KR102075561B1 - 발광 소자, 발광 모듈 및 조명 시스템 - Google Patents

발광 소자, 발광 모듈 및 조명 시스템 Download PDF

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Abstract

실시 예에 따른 발광 소자는, 제1캐비티를 갖는 몸체; 상기 제1캐비티의 제1영역 아래에 제2캐비티를 갖는 제1리드 프레임; 상기 제1캐비티의 제2영역 아래에 제3캐비티 및 상기 제1캐비티의 제3영역 아래에 제4캐비티를 갖는 제2리드 프레임; 상기 제1리드 프레임의 제2캐비티 상에 배치된 제1발광 칩; 상기 제2리드 프레임의 제3캐비티 상에 배치된 제2발광 칩; 상기 제2리드 프레임의 제4캐비티 상에 배치된 보호 칩; 상기 제1캐비티의 제1영역과 제3영역 사이에 배치된 제1차단 벽; 상기 제1캐비티의 제2영역과 제3영역 사이에 배치된 제2차단 벽; 상기 제1리드 프레임과 상기 제2리드 프레임 사이에 배치된 간극부; 상기 제1 및 제2차단 벽 사이에 배치되고 상기 보호 칩을 덮는 반사 부재; 및 상기 제1캐비티의 제1 및 제2영역 내에 배치된 몰딩 부재를 포함한다.

Description

발광 소자, 발광 모듈 및 조명 시스템{LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHTR EMITTING MODULE AND LIGHTING SYSTEM}
실시 예는 발광 소자, 발광 모듈 및 이를 구비한 조명 시스템에 관한 것이다.
정보처리 기술이 발달함에 따라서, LCD, PDP 및 AMOLED 등과 같은 표시장치들이 널리 사용되고 있다. 이러한 표시장치들 중 LCD는 영상을 표시하기 위해서, 광을 발생시킬 수 있는 백라이트 유닛을 필요로 한다.
발광 다이오드(LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광 다이오드는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. 발광 다이오드는 실내 및 실외에서 사용되는 각종 램프, 표시장치의 광원, 전광판, 가로등과 같은 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가되고 있는 추세이다.
실시 예는 보호 칩에 의한 광 손실을 줄일 수 있는 발광 소자를 제공한다.
실시 예는 복수의 발광 칩 및 보호 칩이 몸체의 제1캐비티 바닥보다 낮은 리드 프레임의 캐비티들 내에 배치될 수 있도록 한 발광 소자를 제공한다.
실시 예는 복수의 발광 칩을 덮는 몰딩 부재 아래에 보호 칩을 덮는 반사 부재가 배치된 발광 소자를 제공한다.
실시 예는 제1캐비티 내에 제 1 및 제2발광 칩을 배치된 제2 및 제3캐비티를 구비하고, 상기 제2 및 제3캐비티 사이에 보호 칩이 배치된 제4캐비티를 구비한 발광 소자를 제공한다.
실시 예에 따른 발광 소자는, 제1캐비티를 갖는 몸체; 상기 제1캐비티의 제1영역 아래에 제2캐비티를 갖는 제1리드 프레임; 상기 제1캐비티의 제2영역 아래에 제3캐비티 및 상기 제1캐비티의 제3영역 아래에 제4캐비티를 갖는 제2리드 프레임; 상기 제1리드 프레임의 제2캐비티 상에 배치된 제1발광 칩; 상기 제2리드 프레임의 제3캐비티 상에 배치된 제2발광 칩; 상기 제2리드 프레임의 제4캐비티 상에 배치된 보호 칩; 상기 제1캐비티의 제1영역과 제3영역 사이에 배치된 제1차단 벽; 상기 제1캐비티의 제2영역과 제3영역 사이에 배치된 제2차단 벽; 상기 제1리드 프레임과 상기 제2리드 프레임 사이에 배치된 간극부; 상기 제1 및 제2차단 벽 사이에 배치되고 상기 보호 칩을 덮는 반사 부재; 및 상기 제1캐비티의 제1 및 제2영역 내에 배치된 몰딩 부재를 포함한다.
실시 예는 발광소자의 제1캐비티 아래에 배치된 발광 칩들을 보호할 수 있다.
실시 예는 발광소자의 제1캐비티 내에서 보호 칩에 의한 광 손실을 줄일 수 있다.
실시 예는 복수의 발광 칩을 갖는 발광 소자의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예는 발광 소자를 갖는 발광 모듈 및 이를 구비한 조명 시스템의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
도 1은 제1실시 예에 따른 발광소자의 평면도이다.
도 2는 도 1의 발광 소자에서 리드 프레임들의 투시도를 나타낸 도면이다.
도 3은 도 1의 발광 소자의 부분 확대도이다.
도 4는 도 1의 발광소자의 A-A측 단면도이다.
도 5는 도 1의 발광소자의 B-B측 단면도이다.
도 6은 도 1의 발광소자의 C-C측 단면도이다.
도 7은 제2실시 예에 따른 발광소자의 평면도이다.
도 8은 도 7의 발광소자의 측 단면도이다.
도 9는 제3실시 예에 따른 발광소자의 평면도이다.
도 10은 도 9의 발광소자의 D-D측 단면도이다.
도 11은 도 9의 발광소자의 E-E측 단면도이다.
도 12는 도 9의 발광소자의 G-G측 단면도이다.
도 13은 도 9의 발광소자의 F-F측 단면도이다.
도 14는 실시 예에 따른 발광 소자의 발광 칩의 예를 나타낸 도면이다.
도 15는 실시 예에 따른 발광 칩의 다른 발광 칩을 나타낸 도면이다.
도 16은 실시 예에 따른 발광소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 17는 실시 예에 따른 발광소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 18은 실시 예에 따른 발광소자를 갖는 조명 장치를 나타낸 도면이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상/위(on)"에 또는 "아래/하(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"과 "아래/하(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
<제1실시 예>
도 1은 제1실시 예에 따른 발광소자의 평면도이며, 도 2는 도 1의 발광 소자에서 리드 프레임들의 투시도를 나타낸 도면이고, 도 3은 도 1의 발광 소자의 부분 확대도이며, 도 4는 도 1의 발광소자의 A-A측 단면도이며, 도 5는 도 1의 발광소자의 B-B측 단면도이고, 도 6은 도 1의 발광소자의 C-C측 단면도이다.
도 1 내지 도 6을 참조하면, 발광 소자(10)는 제1캐비티(13)를 갖는 몸체(11), 복수의 리드 프레임(21,31), 차단 벽(43,45), 복수의 발광 칩(71,73), 보호 칩(75), 반사 부재(51) 및 몰딩 부재(55)를 포함한다.
상기 몸체(11)는 절연 재질 예컨대, 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl) 계열의 재질, LCP(Liquid Crystal Polymer) 계열의 재질, PA9T(Polyamide9T)와 같은 수지 재질, 실리콘, 에폭시 몰딩 재질(EMC: Epoxy molding compounds), 금속을 포함하는 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 몸체(11)는 반사율이 높고 상기 리드 프레임과의 사출 성형이 용이한 수지 재질 예컨대, PPA, 에폭시 및 실리콘 중 적어도 하나를 포함하는 것으로 설명하기로 한다.
상기 몸체(11)의 상측에는 캐쏘드 마크(cathode mark)가 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 캐쏘드 마크는 상기 각 발광 소자(100)의 극성의 방향에 대한 혼동을 방지할 수 있다.
상기 몸체(11)는 복수의 발광 칩(71,73)의 중심을 지나는 방향을 길이 방향(X축 방향)이라 하고, 상기 길이 방향에 수직인 방향을 너비 방향(Y축 방향)으로 정의할 수 있다. 상기 몸체(11)는 길이가 너비보다 적어도 2배 이상 긴 길이로 형성될 수 있으며, 예컨대 3배 이상 긴 길이로 형성될 수 있다. 상기 몸체(11)의 길이는 제3측면(3)과 제4측면(4) 사이의 거리이며, 그 너비는 제1측면(1)과 제2측면(2) 사이의 거리가 될 수 있다. 상기 제1 및 제2측면(1,2)은 상기 제3 및 제4측면(3,4)에 비해 2배 또는 3배 이상의 길이를 갖는 장 측면이 될 수 있다.
상기 몸체(11) 내에는 제1캐비티(13)가 형성되며, 상기 제1캐비티(13)는 상부가 개방된 오목한 홈 형상 또는 리세스 형상을 포함한다. 상기 제1캐비티(13)의 탑뷰 형상은, 원 형상, 타원 형상, 다각형 형상 등으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1캐비티(13)의 둘레는 상기 제1캐비티(13)의 바닥에 대해 경사지거나, 수직하게 배치될 수 있으며, 예컨대 광 반사를 위해 경사진 측면으로 형성될 수 있다. 상기 제1캐비티(13) 내에는 제1차단벽(43) 및 제2차단 벽(45)이 배치될 수 있으며, 상기 제1 및 제2차단 벽(43,45)은 상기 제1캐비티(13)의 경사진 측면과 연결된다.
상기 몸체(11)의 제1캐비티(13)의 바닥에는 제1리드 프레임(21)과 제2리드 프레임(31)이 서로 분리되어 배치되며, 상기 제1리드 프레임(21)과 상기 제2리드 프레임(31) 사이는 간극부(41)가 배치될 수 있다. 상기 간극부(41)는 상기 제1 및 제2차단 벽(43,45)과 연결될 수 있으며, 몸체(11)의 재질로 형성된다. 상기 몸체(11)는 절연 재질이며, 상기 간극부(41) 및 상기 제1 및 제2차단 벽(43,45)과 동일한 재질로 형성될 수 있다.
상기 제1리드 프레임(21)은 상기 제1캐비티(13)의 영역 중 제1영역 아래에 배치되고, 상기 제2리드 프레임(31)은 상기 제1캐비티(13)의 영역 중 제2영역 아래에 배치되며, 상기 제1 및 제2영역 사이의 영역은 제3영역이 될 수 있다. 상기 제1영역은 상기 제1차단 벽(43)과 상기 몸체(11)의 제3측면(3) 사이의 영역일 수 있으며, 상기 제2영역은 상기 제2차단 벽(45)과 몸체(11)의 제4측면(4) 사이의 영역일 수 있으며, 상기 제3영역은 상기 제1차단 벽(43)과 상기 제2차단 벽(45) 사이의 영역이 될 수 있다.
상기 제1리드 프레임(21)은 상기 몸체(11)에 결합되며 상기 제1캐비티(13)의 바닥에 배치된 제1지지부(22)와, 상기 제1지지부(22)로부터 상기 제1캐비티(13)의 제1영역의 바닥에 배치된 제2캐비티(23)와, 상기 제1지지부(22)로부터 절곡되고 상기 몸체(11)의 제3측면(3)으로 돌출된 제1리드 부(24)와, 상기 제1지지부(22)로부터 상기 몸체(11)의 제4측면(4) 방향으로 돌출된 제1본딩부(25)를 포함한다. 상기 제1본딩부(25)는 상기 제1캐비티(13)의 바닥 영역 중에서 제2 및 제3영역의 바닥으로 연장된다.
상기 제2리드 프레임(31)은 상기 몸체(11)에 결합되며 상기 제1캐비티(13)의 바닥에 배치된 제2지지부(32)와, 상기 제2지지부(32)로부터 상기 제1캐비티(13)의 제2영역의 바닥에 배치된 제3캐비티(33)와, 상기 제2지지부(32)로부터 절곡되고 상기 제4측면(4)으로 돌출된 제2리드부(34)와, 상기 제2지지부(32)로부터 상기 몸체(11)의 제3측면(3) 방향으로 돌출된 제2본딩부(35)를 포함한다. 상기 제2본딩부(35)는 상기 제1캐비티(13)의 중에서 제1영역 및 제3영역의 바닥으로 연장된다.
상기 제2캐비티(23)는 상기 제1캐비티(13)의 바닥 중 제1영역에 배치되고, 상기 제3캐비티(33)는 상기 제1캐비티(13)의 바닥 중 제2영역에 배치된다. 상기 제2캐비티(23) 내에는 제1발광 칩(71)이 배치되고, 상기 제3캐비티(33) 내에는 제2발광 칩(72)이 배치된다. 상기 제2 및 제3캐비티(23,33) 각각의 탑뷰 형상은 다각형 형상, 타원형 형상, 원 형상, 모서리가 곡면인 다각형 형상 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2캐비티(23)의 바닥 및 측면은 상기 제1리드 프레임(21)의 절곡으로 형성될 수 있으며, 상기 제3캐비티(33)의 바닥 및 측면은 상기 제2리드 프레임(31)의 절곡으로 형성될 수 있다. 상기 제2캐비티(23) 및 상기 제3캐비티(33)의 측면들은 경사지게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 제1본딩부(25)는 상기 제1지지부(22)로부터 상기 제3캐비티(33)에 인접한 방향으로 돌출되며, 상기 제3영역과 상기 제2영역의 바닥에 배치된다. 상기 제1본딩부(25)의 길이(D2)는 상기 제1지지부(22)로부터 소정 길이로 연장되며, 예컨대 상기 제1 및 제2차단 벽(43,45) 사이의 간격(D6) 보다 긴 길이로 돌출된다. 상기 제2본딩부(35)의 길이(D3)는 상기 제2지지부(32)로부터 소정 길이로 연장되며, 예컨대 상기 제1 및 제2차단 벽(43,45) 사이의 간격(D6)보다 긴 길이로 돌출된다.
상기 제1본딩부(25) 또는 상기 제2본딩부(35)의 길이(D2,D3)는 제1발광 칩(71)과 제2본딩 영역(36)에 연결된 와이어(82) 또는 제2발광 칩(73)과 제1본딩 영역(26)에 연결된 와이어(84)의 직선 길이(E1,E2)보다 긴 길이로 형성될 수 있다. 상기 제1본딩부(25)는 도 1의 발광 소자(10)의 센터 라인(C-C)를 넘어 제3캐비티(33)에 인접한 영역까지 연장된 길이(D2)를 갖고, 상기 제2본딩부(35)는 도 1의 발광 소자(10)의 센터 라인(C-C)를 넘어 제2캐비티(23)에 인접한 영역까지 연장된 길이(D3)를 갖고 있다. 이에 따라 발광 소자(10)의 센터 영역은 상기 제1 및 제2본딩부(25,35)가 교차되어 배치됨으로써, 강성을 보강할 수 있다.
상기 제1본딩부(25)는 상기 제2본딩부(35)와 대응되며, 그 너비(B1)는 상기 제2본딩부(35)의 너비(C1)보다 좁은 너비로 형성된다. 상기 제1본딩부(25)는 상기 제2리드 프레임(31)의 제3캐비티(33)에 인접한 제1 본딩영역(26)을 구비하며, 상기 제2본딩부(35)는 상기 제1리드 프레임(21)의 제2캐비티(23)에 인접한 제2 본딩영역(36)을 포함한다. 상기 제1본딩 영역(26)은 상기 제3캐비티(33)와 상기 제2차단 벽(45) 사이에 배치되며, 와이어(84)로 제2발광 칩(73)과 연결된다. 상기 제2본딩 영역(36)은 상기 제2캐비티(23)와 상기 제1차단 벽(43) 사이에 배치되며, 와이어(82)로 제1발광 칩(71)과 연결된다. 상기 제1 및 제2차단 벽(43,45)은 서로 평행하거나 비 평행하게 배치될 수 있다.
상기 제1본딩 영역(26)의 너비(B4)는 상기 제1본딩부(25)의 너비(B1)보다 넓은 너비로 배치되어, 와이어(84)의 볼(ball)의 공간을 제공할 수 있다. 상기 제2본딩 영역(36)의 너비(C2)는 제2본딩부(35)의 너비(C1)보다는 넓게 형성될 수 있다. 또한 상기 제1본딩 영역(26) 또는 상기 제2본딩 영역(36)의 길이(D7,D8)는 와이어(82,84)의 볼 공간을 위해 100㎛~200㎛ 범위로 노출될 수 있다.
또한 도 2 및 도 6을 참조하면, 상기 제1본딩부(25)의 영역 중 상기 제1 및 제2차단 벽(43,45) 사이의 제3본딩 영역(27)의 너비(B2)는 상기 제1본딩부(25)의 너비(B1)보다 넓은 너비로 배치되고, 와이어(85)의 볼(ball)의 공간을 제공할 수 있다. 상기 제3본딩 영역(27)에 인접한 상기 제1캐비티(13)의 측면이 외측 방향으로 리세스된 리세스(13A)가 배치됨으로써, 상기 제3본딩 영역(27)의 너비(B2)를 증가시켜 줄 수 있다. 여기서, 상기 너비(B2)와 너비(B4)는 동일할 수 있으며 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제2본딩부(35)에는 상기 제1 및 제2차단 벽(43,45) 사이의 탑재 영역(37)에 오목한 제4캐비티(38)를 포함하며, 상기 제4캐비티(38)에는 보호 칩(75)이 배치된다. 따라서, 상기 제2리드 프레임(31)에는 제3캐비티(33) 및 제4캐비티(38)가 형성되며, 제3 및 제4캐비티(33,38)에 제2발광 칩(73) 및 보호 칩(75)이 배치된다. 또한 상기 보호 칩(75)은 상기 제1 및 제2차단 벽(43,45) 사이의 탑재 영역에 배치됨으로써, 상기 제1 및 제2발광 칩(71,73)로부터 방출된 광이 상기 제1 및 제2차단 벽(43,45)에 의해 반사될 수 있다. 또한 상기 제1캐비티(13) 내에서 보호 칩(75)에 의한 광 손실을 줄일 수 있다.
상기 보호 칩(75)은 상기 제2리드 프레임(31)과 전기적으로 연결되며, 상기 제1리드 프레임(21)의 제1본딩부(25)의 영역 중 상기 제1 및 제2차단벽(43,45) 사이의 제3본딩 영역(27)과 와이어(85)로 연결된다.
상기 제1 리드 프레임(21)의 제2캐비티(23) 및 상기 제1리드부(24)와, 상기 제2리드 프레임(31)의 제3캐비티(33) 및 제2리드부(34)는 상기 몸체(11)의 하면으로 노출되며, 보드(PCB)에 탑재될 수 있다.
상기 제1차단 벽(43) 및 제2차단 벽(45)의 길이(D4)는 상기 제1캐비티(13)의 바닥 너비(D5)보다 긴 길이로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2차단 벽(43,45)은 상기 제1 및 제2차단 벽(43,45) 사이의 제3영역을 다른 제1영역 및 제2영역으로부터 차단하게 된다. 또한 상기 제1 및 제2차단 벽(43,45)의 각 단부는 상기 제1캐비티(13)의 경사진 측면과 소정 길이(B3)만큼 오버랩될 수 있다.
도 4와 같이, 상기 제1 및 제2차단 벽(43, 45)의 높이(T1)는 상기 제1캐비티(13)의 바닥까지의 깊이보다 낮은 높이로 형성될 수 있으며, 예컨대 상기 제1캐비티(13)의 깊이의 2/3 깊이 이상으로 형성될 수 있다. 상기 상기 제1 및 제2차단 벽(43, 45)의 높이(T1)가 너무 높은 경우, 몰딩 부재(52)이 채워지는 영역에 영향이 있을 수 있으며, 너무 낮은 경우 반사부재(51)의 두께가 얇아져 반사율이 감소될 수 있다. 상기 제1 및 제2차단 벽(43, 45)의 높이(T1)는 100㎛ 이상이 될 수 있다.
상기 제1발광 칩(71)은 상기 제1리드 프레임(21)의 제2캐비티(23) 바닥에 접착 부재로 접착될 수 있고, 상기 제2발광 칩(73)은 상기 제2리드 프레임(31)의 제3캐비티(33) 바닥에 접착 부재로 접착될 수 있으며, 상기 접착 부재는 절연성 접착제 또는 전도성 접착제를 포함한다.
상기 제 1및 제2리드 프레임(21,31)은 소정 두께를 갖는 금속 플레이트로 형성될 수 있으며, 상기 금속 플레이트의 표면에 다른 금속층이 도금될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 리드 프레임(21,31)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 그 두께는 0.8mm~2mm로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1발광 칩(71)이 하부에 절연 기판이 배치된 경우, 상기 제1리드 프레임(21)과 와이어(81)로 연결될 수 있다. 상기 제2발광 칩(73)이 하부에 절연 기판이 배치된 경우, 상기 제2리드 프레임(31)과 와이어(83)로 연결될 수 있다.
여기서, 상기 제1 및 제2 발광 칩(71,73)은 III족-V족 화합물 반도체를 포함하며, 예컨대 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체를 갖고, 자외선 대역부터 가시 광선 대역의 파장 범위 내에서 소정의 주피크 파장을 발광할 수 있다. 상기 제1 및 제2 발광 칩(71,73)은 수평형 전극 구조를 갖는 칩 또는 수평형 전극 구조를 갖는 칩으로 구현될 수 있다.
상기 제1 및 제2차단 벽(44,45) 사이의 영역인 제3영역에는 반사 부재(51)가 배치된다. 상기 반사 부재(51)에는 상기 보호 칩(75)를 덮게 된다. 상기 반사 부재(51)는 에폭시 또는 실리콘과 같은 수지 재질을 포함하며, 내부에 금속 산화물이 첨가된다. 상기 금속 산화물은 TiO2, SiO2, Al2O3중 적어도 하나를 포함하며, 상기 반사 부재(51) 내에 5wt% 이상의 비율로 첨가될 수 있다. 상기 반사 부재(51)는 상기 제1 및 제2발광 칩(71,73)으로부터 방출된 광에 대해 70% 이상의 반사율을 가질 수 있다.
상기 반사 부재(51)는 상기 제1 및 제2차단 벽(43,45)과 접촉되며, 상기 제4캐비티(38) 내에 채워진다. 상기 반사 부재(51)는 상기 제1 및 제2차단 벽(43,45)의 상면보다 낮은 높이로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1캐비티(13)에 배치된 몰딩 부재(53)를 포함하며, 상기 몰딩 부재(53)는 상기 반사 부재(51)의 상면, 상기 제2 및 제3캐비티(23,33) 내에 형성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(53)는 상기 제1 및 제2발광 칩(71,73)으로부터 방출된 광에 대해 70% 이상의 투과율을 가질 수 있다.
상기 몰딩 부재(53)는 에폭시 또는 실리콘과 같은 투광성의 수지 재질을 포함할 수 있다. 또한 상기 몰딩 부재(53)에는 적어도 한 컬러를 발광하는 형광체가 배치될 수 있다. 다른 예로서, 상기 몰딩 부재(53) 내에 형광체 및 확산제가 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몰딩 부재(53) 위에는 렌즈가 형성될 수 있으며, 상기 렌즈는 오목한 렌즈 형상, 볼록한 렌즈 형상, 일정 부분이 오목하고 다른 부분이 볼록한 형상의 렌즈를 포함할 수 있다.
[제2실시 예]
도 7은 제2실시 예에 따른 발광소자의 평면도이며, 도 8은 도 7의 발광소자의 측 단면도이다. 제2실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 구성은 제1실시 예의 설명을 참조하기로 한다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 발광 소자는 몸체(11)의 제1캐비티(13) 내에 배치된 제1차단 벽(43)과 제2차단 벽(45)은 상기 제1캐비티(13)의 깊이와 동일한 높이(T2)로 형성될 수 있다. 상기 제1차단 벽(43)과 제2차단 벽(45)의 상면은 상기 몸체(11)의 상면과 동일한 높이로 형성할 수 있다.
상기 제1 및 제2차단 벽(43,45)의 길이(D51)는 상기 제1캐비티(13)의 바닥 너비(D5)보다는 길고 상기 제1캐비티(13)의 상부 너비와 동일한 길이로 형성될 수 있다.
상기 제1차단 벽(43)과 상기 제2차단 벽(45)은 상기 몸체(11)의 상면으로 연장되며, 상기 제1캐비티(13)의 둘레에 경사진 측면과 간극부(41)에 연결된다. 따라서, 제1 및 제2차단 벽(43,45)이 상기 몸체(11)에 연결됨으로써, 발광 소자의 센터 영역에서의 강성을 보강해 줄 수 있다.
상기 제1차단 벽(43)과 상기 제2차단 벽(45) 사이의 영역에는 반사 부재(51)가 배치되며, 상기 반사 부재(51)의 상면은 몰딩 부재(53A,53B)의 상면과 동일한 높이이거나 낮게 배치될 수 있다.
또한, 도 8과 같이, 제1캐비티(13) 내에 배치된 몰딩 부재(53A,53B)는 상기 제1차닥벽(43)과 제3측면(3) 사이의 영역에 배치된 제1몰딩 부재(53A)와, 상기 제2차단 벽(45)과 제4측면(4) 사이의 영역에 배치된 제2몰딩 부재(53B)를 포함한다. 상기 제1 및 제2몰딩 부재(53A,53B)는 상기 제1 및 제2차단 벽(43,45)에 의해 서로 분리되거나, 상기 반사 부재(51) 상에 더 형성될 수 있다.
[제3실시 예]
도 9는 제3실시 예에 따른 발광소자의 평면도이며, 도 10은 도 9의 발광소자의 D-D측 단면도이고, 도 11은 도 9의 발광소자의 E-E측 단면도이며, 도 12는 도 9의 발광소자의 G-G측 단면도이고, 도 13은 도 9의 발광소자의 F-F측 단면도이다. 제3실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 부분은 제1실시 예를 참조하기로 한다.
도 9 내지 도 13을 참조하면, 발광 소자는 제1캐비티(13)를 갖는 몸체(11), 제1 및 제2리드 프레임(21,31), 차단 벽(44,46), 복수의 발광 칩(71,73), 보호 칩(75), 반사 부재(52) 및 몰딩 부재(53)를 포함한다.
상기 제1리드 프레임(21)은 제1지지부(22), 제2캐비티(23) 및 제1본딩부(25A)를 포함한다. 상기 제2캐비티(23)는 상기 제1지지부(22)로부터 상기 제1지지부(22)의 상면 즉, 제1캐비티(13)의 바닥보다 낮은 깊이로 함몰되며, 상기 제1본딩부(25A)는 상기 제1지지부(22)로부터 절곡되고 상기 제1캐비티(13)의 바닥보다 낮은 깊이로 배치된다. 상기 제1지지부(22)와 상기 제1본딩부(25A) 사이의 절곡 부분(25B)에는 상기 제1차단 벽(44)이 상기 간극부(41)와 제1캐비티(13)의 측면 사이에 형성된다.
상기 제2리드 프레임(31)은 제2지지부(32), 제3캐비티(33) 및 제2본딩부(35A)를 포함한다. 상기 제3캐비티(33)는 상기 제2지지부(32)로부터 상기 제2지지부(32)의 상면 즉, 제1캐비티(13)의 바닥보다 낮은 깊이로 함몰되며, 상기 제2본딩부(35A)는 상기 제2지지부(32)로부터 절곡되고 상기 제1캐비티(13)의 바닥보다 낮은 깊이로 배치된다. 상기 제2지지부(32)와 상기 제2본딩부(35A) 사이의 절곡 부분(35B)에는 상기 제2차단 벽(46)이 상기 간극부(41)와 제1캐비티(13)의 측면 사이에 형성된다.
상기 제1리드 프레임(21)과 제2리드 프레임 사이에 간극부(41)가 배치되며, 상기 간극부(41)는 제1차단 벽(44)과 제2차단 벽(46)에 연결된다.
상기 제1차단 벽(44)은 상기 제1리드 프레임(21)의 제1본딩부(25A) 중에서 제2캐비티(23)에 인접하게 배치되고 상기 간극부(41)에 연결된다. 상기 제2차단 벽(46)은 상기 제2리드 프레임(31)의 제2본딩부(35A) 중에서 제3캐비티(33)에 인접하게 배치되고, 상기 간극부(41)에 연결된다.
상기 간극부(41) 및 상기 제1차단 벽(44) 및 제2차단 벽(46)의 상면은 상기 제1리드 프레임(21)의 제1지지부(22)의 상면과 동일한 평면 상에 배치된다. 상기 간극부(41) 중 상기 제1차단 벽(44)과 상기 제2차단 벽(46) 사이의 센터 영역(41A)은 상기 제1 및 제2본딩부(25A,35A)의 상면과 동일한 높이를 갖는 상면으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 간극부(41)은 센터 영역(41A)이 제1 및 제2차단 벽(44,46)의 상면보다 낮고 상기 제1 및 제2차단 벽(44,46)에 연결된 간극부(41)의 상면 높이보다 낮게 배치됨으로써, 와이어(85)의 높이를 낮추어 줄 수 있다.
도 10 및 도 11과 같이, 상기 제1차단 벽(44)의 내 측면(44A)은 경사지며, 상기 제1차단 벽(44)의 내 측면(44A)과 대응되는 간극부(41)의 내 측면(41A)은 경사진다. 상기 제2차단 벽(46)의 내 측면(46A)은 경사지며, 상기 제2차단 벽(46)의 내 측면(46A)과 대응되는 간극부(41)의 내 측면(41B)은 경사진다.
도 9 및 도 13과 같이, 상기 제1 및 제2차단 벽(44,46) 사이에 배치된 제2본딩부(35A)에는 보호 칩(75)이 배치되고, 상기 보호 칩(75)은 제1본딩부(25A)와 와이어(85)로 본딩된다. 상기 와이어(85)의 고점은 반사 부재(52)의 상면 보다 높게 위치할 수 있어, 몰딩 부재(53) 내에 배치될 수 있다.
상기 반사 부재(52)는 상기 제1 및 제2차단 벽(44,46)의 내 측면(44A,46A)과, 간극부(41)에 접촉됨으로, 발광 소자의 센터 영역에서의 접착력이 증가될 수 있다. 또한 상기 반사 부재(52)는 상기 제1 및 제2본딩부(25A,35A)에 접촉됨으로써, 발광 소자의 센터 영역에서의 강성을 보강해 줄 수 있다.
도 14는 실시 예에 따른 발광 칩의 일 예를 나타낸 측 단면도이다.
도 14를 참조하면, 발광 칩은 기판(311), 버퍼층(312), 발광 구조물(310), 제1전극(316) 및 제2전극(317)을 포함한다. 상기 기판(311)은 투광성 또는 비 투광성 재질의 기판을 포함하며, 또한 전도성 또는 절연성 기판을 포함한다.
상기 버퍼층(312)은 기판(311)과 상기 발광 구조물(310)의 물질과의 격자 상수 차이를 줄여주게 되며, 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(312)과 상기 발광 구조물(310)사이에는 도펀트가 도핑되지 않는 질화물 반도체층을 더 형성하여 결정 품질을 개선시켜 줄 수 있다.
상기 발광 구조물(310)은 제1도전형 반도체층(313), 활성층(314) 및 제2도전형 반도체층(315)를 포함한다.
상기 제1도전형 반도체층(313)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 III족-V족 화합물 반도체로 구현되며, 상기 제1도전형 반도체층(313)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제1도전형 반도체층(313)은 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함하는 층들의 적층 구조를 포함할 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(313)은 n형 반도체층이며, 상기 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함한다.
상기 제1도전형 반도체층(313)과 상기 활성층(314) 사이에는 제1클래드층이 형성될 수 있다. 상기 제1클래드층은 GaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 그 밴드 갭은 상기 활성층(314)의 밴드 갭 이상으로 형성될 수 있다. 이러한 제1클래드층은 제1도전형으로 형성되며, 캐리어를 구속시켜 주는 역할을 한다.
상기 활성층(314)은 상기 제1도전형 반도체층(313) 위에 배치되며, 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선(quantum wire) 구조 또는 양자 점(quantum dot) 구조를 선택적으로 포함한다. 상기 활성층(314)은 우물층과 장벽층의 주기를 포함한다. 상기 우물층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함하며, 상기 장벽층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함할 수 있다. 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, InAlGaN/InAlGaN의 적층 구조를 이용하여 1주기 이상으로 형성될 수 있다. 상기 장벽층은 상기 우물층의 밴드 갭보다 높은 밴드 갭을 가지는 반도체 물질로 형성될 수 있다.
상기 활성층(314) 위에는 제2도전형 반도체층(315)이 형성된다. 상기 제2도전형 반도체층(315)은 제2도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(315)은, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315)이 p형 반도체층이고, 상기 제2도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba을 포함할 수 있다.
상기 제2도전형 반도체층(315)은 초격자 구조를 포함할 수 있으며, 상기 초격자 구조는 InGaN/GaN 초격자 구조 또는 AlGaN/GaN 초격자 구조를 포함할 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315)의 초격자 구조는 비 정상적으로 전압에 포함된 전류를 확산시켜 주어, 활성층(314)을 보호할 수 있다.
또한 상기 발광 구조물(310)의 도전형을 반대로 배치할 수 있으며, 예컨대 제1도전형 반도체층(313)은 P형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층(315)은 n형 반도체층으로 배치할 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315) 위에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제1도전형의 반도체층이 더 배치될 수도 있다.
상기 발광 구조물(310)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. 여기서, 상기 p는 p형 반도체층이며, 상기 n은 n형 반도체층이며, 상기 -은 p형 반도체층과 n형 반도체층이 직접 접촉되거나 간접 접촉된 구조를 포함한다. 이하, 설명의 편의를 위해, 발광 구조물(310)의 최 상층은 제2도전형 반도체층(315)으로 설명하기로 한다.
상기 제1도전형 반도체층(313) 상에는 제1전극(316)이 배치되고, 상기 제2도전형 반도체층(315) 상에는 전류 확산층을 갖는 제2전극(317)을 포함한다.
도 15은 실시 예에 따른 발광 칩의 다른 예를 나타낸 도면이다. 실시 예를 설명함에 있어서, 도 15와 동일한 부분은 생략하며 간략하게 설명하기로 한다.
도 15을 참조하면, 실시 예에 따른 발광 칩은 발광 구조물(310) 아래에 접촉층(321)이 형성되며, 상기 접촉층(321) 아래에 반사층(324)이 형성되며, 상기 반사층(324) 아래에 지지부재(325)가 형성되며, 상기 반사층(324)과 상기 발광 구조물(310)의 둘레에 보호층(323)이 형성될 수 있다.
이러한 발광 칩은 제2도전형 반도체층(315) 아래에 접촉층(321) 및 보호층(323), 반사층(324) 및 지지부재(325)를 형성한 다음, 성장 기판을 제거하여 형성될 수 있다.
상기 접촉층(321)은 발광 구조물(310)의 하층 예컨대 제2도전형 반도체층(315)에 오믹 접촉되며, 그 재료는 금속 산화물, 금속 질화물, 절연물질, 전도성 물질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성될 수 있다. 또한 상기 금속 물질과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 예컨대, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있다. 상기 접촉층(321) 내부는 전극(316)과 대응되도록 전류를 블록킹하는 층이 더 형성될 수 있다.
상기 보호층(323)은 금속 산화물 또는 절연 물질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 보호층(323)은 스퍼터링 방법 또는 증착 방법 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 반사층(324)과 같은 금속이 발광 구조물(310)의 층들을 쇼트시키는 것을 방지할 수 있다.
상기 반사층(324)은 금속 예컨대, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질로 형성될 수 있다. 상기 반사층(324)은 상기 발광 구조물(310)의 폭보다 크게 형성될 수 있으며, 이는 광 반사 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기의 반사층(324)과 상기 지지부재(325) 사이에 접합을 위한 금속층과, 열 확산을 위한 금속층이 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 지지부재(325)는 베이스 기판으로서, 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브데늄(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W)와 같은 금속이거나 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC)으로 구현될 수 있다. 상기 지지부재(325)와 상기 반사층(324) 사이에는 접합층이 더 형성될 수 있으며, 상기 접합층은 두 층을 서로 접합시켜 줄 수 있다. 상기의 개시된 발광 칩은 일 예이며, 상기에 개시된 특징으로 한정하지는 않는다. 상기의 발광 칩은 상기의 발광 소자의 실시 예에 선택적으로 적용될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
<조명 시스템>
실시예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자는 조명 시스템에 적용될 수 있다. 상기 조명 시스템은 복수의 발광 소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 16 및 도 17에 도시된 표시 장치, 도 18에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.
도 16은 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 16을 참조하면, 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 광원 모듈(1031)와, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.
상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다.
상기 광원 모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다. 상기 광원 모듈(1031)은 적어도 하나를 포함하며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 광원 모듈(1031)은 기판(1033)과 상기에 개시된 실시 예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자(1035)를 포함하며, 상기 발광 소자 또는 발광 소자(1035)는 상기 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다.
상기 기판(1033)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(1035)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.
그리고, 상기 복수의 발광 소자(1035)는 상기 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(1035)는 상기 도광판(1041)의 일측 면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다.
상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
여기서, 상기 광원 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 17은 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 17을 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광 소자(1124)가 어레이된 기판(1020), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다.
상기 기판(1020)과 상기 발광 소자(1124)는 광원 모듈(1160)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 광원 모듈(1160), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛(1150)으로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기의 광원 모듈(1160)은 기판(1020) 및 상기 기판(1020) 위에 배열된 복수의 발광 소자(1124)를 포함한다.
여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(poly methyl methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다.
상기 광학 부재(1154)는 상기 광원 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 광원 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.
도 18은 실시 예에 따른 발광소자를 갖는 조명장치의 분해 사시도이다.
도 18를 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자를 포함할 수 있다.
예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합되고, 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.
상기 커버(2100)의 내면에는 확산재를 갖는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 이러한 유백색 재료를 이용하여 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛을 산란 및 확산되어 외부로 방출시킬 수 있다.
상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.
상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 발광 소자(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.
상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 조명소자(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 조명소자(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.
상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.
상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 구비할 수 있다.
상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.
상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.
상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(Electrostatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)는 전선을 통해 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.
상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이며, 이 또한 첨부된 청구범위에 기재된 기술적 사상에 속한다 할 것이다.
10: 발광 소자 11: 몸체
13,23,33: 캐비티 21: 제1리드 프레임
31: 제2리드 프레임 41: 간극부
43,44,45,46: 차단 벽 51,52: 반사 부재
53,53A,53B: 몰딩 부재 25,25A,35,35A: 본딩부
71,73: 발광 칩 75: 보호 칩

Claims (13)

  1. 제1캐비티를 갖고 제1측면 및 상기 제1측면의 반대측에 배치된 제2측면과 상기 제1측면 및 상기 제2측면으로부터 연장되는 제3측면 및 상기 제3측면의 반대측에 배치된 제4측면을 포함하는 몸체;
    상기 제1캐비티의 제1영역 아래에 제2캐비티를 갖는 제1리드 프레임;
    상기 제1캐비티의 제2영역 아래에 제3캐비티 및 상기 제1캐비티의 제3영역 아래에 제4캐비티를 갖는 제2리드 프레임;
    상기 제1리드 프레임과 상기 제2리드 프레임 사이에 배치된 간극부;
    상기 제1리드 프레임의 제2캐비티 상에 배치된 제1발광 칩;
    상기 제2리드 프레임의 제3캐비티 상에 배치된 제2발광 칩;
    상기 제2리드 프레임의 제4캐비티 상에 배치된 보호 칩;
    상기 제1캐비티의 제1영역과 제3영역 사이에 배치된 제1차단 벽;
    상기 제1캐비티의 제2영역과 제3영역 사이에 배치된 제2차단 벽;
    상기 제1차단 벽 및 상기 제2차단 벽 사이에 배치되고 상기 보호 칩을 덮는 반사 부재; 및
    상기 제1캐비티의 제1영역 및 제2영역 내에 배치된 몰딩 부재를 포함하고,
    상기 제1리드 프레임은 상기 제1캐비티의 바닥에 배치된 제1지지부와 상기 제1지지부로부터 상기 몸체의 제4측면 방향으로 돌출된 제1본딩부를 포함하고,
    상기 제2리드 프레임은 상기 제1캐비티의 바닥에 배치된 제2지지부와 상기 제2지지부로부터 상기 몸체의 제3측면 방향을 돌출된 제2본딩부를 포함하고,
    상기 제2본딩부는 상기 제1캐비티의 제1영역 및 제3영역의 바닥으로 연장되고,
    상기 제3영역은 상기 제1영역과 상기 제2영역 사이에 배치되며,
    상기 제1차단 벽 및 상기 제2차단 벽은 상기 제1캐비티의 경사진 측면과 연결되고,
    상기 제1차단 벽 및 상기 제2 차단 벽은 상기 몸체의 제1측면에서 제2측면 방향으로 연장되어 형성되는 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2본딩부는 상기 제1차단 벽 및 상기 제2차단 벽 사이의 탑재 영역을 포함하고 상기 탑재 영역에 상기 제4캐비티가 배치되며,
    상기 제1리드 프레임은 상기 제1차단 벽 및 상기 제2차단 벽 사이의 간격보다 긴 길이를 갖고 상기 제2영역 및 상기 제3영역으로 연장된 상기 제1본딩부를 포함하며,
    상기 제2리드 프레임은 상기 제1 및 제2차단 벽 사이의 간격보다 긴 길이를 갖고 상기 제1영역 및 상기 제3영역으로 연장된 상기 제2본딩부를 포함하는 발광 소자.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제3측면 및 상기 제4측면 사이의 거리는 상기 제1측면 및 상기 제2측면 사이의 거리보다 길며,
    상기 제1리드 프레임은 상기 제1지지부로부터 절곡되고 상기 몸체의 제3측면으로 돌출된 제1리드부를 포함하고,
    상기 제2리드 프레임은 상기 제2지지부로부터 절곡되고 상기 몸체의 제4측면으로 돌출된 제2리드부를 포함하는 발광 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1차단 벽 및 상기 제2차단 벽의 길이는 상기 제1캐비티의 바닥 너비보다 긴 길이를 갖고 상기 제1캐비티의 바닥으로부터 소정 높이로 돌출된 발광 소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1캐비티의 둘레는 상기 몸체의 하면에 대해 경사진 측면과, 상기 제1차단 벽 및 상기 제2차단 벽 사이에 상기 경사진 측면보다 상기 몸체의 외측면 방향으로 리세스된 리세스를 포함하는 발광 소자.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 제1캐비티의 바닥에 배치된 상기 제1본딩부는 상기 제2본딩부의 너비보다 좁은 발광 소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1차단 벽 및 상기 제2차단 벽의 각 단부는 상기 제1캐비티의 경사진 측면과 소정 길이만큼 오버랩되는 발광 소자.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1차단 벽 및 상기 제2차단 벽은 상기 몸체의 상면으로 연장되며 상기 제1캐비티의 둘레에 경사진 측면과 상기 간극부에 연결되고,
    상기 제1차단 벽 및 상기 제2차단 벽의 높이는 상기 제1캐비티의 깊이와 동일하거나 상기 몸체의 상면과 동일한 높이로 형성되는 발광 소자.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1본딩부는 상기 제1지지부로부터 절곡되고 상기 제1캐비티의 바닥보다 낮은 깊이로 배치되고, 상기 제1지지부와 상기 제1본딩부 사이의 절곡 부분에는 상기 제1차단 벽이 상기 간극부와 상기 제1캐비티의 측면 사이에 배치되고,
    상기 제2본딩부는 상기 제2지지부로부터 절곡되고 상기 제1캐비티의 바닥보다 낮은 깊이로 배치되고, 상기 제2지지부와 상기 제2본딩부 사이의 절곡 부분에는 상기 제2차단 벽이 상기 간극부와 상기 제1캐비티의 측면 사이에 배치된 발광 소자.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 간극부는 상기 제1차단 벽 및 상기 제2차단 벽과 연결되고,
    상기 간극부 중 상기 제1차단 벽과 상기 제2차단 벽 사이의 센터 영역은 상기 제1본딩부 및 제2본딩부의 상면과 동일한 높이를 갖고,
    상기 간극부의 센터 영역은 상기 제1차단 벽 및 상기 제2차단 벽의 상면보다 낮고 상기 제1차단 벽 및 상기 제2차단 벽에 연결된 상기 간극부의 상면 높이보다 낮은 발광 소자.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1차단 벽의 내 측면은 경사지며, 상기 제1차단 벽의 내 측면과 대응되는 상기 간극부의 내 측면은 경사지고,
    상기 제2차단 벽의 내 측면은 경사지며, 상기 제2차단 벽의 내 측면과 대응되는 상기 간극부의 내 측면은 경사진 발광 소자.
  12. 제6항에 있어서,
    상기 제1본딩부는 상기 제1지지부로부터 상기 제3캐비티에 인접한 방향으로 돌출되며 상기 제3영역 및 상기 제2영역의 바닥에 배치되고,
    상기 제1본딩부는 상기 제1지지부로부터 소정 길이로 연장되어 상기 제1차단 벽 및 상기 제2차단 벽 사이의 간격보다 긴 길이로 돌출되며,
    상기 제2본딩부는 상기 제2지지부로부터 소정 길이로 연장되어 상기 제1차단 벽 및 상기 제2차단 벽 사이의 간격보다 긴 길이로 돌출되는 발광 소자.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR102509010B1 (ko) * 2015-11-04 2023-03-10 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 및 이를 구비한 라이트 유닛
WO2018016842A1 (ko) * 2016-07-19 2018-01-25 서울반도체주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
KR20180020829A (ko) * 2016-08-19 2018-02-28 서울바이오시스 주식회사 자외선 발광 다이오드 패키지
CN110235260A (zh) 2017-01-31 2019-09-13 晶化成半导体公司 用于增强紫外发光器件的可靠性的方法和封装
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WO2019124730A1 (ko) * 2017-12-19 2019-06-27 서울반도체주식회사 발광 다이오드 패키지 및 이를 포함하는 발광 모듈

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007311736A (ja) 2006-04-21 2007-11-29 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
KR101923688B1 (ko) 2011-08-29 2018-11-29 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 라이트 유닛

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110067388A (ko) * 2009-12-14 2011-06-22 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 및 그의 제조방법
KR101886073B1 (ko) * 2011-06-23 2018-09-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007311736A (ja) 2006-04-21 2007-11-29 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
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