JP6557968B2 - パッケージ、発光装置及びそれらの製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、パッケージ、発光装置及びそれらの製造方法に関するものである。
発光素子を用いた発光装置及びその製造方法として、様々なものが開発されている。例えば特許文献１には、リードフレームに線状突出部が設けられた発光装置及びその製造方法が開示されている。また、例えば特許文献２、３には、凹部の底面を構成するリードフレームの一部を凹ませ、この凹部に発光素子を載置した発光装置及びその製造方法が開示されている。
ところで、発光ダイオード（以下、ＬＥＤ）は、その製造工程の中に、パッケージの成形工程があり、その成形工程を経ることで製造される。中でもＬＥＤの製造工程では、金型でリードフレームを挟み込み、液状の樹脂を注入していく成形方法であるトランスファーモールドが一般的に使用されている。しかしながら、前記したＬＥＤの製造方法では、リードフレームと金型との隙間に樹脂が流れ込んで樹脂バリが発生する。これらの樹脂バリは、ＬＥＤ素子やワイヤのボンディング不良を発生させるので、除去する必要がある。そのため、従来、ＬＥＤの製造方法では、成形工程の次工程にバリ取り工程が必ず行われている。
こうしたＬＥＤの製造工程では、樹脂バリを防ぐ対策として、例えば、成形工程での条件の最適化、金型のクランプ力を増大させる、１枚のリードフレームで成形するＬＥＤ個数を減らす、樹脂の粘度を上げて流れにくくする等が行われている。
また、特許文献１には、表面にめっき層を形成したリードフレームにおいて、金属部を露出させたい部分（ＬＥＤ実装部、ワイヤボンディング部）の境界のめっきを盛り上げて突出させることで、バリの低減が可能であることが開示されている。
特許文献１に記載された金型には、パッケージの凹部に対応する形状の凸部が設けられている。したがって、金型は、リードフレームを挟み込んだときに、金型の凸部が、ＬＥＤ実装部等の境界に盛り上げられためっきからなる線状突出部に当接して押圧することでバリとなる樹脂の流入を防ぐ構成を備えている。
特開２０１４−２９９９５号公報 特開２００４−２７４０２７号公報 特開２００５−３５３９１４号公報
しかしながら、特許文献１に記載の製造方法では、線状突出部の幅が狭いため、リードフレーム上への突出部の形成が難しい。
なお、特許文献２、３に記載された発光装置及びその製造方法は、凹部の底面を構成するリードフレームの一部を凹ませることで、光の指向性の制御を容易にしたり、光取り出し効率を向上させたりしたものである。そのため、バリの発生を防止することに着目したものではない。したがって、特許文献２、３に記載の製造方法では、バリの発生を防止するには不十分である。
本発明に係る実施形態は、バリの発生を抑制することのできるパッケージ、発光装置及びそれらを簡便に製造する方法を提供する。
本開示に係る実施形態のパッケージは、平面視において、第１の領域と、前記第１の領域の外周全体に形成され、幅が１１０μｍ以上であり、前記第１の領域の厚みよりも厚い第２の領域と、前記第２の領域の外周の少なくとも一部に形成され、前記第２の領域の厚みよりも薄い第３の領域と、を持ち、凹部の底面部の一部を構成する第１リード電極と、前記第１リード電極と離間して配置され、前記凹部の底面部の一部を構成する第２リード電極と、前記第１リード電極の一部と、前記第２リード電極の一部と、を固定し、前記凹部の側面部の少なくとも一部を構成する樹脂成形体と、を有する。
また、本開示に係る実施形態の発光装置は、前記パッケージと、前記第１の領域に実装された発光素子と、を備えている。
また、本開示に係る実施形態のパッケージの製造方法は、平面視において、第１の領域と、前記第１の領域の外周全体に形成され、幅が１１０μｍ以上であり、前記第１の領域の厚みよりも厚い第２の領域と、前記第２の領域の外周の少なくとも一部に形成され、前記第２の領域の厚みよりも薄い第３の領域と、を持ち、凹部の底面部の一部を構成する第１リード電極と、第２リード電極と、を準備する工程と、前記第１リード電極と前記第２リード電極と樹脂成形体とにより前記凹部を形成するため、前記凹部の形状に対応した凸部を有する上金型と、下金型とを備える金型を用いて、前記第２の領域を前記上金型に当接させるように前記第１リード電極及び前記第２リード電極を挟み込む工程と、前記第１リード電極と前記第２リード電極を挟み込んだ前記金型に樹脂を注入する工程と、前記注入された樹脂を硬化し前記樹脂成形体を形成する工程と、前記上金型と前記下金型とを取り外す工程と、を有する。
また、本開示に係る実施形態のパッケージの製造方法は、平面視において、第１の領域と、前記第１の領域の外周全体に形成され、幅が１１０μｍ以上であり、前記第１の領域の厚みよりも厚い第２の領域と、前記第２の領域の外周の少なくとも一部に形成され、前記第２の領域の厚みよりも薄い第３の領域と、を持ち、凹部の底面部の一部を構成する第１リード電極と、第４の領域と、前記第４の領域の外周全体に形成され、幅が１１０μｍ以上であり、前記第４の領域の厚みよりも厚い第５の領域と、前記第５の領域の外周の少なくとも一部に形成され、前記第５の領域の厚みよりも薄い第６の領域と、を持ち、凹部の底面部の一部を構成する第２リード電極と、を準備する工程と、前記第１リード電極と前記第２リード電極と樹脂成形体とにより前記凹部を形成するため、前記凹部の形状に対応した凸部を有する上金型と、下金型とを備える金型を用いて、前記第２の領域及び前記第５の領域を前記上金型に当接させるように前記第１リード電極及び前記第２リード電極を挟み込む工程と、前記第１リード電極と前記第２リード電極を挟み込んだ前記金型に樹脂を注入する工程と、前記注入された樹脂を硬化し前記樹脂成形体を形成する工程と、前記上金型と前記下金型とを取り外す工程と、を有する。
また、本開示に係る実施形態の発光装置の製造方法は、前記パッケージの製造方法でパッケージを製造する工程と、前記第１の領域に発光素子を実装する工程と、を有する。
本開示に係る実施形態のパッケージ及び発光装置によれば、バリの発生を抑制することができる。また、本開示に係るパッケージ及び発光装置の製造方法によれば、バリの発生を抑制したパッケージ及び発光装置を簡便に製造することができる。
第１の実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置の全体を示す斜視図である。 第１の実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、図１のＩＩ−ＩＩ矢視方向を示した断面図である。 第１の実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置の上面図である。 図２のＨ部分の拡大断面図である。 第２の実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置の全体を示す斜視図である。 第２の実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、図５のＶＩ−ＶＩ矢視方向を示した断面図である。 第２の実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置の上面図である。 第２の実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、リードフレームの上面図である。 第２の実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、図８のＩＸ−ＩＸ矢視方向を示したリードフレームの断面図である。 第２の実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、図５のＶＩ−ＶＩ線に対応した位置におけるリード電極と金型の配置を模式的に示す断面図である。 第２の実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、上金型と下金型でリード電極を挟持する工程を模式的に示す断面図である。 第２の実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、金型を脱型した後のパッケージの断面図である。 第２の実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、金型を脱型した後のパッケージの上面図である。 第２の実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、発光素子を実装した状態を示す断面図である。 第２の実施形態に係る発光装置の第２の領域の概略を示す図であり、第２の領域をエッチングにより形成した場合の断面図である。 第２の実施形態に係るパッケージにおいて、クランプ前とクランプ後の第２の領域の状態の概略を示す断面図である。 第２の実施形態に係る発光装置において、金属部が形成された第２の領域と封止部材との関係の概略を示す断面図である。 変形例１に係るリード電極の概略を示す図であり、側面突出部が形成されたリード電極の断面図である。 変形例１に係るリード電極の概略を示す図であり、側面突出部が形成されたリード電極の上面図である。 変形例２に係る発光装置において、クランプ前とクランプ後の溝部が形成された第２の領域の状態の概略を示す断面図である。 変形例３に係る発光装置の概略を示す図であり、発光素子を実装するための領域にダイボンド部材を充填した発光装置の断面図である。
＜実施形態＞
実施形態を、以下に図面を参照しながら説明する。但し、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具現化するための発光装置を例示するものであって、以下に限定するものではない。また、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる例示に過ぎない。尚、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。
［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置の全体を示す斜視図である。図２は、第１の実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、図１のＩＩ−ＩＩ矢視方向を示した断面図である。図３は、第１の実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置の上面図である。図４は、図２のＨ部分の拡大断面図である。
発光装置１は、パッケージ９０と、発光素子２と、ワイヤＷと、封止部材４０と、を備えている。
パッケージ９０は、金属板からなる一対のリード電極２０，３０と樹脂成形体１０とを備えている。パッケージ９０は、発光素子２を収容するための凹部１０ａが形成され、凹部１０ａに一対のリード電極２０，３０が露出している。
パッケージ９０は、全体の形状が略直方体であって、上面に発光素子２を収容するためのカップ状の凹部（キャビティ）１０ａが形成されている。このパッケージ９０は、金属板からなる一対のリード電極２０，３０が凹部１０ａの底面部１０ｃにおいて樹脂成形体１０から露出するように、樹脂成形体１０によって一体的に保持されてなる。
樹脂成形体１０は、第１リード電極２０の一部及び第２リード電極３０の一部を固定し、凹部１０ａの側面部１０ｂの少なくとも一部を構成している。また、樹脂成形体１０は、平面視で矩形の対向する２辺により、第１リード電極２０及び第２リード電極３０を挟み込むように形成されている。これにより、樹脂成形体１０は、第１リード電極２０及び第２リード電極３０を凹部１０ａの底面部１０ｃに離間して固定している。
樹脂成形体１０の高さ、長さ、幅は特に限定されず、目的及び用途に応じて適宜選択することができる。樹脂成形体１０の材質としては、例えば熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂を挙げることができる。熱可塑性樹脂の場合、例えば、ポリフタルアミド樹脂、液晶ポリマー、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、不飽和ポリエステルなどを用いることができる。熱硬化性樹脂の場合、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂などを用いることができる。
凹部１０ａは、側面部１０ｂ及び底面部１０ｃを有し、底面部１０ｃに向けて幅狭となる楕円錐台形状を呈する。発光素子２から発光された光は、側面部１０ｂによって反射され、側面部１０ｂの角度を適宜変えることで、光を集中又は拡散させることができる。底面部１０ｃは、第１リード電極２０と、第２リード電極３０と、樹脂成形体１０の一部である間隙部１０ｅとからなる。間隙部１０ｅは、第１リード電極２０と第２リード電極３０が短絡しないように、第１リード電極２０と第２リード電極３０の間に設けられている。
凹部１０ａの側面部１０ｂにおいて光を効率よく反射するために、樹脂成形体１０に光反射部材が含有されていても構わない。光反射部材は、例えば、酸化チタン、ガラスフィラー、シリカ、アルミナ、酸化亜鉛等の白色フィラーなどの光反射率の高い材料である。反射率は可視光の反射率が７０％以上、若しくは８０％以上が好ましい。特に、発光素子の出射する波長域において反射率が７０％以上、若しくは８０％以上が好ましい。酸化チタン等の配合量は５重量％以上、５０重量％以下であればよく、１０重量％〜３０重量％が好ましいが、これに限定されない。
第１リード電極２０は、平面視において樹脂成形体１０の内側及び樹脂成形体１０の下に位置するリード部分をいう。第１リード電極２０の形状は平面視では略矩形であるが、形状はこれに限定されず、一部に切り欠き、凹み、凸部等を設けたものでもよい。
第２リード電極３０は、平面視において樹脂成形体１０の内側及び樹脂成形体１０の下に位置するリード部分をいう。第２リード電極３０の形状は平面視では略矩形であるが、形状はこれに限定されず、一部に切り欠き、凹み、凸部等を設けたものでもよい。
第１リード電極２０と第２リード電極３０は、樹脂成形体１０の間隙部１０ｅにより離間させて配置されており、発光装置として使用される際、アノード電極、カソード電極として使用される。
なお、ここでは、第１リード電極２０は、第２リード電極３０よりも長く形成されているが、第１リード電極２０及び第２リード電極３０の長さ、幅、厚さは特に限定されず、目的及び用途に応じて適宜選択することができる。第１リード電極２０、第２リード電極３０は、例えば、鉄、銅、リン青銅、銅合金等の電気良導体を用いて形成される。また、発光素子２からの光の反射率を高めるため、第１リード電極２０及び第２リード電極３０に、金、銀、銅又はアルミニウム等の金属めっきを施してもよい。
第１リード電極２０は、凹部１０ａの底面部１０ｃの一部を構成する。第１リード電極２０は、平面視において、第１の領域Ｒ１（以下、第１領域Ｒ１という）と、第１領域Ｒ１の厚みよりも厚い第２の領域Ｒ２（以下、第２領域Ｒ２という）と、第２領域Ｒ２の外周の少なくとも一部に形成され、第２領域Ｒ２の厚みよりも薄い第３の領域Ｒ３（以下、第３領域Ｒ３という）と、を持つ。
第１領域Ｒ１は、発光素子２がダイボンディングされる部分である。第２領域Ｒ２は、第１リード電極２０において、発光素子２がダイボンディングされる部分と樹脂成形体１０との境に形成されている。
具体的には、第２領域Ｒ２は、一部が凹部１０ａの側面部１０ｂを構成する樹脂成形体１０の側面に沿って形成され、一部が、第１リード電極２０と第２リード電極３０を接続する間隙部１０ｅに沿って形成されている。
凹部１０ａの側面部１０ｂは、第２領域Ｒ２の外側の角部と連続して繋がっている。すなわち、断面視において、凹部１０ａの側面部１０ｂの下部が、第２領域Ｒ２の外側の角部の位置に接して、第２の領域の上面と凹部１０ａの側面部１０ｂとが連続するように構成されている。
第３領域Ｒ３は、第１領域Ｒ１と同じ厚みで構成されており、樹脂成形体１０が配置されている。
第２リード電極３０は、凹部１０ａの底面部１０ｃの一部を構成する。第２リード電極３０は、上面が平坦であり、一部に樹脂成形体１０が配置されている。
ここでは、第２領域Ｒ２は、発光素子２を実装するための領域を囲むように環状に形成されていることとした。発光素子２を実装するための領域とは、具体的には、第１リード電極２０において凹部１０ａの底面部１０ｃに露出した領域のことである（以下、発光素子の実装領域という）。
第２領域Ｒ２は、金属板の母材自体を加工して形成することができる。本実施形態では、一対のリード電極２０，３０の素材と、第２領域Ｒ２の素材とは同じものであり、第２領域Ｒ２は、一対のリード電極２０，３０と一体に形成されている。
第２領域Ｒ２の幅Ａ１は、１１０μｍ以上である。第２領域Ｒ２の幅Ａ１を１１０μｍ以上とすることで、第２領域Ｒ２を容易に形成することができる。また、第２領域Ｒ２の幅Ａ１が１１０μｍ以上であれば、発光装置１の製造において、金型に樹脂を注入した際に、仮に樹脂が第２領域Ｒ２の上面に侵入しても、第２領域Ｒ２の上面の途中で樹脂が止まり易い。そのため、第１リード電極２０上の金属露出部に樹脂が流れ込みにくくなり、樹脂バリの発生を抑制する効果が高くなる。第２領域Ｒ２の幅Ａ１は、前記の各効果をより得やすくするため、好ましくは１２０μｍ以上、より好ましくは１３０μｍ以上である。
なお、第１リード電極２０上の金属露出部とは、凹部１０ａの底面部１０ｃの第１リード電極２０上において第２領域Ｒ２を除く部分のことである。
また、第２領域Ｒ２の幅Ａ１は、２００μｍ以下であることが好ましい。第２領域Ｒ２の幅Ａ１が２００μｍ以下であれば、発光装置１の製造において、一対のリード電極２０，３０を金型でクランプした際に、第２領域Ｒ２にクランプ力がより集中し易くなる。第２領域Ｒ２の幅Ａ１は、前記の効果をより得やすくするため、より好ましくは１９０μｍ以下、さらに好ましくは１８０μｍ以下である。
なお、第２領域Ｒ２の幅Ａ１は、めっき層の厚みを除いた幅であり、また、後記するように、第２領域Ｒ２が潰れることで形成された金属部１４の厚みは含まない。
第１領域Ｒ１の第１リード電極２０の厚みと、第２領域Ｒ２の第１リード電極２０の厚みとの差（以下、第１の領域と第２の領域との厚みの差という）Ｂ１は、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２との厚みの差Ｂ１が５μｍ以上であれば、後記するように、発光装置１の製造において、一対のリード電極２０，３０を金型でクランプした際に、上金型が第１リード電極２０の金属露出部に接触する恐れがより低減される。一方、第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２との厚みの差Ｂ１が５０μｍ以下であれば、一対のリード電極２０，３０の全体の厚みを薄くすることができる。第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２との厚みの差Ｂ１は、前記の効果をより得やすくするため、より好ましくは１０μｍ以上、さらに好ましくは１５μｍ以上である。また、第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２との厚みの差Ｂ１は、前記の効果をより得やすくするため、より好ましくは４５μｍ以下、さらに好ましくは４０μｍ以下である。
なお、発光装置１における第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２との厚みの差Ｂ１とは、パッケージ９０の製造後の第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２との厚みの差であり、また、めっき層の厚みを除いた厚みの差である。
また、第１リード電極２０、第２リード電極３０の材質や樹脂成形体１０の大きさ等により第２領域Ｒ２の幅、厚さは適宜変更される。
発光素子２は、パッケージ９０の第１リード電極２０の上に実装されている。ここで用いられる発光素子２は形状や大きさ等が特に限定されない。発光素子２の発光色としては、用途に応じて任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色（波長４３０〜４９０ｎｍの光）の発光素子としては、ＧａＮ系やＩｎＧａＮ系を用いることができる。ＩｎＧａＮ系としては、ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、Ｘ＋Ｙ＜１）等を用いることができる。
ワイヤＷは、発光素子２や保護素子等の電子部品と、第１リード電極２０や第２リード電極３０を電気的に接続するための導電性の配線である。ワイヤＷの材質としては、Ａｕ、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ｐｔ（白金）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属、及び、それらの合金を用いたものが挙げられるが、特に、熱伝導率等に優れたＡｕを用いるのが好ましい。なお、ワイヤＷの太さは特に限定されず、目的及び用途に応じて適宜選択することができる。
封止部材４０は、パッケージ９０の凹部１０ａ内に発光素子２等を覆うように設けられている。封止部材４０は、発光素子２等を、外力、埃、水分などから保護すると共に、発光素子２等の耐熱性、耐候性、耐光性を良好なものとするために設けられている。封止部材４０の材質としては、熱硬化性樹脂、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂等の透明な材料を挙げることができる。このような材料に加えて、所定の機能を持たせるために、蛍光体や光反射率が高い物質等のフィラーを含有させることもできる。
封止部材４０は、例えば蛍光体を混合することで、発光装置１の色調調整を容易にすることができる。なお、蛍光体としては、封止部材４０よりも比重が大きく、発光素子２からの光を吸収し、波長変換するものを用いることができる。蛍光体は、封止部材４０よりも比重が大きいと、第１リード電極２０及び第２リード電極３０の側に沈降するので好ましい。具体的には、例えば、ＹＡＧ（Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ）やシリケート等の黄色蛍光体、ＣＡＳＮ（ＣａＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ）やＫＳＦ（Ｋ2ＳｉＦ6：Ｍｎ）等の赤色蛍光体、あるいは、クロロシリケートやＢａＳｉＯ４：Ｅｕ２＋等の緑色蛍光体、を挙げることができる。
封止部材４０に含有させるフィラーとしては、例えば、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＭｇＯ等の光反射率が高い物質を好適に用いることができる。また、所望外の波長をカットする目的で、例えば、有機や無機の着色染料や着色顔料を用いることができる。
［第２の実施形態］
第２の実施形態に係る発光装置１Ａについては、主に、第１の実施形態に係る発光装置１と異なる点について説明する。
図５は、第２の実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置の全体を示す斜視図である。図６は、第２の実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、図５のＶＩ−ＶＩ矢視方向を示した断面図である。図７は、第２の実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置の上面図である。
第２リード電極３０は、平面視において、第４の領域Ｒ４（以下、第４領域Ｒ４という）と、第４領域Ｒ４の外周全体に形成され、第４領域Ｒ４の厚みよりも厚い第５の領域Ｒ５（以下、第５領域Ｒ５という）と、第５領域Ｒ５の外周の少なくとも一部に形成され、第５領域Ｒ５の厚みよりも薄い第６の領域Ｒ６（以下、第６領域Ｒ６という）と、を持つ。
第４領域Ｒ４は、ワイヤボンディングされる部分である。第５領域Ｒ５は、第２リード電極３０において、ワイヤボンディングされる部分と樹脂成形体１０との境に設けられている。
具体的には、第５領域Ｒ５は、一部が凹部１０ａの側面部１０ｂを構成する樹脂成形体１０の側面に沿って形成され、一部が、第１リード電極２０と第２リード電極３０を接続する間隙部１０ｅに沿って形成されている。
凹部１０ａの側面部１０ｂは、第５領域Ｒ５の外側の角部と連続して繋がっている。すなわち、断面視において、凹部１０ａの側面部１０ｂの下部が、第５領域Ｒ５の外側の角部の位置に接して、第５領域Ｒ５の上面と凹部１０ａの側面部１０ｂとが連続するように構成されている。
第６領域Ｒ６は、第４領域Ｒ４と同じ厚みで構成されており、樹脂成形体１０が配置されている。
第５領域Ｒ５の幅Ａ２は、１１０μｍ以上である。第５領域Ｒ５の幅Ａ２を１１０μｍ以上とすることで、第５領域Ｒ５を容易に形成することができる。また、第５領域Ｒ５の幅Ａ２が１１０μｍ以上であれば、発光装置１Ａの製造において、金型に樹脂を注入した際に、仮に樹脂が第５領域Ｒ５に侵入しても、第５領域Ｒ５の上面の途中で樹脂が止まり易い。そのため、第２リード電極３０上の金属露出部に樹脂が流れ込みにくくなり、樹脂バリの発生を抑制する効果が高くなる。第５領域Ｒ５の幅Ａ２は、前記の各効果をより得やすくするため、好ましくは１２０μｍ以上、より好ましくは１３０μｍ以上である。
なお、第２リード電極３０上の金属露出部とは、凹部１０ａの底面部１０ｃの第２リード電極３０上において第５領域Ｒ５を除く部分のことである。
また、第５領域Ｒ５の幅Ａ２は、２００μｍ以下であることが好ましい。第５領域Ｒ５の幅Ａ２が２００μｍ以下であれば、発光装置１Ａの製造において、一対のリード電極２０，３０を金型でクランプした際に、第５領域Ｒ５にクランプ力がより集中し易くなる。第５領域Ｒ５の幅Ａ２は、前記の効果をより得やすくするため、より好ましくは１９０μｍ以下、さらに好ましくは１８０μｍ以下である。
なお、第５領域Ｒ５の幅Ａ２は、めっき層の厚みを除いた幅であり、また、後記するように、第５領域Ｒ５が潰れることで形成された金属部１４の厚みは含まない。
第４領域Ｒ４の第２リード電極３０の厚みと、第５領域Ｒ５の第２リード電極３０の厚みとの差（以下、第４の領域と第５の領域との厚みの差という）Ｂ２は、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。第４領域Ｒ４と第５領域Ｒ５との厚みの差Ｂ２が５μｍ以上であれば、後記するように、発光装置１Ａの製造において、一対のリード電極２０，３０を金型でクランプした際に、上金型が第２リード電極３０の金属露出部に接触する恐れがより低減される。一方、第４領域Ｒ４と第５領域Ｒ５との厚みの差Ｂ２が５０μｍ以下であれば、一対のリード電極２０，３０の全体の厚みを薄くすることができる。第４領域Ｒ４と第５領域Ｒ５との厚みの差Ｂ２は、前記の効果をより得やすくするため、より好ましくは１０μｍ以上、さらに好ましくは１５μｍ以上である。また、第４領域Ｒ４と第５領域Ｒ５との厚みの差Ｂ２は、前記の効果をより得やすくするため、より好ましくは４５μｍ以下、さらに好ましくは４０μｍ以下である。
なお、発光装置１Ａにおける第４領域Ｒ４と第５領域Ｒ５との厚みの差Ｂ２とは、パッケージ９０の製造後の第４領域Ｒ４と第５領域Ｒ５との厚みの差であり、また、めっき層の厚みを除いた厚みの差である。
また、第１リード電極２０、第２リード電極３０の材質や樹脂成形体１０の大きさ等により第５領域Ｒ５の幅、厚さは適宜変更される。
＜発光装置の製造方法＞
次に、本実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。なお、ここでは、第２の実施形態に係る発光装置１Ａの製造方法を例にとって説明する。
図８は、第２の実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、リードフレームの上面図である。図９は、第２の実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、図８のＩＸ−ＩＸ矢視方向を示したリードフレームの断面図である。図１０は、第２の実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、図５のＶＩ−ＶＩ線に対応した位置におけるリード電極と金型の配置を模式的に示す断面図である。図１１は、第２の実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、上金型と下金型でリード電極を挟持する工程を模式的に示す断面図である。図１２は、第２の実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、金型を脱型した後のパッケージの断面図である。図１３は、第２の実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、金型を脱型した後のパッケージの上面図である。図１４は、第２の実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、発光素子を実装した状態を示す断面図である。図１５は、第２の実施形態に係る発光装置の第２の領域の概略を示す図であり、第２の領域をエッチングにより形成した場合の断面図である。図１６は、第２の実施形態に係るパッケージにおいて、クランプ前とクランプ後の第２の領域の状態の概略を示す断面図である。図１７は、第２の実施形態に係る発光装置において、金属部が形成された第２の領域と封止部材との関係の概略を示す断面図である。
ここでは、１個のパッケージを製造する場合について説明する。
本実施形態の発光装置１Ａの製造方法は、一例として下記第１工程から第８工程を有する。
第１工程は、第１リード電極２０及び第２リード電極３０を準備する工程である。
第１リード電極２０及び第２リード電極３０の構成については、前記したとおりであり、図８、図９に示すように、予め、第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５を形成しておく。
第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５は、例えば、エッチングやプレスにより金属板の母材自体を加工することで形成することができる。
第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５をエッチングにより形成する場合は、一対のリード電極２０，３０を所定形状のマスクで覆い、エッチング液に浸けるため、第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５の側面がやや丸みを帯びた形状となる（図１５参照）。一方、第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５をプレスにより形成する場合は、第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５の側面が垂直で、角を有する形状とすることができる（図６参照）。
また、第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５は、クランプする圧力によっては金型でクランプした際に潰れる。そのため、第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５の厚みは、クランプする圧力を考慮して、クランプした際に、第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２との厚みの差Ｂ１及び第４領域Ｒ４と第５領域Ｒ５との厚みの差Ｂ２が５μｍ以上５０μｍ以下となるように設計することが好ましい。
そして、第２工程を行う前に、図１０に示すように、上金型７０及び下金型７１の間に第１リード電極２０及び第２リード電極３０を配置する。第１リード電極２０及び第２リード電極３０は、短絡を防ぐための間隙部１０ｅ（図２参照）の間隔を開けて配置する。なお、上金型７０は、一対のリード電極２０，３０と樹脂成形体１０とにより発光素子２を収容するための凹部１０ａを形成するため、凹部１０ａの形状に対応した凸部７５を有している。
第２工程は、例えばパッケージ製造用金型Ｋを用いて、第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５を上金型７０に当接させるように一対のリード電極２０，３０を挟み込む工程である。ここでは、図１１に示すように、上金型７０と下金型７１で第１リード電極２０及び第２リード電極３０を挟持する。
具体的には、上金型７０の凸部７５に形成された底面部７５ａが、第１リード電極２０の第２領域Ｒ２及び第２リード電極３０の第５領域Ｒ５に当接する。これにより、上金型７０と下金型７１によって空間部８０，８１が形成される。
第２工程では、上金型７０の凸部７５に形成された底面部７５ａが第１リード電極２０の金属露出部及び第２リード電極３０の金属露出部に接触しないような金型のクランプ力で第１リード電極２０及び第２リード電極３０を挟み込む。このとき、第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５は、クランプ圧によってはクランプした際に潰れるが、底面部７５ａは、第１リード電極２０の金属露出部に当接しないので、空間部８２が形成される。同様に、底面部７５ａは、第２リード電極３０の金属露出部に当接しないので、空間部８３が形成される。
第２工程では、製造後の発光装置１Ａにおいて、第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２との厚みの差Ｂ１及び第４領域Ｒ４と第５領域Ｒ５との厚みの差Ｂ２が５μｍ以上５０μｍ以下となるように、クランプすることが好ましい。
第３工程は、一対のリード電極２０，３０を挟み込んだパッケージ製造用金型Ｋに樹脂を注入する工程である。ここでは、上金型７０と下金型７１によって形成された空間部８０，８１に、注入口７７からトランスファーモールドにより樹脂を注入する。この第３工程では、第１リード電極２０及び第２リード電極３０は、上金型７０及び下金型７１によって挟持されているため、樹脂を注入する際に第１リード電極２０及び第２リード電極３０がバタつかず、バリの発生を抑制することができる。なお、一対のリード電極２０，３０には第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５が設けられているため、樹脂は空間部８２，８３に入り込みにくくなっている。
第４工程は、パッケージ製造用金型Ｋに注入された樹脂を硬化して樹脂成形体１０を生成する工程である。ここでは、樹脂として例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を注入した場合、上金型７０及び下金型７１を加熱して樹脂を所定の時間加熱して硬化させる。なお、例えばポリフタルアミド樹脂のような熱可塑性樹脂を注入する場合、射出成形で成形することができる。この場合、熱可塑性樹脂を高温にして溶融させ、低温の金型に入れて冷却により固化させればよい。
第５工程は、上金型７０と下金型７１とを取り外す工程である。ここでは、例えば図１２に示すように上金型７０と下金型７１とを脱型する。これにより、図１２、図１３に示すように、第１リード電極２０及び第２リード電極３０が樹脂成形体１０によって一体的に保持されてなるパッケージが完成する。
なお、前記第４工程にて樹脂を硬化させたとき、金型の注入口７７部分にゲートが成形される。このゲートは、金型を脱型した後で、樹脂成形体１０の外側面１１ａに沿って公知の切削機械で切削される（第５工程）。
なお、図１２、図１３では、ゲートを切削した後のパッケージを図示している。
第６工程は、パッケージ９０に形成された凹部１０ａに発光素子２を実装する工程である。本実施形態において、発光素子２は、上面に一対のｎ電極及びｐ電極が形成された片面電極構造の素子であるものとした。この場合、図１４に示すように、発光素子２は、その裏面が絶縁性のダイボンド部材４５で第１リード電極２０に接合され、上面の一方の電極がワイヤＷによって第１リード電極２０に接続され、上面の他方の電極がワイヤＷによって第２リード電極３０に接続される。
第７工程は、パッケージ９０の凹部１０ａ内に発光素子２を覆うように封止部材４０を充填する工程である。ここでは、図１４に示すように、パッケージ９０の樹脂成形体１０に囲まれた凹部１０ａ内に封止部材４０を塗布し、発光素子２を封止する。このとき、封止部材４０を樹脂成形体１０の凹部１０ａの上面まで滴下する。樹脂成形体１０の凹部１０ａ内に封止部材４０を充填する方法は、例えば、射出、圧縮や押出などを用いることもできる。封止部材４０には、蛍光体を混合させておくことが好ましい。これにより、発光装置の色調節を容易に行うことができる。
第８工程は、凹部１０ａに充填された封止部材４０を硬化する工程である。ここでは、封止部材４０として例えばシリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂を注入した場合、樹脂を所定の時間加熱して硬化させる。
以上の方法により、発光装置１Ａを形成することができる。
前記実施形態では、１個のパッケージを製造する場合にいて図示したが、一対の第１リード電極２０及び第２リード電極３０となる金属板の組が吊りリードによって複数個接続されたリードフレームを用いてもよい。この場合、このリードフレーム上の前記金属板の組のことを、第１リード電極２０及び第２リード電極３０と呼ぶ。
そして、複数個接続されたリードフレームを用いた場合は、前記した第１工程から第８工程に続いて、以下の第９工程を行う。
第９工程は、リードフレームからパッケージ９０を切り離す工程である。ここでは、リードフレームから樹脂成形体１０と一対のリード電極２０，３０とを切断し、パッケージ９０を個片化する。ここで、リードフレームの吊りリードを切断する治具は、例えばリードカッターを用いることができる。
これにより、発光装置１Ａを形成することができる。
なお、前記製造方法では、第２の実施形態に係る発光装置１Ａの製造方法について説明したが、第１の実施形態に係る発光装置１を製造する場合には、第５領域Ｒ５が形成されていない第２リード電極３０を用いる。したがって、第２工程では、上金型７０の凸部７５に形成された底面部７５ａが第２リード電極３０に接触し、空間部８３が形成されない。その他については、発光装置１Ａの製造方法と同様である。
以上説明したように実施形態に係るパッケージの製造に用いるパッケージ製造方法では、図１１及び図１２に示すように上金型７０と下金型７１によって第１リード電極２０及び第２リード電極３０をクランプし、樹脂を注入させるときに、リード電極に第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５が存在しない場合に比べてクランプする面積が減少する。そのため、第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５にクランプ力が集中し、上金型７０及び下金型７１と第１リード電極２０及び第２リード電極３０とが密に密着する。
したがって、樹脂が、空間部８２，８３、すなわち、第１リード電極２０及び第２リード電極３０上の金属露出部へと流れ出しにくくなる。これにより、第２の実施形態に係るパッケージ及び発光装置は、バリの発生を抑制することができる。
このことから、パッケージの成形工程後に従来必要としている、凹部１０ａの底面部１０ｃのバリを除去する工程を不要にすることができる。したがって、実施形態に係るパッケージ及び発光装置の製造方法によれば、バリの発生を抑制することのできるパッケージ及び発光装置を簡便に製造することができる。その結果、コストダウン、リードタイムの短縮につながる。
加えて、リード電極において、従来のように第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５が存在しない場合、金型でリードフレームを挟持した場合、金型による加工の痕跡が生じると共に、金型のクランプ圧と熱により、第１リード電極２０及び第２リード電極３０のめっきの光沢度が変化してしまう。このため、成形前に、第１リード電極２０及び第２リード電極３０のめっきの光沢度を上げていたとしても、成形後には光沢度が下がり、ＬＥＤの光束が低下し、出力も下がってしまう。
しかしながら、第２の実施形態に係る第１リード電極２０及び第２リード電極３０には第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５が存在するので、上金型７０の凸部７５に形成された底面部７５ａと、第１リード電極２０及び第２リード電極３０の金属露出部との接触がなくなる。そのため、第１リード電極２０及び第２リード電極３０のめっきの光沢度を低下させずに成形することができる。これにより、従来のＬＥＤの出力が低下する問題を解消することができる。
また、第１リード電極２０及び第２リード電極３０には第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５が存在するので、金型によってクランプする面積が従来よりも小さく、第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５にクランプ圧が集中するため、１枚のリードフレームから製造できるＬＥＤの取り個数を増やすこともできる。
また、第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５のみにクランプ圧が集中するため、パッケージ製造用金型Ｋ自体のクランプ圧を従来の金型に比べて例えば半分ほどの値に低減することができる。その結果、金型装置の寿命が長くなる効果もある。
また、第１リード電極２０及び第２リード電極３０には第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５が形成されているので、封止部材４０との接触面積が増加し、封止部材４０との密着性が向上する。また、図１６に示すように、第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５は、クランプの際に潰れることで、第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５の金属の一部が横方向にはみ出て金属部１４が形成される。図１７に示すように、この金属部１４の下部に封止部材４０が入り込むことで、封止部材４０が上方へ抜けることが防止される。なお、第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５が環状となっていることも封止部材４０の抜けの防止に寄与する。
さらに、パッケージ９０は、凹部１０ａに露出した第１リード電極２０及び第２リード電極３０の金属露出部のめっきの光沢度を低下させずに成形されるので、発光装置の光束の低下を抑制し、出力低下を防止することができる。
また、第１リード電極２０及び第２リード電極３０には第２領域Ｒ２が存在するので、発光素子２を実装する際のダイボンド部材４５の流れだし（ブリード）を抑制することができる。特に複数の発光素子２を実装する場合は横方向へのダイボンド部材４５の流れだしが問題となる。しかしながら、第２領域Ｒ２の幅Ａ１が１１０μｍ以上であれば、ダイボンド部材４５が第２領域Ｒ２を超えて流れにくくなる。
なお、前記した第２実施形態に係る発光装置１Ａについての効果は、第１実施形態に係る発光装置１においても、発光装置１Ａが第５領域Ｒ５を有することの効果以外について、同様に得ることができる。
＜実施例１＞
以下に、本発明の実施例を説明する。図６に示すような、第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５において、幅を１５０μｍ、高さを２５μｍとした第１リード電極２０及び第２リード電極３０を用いてトランスファーモールド機を使用して成形を行った。
第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５がない従来の形状のリード電極を使用したときに樹脂バリが発生した従来のクランプ圧条件及び注入圧条件にて成形を行いバリの発生の確認を行った。
その結果、第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５がある第１リード電極２０及び第２リード電極３０では、第１リード電極２０及び第２リード電極３０の双方の金属露出部へのバリの発生がないことが確認できた。
また、上金型７０の凸部７５に形成された底面部７５ａが、パッケージ９０の凹部１０ａに露出した第２リード電極３０の金属露出部に接触しなかったことを確認できた。この金属露出部は第５領域Ｒ５を除く第２リード電極３０の中央部分のことである。
また、上金型７０の凸部７５に形成された底面部７５ａが、パッケージ９０の凹部１０ａに露出した第１リード電極２０の金属露出部に接触しなかったことを確認できた。この金属露出部は第２領域Ｒ２を除く第１リード電極２０の中央部分のことである。
なお、第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５がある第１リード電極２０及び第２リード電極３０は、第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５の形成を容易に行うことができた。
＜変形例＞
次に、本実施形態に係る発光装置の変形例について説明する。
［変形例１］
図１８は、変形例１に係るリード電極の概略を示す図であり、側面突出部が形成されたリード電極の断面図である。図１９は、変形例１に係るリード電極の概略を示す図であり、側面突出部が形成されたリード電極の上面図である。
図１８、図１９に示すように、第１リード電極２０及び第２リード電極３０は、互いに相対する側のそれぞれの側面において、側面の高さ方向の中央に、側面の幅方向に沿って形成された突出部である側面突出部８，９を備えてもよい。すなわち、第１リード電極２０及び第２リード電極３０は、これらの一対のリード電極２０，３０が樹脂成形体１０により接続される部位において、それぞれ水平方向に突出した側面突出部８，９を有している。
第１リード電極２０の側面突出部８は、断面視で、高さ方向に中央に、所定の厚みで形成されている。また、第１リード電極２０の側面突出部８は、上面視で、第１リード電極２０の幅方向、すなわち第１リード電極２０と第２リード電極３０とを接続する間隙部１０ｅの長手方向と並行方向に、第１リード電極２０の幅方向の全てに形成されている。
第２リード電極の側面突出部９は、断面視で、高さ方向に中央に、所定の厚みで形成されている。また、第２リード電極３０の側面突出部９は、上面視で、第２リード電極３０の幅方向、すなわち第１リード電極２０と第２リード電極３０とを接続する間隙部１０ｅの長手方向と並行方向に、第２リード電極３０の幅方向の全てに形成されている。
側面突出部８，９は、第１リード電極２０及び第２リード電極３０において、例えば、エッチングやプレスにより金属板の母材自体を加工することで形成することができる。
パッケージ９０は、側面突出部８，９を有することで、第１リード電極２０及び第２リード電極３０と樹脂成形体１０との密着性が向上し、第１リード電極２０と第２リード電極３０とがより強固に固着する。なお、側面突出部８，９の厚さ及び長さは、特に規定されるものではなく、適宜調整すればよい。
［変形例２］
図２０は、変形例２に係る発光装置において、クランプ前とクランプ後の溝部が形成された第２の領域の状態の概略を示す断面図である。
発光装置は、第２領域Ｒ２の先端に、第２領域Ｒ２の長手方向（図２０の紙面に垂直な方向であり、凹部１０ａの底面部１０ｃの周縁に沿って延びる方向）に沿って形成された溝部１５を有し、第５領域Ｒ５の先端に、第５領域Ｒ５の長手方向に沿って形成された溝部１５を有する構成としてもよい。
第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５には、上面の幅方向の中央に、第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５の長手方向に沿って形成された所定深さ及び形状の溝部１５が形成されている。この溝部１５には、第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５が潰れるようなクランプ力でクランプした場合には、第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５が潰れることで横方向にはみ出た金属が埋設されている。
このような発光装置の製造方法では、まず、一対のリード電極２０，３０を準備する工程で、第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５の先端に溝部１５を形成する。そして、一対のリード電極２０，３０をクランプした際に、クランプ圧によっては第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５が潰れ、第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５の金属の一部が横方向にはみ出る。これにより、溝部１５に前記のはみ出た金属が埋設され、第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５の外側に金属部１４が生じることが防止される。したがって、製造されたパッケージには、第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５に金属が埋設された溝部１５が残るものの、第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５が金属部１４を有するものとならない。
よって、発光装置において、第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５の形状を保ちたい場合には、第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５の先端に溝部１５を有する構成とすることが好ましい。
溝部１５の深さ、形状、及び形成される位置等は限定されるものではなく、適宜調整すればよい。
［変形例３］
図２１は、変形例３に係る発光装置の概略を示す図であり、発光素子を実装するための領域にダイボンド部材を充填した発光装置の断面図である。
発光装置は、封止部材４０が第１蛍光体を含有し、発光素子２の実装領域に第１蛍光体の発光波長と異なる発光波長の第２蛍光体を含有した樹脂が充填された構成としてもよい。
例えば、第１蛍光体として緑色の光を発光する蛍光体を封止部材４０に混ぜ合わせ、第２蛍光体として赤色の光を発光する蛍光体をダイボンド部材４５に混ぜ合わせる。そして、第２蛍光体を含有したダイボンド部材４５を発光素子２の実装領域（第１リード電極２０の金属露出部）に充填して発光素子２を実装した後、第１蛍光体を含有した封止部材４０をパッケージ９０の凹部１０ａに充填して発光装置とする。これにより、発光装置を鮮やかな白色光源とすることができる。なお、図２１に示すように、第２リード電極３０の金属露出部にも蛍光体含有したダイボンド部材４５を充填してもよい。
第１蛍光体、第２蛍光体の種類及び組み合わせは、所望に応じて適宜、選択すればよい。
［その他の変形例］
また、第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５の金属露出面側の側面は、断面視で下部から上部へ向けて外側に傾斜させてもよい。このような構成によれば、光取り出し効率が向上する。
パッケージ９０の凹部１０ａは、傾斜を設けず楕円筒形状を呈するように形成してもよい。また、凹部１０ａの側面部１０ｂは、必ずしも平坦である必要はなく、側面部１０ｂを凸凹に成形することにより、樹脂成形体１０と封止部材４０との界面の密着性を向上させるように成形してもよい。また、凹部１０ａは、本実施形態においては平面視楕円形に成形したが、円形を呈するように成形してもよい。また、樹脂成形体１０は、本実施形態においては長方形に成形したが、平面視円形、楕円形、他の多角形状としてもよい。
リード電極は、本実施形態のように、少なくとも正負一対の電極（第１リード電極２０及び第２リード電極３０）が一組あればよいが、３つ以上のリード電極を設けてもよい。
発光素子２は、第１リード電極２０の代わりに第２リード電極３０の上に実装することもできる。発光装置が例えば２個の発光素子２を備える場合、第１リード電極２０及び第２リード電極３０の上にそれぞれ発光素子２を実装することもできる。発光素子を実装していないインナーリード部に、保護素子を実装してもよい。例えば、第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５の幅を１１０μｍ以上とすることで、第１リード電極２０の第２領域Ｒ２上又は第２リード電極３０の第５領域Ｒ５上に保護素子を実装することができる。
発光素子２は、例えば、ｎ電極（又はｐ電極）が素子基板の裏面に形成された対向電極構造（両面電極構造）の素子であってもよい。また、発光素子２は、フェイスアップ型に限らず、フェイスダウン型でもよい。フェイスダウン型の発光素子を用いるとワイヤを不要とすることができる。
発光装置の製造方法では、一対の第１リード電極２０及び第２リード電極３０となる金属板の組が吊りリードによって複数個接続されたリードフレームを用いた場合、予め発光素子２をパッケージ９０に実装した後に個片化して製造したが、個片化されたパッケージ９０に発光素子２を実装するようにしてもよい。
ワイヤＷを接続する位置は第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５の上面としてもよい。ワイヤＷを張る場合、発光素子２の上面とワイヤＷを張る位置との高低差が少ない方が、すなわち、ワイヤＷを張る位置が高い方がワイヤＷを張り易い。なお、第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５の幅が１１０μｍ以上であるので、ワイヤＷを第２領域Ｒ２及び第５領域Ｒ５の上面に接続する場合にワイヤＷを接続し易くなる。
本発明に係る実施形態の発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置などに利用することができる。
１，１Ａ 発光装置
２ 発光素子
８，９ 側面突出部
１０ 樹脂成形体
１０ａ 凹部
１０ｂ 側面部
１０ｃ 底面部
１０ｅ 間隙部
１１ａ 外側面
１４ 金属部
１５ 溝部
２０ 第１リード電極
３０ 第２リード電極
４０ 封止部材
４５ ダイボンド部材
７０ 上金型
７１ 下金型
７５ 凸部
７５ａ 底面部
７７ 注入口
８０，８１，８２，８３ 空間部
９０ パッケージ
Ｊ 樹脂
Ｋ パッケージ製造用金型
Ｒ１ 第１領域
Ｒ２ 第２領域
Ｒ３ 第３領域
Ｒ４ 第４領域
Ｒ５ 第５領域
Ｒ６ 第６領域
Ｗ ワイヤ

Claims (18)

  1. 平面視において、第１の領域と、前記第１の領域の外周全体に形成され、幅が１１０μｍ以上であり、前記第１の領域の厚みよりも厚い第２の領域と、前記第２の領域の外周の少なくとも一部に形成され、前記第２の領域の厚みよりも薄い第３の領域と、を持ち、凹部の底面部の一部を構成する第１リード電極と、
    前記第１リード電極と離間して配置され、前記凹部の底面部の一部を構成する第２リード電極と、
    前記第１リード電極の一部と、前記第２リード電極の一部と、を固定し、前記凹部の側面部の少なくとも一部を構成する樹脂成形体と、
    を有し、
    前記凹部の側面部は、前記第２の領域の上面と連続して繋がっており、
    前記第２リード電極は、平面視において、第４の領域と、前記第４の領域の外周全体に形成され、幅が１１０μｍ以上であり、前記第４の領域の厚みよりも厚い第５の領域と、前記第５の領域の外周の少なくとも一部に形成され、前記第５の領域の厚みよりも薄い第６の領域と、を持つパッケージ。
  2. 前記第１の領域と前記第３の領域は、前記第１リード電極の厚みが同じである請求項１に記載のパッケージ。
  3. 前記凹部の側面部は、前記第２の領域の外側の角部と連続して繋がっている請求項１又は請求項２に記載のパッケージ。
  4. 前記第１の領域の幅が２００μｍ以下である請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のパッケージ。
  5. 前記第１の領域の前記第１リード電極の厚みと、前記第２の領域の前記第１リード電極の厚みとの差が５μｍ以上５０μｍ以下である請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のパッケージ。
  6. 前記凹部の側面部は、前記第５の領域の上面と連続して繋がっている請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のパッケージ。
  7. 前記凹部の側面部は、前記第５の領域の外側の角部と連続して繋がっている請求項６に記載のパッケージ。
  8. 請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のパッケージと、前記第１の領域に実装された発光素子と、を備えている発光装置。
  9. 前記凹部内に前記発光素子を覆うように設けた封止部材を有する請求項８に記載の発光装置。
  10. 前記封止部材は、蛍光体を含有している請求項９に記載の発光装置。
  11. 平面視において、第１の領域と、前記第１の領域の外周全体に形成され、幅が１１０μｍ以上であり、前記第１の領域の厚みよりも厚い第２の領域と、前記第２の領域の外周の少なくとも一部に形成され、前記第２の領域の厚みよりも薄い第３の領域と、を持ち、凹部の底面部の一部を構成する第１リード電極と、第４の領域と、前記第４の領域の外周全体に形成され、幅が１１０μｍ以上であり、前記第４の領域の厚みよりも厚い第５の領域と、前記第５の領域の外周の少なくとも一部に形成され、前記第５の領域の厚みよりも薄い第６の領域と、を持ち、凹部の底面部の一部を構成する第２リード電極と、を準備する工程と、
    前記第１リード電極と前記第２リード電極と樹脂成形体とにより前記凹部を形成するため、前記凹部の形状に対応し、前記凹部の側面部が、前記第２の領域の上面と連続して繋がるような凸部を有する上金型と、下金型とを備える金型を用いて、前記第２の領域及び前記第５の領域を前記上金型に当接させるように前記第１リード電極及び前記第２リード電極を挟み込む工程と、
    前記第１リード電極と前記第２リード電極を挟み込んだ前記金型に樹脂を注入する工程と、
    前記注入された樹脂を硬化し前記樹脂成形体を形成する工程と、
    前記上金型と前記下金型とを取り外す工程と、
    を有するパッケージの製造方法。
  12. 前記上金型は、前記凹部の側面部が、前記第２の領域の外側の角部と連続して繋がるような凸部を有する請求項１１に記載のパッケージの製造方法。
  13. 前記上金型は、前記凹部の側面部が、前記第５の領域の上面と連続して繋がるような凸部を有する請求項１１又は請求項１２に記載のパッケージの製造方法。
  14. 前記上金型は、前記凹部の側面部が、前記第５の領域の外側の角部と連続して繋がるような凸部を有する請求項１３に記載のパッケージの製造方法。
  15. 前記上金型と前記下金型とによって前記第１リード電極及び前記第２リード電極を挟み込む工程は、前記上金型の凸部の表面が前記第１の領域の上面に接触しないような金型のクランプ力で前記第１リード電極及び前記第２リード電極を挟み込む請求項１１から請求項１４のいずれか一項に記載のパッケージの製造方法。
  16. 前記上金型と前記下金型とによって挟み込む前記第１リード電極及び前記第２リード電極は、前記第１リード電極及び前記第２リード電極を一対のリード電極として、複数の前記一対のリード電極が接続されたリードフレームに一体的に設けられたものであり、
    前記リードフレームから前記パッケージを切り離す工程を有する請求項１１から請求項１５のいずれか一項に記載のパッケージの製造方法。
  17. 請求項１１から請求項１６のいずれか一項に記載のパッケージの製造方法でパッケージを製造する工程と、
    前記第１の領域に発光素子を実装する工程と、を有する発光装置の製造方法。
  18. さらに、前記凹部内に前記発光素子を覆うように封止部材を充填する工程と、を有する請求項１７に記載の発光装置の製造方法。
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JP6780710B2 (ja) * 2016-12-28 2020-11-04 株式会社村田製作所 回路モジュール
WO2021251147A1 (ja) * 2020-06-09 2021-12-16 ローム株式会社 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
GB202009972D0 (en) * 2020-06-30 2020-08-12 Ams Sensors Singapore Pte Ltd Method for use in manufacturing an optical emitter arrangement

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3910171B2 (ja) 2003-02-18 2007-04-25 シャープ株式会社 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置
JP4359195B2 (ja) 2004-06-11 2009-11-04 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
JP2008131012A (ja) 2006-11-24 2008-06-05 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 発光素子収納用パッケージ
JP5004601B2 (ja) * 2007-01-22 2012-08-22 パナソニック株式会社 パッケージ部品の製造方法および半導体装置の製造方法
JP5206598B2 (ja) * 2009-06-22 2013-06-12 豊田合成株式会社 Ｌｅｄパッケージ
WO2011136356A1 (ja) * 2010-04-30 2011-11-03 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
JP5743184B2 (ja) * 2011-01-12 2015-07-01 大日本印刷株式会社 半導体装置およびその製造方法ならびに照明装置
TWM407494U (en) * 2011-02-25 2011-07-11 Unity Opto Technology Co Ltd LED package structure
JP2013062393A (ja) * 2011-09-14 2013-04-04 Sharp Corp 発光装置
KR101957884B1 (ko) 2012-05-14 2019-03-13 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 조명 장치
JP5632047B2 (ja) * 2012-06-27 2014-11-26 大日本印刷株式会社 リードフレームおよびその製造方法、樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにｌｅｄパッケージおよびその製造方法
JP6264634B2 (ja) 2013-08-21 2018-01-24 大日本印刷株式会社 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにｌｅｄパッケージおよびその製造方法

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