CN104851953A - 可调光led封装结构 - Google Patents
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- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 97
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 95
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 23
- 238000013517 stratification Methods 0.000 claims description 15
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 21
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 6
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
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Abstract
本发明提供一种可调光LED封装结构，通过多个第一荧光层相对应重叠设置于一部分的第一类型LED芯片上，以解决色温不易调整以及混光不均匀的问题。并且通过第二荧光层覆盖所述第一荧光层以及另一部分的第一类型LED芯片，以简化LED封装结构的工艺步骤。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光二极管(light-emitted diode，LED)结构，特别是涉及一种可调光LED封装结构。
背景技术
图1为现有的LED封装结构，所述LED封装结构为板上芯片(chip-on-board, COB)封装结构，包括基板100、排列设置于基板100上的LED芯片102、以及填充于侧壁103内以覆盖LED芯片102的荧光胶104，其中荧光胶104包括暖色温(warm color)荧光胶104a以及冷色温(cold color)荧光胶104b，荧光胶104由荧光粉组成。
如图1所示，LED封装结构的混光方式使用两种不同浓度的荧光粉进行点胶，例如是暖色温荧光胶104a以及冷色温荧光胶104b，并且于固晶焊线完成之后，在不同的暖色温区域和冷色温区域内封入不同配方比例的荧光胶104，以对不同色温区域的LED芯片102进行点胶，从而达到不同色温需求。上述方式虽可调整LED封装结构的色温，但需要使用灯罩围绕荧光胶104，以于基板100的上方形成混光腔室(未图示)，致使耗费较大的空间才能混光，更容易造成暖色温区域和冷色温区域的LED芯片102不易均匀混光的问题。此外，暖色温区域与冷色温区域需要使用两次工艺进行暖色温荧光胶104a以及冷色温荧光胶104b点胶，使工艺步骤较为繁琐。
因此，需要发展一种新式的LED封装结构，以解决上述色温不易调整、混光不均匀以及工艺繁琐的问题。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种可调光LED封装结构，通过多个第一荧光层相对应重叠设置于一部分的第一类型LED芯片上，以解决上述色温不易调整以及混光不均匀的问题。
本发明的另一个目的在于提供一种可调光LED封装结构，通过第二荧光层覆盖所述第一荧光层以及另一部分的第一类型LED芯片，以简化LED封装结构的工艺步骤。
为实现上述目的，本发明的一优选实施例提供一种可调光LED封装结构，所述可调光发光二极管(LED)封装结构包括：基板；环形侧壁，设置于所述基板上；多个第一类型LED芯片设置于所述环形侧壁之内的所述基板上，所述第一类型LED芯片用以产生照射光线；多个第一荧光层相对应重叠设置于一部分的所述第一类型LED芯片上；以及第二荧光层，用以填入所述环形侧壁之内，以覆盖所述第一荧光层以及另一部分的所述第一类型LED芯片。其中当所述一部分第一类型LED芯片产生的所述照射光线相对应穿透每一所述第一荧光层以及所述第二荧光层时，并且当所述另一部分第一类型LED芯片产生的所述照射光线相对应穿透所述第二荧光层时，所述照射光线在所述第一荧光层的表面与所述另一部分第一类型LED芯片的表面附近形成混光。
在一实施例中，可调光LED封装结构进一步包括多个第二类型LED芯片，设置于所述环形侧壁之内的所述基板上，以与所述第一类型LED芯片交错排列。
在一实施例中，每一第一类型LED芯片为蓝光芯片，且每一所述第二类型LED芯片为红光芯片。
在一实施例中，所述蓝光芯片的数量与所述红光芯片的数量之比为1：1~3：1。
在一实施例中，当每一第一类型LED芯片为垂直结构的LED芯片时，每一第一荧光层的面积小于或等于所述垂直结构的LED芯片的面积。
在一实施例中，当每一第一类型LED芯片为水平结构的LED芯片时，每一第一荧光层的面积大于或等于所述水平结构的LED芯片的面积。
在一实施例中，每一第一荧光层的面积为每一第一类型LED芯片的面积的0.8倍~2倍。
在一实施例中，每一所述第一荧光层为暖白荧光贴片。
在一实施例中，每一所述第一荧光层的底面包括一贴合层，以将所述第一荧光层贴附于所述一部分第一类型LED芯片的表面上。
在一实施例中，所述第二荧光层为冷白荧光胶。
本发明可调光LED封装结构，通过多个第一荧光层相对应重叠设置于一部分的第一类型LED芯片上，以有效调整色温，达到均匀混光的效果。并且通过第二荧光层简化LED封装结构的工艺步骤。
附图说明
图1为现有的LED封装结构的示意图；
图2为本发明实施例中LED封装结构的俯视图；
图3为图2中沿着A-A’线段的剖视图；
图4为本发明实施例中LED封装结构的配线示意图；
图5为本发明另一实施例中LED封装结构的配线示意图。
附图标记说明：
100 基板
102 LED芯片
103 侧壁
104 荧光胶
104a 暖色温荧光胶
104b 冷色温荧光胶
200 基板
202 环形侧壁
204 第一类型LED芯片
206 第一荧光层
207 出光处
208 第二荧光层
210 第二类型LED芯片
212 贴合层
214 照射光线
400 连接线
A1 第一类型LED芯片的面积
A2 第一荧光层的面积。
具体实施方式
本发明的可调光LED封装结构利用所述侧壁形成一固晶区域，所述固晶区域由冷白区域以及暖白区域组成，其中冷白区域定义为未贴附暖色温荧光贴片的蓝光芯片区域，暖白区域定义为贴附有暖色温荧光贴片的蓝光芯片的区域。换言之，暖色温荧光贴片选择性地贴附于一部分的蓝光芯片，使得冷白区域以及暖白区域互相交错，以达到调整所述LED封装结构的色温的效果，并且使冷白区域以及暖白区域互之间形成均匀混光。
参考图2以及图3，图2为本发明实施例中LED封装结构的俯视图，图3为图2中沿着A-A’线段的剖视图。如图2以及图3所示，可调光发光二极管(LED)封装结构包括基板200、环形侧壁202、多个第一类型LED芯片204、多个第一荧光层206、第二荧光层208以及贴合层212。
基板200例如是陶瓷基板，具有电性绝缘的特性且由陶瓷材质组成，陶瓷材质如氧化铝、氮化铝、氧化锆以及氟化钙其中之一。环形侧壁202设置于所述基板200上，用以围绕所述第一类型LED芯片204，使所述第二荧光层208均匀覆盖所述第一类型LED芯片204以及所述第一荧光层206。多个第一类型LED芯片204，设置于所述环形侧壁202之内的基板200上，所述第一类型LED芯片204用以产生照射光线。在一实施例中，每一第一类型LED芯片204为蓝光芯片。
如图2以及图3所示，多个第一荧光层206，相对应重叠设置于一部分的第一类型LED芯片204上，换言之，第一荧光层206堆叠在一部分的第一类型LED芯片204的上表面，使第一类型LED芯片204依序重叠第一荧光层206以及第二荧光层208。在一实施例中，每一第一荧光层206的底面包括一贴合层212，以将第一荧光层206贴附于一部分第一类型LED芯片204的表面上。贴合层212例如是黏着的银胶或锡胶，或是铜锡合金或金锡合金，贴合层212也具有导热的作用。
具体来说，在一实施例中，第一荧光层206涂布在一部分的第一类型LED芯片204上以提供暖色温(例如是红色)的荧光作用，可使第一类型LED芯片204所发射的原始光线转换成具有适当色温的照射光线214，例如将紫外光转换成偏蓝的可见光，接着偏蓝的可见光穿透暖色温的第一荧光层206，产生暖色温的光线。在一优选实施例中，第一荧光层206为重叠贴附在一部分的第一类型LED芯片204的暖色温荧光贴片，所述暖色温荧光贴片例如是红色温荧光贴片。
如图2以及图3所示，第二荧光层208用以填入所述环形侧壁202之内，以覆盖所述第一荧光层206以及另一部分的第一类型LED芯片204，并且第二荧光层208填满第一类型LED芯片204之间的间隔，所述第二荧光层208提供冷色温(例如蓝色)的荧光作用，第二荧光层208例如是冷色温荧光胶。此外，在一实施例中，本发明可以一次性地填入相同浓度的冷白荧光胶于所述环形侧壁202的范围内，使得LED封装结构的工艺更为简化。
如图3所示，当所述一部分第一类型LED芯片204产生的照射光线214相对应穿透每一第一荧光层206以及所述第二荧光层208时，并且当所述另一部分第一类型LED芯片204产生的照射光线214相对应穿透所述第二荧光层208时，所述照射光线214在所述第一荧光层206的表面与所述另一部分第一类型LED芯片204的表面附近形成混光。
具体来说，一部分第一类型LED芯片204表面上设有第一荧光层206，通过所述第一荧光层206将第一类型LED芯片204形成的照射光线转换成暖色温光线；另一部分第一类型LED芯片204未在表面上设有第一荧光层206，另一部分第一类型LED芯片204直接产生冷色温照射光线。由于两种不同色温的照射光线互相邻接，且设有第一荧光层206的第一类型LED芯片204与未设有第一荧光层206的第一类型LED芯片204互相邻接，故可有效调整色温，以达到均匀混光的效果。
进一步地，如图2以及图3所示，在设有第一荧光层206的第一类型LED芯片204与未设有第一荧光层206的第一类型LED芯片204的上方覆盖第二荧光层208，通过设有第一荧光层206的第一类型LED芯片204与未设有第一荧光层206的第一类型LED芯片204互相交错设置，并且第二荧光层208包覆第一荧光层206，使得暖色温光线与冷色温照射光线在第一类型LED芯片204的出光处207附近充分混光。即，在每一第一类型LED芯片204出光处207附近具有调整色温以及均匀混光的效果，例如在环形侧壁202附近的设有第一荧光层206的第一类型LED芯片204与未设有第一荧光层206的第一类型LED芯片204依然可使照射光线充分混光，而使LED封装结构在不同角度仍有均匀的色温调整的效果。
继续参考图2以及图3，在一实施例中，当每一第一类型LED芯片204为垂直结构的LED芯片时，每一第一荧光层206的面积A2小于或等于所述垂直结构的LED芯片的面积A1，此处垂直结构的LED芯片的两个电极分别在LED外延层的两侧。所述垂直结构的LED芯片例如是非透明基板作为衬底，所以垂直结构的LED芯片为不透明状态，使得光线从晶面的表面上发光，使得垂直结构的LED芯片的侧边不会发光，故每一第一荧光层206的面积A2小于或等于所述垂直结构的LED芯片的面积A1，优选实施例中，每一第一荧光层206的面积A2为每一垂直结构的LED芯片的面积A1的0.8倍~1倍。此处，在图2以及图3中，A1等于A2。
在另一实施例中，当每一第一类型LED芯片204为水平结构的LED芯片时，每一第一荧光层206的面积A2大于或等于所述水平结构的LED芯片的面积A1，此处水平结构是指LED芯片的两个电极在LED芯片的同一侧。所述水平结构的LED芯片例如是透明基板(例如蓝宝石)作为衬底，使得水平结构的LED芯片的侧边也会发光，故当每一第一荧光层的面积A2大于或是等于所述水平结构的LED芯片的面积A1时，以激发更多的暖色温光线。优选实施例中，每一水平结构是指LED的面积A1为每一第一荧光层的面积A2的1倍至2倍之间。此处，在图2以及图3中，A1等于A2。
因此，本发明可调光发光二极管(LED)封装结构适用于垂直结构的LED芯片及/或水平结构的LED芯片，其中每一第一荧光层206的面积A2为每一LED芯片的面积A1的0.8倍~2倍，但是不限于此倍数，可为更低倍数或是更高倍数。
参考图4，图4所示为本发明实施例中LED封装结构的配线示意图。第一类型LED芯片204可包括依序堆叠的N型半导体层、半导体发光层、P型半导体层，比如N型半导体层可为N型GaN(氮化镓)层，半导体发光层可包含氮化镓或氮化铟镓，P型半导体层可为P型GaN层，其中P型GaN层及N型GaN层分别通过电性连接线400连接至外部电源(未图示)的正极端(+)及负极端(-)，从而导通第一类型LED芯片204，亦即正向偏压，而使得半导体发光层产生电子空穴对的复合作用以发射照射光线。
本发明LED封装结构还可包括封装胶(未图示)，所述封装胶具有高透光性及电性绝缘，且包覆环形侧壁202以及第二荧光层208，封住整体的LED封装结构，封装胶可由包括硅胶或环氧树脂的材料构成。
参考图5，图5为本发明另一实施例中LED封装结构的配线示意图。多个第二类型LED芯片210设置于所述环形侧壁202之内的基板200上，以与所述第一类型LED芯片204交错排列。在一实施例中，在环形侧壁202之内的固晶区域中设置的第二类型LED芯片210为红光芯片，以提高LED封装结构的显色指数(color rendering index, CRI)，即控制固晶区域的红光芯片的数量及其分布状况以调整显色指数(CRI)，以降低红光光衰减效应。优选实施例中，所述蓝光芯片的数量与所述红光芯片的数量之比为1：1~3：1。在其它实施例中，所述蓝光芯片的数量与所述红光芯片的数量之比可为任意值。
综上所述，本发明可调光LED封装结构，通过多个第一荧光层相对应重叠设置于一部分的第一类型LED芯片上，以解决上述色温不易调整以及混光不均匀的问题。并且通过第二荧光层覆盖所述第一荧光层以及另一部分的第一类型LED芯片及/或第二类型LED芯片，以简化LED封装结构的工艺步骤。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (20)
1.一种可调光LED封装结构，包括：
一基板；
一环形侧壁，设置于所述基板上； 多个第一类型LED芯片，设置于所述环形侧壁之内的所述基板上，所述第一类型LED芯片用以产生照射光线； 多个第一荧光层，相对应重叠设置于一部分的所述第一类型LED芯片上；以及 一第二荧光层，用以填入所述环形侧壁之内，以覆盖所述第一荧光层以及另一部分的所述第一类型LED芯片；其特征在于， 当所述一部分第一类型LED芯片产生的所述照射光线相对应穿透每一所述第一荧光层以及所述第二荧光层时，并且当所述另一部分第一类型LED芯片产生的所述照射光线相对应穿透所述第二荧光层时，所述照射光线在所述第一荧光层的表面与所述另一部分第一类型LED芯片的表面附近形成混光。
2.根据权利要求1所述的可调光LED封装结构，其特征在于，进一步包括多个第二类型LED芯片，设置于所述环形侧壁之内的所述基板上，以与所述第一类型LED芯片交错排列。
3.根据权利要求2所述的可调光LED封装结构，其特征在于，每一所述第一类型LED芯片为蓝光芯片，且每一所述第二类型LED芯片为红光芯片。
4.根据权利要求3所述的可调光LED封装结构，其特征在于，所述蓝光芯片的数量与所述红光芯片的数量之比为1：1~3：1。
5.根据权利要求1所述的可调光LED封装结构，其特征在于，当每一所述第一类型LED芯片为垂直结构的LED芯片时，每一所述第一荧光层的面积小于或等于所述垂直结构的LED芯片的面积。
6.根据权利要求1所述的可调光LED封装结构，其特征在于，当每一所述第一类型LED芯片为水平结构的LED芯片时，每一所述第一荧光层的面积大于或等于所述水平结构的LED芯片的面积。
7.根据权利要求1所述的可调光LED封装结构，其特征在于，每一所述第一荧光层的面积为第一类型LED芯片的面积的0.8倍~2倍。
8.根据权利要求1所述的可调光LED封装结构，其特征在于，每一所述第一荧光层为暖色温荧光贴片。
9.根据权利要求1所述的可调光LED封装结构，其特征在于，每一所述第一荧光层的底面包括一贴合层，以将所述第一荧光层贴附于所述一部分第一类型LED芯片的表面上。
10.根据权利要求1所述的可调光LED封装结构，其特征在于，所述第二荧光层为冷色温荧光胶。
11.一种可调光LED封装结构，包括： 一基板；
多个第一类型LED芯片，设置于所述基板上，所述第一类型LED芯片用以产生照射光线；
多个第一荧光层，相对应重叠设置于一部分的所述第一类型LED芯片上；以及
一第二荧光层，形成于所述基板上，以覆盖所述第一荧光层以及另一部分的所述第一类型LED芯片；其特征在于，
当所述一部分第一类型LED芯片产生的所述照射光线相对应穿透每一所述第一荧光层以及所述第二荧光层时，并且当所述另一部分第一类型LED芯片产生的所述照射光线相对应穿透所述第二荧光层时，所述照射光线在所述第一荧光层的表面与所述另一部分第一类型LED芯片的表面附近形成混光。
12.根据权利要求11所述的可调光LED封装结构，其特征在于，进一步包括多个第二类型LED芯片，设置于所述基板上，以与所述第一类型LED芯片交错排列。
13.根据权利要求12所述的可调光LED封装结构，其特征在于，每一所述第一类型LED芯片为蓝光芯片，且每一所述第二类型LED芯片为红光芯片。
14.根据权利要求13所述的可调光LED封装结构，其特征在于，所述蓝光芯片的数量与所述红光芯片的数量之比为1：1~3：1。
15.根据权利要求11所述的可调光LED封装结构，其特征在于，当每一所述第一类型LED芯片为垂直结构的LED芯片时，每一所述第一荧光层的面积小于或等于所述垂直结构的LED芯片的面积。
16.根据权利要求11所述的可调光LED封装结构，其特征在于，当每一所述第一类型LED芯片为水平结构的LED芯片时，每一所述第一荧光层的面积大于或等于所述水平结构的LED芯片的面积。
17.根据权利要求11所述的可调光LED封装结构，其特征在于，每一所述第一荧光层的面积为每一所述第一类型LED芯片的面积的0.8倍~2倍。
18.根据权利要求11所述的可调光LED封装结构，其特征在于，每一所述第一荧光层为暖色温荧光贴片。
19.根据权利要求11所述的可调光LED封装结构，其特征在于，每一所述第一荧光层的底面包括一贴合层，以将所述第一荧光层贴附于所述一部分第一类型LED芯片的表面上。
20.根据权利要求11所述的可调光LED封装结构，其特征在于，所述第二荧光层为冷色温荧光胶。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410049942.9A CN104851953A (zh) | 2014-02-13 | 2014-02-13 | 可调光led封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410049942.9A CN104851953A (zh) | 2014-02-13 | 2014-02-13 | 可调光led封装结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104851953A true CN104851953A (zh) | 2015-08-19 |
Family
ID=53851445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410049942.9A Pending CN104851953A (zh) | 2014-02-13 | 2014-02-13 | 可调光led封装结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104851953A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106058017A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-10-26 | 宁波升谱光电股份有限公司 | 一种色温连续可调的led组件及其制备方法 |
| CN106356439A (zh) * | 2016-11-21 | 2017-01-25 | 中山市立体光电科技有限公司 | 一种可调色温的led封装结构 |
| CN107195758A (zh) * | 2017-07-06 | 2017-09-22 | 庞绮琪 | 具有高透光率的led芯片 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200935376A (en) * | 2008-02-15 | 2009-08-16 | Foxsemicon Integrated Tech Inc | LED display |
| CN101684933A (zh) * | 2008-09-28 | 2010-03-31 | 红蝶科技(深圳)有限公司 | 一种白光发光二极管封装结构及其封装方法 |
| CN201966209U (zh) * | 2011-01-27 | 2011-09-07 | 柏友照明科技股份有限公司 | 混光式多晶封装结构 |
| CN102487060A (zh) * | 2010-12-02 | 2012-06-06 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 发光二极管 |
-
2014
- 2014-02-13 CN CN201410049942.9A patent/CN104851953A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200935376A (en) * | 2008-02-15 | 2009-08-16 | Foxsemicon Integrated Tech Inc | LED display |
| CN101684933A (zh) * | 2008-09-28 | 2010-03-31 | 红蝶科技(深圳)有限公司 | 一种白光发光二极管封装结构及其封装方法 |
| CN102487060A (zh) * | 2010-12-02 | 2012-06-06 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 发光二极管 |
| CN201966209U (zh) * | 2011-01-27 | 2011-09-07 | 柏友照明科技股份有限公司 | 混光式多晶封装结构 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106058017A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-10-26 | 宁波升谱光电股份有限公司 | 一种色温连续可调的led组件及其制备方法 |
| CN106356439A (zh) * | 2016-11-21 | 2017-01-25 | 中山市立体光电科技有限公司 | 一种可调色温的led封装结构 |
| CN107195758A (zh) * | 2017-07-06 | 2017-09-22 | 庞绮琪 | 具有高透光率的led芯片 |
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