KR102227798B1 - 발광 장치용 패키지 및 그것을 사용한 발광 장치 - Google Patents

발광 장치용 패키지 및 그것을 사용한 발광 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102227798B1
KR102227798B1 KR1020140078076A KR20140078076A KR102227798B1 KR 102227798 B1 KR102227798 B1 KR 102227798B1 KR 1020140078076 A KR1020140078076 A KR 1020140078076A KR 20140078076 A KR20140078076 A KR 20140078076A KR 102227798 B1 KR102227798 B1 KR 102227798B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lead frame
package
light
stretched
emitting device
Prior art date
Application number
KR1020140078076A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150002501A (ko
Inventor
심페이 사사오카
다쿠야 나카바야시
Original Assignee
니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 filed Critical 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤
Publication of KR20150002501A publication Critical patent/KR20150002501A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102227798B1 publication Critical patent/KR102227798B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/13Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139Silver (Ag) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147Copper (Cu) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45163Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/45169Platinum (Pt) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/4905Shape
    • H01L2224/4909Loop shape arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/49105Connecting at different heights
    • H01L2224/49107Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4911Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Abstract

본 발명은, 상면에서 볼 때, 길이 방향(x)과, 상기 길이 방향(x)에 직교하는 짧은 방향(y)을 갖고, 상기 길이 방향(x)으로 배열된 제1 리드 프레임(11) 및 제2 리드 프레임(12)과, 상기 제1 리드 프레임(11)과 상기 제2 리드 프레임(12)의 사이에 설치된 제3 리드 프레임(13)과, 상기 제1, 제2, 제3 리드 프레임(11, 12, 13)과 일체로 성형된 수지 성형체(20)를 구비하는 발광 장치용 패키지(100)이며, 상기 제1 리드 프레임(11)은, 제1 본체부(115)와, 상기 제1 본체부(115)로부터 상기 제2 리드 프레임(12)측으로 협폭이 되어 연신하는 제1 연신부(111)를 갖고, 상기 제2 리드 프레임(12)은, 제2 본체부(125)와, 상기 제2 본체부(125)로부터 상기 제1 리드 프레임(11)측으로 협폭이 되어 연신하는 제2 연신부(122)를 갖고, 상기 제1 연신부(111) 및 상기 제2 연신부(122)는 각각, 상면에서 볼 때, 상기 짧은 방향(y)에서 상기 제3 리드 프레임(13)에 대향하고 있다.

Description

발광 장치용 패키지 및 그것을 사용한 발광 장치{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHT EMITTING APPARATUS INCLUDING THE SAME}
본 발명은, 발광 장치용 패키지(이하, 간단히 「패키지」라고 약칭하는 경우가 있음) 및 발광 장치에 관한 것이다.
예를 들어, 일본 특허 공개 제2011-134902호 공보에 표면 실장(Surface Mount Device: SMD)형의 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)가 기재되어 있다.
이 표면 실장형의 발광 다이오드는, 2개의 리드 프레임에, 오목부를 갖는 수지 케이스를 일체로 성형한 발광 장치용 패키지를 사용하여, 그 오목부 내에 LED 칩을 탑재하고, 밀봉 수지에 의해 밀봉함으로써 제조되고 있다.
그러나, 일본 특허 공개 제2011-134902호 공보에 기재된 바와 같은 종래의 발광 장치용 패키지에 있어서는, 외부로부터의 충격이나 하중 또는 주위 환경 온도에 의해, 수지 케이스에 크랙이나 깨짐이 발생하거나, 수지 케이스가 리드 프레임으로부터 박리되거나 하여 장기의 신뢰성을 충분히 확보할 수 없을 우려가 있었다. 특히, 이러한 문제는, 갸름한 형상의 발광 장치용 패키지에서 발생하기 쉽다.
그래서, 본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 신뢰성이 높은 발광 장치용 패키지 및 그것을 사용한 발광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은, 상면에서 볼 때, 길이 방향과, 상기 길이 방향에 직교하는 짧은 방향을 갖고, 상기 길이 방향으로 배열된 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임과, 상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임의 사이에 설치된 제3 리드 프레임과, 상기 제1, 제2, 제3 리드 프레임과 일체로 성형된 수지 성형체를 구비하는 발광 장치용 패키지이며, 상기 제1 리드 프레임은, 본체부와, 상기 본체부로부터 상기 제2 리드 프레임측으로 협폭이 되어 연신하는 제1 연신부를 갖고, 상기 제2 리드 프레임은, 본체부와, 상기 본체부로부터 상기 제1 리드 프레임측으로 협폭이 되어 연신하는 제2 연신부를 갖고, 상기 제1 연신부 및 상기 제2 연신부는 각각, 상면에서 볼 때, 상기 짧은 방향으로 상기 제3 리드 프레임에 대향하고 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, 상면에서 볼 때, 길이 방향과, 상기 길이 방향에 직교하는 짧은 방향을 갖고, 상기 길이 방향으로 배열된 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임과, 상기 제1, 제2 리드 프레임과 일체로 성형된 수지 성형체를 구비하는 발광 장치용 패키지이며, 상기 수지 성형체는, 제1, 제2 리드 프레임과 함께, 발광 소자를 수용하는 오목부를 형성하고 있고, 상기 제1 리드 프레임은, 본체부와, 상기 본체부로부터 상기 제2 리드 프레임측으로 협폭이 되어 연신하고 또한 상기 수지 성형체 내에 매립되어 상기 패키지의 외부 및 상기 오목부 내에 노출되어 있지 않은 제3 연신부를 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, 상면에서 볼 때, 길이 방향과, 상기 길이 방향에 직교하는 짧은 방향을 갖고, 상기 길이 방향으로 배열된 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임과, 상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임의 사이에 설치된 제3 리드 프레임과, 상기 제1, 제2, 제3 리드 프레임과 일체로 성형된 수지 성형체를 구비하는 발광 장치용 패키지이며, 상기 수지 성형체는, 제1, 제2, 제3 리드 프레임과 함께, 발광 소자를 수용하는 오목부를 형성하고 있고, 상기 제1 리드 프레임과 상기 제3 리드 프레임 중 적어도 한쪽은, 상기 제1 리드 프레임과 상기 제3 리드 프레임의 사이에 협폭이 되어 연신하고 또한 상기 수지 성형체 내에 매립되어 상기 패키지의 외부 및 상기 오목부 내에 노출되어 있지 않은 제1 매립 연신부를 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 발광 장치용 패키지에 의하면, 특히 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임의 사이의 이격 영역 부근에 걸리는 응력에 대한 내성을 높여서 수지 성형체의 크랙이나 깨짐, 박리를 억제할 수 있어 신뢰성이 높은 패키지로 할 수 있다. 또한, 그것에 의해, 신뢰성이 높은 발광 장치를 제작할 수 있다.
도 1의 (a)는 본 발명의 일실시 형태에 관한 발광 장치의 개략 상면도, 도 1의 (b)는 도 1의 (a)의 A-A 단면에서의 개략 단면도, 도 1의 (c)는 개략 하면도이다.
도 2의 (a)는, 본 발명의 일실시 형태에 관한 발광 장치의 개략 상면도, 도 2의 (b)는 도 2의 (a)의 B-B 단면에서의 개략 단면도, 도 2의 (c)는 개략 하면도이다.
도 3의 (a)는, 본 발명의 일실시 형태에 관한 발광 장치의 개략 상면도, 도 3의 (b)는 도 3의 (a)의 C-C 단면에서의 개략 단면도, 도 3의 (c)는 개략 하면도이다.
도 4의 (a)는, 본 발명의 일실시 형태에 관한 발광 장치의 개략 상면도, 도 4의 (b)는 도 4의 (a)의 D-D 단면에서의 개략 단면도, 도 4의 (c)는 개략 하면도이다.
도 5는, 본 발명의 일실시예에 관한 발광 장치의 기판 굽힘 시험의 결과를 나타내는 그래프이다.
본 발명의 상기 및 다른 목적과 특징은, 첨부된 도면과 함께 이하의 상세한 설명으로부터 보다 명확해질 것이다.
이하, 발명의 실시 형태에 대해서 적절히 도면을 참조하여 설명한다. 단, 이하에 설명하는 발광 장치용 패키지 및 그것을 사용한 발광 장치는, 본 발명의 기술 사상을 구체화하기 위한 것이며, 특정적인 기재가 없는 한, 본 발명을 이하의 것에 한정하지 않는다. 또한, 하나의 실시 형태, 실시예에서 설명하는 내용은, 다른 실시 형태, 실시예에도 적용 가능하다. 또한, 각 도면이 나타내는 부재의 크기나 위치 관계 등은, 설명을 명확히 하기 위해서 과장하는 경우가 있다.
(실시 형태1)
도 1의 (a) 및 (c)는, 각각, 실시 형태1에 관한 발광 장치의 개략 상면도와 개략 하면도이며, 도 1의 (b)는 도 1의 (a)에서의 A-A 단면을 도시하는 개략 단면도이다.
도 1의 (a) 내지 (c)에 도시한 바와 같이, 실시 형태1에 관한 발광 장치(200)는, 주로, 동일 도면에 도시하는 발광 장치용 패키지(100)에, 발광 소자(31, 32)가 탑재되고, 밀봉 부재(50)에 의해 밀봉되어 구성되어 있다. 본 예의 밀봉 부재(50)는 형광체(60)를 함유하고 있지만, 생략할 수도 있다.
도 1의 (a) 내지 (c)에 도시한 바와 같이, 패키지(100)는, 상면에서 볼 때 일방향으로 긴 형상을 갖고 있다. 즉, 패키지(100)는, 상면에서 볼 때, 길이 방향과, 상기 길이 방향에 직교하는 짧은 방향을 갖는다. 보다 엄밀하게 정의하면, 길이 방향은, 상면에서 볼 때, 리드 프레임의 패키지 길이 방향으로 연장하는 단부면, 즉, 짧은 방향의 단부면에 평행한 방향이다. 도면 중에서는, 패키지의 길이 방향이 x방향, 짧은 방향이 y방향이며, 상하 방향이 z방향이다. 또한, x방향을 가로 방향, y방향을 세로 방향, z방향을 두께 방향으로 한다.
도 1의 (a) 내지 (c)에 도시한 바와 같이, 패키지(100)는, 제1 리드 프레임(11), 제2 리드 프레임(12) 및 제3 리드 프레임(13)과, 이 제1, 제2, 제3 리드 프레임과 일체로 성형된 수지 성형체(20)를 구비하고 있다. 제1 리드 프레임(11)과 제2 리드 프레임(12)은 패키지(100)의 길이 방향으로 배열되어 있다. 제3 리드 프레임(13)은, 제1 리드 프레임(11)과 제2 리드 프레임(12)의 사이에 설치되어 있다. 제1, 제2, 제3 리드 프레임(11, 12, 13)은, 각각, 패키지(100)와 동일하게, 패키지의 길이 방향으로 긴 형상을 갖고 있다. 제1, 제2, 제3 리드 프레임(11, 12, 13)은 판상이며, 실질적으로 절곡 가공은 되어 있지 않다. 제1, 제2, 제3 리드 프레임(11, 12, 13)은, 서로를 이격하는 이격 영역(15)이 수지 성형체(20)에 매립되어, 이 이격 영역(15)을 전기적 절연 영역으로서 수지 성형체(20)에 일체적으로 보유 지지되어 있다. 또한, 발광 소자가 적재되는 것은 패키지(100)의 상면측이다. 또한, 여기서는, 도면 중에 있어서, 우측 리드 프레임을 제1 리드 프레임(11), 좌측 리드 프레임을 제2 리드 프레임(12)으로서 설명하지만, 이 반대이어도 된다.
