例示,但亦可省略凹部25即凹部側壁,例如亦可設為平板狀之封裝。
第1引線框11具有向第2引線框12側寬度變窄地延伸之第1延伸部111。又,第2引線框12具有向第1引線框11側寬度變窄地延伸之第2延伸部122。更詳細而言,第1引線框11具有第一本體部115,第1延伸部111係自第一本體部115向第2引線框12側寬度變窄地延伸。第一本體部115之上表面及第1延伸部111之上表面構成凹部25之底面。第2引線框12具有第二本體部125,第2延伸部122係自第二本體部125向第1引線框11側寬度變窄地延伸。第二本體部125之上表面及第2延伸部122之上表面構成凹部25之底面。並且,第1延伸部111及第2延伸部122分別於俯視下於短邊方向上與第3引線框13對向。
此處,可將第一本體部115、第二本體部125視為包含載置發光元件之上表面區域之引線框11、12之主要部分。第1及第2延伸部111、122之寬度(短邊方向之寬度)既可大致固定,亦可變化。第一本體部115與第1延伸部111之交界、及第二本體部125與第2延伸部122之交界例如可以穿過寬度之變化點且與短邊方向平行之直線進行考慮。再者,對於後述之第3及第4延伸部113、124亦相同。
再者,第1引線框11與第2引線框12之最大寬度(短邊方向之最大寬度;例如第一本體部115、第二本體部125之寬度)亦可不同,但較佳為最大寬度大致相同。又,第1引線框11與第2引線框12亦可於俯視 下以第一本體部115、第二本體部125之中央線來看配置成傾斜之關係,但較佳為配置成大致平行。進而,第1引線框11與第2引線框12亦可於俯視下以第一本體部115、第二本體部125之中央線來看配置成短邊方向之位置錯開之關係,但較佳為配置成短邊方向之位置大致一致。
如上所述地構成之封裝100由於第1及第2延伸部111、122於俯視下於短邊方向上處於與第3引線框13對向之位置,故而第1、第2、第3引線框11、12、13之間之隔開區域15被設為於俯視下不具有呈平行於短邊方向之一直線狀貫通之部分之形狀。因此,與將隔開區域設為具有呈平行於短邊方向之一直線狀貫通之部分之形狀之情況相比,可提高封裝100對於例如欲將封裝100於隔開區域15處折斷之施加於隔開區域15附近之應力的強度。
又,可使第3引線框13之上表面作為用於將載置於第1引線框11之發光元件與載置於第2引線框12之發光元件串聯連接之金屬線之中繼區域發揮作用。又,可使第1及第2延伸部111、122作為保護元件等之載置區域及其金屬線之連接區域發揮作用。藉此,可相對較短地形成金屬線,減少金屬線之光吸收,從而可提高光之提取效率。如此,由於與隔開區域15鄰接之第3引線框13之上表面或第1及第2延伸部111、122之上表面成為金屬線之連接區域,故而自抑制金屬線之斷線之方面考慮,提高封裝100對於施加於隔開區域15附近之應力的強度亦較為重要。
以下,對發光裝置用封裝100及發光裝置200之較佳形態進行說明。
圖1A~C所示之封裝100中,第1延伸部111及第2延伸部122於短邊方向上相對於第3引線框13配置於同一側。即,第1延伸部111及第2延伸部122配置於俯視下之封裝100之同一長邊側(僅第1長邊(對向之2 條長邊之一者)側)。藉此,可於將封裝100之短邊方向之寬度抑制為較小而製成小型之封裝,且亦提高封裝100對於施加於隔開區域15附近之應力的強度。又,容易使第1及第2延伸部111、122之上表面作為保護元件等之載置區域及其金屬線之連接區域發揮作用,且容易相對較短地形成該金屬線。再者,於圖示之例中,第1及第2延伸部111、122彼此相對於第3引線框13大致均等地延伸,但亦可偏向於某一者(某一者之延伸長度變大)。
圖1A~C所示之封裝100中,第1引線框11具有第3延伸部113,該第3延伸部113向第2引線框12側寬度變窄地延伸,且於短邊方向上與第1延伸部111一起夾隔第3引線框13而配置。又,第2引線框12具有第4延伸部124,該第4延伸部124向第1引線框11側寬度變窄地延伸,且於短邊方向上與第2延伸部122一起夾隔第3引線框13而配置。藉此,可進一步加強第3引線框13之周圍,而可進一步提高封裝100對於施加於隔開區域15附近之應力的強度。
圖1A~C所示之封裝100中,第3延伸部113及第4延伸部124埋入於樹脂成形體20中,即,不於封裝100(樹脂成形體20)之外部及凹部25內露出。更詳細而言,第3延伸部113及第4延伸部124埋入於位於凹部側壁之正下方之樹脂成形體20中。藉此,獲得利用第3延伸部113及第4延伸部124對隔開區域15附近之較高之加強效果。如本例般,第3延伸部113及第4延伸部124之寬度分別窄於第1延伸部111及第2延伸部122,藉此容易埋入於樹脂成形體20中,因而較佳。再者,並不限於此,第3延伸部113及第4延伸部124例如亦可將下表面等一部分露出於封裝100(樹脂成形體20)之外部,亦可露出於凹部25內。
圖1A~C所示之封裝100中,第3引線框13位於封裝之大致中央。如此,藉由使第3引線框13位於封裝之大致中央,而容易於第1及第2引線框11、12之各者載置發光元件,藉此易於獲得較佳之配光特性。 另一方面,雖由於第1及第2引線框11、12兩者自封裝中央側之隔開區域15沿長邊方向大致均等地延伸設置,故而容易對隔開區域15施加應力,但利用本發明之構成可將其加強。
圖1A~C所示之封裝100中,第1、第2、第3引線框11、12、13之最下表面與樹脂成形體20之最下表面一起構成發光裝置用封裝100之下表面。藉此,可將第1及第2引線框11、12之最下表面設為封裝100之安裝面,而可自第1及第2引線框11、12效率良好地散熱。藉此,可抑制樹脂成形體20之劣化或自引線框之剝離、或者提高發光元件31、32或保護元件70之散熱性。又,容易實現薄型之封裝。
圖1A~C所示之封裝100中,第1及第2引線框11、12分別具有設於第1及第2延伸部111、122之上表面之凹坑。而且,該凹坑由樹脂成形體20填埋。藉此,可提高樹脂成形體20對於第1及第2延伸部111、122之密接性,而抑制樹脂成形體20自第1及第2引線框11、12剝離。該凹坑之俯視形狀亦可為點狀或虛線狀等,但沿長邊方向延伸地設為直線狀時可於相對較小之區域小型地且有效地形成,因而較佳。剖面形狀亦可為半圓形狀、矩形狀、倒梯形狀等,但倒三角形狀(V字狀)容易形成,因而較佳。又,如本例般,此種凹坑例如亦可形成於第一本體部115、第二本體部125等除第1及第2延伸部111、122以外之上表面。
圖1A~C所示之封裝100中,於第1及第2延伸部111、122之下表面分別設有凹坑119、129。又,該凹坑119、129由樹脂成形體20填埋。因此,第1延伸部111之下表面之露出區域藉由填埋凹坑119之樹脂成形體20而與第一本體部115之下表面之露出區域分離。又,第2延伸部122之下表面之露出區域亦同樣地藉由填埋凹坑129之樹脂成形體20而與第二本體部125之下表面之露出區域分離。藉此,可提高引線框之下表面之露出區域之對稱性或面積之均等性,而抑制封裝100(發 光裝置200)安裝時之導電性膏之不均,從而可抑制封裝100被傾斜地安裝。又,可提高封裝100之自對準性。
圖1A~C所示之發光裝置200具備發光裝置用封裝100、載置於第1引線框11之上表面之第1發光元件31、及載置於第2引線框12之上表面之第2發光元件32。如上所述,由於發光裝置用封裝100之可靠性較高,故而藉由使用該封裝,可製成可靠性較高之發光裝置。又,藉由將第1及第2發光元件31、32分別載置於第1及第2引線框11、12,容易增大第1發光元件31與第2發光元件32之距離,藉此易於控制亮度分佈。
圖1A~C所示之發光裝置200中,第1及第2發光元件31、32分別載置於封裝100之第1引線框之第一本體部115之上表面、及第2引線框之第二本體部125之上表面。又,第1發光元件31及第2發光元件32分別利用金屬線40而與第3引線框13之上表面連接。如此,於封裝100中,由於具有第3引線框13,故而即便增大第1發光元件31與第2發光元件32之距離,亦可相對較短地形成將第1及第2發光元件31、32串聯連接之金屬線40,而可減少金屬線40之光吸收,容易獲得較高之光提取效率。
圖1A~C所示之發光裝置200具備保護元件70,該保護元件70載置於第1延伸部111之上表面,且利用金屬線40而與第2延伸部122之上表面連接。藉此,可相對較短地形成將保護元件70與引線框連接之金屬線40,因此可減少金屬線40之光吸收,易於進一步提高光之提取效率。又,由於第1及第2延伸部111、122位於封裝100之中央側,故而易於增大發光元件31、32與保護元件70之距離,易於減少保護元件70之光吸收而提高光之提取效率。
<實施形態2>
圖2A、2C分別係實施形態2之發光裝置之概略俯視圖及概略仰視 圖,圖2B係表示圖2A之B-B剖面之概略剖面圖。
如圖2A~C所示,實施形態2之發光裝置240主要係於同圖所示之發光裝置用封裝140搭載發光元件31、32,並利用密封構件50進行密封而構成。本例之密封構件50含有螢光體60,但亦可省略。於該封裝140及發光裝置240中,除各引線框之形狀以外之其他主要構成與實施形態1實質上相同。因此,對於與實施形態1實質上相同之構成,標上相同之符號而適當地省略說明。
圖2A~C所示之封裝140為實施形態1之封裝100之一變化例,作為第3延伸部113及第4延伸部124之替代,於第3引線框13設置有第1埋入延伸部133及第2埋入延伸部134。
如圖2A~C所示,封裝140於俯視下具有於一方向較長之形狀。即,封裝140於俯視下具有長邊方向及與該長邊方向正交之短邊方向。封裝140具備第1引線框11、第2引線框12及第3引線框13、以及與該第1、第2、第3引線框一體地成形之樹脂成形體20。第1引線框11及第2引線框12沿封裝100之長邊方向排列。第3引線框13設於第1引線框11與第2引線框12之間。第1、第2、第3引線框11、12、13係由樹脂成形體20填埋將彼此隔開之隔開區域15,且將該隔開區域15作為電氣絕緣區域而由樹脂成形體20一體地保持。樹脂成形體20與第1、第2、第3引線框11、12、13一起形成收容發光元件31、32之凹部25。具體而言,凹部25之底面主要由第1、第2、第3引線框11、12、13之上表面、及填埋隔開區域15之樹脂成形體20之表面構成。凹部25之側壁面由樹脂成形體20之表面構成。
圖2A~C所示之封裝140中,第3引線框13具有第1埋入延伸部133,該第1埋入延伸部133於第3引線框13與第1引線框11之間寬度變窄地延伸,且埋入於樹脂成形體20中而未於該封裝140之外部及凹部25內露出。又,第3引線框13具有第2埋入延伸部134,該第2埋入延伸 部134於第3引線框13與第2引線框12之間寬度變窄地延伸,且埋入於樹脂成形體20中而未於該封裝140之外部及凹部25內露出。更詳細而言,第1埋入延伸部133及第2埋入延伸部134埋入於位於凹部側壁之正下方之樹脂成形體20中。藉由如此設置第1埋入延伸部133及第2埋入延伸部134,可進一步加強第3引線框13之周圍,而可進一步提高封裝140對於施加於隔開區域15附近之應力的強度。又,藉由將第1埋入延伸部133及第2埋入延伸部134埋入於樹脂成形體20中而未於該封裝140之外部及凹部25內露出,可獲得隔開區域15附近之較高之加強效果。進而,如本例般,第1埋入延伸部133及第2埋入延伸部134之寬度分別窄於第1延伸部111及第2延伸部122,藉此容易埋入於樹脂成形體20中,因而較佳。再者,並不限於此,第1埋入延伸部133及第2埋入延伸部134例如亦可將下表面等一部分露出於封裝140(樹脂成形體20)之外部,亦可露出於凹部25內。
再者,第1埋入延伸部133只要設於第1引線框11與第3引線框13之至少一者即可,亦可設於第1引線框11及第3引線框13兩者。第2埋入延伸部134只要設於第2引線框12與第3引線框13之至少一者即可,亦可設於第1引線框11及第3引線框13兩者。該等任一形態均可發揮提高封裝140之強度之效果。
圖2A~C所示之封裝140係將第1埋入延伸部133及第2埋入延伸部134僅設於第3引線框13之例。該情形時,為獲得隔開區域15附近之更高之加強效果,第1埋入延伸部133較佳為延伸至俯視下於短邊方向上與第1引線框之第一本體部115對向為止。又,同樣地第2埋入延伸部134較佳為延伸至俯視下於短邊方向上與第2引線框之第二本體部125對向為止。此時,如圖所示,亦可將第1引線框之第一本體部115之一部分及第2引線框之第二本體部125之一部分切去,以便易於使第1埋入延伸部133及第2埋入延伸部134延伸。
又,圖1A~C所示之封裝100係將第1埋入延伸部133(相當於第3延伸部113)僅設於第1引線框11、將第2埋入延伸部134(相當於第4延伸部124)僅設於第2引線框12之例。該情形時,如上所述,較佳為第1埋入延伸部133於短邊方向上與第1延伸部111一起夾隔第3引線框13而配置,第2埋入延伸部134於短邊方向上與第2延伸部122一起夾隔第3引線框13而配置。
<實施形態3>
圖3A、3C分別係實施形態3之發光裝置之概略俯視圖及概略仰視圖,圖3B係表示圖3A之C-C剖面之概略剖面圖。
如圖3A~C所示,實施形態3之發光裝置250主要係於同圖所示之發光裝置用封裝150搭載發光元件31、32,並利用密封構件50進行密封而構成。本例之密封構件50含有螢光體60,但亦可省略。於該封裝150及發光裝置250中,除各引線框之形狀以外之其他主要構成與實施形態1實質上相同。因此,對於與實施形態1實質上相同之構成,標上相同之符號而適當地省略說明。
圖3A~C所示之封裝150中,第1延伸部111及第2延伸部122分別一面使(短邊方向之)寬度逐漸變小一面延伸。即,第1延伸部111及第2延伸部122各者之與第3引線框13對向之端面於俯視下相對於短邊方向(亦相對於長邊方向)傾斜。而且,第3引線框13以沿著該第1及第2延伸部111、122之端面之方式相對於短邊方向(亦相對於長邊方向)傾斜地設置。
圖3A~C所示之封裝150中,第1延伸部111及第2延伸部122於短邊方向上夾隔第3引線框13而配置。藉此,第1、第2、第3引線框11、12、13以沿短邊方向排列之方式配置,因此易於提高封裝150對於例如欲將封裝150於隔開區域15處折斷之施加於隔開區域15附近之應力的強度。再者,並不限於如圖所示般將隔開區域15設置成傾斜之直線 狀之例,亦可如實施形態1所示,將隔開區域15設置成彎曲之形狀。
圖3A~C所示之封裝150中,第1延伸部111及第2延伸部122分別於俯視下相對於短邊方向(亦相對於長邊方向)傾斜地與第3引線框13對向。即,第1延伸部111及第2延伸部122分別於俯視下不僅於短邊方向上與第3引線框13對向,亦於長邊方向上與第3引線框13對向。藉此,可提高封裝150對於施加於隔開區域15附近之短邊方向及長邊方向兩者之應力的強度。
<實施形態4>
圖4A、4C分別係實施形態4之發光裝置之概略俯視圖及概略仰視圖,圖4B係表示圖4A之D-D剖面之概略剖面圖。
如圖4A~C所示,實施形態4之發光裝置280主要係於同圖所示之發光裝置用封裝180搭載發光元件31、32,並利用密封構件50進行密封而構成。本例之密封構件50含有螢光體60,但亦可省略。於該封裝180及發光裝置280中,除不具有第3引線框以及除各引線框之形狀以外,其他主要構成與實施形態1實質上相同。因此,對於與實施形態1實質上相同之構成,標上相同之符號而適當地省略說明。
如圖4A~C所示,封裝180於俯視下具有於一方向較長之形狀。即,封裝180於俯視下具有長邊方向及與該長邊方向正交之短邊方向。封裝180具備第1引線框11、第2引線框12、及與該第1、第2引線框一體地成形之樹脂成形體20。第1引線框11及第2引線框12沿封裝180之長邊方向排列。第1、第2引線框11、12係由樹脂成形體20填埋將彼此隔開之隔開區域15,且將該隔開區域15作為電氣絕緣區域而由樹脂成形體20一體地保持。樹脂成形體20與第1、第2引線框11、12一起形成收容發光元件31、32之凹部25。具體而言,凹部25之底面主要由第1、第2引線框11、12之上表面、及填埋隔開區域15之樹脂成形體20之表面構成。凹部25之側壁面由樹脂成形體20之表面構成。
於圖4A~C所示之封裝180中,第1引線框11具有第一本體部115及第3延伸部113,該第3延伸部113自第一本體部115向第2引線框12側寬度變窄地延伸,且埋入於樹脂成形體20中而未於該封裝180之外部及凹部25內露出。又,第2引線框12具有第二本體部125及第4延伸部124,該第4延伸部124自第二本體部125向第1引線框11側寬度變窄地延伸,且埋入於樹脂成形體20中而未於該封裝180之外部及凹部25內露出。更詳細而言,第3延伸部113及第4延伸部124埋入於位於凹部側壁之正下方之樹脂成形體20中。藉由如此設置第3延伸部113及第4延伸部124,可進一步提高封裝180對於施加於隔開區域15附近之應力的強度。又,藉由將第3延伸部113及第4延伸部124埋入於樹脂成形體20中而未於該封裝180之外部及凹部25內露出,可獲得隔開區域15附近之較高之加強效果。進而,如本例般,第3延伸部113及第4延伸部124之寬度分別窄於第1延伸部111及第2延伸部122,藉此容易埋入於樹脂成形體20中,因而較佳。再者,並不限於此,第3延伸部113及第4延伸部124亦可將例如下表面等一部分露出於封裝180(樹脂成形體20)之外部,亦可露出於凹部25內。
再者,圖4A~C所示之封裝180具有第3延伸部113及第4延伸部124兩者,但亦可僅具有第3延伸部113及第4延伸部124之任一者。又,封裝180中,分別將第3延伸部113設於第1引線框11,將第4延伸部124設於第2引線框12,但亦可將第3延伸部113及第4延伸部124兩者僅設於第1引線框11或第2引線框12之任一者。進而,封裝180中,將第3延伸部113及第4延伸部124分別設於俯視下之封裝180之第1長邊側及第2長邊側(第2長邊為與第1長邊對向之長邊),但亦可如實施形態1之封裝100般設於同一長邊側(僅第1長邊側)。該等任一形態均可發揮提高封裝180之強度之效果。
圖4A~C所示之封裝180中,第1引線框11具有自第一本體部115 向第2引線框12側寬度變窄地延伸之第1延伸部111。第一本體部115之上表面及第1延伸部111之上表面構成凹部25之底面。又,第2引線框12具有自第二本體部125向第1引線框11側寬度變窄地延伸之第2延伸部122。第二本體部125之上表面及第2延伸部122之上表面構成凹部25之底面。第1延伸部111與第2延伸部122於俯視下於短邊方向上相互對向。而且,第3延伸部113於俯視下於短邊方向上與第2延伸部122對向,第4延伸部124於俯視下於短邊方向上與第1延伸部111對向。藉此,第1引線框11之2個延伸部111、113與第2引線框12之2個延伸部122、124於俯視下於短邊方向上以相互夾隔之方式配置,隔開區域15設置成合入其間之形狀。因此,與將隔開區域設為具有呈平行於短邊方向之一直線狀貫通之部分之形狀的情況相比,可進一步提高封裝180對於例如會將封裝180於隔開區域15處折斷之施加於隔開區域15附近之應力的強度。
又,可使第1延伸部111之上表面及第2延伸部122之上表面作為用於將發光元件31與發光元件32並聯連接之金屬線之連接區域發揮作用,該發光元件31載置於第1引線框之第一本體部115之上表面,該發光元件32載置於第2引線框之第二本體部125之上表面。又,可使第1及第2延伸部111、122作為保護元件等之載置區域及其金屬線之連接區域發揮作用。藉此,可相對較短地形成金屬線,而可減少金屬線之光吸收,從而可提高光之提取效率。如此,由於與隔開區域15鄰接之第1及第2延伸部111、122之上表面成為金屬線之連接區域,故而在抑制金屬線之斷線之方面,提高封裝180對於施加於隔開區域15附近之應力的強度亦很重要。
以上,於各實施形態之發光裝置用封裝中,自封裝之加強效果之觀點考慮,較佳為俯視下之長邊方向相對於短邊方向之大小之比(長邊方向之大小(長度)/短邊方向之大小(寬度))例如為1.5以上,較佳 為2以上,更佳為3以上。然而,本發明並不限於以上之實施形態,例如亦可應用於俯視為正方形狀之發光裝置用封裝。
以下,對本發明之發光裝置用封裝及發光裝置之各構成要素進行說明。
(引線框11、12、13)
引線框可使用能夠與發光元件或保護元件連接而導電之金屬構件。具體而言,可舉出對銅、鋁、金、銀、鎢、鐵、鎳、鈷、鉬、或該等之合金、磷青銅、含鐵銅等金屬板實施各種加工而成者。又,亦可於其表層設置銀、鋁、銠、金、銅、或該等之合金等之鍍敷層或光反射膜,其中較佳為光反射性最優異之銀。再者,引線框之薄壁區域、凹坑或槽、貫通孔等之各個形狀可藉由對構成引線框之板材實施加壓或壓延、蝕刻等加工而形成。
(樹脂成形體20)
樹脂成形體之母材可舉出脂肪族聚醯胺樹脂、半芳香族聚醯胺樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸環己酯、液晶聚合物、聚碳酸酯樹脂、間規聚苯乙烯、聚苯醚、聚苯硫醚、聚醚碸樹脂、聚醚酮樹脂、聚芳酯樹脂等熱塑性樹脂、環氧樹脂、環氧改性樹脂、矽酮樹脂、矽酮改性樹脂、聚雙順丁烯二醯亞胺三
Figure TWI616003BD00001
樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂等熱硬化性樹脂。又,於該等母材中,可作為填充劑或著色顏料混入玻璃、二氧化矽、氧化鈦、氧化鎂、碳酸鎂、氫氧化鎂、碳酸鈣、氫氧化鈣、矽酸鈣、矽酸鎂、矽灰石、雲母、氧化鋅、鈦酸鋇、鈦酸鉀、硼酸鋁、氧化鋁、氧化鋅、碳化矽、氧化銻、錫酸鋅、硼酸鋅、氧化鐵、氧化鉻、氧化錳、碳黑等粒子或纖維。熱硬化性樹脂於硬化後與熱塑性樹脂相比硬質者較多,容易產生裂紋或破裂,因此本發明之構成尤其奏效。其中,尤佳為環氧樹脂或環氧改性樹脂。
(發光元件31、32)
發光元件可使用LED元件或半導體雷射(Laser Diode(雷射二極體):LD)元件等半導體發光元件。發光元件只要為於包含各種半導體之元件構造設置有正負一對電極者即可。尤佳為可效率良好地激發螢光體之氮化物半導體(InxAlyGa1-x-yN、0≦x、0≦y、x+y≦1)之發光元件。除此以外,亦可為綠色~紅色發光之鎵砷系、鎵磷系半導體之發光元件。於正負一對電極設於同一面側之發光元件之情形時,利用金屬線將各電極與引線框連接而進行面朝上(face-up)安裝。於正負一對電極分別設於彼此相反之面之對向電極構造之發光元件之情形時,利用導電性接著劑將下表面電極接著於引線框,利用金屬線將上表面電極與引線框連接。後述之保護元件之安裝形態亦相同。又,藉由在發光元件之安裝面側設置銀或鋁等之金屬層或介電質反射膜,可提高光之提取效率。搭載於1個發光裝置用封裝之發光元件之個數既可為1個,亦可為複數個,其大小或形狀、發光波長任意地選擇即可。複數個發光元件可利用引線框或金屬線串聯或並聯連接。又,於1個發光裝置用封裝,例如亦可搭載如下之組合之發光元件,即,藍色發光與紅色發光之2個、藍色發光與綠色發光之2個、藍色發光、綠色發光及紅色發光之3個等。於搭載3個以上之發光元件之情形時,例如亦可於第1引線框之延伸部(第1、第3)及/或第2引線框之延伸部(第2、第4)、及/或第3引線框載置發光元件。
(金屬線40)
金屬線係將發光元件之電極或保護元件之電極與引線框連接之導線。具體而言,可使用金、銅、銀、鉑、鋁或該等之合金之金屬線。尤佳為不易因來自密封構件之應力而發生斷裂、且熱阻等優異之金線。又,為提高光反射性,亦可為至少表面由銀構成者。
(密封構件50)
密封構件係將發光元件或保護元件、金屬線等密封,保護其等免受灰塵或水分、外力等影響之構件。密封構件之母材只要具有電氣絕緣性且可使自發光元件出射之光透過(較佳為透過率為70%以上)即可。具體而言,可舉出矽酮樹脂、環氧樹脂、酚樹脂、聚碳酸酯樹脂、丙烯酸系樹脂、TPX樹脂、聚降
Figure TWI616003BD00002
烯樹脂、該等之改性樹脂、或含有1種以上之該等樹脂之複合樹脂。亦可為玻璃。其中,矽酮樹脂由於耐熱性、耐光性優異,固化後之體積收縮較少,故而較佳。又,密封構件亦可於其母材中添加填充劑或螢光體等具有各種功能之粒子。填充劑可使用擴散劑或著色劑等。具體而言,可舉出二氧化矽、氧化鈦、氧化鎂、碳酸鎂、氫氧化鎂、碳酸鈣、氫氧化鈣、矽酸鈣、氧化鋅、鈦酸鋇、氧化鋁、氧化鐵、氧化鉻、氧化錳、玻璃、碳黑等。填充劑之粒子之形狀既可為破碎狀,亦可為球狀。又,亦可為中空或多孔質者。
(螢光體60)
螢光體將自發光元件出射之一次光之至少一部分吸收,出射與一次光不同之波長之二次光。具體而言,可舉出經鈰活化之釔-鋁-石榴石(YAG)、經銪及/或鉻活化之含有氮之鋁矽酸鈣(CaO-Al2O3-SiO2)、經銪活化之矽酸鹽((Sr、Ba)2SiO4)、經錳活化之氟化矽酸鉀(K2SiF6:Mn)等。藉此,可製成出射可見波長之一次光及二次光之混色光(例如白色系)之發光裝置、或由紫外光之一次光激發而出射可見波長之二次光之發光裝置。再者,螢光體既可沈降於封裝之凹部底面側,亦可分散於凹部內。
(保護元件70)
保護元件係用於保護發光元件免受靜電或高電壓突波之影響之元件。具體而言,可舉出齊納二極體。為抑制光吸收,亦可將保護元件利用白色樹脂等光反射構件被覆。
(接著劑)
接著劑(未圖示)係將發光元件或保護元件接著於引線框之構件。絕緣性接著劑可使用環氧樹脂、矽酮樹脂、聚醯亞胺樹脂、或該等之改性樹脂或複合樹脂等。作為導電性接著劑,可使用銀、金、鈀等之導電性膏、或金-錫等焊料、低熔點金屬等釺料。
[實施例]
以下,對本發明之實施例進行詳述。再者,本發明當然並不僅限定於以下所示之實施例。
<實施例1>
實施例1之發光裝置係具有圖1A~C所示之例之發光裝置200之構造之頂視(top view)式之SMD型LED。
封裝100係大小為橫7.0mm、縱2.0mm、厚0.6mm之長方體狀,且係於構成正極、負極之第1及第2引線框11、12與位於其間之第3引線框13一體地成形有樹脂成形體20而構成。再者,該封裝100係藉由如下方式製作:將經由懸掛引線(於單片化後成為各懸掛引線部)將複數組第1、第2、第3引線框11、12、13縱橫相連而成之加工金屬板設置於金屬模具內,注入具有流動性之狀態之樹脂成形體20之構成材料並固化、脫模後,分離(單片化)為各封裝。
第1、第2、第3引線框11、12、13分別為表面施有鍍銀且最大厚度為0.2mm之銅合金之板狀小片。第1引線框11主要(除懸掛引線部117以外)由第一本體部115、第1延伸部111、第3延伸部113構成。第一本體部115為橫(長)2.2mm、縱(寬)1.5mm之俯視矩形狀之部位。第1延伸部111係於第一本體部115之短邊方向(縱方向)之一端自第一本體部115向第2引線框12側延伸之橫(長)1mm、縱(寬)0.73mm之俯視矩形狀之部位。第3延伸部113係於第一本體部115之短邊方向(縱方向)之另一端自第一本體部115向第2引線框12側延伸之橫(長)0.6mm、縱 (寬)0.15mm之俯視矩形狀之部位。第2引線框12主要(除懸掛引線部127以外)由第二本體部125、第2延伸部122、第4延伸部124構成。該等各部位之形狀與第1引線框11大致相同。第2引線框12相對於封裝100之中央線而與第1引線框11大致對稱。第3引線框13主要(除懸掛引線部137以外)由橫(長)1.7mm、縱(寬)0.29mm之俯視矩形狀之1個島狀部構成。第3引線框13位於封裝100之大致中央。
第1延伸部111及第2延伸部122分別配置成於俯視下於短邊方向上與第3引線框13之一部分對向。第1延伸部111及第2延伸部122於短邊方向上相對於第3引線框13配置於同一側。第3延伸部113以於短邊方向上與第1延伸部111一起夾隔第3引線框13之方式配置。又,第4延伸部124亦以於短邊方向上與第2延伸部122一起夾隔第3引線框13之方式配置。第1延伸部111與第2延伸部122之間之隔開區域15之寬度(長邊方向)為0.3mm。又,第1引線框之第一本體部115與第3引線框13之間之隔開區域15之寬度(長邊方向)為0.3mm。第2引線框之第一本體部115與第3引線框13之間之隔開區域15之寬度(長邊方向)亦相同。第1延伸部111與第3引線框13之間之隔開區域15之寬度(短邊方向)為0.2mm。第2延伸部122與第3引線框13之間之隔開區域15之寬度(短邊方向)亦相同。第3延伸部113與第3引線框13之間隔(短邊方向)為0.2mm。第3延伸部113與第3引線框之懸掛引線部137之間隔(長邊方向)為0.2mm。第4延伸部124與第3引線框13之間隔亦相同。再者,引線框之隔開區域15係藉由利用加壓之沖裁而形成。
樹脂成形體20係俯視之外形為橫7.0mm、縱2.0mm之長方形狀,最大厚度為0.6mm,且含有氧化鈦之環氧樹脂製之成形體。於樹脂成形體20之上表面側之大致中央,形成有橫6.4mm、縱1.4mm、深0.4mm之俯視長方形狀(四角具有弧度)之凹部25。凹部25之側壁面之傾斜角度自凹部25之底面起算為25°。第3延伸部113及第4延伸部124 埋入於樹脂成形體20中,即,處於凹部25之外側而未於凹部25內露出。因此,凹部25之底面係由第1引線框11之第一本體部115與第1延伸部111、第2引線框之第二本體部125與第2延伸部122、及第3引線框各者之上表面、以及填充於該等引線框之隔開區域15之樹脂成形體20之表面構成。再者,於第1及第2引線框11、12之上表面之相當於凹部25之底面與凹部25之側壁面之交界的部位之一部分,形成有寬0.12mm、深0.09mm之凹坑,又,該凹坑亦由樹脂成形體20填埋。第1、第2、第3引線框11、12、13之最下表面係與樹脂成形體20之最下表面實質上為同一面,且與該樹脂成形體2之最下表面一起構成封裝100之下表面。於第1延伸部111之下表面,設有與第一本體部115密接之橫(長)0.5mm、縱(寬)0.73mm、深0.13mm之凹坑119。又,於第2延伸部122之下表面亦設有相同之凹坑129。該凹坑119、129由樹脂成形體20填埋。藉此,第1延伸部111之下表面之露出區域藉由填埋凹坑119之樹脂成形體20而與第一本體部115之下表面之露出區域分離。又,第2延伸部122之下表面之露出區域亦藉由填埋凹坑129之樹脂成形體20而與第二本體部125之下表面之露出區域分離。而且,第1及第2引線框11、12之本體部之下表面之各露出區域為大致矩形狀(四角具有弧度)。再者,第2引線框12之第二本體部125之下表面之露出區域被切去1個角部以用於識別極性。進而,於第1、第2、第3引線框11、12、13之下表面之周緣,形成有寬0.1mm、深0.13mm之凹坑,又,該凹坑亦由樹脂成形體20填埋。該等凹坑係利用蝕刻而形成。於封裝100之長邊方向之各端面,分別露出有第1及第2引線框之懸掛引線部117、127。於封裝100之短邊方向之各端面,分別露出有第1、第2、第3引線框之懸掛引線部117、127、137。第3引線框之懸掛引線部137之中央部被切去而分成兩股。
於構成封裝100之凹部25之底面的第1及第2引線框11、12之上表 面,分別利用作為矽酮樹脂之絕緣性接著劑各接著有1個發光元件(31、32)。上述發光元件31、32係於藍寶石基板上依序積層有氮化物半導體之n型層、活性層、p型層且可發出藍色(中心波長約455nm)之光之縱650μm、橫650μm、厚150μm之LED元件。2個發光元件31、32之中心間距為4.0mm。又,各發光元件31、32之p、n電極之一者藉由金屬線40而與載置有該元件之引線框連接,p、n電極之另一者藉由金屬線40而與第3引線框13之上表面連接。藉此,2個發光元件31、32串聯連接。金屬線40為線直徑25μm之金線。
又,於第1延伸部111之上表面,利用作為銀膏之導電性接著劑而接著有縱150μm、橫150μm、厚85μm之作為對向電極構造之齊納二極體之保護元件70。又,保護元件70之上表面電極藉由金屬線40而與第2延伸部122之上表面連接。
於收容有上述2個發光元件31、32及保護元件70之封裝100之凹部25,填充有密封構件50,而將各元件被覆。密封構件50以矽酮樹脂作為母材,且於其中含有經鈰活化之釔-鋁-鎵(YAG:Ce)之螢光體60及二氧化矽之填充劑。密封構件50之上表面係與樹脂成形體20之凹部側壁之上表面為大致同一面,且為大致平坦面。該密封構件50係藉由使用分注器於具有流動性之狀態下填充至封裝100之凹部25內,並利用加熱等使之固化而形成。再者,螢光體60沈降於凹部25之底面側。
<比較例1>
比較例1之發光裝置為除如下方面以外與實施例1之發光裝置同樣地構成之頂視式之SMD型LED,上述方面係於實施例1之發光裝置之第1及第2引線框11、12,未分別設置第3延伸部113及第4延伸部124,且第3引線框13之縱向尺寸(短邊方向之寬度,除懸掛引線部137以外)相應地變大(約為2倍)。
<比較例2>
比較例2之發光裝置係於比較例1之發光裝置中於第2引線框12未設置第2延伸部122,且第1引線框11之第1延伸部111相應地沿橫方向延伸(至第3引線框13之端面之位置為止)而構成之頂視式之SMD型LED。
實施例1之發光裝置200可於正向電流150mA、正向電壓6.3V下以光束103流明(色度(x,y)=(0.275,0.247))發光。又,圖5係表示實施例1之發光裝置200之基板彎曲試驗之結果之曲線圖。該基板彎曲試驗係於1.6mm厚之玻璃環氧基板(FR-4)安裝發光裝置,且自背面按壓該基板5秒鐘之試驗。如圖5所示,基板彎曲量2.5mm下之樹脂成形體之裂紋產生率於比較例1之發光裝置中為60%,於比較例2之發光裝置中為100%,與此相對,於實施例1之發光裝置200中為0%。如此可知,實施例1之發光裝置200與比較例1、2之發光裝置相比,對於應力之耐性得到提高,可靠性較高。
如上所述地構成之實施例1之封裝及發光裝置可發揮與實施形態1之封裝100及發光裝置200相同之效果。再者,實施形態2之封裝150及發光裝置250亦可進一步減少同樣之基板彎曲試驗中之裂紋產生率。
本發明之發光裝置用封裝可較佳地用作SMD型LED之封裝。又,使用有本發明之封裝之發光裝置可用於液晶顯示器之背光光源、各種照明器具、大型顯示器、廣告或目的地引導等各種顯示裝置、以及數位攝錄影機、傳真機、影印機、掃描器等之圖像讀取裝置、投影裝置等。
雖已給出並描述本發明之各種較佳之實施形態,但業者應當認識到本發明並不限定於該等實施形態,其等僅例示性地說明發明之概念,而不應解釋為限定本發明之範圍,並且本發明適用於所有處於由申請專利範圍定義之本發明之範圍之變化及變更。本申請案係基於 2013年6月28日於日本提出申請之日本專利申請第2013-136421號、及2014年4月25日於日本提出申請之日本專利申請第2014-090906號,且將其等之內容以參照之形式引用於本文。
11‧‧‧第1引線框
12‧‧‧第2引線框
13‧‧‧第3引線框
15‧‧‧隔開區域
20‧‧‧樹脂成形體
25‧‧‧凹部
31‧‧‧第1發光元件
32‧‧‧第2發光元件
40‧‧‧金屬線
50‧‧‧密封構件
70‧‧‧保護元件
100‧‧‧發光裝置用封裝
113‧‧‧第3延伸部
124‧‧‧第4延伸部
200‧‧‧發光裝置

Claims (22)

  1. 一種發光裝置用封裝,其於俯視下具有長邊方向及與該長邊方向正交之短邊方向,上述發光裝置用封裝包含:第1引線框及第2引線框,其等沿上述長邊方向排列;第3引線框,其設於上述第1引線框與上述第2引線框之間;及樹脂成形體,其與上述第1、第2、第3引線框一體地成形;其中,上述第1引線框具有本體部、及自上述本體部向上述第2引線框側寬度變窄地延伸之第1延伸部,上述第2引線框具有本體部、及自上述本體部向上述第1引線框側寬度變窄地延伸之第2延伸部,上述第1延伸部及上述第2延伸部分別於俯視下於上述短邊方向上與上述第3引線框對向,上述第1、第2、第3引線框之最下表面與上述樹脂成形體之最下表面一起構成該發光裝置用封裝之下表面,並將上述第1及第2引線框之最下表面設為該發光裝置用封裝之安裝面。
  2. 如請求項1之發光裝置用封裝,其中上述第1延伸部及上述第2延伸部配置於俯視下之該封裝之同一長邊側。
  3. 如請求項2之發光裝置用封裝,其中上述第1引線框具有第3延伸部,上述第3延伸部係自上述本體部向上述第2引線框側寬度變窄地延伸,且於上述短邊方向上與上述第1延伸部一起夾隔上述第3引線框而配置,上述第2引線框具有第4延伸部,上述第4延伸部係自上述本體部向上述第1引線框側寬度變窄地延伸,且於上述短邊方向上與上述第2延伸部一起夾隔上述第3引線框而配置。
  4. 如請求項3之發光裝置用封裝,其中上述樹脂成形體與第1、第2、第3引線框一起形成收容發光元件之凹部,上述第3延伸部及上述第4延伸部係埋入於上述樹脂成形體中而未於該封裝之外部及上述凹部內露出。
  5. 如請求項1之發光裝置用封裝,其中上述第1延伸部及上述第2延伸部係於上述短邊方向上夾隔上述第3引線框而配置。
  6. 一種發光裝置用封裝,其於俯視下具有長邊方向及與該長邊方向正交之短邊方向,上述發光裝置用封裝包含:第1引線框及第2引線框,其等沿上述長邊方向排列;及樹脂成形體,其與上述第1、第2引線框一體地成形;其中,上述樹脂成形體與第1、第2引線框一起形成收容發光元件之凹部,上述第1引線框具有:本體部;及第3延伸部,其自上述本體部向上述第2引線框側寬度變窄地延伸,且埋入於上述樹脂成形體中而未於該封裝之外部及上述凹部內露出,上述第1、第2、第3引線框之最下表面與上述樹脂成形體之最下表面一起構成該發光裝置用封裝之下表面,並將上述第1及第2引線框之最下表面設為該發光裝置用封裝之安裝面。
  7. 如請求項6之發光裝置用封裝,其中上述第2引線框具有本體部及第4延伸部,上述第4延伸部係自上述本體部向上述第1引線框側寬度變窄地延伸,且埋入於上述樹脂成形體中而未於該封裝之外部及上述凹部內露出。
  8. 如請求項7之發光裝置用封裝,其包含第3引線框,上述第3引線框設於上述第1引線框與上述第2引線框之間,且與上述第1、第 2引線框一起構成上述凹部之底面,上述第3延伸部及上述第4延伸部分別於俯視下於上述短邊方向上與上述第3引線框對向。
  9. 如請求項8之發光裝置用封裝,其中上述第1引線框具有自上述本體部向上述第2引線框側寬度變窄地延伸之第1延伸部,上述第2引線框具有自上述本體部向上述第1引線框側寬度變窄地延伸之第2延伸部,上述第3延伸部於上述短邊方向上與上述第1延伸部一起夾隔上述第3引線框而配置,上述第4延伸部於上述短邊方向上與上述第2延伸部一起夾隔上述第3引線框而配置。
  10. 如請求項7之發光裝置用封裝,其中上述第1引線框具有自上述本體部向上述第2引線框側寬度變窄地延伸之第1延伸部,上述第2引線框具有自上述本體部向上述第1引線框側寬度變窄地延伸之第2延伸部,上述第1延伸部與上述第2延伸部於俯視下於上述短邊方向上相互對向,上述第3延伸部於俯視下於上述短邊方向上與上述第2延伸部對向,上述第4延伸部於俯視下於上述短邊方向上與上述第1延伸部對向。
  11. 如請求項9之發光裝置用封裝,其中上述第3延伸部及上述第4延伸部之寬度分別窄於上述第1延伸部及上述第2延伸部。
  12. 一種發光裝置用封裝,其於俯視下具有長邊方向及與該長邊方向正交之短邊方向,上述發光裝置用封裝包含:第1引線框及第2引線框,其等沿上述長邊方向排列; 第3引線框,其設於上述第1引線框與上述第2引線框之間;及樹脂成形體,其與上述第1、第2、第3引線框一體地成形;其中,上述樹脂成形體與第1、第2、第3引線框一起形成收容發光元件之凹部,上述第1引線框與上述第3引線框之至少一者具有第1埋入延伸部,上述第1埋入延伸部於上述第1引線框與上述第3引線框之間寬度變窄地延伸,且埋入於上述樹脂成形體中而未於該封裝之外部及上述凹部內露出,上述第1、第2、第3引線框之最下表面與上述樹脂成形體之最下表面一起構成該發光裝置用封裝之下表面,並將上述第1及第2引線框之最下表面設為該發光裝置用封裝之安裝面。
  13. 如請求項12之發光裝置用封裝,其中上述第2引線框與上述第3引線框之至少一者具有第2埋入延伸部,上述第2埋入延伸部於上述第2引線框與上述第3引線框之間寬度變窄地延伸,且埋入於上述樹脂成形體中而未於該封裝之外部及上述凹部內露出。
  14. 如請求項13之發光裝置用封裝,其中上述第1埋入延伸部僅設於上述第1引線框,上述第2埋入延伸部僅設於上述第2引線框。
  15. 如請求項14之發光裝置用封裝,其中上述第1引線框具有自上述本體部向上述第2引線框側寬度變窄地延伸之第1延伸部,上述第2引線框具有自上述本體部向上述第1引線框側寬度變窄地延伸之第2延伸部,上述第1埋入延伸部於上述短邊方向上與上述第1延伸部一起夾隔上述第3引線框而配置,上述第2埋入延伸部於上述短邊方向上與上述第2延伸部一起 夾隔上述第3引線框而配置。
  16. 如請求項13之發光裝置用封裝,其中上述第1及第2埋入延伸部僅設於上述第3引線框。
  17. 如請求項1之發光裝置用封裝,其中上述樹脂成形體之母材為環氧樹脂、環氧改性樹脂、矽酮樹脂、矽酮改性樹脂、聚雙順丁烯二醯亞胺三樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂中之任一種。
  18. 如請求項17之發光裝置用封裝,其中上述樹脂成形體之母材為環氧樹脂或環氧改性樹脂。
  19. 如請求項1之發光裝置用封裝,其中上述第3引線框位於該發光裝置用封裝之上述長邊方向之大致中央。
  20. 一種發光裝置,其包含:如請求項1至19中任一項之發光裝置用封裝;第1發光元件,其載置於上述第1引線框之上述本體部之上表面;及第2發光元件,其載置於上述第2引線框之上述本體部之上表面。
  21. 如請求項20之發光裝置,其中上述第1發光元件及上述第2發光元件分別藉由金屬線而與上述第3引線框之上表面連接。
  22. 如請求項20之發光裝置,其包含保護元件,上述保護元件載置於上述第1延伸部之上表面,且藉由金屬線而與上述第2延伸部之上表面連接。
TW103122392A 2013-06-28 2014-06-27 發光裝置用封裝及用其之發光裝置 TWI616003B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013136421 2013-06-28
JP2013-136421 2013-06-28
JP2014090906A JP6484396B2 (ja) 2013-06-28 2014-04-25 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
JP2014-090906 2014-04-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201511366A TW201511366A (zh) 2015-03-16
TWI616003B true TWI616003B (zh) 2018-02-21

Family

ID=51224677

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103122392A TWI616003B (zh) 2013-06-28 2014-06-27 發光裝置用封裝及用其之發光裝置

Country Status (6)

Country Link
US (4) US9406856B2 (zh)
EP (1) EP2819192B1 (zh)
JP (1) JP6484396B2 (zh)
KR (1) KR102227798B1 (zh)
CN (1) CN104253203B (zh)
TW (1) TWI616003B (zh)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6102187B2 (ja) * 2012-10-31 2017-03-29 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
JP6107136B2 (ja) 2012-12-29 2017-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置
JP6484396B2 (ja) 2013-06-28 2019-03-13 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
JP6610703B2 (ja) * 2013-06-28 2019-11-27 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ
JP6628739B2 (ja) * 2014-12-11 2020-01-15 シチズン電子株式会社 発光装置
US9711700B2 (en) * 2014-12-26 2017-07-18 Nichia Corporation Light emitting device and method for producing the same
JP6472728B2 (ja) 2015-08-04 2019-02-20 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置を備えたバックライト
KR102562192B1 (ko) * 2015-12-28 2023-08-01 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 및 광원 모듈
DE102017201882A1 (de) 2016-02-09 2017-08-24 Nichia Corporation Leuchtvorrichtung und die Leuchtvorrichtung aufweisende Hintergrundbeleuchtung
US9870985B1 (en) * 2016-07-11 2018-01-16 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with clip alignment notch
JP6729254B2 (ja) * 2016-09-30 2020-07-22 日亜化学工業株式会社 発光装置及び表示装置
KR102709497B1 (ko) 2016-10-27 2024-09-26 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 패키지
JP6680258B2 (ja) * 2017-04-21 2020-04-15 日亜化学工業株式会社 光源装置
JP6916453B2 (ja) * 2017-04-21 2021-08-11 日亜化学工業株式会社 光源装置
US10211128B2 (en) 2017-06-06 2019-02-19 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package having inspection structure and related methods
US11024667B2 (en) 2017-12-22 2021-06-01 Nichia Corporation Light-emitting device
EP3752580B1 (en) 2018-02-12 2021-06-09 Signify Holding B.V. Led light source with fluoride phosphor
JP7089167B2 (ja) * 2018-04-23 2022-06-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2019219177A1 (en) * 2018-05-15 2019-11-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Carrier for an optoelectronic device, method for producing a carrier for an optoelectronic device
US11073572B2 (en) * 2019-01-17 2021-07-27 Infineon Technologies Ag Current sensor device with a routable molded lead frame
US10910294B2 (en) 2019-06-04 2021-02-02 Amkor Technology Singapore Holding Pte. Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
US11075131B2 (en) * 2019-08-22 2021-07-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor package and method of forming the same
TWI765569B (zh) * 2021-02-08 2022-05-21 健策精密工業股份有限公司 導線架結構及其製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5874748A (en) * 1996-03-29 1999-02-23 Rohm Co., Ltd. Light-emitting diode device and illuminator with light-emitting surface using same
TW201130172A (en) * 2009-07-14 2011-09-01 Nichia Corp Light emitting device

Family Cites Families (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0770363B2 (ja) * 1987-02-28 1995-07-31 イビデン株式会社 印刷抵抗体付プリント配線板
US20030075724A1 (en) 2001-10-19 2003-04-24 Bily Wang Wing-shaped surface mount package for light emitting diodes
DE10041686A1 (de) 2000-08-24 2002-03-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement mit einer Vielzahl von Lumineszenzdiodenchips
JP4724965B2 (ja) * 2001-07-10 2011-07-13 ソニー株式会社 フレキシブル配線基板
JP2003110145A (ja) 2001-09-27 2003-04-11 Harvatek Corp 発光ダイオード用の翼形表面実装パッケージ
JP2005197329A (ja) 2004-01-05 2005-07-21 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型半導体装置及びそのリードフレーム構造
JP4489485B2 (ja) * 2004-03-31 2010-06-23 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP4359195B2 (ja) 2004-06-11 2009-11-04 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
KR100638721B1 (ko) 2005-01-28 2006-10-30 삼성전기주식회사 수지 흐름 개선용 리드 프레임 구조를 갖는 측면형발광다이오드 패키지
US7675145B2 (en) 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
KR100809210B1 (ko) 2006-07-10 2008-02-29 삼성전기주식회사 고출력 led 패키지 및 그 제조방법
US7960819B2 (en) * 2006-07-13 2011-06-14 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state emitting devices
JP4952215B2 (ja) * 2006-08-17 2012-06-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4846498B2 (ja) 2006-09-22 2011-12-28 株式会社東芝 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法
TWM312778U (en) * 2006-12-22 2007-05-21 Lighthouse Technology Co Ltd Improved LED
JP5168152B2 (ja) 2006-12-28 2013-03-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2008156020A1 (ja) 2007-06-19 2008-12-24 Sharp Kabushiki Kaisha 基板及び照明装置
JP4996998B2 (ja) 2007-07-02 2012-08-08 シャープ株式会社 照明装置
KR101349605B1 (ko) * 2007-09-27 2014-01-09 삼성전자주식회사 발광소자 패키지의 제조방법
TWM330569U (en) 2007-10-09 2008-04-11 Everlight Electronics Co Ltd LED seal structure
CN101878280B (zh) * 2007-11-30 2013-05-01 日亚化学工业株式会社 荧光体及使用其的发光装置以及荧光体的制造方法
KR100998233B1 (ko) 2007-12-03 2010-12-07 서울반도체 주식회사 슬림형 led 패키지
JP5446843B2 (ja) 2009-12-24 2014-03-19 豊田合成株式会社 Led発光装置
JP5710128B2 (ja) * 2010-01-19 2015-04-30 大日本印刷株式会社 樹脂付リードフレームの製造方法
JP5378568B2 (ja) 2010-01-29 2013-12-25 株式会社東芝 Ledパッケージ
JP5010716B2 (ja) * 2010-01-29 2012-08-29 株式会社東芝 Ledパッケージ
JP5587625B2 (ja) 2010-02-01 2014-09-10 アピックヤマダ株式会社 リードフレーム及びledパッケージ用基板
KR101867106B1 (ko) * 2010-03-30 2018-06-12 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 Led용 수지 부착 리드 프레임, 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 led용 수지 부착 리드 프레임의 제조 방법
JP5528900B2 (ja) 2010-04-30 2014-06-25 ローム株式会社 発光素子モジュール
WO2011136356A1 (ja) * 2010-04-30 2011-11-03 ローム株式会社 Ledモジュール
JP5533203B2 (ja) 2010-04-30 2014-06-25 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
KR101039994B1 (ko) 2010-05-24 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 구비한 라이트 유닛
JP5472917B2 (ja) 2010-05-31 2014-04-16 シャープ株式会社 取引処理端末装置
KR101103674B1 (ko) 2010-06-01 2012-01-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
US8648359B2 (en) 2010-06-28 2014-02-11 Cree, Inc. Light emitting devices and methods
KR20120001189A (ko) 2010-06-29 2012-01-04 삼성엘이디 주식회사 발광 다이오드 패키지
WO2012014382A1 (ja) 2010-07-27 2012-02-02 パナソニック株式会社 半導体装置
JP2012028694A (ja) 2010-07-27 2012-02-09 Panasonic Corp 半導体装置
JP5771937B2 (ja) * 2010-10-13 2015-09-02 日亜化学工業株式会社 樹脂パッケージ及びその製造方法、樹脂パッケージを用いた発光装置
JP2012084810A (ja) 2010-10-14 2012-04-26 Toppan Printing Co Ltd Led素子用リードフレーム基板及び発光素子
JP5886584B2 (ja) 2010-11-05 2016-03-16 ローム株式会社 半導体発光装置
JP5766976B2 (ja) 2011-02-28 2015-08-19 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2012190970A (ja) 2011-03-10 2012-10-04 Panasonic Corp 発光素子用パッケージ及びそれを用いた発光装置
JP2012195430A (ja) 2011-03-16 2012-10-11 Sanken Electric Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
KR101116951B1 (ko) * 2011-03-21 2012-03-14 희성전자 주식회사 발광다이오드 패키지
JP5781801B2 (ja) 2011-03-29 2015-09-24 シチズン電子株式会社 Led発光装置
KR101806550B1 (ko) * 2011-06-14 2017-12-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
KR101253501B1 (ko) * 2011-07-27 2013-04-11 주식회사 루멘스 발광소자 패키지 및 이를 구비하는 백라이트 유닛
KR101905520B1 (ko) * 2011-08-25 2018-10-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101641744B1 (ko) * 2011-10-07 2016-07-21 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 백라이트 유닛
CN103367615B (zh) 2012-04-06 2018-02-02 日亚化学工业株式会社 发光装置用封装成形体及使用了它的发光装置
CN103367344B (zh) 2012-04-11 2016-04-27 光宝电子(广州)有限公司 连板料片、发光二极管封装品及发光二极管灯条
KR101957884B1 (ko) 2012-05-14 2019-03-13 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 조명 장치
KR101886157B1 (ko) 2012-08-23 2018-08-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 조명시스템
JP6102187B2 (ja) 2012-10-31 2017-03-29 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
JP6107136B2 (ja) 2012-12-29 2017-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置
TW201434134A (zh) 2013-02-27 2014-09-01 Everlight Electronics Co Ltd 發光裝置、背光模組及照明模組
US9728685B2 (en) 2013-02-28 2017-08-08 Nichia Corporation Light emitting device and lighting device including same
US9748164B2 (en) 2013-03-05 2017-08-29 Nichia Corporation Semiconductor device
JP6291713B2 (ja) 2013-03-14 2018-03-14 日亜化学工業株式会社 発光素子実装用基体及びそれを備える発光装置、並びにリードフレーム
JP6221403B2 (ja) 2013-06-26 2017-11-01 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6484396B2 (ja) 2013-06-28 2019-03-13 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
JP6237174B2 (ja) 2013-12-05 2017-11-29 日亜化学工業株式会社 発光装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5874748A (en) * 1996-03-29 1999-02-23 Rohm Co., Ltd. Light-emitting diode device and illuminator with light-emitting surface using same
TW201130172A (en) * 2009-07-14 2011-09-01 Nichia Corp Light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
US20160308104A1 (en) 2016-10-20
CN104253203A (zh) 2014-12-31
TW201511366A (zh) 2015-03-16
US20170207377A1 (en) 2017-07-20
JP2015029052A (ja) 2015-02-12
US9406856B2 (en) 2016-08-02
EP2819192A1 (en) 2014-12-31
US9647190B2 (en) 2017-05-09
US10305011B2 (en) 2019-05-28
JP6484396B2 (ja) 2019-03-13
US20180254394A1 (en) 2018-09-06
EP2819192B1 (en) 2019-03-13
CN104253203B (zh) 2018-03-06
KR102227798B1 (ko) 2021-03-15
US20150001559A1 (en) 2015-01-01
US9991432B2 (en) 2018-06-05
KR20150002501A (ko) 2015-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI616003B (zh) 發光裝置用封裝及用其之發光裝置
US10374136B2 (en) Light emitting apparatus
TWI540770B (zh) 發光裝置用封裝及具備其之發光裝置、與具備該發光裝置之照明裝置
JP6102187B2 (ja) 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
JP6544410B2 (ja) 発光素子実装用基体及びそれを備える発光装置
JP6610703B2 (ja) 発光装置用パッケージ
JP6414609B2 (ja) 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置