CN102244183A - 具有多阶梯结构的导热块和使用其的发光二极管封装件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种具有多阶梯结构的导热块,所述导热块安装到LED封装件以将从发光芯片产生的热散发到外部。该导热块包括:第一块;第二块,形成在第一块上;第三块,形成在第二块上,其中,发光芯片被安装到第三块,并且分别成形为具有边缘的第二块和第三块被布置为彼此交叉。在该构造中,从发光芯片产生的热沿散热路径流动,在该散热路径中,热聚集在一个块的边缘处并从所述边缘散发,然后朝被布置成与所述一个块交叉的另一块的边缘聚集。因此,整个散热路径不是集中在特定的区域,而是广泛地分布,从而提高了导热块的散热效果。
Description
技术领域
本发明涉及一种具有提高的散热效率的发光二极管(LED)封装件,更具体地说,涉及一种具有多阶梯结构的导热块(slug)及使用所述导热块的LED封装件,其中,LED封装件的块结构被构造为多阶梯结构,使得从发光芯片产生的热被有效地散发。
背景技术
近来,对利用LED芯片的发光装置的兴趣趋于增加。为了使用诸如LED以用于发光的目的,除了提高发光质量以外,还需要超过几千流明(其中,1流明是从1坎德拉的光源在每单位立体角发出的光通量)的光功率。这样的高功率发光与输入的电流成比例,从而高电流会给出期望的光功率。然而,如果增大输入电流,则因此而产生大量的热。
由发光芯片产生的大量的热对发光芯片的寿命有严重的影响。为了解决该问题,制造了具有散热构件(例如块)的LED封装件。
传统上,为了提高块的散热效果,已经试图改变块的材料和尺寸。然而,在改变块的材料和尺寸方面受到限制,因此,需要用于增强块的散热效果的其它研究。
同时,在传统的LED封装件中,有一种具有通过铸造成型形成的成型构件的LED封装件,其中,成型构件通过以下步骤形成:在壳体中安装块,在将发光芯片安装在块中的同时使附加的模具与块紧密接触,然后将液态树脂注射到该模具中。
然而,由于在传统技术中,液态树脂在高压下被注射到模具中,所以模具可能没有与壳体紧密地接触,而是由于模具中的压力而分离。在当把液态树脂注射到模具中时模具与壳体分离的情况下,模块不能再次与壳体紧密接触,从而使得不能形成成型构件,这导致产品失效。另外,即使模具再次与壳体紧密接触,模具中的液态树脂也会通过由模具和壳体之间的分离而产生的间隙漏出,从而导致产品失效。
另外,在形成壳体之后安装块的情况下,块与LED封装件分离,这会导致装置失效。这种装置失效导致导线断开,这使得不能再使用LED封装件。因此,需要组装块和壳体,使得块不与LED封装件分离。
发明内容
技术问题
本发明被构思为解决传统LED封装件的问题。本发明的目的在于提供一种可以改善散热效果的导热块以及一种使用该块的LED封装件。
本发明的另一目的在于提供一种LED封装件,其中,可降低在形成LED封装件的成型构件时发生的失效的几率,并且确保良好的发光效率。
本发明的又一目的在于提供一种LED封装件,其中,可防止块与壳体分离。
技术方案
根据本发明为了实现目的的一方面,提供了一种具有多阶梯结构的导热块,所述导热块被安装到发光二极管(LED)封装件以使从发光芯片产生的热散发到外部。
所述导热块包括:第一块;第二块,布置在第一块上;第三块,布置在第二块上。第二块和第三块被分别成形为具有边缘,第二块和第三块的边缘被设置为彼此交叉。
根据一个实施例,第二块和第三块均可具有矩形边沿,第三块的矩形边沿可位于第二块的矩形边沿之内,且第三块的矩形边沿可被布置为相对于第二块的矩形边沿旋转45度。
第三块可形成有凹陷部分,发光芯片安装在凹陷部分上。另外,第三块在所述凹陷部分上可具有反射表面,使得从发光芯片发射的光在反射表面上反射。
根据一个实施例,第一块、第二块和第三块可形成单块。
另外,第三块可具有凹陷部分,使得发光芯片安装在凹陷部分上。凹陷部分可限制性地位于第三块之内,然而本发明不限于此。即,所述凹陷部分可延伸到第二块,使得所述凹陷部分的底表面位于第二块中。
同时,第一块可具有引线容纳阶梯,引线端子结合到所述引线容纳阶梯。引线容纳阶梯可沿第一块的周边连续地形成,然而本发明不限于此。引线容纳阶梯可以不连续地形成在若干位置中。
根据本发明的另一方面,提供一种LED封装件。所述LED封装件包括:壳体;导热块,具有多阶梯结构并安装在壳体中;发光芯片,安装到导热块;引线端子,用于将功率供应到发光芯片。另外,具有多阶梯结构的导热块包括:第一块;第二块,形成在第一块上;第三块,形成在第二块上。第二块和第三块分别被成形为具有边缘,第二块和第三块的边缘被布置为彼此交叉。
根据一个实施例,第二块和第三块均可具有矩形边沿,第三块的矩形边沿可位于第二块的矩形边沿之内,且第三块的矩形边沿可被布置为相对于第二块的矩形边沿旋转45度。
第三块可形成有凹陷部分,发光芯片安装在凹陷部分上。另外,第三块在所述凹陷部分上可具有反射表面,使得从发光芯片发射的光在反射表面上反射。
同时,第一块、第二块和第三块可形成单块。
第三块可具有凹陷部分,使得发光芯片安装在凹陷部分上,所述凹陷部分可延伸到第二块,使得所述凹陷部分的底表面位于第二块内。
根据一个实施例,LED封装件还可包括支撑引线。支撑引线结合到导热块。
另外,第一块可具有引线容纳阶梯,支撑引线可结合到所述引线容纳阶梯。
同时,至少一个引线端子可结合到并电连接到导热块,并且至少另一个引线端子可与导热块分隔开。
另外,至少一个引线端子可结合到第一块的引线容纳阶梯。
此外,支撑引线可沿第一块的周边延伸以形成结合到第一块的半圆支撑环,半圆支撑环可被布置为与至少一个引线端子面对。
同时,在壳体的上部上可形成至少一个槽,使得槽被形成成型构件时泄漏的液态树脂填充。
有利效果
根据本发明,用于散热的导热块具有被成形为具有边缘的多阶梯结构。具有多阶梯结构的块分别具有矩形边沿结构,所述矩形边沿结构彼此交叉成例如45度角。在该构造中,从发光芯片产生的热沿散热路径流动,在该散热路径中,热聚集在一个块的边缘处并从所述边缘散发,然后朝布置成与所述一个块交叉成45度的另一块的边缘聚集。因此,整个散热路径不是集中在特定的区域,而是广泛地分布,从而提高了导热块的散热效果。
另外,支撑引线或引线端子结合到导热块,以防止导热块与壳体分离,还可使引线端子容易地电连接到发光芯片。
另外,在壳体的上部中形成槽,使得在通过铸造成型方法形成成型构件时,即使由于模具中的内部压力增加得超过正常水平而使液态树脂从模具中漏出,形成在壳体中的槽也可被泄漏的液态树脂填充。因此,能够降低模具的内部压力,并防止泄漏的液态树脂流出壳体。
附图说明
图1是示出根据本发明一个实施例的具有多阶梯结构的导热块的透视图。
图2是图1的俯视图。
图3是沿图2的线A-A截取的剖视图。
图4是示出根据本发明另一实施例的使用具有多阶梯结构的导热块的LED封装件的透视图。
图5和图6是示出根据本发明其它实施例的制造LED封装件的方法的剖视图。
图7是示出根据本发明又一实施例的具有多阶梯结构的导热块的剖视图。
图8是示出本发明的用于制造LED封装件的引线框架的示例的俯视图。
图9是示出壳体形成在图8的引线框架上的状态的俯视图。
图10是沿图9的线B-B截取的剖视图。
图11示出了本发明的用于制造LED封装件的引线框架的另一示例。
图12是示出壳体形成在图11的引线框架上的状态的俯视图。
图13是沿图12的线C-C截取的剖视图。
图14是示出本发明的用于制造LED封装件的引线框架的又一示例的俯视图。
具体实施方式
在下文中,将参照附图详细描述本发明的示例性实施例。然而,本发明不限于下面公开的实施例,而是可以以不同形式实现。提供这些实施例仅仅是为了示出的目的,并且使本领域技术人员充分理解本发明的范围。在全部附图中,相同的标号用于指示相同的元件。
图1是示出根据本发明的一个实施例的具有多阶梯结构的导热块的透视图,图2是图1的俯视图,图3是沿图2中的线A-A截取的剖视图。
参照图1至图3,根据本发明的一个实施例的具有多阶梯结构的导热块包括第一块110、布置在第一块110上的第二块120和布置在第二块120上的第三块130。
第一块110具有圆柱形形状,以被安装在通常具有圆柱形形状的LED封装件中。第二块120和第三块130具有被布置为以45度彼此交叉的矩形形状,以使散热效果最大化。
发光芯片10安装在第三块130中。
优选地,第一块110、第二块120和第三块130由导热性高的材料制成。这样的材料可具有导电性。
第一块110、第二块120和第三块130可形成单块,或者单独形成然后通过高导热性的膏的方式彼此结合。
第一块110是具有圆形边沿(rim)的圆柱形形状。第二块120和第三块130可分别具有矩形边沿。
这时,优选地,第三块130的矩形边沿布置在第二块120的矩形边沿之内。
这里,第三块130的矩形边沿被布置为与第二块120的矩形边沿交叉,例如,相对于第二块120的矩形边沿旋转45度。当由安装到第三块130的发光芯片10产生的热通过第三块130散发到第二块120时,如果第三块130的矩形边沿被布置为相对于第二块120的边沿旋转45度,则热被最有效地散发。然而,角度不限于45度。
另外,第三块130具有形成在其中心的矩形凹陷部分131。发光芯片10安装在凹陷部分131中。除了矩形形状之外,凹陷部分131的形状可以变为各种形状,例如圆形或六边形。
此外,虽然凹陷部分131的侧壁被示出为是垂直的,但是凹陷部分131的侧壁可倾斜地形成以形成反射表面,从而在所述侧壁上反射从发光芯片10发射的光或从成型构件400的表面完全内反射(totally internally reflect)的光,并然后从成型构件向上发射。
对于凹陷部分131的侧壁相对于凹陷部分131的底表面的倾斜,优选地,侧壁相对于与底表面垂直的方向倾斜10度至15度。然而,侧壁与底表面之间的角度不限于此。
另外,可在凹陷部分的底表面和侧壁上形成反射材料,以提高凹陷部分131的反光效果。
参照图2,将解释由发光芯片产生的热如何通过根据本发明的具有多阶梯结构的导热块散发到外部。
在设计块时,为了提高散热效果,可使用具有高导热特性的材料,或者可将散热面积设计得大。
同时,也可改进块的结构,以改善散热效果。即,由于块的2维形状,可以有散热密度高的一部分和散热密度低的一部分。
通常,在有角的块结构中,散发到边缘中心的热趋于直线传输,而其它区域中的热趋于朝边缘流动。
考虑以上情况,将块构造为具有由第一块110、第二块120和第三块130组成的多阶梯结构,使得朝第三块130的边缘聚集的热被强行朝第二块120的边缘聚集,从而提高散热效果。
因此,由发光芯片10产生的热在矩形的第三块130上如箭头所指示的那样被传输到外部。即,在有角的块结构中,散发到边缘中心的热趋于直线传输,然而其它区域中的热趋于朝边缘流动。
因此,在用于散热的块具有矩形形状的情况下,存在热首先在边缘聚集的现象。
甚至在第二块120中也出现该现象。在第三块130和第二块120彼此接触的区域处,散放到第二块120的边缘中心的热趋于直线传输,但是其它区域中的热趋于朝边缘流动。即,由于用于散热的第二块120也具有矩形形状,所以热首先在边缘部分聚集并随后向外辐射。
这时,相对于第三块130的矩形边沿来布置第二块120的矩形边沿,使得它们的边缘相对于彼此旋转45度。
因此,朝第三块130的边缘聚集并随后被散发的热沿着散热路径散发,所述散热路径使得热被再次朝第二块120的边缘聚集。这样,第二块120和第三块130具有大的散热面积,从而改善了散热效果。
图4是示出根据本发明另一实施例的利用具有多阶梯结构的导热块的LCD封装件的透视图。
参照图4,第一块110、第二块120和第三块130安装在壳体200中。引线端子300安装到壳体200。
具有多阶梯结构的导热块100安装在壳体200中,发光芯片10安装在第三块130上。然后,形成成型构件400以将发光芯片10包封在壳体200中。这时,成型构件400被形成为凸起,以形成透镜。
作为支撑并保护LED封装件的整个结构的主体的壳体200可由例如聚邻苯二酰胺(PPA)或液晶聚合物(LCP)的绝缘材料制成。
由绝缘材料制成的壳体200支撑形成在壳体200中的引线端子300,并使引线端子300电断开。
在这种情况下,壳体200可具有在壳体200的上部中的多个槽210,使得槽能够被在形成成型构件400的工艺期间泄漏的液态树脂填充。
当利用单独的模具(未示出)来形成成型构件400时,如果注入到模具中的液态树脂由于其压力而泄漏,则壳体200的上部中的各处形成的槽210使得泄漏的液态树脂被引入槽中而不溢出壳体。因此,在与模具接触的壳体200的上部中形成槽210。
同时,虽然本实施例的形成在壳体200中的槽210被示出为矩形形状,但是该形状不限于此。槽可具有三角形或圆形形状。即,本实施例的槽210可具有半圆形、半椭圆形或多边形形状。另外,在该实施例中形成两个或更多个槽210的情况下,优选地,这些槽以规则的间距彼此分隔开。
引线端子300用于将外部功率施加到发光芯片10,并且引线端子300分别形成在壳体200的两侧上。这时,引线端子300的一部分被插入到壳体200中,而引线端子300的其它部分突出到壳体200外以接收外部功率。
具有包括p-n结结构的化合物半导体叠层结构的发光芯片10利用这样的现象,即,通过少数载流子(电子或空穴)的复合来发光。发光芯片10可包括第一半导体层、第二半导体层、以及形成在第一半导体层和第二半导体层之间的有源层。在该实施例中,第一半导体层是P-型半导体层,第二半导体层是N-型半导体层。另外,P-型电极形成在发光芯片10的上部上,即,在P-型半导体层的一个表面上;N-型电极形成在发光芯片10的下部上,即,在N-型半导体层的一个表面上。这时,N-型电极可连接到引线框架300的一端,P-型电极可通过布线电连接到引线框架300的另一端。然而,本发明不限于此,且本发明的发光芯片10可以是侧发光芯片,而不是上述垂直发光芯片。也可以使用发射可见光线或UV线的各种发光芯片。
同时,根据本发明的LED封装件可使用导线(未示出)将发光芯片10电连接到引线框架300。
可以通过导线键合工艺等由金(Au)或铝(Al)来形成用于将发光芯片10电连接到引线框架300的导线。
利用预定的模具来形成用于包封发光芯片10并固定连接到发光芯片10的导线的成型构件400。另外,成型构件400可用作透镜,以会聚发光芯片10发射的光并包封发光芯片10并固定导线(未示出)。由于该成型构件400应当将由发光芯片10发射的光传输到外部,所以该成型构件400通常由透明树脂(例如,环氧树脂或有机硅树脂)来制成。
这时,成型构件400中还可包含分散剂(未示出),以使由发光芯片10发射的光散射并分散,从而使光均匀地发射。钛酸钡、氧化钛、氧化铝、氧化硅等可以用作分散剂。另外,成型构件400中还可包含荧光体(未示出)。荧光体用来吸收由发光芯片10发射的光的一部分,然后利用吸收的光发射具有不同波长的光。荧光体包括主晶格和作为在合适位置混合的杂质的活化剂。活化剂用于确定发光过程中的能量水平,从而确定发出的光的颜色。颜色由晶体结构中的活化剂的基态和激发态之间的能隙确定。
图5和图6是示出根据本发明其它实施例的制造LED封装件的方法的剖视图。
这里,假设当制造LED封装件时,由于液态树脂的高压而使压力在模具中的局部区域异常增大。
参照图5,首先,制备了具有引线端子300的壳体200。
可以通过成型工艺由液态的绝缘材料(例如PPA或LCP)利用预定的模具制成壳体200。即,在通过单独的挤压工艺形成具有引线端子300的引线框架之后,将引线框架插入到模具中,使得引线端子300被局部地插入到壳体200中。然后,液态树脂被注射到模具中并固化,从而制造壳体200。这时,制造了预定的模具,使得在壳体200中形成槽210。形成在壳体200的上部中的槽210可形成在壳体200的壳体200和用于形成成型构件400的模具500彼此接触的区域上,或形成在模具500的外部区域(即,壳体200的未形成成型构件400的区域)上。即,优选地,槽210形成在形成有成型构件的区域的外围上,即,在除了模具500的填充有液态树脂的内部之外的区域上。更优选地,槽210形成在模具和壳体200彼此接触的区域上。
然后,具有多阶梯结构的块100安装在壳体200中。然后,单独制备的发光芯片10被安装在第三块130的凹陷部分131上,发光芯片10和引线端子300通过导线(未示出)连接。
通过用于在基底上形成半导体层的半导体沉积或生长方法来制成发光芯片10。该沉积或生长方法可从金属有机化学气相沉积(MOCVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、分子束外延(MBE)、氢化物气相外延(HVPE)等中选择。
如上制备的发光芯片10通过安装设备的方式利用诸如银膏的粘合构件(未示出)安装到第三块130的凹陷部分131,可利用诸如金(Au)、银(Ag)和铝(Al)的具有良好的柔性和导电性的金属通过导线键合工艺电连接发光芯片10和引线端子300。
然后,将液态树脂注射到模具500中,以形成用于包封并保护发光芯片10和导线的成型构件400。
可利用单独的模具500通过铸造成型来形成成型构件400。如果液态树脂被注射到模具500的注射孔510中,则模具500被填充有注射的液态树脂400a。如果模具500被完全充满,则液态树脂400a通过模具500的排放孔520排出。这时,当以高压注射液态树脂400a时,在模具500的内部压力在局部区域增大到超过特定水平的情况下,模具500的任意一侧会被立即抬起,从而在模具500和壳体200之间产生间隙。如果填充模具500的液态树脂400a从该间隙漏出,则泄漏的液态树脂流400a到形成在壳体200上的槽210中,模具500的内部压力下降得与从模具500中漏出的液态树脂400a的量一样多。
参照图6,如果模具500的内部压力降低,模具500再次向下移动并与壳体200紧密接触,从而模具500中的液态树脂400a不再流出。然后,注射到模具500中的液态树脂400a在预定温度下被放置预定的时间而固化,然后去除模具500。然后,成型构件400的非必要部分被研磨,从而完成根据本实施例的发光装置。
在如上所述的根据本发明的LED封装件中,槽210形成在壳体200上。因此,当通过铸造成型方法来形成成型构件400时,即使模具500的内部压力比正常水平高,并且液态树脂400a随后漏出模具500,槽210也被泄漏的液态树脂400a填充,从而降低模具500的内部压力并正常地形成成型构件400。另外,防止泄漏的液态树脂400a向下流,从而减少了LED封装件的失效率。
在该实施例中,已经示出了在形成壳体200之后将块100安装到壳体200,然而本发明不限于此。即,块100可被安装到具有引线端子300的引线框架,然后在引线框架上形成壳体200。另外,可以形成用于支撑引线端子300并具有容纳块100的槽的第一壳体,将块100安装到第一壳体,然后形成第二壳体以围绕引线端子300、第一壳体和块100。这时,壳体200由第一壳体和第二壳体组成。
图7是示出根据本发明又一实施例的具有多阶梯结构的导热块1000的剖视图。
参照图7,导热块1000包括第一块1110、布置在第一块1110上的第二块1120和布置在第二块1120上的第三块1130。
第一块1110具有圆柱形形状,以被安装在如图1所示的通常具有圆形形状的LED封装件中。然而,第一块1110可在其一侧上具有突起1110a,以不与壳体分离,且突起可沿第一块1110的周边连续地或不连续地形成。同时,第二块1120和第三块1130分别形成有边缘,例如具有矩形边沿,并且第二块1120和第三块1130的边缘可布置为以45度彼此交叉,以使散热效果最大,如图1所示。
在该实施例中,第一块1110、第二块1120和第三块1130被示出为形成单块,但是它们也可单独制备然后通过具有高导热性的膏的方式彼此结合。
另外,第三块1130可在其中心以与其边沿相似的形状形成有矩形的凹陷部分1131。除了矩形形状之外,凹陷部分1131也可具有圆形或六边形形状或者其它各种形状。另外,凹陷部分1131可被形成为限制在第三块1130之内,然而凹陷部分1131可向下延伸到第二块1120,使得凹陷部分1131的底部位于第二块1120中,如图中所示。
凹陷部分1131可倾斜地形成以提供反射表面,如图1所示。
同时,引线容纳阶梯1110b可形成在第一块1110的一侧上。引线容纳阶梯1110b形成在第一块1110的突起1110a上方,并容纳引线端子且支撑引线,这将在后面描述。引线容纳阶梯1110b可沿第一块1110的周边连续地形成。然而,引线容纳阶梯1110b不限于此,而是可以不连续地形成。
图8是示出本发明的用于制造LED封装件的作为示例的引线框架2000的俯视图。
参照图8,引线框架2000包括外框2010、引线端子2030a和2030b以及支撑引线2070a和2070b。
外框2010围绕并支撑引线端子并支撑引线。引线端子2030a和2030b可成对地对称形成。引线端子2030a具有内引线2050a和外引线2030a,引线端子2030b具有内引线2050b和外引线2030b。虽然图8中示出了内引线2050a彼此分开,并且内引线2050b彼此分开,但是它们可彼此连接。内引线2050a和2050b也可沿预定的圆周延伸以形成圆形空腔,如图中所示。
同时,支撑引线2070a和2070b的每个具有连接到外框2010的一端和延伸到被外框围绕的区域中的另一端。支撑引线的所述另一端延伸到由内引线2050a和2050b限定的空腔中。即,支撑引线的所述另一端之间的距离比彼此相对的内引线2050a和2050b之间的距离短。
图9是示出导热块1000被安装到引线框架2000并且在引线框架2000上形成壳体3000的状态的俯视图,图10是沿图9的线B-B截取的剖视图。
参照图9和图10,支撑引线2070a和2070b的端部被容纳在形成在第一块1110的一侧上的引线容纳阶梯1110b(见图7)中,并随后被结合到块1000。因此,通过支撑引线来支撑并布置块1000。
同时,内引线2050a和2050b被布置为与块1000分隔开。
在将块1000安装到引线框架2000之后,可通过嵌件成型来形成壳体3000。壳体3000支撑块1000与引线端子2030a和2030b,并具有使块1000的上表面以及内引线2050a和2050b的一部分暴露的开口。
可选地,形成第一壳体以支撑支撑引线2070a和2070b以及内引线2050a和2050b,并且将块1000安装到第一壳体,这样也是可以的。这时,内引线2050a结合并电连接到块1000的引线容纳阶梯1110b。然后,形成第二壳体以支撑第一壳体、内引线2050a和2050b以及块1000。这时,壳体3000由第一壳体和第二壳体组成。
然后,发光芯片(未示出)被安装到形成在第三块1130上的凹陷部分,并通过导线电连接到内引线,然后形成成型构件。在封装工艺过程中去除外框架2010,并使外引线2030a和2030b弯曲,从而完成LED封装件。可去除外引线的非必要部分。
根据该实施例,利用支撑引线2070a和2070b来支撑块1000,然后,通过嵌件成型来形成壳体。因此,可容易地对准块1000和引线框架,并能够防止该布置在封装工艺过程中偏移。另外,由于支撑引线支撑块,所以能防止块与壳体3000分离。
图11示出了用于制造LED封装件的作为另一示例的引线框架2100。
除了修改过的内引线2150a之外,该实施例的引线框架2100与图8中示出的引线框架2000基本相同。
即,内引线2150a和内引线2050b不对称地形成,与支撑引线2070a和2070b的另一端部相似,内引线2150a比内引线2050b更靠空腔的内部。另外,内引线2150a的宽度比内引线2050b的宽度宽,从而内引线2150a的外周边可与内引线2050b的外周边对称。
这里示出的是内引线2150a彼此分隔开。然而,内引线不限于此,而是可以彼此相连。另外,内引线2150a可连接到支撑引线2070a和2070b以形成半圆环。
图12是示出块1000被安装到引线框架2100并在引线框架2100上形成壳体3000的状态的俯视图,图13是沿图12的线C-C截取的剖视图。
参照图12和图13,支撑引线2070a和2070b的端部被容纳在形成在第一块1110的一侧上的引线容纳阶梯1110b(见图9)中,并随后被结合到块1000,如参照图9和图10所解释的。另外,内引线2150a容纳在引线容纳阶梯中并结合到块1000。同时,内引线2050b与块1000分隔开。
另外,参照与如上参照图9和图10描述的方式相同的方式来执行用于形成壳体3000和封装件的工艺,从而完成LED封装件。
根据该实施例,内引线2150a结合到并电连接到块1000。因此,在垂直发光芯片(未示出)利用导电粘合剂安装到块1000的情况下,不需要通过布线或利用导线来电连接发光芯片和内引线2150a。因此,布线工艺变得更简单,并且由于排除了导线,所以可减少由导线断路引起的封装失效。
图14是示出本发明的用于制造LED封装件的作为另一示例的引线框架2200的俯视图。
参照图14,引线框架2200包括外框2010以及外引线2030a和2030b,如参照图7所解释的。同时,内引线2250a和2250b连接到外引线2030a和2030b,支撑引线2270a和2270b从外框2010延伸。
支撑引线2270a和2270b彼此连接以形成半圆支撑环2290,并且还与内引线2250a一起限定圆形空腔。即,半圆支撑环2290被布置为与内引线2250a面对。然后,支撑引线和内引线2250a结合到引线容纳阶梯1110b(见图7),以支撑块1000(见图7)。
另外,通过延伸支撑引线2270a和2270b形成的半圆支撑环2290可与内引线2250a连接,从而形成与内引线2250a连接的半圆环。
同时,内引线2250b被布置在支撑环2290之外,当块1000被安装到引线框架2200时,内引线2250b与块1000分离。
该实施例中示出了内引线2250a彼此相连以形成单个内引线。然而,本发明不限于此,内引线可与图11中的内引线2150a一样彼此分隔开。另外,虽然示出了内引线2250b彼此相连以形成单个内引线,但是本发明不限于此。内引线可与图11中的内引线2050b一样彼此分隔开。
根据该实施例,支撑引线2270a和2270b可彼此相连以形成半圆支撑环2290,并且半圆支撑环2290和内引线2250a可结合到块1000,从而更牢固地支撑块1000。
同时,可预先在将位于壳体3000的支撑引线2270a和2270b的预定部分处形成局部切除部分2280,使得支撑引线2270a和2270b的留在壳体3000外的端部可被容易地去除。
虽然已经参照附图和实施例解释了本发明,但是本领域技术人员应该理解,在不脱离由权利要求限定的本发明的技术精神的情况下,可以对本发明进行各种改变和修改。
Claims (12)
1.一种具有多阶梯结构的导热块,所述导热块被安装到发光二极管封装件以将从发光芯片产生的热散发到外部,所述导热块包括:
第一块;
第二块,布置在第一块上;
第三块,布置在第二块上,
其中,第二块和第三块被分别成形为具有边缘,并且第二块和第三块的边缘被布置为彼此交叉,
其中,第一块、第二块和第三块形成单块。
2.如权利要求1所述的导热块,其中,第三块具有凹陷部分,使得发光芯片安装在所述凹陷部分上,所述凹陷部分延伸到第二块,使得所述凹陷部分的底表面位于第二块内。
3.如权利要求1所述的导热块,其中,第一块具有引线容纳阶梯,引线端子结合到所述引线容纳阶梯。
4.如权利要求3所述的导热块,其中,引线容纳阶梯沿第一块的周边连续地形成。
5.一种发光二极管封装件,所述发光二极管封装件包括:
壳体;
导热块,具有多阶梯结构并安装在壳体中;
发光芯片,安装到导热块;
引线端子,用于将功率供应到发光芯片,
其中,具有多阶梯结构的导热块包括第一块、形成在第一块上的第二块和形成在第二块上的第三块,第二块和第三块分别被成形为具有边缘,第二块和第三块的边缘被设置为彼此交叉,
其中,第一块、第二块和第三块形成单块。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装件,其中,第三块具有凹陷部分,使得发光芯片安装在所述凹陷部分上,并且所述凹陷部分延伸到第二块,使得所述凹陷部分的底表面位于第二块内。
7.如权利要求5所述的发光二极管封装件,所述发光二极管封装件还包括支撑引线,其中,支撑引线结合到导热块。
8.如权利要求7所述的发光二极管封装件,其中,第一块具有引线容纳阶梯,支撑引线结合到所述引线容纳阶梯。
9.如权利要求7所述的发光二极管封装件,其中,至少一个引线端子结合到并电连接到导热块,并且至少另一个引线端子与导热块分隔开。
10.如权利要求9所述的发光二极管封装件,其中,至少一个引线端子结合到第一块的引线容纳阶梯。
11.如权利要求9所述的发光二极管封装件,其中,至少一个引线端子和支撑引线的端部彼此连接,以形成半圆环。
12.如权利要求9所述的发光二极管封装件,其中,支撑引线沿第一块的周边延伸以形成结合到第一块的半圆支撑环,并且半圆支撑环被布置为与至少一个引线端子面对。
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