KR20080003253A - 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광다이오드 패키지 - Google Patents

히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광다이오드 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR20080003253A
KR20080003253A KR1020070063395A KR20070063395A KR20080003253A KR 20080003253 A KR20080003253 A KR 20080003253A KR 1020070063395 A KR1020070063395 A KR 1020070063395A KR 20070063395 A KR20070063395 A KR 20070063395A KR 20080003253 A KR20080003253 A KR 20080003253A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heat sink
light emitting
emitting diode
lead
package body
Prior art date
Application number
KR1020070063395A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100904152B1 (ko
Inventor
김도형
강석진
최혁중
서정후
Original Assignee
서울반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울반도체 주식회사 filed Critical 서울반도체 주식회사
Priority to DE112007003785T priority Critical patent/DE112007003785A5/de
Priority to JP2009517979A priority patent/JP5295107B2/ja
Priority to CN2012102651421A priority patent/CN102779933A/zh
Priority to EP07768519A priority patent/EP2038924A4/en
Priority to PCT/KR2007/003148 priority patent/WO2008002088A1/en
Priority to DE112007000055.4T priority patent/DE112007000055B4/de
Priority to US12/304,663 priority patent/US8482023B2/en
Priority to TW096123754A priority patent/TWI462251B/zh
Publication of KR20080003253A publication Critical patent/KR20080003253A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100904152B1 publication Critical patent/KR100904152B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49861—Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 그것을 채택하는 발광 다이오드 패키지 및 그것을 사용한 발광 다이오드 패키지 제조방법이 개시된다. 이 리드프레임은 소정 영역을 둘러싸는 외부프레임을 포함한다. 히트싱크 지지부들이 외부프레임으로부터 서로 마주보는 방향으로 내측으로 연장된다. 이 지지부들은 각각 히트싱크에 결합되는 단부를 갖는다. 또한, 리드단자들이 외부프레임으로부터 서로 마주보는 방향으로 내측으로 연장된다. 이 리드단자들은 상기 지지부들과 이격된다. 이에 따라, 상기 지지부들의 단부들에 히트싱크를 결합한 후, 삽입몰딩기술을 사용하여 패키지 본체를 형성할 수 있어, 히트싱크와 리드단자들을 쉽게 정렬시킬 수 있다.
리드프레임, 히트싱크, 패키지 본체, 리드단자, 삽입몰딩기술

