KR101893046B1 - Light emitting module and light unit having the same - Google Patents

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Abstract

실시 예에 따른 발광 모듈은, 제1면에 복수의 제1패드 및 제2패드와, 복수의 돌기 구멍을 포함하는 모듈 기판; 상기 모듈 기판의 돌기 구멍에 삽입되는 복수의 돌기를 포함하는 방열 플레이트; 및 상기 방열 플레이트의 돌기에 연결된 방열 프레임을 갖고, 상기 모듈 기판의 제1패드 및 제2패드에 연결된 복수의 발광 소자를 포함한다. A light emitting module according to an embodiment includes: a module substrate having a first surface, a first pad, a second pad, and a plurality of protrusion holes; A heat dissipation plate including a plurality of protrusions inserted into protrusion holes of the module substrate; And a plurality of light emitting devices having heat radiating frames connected to the protrusions of the heat dissipating plate and connected to the first and second pads of the module substrate.

Description

발광 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛{LIGHT EMITTING MODULE AND LIGHT UNIT HAVING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a light emitting module,

실시 예는 발광 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting module and a light unit having the same.

정보처리 기술이 발달함에 따라서, LCD, PDP 및 AMOLED 등과 같은 표시장치들이 널리 사용되고 있다. 이러한 표시장치들 중 LCD는 영상을 표시하기 위해서, 광을 발생시킬 수 있는 백라이트 유닛을 필요로 한다.As information processing technology has developed, display devices such as LCD, PDP, and AMOLED have been widely used. Of these display devices, the LCD requires a backlight unit capable of generating light in order to display an image.

발광 모듈은 복수의 발광 소자를 기판 상에 탑재하고, 커넥터를 통해 외부 전원을 공급하여 상기 복수의 발광 소자의 구동을 제어하게 된다. The light emitting module mounts a plurality of light emitting elements on a substrate, and supplies external power through a connector to control driving of the plurality of light emitting elements.

이러한 발광 모듈의 발광 소자로부터 발생된 열을 효과적으로 방열하기 위해, 특허 출원 번호 10-2005-82374에 방열 플레이트를 이용한 구조가 개시되어 있다.In order to effectively dissipate the heat generated from the light emitting element of such a light emitting module, a structure using a heat dissipation plate in Patent Application No. 10-2005-82374 is disclosed.

실시 예는 새로운 발광 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛을 제공한다.The embodiment provides a novel light emitting module and a light unit having the same.

실시 예는 모듈 기판에 복수의 돌기 구멍을 형성하고, 방열 플레이트에 복수의 돌기를 형성한 후, 상기 모듈 기판 상에 배치되는 발광 소자의 방열 프레임이 상기 방열 플레이트의 돌기에 접촉되도록 한 발광 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛을 제공한다. A light emitting module in which a plurality of protruding holes are formed in a module substrate, a plurality of protrusions are formed in the heat dissipating plate, a heat dissipating frame of the light emitting device disposed on the module substrate is in contact with the protrusions of the heat dissipating plate, And a light unit provided with the same.

실시 예는 복수의 돌기를 갖는 방열 플레이트를 플랫한 구조 또는 절곡된 구조로 제공할 수 있도록 한 발광 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛을 제공한다.Embodiments provide a light emitting module and a light unit including the same that can provide a flat or structured heat dissipation plate having a plurality of protrusions.

실시 예는 복수의 발광 소자를 상기 모듈 기판 상에 사이드 뷰(Side view) 또는/및 탑 뷰(Top view)으로 배치한 발광 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛을 제공한다. Embodiments provide a light emitting module in which a plurality of light emitting devices are arranged in a side view and / or a top view on the module substrate, and a light unit having the same.

실시 예에 따른 라이트 유닛은, 제1면에 복수의 제1패드 및 제2패드와, 복수의 돌기 구멍을 포함하는 모듈 기판; 상기 모듈 기판의 돌기 구멍에 삽입되는 복수의 돌기를 포함하는 방열 플레이트; 및 상기 방열 플레이트의 돌기에 연결된 방열 프레임을 갖고, 상기 모듈 기판의 제1패드 및 제2패드에 연결된 복수의 발광 소자를 포함한다.A light unit according to an embodiment includes: a module substrate including a plurality of first pads and a plurality of second pads and a plurality of protrusion holes on a first surface; A heat dissipation plate including a plurality of protrusions inserted into protrusion holes of the module substrate; And a plurality of light emitting devices having heat radiating frames connected to the protrusions of the heat dissipating plate and connected to the first and second pads of the module substrate.

실시 예에 따른 라이트 유닛은, 제1면에 복수의 제1패드 및 제2패드와, 복수의 돌기 구멍을 포함하는 제1모듈 기판; 제1면에 복수의 제1패드 및 제2패드와, 복수의 돌기 구멍을 포함하는 제2모듈 기판; 상기 제1모듈 기판의 돌기 구멍에 삽입되는 복수의 제1돌기를 포함하는 제1프레임부; 및 상기 제1프레임부로부터 절곡되며 상기 제2모듈 기판의 돌기 구멍에 삽입되는 복수의 제2돌기를 포함하는 제2프레임부를 포함하는 방열 플레이트; 상기 방열 플레이트의 제1돌기에 연결된 방열 프레임을 갖고, 상기 제1모듈 기판의 제1패드 및 제2패드에 연결된 복수의 제1발광 소자; 및 상기 방열 플레이트의 제2돌기에 연결된 방열 프레임을 갖고, 상기 제2모듈 기판의 제1패드 및 제2패드에 연결된 복수의 제2발광 소자를 포함한다.A light unit according to an embodiment includes a first module substrate including a first pad and a second pad on a first surface and a plurality of protrusion holes; A second module substrate including a plurality of first pads and second pads on a first surface, and a plurality of protrusion holes; A first frame part including a plurality of first projections inserted into the projection holes of the first module substrate; And a second frame part including a plurality of second protrusions bent from the first frame part and inserted into protrusion holes of the second module substrate; A plurality of first light emitting devices having a heat radiation frame connected to first protrusions of the heat dissipation plate, the first light emitting devices being connected to first and second pads of the first module substrate; And a plurality of second light emitting devices having heat radiating frames connected to the second protrusions of the heat dissipating plate and connected to first and second pads of the second module substrate.

실시 예는 발광 소자의 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다. The embodiment can improve the heat radiation efficiency of the light emitting device.

실시 예는 발광 다이오드의 온도 상승을 억제하여, 발광 소자의 광 효율을 개선시켜 줄 수 있다. The embodiment can suppress the temperature rise of the light emitting diode and improve the light efficiency of the light emitting device.

실시 예는 발광 소자를 갖는 발광 모듈 및 이를 구비한 조명 시스템의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.Embodiments can improve the reliability of a light emitting module having a light emitting element and an illumination system having the same.

도 1은 제1실시 예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 백라이트 유닛의 측 단면도이다.
도 3은 도 1의 발광 모듈의 부분 측 단면도이다.
도 4 및 도 5는 도 1의 발광 모듈의 제조 과정을 나타낸 도면이다.
도 6 및 도 7은 도 1의 발광 모듈의 모듈 기판 및 발광 소자의 결합 예를 나타낸 측 단면도이다.
도 8은 도 3의 발광 모듈에 있어서, 방열 플레이트의 다른 예이다.
도 9는 도 8의 발광 모듈의 결합 예를 나타낸 도면이다.
도 10은 제2실시 예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 11은 도 10의 발광 모듈의 분해 사시도이다.
도 12는 도 10의 발광 모듈의 결합 예를 나타낸 단면도이다.
도 13은 제3실시 예에 따른 백라이트 유닛의 측 단면도이다.
도 14는 제4실시 예에 따른 백라이트 유닛의 측 단면도이다.
도 15는 제5실시 예에 따른 백라이트 유닛의 측 단면도이다.
도 16은 실시 예에 따른 발광 소자의 발광 칩을 나타낸 측 단면도이다.1 is an exploded perspective view of a display device according to a first embodiment.
2 is a side cross-sectional view of the backlight unit of Fig.
3 is a partial side sectional view of the light emitting module of Fig.
4 and 5 are views illustrating a manufacturing process of the light emitting module of FIG.
6 and 7 are side cross-sectional views illustrating an example of bonding of a module substrate and a light emitting device of the light emitting module of FIG.
8 is another example of the heat dissipating plate in the light emitting module of Fig.
9 is a view showing an example of connection of the light emitting module of FIG.
10 is a view showing a display device according to the second embodiment.
11 is an exploded perspective view of the light emitting module of FIG.
12 is a cross-sectional view showing an example of coupling of the light emitting module of Fig.
13 is a side sectional view of the backlight unit according to the third embodiment.
14 is a side sectional view of the backlight unit according to the fourth embodiment.
15 is a side sectional view of the backlight unit according to the fifth embodiment.
16 is a side sectional view showing a light emitting chip of the light emitting device according to the embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상/위(on)"에 또는 "아래/하(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"과 "아래/하(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
In the description of the embodiments, each substrate, frame, sheet, layer or pattern is formed "on" or "under" each substrate, frame, sheet, Quot; on "and" under "include both being formed" directly "or" indirectly " . In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.

도 1은 실시 예에 따른 표시 장치를 보여주는 분해 사시도이다.1 is an exploded perspective view showing a display device according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 표시 장치(100)는 영상이 디스플레이되는 표시 패널(10)과, 상기 표시 패널(10)에 광을 제공하는 백라이트 유닛(20)을 포함한다. 1, a display device 100 includes a display panel 10 on which an image is displayed, and a backlight unit 20 that provides light to the display panel 10. [

상기 백라이트 유닛(20)은 상기 표시 패널(10)에 면 광원을 제공하는 도광판(70)과, 누설 광을 반사하는 반사 부재(45)와, 상기 도광판(70)의 에지 영역에서 광을 제공하는 발광 모듈(30), 및 표시 장치(100)의 하측 외관을 형성하는 바텀 커버(40)를 포함한다. The backlight unit 20 includes a light guide plate 70 for providing a surface light source to the display panel 10, a reflective member 45 for reflecting the leaked light, A light emitting module 30, and a bottom cover 40 which forms a lower outer appearance of the display device 100. [

도시하지 않았으나, 상기 표시 장치(100)는 상기 표시 패널(10)을 하측에서 지지하는 패널 서포터와, 상기 표시 장치(100)의 테두리를 형성하며 상기 표시 패널(10)의 둘레를 감싸서 지지하는 탑 커버를 포함할 수 있다.Although not shown, the display device 100 includes a panel supporter that supports the display panel 10 from the lower side, a tower that forms a rim of the display device 100 and supports the periphery of the display panel 10 Cover.

상기 표시 패널(10)은 상세히 도시되지는 않았지만, 일례를 들면, 서로 대향하여 균일한 셀 갭이 유지되도록 결합된 하부 기판 및 상부 기판과, 상기 두 기판 사이에 개재된 액정층(미도시)을 포함한다. 상기 하부 기판에는 다수의 게이트 라인과 상기 다수의 게이트 라인과 교차하는 다수의 데이터 라인이 형성되며, 상기 게이트 라인과 데이터 라인의 교차영역에 박막 트랜지스터(TFT: thin film transistor)가 형성될 수 있다. 상기 상부 기판에는 컬러필터들이 형성될 수 있다. 상기 표시 패널(10)의 구조는 이에 한정되지는 않으며, 상기 표시 패널(10)은 다양한 구조를 가질 수 있다. 다른 예를 들면, 상기 하부 기판은 박막 트랜지스터뿐만 아니라 컬러필터를 포함할 수도 있다. 또한, 상기 표시 패널(10)은 상기 액정층을 구동하는 방식에 따라 다양한 형태의 구조로 형성될 수 있다.Although not shown in detail, the display panel 10 may include a lower substrate and an upper substrate coupled to each other to maintain a uniform cell gap, and a liquid crystal layer (not shown) interposed between the two substrates . A plurality of gate lines and a plurality of data lines intersecting the plurality of gate lines may be formed on the lower substrate, and a thin film transistor (TFT) may be formed on the intersections of the gate lines and the data lines. Color filters may be formed on the upper substrate. The structure of the display panel 10 is not limited thereto, and the display panel 10 may have various structures. As another example, the lower substrate may include a color filter as well as a thin film transistor. In addition, the display panel 10 may have various structures according to a method of driving the liquid crystal layer.

도시하지 않았으나, 상기 표시 패널(10)의 가장자리에는 게이트 라인에 스캔신호를 공급하는 게이트 구동 PCB(gate driving printed circuit board)와, 데이터 라인에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동 PCB(data driving printed circuit board)가 구비될 수 있다.Although not shown, a gate driving printed circuit board (PCB) for supplying a scan signal to a gate line is formed at an edge of the display panel 10, a data driving printed circuit board (PCB) May be provided.

상기 표시 패널(10)의 위 및 아래 중 적어도 한 곳에는 편광 필름(미도시)이 배치될 수도 있다. 상기 표시 패널(10)의 아래에는 광학 시트(60)가 배치되며, 상기 광학 시트(60)는 상기 백라이트 유닛(20)에 포함될 수 있으며, 적어도 한 장의 프리즘 시트 또는/및 확산 시트를 포함할 수 있다. 상기 광학 시트(60)는 제거될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A polarizing film (not shown) may be disposed on at least one of the upper side and the lower side of the display panel 10. An optical sheet 60 is disposed under the display panel 10 and the optical sheet 60 may be included in the backlight unit 20 and may include at least one prism sheet and / have. The optical sheet 60 may be removed, but is not limited thereto.

상기 확산 시트는 입사된 광을 고르게 확산시켜 주며, 상기 확산된 광은 프리즘 시트에 의해 표시 패널로 집광될 수 있다. 여기서, 상기 프리즘 시트는 수평 또는/및 수직 프리즘 시트, 한 장 이상의 조도 강화 시트 등을 이용하여 선택적으로 구성할 수 있다. 상기 광학 시트(60)의 종류나 개수 등은 실시 예의 기술적 범위 내에서 추가 또는 삭제될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The diffusing sheet diffuses the incident light evenly, and the diffused light can be converged on the display panel by the prism sheet. Here, the prism sheet may be selectively formed using a horizontal or vertical prism sheet, one or more roughness enhancing sheets, or the like. The types and the number of the optical sheets 60 may be added or deleted within the technical scope of the embodiments, but the invention is not limited thereto.

상기 백 라이트 유닛(20)에는 적어도 하나의 발광 모듈(30)이 배치될 수 있으며, 이러한 발광 모듈(30)의 개수는 표시 패널(10)의 사이즈에 따라 달라질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
At least one light emitting module 30 may be disposed in the backlight unit 20. The number of the light emitting modules 30 may vary depending on the size of the display panel 10 and is not limited thereto.

도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 발광모듈(30)은 바텀 커버(40)의 측면 중 제1측면부(42)의 내측에 배치될 수 있다. 상기 발광모듈(30)은 상기 바텀 커버(40)의 서로 다른 측면부 예컨대, 양 측면 또는 모든 측면에 배치될 수 있으며, 이에 한정하는 것은 아니다. Referring to FIGS. 1 and 2, the light emitting module 30 may be disposed inside the first side portion 42 of the side surface of the bottom cover 40. The light emitting module 30 may be disposed on different sides of the bottom cover 40, for example, on both sides or on all sides, but is not limited thereto.

상기 발광모듈(30)은 모듈 기판(32), 상기 모듈 기판(32)의 제1면에 배열된 복수의 발광 소자(34), 및 상기 모듈 기판(32)을 지지하고 상기 발광 소자(34)와 연결되는 방열 플레이트(36)를 포함한다.The light emitting module 30 includes a module substrate 32, a plurality of light emitting devices 34 arranged on a first surface of the module substrate 32, And a heat dissipation plate 36 connected to the heat dissipation plate 36.

상기 모듈 기판(32)은 수지 계열의 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판을 포함할 수 있다. 상기 모듈 기판(32)은 에폭시 기판(예: FR-4 기판)과 같은 수지계 기판을 적용할 수 있다. 상기 모듈 기판(32)은 발광 소자(34)가 방열 플레이트(36)를 통해 열 전도하여 방열을 수행함으로써, 금속층을 갖는 MCPCB와 같은 고가의 기판을 사용하지 않을 수 있다. 상기 모듈 기판(32)에는 상부에 금속 재질의 패드가 배열될 수 있으며, 상기 패드를 보호하기 위해 상기 패드 둘레에는 보호층 예컨대, 솔더 레지스트가 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The module substrate 32 may include a resin-based printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, and an FR-4 substrate. The module substrate 32 may be a resin substrate such as an epoxy substrate (e.g., FR-4 substrate). The module substrate 32 may not use an expensive substrate such as an MCPCB having a metal layer because the light emitting device 34 conducts heat by conducting heat through the heat dissipation plate 36. [ Metal pads may be arranged on the module substrate 32, and a protective layer such as a solder resist may be further disposed around the pad to protect the pad. However, the present invention is not limited thereto.

상기 모듈 기판(32)에는 커넥터가 설치될 수 있다 상기 커넥터는 상기 모듈 기판(32)의 상면 및 하면 중 적어도 하나에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The module substrate 32 may be provided with a connector. The connector may be disposed on at least one of the upper surface and the lower surface of the module substrate 32, but the present invention is not limited thereto.

상기 복수의 발광 소자(34)는 소정 피치(Pitch)로 상기 도광판(70)의 입광부 방향(X)를 따라 배열되며, 적어도 하나는 적어도 한 컬러 예컨대, 백색, 적색, 녹색, 및 청색 중 적어도 하나를 발광하게 된다. 실시 예는 적어도 한 컬러의 광을 발광하는 발광 소자(34)를 이용하거나 복수의 컬러를 발광하는 발광 소자(34)들을 조합하여 이용할 수 있다. 상기 복수의 발광 소자(34)는 백색 LED이거나, 적색/녹색/청색 LED들이 혼합되어 배열되거나, 백색/적색/녹색/청색 LED들이 혼합되어 배열될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The plurality of light emitting devices 34 are arranged along a light incoming portion direction X of the light guide plate 70 at a predetermined pitch and at least one of the light emitting devices 34 is formed of at least one color such as at least one of white, One is emitted. The embodiment can use the light emitting element 34 which emits light of at least one color or the light emitting element 34 which emits a plurality of colors. The plurality of light emitting devices 34 may be white LEDs, red / green / blue LEDs may be mixed, or white / red / green / blue LEDs may be mixed and arranged.

상기 발광 소자(34)는 Ⅲ족-V족 화합물 반도체를 이용한 발광 칩과 상기 발광 칩을 보호하는 몰딩 부재를 포함할 수 있다. 상기 몰딩 부재에는 적어도 한 종류의 형광체가 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 칩은 가시 광선 대역부터 자외선 대역의 광 중에서 선택적인 피크 파장을 발광할 수 있다. The light emitting device 34 may include a light emitting chip using a group III-V compound semiconductor and a molding member for protecting the light emitting chip. At least one type of fluorescent material may be added to the molding member, but the present invention is not limited thereto. The light emitting chip can emit selective peak wavelengths from light in the ultraviolet band from the visible light band.

상기 발광 소자(34)는 적어도 한 열로 배치될 수 있으며, 일정한 간격 또는 불규칙한 간격으로 배열될 수도 있다. 상기 발광 소자(34)는 상기 모듈 기판(32)에 전기적으로 연결되며, 상기 모듈 기판(32)의 회로 패턴에 의해 직렬, 병렬, 직-병렬 혼합 방식 중 적어도 하나로 연결될 수 있다.The light emitting devices 34 may be arranged in at least one row and may be arranged at regular intervals or irregular intervals. The light emitting device 34 is electrically connected to the module substrate 32 and may be connected to at least one of serial, parallel, and direct-parallel mixing modes by a circuit pattern of the module substrate 32.

상기 방열 플레이트(36)는 제1프레임부(36-1) 및 제2프레임부(36-2)를 포함한다. 상기 제1프레임부(36-1)는 상기 도광판(70)의 제1측면과 대응되며 그 상부에 상기 모듈 기판(32)이 결합되며, 상기 제2프레임부(36-2)는 상기 도광판(70)의 하면과 대응되며 상기 제1프레임부(36-1)로부터 절곡된다. 상기 제2프레임부(36-2)는 상기 제1프레임부(36-1)로부터 거의 수직하거나 경사진 각도의 범위(예: 70~110°)로 배치될 수 있다. The heat dissipation plate 36 includes a first frame portion 36-1 and a second frame portion 36-2. The first frame portion 36-1 corresponds to the first side surface of the light guide plate 70 and the module substrate 32 is coupled to the upper side of the first frame portion 36-1. 70 and is bent from the first frame portion 36-1. The second frame portion 36-2 may be disposed at a substantially vertical or inclined angle range (e.g., 70 to 110 degrees) from the first frame portion 36-1.

상기 방열 플레이트(36)의 제1프레임부(36-1)는 상기 모듈 기판(32)에 접촉되고, 상기 복수의 발광 소자(34)의 일부와 연결될 수 있다. 여기서, 상기 제1프레임부(36-1)는 상기 복수의 발광 소자(34)의 일부와 전도성 물질로 직접 연결될 수 있어, 상기 복수의 발광 소자(34)로부터 발생될 열을 제2프레임부(36-2)로 전도하고 방열하게 된다. 상기 발광 모듈의 구체적인 구성은 후술하기로 한다.The first frame portion 36-1 of the heat dissipation plate 36 may be in contact with the module substrate 32 and may be connected to a part of the plurality of light emitting devices 34. [ The first frame part 36-1 may be directly connected to a part of the plurality of light emitting devices 34 with a conductive material so that the heat generated from the plurality of light emitting devices 34 can be transmitted to the second frame part 36-2) and radiates heat. The specific structure of the light emitting module will be described later.

상기 제2프레임부(36-2)는 상기 제1프레임부(36-1)의 사이즈보다 더 넓은 사이즈로 형성되어, 발광 모듈(30)의 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다. The second frame portion 36-2 may be formed to have a size larger than the size of the first frame portion 36-1 to improve the heat radiation efficiency of the light emitting module 30. [

상기 방열 플레이트(36)는 금속 플레이트로 형성될 수 있으며, 그 재질은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 철(Fe), 니켈(Ni), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 탄탈룸(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb), 스테인레스 중 적어도 하나 또는 선택된 금속의 합금을 포함하며, 예컨대 방열 효율이 좋은 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 사용할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The heat dissipating plate 36 may be formed of a metal plate and may be made of aluminum, copper, iron, nickel, magnesium, zinc, titanium, Aluminum or an aluminum alloy containing at least one of Ti, Ta, hafnium (Hf), niobium (Nb) and stainless steel or an alloy of a selected metal and having good heat dissipation efficiency may be used, .

상기 방열 플레이트(36)의 두께는 0.5mm 이상일 수 있으며, 예컨대 0.6mm~1mm의 두께로 형성될 수 있다. 상기 제1프레임부(36-1)와 상기 제2프레임부(36-2)의 두께는 동일한 두께이거나, 서로 다른 두께로 형성될 수 있다.The thickness of the heat dissipation plate 36 may be 0.5 mm or more, for example, 0.6 mm to 1 mm. The first frame portion 36-1 and the second frame portion 36-2 may have the same thickness or different thicknesses.

상기 방열 플레이트(36)의 제1프레임부(36-1)는 상기 바텀 커버(40)의 제1측면부(42)에 접착 부재(50)로 접착될 수 있다. 상기 방열 플레이트(36)의 제1프레임부(36-1)는 접착 부재가 아닌 체결 부재로 체결될 수 있다.
The first frame portion 36-1 of the heat dissipating plate 36 may be bonded to the first side surface portion 42 of the bottom cover 40 with an adhesive member 50. [ The first frame portion 36-1 of the heat dissipating plate 36 may be fastened by a fastening member rather than an adhesive member.

상기 도광판(70)의 적어도 한 측면(즉, 입광부)에는 상기 복수의 발광 소자(34)가 대응되게 배치되며, 상기 복수의 발광 소자(34)로부터 발생된 광이 입사된다. 상기 도광판(70)은 면 광원이 발생되는 상면, 상면의 반대측 하면, 적어도 네 개의 측면들을 포함하는 다각형 형상으로 형성될 수 있다. 상기 도광판(70)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl methacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthalate), PC(poly carbonate) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판(70)은 압출 성형법에 의해 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The plurality of light emitting devices 34 are correspondingly disposed on at least one side of the light guide plate 70 (that is, the light entering portion), and light generated from the plurality of light emitting devices 34 is incident. The light guide plate 70 may be formed in a polygonal shape including at least four side surfaces as viewed from the upper surface where the surface light source is generated and the upper surface. The light guide plate 70 is made of a transparent material and includes one of acrylic resin such as PMMA (polymethyl methacrylate), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), and polyethylene naphthalate . The light guide plate 70 may be formed by an extrusion molding method, but is not limited thereto.

상기 도광판(70)의 상면 또는/및 하면에는 반사 패턴(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 반사 패턴은 소정의 패턴 예컨대, 반사 패턴 또는/및 프리즘 패턴으로 이루어져 입사되는 광을 반사 또는/및 난반사 시킴으로써, 광은 상기 도광판(70)의 전 표면을 통해 균일하게 조사될 수 있다. 상기 도광판(70)의 하면은 반사 패턴으로 형성될 수 있으며, 상기 상면은 프리즘 패턴으로 형성될 수 있다. 상기 도광판(70)의 내부에는 산란제가 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A reflection pattern (not shown) may be formed on the upper surface and / or the lower surface of the light guide plate 70. The reflection pattern may be uniformly irradiated through the entire surface of the light guide plate 70 by reflecting / / diffusing the incident light, which is made up of a predetermined pattern, for example, a reflection pattern or / and a prism pattern. The lower surface of the light guide plate 70 may be formed in a reflective pattern, and the upper surface may be formed in a prism pattern. A scattering agent may be added to the inside of the light guide plate 70, but the present invention is not limited thereto.

상기 도광판(70)의 하부에는 반사 부재(45)가 구비될 수 있다. 상기 반사 부재(45)는 상기 도광판(70)의 하부로 진행하는 광을 표시 패널 방향으로 반사시켜 주게 된다. 상기 백 라이트 유닛(20)은 상기 도광판(70)의 하부로 누설된 광을 상기 반사 부재(45)에 의해 상기 도광판(70)에 재 입사시켜 주므로 광 효율의 저하, 광 특성의 저하 및 암부 발생 등의 문제를 방지할 수 있다. 상기 반사 부재(45)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(45)는 상기 바텀 커버(40)의 상면에 형성된 반사층일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A reflective member 45 may be provided under the light guide plate 70. The reflective member 45 reflects light traveling toward the lower portion of the light guide plate 70 toward the display panel. The backlight unit 20 causes the light that leaks to the lower portion of the light guide plate 70 to enter the light guide plate 70 again by the reflective member 45 so that the light efficiency is lowered, And the like can be prevented. The reflective member 45 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto. The reflective member 45 may be a reflective layer formed on the top surface of the bottom cover 40, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(40)는 상부가 개방된 수납부(41)를 포함하며, 상기 수납부(41)에는 발광 모듈(30), 광학 시트(60), 도광판(70) 및 반사 부재(45)가 수납될 수 있다. 상기 바텀 커버(40)는 방열 효율이 높은 금속 예컨대, 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 탄탈룸(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb) 및 상기 이들의 선택적인 합금 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. The bottom cover 40 includes a receiving part 41 having an opened upper part and a light emitting module 30, an optical sheet 60, a light guide plate 70 and a reflecting member 45 Can be accommodated. The bottom cover 40 is made of a metal having high heat dissipation efficiency such as aluminum (Al), magnesium (Mg), zinc (Zn), titanium (Ti), tantalum (Ta), hafnium (Hf), niobium May be selectively formed from these optional alloys.

상기 바텀 커버(40)의 수납부(41)에는 반사 부재(45), 도광판(70), 광학 시트(60)가 순차적으로 적층될 수 있고, 상기 발광 모듈(30)은 상기 바텀 커버(40)의 제1측면부(42)에서 상기 도광판(70)의 한 측면과 대응되게 배치된다.The light emitting module 30 may include a reflection member 45, a light guide plate 70 and an optical sheet 60 stacked in this order on the bottom cover 40 of the bottom cover 40. The bottom cover 40, The first side surface portion 42 of the light guide plate 70 is disposed to correspond to one side surface of the light guide plate 70.

상기 바텀 커버(40)의 바닥부(41A)에는 오목부(41B)가 형성되며, 상기 오목부(41B)는 상기 방열 플레이트(36)의 제2프레임부(36-2)가 결합되는 부분이다. 상기 오목부(41B)는 상기 제2프레임부(36-2)의 두께 정도의 깊이와 상기 제2프레임부(36-2)의 너비 정도의 너비를 갖고 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. A concave portion 41B is formed in the bottom portion 41A of the bottom cover 40 and the concave portion 41B is a portion where the second frame portion 36-2 of the heat radiation plate 36 is coupled . The concave portion 41B may be formed to have a depth of about the thickness of the second frame portion 36-2 and a width of about the width of the second frame portion 36-2, .

실시 예는 바텀 커버(40)의 바닥부(41A) 중 제1측면부(42)로부터 절곡된 부분에 오목부(41B)를 배치한 예를 설명하였으나, 상기 바닥부(41A)에는 오목부(41B)가 형성되지 않을 수 있다.
Although the example in which the concave portion 41B is disposed at the portion bent from the first side portion 42 of the bottom portion 40A of the bottom cover 40 has been described in the embodiment, the concave portion 41B May not be formed.

도 2 및 도 3을 참조하면, 방열 플레이트(36)의 제2프레임부(36-2)는 상기 바텀 커버의 바닥부에 배치된 오목부에 접착 부재(52)로 접착될 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 3, the second frame portion 36-2 of the heat dissipating plate 36 may be adhered to the concave portion disposed at the bottom of the bottom cover with an adhesive member 52. FIG.

상기 방열 플레이트(36)의 제1프레임부(36-1)는 돌기(361)를 포함되며, 상기 돌기(361)는 제1프레임부(36-1)로부터 상기 도광판 방향 또는 발광 소자 방향으로 돌출된다. 상기 제1프레임부(36-1)의 돌기(361)는 도 3과 같이 상기 각 발광 소자(34)에 대응된다. 상기 제1프레임부(36-1)의 돌기(361)의 개수는 상기 발광 소자(34)의 개수와 동일한 개수로 형성될 수 있다. 다른 예로서, 상기 제1프레임의 돌기(361) 각각이 2개 또는 3개의 발광 소자(34)와 대응되게 배치된 경우, 상기 제1프레임부(36-1)의 돌기(361)의 개수가 상기 발광 소자(34)의 개수보다 더 적게 배치될 수 있다.The first frame portion 36-1 of the heat dissipation plate 36 includes a projection 361. The projection 361 projects from the first frame portion 36-1 toward the light guide plate or the light emitting element do. The protrusions 361 of the first frame part 36-1 correspond to the light emitting elements 34 as shown in FIG. The number of protrusions 361 of the first frame part 36-1 may be the same as the number of the light emitting devices 34. [ As another example, when the protrusions 361 of the first frame 361 are arranged to correspond to two or three light emitting devices 34, the number of the protrusions 361 of the first frame portion 36-1 is The number of the light emitting devices 34 may be smaller than the number of the light emitting devices 34.

상기 제1프레임부(36-1)에는 상기 돌기(361)에 대응되는 영역에 홈(361-1)이 형성될 수 있으며, 상기 홈(361-1)은 펀칭 공정에 의해 형성될 수 있다. 여기서, 상기 제1프레임부(36-1)의 돌기(361)는 상기의 펀칭 공정에 의해 모서리 부분은 곡면일 수 있으며, 상면의 플랫한 면적의 비율이 전체 상면 면적의 50% 이상일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first frame part 36-1 may have a groove 361-1 formed in a region corresponding to the protrusion 361 and the groove 361-1 may be formed by a punching process. Here, the protrusion 361 of the first frame part 36-1 may be curved at the corner part by the punching process, and the ratio of the flat area of the top surface may be 50% or more of the total top surface area, It is not limited thereto.

상기 모듈 기판(32)은 돌기 구멍(321)이 형성된다. 상기 돌기 구멍(321)은 중심이 같은 선상에 배치될 수 있으며, 상기 방열 플레이트(36)의 제1프레임부(36-1)의 돌기(361)에 대응되게 형성된다. 상기 돌기 구멍(321)에는 상기 제1프레임부(36-1)의 돌기(361)가 삽입된다. 여기서, 상기 제1프레임부(36-1)의 돌기(361)는 상기 모듈 기판(32)의 두께와 동일한 높이로 돌출하거나, 상기 모듈 기판(32)의 두께보다 높거나 낮게 돌출될 수 있다. 여기서, 상기 제1프레임부(36-1)의 돌기(361) 또는/및 상기 모듈 기판(32)의 두께는 300㎛ 이상으로 형성될 수 있으며, 예컨대 400㎛±50㎛로 형성될 수 있다.The module substrate 32 has a protrusion hole 321 formed therein. The protrusion holes 321 may be disposed on the same line as the center and correspond to the protrusions 361 of the first frame portion 36-1 of the heat dissipation plate 36. [ The projection 361 of the first frame portion 36-1 is inserted into the projection hole 321. [ The protrusion 361 of the first frame part 36-1 may protrude at a height equal to the thickness of the module substrate 32 or may protrude higher or lower than the thickness of the module substrate 32. [ Here, the protrusion 361 of the first frame part 36-1 and / or the module substrate 32 may have a thickness of 300 mu m or more, for example, 400 mu m +/- 50 mu m.

상기 제1프레임부(36-1)의 돌기(361)와 상기 모듈 기판(32)의 돌기 구멍(321)은 다각형 형상, 원 형상, 반구 형상을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 상기 각 발광 소자(34)의 아래에 배치된 돌기 구멍(321) 내에 복수의 돌기(361)가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The protrusion 361 of the first frame part 36-1 and the protrusion hole 321 of the module substrate 32 may include a polygonal shape, a circular shape, and a hemispherical shape, but the invention is not limited thereto. A plurality of protrusions 361 may be disposed in the protrusion holes 321 disposed below the light emitting devices 34, but the present invention is not limited thereto.

모듈 기판(32)은 상기 방열 플레이트(36)의 제2프레임부(36-2)로부터 이격되게 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The module substrate 32 may be disposed apart from the second frame portion 36-2 of the heat dissipating plate 36, but the present invention is not limited thereto.

상기 방열 플레이트(36)의 제2프레임부(36-2)의 너비는 상기 모듈 기판(32)의 너비보다 더 넓게 형성될 수 있으며, 5mm 이상의 너비 예컨대, 6~20mm 범위로 형성될 수 있다. The width of the second frame portion 36-2 of the heat dissipating plate 36 may be wider than the width of the module substrate 32 and may be in a range of 6 mm to 20 mm.

상기 방열 플레이트(36)의 길이는 상기 모듈 기판(32)의 길이보다 더 길게 형성될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트(36) 및 상기 모듈 기판(32)의 길이는 도 1의 X축 방향 즉, 발광 소자(34)의 배열 방향에 대응되는 길이일 수 있으며, 상기 모듈 기판(32)의 너비는 도 1의 Y축 방향 또는 도광판의 두께 방향에 대응되는 길이일 수 있다.The length of the heat dissipation plate 36 may be longer than the length of the module substrate 32. The length of the heat dissipating plate 36 and the module substrate 32 may be a length corresponding to the X axis direction of FIG. 1, that is, the array direction of the light emitting devices 34. The width of the module substrate 32 Axis direction of Fig. 1 or the thickness direction of the light guide plate.

상기 제1프레임부(36-1)의 상단은 상기 모듈 기판(32)의 상단과 동일한 평면 상에 배치되거나, 더 높게 배치될 수 있다.
The upper end of the first frame portion 36-1 may be disposed on the same plane as the upper end of the module substrate 32 or may be disposed higher.

도 4와 같이, 상기 모듈 기판(32)은 복수의 돌기 구멍(321)이 배열되며, 상기 복수의 돌기 구멍(321)은 상기 돌기(361)에 각각 대응된다. 4, the module substrate 32 is provided with a plurality of protrusion holes 321, and the plurality of protrusion holes 321 correspond to the protrusions 361, respectively.

상기 모듈 기판(32)의 제1면에는 각 돌기 구멍(321)의 근처에 배치된 제1패드(322) 및 제2패드(323)를 포함하며, 상기 제1패드(322) 및 제2패드(323) 각각은 하나 또는 복수의 패턴으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1패드(322) 및 제2패드(323)는 상기 돌기 구멍(321)의 양측 예컨대, 좌/우 또는 상/하에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1패드(322)와 제2패드(323) 간의 간격은 상기 발광 소자(34)의 영역 내에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
And a first pad 322 and a second pad 323 disposed on the first surface of the module substrate 32 in the vicinity of the respective protrusion holes 321. The first pad 322 and the second pad 322, Each of the light emitting portions 323 may be formed in one or a plurality of patterns, but the present invention is not limited thereto. The first pad 322 and the second pad 323 may be disposed on both sides of the protrusion hole 321, for example, left / right or up / down. The gap between the first pad 322 and the second pad 323 may be disposed within the region of the light emitting device 34, but is not limited thereto.

상기 방열 플레이트(36)는 제1프레임부(36-1)와 제2프레임부(36-2)의 경계 라인(P1)을 따라 상기 제1프레임부(36-1)를 상기 제2프레임부(36-2)에 절곡시키면, 도 5와 같이 제1프레임부(36-1)는 제2프레임부(36-2)로부터 절곡된다.The heat dissipation plate 36 is disposed between the first frame portion 36-1 and the second frame portion 36-2 along the boundary line P1 between the first frame portion 36-1 and the second frame portion 36-2, The first frame portion 36-1 is bent from the second frame portion 36-2 as shown in Fig.

상기 제1프레임부(36-1)에는 복수의 돌기(361)가 배열되며, 상기 복수의 돌기(361)는 각각의 중심이 같은 선상에 배치될 수 있다.A plurality of protrusions 361 are arranged in the first frame portion 36-1, and the plurality of protrusions 361 may be arranged on the same line.

여기서, 상기 방열 플레이트(36)의 절곡을 위해, 상기 제1프레임부(36-1)와 상기 제2프레임부(36-2)의 경계 라인(P1)에는 구멍(362)이 형성되며, 상기 구멍(362)은 하나 또는 복수로 형성될 수 있다. 또한 방열 플레이트(36)의 제1프레임부(36-1) 및 제2프레임부(36-2) 중 적어도 하나 예컨대, 제2프레임부(36-2)에는 결합 구멍(363)이 형성되며, 결합 부재가 상기 결합 구멍(363)을 통해 상기 바텀 커버나 다른 기구물에 결합될 수 있다. 이에 따라 상기 방열 플레이트(36)를 바텀 커버(40)에 고정시켜 줄 수 있다. 상기 결합 부재는 나사, 리벳일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A hole 362 is formed in the boundary line P1 between the first frame portion 36-1 and the second frame portion 36-2 for bending the heat dissipation plate 36, The holes 362 may be formed in one or a plurality of holes. An engaging hole 363 is formed in at least one of the first frame portion 36-1 and the second frame portion 36-2 of the heat dissipating plate 36, for example, the second frame portion 36-2, And the engaging member can be coupled to the bottom cover or other mechanism through the engaging hole 363. Accordingly, the heat radiating plate 36 can be fixed to the bottom cover 40. The coupling member may be a screw or a rivet, but is not limited thereto.

상기 제1프레임부(36-1)와 상기 제2프레임부(36-2)의 너비(L1,L2)는 동일하거나, 상기 제2프레임부(36-2)의 너비(L2)가 상기 제1프레임부(36-1)의 너비(L1) 보다 넓게 형성될 수 있다.
The width L1 of the first frame portion 36-1 and the width L2 of the second frame portion 36-2 may be equal to each other or the width L2 of the second frame portion 36-2 may be equal to the width L2 of the second frame portion 36-2, May be formed wider than the width L1 of the one frame portion 36-1.

도 6 및 도 7을 참조하여, 발광 소자의 실장 구조를 설명하기로 한다.The mounting structure of the light emitting device will be described with reference to FIGS. 6 and 7. FIG.

도 6 및 도 7을 참조하면, 발광 소자(34)는 제1캐비티(342)를 갖는 몸체(341), 상기 몸체(341) 내에 배치된 제1리드 프레임(345) 및 제2리드 프레임(346), 제2캐비티(342-1)를 갖는 방열 프레임(347), 발광 칩들(101), 와이어들(348) 및 몰딩 부재(349)를 포함한다.6 and 7, the light emitting device 34 includes a body 341 having a first cavity 342, a first lead frame 345 disposed in the body 341, and a second lead frame 346 A heat radiating frame 347 having a second cavity 342-1, light emitting chips 101, wires 348 and a molding member 349. [

상기 몸체(341)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 몸체(341)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 이루어질 수 있다.The body 341 may include at least one of a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), a metal material, a photo sensitive glass (PSG), a sapphire (Al 2 O 3 ) Can be formed. The body 341 may be made of a resin material such as polyphthalamide (PPA).

몸체(341)의 상면 형상은 발광 소자(34)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형, 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 상기 제1리드 프레임(345) 및 제2리드 프레임(346)은 몸체(341)의 바닥에 배치되어 탑 뷰(top view) 타입으로 기판 상에 탑재될 수 있으며, 상기 몸체(341)의 측면에 배치되어 사이드 뷰 타입으로 기판 상에 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The shape of the top surface of the body 341 may have various shapes such as a triangle, a rectangle, a polygon, and a circle depending on the use and design of the light emitting device 34. The first lead frame 345 and the second lead frame 346 may be disposed on the bottom of the body 341 and may be mounted on the substrate in a top view type. And mounted on a substrate in a side view type, but the present invention is not limited thereto.

몸체(341)는 상부가 개방되고, 측면과 바닥으로 이루어진 제1캐비티(cavity)(342)를 갖는다. 상기 제1캐비티(342)는 상기 몸체(341)의 상면으로부터 오목한 컵(cup) 구조 또는 리세스(recess) 구조를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 제1캐비티(342)의 측면은 바닥에 대해 수직하거나 경사질 수 있다.The body 341 is open at the top and has a first cavity 342 of side and bottom. The first cavity 342 may include a concave cup structure or a recess structure from the upper surface of the body 341, but the present invention is not limited thereto. The side surface of the first cavity 342 may be perpendicular or inclined to the bottom.

제1캐비티(342)를 위에서 바라본 형상은 원형, 타원형, 또는 다각형 형상일 수 있다. 제1캐비티(342)의 모서리는 곡면이거나, 평면일 수 있다. The shape of the first cavity 342 viewed from above may be circular, elliptical, or polygonal. The edge of the first cavity 342 may be curved or planar.

상기 제1리드 프레임(345)은 상기 제1캐비티(342)의 바닥 영역 중 제1영역에 배치되며, 상기 제2리드 프레임(346)은 상기 제1캐비티(342)의 바닥 영역 중 제2영역에 배치된다. 상기 제1리드 프레임(345)과 상기 제2리드 프레임(346)은 상기 제1캐비티(342) 내에서 서로 이격된다. 상기 제1리드 프레임(345)과 상기 제2리드 프레임(346) 사이에는 방열 프레임(347)이 배치된다.The first lead frame 345 is disposed in a first region of the bottom region of the first cavity 342 and the second lead frame 346 is disposed in a second region of the bottom region of the first cavity 342. [ . The first lead frame 345 and the second lead frame 346 are spaced apart from each other in the first cavity 342. A heat radiation frame 347 is disposed between the first lead frame 345 and the second lead frame 346.

상기 제1리드 프레임(345)의 제1리드부(345-1)는 상기 제1리드 프레임(345)으로부터 절곡되어 상기 몸체(341)의 하면 제1영역에 배치된다. 상기 제1리드부(345-1)는 상기 몸체(341)의 제1측면(S1)보다 더 돌출될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first lead portion 345-1 of the first lead frame 345 is bent from the first lead frame 345 and disposed in the first lower surface region of the body 341. [ The first lead portion 345-1 may protrude more than the first side S1 of the body 341, but the present invention is not limited thereto.

상기 제2리드 프레임(346)의 제2리드부(346-1)는 상기 제2리드 프레임(346)으로부터 절곡되어 상기 몸체(341)의 하면 제2영역에 배치된다. 상기 제2리드부(346-1)는 상기 몸체(341)의 제1측면(S1)의 반대측 제2측면(S2)보다 더 돌출될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The second lead portion 346-1 of the second lead frame 346 is bent from the second lead frame 346 and disposed in the second lower surface region of the body 341. [ The second lead portion 346-1 may protrude further than the second side S2 opposite to the first side S1 of the body 341. However, the second lead portion 346-1 is not limited thereto.

상기 제1리드 프레임(345)의 제1리드부(345-1) 및 상기 제2리드 프레임(346)의 제2리드부(346-1)의 하면은 상기 몸체(341)의 하면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다. The lower surface of the first lead portion 345-1 of the first lead frame 345 and the second lead portion 346-1 of the second lead frame 346 are flush with the lower surface of the body 341 Lt; / RTI >

상기 방열 프레임(347)은 제2캐비티(342-1)를 포함한다. 상기 제2캐비티(342-1)는 상기 방열 프레임(347)의 중심부에 형성되며, 상기 제1캐비티(342)의 바닥보다 더 낮은 깊이로 형성되며, 오목한 리세스 구조 또는 컵 구조를 포함한다. 상기 제2캐비티(342-1)의 측면은 상기 제2캐비티(342-1)의 바닥으로부터 경사지거나 수직하게 절곡될 수 있다. 상기 제2캐비티(342-1)의 바닥 형상은 직사각형, 정사각형 또는 곡면을 갖는 원 또는 타원 형상일 수 있다. 상기 제2캐비티(342-1)의 측면 중에서 대향되는 두 측면은 동일한 각도로 경사지거나 서로 다른 각도로 경사질 수 있다.The heat radiating frame 347 includes a second cavity 342-1. The second cavity 342-1 is formed at a central portion of the heat radiating frame 347 and is formed at a lower depth than the bottom of the first cavity 342 and includes a concave recess or cup structure. The side surface of the second cavity 342-1 may be inclined or vertically bent from the bottom of the second cavity 342-1. The bottom shape of the second cavity 342-1 may be a circle or an ellipse having a rectangular shape, a square shape, or a curved shape. Two opposing sides of the side surface of the second cavity 342-1 may be inclined at the same angle or may be inclined at different angles.

상기 방열 프레임(347)의 일부는 상기 제1캐비티(342)의 바닥에 배치될 수 있다. 상기 방열 프레임(347)의 제3리드부(347-1)는 상기 몸체(341)의 하부에 배치되어, 상기 몸체(341)의 하면에 노출될 수 있다.
A part of the heat radiating frame 347 may be disposed at the bottom of the first cavity 342. The third lead portion 347-1 of the heat dissipating frame 347 may be disposed below the body 341 and exposed to the lower surface of the body 341. [

상기 제1리드 프레임(345), 제2리드 프레임(346) 및 방열 프레임(347)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단일 금속층 또는 다층 금속층으로 형성될 수 있다. 상기 제1, 제2리드 프레임(345,346)과 방열 프레임(347)의 두께는 동일한 두께로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first lead frame 345, the second lead frame 346 and the heat radiating frame 347 may be made of a metal material such as titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni) And may include at least one of chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), and phosphorous (P) and may be formed of a single metal layer or a multilayer metal layer. The thickness of the first and second lead frames 345 and 346 and the heat radiating frame 347 may be the same, but the present invention is not limited thereto.

상기 몸체(341) 내에는 상기 제1 및 제2리드 프레임(345,346) 및 방열 프레임(347)을 제외한 다른 금속 프레임이 더 배치되어, 방열 프레임이나 중간 연결 단자로 사용된다.
Other metal frames other than the first and second lead frames 345 and 346 and the heat radiating frame 347 are further disposed in the body 341 and used as a heat radiating frame or an intermediate connection terminal.

상기 발광 칩(101)은 상기 방열 프레임(347)의 제2캐비티(342-1)에 적어도 하나가 배치될 수 있다. 상기 발광 칩(101)은 상기 방열 프레임(347)의 제2캐비티(342-1) 바닥에 부착되며, 와이어(348)를 통해 제1리드 프레임(345)과 제2리드 프레임(346)에 연결될 수 있다. 상기 발광 칩(101)은 상기 제2캐비티(342-1)의 바닥에 열 전도성 접착제 또는 솔더로 부착될 수 있다.At least one light emitting chip 101 may be disposed in the second cavity 342-1 of the heat radiating frame 347. [ The light emitting chip 101 is attached to the bottom of the second cavity 342-1 of the heat dissipating frame 347 and connected to the first lead frame 345 and the second lead frame 346 through a wire 348 . The light emitting chip 101 may be attached to the bottom of the second cavity 342-1 with a thermally conductive adhesive or solder.

상기 발광 칩(101)는 가시광선 대역부터 자외선 대역의 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 레드 LED 칩, 블루 LED 칩, 그린 LED 칩, 엘로우 그린(yellow green) LED 칩 중에서 선택될 수 있다. 상기 발광 칩(101)은 III족 내지 V족 원소의 화합물 반도체 발광소자를 포함한다.
The light emitting chip 101 can selectively emit light in a visible light band to an ultraviolet band, and can be selected from a red LED chip, a blue LED chip, a green LED chip, and a yellow green LED chip, for example. The light emitting chip 101 includes compound semiconductor light emitting devices of group III-V elements.

상기 몸체(341)의 제1캐비티(342) 및 상기 제2캐비티(342-1) 중 적어도 한 영역에는 몰딩 부재(349)가 배치되며, 상기 몰딩 부재(349)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지층을 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(349) 또는 상기 발광 칩(101) 상에는 방출되는 빛의 파장을 변화하기 위한 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 형광체는 발광 칩(101)에서 방출되는 빛의 일부를 여기시켜 다른 파장의 빛으로 방출하게 된다. 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몰딩 부재(349)의 표면은 플랫한 형상, 오목한 형상, 볼록한 형상 등으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A molding member 349 is disposed in at least one of the first cavity 342 and the second cavity 342-1 of the body 341 and the molding member 349 is made of a translucent material such as silicone or epoxy Layer, and may be formed as a single layer or a multilayer. The phosphor may include a phosphor for changing the wavelength of light emitted from the molding member 349 or the light emitting chip 101. The phosphor may excite a part of the light emitted from the light emitting chip 101, And is emitted as light. The phosphor may be selectively formed from YAG, TAG, Silicate, Nitride, and Oxy-nitride based materials. The phosphor may include at least one of a red phosphor, a yellow phosphor, and a green phosphor, but the present invention is not limited thereto. The surface of the molding member 349 may be formed in a flat shape, a concave shape, a convex shape, or the like, but is not limited thereto.

상기 몸체(341)의 상부에는 렌즈가 더 형성될 수 있으며, 상기 렌즈는 오목 또는/및 볼록 렌즈의 구조를 포함할 수 있으며, 발광 소자(34)가 방출하는 빛의 배광(light distribution)을 조절할 수 있다.
A lens may be further formed on the body 341 and the lens may include a concave or convex lens structure to control the light distribution of the light emitted by the light emitting device 34 .

상기 발광 소자(34) 내에는 보호 소자가 배치될 수 있다. 상기 보호 소자는 제1캐비티(342)의 바닥 내에 배치될 수 있으며 싸이리스터, 제너 다이오드, 또는 TVS(Transient voltage suppression)로 구현될 수 있으며, 상기 보호 소자는 상기 발광 칩(101)을 ESD(electro static discharge)로 부터 보호하게 된다.
A protective element may be disposed within the light emitting element 34. The protection element may be disposed in the bottom of the first cavity 342 and may be implemented with a thyristor, a zener diode, or a TVS (Transient Voltage Suppression), which protects the light emitting chip 101 from ESD static discharge.

도 6과 같이, 상기 모듈 기판(32)의 두께(T1)는 상기 제1프레임부(36-1)의 돌기(361)의 높이와 동일하거나, 다를 수 있다. 예를 들면, 상기 돌기(361)의 상면은 상기 모듈 기판(32)의 상면을 기준으로 상기 모듈 기판(32)의 상면과의 단차가 ±50㎛ 범위로 돌출될 수 있다. 6, the thickness T1 of the module substrate 32 may be the same as or different from the height of the protrusion 361 of the first frame portion 36-1. For example, the upper surface of the protrusion 361 may protrude in the range of ± 50 μm from the upper surface of the module substrate 32 with respect to the upper surface of the module substrate 32.

상기 제1프레임부(36-1)의 돌기(361)의 너비(D1)는 상기 방열 프레임(347)의 하면 중 상기 몸체(341)에 노출된 제3리드부(347-1)와 동일한 너비이거나 더 좁을 수 있다. 상기 돌기(361)의 상면 면적은 상기 방열 프레임(347)의 하면 중 상기 몸체(341)에 노출된 제3리드부(347-1)의 면적과 동일하거나 상기 방열 프레임(347)의 하면 중 상기 몸체(341)에 노출된 제3리드부(347-1)의 적어도 60% 이상으로 접촉될 수 있다. 여기서의 접촉은 솔더를 통한 간접 접촉 또는/및 솔더를 제거한 후의 물리적인 접촉을 포함할 수 있다.The width D1 of the protrusion 361 of the first frame part 36-1 is equal to the width of the third lead part 347-1 exposed on the body 341 of the lower surface of the heat radiating frame 347 Or may be narrower. The upper surface area of the protrusion 361 may be the same as the area of the third lead part 347-1 exposed in the body 341 of the lower surface of the heat radiating frame 347, Can be contacted by at least 60% or more of the third lead portion 347-1 exposed to the body 341. The contact herein may include indirect contact through the solder and / or physical contact after removal of the solder.

상기 모듈 기판(32) 상에 배치된 제1패드(322) 및 제2패드(323)은 상기 돌기 구멍(321)으로부터 이격된다. 상기 돌기 구멍(321)과 상기 제1패드(322) 사이의 간격(D2)는 적어도 180㎛ 이상 예컨대, 200㎛ 이상 이격될 수 있다. The first pad 322 and the second pad 323 disposed on the module substrate 32 are spaced from the projection hole 321. [ The distance D2 between the protrusion hole 321 and the first pad 322 may be at least 180 μm or more, for example, 200 μm or more.

상기 모듈 기판(32)의 돌기 구멍(321)과 상기 제1프레임부(36-1)의 돌기(361) 사이의 공차는 1㎛ 이상 예컨대, 20~50㎛ 범위로 형성될 수 있다.The tolerance between the protrusion hole 321 of the module substrate 32 and the protrusion 361 of the first frame portion 36-1 may be in the range of 1 μm or more, for example, in the range of 20 to 50 μm.

상기 모듈 기판(32)의 돌기 구멍(321)이 상기 제1프레임부(36-1)의 돌기(361)에 결합되면, 상기 모듈 기판(32)은 상기 제1프레임부(36-1)의 상면에 배치될 수 있다. 상기 모듈 기판(32)과 상기 제1프레임부(36-1) 사이는 별도의 접착제를 사용하지 않을 수 있으며, 필요시 접착 부재를 배치할 수 있다.
When the protrusion hole 321 of the module substrate 32 is coupled to the protrusion 361 of the first frame part 36-1, the module substrate 32 is fixed to the protrusion 361 of the first frame part 36-1 Can be disposed on the upper surface. A separate adhesive may not be used between the module substrate 32 and the first frame portion 36-1 and an adhesive member may be disposed if necessary.

도 7과 같이, 상기 발광 다이오드(34)의 제1리드부(345-1)는 상기 모듈 기판(32)의 제1패드(322)에 제1접합 부재(371)로 접합되고, 제2리드부(346-1)는 상기 모듈 기판(32)의 제2패드(323)에 제2접합 부재(372)로 접합되며, 상기 방열 프레임(347)의 제3리드부(347-1)는 상기 제1프레임부(36-1)의 돌기(361)에 제3접합 부재(373)로 접합된다. 상기 제1 내지 제3접합 부재(371,372,373)은 솔더 재질을 포함하며, 다른 예로서 전도성 테이프를 포함할 수 있다. 여기서, 솔더의 재질이 전도성 테이프보다 열 전도율이 높기 때문에 상기 제1 내지 제3접합 부재(371,372,373)는 솔더 재질을 사용할 수 있다. 7, the first lead portion 345-1 of the light emitting diode 34 is joined to the first pad 322 of the module substrate 32 by a first bonding member 371, And the third lead portion 347-1 of the heat radiating frame 347 is connected to the second pad 323 of the module substrate 32 by the second bonding member 372. [ And is joined to the projection 361 of the first frame portion 36-1 by the third joining member 373. [ The first to third bonding members 371, 372 and 373 include solder materials and may include a conductive tape as another example. Here, since the material of the solder has higher thermal conductivity than the conductive tape, the first to third bonding members 371, 372 and 373 can use a solder material.

여기서, 상기 제3접합 부재(373)는 상기 모듈 기판(32)의 돌기 구멍(321)을 통해 삽입되어, 상기 제1프레임부(36-1)의 돌기(361)의 측면 및 상면에 접촉될 수 있다. 이에 따라 상기 발광 소자(34)의 방열 프레임(347)이 상기 제1프레임부(36-1)의 돌기(361)와 제3접합 부재(373)로 접합됨으로써, 상기 모듈 기판(32)을 상기 제1프레임부(36-1)에 고정하기 위한 별도의 접착 부재가 필요하지 않을 수 있다.The third joining member 373 is inserted through the projection hole 321 of the module substrate 32 and is brought into contact with the side surface and the upper surface of the projection 361 of the first frame portion 36-1 . The heat dissipation frame 347 of the light emitting device 34 is bonded to the protrusion 361 of the first frame part 36-1 by the third bonding member 373, A separate adhesive member for fixing to the first frame portion 36-1 may not be required.

상기 발광 칩(101)은 제1리드 프레임(345) 및 제2리드 프레임(346)으로부터 전원을 공급받아 빛을 방출하며, 상기 발광 칩(101)으로부터 발생된 열은 상기 방열 프레임(347)으로 전도되어 1차 방열이 이루어진다. 그리고, 상기 방열 프레임(347)은 상기의 열을 제1프레임부(36-1)의 돌기(361)로 직접 전도하여, 제1프레임부(36-1) 및 이를 갖는 방열 플레이트(36)에 의해 방열을 수행하게 된다. 이에 따라 상기 발광 칩(101)의 온도 상승을 억제하여 줄 수 있어, 발광 칩(101)이 안정적으로 동작할 수 있고, 발광 소자(34)의 광 효율도 개선될 수 있다.
The light emitting chip 101 receives power from the first lead frame 345 and the second lead frame 346 to emit light and the heat generated from the light emitting chip 101 passes through the heat radiating frame 347 And the primary heat dissipation is performed. The heat dissipation frame 347 conducts the heat directly to the protrusions 361 of the first frame section 36-1 and the first frame section 36-1 and the heat dissipation plate 36 Thereby performing heat dissipation. Thus, the temperature rise of the light emitting chip 101 can be suppressed, the light emitting chip 101 can be stably operated, and the light efficiency of the light emitting device 34 can be improved.

도 8은 도 1의 방열 플레이트의 변형 예를 나타낸 도면이며, 도 9는 도 8의 발광 모듈의 결합 예를 나타낸 도면이다. FIG. 8 is a view showing a modified example of the heat dissipating plate of FIG. 1, and FIG. 9 is a view showing an example of connection of the light emitting module of FIG.

도 8을 참조하면, 방열 플레이트(36)의 제1프레임부(36-1)에는 복수의 돌기(361)가 형성되며, 상기 복수의 돌기(361)는 펀칭 공정에 아닌 에칭 공정에 의해 형성될 수 있다. 이에 따라 상기 제1프레임(36-1)에는 도 3과 같은 홈이 제거될 수 있다. 8, a plurality of protrusions 361 are formed in the first frame portion 36-1 of the heat dissipating plate 36. The plurality of protrusions 361 are formed by an etching process, not a punching process . Accordingly, the grooves as shown in FIG. 3 can be removed from the first frame 36-1.

도 9를 참조하면, 발광 소자(44)는 캐비티(442)를 갖는 몸체(441), 상기 몸체(441) 내에 배치된 제1리드 프레임(445) 및 제2리드 프레임(446), 방열 프레임(447), 발광 칩들(101), 와이어들(448) 및 몰딩 부재(449)를 포함한다.9, the light emitting device 44 includes a body 441 having a cavity 442, a first lead frame 445 and a second lead frame 446 disposed in the body 441, a heat radiation frame 447, light emitting chips 101, wires 448, and a molding member 449.

상기 몸체(441)의 하면에 배치된 제1리드 프레임(445), 제2리드 프레임(446) 및 방열 프레임(447)의 하면은 서로 동일 평면 상에 배치된다. 상기 제1리드 프레임(445) 및 제2리드 프레임(446)은 상기 모듈 기판(32)의 제1패드(322) 및 제2패드(323)에 연결된다. 상기 방열 프레임(447)의 상부는 발광 칩(101)이 배치되며, 하부는 상기 제1프레임부(36-1)의 돌기(361)에 연결된다.The lower surfaces of the first lead frame 445, the second lead frame 446 and the heat radiating frame 447 disposed on the lower surface of the body 441 are arranged on the same plane. The first lead frame 445 and the second lead frame 446 are connected to the first pad 322 and the second pad 323 of the module substrate 32. The light emitting chip 101 is disposed on the upper part of the heat radiating frame 447 and the lower part is connected to the protrusion 361 of the first frame part 36-1.

상기 발광 소자(44)는 제1실시 예에도 적용할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The light emitting device 44 is also applicable to the first embodiment, but the present invention is not limited thereto.

도 10은 제2실시 예이다. 제1실시 예와 동일한 구성은 제1실시 예를 참조하기로 한다.10 is a second embodiment. The same configuration as that of the first embodiment will be described with reference to the first embodiment.

도 10 및 도 11을 참조하면, 표시 장치(100)는 표시 패널(10)과 백라이트 유닛(20)을 포함하며, 상기 백라이트 유닛(20)은 바텀 커버(40), 발광 모듈(30A), 반사 부재(45), 광학 시트(60), 및 도광판(70)을 포함한다.10 and 11, a display device 100 includes a display panel 10 and a backlight unit 20. The backlight unit 20 includes a bottom cover 40, a light emitting module 30A, A member 45, an optical sheet 60, and a light guide plate 70.

발광 모듈(30A)은 방열 플레이트(36A), 모듈 기판(32), 발광 소자(54)를 포함한다. 상기 방열 플레이트(36A)에는 복수의 돌기(361)이 형성되며, 상기 모듈 기판(32)에는 복수의 돌기 구멍(321)이 형성되며, 상기 모듈 기판(32) 상에는 복수의 발광 소자(54)가 배치된다.The light emitting module 30A includes a heat dissipating plate 36A, a module substrate 32, and a light emitting element 54. [ A plurality of protrusions 361 are formed on the heat dissipation plate 36A and a plurality of protrusion holes 321 are formed in the module substrate 32. A plurality of light emitting devices 54 are formed on the module substrate 32 .

상기 방열 플레이트(36A)는 절곡 구조 없이 플랫한 플레이트로 형성된다. The heat dissipation plate 36A is formed as a flat plate without a bending structure.

상기 발광 소자(54)는 상기 모듈 기판(32)에 탑재되는 영역과 광 출사면인 캐비티 영역이 수직하게 배치된다. 즉, 상기 발광 소자(54)는 상기 모듈 기판(32)의 제1 및 제2패드(322,332)에 사이드 뷰 타입으로 탑재된다.
The light emitting element 54 is vertically disposed in a region where the light emitting element 54 is mounted on the module substrate 32 and a cavity region as a light emitting surface. That is, the light emitting device 54 is mounted on the first and second pads 322 and 332 of the module substrate 32 as a side view type.

도 12와 같이, 발광 소자(54)는 캐비티(542)를 갖는 몸체(541), 상기 몸체(541) 내에 배치된 제1리드 프레임(545) 및 제2리드 프레임(546), 방열 프레임(547), 발광 칩들(101), 와이어들(548) 및 몰딩 부재를 포함한다.12, the light emitting element 54 includes a body 541 having a cavity 542, a first lead frame 545 and a second lead frame 546 disposed in the body 541, a heat radiating frame 547 ), Light emitting chips 101, wires 548, and a molding member.

상기 방열 플레이트(36A)는 상기 모듈 기판(32)의 바닥에 배치된 오목부(41B)에 접착 부재(52)로 접착되거나, 나사와 같은 결합 부재로 결합될 수 있다. The heat dissipation plate 36A may be bonded to the concave portion 41B disposed at the bottom of the module substrate 32 with an adhesive member 52 or may be coupled with a coupling member such as a screw.

상기 발광 소자(54)의 몸체(541)는 상기 캐비티(542)가 형성된 면(S3)은 제1측면(S1)과 제2측면(S2) 사이에 배치되며, 제1리드부(545-1) 및 제2리드부(546-1)가 형성된 면과 거의 직각을 이루게 된다. The body S3 of the body 541 of the light emitting element 54 is disposed between the first side surface S1 and the second side surface S2 and the first lead portion 545-1 And the second lead portion 546-1 are formed.

상기 제1리드 프레임(545)의 제1리드부(545-1)는 모듈 기판(32)의 제1패드(322)에 제1접합 부재(571)로 접합되고, 제2리드 프레임(546)의 제2리드부(546-1)는 모듈 기판(32)의 제2패드(323)에 제2접합 부재(572)로 접합되며, 방열 프레임(547)의 제3리드부(547-1)는 상기 방열 플레이트(36A)의 돌기(361)에 제3접합 부재(573)로 접합된다.
The first lead portion 545-1 of the first lead frame 545 is joined to the first pad 322 of the module substrate 32 by a first bonding member 571 and the second lead frame 546 is bonded to the first pad 322 of the module substrate 32, The second lead portion 546-1 of the heat dissipating frame 547 is joined to the second pad 323 of the module substrate 32 by the second bonding member 572 and the third lead portion 547-1 of the heat dissipating frame 547, Is joined to the projection (361) of the heat dissipating plate (36A) by the third bonding member (573).

도 13은 제3실시 예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 도면이다.13 is a view showing a backlight unit according to the third embodiment.

도 13을 참조하면, 발광 모듈(30B)는 제1발광 소자(34)와 제2발광 소자(54), 제1모듈 기판(32) 및 제2모듈 기판(32-1) 및 방열 플레이트(36)를 포함한다. 상기 제1모듈 기판(32) 및 제1발광 소자(34)의 구성은 제1실시 예의 모듈 기판 및 발광 소자로 적용할 수 있어, 동일 부호로 처리하여 설명하기로 한다.13, the light emitting module 30B includes a first light emitting device 34 and a second light emitting device 54, a first module substrate 32 and a second module substrate 32-1 and a heat radiating plate 36 ). The configuration of the first module substrate 32 and the first light emitting device 34 can be applied to the module substrate and the light emitting device of the first embodiment, and will be described with the same reference numerals.

상기 방열 플레이트(36)는 제1프레임부(36-1) 및 제2프레임부(36-2)를 포함하며, 상기 제1프레임부(36-1)에는 제1모듈 기판(32) 및 제1발광 소자(34)가 결합되며, 상기 제2프레임부(36-2)에는 제1모듈 기판(32) 및 제2발광 소자(54)가 결합된다. The heat dissipation plate 36 includes a first frame part 36-1 and a second frame part 36-2 and the first module part 32 and the first module part 32 are formed in the first frame part 36-1. A first module substrate 32 and a second light emitting device 54 are coupled to the second frame unit 36-2.

제1발광 소자(34)와 제2발광 소자(54)는 도광판(70)의 입광부의 서로 다른 영역에 대응되게 배치된다.The first light emitting device 34 and the second light emitting device 54 are disposed to correspond to different areas of the light entrance portion of the light guide plate 70.

상기 제1프레임부(36-1)에는 돌기(361)가 형성되어, 상기 돌기(361)에는 상기 제1모듈 기판(32)의 돌기 구멍(321)이 결합된다. 상기 제1모듈 기판(32)에 배치된 제1발광 소자(34)는 방열 프레임이 상기 제1프레임부(36-1)의 돌기(361)에 연결되어 방열을 수행한다. A protrusion 361 is formed in the first frame portion 36-1 and the protrusion hole 321 of the first module substrate 32 is coupled to the protrusion 361. [ The first light emitting device 34 disposed on the first module substrate 32 is connected to the protrusions 361 of the first frame portion 36-1 to radiate heat.

상기 제2프레임부(36-2)에는 돌기(364)가 형성되어, 상기 돌기(364)에는 상기 제2모듈 기판(32-1)의 돌기 구멍(321-1)이 결합된다. 상기 제2모듈 기판(32-1)에 배치된 제2발광 소자(54)는 도 12와 같이 방열 프레임(547)이 상기 제2프레임부(36-2)의 돌기(364)에 연결되어, 상기 제2발광 소자(54)의 방열 효율이 개선될 수 있다. A protrusion 364 is formed in the second frame portion 36-2 and the protrusion hole 321-1 of the second module substrate 32-1 is coupled to the protrusion 364. [ The second light emitting device 54 disposed on the second module substrate 32-1 has a heat dissipating frame 547 connected to the protrusions 364 of the second frame unit 36-2 as shown in FIG. The heat radiation efficiency of the second light emitting device 54 can be improved.

여기서, 발광 모듈(30B)은 탑 뷰 타입의 제1발광 소자(34)는 도 6 및 도 9의 발광 소자가 결합되는 구조를 선택적으로 이용될 수 있으며, 제2발광 소자(54)는 도 12의 발광 소자가 결합되는 구조를 이용할 수 있다.
6 and 9 can be selectively used, and the second light emitting device 54 can be selectively used as the top view type first light emitting device 34, The light emitting device of FIG.

도 14는 제4실시 예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 도면이다.FIG. 14 is a view showing a backlight unit according to the fourth embodiment. FIG.

도 14를 참조하면, 발광 모듈(30C)는 발광 소자(34), 모듈 기판(32) 및 방열 플레이트(36)를 포함한다. 14, the light emitting module 30C includes a light emitting element 34, a module substrate 32, and a heat dissipating plate 36. [

상기 방열 플레이트(36)는 제1프레임부(36-1), 서로 대향되는 제2 및 제3프레임부(36-2,36-3)를 포함한다. 상기 제2 및 제3프레임부(36-2,36-3)는 상기 제1프레임부(36-1)에 대해 절곡되며, 그 절곡된 각도는 거의 80~110°정도로 형성될 수 있다. 상기 제2프레임부(36-2)는 상기 도광판(70)의 아래에 배치되며, 상기 제3프레임부(36-3)는 상기 도광판(70)의 위에 배치된다. 상기 제2프레임부(36-2)와 상기 제3프레임부(36-3) 사이의 간격은 상기 도광판(70)의 두께보다 적어도 넓게 형성될 수 있다. 상기 제3프레임부(36-3)의 너비는 상기 제2프레임부(36-2)보다 좁을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The heat dissipation plate 36 includes a first frame portion 36-1 and second and third frame portions 36-2 and 36-3 facing each other. The second and third frame portions 36-2 and 36-3 are bent with respect to the first frame portion 36-1 and the bent angle is approximately 80 to 110 degrees. The second frame portion 36-2 is disposed below the light guide plate 70 and the third frame portion 36-3 is disposed on the light guide plate 70. [ The gap between the second frame portion 36-2 and the third frame portion 36-3 may be at least wider than the thickness of the light guide plate 70. [ The width of the third frame portion 36-3 may be narrower than that of the second frame portion 36-2, but is not limited thereto.

상기 방열 플레이트(36)의 제3프레임부(36-3)는 상기 발광 소자(34)로부터 방출된 광이 누설되는 것을 방지할 수 있다.
The third frame portion 36-3 of the heat dissipating plate 36 can prevent light emitted from the light emitting device 34 from leaking.

도 15는 제5실시 예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 도면이다.15 is a view illustrating a backlight unit according to the fifth embodiment.

도 15를 참조하면, 발광 모듈(30D)는 제1발광 소자(34)와 제2발광 소자(54), 제1모듈 기판(32) 및 제2모듈 기판(32-2) 및 방열 플레이트(36)를 포함한다. 상기 제1모듈 기판(32) 및 제1발광 소자(34)의 구성은 제1실시 예의 모듈 기판 및 발광 소자로 적용할 수 있어, 동일 부호로 처리하여 설명하기로 한다.15, the light emitting module 30D includes a first light emitting device 34 and a second light emitting device 54, a first module substrate 32 and a second module substrate 32-2, and a heat radiating plate 36 ). The configuration of the first module substrate 32 and the first light emitting device 34 can be applied to the module substrate and the light emitting device of the first embodiment, and will be described with the same reference numerals.

상기 방열 플레이트(36)는 제1프레임부(36-1), 서로 대향되는 제2 및 제3프레임부(36-2,36-3)를 포함한다. 상기 제2 및 제3프레임부(36-2,36-3)는 상기 제1프레임부(36-1)로부터 절곡되며, 그 절곡된 각도는 거의 80~110°정도로 각각 형성될 수 있다. 상기 제2프레임부(36-2)는 상기 도광판(70)의 아래에 배치되며, 상기 제3프레임부(36-3)의 일부는 상기 도광판(70)의 위에 배치된다. 상기 제2프레임부(36-2)와 상기 제3프레임부(36-3) 사이의 간격은 상기 도광판(70)의 두께보다 적어도 넓게 형성될 수 있다. 상기 제3프레임부(36-3)의 너비는 상기 제2프레임부(36-2)보다 좁을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The heat dissipation plate 36 includes a first frame portion 36-1 and second and third frame portions 36-2 and 36-3 facing each other. The second and third frame portions 36-2 and 36-3 may be bent from the first frame portion 36-1 and have a bent angle of about 80 to 110 degrees. The second frame part 36-2 is disposed under the light guide plate 70 and a part of the third frame part 36-3 is disposed on the light guide plate 70. [ The gap between the second frame portion 36-2 and the third frame portion 36-3 may be at least wider than the thickness of the light guide plate 70. [ The width of the third frame portion 36-3 may be narrower than that of the second frame portion 36-2, but is not limited thereto.

상기 방열 플레이트(36)의 제3프레임부(36-3)는 상기 발광 소자(34)로부터 방출된 광이 누설되는 것을 방지할 수 있다. The third frame portion 36-3 of the heat dissipating plate 36 can prevent light emitted from the light emitting device 34 from leaking.

상기 제3프레임부(36-3)의 아래에는 제2모듈 기판(32-2)이 결합되고, 상기 제2모듈 기판(32-2)에는 상기 제2발광 소자(54)가 배치되며, 도 12와 같이 방열 프레임이 상기 제3프레임부(36-3)의 돌기(365)에 연결될 수 있다.A second module substrate 32-2 is coupled to the third frame portion 36-3 and the second light emitting device 54 is disposed on the second module substrate 32-2. The heat radiating frame may be connected to the protrusion 365 of the third frame part 36-3 as shown in FIG.

발광 모듈(30D)은 도광판(70)의 입광부의 서로 다른 영역에 탑 뷰 방식의 제1발광 소자(34) 및 사이드 뷰 방식의 제2발광 소자(54)를 배치하여, 광 효율을 증가시켜 줄 수 있다. The light emitting module 30D may be arranged such that the top view type first light emitting device 34 and the side view type second light emitting device 54 are disposed in different areas of the light entrance portion of the light guide plate 70, You can give.

도 16은 실시 예에 따른 발광 칩을 나타낸 도면이다.16 is a view showing a light emitting chip according to an embodiment.

도 16을 참조하면, 발광 칩(101)은 성장 기판(111), 버퍼층(113), 저전도층(115), 제1도전형 반도체층(117), 활성층(119), 제2클래드층(121), 및 제2도전형 반도체층(123)을 포함할 수 있다. 16, the light emitting chip 101 includes a growth substrate 111, a buffer layer 113, a low conductivity layer 115, a first conductivity type semiconductor layer 117, an active layer 119, a second cladding layer 121, and a second conductive semiconductor layer 123.

상기 성장 기판(111)은 투광성, 절연성 또는 도전성 기판을 이용할 수 있으며, 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga2O3, LiGaO3 중 적어도 하나를 이용할 수 있다. 상기 성장 기판(111)의 상면에는 복수의 돌출부(112)가 형성될 수 있으며, 상기의 복수의 돌출부(112)는 상기 성장 기판(111)의 식각을 통해 형성하거나, 별도의 러프니스와 같은 광 추출 구조로 형성될 수 있다. 상기 돌출부(112)는 스트라이프 형상, 반구형상, 또는 돔(dome) 형상을 포함할 수 있다. 상기 성장 기판(111)의 두께는 30㎛~150㎛ 범위로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The growth substrate 111 may take advantage of a light-transmitting, insulating or conductive substrate, e.g., sapphire (Al 2 O 3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga 2 O 3 , And LiGaO 3 may be used. A plurality of protrusions 112 may be formed on the upper surface of the growth substrate 111. The plurality of protrusions 112 may be formed through etching of the growth substrate 111, And may be formed as an extraction structure. The protrusion 112 may include a stripe shape, a hemispherical shape, or a dome shape. The thickness of the growth substrate 111 may be in the range of 30 탆 to 150 탆, but is not limited thereto.

상기 성장 기판(111) 위에는 복수의 화합물 반도체층이 성장될 수 있으며, 상기 복수의 화합물 반도체층의 성장 장비는 전자빔 증착기, PVD(physical vapor deposition), CVD(chemical vapor deposition), PLD(plasma laser deposition), 이중형의 열증착기(dual-type thermal evaporator) 스퍼터링(sputtering), MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) 등에 의해 형성할 수 있으며, 이러한 장비로 한정하지는 않는다. A plurality of compound semiconductor layers may be grown on the growth substrate 111. The growth equipment of the plurality of compound semiconductor layers may be an electron beam evaporator, a physical vapor deposition (PVD), a chemical vapor deposition (CVD), a plasma laser deposition ), A dual-type thermal evaporator, sputtering, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), and the like.

상기 성장 기판(111) 위에는 버퍼층(113)이 형성될 수 있으며, 상기 버퍼층(113)은 II족 내지 VI족 화합물 반도체를 이용하여 적어도 한 층으로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(113)은 III족-V족 화합물 반도체를 이용한 반도체층을 포함하며, 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체로서, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 버퍼층(113)은 서로 다른 반도체층을 교대로 배치하여 초 격자 구조로 형성될 수 있다.
A buffer layer 113 may be formed on the growth substrate 111 and the buffer layer 113 may be formed of at least one layer using Group II to VI compound semiconductors. The buffer layer 113 includes a semiconductor layer using a Group III-V compound semiconductor, for example, In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y ? 1, + y? 1), and includes at least one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, and AlInN. The buffer layer 113 may be formed in a superlattice structure by alternately arranging different semiconductor layers.

상기 버퍼층(113)은 상기 성장 기판(111)과 질화물 계열의 반도체층과의 격자 상수의 차이를 완화시켜 주기 위해 형성될 수 있으며, 결함 제어층으로 정의될 수 있다. 상기 버퍼층(113)은 상기 성장 기판(111)과 질화물 계열의 반도체층 사이의 격자 상수 사이의 값을 가질 수 있다. 상기 버퍼층(113)은 ZnO 층과 같은 산화물로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 버퍼층(113)은 30~500nm 범위로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The buffer layer 113 may be formed to mitigate the difference in lattice constant between the growth substrate 111 and the nitride-based semiconductor layer, and may be defined as a defect control layer. The buffer layer 113 may have a value between lattice constants between the growth substrate 111 and the nitride semiconductor layer. The buffer layer 113 may be formed of an oxide such as a ZnO layer, but is not limited thereto. The buffer layer 113 may be formed in a range of 30 to 500 nm, but is not limited thereto.

상기 버퍼층(113) 위에 저 전도층(115)이 형성되며, 상기 저 전도층(115)은 언도프드 반도체층으로서, 제1도전형 반도체층(117)보다 낮은 전기 전도성을 가진다. 상기 저 전도층(115)은 3족-5족 화합물 반도체를 이용한 GaN계 반도체로 구현될 수 있으며, 이러한 언도프드 반도체층은 의도적으로 도전형 도펀트를 도핑하지 않더라도 제1도전형 특성을 가지게 된다. 상기 언도프드 반도체층은 형성하지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 저 전도층(115)은 복수의 제1도전형 반도체층(117) 사이에 형성될 수 있다.A low conductivity layer 115 is formed on the buffer layer 113 and the low conductivity layer 115 is an undoped semiconductor layer and has lower electrical conductivity than the first conductivity type semiconductor layer 117. The low conduction layer 115 may be formed of a GaN-based semiconductor using a Group III-V compound semiconductor, and the undoped semiconductor layer may have a first conductivity type property without intentionally doping the conduction type dopant. The undoped semiconductor layer may not be formed, but the present invention is not limited thereto. The low conductivity layer 115 may be formed between the plurality of first conductivity type semiconductor layers 117.

상기 저 전도층(115) 위에는 제1도전형 반도체층(117)이 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(117)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 III족-V족 화합물 반도체로 구현되며, 예컨대 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(117)이 n형 반도체층인 경우, 상기 제1도전형의 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함한다. The first conductivity type semiconductor layer 117 may be formed on the low conductivity layer 115. The first conductivity type semiconductor layer 117 is formed of a Group III-V compound semiconductor doped with the first conductivity type dopant, for example, In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? X + y? 1). When the first conductivity type semiconductor layer 117 is an n-type semiconductor layer, the first conductivity type dopant is an n-type dopant including Si, Ge, Sn, Se, and Te.

상기 저 전도층(115)와 상기 제1도전형 반도체층(117) 중 적어도 한 층에는 서로 다른 제1층과 제2층이 교대로 배치된 초격자 구조로 형성될 수 있으며, 상기 제1층과 제2층의 두께는 수 A 이상으로 형성될 수 있다.At least one of the low conductivity layer 115 and the first conductive semiconductor layer 117 may have a superlattice structure in which a first layer and a second layer are alternately arranged, And the thickness of the second layer may be formed to a number A or more.

상기 제1도전형 반도체층(117)과 상기 활성층(119) 사이에는 제1클래드층(미도시)이 형성될 수 있으며, 상기 제1클래드층은 GaN계 반도체로 형성될 수 있다. 이러한 제1클래드층은 캐리어를 구속시켜 주는 역할을 한다. 다른 예로서, 상기 제1 클래드층(미도시)은 InGaN층 또는 InGaN/GaN 초격자 구조로 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 상기 제1 클래드층은 n형 또는/및 p형 도펀트를 포함할 수 있으며, 예컨대 제1도전형 또는 저 전도성의 반도체층으로 형성될 수 있다.A first clad layer (not shown) may be formed between the first conductive semiconductor layer 117 and the active layer 119, and the first clad layer may be formed of a GaN-based semiconductor. The first cladding layer serves to constrain the carrier. As another example, the first clad layer (not shown) may be formed of an InGaN layer or an InGaN / GaN superlattice structure, but is not limited thereto. The first cladding layer may include n-type and / or p-type dopants, and may be formed of, for example, a first conductive type or a low conductive semiconductor layer.

상기 제1도전형 반도체층(117) 위에는 활성층(119)이 형성된다. 상기 활성층(119)은 단일 우물, 단일 양자 우물, 다중 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선, 양자 점 구조 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 활성층(119)은 우물층과 장벽층이 교대로 배치되며, 상기 우물층은 에너지 준위가 연속적인 우물층일 수 있다. 또한 상기 우물층은 에너지 준위가 양자화된 양자 우물(Quantum Well)일 수 있다. 상기의 우물층은 양자 우물층으로 정의될 수 있으며, 상기 장벽층은 양자 장벽층으로 정의될 수 있다. 상기 우물층과 상기 장벽층의 페어는 2~30주기로 형성될 수 있다. 상기 우물층은 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 장벽층은 상기 우물층의 밴드 갭보다 더 넓은 밴드 갭을 갖는 반도체층으로 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 우물층과 장벽층의 페어는 예컨대, InGaN/GaN, AlGaN/GaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN 중 적어도 하나를 포함한다. An active layer 119 is formed on the first conductive semiconductor layer 117. The active layer 119 may be formed of at least one of a single well, a single quantum well, a multi-well, a multiple quantum well (MQW), a quantum wire, and a quantum dot structure. The active layer 119 may be a well layer and a barrier layer alternately arranged, and the well layer may be a well layer having a continuous energy level. Also, the well layer may be a quantum well in which the energy level is quantized. The well layer may be defined as a quantum well layer, and the barrier layer may be defined as a quantum barrier layer. The pair of the well layer and the barrier layer may be formed in 2 to 30 cycles. The well layer may be formed of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? The barrier layer is a semiconductor layer having a band gap wider than the band gap of the well layer, for example, In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? y ≤ 1). The pair of the well layer and the barrier layer includes at least one of InGaN / GaN, AlGaN / GaN, InGaN / AlGaN, and InGaN / InGaN.

상기 활성층(119)은 자외선 대역부터 가시광선 대역의 파장 범위 내에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 420nm~450nm 범위의 피크 파장을 발광할 수 있다.The active layer 119 can selectively emit light within a wavelength range from the ultraviolet band to the visible light band, and can emit a peak wavelength ranging from 420 nm to 450 nm, for example.

상기 활성층(119) 위에는 제2클래드층(121)이 형성되며, 상기 제2클래드층(121)은 상기 활성층(119)의 장벽층의 밴드 갭보다 더 높은 밴드 갭을 가지며, III족-V족 화합물 반도체 예컨대, GaN 계 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 클래드층(121)은 GaN, AlGaN, InAlGaN, InAlGaN 초격자 구조 등을 포함할 수 있다. 상기 제2 클래드층(121)은 n형 또는/및 p형 도펀트를 포함할 수 있으며, 예컨대 제2도전형 또는 저 전도성의 반도체층으로 형성될 수 있다.A second cladding layer 121 is formed on the active layer 119. The second cladding layer 121 has a higher bandgap than a band gap of the barrier layer of the active layer 119, For example, a GaN-based semiconductor. For example, the second cladding layer 121 may include a GaN, AlGaN, InAlGaN, InAlGaN superlattice structure, or the like. The second cladding layer 121 may include an n-type or p-type dopant, for example, a second conductive type or a low conductivity type semiconductor layer.

상기 제2클래드층(121) 위에는 제2도전형 반도체층(123)이 형성되며, 상기 제2도전형 반도체층(123)은 제2도전형의 도펀트를 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(123)은 III족-V족 화합물 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나로 이루어질 수 있으며, 단층 또는 다층을 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(123)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다. A second conductive type semiconductor layer 123 is formed on the second clad layer 121 and a second conductive type dopant is formed on the second conductive type semiconductor layer 123. The second conductive semiconductor layer 123 may be formed of at least one of Group III-V compound semiconductor such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, . When the second conductive semiconductor layer 123 is a p-type semiconductor layer, the second conductive dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as p-type dopants.

발광 구조물(150)의 층들의 전도성 타입은 반대로 형성될 수 있으며, 예컨대 상기 제2도전형의 반도체층(123)은 n형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층(117)은 p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 또한 상기 제2도전형 반도체층(123) 위에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제3도전형 반도체층인 n형 반도체층이 더 형성할 수도 있다. 상기 발광 칩(101)은 상기 제1도전형 반도체층(117), 활성층(119) 및 상기 제2도전형 반도체층(123)을 발광 구조물(150)로 정의될 수 있으며, 상기 발광 구조물(150)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 적어도 한 구조를 포함할 수 있다. 상기 n-p 및 p-n 접합은 2개의 층 사이에 활성층이 배치되며, n-p-n 접합 또는 p-n-p 접합은 3개의 층 사이에 적어도 하나의 활성층을 포함하게 된다.For example, the second conductive semiconductor layer 123 may be an n-type semiconductor layer, the first conductive semiconductor layer 117 may be a p-type semiconductor layer, Lt; / RTI > Also, an n-type semiconductor layer may be further formed on the second conductive semiconductor layer 123, which is a third conductive semiconductor layer having a polarity opposite to that of the second conductive type. The light emitting chip 101 may be defined as a light emitting structure 150 of the first conductivity type semiconductor layer 117, the active layer 119 and the second conductivity type semiconductor layer 123. The light emitting structure 150 ) May include at least one of an np junction structure, a pn junction structure, an npn junction structure, and a pnp junction structure. In the n-p and p-n junctions, an active layer is disposed between two layers, and an n-p-n junction or a p-n-p junction includes at least one active layer between three layers.

발광 구조물(150) 위에 전극층(141) 및 제2전극(145)이 형성되며, 상기 제1도전형 반도체층(117) 위에 제1전극(143)이 형성된다.An electrode layer 141 and a second electrode 145 are formed on the light emitting structure 150 and a first electrode 143 is formed on the first conductive semiconductor layer 117.

상기 전극층(141)은 전류 확산층으로서, 투광성 및 전기 전도성을 가지는 물질로 형성될 수 있다. 상기 전극층(141)은 화합물 반도체층의 굴절률보다 낮은 굴절률로 형성될 수 있다. The electrode layer 141 may be formed of a material having a light-transmitting property and an electric conductivity as a current diffusion layer. The electrode layer 141 may have a refractive index lower than the refractive index of the compound semiconductor layer.

상기 전극층(141)은 제2도전형 반도체층(123)의 상면에 형성되며, 그 물질은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 등 중에서 선택되며, 적어도 한 층으로 형성될 수 있다. 상기 전극층(141)은 반사 전극층으로 형성될 수 있으며, 그 물질은 예컨대, Al, Ag, Pd, Rh, Pt, Ir 및 이들 중 2이상의 합금 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. The electrode layer 141 is formed on the upper surface of the second conductive semiconductor layer 123. The material of the electrode layer 141 may be indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO) zinc oxide, indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), ZnO, IrOx, RuOx, And may be formed of at least one layer. The electrode layer 141 may be formed of a reflective electrode layer, for example, Al, Ag, Pd, Rh, Pt, Ir, or an alloy of two or more thereof.

상기 제2전극(145)은 상기 제2도전형 반도체층(123) 및/또는 상기 전극층(141) 위에 형성될 수 있으며, 전극 패드를 포함할 수 있다. 상기 제2전극(145)은 암(arm) 구조 또는 핑거(finger) 구조의 전류 확산 패턴이 더 형성될 수 있다. 상기 제2전극(145)은 오믹 접촉, 접착층, 본딩층의 특성을 갖는 금속으로 비 투광성으로 이루어질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The second electrode 145 may be formed on the second conductive semiconductor layer 123 and / or the electrode layer 141, and may include an electrode pad. The second electrode 145 may further have a current diffusion pattern of an arm structure or a finger structure. The second electrode 145 may be made of a metal having the characteristics of an ohmic contact, an adhesive layer, and a bonding layer, but is not limited thereto.

상기 제1도전형 반도체층(117)의 일부에는 제1전극(143)이 형성된다. 상기 제1전극(143)과 상기 제2전극(145)은 Ti, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Ag 및 Au와 이들의 선택적인 합금 중에서 선택될 수 있다.A first electrode (143) is formed on a part of the first conductive type semiconductor layer (117). The first electrode 143 and the second electrode 145 may be formed of a metal such as Ti, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Can be selected from among the optional alloys.

상기 발광 소자(101)의 표면에 절연층이 더 형성될 수 있으며, 상기 절연층은 발광 구조물(150)의 층간 쇼트(short)를 방지하고, 습기 침투를 방지할 수 있다.An insulating layer may further be formed on the surface of the light emitting device 101. The insulating layer may prevent a short between layers of the light emitting structure 150 and prevent moisture penetration.

실시 예에 따른 발광 모듈은 휴대 단말기, 컴퓨터 등의 백라이트 유닛 뿐만 아니라, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판, 가로등 등의 조명 장치에 적용될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 탑 뷰 타입의 발광 모듈에는 상기 도광판을 배치하지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 상기 발광 모듈 위에 렌즈 또는 유리와 같은 투광성 물질이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The light emitting module according to the embodiment can be applied not only to a backlight unit such as a portable terminal and a computer, but also to an illumination device such as an illumination light, a traffic light, a vehicle headlight, an electric signboard, a streetlight, and the like. Also, the light guide plate may not be disposed in the top view type light emitting module, but the present invention is not limited thereto. Further, a light transmitting material such as a lens or glass may be disposed on the light emitting module, but the present invention is not limited thereto.

상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이며, 이 또한 첨부된 청구범위에 기재된 기술적 사상에 속한다 할 것이다.The present invention is not limited to the above-described embodiment and the attached drawings, but is defined by the appended claims. It will be apparent to those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims, As will be described below.

100: 표시장치 10: 표시 패널
20: 백라이트 유닛 30, 30A, 30B, 30C, 30D:발광 모듈
32,32-1,32-2: 모듈 기판 34,44,54: 발광 소자
36,36A: 방열 플레이트 36-1: 제1프레임부
36-2: 제2프레임부 36-3: 제3프레임부
45: 반사 부재 60: 광학 시트
70: 도광판 361,364,365: 돌기
321,321-1,321-2: 돌기 구멍100: display device 10: display panel
20: backlight unit 30, 30A, 30B, 30C, 30D: light emitting module
32, 32-1, 32-2: module substrate 34, 44, 54:
36, 36A: heat radiation plate 36-1: first frame portion
36-2: second frame part 36-3: third frame part
45: reflective member 60: optical sheet
70: light guide plate 361, 364, 365:
321, 321-1, 321-2:

Claims (29)

제1면에 복수의 제1패드 및 제2패드와, 제1축 방향으로 복수의 돌기 구멍이 배치된 모듈 기판;
상기 모듈 기판의 돌기 구멍에 삽입되는 복수의 돌기를 포함하는 방열 플레이트; 및
상기 방열 플레이트의 돌기에 연결된 방열 프레임을 갖고, 상기 모듈 기판의 제1패드 및 제2패드에 연결된 복수의 발광 소자를 포함하며,
상기 방열 플레이트는 상기 복수의 돌기를 갖는 제1프레임부 및 상기 제1프레임부로부터 절곡된 제2프레임부를 포함하며,
상기 방열 플레이트의 제1축 방향의 길이는 상기 모듈 기판의 제1축 방향의 길이보다 더 길게 배치되며,
상기 제2프레임부의 너비는 상기 제1프레임부의 너비 이상이며,
상기 제1프레임부의 너비 방향과 상기 제2프레임부의 너비 방향은 상기 제1축 방향에 대해 서로 수직한 방향이며,
상기 모듈 기판은 상기 방열 플레이트의 제2프레임부으로부터 이격되게 배치되며,
상기 방열 플레이트는 금속 플레이트이며,
상기 제2프레임부의 너비는 상기 모듈 기판의 너비보다 더 넓게 배치되는 발광 모듈.A module substrate on which a plurality of first pads and second pads are arranged on a first surface, and a plurality of protrusion holes are arranged in a first axis direction;
A heat dissipation plate including a plurality of protrusions inserted into protrusion holes of the module substrate; And
And a plurality of light emitting elements having a heat radiation frame connected to the protrusions of the heat dissipation plate and connected to first and second pads of the module substrate,
Wherein the heat dissipation plate includes a first frame portion having the plurality of projections and a second frame portion bent from the first frame portion,
The length of the heat dissipation plate in the first axial direction is longer than the length of the module substrate in the first axial direction,
The width of the second frame part is not smaller than the width of the first frame part,
The width direction of the first frame part and the width direction of the second frame part are perpendicular to each other with respect to the first axis direction,
Wherein the module substrate is disposed apart from the second frame portion of the heat dissipation plate,
The heat dissipation plate is a metal plate,
And the width of the second frame portion is larger than the width of the module substrate. 제1항에 있어서, 상기 모듈 기판의 돌기 구멍은 상기 제1패드 및 제2패드 사이에 배치되는 발광 모듈. The light emitting module according to claim 1, wherein protrusion holes of the module substrate are disposed between the first pad and the second pad. 제1항에 있어서, 상기 모듈 기판은 수지계 기판을 포함하는 발광 모듈.The light emitting module according to claim 1, wherein the module substrate comprises a resin-based substrate. 제1항에 있어서, 상기 방열 플레이트의 복수의 돌기들 중 적어도 하나는 상기 각 발광 소자 아래에 배치되는 발광 모듈.The light emitting module of claim 1, wherein at least one of the plurality of protrusions of the heat dissipating plate is disposed under each light emitting element. 제1항에 있어서, 상기 방열 플레이트의 돌기는 상기 모듈 기판의 두께와 동일한 높이로 돌출되는 발광 모듈.The light emitting module according to claim 1, wherein protrusions of the heat dissipation plate are protruded at the same height as the thickness of the module substrate. 제1항에 있어서, 상기 방열 플레이트의 돌기의 상면과 상기 모듈 기판의 제1면과의 단차는 ±50㎛ 범위로 형성되는 발광 모듈.The light emitting module according to claim 1, wherein a step difference between an upper surface of the projection of the heat dissipation plate and a first surface of the module substrate is within a range of +/- 50 mu m. 제1항에 있어서, 상기 방열 플레이트의 돌기는 상기 발광 소자의 방열 프레임과 적어도 60% 이상으로 대면하는 발광 모듈.The light emitting module according to claim 1, wherein protrusions of the heat dissipation plate face the heat dissipation frame of the light emitting device at least 60% or more. 제1항에 있어서, 상기 방열 플레이트의 돌기와 상기 발광 소자의 방열 프레임 사이에 접합 부재를 더 포함하는 발광 모듈.The light emitting module according to claim 1, further comprising a joining member between the protrusion of the heat dissipating plate and the heat dissipating frame of the light emitting device. 제8항에 있어서, 상기 접합 부재는 솔더 또는 전도성 테이프인 발광 모듈.The light emitting module according to claim 8, wherein the joining member is a solder or a conductive tape. 제8항에 있어서, 상기 접합 부재의 일부는 상기 방열 플레이트의 돌기의 측면 및 상기 모듈 기판의 돌기 구멍에 더 배치되는 발광 모듈.The light emitting module according to claim 8, wherein a part of the joining member is further disposed on the side surface of the projection of the heat dissipating plate and the projection hole of the module substrate. 제1면에 복수의 제1패드 및 제2패드와, 제1축 방향으로 복수의 돌기 구멍이 배치된 모듈 기판;
상기 모듈 기판의 돌기 구멍에 삽입되는 복수의 돌기를 포함하는 방열 플레이트; 및
상기 방열 플레이트의 돌기에 연결된 방열 프레임을 갖고, 상기 모듈 기판의 제1패드 및 제2패드에 연결된 복수의 발광 소자를 포함하며,
상기 방열 플레이트는 상기 복수의 돌기를 갖는 제1프레임부 및 상기 제1프레임부로부터 절곡된 제2프레임부를 포함하며,
상기 방열 플레이트의 제1축 방향의 길이는 상기 모듈 기판의 제1축 방향의 길이보다 더 길게 배치되며,
상기 제2프레임부의 너비는 상기 제1프레임부의 너비 이상이며,
상기 제1프레임부의 너비 방향과 상기 제2프레임부의 너비 방향은 상기 제1축 방향에 대해 서로 수직한 방향이며,
상기 모듈 기판은 상기 방열 플레이트의 제2프레임부으로부터 이격되게 배치되며,
상기 방열 플레이트는 상기 돌기의 반대측에 오목한 홈을 포함하는 발광 모듈.A module substrate on which a plurality of first pads and second pads are arranged on a first surface, and a plurality of protrusion holes are arranged in a first axis direction;
A heat dissipation plate including a plurality of protrusions inserted into protrusion holes of the module substrate; And
And a plurality of light emitting elements having a heat radiation frame connected to the protrusions of the heat dissipation plate and connected to first and second pads of the module substrate,
Wherein the heat dissipation plate includes a first frame portion having the plurality of projections and a second frame portion bent from the first frame portion,
The length of the heat dissipation plate in the first axial direction is longer than the length of the module substrate in the first axial direction,
The width of the second frame part is not smaller than the width of the first frame part,
The width direction of the first frame part and the width direction of the second frame part are perpendicular to each other with respect to the first axis direction,
Wherein the module substrate is disposed apart from the second frame portion of the heat dissipation plate,
Wherein the heat dissipation plate includes a concave groove on an opposite side of the projection. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 방열 플레이트는 상기 돌기의 반대측에 오목한 홈을 포함하는 발광 모듈.11. The light emitting module according to any one of claims 1 to 10, wherein the heat dissipation plate includes a concave groove on an opposite side of the projection. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 모듈 기판의 두께는 400㎛±50㎛ 범위를 갖는 발광 모듈.The light emitting module according to claim 5 or 6, wherein the thickness of the module substrate has a range of 400 mu m +/- 50 mu m. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 방열 플레이트의 제2프레임부의 너비는 6mm 내지 20mm의 범위를 갖는 발광 모듈.12. The light emitting module according to any one of claims 1 to 11, wherein a width of the second frame portion of the heat dissipation plate is in a range of 6 mm to 20 mm. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2프레임부의 면적이 상기 제1프레임부의 면적보다 더 넓은 발광 모듈.The light emitting module according to any one of claims 1 to 11, wherein an area of the second frame part is larger than an area of the first frame part. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2프레임부는 상기 제1프레임부에 대해 직각으로 절곡되는 발광 모듈.12. The light emitting module according to any one of claims 1 to 11, wherein the second frame portion is bent at a right angle with respect to the first frame portion. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 방열 플레이트는 Al 플레이트인 발광 모듈.The light emitting module according to any one of claims 1 to 11, wherein the heat dissipation plate is an Al plate. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발광 소자는 캐비티가 형성된 몸체; 상기 몸체 내에 배치되며 상기 모듈 기판의 제1패드와 연결된 제1리드부를 갖는 제1리드 프레임; 상기 제1리드 프레임으로부터 이격되며 상기 모듈 기판의 제2패드와 연결된 제2리드부를 갖는 제2리드 프레임; 상기 제1 및 제2리드 프레임 사이에 상기 방열 플레이트의 돌기와 연결된 제3리드부를 갖는 상기의 방열 프레임; 상기 방열 프레임 위에 발광 칩을 포함하는 발광 모듈.12. The light emitting device according to any one of claims 1 to 11, wherein the light emitting element comprises: a body formed with a cavity; A first lead frame disposed in the body and having a first lead portion connected to a first pad of the module substrate; A second lead frame spaced apart from the first lead frame and having a second lead portion connected to a second pad of the module substrate; The heat radiating frame having a third lead portion connected to the projection of the heat radiating plate between the first and second lead frames; And a light emitting chip on the heat dissipating frame. 제18항에 있어서, 상기 방열 프레임은 상기 캐비티보다 더 낮은 깊이로 오목한 캐비티를 더 포함하는 발광 모듈.19. The light emitting module of claim 18, wherein the heat radiating frame further comprises a cavity recessed to a lower depth than the cavity. 제18항에 있어서, 상기 제1리드 프레임, 상기 제2리드 프레임 및 상기 방열 프레임의 제1내지 제3리드부는 상기 캐비티가 형성된 면의 반대측 면에 배치되는 발광 모듈.The light emitting module according to claim 18, wherein the first lead frame, the second lead frame, and the first through third lead portions of the heat radiating frame are disposed on opposite sides of the cavity. 제18항에 있어서, 상기 제1리드 프레임, 상기 제2리드 프레임 및 상기 방열 프레임의 제1내지 제3리드부는 상기 캐비티가 형성된 면과 직각인 면에 배치되는 발광 모듈.The light emitting module according to claim 18, wherein the first lead frame, the second lead frame, and the first through third lead portions of the heat radiating frame are disposed on a plane perpendicular to the surface on which the cavity is formed. 청구항 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 발광 모듈;
상기 발광 모듈의 발광 소자에 대응되는 도광판; 및
상기 도광판을 수납하며 상기 발광 모듈의 방열 플레이트가 배치된 바텀 커버를 포함하는 라이트 유닛.A light emitting module according to any one of claims 1 to 11;
A light guide plate corresponding to the light emitting element of the light emitting module; And
And a bottom cover accommodating the light guide plate and having a heat radiation plate of the light emission module disposed therein. 제22항에 있어서, 상기 바텀 커버의 제1측면부와 상기 방열 플레이트의 제1프레임부 사이에 접착 부재를 더 포함하는 라이트 유닛.23. The light unit according to claim 22, further comprising an adhesive member between a first side portion of the bottom cover and a first frame portion of the heat radiating plate. 제23항에 있어서, 상기 바텀 커버의 바닥부에는 상기 방열 플레이트의 제2프레임부가 배치된 오목부를 포함하는 라이트 유닛.24. The light unit according to claim 23, wherein a bottom portion of the bottom cover includes a concave portion in which a second frame portion of the heat radiation plate is disposed. 제22항에 있어서, 상기 방열 플레이트는 상기 제2프레임부와 대향되는 제3프레임부를 더 포함하는 라이트 유닛.23. The light unit of claim 22, wherein the heat dissipation plate further comprises a third frame portion facing the second frame portion. 제1면에 복수의 제1패드 및 제2패드와, 복수의 돌기 구멍을 포함하는 제1모듈 기판;
제1면에 복수의 제1패드 및 제2패드와, 복수의 돌기 구멍을 포함하는 제2모듈 기판;
상기 제1모듈 기판의 돌기 구멍에 삽입되는 복수의 제1돌기를 포함하는 제1프레임부; 및 상기 제1프레임부로부터 절곡되며 상기 제2모듈 기판의 돌기 구멍에 삽입되는 복수의 제2돌기를 포함하는 제2프레임부를 포함하는 방열 플레이트;
상기 방열 플레이트의 제1돌기에 연결된 방열 프레임을 갖고, 상기 제1모듈 기판의 제1패드 및 제2패드에 연결된 복수의 제1발광 소자; 및
상기 방열 플레이트의 제2돌기에 연결된 방열 프레임을 갖고, 상기 제2모듈 기판의 제1패드 및 제2패드에 연결된 복수의 제2발광 소자를 포함하는 발광 모듈.A first module substrate including a plurality of first pads and second pads on a first surface, and a plurality of protrusion holes;
A second module substrate including a plurality of first pads and second pads on a first surface, and a plurality of protrusion holes;
A first frame part including a plurality of first projections inserted into the projection holes of the first module substrate; And a second frame part including a plurality of second protrusions bent from the first frame part and inserted into protrusion holes of the second module substrate;
A plurality of first light emitting devices having a heat radiation frame connected to first protrusions of the heat dissipation plate, the first light emitting devices being connected to first and second pads of the first module substrate; And
And a plurality of second light emitting devices having a heat radiation frame connected to a second projection of the heat dissipation plate and connected to first and second pads of the second module substrate. 제26항에 있어서, 상기 방열 플레이트는 상기 제2프레임부와 대향되는 제3프레임부를 더 포함하는 발광 모듈.27. The light emitting module of claim 26, wherein the heat dissipation plate further includes a third frame portion facing the second frame portion. 제26항 또는 제27항에 있어서, 상기 복수의 제1발광 소자는 캐비티를 갖는 몸체 및 상기 방열 프레임 위에 제1발광 칩을 포함하며, 상기 캐비티가 형성된 면과 상기 제1모듈 기판에 대응되는 면이 서로 반대측에 배치되며,
상기 복수의 제2발광 소자는 캐비티를 갖는 몸체 및 상기 방열 프레임 위에 제2발광 칩을 포함하며, 상기 캐비티가 형성된 면과 상기 제2모듈 기판에 대응되는 면이 서로 직각으로 배치된 발광 모듈.28. The light emitting device as claimed in claim 26 or 27, wherein the plurality of first light emitting elements comprises a body having a cavity and a first light emitting chip on the heat radiating frame, Are disposed on opposite sides of each other,
Wherein the plurality of second light emitting devices include a body having a cavity and a second light emitting chip on the heat dissipating frame, wherein a surface of the cavity and a surface of the second module substrate are perpendicular to each other. 청구항 제26항의 발광 모듈;
상기 발광 모듈의 제1 및 제2발광 소자에 대응되는 도광판; 및
상기 도광판을 수납하며 상기 발광 모듈의 방열 플레이트가 배치된 바텀 커버를 포함하며,
상기 바텀 커버의 바닥부에는 상기 방열 플레이트의 제2프레임부가 배치된 오목부를 포함하는 라이트 유닛.A light emitting module according to claim 26;
A light guide plate corresponding to the first and second light emitting elements of the light emitting module; And
And a bottom cover for accommodating the light guide plate and having a heat radiation plate of the light emission module disposed therein,
And a bottom portion of the bottom cover includes a concave portion in which a second frame portion of the heat radiating plate is disposed.
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