CN204857783U - 一种侧面发光的led - Google Patents
一种侧面发光的led Download PDFInfo
- Publication number
- CN204857783U CN204857783U CN201520209093.9U CN201520209093U CN204857783U CN 204857783 U CN204857783 U CN 204857783U CN 201520209093 U CN201520209093 U CN 201520209093U CN 204857783 U CN204857783 U CN 204857783U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- led
- line
- optical lens
- glue
- emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本实用新型提供一种侧面发光的LED,包括基座,固定在基座上的LED芯片,包围LED芯片四周的高反胶层,位于LED芯片正上方的一次光学透镜,其特征在于,所述一次光学透镜的侧面预留一出光口,其余侧面及顶面被高反胶层包围。本实用新型所提供的侧面发光LED,通过封装形式的改变,实现了LED单面出光。该LED的出光面在侧面,使其在应用的过程中,可以通过简单的设计和装配将光线更加高效的耦合到导光条中,这为发光二极管在日间行车灯、电视背光等特殊应用场合提供了方便。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体光电封装技术领域,特别涉及一种侧面发光的LED。
背景技术
LED芯片是通过在PN结上加正向电流,自由电子与空穴复合而发光,直接将电能转化为光能,它作为一种新的照明光源材料被广泛应用着,它具有反应速度快、抗震性好、寿命长、节能环保等优点而快速发展,目前已被广泛应用于景观美化及室内外照明等领域。
考虑到传统的正装蓝宝石衬底大功率芯片P-GaN层电导率不高,需要在P型层上表面沉积一层半透明的Ni/Au导电层使电流更加均匀分布,该电流扩散层会吸收一部分光而降低光效,同时蓝宝石热导系数低则导致芯片热阻高。为克服上述不足,提出了倒装芯片。而倒装LED芯片具有五面出光的特点,但是70%左右的光由芯片的正上方发出的。在一些特殊的应用场合,如电视背光,此时需要使用导光条来改变光的输出路线,该种方法增加了产品设计和装配的复杂性。
实用新型内容
针对现有技术的不足,本实用新型的目的是提供一种侧面发光的LED,该LED通过封装形式的改变,实现了LED单面出光。
为了实现上述目的,本实用新型采用以下技术方案:一种侧面发光的LED,包括LED芯片,包围LED芯片四周的高反胶层,位于LED芯片正上方的一次光学透镜,所述一次光学透镜的侧面预留一出光口,其余侧面及顶面被高反胶层包围。
优选地,该侧面发光的LED还包括基座。
优选地,所述一次光学透镜为荧光粉和硅胶混合所形成的荧光胶层。
优选地,所述一次光学透镜包括荧光粉胶层和透明硅胶层两部分。
优选地,所述荧光粉胶层位于所述透明硅胶层的出光面。
优选地,所述荧光粉胶层位于所述LED芯片正上方表面。
优选地,所述一次光学透镜的厚度至少为100um。
优选地,所述一次光学透镜的形状为方形。
本实用新型所提供的侧面发光LED,通过封装形式的改变,实现了LED单面出光。该LED的出光面在侧面,使其在应用的过程中,可以通过简单的设计和装配将光线更加高效的耦合到导光条中,这为发光二极管在日间行车灯、电视背光等特殊应用场合提供了方便。
附图说明
图1为本实用新型一种侧面发光的LED实施例一结构剖视图;
图2为本实用新型一种侧面发光的LED实施例二结构剖视图;
图3为本实用新型一种侧面发光的LED实施例三结构剖视图。
具体实施方式
实施例一
本实用新型提供一种侧面发光的LED,如图1所示,陶瓷基板1上固定蓝光芯片2,蓝光芯片2的四周被高反胶层3包围,蓝光LED芯片2的正上方为透明硅胶层4,透明硅胶层4的侧面留有一出光口,其余侧面以及顶面被高反胶层3包围,透明硅胶层4的出光口设有一荧光粉胶层5,该透明硅胶层4和荧光粉胶层5共同形成一次光学透镜。
实施例二
如图2所示,本实用新型提供一种侧面发光的LED,蓝光芯片2的四周被高反胶层3包围,蓝光LED芯片2的正上方设有一次光学透镜荧光胶层6,荧光胶层6是荧光粉和透明硅胶混合而成的,在荧光胶层6的侧面预留一出光口,其余侧面和顶面被高反胶层3包围。
实施例三
如图2所示,本实用新型提供一种侧面发光的LED,PCB板7上固定蓝光芯片2,蓝光芯片2的四周被高反胶层3包围,蓝光LED芯片2的正上方设有一荧光粉胶层5,在荧光粉胶层5的上面设有透明硅胶层4,该荧光粉胶层5和透明硅胶层4共同形成一次光学透镜,透明硅胶层4和荧光粉胶层5的一侧面预留一出光口,其余侧面和顶面被高反胶层3包围。
以上所述,仅为本实用新型中的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉该技术的人在本实用新型中所揭露的技术范围内,可轻易想到的变换或替换都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
Claims (9)
1.一种侧面发光的LED,包括LED芯片,包围LED芯片四周的高反胶层,位于LED芯片正上方的一次光学透镜,其特征在于,所述一次光学透镜的侧面预留一出光口,其余侧面及顶面被高反胶层包围。
2.根据权利要求1所述的一种侧面发光的LED,其特征在于,该侧面发光的LED还包括基座。
3.根据权利要求1所述的一种侧面发光的LED,其特征在于,所述一次光学透镜为荧光粉和硅胶混合所形成的荧光胶层。
4.根据权利要求1所述的一种侧面发光的LED,其特征在于,所述一次光学透镜包括荧光粉胶层和透明硅胶层两部分。
5.根据权利要求4所述的一种侧面发光的LED,其特征在于,所述荧光粉胶层位于所述透明硅胶层的出光面。
6.根据权利要求4所述的一种侧面发光的LED,其特征在于,所述荧光粉胶层位于所述LED芯片正上方表面。
7.根据权利要求1或3或4所述的一种侧面发光的LED,其特征在于,所述一次光学透镜的厚度至少为100um。
8.根据权利要求1或3或4所述的一种侧面发光的LED,其特征在于,所述一次光学透镜的形状为方形。