Description

히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광 다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광 다이오드 패키지{LEADFRAME HAVING A HEAT SINK SUPPORTING PART, FABRICATING METHOD OF THE LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE USING THE SAME AND LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE FABRICATED BY THE METHOD}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리드프레임을 설명하기 위한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 히트싱크를 설명하기 위한 사시도이다.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지 제조 방법을 설명하기 위한 사시도들이다.
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 사시도들 및 단면도이다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 리드프레임을 설명하기 위한 사시도들이다.
(도면의 주요부호에 대한 간략한 설명)
10, 60, 70: 리드프레임, 11: 외부프레임,
13, 15: 리드단자들, 13a, 15a: 외부리드들,
13b, 15b: 내부리드들, 17: 지지부들,
19: 연결부, 20: 히트싱크,
21: 몸체부, 21a: 지지부 수용홈,
23: 돌출부, 25: 반사컵
30: 패키지 본체, 40: 발광 다이오드 다이,
50: 몰딩부
본 발명은 리드프레임, 상기 리드프레임을 사용한 발광 다이오드 패키지 제조방법 및 상기 방법에 의해 제조된 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 히트싱크와 리드프레임을 정렬시키기 위해, 삽입몰딩기술을 사용하여 패키지 본체를 형성하기 전, 히트싱크를 리드프레임에 고정시킬 수 있는 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 상기 리드프레임을 사용한 발광 다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드(light emitting diode; LED)가 조명용 광원과 같은 용도로 사용되기 위해서는, 수십 루멘 이상의 광출력(luminous power)을 가질 것이 요구된다. 발광 다이오드의 광출력은 대체로 입력전력(input power)에 비례한다. 따라서, 발광다이오드에 입력되는 전력을 증가시키어 높은 광출력을 얻을 수 있다. 그러나, 입력 전력의 증가는 발광 다이오드의 접합 온도(junction temperature)를 증가시킨다. 발광 다이오드의 접합 온도 증가는 입력 에너지가 가시광으로 변환되는 정도를 나타내는 발광 효율(photometric efficiency)의 감소로 이어진다. 이에, 입력전력의 증가에 따른 발광 다이오드의 접합 온도 증가를 방지하기 위한 구조가 필요하다.
이러한 구조의 발광 다이오드 패키지가 미국특허 제6,274,924(B1)호(명칭: 표면 실장 LED 패키지)에 개시되어 있다. 이에 따르면, LED 다이가 히트 싱크 상에 열적으로 커플링되어 있기 때문에, 상기 LED 다이를 낮은 접합 온도로 유지할 수 있다. 따라서, LED 다이에 상대적으로 큰 입력전력을 공급할 수 있어서 높은 광출력을 얻을 수 있다.
그러나, 종래의 LED 패키지는, 패키지 본체를 형성한 후, 히트싱크를 패키지 본체에 삽입함으로써 제조되나, 히트싱크가 패키지 본체로부터 쉽게 분리되는 문제점을 갖는다. 한편, 히트싱크와 리드단자들을 정렬시킨 후, 히트싱크와 리드단자를 지지하는 패키지 본체를 삽입몰딩기술을 사용하여 형성함으로써 패키지를 제조할 수 있으나, 종래의 LED 패키지는 리드단자들과 히트싱크가 분리되어 있어 리드단자와 히트싱크를 정렬시키는 것이 어렵다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 우수한 방열특성을 가지어 큰 입력전력을 입력하더라도 LED 다이의 접합온도 증가를 방지할 수 있어 높은 광출력을 얻을 수 있는 LED 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 리드단자와 히트싱크의 정렬이 용이한 LED 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 리드단자와 히트싱크를 용이하게 정렬시킬 수 있어 LED 패키지를 쉽게 제조할 수 있는 리드프레임을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제들을 이루기 위하여, 본 발명은 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광 다이오드 패키지 제조방법 및 상기 방법에 의해 제조된 발광 다이오드 패키지를 제공한다.
본 발명의 일 태양에 따른 상기 리드프레임은 소정 영역을 둘러싸는 외부프레임을 포함한다. 히트싱크 지지부들이 상기 외부프레임으로부터 서로 마주보는 방향으로 내측으로 연장된다. 상기 지지부들은 각각 히트싱크에 결합되는 단부를 갖는다. 또한, 리드단자들이 상기 외부프레임으로부터 서로 마주보는 방향으로 내측으로 연장된다. 상기 리드단자들은 상기 지지부들과 이격된다. 이에 따라, 상기 지지부들의 단부들에 히트싱크를 결합한 후, 삽입몰딩기술을 사용하여 패키지 본체를 형성할 수 있어, 히트싱크와 리드단자들을 쉽게 정렬시킬 수 있다.
상기 리드단자들은 각각 히트싱크 주변에 배치되는 내부리드와 상기 내부리드에서 연장된 외부리드를 갖는다. 본 발명의 몇몇 실시예들에 있어서, 상기 내부리드들은 각각 상기 지지부들 사이에서 히트싱크 둘레를 따라 연장될 수 있다. 이러한 내부리드들은 와이어가 본딩될 충분한 영역을 제공한다. 이에 더하여, 상기 지지부들의 단부들이 각각 상기 내부리드들 사이에서 히트싱크 둘레를 따라 연장될 수 있다. 연장된 단부들은 히트싱크에 접촉되는 접촉면이 증가하여 히트싱크를 안 정하게 지지하며, 지지부들이 패키지 본체로부터 분리되는 것을 방지한다. 또한, 상기 지지부들은 절곡되어 상기 지지부들의 단부들이 상기 리드단자들의 단부들보다 아래에 위치할 수 있다. 상기 지지부들의 절곡부는 패키지 본체 내에 매립되어 상기 지지부들이 패키지 본체로부터 분리되는 것을 방지한다.
본 발명의 다른 태양에 따른 상기 발광 다이오드 패키지 제조방법은 리드프레임을 준비하는 것을 포함한다. 상기 리드프레임은 소정 영역을 둘러싸는 외부프레임을 포함한다. 히트싱크 지지부들이 상기 외부프레임으로부터 서로 마주보는 방향으로 내측으로 연장된다. 상기 지지부들은 각각 히트싱크에 결합되는 단부를 갖는다. 또한, 리드단자들이 상기 외부프레임으로부터 서로 마주보는 방향으로 내측으로 연장된다. 상기 리드단자들은 상기 지지부들과 이격된다. 한편, 상기 지지부들에 히트싱크가 결합되어 고정된다. 그 후, 삽입몰딩 기술을 사용하여 상기 히트싱크 및 상기 히트싱크 주변의 상기 리드단자들 및 지지부들을 몰딩하여 지지하는 패키지 본체가 형성된다. 상기 패키지 본체는 상기 히트싱크의 상단부 및 상기 리드단자들의 일부들을 노출시키는 개구부를 갖는다. 본 태양에 따르면, 상기 히트싱크가 상기 지지부들에 결합되어 고정되므로, 상기 리드단자들과 상기 히트싱크는 자가정렬된다. 따라서 리드단자들과 히트싱크를 정렬시키기 위한 별도의 정렬수단 없이 히트싱크과 리드단자들을 정렬시킬 수 있어 발광 다이오드를 쉽게 제조할 수 있다.
