CN103542280B - 发光设备 - Google Patents

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Abstract

一种发光设备包括：第一光源，用来产生具有第一主要波段的光；第二光源，用来产生具有第二主要波段的光；第一透明层，包围第一光源和第二光源；波长转换层，设置在第一透明层上，用来将具有第一主要波段的光和具有第二主要波段的光的至少一个转换成具有第三主要波段的光；以及介质层，位于波长转换层与第一透明层之间。第一光源或第二光源的至少一个具有第一折射率，第一透明层具有第二折射率，介质层具有第三折射率，波长转换层具有第四折射率，以及第一折射率至第四折射率彼此不同。本发明的发光设备能够产生暖白光和提高光效率。

Description

发光设备
技术领域
实施例涉及一种发光设备。
背景技术
对于发光器件、采用该发光器件的发光封装以及采用该发光器件或该发光封装的发光设备展开了积极的研究。
发光器件是用来将电能转换成光能的半导体发光器件（其由半导体材料形成）。
与根据现有技术的诸如荧光灯和白炽灯等光源相比，所述发光器件具有诸如低功耗、半永久性寿命、快速响应时间、安全以及环境友好要求等优点。因此，为了用所述发光器件取代现存光源，许多研究正处于进展中。
另外，半导体发光器件被逐渐用作照明器件的光源（例如各种灯或路灯）以及显示器件的光源（例如室内和室外使用的液晶显示器或电子招牌）。
为了充当光源，半导体发光器件、发光封装或发光设备必须产生白光。
产生白光的发光设备作为照明器件被广泛用于路灯、液晶显示器的背光以及户外广告牌。
发明内容
实施例提供一种能够产生暖白光的发光设备。
实施例提供一种能够提高光效率的发光设备。
实施例提供一种能够提高光提取效率的发光设备。
实施例提供一种能够被可靠固定的发光设备。
根据实施例的发光设备可以包括：垫块（sub-mount）；第一光源，位于垫块上，用来产生具有处于400nm至500nm范围中的第一主要波段的光；第二光源，设置在垫块上，用来产生具有处于600nm至670nm范围中的第二主要波段的光，第二光源与第一光源间隔开；第一透明层，包围第一光源和第二光源；波长转换层，位于第一透明层上，用来将具有第一主要波段的光和具有第二主要波段的光的至少一个转换成具有处于500nm至600nm范围中的第三主要波段的光；以及介质层，位于波长转换层与第一透明层之间，其中第一光源或第二光源的至少一个可以具有第一折射率，第一透明层可以具有第二折射率，介质层可以具有第三折射率，以及波长转换层可以具有第四折射率，以及其中第一折射率至第四折射率可以彼此不同。
根据实施例的发光设备可以包括：垫块；多个第一发光封装，位于垫块上；多个第二发光封装，位于垫块上，第二发光封装与第一发光封装间隔开；以及第二透明层，包围位于垫块上的第一发光封装和第二发光封装，其中第一发光封装的每一个包括：第一发光器件，位于垫块上，用来产生具有处于400nm至500nm范围中的第一主要波段的光；第一透明层，包围第一发光器件；波长转换层，设置在第一透明层上，用来将具有第一主要波段的光转换成具有处于500nm至600nm范围中的第三主要波段的光；以及介质层，位于波长转换层与第一透明层之间，以及其中第一发光器件可以具有第一折射率，第一透明层可以具有第二折射率，介质层可以具有第三折射率，以及波长转换层可以具有第四折射率，以及其中第一折射率至第四折射率可以彼此不同。
根据实施例的发光设备可以包括：垫块；多个发光封装，位于垫块上；以及第二透明层，包围位于垫块上的发光封装，其中发光封装的每一个可以包括：第一发光器件，位于垫块上，用来产生具有处于400nm至500nm范围中的第一主要波段的光；多个第二发光器件，位于垫块上，用来产生具有处于600nm至670nm范围中的第二主要波段的光；第二发光器件与第一发光器件间隔开；第一透明层，包围第一发光器件和第二发光器件；波长转换层，设置在第一透明层上，用来将具有第一主要波段的光和具有第二主要波段的光的至少一个转换成具有处于500nm至600nm范围中的第三主要波段的光；以及介质层，位于波长转换层与第一透明层之间，以及其中第一发光器件可以具有第一折射率，第一透明层可以具有第二折射率，介质层可以具有第三折射率，以及波长转换层可以具有第四折射率，以及其中第一折射率至第四折射率可以彼此不同。
附图说明
图1为示出根据第一实施例的发光设备的剖视图；
图2为示出当介质层被设置在第一发光器件和第二发光器件上时的光的传输路径的视图；
图3为示出根据第一实施例当透明层被设置在介质层与第一发光器件和第二发光器件之间时的光的传输路径的视图；
图4为示出根据第一实施例在介质层与波长转换层之间的光的传输路径的视图；
图5为示出图1所示的发光器件的布置的第一示例图；
图6为示出图1所示的发光器件的布置的第二示例图；
图7为示出图1所示的发光器件的布置的第三示例图；
图8为示出根据第二实施例的发光设备的剖视图；
图9为图8所示的波长转换层的平面图；
图10为示出根据第三实施例的发光设备的剖视图；
图11为示出根据第四实施例的发光设备的剖视图；
图12为示出根据第四实施例的光的传输路径的视图；
图13为示出根据第五实施例的发光设备的剖视图；
图14为示出根据第六实施例的发光设备的剖视图；
图15为示出图14的第一发光封装的第一示例图；
图16为示出图14的第一发光封装的第二示例图；
图17为示出图14的第一发光封装的第三示例图；
图18为示出图14的第二发光封装的剖视图；
图19为示出图14的发光封装的布置的第一示例图；
图20为示出图14的发光封装的布置的第二示例图；
图21为示出图14的发光封装的布置的第三示例图；
图22为示出根据第七实施例的发光设备的剖视图；
图23为示出图22的发光封装的第一示例图；
图24为示出图22的发光封装的第二示例图；
图25为示出图22的发光封装的第三示例图；以及
图26为示出图22的发光封装的第四示例图。
具体实施方式
在实施例的以下说明中，应当理解，当某一层（或膜）、区域、图案或结构被称为在另一个衬底、另一层（或膜）、另一个区域、另一个焊盘或另一个图案“上”或“下方”时，其可“直接”或“间接”位于另一个衬底、层（或膜）、区域、焊盘或图案上或下方，或者也可以存在一个或多个介于中间的层。对层的这种位置已参考附图进行了描述。
在下文中，将参考附图来描述实施例。在附图中，为了方便和清晰起见，每一层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性示出。另外，元件的尺寸不完全反映实际尺寸。
在以下说明中，衬底或主体可以被称为在该领域公知的垫块，且发光器件或发光封装可以被称为光源或发光光源。
在白光中，暖白光可以具有处于2500K至4000K范围中的色温。
近来，对于能够产生最佳暖白光的发光设备展开了积极的研究。
通常，随着光的CRI（显色指数）增加，光可以接近自然光。
为了获得更高的CRI，例如，可以采用具有至少两个彼此不同的波段的光源。
在以下说明中，将详细描述用于产生具有更高的CRI和处于2500K至4000K色温范围中的暖白光的发光设备。
图1为示出根据第一实施例的发光设备的剖视图。
参照图1，根据第一实施例的发光设备1可以包括衬底3、多个第一发光器件7和第二发光器件10、透明层29、介质层13以及波长转换层18。
衬底3可以包括设置在基底衬底上的电导体和设置在电导体上的绝缘体，但实施例不限于此。绝缘体例如可以包括具有绝缘性能的树脂基材料，但实施例不限于此。电导体可以包括导电金属材料，但实施例不限于此。电导体可以包括被施加有正（+）电源的第一电导体和被施加有负（-）电源的第二电导体。第一电导体和第二电导体可以分别电连接至第一发光器件7和第二发光器件10。
衬底3可以包括PCB（印刷电路板）、金属芯PCB、柔性PCB或陶瓷PCB，但实施例不限于此。
衬底3还可以包括设置在绝缘体上且由具有优良反射性能的反射材料形成的反射层，但实施例不限于此。
第一发光器件7和第二发光器件10可以被设置在衬底3上。
第一发光器件7和第二发光器件10可以在衬底3上彼此间隔开，但实施例不限于此。
第一发光器件7和第二发光器件10可以通过粘着剂（未示出）被接合到衬底3上。第一发光器件7和第二发光器件10可以经由导线接合或倒装芯片接合而分别电连接至第一电导体和第二电导体，但实施例不限于此。
第一发光器件7可以充当用于产生具有第一主要波段的光的第一光源，且第二发光器件10可以充当用于产生具有第二主要波段的光的第二光源，但实施例不限于此。
例如，第一主要波段可以处于大约400nm至大约500nm的范围，且第二主要波段可以处于大约600nm至大约670nm的范围，但实施例不限于此。
这种情况下，波长转换层18可以将具有第一主要波段和/或第二主要波段的光转换成具有第三主要波段的光。第三主要波段可以处于大约500nm至大约600nm的范围，但实施例不限于此。
例如，第一主要波段可以具有450nm的峰值，第二主要波段可以具有615nm的峰值，以及第三主要波段可以具有处于550nm至560nm范围Z中的峰值，但实施例不限于此。
可以通过将具有第一主要波段的光、具有第二主要波段的光以及具有第三主要波段的光混合来产生暖白光，但实施例不限于此。
第一发光器件7和第二发光器件10可以至少包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层，但实施例不限于此。第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层可以构成发光结构，但实施例不限于此。
例如，有源层可以被设置在第一导电半导体层上，且第二导电半导体层可以被设置在有源层上。
第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层可以由第II-VI族半导体材料或第III-V族化合物半导体材料形成。例如，第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层可以包括从由InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN以及AlInN构成的组里选择的至少一个，但实施例不限于此。
第II-VI族半导体材料或第III-V族化合物半导体材料可以具有处于2.1至3.5范围中的折射率，但实施例不限于此。
例如，第一导电半导体层可以是包括n型掺杂剂的n型半导体层，且第二导电半导体层可以是包括p型掺杂剂的p型半导体层，但实施例不限于此。n型掺杂剂包括Si、Ge或Sn，而p型掺杂剂包括Mg、Zn、Ca、Sr或Ba，但实施例不限于此。
经由第一导电半导体层注入的第一载流子（例如，电子）与经由第二导电半导体层注入的第二载流子（例如，空穴）在有源层中结合，使得有源层可以发出具有与构成有源层的材料的能量带隙的差值对应的波长的光。
有源层可以包括单量子阱结构、多量子阱（MQW）结构、量子点结构或量子线结构之一。有源层可以具有其中重复形成阱和势垒层的叠层结构。阱层和势垒层的重复周期可以取决于发光器件的特性而变化，但实施例不限于此。
例如，有源层可以形成为InGaN/GaN、InGaN/AlGaN或InGaN/InGaN的叠层结构。势垒层的带隙可以大于阱层的带隙。
虽然图中未示出，然而可以在第二导电半导体层上形成包括与第一导电半导体层的导电掺杂剂相同的导电掺杂剂的第三导电半导体层。
另外，第一电极可以被设置成与第一导电半导体层接触，且第二电极可以被设置成与第三导电半导体层接触。
根据电极的布置方向，第一发光器件7和第二发光器件10可以包括横向结构、倒装芯片结构以及垂直结构之一。
在横向结构和倒装芯片结构中，第一电极可以被设置在第一导电半导体层上，且第二电极可以被设置在第二导电半导体层上。详细地，在横向结构和倒装芯片结构中，第一电极和第二电极可以沿相同的方向来设置。
在垂直结构中，第一电极可以被设置在第一导电半导体层上，且第二电极可以被设置在第二导电半导体层下方。详细地，在垂直结构中，第一电极和第二电极可以沿相反的方向来设置，同时彼此至少部分重叠，但实施例不限于此。
如图5至图7所示，第一发光器件7和第二发光器件10可以具有不同的布置，但实施例不限于此。
如图5所示，第一发光器件7和第二发光器件10可以被设置成Z字形配置。
第一发光器件7可以被设置于奇数排的奇数列以及偶数排的偶数列。即，第一发光器件7可以被交替设置于每一排的奇数列和偶数列，但实施例不限于此。
第二发光器件10可以被设置于奇数排的偶数列以及偶数排的奇数列。即，第二发光器件10可以被交替设置于每一排的偶数列和奇数列，但实施例不限于此。
当从顶部看过去时，第一发光器件7和第二发光器件10可以具有图5所示的长方形、图6所示的三角形或图7所示的六角形。虽然图中未示出，然而第一发光器件7和第二发光器件10可以具有诸如圆形、椭圆形、菱形或正方形等多角形，但实施例不限于此。
如图6所示，当从顶部看过去时，第一发光器件7和第二发光器件10可以具有三角形，并且可以交替设置。第一发光器件7的一侧可以面向第二发光器件10的一侧，但实施例不限于此。
如图7所示，当从顶部看过去时，第一发光器件7可以具有六角形，且第二发光器件10可以被设置为使得第二发光器件10的一侧可以分别面向六角形的第一发光器件7的侧面。
另外，当从顶部看过去时，第二发光器件10可以具有六角形，且第一发光器件7可以被设置为使得第一发光器件7的一侧可以分别面向六角形的第二发光器件10的侧面。
例如，多个第二发光器件10可以被设置为包围六角形的第一发光器件7，另一个六角形的第二发光器件10可以被设置为相邻于六角形的第一发光器件7，且多个第一发光器件7可以被设置为包围第二发光器件10。换句话说，六角形的第一发光器件7和第二发光器件10可以交替设置，多个第二发光器件10可以被设置为围绕六角形的第一发光器件7，而多个第一发光器件7可以被设置为围绕六角形的第二发光器件10，但实施例不限于此。
分别包围六角形的第一发光器件7和第二发光器件10的第二发光器件10和第一发光器件7可以具有长方形，但实施例不限于此。
参照图1，透明层29可以被设置在衬底3上以包围第一发光器件7和第二发光器件10。
详细地，透明层29可以被设置在第一发光器件7与第二发光器件10之间和/或设置在第一发光器件7和第二发光器件10上。
透明层29贴附至衬底3，同时包围第一发光器件7和第二发光器件10。因此，第一发光器件7和第二发光器件10被牢固地固定至衬底3，使得能够防止第一发光器件7和第二发光器件10由于外部冲击而从衬底3分离，且能够防止第一发光器件7和第二发光器件10由于例如介质层13的空气而被污染或腐蚀。
透明层29可以具有处于1.4至2.0范围中的折射率。透明层29的折射率可以比第一发光器件和第二发光器件的折射率低0.1至1.5。
透明层29可以由具有优良粘着性和传热性能的硅基树脂或环氧基树脂形成，但实施例不限于此。
硅树脂可以具有1.45至1.60的折射率，而环氧基树脂可以具有1.5的折射率，但实施例不限于此。
图2为示出当介质层被设置在第一发光器件和第二发光器件上时的光的传输路径的视图。
如图2所示，当透明层29没有被设置在第一发光器件7与第二发光器件10之间时，即，当介质层13直接接触第一发光器件7和第二发光器件10时，第一发光器件7和第二发光器件10与介质层13之间的折射率存在很大的差值（n1-n3），且光从具有更高折射率（n1）的第一发光器件7和第二发光器件10传输到具有较低折射率（n3）的介质层13。因此，从第一发光器件7和第二发光器件10产生的光可以从形成在第一发光器件7和第二发光器件10与介质层13之间的界面9被全反射，使得光被反射到第一发光器件7和第二发光器件10的内部。
通常，光从具有更高折射率的第一介质传输到具有较低折射率的第二介质。当第一介质与第二介质之间的折射率存在很大的差值时，光可能不能从第一介质传输到第二介质，而是可能被全反射到第一介质中。
例如，如果介质层13是空气，空气可以具有1.0003的折射率（n3）。这种情况下，第一发光器件7和第二发光器件10与介质层13之间的折射率的差值（n1-n3）可以处于1.0997至1.8997的范围中。
因此，从第一发光器件7和第二发光器件10产生的光可能不能被输出到介质层13，使得光提取效率可能会减小，导致光效率的减小。
为了解决上述问题，根据第一实施例，透明层29可以被设置在第一发光器件7和第二发光器件10与介质层13之间，以便弱化（attenuate）第一发光器件7和第二发光器件10与介质层13之间的折射率的差值（n1-n3）。
透明层29的折射率（n2）可以低于第一发光器件7和第二发光器件10的折射率（n1）且高于介质层13的折射率（n3），但实施例不限于此。即，透明层29可以具有介于第一发光器件7和第二发光器件10的折射率（n1）与介质层13的折射率（n3）之间的折射率（n2）。
例如，透明层29可以具有处于1.4至1.6范围中的折射率（n2），但实施例不限于此。
图3为示出根据第一实施例当透明层29被设置在介质层13与第一发光器件7和第二发光器件10之间时的光的传输路径的视图。
例如，如图3所示，由于透明层29弱化了第一发光器件7和第二发光器件10与介质层13之间的折射率的差值，因而从第一发光器件7和第二发光器件10产生的光能够经由透明层29轻易地入射到介质层13中。
详细地，由于相比于第一发光器件7和第二发光器件10与介质层13之间的折射率的差值（n1-n3）而第一发光器件7和第二发光器件10与透明层29之间的折射率的差值（n1-n2）更小，因而从第一发光器件7和第二发光器件10产生的光能够轻易地入射到透明层29中。另外，由于相比于第一发光器件7和第二发光器件10与介质层13之间的折射率的差值（n1-n3）而透明层29与介质层13之间的折射率的差值（n2-n3）更小，因而透明层29的光能够轻易地入射到介质层13中。因此，从第一发光器件7和第二发光器件10产生的光能够轻易地入射到介质层13中，这是因为透明层29弱化了第一发光器件7和第二发光器件10与介质层13之间的折射率的差值，从而能够提高光提取效率，并能够提高光效率。
当从顶部看过去时，透明层29可以具有圆形或椭圆形，但实施例不限于此。
当从侧表面看过去时，透明层29可以具有半球形，但实施例不限于此。
透明层29可以具有拥有第一半径R1的半球形。第一半径R1可以被定义为透明层29的中心（即衬底3的中心）与透明层29的顶面之间的距离，但实施例不限于此。
透明层29的底面可以紧密地粘着至第一发光器件7和第二发光器件10，但实施例不限于此。
波长转换层18可以被设置在介质层13上。波长转换层18与第一发光器件7和第二发光器件10间隔开，并可以被固定或贴附至衬底3。
虽然图中未示出，然而波长转换层18可以通过使用粘着剂贴附至衬底3，但实施例不限于此。粘着剂可以由具有优良粘着性和传热性能的硅基树脂或环氧基树脂形成，但实施例不限于此。
波长转换层18可以被制备成半球形帽（hemispheric cap）的形式，以防止光损失以及通过抑制光程差提高光效率，但实施例不限于此。
波长转换层18可以被制备成具有第二半径R2的半球形帽的形式。
第二半径R2可以被定义为波长转换层18的中心（即衬底3的中心）与波长转换层18的顶面之间的距离，但实施例不限于此。
由于波长转换层18具有第二半径R2，因而从设置在衬底3的中心附近的第一发光器件7和第二发光器件10产生的光可以相同的路程传到波长转换层18。即，在第一发光器件7和第二发光器件10与波长转换层18之间形成相同的光程，因而不会发生由于光程之间的差造成的光损失，并且可以提高光效率。
根据第一实施例的波长转换层18的形状可以依赖于各种应用场合而进行不同的变型。
当从顶部看过去时，如果透明层29具有椭圆形，则介质层13和波长转换层18可以具有椭圆形，但实施例不限于此。这种情况下，透明层29、介质层13以及波长转换层18的每一个可以具有长轴和短轴。第一半径R1可以被应用于透明层29的短轴，而第二半径R2可以被应用于波长转换层18的短轴，但实施例不限于此。
波长转换层18可以将从第一发光器件7产生的具有第一主要波段的光或从第二发光器件10产生的具有第二主要波段的光转换成具有第三主要波段的光。
波长转换层18可以包括透明膜17以及分散在透明膜17中的多个波长转换微粒16，但实施例不限于此。
波长转换微粒16可以被制备为单个波长转换微粒或者至少两个彼此不同的波长转换微粒。
例如，波长转换微粒16可以包括彼此不同的第一波长转换微粒和第二波长转换微粒。
透明膜17例如可以包括从由具有优良透光性、耐热性以及传热性的硅基树脂、环氧基树脂、聚碳酸酯基树脂以及玻璃构成的组里选择的一个，但实施例不限于此。
例如，硅基树脂可以具有1.45至1.60的折射率，环氧基树脂可以具有1.5的折射率，聚碳酸酯基树脂可以具有1.59的折射率，以及玻璃可以具有1.89的折射率，但实施例不限于此。
波长转换微粒16例如可以包括由荧光材料形成的磷光体，但实施例不限于此。
荧光材料可以包括YAG基材料或TAG基材料，但实施例不限于此。例如，YAG基材料可以包括YAG:Ce，而TAG基材料可以包括TAG:Tb。
另外，荧光材料可以包括硅酸盐基材料。硅酸盐基材料可以包括Sr4-ｘMgｙBaｚSi2O8:Euｘ2 +（0＜ｘ＜1，0≤ｙ≤1，0≤ｚ≤1）或Sr3-xSiO5:Eu2+x（0<x≤1），但实施例不限于此。
例如，YAG基材料、TAG基材料和/或硅酸盐基材料的至少一个可以作为磷光体被分散在透明膜17中，但实施例不限于此。
波长转换微粒16可以被随机分散在透明膜17中，但实施例不限于此。
波长转换微粒16可以将从第一发光器件7产生的具有第一主要波段的光和/或从第二发光器件10产生的具有第二主要波段的光转换成具有第三主要波段的光，但实施例不限于此。
从第一发光器件7产生的具有第一主要波段的光可以穿过波长转换层18的透明膜17，或者可以通过波长转换微粒16被转换成具有第三主要波段的光。
从第二发光器件10产生的具有第二主要波段的光可以穿过波长转换层18的透明膜17，或者可以通过波长转换微粒16被转换成具有第三主要波段的光。
因此，经由波长转换层18输出的具有第一主要波段的光、具有第二主要波段的光以及具有第三主要波段的光彼此混合以产生具有暖白色的光。
虽然图中未示出，然而除了波长转换微粒16之外，分散微粒也可以进一步分散在透明膜17中，但实施例不限于此。
分散微粒可以包括从由TiO2、Al2O3、BaCO3、BaSO4以及SiO2构成的组里选择的一个，但实施例不限于此。
由于分散微粒分散在透明膜17中，因而当光从波长转换层18输出时，波长转换层18的光可以被散射或分散，使得能够更加提高光提取效率。
波长转换层18（具体地，透明膜17）允许介质层13的光更加容易地入射到波长转换层18中，同时防止波长转换层18的光被次入射到介质层13中。
即，波长转换层18可以具有高于介质层13的折射率。
例如，波长转换层18可以具有处于1.4至2.0范围中的折射率，但实施例不限于此。
波长转换层18可以具有与透明层29相等的或不同的折射率。
波长转换层18可以具有等于或高于透明层29的折射率，但实施例不限于此。
波长转换层18可以包括与透明层29的材料相同的材料，但实施例不限于此。
例如，在波长转换层18接触透明层29的情况下，由于波长转换层18具有与透明层29相似的折射率，因而透明层29的光可以从波长转换层18反射，而不是入射到波长转换层18中，使得光会再次入射到透明层29中。
这种情况下，如果通过在其间插入介质层13而使波长转换层18与透明层29间隔开，则从透明层29入射到介质层13中的光可以被轻易地入射到折射率明显高于介质层13的波长转换层18中。由于上述结构，光能够以较高概率被入射到波长转换层18中，从而能够使波长转换层18中的波长转换效率最大化。
介质层13可以被设置在透明层29与波长转换层18之间。
介质层13的折射率低于透明层29或波长转换层18的折射率，但实施例不限于此。
例如，介质层13具有处于1至1.3范围中的折射率，但实施例不限于此。
介质层13可以包括从由真空介质、空气以及液态二氧化碳构成的组里选择的一个，但实施例不限于此。
例如，真空介质可以具有1.00的折射率，空气可以具有1.0003的折射率，以及液态二氧化碳可以具有1.2的折射率。
如上所述，由于介质层13的折射率低于波长转换层18，介质层13的光可以容易地入射到波长转换层18中，但是波长转换层18的光可以从波长转换层18与介质层13之间的界面全反射，而不是入射到介质层13中，从而波长转换层18的光可以再次入射到波长转换层18中。
即，由于介质层13被设置在波长转换层18的下方，因而介质层13的光可以更加容易地入射到波长转换层18中，同时防止波长转换层18的光入射到介质层13中。因此，波长转换层18中可以存在更大量的光，从而可以使波长转换层18中的波长转换效率最大化。
当从侧表面看过去时，介质层13可以具有半球形，但实施例不限于此。
由于波长转换层18通过介质层13而与第一发光器件7和第二发光器件10间隔开，因而从第一发光器件7和第二发光器件10产生的热量可以不被传递到波长转换层18，因而波长转换层18不会由于热量而被损坏。另外，能够防止可能由第一发光器件7和第二发光器件10所产生的热量引起的分散在波长转换层18中的波长转换微粒16的波长转换特性的退化。
即使热量经由空气被传递到波长转换层18，由于波长转换层18被固定至衬底3，波长转换层18的热量也能够经由衬底3被轻易地散发到外部。
虽然图中未示出，然而波长转换层18的顶面可以形成有粗糙结构或纹理，以提高光提取效率，但实施例不限于此。
如上所述，透明层29可以具有第一半径R1，且波长转换层18可以具有第二半径R2。
因此，介质层13可以具有与波长转换层18的第二半径R2和透明层29的第一半径R1之间的距离对应的宽度D。宽度D可以处于0.5mm至50mm的范围中，但实施例不限于此。
详细地，宽度D可以被定义为波长转换层18的底面与透明层29的顶面之间的距离。宽度D可以均匀地形成在波长转换层18的底面与透明层29的顶面之间的整个面积之上，但实施例不限于此。
如果宽度D均匀地形成在波长转换层18的底面与透明层29的顶面之间的整个面积之上，则从透明层29的顶面到波长转换层18的底面的光程是均匀的，因而能够防止光损失，并能够提高光效率。
图8为示出根据第二实施例的发光设备的剖视图。
除了形成在波长转换层18中的多个孔23之外，第二实施例与第一实施例大体相同。
在第二实施例的以下说明中，指定给第一实施例的元件的附图标记将用来表示第二实施例的元件(如果它们具有相同的功能的话)，并将省略对其的详细说明。
在第二实施例中可采用第一实施例的说明描述，即使在第二实施例中省略该说明，也可以通过参照第一实施例容易地理解在第二实施例中省略的内容。
参照图8，根据第二实施例的发光设备1A可以包括衬底3、多个第一发光器件7和第二发光器件10、透明层29、介质层13以及波长转换层18。
波长转换层18可以被制备成半球形帽的形式，但实施例不限于此。
波长转换层18可以包括彼此间隔开的多个孔23。
孔23可以贯穿波长转换层18的底面和顶面而形成。
孔23可以具有与相对于波长转换层18的整个面积的10%至30%对应的面积，但实施例不限于此。
如果孔23具有超过相对于波长转换层18的整个面积的30%的面积，则波长转换面积在波长转换层18中减小，这会降低波长转换效率。
同时，孔23可以具有相同的直径或不同的直径，但实施例不限于此。另外，孔23可以有规则地或随机地彼此间隔开，但实施例不限于此。
因此，凭借介质层13从第一发光器件7和第二发光器件10抵达波长转换层18的孔23的光能够经由孔23被输出到外部。
根据第二实施例，孔23形成在波长转换层18中，使得能够提高光提取效率。
如图9所示，当从顶部看过去时，孔23可以具有圆形，但实施例不限于此。即，孔23可以具有三角形、长方形、星形或菱形。
孔23可以具有如图9所示的相同的尺寸或相同的直径，或者孔23也可以具有不同的尺寸或不同的直径。
例如，形成在波长转换层18的中心区域的孔23可以具有相对较小的尺寸或直径，而形成在波长转换层18的外围区域的孔23可以具有相对较大的尺寸或直径。
另外，孔23的尺寸或直径可以从波长转换层18的中心区域到波长转换层18的外围区域逐渐地线性或非线性增大。形成在波长转换层18的外围区域（其中输出较少量的光）的孔23的尺寸可以比形成在波长转换层18的中心区域（其中输出更大量的光）的孔23的尺寸更大，以此方式，能够在波长转换层18的外围区域提取更大量的光。这种情况下，光能够经由波长转换层18的整个面积被均匀地输出，从而能够确保均匀的光亮度。
例如，孔23可以仅形成在波长转换层18的外围区域，而不形成在波长转换层18的中心区域。
同时，当介质层13由空气形成时，由于形成在波长转换层18中的孔23，空气可以在介质层13和外部之间环流，使得介质层13中的空气密度可以变化。为了解决上述问题，形成在树脂材料上的透明层能够代替介质层而形成。即，透明层可以形成在衬底3上以包围第一发光器件7和第二发光器件10，且波长转换层18可以被设置在透明层上，同时粘着至透明层。透明层可以包括硅基树脂或环氧基树脂，但实施例不限于此。该透明层的折射率可以比透明层29和波长转换层18的折射率更低。例如，代替介质层13的透明层可以具有处于1.1至1.3范围中的折射率。
图10为示出根据第三实施例的发光设备的剖视图。
除了形成在波长转换层18中的多个凹槽26之外，第三实施例与第一实施例大体相同。
在第三实施例的以下说明中，指定给第一实施例的元件的附图标记将用来表示第三实施例的元件（如果它们具有相同的功能的话），并将省略对其的详细说明。
在第三实施例中可以采用第一实施例的说明，即使在第三实施例中省略该说明，也可以通过参照第一实施例容易地理解在第三实施例中省略的内容。
参照图10，根据第三实施例的发光设备1B可以包括衬底3、多个第一发光器件7和第二发光器件10、透明层29、介质层13以及波长转换层18。
波长转换层18可以被制备成半球形帽的形式，但实施例不限于此。
波长转换层18可以包括彼此间隔开的多个凹槽26。
凹槽26可以具有向内凹入（即从波长转换层18的顶面向下凹入）的凹形。
在凹槽26的底面与波长转换层18的底面之间可以形成具有预定厚度的透明膜17。
凹槽26的底面与波长转换层18的底面之间的第一厚度可以小于波长转换层18的顶面与底面之间的第二厚度。
另外，虽然图中未示出，然而凹槽26可以具有向内凹入（即从波长转换层18的底面向上凹入）的凹形。
凹槽26可以具有与基于波长转换层18的整个面积的10%至30%对应的面积，但实施例不限于此。
如果凹槽26具有超过基于波长转换层18的整个面积的30%的面积，则在波长转换层18中的波长转换面积会减小，这会降低波长转换效率。
根据第三实施例，在波长转换层18中形成凹槽26，使得能够提高光提取效率。
当从顶部看过去时，凹槽26可以具有圆形，但实施例不限于此。即，凹槽26可以具有三角形、长方形、星形或菱形。
凹槽26可以从波长转换层18的顶面向下凹入。
凹槽26可以具有相同的尺寸或相同的直径，或者可以具有不同的尺寸或不同的直径。
例如，形成在波长转换层18的中心区域的凹槽26可以具有相对较小的尺寸或直径，而形成在波长转换层18的外围区域的凹槽26可以具有相对较大的尺寸或直径。
另外，凹槽26的尺寸或直径可以从波长转换层18的中心区域到波长转换层18的外围区域逐渐地线性或非线性增大。形成在波长转换层18的外围区域（其中输出较少量的光）的凹槽26的尺寸可以比形成在波长转换层18的中心区域（其中输出更大量的光）的凹槽26的尺寸更大，以此方式，能够在波长转换层18的外围区域提取更大量的光。这种情况下，光能够经由波长转换层18的整个面积被均匀地输出，从而能够确保均匀的光亮度。
例如，凹槽26可以仅形成在波长转换层18的外围区域，而不形成在波长转换层18的中心区域。
同时，凹槽26可以具有相同的深度或不同的深度。
例如，波长转换层18的外围区域的凹槽26的深度可以大于波长转换层18的中心区域的凹槽26的深度。
相反，波长转换层18的中心区域的凹槽26的深度也可以大于波长转换层18的外围区域的凹槽26的深度。
同时，虽然图中未示出，然而可以代替凹槽26而形成突起，但实施例不限于此。突起可以从波长转换层18的顶面向上突出，或者可以从波长转换层18的底面向下突出。
突起的形状、尺寸以及间隔与凹槽26相似。
图11为示出根据第四实施例的发光设备的剖视图。
除了设置在第一发光器件7与第二发光器件10之间的扩散层32之外，第四实施例与第一实施例大体相同。
在第四实施例的以下说明中，指定给第一实施例的元件的附图标记将用来表示第四实施例的元件（如果它们具有相同的功能的话），并将省略对其的详细说明。
在第四实施例中可以采用第一实施例的说明，即使在第四实施例中省略该说明，也可以通过参照第一实施例容易地理解在第四实施例中省略的内容。
参照图11，根据第四实施例的发光设备1C可以包括衬底3、多个第一发光器件7和第二发光器件10、透明层29、介质层13以及波长转换层18。
扩散层32可以被设置在透明层29与衬底3之间。即，扩散层32可以被设置在透明层29的底面与衬底3的顶面之间。详细地，扩散层32的底面能够接触衬底3的顶面，且扩散层32的顶面能够接触透明层29的底面，但实施例不限于此。
扩散层32能够接触第一发光器件7和第二发光器件10的侧表面。详细地，扩散层32可以被设置在衬底3的除了贴附有第一发光器件7和第二发光器件10的第一区域之外的区域（在下文中，称为第二区域）上。即，扩散层32可以被设置在衬底3的第二区域上。
扩散层32的侧表面能够接触被固定至衬底3的波长转换层18的内表面。
扩散层32的顶面可以被设置在与第一发光器件7和第二发光器件10的顶面相同的平面上或者高于/低于第一发光器件7和第二发光器件10的顶面，但实施例不限于此。因此，第一发光器件7和第二发光器件10的侧表面的整个面积能够接触扩散层32。
例如，扩散层32的顶面可以位于第一发光器件7和第二发光器件10的侧表面的一半处，但实施例不限于此。
扩散层32可以包括透明膜和分散在透明膜中的多个分散微粒，但实施例不限于此。
该透明膜可以包括从由具有优良电绝缘性能、耐热性以及传热性的硅基树脂、白色环氧基树脂、和PTFE（聚四氟乙烯）构成的组里选择的一个，但实施例不限于此。
分散微粒可以包括从由TiO2、Al2O3、BaCO3、BaSO4以及SiO2构成的组里选择的一个，但实施例不限于此。
相对于从第一发光器件7产生的具有第一主要波段（大约400nm至大约500nm）的光，分散微粒可以具有优良的分散性能。
通常，如果具有第一主要波段（大约400nm至大约500nm）的光抵达产生具有第二主要波段（大约600nm至大约670nm）的光的第二发光器件10，则具有第一主要波段的光在第二发光器件10中被吸收，因而会减少具有第一主要波段的光的数量。
根据第四实施例，扩散层32紧密地粘着至第一发光器件7的侧表面。因此，朝向第一发光器件7的侧表面传输的具有第一主要波段的光可以被扩散层32散射、分散或反射，使得光不会抵达第二发光器件10。因此，不会减少从第一发光器件7产生的具有第一主要波段的光的数量。
如图12所示，借助于介质层13，从第一发光器件7产生的具有第一主要波段的光或从第二发光器件10产生的具有第二主要波段的光可以经由波长转换层18被输出到外部，或者可以从波长转换层18反射，使得光可以借助于介质层13沿向下方向传输。
沿向下方向传输的光可以再次被扩散层32散射、分散或反射，使得光可以沿向上方向传输。
根据第四实施例，从第一发光器件7和第二发光器件10产生且被波长转换层18反射以沿向下方向传输的光可以沿向上方向被扩散层32再次散射、分散或反射，因而可以使由衬底3中的光吸收造成的光损失最小化，从而提高光效率。
图13为示出根据第五实施例的发光设备的剖视图。
除了设置在波长转换层18上的透明层20之外，第五实施例与第一实施例大体相同。
在第五实施例的以下说明中，指定给第一实施例的元件的附图标记将用来表示第五实施例的元件（如果它们具有相同的功能的话），并将省略对其的详细说明。
在第五实施例中可以采用第一实施例的说明，即使在第五实施例中省略该说明，也可以通过参照第一实施例容易地理解在第五实施例中省略的内容。
参照图13，根据第五实施例的发光设备1D可以包括衬底3、多个第一发光器件7和第二发光器件10、透明层29、介质层13以及波长转换层18。
另一个透明层20可以被进一步设置在波长转换层18上。
为了便于说明的目的，透明层29将被称为第一透明层，而透明层20将被称为第二透明层。
第二透明层20的折射率可以比波长转换层18的折射率更低。
第二透明层20例如可以包括具有优良透光性、耐热性以及传热性的硅基树脂或环氧基树脂，但实施例不限于此。
例如，硅基树脂可以具有1.42至1.60的折射率，而环氧基树脂可以具有1.5的折射率，但实施例不限于此。
另外，波长转换层18可以由折射率为1.89的玻璃形成，而第二透明层20可以由折射率为1.5的环氧基树脂形成。
当波长转换层18直接接触外部大气压时，由于波长转换层18与大气之间的折射率的差值很大，波长转换层18的光可能不能被轻易地输出到外部。
为了解决上述问题，可以设置折射率介于波长转换层18的折射率与大气的折射率之间的第二透明层20，以弱化波长转换层18与大气之间的折射率大的差值。即，第二透明层20的折射率可以低于波长转换层18的折射率且高于大气的折射率。因此，波长转换层18的光可以借助于第二透明层20而轻易地输出到外部。
第二透明层20可以包括多个透明膜以最大程度地弱化折射率的差值。这种情况下，透明膜可以具有从波长转换层18到外部线性或非线性减小的不同的指数。
图14为示出根据第六实施例的发光设备的剖视图。
参照图14，根据第六实施例的发光设备1E可以包括衬底3、多个第一发光封装40和第二发光封装50以及透明层34。
衬底3已在第一实施例中得到了详细描述，因而将省略对其的详细说明。从第一实施例的说明可以容易地理解衬底3。
透明层34可以被设置在图15所示的第一发光封装50的波长转换层49上。
类似于图13所示的透明层20，透明层34的折射率可以低于波长转换层49的折射率。
透明层34可以由具有优良粘着性和传热性能的硅基树脂或环氧基树脂形成，但实施例不限于此。
第一发光封装40和第二发光封装50可以通过使用粘着剂被贴附到衬底3上。
第一发光封装40可以充当用于产生具有第一主要波段的光和具有第三主要波段的光的第一光源，且第二发光封装50可以充当用于产生具有第二主要波段的光的第二光源，但实施例不限于此。
第一发光封装40可以包括：第一发光器件，用于产生具有第一主要波段的光；以及波长转换层，用于将具有第一主要波段的光转换成具有第三主要波段的光。第二发光封装50可以包括用于产生具有第二主要波段的光的第二发光器件。
例如，第一主要波段可以处于大约400nm至大约500nm的范围中，第二主要波段可以处于大约600nm至大约670nm的范围中，以及第三主要波段可以处于大约500nm至大约600nm的范围中，但实施例不限于此。
另外，第一主要波段可以具有450nm的峰值，第二主要波段可以具有615nm的峰值，以及第三主要波段可以具有处于550nm至560nm范围中的峰值，但实施例不限于此。
因此，可以通过将从第一发光封装40产生的具有第一主要波段的光和具有第三主要波段的光与从第二发光封装50产生的具有第二主要波段的光混合来产生暖白光，但实施例不限于此。
如图15至图17所示，第一发光封装40可以进行变型以具有不同的结构。
如图15至图17所示，发光封装40包括主体42以及与根据第一实施例的第一发光器件7、介质层13、透明层29以及波长转换层18大体相同的第一发光器件、介质层、透明层以及波长转换层，因而将省略对其的说明。
虽然图15至图17中未示出，然而第一发光封装40可以包括形成在主体42上的第一电极线和第二电极线，以将第一发光封装40电连接至第一发光器件44。
反射层可以被涂覆在第一电极线和第二电极线和/或主体上，以通过反射从第一发光器件44产生的光来提高光效率。
通过参照第一实施例的相应元件的说明，可以容易地理解下文没有描述的元件的细节。
如图15所示，第一发光封装40可以包括主体42、第一发光器件44、透明层71、介质层46以及波长转换层49。
主体42可以充当衬底以支撑第一发光器件44。
主体42可以包括硅材料、合成树脂材料或金属材料，但实施例不限于此。
虽然在图15中主体42具有平坦的顶面，然而也可以在主体42的顶面中形成空腔，且第一发光器件44可以被设置在主体42的底面上。
第一发光器件44可以经由倒装芯片接合或裸片接合而贴附至主体42的第一电极线和第二电极线，但实施例不限于此。
第一发光器件44可以由第II-VI族半导体材料或第III-V族化合物半导体材料形成，以产生具有第一主要波段的光。
透明层71贴附到主体42上，同时包围第一发光器件44。因此，第一发光器件44被牢固地固定至主体44，从而能够防止第一发光器件44由于外部冲击而与主体分离，并且能够防止第一发光器件44由于介质层46的空气而被污染或腐蚀。
透明层71可以具有介于第一发光器件44与介质层46的折射率之间的折射率。即，透明层71的折射率可以低于第一发光器件44的折射率且高于介质层46的折射率。
透明层71可以弱化第一发光器件44与介质层46之间的折射率的差值，因而第一发光器件44的光能够更加轻易地入射到介质层46中。
通过在其间插入介质层46，波长转换层49可以与透明层71间隔开。
波长转换层49可以具有高于介质层46的折射率。因此，从第一发光器件44传输到介质层46的光能够入射到波长转换层49中而没有光损失，从而能够使波长转换层49的波长转换效率最大化。
波长转换层49可以包括透明膜48和分散在透明膜48中的多个波长转换微粒47。
从第一发光器件44产生的光可以通过波长转换微粒47被转换成具有第三主要波段的光。另外，从第一发光器件44产生的光可以经由在波长转换微粒47与透明膜48之间限定的空间被输出到外部。
因此，第一发光器件44能够输出具有第一主要波段的光和具有第三主要波段的光。随着具有第一主要波段的光与具有第三主要波段的光混合，用户的肉眼可以看见呈绿色的光，但实施例不限于此。
同时，当透明层71具有第一半径r1且波长转换层49具有第二半径r2时，介质层46可以具有被定义为波长转换层49的第二半径r2与透明层71的第一半径r1之间的差值的宽度D。
这种情况下，介质层46可以形成为具有在波长转换层49的第二半径r2与透明层71的第一半径r1之间限定的宽度d。
宽度d可以均匀地形成在波长转换层49与透明层71之间的整个面积之上，但实施例不限于此。
如图16所示，第一发光封装40A可以包括主体42、第一发光器件44、透明层71、介质层46以及波长转换层49。
波长转换层49可以包括彼此间隔开的多个孔65。
孔65可以贯穿波长转换层49的底面和顶面而形成。
孔65可以具有与基于波长转换层49的整个面积的10%至30%对应的面积。
图16所示的第一发光封装40A可以通过在波长转换层49中形成孔65提高光提取效率。
当从顶部看过去时，孔65可以具有圆形、三角形、长方形、星形或菱形。
孔65可以具有相同的尺寸或直径或者不同的尺寸或直径。
例如，形成在波长转换层49的中心区域的孔65可以具有相对较小的尺寸或直径，而形成在波长转换层49的外围区域的孔65可以具有相对较大的尺寸或直径。
另外，孔65的尺寸或直径可以从波长转换层49的中心区域到波长转换层49的外围区域逐渐地线性或非线性增大。
例如，孔65可以仅形成在波长转换层49的外围区域，而不形成在波长转换层49的中心区域。
如图17所示，第一发光封装40B可以包括主体42、第一发光器件44、透明层71、介质层46以及波长转换层49。
波长转换层49可以包括多个凹槽67来代替图16所示的孔65。凹槽67可以在波长转换层49的顶面中彼此间隔开。
凹槽67可以具有与基于波长转换层49的整个面积的10%至30%对应的面积。
凹槽67的深度可以取决于在波长转换层49中的位置而变化。例如，波长转换层49的外围区域的凹槽67的深度可以大于波长转换层49的中心区域的凹槽67的深度。要不然，波长转换层49的中心区域的凹槽67的深度也可以大于波长转换层49的外围区域的凹槽67的深度。
凹槽67的尺寸或直径可以取决于在波长转换层49中的位置而变化。例如，波长转换层49的外围区域的凹槽67的尺寸或直径可以大于波长转换层49的中心区域的凹槽67的尺寸或直径。要不然，波长转换层49的中心区域的凹槽67的尺寸或直径也可以大于波长转换层49的外围区域的凹槽67的尺寸或直径。
图18为示出图14的第二发光封装的剖视图。
第二发光封装50可以包括主体52、第二发光器件54以及透明层56。
主体52可以充当支撑第二发光器件54的衬底。
主体52可以包括硅材料、合成树脂材料或金属材料，但实施例不限于此。
虽然主体52具有平坦的顶面，然而空腔可以形成在主体52的顶面中，且第二发光器件54可以被设置在主体52的底面上。
第二发光器件54可以由第II-VI族半导体材料或第III-V族化合物半导体材料形成以产生具有第二主要波段的光。
透明层56可以包括具有优良透光率和绝缘性能的环氧基树脂或硅树脂，但实施例不限于此。
当从侧表面看过去时，透明层56可以具有半球形，但实施例不限于此。
虽然图中未示出，然而凹陷可以形成在透明层56的顶面的中心区域处，但实施例不限于此。
透明层56的顶面可以形成有粗糙结构或纹理以提高光提取效率，但实施例不限于此。
图19至图21为示出第一发光封装和第二发光封装的布置的视图。
图19至图21所示的第一发光封装40和第二发光封装50的布置与图2至图4所示的第一发光器件7和第二发光器件10的布置大体相同。
因此，从图2至图4所示的第一发光器件7和第二发光器件10的布置，能够轻易地理解图19至图21所示的第一发光封装40和第二发光封装50的布置，因而将省略对其的详细说明。
图22为示出根据第七实施例的发光设备的剖视图。
除了发光封装80之外，第七实施例与图14所示的第六实施例大体相同。
与通过第一发光封装40和第二发光封装50产生暖白光的第六实施例不同，在第七实施例中，通过单个发光封装80产生暖白光。
通过参照第一实施例和第六实施例，可以容易地理解以下说明中省略的内容。
在第七实施例的以下说明中，指定给第一实施例和第六实施例的元件的附图标记将用来表示第七实施例的元件（如果它们具有相同的功能的话），并将省略对其的详细说明。
参照图22，根据第七实施例的发光设备1F可以包括衬底3、多个发光封装80以及透明层34。
发光封装80可以贴附至衬底3，同时彼此间隔开。
透明层34可以被设置在衬底3上以包围发光封装80。
透明层34可以被设置在图23所示的发光封装80的波长转换层89上以及衬底3上。
类似于图13所示的透明层20，透明层34可以具有低于波长转换层89的折射率。
透明层34可以由具有优良粘着性和传热性能的硅基树脂或环氧基树脂形成，但实施例不限于此。
透明层34可以经由成形工艺直接形成在衬底3上。
另外，在对透明层34进行处理以使其具有半球形结构之后，透明层34可以贴附到衬底上，但实施例不限于此。这种情况下，透明层34的底面可以形成有与发光封装80的形状对应的凹陷。
发光封装80可以通过将具有第一主要波段的光、具有第二主要波段的光以及具有第三主要波段的光混合来产生暖白光。
例如，第一主要波段可以处于大约400nm至大约500nm的范围中，第二主要波段可以处于大约600nm至大约670nm的范围中，以及第三主要波段可以处于大约500nm至大约600nm的范围中，但实施例不限于此。
另外，第一主要波段可以具有450nm的峰值，第二主要波段可以具有615nm的峰值，以及第三主要波段可以具有处于550nm至560nm范围中的峰值，但实施例不限于此。
因此，根据第七实施例的发光设备1F能够通过将具有第一主要波段的光、具有第二主要波段的光以及具有第三主要波段的光混合来产生暖白光，但实施例不限于此。
如图23至图26所示，发光封装80包括主体82以及与根据第一实施例的第一发光器件7、介质层13、透明层29以及波长转换层18大体相同的第一发光器件、介质层、透明层以及波长转换层，因而将省略对其的说明。
另外，虽然图23至图26中未示出，然而发光封装80还可以包括分别电连接至第一发光器件84和第二发光器件85的第一电极线和第二电极线。
可以在第一电极线和第二电极线和/或主体82上涂覆反射层，以通过反射从第一发光器件84或第二发光器件85产生的光来提高光效率。第一电极线和第二电极线可以充当用来将从第一发光器件84或第二发光器件85产生的热量排放到外部的散热元件。
通过参照第一实施例的相应元件的说明，可以容易地理解上文没有描述的元件的细节。
如图23所示，发光封装80可以包括主体82、多个第一发光器件84和第二发光器件85、透明层99、介质层86以及波长转换层89。
主体82可以具有平坦的顶面，或者也可以在主体82的顶面中形成空腔。第一发光器件84和第二发光器件85可以贴附到主体82的平坦的顶面或空腔的底面上。
第一发光器件84和第二发光器件85可以贴附到主体82上，同时彼此间隔开。另外，第一发光器件84和第二发光器件85可以经由倒装芯片接合或裸片接合贴附到主体82的电极线上。
第一发光器件84可以充当用于产生具有第一主要波段的光的第一光源，且第二发光器件85可以充当用于产生具有第二主要波段的光的第二光源，但实施例不限于此。
透明层99贴附到主体82上，同时包围第一发光器件84和第二发光器件85。因此，第一发光器件84和第二发光器件85能够被更加牢固地固定至主体82，从而能够防止第一发光器件84和第二发光器件85由于外部冲击而与主体82分离，并且能够防止第一发光器件84和第二发光器件85由于介质层86的空气而被污染或腐蚀。
透明层99可以具有介于第一发光器件84和第二发光器件85与介质层46的折射率之间的折射率。即，透明层99的折射率可以低于第一发光器件84和第二发光器件85的折射率且高于介质层86的折射率。
透明层99可以弱化第一发光器件84和第二发光器件85与介质层86之间的折射率的差值，因而第一发光器件84和第二发光器件85的光能够更加轻易地入射到介质层86中。
通过在其间插入介质层86，波长转换层89可以与透明层99间隔开。
波长转换层89可以具有高于介质层86的折射率。因此，从第一发光器件84和第二发光器件85传输到介质层86的光能够入射到波长转换层89中而没有光损失，从而能够使波长转换层89的波长转换效率最大化。
波长转换层89可以包括透明膜88和分散在透明膜88中的多个波长转换微粒87。
从第一发光器件84产生的具有第一主要波段的光或从第二发光器件85产生的具有第二主要波段的光可以通过波长转换微粒87被转换成具有第三主要波段的光。
波长转换微粒87可以包括磷光体，但实施例不限于此。
同时，当透明层99具有第一半径r1且波长转换层89具有第二半径r2时，介质层86可以具有在波长转换层89的第二半径r2与透明层99的第一半径r1之间限定的宽度d。
这种情况下，宽度d可以对应于透明层99的顶面与波长转换层89的底面之间的距离。
如图24所示，发光封装80A可以包括主体82、第一发光器件84和第二发光器件85、透明层99、介质层86以及波长转换层89。
波长转换层89可以包括彼此间隔开的多个孔95。
孔95可以贯穿波长转换层89的底面和顶面而形成。
孔95可以具有与基于波长转换层89的整个面积的10%至30%对应的面积。
图24所示的发光封装80A可以通过在波长转换层89中形成孔95而提高光提取效率。
当从顶部看过去时，孔95可以具有圆形、三角形、长方形、星形或菱形。
孔95可以具有相同的尺寸或直径或者不同的尺寸或直径。
例如，形成在波长转换层89的中心区域的孔95可以具有相对较小的尺寸或直径，而形成在波长转换层89的外围区域的孔95可以具有相对较大的尺寸或直径。
另外，孔95的尺寸或直径可以从波长转换层89的中心区域到波长转换层89的外围区域逐渐地线性或非线性增大。
例如，孔95可以仅形成在波长转换层89的外围区域，而不形成在波长转换层89的中心区域。
如图25所示，发光封装80B可以包括主体82、第一发光器件84和第二发光器件85、透明层99、介质层86以及波长转换层89。
波长转换层89可以包括多个凹槽97以代替图24所示的孔95。凹槽97可以在波长转换层89的顶面中彼此间隔开。
凹槽97可以具有与基于波长转换层89的整个面积的10%至30%对应的面积。
凹槽97的深度可以取决于在波长转换层89中的位置而变化。例如，波长转换层89的外围区域的凹槽97的深度可以大于波长转换层89的中心区域的凹槽97的深度。要不然，波长转换层89的中心区域的凹槽97的深度也可以大于波长转换层89的外围区域的凹槽97的深度。
凹槽97的深度可以取决于在波长转换层89中的位置而变化。例如，波长转换层89的外围区域的凹槽97的尺寸或直径可以大于波长转换层89的中心区域的凹槽97的尺寸或直径。要不然，波长转换层89的中心区域的凹槽97的尺寸或直径也可以大于波长转换层89的外围区域的凹槽97的尺寸或直径。
如图26所示，发光封装80C可以包括主体82、第一发光器件84和第二发光器件85、透明层99、介质层86以及波长转换层89。
扩散层83可以被设置在透明层99和主体82之间。
扩散层83能够接触第一发光器件84和第二发光器件85的侧表面。详细地，扩散层83可以被设置在主体82的除了贴附有第一发光器件84和第二发光器件85的第一区域之外的区域（在下文中，称为第二区域）上。
扩散层83的侧表面能够接触被固定至主体82的波长转换层89的内部面积（innerarea）。
扩散层83的顶面可以被设置在与第一发光器件84和第二发光器件85的顶面相同的平面上，或者高于/低于第一发光器件84和第二发光器件85的顶面，但实施例不限于此。因此，第一发光器件84和第二发光器件85的侧表面的整个面积能够接触扩散层83。
例如，扩散层83的顶面可以位于第一发光器件84和第二发光器件85的侧表面的一半处，但实施例不限于此。
扩散层83可以包括透明膜和分散在透明膜中的多个分散微粒，但实施例不限于此。
透明膜可以包括从由具有优良电绝缘性能、耐热性以及传热性的硅基树脂、白色环氧基树脂、PTFE（聚四氟乙烯）构成的组里选择的一个，但实施例不限于此。
分散微粒可以包括从由TiO2、Al2O3、BaCO3、BaSO4以及SiO2构成的组里选择的一个，但实施例不限于此。
相对于从第一发光器件84产生的具有第一主要波段（大约400nm至大约500nm）的光，分散微粒可以具有优良的分散性能。
通常，如果从第一发光器件84产生的具有第一主要波段（大约400nm至大约500nm）的光抵达产生具有第二主要波段（大约600nm至大约670nm）的光的第二发光器件85，则具有第一主要波段的光在第二发光器件85中被吸收，因而会减少具有第一主要波段的光的数量。
根据发光封装80C，扩散层83可以紧密地粘着至第一发光器件84和第二发光器件85的侧表面。因此，朝向第一发光器件84的侧表面传输的具有第一主要波段的光可以被扩散层83散射、分散或反射，使得光不抵达第二发光器件85。因此，不会减少从第一发光器件84产生的具有第一主要波段的光的数量。
同时，借助于介质层86，从第一发光器件84产生的具有第一主要波段的光或从第二发光器件85产生的具有第二主要波段的光可以经由波长转换层89被输出到外部，或者可以从波长转换层89反射，使得光可以借助于介质层86沿向下方向传输。
沿向下方向传输的光可以被扩散层83再次散射、分散或反射，使得光可以沿向上方向传输。因此，能够使由主体82中的光吸收引起的光损失最小化，从而能够提高光效率。
实施例提供：第一光源，用于产生具有第一主要波段的光；第二光源，用于产生具有第二主要波段的光；以及波长转换层，用于将具有第一主要波段的光或具有第二主要波段的光转换成具有第三主要波段的光，从而能够容易地生产暖白光。
根据该实施例，能够在波长转换层中形成多个孔或凹槽，从而能够提高光提取效率。
根据该实施例，透明层被贴附到衬底上，同时包围发光器件，从而能够防止发光器件与衬底分离，并能够防止发光器件被污染或腐蚀。
根据该实施例，扩散层可以紧密地粘着至相邻于第二发光器件的第一发光器件的侧表面。因此，朝向第一发光器件的侧表面传输的具有第一主要波段的光不会抵达第二发光器件，以及从第一发光器件或第二发光器件产生且被波长转换层向下反射的光能够再次沿向上方向传输，因而能够使具有第一主要波段的光的损失最小化，从而提高光效率。
根据该实施例，能够产生具有更高的显色指数和处于2500K至4000K范围中的暖白光。

Claims (23)

1.一种发光设备，包括：
垫块；
第一光源，位于所述垫块上，用来产生具有处于400nm至500nm范围中的第一主要波段的光；
第二光源，位于所述垫块上，用来产生具有处于600nm至670nm范围中的第二主要波段的光，所述第二光源与所述第一光源间隔开；
第一透明层，包围所述第一光源和所述第二光源；
波长转换层，位于所述第一透明层上，用来将具有所述第一主要波段的光和具有所述第二主要波段的光的至少一个转换成具有处于500nm至600nm范围中的第三主要波段的光；
扩散层，位于所述垫块与所述第一透明层之间；以及
介质层，位于所述波长转换层与所述第一透明层之间，
其中所述第一光源或所述第二光源的至少一个具有第一折射率，所述第一透明层具有第二折射率，所述介质层具有第三折射率，以及所述波长转换层具有第四折射率，
其中所述第一折射率至所述第四折射率彼此不同，
其中所述扩散层的侧表面接触所述波长转换层的内表面和所述介质层的边缘的底表面；
其中所述波长转换层具有半球形；
其中所述第一透明层的第二折射率低于所述第一光源或所述第二光源的第一折射率并且高于所述介质层的第三折射率；
其中所述波长转换层包括孔或凹槽之一；
其中所述孔或凹槽彼此间隔开；
其中形成在所述波长转换层的中心区域的孔或凹槽的尺寸或直径小于形成在所述波长转换层的外围区域的孔或凹槽的尺寸或直径。
2.根据权利要求1所述的发光设备，其中所述第二折射率处于1.4至1.6的范围中，所述第三折射率处于1至1.3的范围中，以及所述第四折射率处于1.4至2.0的范围中。
3.根据权利要求1所述的发光设备，还包括：
第二透明层，位于所述波长转换层上；
其中所述第二折射率处于1.4至1.6的范围中，所述第三折射率处于1至1.3的范围中，以及所述第四折射率处于1.4至2.0的范围中；
其中所述第二透明层具有低于所述第四折射率的第五折射率。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光设备，其中所述介质层包括从由真空介质、空气以及液态二氧化碳构成的组里选择的一个；
其中所述介质层的第三折射率处于1至1.3的范围中。
5.根据权利要求3所述的发光设备，其中所述第二透明层包括具有不同折射率的多个透明膜。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的发光设备，其中所述扩散层接触所述第一光源或所述第二光源的至少一个的侧表面。
7.根据权利要求6所述的发光设备，其中所述扩散层的顶面与所述第一光源或所述第二光源中至少一个光源的顶面共面。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的发光设备，其中所述第一透明层具有第一半径的曲率，且所述波长转换层具有第二半径的曲率，
其中所述介质层具有与所述第二半径和所述第一半径之间的差值对应的宽度；
其中所述第一透明层具有半球形。
9.根据权利要求1所述的发光设备，其中所述介质层的宽度在0.5mm至50mm的范围。
10.根据权利要求1至3中任一项所述的发光设备，其中所述波长转换层包括：
透明膜；以及
多个波长转换微粒，分散在所述透明膜中；
其中所述波长转换颗粒包括磷光体。
11.根据权利要求10所述的发光设备，其中所述凹槽的面积是相对于所述波长转换层的整个面积的10％至30％；
其中所述凹槽具有从所述波长转换层的顶面向下凹入的凹形。
12.根据权利要求11所述的发光设备，其中所述凹槽的尺寸或直径从所述波长转换层的中心区域到所述波长转换层的外围区域线性或非线性增大。
13.根据权利要求10所述的发光设备，其中所述孔的面积为相对于所述波长转换层的整个面积的10％至30％；
其中所述孔贯穿所述波长转换层的底面和顶面。
14.根据权利要求10所述的发光设备，其中所述凹槽具有取决于在所述波长转换层中的位置的不同深度；
其中所述波长转换层的中心区域的凹槽的深度大于所述波长转换层的外围区域的凹槽的深度。
15.根据权利要求1至3中任一项所述的发光设备，其中所述第一光源和所述第二光源包括至少一个发光器件或至少一个发光封装至少之一。
16.根据权利要求1至3中任一项所述的发光设备，还包括位于所述波长转换层的顶面上的纹理。
17.根据权利要求1所述的发光设备，其中所述扩散层的底面接触所述垫块的顶面，并且所述扩散层的顶面接触所述第一透明层的底面；
其中所述波长转换层通过使用粘着剂贴附到所述垫块。
18.一种发光设备，包括：
垫块；
多个第一发光封装，位于所述垫块上；
多个第二发光封装，位于所述垫块上，所述第二发光封装与所述第一发光封装间隔开；以及
第二透明层，包围位于所述垫块上的所述第一发光封装和所述第二发光封装，
其中所述第一发光封装的每一个包括：
第一发光器件，位于所述垫块上，用来产生具有处于400nm至500nm范围中的第一主要波段的光；
第一透明层，包围所述第一发光器件；
波长转换层，位于所述第一透明层上，用来将具有所述第一主要波段的光转换成具有处于500nm至600nm范围中的第三主要波段的光；
扩散层，位于所述垫块与所述第一透明层之间；以及
介质层，位于所述波长转换层与所述第一透明层之间，以及，
其中所述第一发光器件具有第一折射率，所述第一透明层具有第二折射率，所述介质层具有第三折射率，以及所述波长转换层具有第四折射率，
其中所述第一折射率至所述第四折射率彼此不同，
其中所述扩散层的侧表面接触所述波长转换层的内表面和所述介质层的边缘的底表面；
其中所述第一透明层和所述波长转换层具有半球形；
其中所述第一透明层的第二折射率低于所述第一光源或所述第二光源的第一折射率并且高于所述介质层的第三折射率；
其中所述波长转换层包括孔或凹槽之一；
其中所述孔或凹槽彼此间隔开；
其中形成在所述波长转换层的中心区域的孔或凹槽的尺寸或直径小于形成在所述波长转换层的外周区域的孔或凹槽的尺寸或直径；
所述介质层包括由真空介质、空气以及液态二氧化碳构成的组里选择的一个；
其中所述介质层的第三折射率在1到1.3的范围。
19.根据权利要求18所述的发光设备，其中所述第二发光封装的每一个包括：
第二发光器件，位于所述垫块上，用来产生具有处于600nm至670nm范围中的第二主要波段的光；以及
第三透明层，包围第所述第二发光器件；
其中所述孔或凹槽的面积为相对于所述波长转换层的整个面积的10％至30％。
20.根据权利要求18所述的发光设备，其中所述扩散层的底面接触所述垫块的顶面，并且所述扩散层的顶面接触所述第一透明层的底面；
其中所述波长转换层通过使用粘着剂贴附到所述垫块。
21.一种发光设备，包括：
垫块；
多个发光封装，位于所述垫块上；以及
第二透明层，包围位于所述垫块上的所述发光封装，
其中所述发光封装的每一个包括：
第一发光器件，位于所述垫块上，用来产生具有处于400nm至500nm范围中的第一主要波段的光；
多个第二发光器件，位于所述垫块上，用来产生具有处于600nm至670nm范围中的第二主要波段的光，所述第二发光器件与所述第一发光器件间隔开；
第一透明层，包围所述第一发光器件和所述第二发光器件；
波长转换层，位于所述第一透明层上，用来将具有所述第一主要波段的光或具有所述第二主要波段的光的至少一个转换成具有处于500nm至600nm范围中的第三主要波段的光；
扩散层，位于所述垫块与所述第一透明层之间；以及
介质层，位于所述波长转换层与所述第一透明层之间，以及，
其中所述第一发光器件具有第一折射率，所述第一透明层具有第二折射率，所述介质层具有第三折射率，以及所述波长转换层具有第四折射率，
其中所述第一折射率至所述第四折射率彼此不同，
其中所述扩散层的侧表面接触所述波长转换层的内表面和所述介质层的边缘的底表面；
其中所述第一透明层和所述波长转换层具有半球形；
其中所述第一透明层的第二折射率低于所述第一光源或第二光源的第一折射率并且高于所述介质层的第三折射率；
其中所述波长转换层包括孔或凹槽之一；
其中所述孔或凹槽彼此间隔开；
其中形成在所述波长转换层的中心区域的孔或凹槽的尺寸或直径小于形成在所述波长转换层的外周区域的孔或凹槽的尺寸或直径；
所述介质层包括由真空介质、空气以及液态二氧化碳构成的组里选择的一个；
其中所述介质层的第三折射率在1到1.3的范围。
22.根据权利要求21所述的发光设备，
其中所述扩散层接触所述第一发光器件或所述第二发光器件的至少一个的侧表面；
其中所述孔或凹槽的面积为相对于所述波长转换层的整个面积的10％至30％。
23.根据权利要求21所述的发光设备，其中，所述扩散层的底面接触所述垫块的顶面，并且所述扩散层的顶面接触所述第一透明层的底面；
其中所述波长转换层通过使用粘着剂贴附到所述垫块。
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