수지 성형체(20)는, 상면에서 볼 때, 패키지의 길이 방향으로 긴 직사각 형상을 갖고 있다. 또한, 수지 성형체(20)는, 제1, 제2, 제3 리드 프레임(11, 12, 13)의 단부면(현수 리드부(117, 127, 137)를 제외함)을 피복하고 있다. 또한, 수지 성형체(20)는, 제1, 제2, 제3 리드 프레임(11, 12, 13)의 상면 일부(특히, 주연부)도 피복하고 있다. 또한, 수지 성형체(20)는, 제1, 제2, 제3 리드 프레임(11, 12, 13)과 함께, 발광 소자(31, 32)를 수용하는 오목부(25)를 형성하고 있다. 구체적으로는, 오목부(25)의 저면은, 주로, 제1, 제2, 제3 리드 프레임(11, 12, 13)의 상면과, 이격 영역(15)을 매립하는 수지 성형체(20)의 표면에 의해 구성되어 있다. 본 예에서는, 오목부(25)의 저면은 대략 평탄하지만, 예를 들어 이격 영역(15) 상에 돌기가 형성되어 있어도 된다. 이 돌기는, 발광 소자로부터 출사되는 광을 효율적으로 취출하므로, 오목부(25)의 저면에 가까워짐에 따라서 폭이 넓게 되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 이 돌기는, 수지 성형체(20)와 일체로 성형되어 있어도 되고, 수지 성형체(20)와는 별도로 설치되어 있어도 된다. 오목부(25)의 측벽면은, 수지 성형체(20)의 표면에 의해 구성되어 있다. 오목부(25)의 측벽면은, 오목부(25)의 저면에 대하여 수직이어도 되지만, 발광 소자로부터 출사되는 광을 효율적으로 취출하므로, 오목부(25)의 저면에 가까워짐에 따라서 개구가 협폭으로 되도록 경사져 있는 것이 바람직하다. 또한, 여기에서는, 오목부(25)를 갖는 패키지에 대해서 예시하고 있지만, 오목부(25), 즉, 오목부 측벽은 생략할 수도 있고, 예를 들어 평판 형상의 패키지로 할 수도 있다.
제1 리드 프레임(11)은, 제2 리드 프레임(12)측으로 협폭이 되어 연신하는 제1 연신부(111)를 갖고 있다. 또한, 제2 리드 프레임(12)은, 제1 리드 프레임(11)측으로 협폭이 되어 연신하는 제2 연신부(122)를 갖고 있다. 보다 상세하게는, 제1 리드 프레임(11)은 제1 본체부(115)를 갖고 있으며, 제1 연신부(111)는 제1 본체부(115)로부터 제2 리드 프레임(12)측으로 협폭이 되어 연신하고 있다. 제1 본체부(115)의 상면 및 제1 연신부(111)의 상면은, 오목부(25)의 저면을 구성하고 있다. 제2 리드 프레임(12)은 제2 본체부(125)를 갖고 있으며, 제2 연신부(122)는 제2 본체부(125)로부터 제1 리드 프레임(11)측으로 협폭이 되어 연신하고 있다. 제2 본체부(125)의 상면 및 제2 연신부(122)의 상면은, 오목부(25)의 저면을 구성하고 있다. 그리고, 제1 연신부(111) 및 제2 연신부(122)는, 각각, 상면에서 볼 때, 짧은 방향에서 제3 리드 프레임(13)에 대향하고 있다.
여기서, 제1 본체부(115) 및 제2 본체부(125)는, 발광 소자가 적재되는 상면 영역을 포함하는 리드 프레임(11, 12)의 주요부로 간주할 수 있다. 제1 및 제2 연신부(111, 122)의 폭(짧은 방향의 폭)은, 대략 일정해도 되고, 변화되어 있어도 된다. 제1 본체부(115)와 제1 연신부(111)의 경계, 및 제2 본체부(125)와 제2 연신부(122)의 경계는, 예를 들어 폭의 변화점을 통과하는 짧은 방향에 평행한 직선에서 생각할 수 있다. 또한, 후술하는 제3 및 제4 연신부(113, 124)에 대해서도 마찬가지이다.
또한, 제1 리드 프레임(11)과 제2 리드 프레임(12)은 최대 폭(짧은 방향의 최대 폭; 예를 들어, 제1 본체부(115) 및 제2 본체부(125)의 폭)이 상이해도 되지만, 최대 폭이 대략 동일한 것이 바람직하다. 또한, 제1 리드 프레임(11)과 제2 리드 프레임(12)은, 상면에서 볼 때, 제1 본체부(115) 및 제2 본체부(125)의 중앙선에서 생각하여 기울어진 관계로 배치되어 있어도 되지만, 대략 평행하게 배치되어 있는 것이 바람직하다. 나아가, 제1 리드 프레임(11)과 제2 리드 프레임(12)은, 상면에서 볼 때, 제1 본체부(115) 및 제2 본체부(125)의 중앙선에서 생각하여 짧은 방향의 위치가 어긋난 관계로 배치되어 있어도 되지만, 짧은 방향의 위치가 대략 일치하도록 배치되어 있는 것이 바람직하다.
이상과 같이 구성된 패키지(100)는, 제1 및 제2 연신부(111, 122)가, 상면에서 볼 때, 짧은 방향에서 제3 리드 프레임(13)에 대향하는 위치에 있으므로, 제1, 제2, 제3 리드 프레임(11, 12, 13)의 사이의 이격 영역(15)이, 상면에서 볼 때, 짧은 방향에 평행한 일직선상으로 관통하는 부분을 갖지 않는 형상으로 설치된다. 따라서, 이격 영역이 짧은 방향에 평행한 일직선상으로 관통하는 부분을 갖는 형상으로 설치되는 경우에 비하여, 예를 들어 패키지(100)를 이격 영역(15)에서 꺽으려고 하는, 이격 영역(15) 부근에 걸리는 응력에 대한 패키지(100)의 강도를 높일 수 있다.
또한, 제3 리드 프레임(13)의 상면은, 제1 리드 프레임(11)에 적재되는 발광 소자와, 제2 리드 프레임(12)에 적재되는 발광 소자를 직렬 접속하기 위한 와이어의 중계 영역으로서 기능시킬 수 있다. 또한, 제1 및 제2 연신부(111, 122)는, 보호 소자 등의 적재 영역 및 그 와이어의 접속 영역으로서 기능시킬 수 있다. 이들에 의해, 와이어를 비교적 짧게 형성하여 와이어에 의한 광흡수를 경감시킬 수 있어 광의 취출 효율을 높일 수 있다. 이와 같이, 이격 영역(15)에 인접하는 제3 리드 프레임(13)의 상면이나 제1 및 제2 연신부(111, 122)의 상면은 와이어의 접속 영역이 되므로, 이격 영역(15) 부근에 걸리는 응력에 대한 패키지(100)의 강도를 높이는 것은 와이어의 단선을 억제하는 점에서도 중요하다.
이하, 발광 장치용 패키지(100) 및 발광 장치(200)의 바람직한 형태에 대해서 설명한다.
도 1의 (a) 내지 (c)에 도시하는 패키지(100)에 있어서, 제1 연신부(111)와 제2 연신부(122)는, 짧은 방향에서 제3 리드 프레임(13)에 대하여 동일한 측에 배치되어 있다. 즉, 제1 연신부(111)와 제2 연신부(122)는, 상면에서 볼 때, 패키지(100)의 동일한 긴 변측(제1 긴 변(대향하는 2개의 긴 변의 한쪽)측만)에 배치되어 있다. 이에 의해, 패키지(100)의 짧은 방향의 폭을 작게 억제하여 소형의 패키지로 하면서도, 이격 영역(15) 부근에 걸리는 응력에 대한 패키지(100)의 강도를 높일 수 있다. 또한, 제1 및 제2 연신부(111, 122)의 상면을, 보호 소자 등의 적재 영역 및 그 와이어의 접속 영역으로서 기능시키기 쉽고, 그 와이어를 비교적 짧게 형성하기 쉽다. 또한, 도시한 예에서는, 제1 및 제2 연신부(111, 122)는, 서로 제3 리드 프레임(13)에 대하여 대략 균등하게 연신하고 있지만, 어느 쪽인가에 치우쳐(어느 쪽인가의 연신 길이가 크게 되어) 있어도 된다.
도 1의 (a) 내지 (c)에 도시한 패키지(100)에 있어서, 제1 리드 프레임(11)은, 제2 리드 프레임(12)측으로 협폭이 되어 연신하고, 또한 짧은 방향에서 제1 연신부(111)와의 사이에 제3 리드 프레임(13)을 끼워서 배치된 제3 연신부(113)를 갖고 있다. 또한, 제2 리드 프레임(12)은, 제1 리드 프레임(11)측으로 협폭이 되어 연신하고, 또한 짧은 방향에서 제2 연신부(122)와의 사이에 제3 리드 프레임(13)을 끼워서 배치된 제4 연신부(124)를 갖고 있다. 이에 의해, 제3 리드 프레임(13)의 주위를 더욱 보강할 수 있고, 이격 영역(15) 부근에 걸리는 응력에 대한 패키지(100)의 강도를 더욱 높일 수 있다.
도 1의 (a) 내지 (c)에 도시한 패키지(100)에 있어서, 제3 연신부(113) 및 제4 연신부(124)는, 수지 성형체(20) 내에 매립되어 있는, 즉 패키지(100)(수지 성형체(20))의 외부 및 오목부(25) 내에 노출되어 있지 않다. 보다 상세하게는, 제3 연신부(113) 및 제4 연신부(124)는, 오목부 측벽의 바로 밑에 위치하는 수지 성형체(20) 내에 매립되어 있다. 이에 의해, 제3 연신부(113) 및 제4 연신부(124)에 의한 이격 영역(15) 부근이 높은 보강 효과를 얻을 수 있다. 본 예와 같이, 제3 연신부(113) 및 제4 연신부(124)는, 각각, 제1 연신부(111) 및 제2 연신부(122)보다 협폭인 것으로, 수지 성형체(20) 내에 매립되기 쉬워 바람직하다. 또한, 이에 한정하지 않고, 제3 연신부(113) 및 제4 연신부(124)는, 예를 들어 하면 등 일부가 패키지(100)(수지 성형체(20))의 외부에 노출되어 있어도 되고, 오목부(25) 내에 노출되어 있어도 된다.
도 1의 (a) 내지 (c)에 도시한 패키지(100)에 있어서, 제3 리드 프레임(13)은 패키지의 대략 중앙에 위치하고 있다. 이와 같이, 제3 리드 프레임(13)이 패키지의 대략 중앙에 위치하고 있음으로써, 제1 및 제2 리드 프레임(11, 12) 각각에 발광 소자를 적재하기 쉽고, 그에 의해 바람직한 배광 특성을 얻을 수 있기 쉽다. 그 반면, 제1 및 제2 리드 프레임(11, 12)의 양쪽이 패키지 중앙측의 이격 영역(15)으로부터 길이 방향으로 대략 균등하게 연신하여 설치되므로, 이격 영역(15)에 응력이 걸리기 쉬워지지만, 본 발명의 구성에 의해 그것을 보강할 수 있다.
도 1의 (a) 내지 (c)에 도시한 패키지(100)에 있어서, 제1, 제2, 제3 리드 프레임(11, 12, 13)의 최하면은, 수지 성형체(20)의 최하면과 함께 발광 장치용 패키지(100)의 하면을 구성하고 있다. 이에 의해, 제1 및 제2 리드 프레임(11, 12)의 최하면을 패키지(100)의 실장면으로 할 수 있고, 제1 및 제2 리드 프레임(11, 12)으로부터 효율적으로 방열할 수 있다. 그에 의해, 수지 성형체(20)의 열화나 리드 프레임으로부터의 박리를 억제하거나, 발광 소자(31, 32)나 보호 소자(70)의 방열성을 높이거나 할 수 있다. 또한, 박형의 패키지를 실현하기 쉽다.
도 1의 (a) 내지 (c)에 도시한 패키지(100)에 있어서, 제1 및 제2 리드 프레임(11, 12)은, 각각, 제1 및 제2 연신부(111, 122)의 상면에 설치된 오목부를 갖고 있다. 그리고, 이 오목부는 수지 성형체(20)에 매립되어 있다. 이에 의해, 수지 성형체(20)의 제1 및 제2 연신부(111, 122)에 대한 밀착성을 높여서 수지 성형체(20)가 제1 및 제2 리드 프레임(11, 12)으로부터 박리되는 것을 억제할 수 있다. 이 오목부의 상면에서 볼 때, 형상은 점 형상이나 파선 형상 등이어도 되지만, 길이 방향으로 연신하여 직선 형상으로 설치되는 것이 비교적 작은 영역에서 소형으로 또한 효과적으로 형성할 수 있어 바람직하다. 단면 형상은, 반원 형상, 직사각 형상, 역 사다리꼴 형상 등이어도 되지만, 역 삼각 형상(V자 형상)이 형성하기 쉬워 바람직하다. 또한, 본 예와 같이, 이러한 오목부는, 예를 들어 제1 본체부(115) 및 제2 본체부(125) 등, 제1 및 제2 연신부(111, 122) 이외의 상면에도 형성되어 있어도 된다.
도 1의 (a) 내지 (c)에 도시한 패키지(100)에 있어서, 제1 및 제2 연신부(111, 122)의 하면에는, 각각, 오목부(119, 129)가 설치되어 있다. 또한, 그 오목부(119, 129)는, 수지 성형체(20)에 의해 매립되어 있다. 따라서, 제1 연신부(111)의 하면의 노출 영역은, 오목부(119)를 매립하는 수지 성형체(20)에 의해 제1 본체부(115)의 하면 노출 영역과 분리되어 있다. 또한, 제2 연신부(122)의 하면 노출 영역도 마찬가지로, 오목부(129)를 매립하는 수지 성형체(20)에 의해 제2 본체부(125)의 하면 노출 영역과 분리되어 있다. 이에 의해, 리드 프레임의 하면의 노출 영역의 대칭성이나 면적의 균등성을 높여서 패키지(100)(발광 장치(200))의 실장 시의 도전성 페이스트의 치우침을 억제할 수 있고, 패키지(100)가 기울어서 실장되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 패키지(100)의 셀프 얼라인먼트성을 높일 수 있다.
도 1의 (a) 내지 (c)에 도시한 발광 장치(200)는, 발광 장치용 패키지(100)와, 제1 리드 프레임(11)의 상면에 적재된 제1 발광 소자(31)와, 제2 리드 프레임(12)의 상면에 적재된 제2 발광 소자(32)를 구비하고 있다. 상술한 바와 같이, 발광 장치용 패키지(100)는 신뢰성이 높으므로, 그 패키지를 사용함으로써 신뢰성이 높은 발광 장치로 할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 발광 소자(31, 32)를 제1 및 제2 리드 프레임(11, 12) 각각에 적재함으로써, 제1 발광 소자(31)와 제2 발광 소자(32)의 거리를 크게 하기 쉽고, 그에 의해 휘도 분포를 제어하기 쉽다.
도 1의 (a) 내지 (c)에 도시한 발광 장치(200)에 있어서, 제1 및 제2 발광 소자(31, 32)는, 패키지(100)에서의 제1 리드 프레임의 제1 본체부(115)의 상면과, 제2 리드 프레임의 제2 본체부(125)의 상면 각각에 적재되어 있다. 또한, 제1 발광 소자(31) 및 제2 발광 소자(32)는 각각 제3 리드 프레임(13)의 상면과 와이어(40)에 의해 접속되어 있다. 이와 같이, 패키지(100)에서는, 제3 리드 프레임(13)이 있으므로, 제1 발광 소자(31)와 제2 발광 소자(32)의 거리를 크게 해도, 제1 및 제2 발광 소자(31, 32)를 직렬 접속하는 와이어(40)를 비교적 짧게 형성할 수 있고, 와이어(40)에 의한 광흡수를 경감시킬 수 있어, 높은 광의 취출 효율을 얻기 쉽다.
도 1의 (a) 내지 (c)에 도시한 발광 장치(200)는, 제1 연신부(111)의 상면에 적재되고, 제2 연신부(122)의 상면과 와이어(40)에 의해 접속된 보호 소자(70)를 구비하고 있다. 이에 의해, 보호 소자(70)와 리드 프레임을 접속하는 와이어(40)를 비교적 짧게 형성할 수 있으므로, 와이어(40)에 의한 광흡수를 경감시킬 수 있어 광의 취출 효율을 더욱 높이기 쉽다. 또한, 제1 및 제2 연신부(111, 122)는 패키지(100)의 중앙측에 위치하고 있으므로, 발광 소자(31, 32)와 보호 소자(70)의 거리를 길게 하기 쉽고, 보호 소자(70)에 의한 광흡수를 경감시켜서 광의 취출 효율을 높이기 쉽다.
(실시 형태2)
도 2의 (a), (c)는 각각, 실시 형태2에 관한 발광 장치의 개략 상면도와 개략 하면도이며, 도 2의 (b)는 도 2의 (a)에서의 B-B 단면을 도시하는 개략 단면도이다.
도 2의 (a) 내지 (c)에 도시한 바와 같이, 실시 형태2에 관한 발광 장치(240)는, 주로, 동일 도면에 도시한 발광 장치용 패키지(140)에 발광 소자(31, 32)가 탑재되고, 밀봉 부재(50)에 의해 밀봉되어 구성되어 있다. 본 예의 밀봉 부재(50)는 형광체(60)를 함유하고 있지만, 생략할 수도 있다. 이 패키지(140) 및 발광 장치(240)에 있어서, 각 리드 프레임의 형상을 제외한 다른 주된 구성에 대해서는 실시 형태1과 실질상 동일하다. 따라서, 실시 형태1과 실질상 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 부여해서 적절히 설명을 생략한다.
도 2의 (a) 내지 (c)에 도시한 패키지(140)는, 실시 형태1에 관한 패키지(100)의 하나의 변형예이며, 제3 연신부(113) 및 제4 연신부(124)의 대체로서, 제3 리드 프레임(13)에 제1 매립 연신부(133) 및 제2 매립 연신부(134)가 설치된 것이다.
도 2의 (a) 내지 (c)에 도시한 바와 같이, 패키지(140)는, 상면에서 볼 때, 일방향에 긴 형상을 갖고 있다. 즉, 패키지(140)는, 상면에서 볼 때, 길이 방향과, 상기 길이 방향에 직교하는 짧은 방향을 갖는다. 패키지(140)는, 제1 리드 프레임(11), 제2 리드 프레임(12) 및 제3 리드 프레임(13)과, 이 제1, 제2, 제3 리드 프레임과 일체로 성형된 수지 성형체(20)를 구비하고 있다. 제1 리드 프레임(11)과 제2 리드 프레임(12)은 패키지(100)의 길이 방향으로 배열되어 있다. 제3 리드 프레임(13)은 제1 리드 프레임(11)과 제2 리드 프레임(12)의 사이에 설치되어 있다. 제1, 제2, 제3 리드 프레임(11, 12, 13)은, 서로를 이격하는 이격 영역(15)이 수지 성형체(20)에 매립되어, 이 이격 영역(15)을 전기적 절연 영역으로 하여, 수지 성형체(20)에 일체적으로 보유 지지되어 있다. 수지 성형체(20)는, 제1, 제2, 제3 리드 프레임(11, 12, 13)과 함께, 발광 소자(31, 32)를 수용하는 오목부(25)를 형성하고 있다. 구체적으로는, 오목부(25)의 저면은, 주로, 제1, 제2, 제3 리드 프레임(11, 12, 13)의 상면과, 이격 영역(15)을 매립하는 수지 성형체(20)의 표면에 의해 구성되어 있다. 오목부(25)의 측벽면은, 수지 성형체(20)의 표면에 의해 구성되어 있다.
도 2의 (a) 내지 (c)에 도시한 패키지(140)에 있어서, 제3 리드 프레임(13)은, 제1 리드 프레임(11)과의 사이에 협폭이 되어 연신하고 또한 수지 성형체(20) 내에 매립되어 상기 패키지(140)의 외부 및 오목부(25) 내에 노출되어 있지 않은 제1 매립 연신부(133)를 갖고 있다. 또한, 제3 리드 프레임(13)은, 제2 리드 프레임(12)과의 사이에 협폭이 되어 연신하고 또한 수지 성형체(20) 내에 매립되어 상기 패키지(140)의 외부 및 오목부(25) 내에 노출되어 있지 않은 제2 매립 연신부(134)를 갖고 있다. 보다 상세하게는, 제1 매립 연신부(133) 및 제2 매립 연신부(134)는, 오목부 측벽의 바로 밑에 위치하는 수지 성형체(20) 내에 매립되어 있다. 이와 같이, 제1 매립 연신부(133) 및 제2 매립 연신부(134)가 설치됨으로써, 제3 리드 프레임(13)의 주위를 더욱 보강할 수 있고, 이격 영역(15) 부근에 걸리는 응력에 대한 패키지(140)의 강도를 더욱 높일 수 있다. 또한, 제1 매립 연신부(133) 및 제2 매립 연신부(134)가 수지 성형체(20) 내에 매립되어 상기 패키지(140)의 외부 및 오목부(25) 내에 노출되어 있지 않음으로써, 이격 영역(15) 부근이 높은 보강 효과를 얻을 수 있다. 또한, 본 예와 같이, 제1 매립 연신부(133) 및 제2 매립 연신부(134)가 각각 제1 연신부(111) 및 제2 연신부(122)보다 협폭임으로써, 수지 성형체(20) 내에 매립되기 쉬워 바람직하다. 또한, 이것에 한정하지 않고, 제1 매립 연신부(133) 및 제2 매립 연신부(134)는, 예를 들어 하면 등 일부가 패키지(140)(수지 성형체(20))의 외부에 노출되어 있어도 되고, 오목부(25) 내에 노출되어 있어도 된다.
또한, 제1 매립 연신부(133)는, 제1 리드 프레임(11)과 제3 리드 프레임(13) 중 적어도 한쪽에 설치되어 있으면 되고, 제1 리드 프레임(11)과 제3 리드 프레임(13)의 양쪽에 설치되어도 된다. 제2 매립 연신부(134)는, 제2 리드 프레임(12)과 제3 리드 프레임(13) 중 적어도 한쪽에 설치되어 있으면 되고, 제1 리드 프레임(11)과 제3 리드 프레임(13)의 양쪽에 설치되어도 된다. 이들 중 어느 형태이어도, 패키지(140)의 강도를 높이는 효과를 발휘할 수 있다.
도 2의 (a) 내지 (c)에 도시한 패키지(140)는, 제1 매립 연신부(133) 및 제2 매립 연신부(134)가 제3 리드 프레임(13)에만 설치되어 있는 예이다. 이 경우, 이격 영역(15) 부근의 보다 높은 보강 효과를 얻기 위해서, 제1 매립 연신부(133)는, 상면에서 볼 때, 짧은 방향으로 제1 리드 프레임의 제1 본체부(115)에 대향할 때까지 연신하는 것이 바람직하다. 또한 마찬가지로, 제2 매립 연신부(134)는, 상면에서 볼 때, 짧은 방향으로 제2 리드 프레임의 제2 본체부(125)에 대향할 때까지 연신하는 것이 바람직하다. 이 때, 도시한 바와 같이, 제1 매립 연신부(133) 및 제2 매립 연신부(134)를 연신시키기 쉽도록, 제1 리드 프레임의 제1 본체부(115)의 일부 및 제2 리드 프레임 제2 본체부(125)의 일부가 절결되어도 된다.
또한, 도 1의 (a) 내지 (c)에 도시한 패키지(100)는, 제1 매립 연신부(133)(제3 연신부(113)에 상당함)가 제1 리드 프레임(11)에만 설치되고, 제2 매립 연신부(134)(제4 연신부(124)에 상당함)가 제2 리드 프레임(12)에만 설치되어 있는 예이다. 이 경우에는, 상술한 바와 같이, 제1 매립 연신부(133)는, 짧은 방향에서 제1 연신부(111)와의 사이에서 제3 리드 프레임(13)을 끼워서 배치되어 있고, 제2 매립 연신부(134)는, 짧은 방향으로 제2 연신부(122)와의 사이에서 제3 리드 프레임(13)을 끼워서 배치되어 있는 것이 바람직하다.
(실시 형태3)
도 3의 (a), (c)는 각각, 실시 형태3에 관한 발광 장치의 개략 상면도와 개략 하면도이며, 도 3의 (b)는 도 3의 (a)에서의 C-C 단면을 도시하는 개략 단면도이다.
도 3의 (a) 내지 (c)에 도시한 바와 같이, 실시 형태3에 관한 발광 장치(250)는, 주로, 동일 도면에 도시한 발광 장치용 패키지(150)에 발광 소자(31, 32)가 탑재되고, 밀봉 부재(50)에 의해 밀봉되어 구성되어 있다. 본 예의 밀봉 부재(50)는 형광체(60)를 함유하고 있지만, 생략할 수도 있다. 이 패키지(150) 및 발광 장치(250)에 있어서, 각 리드 프레임의 형상을 제외한 다른 주된 구성에 대해서는 실시 형태1과 실질상 동일하다. 따라서, 실시 형태1과 실질상 동일한 구성에 대해서는, 동일한 부호를 부여해서 적절히 설명을 생략한다.
도 3의 (a) 내지 (c)에 도시한 패키지(150)에 있어서, 제1 연신부(111) 및 제2 연신부(122)는 각각 (짧은 방향의)폭이 서서히 좁아지면서 연신하고 있다. 즉, 제1 연신부(111) 및 제2 연신부(122)는 각각 제3 리드 프레임(13)에 대향하는 단부면이, 상면에서 볼 때, 짧은 방향에 대하여(길이 방향에 대해서도) 비스듬해져 있다. 그리고, 제3 리드 프레임(13)은, 그 제1 및 제2 연신부(111, 122)의 단부면을 따르도록, 짧은 방향에 대하여(길이 방향에 대해서도) 비스듬히 설치되어 있다.
도 3의 (a) 내지 (c)에 도시한 패키지(150)에 있어서, 제1 연신부(111) 및 제2 연신부(122)는, 짧은 방향에서 제3 리드 프레임(13)을 끼워서 배치되어 있다. 이에 의해, 제1, 제2, 제3 리드 프레임(11, 12, 13)이 짧은 방향으로 배열하도록 배치되므로, 예를 들어 패키지(150)를 이격 영역(15)에서 꺽으려고 하는, 이격 영역(15) 부근에 걸리는 응력에 대한 패키지(150)의 강도를 높이기 쉽다. 또한, 도시한 바와 같이 이격 영역(15)이 비스듬한 직선 형상으로 설치되는 예에 한정되지 않고, 실시 형태1과 같이, 이격 영역(15)이 굴곡된 형상으로 설치되어도 된다.
도 3의 (a) 내지 (c)에 도시한 패키지(150)에 있어서, 제1 연신부(111) 및 제2 연신부(122)는 각각, 상면에서 볼 때, 짧은 방향에 대하여(길이 방향에 대해서도) 비스듬히 제3 리드 프레임(13)과 대향하고 있다. 즉, 제1 연신부(111) 및 제2 연신부(122)는 각각, 상면에서 볼 때, 짧은 방향뿐만 아니라, 길이 방향에서도 제3 리드 프레임(13)에 대향하고 있다. 이에 의해, 이격 영역(15) 부근에 걸리는 짧은 방향과 길이 방향의 양쪽 응력에 대한 패키지(150)의 강도를 높일 수 있다.
(실시 형태4)
도 4의 (a), (c)는 각각 실시 형태4에 관한 발광 장치의 개략 상면도와 개략 하면도이며, 도 4의 (b)는 도 4의 (a)에서의 D-D 단면을 도시하는 개략 단면도이다.
도 4의 (a) 내지 (c)에 도시한 바와 같이, 실시 형태4에 관한 발광 장치(280)는, 주로, 동일 도면에 도시한 발광 장치용 패키지(180)에 발광 소자(31, 32)가 탑재되고, 밀봉 부재(50)에 의해 밀봉되어 구성되어 있다. 본 예의 밀봉 부재(50)는 형광체(60)를 함유하고 있지만, 생략할 수도 있다. 이 패키지(180) 및 발광 장치(280)에 있어서, 제3 리드 프레임을 갖고 있지 않은 것 및 각 리드 프레임의 형상을 제외한, 다른 주된 구성에 대해서는 실시 형태1과 실질상 동일하다. 따라서, 실시 형태1과 실질상 동일한 구성에 대해서는, 동일한 부호를 부여해서 적절히 설명을 생략한다.
도 4의 (a) 내지 (c)에 도시한 바와 같이, 패키지(180)는, 상면에서 볼 때, 일방향으로 긴 형상을 갖고 있다. 즉, 패키지(180)는, 상면에서 볼 때, 길이 방향과, 상기 길이 방향에 직교하는 짧은 방향을 갖는다. 패키지(180)는, 제1 리드 프레임(11), 제2 리드 프레임(12)과, 이 제1, 제2 리드 프레임과 일체로 성형된 수지 성형체(20)를 구비하고 있다. 제1 리드 프레임(11)과 제2 리드 프레임(12)은, 패키지(180)의 길이 방향으로 배열되어 있다. 제1, 제2 리드 프레임(11, 12)은, 서로를 이격하는 이격 영역(15)을 수지 성형체(20)에 매립되어, 이 이격 영역(15)을 전기적 절연 영역으로서, 수지 성형체(20)에 일체적으로 보유 지지되어 있다. 수지 성형체(20)는, 제1, 제2 리드 프레임(11, 12)와 함께, 발광 소자(31, 32)를 수용하는 오목부(25)를 형성하고 있다. 구체적으로는, 오목부(25)의 저면은, 주로, 제1, 제2 리드 프레임(11, 12)의 상면과, 이격 영역(15)을 매립하는 수지 성형체(20)의 표면에 의해 구성되어 있다. 오목부(25)의 측벽면은, 수지 성형체(20)의 표면에 의해 구성되어 있다.
도 4의 (a) 내지 (c)에 도시한 패키지(180)에 있어서, 제1 리드 프레임(11)은, 제1 본체부(115)와, 제1 본체부(115)로부터 제2 리드 프레임(12)측으로 협폭이 되어 연신하고 또한 수지 성형체(20) 내에 매립되어 상기 패키지(180)의 외부 및 오목부(25) 내에 노출되어 있지 않은 제3 연신부(113)를 갖고 있다. 또한, 제2 리드 프레임(12)은, 제2 본체부(125)와, 제2 본체부(125)로부터 제1 리드 프레임(11)측으로 협폭이 되어 연신하고 또한 수지 성형체(20) 내에 매립되어 상기 패키지(180)의 외부 및 오목부(25) 내에 노출되어 있지 않은 제4 연신부(124)를 갖고 있다. 보다 상세하게는, 제3 연신부(113) 및 제4 연신부(124)는, 오목부 측벽의 바로 밑에 위치하는 수지 성형체(20) 내에 매립되어 있다. 이와 같이, 제3 연신부(113) 및 제4 연신부(124)가 설치됨으로써, 이격 영역(15) 부근에 걸리는 응력에 대한 패키지(180)의 강도를 더욱 높일 수 있다. 또한, 제3 연신부(113) 및 제4 연신부(124)가 수지 성형체(20) 내에 매립되어 상기 패키지(180)의 외부 및 오목부(25) 내에 노출되어 있지 않음으로써, 이격 영역(15) 부근의 높은 보강 효과를 얻을 수 있다. 또한, 본 예와 같이, 제3 연신부(113) 및 제4 연신부(124)가 각각 제1 연신부(111) 및 제2 연신부(122)보다 협폭임으로써, 수지 성형체(20) 내에 매립하기 쉬워 바람직하다. 또한, 이것에 한정되지 않고, 제3 연신부(113) 및 제4 연신부(124)는, 예를 들어 하면 등 일부가 패키지(180)(수지 성형체(20))의 외부에 노출되어 있어도 되고, 오목부(25) 내에 노출되어 있어도 된다.
또한, 도 4의 (a) 내지 (c)에 도시한 패키지(180)는, 제3 연신부(113) 및 제4 연신부(124)의 양쪽을 갖고 있지만, 제3 연신부(113) 및 제4 연신부(124) 중 어느 한쪽만을 가져도 된다. 또한, 패키지(180)에서는, 제3 연신부(113)는 제1 리드 프레임(11)에, 제4 연신부(124)는 제2 리드 프레임(12)에 각각 설치되어 있지만, 제3 연신부(113) 및 제4 연신부(124)의 양쪽이 제1 리드 프레임(11) 또는 제2 리드 프레임(12) 중 어느 한쪽에만 설치되어 있어도 된다. 또한, 패키지(180)에서는, 제3 연신부(113)와 제4 연신부(124)는, 상면에서 볼 때, 패키지(180)의 제1 긴 변측과 제2 긴 변측(제2 긴 변은 제1 긴 변에 대향하는 긴 변임)에 각각 설치되어 있지만, 실시 형태1의 패키지(100)와 같이 동일한 긴 변측(제1 긴 변측만)에 설치되어도 된다. 이들 중 어느 쪽의 형태이어도, 패키지(180)의 강도를 높이는 효과를 발휘할 수 있다.
도 4의 (a) 내지 (c)에 도시한 패키지(180)에 있어서, 제1 리드 프레임(11)은, 제1 본체부(115)로부터 제2 리드 프레임(12)측으로 협폭이 되어 연신하는 제1 연신부(111)를 갖고 있다. 제1 본체부(115)의 상면 및 제1 연신부(111)의 상면은 오목부(25)의 저면을 구성하고 있다. 또한, 제2 리드 프레임(12)은, 제2 본체부(125)로부터 제1 리드 프레임(11)측으로 협폭이 되어 연신하는 제2 연신부(122)를 갖고 있다. 제2 본체부(125)의 상면 및 제2 연신부(122)의 상면은 오목부(25)의 저면을 구성하고 있다. 제1 연신부(111)와 제2 연신부(122)는, 상면에서 볼 때, 짧은 방향에서 서로 대향하고 있다. 그리고, 제3 연신부(113)는, 상면에서 볼 때, 짧은 방향에서 제2 연신부(122)에 대향하고 있고, 제4 연신부(124)는, 상면에서 볼 때, 짧은 방향에서 제1 연신부(111)에 대향하고 있다. 이에 의해, 제1 리드 프레임(11)에 2개의 연신부(111, 113)와, 제2 리드 프레임(12)에 2개의 연신부(122, 124)가, 상면에서 볼 때, 짧은 방향에서 서로 끼우도록 배치되고, 이격 영역(15)이 뒤얽힌 형상으로 설치된다. 따라서, 이격 영역이 짧은 방향에 평행한 일직선상으로 관통하는 부분을 갖는 형상으로 설치되는 경우에 비하여, 예를 들어 패키지(180)를 이격 영역(15)에서 접으려고 하는 바와 같은, 이격 영역(15) 부근에 걸리는 응력에 대한 패키지(180)의 강도를 보다 한층 높일 수 있다.
또한, 제1 연신부(111)의 상면 및 제2 연신부(122)의 상면은, 제1 리드 프레임의 제1 본체부(115)의 상면에 적재되는 발광 소자(31)와, 제2 리드 프레임의 제2 본체부(125)의 상면에 적재되는 발광 소자(32)를 병렬 접속하기 위한 와이어 접속 영역으로서 기능시킬 수 있다. 또한, 제1 및 제2 연신부(111, 122)는, 보호 소자 등의 적재 영역 및 그 와이어의 접속 영역으로서 기능시킬 수 있다. 이들에 의해, 와이어를 비교적 짧게 형성하여 와이어에 의한 광흡수를 경감시킬 수 있어 광의 취출 효율을 높일 수 있다. 이와 같이, 이격 영역(15)에 인접하는 제1 및 제2 연신부(111, 122)의 상면은 와이어의 접속 영역이 되므로, 이격 영역(15) 부근에 걸리는 응력에 대한 패키지(180)의 강도를 높이는 것은, 와이어의 단선을 억제하는 점에서도 중요하다.
이상, 각 실시 형태의 발광 장치용 패키지에 있어서, 상면에서 볼 때 짧은 방향에 대한 길이 방향의 크기의 비(길이 방향의 크기(길이)/짧은 방향의 크기(폭))는, 예를 들어 1.5 이상, 바람직하게는 2 이상, 보다 바람직하게는 3 이상인 것이 패키지의 보강 효과의 관점에서 바람직하다. 단, 본 발명은, 이상의 실시 형태에 한정되지 않고, 예를 들어 상면에서 볼 때, 정사각 형상의 발광 장치용 패키지에도 적용할 수 있다.
이하, 본 발명의 발광 장치용 패키지 및 발광 장치의 각 구성 요소에 대해서 설명한다.
(리드 프레임(11, 12, 13))
리드 프레임은, 발광 소자나 보호 소자에 접속되어 도전 가능한 금속 부재를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 구리, 알루미늄, 금, 은, 텅스텐, 철, 니켈, 코발트, 몰리브덴, 또는 이들 합금, 인청동, 철을 함유하는 구리 등의 금속판에 각종 가공을 실시한 것을 들 수 있다. 또한, 그 표층에, 은, 알루미늄, 로듐, 금, 구리, 또는 이들 합금 등의 도금이나 광 반사막이 설치되어 있어도 되고, 그 중에서도 광 반사성이 가장 우수한 은이 바람직하다. 또한, 리드 프레임의 박육 영역, 오목부나 홈, 관통 구멍 등의 모든 형상은, 리드 프레임을 구성하는 판재에 프레스나 압연, 에칭 등의 가공을 실시함으로써 형성할 수 있다.
(수지 성형체(20))
수지 성형체의 모재는, 지방족 폴리아미드 수지, 반방향족 폴리아미드 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리시클로헥산테레프탈레이트, 액정 중합체, 폴리카르보네이트 수지, 신디오탁틱 폴리스티렌, 폴리페닐렌에테르, 폴리페닐렌술피드, 폴리에테르술폰 수지, 폴리에테르케톤 수지, 폴리아릴레이트 수지 등의 열가소성 수지, 에폭시 수지, 에폭시 변성 수지, 실리콘 수지, 실리콘 변성 수지, 폴리비스말레이미드트리아진 수지, 폴리이미드 수지, 폴리우레탄 수지 등의 열경화성 수지를 예로 들 수 있다. 또한, 이들 모재 내에, 충전제 또는 착색 안료로서, 유리, 실리카, 산화티타늄, 산화마그네슘, 탄산마그네슘, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 수산화칼슘, 규산 칼슘, 규산 마그네슘, 월라스토나이트, 마이카, 산화아연, 티타늄산바륨, 티타늄산 칼륨, 붕산 알루미늄, 산화 알루미늄, 산화아연, 탄화규소, 산화안티몬, 주석 산 아연, 붕산 아연, 산화철, 산화크롬, 산화망간, 카본 블랙 등의 입자 또는 섬유를 혼입시킬 수 있다. 열경화성 수지는, 경화 후, 열가소성 수지에 비하여 경질의 것이 많아 크랙이나 깨짐이 발생하기 쉬우므로, 본 발명의 구성이 특히 효과를 발휘한다. 그 중에서도, 에폭시 수지 또는 에폭시 변성 수지가 특히 적합하다.
(발광 소자(31, 32))
발광 소자는, LED 소자나 반도체 레이저(LaserDiode: LD) 소자 등의 반도체 발광 소자를 사용할 수 있다. 발광 소자는, 다양한 반도체로 구성되는 소자 구조에 플러스 마이너스 한 쌍의 전극이 설치되어 있는 것이면 된다. 특히, 형광체를 효율적으로 여기 가능한 질화물 반도체(InxAlyGa1-x-yN, 0≤x, 0≤y, x+y≤1)의 발광 소자가 바람직하다. 이 외에, 녹색 내지 적색 발광의 갈륨 비소계, 갈륨 인계 반도체의 발광 소자이어도 된다. 플러스 마이너스 한 쌍의 전극이 동일면측에 설치되어 있는 발광 소자의 경우, 각 전극을 와이어로 리드 프레임과 접속해서 페이스 업 실장된다. 플러스 마이너스 한 쌍의 전극이 서로 반대의 면에 각각 설치되어 있는 대향 전극 구조의 발광 소자인 경우, 하면 전극이 도전성 접착제로 리드 프레임에 접착되고, 상면 전극이 와이어로 리드 프레임과 접속된다. 후술하는 보호 소자의 실장 형태도 마찬가지이다. 또한, 발광 소자의 실장면측에 은이나 알루미늄 등의 금속층이나 유전체 반사막이 설치됨으로써, 광의 취출 효율을 높일 수 있다. 1개의 발광 장치용 패키지에 탑재되는 발광 소자의 개수는 1개이어도 복수이어도 되고, 그 크기나 형상, 발광 파장도 임의로 선택하면 된다. 복수의 발광 소자는, 리드 프레임이나 와이어에 의해 직렬 또는 병렬로 접속할 수 있다. 또한, 1개의 발광 장치용 패키지에, 예를 들어 청색 발광과 적색 발광의 2개, 청색 발광과 녹색 발광의 2개, 청색·녹색·적색 발광의 3개의 조합의 발광 소자가 탑재되어도 된다. 3개 이상의 발광 소자를 탑재할 경우, 예를 들어 제1 리드 프레임의 연신부(제1, 제3) 및/또는 제2 리드 프레임의 연신부(제2, 제4), 및/또는 제3 리드 프레임에 발광 소자를 적재해도 된다.
(와이어(40))
와이어는, 발광 소자의 전극 또는 보호 소자의 전극과, 리드 프레임을 접속하는 도선이다. 구체적으로는, 금, 구리, 은, 백금, 알루미늄 또는 이들 합금의 금속선을 사용할 수 있다. 특히, 밀봉 부재로부터의 응력에 의한 파단이 발생하기 어려워서 열저항 등이 우수한 금선이 바람직하다. 또한, 광 반사성을 높이기 위해서, 적어도 표면이 은으로 구성되어 있는 것이어도 된다.
(밀봉 부재(50))
밀봉 부재는, 발광 소자나 보호 소자, 와이어 등을 밀봉하여 먼지나 수분, 외력 등으로부터 보호하는 부재이다. 밀봉 부재의 모재는 전기적 절연성을 갖고, 발광 소자로부터 출사되는 광을 투과 가능(바람직하게는 투과율 70% 이상)이면 된다. 구체적으로는, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리카르보네이트 수지, 아크릴 수지, TPX 수지, 폴리노르보르넨 수지, 이들의 변성 수지, 또는 이들 수지를 1종 이상 포함하는 하이브리드 수지를 들 수 있다. 유리이어도 된다. 그 중에서도, 실리콘 수지는 내열성이나 내광성이 우수하여 고화 후의 체적 수축이 적으므로 바람직하다. 또한, 밀봉 부재는, 그 모재 내에, 충전제나 형광체 등, 다양한 기능을 갖는 입자가 첨가되어도 된다. 충전제는, 확산제나 착색제 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 실리카, 산화티타늄, 산화마그네슘, 탄산마그네슘, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 수산화칼슘, 규산 칼슘, 산화아연, 티타늄산바륨, 산화 알루미늄, 산화철, 산화크롬, 산화망간, 유리, 카본 블랙 등을 들 수 있다. 충전제의 입자 형상은 파쇄 형상이어도 구상이어도 된다. 또한, 중공 또는 다공질의 것이어도 된다.
(형광체(60))
형광체는, 발광 소자로부터 출사되는 1차 광의 적어도 일부를 흡수하여 1차 광과는 상이한 파장의 2차 광을 출사한다. 구체적으로는, 세륨으로 부활된 이트륨·알루미늄·가닛(YAG), 유로퓸 및/또는 크롬으로 부활된 질소 함유 알루미노 규산 칼슘(CaO-Al2O3-SiO2), 유로퓸으로 부활된 실리케이트((Sr, Ba)2SiO4), 망간으로 부활된 불화규산 칼륨(K2SiF6: Mn) 등을 들 수 있다. 이에 의해, 가시 파장의 1차 광 및 2차 광의 혼색 광(예를 들어, 백색계)을 출사하는 발광 장치나, 자외광의1차 광으로 여기되어 가시 파장의 2차 광을 출사하는 발광 장치로 할 수 있다. 또한, 형광체는, 패키지의 오목부 저면측에 침강되어 있어도 되고, 오목부 내에서 분산되어 있어도 된다.
(보호 소자(70))
보호 소자는, 정전기나 고전압 서지로부터 발광 소자를 보호하기 위한 소자이다. 구체적으로는 제너 다이오드를 들 수 있다. 보호 소자는, 광흡수를 억제하기 위해서 백색 수지 등의 광 반사 부재에 의해 피복되어 있어도 된다.
(접착제)
접착제(도시하지 않음)는, 발광 소자 또는 보호 소자를 리드 프레임에 접착하는 부재이다. 절연성 접착제는, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 또는 이들 변성 수지나 하이브리드 수지 등을 사용할 수 있다. 도전성 접착제로서는, 은, 금, 팔라듐 등의 도전성 페이스트나, 금-주석 등의 땜납, 저융점 금속 등의 납재를 사용할 수 있다.
(실시예)
이하, 본 발명에 관한 실시예에 대해서 상세하게 설명한다. 또한, 본 발명은 이하에 나타내는 실시예에만 한정되지 않는 것은 물론이다.
(실시예1)
실시예1의 발광 장치는, 도 1의 (a) 내지 (c)에 도시한 예의 발광 장치(200)의 구조를 갖는 톱 뷰식의 SMD형 LED이다.
패키지(100)는, 크기가 가로 7.0mm, 세로 2.0mm, 두께 0.6mm의 직육면체 형상이며, 정극·부극을 구성하는 제1 및 제2 리드 프레임(11, 12)와 그 사이에 위치하는 제3 리드 프레임(13)에, 수지 성형체(20)가 일체로 성형되어 구성되어 있다. 또한, 이 패키지(100)는, 복수 세트의 제1, 제2, 제3 리드 프레임(11, 12, 13)이 현수 리드(개편화 후에 각 현수 리드부가 됨)를 개재하여 종횡으로 이어져서 이루어지는 가공 금속판을, 금형 내에 설치하여 유동성을 갖는 상태의 수지 성형체(20)의 구성 재료를 주입해서 고화, 이형시킨 후, 각 패키지로 분리(개편화)함으로써 제작된다.
제1, 제2, 제3 리드 프레임(11, 12, 13)은 각각, 표면에 은의 도금이 실시된 최대 두께 0.2mm의 구리 합금의 판상 소편이다. 제1 리드 프레임(11)은, 주로(현수 리드부(117)를 제외하고), 제1 본체부(115)와, 제1 연신부(111)와, 제3 연신부(113)에 의해 구성되어 있다. 제1 본체부(115)는, 가로(길이) 2.2mm, 세로(폭) 1.5mm의 상면에서 볼 때 직사각 형상의 부위이다. 제1 연신부(111)는, 제1 본체부(115)의 짧은 방향(세로 방향)의 일단부에 있어서, 제1 본체부(115)로부터 제2 리드 프레임(12)측으로 연신하는 가로(길이) 1mm, 세로(폭) 0.73mm의 상면에서 볼 때 직사각 형상의 부위이다. 제3 연신부(113)는, 제1 본체부(115)의 짧은 방향(세로 방향)의 타단부에 있어서, 제1 본체부(115)로부터 제2 리드 프레임(12)측으로 연신하는 가로(길이) 0.6mm, 세로(폭) 0.15mm의 상면에서 볼 때 직사각 형상의 부위이다. 제2 리드 프레임(12)은, 주로(현수 리드부(127)를 제외하고), 제2 본체부(125)와, 제2 연신부(122)와, 제4 연신부(124)에 의해 구성되어 있다. 이들 각 부위의 형상은 제1 리드 프레임(11)과 대략 동일하다. 제2 리드 프레임(12)은, 패키지(100)의 중앙선에 대하여, 제1 리드 프레임(11)과 대략 대칭인 것이다. 제3 리드 프레임(13)은, 주로(현수 리드부(137)를 제외하고), 가로(길이) 1.7mm, 세로(폭) 0.29mm의 상면에서 볼 때 직사각 형상의 1개의 섬 형상부로 구성되어 있다. 제3 리드 프레임(13)은 패키지(100)의 대략 중앙에 위치하고 있다.