발광 다이오드 다이가 상기 히트싱크의 상부면에 탑재되고, 상기 발광 다이오드 다이를 상기 리드단자들에 전기적으로 연결시키는 본딩와이어들이 본딩된다. 이어서, 상기 발광 다이오드 다이 및 본딩와이어들을 덮는 몰딩부가 형성된다. 상기 몰딩부는 렌즈 형상으로 형성될 수 있다. 상기 몰딩부는 상기 발광 다이오드 다이와 상기 본딩와이어들의 부분들을 덮는 제1 몰딩부와 상기 제1 몰딩부 및 상기 본딩와이어들 전체를 덮는 제2 몰딩부를 포함할 수 있다.
한편, 상기 패키지 본체는 상기 히트싱크의 상부면이 상기 패키지 본체의 상부면과 동일하거나 그보다 높은 위치에 위치하도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 히트싱크의 상부면에 탑재된 상기 발광 다이오드 다이는 상기 패키지 본체의 상부면보다 높은 위치에 위치하게 된다. 따라서 상기 발광 다이오드 다이에서 방출된 광이 상기 패키지 본체의 내벽에서 흡수되어 손실되는 것을 방지할 수 있어 발광효율을 향상시킬 수 있으며, 또한 패키지 본체의 영향을 배제함으로써 몰딩부 또는 다른 렌즈를 이용하여 발광 다이오드 다이에서 방출된 광의 경로(예컨대, 지향각 또는 광의 분포)를 제어하는 것이 용이하다.
한편, 상기 외부프레임을 제거하고, 상기 패키지 본체 외부의 지지부 및 리드단자들을 절단 및 성형함으로써 발광 다이오드 패키지가 완성된다.
본 발명의 또 다른 태양에 따른 발광 다이오드 패키지는 히트싱크를 포함한다. 히트싱크는 지지부들이 상기 히트싱크에 결합된다. 상기 지지부들은 각각 상기 히트싱크에 결합된 단부를 갖는다. 한편, 리드단자들이 상기 지지부들 및 히트싱크와 이격되어 상기 히트싱크의 양측에 배치된다. 패키지 본체가 상기 히트싱크, 상기 지지부들 및 상기 리드단자들을 몰딩하여 지지한다. 상기 패키지 본체는 상기 히트싱크의 상단부 및 상기 리드단자들의 일부분들을 노출시키는 개구부를 갖는다. 이에 따라, 상기 히트싱크와 상기 지지부가 결합되어 있어, 상기 히트싱크가 상기 패키지 본체로부터 분리되는 것이 방지된다.
한편, 상기 히트싱크는 몸체부와 상기 몸체부의 측면으로 돌출된 돌출부를 포함할 수 있다. 상기 돌출부는 상기 패키지 본체에 의해 매립되고, 상기 지지부들은 상기 몸체부에 결합된다.
또한, 상기 히트싱크는 상기 지지부들의 단부들을 수용하는 지지부 수용홈을 가질 수 있다. 상기 지지부 수용홈은 상기 지지부들의 단부들을 수용하여 상기 지지부들을 상기 히트싱크에 안정하게 결합시킨다.
한편, 상기 히트싱크의 몸체부의 상부면은 상기 패키지 본체의 상부면과 동일하거나 그보다 높은 위치에 위치할 수 있다. 이에 따라, 상기 히트싱크의 몸체부 상부면에 탑재되는 발광 다이오드 다이가 상기 패키지 본체의 상부면보다 높은 위치에 위치하게 되어, 패키지 본체의 광 흡수에 따른 광 손실을 감소시킬 수 있으며, 외부로 방출되는 광의 경로를 쉽게 제어할 수 있다.
한편, 상기 히트싱크는 상기 몸체부 상에 위치하는 반사컵을 가질 수 있다. 상기 반사컵은 발광 다이오드 다이에서 방출된 광을 반사시키어 작은 가시각 내에서 방출 광의 광도를 증가시킨다.
상기 패키지 본체는 상기 히트싱크와 상기 지지부들을 결합한 후, 열경화성 또는 열가소성 수지를 사출성형하여 형성된 플라스틱 수지이다. 따라서, 복잡한 구조를 갖는 패키지 본체가 쉽게 형성될 수 있으며, 상기 패키지 본체와 상기 히트싱크가 강하게 결합된다.
한편, 상기 지지부들은 절곡부를 가질 수 있다. 따라서, 상기 히트싱크에 결합된 지지부들의 단부들은 상기 리드단자들보다 아래에 위치한다. 한편, 상기 절곡부는 상기 패키지 본체 내에 매립된다. 이에 따라, 상기 절곡부에 의해 지지부들이 패키지 본체로부터 분리되는 것이 방지된다.
상기 리드단자들 각각은 상기 패키지 본체로부터 외부로 돌출하는 외부리드를 갖는다. 상기 외부리드들은 상기 패키지 본체의 측벽을 따라 상기 패키지 본체 바닥면으로 절곡될 수 있다. 이에 따라, 발광 다이오드 패키지의 실장면을 최소화할 수 있다.
한편, 발광 다이오드 다이가 상기 히트싱크 상부면에 탑재된다. 상기 발광 다이오드 다이는 상기 반사컵 내에 탑재될 수 있다. 한편, 본딩와이어들이 상기 발광 다이오드 다이와 상기 리드단자들을 전기적으로 연결한다. 이에 더하여, 몰딩수지가 상기 발광 다이오드 다이 및 본딩와이어들을 덮을 수 있다. 상기 몰딩수지는 다양한 형상, 예컨대 볼록렌즈 형상을 가질 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예들을 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리드프레임(10)을 설명하기 위한 사시도이다.
도 1을 참조하면, 리드프레임(10)은 소정영역을 둘러싸는 외부프레임(11)을 갖는다. 상기 소정영역은 히트싱크가 배치되는 영역을 포함한다. 상기 외부프레임(11)은, 도시된 바와 같이, 사각형일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 원형 또는 다른 다각형일 수 있다.
히트싱크 지지부들(17)이 상기 외부프레임(11)으로부터 서로 마주보는 방향으로 내측으로 연장된다. 지지부들(17)은 각각 히트싱크에 결합되는 단부를 갖는다. 또한, 리드단자들(13, 15)이 외부프레임(11)으로부터 서로 마주보는 방향으로 내측으로 연장된다. 리드단자들(13, 15)은 지지부들(17)과 이격된다.
상기 리드단자들(13, 15)은 외부리드들(13a, 15a) 및 내부리드들(13b, 15b)을 갖는다. 내부리드들(13b, 15b)은 히트싱크가 배치될 영역의 주변에 배치되고, 상기 외부리드들(13a, 15a)은 내부리드들(13b, 15b)로부터 외부로 연장되어 외부프레임(11)에 연결된다. 상기 외부리드들(13a, 15a)은 리드들의 실장면을 증가시키기 위해, 도시한 바와 같이, 넓은 폭을 가질 수 있다. 한편, 상기 내부리드들과 외부리드들이 연결되는 부분은 리드들의 절곡을 용이하게 하기 위해 좁은 폭을 갖도록 형성될 수 있다.
한편, 상기 내부 리드들(13b, 15b)은 지지부들(17) 사이에서 히트싱크 둘레를 따라 연장될 수 있다. 연장된 내부리드들(13b, 15b) 와이어가 본딩될 수 있는 충분한 영역을 제공한다. 한편, 상기 연장된 내부리드들(13b, 15b)을 외부프레임(11)에 안정하게 유지하기 위해 외부프레임(11)과 내부리드들(13b, 15b)을 연결하는 연결부들(19)이 제공될 수 있다.
상기 지지부들(17)은 절곡되어 그 단부들이 상기 리드단자들(13, 15)의 단부들보다 아래에 위치할 수 있다. 상기 지지부들(17)의 절곡부는 패키지 본체 내에 매립되어 상기 지지부들이 패키지 본체로부터 분리되는 것을 방지한다.
상기 리드단자들(13, 15)은 탑재될 발광 다이오드 다이의 종류 및 개수와 본 딩와이어 연결방식에 의해 필요한 수가 정해지며, 다양한 경우에 사용될 수 있도록 상기 리드프레임(10)은 많은 수의 리드단자들을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 리드프레임(10)은 구리합금인 인청동판을 금형기술을 사용하여 프레스 가공함으로써 제조할 수 있다. 한편, 도 1에는 한개의 리드프레임(10)이 도시되어 있으나, 복수개의 리드프레임(10)들이 하나의 인청동판에서 제조되어 정렬될 수 있다. 특히, 발광 다이오드 패키지를 대량생산하기 위해 하나의 인청동판에 제조된 복수개의 리드프레임(10)들이 사용된다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지에 사용되는 히트싱크(20)를 설명하기 위한 사시도이다.
도 2를 참조하면, 상기 히트싱크(20)는 몸체부(21)와 상기 몸체부(21)의 측면으로 돌출된 돌출부(21a)를 갖는다. 상기 몸체부(21)는, 도시된 바와 같이, 원통형일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다각통형일 수 있다. 상기 돌출부(23)는 몸체부(21)와 유사한 모양일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 몸체부(21)의 일부분들에 제한적으로 돌출될 수도 있다.
또한, 상기 히트싱크(20)는 상기 지지부들(17)을 수용하기 위한 지지링 수용홈(21a)을 가질 수 있다. 지지링 수용홈(21a)은 몸체부(21)의 측면에 형성되며, 도시한 바와 같이, 몸체부(21)의 측면을 따라 원형으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 지지부들(17)을 수용할 수 있도록 일부 영역들에 한정되어 형성될 수 있다.
또한, 상기 히트싱크(20)는 상기 몸체부(21)의 상부면 상에 반사컵(25)을 가 질 수 있다. 발광 다이오드 다이는 반사컵(25) 내에 탑재되며, 상기 반사컵(25)에 의해 좁은 가시각 내에서 광도가 증가된다.
상기 히트싱크(20)는 열전도율이 높은 금속 또는 열전도 수지로 프레스 가공 기술 또는 몰딩기술을 사용하여 제조될 수 있다. 또한, 상기 히트싱크(20)는 상기 리드프레임(10)과 별개의 공정을 사용하여 제조된다.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지 제조방법을 설명하기 위한 사시도들이고, 도 7은 위 제조방법에 의해 완성된 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 사시도들 및 단면도이다.
도 3을 참조하면, 리드프레임(10)의 지지부들(17)에 상기 히트싱크(20)를 결합하여 고정시킨다. 지지부 수용홈(21a)이 형성된 경우, 상기 지지부들(17)의 단부들이 지지부 수용홈(21a)에 수용되어 상기 히트싱크(20)를 지지한다. 이때, 상기 리드단자들(13, 15)은 히트싱크(20)와 이격된다.
도 4를 참조하면, 상기 리드프레임(10)에 히트싱크(20)를 고정시킨 후, 삽입몰딩 기술을 사용하여 패키지 본체(30)를 형성한다. 상기 패키지 본체(30)는 열경화성 수지 또는 열가소성 수지를 사출성형하여 형성할 수 있다.
상기 패키지 본체(30)는 히트싱크(20) 주변에 형성되어 지지부들(17), 연결부들(19), 리드단자들(13, 15) 및 히트싱크(20)를 지지한다. 상기 지지부들의 일부 및 리드단자들의 일부, 즉 외부리드들(13a, 15a)은 패키지 본체(30)의 외부로 돌출된다. 또한, 상기 패키지 본체(30)는 상기 히트싱크(10)의 상단부 및 리드단자들의 일부분들, 즉 내부리드들(13b, 15b)의 일부분들을 노출시키는 개구부를 갖는다.
상기 개구부에 의해 상기 지지부들(17)의 일부가 노출될 수 있으나, 상기 지지부들(17)이 절곡된 경우, 절곡부 및 지지부들(17)의 단부들은 패키지 본체(30)에 의해 매립된다.
상기 히트싱크(20)의 하부면은 외부에 노출되며, 상기 돌출부(23)는 패키지 본체(30) 내에 매립되어 히트싱크(20)가 패키지 본체(30)로부터 분리되는 것을 방지한다.
한편, 상기 히트싱크(20)의 상부면이 상기 패키지 본체(30)의 상부면보다 아래에 위치하는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 몇몇 실시예들에 있어서, 상기 히트싱크(20)의 상부면 즉, 상기 히트싱크(20)의 몸체부(도 2의 21)의 상부면이 상기 패키지 본체(30)의 상부면과 동일하거나 그보다 높은 위치에 위치한다.
상기 히트싱크(20)를 리드프레임(10)에 결합한 후, 열경화성 수지 또는 열가소성 수지를 사출성형하여 패키지 본체(30)를 형성하므로, 다양한 형상의 패키지 본체가 용이하게 형성될 수 있으며, 상기 히트싱크(20)와 상기 패키지 본체(30)가 강하게 결합될 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 히트싱크(20)의 상부면에 발광 다이오드 다이(40)를 탑재한다. 상기 발광 다이오드 다이(40)는 상면 및 하면에 각각 전극을 갖는 1본드 다이 또는 상면에 두개의 전극을 갖는 2본드 다이일 수 있다.
상기 발광 다이오드 다이(40)가 1본드 다이인 경우, 상기 히트싱크(20)는 전기 전도성의 금속재질일 수 있으며, 이때, 상기 다이(40)는 은(Ag) 에폭시와 같은 전기 전도성 접착제를 통해 상기 히트싱크(20) 상에 탑재된다. 이와 달리, 상기 히트싱크(20) 상에 탑재되는 발광 다이오드 다이(40)가 2 본드 다이인 경우, 상기 히트싱크(20)는 전기 전도성일 필요가 없으며, 상기 발광 다이오드 다이(40)는 은 에폭시 이외에도 다양한 열전도성 접착제를 통해 상기 히트싱크(20) 상에 탑재될 수 있다.
한편, 상기 히트싱크(20) 상에 탑재되는 발광 다이오드 다이(40)는 복수개일 수 있다. 또한, 상기 복수개의 발광 다이오드 다이들(40)은 서로 다른 파장의 광을 방출하는 발광 다이오드 다이들일 수 있다. 이때, 상기 발광 다이오드 다이(40)들은 각각 레드색, 그린색, 블루색의 광을 방출하는 발광 다이오드 다이들일 수 있다. 이에 따라, 상기 발광 다이오드 다이들(40)을 사용하여 모든 색상의 광을 방출하는 발광 다이오드 패키지를 제공할 수 있다.
도 6을 참조하면, 발광 다이오드 다이(40)와 내부리드들(13b, 15b)을 본딩와이어들로 전기적으로 연결한다. 상기 발광 다이오드 다이(40)가 2본드 다이인 경우, 발광 다이오드 다이는 두개의 본딩와이들을 통해, 도시한 바와 같이, 내부리드들(13b, 15b)에 연결된다. 한편, 발광 다이오드 다이(40)가 1본드 다이인 경우, 내부리드들 중 하나, 예컨대 내부리드(15b)는 본딩와이어를 통해 히트싱크(20)에 전기적으로 연결된다. 따라서, 상기 내부리드(15b)는 본딩와이어 및 히트싱크(20)를 통해 상기 1본드 다이(40)의 하면에 전기적으로 연결된다.
한편, 본딩와이어들로 발광 다이오드 다이(40)와 상기 리드단자들(13, 15)을 전기적으로 연결한 후, 상기 발광 다이오드 다이(40) 및 본딩와이어들을 덮는 몰딩 부(50)를 형성한다. 상기 몰딩부는 상기 패키지 본체(30)의 개구부를 채워 상기 발광 다이오드 다이 및 본딩와이어들을 밀봉할 수 있다. 이에 더하여, 상기 몰딩부(50)는 상기 히트싱크(20) 상에 한정되어 상기 발광 다이오드 다이를 덮는 제1 몰딩부와 상기 제1 몰딩부 및 본딩와이어들 전체를 밀봉하는 제2 몰딩부를 포함할 수도 있다.
또한, 상기 몰딩부는 형광체를 함유할 수 있다. 상기 형광체는 상기 제1 몰딩부 및/또는 제2 몰딩부에 함유될 수 있다. 예컨대, 상기 형광체는 블루색의 광을 황색으로 변환하거나, 또는 그린색 및 레드색으로 변환하는 형광체일 수 있다. 따라서, 상기 히트싱크(20) 상에 블루색을 방출하는 발광 다이오드 다이를 탑재할 경우, 상기 발광 다이오드 다이에서 방출된 광의 일부가 황색, 또는 그린색 및 레드색으로 변환되어 백색광이 외부로 방출되는 발광 다이오드 패키지를 제공할 수 있다. 이에 더하여, 상기 몰딩부는 확산제를 더 함유할 수 있다. 상기 확산제는 발광 다이오드 다이(40)에서 방출된 광을 분산시키어 상기 발광 다이오드 다이(40) 및 본딩와이어들이 외부에서 관찰되는 것을 방지하며, 광이 균일하게 외부로 방출되도록 한다.
상기 몰딩부(50)는 다양한 형상으로 형성될 수 있으며, 도시한 바와 같이, 볼록렌즈 형상으로 형성될 수 있다. 한편, 상기 몰딩부(50)는 패키지 본체(30) 내의 개구부 내에 한정되고, 그 상부에 렌즈가 부착될 수 있다.
도 7a를 참조하면, 외부프레임(11)을 제거하고, 리드단자들(13, 15)을 절곡시켜 표면실장이 가능한 리드들을 형성한다. 이때, 상기 리드단자들(13, 15)은 패 키지 본체(30) 측면을 따라 절곡된 후, 패키지 본체(30)의 바깥쪽으로 절곡될 수 있으며, 도시한 바와 같이, 패키지 본체(30)의 하면으로 절곡될 수 있다.
한편, 패키지 본체(30) 외부로 돌출된 연결부들(19) 및 지지부들(17)을 절단하여 제거한다. 이때, 상기 지지부들(17)은 패키지 본체(30)의 측면을 따라 절곡시켜 열방출 경로로 작용하도록 할 수 있다. 그 결과, 표면실장이 가능한 발광 다이오드 패키지가 완성된다.
이하, 본 발명의 일 태양에 따른 발광 다이오드 패키지를 도 7a 내지 도 7c를 참조하여 상세히 설명한다.
다시, 도 7a 내지 도 7c를 참조하면, 상기 발광 다이오드 패키지는 히트싱크(20)를 포함한다. 상기 히트싱크(20)는 도 2를 참조하여 설명한 바와 같이, 몸체부(21)와 돌출부(23)를 가지며, 지지부 수용홈(21a)을 가질 수 있다. 또한, 히트싱크 상부면 상에 반사컵(25)이 위치할 수 있다.
한편, 히트싱크 지지부들(17)이 각각 상기 히트싱크(20)에 결합된다. 지지부들(17)의 단부들이 히트싱크(20)에 결합되며, 이 단부들이 히트싱크(20)의 지지부 수용홈(21a)에 수용되어 상기 히트싱크에 결합될 수 있다. 또한, 리드단자들(13, 15)이 상기 지지부들(17) 및 히트싱크(20)와 이격되어 상기 히트싱크의 양측에 배치된다. 상기 리드단자들(13, 15)은 각각 패키지 본체(30)의 외부로 돌출된 외부리드들(13a, 15a) 및 내부리드들(13b, 15b)을 갖는다. 상기 내부리드들(13b, 15b)은 각각 상기 지지부들(17) 사이에서 히트싱크(20) 둘레를 따라 연장될 수 있다.
상기 패키지 본체(30)는 히트싱크(20), 지지부들(17) 및 리드단자들(13, 15) 을 몰딩하여 지지한다. 패키지 본체(30)는 히트싱크(20)를 상기 지지부들(17)에 결합하여 고정시킨 후, 열경화성 또는 열가소성 수지를 사출성형하여 형성된 플라스틱 수지일 수 있다. 패키지 본체(30)는 히트싱크(20)의 상단부 및 리드단자들(13, 15)의 일부분들, 즉 내부리드들(13b, 15b)을 노출시키는 개구부를 갖는다.
한편, 도 7b에 도시된 바와 같이, 상기 히트싱크(20)의 몸체부는 패키지 본체(30)의 하부면으로 돌출된다. 이에 따라, 상기 히트싱크(20)를 통해 열방출이 용이하게 수행된다. 또한, 외부리드들(13a, 15a)은 표면실장이 가능하도록 패키지 본체(30)의 바닥면으로 절곡될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 패키지 본체(30)의 바깥쪽으로 절곡될 수도 있다. 또한, 패키지 본체(30) 외부로 돌출된 지지부들(17)은 절단되어 제거될 수 있으나, 도시된 바와 같이, 패키지 본체(30)의 측벽으로 절곡될 수 있다. 한편, 패키지 본체(30) 외부로 돌출된 연결부들(19)은 절단하여 제거된다.
상기 히트싱크(20)의 상부면 상에 발광 다이오드 다이(40)가 탑재된다. 발광 다이오드 다이(40)는 반사컵(25) 내에 탑재될 수 있으며, 본딩와이어들을 통해 내부리드들(13b, 15b)에 전기적으로 연결된다. 도시된 발광 다이오드 다이(40)는 2본드 다이를 나타내지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 발광 다이오드 다이(40)는 1본드 다이일 수 있다. 또한, 복수개의 발광 다이오드 다이(40)들이 히트싱크(20) 상에 탑재될 수 있으며, 정전 방전을 방지하기 위해 제너 다이오드(도시하지 않음)가 탑재될 수 있다.
한편, 상기 히트싱크(20)의 상부면이 상기 패키지 본체(30)의 상부면보다 아 래에 위치하는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 몇몇 실시예들에 있어서, 상기 히트싱크(20)의 상부면 즉, 상기 히트싱크(20)의 몸체부(도 2의 21)의 상부면이 상기 패키지 본체(30)의 상부면과 동일하거나 그보다 높은 위치에 위치한다. 이때, 상기 히트싱크(20)의 상부면 상에 탑재된 발광 다이오드 다이(40)는 상기 패키지 본체(30)의 상부면보다 높은 위치에 위치한다. 따라서, 발광 다이오드 다이(40)에서 방출된 광이 직접 상기 패키지 본체(30)로 진행하여 패키지 본체(30)에 의해 흡수되어 손실되는 것을 방지할 수 있다.
몰딩부(50)가 발광 다이오드 다이(40) 및 본딩와이어들을 덮는다. 몰딩부(50)는 패키지 본체(30)의 개구부를 채워 발광 다이오드 다이(40)를 밀봉하며, 도시한 바와 같이, 렌즈 형상으로 형성될 수 있다. 상기 몰딩부(50)는 제1 및 제2 몰딩부를 포함할 수 있다. 또한, 몰딩부(50)가 패키지 본체(30)의 개구부를 채워 발광 다이오드 다이(40)를 밀봉하고, 그 위에 렌즈(도시하지 않음)가 부착될 수 있다. 특히, 상기 발광 다이오드 다이(40)가 상기 패키지 본체(30)의 상부면보다 높은 위치에 위치하는 경우, 발광 다이오드 다이(40)에서 방출된 광은 패키지 본체(40)에 의해 반사됨이 없이 몰딩부(50) 및 렌즈를 통해 외부로 방출될 수 있다. 따라서, 발광 다이오드 다이(40)에서 방출된 광의 경로(지향각 또는 광의 분포 등)가 몰딩부(50) 또는 렌즈에 의해 쉽게 제어될 수 있다.
한편, 상기 몰딩부(50)는 형광체를 함유할 수 있으며, 이에 따라 다양한 광, 예컨대 백색광을 구현할 수 있다. 상기 형광체는 몰딩부(50)를 형성하기 전 도포되거나, 몰딩부(50) 형성 후에 도포될 수도 있다. 또한, 상기 몰딩부(50)는 확산제를 함유할 수 있다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 리드프레임들(60)을 설명하기 위한 사시도들이다.
도 8a를 참조하면, 도 1을 참조하여 설명한 바와 같이, 리드프레임(60)은 지지부들(17), 리드단자들(13, 15)을 갖는다. 다만, 도 1의 리드프레임(10)과 달리, 상기 리드단자들(13, 15)의 단부들이 히트싱크 둘레를 따라 연장되는 대신, 상기 지지부들(17)의 단부들이 각각 리드단자들(13, 15) 사이에서 히트싱크 둘레를 따라 연장된다. 상기 연장된 단부들은 히트싱크에 접촉되는 접촉면을 증가시켜 히트싱크를 안정하게 지지하며, 지지부들(17)이 패키지 본체로부터 분리되는 것을 방지한다. 한편, 연결부들(도시하지 않음)이 상기 지지부들(17)의 연장된 단부들과 외부프레임(11)을 연결하여 이 단부들을 지지할 수 있다.
도 8b를 참조하면, 리드프레임(70)은, 도 1을 참조하여 설명한 바와 같이, 지지부들(17), 리드단자들(13, 15)을 갖는다. 다만, 도 1의 리드프레임(10)과 달리, 상기 리드단자들(13, 15)의 단부들이 히트싱크 둘레를 따라 연장됨과 함께, 상기 지지부들(17)의 단부들이 각각 리드단자들(13, 15) 사이에서 히트싱크 둘레를 따라 연장된다. 이에 따라, 상기 리드단자들(13, 15)의 연장된 단부들은 본딩와이어의 충분한 본딩영역을 제공하고, 상기 지지부들(17)의 연장된 단부들이 히트싱크에 접촉되는 접촉면을 증가시켜 히트싱크를 안정하게 지지하고, 지지부들(17)이 패키지 본체로부터 분리되는 것을 방지한다. 또한, 연결부들(도시하지 않음)이 상기 지지부들(17)의 연장된 단부들과 외부프레임(11)을 연결하여 이 단부들을 지지할 수 있으며, 상기 리드단자들(13, 15)의 단부들과 외부프레임(11)을 연결하여 이 단부들을 지지할 수 있다.
상기 리드프레임들(60, 70)을 채택하여 발광 다이오드 패키지를 제조하는 방법 및 그것에 의해 제조된 발광 다이오드 패키지는 리드프레임(10)을 채택하여 발광 다이오드 패키지를 제조하는 방법 및 그것에 의해 제조된 발광 다이오드 패키지에 의해 쉽게 이해될 수 있으므로 그 기재를 생략한다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 히트싱크를 채택함으로써 우수한 방열특성을 가지어 높은 광출력을 얻을 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공할 수 있다. 또한, 히트싱크를 지지부들에 결합하여 고정시킨 후, 삽입몰딩기술을 사용하여 패키지 본체를 형성할 수 있어, 리드단자와 히트싱크를 용이하게 정렬시킬 수 있으며, 히트싱크가 패키지 본체로부터 분리되는 것을 방지할 있다. 또한 히트싱크 지지부를 채택하면서도, 리드단자들과 히트싱크의 이격거리 증가를 방지할 수 있어 발광 다이오드 패키지의 크기 증가를 방지할 수 있다.

Claims (22)

  1. 소정 영역을 둘러싸는 외부프레임;
    상기 외부프레임으로부터 서로 마주보는 방향으로 내측으로 연장되고, 각각 히트싱크에 결합되는 단부를 갖는 히트싱크 지지부들; 및
    상기 외부프레임으로부터 서로 마주보는 방향으로 내측으로 연장되되, 상기 지지부들과 이격된 리드단자들을 포함하는 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 리드단자들은 각각 히트싱크 주변에 배치되는 내부리드와 상기 내부리드에서 연장된 외부리드를 갖되, 상기 내부리드들은 각각 상기 지지부들 사이에서 히트싱크 둘레를 따라 연장되는 것을 특징으로 하는 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 지지부들의 단부들이 각각 상기 내부리드들 사이에서 히트싱크 둘레를 따라 연장되는 것을 특징으로 하는 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 리드단자들은 각각 히트싱크 주변에 배치되는 내부리드와 상기 내부리 드에서 연장된 외부리드를 갖되, 상기 지지부들의 단부들은 각각 상기 내부리드들 사이에서 히트싱크 둘레를 따라 연장되는 것을 특징으로 하는 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 지지부들은 절곡되어 상기 지지부들의 단부들이 상기 리드단자들의 단부들보다 아래에 위치하는 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임.
  6. 히트싱크;
    각각 상기 히트싱크에 결합된 단부를 갖는 히트싱크 지지부들;
    상기 지지부들 및 히트싱크와 이격되어 상기 히트싱크의 양측에 배치된 리드단자들;
    상기 히트싱크, 지지부들 및 상기 리드단자들을 몰딩하여 지지하되, 상기 히트싱크의 상단부 및 상기 리드단자들의 일부분들을 노출시키는 개구부를 갖는 패키지 본체를 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 히트싱크는 몸체부와 상기 몸체부의 측면으로 돌출된 돌출부를 포함하고,
    상기 돌출부는 상기 패키지 본체에 의해 매립되고,
    상기 지지부들은 상기 몸체부에 결합된 발광 다이오드 패키지.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 히트싱크는 상기 지지부들의 단부들을 수용하는 지지부 수용홈을 갖는 발광 다이오드 패키지.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 히트싱크의 몸체부의 상부면은 상기 패키지 본체의 상부면과 동일하거나 그보다 높은 위치에 위치하는 발광 다이오드 패키지.
  10. 청구항 7에 있어서,
    상기 히트싱크는 상기 몸체부 상에 위치하는 반사컵을 더 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 반사컵의 바닥면은 상기 패키지 본체의 상부면과 동일하거나 그보다 높은 위치에 위치하는 발광 다이오드 패키지.
  12. 청구항 6에 있어서,
    상기 패키지 본체는 상기 히트싱크와 상기 지지부들을 결합한 후, 열경화성 또는 열가소성 수지를 사출성형하여 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  13. 청구항 6에 있어서,
    상기 리드단자들은 각각 히트싱크 주변에 배치된 내부리드와 상기 내부리드에서 연장되어 상기 패키지 본체 외부로 돌출된 외부리드를 갖되, 상기 내부리드들은 각각 상기 지지부들 사이에서 히트싱크 둘레를 따라 연장된 발광 다이오드 패키지.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 지지부들의 단부들은 각각 상기 내부리드들 사이에서 히트싱크 둘레를 따라 연장된 발광 다이오드 패키지.
  15. 청구항 6에 있어서,
    상기 리드단자들은 각각 히트싱크 주변에 배치되는 내부리드와 상기 내부리드에서 연장된 외부리드를 갖되, 상기 지지부들의 단부들은 각각 상기 내부리드들 사이에서 히트싱크 둘레를 따라 연장된 발광 다이오드 패키지.
  16. 청구항 6에 있어서,
    상기 지지부들은 절곡부를 갖고, 상기 히트싱크에 결합된 지지부들의 단부들 은 상기 리드단자들보다 아래에 위치하고, 상기 절곡부는 상기 패키지 본체 내에 매립된 발광 다이오드 패키지.
  17. 청구항 6에 있어서,
    상기 리드단자들 각각은 상기 패키지 본체로부터 외부로 돌출하는 외부리드를 갖되, 상기 외부리드들은 상기 패키지 본체의 측벽을 따라 상기 패키지 본체 바닥면으로 절곡된 발광 다이오드 패키지.
  18. 청구항 6에 있어서,
    상기 히트싱크 상부면에 탑재된 발광 다이오드 다이; 및
    상기 발광 다이오드 다이와 상기 리드단자들을 전기적으로 연결하는 본딩와이어들을 더 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  19. 청구항 18에 있어서,
    상기 발광 다이오드 다이 및 본딩와이어들을 덮는 몰딩수지를 더 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  20. 청구항 1 내지 5 중 어느 하나의 리드프레임을 준비하고,
    상기 지지부들에 히트싱크를 결합하여 고정시키고,
    삽입몰딩 기술을 사용하여 상기 히트싱크 및 상기 히트싱크 주변의 상기 리 드단자들 및 지지부들을 몰딩하여 지지하는 패키지 본체를 형성하되, 상기 패키지 본체는 상기 히트싱크의 상단부 및 상기 리드단자들의 일부들을 노출시키는 개구부를 갖는 발광 다이오드 패키지 제조방법.
  21. 청구항 20에 있어서,
    상기 히트싱크의 상부면에 적어도 하나의 발광 다이오드 다이를 탑재하고,
    상기 각각의 발광 다이오드 다이를 상기 리드단자들에 전기적으로 연결시키는 본딩와이어들을 형성하고,
    상기 발광 다이오드 다이 및 본딩와이어들을 덮는 몰딩부를 형성하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드 패키지 제조방법.
  22. 청구항 21에 있어서,
    상기 외부프레임을 제거하고, 상기 패키지 본체 외부의 지지부 및 리드단자들을 절단 및 성형하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드 패키지 제조방법.
KR1020070063395A 2006-06-30 2007-06-27 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광다이오드 패키지 KR100904152B1 (ko)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE112007003785T DE112007003785A5 (de) 2006-06-30 2007-06-28 Leadframe mit einem einen Kühlkörper tragenden Teil sowie Baugruppe mit einer LED und einem solchen Leadframe
JP2009517979A JP5295107B2 (ja) 2006-06-30 2007-06-28 ヒートシンク支持部を有するリードフレームを用いた発光ダイオードパッケージ及び前記発光ダイオードパッケージの製造方法
CN2012102651421A CN102779933A (zh) 2006-06-30 2007-06-28 引线框架、发光二极管封装件及其制造方法
EP07768519A EP2038924A4 (en) 2006-06-30 2007-06-28 MOUNTING FRAME PROVIDED WITH A HEAT SINK HOLDING ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING THE LIGHT EMITTING DIODE HOUSING USING SUCH FRAME, AND LIGHT EMITTING DIODE HOUSING MADE ACCORDING TO THE ABOVE-MENTIONED METHOD
PCT/KR2007/003148 WO2008002088A1 (en) 2006-06-30 2007-06-28 Leadframe having a heat sink supporting part, fabricating method of the light emitting diode package using the same and light emitting diode package fabricated by the method
DE112007000055.4T DE112007000055B4 (de) 2006-06-30 2007-06-28 Kühlkörper tragende Trägerelemente, Verfahren zur Herstellung einer Baugruppe mit Licht emittierender Diode unter Verwendung eines solchen, und eine mittels des Verfahrens hergestellte Baugruppe mit Licht emittierender Diode
US12/304,663 US8482023B2 (en) 2006-06-30 2007-06-28 Leadframe having a heat sink supporting part, fabricating method of a light emitting diode package using the same, and light emitting diode package fabricated by the method
TW096123754A TWI462251B (zh) 2006-06-30 2007-06-29 具有散熱器支撐部的導線架、使用該導線架之發光二極體封裝的製造方法以及以此方法製造的發光二極體封裝

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20060060823 2006-06-30
KR1020060060823 2006-06-30

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090037547A Division KR100961493B1 (ko) 2006-06-30 2009-04-29 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광 다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광 다이오드 패키지

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080003253A true KR20080003253A (ko) 2008-01-07
KR100904152B1 KR100904152B1 (ko) 2009-06-25

Family

ID=39214590

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070063395A KR100904152B1 (ko) 2006-06-30 2007-06-27 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광다이오드 패키지
KR1020090037547A KR100961493B1 (ko) 2006-06-30 2009-04-29 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광 다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광 다이오드 패키지

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090037547A KR100961493B1 (ko) 2006-06-30 2009-04-29 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광 다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광 다이오드 패키지

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8482023B2 (ko)
EP (1) EP2038924A4 (ko)
JP (1) JP5295107B2 (ko)
KR (2) KR100904152B1 (ko)
CN (2) CN101427369A (ko)
DE (2) DE112007000055B4 (ko)
TW (1) TWI462251B (ko)
WO (1) WO2008002088A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101486917B1 (ko) * 2008-11-27 2015-01-29 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지의 제조 방법 및 이로부터 제조된 발광다이오드 패키지

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US8669572B2 (en) 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
US7675145B2 (en) 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US8748915B2 (en) 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
US7635915B2 (en) 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
US8735920B2 (en) 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
US8367945B2 (en) 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US9711703B2 (en) * 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
TWI352439B (en) * 2007-09-21 2011-11-11 Lite On Technology Corp Light emitting diode packaging device, heat-dissip
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US8866169B2 (en) 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
USD633631S1 (en) 2007-12-14 2011-03-01 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
USD634863S1 (en) 2008-01-10 2011-03-22 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
US8049230B2 (en) * 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
US8791471B2 (en) 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
US8598602B2 (en) * 2009-01-12 2013-12-03 Cree, Inc. Light emitting device packages with improved heat transfer
US7923739B2 (en) * 2009-06-05 2011-04-12 Cree, Inc. Solid state lighting device
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
US8686445B1 (en) 2009-06-05 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods
US9111778B2 (en) 2009-06-05 2015-08-18 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) devices, systems, and methods
US8860043B2 (en) * 2009-06-05 2014-10-14 Cree, Inc. Light emitting device packages, systems and methods
US8415692B2 (en) 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
US8269244B2 (en) * 2010-06-28 2012-09-18 Cree, Inc. LED package with efficient, isolated thermal path
US8648359B2 (en) 2010-06-28 2014-02-11 Cree, Inc. Light emitting devices and methods
USD643819S1 (en) 2010-07-16 2011-08-23 Cree, Inc. Package for light emitting diode (LED) lighting
KR101766720B1 (ko) * 2010-11-25 2017-08-23 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
US8610140B2 (en) 2010-12-15 2013-12-17 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) packages, systems, devices and related methods
US11101408B2 (en) 2011-02-07 2021-08-24 Creeled, Inc. Components and methods for light emitting diode (LED) lighting
USD679842S1 (en) 2011-01-03 2013-04-09 Cree, Inc. High brightness LED package
TW201251140A (en) 2011-01-31 2012-12-16 Cree Inc High brightness light emitting diode (LED) packages, systems and methods with improved resin filling and high adhesion
WO2013015464A1 (ko) * 2011-07-25 2013-01-31 삼성전자주식회사 엘이디 패키지 및 그 제조방법
WO2013036481A2 (en) 2011-09-06 2013-03-14 Cree, Inc. Light emitter packages and devices having improved wire bonding and related methods
US20130107462A1 (en) * 2011-10-27 2013-05-02 Zhirong LU Hidden pin type high-power led support and hidden pin type high-power led packaging structure and technology using same
US8564004B2 (en) 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
KR20130124856A (ko) * 2012-05-07 2013-11-15 삼성전자주식회사 반도체 소자 리드프레임 및 이를 이용한 반도체 소자 패키지
TWI540769B (zh) 2013-05-27 2016-07-01 億光電子工業股份有限公司 承載結構及發光裝置
CN107271504B (zh) * 2016-04-06 2020-08-14 江振丰 电化学感测试片导电件设置方法
EP3340296B1 (en) 2016-12-20 2019-10-02 Melexis Technologies NV Light emitting diode device
JP6817862B2 (ja) * 2017-03-24 2021-01-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
EP4409646A1 (en) 2021-09-28 2024-08-07 Lumileds LLC Led module with separate heat sink and referencing part, headlight, and method of manufacture

