JP2009177093A - 射出成形用金型及びこれによって成形される半導体パッケージ並びに半導体パッケージの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】薄型構造の半導体パッケージを信頼性高く製造可能とする。
【解決手段】型閉することでキャビティを形成可能な内面を各々有する固定型６１及び複数の可動型６２を備え、固定型及び可動型を型閉することによりキャビティ６８を形成し、キャビティ内に樹脂を射出して半導体パッケージを射出成型可能な半導体パッケージ成型用の射出成型用金型であって、固定型又は可動型は、キャビティ内に樹脂を射出するために内面と連続して形成されたゲート６５を備え、複数の可動型の内面は、ゲート６５に向かって徐々に距離が近くなる互いに対向した第１の金型面及び第２の金型面を有しており、第１の金型面又は第２の金型面は、ゲート６５と接する部分に凹部を有する。これにより、ゲート径を大きく開口して、低い金型内圧でも溶融樹脂を金型内に供給できるので、バリの発生を抑制した安定した樹脂成形が実現できる。
【選択図】図１８

Description

本発明は、射出成形用金型及びこれによって成形される半導体パッケージ並びに半導体パッケージの製造方法に関し、より詳細には、薄型化した半導体パッケージの製造に適した射出成形用金型及びこれによって成形される半導体パッケージ並びに半導体パッケージの製造方法に関する。

半導体装置に使用するパッケージの製造技術として、射出成形方法が知られている。射出成形方法では、加熱して溶融させた樹脂を、金型のスプルー、ランナを介してゲートからキャビティ内に射出し、その後所定時間保持する間に冷却固化させて成形体を製造する。この方法では、樹脂成形体の形状が肉厚の厚い箇所、薄い箇所が存在する場合は、薄い箇所の方が比較的早く冷却されて、溶融した樹脂が冷却固化され易い。このため、肉厚の薄い領域が二つの樹脂流動が会合する最終充填位置となる場合、ウェルドラインが発生し易く、溶融樹脂が流れ込み難い状態から、成形未充填不良であるショートショットが生じるという問題があった。このようなウェルドラインやショートショットを無くすための改善策として、例えば特許文献１の技術が提案されている。

一方で、半導体装置の内でも光源として用いられる発光ダイオード（Light Emitting Diode：以下「ＬＥＤ」とも言う。）は、近年、高輝度、高出力の発光素子及び小型の発光装置が開発され、種々の分野での利用が進んでいる。このような発光装置は、小型、低消費電力や軽量等の特徴を生かして、例えば携帯電話及び液晶バックライトの光源、各種メータの光源、各種読取センサー等に利用されている。一例としてバックライトに用いられる光源は、それを使用する機器の小型化及び軽量化のために、薄型化が求められている。したがって、光源として用いられる発光装置自体も小型化することが必要であり、そのために、例えば横方向に発光するサイドビュータイプと呼ばれる薄型の発光装置等が種々開発されている（例えば特許文献２参照）。

図１に、出願人が先に開発したサイドビュータイプの発光装置５００の斜視図を示す。図１（ａ）は斜め前方から見た斜視図を、図１（ｂ）は斜め後方から見た斜視図を、それぞれ示している。これらの図に示すように、サイドビュータイプの発光装置は、一般にパッケージの正面に光放出用の開口部ＫＫ５が形成されており、その底面に発光素子がマウントされ、リードフレームの一部が外部電極５５０としてパッケージ内部から外部に引き出されるように構成されている。

また、発光装置のパッケージを成形する成形金型を図２に示す。図２（ａ）は成形金型の、図１（ａ）におけるＩＩａ−ＩＩａ’線に沿った断面図、図２（ｂ）は図１（ａ）のＩＩｂ−ＩＩｂ’線に沿った断面図、図２（ｃ）は図２（ｂ）のゲート部分を拡大した拡大断面図を、それぞれ示している。図１のパッケージを成形するために、図２（ａ）、（ｂ）に示すようにリードフレーム２０を挟持した金型を用いて、キャビティ内に溶融樹脂を射出して樹脂をモールドする。サイドビュータイプの発光装置の厚みは、搭載するダイスのサイズと、その周りを囲むパッケージの壁厚によって決まるため、サイドビュータイプの発光装置に使用するパッケージにおいて最も大きな課題の一つは、いかに薄い壁を形成出来るかにある。このため、より薄型のサイドビュータイプの発光装置を得るために、形状や製造方法について、様々な工夫がなされている（例えば特許文献３参照）。
特開平７−２７６４１０号公報 特開２００４−３６３５３７号公報 特開２００７−２０７９８６号公報

このような発光装置を含めた半導体装置の小型化、薄型化の要求や複雑な形状への対応に応えるには、半導体装置の外形を司るパッケージの成形に依存する割合が大きい。このため、薄型化に適応可能な樹脂成形用金型の設計が求められている。しかしながら、特に金型成形で薄型化を図ろうとすれば、ウェルドラインやショートショットを回避することが困難となる。上述した特許文献１のような方法は、例えば自動車のホイールカバーのような比較的大型の成形物に対しては効果的であるが、特に小型の半導体パッケージを作製する場合においては、この方法は逆効果となる場合がある。また、樹脂流入口に当たるゲートを複数個設けること自体が困難な場合もある。

また前述の通り、パッケージの壁厚を薄くする程、溶融樹脂は冷却固化されやすく、ウェルドライン及びショートショットの発生率が高くなる。図１、図２を用いて具体的に説明すると、図１（ｂ）のパッケージの背面は、前方の平坦面から後方に向かって幅狭となるテーパ状に形成されているため、テーパ面の端面すなわち背面の厚さｄＤが最も薄い部分となる。このため、図１の形状に金型成形するためには、図２（ａ）〜（ｃ）に示す金型に溶融樹脂を注入するゲートの内径すなわちゲート径φｄは、図２（ｃ）の拡大断面図に示すように、背面の厚さｄＤよりも小さくする必要がある。しかしながら、パッケージの薄型化を図るには背面の厚さｄＤを薄くする必要があり、その結果背面に厚さｄＤを上限として形成されるゲート径φｄも小さくなってしまう。ゲート径φｄが狭くなると、溶融樹脂を、均一に成形金型のキャビティ内に充填することが困難となる。特にテーパ面と平坦面との境界部分にあたるリードフレームの端縁部分の厚さｄｔが極めて狭いため、この狭い領域を通って開口部分を成形する樹脂をキャビティ内に送出することは容易でなく、ウェルドラインやショートショットが発生し易くなる。これを回避するには、溶融樹脂の射出速度を上げたり、樹脂充填後の保圧を上げることが考えられる。しかしながらこの場合は、キャビティ内の圧力が高くなるため成形金型同士の隙間に樹脂が侵入し、製品として許容出来ないレベルの樹脂バリが生じることになる。さらに高圧で溶融樹脂をキャビティ内に射出すると、金型への樹脂の固着が生じ、樹脂の硬化後に金型を開けると、金型と共に樹脂成形部分も分解されて破断してしまうこともあった。このため、これらの課題を全て許容できるレベルに設計しようとすれば、薄くできるパッケージ壁厚の限界が決まってしまうことになる。パッケージ壁厚の限界が決まると、それに合せてダイスサイズを縮小する必要があるが、特にサイドビュータイプの発光装置に要求されるサイズ及び投入電力の条件下では、ダイスサイズが小さいほど暗くなる。すなわち、パッケージ壁厚が厚いほど、発光装置としては暗い製品になってしまう。

本発明は、従来のこのような問題点に鑑みてなされたものである。本発明の主な目的は、このように小型化、複雑化が進む半導体パッケージの製造を容易とし、顧客より要求される外形において、最良のパフォーマンスを誇る射出成形用金型、これによって成形される半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法を提供することにある。

課題を解決するための手段及び発明の効果

上記課題を解決するために、本発明の第１の樹脂成形用金型によれば、型閉することでキャビティを形成可能な内面を各々有する固定型及び複数の可動型を備え、前記固定型及び可動型を型閉することによりキャビティを形成し、前記キャビティ内に樹脂を射出して半導体パッケージを射出成形可能な半導体パッケージ成形用の射出成形用金型であって、前記固定型又は可動型は、前記キャビティ内に樹脂を射出するために前記内面と連続して形成されたゲートを備え、前記複数の可動型の内面は、前記ゲートに向かって徐々に距離が近くなる互いに対向した第１の金型面及び第２の金型面を有しており、前記第１の金型面又は第２の金型面は、前記ゲートと接する部分に凹部を有することができる。これにより、ゲート径を大きく開口して、低い金型内圧でも溶融樹脂を金型内に供給できるので、バリの発生を抑制した安定した樹脂成形が実現できる。

また本発明の第２の樹脂成形用金型によれば、前記固定型と前記可動型との間にリードフレームを配置可能であり、前記リードフレームの端面と前記可動型の内面との隙間の内で最も狭い箇所が、前記可動型により形成されるキャビティの高さの１／４以下とできる。

さらに本発明の第３の樹脂成形用金型によれば、前記可動型側のキャビティ内に入れ子を配置することができる。

さらにまた本発明の第４の樹脂成形用金型によれば、前記内面と入れ子との距離の最も近い部分の距離が、０．１ｍｍ以下となるように前記入れ子を配置することができる。

さらにまた本発明の第５の半導体パッケージは、上記の射出成形用金型で成形できる。

さらにまた本発明の第６の半導体パッケージによれば、半導体部品を実装した半導体パッケージであって、各々対向するパッケージ上面およびパッケージ下面、並びにパッケージ正面及びパッケージ背面を有し、前記パッケージ正面及びパッケージ背面は前記パッケージ上面およびパッケージ下面に隣接しており、前記パッケージ正面側からパッケージ背面側に向かって厚さを薄くするように、前記パッケージ上面およびパッケージ下面が形成されており、前記パッケージ下面において、前記パッケージ背面に連なるように突起部を形成することができる。これにより、ゲート径を大きくすることができ、バリの発生を抑制した小型で量産性の良い半導体パッケージを実現することができる。また、半導体パッケージの表面に、パッケージ下面から突出した突起部分を形成して、半導体パッケージを載置する際の意図しない傾きを抑制することができる。

さらにまた本発明の第７の半導体パッケージによれば、前記突起を設けた部分の半導体パッケージの最大厚さは、前記パッケージ正面側のパッケージの最大厚さと略等しい又はこれよりも薄くすることができる。

さらにまた本発明の第８の半導体パッケージによれば、前記パッケージ背面の略中央を凹状に窪ませた段差を形成すると共に、前記凹状段差の底面から前記突起を突出させ、かつ前記突起の頂部が凹状段差内に収まるように構成できる。

さらにまた本発明の第９の半導体パッケージによれば、さらに凹部を有するパッケージ本体と、一端を前記凹部内に露出させ、他端を前記パッケージ本体の表面から突出させると共に前記パッケージ本体の表面に沿うよう折曲させた一対の外部電極と、前記凹部に収納されて前記一対の外部電極と電気的に接続される半導体発光素子とを備え、前記半導体パッケージが半導体発光装置を構成することができる。

さらにまた本発明の第１０の半導体パッケージの製造方法によれば、パッケージ正面側からパッケージ背面側に向かって厚さを徐々に薄くするようにパッケージ上面及およびパッケージ下面が形成された半導体パッケージを成形する半導体パッケージの製造方法であって、固定型と、前記固定型と対向する可動型との間の所定の位置に、半導体パッケージのリードフレームを配置する工程と、パッケージ背面側に開口される、金型に溶融樹脂を注入するゲートの、前記半導体パッケージの厚さ方向におけるゲート径が、前記背面におけるゲートが設けられていない部分のパッケージの最大厚さよりも大きく、かつ、前記正面におけるパッケージの最大厚さと略等しい又はこれよりも小さくした固定型を、型閉めしてキャビティを形成する工程と、ゲートから前記キャビティ内に溶融樹脂を、前記固定型から前記可動型に向かって充填する工程と、溶融樹脂の硬化後に脱型する工程と、を含むことができる。これよりゲート径を大きく開口することで、低い金型内圧でも溶融樹脂を金型内に供給でき、バリの発生を抑制した安定した樹脂成形が実現できる。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。ただし、以下に示す実施の形態は、本発明の技術思想を具体化するための射出成形用金型、これによって成形される半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法を例示するものであって、本発明は射出成形用金型、これによって成形される半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法を以下のものに特定しない。また、本明細書は特許請求の範囲に示される部材を、実施の形態の部材に特定するものでは決してない。特に実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は特に特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。さらに、本発明を構成する各要素は、複数の要素を同一の部材で構成して一の部材で複数の要素を兼用する態様としてもよいし、逆に一の部材の機能を複数の部材で分担して実現することもできる。また、一部の実施例、実施形態において説明された内容は、他の実施例、実施形態等に利用可能なものもある。

（実施の形態１）
図３〜図７に、本発明の実施の形態１に係る半導体パッケージ１００の外観を示す。これらの図において、図３は半導体パッケージ１００を前方斜め上方から見た斜視図、図４は前方斜め下方から見た斜視図、図５は後方斜め上方から見た斜視図、図６は後方斜め下方から見た斜視図を、図７は（ａ）正面図、（ｂ）背面図、（ｃ）箱形ブロック状１１（正面側パッケージ）の部分を断面とした側面図を、それぞれ示している。これらの図に示す半導体パッケージ１００は、半導体発光素子３０を用いたサイドビュータイプの発光装置であり、幅よりも薄い薄型に樹脂成形されたパッケージ本体１０と、パッケージ本体１０の外部に表出された正負一対の外部電極５０とを備える。

（リードフレーム２０）
パッケージ本体１０の内部には、リードフレーム２０が埋設され、リードフレーム２０の上面すなわち半導体素子載置面を、後述する開口部ＫＫ１の底面で表出させるように、パッケージ本体１０と樹脂成形などにより一体的に形成される。また、リードフレーム２０のうち、パッケージ本体１０の外部に表出された部分が、外部電極５０となる。

リードフレーム２０は、実質的に板状であればよく、波形板状、凹凸を有する板状であってもよい。その厚みは均一であってもよいし、部分的に厚くなる又は薄くなってもよい。リードフレーム２０を構成する材料は特に限定されず、熱伝導率の比較的大きな材料で形成することが好ましい。このような材料で形成することにより、半導体素子で発生する熱を効率的に外部に伝達、放熱することができる。例えば、半導体装置用に用いられる場合は、２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度以上の熱伝導率を有しているもの、比較的大きい機械的強度を有するもの、あるいは打ち抜きプレス加工又はエッチング加工等が容易な材料が好ましい。具体的には、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル等の金属又は鉄−ニッケル合金、燐青銅等の合金等が挙げられる。また、特に発光素子３０を搭載する発光装置用の場合は、リードフレーム２０の表面には、搭載される発光素子３０からの光を効率よく取り出すために反射メッキが施されていることが好ましい。なお、このような半導体素子の載置面としてリードフレームを使用せず、パッケージ本体の表面に直接半導体素子を実装することもできる。

（半導体素子）
半導体素子としては、ＬＥＤやＬＤ（Laser Diode）等の半導体発光素子３０が好適に利用できる。これらは、液相成長法、ＨＤＶＰＥ法やＭＯＣＶＤ法により基板上にＺｎＳ、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＺｎＳｅ、ＧａＡｓＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＮ、ＧａＡｌＮ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＡｌＩｎＧａＮ等の半導体を発光層として形成させたものが好適に用いられる。半導体層の材料やその混晶度の選択により、半導体発光素子の発光波長を紫外光から赤外光まで種々選択することができる。発光層の材料としては、例えばＩｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、Ｘ＋Ｙ≦１）等が利用できる。また、このような発光素子と、その発光により励起され、発光素子の発光波長と異なる波長を有する光を発する種々の蛍光体とを組み合わせた発光素子とすることもできる。赤色系の発光する発光素子の材料として、ガリウム・アルミニウム・砒素系の半導体やアルミニウム・インジウム・ガリウム・燐系の半導体を選択することが好ましい。なお、カラー表示装置とするためには、赤色系の発光波長が６１０ｎｍから７００ｎｍ、緑色が４９５ｎｍから５６５ｎｍ、青色の発光波長が４３０ｎｍから４９０ｎｍの発光素子を組み合わせることが好ましい。

発光素子３０は、その発光素子３０に電力を供給する外部電極５０と電気的に接続される。実装する発光素子３０の数は、１つであってもよいし、複数個搭載してもよい。この場合、光度を向上させるために、同じ発光色の光を発する発光素子を複数個組み合わせてもよい。また、例えばＲＢＧに対応するように、発光色の異なる発光素子を複数個組み合わせることにより、色再現性を向上させることができる。

また必要に応じて、発光素子の周囲に波長変換部材を配置し、発光素子の光の波長を変換して、異なる波長の光に変換して出力することもできる。波長変換部材は、例えば透光性樹脂に、発光素子の光で励起されて蛍光を発する蛍光体を混入することにより形成させたものである。これにより、発光素子の光をより長波長の光に変換し、発光素子の光と波長変換部材で変換された長波長の光との混色光を外部に取り出すことが可能となる。

さらに実装される素子は発光素子に限られず、ＰＤ（photodiode）などの光電変換素子、受光素子や、ＣＣＤ、Ｃ−ＭＯＳ、ＣｄＳセル、ＰＳＤ（position sensitive detector）等の撮像素子、光電センサ等の各種半導体素子を適用できる。

（半導体素子の実装）
発光素子３０等の半導体素子は、射出成形用金型６０（後述）によって作製されたパッケージ本体１０の表面もしくはリードフレーム２０表面に接合部材を用いて固定される。このような接合部材として、例えば青及び緑発光を有し、サファイア基板上に窒化物半導体を成長させて形成された発光素子３０の場合には、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を用いることができる。また、発光素子３０からの光や熱による劣化を考慮して、発光素子裏面にＡｌメッキを施し、Ａｕ−Ｓｎ共晶などの半田、低融点金属等のろう材、導電性ペーストなどを接合材料として用いてもよい。さらに、ＧａＡｓ等からなり、赤色発光を有する発光素子のように、両面に電極が形成された発光素子の場合には、銀、金、パラジウムなどの導電性ペースト等によってダイボンディングしてもよい。

（フリップチップボンディング又はワイヤボンディング）
発光素子３０とリードフレーム２０との電気的接続は、導電部材を用いたフリップチップ実装（フェイスダウン実装）や、導電ワイヤを用いたフェイスアップ実装によって行える。

フリップチップ実装用の導電部材としては、Ａｕなどの金属バンプ、Ａｕ−Ｓｎ共晶などの半田、異方導電性材料、Ａｇなどの導電性ペーストなどが挙げられる。また導電ワイヤとしては、発光素子の電極とのオーミック性が良好であるか、機械的接続性が良好であるか、電気伝導性及び熱伝導性が良好なものであることが好ましい。熱伝導率としては、０．０１ｃａｌ／Ｓ・ｃｍ^２・℃／ｃｍ程度以上が好ましく、さらに０．５ｃａｌ／Ｓ・ｃｍ^２・℃／ｃｍ程度以上がより好ましい。作業性などを考慮すると、導電ワイヤの直径は、１０μｍ〜４５μｍ程度であることが好ましい。このような導電ワイヤの材料としては、例えば、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及びそれらの合金が挙げられる。

（外部電極５０）
各外部電極５０は、リードフレーム２０の一部を外部電極５０として利用し、インサート成形などによりパッケージ本体１０に一部を埋設され、表出部分を折曲加工している。図６に示すように表出部分の外形をほぼT字状とした場合、このＴ字状の部分が、半導体パッケージ１００を実装する際の接続面として機能する。なお、この例では外部電極５０を２つ設けているが、実装する素子の数や種類等に応じて、３以上の外部電極を設けることもできる。この場合、箱形ブロック状１１（後述）の底面にも外部電極を配置することもできる。また、表出部分の外形はT字に限定されず、適宜変更することができ、前述の接続面として機能するような形状であれば、どのような形状であってもよい。

（被覆材４０）
また半導体素子を開口部ＫＫ１に実装した状態で、好ましくは開口部ＫＫ１を被覆材４０で充填してモールドする（図７（ｃ）等参照）。これにより、例えば発光素子の場合は外力や水分等から発光素子３０を保護すると共に、導電ワイヤを保護する。被覆材４０は透光性を有することが望ましい。このような被覆材４０に利用できる封止樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ユリア樹脂等の耐候性に優れた透明樹脂又は硝子等が挙げられる。特に透明樹脂は、工程中あるいは保管中に透光性被覆材内に水分が含まれるような場合においても、１００℃で１４時間以上のベーキングを行うことによって、樹脂内に含有された水分を外気へ逃がすことができる。従って、水蒸気による破裂や、発光素子とモールド部材との剥がれを防止することができ、好ましい。

また封止樹脂には、適宜フィラーや散乱材、拡散材等を適宜分散させることもできる。さらに、蛍光体などの波長変換部材を混入した波長変換層を設けることもできる。拡散材は、光を拡散させるものであり、発光素子からの指向性を緩和させ、視野角を増大させることができる。蛍光物質は、発光素子からの光を変換させるものであり、発光素子からパッケージの外部へ出射される光の波長を変換することができる。発光素子からの光がエネルギーの高い短波長の可視光の場合、有機蛍光体であるペリレン系誘導体、ＺｎＣｄＳ：Ｃｕ、ＹＡＧ：Ｃｅ、Ｅｕ及び／又はＣｒで賦活された窒素含有ＣａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｓｉ０_２などの無機蛍光体など、種々好適に用いられる。発光装置において白色光を得る場合、特にＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体を利用すると、その含有量によって青色発光素子からの光と、その光を一部吸収して補色となる黄色系が発光可能となり白色系が比較的簡単に信頼性良く形成できる。同様に、Ｅｕ及び／又はＣｒで賦活された窒素含有ＣａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３ＰＳｉＯ_２蛍光体を利用した場合は、その含有量によって青色発光素子からの光と、その光を一部吸収して補色となる赤色系が発光可能であり白色系が比較的簡単に信頼性よく形成できる。また、蛍光体を完全に沈降させ、気泡を除くことで色むらを低減させることができる。

（パッケージ本体１０）
パッケージ本体１０は、溶融状態の樹脂ＪＳを金型内に充填して成形される（図１８、図１９参照）。このような樹脂材料としては、リードフレーム２０を一体的に成形し、半導体素子及びリードフレーム２０に対して絶縁性を確保できる材質が適宜利用できる。例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等、具体的には、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＡＢＳ樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ＰＢＴ樹脂等の樹脂、セラミック等が挙げられる。好適には、熱可塑性樹脂を用いる。

またこれらの樹脂ＪＳは、適当な強化充填材を配合した組成物であってもよい。例えば、ガラス繊維が一般的であるが、炭素繊維、ポリアミド繊維、チタン酸カリウム繊維、石膏繊維、黄銅繊維、スチール繊維、セラミック繊維、ボロンウイスカー等を配合した繊維強化組成物のほか、粉状、粒状、板状、フレーク状、ビーズ状等種々の形状のアスベスト、マイカ、タルク、シリカ、炭酸カルシウム、ガラス、クレー、ワラステナイト、酸化チタン等を配合したその他の無機充填材強化組成物が挙げられる。

パッケージ本体１０は、発光面を設けた正面１３側に開口部ＫＫ１を形成しており、開口部ＫＫ１の底面には半導体発光素子３０が載置される。半導体発光素子３０は、その正極、負極を外部電極５０の正極、負極と各々電気的に接続される。開口部ＫＫ１は、その側面が開口端縁に向かって末広がりとなる傾斜状に形成されている。

またパッケージ本体１０は図３及び図６に示すように、正面１３側を、上面及び下面をほぼ並行とした箱形ブロック状１１としており、中間部分で背面１４側に向かって幅狭になるよう傾斜したテーパ面１５を有する傾斜ブロック状１２としている。このため、背面１４の厚さＤ１は、正面１３の厚さＤ２よりも薄く形成される。また背面１４側には、背面１４の厚さＤ１よりも厚く、かつ正面１３の厚さＤ２とほぼ等しい又はこれよりも小さい厚さＤ３を備える突起部分１７が形成される。
傾斜したテーパ面１５は、上側テーパ面１８および下側テーパ面１９を指し、上側テーパ面１８および下側テーパ面１９は互いに対向するように形成されている。
言い換えれば、パッケージ本体１０は、正面１３側から背面１４側に向かって厚さを徐々に薄くするように形成されており、上側テーパ面１８または下側テーパ面１９に、背面１４に連なるように突起部分１７が形成される。（上側テーパ面１８と下側テーパ面の両方に突起部分１７が形成される場合も含む。）

ここで、突起部分１７の厚さＤ３が正面１３の厚さＤ２と「ほぼ等しい」場合を包含する理由を説明する。正面１３の厚さＤ２よりも突起部分１７の厚さＤ３が厚い場合は、パッケージ本体１０の箱形ブロック状１１の底面よりも突起部分１７が突出することになるが、実際には、外部電極５０の実装し易さを考慮して、外部電極５０の底面が箱形ブロック状１１の底面よりも突出するように設計されている。このため、図７（ｃ）に示すように、半導体パッケージ１００の厚さＤ４は、突起部分１７の厚さＤ３よりも厚くなる。よって、突起部分１７が外部電極５０の実装面側底面よりも突出していなければ、突起部分１７が実装を妨げることはない。したがって、正面１３の厚さＤ２よりも突起部分１７の厚さＤ３が厚い場合でも、両者の差が、外部電極５０の底面と箱形ブロック状１１の底面との高低差、すなわち（Ｄ４−Ｄ３）よりも小さい場合は許容される。よって突起部分１７の厚さＤ３が正面１３の厚さＤ２と「ほぼ等しい」とは、正面側１３の厚さＤ２よりも突起部分１７の厚さＤ３が厚くとも、その差が上記（Ｄ４−Ｄ３）の範囲内にある場合も包含する。

傾斜ブロック状１２のテーパ面１５上には、突起部分１７を形成した位置から連なるように、傾斜ブロックテーパ面１５の傾斜よりも緩やかに、背面側１４から正面側１３に向かって厚さを徐々に厚くする突起テーパ面１６を形成している。突起テーパ面１６は、箱形ブロック状１１の部分には形成されない。この結果、突起部分１７は傾斜ブロック状１２と箱形ブロック状１１との界面まで、傾斜ブロックテーパ面１５上に凸状に突出するように形成される。なお、図の例では突起部分１７に突起テーパ面１６を形成しているが、このような傾斜させた平面は必須でなく、傾斜を無くして箱形ブロック状１１とほぼ同一平面状、あるいは一段下がった平行面としたり、または突起部分の頂部を湾曲させてもよい。

パッケージ本体１０の背面１４側の端部は、傾斜ブロック状１２の中央部分を凹状に窪ませるように段差を形成している。また突起の頂部が凹状段差内に収まるように設計される。これにより、突起部分１７が中央部分の底面から樹脂射出方向（ゲート方向）に多少突出しても、パッケージ本体１０の背面１４から突起部分が突出して半導体パッケージのサイズが大型化する事態を回避できる。

このような突起部分１７は、半導体パッケージを実装する際の安定性、信頼性の向上に有効である。一般に半導体パッケージは、成形時の型抜きをし易くするためパッケージ本体１０の一方を箱形ブロック状１１に、他方を傾斜ブロック状１２に形成している。図８に、このような半導体パッケージ６００を用いた発光装置の側面図を示す。サイドビュータイプの発光装置においては、上述の通りパッケージ本体６１０が奥行き幅Ｄｌ₁の箱形ブロック状６１１と傾斜ブロック状６１２で構成されており、箱形ブロック状６１１側に開口された開口部ＫＫ６に形成された凹状の底部にＬＥＤ等の半導体発光素子６３０を配置している。半導体発光素子６３０から発される光の一部は、凹状の側面部分で反射されて外部に取り出される。近年では、薄壁を形成するために、図９に示す半導体パッケージ７００のように凹状の開口部ＫＫ７の深さを浅く、すなわち箱形ブロック状７１１の奥行き幅Ｄｌ₂を狭くする構造のパッケージ本体７１０が好まれる。しかしながら、この構造では重心が後方に移動する結果、図１０に示すように後方に傾く、すなわち傾斜ブロック状７１２の底面部分がしりもちをつき易くなってしまう。このような姿勢で発光素子７３０が実装されてしまうと、サイドビュータイプの発光装置からの出射光を正しく横方向に出射することができず、光照射方向の誤差により製品の歩留まりが低下するという問題がある。

これに対して、半導体パッケージ１００’では図１１に示すように、突起部分１７’が傾斜ブロック状１２の下面側に設けられているため、仮に後方に傾斜しても、傾斜角度を極小に抑えることができ、歩留まり向上に寄与できる。このように突起部分は、発光装置の傾斜時の支えとして機能し、実装時の光照射方向を安定させることができる。

このような突起部分１７は、図３及び図６に示す半導体パッケージ１００の例では、傾斜ブロックの上下面にそれぞれ形成される。ただ、図１１に示す半導体パッケージ１００’のように、下面側のみに突起部分１７’を形成してもよい。また、上面側のみに突起部分を形成することもできる。上面又は下面のいずれか片方のみに突起部分を形成することでも、後述するようにパッケージ本体１０を樹脂成形するための樹脂成形用金型のゲート径φｄ１（図２１参照）を大きくする効果が得られる。また凸状を付加することでパッケージ本体の重心が後方に移動するので、安定する利点も得られる。なお上面側に突起部分を形成する場合は、半導体パッケージの実装時の位置決め部材として利用できるという利点が得られる。

（実施の形態２）
なお、半導体パッケージの形状は、上記の構成に限られず、種々の形状のものが利用できる。一例として、外部電極の形状を変更した半導体パッケージ２００の例を実施の形態２として、図１２〜図１５に示す。これらの図において、図１２は半導体パッケージ２００を前方斜め上方から見た斜視図、図１３は前方斜め下方から見た斜視図、図１４は後方斜め上方から見た斜視図、図１５は後方斜め下方から見た斜視図を、それぞれ示している。これらの図に示す半導体パッケージ２００も、実施の形態１と同様、半導体発光素子を用いたサイドビュータイプの発光装置であり、共通の部材については同様の符号を付し、詳細説明を省略する。すなわち、パッケージ本体１０Ｂの傾斜ブロックテーパ面１５Ｂの上側テーパ面１８Ｂと下側テーパ面１９Ｂの両方に、突起テーパ面１６Ｂを有する突起部分１７Ｂを形成している。このパッケージ本体１０Ｂから表出する外部電極５０Ｂは、図１３などに示すように傾斜ブロック状１２Ｂ側でなく、箱形ブロック状１１Ｂ側に配置されている。すなわち、箱形ブロック状１１Ｂの側面部分から突出させた外部電極５０Ｂを、側面から底面に沿って折曲させている。これにより、傾斜ブロック状１２Ｂ側に外部電極を配置しない分、実施の形態１に比べ傾斜ブロック状１２Ｂの部分を短くできる。反面、傾斜ブロック状１２Ｂが短い程、この部分が接地された場合の傾斜角度が大きくなる。また傾斜接地が生じる確率も高くなるので、突出部を設けて傾斜ブロック部の支持する構成が一層効果的となる。

このパッケージ本体１０Ｂは、傾斜ブロック状１２Ｂに形成された突起部分１７Ｂが、下側テーパ面１９Ｂ上に延長されて形成されていることにより、箱形ブロック状１１Ｂの突起部分１７Ｂがパッケージ本体１０Ｂの底面（ここでは箱形ブロック状１１Ｂの底面）と、より近接する。

この半導体パッケージ２００を実装する際、例えば実装時の半田クリーム量の加減等によって、傾斜ブロック状１２Ｂの底面側の下側テーパ面１９Ｂが実装面と接地してしまう場合がある。この場合でも、傾斜ブロック状１２Ｂの底面が、本来実装面と接地すべき外部端子５０Ｂの底面と近い程、光照射方向の誤差は少なくて済む。このように実施の形態２によれば、突起部分１７Ｂが下方に突出されているため、傾斜姿勢で実装されたとしても傾斜角度が極小に抑えられるため、光照射方向の誤差を極力減少させることが可能である。

このように、外部電極が発光面側に折り曲げられている場合、発光装置を実装した時の光照射方向を安定させることが可能となる。

（射出成形用金型６０）
次に、図３〜図１５に示した実施の形態１に係る半導体パッケージ１００を製造する際の射出成形に使用する金型構造を図１６〜図２１に示す。これらの図において、図１６は射出成形用金型の分解斜視図、図１７は図１６の固定型６１をＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ’線で切断した断面斜視図、図１８は図１６のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ’線における断面図、図１９は図１８のキャビティ６８内に樹脂ＪＳを充填した状態を示す断面図を、図２０は樹脂硬化後の半導体パッケージ１００を金型の斜め下方から見た斜視図を、図２１は射出成形用金型の断面図であって、図２１（ａ）は図２０のＸＸＩａ−ＸＸＩａ’線における断面図、図２１（ｂ）はＸＸＩｂ−ＸＸＩｂ’線における断面図を、それぞれ示している。これらの図に示す射出成形用金型６０は、固定型６１、可動型６２、入れ子６３で構成される。図１８、図１９から明らかなように、固定型６１は主に傾斜ブロック状１２部分を、可動型６２及び入れ子６３は箱形ブロック状１１部分を、それぞれ形成する。なお可動型６２は、この例では２つに分割しているが、３以上に分割することもできる。また固定型６１も、固定型と可動型で構成するなど、複数の型に分割することもできる。

金型は、固定型及び可動型を型閉することで内面がキャビティを形成する。内面は、ゲートに向かって徐々に距離が近くなる互いに対向した第１の金型面（パッケージの上側傾斜面に対応する）及び第２の金型面（パッケージの下側傾斜面に対応する）を有し、第１の金型面または第２の金型面の、ゲートと接する部分に凹部（パッケージの突起部に対応する）を有する。

この射出成形用金型６０は、例えば図２０に示すように、突起部分１７が傾斜ブロック状１２の傾斜ブロックテーパ面１５に延出されており、一方向においては傾斜ブロック状１２の最外形を形成するが、箱形ブロック状１１の面よりも突出しない形状とすることが好ましい。

（ゲート６５）
固定型６１には、パッケージ本体１０を樹脂成形するための樹脂成形用金型のゲート６５が開口される。ゲート６５は、樹脂注入方向、すなわち図１８、図１９において下方に向かって径が狭くなるテーパ状に形成されている。これにより、樹脂の注入側を大きく開口して樹脂を注入しやすくする。また、脱型時にはゲート６５部分に充填されて固化した樹脂ＪＳ１を引き千切るように破断して、余分な樹脂形成部分を排除できる。

ゲート６５の口径、ここではゲート６５の最下部における最も口径が小さいゲート径φｄ１は、突起部分１７の厚さＤ３に相当する口径とする。つまりゲート径φｄ１は、背面１４の厚さＤ１よりも厚く、かつ正面１３の厚さＤ２とほぼ等しい又はこれよりも小さい。この結果、固定型６１の内面は、図１７に示すように、パッケージ本体１０の背面１４側から正面１３側に向かって、厚さを徐々に厚くする傾斜ブロックテーパ面１５に対応する第１の金型面６６もしくは第２の金型面（傾斜ブロックテーパ面用彫り込み）と、傾斜ブロックテーパ面１５上において突起部分１７を形成した位置から連なるように、傾斜ブロックテーパ面１５の傾斜よりも緩やかに、背面側１４から正面側１３に向かって厚さを徐々に厚くする突起テーパ面１６に対応する凹部６７（突起テーパ面用彫り込み）とを形成している。

この構成によって、樹脂形成を極めて効率よく行うことができる。すなわち、従来であれば背面１４の厚さＤ１よりもゲート径φｄ１を大きくできなかった。このため、粘性を有する樹脂を短時間で隅々まで均一に充填するために圧力を高めて樹脂を注入する必要があった。特に図１、図２に示したように、可動型６２との隙間の内で最も狭い箇所ｄｔ、すなわちテーパ面と平坦面との境界部分にあたる、固定型６１と可動型６２との間に配置されるリードフレーム２０の端縁部分の厚さｄｔが極端に狭いため（例えば６０μｍ）、この狭い領域を通って開口部ＫＫ１分を成形する樹脂をキャビティ６８内に送出するために、溶融樹脂の射出速度を上げたり、樹脂充填後の保圧を上げる必要があった。その結果、型同士の隙間に樹脂が侵入してバリが生じるといった問題が発生していた。これに対して、本実施の形態によれば、図２１に示すようにゲート径φｄ１を大きくできるため、その分だけ樹脂充填時の圧力を下げることができ、低圧でも薄い部分に樹脂を充填できるようになり、またバリの発生を抑制できる。

ここでｄｔは、可動型６２のキャビティ高さｈの１／４以下とすることが好ましい。また可動型６２側には、射出成形後の半導体パッケージ１００の正面側１３に、半導体素子を配置するための開口部ＫＫ１を形成するための入れ子を配置している。この開口部ＫＫ１を形成する４方の壁面について、最薄の壁部の厚さを好ましくは０．１ｍｍ以下とする。さらに半導体パッケージ１００の厚さは、２ｍｍ以下であることが好ましい。これにより、薄型の半導体パッケージにおいても安定した射出成形が実現できる。

なお、ここでは金型の設計値と実際の成形品との大きさの差は無視している。実際には、金型内面のプライマーの有無や公差、樹脂のひけ等により、ゲート径φｄ１と突起部分１７の厚さＤ３には違いが生じることがある。

また入れ子６３は、図１６の例では１つとしているが、形状に応じて２以上とすることもできる。また固定型６１と可動型６２、入れ子６３の位置関係は、図１６の配置に限られるものでなく、作製するパッケージの形状や使用するモールド機の配置に応じて、上下又は左右の位置関係を適宜変更できる。さらに溶融樹脂ＪＳを案内するランナ６４及びゲート６５は、図１６の例では固定型６１に直接加工されているが、独立した別部品とすることも可能である。

（半導体パッケージの製造方法）
以上の射出成形用金型を用いた半導体パッケージの成形方法を、図１８、図１９に基づいて説明する。まず固定型６１、稼動側金型１０２、入れ子６３が、リードフレーム２０を挟み込む形で型閉めされる。これにより、金型内部に空間としてキャビティ６８が形成され、またリードフレーム２０はキャビティ６８内の所定の位置に、位置決めした姿勢で保持される。

その後、溶融樹脂ＪＳをランナ６４を通過してゲート６５より、キャビティ６８に充填する。そして、充填した溶融樹脂ＪＳが冷却固化された後、可動型６２と入れ子６３を固定型６１から引き離して金型を開き、形成された半導体パッケージを取り出す。この際、ゲート６５は上述の通り逆テーパ状に形成されているため、ゲート６５内で固化した樹脂ＪＳ１は可動型６２の移動時に破断される。

このようにしてパッケージ本体１０を形成した後、パッケージ本体１０の開口部ＫＫ１内に発光素子３０をダイボンディングし、発光素子３０とリードフレーム２０とをフリップチップボンディング又はワイヤボンディングにて導通させる。その後、開口部ＫＫ１を透光性被覆材４０にてモールドし、パッケージ本体１０より外側に露出されるリードフレーム２０を切断して、パッケージ側に折り曲げることで、発光装置が作製される。

実施例１として、図１６に示したような固定型６１、可動型６２、入れ子６３で構成される射出成形用金型６０を作製した。固定型６１に形成されるゲート６５は、ランナ６４側からキャビティ６８側に向かってキャビティ６８上面まで先細りした後、キャビティ６８上面からは可動型６２の最外形を越えない範囲で、固定型６１の側面に延長させることで、一方向においては最外形となる大きさを取りながら、固定型６１合せ面１０８まで延伸している。このようなゲート６５の形状とすることにより、射出成形用金型６０は同形状の半導体パッケージを作製する場合において、最大径のゲートを持つことができる。ゲート径φｄ１は大きい程、溶融樹脂ＪＳが冷却固化するまでの時間を延長することができるので、射出成形用金型６０はウェルドラインやショートショットを最も発生させ難い金型となり得る。

特に図２０に示すサイドビュータイプの発光装置用パッケージ２００のように、開口部を形成する箱形ブロック状の肉厚の最も薄い部分である薄壁部６９の直上にゲート６５を配置した形状の場合、他の箇所に比べて早い段階で薄壁部に溶融樹脂が充填されるため、薄壁部に到達する溶融樹脂の温度が高く、通常最もウェルドラインやショートショットが発生し易いこの箇所において、これらを効果的に防止できる。

このように形成されたパッケージは、図１等に示した構成に比べて、図２０に示す薄壁部６９を薄くすることが出来る。薄壁部６９が薄くなることにより、搭載する発光素子のサイズを大きくとることができる他、発光素子３０の搭載数を増やすことも可能になる。携帯電話、カーナビ、モバイルパソコン等に搭載される中、小型液晶用のバックライトに組み込まれるサイドビュータイプの発光装置で、発光装置一個あたりに使用される電力は一般的に６００ｍＷ以下であり、また、要求される製品厚みは、２ｍｍ以下のものが多い。このような制限された状況下では、発光素子３０は大きいほど、同電力でも明るい物とでき、有利となる。

以上のような射出成形用金型によって、これまで実現出来なかったサイズや、複雑な形状の半導体用パッケージの作製が可能になる。これにより半導体装置の設計自由度が向上し、省スペース化や高性能化が成し得る。例えばサイドビュータイプの発光装置においては、同じ厚みの場合、最大サイズの発光素子を搭載できることから、同サイズ中では最も明るい発光装置を作製することが出来る。発光装置が明るくなることで、これを使用するバックライトユニット等は、小電力で従来の発光装置と同等の明るさを得ることが出来るため、省エネルギー化が可能である。
また、同電力で使用する場合は、明るくなることで、より色再現性の高い液晶ユニットに組み込むことが可能となる。

このように、本発明の実施の形態によれば、半導体層パッケージの薄型化を図りつつ、キャビティの狭い、すなわちパッケージ本体の薄い部分においても安定した射出成形が実現できる。なお以上は、発光装置を金型で形成する例について説明したが、これに限られず薄型の半導体パッケージ及びその射出成形用金型に適用できることはいうまでもない。

本発明の射出成形用金型、これによって成形される半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法は、パッケージの側面から側面方向に光を放出するサイドビュータイプの発光装置として、ファクシミリ、コピー機、ハンドスキャナ等における画像読取装置に利用される照明のみならず、照明用光源、ＬＥＤディスプレイ、携帯電話機等のバックライト光源、信号機、照明式スイッチ、車載用ストップランプ、各種センサおよび各種インジケータ等の種々の照明装置に利用することができる。またサイドビュータイプに限られず、表面実装型（ＳＭＤ）の発光装置の薄型パッケージにも適用できる。さらに発光装置に限られず、光電センサや受光素子その他の薄型の半導体パッケージとしても、本発明を好適に利用できる。

出願人が先に開発したサイドビュータイプの発光装置を示す斜視図であり、図１（ａ）は斜め前方から見た斜視図、図１（ｂ）は斜め公報から見た斜視図である。 出願人が先に開発した発光装置のパッケージを樹脂成形する成形金型を示す図であり、図２（ａ）は図１（ａ）における成形金型のＩＩａ−ＩＩａ’線に沿った断面図、図２（ｂ）は図１（ａ）のＩＩｂ−ＩＩｂ’線に沿った断面図、図２（ｃ）は図２（ｂ）のゲート部分を拡大した拡大断面図である。 実施の形態１に係る半導体パッケージを前方斜め上方から見た斜視図である。 図３に示す半導体パッケージを前方斜め下方から見た斜視図である。 図３に示す半導体パッケージを後方斜め上方から見た斜視図である。 図３に示す半導体パッケージを後方斜め下方から見た斜視図である。 図３に示す半導体パッケージの（ａ）正面図、（ｂ）背面図、（ｃ）一部断面側面図である。 出願人が先に開発した半導体パッケージの側面図である。 図８に示す半導体パッケージの開口部分を浅くした半導体パッケージの側面図である。 図９の半導体パッケージが傾斜姿勢で実装された状態を示す側面図である。 実施の形態１に係る半導体パッケージを示す概略側面図である。 実施の形態２に係る半導体パッケージを前方斜め上方から見た斜視図である。 図１２に示す半導体パッケージを前方斜め下方から見た斜視図である。 図１２に示す半導体パッケージを後方斜め上方から見た斜視図である。 図１２に示す半導体パッケージを後方斜め下方から見た斜視図である。 射出成形用金型構造を示す分解斜視図である。 図１６の固定型をＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ’線で切断した断面斜視図である。 図１６のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ’線における断面図である。 図１８のキャビティ内に樹脂を充填した状態を示す断面図である。 樹脂硬化後の半導体パッケージを、金型の斜め下方から見た斜視図である。 射出成形用金型の断面図であって、図２１（ａ）は図２０のＸＸＩａ−ＸＸＩａ’線における断面図、図２１（ｂ）はＸＸＩｂ−ＸＸＩｂ’線における断面図である。

符号の説明

５００…発光装置
１００、１００’、２００、６００、７００…半導体パッケージ
１０、１０Ｂ、６１０、７１０…パッケージ本体
１１、１１Ｂ、６１１、７１１…箱形ブロック状
１２、１２Ｂ、６１２、７１２…傾斜ブロック状
１３…正面
１４…背面
１５、１５Ｂ…傾斜ブロックテーパ面
１６、１６Ｂ…突起テーパ面
１７、１７Ｂ、１７’…突起部分
１８、１８Ｂ…上側テーパ面
１９、１９Ｂ…下側テーパ面
２０…リードフレーム
３０、７３０…発光素子；６３０…半導体発光素子
４０…被覆材
５０、５０Ｂ、５５０…外部電極
６０…射出成形用金型
６１…固定型
６２…可動型
６３…入れ子
６４…ランナ
６５…ゲート
６６…傾斜ブロックテーパ面用彫り込み
６７…突起テーパ面用彫り込み
６８…キャビティ
６９…薄壁部
ＫＫ１、ＫＫ５、ＫＫ６、ＫＫ７…開口部；ＪＳ、ＪＳ１…樹脂
ｄＤ…背面の厚さ；Ｄ１…背面側の厚さ；Ｄ２…正面側の厚さ
Ｄ３…突起部分の厚さ；Ｄ４…半導体パッケージの厚さ
φｄ、φｄ１…ゲート径；ｄｔ…リードフレーム端縁部分の厚さ
ｈ…キャビティ高さ；Ｄｌ₁、Ｄｌ₂…箱形ブロック状の奥行き幅

Claims (10)

1. 型閉することでキャビティを形成可能な内面を各々有する固定型及び複数の可動型を備え、
   前記固定型及び可動型を型閉することによりキャビティを形成し、前記キャビティ内に樹脂を射出して半導体パッケージを射出成型可能な半導体パッケージ成型用の射出成型用金型であって、
   前記固定型又は可動型は、前記キャビティ内に樹脂を射出するために前記内面と連続して形成されたゲートを備え、
   前記複数の可動型の内面は、前記ゲートに向かって徐々に距離が近くなる互いに対向した第１の金型面及び第２の金型面を有しており、
   前記第１の金型面又は第２の金型面は、前記ゲートと接する部分に凹部を有することを特徴とする射出成型用金型。
2. 請求項１に記載の射出成型用金型において、
   前記固定型と前記可動型との間にリードフレームを配置可能であり、
   前記リードフレームの端面と前記可動型の内面との隙間の内で最も狭い箇所が、前記可動型により形成されるキャビティの高さの１／４以下であることを特徴とする射出成形用金型。
3. 請求項１または２に記載の射出成型用金型において、
   前記可動型側のキャビティ内に入れ子を配置してなることを特徴とする射出成形用金型。
4. 請求項３に記載の樹脂成型用金型において、
   前記内面と入れ子との距離の最も近い部分の距離が、０．１ｍｍ以下となるように前記入れ子を配置してなることを特徴とする射出成形用金型。
5. 請求項１から４のいずれか一に記載の射出成型用金型で成型された半導体パッケージ。
6. 半導体部品を実装した半導体パッケージであって、
   各々対向するパッケージ上面およびパッケージ下面、並びにパッケージ正面及びパッケージ背面を有し、前記パッケージ正面及びパッケージ背面は前記パッケージ上面およびパッケージ下面に隣接しており、
   前記パッケージ正面側からパッケージ背面側に向かって厚さを薄くするように、前記パッケージ上面およびパッケージ下面が形成されており、
   前記パッケージ下面において、前記パッケージ背面に連なるように突起部を形成してなることを特徴とする半導体パッケージ。
7. 請求項６に記載の半導体パッケージにおいて、
   前記突起を設けた部分の半導体パッケージの最大厚さは、前記パッケージ正面側のパッケージの最大厚さと略等しい又はこれよりも薄いことを特徴とする半導体パッケージ。
8. 請求項６又は７に記載の半導体パッケージにおいて、
   前記パッケージ背面の略中央を凹状に窪ませた段差を形成すると共に、前記凹状段差の底面から前記突起を突出させ、かつ前記突起の頂部が凹状段差内に収まるように構成してなることを特徴とする半導体パッケージ。
9. 請求項６から８のいずれか一に記載の半導体パッケージにおいて、さらに、
   凹部を有するパッケージ本体と、
   一端を前記凹部内に露出させ、他端を前記パッケージ本体の表面から突出させると共に前記パッケージ本体の表面に沿うよう折曲させた一対の外部電極と、
   前記凹部に収納されて前記一対の外部電極と電気的に接続される半導体発光素子と、
   を備え、
   前記半導体パッケージが半導体発光装置を構成していることを特徴とする半導体パッケージ。
10. パッケージ正面側からパッケージ背面側に向かって厚さを徐々に薄くするようにパッケージ上面及およびパッケージ下面が形成された半導体パッケージを成型する半導体パッケージの製造方法であって、
    固定型と、前記固定型と対向する可動型との間の所定の位置に、半導体パッケージのリードフレームを配置する工程と、
    パッケージ背面側に開口される、金型に溶融樹脂を注入するゲートの、前記半導体パッケージの厚さ方向におけるゲート径が、前記背面におけるゲートが設けられていない部分のパッケージの最大厚さよりも大きく、かつ、前記正面におけるパッケージの最大厚さと略等しい又はこれよりも小さくした固定型を、型閉めしてキャビティを形成する工程と、
    ゲートから前記キャビティ内に溶融樹脂を、前記固定型から前記可動型に向かって充填する工程と、
    溶融樹脂の硬化後に脱型する工程と、
    を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。

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