KR20080062504A - 측면 발광 다이오드 패키지 제조방법 - Google Patents

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KR20080062504A
KR20080062504A KR1020060138413A KR20060138413A KR20080062504A KR 20080062504 A KR20080062504 A KR 20080062504A KR 1020060138413 A KR1020060138413 A KR 1020060138413A KR 20060138413 A KR20060138413 A KR 20060138413A KR 20080062504 A KR20080062504 A KR 20080062504A
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Abstract

발광 다이오드 칩에서 방출된 광을 측면으로 방출하기 위한 측면 발광 다이오드 패키지 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 측면 발광 다이오드 패키지 제조방법은, 기부, 기부로부터 하측에 형성되어 발광 다이오드 칩 실장영역을 한정하는 단차부 및 기부와 단차부 사이에 형성된 제1 경사면을 갖는 제1 리드단자를 형성한다. 그리고 제2 리드단자를 형성한다. 이 후, 제1 리드단자와 제2 리드단자를 인접하게 배치한다. 이어서, 제1 및 제2 리드단자들을 지지하되 제2 리드단자의 일부 및 적어도 제1 리드단자의 단차부와 제1 경사면을 노출시키는 기다란 형상의 개구부를 갖는 패키지 본체를 형성한다. 이에 따라, 발광 다이오드 칩에서 방출된 광을 반사율이 높은 제1 리드단자의 경사면에서 반사시킬 수 있어 패키지의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
발광 다이오드, 측면 발광 다이오드, 가시각, 발광 효율, 리드프레임, 리드단자

Description

측면 발광 다이오드 패키지 제조방법{A METHOD FOR FABRICATING SIDE-VIEW LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}
도 1은 종래기술에 따른 측면 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 평면도이다.
도 2는 종래기술에 따른 측면 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 사시도이다.
도 3은 종래기술에 따른 측면 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위해 도 1의 절취선 A-A를 따라 취해진 단면도이다.
도 4는 종래기술에 따른 측면 발광 다이오드 패키지 제조에 사용되는 리드프레임을 간략히 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 측면 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 측면 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위해 도 4의 절취선 B-B를 따라 취해진 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 측면 발광 다이오드 패키지 제조에 사용되는 리드프레임들을 간략히 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시예들에 따라 제조된 측면 발광 다이오드의 제1 리드단 자들을 설명하기 위해 간략화된 사시도들이다.
본 발명은 측면(side-view) 발광 다이오드 패키지 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 분리된 2개의 리드프레임을 사용하여 단차부를 구비하는 리드단자및 이를 채택한 측면 발광 다이오드 패키지를 제조하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 발광 다이오드 칩을 이용하는 광원 시스템은 사용하고자 하는 용도에 따라 여러 형태의 패키지에 발광 다이오드(LED) 칩을 실장하여 형성한다. 측면 발광 다이오드 패키지는 도광판의 측면에 배치되어, 도광판에 평행하게 빛을 제공하기 때문에 디스플레이용 백라이트 조명에 주로 사용된다.
도 1 및 도 2는 종래의 측면 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 평면도 및 사시도이고, 도 3은 도 1의 절취선 A-A를 따라 취해진 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 측면 발광 다이오드 패키지는 한 쌍의 리드 단자 즉, 제1 및 제2 리드단자들(11, 13)을 포함한다. 상기 제1 및 제2 리드단자들은 인청동판으로 제작된 리드프레임으로부터 형성되며, 그 표면은 광반사율을 높이기 위해 은(Ag) 도금되어 있다. 제1 및 제2 리드단자들(11, 13)은 패키지 본체(15)에 의해 지지된다. 패키지 본체(15)는 일반적으로 폴리프탈아미드(Polyphthalamide; PPA)로 리드단자들을 삽입 몰딩하여 형성된다.
설명의 편의상, 패키지 본체(15)는 제1 및 제2 리드단자들(11, 13)의 위치를 기준으로 상부 패키지 본체(15a)와 하부 패키지 본체(15b)로 구분될 수 있다.