9.根据权利要求7所述的一种侧面发光的LED,其特征在于,所述一次光学透镜的形状为方形。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201520209093.9U CN204857783U (zh) | 2015-04-09 | 2015-04-09 | 一种侧面发光的led |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201520209093.9U CN204857783U (zh) | 2015-04-09 | 2015-04-09 | 一种侧面发光的led |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN204857783U true CN204857783U (zh) | 2015-12-09 |
Family
ID=54748309
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201520209093.9U Active CN204857783U (zh) | 2015-04-09 | 2015-04-09 | 一种侧面发光的led |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN204857783U (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108987548A (zh) * | 2017-05-31 | 2018-12-11 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其制作方法、平面光源模组 |
CN110364608A (zh) * | 2018-03-26 | 2019-10-22 | 行家光电股份有限公司 | 晶片级线型光源发光装置 |
CN111276594A (zh) * | 2015-09-18 | 2020-06-12 | 新世纪光电股份有限公司 | 发光元件封装结构 |
US10957674B2 (en) | 2015-09-18 | 2021-03-23 | Genesis Photonics Inc | Manufacturing method |
WO2021098031A1 (zh) * | 2019-11-18 | 2021-05-27 | 深圳市欣上科技有限公司 | Led灯带基板、led灯带以及终端设备 |
-
2015
- 2015-04-09 CN CN201520209093.9U patent/CN204857783U/zh active Active
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111276594A (zh) * | 2015-09-18 | 2020-06-12 | 新世纪光电股份有限公司 | 发光元件封装结构 |
US10957674B2 (en) | 2015-09-18 | 2021-03-23 | Genesis Photonics Inc | Manufacturing method |
CN108987548A (zh) * | 2017-05-31 | 2018-12-11 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其制作方法、平面光源模组 |
CN110364608A (zh) * | 2018-03-26 | 2019-10-22 | 行家光电股份有限公司 | 晶片级线型光源发光装置 |
CN110364608B (zh) * | 2018-03-26 | 2022-02-25 | 行家光电股份有限公司 | 晶片级线型光源发光装置 |
WO2021098031A1 (zh) * | 2019-11-18 | 2021-05-27 | 深圳市欣上科技有限公司 | Led灯带基板、led灯带以及终端设备 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN203277485U (zh) | 发光装置、用于形成多方向出光的发光二极管芯片及其蓝宝石基板 | |
CN204857783U (zh) | 一种侧面发光的led | |
CN103335226A (zh) | 一种全方向出光的led球泡灯 | |
CN103915557A (zh) | 一种使用陶瓷散热的高功率led灯具 | |
CN205752232U (zh) | 一种cob光模组 | |
CN208271889U (zh) | 一种led芯片的封装模块 | |
CN203071136U (zh) | 一种圆片级led封装结构 | |
CN209471995U (zh) | 高光效白光led芯片 | |
CN103343891A (zh) | 一种4π发光的LED光源模组 | |
CN204857774U (zh) | 一种白光led封装结构 | |
CN203026552U (zh) | Led发光元器件支架 | |
CN105575957A (zh) | 一种白光led的cob光源 | |
CN201936915U (zh) | 一种led封装结构及其led模组 | |
CN204651345U (zh) | 发光二极管封装结构 | |
CN205508869U (zh) | 一种侧面发光led芯片 | |
CN104851953A (zh) | 可调光led封装结构 | |
CN202855794U (zh) | 一种直插式led封装结构 | |
CN203215372U (zh) | 一种大功率led灯及其散热器 | |
CN203481264U (zh) | 一种白光led芯片 | |
CN203384679U (zh) | 一种全方向出光的led球泡灯 | |
CN203322806U (zh) | 一种线性发光的led光源模组 | |
CN204927325U (zh) | 发光二极管封装结构 | |
CN206076227U (zh) | 一种侧面发光led器件 | |
CN203312364U (zh) | 一种方形陶瓷cob封装结构 | |
CN203848063U (zh) | 防热岛效应伞形led灯丝 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 330096, No. 699 AI Sihu Road, Nanchang hi tech Development Zone, Jiangxi, China Patentee after: JIANGXI LATTICEPOWER SEMICONDUCTOR Corp. Address before: 330096, No. 699 AI Sihu Road, Nanchang hi tech Development Zone, Jiangxi, China Patentee before: JIANGXI LATTICEBRIGHT Corp. |
|
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |