KR20170090094A - 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 발광 장치 - Google Patents

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Abstract

실시 예에 개시된 발광 소자 패키지는, 제1측면부; 상기 제1측면부의 반대측 제2측면부, 상기 제1 및 제2측면부에 인접하며 서로 대응되는 제3 및 제4측면부, 및 전면부의 일부가 오픈된 캐비티를 갖는 몸체; 상기 캐비티의 바닥에 배치된 제1리드부, 상기 제1리드부에 연결되며 상기 몸체의 제1측면부의 제1본딩 영역으로 절곡된 제1본딩부, 상기 제1본딩부로부터 상기 제3측면부의 수납 영역으로 절곡된 제1방열부를 갖는 제1리드 프레임; 상기 캐비티의 바닥에 상기 제1리드부로부터 이격된 제2리드부, 상기 제2리드부에 연결되며 상기 몸체의 제1측면부의 제2본딩 영역으로 절곡된 제2본딩부, 상기 제2본딩부로부터 상기 제4측면부의 수납 영역으로 절곡된 제2방열부를 갖는 제2리드 프레임; 및 상기 캐비티에 배치된 발광 칩을 포함하며, 상기 몸체의 제3측면부 및 제4측면부의 수납 영역은 상기 제3측면부의 수직한 측면에 대해 제1각도로 경사진 제1영역, 및 상기 제1영역으로부터 상기 제1각도보다 작은 제2각도로 경사진 제2영역을 포함하며, 상기 제1리드 프레임의 제1방열부는 상기 제3측면부의 제2영역 상에 배치되며, 상기 제2리드 프레임의 제2방열부는 상기 제4측면부의 제2영역 상에 배치된다.

Description

발광 소자 패키지 및 이를 구비한 발광 장치{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHT EMITTING APPARATUS HAVING THE SAME}
실시 예는 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 발광 장치에 관한 것이다.
발광 소자 패키지는 예컨대, 발광 다이오드(Light Emitting Diode)를 갖는 소자일 수 있으며, 상기 발광 다이오드는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.
발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생성하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.
또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.
이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다.
실시 예는 사이드 뷰 타입의 발광 소자 패키지를 제공한다.
실시 예는 몸체의 하면 영역 중 리드 프레임의 패드들 사이를 지지하는 지지부를 갖는 발광 소자를 제공한다.
실시 예는 몸체의 후면부의 양 측면이 다단 경사진 발광 소자를 제공한다.
실시 예는 몸체의 후면부의 양 측면에 각 리드 프레임의 본딩부로부터 절곡된 방열부가 밀착되도록 한 발광 소자를 제공한다.
실시 예에 개시된 발광 소자 패키지는, 몸체, 제1,2리드 프레임 및 발광 칩이 배치되며, 상기 몸체는, 제1측면부; 상기 제1측면부의 반대측 제2측면부, 상기 제1 및 제2측면부에 인접하며 서로 대응되는 제3 및 제4측면부, 및 전면부의 일부가 오픈된 캐비티를 구비한다. 상기 제1리드 프레임은 상기 캐비티의 바닥에 배치된 제1리드부, 상기 제1리드부에 연결되며 상기 몸체의 제1측면부의 제1본딩 영역으로 절곡된 제1본딩부, 상기 제1본딩부로부터 상기 제3측면부의 수납 영역으로 절곡된 제1방열부를 갖는다. 상기 제2리드 프레임은, 상기 캐비티의 바닥에 상기 제1리드부로부터 이격된 제2리드부, 상기 제2리드부에 연결되며 상기 몸체의 제1측면부의 제2본딩 영역으로 절곡된 제2본딩부, 상기 제2본딩부로부터 상기 제4측면부의 수납 영역으로 절곡된 제2방열부를 갖는다. 상기 몸체의 제3측면부 및 제4측면부의 수납 영역은 상기 제3측면부의 수직한 측면에 대해 제1각도로 경사진 제1영역, 및 상기 제1영역으로부터 상기 제1각도보다 작은 제2각도로 경사진 제2영역을 포함하며, 상기 제1리드 프레임의 제1방열부는 상기 제3측면부의 제2영역 상에 배치되며, 상기 제2리드 프레임의 제2방열부는 상기 제4측면부의 제2영역 상에 배치된다.
실시 예는 발광 소자 패키지에서 몸체의 들뜸을 방지할 수 있다.
실시 예는 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 발광 장치의 휘도 저하를 개선할 수 있다.
실시 예는 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 발광 장치의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
도 1은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 몸체를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 도 1의 발광 소자 패키지의 A-A측 단면도이다.
도 4는 도 3의 몸체를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 도 1의 발광 소자 패키지의 B-B측 단면도이다.
도 6은 도 1의 발광 소자 패키지의 저면도이다.
도 7은 도 6의 부분 확대도이다.
도 8은 도 1의 발광 소자 패키지의 좌 측면도이다.
도 9는 도 1의 발광 소자 패키지의 우 측면도이다.
도 10은 도 1의 발광 소자 패키지의 배면도이다.
도 11 및 도 12는 발광 소자 패키지에서 노치를 갖는 리드 프레임 및 그 벤딩 과정을 설명한 도면이다.
도 13 및 도 14는 발광 소자 패키지에서 노치를 갖는 리드 프레임 및 그 벤딩 과정을 설명한 도면이다.
도 15는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 갖는 발광 장치를 나타낸 측 면도이다.
도 16은 도 15의 발광 장치의 다른 측 단면도이다.
도 17은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 발광 칩의 예를 나타낸 도면이다.
도 18은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 갖는 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
본 명세서에 기재된 실시 예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시 예이며, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것이 아니므로, 본 출원 시점에서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을수 있다. 본 명세서 전체에 걸쳐 "전방" 또는 "전면"은 Z축방향에서 패키지를 바라본 방향을 나타내며, "후방" 또는 "후면"은 -Z축방향에서 패키지를 바라본 방향을 나타내며, "좌측", 및 "우측"은 -X축방향에서 패키지를 바라본 방향 및 X축방향에서 패키지를 바라본 방향을 나타내는데 사용될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 설명한다.
도 1은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 평면도이고, 도 2는 도 1의 몸체를 설명하기 위한 도면이며, 도 3은 도 1의 발광 소자 패키지의 A-A측 단면도이고, 도 4는 도 3의 몸체를 설명하기 위한 도면이며, 도 5는 도 1의 발광 소자 패키지의 B-B측 단면도이고, 도 6은 도 1의 발광 소자 패키지의 저면도이며, 도 7은 도 6의 부분 확대도이고, 도 8은 도 1의 발광 소자 패키지의 좌 측면도이며, 도 9는 도 1의 발광 소자 패키지의 우 측면도이고, 도 10은 도 1의 발광 소자 패키지의 배면도이다.
도 1 내지 도 10을 참조하면, 발광 소자 패키지(100)는 캐비티(20)를 갖는 몸체(10), 상기 캐비티(20) 내에 복수의 리드 프레임(30,40), 및 상기 복수의 리드 프레임(30,40) 중 적어도 하나의 위에 배치된 발광 칩(101)을 포함한다. 이러한 발광 소자 패키지(100)는 측면 발광형 패키지로 구현될 수 있으며, 휴대 전화기와 휴대 컴퓨터 등의 액정표시장치, 각 종 조명 분야, 및 지시 장치 등에 적용될 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 발광 소자 패키지(100)는 제1축(X) 방향의 길이(D1)가 제2축(Y) 방향의 두께(T1)보다 3배 이상 예컨대, 4배 이상일 수 있다. 상기 제1축(X) 방향의 길이(D1)는 2.5mm 이상 예컨대, 2.7mm 내지 4.5mm 범위일 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(100)는 제1축(X) 방향의 길이(D1)를 길게 제공함으로써, 제1축(X) 방향으로 상기 발광 소자 패키지(100)들을 배열될 때, 발광 소자 패키지(100)의 개수를 줄여줄 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(100)는 두께(T1)를 상대적으로 얇게 제공할 수 있어, 상기 발광 소자 패키지(100)를 갖는 라이트 유닛의 두께를 줄여줄 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(100)의 두께(T1)는 1mm 이하일 수 있다.
상기 발광 소자 패키지(100)의 제1축(X) 방향의 길이(D1)는 상기 몸체(10)의 길이(D2)보다 클 수 있으며, 두께(T1)는 상기 몸체(10)의 두께 예컨대, 몸체(10)의 제2축(Y) 방향의 두께와 같을 수 있다. 상기 몸체(10)의 길이(D2)는 상기 몸체(10)의 두께에 비해 3배 이상일 수 있다.
상기 몸체(10)는 바닥에 리드 프레임(30,40)이 노출된 캐비티(20)를 갖는 제1몸체(10A), 상기 제1몸체(10A)를 지지하는 제2몸체(10B)를 포함한다. 상기 제1몸체(10A)는 상부 몸체이거나 전방 몸체일 수 있으며, 상기 제2몸체(10B)는 하부 몸체이거나 후방 몸체일 수 있다. 상기 제1몸체(10A)는 리드 프레임(30,40)을 기준으로 전방 영역이고, 상기 제2몸체(10B)는 리드 프레임(30,40)을 기준으로 후방 영역일 수 있다. 상기 제1,2몸체(10A,10B)는 일체로 형성될 수 있다. 상기 몸체(10)에는 복수의 리드 프레임(30,40) 예컨대, 제1리드 프레임(30), 및 제2리드 프레임(40)이 결합된다.
상기 몸체(10)는 절연 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(10)는 반사 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(10)는 발광 칩으로부터 방출된 파장에 대해, 반사율이 투과율보다 더 높은 물질 예컨대, 70% 이상의 반사율을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(10)는 반사율이 70% 이상인 경우, 비 투광성의 재질 또는 반사 재질로 정의될 수 있다. 상기 몸체(10)는 수지 계열의 절연 물질 예컨대, 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(10)는 실리콘 계열, 또는 에폭시 계열, 또는 플라스틱 재질을 포함하는 열 경화성 수지, 또는 고내열성, 고 내광성 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(10)는 백색 계열의 수지를 포함한다. 상기 몸체(10) 내에는 산무수물, 산화 방지제, 이형재, 광 반사재, 무기 충전재, 경화 촉매, 광 안정제, 윤활제, 이산화티탄 중에서 선택적으로 첨가될 수 있다. 함유하고 있다. 상기 몸체(10)는 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종에 의해 성형될 수 있다. 예를 들면, 트리글리시딜이소시아누레이트, 수소화 비스페놀 A 디글리시딜에테르 등으로 이루어지는 에폭시 수지와, 헥사히드로 무수 프탈산, 3-메틸헥사히드로 무수 프탈산4-메틸헥사히드로 무수프탈산 등으로 이루어지는 산무수물을, 에폭시 수지에 경화 촉진제로서 DBU(1,8-Diazabicyclo(5,4,0)undecene-7), 조촉매로서 에틸렌 그리콜, 산화티탄 안료, 글래스 섬유를 첨가하고, 가열에 의해 부분적으로 경화 반응시켜 B 스테이지화한 고형상 에폭시 수지 조성물을 사용할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몸체(10)는 열 경화성 수지에 확산제, 안료, 형광 물질, 반사성 물질, 차광성 물질, 광 안정제, 윤활제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 적절히 혼합하여도 된다.
상기 몸체(10)는 반사 물질 예컨대, 금속 산화물이 첨가된 수지 재질을 포함할 수 있으며, 상기 금속 산화물은 TiO2, SiO2, Al2O3중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이러한 몸체(10)는 입사되는 광을 효과적으로 반사시켜 줄 수 있다. 다른 예로서, 상기 몸체(10)는 투광성의 수지 물질 또는 입사 광의 파장을 변환시키는 형광체를 갖는 수지 물질로 형성될 수 있다.
도 1, 2를 참조하면, 상기 몸체(10)의 측면들을 보면, 제1측면부(11) 및 상기 제1측면부(11)의 반대측 제2측면부(12), 상기 제1,2측면부(11,12)에 인접하며 서로 반대측에 배치된 제3,4측면부(13,14)를 포함할 수 있다. 상기 제1,2측면부(11,12)는 제2축(Y) 방향에 대해 서로 대응되며, 제3,4측면부(13,14)는 제1축(X) 방향에 대해 서로 대응될 수 있다. 상기 제1측면부(11)는 상기 몸체(10)의 바닥이며, 상기 제2측면부(12)는 상기 몸체(10)의 상면일 수 있으며, 상기 제1,2측면부(11,12)는 몸체(10)의 길이(D2)를 갖는 장 측면일 수 있으며, 상기 제3,4측면부(13,14)는 상기 몸체(10)의 두께(T1)보다 얇은 두께(T2)를 갖는 단 측면일 수 있다. 상기 몸체(10)의 제1측면부(11)는 회로 보드와 대응되는 측면일 수 있다.
상기 몸체(10)는 도 3,4와 같이, 전면부(15)와 후면부(16)를 구비할 수 있으며, 상기 전면부(15)는 상기 캐비티(20)가 배치되는 면일 수 있으며, 광이 출사되는 면일 수 있다. 상기 후면부(16)는 상기 전면부(15)의 반대측 면일 수 있다. 상기 후면부(16)는 제1후면부(16A) 및 제2후면부(16B)를 포함하며, 상기 제1후면부(16A)와 제2후면부(16B) 사이에 게이트(gate)부(16C)를 포함할 수 있다. 상기 게이트부(16C)는 상기 제1,2후면부(16A,16B) 사이에서 상기 제1,2후면부(16A,16B)보다 캐비티 방향으로 함몰될 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 몸체(10)의 제1측면부(11)의 후방 영역(11-1)은 후면부(16)에 인접한 영역으로서, 편평한 영역으로 배치될 수 있으며, 상기 제1측면부(11)의 수평한 평면과 평행하게 배치될 수 있다. 이는 제1측면부(11) 및 그 후방 영역(11-1)이 평탄한 면으로 제공됨으로써, 제1측면부(11)에 의해 몸체(10)의 전면부(15)가 들뜨는 문제를 방지할 수 있다. 여기서, 상기 후방 영역(11-1)은 제1측면부(11)로부터 0.05mm 이하로 단차진 평면으로 제공될 수 있다.
상기 몸체(10)의 제2측면부(12)의 후방 영역(12-1)은 평탄한 영역으로 배치될 수 있으며, 상기 제2측면부(12)의 수평한 평면과 평행하게 배치될 수 있다. 이는 제2측면부(12) 및 그 후방 영역(12-1)이 평탄한 면으로 제공됨으로써, 제2측면부(12) 상에 배치되는 다른 구조물에 영향을 주는 것을 방지할 수 있다.
상기 제1측면부(11)의 후방 영역(11-1) 및 상기 제2측면부(12)의 후방 영역(12-1)은 상기 몸체(10)의 영역 중에서 상기 제1,2리드 프레임(30,40)의 제1,2리드부(31,41)보다 후방에 배치된 영역일 수 있다.
상기 제1측면부(11)의 후방 영역(11-1) 및 상기 제2측면부(12)의 후방 영역(12-1)의 너비(B0, 도 4의 B1+B2)는 상기 몸체(10)의 전면부(15)와 후면부(16) 사이의 거리 예컨대, 몸체 너비(도 3의 H1)의 50% 이하 예컨대, 45% 내지 50% 범위일 수 있다. 상기 제1측면부(11)의 후방 영역(11-1)과 상기 제2측면부(12)의 후방 영역(12-1)이 상기 범위보다 작은 경우 제1,2리드 프레임(30,40)의 제1,2본딩부(32,42)의 본딩 면적 확보가 어렵고 상기 범위보다 큰 경우 몸체(10)의 전면부(15)가 들뜨는 문제가 발생될 수 있다.
상기 제1리드 프레임(30)은 상기 캐비티(20)의 바닥에 배치된 제1리드부(31), 상기 몸체(10)의 제1측면부(11)의 제1외곽 영역(11A,11C)에 배치된 제1본딩부(32), 상기 몸체(10)의 제3측면부(13) 상에 배치된 제1방열부(33)를 포함한다. 상기 제1본딩부(32)는 상기 몸체(10) 내에서 상기 제1리드부(31)로부터 절곡되고 상기 제1측면부(11)로 돌출되며, 상기 제1방열부(33)는 상기 제1본딩부(32)로부터 절곡될 수 있다. 상기 제1측면부(11)의 제1외곽 영역(11A,11C)은 상기 몸체(10)의 제3측면부(13)에 인접한 영역일 수 있다.
상기 제2리드 프레임(40)은 상기 캐비티(20)의 바닥에 배치된 제2리드부(41), 상기 몸체(10)의 제1측면부(11)의 제2외곽 영역(11B,11D)에 배치된 제2본딩부(42), 상기 몸체(10)의 제4측면부(14)에 배치된 제2방열부(43)를 포함한다. 상기 제2본딩부(42)는 상기 몸체(10) 내에서 상기 제2리드부(41)로부터 절곡되며, 상기 제2방열부(43)는 상기 제2본딩부(42)로부터 절곡될 수 있다. 상기 제1측면부(11)의 제2외곽 영역(11B,11D)은 상기 몸체(10)의 제4측면부(14)에 인접한 영역일 수 있다.
상기 제1,2리드부(31,41) 사이의 간극부(17)는 상기 몸체(10)의 재질로 형성될 수 있으며, 상기 캐비티(20)의 바닥과 동일한 수평 면이거나 돌출될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1외곽 영역(11A,11C)과 제2외곽 영역(11B,11D)은 경사진 영역(11A,11B)과 평탄한 영역(11C,11D)을 가질 수 있으며, 상기 경사진 영역(11A,11B)을 통해 제1,2리드 프레임(30,40)의 제1,2본딩부(32,42)가 돌출될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
여기서, 상기 발광 칩(71)은 예컨대, 제1리드 프레임(30)의 제1리드부(31) 상에 배치될 수 있으며, 제1,2리드부(31,41)에 와이어(72,73)로 연결되거나, 제1리드부(31)에 접착제로 연결되고 제2리드부(41)에 와이어로 연결될 수 있다. 이러한 발광 칩(71)은 수평형 칩, 수직형 칩, 비아 구조를 갖는 칩일 수 있다. 상기 발광 칩(71)은 플립 칩 방식으로 탑재될 수 있다. 상기 발광 칩(71)은 자외선 내지 가시광선의 파장 범위 내에서 선택적으로 발광할 수 있다. 상기 발광 칩(71)은 예컨대, 자외선 또는 청색 피크 파장을 발광할 수 있다. 상기 발광 칩(71)은 II-VI족 화합물 및 III-V족 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 발광 칩(71)은 예컨대, GaN, AlGaN, InGaN, AlInGaN, GaP, AlN, GaAs, AlGaAs, InP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 화합물로 형성될 수 있다.
도 2를 참조하면, 상기 캐비티(20)의 바닥을 보면, 캐비티(20)의 센터 영역(A1)의 너비(T3)는 사이드 영역(A2,A3)의 너비보다는 넓을 수 있다. 상기 캐비티(20)의 바닥에서 센터 영역(A1)은 일정한 너비(T3)를 가지고 있어, 일정 크기 이상의 발광 칩(71)을 배치할 수 있다. 상기 사이드 영역(A2,A3)은 제3,4측면부(13,14)에 인접한 영역이며, 상기 제3,4측면부(13,14)에 인접한 영역일수록 너비가 좁아질 수 있다. 상기 사이드 영역(A2,A3)은 너비(T3)보다 좁은 너비를 갖거나 점차 좁아지거나, 곡선을 갖는 영역을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 캐비티(20)에서 센터 영역(A1)의 직선 구간은 캐비티(20)의 제2내 측면(22)이 제1내 측면(21)보다 더 길게 제공될 수 있으며, 이는 제2내측면(22)의 방향으로 진행하는 광은 차단하고 제1내측면(21) 방향으로 진행하는 광은 측 방향으로 가이드될 수 있다.
상기 캐비티(20)의 바닥에서 상기 제1리드 프레임(30)의 제1리드부(31)의 면적은 상기 제2리드부(41)의 면적보다 클 수 있으며, 이러한 제1리드부(31) 상에 발광 칩(71)이 배치될 수 있어, 상기 발광 칩(71)을 통해 발생된 열을 효과적으로 방열할 수 있다.
도 2, 3, 5와 같이, 상기 캐비티(20)의 내 측면을 보면, 상기 캐비티(20)의 둘레에 배치된 제1,2,3,4내측면(21,22,23,24)은 리드 프레임(30,40)의 상면의 수평한 직선에 대해 경사질 수 있다. 상기 제1측면부(11)에 인접한 제1내측면(21)과 상기 제2측면부(12)에 인접한 제2내측면(22)은 상기 캐비티(20)의 바닥에 대해 각도로 경사지며, 상기 제3측면부(13)에 인접한 제3내측면(23)과 상기 제4측면부(14)에 인접한 제4내측면(14)은 경사지되, 상기 제1,2내 측면(21,22)의 경사각도보다 작은 각도로 경사질 수 있다. 이에 따라 상기 제1,2내 측면(21,22)은 입사되는 광의 제2축(Y) 방향으로의 진행하는 것을 반사하고, 상기 제3,4내 측면(23,24)은 입사되는 광을 제1축(X) 방향으로 확산시켜 줄 수 있다.
상기 캐비티(20)의 내 측면(21,22,23,24)은 도 3,5와 같이, 몸체(10)의 전면부(15)로부터 수직하게 단차진 영역(25)을 구비할 수 있다. 상기 단차진 영역(25)은 몸체(10)의 전면부(15)와 내측면(21,22,23,24) 사이에 단차지게 배치될 수 있다. 상기 단차진 영역(25)은 상기 캐비티(20)을 통해 방출된 광의 지향 특성을 제어할 수 있다.
도 3과 같이, 상기 캐비티(20)의 깊이(H2)는 상기 몸체(10)의 너비(H1)의 1/3 이하 예컨대, 0.3mm±0.05mm 범위일 수 있다. 상기 캐비티(20)의 깊이(H2)가 상기 범위 미만인 경우 광의 지향각 제어가 어렵고 상기 범위를 초과할 경우 몸체(10)의 너비(H1)가 증가하거나 광 지향각이 좁아지는 문제가 있다.
여기서, 상기 몸체(10)의 너비(H1)는 몸체(10)의 전면부(15)와 후면부(16) 사이의 간격일 수 있다. 여기서, 상기 몸체(10)의 너비(H2)는 상기 몸체(10)의 두께(T1)보다 클 수 있으며, 상기 몸체(10)의 너비(H2)와 두께(T1)의 차이는 0.05mm 이상 예컨대, 0.05mm 내지 0.5mm 범위일 수 있고, 상기 몸체(10)의 두께(T1)가 상대적으로 두꺼울 경우 라이트 유닛의 두께를 증가시킬 수 있고, 얇을 경우 리드 프레임(30,40)이 갖는 방열 면적이 감소될 수 있다.
도 2와 같이, 상기 몸체(10)의 두께를 보면, 몸체(10)의 센터 영역의 두께(T1)보다는 제3,4측면부(13,14)에 인접한 영역의 두께(T2)가 얇을 수 있다. 이는 몸체(10)의 제1측면부(11) 중에서 상기 제3,4측면부(13,14)에 인접한 영역은 제1,2리드 프레임(30,40)의 제1,2본딩부(32,42)가 놓일 수 있도록 리세스될 수 있다.
상기 몸체(10)의 제3,4측면부(13,14)에는 내측으로 함몰된 오목부(35,45)를 가질 수 있으며, 상기 오목부(35,45)는 몸체(10)의 사출 과정에 상기 몸체(10)를 지지하는 핑거(finger)들이 삽입될 수 있다. 상기 오목부(35,45)는 상기 제1,2리드 프레임(30,40)의 제1,2리드부(31,41)가 수평하게 연장되는 연장 선 상에 배치될 수 있다. 상기 오목부(35,45)는 상기 제1,2리드부(31,41)로부터 이격되게 배치될 수 있다. 상기 오목부(35,45)의 깊이는 상기 오목부(35,45)의 일부 영역이 상기 캐비티(20) 예컨대, 상기 캐비티(20)의 일부와 수직 방향으로 오버랩될 수 있는 깊이로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 상기 몸체(10)의 제1측면부(11)에는 상기 제1리드 프레임(30)의 제1본딩부(32)와 상기 제2리드 프레임(40)의 제2본딩부(42) 사이에 플랫(flat) 영역(18,19)이 배치될 수 있다. 상기 플랫 영역(18,19)은 상기 리드 프레임(30,40)의 제1,2리드부(31,41)의 수평한 연장 선(L1)보다 후방에 배치될 수 있으며, 상기 제1측면부(11)의 평면이 수평하게 연장될 수 있다. 상기 플랫 영역(18,19)은 복수개가 서로 이격된 플랫 영역 예컨대, 제1플랫 영역(18)과 제2플랫 영역(19)을 포함하며, 상기 제1플랫 영역(18)은 제1본딩부(32)와 제2플랫 영역(19) 사이에 배치되며, 상기 제2플랫 영역(19)은 제2본딩부(42)와 제1플랫 영역(18) 사이에 배치된다. 상기 제1,2플랫 영역(18,19)은 상기 제1측면부(11)의 수평한 평면과 동일 평면일 수 있으며, 상기 제1측면부(11)의 후방에서 상기 몸체(10)가 틸트되는 것을 방지할 수 있다. 상기 제1,2플랫 영역(18,19)은 길이(D5)가 너비(D6)보다 클 수 있으며, 예컨대, 길이(D5)는 0.4mm 이상 예컨대, 0.4mm 내지 0.6mm 범위일 수 있으며, 너비(D6)는 0.15mm 이상 예컨대, 0.17mm 이상 내지 0.21mm 범위일 수 있다. 상기 제1,2플랫 영역(18,19)이 상기 범위보다 작은 경우, 발광 소자 패키지(100)의 전면부(15)가 들뜨게 되어 광 지향 특성을 변경될 수 있으며, 상기 범위보다 큰 경우 개선 정도가 미미할 수 있다. 상기 제1,2플랫 영역(18,19)의 길이(D5)는 상기 제1,2본딩부(32,42)의 폭(P2) 보다는 크게 형성되어, 몸체(10)의 바닥 센터 영역의 균형을 잡아줄 수 있다.
상기 플랫 영역(18,19)은 상기 제1측면부(11)의 영역에서 캐비티(20)에 배치된 제1리드부(31)와 대응되며, 제2리드부(41)로부터 이격될 수 있다.
상기 제1,2플랫 영역(18,19) 간의 간격(G3)은 상기 제1플랫 영역(18)과 제1본딩부(32) 사이의 간격(G2), 또는 상기 제2플랫 영역(19)과 제2본딩부(42) 사이의 간격(G2)이 동일할 수 있다. 이러한 간격(G2,G3)들을 갖는 제1,2본딩부(32,42), 및 제1,2플랫 영역(18,19)은 몸체(10)의 바닥 면이 틸트되는 것을 방지할 수 있다. 여기서, 상기 몸체(10)의 제1측면부(11)에서의 상기 간격(G2,G3)의 비율을 보면, G2:G3는 1:1 내지 2:1 범위이거나 상기 G3≤G2의 조건을 만족할 수 있다. 이러한 제1,2플랫 영역(18,19) 간의 간격(G3)은 상기 제1,2플랫 영역(18,19)의 길이(D5)가 증가되면 감소될 수 있으며, 상기 본딩부(32,42)와의 간격(G2)은 본딩부(32,42)의 위치, 구조 및 너비로 인해 변경이 쉽지 않을 수 있다. 상기 제1,2플랫 영역(18,19)의 길이(D5)는 상기 간격(G2,G3)보다는 크게 예컨대, 길이(D5)는 간격(G2 또는 G3)에 비해 150% 이상 클 수 있다. 상기 제1,2플랫 영역(18,19)는 길이(D5)가 상기 간격(G2,G3)에 비해 크게 배치됨으로써, 상기 제1,2본딩부(32,42) 사이의 양 영역에서 평평한 지지부로 기능할 수 있다. 상기 제1,2플랫 영역(18,19)의 길이(D5)의 합은 몸체(10)의 길이(도 1의 D2)의 25% 이상 예컨대, 30% 이상으로 배치되어, 몸체(10)의 제1측면부(11)의 센터 영역에서의 균형을 잡아줄 수 있다.
상기 제1,2플랫 영역(18,19)은 상기 몸체(10)의 제1측면부(11)의 센터 영역에 더 인접하게 배치되고, 상기 몸체(10)의 제1측면부(11) 상에서 제1,2리드 프레임(30,40)의 제1,2본딩부(32,42) 사이의 영역에 플랫한 평면으로 배치되므로, 상기 몸체(10)가 후방으로 기우는 것을 방지할 수 있다.
상기 제1,2리드 프레임(30,40)의 제1,2본딩부(32,42)에서 플랫한 영역의 길이(P1)는 0.25mm 이상 예컨대, 0.26mm 이상으로 배치됨으로써, 상기 몸체(10)의 제1측면부(11)의 후방을 지지할 수 있고, 몸체(10)의 전면부(15)가 들뜨는 것을 방지하여, 광의 지향 특성 저하 및 휘도 저하 문제를 개선할 수 있다.
상기 몸체(11)의 제1측면부(11)을 보면, 후방 영역(11-1)의 외측에 제1,2리드 프레임(30,40)의 제1,2본딩부(32,42)가 놓이는 제1,2본딩 영역(11G,11I)이 배치되며, 상기 제1,2본딩 영역(11G,11I)과 평평한 후방 영역(11-1) 사이에는 경사진 영역(11E,11F)이 배치될 수 있다.
도 8은 도 7의 발광 소자 패키지의 C-C측 단면도이다. 도 7 및 도 8을 참조하여, 제1리드 프레임(30)의 제1본딩부(32) 및 제1방열부(33)에 대해 설명하기로 하며, 제2리드 프레임(40)의 제2본딩부(42) 및 제2방열부(43)은 제1리드 프레임(30)의 설명을 참조하기로 한다.
도 7 및 도 8과 같이, 상기 제1리드 프레임(30)의 제1본딩부(32)는 상기 제1리드부(31)로부터 소정의 각도 예컨대, 88도 내지 91도 범위의 각도로 절곡될 수 있다. 상기 제1본딩부(32)의 내 측은 상기 몸체(10)의 제1측면부(11)의 제1본딩 영역(11G)으로부터 소정 갭(G6)을 갖고 이격될 수 있으며, 예컨대, 0.03mm 이하로 밀착될 수 있다. 상기 몸체(10)의 제1본딩 영역(11G)과 상기 제1본딩부(32) 사이의 갭(G6)이 0.3mm를 초과할 경우 상기 제1본딩부(32)가 경사지게 배치되고 있고 이에 따라 상기 몸체(10)가 틸트될 문제가 발생되며, 제1방열부(33)도 몸체(10)에 밀착되지 않을 수 있다. 상기 제1리드 프레임(30)의 제1방열부(33)는 상기 제1본딩부(32)로부터 절곡되어 몸체(10)의 제3측면부(13)로 연장될 수 있다. 상기 제1방열부(33)는 상기 제1본딩부(32)로부터 89도 내지 91도의 각도(θ7)로 절곡되며, 상기 제3측면부(13)에 밀착될 수 있다.
도 4, 도 6, 도 7과 같이, 상기 몸체(10)의 제3,4측면부(13,14)의 후방에는 상기 제1,2리드 프레임(30,40)의 제1,2방열부(33,43)가 배치되는 수납 영역(13-1,14-1)이 배치되며, 이러한 제1,2방열부(33,43)는 상기 제1,2본딩부(32,42)로부터 상기 수납 영역(13-1,14-1)로 연장되어 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 몸체(10)의 제3,4측면부(13,14)의 후방 수납 영역(13-1,14-1) 각각에는 복수의 경사진 영역 예컨대, 2개 이상이 서로 다른 각도로 경사진 영역이 배치될 수 있다. 상기 수납 영역(13-1,14-1)의 경사진 영역은 제1,2본딩부(32,42)가 배치되는 평면과 다른 측면 상에 위치하며 상기 제1,2방열부(33,43)가 배치되는 영역일 수 있다.
상기 몸체(10)의 제3,4측면부(13,14)의 후방 수납 영역(13-1,14-1)을 보면, 제3측면부(13) 및 제4측면부(14)로부터 경사진 제1영역(13A,14A), 상기 제1영역(13A,14A)으로부터 경사진 제2영역(13B,14B)을 포함한다. 상기 제1영역(13A,14A)의 경사진 면은 수직한 직선에 대해 예각의 제1각도(θ2)로 배치될 수 있으며, 상기 제2영역(13B,14B)의 경사진 면은 수직한 직선에 대해 예각의 제2각도(θ3)로 배치될 수 있다. 상기 제1영역(13A,14A)은 상기 몸체(10)의 제3,4측면부(13,14)에 수직한 직선에 대해 경사지며, 상기 제2영역(13B,14B)은 상기 제1영역(13A,14A)부터 후면부(16)까지 연장될 수 있다.
상기 제1영역(13A,14A)과 제2영역(13B,14B) 사이의 각도(θ1) 예컨대, 외측 각도는 155±5도 범위일 수 있으며, 상기 제1영역(13A,14A)의 경사진 제1각도(θ2)는 상기 제2영역(13B,14B)의 경사진 제2각도(θ3<θ2)보다 클 수 있다. 상기 제1영역(13A,14A)의 제1각도(θ2)는 50도 이하 예컨대, 40도 이하일 수 있으며, 상기 제2영역(13B,14B)의 제2각도(θ3)는 20도 이하 예컨대, 15도 이하일 수 있다. 상기 제2영역(13B,14B)이 상기 제1영역(13A,14A)로부터 상기한 각도로 경사짐으로써, 상기 제2영역(13B,14B) 상을 배치되는 제1,2방열부(33,43)이 절곡된 후 제2영역(13B,14B)에 밀착될 수 있다.
상기 제3,4측면부(13,14)의 수납 영역(13-1,14-1)이 상기 몸체(10)의 후방에 배치되고, 상기 제1영역(13A,14A)이 제2영역(13B,14B)보다 큰 각도로 경사지게 제공됨으로써, 상기 제2영역(13B,14B) 상에 배치되는 제1,2방열부(33,43)가 밀착될 수 있다. 상기 제1영역(13A,14A)와 제2영역(13B,14B)은 경사진 면을 제공함으로써, 몸체(10)의 사출 성형시 성형 틀로부터 분리가 용이할 수 있다.
상기 제1영역(13A,14A)의 깊이(B3)는 상기 제2영역(13B,14B)의 깊이(B4)보다 클 수 있다. 상기 제1영역(13A,14A)의 제1깊이(B3)는 제3,4측면부(13,14)의 수직한 직선으로부터 0.13mm±0.02mm 범위이고, 상기 제2영역(13B,14B)의 제2깊이(B4)는 상기 제1영역(13A,14A)과의 경계 영역의 수직한 직선으로부터 0.05mm±0.02mm 범위일 수 있다. 상기 제1영역(13A,14A)과 상기 제2영역(13B,14B)이 상기한 제1,2깊이(B3,B4)를 가지게 되므로, 제1,2리드 프레임(30,40)의 제1,2방열부(33,43)를 밀착 수납할 수 있다. 제1,2리드 프레임(30,40)의 제1,2방열부(33,43)는 외측부가 도 1과 같이 몸체(10)의 제3,4측면부(13,14) 상에 돌출된 구조로 결합될 수 있다. 상기 제1영역(13A,14A)은 상기한 제1깊이를 갖고 경사지게 배치됨으로써, 상기 제2영역(13B,14B) 상으로 상기 제1,2방열부(33,43)가 밀착될 수 있다.
상기 제2영역(13B,14B)의 높이(B2)는 상기 제1영역(13A,14A)의 높이(B1)보다 클 수 있다. 상기 제1영역(13A,14A)의 높이(B1)는 제1,2리드부(31,41)의 후면으로부터 0.15mm±0.02mm 범위로 이격되며, 상기 제2영역(13B,14B)의 높이(B2)는 0.25mm±0.04mm 범위로 이격될 수 있다. 상기 제1영역(13A,14A)과 제2영역(13B,14B) 사이의 경계 부분은 몸체(10)의 후면부(16)로부터 0.25mm±0.04mm 범위로 이격될 수 있다. 상기 제2영역(13B,14B)의 높이(B2)는 제1영역(13A,14A)의 높이(B1<B2)보다 적어도 0.1mm 이상 크고, 도 4에 도시된 몸체(10)의 후방 영역(11-1,12-1)의 너비(B0)의 50% 이상으로 배치될 수 있다. 상기 제2영역(13B,14B)의 높이(B2)가 크고 제2깊이(B4)가 낮고 작은 각도로 경사짐으로써, 제1,2방열부(33,43)가 상기 제2영역(13B,14B) 상으로 밀착될 수 있고, 이에 따라 제1,2방열부(33,43)에 의해 제1,2본딩부(32,42)에 영향을 주는 것을 차단할 수 있다. 또한 상기 제2영역(13B,14B)에 배치되는 제1,2리드 프레임(30,40)의 제1,2방열부(33,43)의 너비도 증가될 수 있어, 방열 효율도 개선시켜 줄 수 있다.
상기 몸체(10)의 제3,4측면부(13,14)의 후방에 함몰된 수납 영역(13-1,14-1)은 적어도 2단으로 경사진 구조를 제공해 줌으로써, 1단으로 경사진 구조(도 7의 L2 라인)에 비해 상기 제1,2본딩부(32,42)와 제1,2방열부(33,43)를 몸체(10)에 더 밀착시켜 줄 수 있다. 또한 상기 적어도 2단으로 경사진 제1영역(13A,14B)와 제2영역(13B,14B)의 경계 지점을 기준으로, 상기 제1,2방열부(33,43)가 절곡됨으로써, 상기 제1,2방열부(33,43)를 상기 제1,2본딩부(32,42)로부터 직각 또는 직각에 가까운 정도로 제2영역(13B,14B)에 밀착시켜 수 있다. 이에 따라 제1,2본딩부(32,42)가 균일한 수평 면으로 배치될 수 있다. 여기서, 도 7의 L2 라인처럼, 제3측면부(13)의 후방 영역이 1단으로 경사질 경우, 제1방열부(33)와 후방 영역 간의 간격은 더 벌어질 수 있고, 이때 제1방열부(33)가 밀착되지 않아 제1방열부(33)의 절곡 후, 제1본딩부(32)의 균일한 평면에 영향을 줄 수 있는 문제가 있다.
도 9를 참조하면, 상기 제3측면부(13)의 수납 영역(13-1)에서 제1,2영역(13A,13B) 사이의 경계 부분은 상기 제1방열부(33)보다 위에 배치될 수 있다. 상기 제1방열부(33)는 상기 제1,2영역(13A,13B) 사이의 경계 부분으로부터 소정의 갭(G5) 예컨대, 0.02mm±0.01mm 범위로 이격될 수 있다. 상기 제1방열부(33)이 상기 제1,2영역(13A,13B)의 경계 부분으로부터 상기 범위보다 이격될 경우, 제1방열부(33)의 밀착 효과가 감소되고 방열 면적도 감소될 수 있다.
도 10을 참조하면, 도 10과 같이, 상기 제2리드 프레임(40)의 제2본딩부(42)는 상기 몸체(10)의 제1측면부(11)의 제2본딩 영역(11I)으로부터 소정 갭(G6)을 갖고 이격될 수 있으며, 예컨대, 0.03mm 이하로 밀착될 수 있다. 상기 몸체(10)의 제2본딩 영역(11I)과 상기 제2본딩부(42) 사이의 갭(G6)이 0.3mm를 초과할 경우 상기 제2본딩부(42)가 경사지게 배치되고 있고 이에 따라 상기 몸체(10)가 틸트될 문제가 발생되며, 제2방열부(43)도 몸체(10)에 밀착되지 않을 수 있다. 상기 제4측면부(14)의 수납 영역(14-1)에서 제1,2영역(14A,14B) 사이의 경계 부분은 상기 제2방열부(43)보다 위에 배치될 수 있다. 상기 제2방열부(43)는 상기 제1,2영역(14A,14B) 사이의 경계 부분으로부터 소정의 갭(G5) 예컨대, 0.02mm±0.01mm 범위로 이격될 수 있다. 상기 제2방열부(43)이 상기 제1,2영역(14A,14B)의 경계 부분으로부터 상기 범위보다 이격될 경우, 제2방열부(43)의 밀착 효과가 감소되고 방열 면적도 감소될 수 있다.
도 11을 참조하면, 상기 몸체(10)의 제3,4측면부(13,14)의 제2영역(13B,14B)과 상기 제1,2방열부(33,43) 사이의 최대 간격(G4)은 0.1mm 이하 예컨대, 0.08mm 이하로 배치될 수 있다. 이러한 제2영역(13B,14B)에 상기 제1,2방열부(33,43)가 밀착됨으로써, 상기 제1,2방열부(33,43)에 연결된 제1,2본딩부(32,42)와 몸체(10)와의 갭(G6)이 줄어들 수 있으며, 제1,2본딩부(32,42)가 균일한 수평 면으로 제공될 수 있다.
상기 제2리드 프레임(40)은 상기 제1리드 프레임(30)의 설명을 참조하기로 한다. 상기 제2리드 프레임(40)의 제2방열부(43)는 상기 제4측면부(14)의 제2영역(14B) 상에 밀착 배치됨으로서, 제2방열부(43)가 균일한 수평 면을 제공할 수 있다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 제1리드 프레임(30)은 제1방열부(33)와 제1본딩부(32) 사이의 경계 영역에 노치(32A)를 갖고, 상기 노치(32A)를 따라 제1방열부(33)를 제1본딩부(32)로부터 절곡시켜 줄 수 있다. 상기 노치 방향은 수직한 방향으로 배치될 수 있다. 이러한 노치(32A)에 의해 상기 제1방열부(33)는 제2영역(13B)에 보다 밀착될 수 있고, 제1본딩부(32)에 영향을 주지 않을 수 있다.
상기 제1리드 프레임(30)은 제1리드부-제1본딩부 사이의 절곡 부분에 노치를 더 가질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제2리드 프레임(40)에도 절곡 부분에 노치를 가질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 14 및 도 15을 참조하면, 제1리드 프레임(30)은 제1방열부(33)와 제1본딩부(32) 사이의 경계 영역에 노치(32B)를 갖고, 상기 노치(32B)를 따라 제1방열부(33)를 제1본딩부(32)로부터 절곡시켜 줄 수 있다. 상기 노치 방향은 상기 몸체(10)의 제3측면부(13)의 제2영역(13B)의 경사진 방향으로 배치될 수 있다. 이러한 노치(32B)에 의해 상기 제1방열부(33)는 제2영역(13B)에 보다 밀착될 수 있고, 제1본딩부(32)에 영향을 주지 않을 수 있다. 여기서, 상기 제1방열부(33)는 노치에 의해 수평한 직선에 대해 90도 미만의 각도(θ4)로 절곡될 수 있다. 상기 제1리드 프레임(30)은 제1리드부-제1본딩부 사이의 절곡 부분에 노치를 더 가질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제2리드 프레임(40)에도 절곡 부분에 노치를 가질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100)의 캐비티(20) 내에 배치된 발광 칩(101)은 하나 또는 복수로 배치될 수 있다. 상기 발광 칩(101)은 예컨대 레드 LED 칩, 블루 LED 칩, 그린 LED 칩, 엘로우 그린(yellow green) LED 칩 중에서 선택될 수 있다.
도 3 내지 도 5와 같이, 상기 몸체(11)의 캐비티(20)에는 몰딩 부재(81)가 배치되며, 상기 몰딩 부재(81)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지를 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(81) 또는 상기 발광 칩(71) 상에는 방출되는 빛의 파장을 변화하기 위한 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 형광체는 발광 칩(71)에서 방출되는 빛의 일부를 여기시켜 다른 파장의 빛으로 방출하게 된다. 상기 형광체는 양자점, YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몰딩 부재(61)의 표면은 플랫한 형상, 오목한 형상, 볼록한 형상 등으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 다른 예로서, 상기 캐비티(20) 상에 형광체를 갖는 투광성 필름이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 몸체(10)의 상부에는 렌즈가 더 형성될 수 있으며, 상기 렌즈는 오목 또는/및 볼록 렌즈의 구조를 포함할 수 있으며, 발광 소자 패키지(100)가 방출하는 빛의 배광(light distribution)을 조절할 수 있다.
상기 몸체(10) 또는 어느 하나의 리드 프레임 상에는 수광 소자, 보호 소자 등의 반도체 소자가 탑재될 수 있으며, 상기 보호 소자는 싸이리스터, 제너 다이오드, 또는 TVS(Transient voltage suppression)로 구현될 수 있으며, 상기 제너 다이오드는 상기 발광 칩을 ESD(electro static discharge)로 부터 보호하게 된다.
도 16 및 도 17은 도 1의 발광 소자 패키지를 갖는 발광 모듈을 나타낸 도면이다.
도 16 및 도 17을 참조하면, 발광 모듈은 발광 장치로서, 회로 보드(201) 상에 적어도 하나 또는 복수개가 배치된 발광 소자 패키지(100)를 포함한다.
상기 회로 보드(201)는 절연층 상에 회로 패턴이 인쇄된 보드를 포함하며, 예를 들어, 수지 계열의 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판을 포함할 수 있다.
상기 회로 보드(201)는 메탈 코아 PCB를 포함하며, 상기 메탈 코아 PCB는 다른 수지 계열의 기판보다 방열 효율이 좋은 금속층을 더 구비하게 된다. 예컨대, 메탈 코아 PCB는 금속층, 상기 금속층 상에 절연층, 상기 절연층 상에 배선층을 갖는 적층 구조를 포함하며, 상기 금속층은 열 전도성이 좋은 금속의 두께를 0.3mm 이상 두껍게 형성하여 방열 효율을 증대시켜 주게 된다.
상기 발광 소자 패키지(100)의 제1 및 제2리드부(33,43)는 상기 회로 보드(201)의 전극 패턴(213,215)에 전도성 접착 부재(203,205)인 솔더 또는 전도성 테이프로 본딩된다.
도 18은 도 1의 발광 소자 패키지의 발광 칩을 나타낸 도면이다.
도 18을 참조하면, 발광 칩(101)은 기판(111), 버퍼층(113), 저전도층(115), 제1도전형 반도체층(117), 활성층(119), 제2클래드층(121), 및 제2도전형 반도체층(123)을 포함할 수 있다.
상기 기판(111)은 투광성, 절연성 또는 도전성 재질의 기판을 이용할 수 있으며, 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga2O3, LiGaO3 중 적어도 하나를 이용할 수 있다. 상기 기판(111)의 상면에는 복수의 돌출부(112)가 형성될 수 있으며, 상기의 복수의 돌출부(112)는 상기 성장 기판(111)의 식각을 통해 형성하거나, 별도의 러프니스와 같은 광 추출 구조로 형성될 수 있다. 상기 돌출부(112)는 스트라이프 형상, 반구형상, 또는 돔(dome) 형상을 포함할 수 있다. 상기 기판(111)의 두께는 30㎛~150㎛ 범위로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 기판(111) 위에는 복수의 화합물 반도체층이 성장될 수 있으며, 상기 복수의 화합물 반도체층의 성장 장비는 전자빔 증착기, PVD(physical vapor deposition), CVD(chemical vapor deposition), PLD(plasma laser deposition), 이중형의 열증착기(dual-type thermal evaporator) 스퍼터링(sputtering), MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) 등에 의해 형성할 수 있으며, 이러한 장비로 한정하지는 않는다.
상기 기판(111) 위에는 버퍼층(113)이 형성될 수 있으며, 상기 버퍼층(113)은 II족 내지 VI족 화합물 반도체를 이용하여 적어도 한 층으로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(113)은 III족-V족 화합물 반도체를 이용한 반도체층을 포함하며, 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체로서, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 버퍼층(113)은 서로 다른 반도체층을 교대로 배치하여 초 격자 구조로 형성될 수 있다.
상기 버퍼층(113)은 상기 기판(111)과 질화물 계열의 반도체층과의 격자 상수의 차이를 완화시켜 주기 위해 형성될 수 있으며, 결함 제어층으로 정의될 수 있다. 상기 버퍼층(113)은 상기 기판(111)과 질화물 계열의 반도체층 사이의 격자 상수 사이의 값을 가질 수 있다. 상기 버퍼층(113)은 ZnO 층과 같은 산화물로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 버퍼층(113)은 30~500nm 범위로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 버퍼층(113) 위에 저 전도층(115)이 형성되며, 상기 저 전도층(115)은 언도프드 반도체층으로서, 제1도전형 반도체층(117)보다 낮은 전기 전도성을 가진다. 상기 저 전도층(115)은 III족-V족 화합물 반도체를 이용한 GaN계 반도체로 구현될 수 있으며, 이러한 언도프드 반도체층은 의도적으로 도전형 도펀트를 도핑하지 않더라도 제1도전형 특성을 가지게 된다. 상기 언도프드 반도체층은 형성하지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 저 전도층(115)은 복수의 제1도전형 반도체층(117) 사이에 형성될 수 있다.
상기 저 전도층(115) 위에는 제1도전형 반도체층(117)이 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(117)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 III족-V족 화합물 반도체로 구현되며, 예컨대 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(117)이 n형 반도체층인 경우, 상기 제1도전형의 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함한다.
상기 저 전도층(115)와 상기 제1도전형 반도체층(117) 중 적어도 한 층에는 서로 다른 제1층과 제2층이 교대로 배치된 초격자 구조로 형성될 수 있다.
상기 제1도전형 반도체층(117)과 상기 활성층(119) 사이에는 제1클래드층(미도시)이 형성될 수 있으며, 상기 제1클래드층은 GaN계 반도체로 형성될 수 있다. 이러한 제1클래드층은 캐리어를 구속시켜 주는 역할을 한다. 다른 예로서, 상기 제1 클래드층(미도시)은 InGaN층 또는 InGaN/GaN 초격자 구조로 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 상기 제1 클래드층은 n형 또는/및 p형 도펀트를 포함할 수 있으며, 예컨대 제1도전형 또는 저 전도성의 반도체층으로 형성될 수 있다.
상기 제1도전형 반도체층(117) 위에는 활성층(119)이 형성된다. 상기 활성층(119)은 단일 우물, 단일 양자 우물, 다중 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선, 양자 점 구조 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 활성층(119)은 우물층과 장벽층이 교대로 배치되며, 상기 우물층은 에너지 준위가 연속적인 우물층일 수 있다. 또한 상기 우물층은 에너지 준위가 양자화된 양자 우물(Quantum Well)일 수 있다. 상기의 우물층은 양자 우물층으로 정의될 수 있으며, 상기 장벽층은 양자 장벽층으로 정의될 수 있다. 상기 우물층과 상기 장벽층의 페어는 2~30주기로 형성될 수 있다. 상기 우물층은 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 장벽층은 상기 우물층의 밴드 갭보다 더 넓은 밴드 갭을 갖는 반도체층으로 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 우물층과 장벽층의 페어는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN 중 적어도 하나를 포함한다.
상기 활성층(119)은 자외선 대역부터 가시광선 대역의 파장 범위 내에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 420nm~450nm 범위의 피크 파장을 발광할 수 있다.
상기 활성층(119) 위에는 제2클래드층(121)이 형성되며, 상기 제2클래드층(121)은 상기 활성층(119)의 장벽층의 밴드 갭보다 더 높은 밴드 갭을 가지며, III족-V족 화합물 반도체 예컨대, GaN 계 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 클래드층(121)은 GaN, AlGaN, InAlGaN, InAlGaN 초격자 구조 등을 포함할 수 있다. 상기 제2 클래드층(121)은 n형 또는/및 p형 도펀트를 포함할 수 있으며, 예컨대 제2도전형 또는 저 전도성의 반도체층으로 형성될 수 있다.
상기 제2클래드층(121) 위에는 제2도전형 반도체층(123)이 형성되며, 상기 제2도전형 반도체층(123)은 제2도전형의 도펀트를 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(123)은 III족-V족 화합물 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나로 이루어질 수 있으며, 단층 또는 다층을 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(123)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.
발광 구조물(150)의 층들의 전도성 타입은 반대로 형성될 수 있으며, 예컨대 상기 제2도전형의 반도체층(123)은 n형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층(117)은 p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 또한 상기 제2도전형 반도체층(123) 위에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제3도전형 반도체층인 n형 반도체층이 더 형성할 수도 있다. 상기 발광 칩(101)은 상기 제1도전형 반도체층(117), 활성층(119) 및 상기 제2도전형 반도체층(123)을 발광 구조물(150)로 정의될 수 있으며, 상기 발광 구조물(150)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 적어도 한 구조를 포함할 수 있다. 상기 n-p 및 p-n 접합은 2개의 층 사이에 활성층이 배치되며, n-p-n 접합 또는 p-n-p 접합은 3개의 층 사이에 적어도 하나의 활성층을 포함하게 된다.
발광 구조물(150) 위에 전극층(141) 및 제2전극(145)이 형성되며, 상기 제1도전형 반도체층(117) 위에 제1전극(143)이 형성된다.
상기 전극층(141)은 전류 확산층으로서, 투과성 및 전기 전도성을 가지는 물질로 형성될 수 있다. 상기 전극층(141)은 화합물 반도체층의 굴절률보다 낮은 굴절률로 형성될 수 있다.
상기 전극층(141)은 제2도전형 반도체층(123)의 상면에 형성되며, 그 물질은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 등 중에서 선택되며, 적어도 한 층으로 형성될 수 있다. 상기 전극층(141)은 반사 전극층으로 형성될 수 있으며, 그 물질은 예컨대, Al, Ag, Pd, Rh, Pt, Ir 및 이들 중 2이상의 합금 중에서 선택적으로 형성될 수 있다.
상기 제2전극(145)은 상기 제2도전형 반도체층(123) 및/또는 상기 전극층(141) 위에 형성될 수 있으며, 전극 패드를 포함할 수 있다. 상기 제2전극(145)은 암(arm) 구조 또는 핑거(finger) 구조의 전류 확산 패턴이 더 형성될 수 있다. 상기 제2전극(145)은 오믹 접촉, 접착층, 본딩층의 특성을 갖는 금속으로 비 투광성으로 이루어질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1도전형 반도체층(117)의 일부에는 제1전극(143)이 형성된다. 상기 제1전극(143)과 상기 제2전극(145)은 Ti, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Ag 및 Au와 이들의 선택적인 합금 중에서 선택될 수 있다.
상기 발광 소자(101)의 표면에 절연층이 더 형성될 수 있으며, 상기 절연층은 발광 구조물(150)의 층간 쇼트(short)를 방지하고, 습기 침투를 방지할 수 있다.
상기의 발광 칩은 수평형 전극 구조를 갖는 칩으로 구현하였으나, 상기의 기판(111)을 제거하거나 상기 기판(111)에 홈을 배치하여 전극을 배치한 수직형 전극 구조를 이용할 수 잇다.
상기에 개시된 실시예(들)에 따른 발광 모듈 또는 기판은 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 복수의 발광 소자 또는 발광 소자 패키지가 어레이된 구조를 포함하며, 도 11에 도시된 표시 장치, 다른 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.
도 11은 실시 예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 11을 참조하면, 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 발광 모듈(300)와, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(300) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.
상기 도광판(1041)은 상기 발광 모듈(300)로부터 제공된 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다.
상기 발광모듈(300)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 배치되어 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.
상기 발광모듈(300)은 상기 바텀 커버(1011) 내에 적어도 하나가 배치되며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 발광 모듈(300)은 상기 보드(201)사이에 배치된 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100)를 포함하며, 상기 발광 소자 패키지(100)는 상기 보드(201) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(100)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 보드(201)는 제거될 수 있다.
상기 복수의 발광 소자 패키지(100)는 상기 보드(201) 상에 배치되어 빛이 방출되는 광 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자 패키지(100)는 상기 도광판(1041)의 일측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 상기 표시 패널(1061)로 공급함으로써, 상기 표시 패널(1061)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(300) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버(미도시)와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 상기 발광 모듈(300)로부터 제공된 광을 투과 또는 차단시켜 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비전과 같은 영상 표시 장치에 적용될 수 있다.
상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장 이상의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트(diffusion sheet), 수평 및 수직 프리즘 시트(horizontal/vertical prism sheet), 및 휘도 강화 시트(brightness enhanced sheet) 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 상기 표시 패널(1061)로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광 모듈(300)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 몸체 11: 제1측면부
12: 제2측면부 13: 제3측면부
14: 제4측면부 13A,14A: 제1영역
13B,14B: 제2영역 18,19: 플랫 영역
20: 캐비티 30: 제1리드 프레임
31: 제1리드부 32: 제1본딩부
33: 제1방열부 40: 제2리드 프레임
41: 제1리드부 42: 제1본딩부
43: 제2방열부 71: 발광 칩
81: 몰딩 부재 100: 발광 소자 패키지

Claims (13)

  1. 제1측면부, 상기 제1측면부의 반대측 제2측면부, 상기 제1 및 제2측면부에 인접하며 서로 대응되는 제3 및 제4측면부, 및 전면부의 일부가 오픈된 캐비티를 갖는 몸체;
    상기 캐비티의 바닥에 배치된 제1리드부, 상기 제1리드부에 연결되며 상기 몸체의 제1측면부의 제1본딩 영역으로 절곡된 제1본딩부, 상기 제1본딩부로부터 상기 제3측면부의 수납 영역으로 절곡된 제1방열부를 갖는 제1리드 프레임;
    상기 캐비티의 바닥에 상기 제1리드부로부터 이격된 제2리드부, 상기 제2리드부에 연결되며 상기 몸체의 제1측면부의 제2본딩 영역으로 절곡된 제2본딩부, 상기 제2본딩부로부터 상기 제4측면부의 수납 영역으로 절곡된 제2방열부를 갖는 제2리드 프레임; 및
    상기 캐비티에 배치된 발광 칩을 포함하며,
    상기 몸체의 제3측면부 및 제4측면부의 수납 영역은 상기 제3측면부의 수직한 측면에 대해 제1각도로 경사진 제1영역, 및 상기 제1영역으로부터 상기 제1각도보다 작은 제2각도로 경사진 제2영역을 포함하며,
    상기 제1리드 프레임의 제1방열부는 상기 제3측면부의 제2영역 상에 배치되며,
    상기 제2리드 프레임의 제2방열부는 상기 제4측면부의 제2영역 상에 배치되는 발광 소자 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제3측면부의 제1영역은 상기 제3측면부의 수직한 연장 선에 대해 예각의 각도로 경사지며,
    상기 제4측면부의 제1영역은 상기 제4측면부의 수직한 연장 선에 대해 예각의 각도로 경사진 발광 소자 패키지.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1,2방열부는 상기 제3,4측면부의 제1,2영역의 경계 영역보다 후방에 배치되는 발광 소자 패키지.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1영역은 상기 제3,4측면부로부터 연장된 직선으로부터 제1깊이를 갖고, 상기 제2영역은 상기 제1,2영역의 경계된 수직한 직선으로부터 제2깊이를 가지며,
    상기 제1깊이가 제2깊이보다 더 큰 발광 소자 패키지.
  5. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1측면부 중 후면부에 인접한 영역은 상기 제1측면부와 동일 수평 면에 배치된 복수의 플랫 영역을 포함하며,
    상기 복수의 플랫 영역은 상기 제1,2방열부 사이에 동일 간격을 갖고 배치되는 발광 소자 패키지.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 복수의 플랫 영역은 상기 캐비티 내에 배치된 제1리드 프레임의 제1리드부에 대응되게 배치되는 발광 소자 패키지.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제1측면부 중 상기 몸체의 후면부에 인접한 영역은 상기 제1측면부로부터 단차지며 편평한 영역을 갖는 발광 소자 패키지.
  8. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 몸체의 제3,4측면부에 상기 제1,2리드부에 대응되는 방향으로 함몰된 오목부를 포함하는 발광 소자 패키지.
  9. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 몸체의 제1축 방향의 길이는 상기 몸체의 두께의 3배 이상인 발광 소자 패키지.
  10. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 캐비티의 바닥 중에서 센터 영역은 일정한 너비를 가지며, 상기 제3,4측면부에 인접한 사이드 영역은 상기 센터 영역의 너비보다 작은 너비를 갖는 발광 소자 패키지.
  11. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광 칩은 상기 제1리드부 상에 배치되며,
    상기 캐비티의 바닥에 배치된 제1리드부의 면적은 상기 제2리드부의 면적보다 크며,
    상기 캐비티에 몰딩 부재를 포함하는 발광 소자 패키지.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 캐비티의 내측면은 경사진 면을 포함하며,
    상기 캐비티의 내측 영역 중 상기 몸체의 전면부로부터 수직하게 단차진 영역을 포함하는 발광 소자 패키지.
  13. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 발광 소자 패키지를 갖는 발광 장치.
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