상부 패키지 본체(15a)는 제1 및 제2 리드단자들(11, 13)을 노출시키는 개구부(16)를 갖는다. 제1 및 제2 리드단자들(11, 13)은 개구부(16)의 바닥, 즉 하부 패키지 본체(15b) 상에 위치하며, 개구부 내에서 서로 이격되어 있다. 또한, 제1 및 제2 리드단자들(11, 13)은 외부 전원에 전기적으로 연결되기 위해 각각 패키지 본체(15)의 외부로 돌출되어 있다. 외부로 돌출된 리드단자들(11, 13)은 다양한 형상을 가질 수 있으며, 다양한 형상으로 절곡될 수 있다. 도 1 및 도 2는 표면 실장을 위해 패키지 본체(15)의 하부면에서 측면으로 절곡된 리드단자들(11, 13)을 도시하고 있다.
개구부(16) 내의 제1 리드단자(11) 상에 발광 다이오드 칩(17)이 실장되어 전기적으로 연결되며, 본딩와이어에 의해 제2 리드단자(13)에 전기적으로 연결된다. 개구부(16)는 투광성 수지(23)로 채워질 수 있으며, 투광성 수지 내에 형광체들이 함유될 수 있다.
종래의 측면발광 다이오드 패키지는 기다란 형상의 개구부(16)를 마련하고, 측벽들, 특히 장축방향의 측벽들(15w)을 경사지게 형성하여 장축 방향의 가시각을 넓힌다. 이에 따라, 디스플레이용의 백라이트에 적합한 측면발광 다이오드 패키지가 제공되며, 발광 다이오드 칩 및 형광체의 적절한 선택에 의해 백색광을 방출하는 측면 발광 다이오드가 제공될 수 있다.
그러나, 종래기술에 따른 측면 발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드 칩에서 내벽들(15w)로 방출된 광이 반사율이 낮은 패키지 본체의 내벽들(15w)에서 흡 수, 산란되어 광효율이 떨어지는 문제점이 있다.
또한, 개구부(16)의 바닥면이 평평한 경우 액상 수지가 흘러내리기 때문에 볼록한 형상의 파장 변환재를 형성하는 것이 어렵다.
이에 따라, 단차부를 구비하는 리드단자들을 채택한 발광 다이오드 패키지가 제안된 바 있다. 그러나, 종래의 발광 다이오드 패키지 제조방법에 따르면, 제1 및 제2 리드단자(11, 13)들은 단일 인청동판을 펀칭하여 제작된 하나의 리드프레임을 사용하여 제작된다.
도 4는 종래기술에 따른 측면 발광 다이오드 패키지 제조에 사용되는 리드프레임을 간략히 나타낸 도면이다.
도면을 참조하면, 폴리프탈아미드에 삽입 몰딩하여 패키지 본체를 형성하기 전 제1 리드단자(11) 및 제2 리드단자(13)가 리드프레임(10)에 고정 형성되어 있다. 이 경우, 단차부를 형성하기 위해 제1 리드단자(11)를 절곡하게 되면, 리드프레임(10) 상에서 제1 리드단자(11)와 제2 리드단자(13) 사이의 간격이 지나치게 벌어지게 되어, 결과적으로 제1 리드단자(11) 상의 발광 다이오드 칩이 실장될 부분이 패키지 본체(15)의 개구부(16) 바닥의 중앙 부분에 위치하도록 패키지를 제조하기가 곤란한 문제점이 발생한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 발광효율을 향상시키고, 파장변환재를 쉽게 형성할 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여, 본 발명은 측면 발광 다이오드 패키지 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 발광 다이오드 칩에서 방출된 광을 측면으로 방출하기 위한 측면 발광 다이오드 패키지 제조방법은, 기부, 상기 기부로부터 하측에 형성되어 발광 다이오드 칩 실장영역을 한정하는 단차부 및 상기 기부와 상기 단차부 사이에 형성된 제1 경사면을 갖는 제1 리드단자를 형성한다. 그리고, 제2 리드단자를 형성한다. 이 후, 상기 제1 리드단자와 제2 리드단자를 인접하게 배치하고, 상기 제1 및 제2 리드단자들을 지지하되 상기 제2 리드단자의 일부 및 적어도 상기 제1 리드단자의 상기 단차부와 상기 제1 경사면을 노출시키는 기다란 형상의 개구부를 갖는 패키지 본체를 형성한다. 이에 따라, 발광 다이오드 칩에서 방출된 광을 반사율이 높은 제1 리드단자의 제1 경사면에서 반사시킬 수 있어 패키지의 광 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 단차부에 의해 상기 개구부 내에 오목부가 형성되므로, 형광체를 함유하는 액상 수지를 도팅하여 파장변환재를 쉽게 형성할 수 있다.
한편, 상기 제1 리드단자와 상기 제2 리드단자는 서로 분리된 리드프레임들로부터 형성될 수 있다.
그리고, 상기 제1 리드단자는 상기 단차부로부터 연장되고, 상기 제1 경사면에 대향하여 위치하고 상기 개구부 내에 노출되는 제2 경사면을 더 포함하되, 상기 제1 리드단자의 제2 경사면은 상기 개구부의 장축방향을 가로지르며, 상기 패키지 본체의 단축방향의 내벽들과 만나거나 또는 상기 내벽들과 만나기 전에 종단될 수 있다.
또한, 상기 제1 리드단자는 상기 단차부로부터 상기 개구부의 단축방향의 양쪽으로 각각 연장된 날개부들을 더 포함하되, 상기 날개부들은 상기 단차부로부터 절곡되어 제3 및 제4 경사면들을 형성하고, 상기 제3 및 제4 경사면들은 상기 개구부 내에 노출될 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 측면 발광 다이오드 제조방법은, 상기 단차부에 적어도 하나의 발광 다이오드 칩을 실장할 수 있다.
그리고, 상기 발광 다이오드 칩을 둘러싸는 파장변환재를 형성한다. 이에 따라, 발광 다이오드 칩에서 방출된 광을 파장변환하여 다양한 색상의 광을 구현할 수 있으며, 발광 다이오드 칩에서 방출된 광과 파장변환된 광의 조합에 의해 다색광, 예컨대 백색광을 구현할 수 있다.
또한, 상기 파장변환재는 상기 제1 리드단자의 단차부 및 경사면들 내에 한정되어 위치할 수 있다. 이에 더해, 상기 개구부를 채워 상기 파장변환재를 봉지하는 투명 몰딩부를 형성할 수 있다. 한편, 상기 파장변환재로 상기 개구부를 채울 수도 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 측면 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 평면도이고, 도 6은 도 5의 절취선 B-B를 따라 취해진 단면도이다. 또한, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 측면 발광 다이오드 패키지 제조에 사용되는 리드프레임들을 간략히 나타낸 도면이고, 도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 측면 발광 다이오드 패키지에 적용 가능한 제1 리드단자들을 나타낸다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 측면 발광 다이오드 패키지는 한 쌍의 리드 단자 즉, 제1 및 제2 리드단자들(51, 53)을 포함한다. 상기 제1 리드단자(51)는 기부(51a), 상기 기부로부터 아래로 절곡되어 형성된 단차부(51b) 및 상기 기부와 상기 단차부 사이에 형성된 제1 경사면(51c)을 갖는다(도 8 (a) 참조). 상기 단차부(51b)는 발광 다이오드 칩 실장영역을 한정한다. 한편, 상기 제2 리드단자(53)는 상기 제1 리드단자(51)로부터 이격되어 위치하며, 대체로 상기 제1 리드단자(51)의 기부(51a)와 동일한 레벨에 위치한다.
