KR20170009054A - 라이트 유닛 및 이를 구비한 조명 장치 - Google Patents

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KR20170009054A
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Abstract

실시 예는 라이트 유닛이 개시된다. 실시 예에 따른 라이트 유닛은, 오목부를 갖는 제1프레임부 및 상기 제1프레임부로부터 절곡된 제2프레임부를 갖는 방열 플레이트; 상기 제1프레임부 상에 배치되며 상기 오목부 상에 리세스부를 갖는 회로 기판 및 상기 회로 기판의 리세스부에 배열된 복수의 발광 소자를 포함하는 발광 모듈; 및 상기 제1프레임부와 상기 회로 기판 사이에 배치된 접착 부재를 포함한다.

Description

라이트 유닛 및 이를 구비한 조명 장치{LIGHT UNIT AND LIGHTING APPARATUS HAVING THE SAME}
실시 예는 라이트 유닛 및 이를 구비한 조명 장치에 관한 것이다.
발광 소자, 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.
발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생성하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.
발광 다이오드는 실내 및 실외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등, 지시등과 같은 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다.
실시 예는 새로운 라이트 유닛을 제공한다.
실시 예는 방열 플레이트의 오목부에 회로 기판 상의 발광 소자가 배열될 수 있도록 한 라이트 유닛 및 이를 구비한 조명 장치를 제공한다.
실시 예는 방열 플레이트 상의 회로 기판의 리세스부에 발광 소자가 배열될 수 있도록 한 라이트 유닛 및 이를 구비한 조명 장치를 제공한다.
실시 예에 따른 라이트 유닛은, 오목부를 갖는 제1프레임부 및 상기 제1프레임부로부터 절곡된 제2프레임부를 갖는 방열 플레이트; 상기 제1프레임부 상에 배치되며 상기 오목부 상에 리세스부를 갖는 회로 기판 및 상기 회로 기판의 리세스부에 배열된 복수의 발광 소자를 포함하는 발광 모듈; 및 상기 제1프레임부와 상기 회로 기판 사이에 배치된 접착 부재를 포함한다.
실시 예에 따른 라이트 유닛은, 너비보다 길이가 긴 리세스부를 갖는 회로 기판 및 상기 회로 기판의 리세스부에 상기 리세스부의 길이 방향을 따라 배열된 복수의 발광 소자를 포함하는 발광 모듈; 상기 회로 기판의 배면에 배치된 방열 플레이트; 및 상기 방열 플레이트와 회로 기판 사이에 배치된 접착 부재를 포함한다.
실시 예에 따른 조명 장치는 상기의 라이트 유닛을 포함한다.
실시 예는 조명 장치에서 발광 소자의 손해를 감소시켜 줄 수 있다.
실시 예는 발광 소자의 광 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예는 발광 소자를 갖는 라이트 유닛 및 이를 구비한 조명 시스템의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
도 1은 실시 예에 따른 표시 패널을 갖는 조명 장치의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 라이트 유닛의 결합 측 단면도이다.
도 3은 도 2의 라이트 유닛의 광원 모듈의 상세 도면이다.
도 4는 도 3의 방열 플레이트를 나타낸 도면이다.
도 5는 도 2의 라이트 유닛의 광원 모듈의 사시도이다.
도 6은 도 5의 광원 모듈의 A-A측 단면도이다.
도 7은 도 3의 광원 모듈의 다른 예이다.
도 8은 도 3의 광원 모듈의 다른 예이다.
도 9는 도 3의 광원 모듈의 다른 예이다.
도 10은 실시 예에 따른 광원 모듈의 회로 기판을 나타낸 도면이다.
도 11은 실시 예에 따른 광원 모듈의 발광 소자를 나타낸 도면이다.
도 12는 실시 예에 따른 광원 모듈의 발광 소자의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 13은 실시 예에 따른 광원 모듈의 발광 소자의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 14는 실시 예에 따른 광원 모듈의 발광 소자를 나타낸 도면이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상/위(on)"에 또는 "아래/하(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"과 "아래/하(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다.
도 1은 실시 예에 따른 표시 장치를 보여주는 분해 사시도이고, 도 2는 도 1의 라이트 유닛의 결합 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 장치(100)는 영상이 표시되는 표시 패널(10)과, 상기 표시 패널(10)에 광을 제공하는 라이트 유닛(20)을 포함한다.
상기 라이트 유닛(20)은 상기 표시 패널(10)에 면 광원을 제공하는 도광판(70)과, 누설 광을 반사하는 반사 시트(45)와, 상기 도광판(70)의 에지 영역에서 광을 제공하는 광원 모듈(20A), 및 상기 표시 장치(100)의 하측 외관을 형성하는 바텀 커버(40)를 포함한다.
도시하지 않았으나, 상기 표시 장치(100)는 상기 표시 패널(10)을 하측에서 지지하는 패널 서포터와, 상기 표시 장치(100)의 테두리를 형성하며 상기 표시 패널(10)의 둘레를 감싸서 지지하는 탑 커버를 포함할 수 있다.
상기 표시 패널(10)은 상세히 도시되지는 않았지만, 일례를 들면, 서로 대향하여 균일한 셀 갭이 유지되도록 결합된 하부 기판 및 상부 기판과, 상기 두 기판 사이에 개재된 액정층(미도시)을 포함한다. 상기 하부 기판에는 다수의 게이트 라인과 상기 다수의 게이트 라인과 교차하는 다수의 데이터 라인이 형성되며, 상기 게이트 라인과 데이터 라인의 교차영역에 박막 트랜지스터(TFT: thin film transistor)가 형성될 수 있다. 상기 상부 기판에는 컬러필터들이 형성될 수 있다. 상기 표시 패널(10)의 구조는 이에 한정되지는 않으며, 상기 표시 패널(10)은 다양한 구조를 가질 수 있다. 다른 예를 들면, 상기 하부 기판은 박막 트랜지스터뿐만 아니라 컬러필터를 포함할 수도 있다. 또한, 상기 표시 패널(10)은 상기 액정층을 구동하는 방식에 따라 다양한 형태의 구조로 형성될 수 있다.
도시하지 않았으나, 상기 표시 패널(10)의 가장자리에는 게이트 라인에 스캔신호를 공급하는 게이트 구동 PCB(gate driving printed circuit board)와, 데이터 라인에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동 PCB(data driving printed circuit board)가 구비될 수 있다.
상기 표시 패널(10)의 위 및 아래 중 적어도 한 곳에는 편광 필름(미도시)이 배치될 수도 있다. 상기 표시 패널(10)의 아래에는 광학 시트(60)가 배치되며, 상기 광학 시트(60)는 상기 라이트 유닛(20)에 포함될 수 있으며, 적어도 한 장의 프리즘 시트 또는/및 확산 시트를 포함할 수 있다. 상기 광학 시트(60)는 제거될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 확산 시트는 입사된 광을 고르게 확산시켜 주며, 상기 확산된 광은 프리즘 시트에 의해 표시 패널로 집광될 수 있다. 여기서, 상기 프리즘 시트는 수평 또는/및 수직 프리즘 시트, 한 장 이상의 조도 강화 시트 등을 이용하여 선택적으로 구성할 수 있다. 상기 광학 시트(60)의 종류나 개수 등은 실시 예의 기술적 범위 내에서 추가 또는 삭제될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 라이트 유닛(20)은 적어도 하나의 광원 모듈(20A)을 포함할 수 있으며, 이러한 광원 모듈(20A)의 개수는 표시 패널(10)의 사이즈에 따라 달라질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 광원 모듈(20A)은 상기 도광판(70)의 적어도 한 측면 또는 양 측면에 각각 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 광원 모듈(20A)은 바텀 커버(40)의 측면 중 제1측면부(42)의 내측에 배치될 수 있다. 상기 광원 모듈(20A)은 상기 바텀 커버(40)의 서로 다른 측면부 예컨대, 양 측면 또는 모든 측면에 배치될 수 있으며, 이에 한정하는 것은 아니다.
상기 광원 모듈(20A)은 발광 모듈(30)과, 상기 발광 모듈(30)로부터 발생된 열을 방열하는 방열 플레이트(50)를 포함한다. 이러한 광원 모듈(20A)은 도광판(70)의 적어도 한 측면을 통해 광을 제공하게 된다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 발광 모듈(30)은 너비보다 길이가 긴 회로 기판(32)과, 상기 회로 기판(32)의 리세스부(15)에 배열된 복수의 발광 소자(34)를 포함한다.
상기 회로 기판(32)은 상기 리세스부(15)의 바닥에 배치된 바닥 영역(11)과, 상기 바닥 영역(11)으로부터 경사진 제1 및 제2측면 영역(12,13)과, 상기 제1 및 제2측면 영역(12,13)으로부터 외측 방향으로 연장된 제1 및 제2외곽 영역(16,17)을 포함한다.
상기 발광 소자(34)는 상기 리세스부(15) 상에 복수개가 상기 회로 기판(32)의 길이 방향을 따라 배열될 수 있다. 상기 발광 소자(34)는 상기 바닥 영역(11) 상에 배열될 수 있다. 상기 리세스부(15)의 깊이(H1)는 상기 발광 소자(34)의 두께보다 깊게 배치될 수 있다. 즉, 상기 회로 기판(32)의 외측 상면 또는 제1,2외곽 영역(16,17)의 상면은 상기 발광 소자(34)의 상면보다 높게 배치될 수 있다. 상기 회로 기판(32)의 외측 상면이 상기 발광 소자(34)의 상면보다 높게 배치됨으로써, 상기 발광 소자(34)가 상기 도광판(70)의 입사면(71)과 이격될 수 있고, 상기 도광판(70)의 열 팽창에 따른 발광 소자(34)의 손해를 방지할 수 있다. 상기 발광 소자(34)와 상기 도광판(70) 사이의 갭은 0.1mm 이상 예컨대, 0.1mm 내지 0.2mm 범위일 수 있으며, 상기 갭이 상기 범위보다 작은 경우 도광판(70)의 열 팽창에 의해 발광 소자(34)에 손해를 줄 수 있으며, 상기 범위보다 큰 경우 광이 누설될 수 있다.
상기 리세스부(15)의 너비(D4)는 상기 도광판(70)의 두께(T1)보다 좁게 배치될 수 있다. 이에 따라 상기 도광판(70)의 입사면(71)의 양 에지 부분이 상기 회로 기판(32)의 양 외측 영역과 대면하거나 접촉될 수 있다. 이는 상기 도광판(70)의 열 팽창에 대해 상기 회로 기판(32)의 양 외측 영역 즉, 제1 및 제2외곽 영역(16,17)이 스텁퍼(stopper)로 기능할 수 있다.
상기 회로 기판(32)은 수지 계열의 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판을 포함할 수 있다. 상기 회로 기판(32)은 에폭시 기판(예: FR-4 기판)과 같은 수지계 기판을 적용할 수 있다. 상기 회로 기판(32)은 발광 소자(34)가 방열 플레이트(50)를 통해 열 전도하여 방열을 수행함으로써, 금속층을 갖는 MCPCB와 같은 고가의 기판을 사용하지 않을 수 있다.
상기 회로 기판(32)은 도 10과 같이, 금속층(91), 상기 금속층(91) 상에 수지층(92), 상기 수지층(92) 상에 회로 패턴층(93), 상기 회로 패턴층(93) 상에 보호층(94)을 포함한다. 상기 금속층(91)은 열 전도성이 높은 금속 예컨대, 구리 또는 구리 합금 재질을 포함할 수 있다. 상기 금속층(91)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 철(Fe), 니켈(Ni), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 탄탈룸(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb), 스테인레스 중 적어도 하나 또는 선택된 금속의 합금 중 적어도 하나를 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
상기 수지층(92)은, 실리콘, 에폭시, FR(fluoro resins) 계열, CEM(Composite Epoxy Material) 계열 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 회로 패턴층(93)은 구리(Cu), 철(Fe), 니켈(Ni), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 탄탈룸(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al) 또는 이들의 선택적인 합금일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 회로 패턴층(93) 상에는 솔더 레지스트가 더 배치될 수 있으며, 상기 솔더 레지스트는 상기 회로 패턴층(93)을 보호할 수 있으며, 광을 흡수 또는 반사할 수 있다.
상기 회로 기판(32)에는 커넥터가 설치될 수 있다 상기 커넥터는 상기 회로 기판(32)의 상면 및 하면 중 적어도 하나에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 복수의 발광 소자(34)는 소정 피치(Pitch)로 상기 도광판(70)의 입사 면(71)을 따라 배열되며, 발광 칩을 갖는 패키지로 제공되거나, 발광 칩으로 제공될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 칩은 가시 광선 대역부터 자외선 대역의 광 중에서 선택적인 피크 파장을 발광할 수 있다.
상기 복수의 발광 소자(34) 중 적어도 하나는 적어도 한 컬러 예컨대, 백색, 적색, 녹색, 및 청색 중 적어도 하나를 발광하게 된다. 실시 예는 적어도 한 컬러의 광을 발광하는 발광 소자(34)를 이용하거나 복수의 컬러를 발광하는 발광 소자(34)들을 조합하여 이용할 수 있다. 상기 복수의 발광 소자(34)는 백색 LED이거나, 적색/녹색/청색 LED들이 혼합되어 배열되거나, 백색/적색/녹색/청색 LED들이 혼합되어 배열될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광 소자(34)는 적어도 한 열 또는 복수의 열로 배치될 수 있으며, 일정한 간격 또는 불규칙한 간격으로 배열될 수도 있다. 상기 발광 소자(34)는 상기 회로 기판(32)에 전기적으로 연결되며, 상기 회로 기판(32)을 통해 직렬, 병렬, 직-병렬 혼합 방식 중 적어도 하나로 연결될 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 방열 플레이트(50)는 제1프레임부(52) 및 제2프레임부(54)를 포함하며, 금속 재질로 형성될 수 있다. 상기 제1프레임부(52)는 상기 도광판(70)의 입사 면(71)과 대응되며, 상기 회로 기판(32)은 상기 제1프레임부(52)와 상기 도광판(70)의 입사면(71) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2프레임부(54)는 상기 도광판(70)의 하면과 대응되며 상기 제1프레임부(52)로부터 절곡된다. 상기 제2프레임부(54)는 상기 제1프레임부(52)로부터 거의 수직하거나 경사진 각도의 범위(예: 70~110°)로 절곡될 수 있다.
상기 방열 플레이트(50)의 제1프레임부(52) 상에는 상기 회로 기판(32)이 배치되며, 상기 제1프레임부(52)와 상기 회로 기판(32) 사이에는 접착 부재(36)가 배치될 수 있다. 상기 접착 부재(36)는 열 전도성 접착 물질을 포함하며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1프레임부(52)는 상기 복수의 발광 소자(34)로부터 발생될 열을 제2프레임부(54)로 전도하고 방열하게 된다. 이러한 제1프레임부(52)는 상기 회로 기판(42)의 리세스부(15) 아래에 오목한 오목부(25)와, 상기 오목부(25)의 바닥부(21)와, 상기 바닥부(21)로부터 경사진 제1 및 제2측면부(22,23)와, 상기 제1 및 제2측면부(22,23)의 외곽으로 연장된 제1 및 제2외곽부(26,27)를 포함한다.
상기 바닥부(21) 상에는 회로 기판(32)의 바닥 영역(11)이 배치되며, 상기 제1 및 제2측면부(22,23) 상에는 제1 및 제2바닥 영역(12,13)이 대응되며, 상기 제1 및 제2외곽부(26,27) 상에는 제1 및 제2외곽 영역(16,17)이 배치될 수 있다.
상기 제1프레임부(52)의 오목부(25)는 상기 리세스부(15) 아래에 배치되며 상기 회로 기판(32)의 바닥 영역(11)이 배치될 수 있다. 상기 회로 기판(32)의 리세스부(15)는 상기 제1프레임부(52)의 오목부(25)를 따라 길게 배치되며, 상기 복수의 발광 소자(34)는 상기 리세스부(15)를 따라 배열되며, 상기 제1프레임부(52)의 상면보다 높게 배치될 수 있다.
도 4와 같이, 상기 제1 및 제2측면부(22,23)는 상기 바닥부(21)로부터 소정 각도(θ1)로 경사지며, 상기 오목부(25)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 오목부(25)는 상부 너비(D2)가 상기 바닥부(21)의 너비(D3)보다 넓게 형성되어, 상기 리세스부(15)의 외 형상이 경사지도록 형성될 수 있다.
상기 회로 기판(32)의 리세스부(15)는 상부 너비(D1)가 발광 소자(32)의 너비보다 넓게 배치되므로, 상기 리세스부(15) 내에 발광 소자(32)의 탑재가 용이할 수 있다. 상기 리세스부(15)의 깊이(H1)는 상기 오목부(25)의 깊이(H2)와 동일하거나 다를 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 리세스부(15)의 상부 너비(D1)는 상기 도광판(70)의 두께(T1)보다 좁게 배치되어, 상기 도광판(70)이 리세스부(15) 내부의 발광 소자(34)에 손해를 주는 것을 방지할 수 있다.
도 3 및 도 4와 같이, 상기 제1 및 제2측면부(22,23)의 경사 각도(θ1)는 상기 바닥부(21)에 대해 120도 내지 160도 범위로 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2측면부(22,23)의 각도(θ1)가 상기 범위보다 클 경우 상기 회로 기판(32)의 리세스부(15)의 상부 너비(D1)가 넓어져 도광판(70)이 발광 소자(34)에 손해를 주거나 도광판(70)과의 갭(gap)의 조절이 어렵고, 도광판(70)의 틸트(tilt)되는 문제가 발생될 수 있다. 또한 상기 제1 및 제2측면부(22,23)의 경사각도(θ1)가 상기 범위보다 작을 경우 리세스부(15) 내에서 광이 손실될 수 있어, 광 추출 효율이 저하될 수 있다.
상기 회로 기판(32)의 제1 및 제2측면 영역(12,13)의 경사 각도는 상기 제1 및 제2측면부(22,23)의 경사 각도(θ1)와 동일하거나 120도 내지 160도의 범위로 형성되어, 광의 손실을 방지할 수 있다.
상기 제1외곽부(26)는 상기 제1측면부(22)로부터 절곡되며 상기 제1측면부(22)와 상기 제2프레임부(54) 사이에 연결될 수 있다. 상기 제1외곽부(26)는 상기 도광판(70)의 입사면(71)에 평행한 면으로 형성되거나 경사진 면으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제2외곽부(27)는 상기 제2측면부(23)로부터 절곡되며 상기 바닥부(21)와 평행한 방향으로 연장될 수 있다. 상기 회로 기판(32)의 제1 및 제2외측 영역(16,17)은 상기 제1 및 제2외곽부(26,27)와 수직 방향으로 오버랩되게 배치될 수 있다. 이러한 상기 제1 및 제2외곽부(26,27) 상에 상기 회로 기판(32)의 제1 및 제2외측 영역(16,17)이 배치되므로, 상기 제1 및 제2외곽부(26,27)는 상기 회로 기판(32)의 제1 및 제2외측 영역(16,17)을 지지하게 된다. 즉, 상기 제1 및 제2외곽부(26,27)는 도광판(70)의 열 팽창에 대해 상기 회로 기판(32)의 제1 및 제2외측 영역(16,17)이 유동하는 것을 방지하여, 발광 소자(34)를 보호할 수 있다.
상기 제1 및 제2외곽부(26,27)는 상기 도광판(70)의 입사면(71)과 평행하게 배치될 수 있어, 상기 도광판(70)의 열 팽창 시 상기 도광판(70) 방향으로 반발력을 줄 수 있다.
상기 제1프레임부(52)의 바닥부(21), 제1 및 제2측면부(22,23), 제1 및 제2외곽부(26,27)는 서로 동일한 두께로 형성될 수 있다. 이러한 제1프레임부(52)의 두께는 상기 제2프레임부(54)의 두께와 동일한 두께일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 5 및 도 6과 같이, 상기 제1프레임부(52)는 상기 제1프레임부(52) 및 제2프레임부(54)의 너비의 합보다 긴 길이(B1)를 가질 수 있다. 상기 오목부(25)는 상기 제1 및 제2프레임부(52,54)의 너비의 합보다 긴 길이를 가질 수 있다. 상기 제1프레임부(52)의 길이 방향의 양측에는 상기 오목부(25)의 양 측면부가 더 배치되어, 광의 누설을 방지할 수 있다. 여기서, 상기 제1프레임부(52)의 길이 방향은 상기 복수의 발광 소자(34)가 배열되는 제1방향이 될 수 있고, 너비 방향은 상기 제1방향과 직교하는 방향이 될 수 있다.
상기 방열 플레이트(50)의 제2프레임부(54)의 너비는 상기 회로 기판(32)의 너비보다 더 넓게 형성될 수 있으며, 5mm 이상의 너비 예컨대, 6~20mm 범위로 형성될 수 있다.
상기 방열 플레이트(50)는 제1프레임부(52)와 제2프레임부(54)의 경계 라인(P1)을 따라 상기 제1프레임부(52)를 상기 제2프레임부(54)에 절곡시키면 제1프레임부(52)는 제2프레임부(54)로부터 절곡된다.
여기서, 상기 방열 플레이트(50)의 절곡을 위해, 상기 제1프레임부(52)와 상기 제2프레임부(54)의 경계 라인(P1)에는 구멍(53)이 형성되며, 상기 구멍(53)은 하나 또는 복수로 형성될 수 있다. 또한 방열 플레이트(50)의 제1프레임부(52) 및 제2프레임부(54) 중 적어도 하나 예컨대, 제2프레임부(54)에는 결합 구멍(55)이 형성되며, 결합 부재가 상기 결합 구멍(55)을 통해 상기 바텀 커버나 다른 기구물에 결합될 수 있다. 이에 따라 상기 방열 플레이트(50)를 바텀 커버(40)에 고정시켜 줄 수 있다. 상기 결합 부재는 나사, 리벳일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1프레임부(52)와 상기 제2프레임부(54)의 너비는 동일하거나, 상기 제2프레임부(54)의 너비가 상기 제1프레임부(52)의 너비 보다 1.5배 이상 넓게 형성될 수 있다.
도 6과 같이, 상기 방열 플레이트(50)의 길이(B1)는 상기 회로 기판(32)의 길이보다 더 길게 형성될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트(50)의 길이(B1)는 제1방향 즉, 발광 소자(34)의 배열 방향의 길이일 수 있으며, 상기 회로 기판(32)의 너비는 도 1의 Y축 방향 또는 도광판(70)의 두께(T1) 방향에 대응되는 길이일 수 있다. 상기 제1프레임부(52)의 오목부 길이(B2)는 상기 방열 플레이트(50)의 길이(B1)의 80% 이상일 수 있다.
상기 제2프레임부(54)는 상기 제1프레임부(52)의 사이즈보다 더 넓은 사이즈로 형성되어, 발광 모듈(30)의 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
상기 방열 플레이트(50)는 금속 플레이트로 형성될 수 있으며, 그 재질은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 철(Fe), 니켈(Ni), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 탄탈룸(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb), 스테인레스 중 적어도 하나 또는 선택된 금속의 합금을 포함하며, 예컨대 방열 효율이 좋은 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 사용할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 방열 플레이트(50)의 두께는 0.5mm 이상일 수 있으며, 예컨대 0.6mm~1mm 범위의 두께로 형성될 수 있다. 상기 방열 플레이트(50)의 두께가 상기 범위보다 두꺼운 경우 라이트 유닛(20)의 두께가 두꺼워지고, 비용이 증가될 수 있으며, 상기 범위보다 얇은 경우 방열 효율이 저하될 수 있다. 상기 제1프레임부(52)와 상기 제2프레임부(54)의 두께는 동일한 두께이거나, 서로 다른 두께로 형성될 수 있다.
도 2와 같이, 상기 방열 플레이트(50)의 제1프레임부(52)는 상기 바텀 커버(40)의 제1측면부(42)에 접착제(47)로 접착될 수 있다. 상기 방열 플레이트(50)의 제1프레임부(52)는 접착제가 아닌 체결 수단으로 체결될 수 있다.
도 1 및 도 2와 같이, 상기 도광판(70)의 적어도 한 측면(즉, 입광부)(71)에는 상기 복수의 발광 소자(34)가 대응되게 배치되며, 상기 복수의 발광 소자(34)로부터 발생된 광이 입사된다. 상기 도광판(70)은 면 광원이 발생되는 상면, 상면의 반대측 하면, 적어도 네 개의 측면들을 포함하는 다각형 형상으로 형성될 수 있다. 상기 도광판(70)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl methacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthalate), PC(poly carbonate) 및 PEN(polyethylene naphtha late) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판(70)은 압출 성형법에 의해 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 도광판(70)의 상면 또는/및 하면에는 반사 패턴(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 반사 패턴은 소정의 패턴 예컨대, 반사 패턴 또는/및 프리즘 패턴으로 이루어져 입사되는 광을 반사 또는/및 난반사 시킴으로써, 광은 상기 도광판(70)의 전 표면을 통해 균일하게 조사될 수 있다. 상기 도광판(70)의 하면은 반사 패턴으로 형성될 수 있으며, 상기 상면은 프리즘 패턴으로 형성될 수 있다. 상기 도광판(70)의 내부에는 산란제가 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 라이트 유닛(20)은 도광판(70)의 하부에 반사 시트(45)를 포함할 수 있다. 상기 반사 시트(45)는 상기 도광판(70)의 하부로 진행하는 광을 표시 패널 방향으로 반사시켜 주게 된다. 상기 도광판(45)의 일단은 상기 회로 기판(32)에 인접하거나 접촉될 수 있으며, 또는 상기 제1프레임부(52)에 인접하게 배치될 수 있다.
상기 라이트 유닛(20)은 상기 도광판(70)의 하부로 누설된 광을 상기 반사 시트(45)에 의해 상기 도광판(70)에 재 입사시켜 주므로 광 효율의 저하, 광 특성의 저하 및 암부 발생 등의 문제를 방지할 수 있다. 상기 반사 시트(45)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 시트(45)는 상기 바텀 커버(40)의 상면에 형성된 반사층일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(40)는 상부가 개방된 수납부(41)를 포함하며, 상기 수납부(41)에는 발광 모듈(30), 광학 시트(60), 도광판(70) 및 반사 시트(45)가 수납될 수 있다. 상기 바텀 커버(40)는 방열 효율이 높은 금속 예컨대, 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 탄탈룸(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb) 및 상기 이들의 선택적인 합금 중에서 선택적으로 형성될 수 있다.
상기 바텀 커버(40)의 수납부(41)에는 반사 시트(45), 도광판(70), 광학 시트(60)가 순차적으로 적층될 수 있고, 상기 발광 모듈(30)은 상기 바텀 커버(40)의 측면부(42)에서 상기 도광판(70)의 한 측면과 대응되게 배치된다.
상기 바텀 커버(40)의 베이스부(41A)에는 단차 영역(41B)이 형성되며, 상기 단차 영역(41B)은 상기 방열 플레이트(50)의 제2프레임부(54)가 결합되는 부분이다. 상기 단차 영역(41B)은 상기 제2프레임부(54)의 두께 정도의 깊이와 상기 제2프레임부(54)의 너비 정도의 너비를 갖고 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
실시 예는 바텀 커버(40)의 베이스부(41A) 중 측면부(42)로부터 절곡된 부분에 단차 영역(41B)을 배치한 예를 설명하였으나, 상기 베이스부(41A)에는 단차 영역(41B)이 형성되지 않을 수 있다.
상기 방열 플레이트(50)의 제2프레임부(54)는 상기 바텀 커버(40)의 베이스부(41A)에 배치된 단차 영역(41B)에 접착제(49)로 접착될 수 있다.
상기 회로 기판(32)은 상기 방열 플레이트(50)의 제2프레임부(54)로부터 이격되게 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 7은 실시 예에 따른 라이트 유닛의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 7을 참조하면, 라이트 유닛의 광원 모듈은 회로 기판(32)의 제2외곽 영역(17) 상에 반사 부재(35)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(35)는 비 금속 재질 또는 절연 재질을 포함하며, 예컨대 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질로 형성될 수 있다. 상기 반사 부재(35)는 내부에 상기 수지 재질의 굴절률보다 높은 굴절률을 갖는 불순물을 포함할 수 있다. 상기 반사 부재(35)는 Al, Cr, Si, Ti, Zn, Zr 중 적어도 하나를 갖는 산화물, 질화물, 불화물, 황화물과 같은 화합물들 중 적어도 하나가 첨가될 수 있다. 상기 반사 부재(35)는 예컨대, TiO2, SiO2, Al2O3중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 반사 부재(35)는 상기 도광판(70)과 상기 회로 기판(32) 사이의 갭의 외측으로 돌출되어, 상기 도광판(70)과 상기 회로 기판(32) 사이의 갭을 통해 누설되는 광을 반사시켜 줄 수 있다.
도 8은 실시 예에 따른 라이트 유닛의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 8을 참조하면, 라이트 유닛의 광원 모듈은, 방열 플레이트(50)의 제1프레임부(52)의 외측에 상기 도광판 방향으로 돌출된 반사부(28)를 포함한다.
상기 반사부(28)는 상기 제1프레임부(52)의 제2외곽부(27)로부터 절곡되어 상기 도광판(70) 방향으로 돌출된다. 이러한 반사부(28)는 상기 도광판(70)의 입사면(71)보다 더 높게 돌출될 수 있다. 이에 따라 상기 반사부(28)는 상기 도광판(70)과 상기 회로 기판(32) 사이의 갭의 외측으로 돌출되어, 상기 도광판(70)과 상기 회로 기판(32) 사이의 갭을 통해 누설되는 광을 반사시켜 줄 수 있다.
도 9는 실시 예에 따른 라이트 유닛의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 9를 참조하면, 라이트 유닛은 도광판(70)의 입사면(71A)이 곡면을 포함한 구조이다. 상기 도광판(70)의 입사면(71A)은 상기 발광 소자(34)의 반대측 방향으로 오목한 곡면을 포함하며, 상기 곡면은 상기 발광 소자(34)로부터 방출된 광이 입사되는 면적이 증가될 수 있다. 또한 상기 입사면(71)과 발광 소자(34)의 간격이 상기 오목한 곡면에 의해 더 이격될 수 있어, 도광판(70)의 열 팽창에 따라 발광 소자(34)에 손해를 주는 문제를 해결할 수 있다.
도 11은 실시 예에 따른 발광 소자의 일 예를 나타낸 도면이다.
도 11을 참조하면, 발광 소자는 몸체(110)와, 상기 몸체(110)에 적어도 일부가 배치된 제1 리드 프레임(111) 및 제2 리드 프레임(112)과, 상기 몸체(110) 상에 상기 제1 리드 프레임(111) 및 제2 리드 프레임(112)과 전기적으로 연결되는 발광 칩(101)과, 상기 몸체(110) 상에 상기 발광 칩(101) 상에 몰딩 부재(120)를 포함한다.
상기 몸체(110)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 몸체(110)는 위에서 볼 때 내부에 캐비티(cavity)(125) 및 그 둘레에 경사면을 갖는 반사부(115)를 포함한다. 상기 몸체(110)는 반사부(115)와 동일 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(110)는 절연성의 재질을 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 에폭시, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), 또는 에폭시와 같은 수지 재질로 이루어질 수 있다.
상기 제1 리드 프레임(111) 및 상기 제2 리드 프레임(112)은 서로 전기적으로 분리될 수 있다. 즉, 상기 제1 리드 프레임(111) 및 상기 제2 리드 프레임(112)은 일부는 상기 캐비티(125)의 바닥에 배치되고, 다른 부분은 상기 몸체(110)의 외부로 돌출될 수 있다.
상기 제1 리드 프레임(111) 및 제2 리드 프레임(112)은 상기 발광 칩(101)에 전원을 공급하고, 상기 발광 칩(101)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 칩(101)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 기능을 할 수도 있다.
상기 발광 칩(101)은 상기 몸체(110) 상에 설치되거나 상기 제1 리드 프레임(111) 및 제2 리드 프레임(112) 중 적어도 하나 또는 모두의 위에 배치될 수 있다. 상기 발광 칩(101)은 가시광선 대역부터 자외선 대역의 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 레드 LED 칩, 블루 LED 칩, 그린 LED 칩, 엘로우 그린(yellow green) LED 칩 중에서 선택될 수 있다. 상기 발광 칩(101)은 III족 내지 V족 원소의 화합물 반도체 발광소자를 포함한다.
상기 발광 소자(101)의 와이어(116)는 상기 제1 리드 프레임(111) 및 제2 리드 프레임(112) 중 어느 하나에 전기적으로 연결될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다. 상기 제1 리드 프레임(111) 및 제2 리드 프레임(112)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단일 금속층 또는 다층 금속층으로 형성될 수 있다.
상기 몰딩 부재(120)는 캐비티(125) 내에 배치되어 상기 발광 칩(101)를 보호할 수 있다. 상기 몰딩 부재(120)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지층을 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(120) 또는 상기 발광 소자(101) 상에는 방출되는 빛의 파장을 변화하기 위한 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 형광체는 발광 소자(101)에서 방출되는 광의 일부를 여기시켜 다른 파장의 광으로 방출하게 된다. 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몰딩 부재(120)의 표면은 플랫한 형상, 오목한 형상, 볼록한 형상 등으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광 소자의 상부에는 렌즈가 더 형성될 수 있으며, 상기 렌즈는 오목 또는/및 볼록 렌즈의 구조를 포함할 수 있으며, 발광 소자로부터 방출하는 광의 배광(light distribution)을 조절할 수 있다. 상기 발광 소자 내에는 보호 소자가 배치될 수 있다. 상기 보호 소자는 싸이리스터, 제너 다이오드, 또는 TVS(Transient voltage suppression)로 구현될 수 있다.
도 12는 실시 예에 따른 발광 소자의 다른 예이다.
도 12를 참조하면, 발광 소자는 몸체(135), 상기 몸체(135) 아래에 제1 및 제2리드 프레임(131,132), 상기 제1 및 제2리드 프레임(131,132) 상에 발광 칩(102), 상기 발광 칩(102)에 연결된 와이어(145), 상기 몸체(135) 내의 캐비티(137)에 몰딩 부재(150)를 포함한다.
상기 몸체(135), 제1 및 제2리드 프레임(131,132), 몰딩 부재(150)의 재질은 도 11의 설명을 참조하기로 한다.
상기 제1 및 제2리드 프레임(131,132)은 상기 몸체(135)의 바닥 및 상기 캐비티(137)의 바닥에 배치되어, 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
상기 발광 칩(102)은 상기 제1리드 프레임(131) 상에 전도성 접착제로 접착되고, 상기 제2리드 프레임(132)와 와이어(145)로 연결될 수 있다.
상기 발광 칩(102)은 가시광선 대역부터 자외선 대역의 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 레드 LED 칩, 블루 LED 칩, 그린 LED 칩, 엘로우 그린(yellow green) LED 칩 중에서 선택될 수 있다. 상기 발광 칩(101)은 III족 내지 V족 원소의 화합물 반도체 발광소자를 포함한다.
상기 몰딩 부재(150)는 캐비티(137) 내에 배치되어 상기 발광 칩(102)을 보호할 수 있다. 상기 몰딩 부재(150)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지층을 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(150) 또는 상기 발광 소자(101) 상에는 방출되는 빛의 파장을 변화하기 위한 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 형광체는 발광 소자(101)에서 방출되는 광의 일부를 여기시켜 다른 파장의 광으로 방출하게 된다. 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몰딩 부재(120)의 표면은 플랫한 형상, 오목한 형상, 볼록한 형상 등으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 13은 실시 예에 따른 발광 소자의 다른 예이다.
도 13을 참조하면, 발광 소자(600)는 오목부(660)를 갖는 몸체(610), 제1캐비티(625)를 갖는 제1리드 프레임(621), 제2캐비티(635)를 갖는 제2리드 프레임(631), 연결 프레임(646), 발광 소자들(671,672), 연결부재들(603 내지 606), 몰딩 부재(651), 및 페이스트 부재(681,682)를 포함한다. 실시 예의 설명의 위해, 상기 발광소자 패키지(600)는 제1방향의 길이가 3mm-12mm, 제1방향과 직교하는 제2방향의 길이가 3mm-12mm, 두께가 800㎛ 범위로 형성될 수 있으며, 내부에 복수의 발광 소자(671,672)이 배치된 구성을 일 예로 설명하기로 하며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 몸체(610)는 절연성, 전속성, 또는 금속성 재질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 몸체(610)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 몸체(610)는 폴리프탈아미드(PPA)와 같은 수지 재질로 이루어질 수 있다.
다른 예로서, 상기 몸체(610)가 전도성을 갖는 재질로 형성되면, 상기 몸체(610)의 표면에는 절연막(미도시)이 더 형성되어 전도성의 몸체(610)와 다른 리드 프레임과의 전기적인 쇼트를 방지할 수 있다.
상기 몸체(610)의 형상은 위에서 볼 때, 삼각형, 사각형, 다각형, 원형, 또는 곡면을 갖는 형상으로 형성될 수 있다. 상기 몸체(610)는 복수의 측면부(611~614)를 포함하며, 상기 복수의 측면부(611~614) 중 적어도 하나는 상기 몸체(610)의 하면에 대해 수직하거나 경사지게 배치될 수 있다. 상기 몸체(610)는 제1 내지 제4측면부(611~614)를 그 예로 설명하며, 제1측면부(611)와 제2측면부(612)는 서로 반대측 면이며, 상기 제3측면부(613)와 상기 제4측면부(614)는 서로 반대측 면이다. 상기 제1측면부(611) 및 제2측면부(612) 각각의 길이는 제3측면부(613) 및 제4측면부(614)의 길이와 다를 수 있으며, 예컨대 상기 제1측면부(611)와 상기 제2측면부(612)의 길이(예: 단변 길이)는 상기 제3측면부(613) 및 제4측면부(614)의 길이보다 더 짧게 형성될 수 있다. 상기 제1측면부(611) 또는 제2측면부(612)의 길이는 상기 제3측면부(613) 및 제4측면부(614) 사이의 간격일 수 있으며, 상기의 길이 방향은 제2 및 제3캐비티(625,635)의 중심을 지나는 방향일 수 있다.
상기 제1리드 프레임(621) 및 제2리드 프레임(631)은 상기 몸체(610)의 하면에 배치되어 회로기판 상에 탑재될 수 있다. 다른 예로서, 상기 제1리드 프레임(621) 및 제2리드 프레임(631)은 상기 몸체(610)의 일 측면에 배치되어 회로 기판 상에 탑재될 수 있다. 상기 제1리드 프레임(621) 및 제2리드 프레임(631)의 두께는 0.2mm±0.05 mm로 형성될 수 있다. 상기의 제1 및 제2리드 프레임(621,631)은 전원을 공급하는 리드로 기능하게 된다.
상기 몸체(610)는 오목부(660)를 포함하며, 상기 오목부(660)는 상부가 개방되고, 측면과 바닥으로 이루어진다. 상기 오목부(660)는 상기 몸체(610)의 상면(615)으로부터 오목한 컵 구조, 캐비티 구조, 또는 리세스 구조와 같은 형태로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 오목부(660)의 측면은 그 바닥에 대해 수직하거나 경사질 수 있다. 상기 오목부(660)를 위에서 바라본 형상은 원형, 타원형, 다각형(예컨대, 사각형), 또는 모서리가 곡면인 다각형 형상일 수 있다.
상기 제1리드 프레임(621)은 상기 오목부(660)의 제1영역 아래에 배치되며, 상기 오목부(660)의 바닥에 일부가 배치되고 그 중심부에 상기 오목부(660)의 바닥보다 더 낮은 깊이를 갖도록 오목한 제1캐비티(625)가 배치된다. 상기 제1캐비티(625)는 상기 오목부(660)의 바닥으로부터 상기 몸체(610)의 하면 방향으로 오목한 형상, 예컨대, 컵(Cup) 구조 또는 리세스(recess) 형상을 포함한다.
상기 제1캐비티(625)의 측면 및 바닥(622)은 상기 제1리드 프레임(621)에 의해 형성되며, 상기 제1캐비티(625)의 둘레 측면은 상기 제1캐비티(625)의 바닥(622)으로부터 경사지거나 수직하게 절곡될 수 있다. 상기 제1캐비티(625)의 측면 중에서 대향되는 두 측면은 동일한 각도로 경사지거나 서로 다른 각도로 경사질 수 있다.
상기 제2리드 프레임(631)은 상기 오목부(660)의 제1영역과 이격되는 제2영역에 배치되며, 상기 오목부(660)의 바닥에 일부가 배치되고, 그 중심부에는 상기 오목부(660)의 바닥보다 더 낮은 깊이를 갖도록 오목한 제2캐비티(635)가 형성된다. 상기 제2캐비티(635)는 상기 제2리드 프레임(631)의 상면으로부터 상기 몸체(610)의 하면 방향으로 오목한 형상, 예컨대, 컵(Cup) 구조 또는 리세스(recess) 형상을 포함한다. 상기 제2캐비티(635)의 바닥(632) 및 측면은 상기 제2리드 프레임(631)에 의해 형성되며, 상기 제2캐비티(635)의 측면은 상기 제2캐비티(635)의 바닥(632)으로부터 경사지거나 수직하게 절곡될 수 있다. 상기 제2캐비티(635)의 측면 중에서 대향되는 두 측면은 동일한 각도로 경사지거나 서로 다른 각도로 경사질 수 있다.
상기 제1캐비티(625)와 상기 제2캐비티(635)는 위에서 볼 때, 동일한 형상이거나, 서로 대칭되는 형상으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1리드 프레임(621) 및 상기 제2리드 프레임(631)의 중심부 각각은 상기 몸체(610)의 하부로 노출되며, 상기 몸체(610)의 하면과 동일 평면 또는 다른 평면 상에 배치될 수 있다.
상기 제1리드 프레임(621)의 외측부는 상기 몸체(610)의 하부에 배치되고 상기 몸체(610)의 제3측면부(613)로 돌출될 수 있다. 상기 제2리드 프레임(631)의 외측부는 상기 몸체(610)의 하부에 배치되고 상기 몸체(610)의 제3측면부(613)의 반대측 제4측면부(614)로 돌출될 수 있다.
상기 제1리드 프레임(621), 제2리드 프레임(631) 및 연결 프레임(646)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제1, 제2리드 프레임(621,631)의 두께는 동일한 두께로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1캐비티(625) 및 상기 제2캐비티(635)의 바닥 형상은 직사각형, 정 사각형 또는 곡면을 갖는 원 또는 타원 형상일 수 있다.
상기 오목부(660)의 바닥에는 연결 프레임(646)이 배치되며, 상기 연결 프레임(646)은 상기 제1리드 프레임(621)과 제2리드 프레임(631) 사이에 배치되어, 중간 연결 단자로 사용된다. 상기의 연결 프레임(646)은 제거될 수 있으며, 상기 연결 프레임(646)이 제거되면 상기 제1 및 제2발광 소자(671,672)은 제1리드 프레임(621)과 제2리드 프레임(631)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1리드 프레임(621)의 제1캐비티(625) 내에는 제1발광 소자(671)이 배치되며, 상기 제2리드 프레임(631)의 제2캐비티(635) 내에는 제2발광 소자(672)이 배치될 수 있다.
상기 제1 및 제2발광 소자(671,672)은 가시광선 대역부터 자외선 대역의 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 레드 LED 칩, 블루 LED 칩, 그린 LED 칩, 엘로우 그린(yellow green) LED 칩 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1 및 제2발광 소자(671,672)은 II족-VI족 원소 또는 III족-V족 원소의 화합물 반도체 발광소자를 포함한다.
상기 제1발광 소자(671)는 연결부재(603,604)로 상기 제1연결 프레임(621)과 상기 연결 프레임(646)와 연결된다. 상기 제2발광 소자(672)는 연결부재(605,606)로 상기 제2연결 프레임(631)과 상기 연결 프레임(646)와 연결된다. 상기의 연결부재(603-606)은 와이어로 구현될 수 있다.
보호 소자는 상기 제1리드 프레임(621) 또는 상기 제2리드 프레임(631)의 일부 상에 배치될 수 있다. 상기 보호 소자는 싸이리스터, 제너 다이오드, 또는 TVS(Transient voltage suppression)로 구현될 수 있으며, 상기 제너 다이오드는 상기 발광 소자를 ESD(electro static discharge)로 부터 보호하게 된다. 상기 보호 소자는 제1발광 소자(671) 및 제2발광 소자(672)의 연결 회로에 병렬로 연결됨으로써, 상기 발광 소자들(671,672)을 보호할 수 있다.
상기 오목부(660), 제1캐비티(625) 및 상기 제2캐비티(635)에는 몰딩 부재(651)가 형성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(651)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지 재질을 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
제1페이스트 부재(681)는 상기 제1발광 소자(671)과 상기 제1캐비티(625)의 바닥(622) 사이를 배치되어, 서로를 접착시켜 주고 전기적으로 연결시켜 준다. 제2페이스트 부재(682)는 상기 제2발광 소자(672)과 상기 제2캐비티(635)의 바닥(632) 사이를 배치되어, 서로를 접착시켜 주고 전기적으로 연결시켜 준다.
상기 제1 및 제2페이스트 부재(681,682)는 절연성 접착제를 포함하며, 예컨대 에폭시를 포함한다. 또한 상기의 에폭시에 필러를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 몰딩 부재(651)는 상기 발광 소자(671,672) 상으로 방출되는 빛의 파장을 변환하기 위한 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 형광체는 상기 제1캐비티(625) 및 상기 제2캐비티(635) 중 하나 또는 모든 영역에 형성된 몰딩 부재(651)에 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 형광체는 발광 소자(671,672)에서 방출되는 빛의 일부를 여기시켜 다른 파장의 빛으로 방출하게 된다. 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몰딩 부재(651)의 표면은 플랫한 형상, 오목한 형상, 볼록한 형상 등으로 형성될 수 있으며, 예를 들면 상기 몰딩 부재(651)의 표면은 오목한 곡면으로 형성될 수 있으며, 상기 오목한 곡면은 광 출사면이 될 수 있다.
상기 오목부(660)의 둘레는 상기 오목부(660)의 바닥에 대해 경사지게 형성될 수 있다. 상기 오목부(660)의 둘레는 스텝 구조로 형성되어, 몰딩 부재(651)가 넘치는 것을 방지할 수 있다.
상기 몰딩 부재(651)의 상면은 오목하거나, 볼록하거나, 플랫한 면으로 형성될 수 있다. 또한 상기 몰딩 부재(651)의 상면은 러프한 요철 면으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기의 발광 소자(600) 상에는 형광 시트가 배치되거나, 상기 각 발광 소자(671,672) 상에 형광체층이 접착되도록 도포될 수 있다. 이는 도 1의 발광 소자의 동공이 없어지는 것을 차단하기 위한 예이다.
도 14는 실시 예에 따른 발광 소자의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 14를 참조하면, 발광 소자는 발광 칩(200A) 및 상기 발광 칩(200A) 상에 형광체층(250)을 포함한다.
상기 발광 칩(11)은 발광 구조물(225) 및 복수의 전극(245,247)을 포함한다. 상기 발광 구조물(225)은 II족 내지 VI족 원소의 화합물 반도체층 예컨대, III족-V족 원소의 화합물 반도체층 또는 II족-VI족 원소의 화합물 반도체층으로 형성될 수 있다. 상기 복수의 전극(245,247)은 상기 발광 구조물(225)의 반도체층에 선택적으로 연결되며, 전원을 공급하게 된다.
상기 발광 칩은 기판(221)을 포함할 수 있다. 상기 기판(221)은 상기 발광 구조물(225) 위에 배치된다. 상기 기판(221)은 예컨대, 투광성, 절연성 기판, 또는 전도성 기판일 수 있다. 상기 기판(221)은 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga2O3 중 적어도 하나를 이용할 수 있다. 상기 기판(221)의 탑 면 및 바닥면 중 적어도 하나 또는 모두에는 복수의 볼록부(미도시)가 형성되어, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 각 볼록부의 측 단면 형상은 반구형 형상, 반타원 형상, 또는 다각형 형상 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이러한 기판(221)은 제거될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광 칩(200A)은 상기 기판(221)과 상기 발광 구조물(225) 사이에 버퍼층(미도시) 및 언도프드 반도체층(미도시) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 버퍼층은 상기 기판(221)과 반도체층과의 격자 상수 차이를 완화시켜 주기 위한 층으로서, II족 내지 VI족 화합물 반도체 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층 아래에는 언도핑된 III족-V족 화합물 반도체층이 더 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 기판(221)은 제거될 수 있다. 상기 기판(221)이 제거된 경우 형광체층(61)은 상기 제1도전형 반도체층(222)의 상면이나 다른 반도체층의 상면에 접촉될 수 있다.
상기 발광 구조물(225)은 상기 기판(221) 아래에 배치될 수 있으며, 제1도전형 반도체층(222), 활성층(223) 및 제2도전형 반도체층(224)을 포함한다. 상기 각 층(222,223,224)의 위 및 아래 중 적어도 하나에는 다른 반도체층이 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1도전형 반도체층(222)은 기판(221) 아래에 배치되며, 제1도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(222)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제1도전형 반도체층(222)은 III족-V족 원소의 화합물 반도체 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 도펀트를 포함한다.
상기 활성층(223)은 제1도전형 반도체층(222) 아래에 배치되고, 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선(quantum wire) 구조 또는 양자 점(quantum dot) 구조를 선택적으로 포함하며, 우물층과 장벽층의 주기를 포함한다. 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaA, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs의 페어 중 적어도 하나를 포함한다.
상기 제2도전형 반도체층(224)은 활성층(223) 아래에 배치된다. 상기 제2도전형 반도체층(224)은 제2도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(224)은, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(224)이 p형 반도체층이고, 상기 제1도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba을 포함할 수 있다.
상기 발광 구조물(225)은 다른 예로서, 상기 제1도전형 반도체층(222)이 p형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층(224)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(224) 아래에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제3도전형 반도체층이 형성할 수도 있다. 또한 상기 발광 구조물(225)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.
상기 발광 칩(200A)은 하부에는 제1 및 제2전극(245,247)이 배치된다. 상기 제1전극(245)은 상기 제1도전형 반도체층(222)과 전기적으로 연결되며, 상기 제2전극(247)은 제2도전형 반도체층(224)과 전기적으로 연결된다. 상기 제1 및 제2전극(245,247)은 바닥 형상이 다각형 또는 원 형상일 수 있다.
상기 발광 칩(200A)은 제1 및 제2전극층(241,242), 제3전극층(243), 절연층(231,233)을 포함한다. 상기 제1 및 제2전극층(241,242) 각각은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 전류 확산층으로 기능할 수 있다. 상기 제1 및 제2전극층(241,242)은 상기 발광 구조물(225)의 아래에 배치된 제1전극층(241); 및 상기 제1전극층(241) 아래에 배치된 제2전극층(242)을 포함할 수 있다. 상기 제1전극층(241)은 전류를 확산시켜 주게 되며, 상기 제2전극층(241)은 입사되는 광을 반사하게 된다.
상기 제1 및 제2전극층(241,242)은 서로 다른 물질로 형성될 수 있다. 상기 제1전극층(241)은 투광성 재질로 형성될 수 있으며, 예컨대 금속 산화물 또는 금속 질화물로 형성될 수 있다.
상기 제1전극층(241)은 예컨대 ITO(indium tin oxide), ITON(ITO nitride), IZO(indium zinc oxide), IZON(IZO nitride), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide) 중에서 선택적으로 형성될 수 있다.
상기 제2전극층(242)은 상기 제1전극층(241)의 하면과 접촉되며 반사 전극층으로 기능할 수 있다. 상기 제2전극층(242)은 금속 예컨대, Ag, Au 또는 Al를 포함한다. 상기 제2전극층(242)은 상기 제1전극층(241)이 일부 영역이 제거된 경우, 상기 발광 구조물(225)의 하면에 부분적으로 접촉될 수 있다.
다른 예로서, 상기 제1 및 제2전극층(241,242)의 구조는 무지향성 반사(ODR: Omni Directional Reflector layer) 구조로 적층될 수 있다. 상기 무지향성 반사 구조는 낮은 굴절률을 갖는 제1전극층(241)과, 상기 제1전극층(241)과 접촉된 고 반사 재질의 금속 재질인 제2전극층(242)의 적층 구조로 형성될 수 있다. 상기 전극층(241,242)은, 예컨대, ITO/Ag의 적층 구조로 이루어질 수 있다. 이러한 상기 제1전극층(241)과 제2전극층(242) 사이의 계면에서 전 방위 반사각을 개선시켜 줄 수 있다.
다른 예로서, 상기 제2전극층(242)은 제거될 수 있으며, 다른 재질의 반사층으로 형성될 수 있다. 상기 반사층은 분산형 브래그 반사(distributed bragg reflector: DBR) 구조로 형성될 수 있으며, 상기 분산형 브래그 반사 구조는 서로 다른 굴절률을 갖는 두 유전체층이 교대로 배치된 구조를 포함하며, 예컨대, SiO2층, Si3N4층, TiO2층, Al2O3층, 및 MgO층 중 서로 다른 어느 하나를 각각 포함할 수 있다. 다른 예로서, 상기 전극층(241,242)은 분산형 브래그 반사 구조와 무지향성 반사 구조를 모두 포함할 수 있으며, 이 경우 98% 이상의 광 반사율을 갖는 발광 칩을 제공할 수 있다. 상기 플립 방식으로 탑재된 발광 칩은 상기 제2전극층(242)로부터 반사된 광이 기판(221)을 통해 방출하게 되므로, 수직 상 방향으로 대부분의 광을 방출할 수 있다.
상기 발광 칩(200A)의 측면으로 방출된 광은 실시 예에 따른 반사 부재에 의해 광 출사 영역으로 반사될 수 있다.
상기 제3전극층(243)은 상기 제2전극층(242)의 아래에 배치되며, 상기 제1 및 제2전극층(241,242)과 전기적으로 절연된다. 상기 제3전극층(243)은 금속 예컨대, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 제3전극층(243) 아래에는 제1전극(245) 및 제2전극(247)가 배치된다.
상기 절연층(231,233)은 제1 및 제2전극층(241,242), 제3전극층(243), 제1 및 제2전극(245,247), 발광 구조물(225)의 층 간의 불필요한 접촉을 차단하게 된다. 상기 절연층(231,233)은 제1 및 제2절연층(231,233)을 포함한다. 상기 제1절연층(231)은 상기 제3전극층(243)과 제2전극층(242) 사이에 배치된다. 상기 제2절연층(233)은 상기 제3전극층(243)과 제1,2전극(245,247) 사이에 배치된다.
상기 제3전극층(243)은 상기 제1도전형 반도체층(222)과 연결된다. 상기 제3전극층(243)의 연결부(244)는 상기 제1, 2전극층(241, 242) 및 발광 구조물(225)의 하부를 통해 비아 구조로 돌출되며 제1도전형 반도체층(222)과 접촉된다. 상기 연결부(244)는 복수로 배치될 수 있다. 상기 제3전극층(243)의 연결부(244)의 둘레에는 상기 제1절연층(231)의 일부(232)가 연장되어 제3전극층(243)과 상기 제1 및 제2전극층(241,242), 제2도전형 반도체층(224) 및 활성층(223) 간의 전기적인 연결을 차단한다. 상기 발광 구조물(225)의 측면에는 측면 보호를 위해 절연 층이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제2전극(247)은 상기 제2절연층(233) 아래에 배치되고 상기 제2절연층(233)의 오픈 영역을 통해 상기 제1 및 제2전극층(241, 242) 중 적어도 하나와 접촉되거나 연결된다. 상기 제1전극(245)은 상기 제2절연층(233)의 아래에 배치되며 상기 제2절연층(233)의 오픈 영역을 통해 상기 제3전극층(243)과 연결된다. 이에 따라 상기 제2전극(247)의 돌기(248)는 제1,2전극층(241,242)을 통해 제2도전형 반도체층(224)에 전기적으로 연결되며, 제1전극(245)의 돌기(246)는 제3전극층(243)을 통해 제1도전형 반도체층(222)에 전기적으로 연결된다.
상기 발광 소자는 형광체층(250)을 포함할 수 있다. 상기 형광체층(250)은 상기 발광 칩(200A)의 상면 위에 배치될 수 있다. 상기 형광체층(250)은 상기 발광 칩(200A)의 상면 및 측면 상에 접촉되거나 이격되게 배치될 수 있다. 상기 형광체층(250)이 상기 발광 칩(200A)의 상면 전체를 커버하는 크기로 배치되므로, 상기 발광 칩(200A)으로부터 방출된 광의 파장 변환 효율이 개선될 수 있다.
상기 형광체층(250)은 상기 발광 칩(200A)으로부터 방출된 일부 광을 파장 변환하게 된다. 상기 형광체층(250)은 실리콘 또는 에폭시 수지 내에 형광체를 포함하며, 상기 형광체는 적색 형광체, 녹색 형광체, 청색 형광체, 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 형광체는 예컨대, YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다.
실시 예에 따른 발광 모듈은 휴대 단말기, 컴퓨터 등의 라이트 유닛 뿐만 아니라, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판, 가로등 등의 조명 장치에 적용될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 탑 뷰 타입의 발광 모듈에는 상기 도광판을 배치하지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 상기 발광 모듈 위에 렌즈 또는 유리와 같은 투광성 물질이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이며, 이 또한 첨부된 청구범위에 기재된 기술적 사상에 속한다 할 것이다.
100: 표시장치 10: 표시 패널
15: 리세스부 20: 라이트 유닛
25: 오목부 20A: 광원 모듈
30: 발광 모듈 32: 회로 기판
34: 발광 소자 45: 반사 시트
50: 방열 플레이트 52: 제1프레임부
54: 제2프레임부 60: 광학 시트
70: 도광판

Claims (15)

  1. 오목부를 갖는 제1프레임부 및 상기 제1프레임부로부터 절곡된 제2프레임부를 갖는 방열 플레이트;
    상기 제1프레임부 상에 배치되며 상기 오목부 상에 리세스부를 갖는 회로 기판 및 상기 회로 기판의 리세스부에 배열된 복수의 발광 소자를 포함하는 발광 모듈; 및
    상기 제1프레임부와 상기 회로 기판 사이에 배치된 접착 부재를 포함하는 라이트 유닛.
  2. 너비보다 길이가 긴 리세스부를 갖는 회로 기판 및 상기 회로 기판의 리세스부에 상기 리세스부의 길이 방향을 따라 배열된 복수의 발광 소자를 포함하는 발광 모듈;
    상기 회로 기판의 배면에 배치된 방열 플레이트; 및
    상기 방열 플레이트와 회로 기판 사이에 배치된 접착 부재를 포함하는 라이트 유닛.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1프레임부는 상기 제1오목부의 바닥을 이루는 바닥부와, 상기 바닥부로부터 경사지게 절곡된 제1 및 제2측면부와, 상기 제1측면부와 상기 제2프레임부 사이에 연결된 제1외곽부와, 상기 제2측면부로부터 절곡된 제2외곽부를 포함하는 라이트 유닛.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 회로 기판은 상기 제1프레임부의 바닥부 상에 바닥 영역과, 상기 제1 및 제2측면부 상에 제1 및 제2측면 영역과, 상기 제1 및 제2측면 영역으로부터 연장되어 상기 제1 및 제2외곽부 상에 배치된 제1 및 제2외곽 영역을 포함하는 라이트 유닛.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 회로 기판의 외측 상면은 상기 발광 소자의 상면보다 높게 배치되는 라이트 유닛.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 리세스의 상부 너비는 상기 리세스의 바닥 너비보다 넓은 라이트 유닛.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 리세스의 상부 너비는 발광 모듈 상에 배치되는 도광판의 두께보다 좁게 배치되는 라이트 유닛.
  8. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 회로 기판의 외측 상면 상에 배치된 반사 부재를 포함하는 라이트 유닛.
  9. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제1프레임부는 상기 회로 기판의 외 측면보다 돌출된 반사부를 포함하는 라이트 유닛.
  10. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광 소자는 몸체; 상기 몸체 내에 캐비티; 상기 캐비티 상에 복수의 리드 프레임; 및 상기 복수의 리드 프레임 중 적어도 하나의 위에 발광 칩을 포함하는 라이트 유닛.
  11. 제1항, 제3항 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방열 플레이트는 상기 제2프레임부가 상기 제1프레임부로부터 직각 방향으로 절곡되며,
    상기 제2프레임부의 너비는 상기 제1프레임부의 너비보다 길게 배치되는 라이트 유닛.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 및 제2프레임부 각각의 길이는 상기 제1 및 제2프레임부의 너비의 합보다 길게 배치되는 라이트 유닛.
  13. 청구항 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 라이트 유닛;
    상기 라이트 유닛의 발광 모듈에 대응되는 도광판; 및
    상기 도광판 및 라이트 유닛이 배치된 수납부를 갖는 바텀 커버를 포함하는 조명 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 바텀 커버와 상기 라이트 유닛의 방열 플레이트 사이에 접착제가 배치되는 조명 장치.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 도광판과 상기 방열 플레이트 사이에 반사 시트를 포함하는 조명 장치.
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