KR100947454B1 - 다단 구조의 열전달 슬러그 및 이를 채용한 발광 다이오드패키지 - Google Patents

Abstract

본 발명은 발광 다이오드 패키지에 장착되어 발광칩으로부터 발생된 열을 외부로 방출시키는 다단 구조의 열전달 슬러그를 제공한다. 상기 다단 구조의 열전달 슬러그는 제 1 슬러그와, 상기 제 1 슬러그위에 형성된 제 2 슬러그와, 상기 제 2 슬러그위에 형성된 제 3 슬러그를 포함하며, 상기 제 3 슬러그에는 발광칩이 실장되고, 상기 제 2 슬러그 및 상기 제 3 슬러그는 모서리를 가지는 형상으로 되어 있으며, 서로 엇갈려 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.

이러한 구조적 특성에 의해 발광칩으로부터 발생된 열은 하나의 슬러그에서 모서리 쪽으로 몰려서 방출되고, 그 다음 슬러그에서 엇갈려 배치되어 있는 모서리 쪽으로 몰리는 열방출 경로를 가지게 되어 전체적으로는 열방출 경로가 슬러그의 특정 영역에 쏠리지 않고 전체적으로 넓게 분포되어 열방출 효과가 커지게 된다.

슬러그, 발광소자, LED, 사각형, 다단, 열방출

Description

다단 구조의 열전달 슬러그 및 이를 채용한 발광 다이오드 패키지{HEAT CONDUCTING SLUG HAVING MULTI-STEP STRUCTURE AND THE LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE USING THE SAME}

본 발명은 방열효율이 향상된 발광다이오드 패키지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 발광다이오드 패키지의 슬러그 구조를 다단 구조로 하여 발광칩으로부터 발생되는 열을 효율적으로 발산하는 다단 구조의 열전달 슬러그 및 이를 채용한 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.

근래에 들어 발광다이오드(LED; Light Emitting Diode)칩을 사용한 조명에 대한 관심이 늘어나고 있는 추세이며, 이러한 발광다이오드를 조명용으로 사용하기 위해서는 발광의 질적 향상뿐 아니라 수천 루멘(1루멘은 1칸델라의 광원에서 단위 입체각당 방출되는 광속) 이상의 광출력이 요구된다. 이러한 고출력 발광은 입력전류에 비례하므로 높은 전류가 제공되면 요구되는 광출력을 얻을 수 있으나, 입력전류를 높이면 이에 따라 많은 열이 발생하는 문제가 있다.

발광칩으로부터 발생된 많은 열은 발광칩의 수명에 치명적인 영향을 미치고 있으며, 이러한 문제를 해결하기 위하여 슬러그와 같은 방열부재를 지닌 발광 다이 오드 패키지가 제작되고 있다.

종래에는 슬러그의 방열효과를 향상시키기 위하여 슬러그의 재질 및 크기를 변경하는 시도가 이루어져 왔다. 그러나 슬러그의 재질 및 크기를 변경하는 데는 한계가 있기 때문에 슬러그의 방열효과를 좋게 하기 위한 다른 측면의 연구가 필요하다.

한편, 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지 중에서 캐스팅 몰드 방식으로 몰딩부를 형성하는 발광 다이오드 패키지는 하우징내에 슬러그를 장착하고, 그 슬러그내에 발광칩을 실장한 상태에서 별도의 성형틀을 밀착시키고, 성형틀 내부에 액상수지를 주입하여 몰딩부를 형성하였다.

하지만, 상기 종래 기술과 같이 성형틀 내부에 액상수지가 주입될 때 고압으로 주입되므로, 성형틀 내부의 압력에 의해 성형틀이 하우징과 밀착되지 못하고 분리되는 경우가 발생되는 경우가 발생하였다. 상기와 같이 성형틀 내부에 액상수지를 주입할 때 성형틀과 하우징이 분리되는 경우, 성형틀이 다시 하우징과 밀착되지 못해 몰딩부를 형성하지 못하는 불량이 발생된다. 또한, 성형틀이 다시 하우징과 밀착되더라도 성형틀 내부의 액상수지가 성형틀과 하우징이 분리되어 생긴 틈으로 유출되어 불량이 발생되는 문제점이 있었다.

또한, 하우징을 형성한 후에 슬러그를 장착할 경우, 슬러그가 발광 다이오드 패키지로부터 분리됨으로써 소자 불량이 초래될 수 있다. 이러한 소자 불량은 와이어의 단선을 유발하여 발광 다이오드 패키지의 재사용을 불가능하게 한다. 따라서, 슬러그가 발광 다이오드 패키지로부터 분리되는 것을 방지할 수 있도록 슬러그와 하우징이 조립될 필요가 있다.

본 발명은 종래의 발광 다이오드 패키지의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 열방출 효과를 향상시킬 수 있는 열전달 슬러그 및 그 슬러그를 채용한 발광 다이오드 패키지를 제공하는 데 있다.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 발광 다이오드 패키지의 몰딩부 형성시에 발생될 수 있는 불량율을 줄이면서 광학효율이 좋은 발광 다이오드 패키지를 제공하는 데 있다.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 슬러그가 하우징으로부터 분리되는 것을 방지할 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 데 있다.

이러한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일측면에 의하면, 발광 다이오드 패키지에 장착되어 발광칩으로부터 발생된 열을 외부로 방출시키는 다단 구조의 열전달 슬러그가 제공된다.

상기 다단 구조의 열전달 슬러그는 제 1 슬러그와, 상기 제 1 슬러그 위에 배치된 제 2 슬러그와, 상기 제 2 슬러그 위에 배치된 제 3 슬러그를 포함한다. 상기 제 2 슬러그 및 상기 제 3 슬러그는 각각 모서리들을 갖는 형상으로 되어 있으며, 상기 제2 및 제3 슬러그의 모서리들은 서로 엇갈려 배치된다.

일 실시예에 있어서, 상기 제 2 슬러그 및 제 3 슬러그는 각각 사각형 테두리를 가지고, 상기 제 3 슬러그의 사각형 테두리는 상기 제 2 슬러그의 사각형 테 두리 내에 위치하며, 상기 제 3 슬러그의 사각형 테두리는 상기 제 2 슬러그의 사각형 테두리에 대하여 45도 회전되어 배치될 수 있다.

상기 제 3 슬러그에는 상기 발광칩이 실장되는 오목부가 형성될 수 있다. 이에 더하여, 상기 제 3 슬러그는 상기 발광칩으로 발생된 광이 반사될 수 있도록 상기 오목부에 반사면을 가질 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 제1, 제2 및 제3 슬러그들은 일체로 형성될 수 있다.

또한, 상기 제3 슬러그는 발광칩이 실장될 수 있는 오목부를 가질 수 있다. 상기 오목부는 상기 제3 슬러그 내에 제한적으로 위치할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 상기 오목부는 상기 제2 슬러그로 연장되어 그 바닥면이 상기 제2 슬러그 내에 위치할 수 있다.

한편, 상기 제1 슬러그는 리드단자들이 결합될 수 있는 리드 수용단(lead accpting step)을 가질 수 있다. 상기 리드 수용단은 상기 제1 슬러그의 둘레를 따라 연속적으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 불연속적으로 여러 곳에 형성될 수 있다.

본 발명의 다른 측면에 의하면, 발광 다이오드 패키지가 제공된다. 이 패키지는, 하우징과, 상기 하우징 내에 장착된 다단 구조의 열전달 슬러그와, 상기 열전달 슬러그에 실장된 발광칩과, 상기 발광칩에 전원을 공급하기 위한 리드 단자들을 포함한다. 또한, 상기 다단 구조의 열전달 슬러그는, 제 1 슬러그와, 상기 제 1 슬러그 위에 형성된 제 2 슬러그와, 상기 제 2 슬러그위에 형성된 제 3 슬러그를 포함한다. 상기 제 2 슬러그 및 상기 제 3 슬러그는 각각 모서리들을 갖는 형상으로 되어 있으며, 상기 제2 및 제3 슬러그들의 모서리들은 서로 엇갈려 배치된다.

일 실시예에 있어서, 상기 제 2 슬러그 및 제 3 슬러그는 각각 사각형 테두리를 갖고, 상기 제 3 슬러그의 사각형 테두리는 상기 제 2 슬러그의 사각형 테두리내에 위치하며, 상기 제 3 슬러그의 사각형 테두리는 상기 제 2 슬러그의 사각형 테두리에 대하여 45도 회전되어 배치될 수 있다.

상기 제 3 슬러그에는 상기 발광칩이 실장되는 오목부가 형성될 수 있다. 이에 더하여, 상기 제 3 슬러그는 상기 발광칩으로 발생된 광이 반사될 수 있도록 상기 오목부에 반사면을 가질 수 있다.

한편, 상기 제1, 제2 및 제3 슬러그들은 일체로 형성될 수 있다.

상기 제3 슬러그는 발광칩이 실장될 수 있는 오목부를 갖되, 상기 오목부는 상기 제2 슬러그로 연장되어 그 바닥면이 상기 제2 슬러그 내에 위치할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 발광 다이오드 패키지는 지지 리드들(supporting leads)을 더 포함할 수 있다. 상기 지지 리드들은 상기 열전달 슬러그에 결합된다.

이에 더하여, 상기 제1 슬러그는 리드 수용단을 가질 수 있으며, 상기 지지 리드들은 상기 리드 수용단에 결합될 수 있다.

한편, 상기 리드 단자들 중 적어도 하나는 상기 열전달 슬러그에 결합되어 전기적으로 연결되고, 상기 리드 단자들 중 적어도 다른 하나는 상기 열전달 슬러그로부터 이격될 수 있다.

이에 더하여, 상기 리드 단자들 중 적어도 하나는 상기 제1 슬러그의 리드 수용단에 결합될 수 있다.

또한, 상기 지지 리드들은 서로 연장되어 상기 제1 슬러그의 둘레를 따라 상기 제1 슬러그에 결합된 반원형의 지지링을 형성할 수 있다. 상기 반원형의 지지링은 상기 리드 단자들 중 적어도 하나에 대향하여 배치된다.

한편, 상기 하우징의 상부에 상기 몰딩부의 형성시 유출된 액상수지가 충진될 수 있도록 홈이 적어도 하나 이상 형성될 수 있다.

본 발명에 의하면, 열방출을 위한 열전달 슬러그가 모서리들을 갖는 형상들의 다단 구조로 되어 있다. 다단 구조의 슬러그들은 예컨대 45도로 서로 엇갈려 있는 사각형 테두리 구조를 갖는다. 이러한 구조적 특성에 의해 발광칩으로부터 발생된 열은 하나의 슬러그에서 모서리쪽으로 몰려서 방출되고, 그 다음 슬러그에서 45도 엇갈려 배치되어 있는 모서리쪽으로 몰리는 열방출 경로를 갖는다. 이에 따라, 전체적으로는 열방출 경로가 슬러그의 특정 영역에 집중되지 않고 넓게 분포되며, 따라서 열전달 슬러그의 열방출 성능이 증가된다.

또한, 지지 리드들 또는 리드 단자들을 열전달 슬러그와 결합함으로써 열전달 슬러그가 하우징으로부터 분리되는 것을 방지함과 아울러 리드단자들과 발광칩의 전기적 연결을 간편하게 할 수 있다.

또한, 하우징의 상부에 홈을 형성함으로써, 캐스팅 몰드 방식으로 몰딩부를 형성할 때 성형틀의 내부 압력이 정상범위보다 높아져 액상수지가 성형틀 외부로 유출되더라도 유출된 액상수지가 하우징에 형성된 홈부에 충진되므로, 성형틀 내부 의 압력을 낮출 수 있으며, 유출된 액상수지가 하우징 외부로 흘러내리는 것을 방지할 수 있다.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상의 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 다단 구조의 열전달 슬러그의 사시도이고, 도 2는 도 1의 평면도이고, 도 3은 도 2에서의 A-A 단면도이다.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 다단 구조의 열전달 슬러그는 제1 슬러그(110)와, 제1 슬러그(110) 위에 배치된 제2 슬러그(120)와, 제2 슬러그(120) 위에 배치된 제3 슬러그(130)를 포함한다.

제1 슬러그(110)는 일반적으로 원형 형상을 가지는 발광 다이오드 패키지 내에 실장되기 위하여 원기둥의 형태를 가진다. 제2 슬러그(120) 및 제3 슬러그(130)는 열방출 효과를 극대화시키기 위해 서로 45도 엇갈린 배열로 배치된 사각형 구조를 가지고 있다.

제3 슬러그(130) 내에는 발광칩(10)이 실장된다.

제1 슬러그(110), 제2 슬러그(120), 제3 슬러그(130)는 열전도성이 높은 재질이 바람직하다. 도전성을 지닌 재질일 수 있다.

제 1 슬러그(110), 제 2 슬러그(120), 제 3 슬러그(130)는 일체로 형성될 수 도 있고, 각각 형성된 후 열전도성이 높은 페이스트에 의해 서로 결합될 수도 있다.

제1 슬러그(110)는 원형의 테두리를 가지며 원기둥 형태로 되어 있다. 제2 슬러그(120) 및 제3 슬러그(130)는 각각 사각형 테두리를 가질 수 있다..

이때, 제3 슬러그(130)의 사각형 테두리는 제2 슬러그(120)의 사각형 테두리 내에 위치하도록 배치된다.

여기에서, 제3 슬러그(130)의 사각형 테두리는 제2 슬러그(120)의 사각형 테두리에 대하여 엇갈려 배치되며, 예컨대 45도 회전되어 배치될 수 있다. 제3 슬러그(130)에 실장된 발광칩(10)으로부터 발생된 열이 제3 슬러그(130)를 통하여 제2 슬러그(120)로 방출될 때 가장 효과적으로 방출되기 위해서는 제3 슬러그(130)의 사각형 테두리가 제2 슬러그(120)의 테두리에 대하여 45도 회전되어 배치되도록 하는 것이 가장 바람직하며 그외에 다른 각도로 회전되어 배치될 수도 있다.

또한, 제3 슬러그(130)에는 그 중앙에 사각형의 오목부(131)가 형성되어 있다. 이 오목부(131)에는 발광칩(10)이 실장된다. 오목부(131)의 형상은 사각형 외에도 원형이나 육각형이나 다양한 형태로 변형이 가능하다.

또한, 여기에서는 오목부(131)의 측벽을 수직으로 나타내었으나, 오목부(131)의 측벽을 바닥에 대하여 비스듬하게 형성하여 반사면을 형성함으로써 발광칩(10)으로부터 방출되거나 몰딩부(400)의 표면에서 전반사된 광이 측벽에 반사되어 몰딩부의 상부로 방출되게 할 수 있다.

오목부(131)의 측벽이 바닥면에 대하여 비스듬하게 형성된 각도는 예를 들어 바닥면의 수직방향에 대하여 측벽의 기울기가 10 내지 50도가 되게 하는 것이 바람직하다. 그러나 측벽과 바닥면이 이루는 각도는 이에 한정되지 않는다.

아울러, 오목부의 바닥면과 측벽에 반사재질을 형성하여 오목부(131)에서 광의 반사특성을 향상시킬 수 있다.

도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 다단 구조의 열전달 슬러그에서 발광칩으로부터 발생된 열이 외부로 방출되는 것을 설명하도록 한다.

슬러그를 설계함에 있어 열방출 효과를 개선하기 위해서는 열전도특성이 높은 재질을 사용하거나, 열방출 면적을 넓게 설계하는 방법이 있을 수 있다.

한편, 슬러그의 구조를 개선하여 열방출 효과를 개선할 수도 있다. 즉, 슬러그의 2차원적인 형상에 따라 열방출 밀도가 높은 부분과 그렇지 못한 부분이 있을 수 있다.

일반적으로 열은 각을 지닌 슬러그 구조에 있어서 모서리 중앙 부분으로 발산하는 열은 직진성이 강하지만 그 이외의 부분에서의 열의 흐름은 모서리 쪽으로 몰리는 경향이 있다.

이점을 고려하여 슬러그 구조를 제1 슬러그(110), 제2 슬러그(120), 제3 슬러그(130)의 다단 구조로 하고, 제3 슬러그(130)의 모서리 쪽으로 몰리는 열을 제2 슬러그(120)의 모서리 쪽으로 몰리도록 함으로써 열방출 효과를 개선할 수 있다.

따라서, 발광칩(10)에서 발생된 열은 사각형상의 제3 슬러그(130)에서 도시된 화살표와 같이 외부로 전달된다. 즉, 열은 각을 지닌 슬러그 구조에 있어서 모 서리 중앙 부분으로 발산하는 열은 직진성이 강하지만 그 이외의 부분에서의 열의 흐름은 모서리 쪽으로 몰리게 된다.

따라서, 열을 방출하는 슬러그의 형상이 사각형상으로 되어 있는 경우 모서리 부분으로 우선적으로 열이 몰리는 현상이 일어난다.

이러한 현상은 제2 슬러그(120)에서도 발생된다. 제3 슬러그(130)와 제2 슬러그(120)가 접하는 부분에서 제2 슬러그(120)의 모서리 중앙 부분으로 발산하는 열은 직진성이 강하지만, 그 이외의 부분에서는 열의 흐름이 모서리쪽으로 몰리게 된다. 즉, 제 2 슬러그(120)에서도 열을 방출하는 슬러그의 형상이 사각형상으로 되어 있음에 따라 모서리 부분으로 우선적으로 열이 몰려 방출되는 현상이 일어난다.

이때, 제2 슬러그(120)의 사각형 테두리는 제3 슬러그(130)의 사각형 테두리에 대하여 모서리 방향이 45도 회전된 각도로 배치되어 있다.

따라서, 제3 슬러그(130)에서 모서리쪽으로 몰려서 방출되는 열은 제2 슬러그(120)에서는 다시 각 모서리쪽으로 몰리는 열방출 경로를 가지게 된다. 이렇게 됨으로써 제 2 슬러그(120) 및 제 3 슬러그(130)에서는 열방출 면적이 넓어지게 되어 열방출 효과가 커진다.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 다단 구조의 열전달 슬러그가 채용된 발광 다이오드 패키지의 사시도이다.

도 4를 참조하면, 제1 슬러그(110)와 제2 슬러그(120)와 제3 슬러그(130)가 하우징(200) 내에 실장되어 있다. 하우징(200)에는 리드 단자들(300)이 설치되어 있다.

하우징(200) 내에 다단 구조의 열전달 슬러그(100)가 장착되고 제3 슬러그(130)에 발광칩(10)이 실장된다. 이후, 하우징(200) 내에 발광칩(10)을 봉지하도록 몰딩부(400)가 형성된다. 이때, 몰딩부(400)는 렌즈를 형성하도록 볼록하게 형성된다.

하우징(200)은 발광 다이오드 패키지의 전체 구조를 지지하며 보호하기 위한 몸체로서, 폴리프탈아미드(Poly Phthal Amid; PPA) 또는 액정 고분자 수지(Liquid Crystal Polymer; LCP) 등과 같은 절연물질로 제작될 수 있다.

절연물질로 제작된 하우징(200)은 하우징(200)내에 형성된 리드 단자들(300)을 지지하면서 전기적으로 단락시킨다.

이때, 하우징(200)에는 하우징(200)의 상부에 몰딩부(400)를 형성하는 공정에서 유출되는 액상수지가 충진될 수 있는 홈(210)이 여러 개 형성되어 있다.

하우징(200)의 상부에 군데 군데 형성된 홈(210)은 하우징(200) 상에 별도의 성형틀(미도시됨)을 이용하여 몰딩부(400)를 형성할 때, 성형틀 내에 주입되는 액상수지가 압력에 의해 밖으로 유출될 때 그 유출되는 액상수지가 홈에 충진되어 하우징 밖으로 흘러 넘치지 않게 하기 위한 것으로 성형틀과 하우징(200)의 접촉되는 부분인 하우징(200)의 상부에 형성된다.

한편, 본 실시예에서는 하우징(200)에 형성된 홈(210)의 형상을 사각형상으로 하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며 삼각형상일 수도 있으며, 원형일 수도 있다. 즉, 본 실시예에 따른 홈(210)은 반원형상, 반타원형상 또는 다각형상일 수 있 다. 또한, 본 실시예에 따른 홈(210)은 둘 이상 형성될 경우 균등한 간격으로 서로 이격되어 형성되는 것이 바람직하다.

리드 단자들(300)은 발광칩(10)에 외부전원을 인가하기 위한 것으로서, 하우징(200)의 일측 및 타측에 각각 형성된다. 이때, 리드 단자(300)의 일부분은 하우징(200) 내에 삽입되며, 나머지 일부분은 하우징(200) 외에 돌출되어 외부전원을 인가받을 수 있다.

발광칩(10)은 p-n 접합구조를 가지는 화합물 반도체 적층구조로서 소수 캐리어(전자 또는 정공)들의 재결합에 의하여 발광되는 현상을 이용한다. 발광칩(10)은 제1 및 제2 반도체층과 1 및 제2 반도체층 사이에 형성된 활성층을 포함할 수 있다. 본 실시예에서는 제1 반도체층을 P형 반도체 층으로 하고, 제2 반도체층을 N형 반도체층으로 한다. 또한, 발광칩(10)의 상부 즉, P형 반도체층의 일면에는 P형 전극이 형성되고, 발광칩(10)의 하부 즉, N형 반도체층의 일면에는 N형 전극이 형성된다. 이때, N형 전극은 리드 프레임(300)의 일측 리드 프레임에 접하고, P형 전극은 배선에 의해 리드 프레임(300)의 다른 측에 전기적으로 연결될 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명에 따른 발광칩(10)은 이러한 수직형 발광칩 외에 수평형 발광칩을 사용할 수 있으며, 가시광 또는 자외선 등을 발광하는 다양한 종류의 발광칩을 사용할 수 있다.

한편, 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는 발광칩(10)과 리드 프레임(300)을 전기적으로 연결하기 위해 배선(미도시됨)을 사용할 수 있다.

배선은 발광칩(10)과 리드 프레임(300)을 전기적으로 연결하기 위한 것으로 서, 와이어 접합 공정 등의 공정을 통해 금(Au) 또는 알루미늄(Al)으로 형성될 수 있다.

몰딩부(400)는 발광칩(10)을 봉지하고 발광칩(10)과 연결된 배선을 고정시키기 위한 것으로서, 소정의 성형틀을 이용해 형성된다. 또한, 몰딩부(400)는 발광칩(10)을 봉지하고 배선(미도시)을 고정시키기 위한 것뿐만 아니라 발광칩(10)에서 발산되는 빛을 모아주는 렌즈의 역할을 하도록 형성될 수도 있다. 이러한 몰딩부(400)는 발광칩(10)에서 방출된 광을 외부로 투과시켜야 하므로, 통상 에폭시 수지 또는 실리콘 수지 등과 같은 투명수지로 형성된다.

이때, 몰딩부(400) 내부에 발광칩(10)으로부터 방출된 광을 산란에 의해 확산시킴으로써 균일하게 발광시키는 확산제(미도시)를 더 포함할 수 있다. 확산제로는 티탄산바륨, 산화티탄, 산화알루미늄, 산화규소 등이 사용될 수 있다. 또한, 몰딩부(400) 내부에는 형광체(미도시)를 더 포함할 수 있다. 형광체는 발광칩(10)으로부터 발광된 광의 일부를 흡수하여 흡수된 광과 상이한 파장의 광을 방출하는 것으로서, 임자결정(Host Lattice)과 적절한 위치에 불순물이 혼입된 활성이온으로 구성된다. 활성이온들의 역할은 발광과정에 관여하는 에너지 준위를 결정함으로써 발광색을 결정하며, 그 발광색은 결정구조 내에서 활성이온이 갖는 기저상태와 여기 상태의 에너지 차(Energy Gap)에 의해 결정된다.

도 5 및 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.

여기에서는 발광 다이오드 패키지의 제조시에 고압의 액상수지에 의해 성형 틀내 일부영역의 압력이 비정상적으로 높아졌을 경우를 가정하여 설명하기로 한다.

도 5를 참조하면, 먼저, 리드 단자들(300)이 형성된 하우징(200)을 제작한다.

하우징(200)은 폴리프탈아미드(Poly Phthal Amid; PPA) 또는 액정 고분자 수지(Liquid Crystal Polymer; LCP) 등과 같은 절연물질을 액체 상태로 하여 소정의 틀을 이용해 성형공정으로 제작될 수 있다. 즉, 리드 단자들(300)을 갖는 리드 프레임을 별도의 프레스 공정에 의해 형성한 후 하우징(200) 내에 리드 단자들(300)의 일부가 삽입될 수 있도록 틀에 리드 프레임을 삽입하고 액체 상태의 수지를 틀에 주입하고 경화시켜 하우징(200)을 제작할 수 있다. 이때, 소정의 틀은 하우징(200)에 홈(210)이 형성될 수 있도록 제작된다. 하우징(200)의 상부에 형성된 홈(210)은, 몰딩부(400)를 형성하기 위한 성형틀(500)과 하우징(200)이 접촉되는 영역의 하우징(200) 상에 형성되거나, 성형틀(500)의 외부 영역 즉, 몰딩부(400)가 형성될 영역 외의 하우징(200) 상에 형성될 수 있다. 즉, 홈(210)은 액상수지가 충진되는 성형틀(500) 내부 이외의 영역인 몰딩부가 형성되는 영역의 주변부에 형성되는 것이 바람직하며, 성형틀과 하우징(200)이 접촉되는 영역에 형성되는 것이 더욱 바람직하다.

이후, 다단 구조의 슬러그(100)를 하우징(200) 내에 장착한다. 그 후, 제3 슬러그(130)의 오목부(131)에 별도로 제작된 발광칩(10)을 실장하고, 발광칩(10)과 리드 단자들(300)을 배선(미도시됨)으로 연결한다.

발광칩(10)은 기판 상에 반도체층을 형성하기 위한 반도체의 증착 및 성장 방법을 통해 제작된다. 이와 같은 증착 및 성장 방법으로는 유기금속 화학 증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD), 화학 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD), 플라즈마 화학 증착법(Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition, PCVD), 분자선 성장법(Molecular Beam Epitaxy, MBE), 수소화물 기상 성장법(Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE) 등을 포함한 다양한 방법이 있으며, 이러한 방법 중 택일하여 사용할 수 있다.

이와 같이 제작된 발광칩(10)을 실장 장비를 이용해 제3 슬러그(130)의 오목부(131)에 은 페이스트(Silver Paste)와 같은 접착부재(미도시)를 이용해 실장하고, 금(Au), 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)과 같이 연성 및 전기 전도도가 우수한 금속을 와이어 접합 공정을 통해 발광칩(10)과 리드 단자들(300)을 전기적으로 연결할 수 있다.

다음으로, 발광칩(10)과 배선을 봉지하여 보호하기 위한 몰딩부(400)를 형성하기 위해 액상수지를 성형틀(500) 내부에 주입한다.

몰딩부(400)는 별도의 성형틀(500)을 이용해 캐스팅 몰드방식으로 형성될 수 있다. 성형틀(500)의 주입구(510)에 액상수지를 주입하면 주입되는 액상수지(400a)가 성형틀(500) 내부에 충진되며, 성형틀(500) 내부가 완전히 충진되면 액상수지(400a)는 성형틀(500)의 배출구(520)로 배출된다. 이때, 액상수지(400a)가 고압으로 주입될 때 성형틀(500)의 일부영역의 내부 압력이 일정범위 이상으로 높아지는 경우, 성형틀(500)의 어느 한쪽이 순간적으로 상부로 들려 성형틀(500)과 하우징(200)이 이격되어 틈이 생기게 된다. 성형틀(500) 내부에 충진된 액상수지(400a) 가 그 틈 사이로 유출되면 액상수지(400a)는 하우징(200)에 형성된 홈(210)에 유출된 액상수지(400a)가 주입되며, 성형틀(500)에서 유출된 액상수지(400a)의 양만큼 성형틀(500) 내부의 압력이 낮아진다.

도 6을 참조하면, 성형틀(500) 내부의 압력이 낮아지면, 성형틀(500)이 다시 하부로 내려와 하우징(200)과 밀착되어 성형틀(500) 내부의 액상수지(400a)가 더 이상 외부로 유출되지 않는다. 이후, 성형틀(500) 내부에 주입된 액상수지(400a)를 일정 온도, 일정 시간 방치하여 경화시키고 성형틀(500)을 제거하며, 몰딩부(400)의 불필요한 부분을 연마하여 본 실시예에 따른 발광소자를 완성한다.

이와 같은 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는 하우징(200)에 홈(210)을 형성하여, 캐스팅 몰드 방식으로 몰딩부(400)를 형성할 때 성형틀(500)의 내부 압력이 정상범위보다 높아 액상수지(400a)가 성형틀(500) 외부로 유출되더라도 홈(210)에 유출된 액상수지(400a)가 충진되도록 하여 성형틀(500) 내부의 압력을 낮춰 몰딩부(400)가 정상적으로 형성되도록 하고, 유출된 액상수지(400a)가 흘러내리는 것을 방지하여 발광 다이오드 패키지의 불량률을 낮출 수 있다.

본 실시예에 있어서, 하우징(200)이 형성된 후, 슬러그(100)가 하우징(200)에 장착하는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 리드 단자들(300)을 갖는 리드 프레임에 슬러그(100)를 장착한 후, 하우징(200)을 형성할 수 있다. 또한, 리드 단자들(300)을 지지하고 슬러그(100)를 수용하는 홈을 갖는 제1 하우징을 형성하고, 상기 슬러그(100)를 제1 하우징에 장착한 후, 상기 리드 단자들(300), 제1 하우징 및 상기 슬러그(100)를 둘러싸는 제2 하우징을 형성할 수도 있다. 이때, 하우징(200)은 상기 제1 하우징 및 제2 하우징에 의해 형성된다.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 다단 구조의 열전달 슬러그(1000)를 나타내는 단면도이다.

도 7을 참조하면, 열전달 슬러그(1000)는 제1 슬러그(1110)와, 제1 슬러그(1110) 위에 배치된 제2 슬러그(1120)와, 제2 슬러그(1120) 위에 배치된 제3 슬러그(1130)를 포함한다.

제1 슬러그(1110)는, 도 1을 참조하여 설명한 바와 같이, 일반적으로 원형 형상을 가지는 발광 다이오드 패키지 내에 실장되기 위하여 원기둥의 형태를 가진다. 다만, 하우징에서 분리되는 것을 방지하기 위해 그 측면에 돌출부(1110a)를 가질 수 있으며, 이러한 돌출부는 제1 슬러그(1110)의 둘레를 따라 연속적이거나 불연속적으로 형성될 수 있다. 한편, 제2 슬러그(1120) 및 제3 슬러그(1130)는, 도 1을 참조하여 설명한 바와 같이, 각각 모서리들을 갖도록 형성되며, 예컨대, 사각형 테두리를 갖도록 형성되고, 상기 모서리들이 열방출 효과를 극대화시키기 위해 서로 45도 엇갈린 배열로 배치될 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 제 1 슬러그(1110), 제 2 슬러그(1120), 제3 슬러그(1130)는 일체로 형성된 것을 도시하고 있으나, 각각 형성된 후 열전도성이 높은 페이스트에 의해 서로 결합될 수도 있다.

또한, 제3 슬러그(1130)에는 그 테두리 형상과 유사하게 그 중앙에 사각형의 오목부(1131)가 형성될 수 있다. 오목부(131)의 형상은 사각형 외에도 원형이나 육각형이나 다양한 형태로 변형이 가능하다. 이에 더하여, 상기 오목부(1131)는 제3 슬러그(1130) 내에 제한적으로 위치할 수 있으나, 도시한 바와 같이, 제2 슬러그(1120)까지 연장되어 그 바닥면이 제2 슬러그(1120) 내에 위치할 수 있다.

오목부(1131)는 도 1을 참조하여 설명한 바와 같이, 비스듬하게 형성되어 반사면을 이룰 수 있다.

한편, 상기 제1 슬러그(1110)의 측면에는 리드 수용단(lead accepting step, 1110b)이 형성될 수 있다. 리드 수용단(1110b)은 제1 슬러그(1110)의 돌출부(1110a) 위쪽에 형성되며, 리드단자들 또는 후술할 지지 리드들을 수용한다. 리드 수용단(1110b)은 제1 슬러그(1110)의 둘레를 따라 연속적으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 불연속적으로 형성될 수도 있다.

도 8은 본 발명의 발광 다이오드 패키지를 제조하기 위해 사용되는 일 예의 리드프레임(2000)을 나타내는 평면도이다.

도 8을 참조하면, 상기 리드프레임(2000)은 외부 프레임(2010), 리드 단자들(2030a, 2030b), 지지 리드들(2070a, 2070b)을 포함한다.

외부 프레임(2010)은 리드 단자들 및 지지 리드들을 둘러싸서 이들을 지지한다. 리드단자들(2030a, 2030b)은 각각 쌍을 이루어 대칭적으로 형성될 수 있다. 상기 리드단자들(2030a, 2030b)은 각각 내부 리드들(2050a, 2050b) 및 외부 리드들(2030a, 2030b)를 갖는다. 도 8에서, 내부 리드들(2050a)이 서로 이격되고, 내부 리드들(2050b)이 서로 이격된 것으로 도시되어 있으나, 이들은 서로 연결될 수도 있다. 상기 내부 리드들(2050a, 2050b)은, 도시된 바와 같이, 원형 형상의 중공부를 형성하도록 각각 소정의 원을 따라 연장될 수 있다.

한편, 지지리드들(2070a, 2070b) 각각은 그 일 단부가 외부 프레임(2010)에 연결되고, 타 단부는 외부 프레임으로 둘러싸인 영역 안쪽으로 연장된다. 상기 지지리들의 타 단부들은 상기 내부 리드들(2050a, 2050b)에 의해 형성되는 중공부 안쪽으로 연장된다. 즉, 서로 마주보는 내부 리드들(2050a, 2050b) 사이의 거리보다 지지리드들의 타 단부들 사이의 거리가 더 짧다.

도 9는 리드프레임(2000)에 히트싱크(1000)를 장착하고, 하우징(3000)을 형성한 상태를 나타내는 평면도이고, 도 10은 도 9의 절취선 B-B를 따라 취해진 단면도이다.

도 9 및 도 10을 참조하면, 지지리드들(2070a, 2070b)의 단부들이 제1 슬러그(1110)의 측면에 형성된 리드 수용단(도 7의 1110b)에 수용되어 슬러그(1000)에 결합된다. 따라서, 상기 슬러그(1000)는 지지리드들에 의해 지지되어 정렬된다.

한편, 내부 리드들(2050a, 2050b)은 슬러그(1000)로부터 이격되어 배치된다.

하우징(3000)은 상기 슬러그(1000)를 리드프레임(2000)에 장착한 후, 삽입몰딩 기술을 사용하여 형성될 수 있다. 상기 하우징(3000)은 슬러그(1000) 및 리드단자들(2030a, 2030b)을 지지하며, 슬러그(1000)의 상부면 및 내부 리드들(2050a, 2050b)의 일부분들을 노출시키는 개구부를 갖는다.

이와 달리, 제1 하우징이 상기 지지리드들(2070a, 2070b) 및 내부 리드들(2050a, 2050b)을 지지하도록 형성되고, 슬러그(1000)가 상기 제1 하우징에 장착될 수 있다. 이때, 상기 슬러그(1000)의 리드 수용단(1110b)에 상기 내부 리드(2050a)가 결합되어 전기적으로 연결된다. 그 후, 제2 하우징이 제1 하우징, 내 부 리드들(2050a, 2050b) 및 슬러그(1000)를 지지하도록 형성된다. 이때, 하우징(3000)은 상기 제1 및 제2 하우징들에 의해 형성된다.

그 후, 상기 제3 슬러그(1130) 내부에 형성된 오목부에 발광칩(도시하지 않음)이 실장되고, 와이어들에 의해 상기 내부 리드들에 전기적으로 연결되고, 몰딩부가 형성된다. 상기 외부 프레임(2010)은 패키지 제조 공정 중에 제거되고, 상기 외부 리드들(2030a, 2030b)은 절곡되어 발광 다이오드 패키지가 완성된다. 상기 외부 리드들 중 불필요한 리드들은 제거될 수 있다.

본 실시예에 따르면, 지지리드들(2070a, 2070b)을 사용하여 슬러그(1000)를 지지한 후, 삽입 몰딩 기술에 의해 하우징을 형성한다. 따라서, 슬러그(1000)와 리드프레임을 쉽게 정렬시킬 수 있으며, 패키지 제조 공정중 정렬이 어긋나는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 지지리드들이 슬러그를 지지하므로, 슬러그가 하우징(3000)으로부터 분리되는 것을 방지할 수 있다.

도 11은 본 발명의 발광 다이오드 패키지를 제조하기 위해 사용되는 또 다른 예의 리드프레임(2100)을 나타낸다.

본 실시예에 따른 리드프레임(2100)은 도 8을 참조하여 설명한 리드프레임(2000)과 대체로 동일하며, 다만, 내부 리드들(2150a)이 변형되어 있다.

즉, 내부 리드들(2150a)은 내부 리드들(2050b)과 비대칭으로 형성되며, 내부 리드들(2150a)은 지지리드들(2070a, 2070b)의 타 단부들과 같이, 내부 리드들(2050b)에 비해 상대적으로 중공부 안쪽으로 더 들어와 있다. 또한, 상기 내부 리드들(2150a)은 내부 리드들(2050b)에 비해 폭이 더 넓게 형성되어 그 바깥 가장 자리는 상기 내부 리드들(2050b)의 바깥 가장자리와 대칭을 이룰 수 있다.

여기서, 상기 내부 리드들(2150a)이 서로 떨어져 있는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 서로 연결되어 있을 수 있다. 또한, 상기 내부 리드들(2150a)은 상기 지지리드들(2070a, 2070b)과 연결되어 반원형상의 링을 형성할 수 있다.

도 12는 리드프레임(2100)에 슬러그(1000)를 장착하고, 하우징(3000)을 형성한 상태를 나타내는 평면도이고, 도 13은 도 12의 절취선 C-C를 따라 취해진 단면도이다.

도 12 및 도 13을 참조하면, 도 9 및 도 10을 참조하여 설명한 바와 같이, 지지리드들(2070a, 2070b)의 단부들이 제1 슬러그(1110)의 측면에 형성된 리드 수용단(도 9의 1110b)에 수용되어 슬러그(1000)에 결합된다. 이에 더하여, 내부 리드들(2150a)이 리드 수용단에 수용되어 슬러그(1000)에 결합된다. 한편, 내부 리드들(2050b)은 슬러그(1000)로부터 이격되어 배치된다.

또한, 하우징(3000) 및 패키지 형성 공정이 도 9 및 도 10을 참조하여 설명한 바와 동일하게 수행되어 발광 다이오드 패키지가 완성된다.

본 실시예에 따르면, 내부 리드들(2150a)이 슬러그(1000)에 결합되어 전기적으로 연결된다. 따라서, 수직형 발광칩(도시하지 않음)을 도전성 접착제를 사용하여 슬러그(1000)에 실장할 경우, 발광칩과 내부 리드(2150a)를 배선, 예컨대 와이어를 이용하여 전기적으로 연결할 필요가 없다. 따라서 와이어링 공정이 간편하고, 와이어를 생략함으로써 와이어의 단선 등에 기인한 패키지 불량을 감소시킬 수 있 다.

도 14는 본 발명의 발광 다이오드 패키지 제조에 사용되는 또 다른 예의 리드프레임(2200)을 설명하기 위한 평면도이다.

도 14를 참조하면, 리드프레임(2200)은, 도 7을 참조하여 설명한 바와 같이, 외부 프레임(2010), 외부 리드들(2030a, 2030b)을 갖는다. 한편, 상기 외부 리드들(2030a, 2030b)에 내부 리드들(2250a, 2250b)이 연결되어 있으며, 외부 프레임(2010)으로부터 지지리드들(2270a, 2270b)이 연장된다.

상기 지지리드들(2270a, 2270b)은 서로 연결되어 반원형의 지지링(support ring, 2290)을 형성하고, 상기 내부 리드(2250a)와 함께 원형 형상의 중공부를 형성한다. 즉, 상기 반원형의 지지링(2290)은 내부 리드(2250a)에 대향하여 배치된다. 상기 지지리드들 및 상기 내부 리드(2250a)은 이후 슬러그(도 7의 1000)의 리드 수용단(도 7의 1110b)에 결합되어 슬러그(1000)를 지지한다.

또한, 상기 지지리드들(2270a, 2270b)이 연장되어 형성된 반원형의 지지링은 상기 내부 리드(2250a)와 연결되어 원형 형상의 링을 형성할 수 있다.

한편, 상기 내부 리드(2250b)는 상기 지지링(2290)의 바깥에 배치되며, 리드프레임(2200)에 슬러그(1000)가 장착될 때, 내부 리드(2250b)는 슬러그(1000)로부터 이격된다.

본 실시예에 있어서, 내부 리드(2250a)가 서로 연결되어 단일의 내부 리드를 형성하는 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 도 11의 내부 리드들(2150a)과 같이 서로 이격될 수 있다. 또한, 내부 리드(2250b)가 서로 연결되어 단일의 내부 리드를 형성하는 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 도 11의 내부 리드들(2050b)과 같이 서로 이격될 수 있다.

본 실시예에 따르면, 지지리드(2270a, 2270b)를 서로 연결하여 반원형의 지지링(2290)을 형성하고, 상기 반원형의 지지링(2290)과 내부 리드(2250a)가 슬러그(1000)에 결합되게 함으로써 슬러그(1000)를 더욱 강하게 지지할 수 있다.

한편, 하우징(3000)의 외부에 지지리드(2270a, 2270b)의 끝 부분들이 남아있는 것을 쉽게 제거하기 위해, 하우징(3000) 내에 위치할 지지리드들(2270a, 2270b)의 소정 부분에 미리 부분 절단부들(2280)을 형성할 수 있다.

이상에서는 도면 및 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 다단 구조의 열전달 슬러그의 사시도.

도 2는 도 1의 평면도.

도 3은 도 2에서 절취선 A-A를 따라 취해진 단면도.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 다단 구조의 열전달 슬러그가 채용된 발광 다이오드 패키지의 사시도.

도 5 및 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조방법을 설명하기 위한 단면도.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 다단 구조의 열전달 슬러그를 나타내는 단면도.

도 8은 본 발명의 발광 다이오드 패키지를 제조하기 위해 사용되는 일 예의 리드프레임을 나타내는 평면도.

도 9는 도 8의 리드프레임에 하우징을 형성한 상태를 나타내는 평면도.

도 10은 도 9의 절취선 B-B를 따라 취해진 단면도.

도 11은 본 발명의 발광 다이오드 패키지를 제조하기 위해 사용되는 또 다른 예의 리드프레임을 나타낸다.

도 12는 도 11의 리드프레임에 하우징을 형성한 상태를 나타내는 평면도.

도 13은 도 12의 절취선 C-C를 따라 취해진 단면도.

도 14는 본 발명의 발광 다이오드 패키지 제조에 사용되는 또 다른 예의 리드프레임을 설명하기 위한 평면도이다.

Claims (22)

1. 발광 다이오드 패키지에 장착되어 발광칩으로부터 발생된 열을 외부로 방출시키는 열전달 슬러그에 있어서,

   제 1 슬러그와,

   상기 제 1 슬러그 위에 배치된 제 2 슬러그와,

   상기 제 2 슬러그 위에 배치된 제 3 슬러그를 포함하며

   상기 제 2 슬러그 및 상기 제 3 슬러그는 각각 모서리들을 갖는 형상으로 되어 있으며, 상기 제2 및 제3 슬러그들의 모서리들은 서로 엇갈려 배치된 다단 구조의 열전달 슬러그.
2. 청구항 1에 있어서,

   상기 제 2 슬러그 및 제 3 슬러그는 각각 사각형 테두리를 가지고,

   상기 제 3 슬러그의 사각형 테두리는 상기 제 2 슬러그의 사각형 테두리 내에 위치하며, 상기 제 3 슬러그의 사각형 테두리는 상기 제 2 슬러그의 사각형 테두리에 대하여 45도 회전되어 배치된 다단 구조의 열전달 슬러그.
3. 청구항 2에 있어서, 상기 제 3 슬러그에는 상기 발광칩이 실장되는 오목부가 형성된 다단 구조의 열전달 슬러그.
4. 청구항 3에 있어서, 상기 제 3 슬러그는 상기 발광칩으로 발생된 광이 반사될 수 있도록 상기 오목부에 반사면을 갖는 다단 구조의 열전달 슬러그.
5. 청구항 1에 있어서, 상기 제1, 제2 및 제3 슬러그들은 일체로 형성된 다단 구조의 열전달 슬러그.
6. 청구항 5에 있어서, 상기 제3 슬러그는 발광칩이 실장될 수 있는 오목부를 갖되, 상기 오목부는 상기 제2 슬러그로 연장되어 그 바닥면이 상기 제2 슬러그 내에 위치하는 다단 구조의 열전달 슬러그.
7. 청구항 5에 있어서, 상기 제1 슬러그는 리드단자들이 결합될 수 있는 리드 수용단을 갖는 다단 구조의 열전달 슬러그.
8. 청구항 7에 있어서, 상기 리드 수용단은 상기 제1 슬러그의 둘레를 따라 연속적으로 형성된 다단 구조의 열전달 슬러그.
9. 발광 다이오드 패키지에 있어서,

   하우징과,

   상기 하우징 내에 장착된 다단 구조의 열전달 슬러그와,

   상기 열전달 슬러그에 실장된 발광칩과,

   상기 발광칩에 전원을 공급하기 위한 리드 단자들을 포함하며,

   상기 다단 구조의 열전달 슬러그는,

   제 1 슬러그와, 상기 제 1 슬러그 위에 형성된 제 2 슬러그와, 상기 제 2 슬러그위에 형성된 제 3 슬러그를 포함하고,

   상기 제 2 슬러그 및 상기 제 3 슬러그는 각각 모서리들을 갖는 형상으로 되어 있으며, 상기 제2 및 제3 슬러그들의 모서리들은 서로 엇갈려 배치된 발광 다이오드 패키지.
10. 청구항 9에 있어서,

    상기 제 2 슬러그 및 제 3 슬러그는 각각 사각형 테두리를 갖고,

    상기 제 3 슬러그의 사각형 테두리는 상기 제 2 슬러그의 사각형 테두리내에 위치하며, 상기 제 3 슬러그의 사각형 테두리는 상기 제 2 슬러그의 사각형 테두리에 대하여 45도 회전되어 배치된 발광 다이오드 패키지.
11. 청구항 10에 있어서, 상기 제 3 슬러그에는 상기 발광칩이 실장되는 오목부가 형성된 발광 다이오드 패키지.
12. 청구항 9에 있어서, 상기 제1, 제2 및 제3 슬러그들은 일체로 형성된 발광 다이오드 패키지.
13. 청구항 12에 있어서, 상기 제3 슬러그는 발광칩이 실장될 수 있는 오목부를 갖되, 상기 오목부는 상기 제2 슬러그로 연장되어 그 바닥면이 상기 제2 슬러그 내에 위치하는 발광 다이오드 패키지.
14. 청구항 12에 있어서, 지지 리드들을 더 포함하되, 상기 지지 리드들은 상기 열전달 슬러그에 결합된 발광 다이오드 패키지.
15. 청구항 14에 있어서, 상기 제1 슬러그는 리드 수용단을 갖고, 상기 지지 리드들은 상기 리드 수용단에 결합된 발광 다이오드 패키지.
16. 청구항 14에 있어서, 상기 리드 단자들 중 적어도 하나는 상기 열전달 슬러그에 결합되어 전기적으로 연결되고, 상기 리드 단자들 중 적어도 다른 하나는 상기 열전달 슬러그로부터 이격된 발광 다이오드 패키지.
17. 청구항 16에 있어서, 상기 리드 단자들 중 적어도 하나는 상기 제1 슬러그의 리드 수용단에 결합된 발광 다이오드 패키지.
18. 청구항 16에 있어서, 상기 리드 단자들 중 적어도 하나와 상기 지지 리드들의 단부들은 서로 연결되어 반원 형상의 링을 형성하는 발광 다이오드 패키지.
19. 청구항 16에 있어서, 상기 지지 리드들은 서로 연장되어 상기 제1 슬러그의 둘레를 따라 상기 제1 슬러그에 결합된 반원형의 지지링을 형성하되, 상기 반원형의 지지링은 상기 리드 단자들 중 적어도 하나에 대향하여 배치된 발광 다이오드 패키지.
20. 청구항 9에 있어서,

    상기 하우징의 상부에 몰딩부의 형성시 유출된 액상수지가 충진될 수 있도록 홈이 적어도 하나 이상 형성된 발광 다이오드 패키지.
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