CN103427009A - 发光器件 - Google Patents

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Abstract

根据实施例的发光器件包括：主体，包括彼此对应的第一侧壁和第二侧壁、长度长于所述第一侧壁和所述第二侧壁的第三侧壁和第四侧壁、以及凹部；第一引线框，位于所述凹部和所述第三侧壁下方；第二引线框，位于所述凹部和所述第四侧壁下方；发光芯片，位于所述第一引线框和所述第二引线框的至少一个上；模铸件，位于所述凹部上；第一凹进部，从所述第一侧壁朝向所述第二侧壁凹进并连接至所述主体的底部；以及第二凹进部，从所述第二侧壁朝向所述第一侧壁凹进并连接至所述主体的底部。本发明可以提高发光器件的成品率和可靠性。

Description

发光器件
技术领域
实施例涉及一种发光器件及其制造方法和照明系统。
背景技术
发光器件（例如发光二极管（LED））是一种将电能转换成光的半导体器件，并且被广泛地用作取代传统荧光灯和辉光灯的下一代光源。
由于LED通过利用半导体器件来产生光，与通过加热钨来产生光的辉光灯或通过激励（urging）紫外线（其通过高压放电而产生，用以与荧光物质发生碰撞）来产生光的荧光灯相比，LED可呈现低电力消耗。
此外，LED通过利用半导体器件的势差（potential gap）来产生光，因此，就使用寿命、响应特性和环境友好需求这些方面而言，LED与传统光源相比是有优势的。
在这一点上，已经进行了各种研究以用LED来取代传统光源。LED正在越来越多地被用作照明装置的光源，这些照明装置例如为用在室内和室外的各种灯具、液晶显示器、电子布告板和路灯。
发明内容
实施例提供一种发光器件，包括主体，该主体具有新颖结构的侧壁。
实施例提供一种发光器件，包括位于主体的至少一个侧壁中的凹进部（recess portion）。
实施例提供一种发光器件，包括位于主体的底部中的多个凹进部。
实施例提供一种发光器件，包括位于彼此对应的侧壁的第一和第二侧壁中的多个凹进部。
实施例提供一种发光器件，包括位于与其内布置有发光芯片的腔体的侧表面对应的第一和第二侧壁中的多个凹进部。
实施例提供一种发光器件的制造方法，当主体被注射模铸（injection-molded）时，能够通过利用插入到凹进部中的悬架（hanger）来支撑主体。
根据实施例，提供一种发光器件，包括：主体，包括彼此对应的第一侧壁和第二侧壁、长度长于所述第一侧壁和所述第二侧壁的第三侧壁和第四侧壁、以及位于所述主体中的凹部（concave portion）；第一引线框，位于所述凹部和所述第三侧壁下方；第二引线框，位于所述凹部和所述第四侧壁下方；发光芯片，位于所述第一引线框和所述第二引线框的至少一个上；模铸件（molding memeber），位于所述凹部上；第一凹进部，从所述第一侧壁朝向所述第二侧壁凹进并连接至所述主体的底部；以及第二凹进部，从所述第二侧壁朝向所述第一侧壁凹进并连接至所述主体的底部。
根据实施例，提供一种发光器件，包括：主体，包括彼此对应的第一侧壁和第二侧壁、长度长于所述第一侧壁和所述第二侧壁的第三侧壁和第四侧壁、以及位于所述主体中的凹部；第一引线框，位于所述凹部下方；第二引线框，位于所述凹部下方；第一发光芯片，位于所述第一引线框上；第二发光芯片，位于所述第二引线框上；模铸件，位于所述凹部上；多个第一凹进部，从所述第一侧壁朝向所述第二侧壁凹进；以及多个第二凹进部，从所述第二侧壁朝向所述第一侧壁凹进，其中所述多个第一凹进部彼此间隔开一间隙，此间隙大于所述第一发光芯片与所述第二发光芯片之间的间隙。
本发明可以提高发光器件的成品率（yield rate）和可靠性。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的发光器件的透视图；
图2是沿图1中的发光器件的线A-A的剖视图；
图3是图1中的发光器件在从第一侧看过去时的视图；
图4是图1中的发光器件在从第二侧看过去时的视图；
图5是图3的局部放大图；
图6是图1的发光器件的后视图；
图7是图6的局部放大图；
图8是沿图6中的发光器件的线B-B的剖视图；
图9是图6中的发光器件的中心侧的剖视图；
图10到图14是示出发光器件的制造过程的视图；
图15和图16是示出图6的发光器件中的多个凹进部的另一种布置的视图；
图17是示出制造图15和图16的发光器件时的悬架位置的视图；
图18和图19是根据第二实施例的发光器件的侧剖视图并示出悬架以及凹进的形状；
图20和图21是根据第三实施例的发光器件的侧剖视图并示出凹进部的另一形状以及悬架；
图22和图23是根据一实施例的发光器件的侧剖视图，并示出凹进的改进形状的示例；
图24到图27是根据第五实施例的发光器件的后视图并示出具有改进位置和形状的凹进部的示例；
图28和图29是根据第六实施例的发光器件的后视图，并示出凹进部的长度以及悬架；
图30到图32是根据第七实施例的发光器件的后视图，并示出改进的凹进的示例；
图33是根据第八实施例的发光器件的平面图；
图34到图37是图33的发光器件的后视图；
图38是示出根据第九实施例的发光器件的平面图；
图39是示出根据第十实施例的发光器件的平面图；
图40是图39的发光器件的后视图；
图41是图39的发光器件的侧剖视图；
图42是示出根据实施例的发光器件中的发光芯片的一个示例的剖视图；
图43是示出根据实施例的发光器件中的发光芯片的另一个示例的剖视图；
图44是示出根据实施例的具有发光器件的显示装置的透视图；
图45是示出根据实施例的显示装置的剖视图；
图46到图48是示出根据实施例的照明装置的视图；以及
图49和图50是示出根据实施例的照明装置的其它示例的视图。
具体实施方式
在实施例的描述中，应当理解，当提到衬底、框、片、层或图案位于另一个衬底、另一个框、另一个片、另一个层或另一个图案“之上”时，其可以是“直接”或“间接”位于另一个衬底、另一个框、另一个片、另一个层之上，或也可以存在另一个图案。相反，当提到一个部件“直接”位于另一个部件“之上”时，不存在中间层。
在下文中，本领域技术人员将参照附图和实施例的描述清楚地理解实施例。为了便于描述或清楚的目的，附图中所示的每层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性地示出。此外，每个元件的尺寸并没有完全反映实际的尺寸。在所有附图中用相同的附图标记来指代相同的元件。
在下文中，将参照附图来对根据实施例的发光器件进行描述。
图1是示出根据第一实施例的发光器件的透视图；图2是沿图1中所示的发光器件的线A-A的剖视图；图3是示出图1的发光器件在从第一侧看过去时的视图；图4是示出图1的发光器件在从第二侧看过去时的视图；图5是图3中所示的发光器件的局部放大图；图6是示出图1的发光器件的后视图；图7是图6的发光器件的局部放大图；图8是沿图6中所示的发光器件的线B-B的剖视图；以及图9是图6中所示的发光器件的中心部的剖视图。
参见图1到图9，发光器件100包括：具有凹部16的主体10、具有位于凹部16下方的第一腔体25的第一引线框21、具有位于凹部16下方的第二腔体35的第二引线框31、模铸件40、连接框46、以及发光芯片71和72。可以从发光器件100中省略连接框46。
主体10可包括绝缘材料、非金属材料或导电材料。主体10可包括树脂材料（例如，聚邻苯二甲酰胺（PPA）、硅或环氧树脂）、金属材料、感光玻璃（PSG）、陶瓷材料、蓝宝石（Al2O3）和具有电路图案的印刷电路板（PCB）中的至少一种。例如，主体10可包括诸如聚邻苯二甲酰胺（PPA）、硅或环氧树脂等树脂材料。主体110可以由环氧树脂或硅形成。可以将包括金属氧化物（例如，TiO2或SiO2）的填充物添加到主体10中以提高反射效率。
当从顶部看时，主体10可具有多边形外观，例如为三角形、矩形或正方形、圆形或者具有曲面的形状。
主体10包括：距离主体10的顶表面有预定深度的凹部16、以及上部开口部、凹部16的侧表面16-1和底部。凹部16可形成为各种结构（例如杯形结构、腔体结构或凹进结构），但本实施例不限于此。凹部16的侧表面16-1可以垂直或倾斜于主体10的底部。当从顶部看时，主体10可具有多边形外观，例如为矩形或正方形、圆形或者具有曲面的形状。当从顶部看时，凹部16可具有圆形、椭圆形、多边形（例如，正方形）和具有弯曲角部的多边形。
主体10可包括多个侧壁，例如，至少四个侧壁11、12、13和14。作为一个示例，将对第一侧壁11到第四侧壁14进行描述。第一侧壁11与第二侧壁12相对，而第三侧壁13与第四侧壁14相对。
侧壁11到14的至少一个可以布置为垂直或倾斜于主体10的底部。例如，如图5所示，主体10的侧壁11到14可以相对于垂直主体10的底部17的线段以第一角度θ1倾斜，并且该第一角度θ1可以在如图1到图10所示的范围内。由于主体10的侧壁11到14是倾斜的，当模铸主体10时，用于模铸主体10的模具很容易与主体10分离。
第一侧壁11和第二侧壁12的长度X1可以不同于第三侧壁13和第四侧壁14的长度Y1。例如，第一侧壁11和第二侧壁12的长度X1可以长于第三侧壁13和第四侧壁14的长度Y1。第一侧壁11或第二侧壁12的长度X1可以是第三侧壁13与第四侧壁14之间的间隙。第一轴X的方向（即主体10的纵向方向（longitudinal direction））穿过第二腔体25和第三腔体35的中心，并且第一侧壁11或第二侧壁12的长度X1可以是第三侧壁13与第四侧壁14之间的间隙。第二轴Y的方向（即主体10的宽度方向）可以是垂直于第一轴X的方向，并且可以是第一侧壁11与第二侧壁12之间的间隙。
第一侧壁11和第二侧壁12的长度X1可以是主体10的长度，而第三侧壁13和第四侧壁14的长度Y1可以是主体10的宽度。
第一侧壁11和第二侧壁12的长度X1（即主体10的长度）是例如第三侧壁13和第四侧壁14的长度Y1（即主体10的宽度）的两倍或三倍。由于主体10的长度X1长于主体10的宽度Y1，当执行注入模铸工艺时，主体10的中间部分可能弯曲或损坏。提供一种实施例，用于防止由于主体10的长度X1而使主体10损坏，从而防止成品率的降低。第一引线框21布置在凹部16的第一区域中，并且第一引线框21的一部分布置在凹部16的底部上。第一腔体25（其具有低于凹部16的底部的深度）设置在第一引线框21的内侧区域中。该第一腔体25包括从凹部16朝向主体10的底部凹进的凹形，例如杯形或凹进形。
第一腔体25的侧表面和底部可以由第一引线框21形成，且第一腔体25的外侧表面可以弯曲以倾斜或垂直于第一腔体25的底部。第一腔体25的侧表面中相对应的两个侧表面可以以相同的角度或者彼此不同的角度倾斜。第一腔体25的底部可以是平坦的，且第一区域可对应于其中布置有第一发光芯片71的区域。
第二引线框31布置在与凹部16的第一区域间隔开的第二区域中，并且第二引线框31的一部分布置在凹部16的底部上。第二腔体35（其具有低于凹部16的底部的深度）设置在第二引线框31的内侧区域中。第二腔体35包括从第二引线框31的顶表面朝向主体10的底部凹进的凹形，例如杯形或凹进。第二腔体35的底部和侧表面可以由第二引线框31形成，且第二腔体35的侧表面可以弯曲以倾斜或垂直于第二腔体35的底部。第二腔体35的侧表面中相对应的两个侧表面可以以相同的角度或者彼此不同的角度倾斜。第二腔体35的底部可以是平坦的，且第二区域可对应于其中布置有第二发光芯片72的区域。
当从顶部看时，第一腔体25和第二腔体35可以形成为相同形状以及多边形或椭圆形。此外，当从顶部看时，第一腔体25和第二腔体35可以布置为点对称或线对称结构。第一腔体25和第二腔体35中的每一个可包括对应于底部区域的基部、从基部弯曲的侧部、以及从侧部弯曲的外部。
如图6所示，第一腔体25和第二腔体35的底部可具有矩形、正方形、部分弯曲形、圆形或椭圆形，但实施例不限于此。第一腔体25的底部22和第二腔体35的底部32可以从主体10的下部暴露，并且可以布置在作为主体10底部的相同平面上。当第一腔体25的底部22和第二腔体35的底部32可以布置在作为主体10的底部的相同平面上时，可以提高接合件（例如焊料）的粘合强度。此外，第一腔体25和第二腔体35传导从第一发光芯片71和第二发光芯片72产生的热量。
如图2到图6所示，第一引线框21可包括第一引线部件23。第一引线部件23可以布置在主体10的底部17并且可以朝主体10的第三侧壁13突出。第二引线框31可包括第二引线部件33。第二引线部件33可以布置在主体10的底部17并且可以朝主体10的第四侧壁14突出。第一引线部件23和第二引线部件33可以布置在作为主体10的底部17的相同平面上，因此可以提高接合件（例如焊料）的粘合强度。
第一引线框21和第一引线部件23以及第二引线框31和第二引线部件33可以安装在电路衬底上。第一引线框21和第二引线框31可具有大于0.15mm或0.18mm或者例如在0.20mm～0.25mm的范围内的厚度。第一引线框21和第二引线框31执行用于供电的引线框的功能。
与位于凹部16的底部区域中的第一引线框21和第二引线框31间隔开的连接框46作为一中间连接端子。如图3所示，连接框46的一个部分46-1可以暴露在主体10的第一侧壁11上。如果第一引线框21和第二引线框31连接至第一发光芯片71和第二发光芯片72，则连接框46可以被移除。
第一引线框21和第二引线框31以及连接框46可包括金属材料，例如，钛（Ti）、铜（Cu）、镍（Ni）、金（Au）、铬（Cr）、钽（Ta）、铂（Pt）、锡（Sn）、银（Ag）和磷（P）中的至少一种，并且可以配置为单金属层或多层金属层。第一引线框21和第二引线框31以及连接框46可具有相同的厚度，但实施例不限于此。
第一发光芯片71布置在第一引线框21的第一腔体25中，并利用第一粘合件81粘附至第一腔体25上。第二发光芯片72布置在第二引线框31的第二腔体35中，并利用第二粘合件82粘附至第二腔体35上。第一粘合件81和第二粘合件82可以是绝缘粘合剂或导电粘合剂。绝缘粘合剂可包括诸如环氧树脂或硅等材料，而导电粘合剂可包括诸如焊料等接合材料。为了提高导热性，第一粘合件81和第二粘合件82还可包括金属氧化物，但实施例不限于此。
第一发光芯片71和第二发光芯片72可在可见光带与紫外线（UV）带之间的范围内选择性地发光。例如，可以选择红色LED芯片、蓝色LED芯片、绿色LED芯片、黄绿色LED芯片和白色LED芯片中的一个作为第一发光芯片71和第二发光芯片72。第一发光芯片71和第二发光芯片72中的每一个包括具有III-V族元素的化合物半导体和II-VI族元素的化合物半导体中的至少一个的LED芯片。
第一发光芯片71通过第一导线（wire）73连接至布置在凹部16的底部上的第一引线框21，并通过第二导线74连接至连接框46。第二发光芯片72通过第三导线75连接至连接框46，并通过第四导线76连接至布置在凹部16的底部上的第二引线框31。连接框46将第一发光芯片71电连接至第二发光芯片72。
保护装置（未示出）可以布置在第一引线框21或第二引线框31的一部分上。可以通过使用半导体闸流管、齐纳二极管或瞬态电压抑制（TVS）来实现该保护装置。齐纳二极管可以用来保护发光芯片不受静电放电（ESD）的影响。保护装置可以并联连接至第一发光芯片71和第二发光芯片72以保护第一发光芯片71和第二发光芯片72。
模铸件40可以形成在凹部16以及第一腔体25和第二腔体26的至少一个中。例如，模铸件40可以形成在凹部16以及第一腔体25和第二腔体26中。模铸件40可以由透明树脂材料（例如，硅或环氧树脂）形成，并且可以形成为单层或多层。
此外，模铸件40可包括磷光剂。所述磷光剂可以被添加到形成在第一腔体25和第二腔体35的至少一个区域中的模铸件40，但实施例不限于此。磷光剂可包括选自YAG、TAG、硅酸盐、氮化物以及氮氧化物材料中的一种。磷光剂可包括红色磷光剂、黄色磷光剂和绿色磷光剂中的至少一种，但实施例不限于此。模铸件40的顶表面可具有平坦形、凹形、凸形和出光表面中的至少一种，但实施例不限于此。
模铸件40的顶表面可以是出光表面。光学透镜可以设置在模铸件40的上部中，并且可包括凸透镜、凹透镜或者在其中心部具有全反射表面的凸透镜，但实施例不限于此。
参见图1、图3、图4和图6，主体10的第一侧壁11和第二侧壁12的至少一个可包括至少一个凹进结构，所述凹进结构沿主体10的内部方向而在距离第一侧壁11和第二侧壁12预定深度处凹进。主体10的凹进结构从第一侧壁11和第二侧壁12朝向主体10的内部方向凹进。当对主体10进行注入模铸时，支撑主体10的悬架可以被插入到凹进结构中，使得可以防止主体10的损坏。在下文中，为了说明的目的，凹进结构将被描述为凹进部，并且可以布置一个或多个凹进部。
如图3、图4和图6所示，例如，第一凹进部51和第二凹进部52布置在第一侧壁11中，以及第三凹进部53和第四凹进部54布置在主体10的第二侧壁12中。第一凹进部51与第二凹进部52之间的间隔D1等于第三凹进部53与第四凹进部54之间的间隔。第一凹进部51与第二凹进部之间的间隔D1等于或大于第一腔体25的底部22与第二腔体35的底部32之间的距离G1。第一凹进部51和第三凹进部53彼此相对，以及第二部52和第四凹进部54彼此相对。如图7所示，将第一凹进部51连接至第三凹进部53的假想线段（virtual segment）可以布置在垂直于与第一侧壁11或第二侧壁12平行的线X2的方向上。将第一凹进部51连接至第三凹进部53的假想线段可以平行于将第二凹进部52连接至第四凹进部54的假想线段而布置。
第一凹进部51到第四凹进部54从主体10的底部17开口并连接至主体10的底部17。
如图5所示，从第一凹进部51到第三侧壁13的距离D2可以等于从第三凹进部53到第三侧壁13的距离，以及从第二凹进部52到第四侧壁14的距离可以等于从第四凹进部54到第四侧壁14的距离。第一凹进部51和第三凹进部53可以彼此相对设置。第二凹进部52和第四凹进部54可以形成在第二凹进部52和第四凹进部54彼此对应或沿水平方向重叠的位置处。第一腔体25的底部布置在第一凹进部51与第三凹进部53之间，以及第二腔体35的底部布置在第二凹进部52与第四凹进部54之间。
第一凹进部51与主体10的第三侧壁13之间的距离D2可以是130μm或更大，例如，在130μm～500μm的范围内。由于距离D2长于主体10的顶表面的宽度（图2中的T3），因此可以使通过第一凹进部51传到主体10的冲击最小化。主体10的顶表面15的宽度T3可以是130μm或更宽且可以窄于距离D2。也就是说，主体10的凹进部51到54可以形成为深于该宽度（即，主体10的顶表面的边缘区域）。宽度T3可以是第三侧壁13或第四侧壁14与凹部16之间的间隙，即，最小间隙。
如图8所示，主体10的顶表面的宽度T4是第一侧壁11或第二侧壁12与凹部16之间的间隙。宽度T4可以等于或窄于宽度T3，但实施例不限于此。
如图5和图8所示，由于第一凹进51到第四凹进54的高度可以是距离主体10的底部的距离且可以是相同的，因此，在下文中将仅对第一凹进部51的高度T2进行描述。第一凹进部51的高度T2可以形成在距离主体10的底部17的15μm处或更高处。例如，第一凹进部51的高度T2可以形成在15μm～250μm的范围内。第一凹进部51的高度T2可以等于引线框21和31的厚度T1或者可以薄于厚度T1。当第一凹进部51的高度T2大于上述范围内的高度时，主体10的坚固性可能被削弱。
关于第一到第四凹进部51、52、53和54的宽度，请参照第一凹进部51的宽度W1。第一凹进部51的宽度W1可以是50μm或更宽，并且例如，在50μm-500μm的范围内。由于悬架的插入突出部能够支撑的宽度为50μm或更宽，因此，第一凹进部51的宽度W1可以形成为50μm或更宽，或者形成为大于第一引线框21和第二引线框31的厚度。此外，宽度W1可以是基于主体10的长度X1的1/10或更窄，但实施例不限于此。当第一凹进部51到第四凹进部54的宽度W1窄于上述范围内的宽度时，可能无法支撑主体10。然而，当宽度W1超出上述范围时，主体10的强度可能被削弱。第一凹进部51的宽度W1可以窄于第一发光芯片71和第二发光芯片72的侧壁之一的宽度。此外，第一凹进部51的宽度W1可以形成为窄于图6中所示的第一腔体25与第二腔体35之间的距离G1。此外，第一凹进部51的宽度W1可以形成为窄于第一腔体25和第二腔体35的底部的宽度（沿X轴方向）。
参见图7和图8，第一凹进部51到第四凹进部54的深度D4可以等于或不同于宽度W1，并且例如，可形成在30μm-130μm的范围内。当宽度W1为100μm或更窄时，第一凹进部51到第四凹进部54的深度D4可以形成在50μm～100μm的范围内。第一凹进部51的深度D4可以窄于第一发光芯片71和第二发光芯片72的侧表面之一的宽度。深度D4可以短于第一侧壁11和第二侧壁12与第一腔体25和第二腔体35的底部之间的距离。
凹进部51到54的深度D4可以深于主体10的顶表面15的宽度T3。例如，凹进部51到54的深度D4可以形成为深于第一侧壁11到第四侧壁14与凹部16之间的间隙的最小间隙。例如，凹进部51到54的深度D4可以形成为深于主体10的顶表面的宽度T3或T4。例如，深度D4可以深于顶表面的宽度T4并且可以窄于凹部16的底部与第一侧壁11之间的距离B4。当深度D4深于距离B4时，第一侧壁11和第二侧壁12被削弱，而当深度D4窄于顶表面的宽度T4时，悬架的性能变差。
如图6所示，凹进部51到54的至少两个可存在于主体10的第一侧壁11或第二侧壁12中。至少四个凹进部（例如，六个到八个凹进部）可存在于第一侧壁11或第二侧壁12中。由于主体10的长度X1沿长轴方向而延长，因此，可以增加凹进部的数量，但实施例不限于此。可以通过穿过主体10的腔体25和35的中心来形成与沿纵向方向X1延伸的线段对称的凹进部51到54，但实施例不限于此。
参见图1和图6，布置在主体10的底部17的边缘区域中的第一凹进部51和第三凹进部53布置在与第一腔体25的下表面22垂直且穿过第一腔体25的下表面22的中心而延伸的线段Y2附近。第二凹进部52和第四凹进部54布置在与第二腔体35的下表面32垂直且穿过第二腔体35的下表面32的中心而延伸的线Y3附近。线段Y2和Y3彼此平行且与第一侧壁11和第二侧壁12的线段垂直。第一凹进部51与第二凹进部52或第三凹进部53与第四凹进部54之间的间隔D1可以大于第一腔体25与第二腔体35之间的距离G1。距离G1为第一腔体25与第二腔体35的下表面之间的距离。
第一凹进部51与第二凹进部52或第三凹进部53与第四凹进部54之间的间隔D1可以大于第一发光芯片71与第二发光芯片72之间的间隙G0（在图2中）。间隙G0为第一发光芯片71与第二发光芯片72的中心之间的距离。
参见图7，第一凹进部51与第一腔体25的下表面22之间的距离G2等于或不同于第三凹进部53与第一腔体25的下表面22之间的距离G3。当距离G2和G3彼此相等时，可以防止主体10变形。
参见图6和图8，引线框21和31与凹进部51到54之间的间隙D3可以等于或大于引线框21和31的厚度T1。例如，间隙D3可具有200μm或更宽的宽度。当间隙D3窄于上述范围时，主体10的强度可能被削弱。
参见图6和图9，在第一凹进部51与第二凹进部52之间的主体10的第一侧壁11处暴露出的第一外部区域11A可以在主体10的底部17与第一侧壁11之间以第二角度θ2和不同于第二角度θ2的第三角度θ3形成。第二角度θ2可以小于90°，并且例如，可以在60°到85°的范围内。第三角度θ3几乎可以垂直于底部17（例如，在90°到92°的范围内）。因此，悬架的内侧部与主体10的两个侧壁11和12的第一下部区域11A和第二下部区域12A紧密接触，使得第一侧壁11的第一下部区域11A和上部区域可以以彼此不同的角度形成。关于位于第三凹进部53与第四凹进部54之间的主体10的第二侧壁12中的第二下部区域12A，请参照第一下部区域11A。下部区域11A和12A可以垂直于主体10的底部且可以连接至倾斜的上部区域。
如上所述，凹进部51到54（其比主体10的侧壁11和12更向内凹进）通过利用悬架的插入突出部而形成在第一侧壁11和第二侧壁12的下部（即主体10的长边）。此外，悬架的内侧部与主体10的第一侧壁11的第一下部区域11A和第二侧壁12的第二下部区域12A接触，使得长度长于宽度的主体10的损坏得以降低。因此，可以提高发光器件100的成品率，并且可以提高发光器件100以及具有该发光器件100的照明系统的可靠性。
图10到图14是示出根据第一实施例的发光器件的制造过程的视图。作为一个示例，在下文中将对单个发光器件的制造过程进行描述。
参见图10，通过冲压加工金属框20来支撑具有第一腔体25的第一引线框21、具有第二腔体35的第二引线框31和连接框46。通过位于金属框20中的多个孔穴20A来形成彼此不同的框21、31和46。
金属框20包括第一悬架26和第二悬架36。第一悬架26布置沿第一引线框21和第二引线框31的一侧方向而布置，第一悬架26的宽度对应于其邻近的凹进部的间隔D1，且第一插入突出部27和第二插入突出部28从第一悬架26的两个端部突出。第二悬架36沿第一引线框21和第二引线框31的相反侧的方向而布置，第二悬架36的宽度对应于其邻近的凹进部的间隔D1，且第三插入突出部37和第四插入突出部38从第二悬架36的两个端部突出。
在上下模具被分别布置在金属框20的上部和下部之后，如果利用主体的材料来进行注入模铸，则主体10在如图11所示的金属框20的预定区域上被注入模铸。
参见图12到14，第一悬架26的内侧部26A紧密地粘附至第一侧壁11的第一外部区域11A，第一插入突出部27插入到第一凹进部51中，以及第二插入突出部28插入到第二凹进部52中。第二悬架36的内侧部36A紧密地粘附至主体10的侧壁12的第二外部区域12A，第三插入突出部37插入到第三凹进部53中，以及第四插入突出部38插入到第四凹进部54中。
如图14所示，第一悬架26的内侧部26A和第二悬架36的内侧部36A紧密地粘附至主体10的第一外部区域11A和第二外部区域12A，使得可以防止主体10向下松动（slack）。此外，插入到凹进部51到54中的插入突出部27、28、37和38在彼此不同的位置支撑主体10，使得可以防止长度很长的主体10的损坏。
接着，发光芯片被安装在第一引线框21的腔体25和第二引线框31的腔体35上，然后，在经由导线电连接之后通过模铸件而被模铸。可以通过将上述结构切割成预定的封装单元来获得单独的发光器件。
图15和16是示出图6的发光器件中的多个凹进部的另一种布置的视图。
参见图15，例如，布置在主体10的第一侧壁11处的凹进部51、52和55的数量不同于布置在第二侧壁12处的凹进部53和54的数量。
第五凹进部55布置在第一凹进部51与第二凹进部52之间的第一侧壁11处。插入突出物（intrusion）被耦接至第五凹进部55。当主体10被注入模铸时，插入突出部允许第五凹进部55形成。插入突出部可支撑位于第一引线框21与第二引线框31之间的区域处的主体10的侧壁区域。
参见图16，第五和第六凹进部55和56设置在主体10的第一侧壁11和第二侧壁12的中心部。插入突出部被分别插入到第五凹进部55和第六凹进部56中。当主体10被注入模铸时，插入突出部允许第五凹进部55和第六凹进部56形成。插入突出部可支撑位于第一引线框21与第二引线框31之间的区域处的主体10的两个侧壁区域。
图17是示出当制造图15和图16的发光器件时悬架位置的视图。金属框20还包括位于第一悬架26的第一插入突出部27与第二插入突出部28之间的中间插入突出部29。第二悬架将参照第一悬架。
图18到23是示出凹进部的另一个示例的视图。将参照第一凹进部和第三凹进部来对凹进部进行描述。图18和图19是根据第二实施例的发光器件的侧剖视图并示出悬架以及凹进的形状。
参见图18，凹进部51A和53A形成在第一凹进部51和第三凹进部53中并且沿主体10的向上方向突出。凹进部51A和53A可具有多边形形状，例如为三角形、矩形或正方形、或半球形，或者可包括粗糙结构。第一凹进部51和第三凹进部53的高度T21可以形成为薄于引线框21和31的厚度。
参见图19，凸部26-1和37-1形成在第一插入突出部27和第三插入突出部37中。通过蚀刻或按压第一悬架26和第二悬架36的上部来形成凸部26-1和37-1，但实施例不限于此。凸部26-1和37-1可增加与主体10的耦接，使得第一插入突出部27和第二插入突出部37的插入深度可以被减小。
图20和图21是根据第三实施例的发光器件的侧剖视图并示出凹进部的另一个形状以及悬架。
参见图20，凸部51B和53B形成在第一凹进部51和第三凹进部53中并且沿主体10的向下方向突出。凸部51B和53B可具有多边形形状，例如为三角形、矩形或正方形、或半球形，或者可包括粗糙结构（例如凹凸结构）。第一凹进部51和第三凹进部53的高度可以形成为等于引线框21和31的厚度。
参见图21，凹部26-2和37-2形成在第一插入突出部27和第三插入突出部37中。凹部26-2和37-2形成在第一悬架26和第二悬架36的缺口形状中，但实施例不限于此。凹部26-2和37-2可增加与主体10的耦接，使得第一插入突出部27和第二插入突出部37的插入深度可以被减小。
图22和图23是根据实施例的发光器件的侧剖视图，并且示出凹进的改进形状的示例。
参见图22，布置在主体10中的第一凹进部51-1和第三凹进部53-1的高度T5可以在基于第一引线框21的厚度的1/3到1/5的范围内，但实施例不限于此。关于第二凹进部和第四凹进部的细节，请参照以上描述。
参见图23，布置在主体10中的第一凹进部51-2和第三凹进部53-2从第一侧壁11和第二侧壁12向内突出以具有三角形的横截面。因此，具有三角形的插入突出部布置在不与主体10的底部17接触的侧壁11和12上，使得可以形成第一凹进部51-2和第三凹进部53-2。
图24到图27是根据第五实施例的发光器件的后视图，并且示出具有改进位置和形状的凹进部的示例。
参见图24，发光器件的主体10包括布置在彼此对应的第一侧壁11和第二侧壁12处的凹进部55A和56A。凹进部55A和56A关于垂直于平行线段X2的线Y0彼此对应地布置在主体10的中心处。凹进部55A和56A可以对应于间隙部件（即第一引线框21与第二引线框31之间的区域）而布置。
中心线Y0在主体10的中心处垂直于与第一侧壁11和第二侧壁12的延长线段平行的线段X2，且可以是通过第一侧壁11和第二侧壁12的中心延长的线。
凹进部55A和56A对应于与主体10的第一轴X的中心垂直的中心线Y0而布置，使得当主体被注入模铸时，主体10可以在第一引线框21与第二引线框31之间的边界区域中被有效地支撑。因此，可以加固第一引线框21和第二引线框31的边界区域（即包括长边和短边的主体100的薄弱部）。
参见图25，布置发光器件的主体10以允许在第一侧壁11处形成的第一凹进部57与在第二侧壁12处形成的第二凹进部58彼此交叉。第一凹进部57对应于穿过第一引线框21的第一腔体的底部中心的线Y2而布置，以及第二凹进部58对应于穿过第二引线框31的第二腔体的底部32中心的线Y3布置。在这种情况下，可以相对线Y2而以30°到60°的范围内的角度来形成将第一凹进部57和第二凹进部58彼此连接的假想线。此外，第一凹进部57和第二凹进部58可以关于间隙部件（即第一引线框21与第二引线框31之间的区域）彼此偏离。
当主体被注入模铸时，插入到第一凹进部57和第二凹进部58中的悬架的插入突出部可支撑施加有最大负载的第一腔体和第二腔体的外侧。如图10所示，可以通过连接框46来支撑主体10的中心部的外侧，但实施例不限于此。
参见图26，布置发光器件的主体10以允许形成在第一侧壁11处的第一凹进部57A与形成在第二侧壁12处的第二凹进部58B彼此交叉。第一凹进部57A可以布置在邻近第一腔体的底部的区域。例如，第一凹进部57A可以布置在垂直于第一腔体的底部中心的中心线Y2与主体10的中心线Y0之间。第二凹进部58A可以布置在邻近第二引线框31的第二腔体的底部的区域。例如，第二凹进部58A可以布置在垂直于第二腔体的底部中心的中心线Y3与主体10的中心线Y0之间。当主体被注入模铸时，插入到第一凹进部57A和第二凹进部58B中的悬架的插入突出部可支撑施加有最大负载的第一腔体与第二腔体之间的外部区域。如图10所示，可以通过连接框46来支撑主体10的中心部的外侧，但实施例不限于此。
参见图27，发光器件包括具有半球形形状且形成在第一侧壁11和第二侧壁12处的第一到第四凹进部51D、52D、53D和54D。作为另一个示例，第一到第四凹进部51D、52D、53D和54D的形状可包括三角形或阶梯形，但实施例不限于此。
图28和图29是根据第六实施例的发光器件的后视图，并且示出凹进部的长度以及悬架。
参见图28，发光器件的主体10包括彼此对应的第一侧壁11的第一凹进部61和第二侧壁12的第二凹进部62。第一凹进部61和第二凹进部62的宽度W11可以大于第一腔体25与第二腔体35之间的距离G1，并且可以窄于第一腔体25和第二腔体35的中心线Y2与Y3之间的距离。宽度W11可以是基于主体10的第三侧壁13与第四侧壁14之间的间隙的1/4或更宽。
参见图28和图29，插入突出部39（即插入到第一凹进部61和第二凹进部62中的悬架的内侧部26A）可覆盖主体10的侧壁11和12中的每一个的中心区域。布置在主体10中的连接框46可以由于插入突出部39（即悬架的内侧部26）而被移除，但实施例不限于此。作为另一个实施例，树脂材料（例如，硅或环氧树脂）可以被填充到第一凹进部61和第二凹进部62中。填充到第一凹进部61和第二凹进部62中的树脂材料可加固侧壁11和12的中间部分。
图30到图32是根据第七实施例的发光器件的后视图，并且示出改进的凹进的示例。
参见图30，发光器件的主体10包括布置在第一侧壁11处的第一凹进部51和第二凹进部52以及布置在第一凹进部51与第二凹进部52之间的第五凹进部63。所述第五凹进部63可具有大于第一凹进部51和第二凹进部52的宽度，并且可以连接至第一凹进部51和第二凹进部52。第五凹进部63可以沿主体10的中心线Y0方向或者朝向第一侧壁11和第二侧壁12的中心逐渐加深。第一凹进部51和第二凹进部52的深度D4等于或不同于第五凹进部63的最大深度，但实施例不限于此。第五凹进部63的宽度可以是基于主体10的长度的1/4，但实施例不限于此。
关于布置在主体10的第二侧壁12处的第三凹进部53和第四凹进部54的细节、以及第三凹进部53与第四凹进部54之间的第六凹进部64的结构，请参照第一凹进部51、第二凹进部52和第五凹进部63的描述。第五凹进部63和第六凹进部64可包括三角形或半球形，第五凹进部63和第六凹进部64的中心部沿主体10的内侧方向而凹进。如第一实施例所述，第一凹进部51到第四凹进部54可以与主体10的第三侧壁13和第四侧壁14间隔开预定距离D21。
参见图31，发光器件包括布置在主体10的第一侧壁11和第二侧壁12处的第五凹进部63A和第六凹进部64A。第五凹进部63A和第六凹进部64A的宽度可以是基于主体10的长度的1/4或更宽。第五凹进部63A和第六凹进部64A可以与第三侧壁13和第四侧壁14间隔开预定距离D21，且深度可以朝向主体10的中心线Y0逐渐加深。距离D21可以是130μm或更大。相反，凹进部63A和64A的最大深度D4可以形成在对应于主体10的中心部的区域内，且深度D4可以朝向第三侧壁13和第四侧壁14逐渐变浅。
参见图32，发光器件包括布置在主体10的第一侧壁11和第二侧壁12处的第五凹进部63B和第六凹进部64B。第五凹进部63A和第六凹进部64A的宽度可以是基于主体10的长度的1/4或更宽。第五凹进部63B和第六凹进部64B可以与主体10的第三侧壁13和第四侧壁14间隔开预定距离D22。距离D22可以是130μm或更大。深度可朝向第一侧壁1和第二侧壁12的中心逐渐变浅，或者几乎不会存在于主体10的中心线Y0处。因此，凹进部63B和64B的最小深度可以形成在对应于主体10的中心部的区域中，以及最大深度D4可以形成在邻近第三第四侧壁13和第四侧壁14的区域中。
图33是根据第八实施例的发光器件的平面图，以及图34是图33的发光器件的后视图。
参见图33和图34，发光器件101包括：具有凹进部116的主体110、位于凹进部116的底部的第一区域中的第一引线框121、布置在凹进部116的底部的第二区域中的第二引线框131、位于凹进部116的底部中且位于第一引线框121与第二引线框131之间的间隙部件119、发光芯片171和172、导线173到176以及模铸件（未示出）。
主体10可包括树脂材料（例如，聚邻苯二甲酰胺（PPA）、硅（Si））、金属材料、感光玻璃（PSG）、蓝宝石（Al2O3）和印刷电路板（PCB）中的至少一种。例如，主体10可包括树脂材料（例如，聚邻苯二甲酰胺（PPA）、环氧树脂或硅）。
主体110的外观可具有各种形状，例如为三角形、矩形、多边形或圆形。第一引线框121和第二引线框131可以布置在底部上并且可以作为直光型（direct type）而安装在衬底上。第一引线框121和第二引线框131可以布置在主体110的侧表面处并且可以作为侧光型而安装在衬底上。然而，实施例不限于上述内容。
主体110包括具有上部开口、侧表面和底部的腔体以及具有凹进结构的凹进部116。当从顶部看时，凹进部116的形状可包括圆形、椭圆形和多边形（例如正方形）。主体110可包括多个侧壁111到114。侧壁111到114的至少一个可以垂直或倾斜于主体110的底部。例如，第一侧壁111和第二侧壁112的长度（即，长的长度）可以长于第三侧壁113和第四侧壁114的长度（即，短的长度）。例如，第一侧壁111和第二侧壁112的长度可以是第三侧壁113和第四侧壁114的两倍或多倍。
第一引线框121布置在凹进部116的底部的第一区域中，以及第二引线框131布置在与凹进部116的底部的第一区域间隔开的第二区域中。第一发光芯片171可以布置在第一区域中，以及第二发光芯片172可以布置在第二区域中。
第一引线框121和第二引线框131的下表面可以暴露出主体110的底部，并且可以布置在与主体110的底部相同的平面上。
第一框121与第二框131之间的间隙部件119可以倾斜布置。间隙部件119的中心部可以形成为阶梯形结构。由于间隙部件119可以形成为对角形（diagonal form），因此，可以提高第一框121与第二框131之间的边界部的强度。
第一引线框121的第一引线部件123可以布置在主体110的底部上，并且可以朝向第三侧壁113突出。第二引线框131的第二引线部件133可以布置在主体110的底部上，并且可以朝向第四侧壁114突出。关于第一引线框121和第二引线框131的材料和厚度，请参照第一实施例。
如图33和图34所示，第一引线框121和第二引线框131不具有腔体结构。第一引线框121和第二引线框131的下表面是平坦的。也就是说，第一引线框121和第二引线框131的整个下表面可以布置在相同的平面上。可以通过从第一引线框121和第二引线框131中移除腔体结构来很薄地设置发光器件101的厚度。
主体110的第一侧壁111包括第一凹进部151和第二凹进部152，而第二侧壁112包括第三凹进部153和第四凹进部154。
第一凹进部151到第四凹进部154的内部宽度W2可以窄于其外部宽度W3。第一凹进部151到第四凹进部154的内部可以被引向主体110的内侧，以及其外部可以被引向主体的侧壁。
第一凹进部151到第四凹进部154的深度T6可以形成在30μm到130μm的范围内，但实施例不限于此。第一凹进部151到第四凹进部154可以彼此间隔开，使得距离最外面的第二侧壁113或第四侧壁114的距离D6可以是130μm或更大。
插入到第一凹进部151到第四凹进部154中的悬架的插入突出部可以形成为具有大的内部宽度和窄的外部宽度的形状，使得主体能够通过插入突出部的结构被有效地支撑。
第一发光芯片171可以布置在第一引线框121上方，而第二发光芯片172可以布置在第二引线框131上方。第一发光芯片171通过第一导线173连接至第一引线框121，并通过第二导线174连接至第二引线框131。第二发光芯片172布置在第二引线框131上方。第二发光芯片172通过第三导线175连接至第二引线框131，并通过第四导线176连接至第一引线框121。间隙部件119可以布置为对角形，使得可以以最短的长度设置第二导线174和第四导线176。
参见图35，主体110的第一侧壁111包括第五凹进部161。所述第五凹进部161可以与第三侧壁113和第四侧壁114间隔开130μm或更大、或者例如为200μm或更大的距离。主体110的第二侧壁112包括第六凹进部162。所述第六凹进部162几乎具有与第五凹进部161相同的宽度并与第三侧壁113和第四侧壁114间隔开。
第五凹进部161和第六凹进部162可具有基于主体110的长度的1/4或更宽的宽度，但实施例不限于此。主体110的纵向方向可穿过图33中所示的发光芯片171和172的中心。
第五凹进部161和第六凹进部162可以与第一引线框121和第二引线框131间隔开200μm或更大。在这种情况下，当第五凹进部161和第六凹进部162与第一引线框121和第二引线框131之间的间隙很窄时，主体强度可能由于窄间隙的缘故而不够强。
参见图36，第一凹进部163和第二凹进部164布置在主体110的第一侧壁111中，以及第五凹进部161A布置在第一凹进部163与第二凹进部164之间。第五凹进部161A具有与第一凹进部163与第二凹进部164之间的间隙对应的宽度，并且可以连接至第一凹进部163和第二凹进部164。第五凹进部161A可具有从第一凹进部163和第二凹进部164到主体100的中心线Y0逐渐增加或减少的宽度，但实施例不限于此。
第三凹进部165和第四凹进部166布置在主体110的第二侧壁112中，而第六凹进部162A布置在第三凹进部165与第四凹进部166之间。关于第三凹进部165、第四凹进部166和第六凹进部162A的结构，请参照第一凹进部163、第二凹进部164和第五凹进部161A。
参见图37，第五凹进部161C形成在主体110的第一侧壁111中，而第六凹进部162C形成在第二侧壁112中。第五凹进部161C和第六凹进部162C的中心设置在主体110的中心处，且第五凹进部161C和第六凹进部162C的宽度可以是基于主体110的长度的1/4或更宽。关于第五凹进部161C和第六凹进部162C的深度，请参照第一实施例中的凹进部的结构。
第七凹进部161D形成在第五凹进部161C中。第七凹进部161D可具有窄于第五凹进部161C的宽度，例如，在50μm到200μm的范围内，并且其距离第五凹进部161C的深度在10μm到50μm的范围内。第七凹进部161D可以对应于第一引线框121与第二引线框131之间的间隙部件119而布置。
第八凹进部162D形成在第六凹进部162C中。第八凹进部162D可具有窄于第六凹进部162C的宽度，例如，在50μm到200μm的范围内，并且其距离第六凹进部162C的深度在10μm到50μm范围内。第八凹进部162D可以对应于第一引线框121与第二引线框131之间的间隙部件119而布置。因此，在垂直于彼此间隔开的第七凹进部161D与第八凹进部162D的线之间的间隙G4可以是30μm或更大，但实施例不限于此。
图38是根据第九实施例的发光器件的平面图。在第九实施例的描述中，与图38相同的配置请参照图33和第一实施例。
参见图38，第一凹进部151A到第四凹进部154A形成在主体110的第一侧壁111和第二侧壁112中。该结构可以选择性地应用到如上所述的实施例中，但实施例不限于此。
连接框146布置在主体110中的第一引线框121与第二引线框131之间。布置在第一引线框121与第二引线框131之间的连接框146用作中间连接端子。
图39是根据第十实施例的发光器件的平面图。图40是图39的发光器件的后视图。图41是图39的发光器件的侧剖视图。
参见图39，发光器件200包括具有凹部216的主体210、位于凹部216中的第一引线框221和第二引线框231、发光芯片271和272、导线273到275以及模铸件240。
第一引线框221包括布置在主体210的第三侧壁213中的第一引线部件223；以及布置在第四侧壁214中的第二引线部件233。
第二引线框231可以长于第一引线框221，并且例如可以是基于主体110的长度的1/2。
第一发光芯片271和第二发光芯片272布置在第二引线框231上。第一发光芯片271通过导线273连接至第一引线框221，并通过导线274连接至第二发光芯片272。第二发光芯片272可以通过导线275连接至第二引线框231。
参见图40和图41，多个凹进部（例如，两个或多个凹进部）可以布置在主体210的第一侧壁211中。例如，第一凹进部251到第四凹进部254布置在第一侧壁211中。多个凹进部（例如，两个或多个凹进部）可以布置在第二侧壁212中。例如，第五到第八凹进部255、256、257和258布置在第二侧壁212中。然而，实施例不限于上述内容。
第一到第四凹进部251、252、253和254分别对应于第五到第八凹进部255、256、257和258。在这种情况下，它们可以关于主体210的纵向方向彼此对称布置。
第一到第四凹进部251、252、253和254以及第五到第八凹进部255、256、257和258可以与第三侧壁213和第四侧壁214间隔开预定距离D2。关于距离D2，请参照第一实施例。
第一到第四凹进部251、252、253和254中的相邻凹进部之间的间隔D11和D12可以彼此不同。例如，最外边的第一凹进部251和第四凹进部254与邻近第一凹进部251和第四凹进部254的第二凹进部252和第三凹进部253之间的间隔D11可以彼此相等，且第二凹进部252与第三凹进部253之间的间隔D12可以大于间隔D11。可考虑第一引线框221和第二引线框231以及第一引线框和第二引线框的边界区域之间的长度差异而配置第一凹进部251到第八凹进部258的位置。
当发光器件被注入模铸时，该实施例可防止主体被损坏，并且可以设置具有多个凹进部的发光器件，所述凹进部能够支撑耦接至引线框的腔体的主体。根据实施例，可以提高发光器件的成品率和可靠性。实施例能够提高发光器件以及具有该发光器件的照明装置的可靠性。
图42是示出根据实施例的发光芯片的一个示例的侧剖视图。
参见图42，发光芯片71包括衬底311、缓冲层312、发光结构310、第一电极316和第二电极317。衬底311可包括包含透射材料或非透射材料的衬底，以及可包括导电衬底或绝缘衬底。
缓冲层312减少组成衬底311与发光结构310的材料之间的晶格常数差异，并且可包括氮化物半导体。未掺杂有掺杂物的氮化物半导体层还布置在缓冲层312与发光结构310之间，使得能够提高晶体质量。
发光结构310包括第一导电半导体层313、有源层314和第二导电半导体层315。
第一导电半导体层313可包括：掺杂有第一导电掺杂物的III-V族化合物半导体。例如，第一导电半导体层313可包括具有分子式InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）的半导体材料。详细地，第一导电半导体层313可包括多个层的堆叠结构，所述多个层包括选自由GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP所组成的组中的至少一个。如果第一导电半导体层313为n型半导体层，则第一导电掺杂物包括n型掺杂物（例如Si、Ge、Sn、Se或Te）。
第一覆层可以形成在第一导电半导体层313与有源层314之间。第一覆层可包括GaN基半导体，且第一覆层的带隙可以等于或大于有源层314的带隙。第一覆层具有第一导电类型，且限制载流子。
有源层314布置在第一导电半导体层313上，且包括单量子阱结构、多量子阱（MQW）结构、量子线结构或量子点结构。有源层314具有多个阱层和势垒层的循环。阱层可具有分子式InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1），而势垒层可具有分子式InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）。可以通过InGaN/GaN、GaN/AlGaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN、InAlGaN/AlGaN和InAlGaN/InAlGaN的堆叠结构来使用多个阱/势垒层中的至少一个循环。势垒层可包括具有高于阱层的带隙的半导体材料。
第二导电半导体层315形成在有源层314上。第二导电半导体层315包括掺杂有第二导电掺杂物的半导体，例如包括具有分子式InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）的半导体。详细地，第二导电半导体层315可包括选自例如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的一种的化合物半导体。如果第二导电半导体层315为p型半导体层，则半导体导电掺杂物包括p型掺杂物（例如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba）。
第二导电半导体层315可包括超晶格结构，并且所述超晶格结构可包括InGaN/GaN超晶格结构或AlGaN/GaN超晶格结构。第二导电半导体层315的超晶格结构异常地扩散电流，从而保护有源层314。
此外，发光结构310可具有相反的导电类型。例如，第一导电半导体层313可包括P型半导体层，而第二导电半导体层315可包括N型半导体层。可以在第二导电半导体层315上布置与第二导电型极性相反的第一导电半导体层。
可以通过使用n-p结结构、p-n结结构、n-p-n结结构、以及p-n-p结结构中的一个来实现发光结构310。“p”表示p型半导体，“n”表示n型半导体层，以及“-”表示p型半导体直接或间接连接至n型半导体。在下文中，为了便于说明，将对发光结构310的最上层为第二导电半导体层315的情况进行描述。
第一电极316布置在第一导电半导体层313上，以及具有电流扩散层的第二电极317布置在第二导电半导体层315上。第一电极316和第二电极317通过导线或者通过另一种连接方法彼此连接。
图43是示出根据实施例的发光芯片的另一个示例的视图。在下文中，在实施例的以下描述中，为了简要说明，将省略与图42相同的部件的细节。
参见图43，在根据该实施例的发光芯片71A中，接触层321形成在发光结构310下方，反射层324形成在接触层321下方，支撑构件325形成在反射层324下方，以及保护层323可以形成在反射层324和发光结构310周围。
一个或多个第一电极316可以形成在发光结构310上，且第一电极316包括接合至导线的焊盘。
在形成位于第二导电半导体层315下方的接触层321、保护层323、反射层324和支撑构件323之后，可以通过移除生长衬底来形成发光芯片。
接触层321可与发光结构310的下层（例如，第二导电半导体层315）进行欧姆接触，并且可包括金属氧化物、金属氮化物、绝缘材料或导电材料。例如，接触层321可包括：氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化铟锌锡（IZTO）、氧化铟铝锌（IAZO）、氧化铟镓锌（IGZO）、氧化铟镓锡（(IGTO）、氧化锑锡（ATO）、氧化镓锌（GZO）、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au、Hf及其选择性组合。接触层321可以通过使用金属材料和透明材料（例如IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO或ATO）形成为多层结构。例如，接触层321可具有IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni或AZO/Ag/Ni的堆叠结构。用于阻挡电流的层还可以形成在对应于电极316的接触层321中。
保护层323可包括金属氧化物或绝缘材料。例如，保护层323可选择性地包括氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化铟锌锡（IZTO）、氧化铟铝锌（IAZO）、氧化铟镓锌（IGZO）、氧化铟镓锡（(IGTO）、氧化锑锡（ATO）、氧化镓锌（GZO）、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3或TiO2。可以通过溅射方法或沉积方法形成保护层323。组成反射层324的金属可防止发光结构310的多个层短路。
反射层324可包括金属（例如Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au、Hf）或其选择性组合。反射层324可具有大于发光结构310的宽度，从而提高光反射效率。用于接合的金属层和用于散热的金属层还可以布置在反射层324与支撑构件325之间，但实施例不限于此。
支撑构件325用作基底衬底，并且可包括诸如Cu、Au、Ni、Mo或Cu-W的金属以及诸如Si、Ge、GaAs、ZnO和SiC的承载晶片。粘合层还可以形成在支撑构件325与反射层324之间，并且使两个层彼此接合。所公开的发光芯片是为了说明目的，然而实施例不限于此。发光芯片可以被选择性地应用到根据实施例的发光器件，但实施例不限于此。
<照明系统>
根据实施例的发光器件可应用于照明系统。所述照明系统包括其中排列有多个发光器件的结构。照明系统包括：图44和图45中所示的显示装置、图46到图50中所示的照明装置、照明灯、闪光灯、信号灯、车辆头灯和电子显示器。
图44是示出根据实施例的具有发光器件的显示装置的分解透视图。
参见图44，根据实施例的显示装置1000包括：导光板1041，将光提供至导光板1041的光源模块1033，位于导光板1041下方的反射构件1022，位于导光板1041上的光学片1051，位于光学片1051上的显示面板1061，以及用于容纳导光板1041、光源模块1033和反射构件1022的底盖1011，但实施例不限于此.
底盖1011、反射片1022、导光板1041和光学片1051可以被定义为光单元（light unit）1050。
导光板1041扩散从光源模块1033供应的光以提供平面光。导光板1041可包括透明材料。例如，导光板1041可包括下列丙烯酸基树脂（acryl-basedresin）之一：例如，PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）、PET（聚对苯二甲酸乙二醇酯）、PC（聚碳酸酯）、COC（环烯烃共聚物）和PEN（聚萘二甲酸乙二醇酯）树脂。
光源模块1033布置在导光板1041的至少一个侧部上以将光提供至导光板1041的至少一侧。光源模块1033被用作显示装置的光源。
至少一个光源模块1033可以布置为从导光板1041的一侧直接或间接地提供光。光源模块1033可包括板1031和根据实施例的发光器件或发光器件100。所述发光器件或发光器件100可以彼此以预定距离间隔排列在板1031上。
板1031可包括包含电路图案（未示出）的印刷电路板（PCB）。此外，板1031还可包括金属芯PCB（MCPCB）或柔性PCB（FPCB），也可以包括通用PCB，但实施例不限于此。如果发光器件100被安装在底盖1011侧或散热板上，板1031可以被省略。散热板部分地与底盖1011的顶表面接触。
此外，这样排列发光器件100，使得用于发射发光器件100的光的多个光出射面与导光板1041在板1031上间隔开预定距离，但实施例不限于此。发光器件100可直接或间接地将光提供至光入射面（即导光板1041的一个侧部），但实施例不限于此。
反射构件1022布置在导光板1041下方。反射构件1022将通过导光板1041的下表面向下传输的光朝向显示面板1061反射，从而提高光单元1050的亮度。例如，反射构件1022可包括PET、PC或PVC树脂，但实施例不限于此。反射构件1022可用作底盖1011的顶表面，但实施例不限于此。
底盖1011可容纳位于其内的导光板1041、光源模块1033和反射构件1022。为了此目的，底盖1011具有带有顶表面开口的盒装容纳部1012，但实施例不限于此。底盖1011可以与顶盖（未示出）耦接，但实施例不限于此。
可以通过使用金属材料或树脂材料通过按压工艺或挤压工艺来制造底盖1011。此外，底盖1011可包括具有优良导热性的金属或非金属材料，但实施例不限于此。
显示面板1061例如是LCD面板，包括彼此相对的第一和第二透明衬底，以及插入于第一与第二衬底之间的液晶层。偏振板可以附着至显示面板1061的至少一个表面，但实施例不限于此。显示面板1061通过允许光穿过来显示信息。显示装置1000可以应用至各种便携式终端、笔记本电脑的监视器、便携式电脑的监视器和电视机。
光学片1051布置在显示面板1061与导光板1041之间，并且包括至少一个透明片。例如，光学片1051包括选自由扩散片、水平和垂直棱镜片以及增亮片所组成的组中的至少一个。扩散片将入射光扩散，水平和垂直棱镜片将入射光聚集在显示面板1061上，以及增亮片通过对损失的光的再利用来增强亮度。此外，保护片可以布置在显示面板1061上，但实施例不限于此。
作为光学构件的导光板1041和光学片1051可以布置在光源模块1033的光路中，但实施例不限于此。
图45是示出根据实施例的显示装置的剖视图。
参见图45，显示装置1100包括：底盖1152、其上排列有发光器件100的板1120、光学构件1154和显示面板1155。
板1120和发光器件100可组成光源模块1160。此外，底盖1152、至少一个光源模块1160以及光学构件1154可组成光单元。底盖1151可以布置有容纳部1153，但实施例不限于此。光源模块1160包括板1120和排列在板1120上的多个发光器件或一发光器件100。
光学构件1154可包括选自由透镜、导光板、扩散片、水平和垂直棱镜片以及增亮片所组成的组中的至少一个。导光板可包括PC或PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）。导光板可以被省略。扩散片将入射光扩散，水平和垂直棱镜片将入射光聚集在显示区域上，以及增亮片通过对损失的光的再利用来增强亮度。
为了将从光源模块1160发出的光转换成平面光，光学构件1154布置在光源模块1160上方。
图46到图48是示出根据实施例的照明装置的视图。
图46是根据实施例的照明装置当从顶部看过去时的透视图；图47是图46中所示的照明装置当从底部看过去时的透视图；以及图48是图46中所示的照明装置的分解透视图。
参见图46到图48，根据实施例的照明装置可包括盖2100、光源模块2200、散热器（radiator）2400、供电部件2600、内壳2700和插座（socket）2800。根据实施例的照明装置还可包括部件2300和支架（holder）2500的至少一个。光源模块2200可包括根据实施例的发光器件或发光器件封装。
例如，盖2100可以具有灯泡形状、半球形状、部分开口中空形状。盖2100可以与光源模块2200光学耦接。例如，盖2100可以扩散、散射或激发从光源模块提供的光。盖2100可以是一种光学构件。盖2100可以与散热器2400耦接。盖2100可以包括与散热器2400耦接的耦接部件。
盖2100可以包括涂覆有乳白色涂料的内表面。乳白色涂料可以包括用于扩散光的扩散材料。盖2100的内表面的表面粗糙度可以大于其外表面。设置表面粗糙度是为了充分散射和扩散来自光源模块2200的光。
例如，盖2100的材料可包括玻璃、塑料、聚丙烯（PP）、聚乙烯（PE）和聚碳酸酯（PC）。在上述材料中，聚碳酸酯（PC）具有优良的耐光性、耐热性和强度。盖2100可以是透明的，使得用户可以从外部看到光源模块2200，或者也可以是不透明的。盖2100可以通过吹塑方法（blow moldingscheme）形成。
光源模块2200可以布置在散热器2400的一个表面处。因此，来自光源模块2200的热量被传递到散热器2400。光源模块2200可以包括光源2210、连接板2230和连接器2250。
构件3100布置在散热器2400的顶表面，且包括其中插入有多个光源2210和连接器2250的导槽2310。导槽2310对应于光源2210的衬底和连接器2250。
构件2300的表面可以涂覆有反光材料。例如，构件2300的表面可以涂覆有白色涂料。构件2300将由盖2100的内表面反射并返回到光源模块2200的方向的光再次反射到盖2100的方向。因此，可以提高根据实施例的照明系统的照明效率。
例如，构件2300可以包括绝缘材料。光源模块2200的连接板2230可以包括导电材料。因此，散热器2400可以电连接至连接板2230。构件2300可以由绝缘材料配置成，从而防止连接板2230与散热器2400电短路。散热器2400从光源模块2200和供电部件2600接收热量并散热。
支架2500覆盖内壳2700的绝缘部件2710的容纳槽2719。因此，容置在内壳2700内的绝缘部件2710中的供电部件2600被封闭。支架2500包括引导突出部2510。引导突出部2510具有让供电部件2600的突出部2610穿过的孔穴。
供电部件2600处理或转换从外部接收的电信号，并将处理或转换后的电信号提供至光源模块2200。供电部件2600容置在内壳2700内的容纳槽中，并通过支架2500封闭在内壳2700内。
供电部件2600可以包括突出部2610、引导件2630、基座2650和延伸部件2670。
引导件2630具有从基座2650的一侧向外部突出的形状。引导件2630可以插入到支架2500中。多个构件可以布置在基座2650的一个表面上方。例如，这些构件可以包括：直流（DC）转换器，将从外部电源提供的交流（AC）电转换成直流（DC）电；驱动芯片，控制光源模块2200的驱动；以及静电放电（ESD）保护器件，保护光源模块2200，但实施例不限于此。
延伸部件2670具有从基座2650的相反侧向外部突出的形状。延伸部件2670被插入到内壳2700的连接部件2750的内部，并从外部接收电信号。例如，延伸部件2670的宽度可以小于或等于内壳2700的连接部件2750的宽度。“+电线”和“-电线”的第一端子电连接至延伸部件2670，“+电线”和“-电线”的第二端子可以电连接至插座2800。
内壳2700可以包括位于其中的模铸件连同供电部件2600。通过硬化模铸液来制备模铸件，并且供电部件2600可以通过模铸件固定在内壳2700内。
图49和图50是示出根据实施例的照明装置的其它示例的视图。
图49是示出根据实施例的照明装置的透视图；以及图50是图49中所示的照明装置的分解透视图。
参见图49和图50，根据实施例的照明装置可包括盖3100、光源部件3200、散热器3300、电路部件3400、内壳3500和插座3600。光源部件3200可包括根据实施例的发光器件或发光器件模块。
盖3100可具有灯泡形状并且是中空的。盖3100具有开口3110。光源部件3200和部件3350可以通过开口3110被插入。
盖3100可以与散热器3300耦接，并且可包围光源部件3200和部件3350。可以通过盖3100与散热器3300之间的耦接从外部阻挡光源部件3200和构件3350。盖3100可以通过粘合剂或各种方法（例如，旋转耦接方法和挂钩耦接方法）与散热器3300耦接。旋转耦接方法是盖3100的螺纹（thread）与散热器3300的螺纹槽耦接的方法，且盖3100通过盖3100的旋转与散热器3300耦接。挂钩耦接方法是盖3100的突出部被插入到散热器3300的沟槽中使得盖3100与散热器3300耦接的方法。
盖3100可以与光源部件3200光学耦接。详细地，盖3100可以扩散、散射或激发从光源部件3200的发光器件3230提供的光。盖3100可以是一种光学构件。为了激发从光源部件3200供应的光，盖3100可以通过发光材料设置在其内/外表面或内部之处。
盖3100可包括涂覆有乳白色涂料的内表面。乳白色涂料可以包括用于扩散光的扩散材料。盖3100具有表面粗糙度大于其外表面的内表面。设置表面粗糙度是为了充分散射和扩散来自光源部件3200的光。
例如，盖3100可包括的材料可包括玻璃、塑料、聚丙烯（PP）、聚乙烯（PE）和聚碳酸酯（PC）。在上述材料中，聚碳酸酯（PC）具有优良的耐光性、耐热性和强度。盖3100可以是透明的，使得用户可以从外部看到光源模块2200，或者也可以是不透明的。盖3100可以通过吹塑方法形成。
光源部件3200布置在散热器3300的构件3350处，且可以布置多个光源部件。详细地，光源部件3200可以布置在部件3350的多个侧部的至少一个上。光源部件3200的顶端可以布置在部件3350的侧部。
光源部件3200可以布置在部件3350的六个侧部中的三个上。然而，实施例不限于此，而光源部件3200还可以布置在构件3350的所有侧部上。光源部件3200可包括衬底3210和发光器件3230。发光器件3230可以布置在衬底3210的一个表面上。
衬底3210具有矩形形状，但实施例不限于此。衬底3210可具有各种形状。例如，衬底3210可具有圆形或多边形形状。衬底3210可以通过在绝缘体上印刷电路图案而设置。例如，通用印刷电路板（PCB）可包括金属芯PCB、柔性PCB和陶瓷PCB。此外，衬底可具有COB（板上芯片）型，其中未封装的芯片直接接合在PCB上。此外，衬底3210可包括用以有效反射光的材料，或者衬底的表面可具有用以有效反射光的颜色（例如，金色或银色）。衬底3210可以电连接至容置在散热器3300中的电路部件3400。例如，衬底3210和电路部件3400可以通过导线彼此连接。导线可通过散热器3300将衬底3210和电路部件3400彼此连接。
发光器件3230可包括用于发射红光、绿光和蓝光的发光二极管芯片，或者用于发射UV的发光二极管芯片。发光二极管可具有水平型或垂直型。发光二极管可发射蓝光、红光、黄光和绿光中的一种。
发光器件3230可包括荧光材料。该荧光材料可包括石榴石基磷光材料（YAG或TAG）、硅酸盐基磷光材料、氮化物基磷光材料和氮氧基磷光材料中的至少一种。荧光材料可包括红色荧光材料、黄色荧光材料和绿色荧光材料中的至少一种。
散热器3300与盖3100耦接，并且可发散来自光源部件3200的热量。散热器3300具有预定体积，且包括顶表面3310和侧部3330。构件3350可以布置在散热器3310的顶表面3310上。散热器3300的顶表面3310可以与盖3100耦接。散热器3300的顶表面3310可具有对应于盖3100的开口3110的形状。
多个热辐射销（heat radiation pin）3370可以布置在散热器3300的侧部3330处。热辐射销3370可从散热器3300的侧部向外延伸，或者可以连接至散热器3300的侧部。热辐射销3370可通过增加散热器3300的热辐射面积来提高热辐射效率。侧部3330可以不包括热辐射销3370。
构件3350可以布置在散热器3300的顶表面上。构件3350可以集成或耦接至散热器3300的顶表面3310。构件3350可具有多边形棱柱的形状。详细地，构件3350可具有六角柱的形状。具有六角柱的形状的构件3350包括顶表面、底表面和六个侧部。构件3350可具有圆棱镜的形状或椭圆棱镜的形状，也可具有六角柱的形状。当构件3350具有圆棱镜的形状或椭圆棱镜的形状时，光源部件3200的衬底3210可以是柔性衬底。
光源部件3200可以布置在构件3350的六个侧部上。光源部件3200可以布置在构件3350的六个侧部的全部或部分之上。例如，光源部件3200布置在构件3350的六个侧部中的三个上。
衬底3210布置在构件3350的侧部上。构件3350的侧部实质上可以垂直于散热器3300的顶表面。因此，衬底3210与散热器3300的顶表面实质上可以彼此垂直。
部件3350可包括呈现导热性的材料。因此，来自光源部件3200的热可以被快速地传递到构件3350。例如，用于构件3350的材料可包括金属合金，所述金属例如为铝（Al）、镍（Ni）、铜（Cu）、镁（Mg）、银（Ag）或锡（Sn）。构件3350可包括具有导热性的塑料材料。所述导热性的塑料材料轻于金属并沿单一方向具有导热性。
电路部件3400接收来自外部的电力，并将接收到的电力转换成适用于光源部件3200的电力。电路部件3400将转换后的电力提供给光源部件3200。电路部件3400可以布置在散热器3300处。详细地，电路部件3400可以被容置在内壳3500中，并且可以与内壳3500一起被容置在散热器3300中。电路部件3400可包括电路板3410以及安装在该电路板3410上的多个组件。
电路板3410具有圆形形状，但实施例不限于此。也就是说，电路板3410可具有各种形状。例如，电路板可具有椭圆形或多边形形状。电路板3410可以通过在绝缘体上印刷电路图案而设置。电路板3410电连接至光源部件3200的衬底3210。例如，电路部件3410和衬底3210可以通过导线彼此连接。导线可以布置在散热器3300内部以通过电路板3410连接衬底3210。例如，多个构件3430可包括：直流转换器，将从外部电源提供的交流（AC）电转换成直流电；驱动芯片，控制光源部件3200的驱动；以及静电放电（ESD）保护装置。
内壳3500将电路部件3400容置在其内。内壳3500可包括用于容置电路部件3400的容纳部件3510。例如，容纳部件3510可具有圆柱形形状。可以根据散热器3300的形状来改变容纳部件3510的形状。内壳3500可以被容置在散热器3300中。内壳3500的容纳部件3510可以容纳于形成在散热器3300的下表面处的容纳部件中。
内壳3500可以与插座3600耦接。内壳3500可包括与插座3600耦接的连接部件3530。连接部件3530可具有对应于插座3600的螺纹槽结构的螺纹结构。内壳3500为绝缘体。因此，内壳3500防止在电路部件3400与散热器3300之间的电路短路。例如，内壳3500可包括塑料或树脂材料。
插座3600可以与内壳3500耦接。详细地，插座3600可以与内壳3500的连接部件3530耦接。插座3600可具有与传统的白炽灯泡一样的结构。插座3600电连接至电路部件3400。例如，电路部件3400和插座3600可以通过导线彼此连接。如果将外部电力施加到插座3600，外部电力可以被传递到电路部件3400。插座360可具有对应于连接部件3550的螺纹结构的螺纹槽结构。
尽管对实施例的描述中结合了其多个示例性实施例，但可以理解的是，在本公开内容的原理的精神和范围之内，本领域技术人员完全可以设计出许多其它变化和实施例。尤其是，可以在该公开、附图和所附权利要求的范围内对组件和/或附件组合设置中的排列进行多种变化和改进。除组件和/或排列的变化和改进之外，其他可选择的应用对于本领域技术人员而言也是显而易见的。

Claims (18)

1.一种发光器件，包括：
主体，包括彼此对应的第一侧壁和第二侧壁、长度长于所述第一侧壁和所述第二侧壁的第三侧壁和第四侧壁、以及位于所述主体中的凹部；
第一引线框，位于所述凹部和所述第三侧壁下方；
第二引线框，位于所述凹部和所述第四侧壁下方；
发光芯片，位于所述第一引线框和所述第二引线框的至少一个上；
模铸件，位于所述凹部上；
第一凹进部，从所述第一侧壁朝向所述第二侧壁凹进并连接至所述主体的底部；以及
第二凹进部，从所述第二侧壁朝向所述第一侧壁凹进并连接至所述主体的底部。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一引线框包括低于所述凹部的底部的第一腔体和比所述第三侧壁更突出的第一引线部件；
所述第二引线框包括低于所述凹部的底部的第二腔体和比所述第四侧壁更突出的第二引线部件；以及
所述发光芯片包括布置在所述第一腔体中的第一发光芯片和布置在所述第二腔体中的第二发光芯片。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第一凹进部和所述第二凹进部相对于所述第一腔体和所述第二腔体的至少一个而彼此相对。
4.根据权利要求2或3所述的发光器件，还包括：
第三凹进部，在所述主体的所述第一侧壁下方与所述第一凹进部间隔开；以及
第四凹进部，在所述主体的所述第二侧壁下方与所述第二凹进部间隔开，
其中所述第一凹进部和所述第二凹进部相对于所述第一腔体而彼此相对，以及
所述第三凹进部和所述第四凹进部相对于所述第二腔体而彼此相对。
5.根据权利要求4所述的发光器件，还包括：
第五凹进部，将所述第一凹进部连接至位于所述第一侧壁下方的所述第三凹进部，且具有大于所述第一凹进部或所述第三凹进部的宽度。
6.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述第一凹进部与所述第三凹进部之间的距离大于所述第一腔体的底部与所述第二腔体的底部之间的距离。
7.根据权利要求2或3所述的发光器件，其中所述第一凹进部和所述第二凹进部的至少一个的宽度小于所述第一腔体的底部与所述第二腔体的底部之间的间隔，以及
所述第一凹进部和所述第二凹进部的至少一个的深度小于所述第一腔体的底部与所述第一侧壁之间的距离。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述第一凹进部和所述第二凹进部的至少一个的宽度大于所述第一腔体的底部与所述第二腔体的底部之间的间隔。
9.根据权利要求1到3中任一项所述的发光器件，其中所述第一侧壁和所述第二侧壁相对于所述主体的底部倾斜，以及
当从所述主体的底部测量时，所述第一凹进部和所述第二凹进部的高度小于所述第一引线框和所述第二引线框的厚度。
10.根据权利要求1到3中任一项所述的发光器件，其中所述第一侧壁和所述第二侧壁的每一个具有相对于所述主体的底部倾斜的上部区域和垂直于所述主体的底部的下部区域，以及
所述第一凹进部和所述第二凹进部从所述主体的所述第一侧壁和所述第二侧壁的下部区域凹进。
11.根据权利要求2或3所述的发光器件，其中所述第一侧壁和所述第二侧壁的长度是所述第三侧壁和所述第四侧壁的长度的至少两倍。
12.根据权利要求1到3中任一项所述的发光器件，其中所述第一凹进部和所述第二凹进部的至少一个包括凹部或凸部。
13.根据权利要求2或3所述的发光器件，其中所述第一凹进部对应于所述第一腔体的侧表面而布置，
所述第二凹进部对应于所述第二腔体的侧表面而布置，以及
所述第一凹进部和所述第二凹进部基于所述第一引线框与所述第二引线框之间的间隙部件彼此偏离。
14.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中所述第一凹进部和所述第二凹进部对应于所述第一引线框与所述第二引线框之间的间隙部件而布置。
15.根据权利要求1到3中任一项所述的发光器件，其中所述第一凹进部和所述第二凹进部的至少一个的深度在30μm到100μm的范围内，而其宽度在50μm到500μm的范围内。
16.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述第一凹进部与所述第三凹进部之间的间隔大于所述第一发光芯片与所述第二发光芯片之间的间隙。
17.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述第一凹进部到所述第四凹进部从所述主体的底部开口。
18.根据权利要求1到3中任一项所述的发光器件，还包括：
连接框，布置在所述凹部的底部上且电连接至所述第一发光芯片和所述第二发光芯片。
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