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS518783B2 (ko) * 1971-11-10 1976-03-19
JPS518783A (en) 1974-07-12 1976-01-23 Tokyo Shibaura Electric Co Hanshagataranpuno seizohoho
JPS6161445A (ja) * 1984-08-31 1986-03-29 Nec Kansai Ltd 放熱板付リ−ドフレ−ムの製造方法
JP2651427B2 (ja) * 1988-04-22 1997-09-10 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
DE4017697C2 (de) 1990-06-01 2003-12-11 Bosch Gmbh Robert Elektronisches Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und Verwendung
US6326678B1 (en) 1993-09-03 2001-12-04 Asat, Limited Molded plastic package with heat sink and enhanced electrical performance
KR970010678B1 (ko) * 1994-03-30 1997-06-30 엘지반도체 주식회사 리드 프레임 및 이를 이용한 반도체 패키지
SE507193C2 (sv) 1997-05-12 1998-04-20 Stefan Gunnarsson Självrengörande roterande tandläkarspegel
US6274924B1 (en) * 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
US6517218B2 (en) 2000-03-31 2003-02-11 Relume Corporation LED integrated heat sink
JP4066608B2 (ja) * 2001-03-16 2008-03-26 日亜化学工業株式会社 パッケージ成形体及びその製造方法
DE10117889A1 (de) * 2001-04-10 2002-10-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen und Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, strahlungsemittierendes Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung
CN1207784C (zh) * 2001-04-16 2005-06-22 矽品精密工业股份有限公司 交叉堆叠式双芯片封装装置及制造方法
DE10131698A1 (de) 2001-06-29 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP4211359B2 (ja) * 2002-03-06 2009-01-21 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
WO2004001862A1 (ja) 2002-06-19 2003-12-31 Sanken Electric Co., Ltd. 半導体発光装置及びその製法並びに半導体発光装置用リフレクタ
US7692206B2 (en) * 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
JP3910144B2 (ja) * 2003-01-06 2007-04-25 シャープ株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
JP4174823B2 (ja) * 2003-03-27 2008-11-05 サンケン電気株式会社 半導体発光装置
DE112004000864B4 (de) * 2003-05-28 2014-12-31 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Licht abstrahlende Dioden - Baugruppe und Licht abstrahlendes Diodensystem mit mindestens zwei Wärmesenken
TWI227935B (en) 2004-02-27 2005-02-11 Lite On Technology Corp Opto-electronic semiconductor components
US7279346B2 (en) * 2004-03-31 2007-10-09 Cree, Inc. Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another
US20050225222A1 (en) * 2004-04-09 2005-10-13 Joseph Mazzochette Light emitting diode arrays with improved light extraction
TWM258416U (en) * 2004-06-04 2005-03-01 Lite On Technology Corp Power LED package module
JP2006080288A (ja) * 2004-09-09 2006-03-23 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄ搭載用部品及びその製造方法
JP2006093470A (ja) 2004-09-24 2006-04-06 Toshiba Corp リードフレーム、発光装置、発光装置の製造方法
US7119422B2 (en) * 2004-11-15 2006-10-10 Unity Opto Technology Co., Ltd. Solid-state semiconductor light emitting device
JP2006173155A (ja) * 2004-12-13 2006-06-29 Enomoto Co Ltd Ｌｅｄリードフレーム及びその製造に用いる射出成形用金型
WO2006065007A1 (en) 2004-12-16 2006-06-22 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Leadframe having a heat sink supporting ring, fabricating method of a light emitting diodepackage using the same and light emitting diodepackage fabbricated by the method
KR100665117B1 (ko) * 2005-02-17 2007-01-09 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 하우징 및 그 제조 방법
KR100631903B1 (ko) * 2005-02-17 2006-10-11 삼성전기주식회사 고출력 ｌｅｄ 하우징 및 그 제조 방법
EP1864339A4 (en) * 2005-03-11 2010-12-29 Seoul Semiconductor Co Ltd LIGHT-EMITTING DIODE DIODE WITH PHOTO-EMITTING CELL MATRIX
JP4711715B2 (ja) * 2005-03-30 2011-06-29 株式会社東芝 半導体発光装置及び半導体発光ユニット
KR100593945B1 (ko) 2005-05-30 2006-06-30 삼성전기주식회사 고출력 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR100616684B1 (ko) * 2005-06-03 2006-08-28 삼성전기주식회사 고출력 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR101101476B1 (ko) * 2005-12-12 2012-01-03 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치 및 반도체 장치와 그 제조 방법
KR100809816B1 (ko) * 2006-02-02 2008-03-04 엘지전자 주식회사 리드프레임, 그를 이용한 발광 소자 패키지 및 그의 제조방법
EP1816688B1 (en) * 2006-02-02 2016-11-02 LG Electronics Inc. Light emitting diode package

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101486917B1 (ko) * 2008-11-27 2015-01-29 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지의 제조 방법 및 이로부터 제조된 발광다이오드 패키지

Also Published As

Publication number Publication date
KR100961493B1 (ko) 2010-06-08
US8482023B2 (en) 2013-07-09
TW200812042A (en) 2008-03-01
EP2038924A1 (en) 2009-03-25
DE112007000055B4 (de) 2014-05-15
JP5295107B2 (ja) 2013-09-18
KR20090048567A (ko) 2009-05-14
KR100904152B1 (ko) 2009-06-25
CN102779933A (zh) 2012-11-14
JP2009543329A (ja) 2009-12-03
US20090189178A1 (en) 2009-07-30
WO2008002088A1 (en) 2008-01-03
DE112007000055T5 (de) 2008-07-24
CN101427369A (zh) 2009-05-06
EP2038924A4 (en) 2011-03-23
DE112007003785A5 (de) 2012-10-31
TWI462251B (zh) 2014-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100961493B1 (ko) 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광 다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광 다이오드 패키지
JP4523496B2 (ja) 発光ダイオードパッケージ製造方法及びそれを用いて製造した発光ダイオードパッケージ
KR100631903B1 (ko) 고출력 ｌｅｄ 하우징 및 그 제조 방법
US12007081B2 (en) Lighting assembly and method for manufacturing a lighting assembly
KR100665117B1 (ko) Ｌｅｄ 하우징 및 그 제조 방법
KR100818518B1 (ko) Ｌｅｄ 패키지
TWI481070B (zh) 薄型發光二極體封裝
US9401467B2 (en) Light emitting device package having a package body including a recess and lighting system including the same
CN104798214B (zh) 发光装置及包括该发光装置的电子设备
US9209373B2 (en) High power plastic leaded chip carrier with integrated metal reflector cup and direct heat sink
KR100613066B1 (ko) 일체형 방열판을 갖는 발광 다이오드 패키지 및 그것을제조하는 방법
KR100635779B1 (ko) 히트싱크 지지링을 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광다이오드 패키지
KR100579397B1 (ko) 리드프레임과 직접 연결된 히트싱크를 채택하는 발광다이오드 패키지
KR20100036892A (ko) 발광소자 패키지
KR100870639B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
KR101511691B1 (ko) 발광다이오드 패키지
KR100579388B1 (ko) 나선홈을 구비하는 히트싱크를 채택하는 발광 다이오드패키지
KR100827690B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
KR101824589B1 (ko) 반도체 발광소자 구조물

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
A107 Divisional application of patent
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130318

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140305

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150303

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee