TWI523192B - 照明裝置及其製造方法、發光照明模組 - Google Patents

Description

照明裝置及其製造方法、發光照明模組

本發明係有關於發光裝置，且特別是有關於一種發光二極體之照明裝置，其具有改善的白色外觀。

發光二極體為施加電壓時可發光之半導體發光裝置。發光二極體因其良好的特性(例如裝置尺寸小、壽命長、高效能、及良好的耐久性及可靠性)而逐漸普及，近年來，發光二極體已廣泛用於各種應用中，包括指示燈、光感測器、交通號誌、寬頻數據傳輸、液晶顯示器之背光單元、及其它適當照明裝置。舉例而言，發光二極體常用於用以取代傳統白熾燈泡(例如用於典型燈具中者)之照明裝置中。

判斷發光二極體照明裝置效能的標準之一包括其顏色外觀。舉例而言，希望發光二極體照明裝置即使在關閉狀態仍可維持實質白色外觀，因為這樣對於人類肉眼較為舒適，且與傳統非發光二極體燈具的外觀較為相似。然而，現存的發光二極體照明裝置在關閉狀態時通常具有非白色的外觀，例如傳統的發光二極體燈泡在關閉狀態時可能仍具有黃色的外觀。

因此，雖然已存在可滿足一般需求之發光二極體照明裝置，但其並未在各方面皆令人滿意，因此仍繼續尋求在關閉狀態時可產生實質白色外觀之一發光二極體照明裝置。

本發明一實施例提供一種照明裝置，包括：一基板；複數發光晶粒，設置於基板上且彼此分隔，發光晶粒分別被一螢光塗層覆蓋；一封膠結構，設置於基板上且將發光晶粒封裝；其中照明裝置在關閉狀態具有實質白色外觀。

本發明另一實施例提供一種發光照明模組，包括：一平板；一個或複數發光二極體，位於平板上；一局部化螢光薄膜，以使一個或複數發光二極體在未活化以發光時呈現實質白色外觀的方式，分別塗佈於一個或複數發光二極體每個的周圍；一擴散覆罩，位於平板上且罩蓋一個或複數發光二極體。

本發明又一實施例提供一種照明裝置的製造方法，包括：提供一基板；於基板上設置複數發光二極體晶粒，發光二極體晶粒分別以對應之一螢光薄膜來塗佈，其中發光二極體各自的螢光薄膜與其它發光二極體的螢光薄膜物理性分隔，其中發光二極體與相鄰的發光二極體以一分隔距離設置於基板上；於基板上及塗佈有螢光薄膜之發光二極體上塗佈一透明擴散膠體；以及於基板上安裝一擴散覆罩，擴散覆罩罩蓋透明擴散膠體及塗佈螢光薄膜之發光二極體。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

40‧‧‧照明裝置

50‧‧‧基板

60‧‧‧半導體發光晶粒(發光二極體晶粒)

70‧‧‧螢光薄膜

80‧‧‧發光二極體晶粒之橫向尺寸

90‧‧‧最佳化距離

110‧‧‧擴散覆罩

120‧‧‧接著材料(光學膠)

200‧‧‧散熱結構/散熱器

210‧‧‧散熱片

300‧‧‧方法

310、320、330、340‧‧‧步驟

400‧‧‧照明模組

410‧‧‧底座

420‧‧‧本體

430‧‧‧燈具

第1~2圖為依據本發明各型態所作之局部剖面示意圖，用以說明使用半導體發光裝置作為光源之照明裝置的一實施例。

第3圖為依據本發明各型態所作之局部剖面示意圖，用以說明照明裝置的一實施例。

第4圖為依據本發明各型態所作之一流程圖，用以說明使用半導體發光裝置作為光源之照明裝置的製造方法的一實施例。

第5圖為依據本發明各型態所作之局部剖面示意圖，用以說明包括第1~3圖之發光裝置的照明模組的一實施例。

要瞭解的是本說明書以下的揭露內容提供許多不同的實施例或範例，以實施本發明的不同特徵。而本說明書以下的揭露內容是敘述各個構件及其排列方式的特定範例，以求簡化發明的說明。當然，這些特定的範例並非用以限定本發明。例如，若是本說明書以下的揭露內容敘述了將一第一特徵形成於一第二特徵之上或上方，即表示其包含了所形成的上述第一特徵與上述第二特徵是直接接觸的實施例，亦包含了尚可將附加的特徵形成於上述第一特徵與上述第二特徵之間，而使上述第一特徵與上述第二特徵可能未直接接觸的實施例。另外，在空間上的相關用語，例如「頂部」、「底部」、「下」、「上」等等係用以容易表達出本說明書中的特徵與額外特徵的關係。這些空間上的相關用語涵蓋了具有特些特徵的裝置的不同方位。可以理解的是以下的圖式並未依照比例繪示，而僅僅提供說明之用。另外，本發明的說明中不同範例可能使用重複 的參考符號及/或用字。這些重複符號或用字係為了簡化與清晰的目的，並非用以限定各個實施例及/或所述外觀結構之間的關係。

半導體裝置可用以製造發光裝置，例如發光二極體(light-emitting diode，LED)裝置。在開啟時，發光二極體可發射輻射，例如在可見光譜之不同色光以及紫外或紅外波長光。相較於傳統光源(例如白熾燈泡)，使用發光二極體作為光源之照明裝置可提供例如較小的尺寸、較低的能耗、較長的壽命、多種可用的顏色、較高的耐用性及可靠性等優點，這些優點，隨著使發光二極體更便宜且更可靠之發光二極體製造技術的進步，使發光二極體系照明裝置近年來更加普及。

儘管如此，現存的發光二極體系照明裝置可能具有某些缺點，這些缺點之一與其在關閉狀態時不理想的顏色外觀有關。詳細而言，發光二極體可藉由螢光材料而將輸出的輻射轉換為另一種顏色，例如可使用螢光材料將發光二極體所發射之藍光轉換為較接近白光。然而，傳統塗佈螢光層的技術可能導致發光二極體照明裝置即使在關閉時仍具有非白色的外觀，而這是不希望的。

根據本發明各型態，以下敘述了一發光二極體照明裝置，其在關閉狀態時具有實質改善之白色外觀。參照第1圖，為依據本發明實施例各型態所繪示之照明裝置40的局部剖面示意圖。照明裝置40包括一基板50。在一些實施例中，基板50包括一金屬核心印刷電路板(Metal Core Printed Circuit Board，MCPCB)。金屬核心印刷電路板包括一金屬基底，其 可使用鋁(或其合金)製作。金屬核心印刷電路板亦可包括導熱但電性絕緣之一介電層，設置於金屬基底上。金屬核心印刷電路板亦可包括由銅製作之一薄金屬層，設置於一介電層上。在其它實施例中，基板50可包括其它適當材料，例如陶瓷或矽。基板50可包含主動電路且亦可用以建立內連線。

照明裝置40包括位於基板50上之複數半導體發光晶粒60。半導體發光晶粒係作為照明裝置40的光源，半導體發光晶粒60在後述實施例中即為發光二極體晶粒，且因此在下面的段落中可視為發光二極體晶粒60。在此處所討論的實施例中，發光二極體晶粒60彼此物理性分隔。

發光二極體晶粒60包括二相反摻雜之半導體層。換言之，這些相反摻雜之半導體層具有不同導電類型。舉例而言，這些半導體層之一包含摻雜有n型摻雜物的材料，而這些半導體層另外之一包含摻雜有p型摻雜物的材料。在一些實施例中，每個相反摻雜之半導體層包含一Ⅲ-V族化合物。詳細而言，Ⅲ-V族化合物包含一週期表之Ⅲ族元素及另一週期表之V族元素。舉例而言，Ⅲ族元素可包括硼、鋁、鎵、銦、鉈，V族元素可包括氮、磷、砷、銻、鉍。在某些實施例中，相反摻雜之半導體層分別包括一p型摻雜之氮化鎵(GaN)材料及一n型摻雜之氮化鎵材料，p型摻雜物可包括鎂(Mg)，n型摻雜物可包括碳(C)或矽(Si)。

發光二極體晶粒60亦分別包括位於相反摻雜半導體層之間的發光層，例如多重量子井(multiple-quantum well，MQW)層。多重量子井層包括交替(或週期性)的活性材料 層，例如氮化鎵及氧化銦鎵(InGaN)。舉例而言，多重量子井層可包括複數氮化鎵層及複數氮化銦鎵層，其中氮化鎵層及氮化銦鎵層以交替或週期性的方式形成。在一些實施例中，多重量子井層包括十層氮化鎵層及十層氮化銦鎵層，其中氮化銦鎵層形成於氮化鎵層上，另一氮化鎵層形成於此氮化銦鎵層上，以此類推。發光效率視此交替膜層的數量及厚度而定。在另外一些實施例中，可替代性地使用多重量子井層以外的適當發光層。

每個發光二極體晶粒亦可包括一預應變層(pre-strained layer)及一電子阻障層。預應變層可摻雜，且可用以釋放應變並減少多重量子井層中的量子侷限史塔克效應(Quantum Confined Stark Effect，QCSE)-其描述了外部電場對一量子井層之吸收光譜的影響。電子阻障層可包括摻雜之氮化鋁鎵(AlGaN)材料，其中摻雜物可包括鎂。電子阻障層有助於將電子-電洞的載子再結合限制於多重量子井層中，其可提昇多重量子井層的量子效率並減少不希望的頻帶輻射。

摻雜層及多重量子井層皆可由一種或多種本領域中習知的磊晶成長製程形成。舉例而言，這些膜層可藉由例如有機金屬氣相磊晶法(metal organic vapor phase epitaxy，MOVPE)、分子束磊晶法(molecular-beam epitaxy，MBE)、有機金屬化學氣相沉積法(metal organic chemical vapor deposition，MOCVD)、氫化物氣相磊晶法(hydride vapor phase epitaxy，HVPE)、液相磊晶法(liquid phase epitaxy，LPE)、或其它適當方法形成。這些製程可於適當沉積處理腔體中並以 攝氏幾百度至超過一千度之高溫範圍實施。

完成磊晶成長製程後，於摻雜層之間沉積多重量子井層以形成一發光二極體。施加一電壓(或電荷)至發光二極體60的摻雜層時，多重量子井層可發射輻射，例如光。多重量子井層所發射的光的顏色對應於其輻射波長，此輻射可為可見的(例如藍光)或不可見的(例如紫外光)。光的波長(及光的顏色)可藉由改變多重量子井層材料的組成及結構來調變，例如此處的發光二極體晶粒60可為藍光發光二極體，換言之，其被配置以發出藍光。發光二極體晶粒60亦可包括使發光二極體晶粒60電性連接至外部裝置的電極或接觸點。

如第1圖所示，每個發光二極體晶粒60亦塗佈有一螢光薄膜(或一螢光體塗層)70。在不同實施例中，螢光薄膜70保形地塗佈於發光二極體晶粒60每個的表面(例如頂部表面及側面)周圍。螢光薄膜70可包括磷光(phosphorescent)材料及/或螢光(fluorescent)材料。螢光薄膜70係用以轉換發光二極體晶粒60所發射的光的顏色。在一些實施例中，螢光薄膜70包含黃色螢光顆粒，且可將發光二極體晶粒60所發出的藍光轉換為一不同波長的光。藉由改變螢光薄膜70的材料組成，可實現所需的輸出光顏色(例如近似白色)。螢光薄膜70可以濃縮的黏性流體介質(例如液狀黏膠)的形式塗佈於發光二極體晶粒60的表面上。在粘性流體硬化或固化後，螢光材料即呈現發光二極體封裝構件的一部分。

發光二極體晶粒60每個的螢光薄膜70皆與其它發光二極體晶粒60的螢光薄膜70物理性分隔，例如與塗佈於相鄰 之發光二極體晶粒60周圍的螢光薄膜70分隔。因此，螢光薄膜70可視為局部塗佈於每個發光二極體晶粒60上。在一些實施例中，塊狀螢光薄膜可統一塗佈於複數發光二極體晶粒周圍，並可隨後將塗佈有螢光薄膜之發光二極體晶粒分隔而設置於基板50上，以確保螢光薄膜70不彼此接觸。在其它實施例中，螢光薄膜70可分別塗佈於每個發光二極體晶粒60上，以確保螢光薄膜70之間的物理性分隔。

依據本發明而將每個發光二極體晶粒60塗佈一對應之局部化螢光薄膜70是有益的，例如發光二極體晶粒60在關閉狀態時可呈現白色外觀。詳細而言，對許多傳統發光二極體之照明裝置中，塊狀螢光材料(或螢光體)塗佈於複數發光二極體晶粒的周圍，故塊狀螢光材料之螢光顆粒的顏色即使在發光二極體晶粒並非為活性發光時(亦即在關閉狀態)仍可影響整體顏色外觀。舉例而言，若塊狀螢光材料主要含有黃色螢光顆粒，則傳統發光二極體晶粒在關閉狀態時的整體顏色外觀可能為暗黃色。換言之，傳統發光二極體晶粒在未開啟時看起來為淡黃色。這是不希望的，因為照明裝置在關閉狀態時淡黃色的外觀對於肉眼而言並不美觀。

相較於此，依據本發明各型態，螢光薄膜70係局部塗佈於每個發光二極體晶粒60周圍，而非塗佈於所有發光二極體晶粒60整體的周圍。此局部化螢光塗層方法可減少整體螢光顆粒的數量，例如黃色螢光顆粒的數量。舉例而言，由於相鄰發光二極體晶粒60之間的空間並無螢光塗層，故沒有螢光顆粒設置於相鄰發光二極體晶粒60之間。此外，設置於發光二極 體晶粒60上之螢光顆粒的數量也由於局部化螢光塗層而減少。其結果，發光二極體晶粒60整體的顏色外觀可以比傳統發光二極體晶粒不黃且較白。因此，本發明之照明裝置(亦即，使用發光二極體晶粒60者)即使在關閉狀態時亦可呈現實質白色外觀。

需注意的是，此處所使用的黃色螢光顆粒僅作為一範例，用以說明螢光顆粒的顏色對發光二極體晶粒的顏色外觀影響。相同的概念亦可用於包含紅色、綠色、或其他不同顏色之螢光顆粒的螢光體。

雖然較白的外觀為此處所示之本發明照明裝置的實施例的優點之一，然其並非唯一的優點，亦非所有實施例所必備。其它實施例亦可提供不同優點，未必為此處討論者。

在一些實施例中，相鄰之塗佈有螢光體的發光二極體晶粒60之間的間距以不犧牲太多晶粒面積的方式而配置，以將來自有色螢光顆粒的影響減到最小。詳細而言，分隔相鄰發光二極體晶粒60的距離越大，整體顏色外觀越接近白色。然而，相鄰發光二極體晶粒60之間較大的距離會造成較大的晶粒面積，這是昂貴、麻煩且效能低的。因此，權衡後選擇一最佳的晶粒分隔距離範圍，其可實現良好的白色外觀且仍可保持夠小的晶片封裝。

舉例而言，如第1圖所示，每個塗佈有螢光體之發光二極體晶粒60可具有一水平或橫向尺寸80，以及一最佳化之相鄰塗佈有螢光體之發光二極體晶粒60的間距，即一最佳化距離90。因此，發光二極體晶粒60之間的橫向尺寸80與分隔這些 晶粒的最佳化距離90有關。換言之，最佳化距離90可藉由橫向尺寸80的函數來定義，反之亦然。

參照第2圖，其繪示了較詳細的照明裝置40之剖面示意圖。照明裝置40包括設置於基板50上之複數發光二極體晶粒60。如上所述，發光二極體晶粒60分別局部塗佈了螢光薄膜70，使塗佈於不同發光二極體晶粒60周圍的螢光薄膜70彼此無物理性接觸。

照明裝置40亦包括一擴散覆罩110。擴散覆罩110覆蓋其下方之發光二極體晶粒60。換句話說，發光二極體晶粒60可同時以擴散覆罩110及基板50封裝。基板50可完全或不完全由擴散覆罩110覆蓋。在一些實施例中，擴散覆罩110具有一彎曲表面或輪廓。在一些實施例中，此彎曲表面可實質上沿一半圓輪廓，使每個由發光二極體晶粒60所發射的光束可以實質直角之入射角到達擴散覆罩110的表面上，例如為約90度。擴散覆罩110之彎曲外形有助於降低由發光二極體晶粒60所發射之光的全反射(Total Internal Reflection，TIR)。在一些實施例中，擴散覆罩110具有圖案化表面以進一步擴散入射光。

在一些實施例中，發光二極體晶粒60與擴散覆罩110之間的空間可使用光學級矽膠系接著材料120填充，其亦稱為光學膠120。擴散顆粒在這些實施例中可混合於光學膠120內，以進一步擴散由發光二極體晶粒60所發射的光。在其它實施例中，發光二極體晶粒60與擴散覆罩110之間的空間可使用空氣填充。

基板50設置於散熱結構200上，其亦可視為一散熱 器200。散熱器200藉由基板50熱能地連接至發光二極體晶粒60。散熱器200被配置以促進熱能逸散至環境氣氛中。散熱器200可包含導熱材料，例如金屬材料。散熱器200的外形及幾何形狀可設計為提供習知燈泡一框架，並同時將熱能由發光二極體晶粒60逸散或導離。為了提高熱傳導，散熱器200可具有由散熱器200本體向外突出之複數散熱片210。散熱片210可具有暴露於環境氣氛之實質表面區域以促進熱傳導。在一些實施例中，導熱材料可設置於基板50與散熱片200之間。舉例而言，導熱材料可包括導熱膠、金屬焊墊、焊料等。導熱材料可進一步促進由發光二極體晶粒60至散熱器200的熱傳導。

第3圖為依據本發明一些實施例所作之簡化的照明裝置40的俯視示意圖。作為一範例，九個塗佈有螢光體之發光二極體晶粒60固定於基板50上並排列為三行三列。在其它實施例中，可使用任何其他數量之發光二極體晶粒排列為其它適合的配置。這些發光二極體晶粒60對應之螢光薄膜70以透明擴散膠體120覆蓋，並以一擴散覆罩110罩蓋。

由於發光二極體晶粒60分別由螢光薄膜70所覆蓋，故其無法直接由第3圖之俯視圖中觀察到。因此，塗佈螢光體之發光二極體晶粒60被分開繪示於第3圖左上角，以特別繪示出發光二極體晶粒60的輪廓或邊界。發光二極體晶粒60的邊界被繪示為虛線，以表示發光二極體晶粒60因被螢光薄膜70所覆蓋而並非直接可見。同樣地，螢光薄膜70由於被擴散膠體120所覆蓋而在俯視圖中並非直接可見。但為了說明，此處仍以虛線顯示了螢光薄膜70的輪廓或邊界。

如上所述，與傳統發光二極體系之照明裝置不同，螢光薄膜70局部塗佈於照明裝置40的每個發光二極體晶粒60周圍，而非以螢光體統一塗佈於所有發光二極體晶粒周圍。因此，此處的螢光薄膜70與其它螢光薄膜分隔，因而減少了擴散覆罩110下方有色螢光顆粒的存在。因此，發光二極體晶粒的整體顏色外觀可比傳統發光二極體晶粒較不黃。

第4圖為依據本發明各型態所作之一流程圖，用以說明使用半導體發光裝置作為光源之照明裝置的製造方法300的一實施例。方法300包括步驟310，其中提供一基板，此基板可為一印刷電路板基板、陶瓷基板、矽基板、或其它適當基板。方法300包括步驟320，其中於基板上設置複數發光二極體晶粒，每個發光二極體晶粒以一對應之螢光薄膜塗佈。每個發光二極體的螢光薄膜保形地塗佈於發光二極體周圍。每個發光二極體的螢光薄膜與其它發光二極體的螢光薄膜物理性分隔。在一些實施例中，步驟320可包括在發光二極體與相鄰發光二極體之間配置一最佳分隔距離，此最佳分隔距離為塗佈螢光體之發光二極體晶粒的橫向尺寸的函數。方法300包括步驟330，其中於基板上及塗佈螢光薄膜之發光二極體上塗佈一透明擴散膠體。方法300包括步驟340，其中於基板上安裝一擴散覆罩，此擴散覆罩可罩蓋透明擴散膠體及塗佈有螢光薄膜之發光二極體。

額外製程可在此處討論之步驟310~340之前、之中、之後實施以完成照明裝置的製造。為了簡化，此處不討論這些額外製程。

第5圖為依據本發明各型態所作之簡化示意圖，用以說明發光裝置40之照明模組400的一實施例。照明模組400具有一底座410、連接至底座410之本體420、及連接至本體420之燈具430。在一些實施例中，燈具430為一個嵌燈(或向下照光之照明模組)。

燈具430包括上述參照第1~4圖所討論之照明裝置40。換言之，照明模組400之燈具430包括一發光二極體系的光源，其中發光二極體晶粒為局部塗佈有螢光體。由於至少具有部份上述優點，燈具430之發光二極體封裝在關閉狀態時可為實質白色外觀，而傳統發光二極體照明裝置通常在關閉狀態看起來為黃色。

本發明較廣泛的一形式係關於照明裝置。此照明裝置包括：一基板；複數發光晶粒，設置於基板上且彼此分隔，這些發光晶粒分別被一螢光塗層覆蓋；一封膠結構，設置於基板上且將這些發光晶粒封裝；其中照明裝置在關閉狀態具有實質白色外觀。

在一些實施例中，上述照明裝置更包括一膠體，設置於封膠結構與發光晶粒之間。

在一些實施例中，擴散膠體為透明且包括擴散顆粒。

在一些實施例中，這些發光晶粒分別包括一發光二極體。

在一些實施例中，這些發光晶粒分別被配置以發出藍光。

在一些實施例中，封膠結構包括一擴散覆罩以散射光。

在一些實施例中，螢光塗層保形地塗佈於這些發光晶粒每個的周圍。

在一些實施例中，這些發光晶粒各自的螢光塗層與相鄰的發光晶粒的螢光塗層分隔一距離。

在一些實施例中，上述距離為這些發光晶粒之橫向尺寸的一函數。

本發明較廣泛的另一形式係關於發光照明模組，此發光照明模組包括：一平板；一個或複數發光二極體，位於平板上；一局部化螢光薄膜，以使前述一個或複數發光二極體在未活化發光時呈現實質白色外觀的方式，分別塗佈於前述一個或複數發光二極體每個的周圍；一擴散覆罩，位於平板上且罩蓋前述一個或複數發光二極體。

在一些實施例中，上述發光照明模組更包括一透明擴散材料，位於一個或複數發光二極體晶粒上且罩蓋於擴散覆罩內。

在一些實施例中，前述一個或複數發光二極體分別被配置以發出藍光，且螢光薄膜含有複數黃色螢光顆粒。

在一些實施例中，前述一個或複數發光二極體包括彼此分隔之複數發光二極體。

在一些實施例中，用於發光二極體的螢光薄膜與用於其它發光二極體的螢光薄膜無物理性接觸。

在一些實施例中，相鄰設置之發光二極體之間的 一間距與發光二極體的尺寸有關。

在一些實施例中，螢光薄膜保形地塗佈於一個或複數發光二極體每個的周圍。

本發明較廣泛的又一形式係關於一種照明裝置的製造方法，上述照明裝置的製造方法包括：提供一基板；於基板上設置複數發光二極體晶粒，這些發光二極體晶粒分別以對應之一螢光薄膜來塗佈，其中這些發光二極體各自的螢光薄膜與其它發光二極體的螢光薄膜物理性分隔，其中發光二極體與相鄰的發光二極體以一分隔距離設置於基板上；於基板上及塗佈有螢光薄膜之發光二極體上塗佈一透明擴散膠體；以及於基板上安裝一擴散覆罩，擴散覆罩罩蓋透明擴散膠體及塗佈有螢光薄膜之發光二極體。

在一些實施例中，用於這些發光二極體的螢光薄膜分別保形地塗佈於發光二極體周圍。

在一些實施例中，上述分隔距離為這些發光二極體其中之一的橫向尺寸的一函數。

在一些實施例中，以使這些發光二極體晶粒在關閉時呈現實質白色外觀的方式設置這些發光二極體。

雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

40‧‧‧照明裝置

50‧‧‧基板

60‧‧‧半導體發光晶粒(發光二極體晶粒)

70‧‧‧螢光薄膜

80‧‧‧發光二極體晶粒之橫向尺寸

90‧‧‧最佳化距離

110‧‧‧擴散覆罩

120‧‧‧接著材料(光學膠)

200‧‧‧散熱結構/散熱器

210‧‧‧散熱片

Claims (9)

1. 一種照明裝置，包括：一基板；複數發光晶粒，設置於該基板上且彼此分隔，該些發光晶粒分別被一螢光塗層保形地覆蓋；一連續的封膠結構，具有一彎曲表面，設置於該基板上且將該些發光晶粒封裝；以及一膠體，設置於該封膠結構與分別覆蓋該些發光晶粒的該螢光塗層之間，其中該膠體包括擴散顆粒；其中該照明裝置在該些發光晶粒為關閉狀態時具有實質白色外觀。
2. 如申請專利範圍第1項所述之照明裝置，其中該封膠結構包括一擴散覆罩以散射光。
3. 如申請專利範圍第1項所述之照明裝置，其中該些發光晶粒分別包括一發光二極體，該些發光晶粒分別被配置以發出藍光。
4. 如申請專利範圍第1項所述之照明裝置，其中該些發光晶粒各自的該螢光塗層與相鄰的發光晶粒的螢光塗層分隔一距離，該距離為該些發光晶粒之橫向尺寸的一函數。
5. 一種發光照明模組，包括：一平板；複數發光二極體，位於該平板上；一局部化螢光薄膜，以使該些發光二極體在關閉狀態時該發光照明模組呈現實質白色外觀的方式，保形地塗佈於該 些發光二極體每個的周圍；一連續的覆罩，具有一彎曲表面，位於該平板上且罩蓋該些發光二極體；以及一透明擴散材料，位於塗佈該些發光二極體晶粒每個的該螢光薄膜上且罩蓋於該連續的覆罩內。
6. 如申請專利範圍第5項所述之發光照明模組，其中該些發光二極體分別被配置以發出藍光，該螢光薄膜含有複數黃色螢光顆粒。
7. 如申請專利範圍第5項所述之發光照明模組，其中該些發光二極體包括彼此分隔之複數發光二極體，用於該些發光二極體的該螢光薄膜與用於其它發光二極體的螢光薄膜無物理性接觸，相鄰設置之該些發光二極體之間的一間距與該些發光二極體的尺寸有關。
8. 一種照明裝置的製造方法，包括：提供一基板；於該基板上設置複數發光二極體晶粒，該些發光二極體晶粒分別以對應之一螢光薄膜來保形地塗佈，其中該些發光二極體各自的該螢光薄膜與其它該些發光二極體的該些螢光薄膜物理性分隔，其中該些發光二極體與相鄰的發光二極體以一分隔距離設置於該基板上；於該基板上及塗佈有該些螢光薄膜之該些發光二極體上塗佈一透明擴散膠體；以及於該基板上安裝一連續的覆罩，該連續的覆罩具有一彎曲表面且罩蓋該透明擴散膠體及塗佈該些螢光薄膜之該些發 光二極體。
9. 如申請專利範圍第8項所述之照明裝置的製造方法，其中該分隔距離為該些發光二極體其中之一的橫向尺寸的一函數，並以使該些發光二極體晶粒在關閉時該照明裝置呈現實質白色外觀的方式設置該些發光二極體。