제1 연신부(111) 및 제2 연신부(122)는 각각, 상면에서 볼 때, 짧은 방향에서 제3 리드 프레임(13)의 일부에 대향하도록 배치되어 있다. 제1 연신부(111)와 제2 연신부(122)는, 짧은 방향에서 제3 리드 프레임(13)에 대하여 동일한 측에 배치되어 있다. 제3 연신부(113)는, 짧은 방향에서 제1 연신부(111)와의 사이에서 제3 리드 프레임(13)을 끼워 두도록 배치되어 있다. 제4 연신부(124)도 또한, 짧은 방향에서 제2 연신부(122)와의 사이에서 제3 리드 프레임(13)을 끼워 두도록 배치되어 있다. 제1 연신부(111)와 제2 연신부(122)의 사이의 이격 영역(15)의 폭(길이 방향)은 0.3mm이다. 또한, 제1 리드 프레임의 제1 본체부(115)와 제3 리드 프레임(13)의 사이의 이격 영역(15)의 폭(길이 방향)은 0.3mm이다. 제2 리드 프레임의 제1 본체부(115)와 제3 리드 프레임(13)의 사이의 이격 영역(15)의 폭(길이 방향)도 마찬가지이다. 제1 연신부(111)와 제3 리드 프레임(13)의 사이의 이격 영역(15)의 폭(짧은 방향)은 0.2mm이다. 제2 연신부(122)와 제3 리드 프레임(13)의 사이의 이격 영역(15)의 폭(짧은 방향)도 마찬가지이다. 제3 연신부(113)와 제3 리드 프레임(13)의 간격(짧은 방향)은 0.2mm이다. 제3 연신부(113)와 제3 리드 프레임의 현수 리드부(137)의 간격(길이 방향)은 0.2mm이다. 제4 연신부(124)와 제3 리드 프레임(13)의 간격도 마찬가지이다. 또한, 리드 프레임의 이격 영역(15)은 프레스에 의한 펀칭으로 형성된다.
수지 성형체(20)는, 상면에서 볼 때, 외형이 가로 7.0mm, 세로 2.0mm인 직사각 형상이며, 최대 두께 0.6mm이며, 산화티타늄을 함유하는 에폭시 수지제의 성형체이다. 수지 성형체(20)의 상면측의 대략 중앙에는, 가로 6.4mm, 세로 1.4mm, 깊이 0.4mm인 상면에서 볼 때 직사각 형상(네 코너는 둥그스름함)의 오목부(25)가 형성되어 있다. 오목부(25)의 측벽면의 경사 각도는, 오목부(25)의 저면으로부터 25°이다. 제3 연신부(113)와 제4 연신부(124)는 수지 성형체(20)에 매립되어 있고, 즉, 오목부(25)의 외측에 있고, 오목부(25) 내에 노출되어 있지 않다. 따라서, 오목부(25)의 저면은, 제1 리드 프레임(11)의 제1 본체부(115)와 제1 연신부(111), 제2 리드 프레임의 제2 본체부(125)와 제2 연신부(122), 및 제3 리드 프레임의 각각의 상면, 및 이들 리드 프레임의 이격 영역(15)에 충전된 수지 성형체(20)의 표면에 의해 구성되어 있다. 또한, 제1 및 제2 리드 프레임(11, 12)의 상면에서의 오목부(25)의 저면과 오목부(25)의 측벽면의 경계에 상당하는 부위의 일부에 폭 0.12mm, 깊이 0.09mm의 오목부가 형성되어 있고, 이 오목부도 또한 수지 성형체(20)에 의해 매립되어 있다. 제1, 제2, 제3 리드 프레임(11, 12, 13)의 최하면은, 수지 성형체(20)의 최하면과 실질적으로 동일면이며, 이 수지 성형체(2)의 최하면과 함께 패키지(100)의 하면을 구성하고 있다. 제1 연신부(111)의 하면에는, 제1 본체부(115)에 밀접하는 가로(길이) 0.5mm, 세로(폭) 0.73mm, 깊이 0.13mm의 오목부(119)가 설치되어 있다. 또한, 제2 연신부(122)의 하면에도 동일한 오목부(129)가 설치되어 있다. 이 오목부(119, 129)는 수지 성형체(20)에 의해 매립되어 있다. 이에 의해, 제1 연신부(111)의 하면 노출 영역은, 오목부(119)를 매립하는 수지 성형체(20)에 의해, 제1 본체부(115)의 하면 노출 영역과 분리되어 있다. 제2 연신부(122)의 하면의 노출 영역도 또한, 오목부(129)를 매립하는 수지 성형체(20)에 의해, 제2 본체부(125)의 하면 노출 영역과 분리되어 있다. 그리고, 제1 및 제2 리드 프레임(11, 12)의 본체부의 하면의 각 노출 영역은, 대략 직사각 형상(네 코너는 둥그스름함)으로 되어 있다. 또한, 제2 리드 프레임(12)의 제2 본체부(125)의 하면의 노출 영역은, 극성 식별용으로, 1개의 코너부가 절결되어 있다. 또한, 제1, 제2, 제3 리드 프레임(11, 12, 13)의 하면의 주연에는 폭 0.1mm, 깊이 0.13mm의 오목부가 형성되어 있고, 이 오목부도 또한 수지 성형체(20)에 의해 매립되어 있다. 이 오목부는 에칭에 의해 형성된다. 패키지(100)의 길이 방향의 각 단부면에는, 제1 및 제2 리드 프레임 현수 리드부(117, 127)가 각각 노출되어 있다. 패키지(100)의 짧은 방향의 각 단부면에는, 제1, 제2, 제3 리드 프레임의 현수 리드부(117, 127, 137)가 각각 노출되어 있다. 제3 리드 프레임의 현수 리드부(137)는, 중앙부가 절결되어 두갈래로 나뉘어져 있다.
패키지(100)의 오목부(25)의 저면을 구성하는 제1 및 제2 리드 프레임(11, 12)의 상면에는 각각 발광 소자(31, 32)가 1개씩, 실리콘 수지인 절연성 접착제로 접착되어 있다. 이 발광 소자(31, 32)는, 사파이어 기판 상에, 질화물 반도체의 n형층, 활성층, p형층이 순차 적층된 청색(중심 파장 약 455nm) 발광 가능한 세로 650㎛, 가로 650㎛, 두께 150㎛의 LED 소자이다. 2개의 발광 소자(31, 32)의 중심간의 거리는 4.0mm이다. 또한, 각 발광 소자(31, 32)는, p, n 전극의 한쪽이 그 소자가 적재되어 있는 리드 프레임에 와이어(40)로 접속되고, p, n 전극의 다른 쪽이 제3 리드 프레임(13)의 상면에 와이어(40)로 접속되어 있다. 이에 의해, 2개의 발광 소자(31, 32)는 직렬 접속되어 있다. 와이어(40)는, 선 직경 25㎛의 금선이다.
또한, 제1 연신부(111)의 상면에는, 세로 150㎛, 가로 150㎛, 두께 85㎛의 대향 전극 구조의 제너 다이오드인 보호 소자(70)가 은 페이스트인 도전성 접착제로 접착되어 있다. 또한, 보호 소자(70)는, 그 상면 전극이 와이어(40)로 제2 연신부(122)의 상면에 접속되어 있다.
상기 2개의 발광 소자(31, 32)와 보호 소자(70)가 수용된 패키지(100)의 오목부(25)에는 밀봉 부재(50)가 충전되고, 각 소자를 피복하고 있다. 밀봉 부재(50)는, 실리콘 수지를 모재로 하고, 그 안에 세륨으로 부활된 이트륨·알루미늄·가닛(YAG:Ce)의 형광체(60)와, 실리카의 충전제를 함유하고 있다. 밀봉 부재(50)의 상면은, 수지 성형체(20)의 오목부 측벽의 상면과 대략 동일면이며, 거의 평탄면으로 되어 있다. 이 밀봉 부재(50)는, 유동성을 갖는 상태에 있어서, 디스펜서를 사용해서 패키지(100)의 오목부(25) 내에 충전되고, 가열 등에 의해 고화시킴으로써 형성된다. 또한, 형광체(60)는 오목부(25)의 저면측에 침강되어 있다.
(비교예1)
비교예1의 발광 장치는, 실시예1의 발광 장치에서의 제1 및 제2 리드 프레임(11, 12)에 각각, 제3 연신부(113) 및 제4 연신부(124)가 설치되어 있지 않고, 제3 리드 프레임(13)의 세로 치수(짧은 방향의 폭: 현수 리드부(137)를 제외함)가 그만큼(약 2배로) 커져 있는 것 이외에는, 실시예1의 발광 장치와 동일하게 구성된 톱 뷰식의 SMD형 LED이다.
(비교예2)
비교예2의 발광 장치는, 비교예1의 발광 장치에 있어서, 제2 리드 프레임(12)에 제2 연신부(122)가 설치되어 있지 않고, 제1 리드 프레임(11)의 제1 연신부(111)가 그만큼(제3 리드 프레임(13)의 단부면의 위치까지) 가로 방향으로 연신되어 구성된 톱 뷰식의 SMD형 LED이다.
실시예1의 발광 장치(200)는, 순 전류 150mA로, 순 전압 6.3V, 광속 103루멘(색도(x, y)=(0.275, 0.247))에서 발광 가능하다. 또한, 도 5는, 실시예1에 관한 발광 장치(200)에서의 기판 굽힘 시험의 결과를 나타내는 그래프이다. 이 기판 굽힘 시험은, 1.6mm 두께의 유리 에폭시 기판(FR-4)에 발광 장치를 실장하여, 그 기판을 뒤에서 5초간 누르는 시험이다. 도 5에 도시한 바와 같이, 기판 굽힘량 2.5mm에서의 수지 성형체의 크랙 발생률은, 비교예1의 발광 장치에서는 60%, 비교예2의 발광 장치에서는 100%인데 반해, 실시예1의 발광 장치(200)에서는 0%이다. 이와 같이, 실시예1의 발광 장치(200)는, 비교예 1, 2의 발광 장치에 비하여 응력에 대한 내성이 높여져 있어서 신뢰성이 높은 것을 알 수 있다.
이상과 같이 구성된 실시예1의 패키지 및 발광 장치는, 실시 형태1의 패키지(100) 및 발광 장치(200)와 동일한 효과를 발휘할 수 있다. 또한, 실시 형태2의 패키지(150) 및 발광 장치(250)에서는, 동일한 기판 굽힘 시험에서의 크랙 발생률을 보다 저감시키는 것도 가능하다.
본 발명에 관한 발광 장치용 패키지는, SMD형 LED의 패키지로서 적절하게 이용할 수 있다. 또한, 본 발명에 관한 패키지를 사용한 발광 장치는, 액정 디스플레이의 백라이트 광원, 각종 조명 기구, 대형 디스플레이, 광고나 행선지 안내 등의 각종 표시 장치, 나아가, 디지털 비디오 카메라, 팩시밀리, 복사기, 스캐너 등에서의 화상 판독 장치, 프로젝터 장치 등에 이용할 수 있다.
당 기술 분야에서 숙련된 자라면, 상술한 본 발명의 다양한 적합한 실시예는 단순히 본 발명을 예시하기 위해 설명된 것이지 기술된 특정 실시예로 제한되는 것이 아니며, 본 발명의 범주를 벗어나지 않는 그 모든 변경이나 변형예에 모두 적용될 수 있는 것임을 이해할 수 있을 것이다. 본원은 2013년 6월 28일자의 일본 특허 출원 제2013-136421호와 2014년 4월 25일자의 일본 특허 출원 제2014-090906호를 기초로 한 것이며, 이들 명세서의 내용은 본 명세서에 참고로 도입되어 있다.
100, 140, 150, 180 : 발광 장치용 패키지
11 : 제1 리드 프레임
111 : 제1 연신부
113 : 제3 연신부
115 : 제1 본체부
117 : 현수 리드부
119 : 하면의 오목부
12 : 제2 리드 프레임
122 : 제2 연신부
124 : 제4 연신부
125 : 제2 본체부
127 : 현수 리드부
129 : 하면의 오목부
13 : 제3 리드 프레임
133 : 제1 매립 연신부
134 : 제2 매립 연신부
137 : 현수 리드부
15 : 이격 영역
20 : 수지 성형체
25 : 오목부
31 : 제1 발광 소자
32 : 제2 발광 소자
40 : 와이어
50 : 밀봉 부재
60 : 형광체
70 : 보호 소자
200, 240, 250, 280 : 발광 장치

Claims (23)

  1. 상면에서 볼 때, 길이 방향과, 상기 길이 방향에 직교하는 짧은 방향을 갖는 발광 장치용 패키지로서, 상기 발광 장치용 패키지는,
    상기 길이 방향으로 배열된 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임과,
    상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임의 사이에 설치된 제3 리드 프레임과,
    상기 제1, 제2, 제3 리드 프레임과 일체로 성형된 수지 성형체를 구비하며,
    상기 제1 리드 프레임은, 본체부와, 상기 본체부로부터 상기 제2 리드 프레임측으로 협폭이 되어 연신하는 제1 연신부를 갖고,
    상기 제2 리드 프레임은, 본체부와, 상기 본체부로부터 상기 제1 리드 프레임측으로 협폭이 되어 연신하는 제2 연신부를 갖고,
    상기 제1 연신부 및 상기 제2 연신부는 각각, 상면에서 볼 때, 상기 짧은 방향에서 상기 제3 리드 프레임에 대향하고 있고,
    상기 길이 방향의 2개의 단부면에서, 상기 제1 리드 프레임의 현수 리드부와 상기 제2 리드 프레임의 현수 리드부는 상기 수지 성형체와 동일 평면에 노출되고, 상기 짧은 방향의 2개의 단부면에서, 상기 제1, 제2, 제3 리드 프레임의 현수 리드부는 상기 수지 성형체와 동일 평면에 노출되고, 상기 제1, 제2, 제3 리드 프레임의 최하면은 상기 수지 성형체의 최하면과 함께 상기 발광 장치용 패키지의 하면을 구성하고,
    상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임의 최하면을 상기 발광 장치용 패키지의 실장면으로 하는, 발광 장치용 패키지.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 연신부 및 상기 제2 연신부는, 상면에서 볼 때, 상기 패키지의 동일한 긴 변측에 배치되어 있는, 발광 장치용 패키지.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 리드 프레임은, 상기 본체부로부터 상기 제2 리드 프레임측으로 협폭이 되어 연신하고, 또한 상기 짧은 방향에서 상기 제1 연신부와의 사이에서 상기 제3 리드 프레임이 끼워져 배치되는 제3 연신부를 갖고,
    상기 제2 리드 프레임은, 상기 본체부로부터 상기 제1 리드 프레임측으로 협폭이 되어 연신하고, 또한 상기 짧은 방향에서 상기 제2 연신부와의 사이에서 상기 제3 리드 프레임이 끼워져 배치되는 제4 연신부를 갖는, 발광 장치용 패키지.
  4. 제3항에 있어서, 상기 수지 성형체는, 제1, 제2, 제3 리드 프레임과 함께, 발광 소자를 수용하는 오목부를 형성하고 있고,
    상기 제3 연신부 및 상기 제4 연신부는, 상기 수지 성형체 내에 매립되어 상기 패키지의 외부 및 상기 오목부 내에 노출되어 있지 않은, 발광 장치용 패키지.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 연신부 및 상기 제2 연신부는, 상기 짧은 방향에서 상기 제3 리드 프레임을 끼워서 배치되어 있는, 발광 장치용 패키지.
  6. 상면에서 볼 때, 길이 방향과, 상기 길이 방향에 직교하는 짧은 방향을 갖는 발광 장치용 패키지로서, 상기 발광 장치용 패키지는,
    상기 길이 방향으로 배열된 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임과,
    상기 제1, 제2 리드 프레임과 일체로 성형된 수지 성형체를 구비하고,
    상기 수지 성형체는, 제1, 제2 리드 프레임과 함께, 발광 소자를 수용하는 오목부를 형성하고 있고,
    상기 제1 리드 프레임은,
    본체부와,
    상기 본체부로부터 상기 제2 리드 프레임측으로 협폭이 되어 연신하고 또한 상기 수지 성형체 내에 매립되어 상기 패키지의 외부 및 상기 오목부 내에 노출되어 있지 않은 제3 연신부를 갖고,
    상기 길이 방향의 2개의 단부면에서, 상기 제1 리드 프레임의 현수 리드부와 상기 제2 리드 프레임의 현수 리드부는 상기 수지 성형체와 동일 평면에 노출되고, 상기 짧은 방향의 2개의 단부면에서, 상기 제1 리드 프레임의 현수 리드부와 상기 제2 리드 프레임의 현수 리드부는 상기 수지 성형체와 동일 평면에 노출되고, 상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임의 최하면은 상기 수지 성형체의 최하면과 함께 상기 발광 장치용 패키지의 하면을 구성하고,
    상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임의 최하면을 상기 발광 장치용 패키지의 실장면으로 하는, 발광 장치용 패키지.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제2 리드 프레임은, 본체부와, 상기 본체부로부터 상기 제1 리드 프레임측으로 협폭이 되어 연신하고 또한 상기 수지 성형체 내에 매립되어 상기 패키지의 외부 및 상기 오목부 내에 노출되어 있지 않은 제4 연신부를 갖는, 발광 장치용 패키지.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임의 사이에 설치되고, 상기 제1, 제2 리드 프레임과 함께 상기 오목부의 저면을 구성하는 제3 리드 프레임을 갖고,
    상기 제3 연신부 및 상기 제4 연신부는 각각, 상면에서 볼 때, 상기 짧은 방향에서 상기 제3 리드 프레임에 대향하고 있는, 발광 장치용 패키지.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1 리드 프레임은, 상기 본체부로부터 상기 제2 리드 프레임측으로 협폭이 되어 연신하는 제1 연신부를 갖고,
    상기 제2 리드 프레임은, 상기 본체부로부터 상기 제1 리드 프레임측으로 협폭이 되어 연신하는 제2 연신부를 갖고,
    상기 제3 연신부는, 상기 짧은 방향에서 상기 제1 연신부와의 사이에서 상기 제3 리드 프레임이 끼워져 배치되어 있고,
    상기 제4 연신부는, 상기 짧은 방향에서 상기 제2 연신부와의 사이에서 상기 제3 리드 프레임이 끼워져 배치되어 있는, 발광 장치용 패키지.
  10. 제7항에 있어서, 상기 제1 리드 프레임은, 상기 본체부로부터 상기 제2 리드 프레임측으로 협폭이 되어 연신하는 제1 연신부를 갖고,
    상기 제2 리드 프레임은, 상기 본체부로부터 상기 제1 리드 프레임측으로 협폭이 되어 연신하는 제2 연신부를 갖고,
    상기 제1 연신부와 상기 제2 연신부는, 상면에서 볼 때, 상기 짧은 방향에서 서로 대향하고 있고,
    상기 제3 연신부는, 상면에서 볼 때, 상기 짧은 방향으로 상기 제2 연신부에 대향하고 있고,
    상기 제4 연신부는, 상면에서 볼 때, 상기 짧은 방향으로 상기 제1 연신부에 대향하고 있는, 발광 장치용 패키지.
  11. 제9항에 있어서, 상기 제3 연신부 및 상기 제4 연신부는 각각, 상기 제1 연신부 및 상기 제2 연신부보다 협폭인, 발광 장치용 패키지.
  12. 상면에서 볼 때, 길이 방향과, 상기 길이 방향에 직교하는 짧은 방향을 갖는 발광 장치용 패키지로서,
    상기 길이 방향으로 배열된 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임과,
    상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임의 사이에 설치된 제3 리드 프레임과,
    상기 제1, 제2, 제3 리드 프레임과 일체로 성형된 수지 성형체를 구비하며,
    상기 수지 성형체는, 제1, 제2, 제3 리드 프레임과 함께, 발광 소자를 수용하는 오목부를 형성하고 있고,
    상기 제1 리드 프레임과 상기 제3 리드 프레임 중 적어도 한쪽은, 상기 제1 리드 프레임과 상기 제3 리드 프레임의 사이에 협폭이 되어 연신하고 또한 상기 수지 성형체 내에 매립되어 상기 패키지의 외부 및 상기 오목부 내에 노출되어 있지 않은 제1 매립 연신부를 갖고,
    상기 길이 방향의 2개의 단부면에서, 상기 제1 리드 프레임의 현수 리드부와 상기 제2 리드 프레임의 현수 리드부는 상기 수지 성형체와 동일 평면에 노출되고, 상기 짧은 방향의 2개의 단부면에서, 상기 제1, 제2, 제3 리드 프레임의 현수 리드부는 상기 수지 성형체와 동일 평면에 노출되고, 상기 제1, 제2, 제3 리드 프레임의 최하면은 상기 수지 성형체의 최하면과 함께 상기 발광 장치용 패키지의 하면을 구성하고,
    상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임의 최하면을 상기 발광 장치용 패키지의 실장면으로 하는, 발광 장치용 패키지.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제2 리드 프레임과 상기 제3 리드 프레임 중 적어도 한쪽은, 상기 제2 리드 프레임과 상기 제3 리드 프레임의 사이에 협폭이 되어 연신하고 또한 상기 수지 성형체 내에 매립되어 상기 패키지의 외부 및 상기 오목부 내에 노출되어 있지 않은 제2 매립 연신부를 갖는, 발광 장치용 패키지.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제1 매립 연신부는, 상기 제1 리드 프레임에만 설치되고,
    상기 제2 매립 연신부는, 상기 제2 리드 프레임에만 설치되어 있는, 발광 장치용 패키지.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제1 리드 프레임은, 본체부와, 상기 본체부로부터 상기 제2 리드 프레임측으로 협폭이 되어 연신하는 제1 연신부를 갖고,
    상기 제2 리드 프레임은, 본체부와, 상기 본체부로부터 상기 제1 리드 프레임측으로 협폭이 되어 연신하는 제2 연신부를 갖고,
    상기 제1 매립 연신부는, 상기 짧은 방향으로 상기 제1 연신부와의 사이에서 상기 제3 리드 프레임이 끼워져 배치되어 있고,
    상기 제2 매립 연신부는, 상기 짧은 방향으로 상기 제2 연신부와의 사이에서 상기 제3 리드 프레임이 끼워져 배치되어 있는, 발광 장치용 패키지.
  16. 제13항에 있어서, 상기 제1 및 제2 매립 연신부는, 상기 제3 리드 프레임에만 설치되어 있는, 발광 장치용 패키지.
  17. 제1항에 있어서, 상기 수지 성형체의 모재는, 에폭시 수지, 에폭시 변성 수지, 실리콘 수지, 실리콘 변성 수지, 폴리비스말레이미드트리아진 수지, 폴리이미드 수지, 폴리우레탄 수지 중 어느 하나인 발광 장치용 패키지.
  18. 제17항에 있어서, 상기 수지 성형체의 모재는, 에폭시 수지 또는 에폭시 변성 수지인, 발광 장치용 패키지.
  19. 제1항에 있어서, 상기 제3 리드 프레임은, 상기 발광 장치용 패키지의 상기 길이 방향의 대략 중앙에 위치하고 있는, 발광 장치용 패키지.
  20. 삭제
  21. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 기재된 발광 장치용 패키지와,
    상기 제1 리드 프레임의 본체부의 상면에 적재된 제1 발광 소자와,
    상기 제2 리드 프레임의 본체부의 상면에 적재된 제2 발광 소자를 구비하는 발광 장치.
  22. 제21항에 있어서, 상기 제1 발광 소자 및 상기 제2 발광 소자는 각각, 상기 제3 리드 프레임의 상면과 와이어에 의해 접속되어 있는, 발광 장치.
  23. 제21항에 있어서, 상기 제1 연신부의 상면에 적재되고, 상기 제2 연신부의 상면과 와이어에 의해 접속된 보호 소자를 구비하는, 발광 장치.
KR1020140078076A 2013-06-28 2014-06-25 발광 장치용 패키지 및 그것을 사용한 발광 장치 KR102227798B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2013-136421 2013-06-28
JP2013136421 2013-06-28
JPJP-P-2014-090906 2014-04-25
JP2014090906A JP6484396B2 (ja) 2013-06-28 2014-04-25 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150002501A KR20150002501A (ko) 2015-01-07
KR102227798B1 true KR102227798B1 (ko) 2021-03-15

Family

ID=51224677

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140078076A KR102227798B1 (ko) 2013-06-28 2014-06-25 발광 장치용 패키지 및 그것을 사용한 발광 장치

Country Status (6)

Country Link
US (4) US9406856B2 (ko)
EP (1) EP2819192B1 (ko)
JP (1) JP6484396B2 (ko)
KR (1) KR102227798B1 (ko)
CN (1) CN104253203B (ko)
TW (1) TWI616003B (ko)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6102187B2 (ja) * 2012-10-31 2017-03-29 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
JP6107136B2 (ja) 2012-12-29 2017-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置
JP6610703B2 (ja) * 2013-06-28 2019-11-27 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ
JP6484396B2 (ja) 2013-06-28 2019-03-13 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
EP3232482A4 (en) * 2014-12-11 2018-05-23 Citizen Electronics Co., Ltd Light emitting device
US9711700B2 (en) * 2014-12-26 2017-07-18 Nichia Corporation Light emitting device and method for producing the same
JP6472728B2 (ja) 2015-08-04 2019-02-20 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置を備えたバックライト
KR102562192B1 (ko) * 2015-12-28 2023-08-01 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 및 광원 모듈
DE102017201882A1 (de) 2016-02-09 2017-08-24 Nichia Corporation Leuchtvorrichtung und die Leuchtvorrichtung aufweisende Hintergrundbeleuchtung
US9870985B1 (en) * 2016-07-11 2018-01-16 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with clip alignment notch
JP6729254B2 (ja) * 2016-09-30 2020-07-22 日亜化学工業株式会社 発光装置及び表示装置
KR20180046274A (ko) * 2016-10-27 2018-05-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 패키지
JP6680258B2 (ja) * 2017-04-21 2020-04-15 日亜化学工業株式会社 光源装置
JP6916453B2 (ja) * 2017-04-21 2021-08-11 日亜化学工業株式会社 光源装置
US10211128B2 (en) 2017-06-06 2019-02-19 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package having inspection structure and related methods
US11024667B2 (en) 2017-12-22 2021-06-01 Nichia Corporation Light-emitting device
CN111712555B (zh) 2018-02-12 2023-06-09 昕诺飞控股有限公司 照明装置、灯具和提供聚合物主体基质元件的方法
JP7089167B2 (ja) * 2018-04-23 2022-06-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2019219177A1 (en) * 2018-05-15 2019-11-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Carrier for an optoelectronic device, method for producing a carrier for an optoelectronic device
US11073572B2 (en) * 2019-01-17 2021-07-27 Infineon Technologies Ag Current sensor device with a routable molded lead frame
US10910294B2 (en) 2019-06-04 2021-02-02 Amkor Technology Singapore Holding Pte. Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
US11075131B2 (en) * 2019-08-22 2021-07-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor package and method of forming the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011136356A1 (ja) * 2010-04-30 2011-11-03 ローム株式会社 Ledモジュール
JP2011254080A (ja) 2010-06-01 2011-12-15 Lg Innotek Co Ltd 発光素子パッケージ

Family Cites Families (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0770363B2 (ja) * 1987-02-28 1995-07-31 イビデン株式会社 印刷抵抗体付プリント配線板
JP3488570B2 (ja) * 1996-03-29 2004-01-19 ローム株式会社 Led発光装置およびこれを用いた面発光照明装置
US20030075724A1 (en) 2001-10-19 2003-04-24 Bily Wang Wing-shaped surface mount package for light emitting diodes
DE10041686A1 (de) 2000-08-24 2002-03-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement mit einer Vielzahl von Lumineszenzdiodenchips
JP4724965B2 (ja) * 2001-07-10 2011-07-13 ソニー株式会社 フレキシブル配線基板
JP2003110145A (ja) 2001-09-27 2003-04-11 Harvatek Corp 発光ダイオード用の翼形表面実装パッケージ
JP2005197329A (ja) 2004-01-05 2005-07-21 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型半導体装置及びそのリードフレーム構造
JP4489485B2 (ja) * 2004-03-31 2010-06-23 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP4359195B2 (ja) 2004-06-11 2009-11-04 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
KR100638721B1 (ko) * 2005-01-28 2006-10-30 삼성전기주식회사 수지 흐름 개선용 리드 프레임 구조를 갖는 측면형발광다이오드 패키지
US7675145B2 (en) 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
KR100809210B1 (ko) 2006-07-10 2008-02-29 삼성전기주식회사 고출력 led 패키지 및 그 제조방법
US7960819B2 (en) * 2006-07-13 2011-06-14 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state emitting devices
JP4952215B2 (ja) * 2006-08-17 2012-06-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4846498B2 (ja) 2006-09-22 2011-12-28 株式会社東芝 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法
TWM312778U (en) * 2006-12-22 2007-05-21 Lighthouse Technology Co Ltd Improved LED
US8093619B2 (en) 2006-12-28 2012-01-10 Nichia Corporation Light emitting device
WO2008156020A1 (ja) 2007-06-19 2008-12-24 Sharp Kabushiki Kaisha 基板及び照明装置
JP4996998B2 (ja) 2007-07-02 2012-08-08 シャープ株式会社 照明装置
KR101349605B1 (ko) * 2007-09-27 2014-01-09 삼성전자주식회사 발광소자 패키지의 제조방법
TWM330569U (en) 2007-10-09 2008-04-11 Everlight Electronics Co Ltd LED seal structure
JP5544881B2 (ja) * 2007-11-30 2014-07-09 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びこれを用いた発光装置並びに蛍光体の製造方法
KR100998233B1 (ko) 2007-12-03 2010-12-07 서울반도체 주식회사 슬림형 led 패키지
JP5585013B2 (ja) 2009-07-14 2014-09-10 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5446843B2 (ja) 2009-12-24 2014-03-19 豊田合成株式会社 Led発光装置
JP5710128B2 (ja) * 2010-01-19 2015-04-30 大日本印刷株式会社 樹脂付リードフレームの製造方法
JP5378568B2 (ja) 2010-01-29 2013-12-25 株式会社東芝 Ledパッケージ
JP5010716B2 (ja) * 2010-01-29 2012-08-29 株式会社東芝 Ledパッケージ
JP5587625B2 (ja) 2010-02-01 2014-09-10 アピックヤマダ株式会社 リードフレーム及びledパッケージ用基板
CN106067511A (zh) * 2010-03-30 2016-11-02 大日本印刷株式会社 带树脂引线框、半导体装置及其制造方法
JP5533203B2 (ja) 2010-04-30 2014-06-25 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
JP5528900B2 (ja) 2010-04-30 2014-06-25 ローム株式会社 発光素子モジュール
KR101039994B1 (ko) 2010-05-24 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 구비한 라이트 유닛
JP5472917B2 (ja) 2010-05-31 2014-04-16 シャープ株式会社 取引処理端末装置
US8648359B2 (en) 2010-06-28 2014-02-11 Cree, Inc. Light emitting devices and methods
KR20120001189A (ko) 2010-06-29 2012-01-04 삼성엘이디 주식회사 발광 다이오드 패키지
WO2012014382A1 (ja) 2010-07-27 2012-02-02 パナソニック株式会社 半導体装置
JP2012028694A (ja) 2010-07-27 2012-02-09 Panasonic Corp 半導体装置
JP5771937B2 (ja) * 2010-10-13 2015-09-02 日亜化学工業株式会社 樹脂パッケージ及びその製造方法、樹脂パッケージを用いた発光装置
JP2012084810A (ja) 2010-10-14 2012-04-26 Toppan Printing Co Ltd Led素子用リードフレーム基板及び発光素子
JP5886584B2 (ja) 2010-11-05 2016-03-16 ローム株式会社 半導体発光装置
JP5766976B2 (ja) 2011-02-28 2015-08-19 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2012190970A (ja) 2011-03-10 2012-10-04 Panasonic Corp 発光素子用パッケージ及びそれを用いた発光装置
JP2012195430A (ja) 2011-03-16 2012-10-11 Sanken Electric Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
KR101116951B1 (ko) * 2011-03-21 2012-03-14 희성전자 주식회사 발광다이오드 패키지
JP5781801B2 (ja) 2011-03-29 2015-09-24 シチズン電子株式会社 Led発光装置
KR101806550B1 (ko) * 2011-06-14 2017-12-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
KR101253501B1 (ko) * 2011-07-27 2013-04-11 주식회사 루멘스 발광소자 패키지 및 이를 구비하는 백라이트 유닛
KR101905520B1 (ko) * 2011-08-25 2018-10-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101641744B1 (ko) * 2011-10-07 2016-07-21 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 백라이트 유닛
JP6167619B2 (ja) 2012-04-06 2017-07-26 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ成形体及びそれを用いた発光装置
CN103367344B (zh) 2012-04-11 2016-04-27 光宝电子(广州)有限公司 连板料片、发光二极管封装品及发光二极管灯条
KR101957884B1 (ko) 2012-05-14 2019-03-13 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 조명 장치
KR101886157B1 (ko) 2012-08-23 2018-08-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 조명시스템
JP6102187B2 (ja) 2012-10-31 2017-03-29 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
JP6107136B2 (ja) 2012-12-29 2017-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置
TW201434134A (zh) 2013-02-27 2014-09-01 Everlight Electronics Co Ltd 發光裝置、背光模組及照明模組
US9728685B2 (en) 2013-02-28 2017-08-08 Nichia Corporation Light emitting device and lighting device including same
US9748164B2 (en) 2013-03-05 2017-08-29 Nichia Corporation Semiconductor device
JP6291713B2 (ja) 2013-03-14 2018-03-14 日亜化学工業株式会社 発光素子実装用基体及びそれを備える発光装置、並びにリードフレーム
JP6221403B2 (ja) 2013-06-26 2017-11-01 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6484396B2 (ja) 2013-06-28 2019-03-13 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
JP6237174B2 (ja) 2013-12-05 2017-11-29 日亜化学工業株式会社 発光装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011136356A1 (ja) * 2010-04-30 2011-11-03 ローム株式会社 Ledモジュール
JP2011254080A (ja) 2010-06-01 2011-12-15 Lg Innotek Co Ltd 発光素子パッケージ

Also Published As

Publication number Publication date
EP2819192A1 (en) 2014-12-31
JP6484396B2 (ja) 2019-03-13
US20170207377A1 (en) 2017-07-20
US20180254394A1 (en) 2018-09-06
TWI616003B (zh) 2018-02-21
US20150001559A1 (en) 2015-01-01
JP2015029052A (ja) 2015-02-12
CN104253203B (zh) 2018-03-06
US10305011B2 (en) 2019-05-28
CN104253203A (zh) 2014-12-31
TW201511366A (zh) 2015-03-16
US20160308104A1 (en) 2016-10-20
KR20150002501A (ko) 2015-01-07
US9647190B2 (en) 2017-05-09
US9406856B2 (en) 2016-08-02
EP2819192B1 (en) 2019-03-13
US9991432B2 (en) 2018-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102227798B1 (ko) 발광 장치용 패키지 및 그것을 사용한 발광 장치
US10374136B2 (en) Light emitting apparatus
KR102109651B1 (ko) 발광 장치용 패키지 및 그것을 구비하는 발광 장치, 및 그 발광 장치를 구비하는 조명 장치
US9281460B2 (en) Light emitting device package and light emitting device having lead-frames
JP6532200B2 (ja) パッケージ及びそれを用いた発光装置
JP6544410B2 (ja) 発光素子実装用基体及びそれを備える発光装置
JP6610703B2 (ja) 発光装置用パッケージ
JP6414609B2 (ja) 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant