CN2529387Y - 发光二极管的改良 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种发光二极管的改良,该发光二极管包括:一个以上的发光晶片、一个第一散热导件及一个第二散热架体,藉由第一散热导件、第二散热架体的设置,可将发光晶片发光时伴随产生的热量传递至外界,且更以第一散热导件外侧面的阶梯面增加散热的面积并强化接合结构,并避免发光二极管内局部温度过度升高所产生的问题,以整体具有较佳的散热效果,使得可持续增加电流以提高发光效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种发光二极管技术,尤指一种藉由第一散热导件、第二散热架体改善散热情形的发光二极管的改良。
背景技术
现有的发光二极管种类繁多,包括可发出可见光、不可见光、红外线或雷射光者,而如图4所示,该种发光二极管9是设有一个以上的导电支架91、91A,其中一支架91顶端设有一凹入的反射槽911,该反射槽911内以导电胶92粘固有发光晶片93,并于支架91、91A与晶片93间连接导线94,再于其外封装一透光体95,该透光体95可于发光晶片93的发光侧形成一光学镜片,以调整发光二极管9的发光角度等。
发光二极管因具有较传统灯泡可节省大量的能源、体积相当轻巧等优点而备受重视,但如何提高发光二极管的发光效率、光度等亦是当前急需解决的问题,尤其是当提高发光效率而持续增加电流时,往往伴随产生大量热量的散热问题,亦为目前各厂家急欲改善的问题。
实用新型内容
本实用新型的主要目的,在于解决上述的问题而提供一种发光二极管的改良结构,藉由第一散热导件、第二散热架体的设置,可将发光晶片发光时伴随产生的热量传递至外界,且更以第一散热导件外侧面的阶梯面增加散热的面积、第二散热架体添加有散热的加强成份,使热量更容易由发光晶片传递至第一散热导件、第二散热架体而发散至外界,避免发光二极管内局部温度过度升高产生的问题,以使整体具有较佳的散热效果,使本实用新型能持续增加电流以提高发光效率。
本实用新型的另一目的,在于提供一种发光二极管的改良,藉由一体成型第一散热导件及第二散热架体,而具有定位准确的优点,且使二者间能充份接触以具有较佳的散热效果。
本实用新型的再一目的,在于提供一种发光二极管的改良,藉由阶梯面的设置以强化第一散热导件与第二散热架体的接合效果。
发光二极管的改良,其发光二极管包括:
第一散热导件,是由可导电的材质制成,该第一散热导件顶部设有一容置部,而该第一散热导件的外侧面具有一个以上的阶梯面;
一个以上的发光晶片,设于该第一散热导件的容置部,可导电以激发出光线;
第二散热架体,是由绝缘材料制成,该第二散热架体内设有一个以上的导架,该导架可与发光晶片电性连接,且导架是由第二散热架体向外延伸;
第二散热架体是一体设于第一散热导件外围,且第二散热架体至少与第一散热导件的阶梯面接触
发光二极管的改良,其第一散热导件的阶梯面是环绕设置。
发光二极管的改良,其第一散热导件的容置部顶侧设有一透光件,透光件具有预定的形状且可透光。
发光二极管的改良,其第二散热架体于第一散热导件的容置部顶侧设有一延伸部,透光件固定于延伸部内。
发光二极管的改良,其发光晶片顶部与底部具有不同的外质半导性,而电性连接发光晶片的顶部及一导架,另外电性连接发光晶片的底部、第一散热导件及另一导架。
发光二极管的改良,其发光晶片两侧部具有不同的外质半导性,而电性连接该发光晶片一侧部及一导架;另外电性连接该发光晶片的另一侧部及另一导架。
发光二极管的改良,其第二散热架体添加有散热的加强成份。
发光二极管的改良,其第二散热架体是一体射出成型而设于第一散热导件外围。
发光二极管的改良,其第一散热导件可由铜、铝及其合金制成。
附图说明
图1是本实用新型第一实施例的结构示意图;
图2是本实用新型第一实施例的使用示意图;
图3是本实用新型第二实施例的结构示意图;
图4是已有发光二极管的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型发光二极管的改良作进一步详细的描述:
请参阅图1、2,本实用新型发光二极管的改良,该发光二极管包括:
第一散热导件1,是由可导电的材质如铜、铝及其合金等制成,该第一散热导件1顶部设有一容置部11,而该第一散热导件1的外侧面具有一个以上的阶梯面12;
一个以上的发光晶片3,设于第一散热导件1的容置部11,可导电以激发出光线;
透光件4,是具有预定的形状且可透光,该透光件4可为一光学镜片面,设于第一散热导件1的容置部11顶侧;
第二散热架体2,由绝缘材料制成,并添加有散热的加强成份,在本实施例中,该散热加强成份可为三氧化二铝(Al2O3)等,第二散热架体2内设有一个以上的导架21、22,导架21、22可与发光晶片3电性连接,且导架21、22是由第二散热架体2向外延伸;第二散热架体2于第一散热导件1的容置部11顶侧设有一延伸部23,透光件4固定于延伸部23内;
第二散热架体2是一体射出成型而设于第一散热导件1外围,且第一散热导件1的阶梯面12是环绕设置,而第二散热架体2至少与第一散热导件1的阶梯面12接触,另外,在本实施例中,发光晶片3的顶部与底部是具有不同的外质半导性(Extrinsic Semiconduction),以导线51电性连接该发光晶片3的顶部31及导架21,另以导线52电性连接发光晶片3的底部32、第一散热导件1及导架22,导架21可导通正电,而导架22可导通负电,而使可导电的第一散热导件1参与导电,并加强散热。
使用本实用新型时,如图2所示,藉由第一散热导件1、第二散热架体2的设置,可将发光晶片3发光时伴随产生的热量传递至外界,且更以第一散热导件1外侧面的阶梯面12增加散热的面积、第二散热架体2添加有散热的加强成份,使热量更容易由发光晶片3传递至第一散热导件1、第二散热架体2而发散至外界,避免发光二极管内局部温度过度升高产生的问题,以整体具有较佳的散热效果。
制作本实用新型时,是依下列步骤进行:
1.固晶:先将该发光晶片3固定于第一散热导件1的容置槽11内;
2.设导线:于该发光晶片3的预定位置处设置导线51、52,并使导线51、52与导架2122连接;
3.设置透光件4;
4.一体射出成型:于第一散热导件1外围一体射出成型第二散热架体2。
藉由一体射出成型的步骤将第一散热导件1、第二散热架体2等构件整合,具有定位准确的优点,换言之,本实用新型得减少以点胶的方式黏合第一散热导件1、第二散热架体2造成的定位不准确的情形,另外,在增加散热面积的考虑上,除利用阶梯面12来增加外,并藉由该第二散热架体2一体设置于第一散热导件1外围,而使二者间能充份接触,以避免点胶黏合仅点胶处接触的缺失,具有较佳的散热效果,使本实用新型可以持续增加电流以提高发光效率。
再者,阶梯面12更具有强化第一散热导件1、第二散热架体2的接合。
本实用新型并不限于上述实施例,如图3所示,为本实用新型的第二实施例,该发光晶片3A两侧部31A、32A是具有不同的外质半导性(Extrinsic Semiconduction),而电性连接该发光晶片3A一侧部31A及导架21,另外电性连接该发光晶片3A的另一侧部32A及导架22,导架21可导通正电,而导架22可导通负电。或者,该阶梯面12亦可倾斜设置,其同样具有增加散热面积及强化接合的效果。
以上所述实施例的揭示是用以说明本实用新型,并非用以限制本实用新型,所以凡数值的变更或等效元件的置换仍应隶属本实用新型的范畴。
Claims (9)
1.一种发光二极管的改良,其特征在于:发光二极管包括:
第一散热导件,是由可导电的材质制成,该第一散热导件顶部设有一容置部,而该第一散热导件的外侧面具有一个以上的阶梯面;
一个以上的发光晶片,设于该第一散热导件的容置部,可导电以激发出光线;
第二散热架体,是由绝缘材料制成,该第二散热架体内设有一个以上的导架,该导架可与发光晶片电性连接,且导架是由第二散热架体向外延伸;
第二散热架体是一体设于第一散热导件外围,且第二散热架体至少与第一散热导件的阶梯面接触
2.如权利要求1所述的发光二极管的改良,其特征在于:第一散热导件的阶梯面是环绕设置。
3.如权利要求1所述的发光二极管的改良,其特征在于:第一散热导件的容置部顶侧设有一透光件,透光件具有预定的形状且可透光。
4.如权利要求3所述的发光二极管的改良,其特征在于:第二散热架体于第一散热导件的容置部顶侧设有一延伸部,透光件固定于延伸部内。
5.如权利要求1所述的发光二极管的改良,其特征在于:发光晶片顶部与底部具有不同的外质半导性,而电性连接发光晶片的顶部及一导架,另外电性连接发光晶片的底部、第一散热导件及另一导架。
6.如权利要求1所述的发光二极管的改良,其特征在于:发光晶片两侧部具有不同的外质半导性,而电性连接该发光晶片一侧部及一导架;另外电性连接该发光晶片的另一侧部及另一导架。
7.如权利要求1所述的发光二极管的改良,其特征在于:第二散热架体添加有散热的加强成份。
8.如权利要求1所述的发光二极管的改良,其特征在于:第二散热架体是一体射出成型而设于第一散热导件外围。
9.如权利要求1所述的发光二极管的改良,其特征在于:第一散热导件可由铜、铝及其合金制成。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN02206658U CN2529387Y (zh) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 发光二极管的改良 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN2529387Y true CN2529387Y (zh) | 2003-01-01 |
Family
ID=33687928
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN02206658U Expired - Lifetime CN2529387Y (zh) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 发光二极管的改良 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN2529387Y (zh) |
Cited By (5)
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---|---|---|---|---|
WO2005029594A1 (fr) * | 2003-09-22 | 2005-03-31 | Fujian Joinluck Electronic Enterprise Co., Ltd. | Structure de diode electroluminescente |
WO2007059657A1 (en) * | 2005-11-28 | 2007-05-31 | Jen-Shyan Chen | Package structure of light-emitting diode |
CN101369617B (zh) * | 2007-08-13 | 2011-01-12 | 佰鸿工业股份有限公司 | 高散热性发光二极管装置 |
CN102088052A (zh) * | 2009-12-04 | 2011-06-08 | 塔工程有限公司 | Led芯片接合装置 |
CN102244183A (zh) * | 2006-12-19 | 2011-11-16 | 首尔半导体株式会社 | 具有多阶梯结构的导热块和使用其的发光二极管封装件 |
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2002
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005029594A1 (fr) * | 2003-09-22 | 2005-03-31 | Fujian Joinluck Electronic Enterprise Co., Ltd. | Structure de diode electroluminescente |
WO2007059657A1 (en) * | 2005-11-28 | 2007-05-31 | Jen-Shyan Chen | Package structure of light-emitting diode |
CN102244183A (zh) * | 2006-12-19 | 2011-11-16 | 首尔半导体株式会社 | 具有多阶梯结构的导热块和使用其的发光二极管封装件 |
CN102244183B (zh) * | 2006-12-19 | 2016-02-24 | 首尔半导体株式会社 | 具有多阶梯结构的导热块和使用其的发光二极管封装件 |
CN101369617B (zh) * | 2007-08-13 | 2011-01-12 | 佰鸿工业股份有限公司 | 高散热性发光二极管装置 |
CN102088052A (zh) * | 2009-12-04 | 2011-06-08 | 塔工程有限公司 | Led芯片接合装置 |
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