도 7을 참조하면, 제1 및 제2 리드단자들(51, 53)은 서로 분리된 리드프레임들(41, 43)로부터 각각 형성되며, 특히 상기 제1 리드단자(51)의 단차부(51b) 및 제1 경사면(51c)은 리드프레임(41)의 일부를 아래로 절곡하여 형성된다. 상기 제1 및 제2 리드단자들(51, 53)은 반사율을 향상시키기 위해 통상 은(Ag)으로 도금된다.
한편, 상기 제1 리드단자(51)는 상기 단차부(51b)로부터 연장되고, 상기 제1 경사면(51c)에 대향하여 위치하는 제2 경사면(51d)을 더 포함할 수 있다(도 8 (b) 참조). 이에 더하여, 상기 제1 리드단자(51)는 상기 제2 경사면(51d)으로부터 연장되고, 상기 기부(51a)와 동일한 레벨에서 평행하게 위치하는 단부(51e)를 더 포함할 수 있다(도 8 (c) 참조). 상기 단부는 매끄러운 바닥면을 제공하여 광 반사율을 향상시킨다.
리드프레임(41)의 일부를 절곡하여 단차부(51b)를 형성한 후에는, 상기 리드프레임(41)의 절곡에 의해 줄어든 거리 정도 만큼 두 개의 리드프레임들(41, 43)을 서로 접근시켜 소정 거리 이격되도록 인접하게 배치한 후 리드단자들(51, 53)이 삽입몰딩된 패키지 본체(55)를 형성한다. 따라서, 발광 다이오드 칩(57)이 실장되는 제1 리드단자의 단차부(51b)가 패키지 본체(55)의 개구부(56)의 중앙 부분 바닥에 위치하도록 패키지 본체(55)를 형성할 수 있다.
한편, 여기서 두 개의 리드프레임들(41, 43)은 서로 다른 인청동판으로부터 제작되거나 하나의 인청동판으로부터 제작될 수도 있으나, 상술한 바와 같은 제1 리드단자(51)의 단차부 형성 이전 또는 이후에는 적어도 부분적으로는 분리되어야 하며, 이에 따라 분리된 리드프레임들을 인접하게 배치하고 패키지 본체(55)를 제작하는 과정이 수행될 수 있다.
제1 및 제2 리드단자들(51, 53)은 패키지 본체(55)에 의해 지지된다. 편의상, 패키지 본체(55)를 제1 리드단자의 기부(51a) 및 제2 리드단자(53)의 위치를 기준으로 상부 패키지 본체(55a)와 하부 패키지 본체(55b)로 구분하기로 한다.
상기 패키지 본체(55)는 제1 및 제2 리드단자들(51, 53)을 노출시키는 기다란 형상의 개구부(56)를 가지며, 개구부(56)에 의해 제1 리드단자의 단차부(51b) 및 경사면들(51c, 51d)이 노출되고, 상기 제2 리드단자(53)의 일부가 노출된다. 또한, 상기 제1 리드단자의 기부(51a)가 노출될 수 있다. 이하에서, 상기 기다란 형상의 개구부(56)의 길이 방향을 장축방향으로 정의하고 그것에 수직인 방향을 단축방향으로 정의한다.
제1 및 제2 리드단자들(51, 53)은 개구부(56) 내에서 서로 이격되어 위치한다. 또한, 제1 및 제2 리드단자들(51, 53)은 외부 전원에 전기적으로 연결되기 위해 각각 패키지 본체(55)의 외부로 돌출되어 있다. 외부로 돌출된 리드단자들(51, 53)은 다양한 형상을 가질 수 있으며, 다양한 형상으로 절곡될 수 있다. 여기서는 표면 실장을 위해 패키지 본체(55)의 하부면에서 측면으로 절곡된 리드단자들(51, 53)을 도시하고 있다.
한편, 상기 제1 리드단자의 단차부(51b)는 하부 패키지 본체(55b) 쪽으로 내려가 위치하며, 이에 따라 상기 개구부(56)의 바닥에 오목부가 형성된다. 한편, 상기 제1 리드단자의 제1 경사면(51c)은 상기 개구부(56)의 장축방향을 가로지르며, 상기 패키지 본체(55)의 단축방향의 내벽들과 만나거나 또는 상기 내벽들과 만나기 전에 종단된다. 즉, 상기 개구부(56)에 의해 노출된 상기 제1 경사면(51c)은 연속적이지 않고 단속적이다. 따라서, 단축방향의 지향각 특성을 변화시키지 않으면서, 장축방향의 반사율을 높일 수 있으며, 장축방향과 단축방향의 광분포를 별개로 제어하는 것이 가능하다. 상기 제1 리드단자의 제2 경사면(51d) 또한 상기 개구부(56)의 장축방향을 가로지르며, 상기 패키지 본체(55)의 단축방향의 내벽들과 만나거나 또는 상기 내벽들과 만나기 전에 종단된다. 즉, 상기 제2 경사면(51d)은 상 기 제1 경사면(51c)과 대칭적으로 형성되며, 이에 따라 대칭성을 갖는 광분포를 얻을 수 있다.
상기 단차부(51b) 내에 발광 다이오드 칩(57)이 실장되고, 본딩와이어(59)에 의해 제2 리드단자(53)에 전기적으로 연결된다. 따라서, 상기 발광 다이오드 칩(57)에서 패키지 본체(55)의 장축 방향의 내벽(55w)으로 방출된 광은 상기 패키지 본체(55)의 내벽(55w)에 도달하기 전, 제1 리드단자(51)의 제1 경사면(51c) 및 제2 경사면(51d)에서 반사된다. 상기 제1 리드단자(51)는 통상 은으로 도금되어 있으므로, PPA와 같은 패키지 본체의 내벽에 비해 반사율이 높다. 따라서, 높은 반사율을 갖는 경사면들(51c, 51d)에서 반사되므로, 측면 발광 다이오드 패키지의 발광효율이 향상된다.
한편, 단축방향의 반사율을 향상시키기 위해, 상기 제1 리드단자는 상기 단차부(51b)로부터 개구부(56)의 단축방향의 양쪽으로 각각 연장된 날개부들(51f)을 더 포함할 수 있다(도 8 (d) 참조). 상기 날개부들은 상기 단차부로부터 절곡되어 제3 및 제4 경사면들을 형성하고, 또한 상기 제3 및 제4 경사면들은 상기 개구부(56) 내에 노출된다. 상기 날개부들(51f)은 제1 및 제2 경사면들(51c, 51d)과 떨어져 있으므로, 다른 경사각을 갖도록 절곡될 수 있어, 단축방향의 반사특성과 장축방향의 반사특성을 개별적으로 조절할 수 있다.
다시 도 6을 참조하면, 형광체를 함유하는 파장변환재(63)가 상기 발광 다이오드 칩(57) 상에 형성될 수 있다. 상기 파장변환재는 형광체를 함유하는 액상 수지를 상기 단차부(51b)에 의해 형성된 오목부 내에 도팅함으로써 형성될 수 있으 며, 따라서 상기 오목부 내에 한정되어 볼록한 형상을 갖는 파장변환재(63)가 형성될 수 있다. 종래의 측변 발광 다이오드 패키지는 바닥면이 평평하기 때문에 액상 수지를 도팅하여 파장 변환재를 형성하는 것이 어려우나, 본 발명의 실시예들에 따르면, 개구부(56) 내에 오목부가 형성되기 때문에 상기 개구부 내에 한정되는 파장변환재를 액상 수지를 사용하여 쉽게 형성할 수 있다.
상기 파장 변환재(63)는, 예컨대 에폭시 또는 실리콘 수지로 형성될 수 있으며, 발광 다이오드 칩(57)에서 방출된 광, 예컨대 청색광을 황색광으로 변환시키는 형광체를 함유할 수 있으며, 이에 따라 백색광을 방출하는 측면발광 다이오드 패키지가 제공될 수 있다. 상기 발광 다이오드 칩(57) 및 형광체는 다양하게 선택될 수 있으며, 이에 따라 다양한 색상의 광을 구현할 수 있다.
한편, 상기 파장변환재(63)로 상기 개구부(56)를 채울 수도 있으며, 상기 오목부 내에 파장변환재(63)를 형성한 후, 상기 개구부 내에 투명 몰딩부(65)를 추가적으로 형성하여 개구부(56)를 채울 수도 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 단차부를 구비하는 리드단자를 채택하여 발광효율을 향상시킬 수 있고, 형광체를 함유하는 액상 수지를 도팅하여 적합한 형상을 갖는 파장변환재를 쉽게 형성할 수 있는 측면 발광 다이오드 패키지 제조방법이 제공된다.

Claims (8)

  1. 발광 다이오드 칩에서 방출된 광을 측면으로 방출하기 위한 측면 발광 다이오드 패키지 제조방법에 있어서,
    기부, 상기 기부로부터 하측에 형성되어 발광 다이오드 칩 실장영역을 한정하는 단차부 및 상기 기부와 상기 단차부 사이에 형성된 제1 경사면을 갖는 제1 리드단자를 형성하는 단계;
    제2 리드단자를 형성하는 단계;
    상기 제1 리드단자와 제2 리드단자를 인접하게 배치하는 단계; 및
    제1 및 제2 리드단자들을 지지하되 상기 제2 리드단자의 일부 및 적어도 상기 제1 리드단자의 상기 단차부와 상기 제1 경사면을 노출시키는 기다란 형상의 개구부를 갖는 패키지 본체를 형성하는 단계를 포함하는 측면 발광 다이오드 패키지 제조방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 리드단자와 상기 제2 리드단자는 서로 분리된 리드프레임들로부터 형성되는 측면 발광 다이오드 패키지 제조방법.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 제1 리드단자는 상기 단차부로부터 연장되고, 상기 제1 경사면에 대향 하여 위치하고 상기 개구부 내에 노출되는 제2 경사면을 더 포함하되, 상기 제1 리드단자의 제2 경사면은 상기 개구부의 장축방향을 가로지르며, 상기 패키지 본체의 단축방향의 내벽들과 만나거나 또는 상기 내벽들과 만나기 전에 종단되는 측면 발광 다이오드 패키지 제조방법.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 제1 리드단자는 상기 제2 경사면으로부터 연장되고, 상기 기부와 동일한 레벨에서 평행하게 위치하는 단부를 더 포함하는 측면 발광 다이오드 패키지.
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 제1 리드단자는 상기 단차부로부터 상기 개구부의 단축방향의 양쪽으로 각각 연장된 날개부들을 더 포함하되,
    상기 날개부들은 상기 단차부로부터 절곡되어 제3 및 제4 경사면들을 형성하고, 상기 제3 및 제4 경사면들은 상기 개구부 내에 노출되는 측면 발광 다이오드 패키지.
  6. 청구항 1 내지 5의 어느 한 항에 있어서,
    상기 단차부에 적어도 하나의 발광 다이오드 칩을 실장하는 단계;를 더 포함하는 측면 발광 다이오드 패키지 제조방법.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩을 둘러싸는 파장변환재를 형성하는 단계를 더 포함하는 측면 발광 다이오드 패키지 제조방법.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 파장변환재는 상기 제1 리드단자의 단차부 및 경사면들 내에 한정되어 위치하는 측면 발광 다이오드 패키지 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US10243126B2 (en) 2017-01-20 2019-03-26 Nichia Corporation Light emitting device mounting board block, light emitting device, and method of producing the light emitting device
JP2019201232A (ja) * 2019-08-30 2019-11-21 日亜化学工業株式会社 発光装置

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