CN205508869U - 一种侧面发光led芯片 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种侧面发光LED芯片，包括LED芯片，所述LED芯片的侧面设置为梯形，正面设置为三等分的矩形，且中间的矩形与底面平行，两侧的矩形呈倾斜连接在LED芯片的底面与中间矩形之间，所述LED芯片的表面设有荧光层。该侧面发光LED芯片，通过把LED芯片设为梯形，通过在LED芯片的表面涂有荧光膜或者是荧光粉涂层，向三个方向发光散射，使得LED灯具设计可以更薄整体发光更均匀，可以直接生产需要的色温，适用于特定的场所，非常的方便。
Description
技术领域
本实用新型属于LED芯片技术领域，具体涉及一种侧面发光LED芯片。
背景技术
LED芯片是一种固态的半导体器件，LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。LED发光芯片，是LED灯的核心组件，也就是指的P-N结。把电能转化为光能，芯片的主要材料为单晶硅。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。目前的LED发光芯片是均匀发光，光线向四周均匀散射，而在某些场合需要用到侧面发光的LED,目前此类LED发光芯片还没有此项功能，不是很方便。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种侧面发光LED芯片，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种侧面发光LED芯片，包括LED芯片，所述LED芯片的侧面设置为梯形，正面设置为三等分的矩形，且中间的矩形与底面平行，两侧的矩形呈倾斜连接在LED芯片的底面与中间矩形之间，所述LED芯片的表面设有荧光层。
优选的, 所述荧光层设置为荧光膜或者荧光粉涂层。
本实用新型的技术效果和优点：该侧面发光LED芯片，通过把LED芯片设为梯形，通过在LED芯片的表面涂有荧光膜或者荧光粉涂层，可以使得向三个方向发光散射，可以直接生产需要的色温，适用于特定的场所，非常的方便。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
图2为本实用新型的俯视图；
图3为本实用新型的立体图。
图中：1荧光层、2 LED芯片。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型提供了如图1-3所示的一种侧面发光LED芯片，包括LED芯片2，所述LED芯片2的侧面设置为梯形，正面设置为三等分的矩形，且中间的矩形与底面平行，两侧的矩形呈倾斜连接在LED芯片2的底面与中间矩形之间，所述LED芯片2的表面设有荧光层1，所述荧光层1设置为荧光膜或者荧光粉涂层，该侧面发光LED芯片，通过把LED芯片2设为梯形，通过在LED芯片2的表面涂有荧光膜或者荧光粉涂层，可以使得光线向三个方向散射，可以直接生产需要的色温，适用于特定的场所，非常的方便。
最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (2)
1.一种侧面发光LED芯片，包括LED芯片（2），其特征在于：所述LED芯片（2）的侧面设置为梯形，正面设置为三等分的矩形，且中间的矩形与底面平行，两侧的矩形呈倾斜连接在LED芯片（2）的底面与中间矩形之间，所述LED芯片（2）的表面设有荧光层（1）。
2.根据权利要求1所述的一种侧面发光LED芯片，其特征在于：所述荧光层（1）设置为荧光膜或者荧光粉涂层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201521117811.6U CN205508869U (zh) | 2015-12-30 | 2015-12-30 | 一种侧面发光led芯片 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201521117811.6U CN205508869U (zh) | 2015-12-30 | 2015-12-30 | 一种侧面发光led芯片 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN205508869U true CN205508869U (zh) | 2016-08-24 |
Family
ID=56720758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201521117811.6U Active CN205508869U (zh) | 2015-12-30 | 2015-12-30 | 一种侧面发光led芯片 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN205508869U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110491974A (zh) * | 2019-08-16 | 2019-11-22 | 錼创显示科技股份有限公司 | 微型发光元件及微型发光二极管元件基板 |
| US11380819B2 (en) | 2019-08-16 | 2022-07-05 | PlayNitride Display Co., Ltd. | Micro light emitting diode and micro light emitting diode device substrate |
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2015
- 2015-12-30 CN CN201521117811.6U patent/CN205508869U/zh active Active
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |