KR20170009054A - Light unit and lighting apparatus having the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a light unit. According to an embodiment, the light unit includes: a radiation plate having a first frame unit with a concave unit and a second frame unit bent from the first frame; a light emitting module including a circuit board arranged on the first frame, and having a recess unit on the concave unit and a plurality of light emitting devices arranged on the recess unit of the circuit board; and an adhesive member arranged between the first frame unit and the circuit board.

Description

라이트 유닛 및 이를 구비한 조명 장치{LIGHT UNIT AND LIGHTING APPARATUS HAVING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a light unit,

실시 예는 라이트 유닛 및 이를 구비한 조명 장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a light unit and a lighting apparatus having the same.

발광 소자, 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.BACKGROUND ART A light emitting device, for example, a light emitting device (Light Emitting Device) is a type of semiconductor device that converts electrical energy into light, and has been widely recognized as a next generation light source in place of existing fluorescent lamps and incandescent lamps.

발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생성하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.Since the light emitting diode generates light by using a semiconductor element, the light emitting diode consumes very low power as compared with an incandescent lamp that generates light by heating tungsten, or a fluorescent lamp that generates ultraviolet light by impinging ultraviolet rays generated through high-pressure discharge on a phosphor .

발광 다이오드는 실내 및 실외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등, 지시등과 같은 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다.BACKGROUND ART Light emitting diodes are increasingly used as light sources for various lamps used in indoor and outdoor, lighting devices such as liquid crystal display devices, electric sign boards, street lamps, and indicator lamps.

실시 예는 새로운 라이트 유닛을 제공한다.The embodiment provides a new light unit.

실시 예는 방열 플레이트의 오목부에 회로 기판 상의 발광 소자가 배열될 수 있도록 한 라이트 유닛 및 이를 구비한 조명 장치를 제공한다. Embodiments provide a light unit and a lighting apparatus including the light unit in which light emitting elements on a circuit board can be arranged in recesses of a heat dissipating plate.

실시 예는 방열 플레이트 상의 회로 기판의 리세스부에 발광 소자가 배열될 수 있도록 한 라이트 유닛 및 이를 구비한 조명 장치를 제공한다.
Embodiments provide a light unit and a lighting apparatus having the light unit in which the light emitting element can be arranged in the recess portion of the circuit board on the heat dissipating plate.

실시 예에 따른 라이트 유닛은, 오목부를 갖는 제1프레임부 및 상기 제1프레임부로부터 절곡된 제2프레임부를 갖는 방열 플레이트; 상기 제1프레임부 상에 배치되며 상기 오목부 상에 리세스부를 갖는 회로 기판 및 상기 회로 기판의 리세스부에 배열된 복수의 발광 소자를 포함하는 발광 모듈; 및 상기 제1프레임부와 상기 회로 기판 사이에 배치된 접착 부재를 포함한다. A light unit according to an embodiment includes a heat radiating plate having a first frame portion having a concave portion and a second frame portion bent from the first frame portion; A light emitting module including a circuit board disposed on the first frame portion and having a recessed portion on the recessed portion, and a plurality of light emitting elements arranged in a recessed portion of the circuit board; And an adhesive member disposed between the first frame portion and the circuit board.

실시 예에 따른 라이트 유닛은, 너비보다 길이가 긴 리세스부를 갖는 회로 기판 및 상기 회로 기판의 리세스부에 상기 리세스부의 길이 방향을 따라 배열된 복수의 발광 소자를 포함하는 발광 모듈; 상기 회로 기판의 배면에 배치된 방열 플레이트; 및 상기 방열 플레이트와 회로 기판 사이에 배치된 접착 부재를 포함한다. A light unit according to an embodiment includes a light emitting module including a circuit board having a recess portion having a length larger than the width and a plurality of light emitting elements arranged along the longitudinal direction of the recess portion in the recess portion of the circuit board. A heat dissipation plate disposed on a rear surface of the circuit board; And an adhesive member disposed between the heat dissipation plate and the circuit board.

실시 예에 따른 조명 장치는 상기의 라이트 유닛을 포함한다.The lighting apparatus according to the embodiment includes the light unit described above.

실시 예는 조명 장치에서 발광 소자의 손해를 감소시켜 줄 수 있다. The embodiment can reduce the damage of the light emitting element in the illumination device.

실시 예는 발광 소자의 광 효율을 개선시켜 줄 수 있다. The embodiment can improve the light efficiency of the light emitting device.

실시 예는 발광 소자를 갖는 라이트 유닛 및 이를 구비한 조명 시스템의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment can improve the reliability of a light unit having a light emitting element and an illumination system having the light unit.

도 1은 실시 예에 따른 표시 패널을 갖는 조명 장치의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 라이트 유닛의 결합 측 단면도이다.
도 3은 도 2의 라이트 유닛의 광원 모듈의 상세 도면이다.
도 4는 도 3의 방열 플레이트를 나타낸 도면이다.
도 5는 도 2의 라이트 유닛의 광원 모듈의 사시도이다.
도 6은 도 5의 광원 모듈의 A-A측 단면도이다.
도 7은 도 3의 광원 모듈의 다른 예이다.
도 8은 도 3의 광원 모듈의 다른 예이다.
도 9는 도 3의 광원 모듈의 다른 예이다.
도 10은 실시 예에 따른 광원 모듈의 회로 기판을 나타낸 도면이다.
도 11은 실시 예에 따른 광원 모듈의 발광 소자를 나타낸 도면이다.
도 12는 실시 예에 따른 광원 모듈의 발광 소자의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 13은 실시 예에 따른 광원 모듈의 발광 소자의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 14는 실시 예에 따른 광원 모듈의 발광 소자를 나타낸 도면이다.1 is an exploded perspective view of a lighting apparatus having a display panel according to an embodiment.
2 is a cross-sectional side view of the light unit of Fig.
3 is a detailed view of the light source module of the light unit of FIG.
Fig. 4 is a view showing the heat dissipating plate of Fig. 3. Fig.
5 is a perspective view of the light source module of the light unit of FIG.
6 is a cross-sectional view of the light source module of Fig. 5 on the AA side.
7 is another example of the light source module of Fig.
8 is another example of the light source module of Fig.
9 is another example of the light source module of Fig.
10 is a view showing a circuit board of a light source module according to an embodiment.
11 is a view illustrating a light emitting device of a light source module according to an embodiment.
12 is a view showing another example of the light emitting device of the light source module according to the embodiment.
13 is a view showing another example of the light emitting device of the light source module according to the embodiment.
14 is a view illustrating a light emitting device of a light source module according to an embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상/위(on)"에 또는 "아래/하(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"과 "아래/하(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다.
In the description of the embodiments, each substrate, frame, sheet, layer or pattern is formed "on" or "under" each substrate, frame, sheet, Quot; on "and" under "include both being formed" directly "or" indirectly " .

도 1은 실시 예에 따른 표시 장치를 보여주는 분해 사시도이고, 도 2는 도 1의 라이트 유닛의 결합 단면도이다.FIG. 1 is an exploded perspective view showing a display device according to an embodiment, and FIG. 2 is an assembled cross-sectional view of the light unit of FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 장치(100)는 영상이 표시되는 표시 패널(10)과, 상기 표시 패널(10)에 광을 제공하는 라이트 유닛(20)을 포함한다. 1 and 2, a display device 100 includes a display panel 10 on which an image is displayed, and a light unit 20 that provides light on the display panel 10. [

상기 라이트 유닛(20)은 상기 표시 패널(10)에 면 광원을 제공하는 도광판(70)과, 누설 광을 반사하는 반사 시트(45)와, 상기 도광판(70)의 에지 영역에서 광을 제공하는 광원 모듈(20A), 및 상기 표시 장치(100)의 하측 외관을 형성하는 바텀 커버(40)를 포함한다. The light unit 20 includes a light guide plate 70 for providing a surface light source to the display panel 10, a reflective sheet 45 for reflecting the leaked light, A light source module 20A, and a bottom cover 40 which forms a lower outer appearance of the display device 100. [

도시하지 않았으나, 상기 표시 장치(100)는 상기 표시 패널(10)을 하측에서 지지하는 패널 서포터와, 상기 표시 장치(100)의 테두리를 형성하며 상기 표시 패널(10)의 둘레를 감싸서 지지하는 탑 커버를 포함할 수 있다.Although not shown, the display device 100 includes a panel supporter that supports the display panel 10 from the lower side, a tower that forms a rim of the display device 100 and supports the periphery of the display panel 10 Cover.

상기 표시 패널(10)은 상세히 도시되지는 않았지만, 일례를 들면, 서로 대향하여 균일한 셀 갭이 유지되도록 결합된 하부 기판 및 상부 기판과, 상기 두 기판 사이에 개재된 액정층(미도시)을 포함한다. 상기 하부 기판에는 다수의 게이트 라인과 상기 다수의 게이트 라인과 교차하는 다수의 데이터 라인이 형성되며, 상기 게이트 라인과 데이터 라인의 교차영역에 박막 트랜지스터(TFT: thin film transistor)가 형성될 수 있다. 상기 상부 기판에는 컬러필터들이 형성될 수 있다. 상기 표시 패널(10)의 구조는 이에 한정되지는 않으며, 상기 표시 패널(10)은 다양한 구조를 가질 수 있다. 다른 예를 들면, 상기 하부 기판은 박막 트랜지스터뿐만 아니라 컬러필터를 포함할 수도 있다. 또한, 상기 표시 패널(10)은 상기 액정층을 구동하는 방식에 따라 다양한 형태의 구조로 형성될 수 있다. Although not shown in detail, the display panel 10 may include a lower substrate and an upper substrate coupled to each other to maintain a uniform cell gap, and a liquid crystal layer (not shown) interposed between the two substrates . A plurality of gate lines and a plurality of data lines intersecting the plurality of gate lines may be formed on the lower substrate, and a thin film transistor (TFT) may be formed on the intersections of the gate lines and the data lines. Color filters may be formed on the upper substrate. The structure of the display panel 10 is not limited thereto, and the display panel 10 may have various structures. As another example, the lower substrate may include a color filter as well as a thin film transistor. In addition, the display panel 10 may have various structures according to a method of driving the liquid crystal layer.

도시하지 않았으나, 상기 표시 패널(10)의 가장자리에는 게이트 라인에 스캔신호를 공급하는 게이트 구동 PCB(gate driving printed circuit board)와, 데이터 라인에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동 PCB(data driving printed circuit board)가 구비될 수 있다.Although not shown, a gate driving printed circuit board (PCB) for supplying a scan signal to a gate line is formed at an edge of the display panel 10, a data driving printed circuit board (PCB) May be provided.

상기 표시 패널(10)의 위 및 아래 중 적어도 한 곳에는 편광 필름(미도시)이 배치될 수도 있다. 상기 표시 패널(10)의 아래에는 광학 시트(60)가 배치되며, 상기 광학 시트(60)는 상기 라이트 유닛(20)에 포함될 수 있으며, 적어도 한 장의 프리즘 시트 또는/및 확산 시트를 포함할 수 있다. 상기 광학 시트(60)는 제거될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A polarizing film (not shown) may be disposed on at least one of the upper side and the lower side of the display panel 10. An optical sheet 60 is disposed under the display panel 10 and the optical sheet 60 can be included in the light unit 20 and can include at least one prism sheet and / have. The optical sheet 60 may be removed, but is not limited thereto.

상기 확산 시트는 입사된 광을 고르게 확산시켜 주며, 상기 확산된 광은 프리즘 시트에 의해 표시 패널로 집광될 수 있다. 여기서, 상기 프리즘 시트는 수평 또는/및 수직 프리즘 시트, 한 장 이상의 조도 강화 시트 등을 이용하여 선택적으로 구성할 수 있다. 상기 광학 시트(60)의 종류나 개수 등은 실시 예의 기술적 범위 내에서 추가 또는 삭제될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The diffusing sheet diffuses the incident light evenly, and the diffused light can be converged on the display panel by the prism sheet. Here, the prism sheet may be selectively formed using a horizontal or vertical prism sheet, one or more roughness enhancing sheets, or the like. The types and the number of the optical sheets 60 may be added or deleted within the technical scope of the embodiments, but the invention is not limited thereto.

상기 라이트 유닛(20)은 적어도 하나의 광원 모듈(20A)을 포함할 수 있으며, 이러한 광원 모듈(20A)의 개수는 표시 패널(10)의 사이즈에 따라 달라질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 광원 모듈(20A)은 상기 도광판(70)의 적어도 한 측면 또는 양 측면에 각각 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The light unit 20 may include at least one light source module 20A. The number of the light source modules 20A may vary depending on the size of the display panel 10, but is not limited thereto. The light source module 20A may be disposed on at least one side or both sides of the light guide plate 70, but is not limited thereto.

상기 광원 모듈(20A)은 바텀 커버(40)의 측면 중 제1측면부(42)의 내측에 배치될 수 있다. 상기 광원 모듈(20A)은 상기 바텀 커버(40)의 서로 다른 측면부 예컨대, 양 측면 또는 모든 측면에 배치될 수 있으며, 이에 한정하는 것은 아니다. The light source module 20A may be disposed inside the first side portion 42 of the side surface of the bottom cover 40. [ The light source module 20A may be disposed on different side portions of the bottom cover 40, for example, on both sides or on all sides, but is not limited thereto.

상기 광원 모듈(20A)은 발광 모듈(30)과, 상기 발광 모듈(30)로부터 발생된 열을 방열하는 방열 플레이트(50)를 포함한다. 이러한 광원 모듈(20A)은 도광판(70)의 적어도 한 측면을 통해 광을 제공하게 된다. The light source module 20A includes a light emitting module 30 and a heat dissipating plate 50 for dissipating heat generated from the light emitting module 30. [ The light source module 20A provides light through at least one side of the light guide plate 70. [

도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 발광 모듈(30)은 너비보다 길이가 긴 회로 기판(32)과, 상기 회로 기판(32)의 리세스부(15)에 배열된 복수의 발광 소자(34)를 포함한다.2 and 3, the light emitting module 30 includes a circuit board 32 having a length longer than the width, a plurality of light emitting devices 34 arranged in the recess 15 of the circuit board 32, ).

상기 회로 기판(32)은 상기 리세스부(15)의 바닥에 배치된 바닥 영역(11)과, 상기 바닥 영역(11)으로부터 경사진 제1 및 제2측면 영역(12,13)과, 상기 제1 및 제2측면 영역(12,13)으로부터 외측 방향으로 연장된 제1 및 제2외곽 영역(16,17)을 포함한다. The circuit board 32 includes a bottom region 11 disposed at the bottom of the recess 15, first and second side regions 12 and 13 inclined from the bottom region 11, And first and second outer regions (16, 17) extending outwardly from the first and second side regions (12, 13).

상기 발광 소자(34)는 상기 리세스부(15) 상에 복수개가 상기 회로 기판(32)의 길이 방향을 따라 배열될 수 있다. 상기 발광 소자(34)는 상기 바닥 영역(11) 상에 배열될 수 있다. 상기 리세스부(15)의 깊이(H1)는 상기 발광 소자(34)의 두께보다 깊게 배치될 수 있다. 즉, 상기 회로 기판(32)의 외측 상면 또는 제1,2외곽 영역(16,17)의 상면은 상기 발광 소자(34)의 상면보다 높게 배치될 수 있다. 상기 회로 기판(32)의 외측 상면이 상기 발광 소자(34)의 상면보다 높게 배치됨으로써, 상기 발광 소자(34)가 상기 도광판(70)의 입사면(71)과 이격될 수 있고, 상기 도광판(70)의 열 팽창에 따른 발광 소자(34)의 손해를 방지할 수 있다. 상기 발광 소자(34)와 상기 도광판(70) 사이의 갭은 0.1mm 이상 예컨대, 0.1mm 내지 0.2mm 범위일 수 있으며, 상기 갭이 상기 범위보다 작은 경우 도광판(70)의 열 팽창에 의해 발광 소자(34)에 손해를 줄 수 있으며, 상기 범위보다 큰 경우 광이 누설될 수 있다.
A plurality of the light emitting devices 34 may be arranged on the recess 15 along the longitudinal direction of the circuit board 32. The light emitting device 34 may be arranged on the bottom region 11. The depth H1 of the recess 15 may be greater than the thickness of the light emitting device 34. [ That is, the upper surface of the circuit board 32 or the upper surfaces of the first and second outer regions 16 and 17 may be disposed higher than the upper surface of the light emitting device 34. The outer upper surface of the circuit board 32 is disposed higher than the upper surface of the light emitting device 34 so that the light emitting device 34 can be separated from the incident surface 71 of the light guide plate 70, It is possible to prevent the light emitting element 34 from being damaged due to thermal expansion of the light emitting element 70. The gap between the light emitting device 34 and the light guide plate 70 may be in a range of 0.1 mm or more, for example, 0.1 mm to 0.2 mm. When the gap is smaller than the above range, (34), and light may leak if it is larger than the above range.

상기 리세스부(15)의 너비(D4)는 상기 도광판(70)의 두께(T1)보다 좁게 배치될 수 있다. 이에 따라 상기 도광판(70)의 입사면(71)의 양 에지 부분이 상기 회로 기판(32)의 양 외측 영역과 대면하거나 접촉될 수 있다. 이는 상기 도광판(70)의 열 팽창에 대해 상기 회로 기판(32)의 양 외측 영역 즉, 제1 및 제2외곽 영역(16,17)이 스텁퍼(stopper)로 기능할 수 있다.The width D4 of the recess 15 may be narrower than the thickness T1 of the light guide plate 70. [ Accordingly, both edge portions of the incident surface 71 of the light guide plate 70 can be in contact with or outside of both outer regions of the circuit board 32. This is because the outer side regions of the circuit board 32, that is, the first and second outer side regions 16 and 17, can function as a stubper against the thermal expansion of the light guide plate 70.

상기 회로 기판(32)은 수지 계열의 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판을 포함할 수 있다. 상기 회로 기판(32)은 에폭시 기판(예: FR-4 기판)과 같은 수지계 기판을 적용할 수 있다. 상기 회로 기판(32)은 발광 소자(34)가 방열 플레이트(50)를 통해 열 전도하여 방열을 수행함으로써, 금속층을 갖는 MCPCB와 같은 고가의 기판을 사용하지 않을 수 있다. The circuit board 32 may include a resin-based printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, and an FR-4 substrate. The circuit substrate 32 may be a resin substrate such as an epoxy substrate (e.g., FR-4 substrate). The circuit board 32 may not use an expensive substrate such as an MCPCB having a metal layer because the light emitting device 34 conducts heat by conducting heat through the heat radiating plate 50. [

상기 회로 기판(32)은 도 10과 같이, 금속층(91), 상기 금속층(91) 상에 수지층(92), 상기 수지층(92) 상에 회로 패턴층(93), 상기 회로 패턴층(93) 상에 보호층(94)을 포함한다. 상기 금속층(91)은 열 전도성이 높은 금속 예컨대, 구리 또는 구리 합금 재질을 포함할 수 있다. 상기 금속층(91)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 철(Fe), 니켈(Ni), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 탄탈룸(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb), 스테인레스 중 적어도 하나 또는 선택된 금속의 합금 중 적어도 하나를 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 10, the circuit board 32 includes a metal layer 91, a resin layer 92 on the metal layer 91, a circuit pattern layer 93 on the resin layer 92, 93). ≪ / RTI > The metal layer 91 may include a metal having a high thermal conductivity, such as copper or a copper alloy. The metal layer 91 may be formed of a metal such as aluminum, copper, iron, nickel, magnesium, zinc, titanium, tantalum, hafnium, , Niobium (Nb), stainless steel, or an alloy of a selected metal.

상기 수지층(92)은, 실리콘, 에폭시, FR(fluoro resins) 계열, CEM(Composite Epoxy Material) 계열 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 회로 패턴층(93)은 구리(Cu), 철(Fe), 니켈(Ni), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 탄탈룸(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al) 또는 이들의 선택적인 합금일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 회로 패턴층(93) 상에는 솔더 레지스트가 더 배치될 수 있으며, 상기 솔더 레지스트는 상기 회로 패턴층(93)을 보호할 수 있으며, 광을 흡수 또는 반사할 수 있다. The resin layer 92 may include at least one of silicone, epoxy, fluoro resins, and CEM (Composite Epoxy Material), but is not limited thereto. The circuit pattern layer 93 may be formed of at least one material selected from the group consisting of Cu, Fe, Ni, Mg, Zn, Ti, Ta, Nb), gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al), or an alloy thereof. A solder resist may be further disposed on the circuit pattern layer 93, and the solder resist may protect the circuit pattern layer 93 and absorb or reflect light.

상기 회로 기판(32)에는 커넥터가 설치될 수 있다 상기 커넥터는 상기 회로 기판(32)의 상면 및 하면 중 적어도 하나에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The circuit board 32 may be provided with a connector. The connector may be disposed on at least one of the upper surface and the lower surface of the circuit board 32, but the present invention is not limited thereto.

상기 복수의 발광 소자(34)는 소정 피치(Pitch)로 상기 도광판(70)의 입사 면(71)을 따라 배열되며, 발광 칩을 갖는 패키지로 제공되거나, 발광 칩으로 제공될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 칩은 가시 광선 대역부터 자외선 대역의 광 중에서 선택적인 피크 파장을 발광할 수 있다.The plurality of light emitting devices 34 are arranged along the incident surface 71 of the light guide plate 70 at a predetermined pitch and may be provided as a package having an light emitting chip or as a light emitting chip, It is not limited. The light emitting chip can emit selective peak wavelengths from light in the ultraviolet band from the visible light band.

상기 복수의 발광 소자(34) 중 적어도 하나는 적어도 한 컬러 예컨대, 백색, 적색, 녹색, 및 청색 중 적어도 하나를 발광하게 된다. 실시 예는 적어도 한 컬러의 광을 발광하는 발광 소자(34)를 이용하거나 복수의 컬러를 발광하는 발광 소자(34)들을 조합하여 이용할 수 있다. 상기 복수의 발광 소자(34)는 백색 LED이거나, 적색/녹색/청색 LED들이 혼합되어 배열되거나, 백색/적색/녹색/청색 LED들이 혼합되어 배열될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.At least one of the plurality of light emitting devices 34 emits at least one of at least one color such as white, red, green, and blue. The embodiment can use the light emitting element 34 which emits light of at least one color or the light emitting element 34 which emits a plurality of colors. The plurality of light emitting devices 34 may be white LEDs, red / green / blue LEDs may be mixed, or white / red / green / blue LEDs may be mixed and arranged.

상기 발광 소자(34)는 적어도 한 열 또는 복수의 열로 배치될 수 있으며, 일정한 간격 또는 불규칙한 간격으로 배열될 수도 있다. 상기 발광 소자(34)는 상기 회로 기판(32)에 전기적으로 연결되며, 상기 회로 기판(32)을 통해 직렬, 병렬, 직-병렬 혼합 방식 중 적어도 하나로 연결될 수 있다.
The light emitting devices 34 may be arranged in at least one column or a plurality of columns and may be arranged at regular intervals or irregular intervals. The light emitting device 34 is electrically connected to the circuit board 32 and may be connected to the circuit board 32 through at least one of serial, parallel, and direct-parallel mixing.

도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 방열 플레이트(50)는 제1프레임부(52) 및 제2프레임부(54)를 포함하며, 금속 재질로 형성될 수 있다. 상기 제1프레임부(52)는 상기 도광판(70)의 입사 면(71)과 대응되며, 상기 회로 기판(32)은 상기 제1프레임부(52)와 상기 도광판(70)의 입사면(71) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2프레임부(54)는 상기 도광판(70)의 하면과 대응되며 상기 제1프레임부(52)로부터 절곡된다. 상기 제2프레임부(54)는 상기 제1프레임부(52)로부터 거의 수직하거나 경사진 각도의 범위(예: 70~110°)로 절곡될 수 있다. 2 and 3, the heat radiating plate 50 includes a first frame portion 52 and a second frame portion 54, and may be formed of a metal material. The first frame portion 52 corresponds to the incident surface 71 of the light guide plate 70 and the circuit board 32 is formed on the incident surface 71 of the first frame portion 52 and the light guide plate 70 As shown in FIG. The second frame portion 54 corresponds to the lower surface of the light guide plate 70 and is bent from the first frame portion 52. The second frame portion 54 may be bent at a substantially vertical or inclined angle range (for example, 70 to 110 degrees) from the first frame portion 52.

상기 방열 플레이트(50)의 제1프레임부(52) 상에는 상기 회로 기판(32)이 배치되며, 상기 제1프레임부(52)와 상기 회로 기판(32) 사이에는 접착 부재(36)가 배치될 수 있다. 상기 접착 부재(36)는 열 전도성 접착 물질을 포함하며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The circuit board 32 is disposed on the first frame portion 52 of the heat dissipating plate 50 and the adhesive member 36 is disposed between the first frame portion 52 and the circuit board 32 . The adhesive member 36 includes, but is not limited to, a thermally conductive adhesive material.

상기 제1프레임부(52)는 상기 복수의 발광 소자(34)로부터 발생될 열을 제2프레임부(54)로 전도하고 방열하게 된다. 이러한 제1프레임부(52)는 상기 회로 기판(42)의 리세스부(15) 아래에 오목한 오목부(25)와, 상기 오목부(25)의 바닥부(21)와, 상기 바닥부(21)로부터 경사진 제1 및 제2측면부(22,23)와, 상기 제1 및 제2측면부(22,23)의 외곽으로 연장된 제1 및 제2외곽부(26,27)를 포함한다.The first frame part 52 conducts heat generated from the plurality of light emitting devices 34 to the second frame part 54 and dissipates heat. The first frame portion 52 includes a concave portion 25 recessed below the recess 15 of the circuit board 42 and a bottom portion 21 of the concave portion 25, First and second side portions 22 and 23 inclined from the first and second side portions 22 and 23 and first and second outer side portions 26 and 27 extending to the outer sides of the first and second side portions 22 and 23 .

상기 바닥부(21) 상에는 회로 기판(32)의 바닥 영역(11)이 배치되며, 상기 제1 및 제2측면부(22,23) 상에는 제1 및 제2바닥 영역(12,13)이 대응되며, 상기 제1 및 제2외곽부(26,27) 상에는 제1 및 제2외곽 영역(16,17)이 배치될 수 있다.
A bottom region 11 of the circuit board 32 is disposed on the bottom portion 21 and first and second bottom regions 12 and 13 correspond to the first and second side portions 22 and 23 The first and second outer frame regions 16 and 17 may be disposed on the first and second outer frame portions 26 and 27, respectively.

상기 제1프레임부(52)의 오목부(25)는 상기 리세스부(15) 아래에 배치되며 상기 회로 기판(32)의 바닥 영역(11)이 배치될 수 있다. 상기 회로 기판(32)의 리세스부(15)는 상기 제1프레임부(52)의 오목부(25)를 따라 길게 배치되며, 상기 복수의 발광 소자(34)는 상기 리세스부(15)를 따라 배열되며, 상기 제1프레임부(52)의 상면보다 높게 배치될 수 있다. The concave portion 25 of the first frame portion 52 may be disposed under the recess portion 15 and the bottom region 11 of the circuit board 32 may be disposed. The recessed portion 15 of the circuit board 32 is elongated along the concave portion 25 of the first frame portion 52 and the plurality of light emitting devices 34 are connected to the recessed portion 15, And may be disposed higher than the upper surface of the first frame part 52. [

도 4와 같이, 상기 제1 및 제2측면부(22,23)는 상기 바닥부(21)로부터 소정 각도(θ1)로 경사지며, 상기 오목부(25)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 오목부(25)는 상부 너비(D2)가 상기 바닥부(21)의 너비(D3)보다 넓게 형성되어, 상기 리세스부(15)의 외 형상이 경사지도록 형성될 수 있다. 4, the first and second side portions 22 and 23 are inclined at a predetermined angle? 1 from the bottom portion 21 and may be disposed around the concave portion 25. The concave portion 25 may be formed such that the top width D2 of the concave portion 25 is wider than the width D3 of the bottom portion 21 so that the outer shape of the recess portion 15 is inclined.

상기 회로 기판(32)의 리세스부(15)는 상부 너비(D1)가 발광 소자(32)의 너비보다 넓게 배치되므로, 상기 리세스부(15) 내에 발광 소자(32)의 탑재가 용이할 수 있다. 상기 리세스부(15)의 깊이(H1)는 상기 오목부(25)의 깊이(H2)와 동일하거나 다를 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The recessed portion 15 of the circuit board 32 is disposed so that the upper width D1 is wider than the width of the light emitting device 32 so that the mounting of the light emitting device 32 in the recessed portion 15 is facilitated . The depth H1 of the recess 15 may be the same as or different from the depth H2 of the recess 25 and is not limited thereto.

상기 리세스부(15)의 상부 너비(D1)는 상기 도광판(70)의 두께(T1)보다 좁게 배치되어, 상기 도광판(70)이 리세스부(15) 내부의 발광 소자(34)에 손해를 주는 것을 방지할 수 있다.
The upper width D1 of the recess portion 15 is narrower than the thickness T1 of the light guide plate 70 so that the light guide plate 70 does not damage the light emitting element 34 in the recess portion 15. [ Can be prevented.

도 3 및 도 4와 같이, 상기 제1 및 제2측면부(22,23)의 경사 각도(θ1)는 상기 바닥부(21)에 대해 120도 내지 160도 범위로 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2측면부(22,23)의 각도(θ1)가 상기 범위보다 클 경우 상기 회로 기판(32)의 리세스부(15)의 상부 너비(D1)가 넓어져 도광판(70)이 발광 소자(34)에 손해를 주거나 도광판(70)과의 갭(gap)의 조절이 어렵고, 도광판(70)의 틸트(tilt)되는 문제가 발생될 수 있다. 또한 상기 제1 및 제2측면부(22,23)의 경사각도(θ1)가 상기 범위보다 작을 경우 리세스부(15) 내에서 광이 손실될 수 있어, 광 추출 효율이 저하될 수 있다. 3 and 4, the inclination angle? 1 of the first and second side portions 22 and 23 may be set in a range of 120 to 160 degrees with respect to the bottom portion 21. The upper width D1 of the recess portion 15 of the circuit board 32 is widened when the angle? 1 of the first and second side portions 22 and 23 is larger than the above range, The light emitting element 34 may be damaged or the gap between the light emitting element 34 and the light guide plate 70 may be difficult to control and the light guide plate 70 may be tilted. Also, if the inclination angle [theta] 1 of the first and second side portions 22 and 23 is smaller than the above range, light may be lost in the recess portion 15 and the light extraction efficiency may be lowered.

상기 회로 기판(32)의 제1 및 제2측면 영역(12,13)의 경사 각도는 상기 제1 및 제2측면부(22,23)의 경사 각도(θ1)와 동일하거나 120도 내지 160도의 범위로 형성되어, 광의 손실을 방지할 수 있다. The inclination angle of the first and second side regions 12 and 13 of the circuit board 32 is the same as the inclination angle 1 of the first and second side faces 22 and 23 or in a range of 120 to 160 degrees So that the loss of light can be prevented.

상기 제1외곽부(26)는 상기 제1측면부(22)로부터 절곡되며 상기 제1측면부(22)와 상기 제2프레임부(54) 사이에 연결될 수 있다. 상기 제1외곽부(26)는 상기 도광판(70)의 입사면(71)에 평행한 면으로 형성되거나 경사진 면으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first outer frame portion 26 may be bent from the first side portion 22 and connected between the first side portion 22 and the second frame portion 54. The first outer frame 26 may be formed as a plane parallel to the incident plane 71 of the light guide plate 70 or may be formed as an inclined plane, but the present invention is not limited thereto.

상기 제2외곽부(27)는 상기 제2측면부(23)로부터 절곡되며 상기 바닥부(21)와 평행한 방향으로 연장될 수 있다. 상기 회로 기판(32)의 제1 및 제2외측 영역(16,17)은 상기 제1 및 제2외곽부(26,27)와 수직 방향으로 오버랩되게 배치될 수 있다. 이러한 상기 제1 및 제2외곽부(26,27) 상에 상기 회로 기판(32)의 제1 및 제2외측 영역(16,17)이 배치되므로, 상기 제1 및 제2외곽부(26,27)는 상기 회로 기판(32)의 제1 및 제2외측 영역(16,17)을 지지하게 된다. 즉, 상기 제1 및 제2외곽부(26,27)는 도광판(70)의 열 팽창에 대해 상기 회로 기판(32)의 제1 및 제2외측 영역(16,17)이 유동하는 것을 방지하여, 발광 소자(34)를 보호할 수 있다.The second outer frame portion 27 may be bent from the second side surface portion 23 and extend in a direction parallel to the bottom portion 21. The first and second outer regions 16 and 17 of the circuit board 32 may be arranged to overlap with the first and second outer frames 26 and 27 in the vertical direction. Since the first and second outer regions 16 and 17 of the circuit board 32 are disposed on the first and second outer frames 26 and 27, 27 support the first and second outer regions 16, 17 of the circuit board 32. That is, the first and second outer frames 26 and 27 prevent the first and second outer regions 16 and 17 of the circuit board 32 from flowing against the thermal expansion of the light guide plate 70 , The light emitting element 34 can be protected.

상기 제1 및 제2외곽부(26,27)는 상기 도광판(70)의 입사면(71)과 평행하게 배치될 수 있어, 상기 도광판(70)의 열 팽창 시 상기 도광판(70) 방향으로 반발력을 줄 수 있다. The first and second outer frames 26 and 27 may be disposed parallel to the incident surface 71 of the light guide plate 70 so that when the thermal expansion of the light guide plate 70 causes a repulsive force toward the light guide plate 70 .

상기 제1프레임부(52)의 바닥부(21), 제1 및 제2측면부(22,23), 제1 및 제2외곽부(26,27)는 서로 동일한 두께로 형성될 수 있다. 이러한 제1프레임부(52)의 두께는 상기 제2프레임부(54)의 두께와 동일한 두께일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The bottom portion 21, the first and second side portions 22 and 23 and the first and second outer frame portions 26 and 27 of the first frame portion 52 may have the same thickness. The thickness of the first frame portion 52 may be the same as the thickness of the second frame portion 54, but the present invention is not limited thereto.

도 5 및 도 6과 같이, 상기 제1프레임부(52)는 상기 제1프레임부(52) 및 제2프레임부(54)의 너비의 합보다 긴 길이(B1)를 가질 수 있다. 상기 오목부(25)는 상기 제1 및 제2프레임부(52,54)의 너비의 합보다 긴 길이를 가질 수 있다. 상기 제1프레임부(52)의 길이 방향의 양측에는 상기 오목부(25)의 양 측면부가 더 배치되어, 광의 누설을 방지할 수 있다. 여기서, 상기 제1프레임부(52)의 길이 방향은 상기 복수의 발광 소자(34)가 배열되는 제1방향이 될 수 있고, 너비 방향은 상기 제1방향과 직교하는 방향이 될 수 있다. 5 and 6, the first frame portion 52 may have a length B1 that is longer than the sum of the widths of the first frame portion 52 and the second frame portion 54. [ The recess 25 may have a length greater than the sum of the widths of the first and second frame portions 52 and 54. Both side portions of the concave portion 25 are further disposed on both sides in the longitudinal direction of the first frame portion 52, so that light leakage can be prevented. Here, the longitudinal direction of the first frame part 52 may be a first direction in which the plurality of light emitting devices 34 are arranged, and the width direction may be a direction orthogonal to the first direction.

상기 방열 플레이트(50)의 제2프레임부(54)의 너비는 상기 회로 기판(32)의 너비보다 더 넓게 형성될 수 있으며, 5mm 이상의 너비 예컨대, 6~20mm 범위로 형성될 수 있다.The width of the second frame portion 54 of the heat dissipation plate 50 may be greater than the width of the circuit board 32 and may be in a range of 6 mm to 20 mm.

상기 방열 플레이트(50)는 제1프레임부(52)와 제2프레임부(54)의 경계 라인(P1)을 따라 상기 제1프레임부(52)를 상기 제2프레임부(54)에 절곡시키면 제1프레임부(52)는 제2프레임부(54)로부터 절곡된다.The heat dissipation plate 50 bends the first frame portion 52 to the second frame portion 54 along the boundary line P1 between the first frame portion 52 and the second frame portion 54 The first frame portion 52 is bent from the second frame portion 54.

여기서, 상기 방열 플레이트(50)의 절곡을 위해, 상기 제1프레임부(52)와 상기 제2프레임부(54)의 경계 라인(P1)에는 구멍(53)이 형성되며, 상기 구멍(53)은 하나 또는 복수로 형성될 수 있다. 또한 방열 플레이트(50)의 제1프레임부(52) 및 제2프레임부(54) 중 적어도 하나 예컨대, 제2프레임부(54)에는 결합 구멍(55)이 형성되며, 결합 부재가 상기 결합 구멍(55)을 통해 상기 바텀 커버나 다른 기구물에 결합될 수 있다. 이에 따라 상기 방열 플레이트(50)를 바텀 커버(40)에 고정시켜 줄 수 있다. 상기 결합 부재는 나사, 리벳일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A hole 53 is formed in a boundary line P1 between the first frame portion 52 and the second frame portion 54 to bend the heat dissipation plate 50. The hole 53 is formed in the boundary line P1 between the first frame portion 52 and the second frame portion 54, May be formed in one or a plurality. At least one of the first frame portion 52 and the second frame portion 54 of the heat dissipation plate 50 is provided with a coupling hole 55 in the second frame portion 54, (Not shown) may be coupled to the bottom cover or other device through the opening 55. Accordingly, the heat radiating plate 50 can be fixed to the bottom cover 40. The coupling member may be a screw or a rivet, but is not limited thereto.

상기 제1프레임부(52)와 상기 제2프레임부(54)의 너비는 동일하거나, 상기 제2프레임부(54)의 너비가 상기 제1프레임부(52)의 너비 보다 1.5배 이상 넓게 형성될 수 있다.
The width of the second frame part 54 may be equal to or greater than the width of the first frame part 52 by at least 1.5 times the width of the first frame part 52, .

도 6과 같이, 상기 방열 플레이트(50)의 길이(B1)는 상기 회로 기판(32)의 길이보다 더 길게 형성될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트(50)의 길이(B1)는 제1방향 즉, 발광 소자(34)의 배열 방향의 길이일 수 있으며, 상기 회로 기판(32)의 너비는 도 1의 Y축 방향 또는 도광판(70)의 두께(T1) 방향에 대응되는 길이일 수 있다. 상기 제1프레임부(52)의 오목부 길이(B2)는 상기 방열 플레이트(50)의 길이(B1)의 80% 이상일 수 있다.
As shown in FIG. 6, the length B1 of the heat radiating plate 50 may be longer than the length of the circuit board 32. The length B1 of the heat dissipation plate 50 may be the length of the first direction, that is, the direction in which the light emitting device 34 is arranged. The width of the circuit board 32 may be the Y- May be a length corresponding to the thickness (T1) direction of the base 70. The recess B2 of the first frame portion 52 may be 80% or more of the length B1 of the heat dissipation plate 50. [

상기 제2프레임부(54)는 상기 제1프레임부(52)의 사이즈보다 더 넓은 사이즈로 형성되어, 발광 모듈(30)의 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다. The second frame portion 54 may be formed to have a size larger than that of the first frame portion 52 to improve the heat radiation efficiency of the light emitting module 30. [

상기 방열 플레이트(50)는 금속 플레이트로 형성될 수 있으며, 그 재질은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 철(Fe), 니켈(Ni), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 탄탈룸(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb), 스테인레스 중 적어도 하나 또는 선택된 금속의 합금을 포함하며, 예컨대 방열 효율이 좋은 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 사용할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The heat dissipation plate 50 may be formed of a metal plate and may be made of aluminum, copper, iron, nickel, magnesium, zinc, titanium, Aluminum or an aluminum alloy containing at least one of Ti, Ta, hafnium (Hf), niobium (Nb) and stainless steel or an alloy of a selected metal and having good heat dissipation efficiency may be used, .

상기 방열 플레이트(50)의 두께는 0.5mm 이상일 수 있으며, 예컨대 0.6mm~1mm 범위의 두께로 형성될 수 있다. 상기 방열 플레이트(50)의 두께가 상기 범위보다 두꺼운 경우 라이트 유닛(20)의 두께가 두꺼워지고, 비용이 증가될 수 있으며, 상기 범위보다 얇은 경우 방열 효율이 저하될 수 있다. 상기 제1프레임부(52)와 상기 제2프레임부(54)의 두께는 동일한 두께이거나, 서로 다른 두께로 형성될 수 있다.
The thickness of the heat dissipation plate 50 may be 0.5 mm or more, for example, in a range of 0.6 mm to 1 mm. When the thickness of the heat dissipation plate 50 is thicker than the above range, the thickness of the light unit 20 may be increased and the cost may be increased. If the thickness is thinner than the above range, the heat dissipation efficiency may be lowered. The first frame portion 52 and the second frame portion 54 may have the same thickness or different thicknesses.

도 2와 같이, 상기 방열 플레이트(50)의 제1프레임부(52)는 상기 바텀 커버(40)의 제1측면부(42)에 접착제(47)로 접착될 수 있다. 상기 방열 플레이트(50)의 제1프레임부(52)는 접착제가 아닌 체결 수단으로 체결될 수 있다.
The first frame portion 52 of the heat dissipation plate 50 may be adhered to the first side surface portion 42 of the bottom cover 40 with an adhesive 47 as shown in FIG. The first frame portion 52 of the heat dissipation plate 50 may be fastened by a fastening means rather than an adhesive.

도 1 및 도 2와 같이, 상기 도광판(70)의 적어도 한 측면(즉, 입광부)(71)에는 상기 복수의 발광 소자(34)가 대응되게 배치되며, 상기 복수의 발광 소자(34)로부터 발생된 광이 입사된다. 상기 도광판(70)은 면 광원이 발생되는 상면, 상면의 반대측 하면, 적어도 네 개의 측면들을 포함하는 다각형 형상으로 형성될 수 있다. 상기 도광판(70)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl methacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthalate), PC(poly carbonate) 및 PEN(polyethylene naphtha late) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판(70)은 압출 성형법에 의해 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.1 and 2, the plurality of light emitting devices 34 are correspondingly arranged on at least one side (i.e., light incident portion) 71 of the light guide plate 70, and the plurality of light emitting devices 34 The generated light is incident. The light guide plate 70 may be formed in a polygonal shape including at least four side surfaces as viewed from the upper surface where the surface light source is generated and the upper surface. The light guide plate 70 is made of a transparent material and includes one of acrylic resin type such as PMMA (polymethyl methacrylate), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), and polyethylene naphthate can do. The light guide plate 70 may be formed by an extrusion molding method, but is not limited thereto.

상기 도광판(70)의 상면 또는/및 하면에는 반사 패턴(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 반사 패턴은 소정의 패턴 예컨대, 반사 패턴 또는/및 프리즘 패턴으로 이루어져 입사되는 광을 반사 또는/및 난반사 시킴으로써, 광은 상기 도광판(70)의 전 표면을 통해 균일하게 조사될 수 있다. 상기 도광판(70)의 하면은 반사 패턴으로 형성될 수 있으며, 상기 상면은 프리즘 패턴으로 형성될 수 있다. 상기 도광판(70)의 내부에는 산란제가 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A reflection pattern (not shown) may be formed on the upper surface and / or the lower surface of the light guide plate 70. The reflection pattern may be uniformly irradiated through the entire surface of the light guide plate 70 by reflecting / / diffusing the incident light, which is made up of a predetermined pattern, for example, a reflection pattern or / and a prism pattern. The lower surface of the light guide plate 70 may be formed in a reflective pattern, and the upper surface may be formed in a prism pattern. A scattering agent may be added to the inside of the light guide plate 70, but the present invention is not limited thereto.

상기 라이트 유닛(20)은 도광판(70)의 하부에 반사 시트(45)를 포함할 수 있다. 상기 반사 시트(45)는 상기 도광판(70)의 하부로 진행하는 광을 표시 패널 방향으로 반사시켜 주게 된다. 상기 도광판(45)의 일단은 상기 회로 기판(32)에 인접하거나 접촉될 수 있으며, 또는 상기 제1프레임부(52)에 인접하게 배치될 수 있다. The light unit 20 may include a reflective sheet 45 under the light guide plate 70. The reflective sheet 45 reflects light traveling to the lower portion of the light guide plate 70 toward the display panel. One end of the light guide plate 45 may be adjacent to or in contact with the circuit board 32 or may be disposed adjacent to the first frame portion 52.

상기 라이트 유닛(20)은 상기 도광판(70)의 하부로 누설된 광을 상기 반사 시트(45)에 의해 상기 도광판(70)에 재 입사시켜 주므로 광 효율의 저하, 광 특성의 저하 및 암부 발생 등의 문제를 방지할 수 있다. 상기 반사 시트(45)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 시트(45)는 상기 바텀 커버(40)의 상면에 형성된 반사층일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light unit 20 causes the light leaked to the lower portion of the light guide plate 70 to enter the light guide plate 70 again by the reflective sheet 45, Can be prevented. The reflective sheet 45 may be formed of, for example, PET, PC, PVC resin or the like, but is not limited thereto. The reflective sheet 45 may be a reflective layer formed on the top surface of the bottom cover 40, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(40)는 상부가 개방된 수납부(41)를 포함하며, 상기 수납부(41)에는 발광 모듈(30), 광학 시트(60), 도광판(70) 및 반사 시트(45)가 수납될 수 있다. 상기 바텀 커버(40)는 방열 효율이 높은 금속 예컨대, 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 탄탈룸(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb) 및 상기 이들의 선택적인 합금 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. The bottom cover 40 includes a receiving part 41 having an opened upper part and a light emitting module 30, an optical sheet 60, a light guide plate 70 and a reflecting sheet 45 Can be accommodated. The bottom cover 40 is made of a metal having high heat dissipation efficiency such as aluminum (Al), magnesium (Mg), zinc (Zn), titanium (Ti), tantalum (Ta), hafnium (Hf), niobium May be selectively formed from these optional alloys.

상기 바텀 커버(40)의 수납부(41)에는 반사 시트(45), 도광판(70), 광학 시트(60)가 순차적으로 적층될 수 있고, 상기 발광 모듈(30)은 상기 바텀 커버(40)의 측면부(42)에서 상기 도광판(70)의 한 측면과 대응되게 배치된다.The light emitting module 30 may include a reflective sheet 45, a light guide plate 70 and an optical sheet 60 sequentially stacked on the bottom portion 40 of the bottom cover 40, And is disposed to correspond to one side surface of the light guide plate 70 at the side surface portion 42 of the light guide plate 70. [

상기 바텀 커버(40)의 베이스부(41A)에는 단차 영역(41B)이 형성되며, 상기 단차 영역(41B)은 상기 방열 플레이트(50)의 제2프레임부(54)가 결합되는 부분이다. 상기 단차 영역(41B)은 상기 제2프레임부(54)의 두께 정도의 깊이와 상기 제2프레임부(54)의 너비 정도의 너비를 갖고 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. A stepped region 41B is formed in the base portion 41A of the bottom cover 40 and a stepped region 41B is a portion of the heat dissipating plate 50 to which the second frame portion 54 is coupled. The stepped region 41B may be formed to have a depth of about the thickness of the second frame portion 54 and a width of about the width of the second frame portion 54, but the present invention is not limited thereto.

실시 예는 바텀 커버(40)의 베이스부(41A) 중 측면부(42)로부터 절곡된 부분에 단차 영역(41B)을 배치한 예를 설명하였으나, 상기 베이스부(41A)에는 단차 영역(41B)이 형성되지 않을 수 있다. The embodiment has been described by way of example in which the stepped region 41B is disposed at the bent portion of the base portion 41A of the bottom cover 40 from the side face portion 42. The stepped region 41B may be formed in the base portion 41A, May not be formed.

상기 방열 플레이트(50)의 제2프레임부(54)는 상기 바텀 커버(40)의 베이스부(41A)에 배치된 단차 영역(41B)에 접착제(49)로 접착될 수 있다.The second frame portion 54 of the heat dissipation plate 50 may be adhered to the stepped region 41B disposed in the base portion 41A of the bottom cover 40 with an adhesive 49. [

상기 회로 기판(32)은 상기 방열 플레이트(50)의 제2프레임부(54)로부터 이격되게 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The circuit board 32 may be spaced apart from the second frame portion 54 of the heat dissipation plate 50, but the present invention is not limited thereto.

도 7은 실시 예에 따른 라이트 유닛의 다른 예를 나타낸 도면이다.7 is a view showing another example of the light unit according to the embodiment.

도 7을 참조하면, 라이트 유닛의 광원 모듈은 회로 기판(32)의 제2외곽 영역(17) 상에 반사 부재(35)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(35)는 비 금속 재질 또는 절연 재질을 포함하며, 예컨대 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질로 형성될 수 있다. 상기 반사 부재(35)는 내부에 상기 수지 재질의 굴절률보다 높은 굴절률을 갖는 불순물을 포함할 수 있다. 상기 반사 부재(35)는 Al, Cr, Si, Ti, Zn, Zr 중 적어도 하나를 갖는 산화물, 질화물, 불화물, 황화물과 같은 화합물들 중 적어도 하나가 첨가될 수 있다. 상기 반사 부재(35)는 예컨대, TiO2, SiO2, Al2O3중 적어도 하나를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 7, the light source module of the light unit may be provided with the reflecting member 35 on the second outer region 17 of the circuit board 32. The reflective member 35 includes a non-metallic material or an insulating material, and may be formed of a resin material such as silicon or epoxy. The reflective member 35 may include an impurity having a refractive index higher than that of the resin material. At least one of compounds such as oxides, nitrides, fluorides, and sulfides having at least one of Al, Cr, Si, Ti, Zn, and Zr may be added to the reflective member 35. The reflective member 35 may include at least one of TiO 2 , SiO 2 , and Al 2 O 3 , for example.

상기 반사 부재(35)는 상기 도광판(70)과 상기 회로 기판(32) 사이의 갭의 외측으로 돌출되어, 상기 도광판(70)과 상기 회로 기판(32) 사이의 갭을 통해 누설되는 광을 반사시켜 줄 수 있다.
The reflective member 35 protrudes outside the gap between the light guide plate 70 and the circuit board 32 to reflect light leaked through the gap between the light guide plate 70 and the circuit board 32 .

도 8은 실시 예에 따른 라이트 유닛의 다른 예를 나타낸 도면이다.8 is a view showing another example of the light unit according to the embodiment.

도 8을 참조하면, 라이트 유닛의 광원 모듈은, 방열 플레이트(50)의 제1프레임부(52)의 외측에 상기 도광판 방향으로 돌출된 반사부(28)를 포함한다.Referring to FIG. 8, the light source module of the light unit includes a reflection portion 28 protruding toward the light guide plate on the outside of the first frame portion 52 of the heat dissipation plate 50.

상기 반사부(28)는 상기 제1프레임부(52)의 제2외곽부(27)로부터 절곡되어 상기 도광판(70) 방향으로 돌출된다. 이러한 반사부(28)는 상기 도광판(70)의 입사면(71)보다 더 높게 돌출될 수 있다. 이에 따라 상기 반사부(28)는 상기 도광판(70)과 상기 회로 기판(32) 사이의 갭의 외측으로 돌출되어, 상기 도광판(70)과 상기 회로 기판(32) 사이의 갭을 통해 누설되는 광을 반사시켜 줄 수 있다.
The reflective portion 28 is bent from the second outer frame portion 27 of the first frame portion 52 and protruded toward the light guide plate 70. The reflective portion 28 may protrude higher than the incident surface 71 of the light guide plate 70. The reflective portion 28 protrudes to the outside of the gap between the light guide plate 70 and the circuit board 32 so that the light leaked through the gap between the light guide plate 70 and the circuit board 32 Can be reflected.

도 9는 실시 예에 따른 라이트 유닛의 다른 예를 나타낸 도면이다. 9 is a view showing another example of the light unit according to the embodiment.

도 9를 참조하면, 라이트 유닛은 도광판(70)의 입사면(71A)이 곡면을 포함한 구조이다. 상기 도광판(70)의 입사면(71A)은 상기 발광 소자(34)의 반대측 방향으로 오목한 곡면을 포함하며, 상기 곡면은 상기 발광 소자(34)로부터 방출된 광이 입사되는 면적이 증가될 수 있다. 또한 상기 입사면(71)과 발광 소자(34)의 간격이 상기 오목한 곡면에 의해 더 이격될 수 있어, 도광판(70)의 열 팽창에 따라 발광 소자(34)에 손해를 주는 문제를 해결할 수 있다.
Referring to Fig. 9, the light unit has a structure in which the incident surface 71A of the light guide plate 70 includes a curved surface. The incident surface 71A of the light guide plate 70 includes a concave surface that is concave toward the opposite side of the light emitting device 34. The curved surface may increase the incident area of the light emitted from the light emitting device 34 . The gap between the incident surface 71 and the light emitting device 34 can be further separated by the concave curved surface to solve the problem of damaging the light emitting device 34 due to thermal expansion of the light pipe 70 .

도 11은 실시 예에 따른 발광 소자의 일 예를 나타낸 도면이다.11 is a view showing an example of a light emitting device according to an embodiment.

도 11을 참조하면, 발광 소자는 몸체(110)와, 상기 몸체(110)에 적어도 일부가 배치된 제1 리드 프레임(111) 및 제2 리드 프레임(112)과, 상기 몸체(110) 상에 상기 제1 리드 프레임(111) 및 제2 리드 프레임(112)과 전기적으로 연결되는 발광 칩(101)과, 상기 몸체(110) 상에 상기 발광 칩(101) 상에 몰딩 부재(120)를 포함한다.11, the light emitting device includes a body 110, a first lead frame 111 and a second lead frame 112 at least partially disposed on the body 110, A light emitting chip 101 electrically connected to the first lead frame 111 and the second lead frame 112 and a molding member 120 on the light emitting chip 101 on the body 110 do.

상기 몸체(110)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 몸체(110)는 위에서 볼 때 내부에 캐비티(cavity)(125) 및 그 둘레에 경사면을 갖는 반사부(115)를 포함한다. 상기 몸체(110)는 반사부(115)와 동일 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(110)는 절연성의 재질을 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 에폭시, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), 또는 에폭시와 같은 수지 재질로 이루어질 수 있다.
The body 110 may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material. The body 110 includes a cavity 125 and a reflecting portion 115 having an inclined surface around the cavity 125 when viewed from above. The body 110 may be formed of the same material as that of the reflective portion 115 or other materials. The body 110 may include an insulating material. The body 110 may include at least one of a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), epoxy, photo sensitive glass, sapphire (Al 2 O 3 ) . The body 110 may be made of a resin material such as polyphthalamide (PPA) or epoxy.

상기 제1 리드 프레임(111) 및 상기 제2 리드 프레임(112)은 서로 전기적으로 분리될 수 있다. 즉, 상기 제1 리드 프레임(111) 및 상기 제2 리드 프레임(112)은 일부는 상기 캐비티(125)의 바닥에 배치되고, 다른 부분은 상기 몸체(110)의 외부로 돌출될 수 있다. The first lead frame 111 and the second lead frame 112 may be electrically separated from each other. In other words, the first lead frame 111 and the second lead frame 112 may be partially disposed at the bottom of the cavity 125, and the other portions may protrude out of the body 110.

상기 제1 리드 프레임(111) 및 제2 리드 프레임(112)은 상기 발광 칩(101)에 전원을 공급하고, 상기 발광 칩(101)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 칩(101)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 기능을 할 수도 있다.The first lead frame 111 and the second lead frame 112 can supply power to the light emitting chip 101 and increase the light efficiency by reflecting the light generated from the light emitting chip 101, And may also function to discharge the heat generated in the light emitting chip 101 to the outside.

상기 발광 칩(101)은 상기 몸체(110) 상에 설치되거나 상기 제1 리드 프레임(111) 및 제2 리드 프레임(112) 중 적어도 하나 또는 모두의 위에 배치될 수 있다. 상기 발광 칩(101)은 가시광선 대역부터 자외선 대역의 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 레드 LED 칩, 블루 LED 칩, 그린 LED 칩, 엘로우 그린(yellow green) LED 칩 중에서 선택될 수 있다. 상기 발광 칩(101)은 III족 내지 V족 원소의 화합물 반도체 발광소자를 포함한다.The light emitting chip 101 may be disposed on the body 110 or on at least one or both of the first lead frame 111 and the second lead frame 112. The light emitting chip 101 can selectively emit light in a visible light band to an ultraviolet band, and can be selected from a red LED chip, a blue LED chip, a green LED chip, and a yellow green LED chip. The light emitting chip 101 includes compound semiconductor light emitting devices of group III-V elements.

상기 발광 소자(101)의 와이어(116)는 상기 제1 리드 프레임(111) 및 제2 리드 프레임(112) 중 어느 하나에 전기적으로 연결될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다. 상기 제1 리드 프레임(111) 및 제2 리드 프레임(112)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단일 금속층 또는 다층 금속층으로 형성될 수 있다.The wire 116 of the light emitting device 101 may be electrically connected to any one of the first lead frame 111 and the second lead frame 112, but is not limited thereto. The first lead frame 111 and the second lead frame 112 may be formed of a metal material such as titanium, copper, nickel, gold, chromium, tantalum, And may include at least one of tantalum (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), and phosphorous (P) and may be formed of a single metal layer or a multilayer metal layer.

상기 몰딩 부재(120)는 캐비티(125) 내에 배치되어 상기 발광 칩(101)를 보호할 수 있다. 상기 몰딩 부재(120)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지층을 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(120) 또는 상기 발광 소자(101) 상에는 방출되는 빛의 파장을 변화하기 위한 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 형광체는 발광 소자(101)에서 방출되는 광의 일부를 여기시켜 다른 파장의 광으로 방출하게 된다. 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몰딩 부재(120)의 표면은 플랫한 형상, 오목한 형상, 볼록한 형상 등으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The molding member 120 may be disposed in the cavity 125 to protect the light emitting chip 101. The molding member 120 includes a light-transmitting resin layer such as silicon or epoxy, and may be formed as a single layer or a multi-layer. The phosphor may include a phosphor for changing the wavelength of light emitted from the molding member 120 or the light emitting device 101. The phosphor may excite a part of light emitted from the light emitting device 101, . The phosphor may be selectively formed from YAG, TAG, Silicate, Nitride, and Oxy-nitride based materials. The phosphor may include at least one of a red phosphor, a yellow phosphor, and a green phosphor, but the present invention is not limited thereto. The surface of the molding member 120 may be formed in a flat shape, a concave shape, a convex shape, or the like, but is not limited thereto.

상기 발광 소자의 상부에는 렌즈가 더 형성될 수 있으며, 상기 렌즈는 오목 또는/및 볼록 렌즈의 구조를 포함할 수 있으며, 발광 소자로부터 방출하는 광의 배광(light distribution)을 조절할 수 있다. 상기 발광 소자 내에는 보호 소자가 배치될 수 있다. 상기 보호 소자는 싸이리스터, 제너 다이오드, 또는 TVS(Transient voltage suppression)로 구현될 수 있다.
A lens may be further formed on the light emitting device, and the lens may include a concave or convex lens structure, and light distribution of light emitted from the light emitting device may be controlled. A protective element may be disposed in the light emitting element. The protection device may be realized with a thyristor, a zener diode, or a TVS (Transient Voltage Suppression).

도 12는 실시 예에 따른 발광 소자의 다른 예이다.12 is another example of the light emitting device according to the embodiment.

도 12를 참조하면, 발광 소자는 몸체(135), 상기 몸체(135) 아래에 제1 및 제2리드 프레임(131,132), 상기 제1 및 제2리드 프레임(131,132) 상에 발광 칩(102), 상기 발광 칩(102)에 연결된 와이어(145), 상기 몸체(135) 내의 캐비티(137)에 몰딩 부재(150)를 포함한다.12, the light emitting device includes a body 135, first and second lead frames 131 and 132 below the body 135, and a light emitting chip 102 on the first and second lead frames 131 and 132, A wire 145 connected to the light emitting chip 102 and a molding member 150 in the cavity 137 in the body 135. [

상기 몸체(135), 제1 및 제2리드 프레임(131,132), 몰딩 부재(150)의 재질은 도 11의 설명을 참조하기로 한다. The materials of the body 135, the first and second lead frames 131 and 132, and the molding member 150 will be described with reference to FIG.

상기 제1 및 제2리드 프레임(131,132)은 상기 몸체(135)의 바닥 및 상기 캐비티(137)의 바닥에 배치되어, 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다. The first and second lead frames 131 and 132 may be disposed on the bottom of the body 135 and the bottom of the cavity 137 to improve the heat dissipation efficiency.

상기 발광 칩(102)은 상기 제1리드 프레임(131) 상에 전도성 접착제로 접착되고, 상기 제2리드 프레임(132)와 와이어(145)로 연결될 수 있다.The light emitting chip 102 may be bonded to the first lead frame 131 by a conductive adhesive and may be connected to the second lead frame 132 by a wire 145.

상기 발광 칩(102)은 가시광선 대역부터 자외선 대역의 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 레드 LED 칩, 블루 LED 칩, 그린 LED 칩, 엘로우 그린(yellow green) LED 칩 중에서 선택될 수 있다. 상기 발광 칩(101)은 III족 내지 V족 원소의 화합물 반도체 발광소자를 포함한다.The light emitting chip 102 can selectively emit light in a visible light band to an ultraviolet light band, and can be selected from a red LED chip, a blue LED chip, a green LED chip, and a yellow green LED chip, for example. The light emitting chip 101 includes compound semiconductor light emitting devices of group III-V elements.

상기 몰딩 부재(150)는 캐비티(137) 내에 배치되어 상기 발광 칩(102)을 보호할 수 있다. 상기 몰딩 부재(150)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지층을 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(150) 또는 상기 발광 소자(101) 상에는 방출되는 빛의 파장을 변화하기 위한 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 형광체는 발광 소자(101)에서 방출되는 광의 일부를 여기시켜 다른 파장의 광으로 방출하게 된다. 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몰딩 부재(120)의 표면은 플랫한 형상, 오목한 형상, 볼록한 형상 등으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The molding member 150 may be disposed in the cavity 137 to protect the light emitting chip 102. The molding member 150 includes a light-transmitting resin layer such as silicon or epoxy, and may be formed as a single layer or a multilayer. The phosphor may include a phosphor for changing the wavelength of light emitted from the molding member 150 or the light emitting device 101. The phosphor may excite a part of the light emitted from the light emitting device 101, . The phosphor may be selectively formed from YAG, TAG, Silicate, Nitride, and Oxy-nitride based materials. The phosphor may include at least one of a red phosphor, a yellow phosphor, and a green phosphor, but the present invention is not limited thereto. The surface of the molding member 120 may be formed in a flat shape, a concave shape, a convex shape, or the like, but is not limited thereto.

도 13은 실시 예에 따른 발광 소자의 다른 예이다.13 is another example of the light emitting device according to the embodiment.

도 13을 참조하면, 발광 소자(600)는 오목부(660)를 갖는 몸체(610), 제1캐비티(625)를 갖는 제1리드 프레임(621), 제2캐비티(635)를 갖는 제2리드 프레임(631), 연결 프레임(646), 발광 소자들(671,672), 연결부재들(603 내지 606), 몰딩 부재(651), 및 페이스트 부재(681,682)를 포함한다. 실시 예의 설명의 위해, 상기 발광소자 패키지(600)는 제1방향의 길이가 3mm-12mm, 제1방향과 직교하는 제2방향의 길이가 3mm-12mm, 두께가 800㎛ 범위로 형성될 수 있으며, 내부에 복수의 발광 소자(671,672)이 배치된 구성을 일 예로 설명하기로 하며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 13, the light emitting device 600 includes a body 610 having a concave portion 660, a first lead frame 621 having a first cavity 625, a second lead frame 621 having a second cavity 635, A lead frame 631, a connection frame 646, light emitting elements 671 and 672, connecting members 603 to 606, a molding member 651 and a paste member 681 and 682. For the description of the embodiment, the light emitting device package 600 may have a length of 3 mm-12 mm in the first direction, a length of 3 mm-12 mm in the second direction orthogonal to the first direction, and a thickness of 800 m And a plurality of light emitting devices 671 and 672 are disposed inside the light emitting display device 100. However, the present invention is not limited thereto.

상기 몸체(610)는 절연성, 전속성, 또는 금속성 재질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 몸체(610)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 몸체(610)는 폴리프탈아미드(PPA)와 같은 수지 재질로 이루어질 수 있다. The body 610 may include at least one of an insulating material, a conductive material, and a metallic material. The body 610 may include at least one of a resin material such as polyphthalamide (PPA), a silicon (Si), a metal material, a photo sensitive glass (PSG), a sapphire (Al 2 O 3 ), a printed circuit board Can be formed. For example, the body 610 may be made of a resin material such as polyphthalamide (PPA).

다른 예로서, 상기 몸체(610)가 전도성을 갖는 재질로 형성되면, 상기 몸체(610)의 표면에는 절연막(미도시)이 더 형성되어 전도성의 몸체(610)와 다른 리드 프레임과의 전기적인 쇼트를 방지할 수 있다.As another example, when the body 610 is formed of a conductive material, an insulating film (not shown) is further formed on the surface of the body 610 to electrically short the conductive body 610 to the other lead frame Can be prevented.

상기 몸체(610)의 형상은 위에서 볼 때, 삼각형, 사각형, 다각형, 원형, 또는 곡면을 갖는 형상으로 형성될 수 있다. 상기 몸체(610)는 복수의 측면부(611~614)를 포함하며, 상기 복수의 측면부(611~614) 중 적어도 하나는 상기 몸체(610)의 하면에 대해 수직하거나 경사지게 배치될 수 있다. 상기 몸체(610)는 제1 내지 제4측면부(611~614)를 그 예로 설명하며, 제1측면부(611)와 제2측면부(612)는 서로 반대측 면이며, 상기 제3측면부(613)와 상기 제4측면부(614)는 서로 반대측 면이다. 상기 제1측면부(611) 및 제2측면부(612) 각각의 길이는 제3측면부(613) 및 제4측면부(614)의 길이와 다를 수 있으며, 예컨대 상기 제1측면부(611)와 상기 제2측면부(612)의 길이(예: 단변 길이)는 상기 제3측면부(613) 및 제4측면부(614)의 길이보다 더 짧게 형성될 수 있다. 상기 제1측면부(611) 또는 제2측면부(612)의 길이는 상기 제3측면부(613) 및 제4측면부(614) 사이의 간격일 수 있으며, 상기의 길이 방향은 제2 및 제3캐비티(625,635)의 중심을 지나는 방향일 수 있다. The shape of the body 610 may be triangular, rectangular, polygonal, circular, or curved when viewed from above. The body 610 includes a plurality of side portions 611 to 614 and at least one of the plurality of side portions 611 to 614 may be disposed perpendicular or inclined with respect to a lower surface of the body 610. The first side surface portion 611 and the second side surface portion 612 are opposite to each other and the third side surface portion 613 and the second side surface portion 612 The fourth side portions 614 are opposite to each other. The length of each of the first side surface portion 611 and the second side surface portion 612 may be different from the length of the third side surface portion 613 and the fourth side surface portion 614, The length of the side portion 612 (e.g., the short side length) may be shorter than the length of the third side portion 613 and the fourth side portion 614. [ The length of the first side surface portion 611 or the second side surface portion 612 may be a distance between the third side surface portion 613 and the fourth side surface portion 614 and the longitudinal direction may be a distance between the second and third cavities 625, 635, respectively.

상기 제1리드 프레임(621) 및 제2리드 프레임(631)은 상기 몸체(610)의 하면에 배치되어 회로기판 상에 탑재될 수 있다. 다른 예로서, 상기 제1리드 프레임(621) 및 제2리드 프레임(631)은 상기 몸체(610)의 일 측면에 배치되어 회로 기판 상에 탑재될 수 있다. 상기 제1리드 프레임(621) 및 제2리드 프레임(631)의 두께는 0.2mm±0.05 mm로 형성될 수 있다. 상기의 제1 및 제2리드 프레임(621,631)은 전원을 공급하는 리드로 기능하게 된다.The first lead frame 621 and the second lead frame 631 may be disposed on the lower surface of the body 610 and mounted on the circuit board. As another example, the first lead frame 621 and the second lead frame 631 may be disposed on one side of the body 610 and mounted on a circuit board. The thicknesses of the first lead frame 621 and the second lead frame 631 may be 0.2 mm ± 0.05 mm. The first and second lead frames 621 and 631 function as leads for supplying power.

상기 몸체(610)는 오목부(660)를 포함하며, 상기 오목부(660)는 상부가 개방되고, 측면과 바닥으로 이루어진다. 상기 오목부(660)는 상기 몸체(610)의 상면(615)으로부터 오목한 컵 구조, 캐비티 구조, 또는 리세스 구조와 같은 형태로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 오목부(660)의 측면은 그 바닥에 대해 수직하거나 경사질 수 있다. 상기 오목부(660)를 위에서 바라본 형상은 원형, 타원형, 다각형(예컨대, 사각형), 또는 모서리가 곡면인 다각형 형상일 수 있다. The body 610 includes a concave portion 660, and the concave portion 660 is open at an upper portion and comprises a side face and a bottom face. The concave portion 660 may be formed in the form of a concave cup structure, a cavity structure, or a recess structure from the top surface 615 of the body 610, but the present invention is not limited thereto. The side surface of the concave portion 660 may be perpendicular or inclined to the bottom thereof. The shape of the concave portion 660 viewed from above may be a circular shape, an elliptical shape, a polygonal shape (e.g., a rectangle), or a polygonal shape having a curved corner.

상기 제1리드 프레임(621)은 상기 오목부(660)의 제1영역 아래에 배치되며, 상기 오목부(660)의 바닥에 일부가 배치되고 그 중심부에 상기 오목부(660)의 바닥보다 더 낮은 깊이를 갖도록 오목한 제1캐비티(625)가 배치된다. 상기 제1캐비티(625)는 상기 오목부(660)의 바닥으로부터 상기 몸체(610)의 하면 방향으로 오목한 형상, 예컨대, 컵(Cup) 구조 또는 리세스(recess) 형상을 포함한다. The first lead frame 621 is disposed below the first region of the concave portion 660 and is partially disposed at the bottom of the concave portion 660 and has a center portion at the bottom of the concave portion 660 A first cavity (625) concaved to have a low depth is disposed. The first cavity 625 may have a concave shape such as a cup shape or a recess shape from the bottom of the concave portion 660 in the bottom direction of the body 610.

상기 제1캐비티(625)의 측면 및 바닥(622)은 상기 제1리드 프레임(621)에 의해 형성되며, 상기 제1캐비티(625)의 둘레 측면은 상기 제1캐비티(625)의 바닥(622)으로부터 경사지거나 수직하게 절곡될 수 있다. 상기 제1캐비티(625)의 측면 중에서 대향되는 두 측면은 동일한 각도로 경사지거나 서로 다른 각도로 경사질 수 있다. The side surface and the bottom 622 of the first cavity 625 are formed by the first lead frame 621 and the peripheral side surface of the first cavity 625 is formed by the bottom 622 of the first cavity 625 Or may be bent vertically. The opposite sides of the first cavity 625 may be inclined at the same angle or may be inclined at different angles.

상기 제2리드 프레임(631)은 상기 오목부(660)의 제1영역과 이격되는 제2영역에 배치되며, 상기 오목부(660)의 바닥에 일부가 배치되고, 그 중심부에는 상기 오목부(660)의 바닥보다 더 낮은 깊이를 갖도록 오목한 제2캐비티(635)가 형성된다. 상기 제2캐비티(635)는 상기 제2리드 프레임(631)의 상면으로부터 상기 몸체(610)의 하면 방향으로 오목한 형상, 예컨대, 컵(Cup) 구조 또는 리세스(recess) 형상을 포함한다. 상기 제2캐비티(635)의 바닥(632) 및 측면은 상기 제2리드 프레임(631)에 의해 형성되며, 상기 제2캐비티(635)의 측면은 상기 제2캐비티(635)의 바닥(632)으로부터 경사지거나 수직하게 절곡될 수 있다. 상기 제2캐비티(635)의 측면 중에서 대향되는 두 측면은 동일한 각도로 경사지거나 서로 다른 각도로 경사질 수 있다. The second lead frame 631 is disposed in a second region spaced apart from the first region of the concave portion 660 and partially disposed on the bottom of the concave portion 660, The second cavity 635 is recessed to have a lower depth than the bottom of the first cavity 660. The second cavity 635 may have a concave shape such as a cup shape or a recess shape from the upper surface of the second lead frame 631 in the bottom direction of the body 610. The bottom surface 632 and the side surface of the second cavity 635 are formed by the second lead frame 631 and the side surface of the second cavity 635 is formed by the bottom surface 632 of the second cavity 635. [ Or may be bent vertically. Two opposite sides of the side surface of the second cavity 635 may be inclined at the same angle or may be inclined at different angles.

상기 제1캐비티(625)와 상기 제2캐비티(635)는 위에서 볼 때, 동일한 형상이거나, 서로 대칭되는 형상으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first cavity 625 and the second cavity 635 may have the same shape as viewed from above, or may be formed symmetrically with respect to each other, but the present invention is not limited thereto.

상기 제1리드 프레임(621) 및 상기 제2리드 프레임(631)의 중심부 각각은 상기 몸체(610)의 하부로 노출되며, 상기 몸체(610)의 하면과 동일 평면 또는 다른 평면 상에 배치될 수 있다. Each of the center portions of the first lead frame 621 and the second lead frame 631 is exposed to the lower portion of the body 610 and may be disposed on the same plane as the lower surface of the body 610, have.

상기 제1리드 프레임(621)의 외측부는 상기 몸체(610)의 하부에 배치되고 상기 몸체(610)의 제3측면부(613)로 돌출될 수 있다. 상기 제2리드 프레임(631)의 외측부는 상기 몸체(610)의 하부에 배치되고 상기 몸체(610)의 제3측면부(613)의 반대측 제4측면부(614)로 돌출될 수 있다. The outer side of the first lead frame 621 may be disposed below the body 610 and protrude from the third side surface 613 of the body 610. The outer side of the second lead frame 631 may be disposed below the body 610 and protrude from the fourth side portion 614 opposite to the third side portion 613 of the body 610.

상기 제1리드 프레임(621), 제2리드 프레임(631) 및 연결 프레임(646)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제1, 제2리드 프레임(621,631)의 두께는 동일한 두께로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first lead frame 621, the second lead frame 631 and the connection frame 646 may be made of a metal material such as titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au) And may include at least one of chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), and phosphorous (P). The first and second lead frames 621 and 631 may have the same thickness, but the present invention is not limited thereto.

상기 제1캐비티(625) 및 상기 제2캐비티(635)의 바닥 형상은 직사각형, 정 사각형 또는 곡면을 갖는 원 또는 타원 형상일 수 있다.The bottom shapes of the first cavity 625 and the second cavity 635 may be circular or elliptical shapes having a rectangular shape, a square shape, or a curved shape.

상기 오목부(660)의 바닥에는 연결 프레임(646)이 배치되며, 상기 연결 프레임(646)은 상기 제1리드 프레임(621)과 제2리드 프레임(631) 사이에 배치되어, 중간 연결 단자로 사용된다. 상기의 연결 프레임(646)은 제거될 수 있으며, 상기 연결 프레임(646)이 제거되면 상기 제1 및 제2발광 소자(671,672)은 제1리드 프레임(621)과 제2리드 프레임(631)에 전기적으로 연결될 수 있다. A connection frame 646 is disposed on the bottom of the concave portion 660 and the connection frame 646 is disposed between the first lead frame 621 and the second lead frame 631, Is used. The connection frame 646 may be removed and the first and second light emitting devices 671 and 672 may be connected to the first lead frame 621 and the second lead frame 631 And can be electrically connected.

상기 제1리드 프레임(621)의 제1캐비티(625) 내에는 제1발광 소자(671)이 배치되며, 상기 제2리드 프레임(631)의 제2캐비티(635) 내에는 제2발광 소자(672)이 배치될 수 있다. A first light emitting device 671 is disposed in the first cavity 625 of the first lead frame 621 and a second light emitting device 671 is disposed in the second cavity 635 of the second lead frame 631 672 may be disposed.

상기 제1 및 제2발광 소자(671,672)은 가시광선 대역부터 자외선 대역의 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 레드 LED 칩, 블루 LED 칩, 그린 LED 칩, 엘로우 그린(yellow green) LED 칩 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1 및 제2발광 소자(671,672)은 II족-VI족 원소 또는 III족-V족 원소의 화합물 반도체 발광소자를 포함한다.The first and second light emitting devices 671 and 672 can selectively emit light in a visible light band to an ultraviolet light band. For example, a red LED chip, a blue LED chip, a green LED chip, a yellow green LED chip, Can be selected. The first and second light emitting devices 671 and 672 include compound semiconductor light emitting devices of group II-VII elements or group III-V elements.

상기 제1발광 소자(671)는 연결부재(603,604)로 상기 제1연결 프레임(621)과 상기 연결 프레임(646)와 연결된다. 상기 제2발광 소자(672)는 연결부재(605,606)로 상기 제2연결 프레임(631)과 상기 연결 프레임(646)와 연결된다. 상기의 연결부재(603-606)은 와이어로 구현될 수 있다. The first light emitting device 671 is connected to the first connection frame 621 and the connection frame 646 by connecting members 603 and 604. The second light emitting device 672 is connected to the second connection frame 631 and the connection frame 646 by connecting members 605 and 606. The connecting members 603-606 may be realized by a wire.

보호 소자는 상기 제1리드 프레임(621) 또는 상기 제2리드 프레임(631)의 일부 상에 배치될 수 있다. 상기 보호 소자는 싸이리스터, 제너 다이오드, 또는 TVS(Transient voltage suppression)로 구현될 수 있으며, 상기 제너 다이오드는 상기 발광 소자를 ESD(electro static discharge)로 부터 보호하게 된다. 상기 보호 소자는 제1발광 소자(671) 및 제2발광 소자(672)의 연결 회로에 병렬로 연결됨으로써, 상기 발광 소자들(671,672)을 보호할 수 있다.The protection element may be disposed on a part of the first lead frame 621 or the second lead frame 631. The protection device may be implemented with a thyristor, a zener diode, or a TVS (Transient Voltage Suppression), and the zener diode protects the light emitting device from electrostatic discharge (ESD). The protection element may be connected in parallel to the connection circuit of the first light emitting element 671 and the second light emitting element 672 to protect the light emitting elements 671 and 672.

상기 오목부(660), 제1캐비티(625) 및 상기 제2캐비티(635)에는 몰딩 부재(651)가 형성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(651)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지 재질을 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. Molding members 651 may be formed in the concave portion 660, the first cavity 625, and the second cavity 635. The molding member 651 includes a light transmitting resin material such as silicone or epoxy, and may be formed as a single layer or a multi-layer.

제1페이스트 부재(681)는 상기 제1발광 소자(671)과 상기 제1캐비티(625)의 바닥(622) 사이를 배치되어, 서로를 접착시켜 주고 전기적으로 연결시켜 준다. 제2페이스트 부재(682)는 상기 제2발광 소자(672)과 상기 제2캐비티(635)의 바닥(632) 사이를 배치되어, 서로를 접착시켜 주고 전기적으로 연결시켜 준다. The first paste member 681 is disposed between the first light emitting device 671 and the bottom 622 of the first cavity 625 to bond and electrically connect the first light emitting device 671 and the first light emitting device 671. The second paste member 682 is disposed between the second light emitting device 672 and the bottom 632 of the second cavity 635 to bond and electrically connect the second paste member 682 to each other.

상기 제1 및 제2페이스트 부재(681,682)는 절연성 접착제를 포함하며, 예컨대 에폭시를 포함한다. 또한 상기의 에폭시에 필러를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first and second paste members 681 and 682 include an insulating adhesive, and include, for example, epoxy. In addition, the epoxy may include a filler, but the present invention is not limited thereto.

상기 몰딩 부재(651)는 상기 발광 소자(671,672) 상으로 방출되는 빛의 파장을 변환하기 위한 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 형광체는 상기 제1캐비티(625) 및 상기 제2캐비티(635) 중 하나 또는 모든 영역에 형성된 몰딩 부재(651)에 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 형광체는 발광 소자(671,672)에서 방출되는 빛의 일부를 여기시켜 다른 파장의 빛으로 방출하게 된다. 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몰딩 부재(651)의 표면은 플랫한 형상, 오목한 형상, 볼록한 형상 등으로 형성될 수 있으며, 예를 들면 상기 몰딩 부재(651)의 표면은 오목한 곡면으로 형성될 수 있으며, 상기 오목한 곡면은 광 출사면이 될 수 있다. The molding member 651 may include a phosphor for converting the wavelength of light emitted onto the light emitting devices 671 and 672. The phosphor may include one of the first cavity 625 and the second cavity 635 May be added to the molding member 651 formed in one or all of the regions, but the present invention is not limited thereto. The phosphor excites a part of the light emitted from the light emitting elements 671 and 672 to emit light of a different wavelength. The phosphor may be selectively formed from YAG, TAG, Silicate, Nitride, and Oxy-nitride based materials. The phosphor may include at least one of a red phosphor, a yellow phosphor, and a green phosphor, but the present invention is not limited thereto. The surface of the molding member 651 may be formed in a flat shape, a concave shape, a convex shape, or the like. For example, the surface of the molding member 651 may be formed as a concave curved surface, It can be an exit plane.

상기 오목부(660)의 둘레는 상기 오목부(660)의 바닥에 대해 경사지게 형성될 수 있다. 상기 오목부(660)의 둘레는 스텝 구조로 형성되어, 몰딩 부재(651)가 넘치는 것을 방지할 수 있다.The circumference of the concave portion 660 may be formed to be inclined with respect to the bottom of the concave portion 660. The periphery of the concave portion 660 is formed in a stepped structure, so that the molding member 651 can be prevented from overflowing.

상기 몰딩 부재(651)의 상면은 오목하거나, 볼록하거나, 플랫한 면으로 형성될 수 있다. 또한 상기 몰딩 부재(651)의 상면은 러프한 요철 면으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The upper surface of the molding member 651 may be formed as a concave, convex or flat surface. Further, the upper surface of the molding member 651 may be formed as a rough uneven surface, but the present invention is not limited thereto.

상기의 발광 소자(600) 상에는 형광 시트가 배치되거나, 상기 각 발광 소자(671,672) 상에 형광체층이 접착되도록 도포될 수 있다. 이는 도 1의 발광 소자의 동공이 없어지는 것을 차단하기 위한 예이다.
A fluorescent sheet may be disposed on the light emitting device 600 or may be coated on the light emitting devices 671 and 672 so as to bond the phosphor layers. This is an example for preventing the pupil of the light emitting device of Fig. 1 from disappearing.

도 14는 실시 예에 따른 발광 소자의 다른 예를 나타낸 도면이다.14 is a view showing another example of the light emitting device according to the embodiment.

도 14를 참조하면, 발광 소자는 발광 칩(200A) 및 상기 발광 칩(200A) 상에 형광체층(250)을 포함한다. Referring to FIG. 14, the light emitting device includes a light emitting chip 200A and a phosphor layer 250 on the light emitting chip 200A.

상기 발광 칩(11)은 발광 구조물(225) 및 복수의 전극(245,247)을 포함한다. 상기 발광 구조물(225)은 II족 내지 VI족 원소의 화합물 반도체층 예컨대, III족-V족 원소의 화합물 반도체층 또는 II족-VI족 원소의 화합물 반도체층으로 형성될 수 있다. 상기 복수의 전극(245,247)은 상기 발광 구조물(225)의 반도체층에 선택적으로 연결되며, 전원을 공급하게 된다.The light emitting chip 11 includes a light emitting structure 225 and a plurality of electrodes 245 and 247. The light emitting structure 225 may be formed of a compound semiconductor layer of a group II to VI element, for example, a compound semiconductor layer of a group III-V element, or a compound semiconductor layer of a group II-VII element. The plurality of electrodes 245 and 247 are selectively connected to the semiconductor layer of the light emitting structure 225 to supply power.

상기 발광 칩은 기판(221)을 포함할 수 있다. 상기 기판(221)은 상기 발광 구조물(225) 위에 배치된다. 상기 기판(221)은 예컨대, 투광성, 절연성 기판, 또는 전도성 기판일 수 있다. 상기 기판(221)은 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga2O3 중 적어도 하나를 이용할 수 있다. 상기 기판(221)의 탑 면 및 바닥면 중 적어도 하나 또는 모두에는 복수의 볼록부(미도시)가 형성되어, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 각 볼록부의 측 단면 형상은 반구형 형상, 반타원 형상, 또는 다각형 형상 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이러한 기판(221)은 제거될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The light emitting chip may include a substrate 221. The substrate 221 is disposed on the light emitting structure 225. The substrate 221 may be, for example, a light-transmitting substrate, an insulating substrate, or a conductive substrate. At least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge and Ga 2 O 3 may be used as the substrate 221. At least one or both of the top surface and the bottom surface of the substrate 221 may have a plurality of convex portions (not shown) to improve light extraction efficiency. The side cross-sectional shape of each convex portion may include at least one of hemispherical shape, semi-elliptical shape, or polygonal shape. Such a substrate 221 can be removed, but is not limited thereto.

상기 발광 칩(200A)은 상기 기판(221)과 상기 발광 구조물(225) 사이에 버퍼층(미도시) 및 언도프드 반도체층(미도시) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 버퍼층은 상기 기판(221)과 반도체층과의 격자 상수 차이를 완화시켜 주기 위한 층으로서, II족 내지 VI족 화합물 반도체 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층 아래에는 언도핑된 III족-V족 화합물 반도체층이 더 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 기판(221)은 제거될 수 있다. 상기 기판(221)이 제거된 경우 형광체층(61)은 상기 제1도전형 반도체층(222)의 상면이나 다른 반도체층의 상면에 접촉될 수 있다.The light emitting chip 200A may include at least one of a buffer layer (not shown) and an undoped semiconductor layer (not shown) between the substrate 221 and the light emitting structure 225. The buffer layer is a layer for relaxing the difference in lattice constant between the substrate 221 and the semiconductor layer, and may be selectively formed from Group II to VI compound semiconductors. An undoped Group III-V compound semiconductor layer may be further formed under the buffer layer, but the present invention is not limited thereto. The substrate 221 can be removed. When the substrate 221 is removed, the phosphor layer 61 may contact the upper surface of the first conductive type semiconductor layer 222 or the upper surface of the other semiconductor layer.

상기 발광 구조물(225)은 상기 기판(221) 아래에 배치될 수 있으며, 제1도전형 반도체층(222), 활성층(223) 및 제2도전형 반도체층(224)을 포함한다. 상기 각 층(222,223,224)의 위 및 아래 중 적어도 하나에는 다른 반도체층이 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The light emitting structure 225 may be disposed under the substrate 221 and includes a first conductive semiconductor layer 222, an active layer 223, and a second conductive semiconductor layer 224. Other semiconductor layers may be further disposed on at least one of the upper and lower layers 222, 223, and 224, but the present invention is not limited thereto.

상기 제1도전형 반도체층(222)은 기판(221) 아래에 배치되며, 제1도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(222)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제1도전형 반도체층(222)은 III족-V족 원소의 화합물 반도체 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 도펀트를 포함한다.The first conductive semiconductor layer 222 may be disposed below the substrate 221 and may include a semiconductor layer doped with a first conductive dopant, for example, an n-type semiconductor layer. The first conductive semiconductor layer 222 includes a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? The first conductive semiconductor layer 222 may be a compound semiconductor of Group III-V elements such as GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, . The first conductive dopant is an n-type dopant and includes dopants such as Si, Ge, Sn, Se, and Te.

상기 활성층(223)은 제1도전형 반도체층(222) 아래에 배치되고, 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선(quantum wire) 구조 또는 양자 점(quantum dot) 구조를 선택적으로 포함하며, 우물층과 장벽층의 주기를 포함한다. 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaA, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs의 페어 중 적어도 하나를 포함한다.The active layer 223 is disposed below the first conductive semiconductor layer 222 and selectively includes a single quantum well, a multiple quantum well (MQW), a quantum wire structure, or a quantum dot structure. And includes the well layer and the period of the barrier layer. InGaN / AlGaN, InGaN / InGaN, InGaN / InGaN, AlGaAs / GaA, InGaAs / GaAs, InGaP / GaP, AlInGaP / InGaP, InGaN / AlGaN, AlGaN / AlGaN, / RTI > pair of < / RTI >

상기 제2도전형 반도체층(224)은 활성층(223) 아래에 배치된다. 상기 제2도전형 반도체층(224)은 제2도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(224)은, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(224)이 p형 반도체층이고, 상기 제1도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba을 포함할 수 있다. The second conductive semiconductor layer 224 is disposed under the active layer 223. The second conductive semiconductor layer 224 may be formed of a semiconductor doped with a second conductive dopant such as In x Al y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? 1). The second conductive semiconductor layer 224 may include at least one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP and AlGaInP. The second conductivity type semiconductor layer 224 is a p-type semiconductor layer, and the first conductivity type dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as a p-type dopant.

상기 발광 구조물(225)은 다른 예로서, 상기 제1도전형 반도체층(222)이 p형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층(224)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(224) 아래에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제3도전형 반도체층이 형성할 수도 있다. 또한 상기 발광 구조물(225)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.
The first conductive semiconductor layer 222 may be a p-type semiconductor layer, and the second conductive semiconductor layer 224 may be an n-type semiconductor layer. A third conductive type semiconductor layer having a polarity opposite to the second conductive type may be formed under the second conductive type semiconductor layer 224. Also, the light emitting structure 225 may have any one of an np junction structure, a pn junction structure, an npn junction structure, and a pnp junction structure.

상기 발광 칩(200A)은 하부에는 제1 및 제2전극(245,247)이 배치된다. 상기 제1전극(245)은 상기 제1도전형 반도체층(222)과 전기적으로 연결되며, 상기 제2전극(247)은 제2도전형 반도체층(224)과 전기적으로 연결된다. 상기 제1 및 제2전극(245,247)은 바닥 형상이 다각형 또는 원 형상일 수 있다.
First and second electrodes 245 and 247 are disposed under the light emitting chip 200A. The first electrode 245 is electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 222 and the second electrode 247 is electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 224. [ The first and second electrodes 245 and 247 may have a polygonal or circular bottom shape.

상기 발광 칩(200A)은 제1 및 제2전극층(241,242), 제3전극층(243), 절연층(231,233)을 포함한다. 상기 제1 및 제2전극층(241,242) 각각은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 전류 확산층으로 기능할 수 있다. 상기 제1 및 제2전극층(241,242)은 상기 발광 구조물(225)의 아래에 배치된 제1전극층(241); 및 상기 제1전극층(241) 아래에 배치된 제2전극층(242)을 포함할 수 있다. 상기 제1전극층(241)은 전류를 확산시켜 주게 되며, 상기 제2전극층(241)은 입사되는 광을 반사하게 된다.The light emitting chip 200A includes first and second electrode layers 241 and 242, a third electrode layer 243, and insulating layers 231 and 233. Each of the first and second electrode layers 241 and 242 may be formed as a single layer or a multilayer, and may function as a current diffusion layer. The first and second electrode layers 241 and 242 include a first electrode layer 241 disposed under the light emitting structure 225; And a second electrode layer 242 disposed under the first electrode layer 241. The first electrode layer 241 diffuses a current, and the second electrode layer 241 reflects incident light.

상기 제1 및 제2전극층(241,242)은 서로 다른 물질로 형성될 수 있다. 상기 제1전극층(241)은 투광성 재질로 형성될 수 있으며, 예컨대 금속 산화물 또는 금속 질화물로 형성될 수 있다. The first and second electrode layers 241 and 242 may be formed of different materials. The first electrode layer 241 may be formed of a light-transmitting material, for example, a metal oxide or a metal nitride.

상기 제1전극층(241)은 예컨대 ITO(indium tin oxide), ITON(ITO nitride), IZO(indium zinc oxide), IZON(IZO nitride), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide) 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. The first electrode layer 241 may be formed of, for example, indium tin oxide (ITO), ITO nitride, indium zinc oxide (IZO), indium zinc oxide (IZO) , Indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO) and gallium zinc oxide (GZO).

상기 제2전극층(242)은 상기 제1전극층(241)의 하면과 접촉되며 반사 전극층으로 기능할 수 있다. 상기 제2전극층(242)은 금속 예컨대, Ag, Au 또는 Al를 포함한다. 상기 제2전극층(242)은 상기 제1전극층(241)이 일부 영역이 제거된 경우, 상기 발광 구조물(225)의 하면에 부분적으로 접촉될 수 있다. The second electrode layer 242 may contact the lower surface of the first electrode layer 241 and function as a reflective electrode layer. The second electrode layer 242 includes a metal such as Ag, Au, or Al. The second electrode layer 242 may partially contact the lower surface of the light emitting structure 225 when the first electrode layer 241 is partially removed.

다른 예로서, 상기 제1 및 제2전극층(241,242)의 구조는 무지향성 반사(ODR: Omni Directional Reflector layer) 구조로 적층될 수 있다. 상기 무지향성 반사 구조는 낮은 굴절률을 갖는 제1전극층(241)과, 상기 제1전극층(241)과 접촉된 고 반사 재질의 금속 재질인 제2전극층(242)의 적층 구조로 형성될 수 있다. 상기 전극층(241,242)은, 예컨대, ITO/Ag의 적층 구조로 이루어질 수 있다. 이러한 상기 제1전극층(241)과 제2전극층(242) 사이의 계면에서 전 방위 반사각을 개선시켜 줄 수 있다. As another example, the structures of the first and second electrode layers 241 and 242 may be stacked in an omni directional reflector layer (ODR) structure. The omnidirectional reflection structure may have a stacked structure of a first electrode layer 241 having a low refractive index and a second electrode layer 242 made of a highly reflective metal material in contact with the first electrode layer 241. The electrode layers 241 and 242 may have a laminated structure of, for example, ITO / Ag. The total reflection angle at the interface between the first electrode layer 241 and the second electrode layer 242 can be improved.

다른 예로서, 상기 제2전극층(242)은 제거될 수 있으며, 다른 재질의 반사층으로 형성될 수 있다. 상기 반사층은 분산형 브래그 반사(distributed bragg reflector: DBR) 구조로 형성될 수 있으며, 상기 분산형 브래그 반사 구조는 서로 다른 굴절률을 갖는 두 유전체층이 교대로 배치된 구조를 포함하며, 예컨대, SiO2층, Si3N4층, TiO2층, Al2O3층, 및 MgO층 중 서로 다른 어느 하나를 각각 포함할 수 있다. 다른 예로서, 상기 전극층(241,242)은 분산형 브래그 반사 구조와 무지향성 반사 구조를 모두 포함할 수 있으며, 이 경우 98% 이상의 광 반사율을 갖는 발광 칩을 제공할 수 있다. 상기 플립 방식으로 탑재된 발광 칩은 상기 제2전극층(242)로부터 반사된 광이 기판(221)을 통해 방출하게 되므로, 수직 상 방향으로 대부분의 광을 방출할 수 있다. As another example, the second electrode layer 242 may be removed and formed of a reflective layer of another material. The reflective layer is a distributed Bragg reflection: can be formed of (distributed bragg reflector DBR) structure, and the distributed Bragg reflection structure to each other comprises a structure du dielectric layers are arranged alternately having different refractive indices, e.g., SiO 2 layer , A Si 3 N 4 layer, a TiO 2 layer, an Al 2 O 3 layer, and a MgO layer, respectively. As another example, the electrode layers 241 and 242 may include both a dispersed Bragg reflection structure and an omnidirectional reflection structure. In this case, a light emitting chip having a light reflectance of 98% or more can be provided. Since the light emitted from the second electrode layer 242 is emitted through the substrate 221, the light emitting chip mounted in the flip mode can emit most of the light in the vertical direction.

상기 발광 칩(200A)의 측면으로 방출된 광은 실시 예에 따른 반사 부재에 의해 광 출사 영역으로 반사될 수 있다. The light emitted to the side of the light emitting chip 200A can be reflected to the light outputting region by the reflecting member according to the embodiment.

상기 제3전극층(243)은 상기 제2전극층(242)의 아래에 배치되며, 상기 제1 및 제2전극층(241,242)과 전기적으로 절연된다. 상기 제3전극층(243)은 금속 예컨대, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 제3전극층(243) 아래에는 제1전극(245) 및 제2전극(247)가 배치된다. The third electrode layer 243 is disposed under the second electrode layer 242 and is electrically insulated from the first and second electrode layers 241 and 242. The third electrode layer 243 may be formed of a metal such as titanium, copper, nickel, gold, chromium, tantalum, platinum, tin, ), Silver (Ag), and phosphorus (P). A first electrode 245 and a second electrode 247 are disposed under the third electrode layer 243.

상기 절연층(231,233)은 제1 및 제2전극층(241,242), 제3전극층(243), 제1 및 제2전극(245,247), 발광 구조물(225)의 층 간의 불필요한 접촉을 차단하게 된다. 상기 절연층(231,233)은 제1 및 제2절연층(231,233)을 포함한다. 상기 제1절연층(231)은 상기 제3전극층(243)과 제2전극층(242) 사이에 배치된다. 상기 제2절연층(233)은 상기 제3전극층(243)과 제1,2전극(245,247) 사이에 배치된다. The insulating layers 231 and 233 prevent unnecessary contact between the layers of the first and second electrode layers 241 and 242, the third electrode layer 243, the first and second electrodes 245 and 247, and the light emitting structure 225. The insulating layers 231 and 233 include first and second insulating layers 231 and 233. The first insulating layer 231 is disposed between the third electrode layer 243 and the second electrode layer 242. The second insulating layer 233 is disposed between the third electrode layer 243 and the first and second electrodes 245 and 247.

상기 제3전극층(243)은 상기 제1도전형 반도체층(222)과 연결된다. 상기 제3전극층(243)의 연결부(244)는 상기 제1, 2전극층(241, 242) 및 발광 구조물(225)의 하부를 통해 비아 구조로 돌출되며 제1도전형 반도체층(222)과 접촉된다. 상기 연결부(244)는 복수로 배치될 수 있다. 상기 제3전극층(243)의 연결부(244)의 둘레에는 상기 제1절연층(231)의 일부(232)가 연장되어 제3전극층(243)과 상기 제1 및 제2전극층(241,242), 제2도전형 반도체층(224) 및 활성층(223) 간의 전기적인 연결을 차단한다. 상기 발광 구조물(225)의 측면에는 측면 보호를 위해 절연 층이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The third electrode layer 243 is connected to the first conductive semiconductor layer 222. The connection part 244 of the third electrode layer 243 protrudes in a via structure through the first and second electrode layers 241 and 242 and the lower part of the light emitting structure 225 and contacts the first conductivity type semiconductor layer 222 do. The connection portions 244 may be arranged in a plurality. A portion 232 of the first insulating layer 231 extends around the connection portion 244 of the third electrode layer 243 to form the third electrode layer 243 and the first and second electrode layers 241 and 242, The conductive connection between the two-conductivity-type semiconductor layer 224 and the active layer 223 is cut off. An insulating layer may be disposed on the side surface of the light emitting structure 225 for lateral protection, but the present invention is not limited thereto.

상기 제2전극(247)은 상기 제2절연층(233) 아래에 배치되고 상기 제2절연층(233)의 오픈 영역을 통해 상기 제1 및 제2전극층(241, 242) 중 적어도 하나와 접촉되거나 연결된다. 상기 제1전극(245)은 상기 제2절연층(233)의 아래에 배치되며 상기 제2절연층(233)의 오픈 영역을 통해 상기 제3전극층(243)과 연결된다. 이에 따라 상기 제2전극(247)의 돌기(248)는 제1,2전극층(241,242)을 통해 제2도전형 반도체층(224)에 전기적으로 연결되며, 제1전극(245)의 돌기(246)는 제3전극층(243)을 통해 제1도전형 반도체층(222)에 전기적으로 연결된다. The second electrode 247 is disposed below the second insulating layer 233 and is in contact with at least one of the first and second electrode layers 241 and 242 through an open region of the second insulating layer 233, Or connected. The first electrode 245 is disposed below the second insulating layer 233 and is connected to the third electrode layer 243 through an open region of the second insulating layer 233. The protrusion 248 of the second electrode 247 is electrically connected to the second conductive type semiconductor layer 224 through the first and second electrode layers 241 and 242 and the protrusion 246 of the first electrode 245 Is electrically connected to the first conductive type semiconductor layer 222 through the third electrode layer 243.

상기 발광 소자는 형광체층(250)을 포함할 수 있다. 상기 형광체층(250)은 상기 발광 칩(200A)의 상면 위에 배치될 수 있다. 상기 형광체층(250)은 상기 발광 칩(200A)의 상면 및 측면 상에 접촉되거나 이격되게 배치될 수 있다. 상기 형광체층(250)이 상기 발광 칩(200A)의 상면 전체를 커버하는 크기로 배치되므로, 상기 발광 칩(200A)으로부터 방출된 광의 파장 변환 효율이 개선될 수 있다. The light emitting device may include a phosphor layer 250. The phosphor layer 250 may be disposed on the upper surface of the light emitting chip 200A. The phosphor layer 250 may be disposed on or spaced from the upper surface and the side surface of the light emitting chip 200A. Since the phosphor layer 250 is disposed to cover the entire upper surface of the light emitting chip 200A, the wavelength conversion efficiency of the light emitted from the light emitting chip 200A can be improved.

상기 형광체층(250)은 상기 발광 칩(200A)으로부터 방출된 일부 광을 파장 변환하게 된다. 상기 형광체층(250)은 실리콘 또는 에폭시 수지 내에 형광체를 포함하며, 상기 형광체는 적색 형광체, 녹색 형광체, 청색 형광체, 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 형광체는 예컨대, YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다.The phosphor layer 250 converts the wavelength of a part of light emitted from the light emitting chip 200A. The phosphor layer 250 may include at least one of a red phosphor, a green phosphor, a blue phosphor, and a yellow phosphor, but the present invention is not limited thereto. The phosphor may be selectively formed from among YAG, TAG, Silicate, Nitride, and Oxy-nitride based materials.

실시 예에 따른 발광 모듈은 휴대 단말기, 컴퓨터 등의 라이트 유닛 뿐만 아니라, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판, 가로등 등의 조명 장치에 적용될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 탑 뷰 타입의 발광 모듈에는 상기 도광판을 배치하지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 상기 발광 모듈 위에 렌즈 또는 유리와 같은 투광성 물질이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The light emitting module according to the embodiment can be applied not only to a light unit such as a portable terminal and a computer but also to an illumination device such as an illumination light, a traffic light, a vehicle headlight, an electric signboard, a streetlight, and the like. Also, the light guide plate may not be disposed in the top view type light emitting module, but the present invention is not limited thereto. Further, a light transmitting material such as a lens or glass may be disposed on the light emitting module, but the present invention is not limited thereto.

상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이며, 이 또한 첨부된 청구범위에 기재된 기술적 사상에 속한다 할 것이다.The present invention is not limited to the above-described embodiment and the attached drawings, but is defined by the appended claims. It will be apparent to those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims, As will be described below.

100: 표시장치 10: 표시 패널
15: 리세스부 20: 라이트 유닛
25: 오목부 20A: 광원 모듈
30: 발광 모듈 32: 회로 기판
34: 발광 소자 45: 반사 시트
50: 방열 플레이트 52: 제1프레임부
54: 제2프레임부 60: 광학 시트
70: 도광판 100: display device 10: display panel
15: recess 20: light unit
25: concave portion 20A: light source module
30: light emitting module 32: circuit board
34: light emitting element 45: reflective sheet
50: heat radiating plate 52: first frame part
54: second frame portion 60: optical sheet
70: light guide plate

Claims (15)

오목부를 갖는 제1프레임부 및 상기 제1프레임부로부터 절곡된 제2프레임부를 갖는 방열 플레이트;
상기 제1프레임부 상에 배치되며 상기 오목부 상에 리세스부를 갖는 회로 기판 및 상기 회로 기판의 리세스부에 배열된 복수의 발광 소자를 포함하는 발광 모듈; 및
상기 제1프레임부와 상기 회로 기판 사이에 배치된 접착 부재를 포함하는 라이트 유닛.A heat radiating plate having a first frame portion having a concave portion and a second frame portion bent from the first frame portion;
A light emitting module including a circuit board disposed on the first frame portion and having a recessed portion on the recessed portion, and a plurality of light emitting elements arranged in a recessed portion of the circuit board; And
And an adhesive member disposed between the first frame portion and the circuit board. 너비보다 길이가 긴 리세스부를 갖는 회로 기판 및 상기 회로 기판의 리세스부에 상기 리세스부의 길이 방향을 따라 배열된 복수의 발광 소자를 포함하는 발광 모듈;
상기 회로 기판의 배면에 배치된 방열 플레이트; 및
상기 방열 플레이트와 회로 기판 사이에 배치된 접착 부재를 포함하는 라이트 유닛.A light emitting module including a circuit board having a recess portion having a length longer than the width and a plurality of light emitting elements arranged along the longitudinal direction of the recess portion in the recess portion of the circuit board;
A heat dissipation plate disposed on a rear surface of the circuit board; And
And a bonding member disposed between the heat dissipation plate and the circuit board. 제1항에 있어서,
상기 제1프레임부는 상기 제1오목부의 바닥을 이루는 바닥부와, 상기 바닥부로부터 경사지게 절곡된 제1 및 제2측면부와, 상기 제1측면부와 상기 제2프레임부 사이에 연결된 제1외곽부와, 상기 제2측면부로부터 절곡된 제2외곽부를 포함하는 라이트 유닛.The method according to claim 1,
The first frame portion includes a bottom portion forming the bottom of the first concave portion, first and second side portions bent obliquely from the bottom portion, a first outer frame portion connected between the first side portion and the second frame portion, And a second outer portion bent from the second side portion. 제3항에 있어서,
상기 회로 기판은 상기 제1프레임부의 바닥부 상에 바닥 영역과, 상기 제1 및 제2측면부 상에 제1 및 제2측면 영역과, 상기 제1 및 제2측면 영역으로부터 연장되어 상기 제1 및 제2외곽부 상에 배치된 제1 및 제2외곽 영역을 포함하는 라이트 유닛.The method of claim 3,
Wherein the circuit board includes a bottom region on the bottom portion of the first frame portion, first and second side regions on the first and second side portions, and first and second side regions extending from the first and second side regions, And a first and a second outer area disposed on the second outer frame. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 회로 기판의 외측 상면은 상기 발광 소자의 상면보다 높게 배치되는 라이트 유닛.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein an outer upper surface of the circuit board is disposed higher than an upper surface of the light emitting element. 제5항에 있어서,
상기 리세스의 상부 너비는 상기 리세스의 바닥 너비보다 넓은 라이트 유닛.6. The method of claim 5,
And the upper width of the recess is larger than the bottom width of the recess. 제6항에 있어서,
상기 리세스의 상부 너비는 발광 모듈 상에 배치되는 도광판의 두께보다 좁게 배치되는 라이트 유닛.The method according to claim 6,
Wherein an upper width of the recess is narrower than a thickness of a light guide plate disposed on the light emitting module. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 회로 기판의 외측 상면 상에 배치된 반사 부재를 포함하는 라이트 유닛.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
And a reflective member disposed on an outer upper surface of the circuit board. 제1항 또는 제3항에 있어서,
상기 제1프레임부는 상기 회로 기판의 외 측면보다 돌출된 반사부를 포함하는 라이트 유닛.The method according to claim 1 or 3,
Wherein the first frame portion includes a reflective portion protruding from an outer surface of the circuit board. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광 소자는 몸체; 상기 몸체 내에 캐비티; 상기 캐비티 상에 복수의 리드 프레임; 및 상기 복수의 리드 프레임 중 적어도 하나의 위에 발광 칩을 포함하는 라이트 유닛.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The light emitting device includes a body; A cavity in the body; A plurality of lead frames on the cavity; And a light emitting chip on at least one of the plurality of lead frames. 제1항, 제3항 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 방열 플레이트는 상기 제2프레임부가 상기 제1프레임부로부터 직각 방향으로 절곡되며,
상기 제2프레임부의 너비는 상기 제1프레임부의 너비보다 길게 배치되는 라이트 유닛.The method according to any one of claims 1, 3, and 4,
The second frame part is bent in a direction perpendicular to the first frame part,
And the width of the second frame part is longer than the width of the first frame part. 제11항에 있어서,
상기 제1 및 제2프레임부 각각의 길이는 상기 제1 및 제2프레임부의 너비의 합보다 길게 배치되는 라이트 유닛. 12. The method of claim 11,
Wherein the length of each of the first and second frame portions is longer than the sum of the widths of the first and second frame portions. 청구항 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 라이트 유닛;
상기 라이트 유닛의 발광 모듈에 대응되는 도광판; 및
상기 도광판 및 라이트 유닛이 배치된 수납부를 갖는 바텀 커버를 포함하는 조명 장치.A light unit according to any one of claims 1 to 4;
A light guide plate corresponding to the light emitting module of the light unit; And
And a bottom cover having a housing portion in which the light guide plate and the light unit are arranged. 제13항에 있어서, 상기 바텀 커버와 상기 라이트 유닛의 방열 플레이트 사이에 접착제가 배치되는 조명 장치.14. The lighting apparatus according to claim 13, wherein an adhesive is disposed between the bottom cover and the heat radiating plate of the light unit. 제13항에 있어서,
상기 도광판과 상기 방열 플레이트 사이에 반사 시트를 포함하는 조명 장치.
14. The method of claim 13,
And a reflective sheet between the light guide plate and the heat radiation plate.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20120007269A (en) * 2010-07-14 2012-01-20 엘지디스플레이 주식회사 Edge type backlight unit and fabricating method thereof
KR20120014418A (en) * 2010-08-09 2012-02-17 엘지이노텍 주식회사 Light emitting apparatus
JP2012039122A (en) * 2010-08-09 2012-02-23 Lg Innotek Co Ltd Light emitting element
KR20140145402A (en) * 2013-06-13 2014-12-23 엘지이노텍 주식회사 Light unit

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120007269A (en) * 2010-07-14 2012-01-20 엘지디스플레이 주식회사 Edge type backlight unit and fabricating method thereof
KR20120014418A (en) * 2010-08-09 2012-02-17 엘지이노텍 주식회사 Light emitting apparatus
JP2012039122A (en) * 2010-08-09 2012-02-23 Lg Innotek Co Ltd Light emitting element
KR20140145402A (en) * 2013-06-13 2014-12-23 엘지이노텍 주식회사 Light unit

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