JP2016152276A - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016152276A JP2016152276A JP2015027949A JP2015027949A JP2016152276A JP 2016152276 A JP2016152276 A JP 2016152276A JP 2015027949 A JP2015027949 A JP 2015027949A JP 2015027949 A JP2015027949 A JP 2015027949A JP 2016152276 A JP2016152276 A JP 2016152276A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- emitting device
- molded body
- pair
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【課題】実装安定性及び/又は信頼性に優れる発光装置を提供する。【解決手段】一対のリード電極と、前記一対のリード電極と一体に成形された成形体と、を含み、側面に凹部を有する素子収容器と、前記一対のリード電極と電気的に接続され前記凹部内に収容された発光素子と、前記発光素子が発する光を異なる波長の光に変換する波長変換物質を含有し前記凹部内に充填された封止部材と、を備え、前記一対のリード電極が前記成形体の下面に沿うように折り曲げられた外部接続端子部を有する側面発光型の発光装置であって、前記成形体の母材は、不飽和ポリエステル系樹脂であり、前記発光素子は、青色光を発し、前記封止部材の母材は、フェニル基を含むシリコーン系樹脂であり、前記波長変換物質は、緑色光乃至黄色光を発する第1蛍光体と、赤色光を発する第2蛍光体と、を含み、前記第2蛍光体は、マンガンで賦活されたフッ化物蛍光体を含む。【選択図】図1
Description
本発明は、発光装置に関する。
例えば特許文献1,2には、パッケージのキャビティ内に、半導体発光素子が収容され、波長変換物質を含有する封止材で封止された発光装置が記載されている。
しかしながら、上記従来の発光装置において、パッケージ及び封止材を構成する樹脂は、例えば発光装置のリフローはんだ実装時や点灯/消灯の繰り返し等における温度変化により、伸縮し、ひいては形状に変化をきたす。そして、このような樹脂の挙動は、発光装置の実装安定性の低下や長期駆動による発光特性の劣化を引き起こす要因となる。
そこで、本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、実装安定性及び/又は信頼性に優れる発光装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の一実施の形態は、一対のリード電極と、前記一対のリード電極と一体に成形された成形体と、を含み、側面に凹部を有する素子収容器と、前記一対のリード電極と電気的に接続され前記凹部内に収容された発光素子と、前記発光素子が発する光を異なる波長の光に変換する波長変換物質を含有し前記凹部内に充填された封止部材と、を備え、前記一対のリード電極が前記成形体の下面に沿うように折り曲げられた外部接続端子部を有する側面発光型の発光装置であって、前記成形体の母材は、不飽和ポリエステル系樹脂であり、前記発光素子は、青色光を発し、前記封止部材の母材は、フェニル基を含むシリコーン系樹脂であり、前記波長変換物質は、緑色光乃至黄色光を発する第1蛍光体と、赤色光を発する第2蛍光体と、を含み、前記第2蛍光体は、マンガンで賦活されたフッ化物蛍光体を含むことを特徴とする。
本発明の一実施の形態の発光装置によれば、素子収容器の成形体及び/又は封止部材の伸縮を抑え、実装安定性及び/又は信頼性に優れる発光装置を得ることができる。
以下、発明の実施の形態について適宜図面を参照して説明する。但し、以下に説明する発光装置は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本発明を以下のものに限定しない。また、図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。
なお以下、可視波長域は波長が380nm以上780nm以下の範囲とし、青色域は波長が420nm以上480nm以下の範囲、緑色乃至黄色域は波長が500nm以上590nm以下の範囲、赤色域は波長が610nm以上750nm以下の範囲とする。
<実施の形態1>
図1(a)は実施の形態1に係る発光装置100の概略前面図であり、図1(b)は発光装置100の概略下面図であり、図1(c)は図1(a)のA−A断面における概略断面図である。
図1(a)は実施の形態1に係る発光装置100の概略前面図であり、図1(b)は発光装置100の概略下面図であり、図1(c)は図1(a)のA−A断面における概略断面図である。
図1(a)〜(c)に示すように、実施の形態1に係る発光装置100は、素子収容器10と、発光素子20と、封止部材30と、を備えている。素子収容器10は、一対のリード電極11,12と、一対のリード電極11,12と一体に成形された成形体15と、を含んでいる。素子収容器10は、凹部10aを有している。発光素子20は、一対のリード電極11,12と電気的に接続され、凹部10a内に収容されている。封止部材30は、発光素子20が発する光を異なる波長の光に変換する波長変換物質40を含有し、凹部10a内に充填されている。成形体の母材16は、不飽和ポリエステル系樹脂である。封止部材の母材31は、フェニル基を含むシリコーン系樹脂である。
より詳細には、発光装置100は、側面発光型(サイドビュー型)である。凹部10aは、素子収容器10の側面の1つ(前面)に設けられている。成形体15は、白色顔料及び充填剤を含有し、特に白色顔料により光反射性を有している。このため、発光装置100の発光領域(意図しない漏光は考慮に入れない)は、前面における凹部10aの開口に略一致している。凹部10aの側壁面は、成形体15の表面で構成されている。凹部10aの底面は、成形体15の表面と一対のリード電極11,12の表面で構成されている。この凹部10aの底面を構成する一対のリード電極11,12の部位は、発光素子20の接着領域及び/又はワイヤ50の接続領域を含む素子実装部11a,12aである。また、一対のリード電極11,12は、成形体15の外側にある部位として、外部接続端子部11b,12bを有している。外部接続端子部11b,12bは、成形体15の下面に沿うように折り曲げられている。発光装置100は、外部接続端子部11b,12bが回路基板等にはんだ付けされることで実装される。よって、発光装置100(素子収容器10)の実装側主面は、下面である。より具体的には、成形体15の下面は、外部接続端子部11b,12bが各々配置される左/右の領域が上位にあり、中央領域が下位にあるように、段付きになっている。これに伴って、素子収容器10(成形体15)の前面の形状、及び凹部10aの開口の形状は、中央領域が左/右領域よりも下方側に幅広に形成されている。
そして、成形体の母材16として使用する不飽和ポリエステル系樹脂は、熱硬化性樹脂であって優れた耐熱性及び耐光性を有しながら、射出成形法により成形可能であり量産性にも優れている。また、封止部材の母材31として使用するシリコーン系樹脂は、熱硬化性樹脂であって優れた耐熱性及び耐光性を有し、フェニル基を含むことで耐熱性が更に強化されている。このような成形体の母材16と封止部材の母材31の組み合わせにより、量産性に優れ、且つ、リフローはんだ実装時における加熱、並びに/又は、発光素子20及び波長変換物質40の発熱に対する耐熱性を高めて、温度変化により伸縮しにくく、ひいては形状の変化をきたしにくい発光装置が得られる。また、成形体の母材16として不飽和ポリエステル系樹脂を使用することで、フェニル基を含むシリコーン系樹脂である封止部材の母材31の硬化不良による表面の粘着性(タック性)を抑制することができる。
ここで、成形体15は、発光装置100のリフローはんだ実装時の熱により膨張する(このとき、封止部材の母材31の膨張も影響することがある)。この膨張した成形体15の最下面が、発光装置100が実装される回路基板等の表面(実装面)と接すると、外部接続端子部11b,12bの最下面と実装面の距離が増大しやすくなり、はんだの接合不良を引き起こす虞がある。これは、成形体15の最下面を外部接続端子部11b,12bの最下面より上位に設定しておくことで抑制乃至回避することができる。しかしながら、側面発光型発光装置の場合には、発光装置の厚さを維持したまま、外部接続端子部11b,12bの最下面と成形体15の最下面の高低差d(以下、「スタンドオフ量」とも言う)を大きくすれば、成形体15の側面(前面)の面積が小さくなり、発光領域が小さくなる傾向がある。そこで、成形体の母材16を不飽和ポリエステル系樹脂とすることで、さらには封止部材の母材31をフェニル基を含むシリコーン系樹脂とすることで、発光装置100のはんだリフロー実装時における成形体15の膨張を抑えることができる。これにより、発光装置の実装安定性を向上させることができると共に、スタンドオフ量dを小さくでき側面発光型発光装置の発光領域を大きくしやすい。また、発光装置の厚さのバラツキが小さくなるため、はんだの量を低減することができ、環境負荷の低減、及び発光装置が実装されるユニットの軽量化にも寄与する。
また、成形体15及び封止部材の母材31は、発光装置の点灯/消灯の繰り返しにより伸縮したり、光源(発光素子20及び波長変換物質40)からの熱及び光により劣化したりし、徐々に形状に変化をきたす。成形体15の凹部10a周囲の比較的薄い側壁部などは、封止部材の母材31の変形に連れて変形することもある。そして、このような成形体15及び封止部材の母材31の変形は、発光装置の色度分布、光度分布などの発光特性(以下、「光質」とも言う)を劣化させる傾向がある。特に、液晶ディスプレイのバックライト用の発光装置における光質の劣化は、液晶ディスプレイの見栄えの顕著な悪化に繋がる。そこで、成形体の母材16を不飽和ポリエステル系樹脂とすることで、さらには封止部材の母材31をフェニル基を含むシリコーン系樹脂とすることで、発光装置の長期駆動に伴う成形体15及び封止部材の母材31の変形を抑えることができる。これにより、発光装置の光質を維持しやすく、発光装置の信頼性を高めることができる。また、成形体15の凹部10a周囲の側壁部が薄い薄型又は小型の発光装置においても、発光効率を維持しやすい。
以上のように、実施の形態1の発光装置100は、素子収容器の成形体15及び/又は封止部材30の変形を抑え、実装安定性及び/又は信頼性に優れる発光装置とすることができる。ひいては、広色域且つ高光質の発光装置の品質を安定させることができる。
また、図1(c)に示すように、発光装置100において、波長変換物質40は、緑色光乃至黄色光を発する第1蛍光体41と、赤色光を発する第2蛍光体42と、を含んでいる。そして、発光素子20は、青色光を発する素子である。このような構成により、色再現性又は演色性に優れる発光が可能となる。しかしながら、その反面、波長変換物質40の使用量が比較的多くなり、それに伴いストークスロスによる発熱が増大する。したがって、素子収容器の成形体15及び/又は封止部材30の変形を生じやすくなるため、本実施の形態の発光装置100の構成が効果を奏しやすい。
さらに、発光装置100において、第2蛍光体42は、マンガンで賦活されたフッ化物蛍光体である。マンガンで賦活されたフッ化物蛍光体は、赤色域においてスペクトル半値幅の狭い発光が可能であるが、発光効率が比較的低いため、使用量が多くなりやすく、それに伴いストークスロスによる発熱が増大しやすい。したがって、素子収容器の成形体15及び/又は封止部材30の変形をよりいっそう生じやすくなるため、本実施の形態の発光装置100の構成が特に効果を奏しやすい。また、フェニル基を含むシリコーン系樹脂は、シリコーン系樹脂の中ではガスバリア性が比較的高いため、マンガンで賦活されたフッ化物蛍光体の水分による劣化を抑制しやすい。加えて、一対のリード電極11,12及び後述のワイヤ50の硫黄含有ガス等の腐食性ガスによる劣化も抑制しやすい。なお、マンガンで賦活されたフッ化物蛍光体は、水分及び熱による劣化を抑制するため、封止部材30中において、前方側より後方側に即ち凹部10aの底面側に多く存在していることが好ましい。
上述のように、本実施の形態の発光装置100は、薄型の側面発光型発光装置である場合において特に効果を奏する。ここで、薄型とは、例えば厚さが1mm以下であることを言う。特に、発光装置100(素子収容器10)の厚さは、0.8mm以下であることが好ましく、0.6mm以下であることがより好ましく、0.5mm以下であることがよりいっそう好ましい。発光装置100(素子収容器10)の厚さの下限値は、特に限定されないが、例えば0.2mm以上である。また、成形体15の凹部10a周囲の側壁部の最も薄い部位の厚さは、例えば0.1mm以下であり、発光領域(凹部10aの開口)を大きくする観点では、0.08mm以下であることが好ましく、0.06mm以下であることがより好ましい。但し、成形体15の凹部10a周囲の側壁部が薄くなり過ぎると、側壁部からの漏光が増大する虞があるため、側壁部の最も薄い部位の厚さの下限値としては0.03mm以上であることが好ましい。
また、スタンドオフ量dは、0.03mm以下であることが好ましい。言い換えれば、成形体15の最下面は、外部接続端子部11b,12bの最下面より0.03mm以内の範囲で上位にあることが好ましい。これにより、側面発光型発光装置において、実装安定性を良好にしながら、発光領域を比較的大きく確保し高い発光効率を維持することができる。特に、これは、厚さ0.6mm以下の側面発光型発光装置において効果的であり、厚さ0.5mm以下の側面発光型発光装置においてより効果的である。また、外部接続端子部11b,12bの最下面は、成形体15の最下面より0.02mm以内の範囲で下位にあることがより好ましく、成形体15の最下面より0.015mm以内の範囲で下位にあることがよりいっそう好ましい。
図1(b),(c)に示すように、成形体15は、一対のリード電極11,12の後面を覆う後方成形部にゲート痕15aを有している。特に、この成形体15の後方成形部は、一対のリード電極11,12の成形体15の内側にある部位の後面の全てを覆っている。このような成形体15は、主として、射出成形法により成形されたものである。射出成形法では、溶融粘度の比較的高い樹脂をゲートから金型のキャビティ内に勢いよく注入する。このため、樹脂の圧力により、一対のリード電極11,12の前面、特に素子実装部11a,12aが金型に押し付けられ、素子実装部11a,12a上へのバリの発生が抑制される。また、このように、成形体15が一対のリード電極11,12の前面及び後面の両方を覆うことで、一対のリード電極11,12を成形体15によって強固に保持することができる。不飽和ポリエステル系樹脂は、例えばエポキシ系樹脂に比べてリード電極との密着性が得られにくいため、このような成形体15の構成が好適である。なお、「ゲート痕」とは、金型のキャビティ内への樹脂の注入口であるゲートの痕跡として成形体15に形成される突起である。また、成形体15の前方成形部は、主として、凹部10a周囲の側壁部を構成する。
図1(a),(c)に示すように、発光装置100は、一対のリード電極11,12と発光素子20を接続するワイヤ50を備えている。ワイヤ50は、凹部10a内に収容され、封止部材30に封止されている。ワイヤ50は、光反射性を高める観点において、銀を含むことが好ましい。すなわち、ワイヤ50は、少なくとも表面が銀若しくは銀合金で構成されていることが好ましく、銀線若しくは銀合金線であることがより好ましい。ここで、ワイヤ50は、封止部材30等の伸縮により歪みを生じ、ひいては破断することがある。特に、金より延性の小さい銀を含むワイヤ50は、金線に比べ破断しやすくなるが、封止部材の母材31をフェニル基を含むシリコーン系樹脂とすることで、さらには成形体の母材16を不飽和ポリエステル系樹脂とすることで、その破断を抑制することができる。また、この破断抑制の観点から、銀を含むワイヤ50は、特に、表面に銀若しくは銀合金の被膜を有する金線、又は金を含む銀合金線であることが好ましい。さらに、この銀合金は、銀75%以上/金15%以上又は銀85%以上/金5%以上(残りの成分は例えばパラジウム等)の構成とするのが良い。なお、ワイヤ50は、一対のリード電極11,12の少なくとも一方と発光素子20を接続していればよい。
以下、本発明の一実施の形態に係る発光装置における各構成要素について説明する。
(発光装置100)
発光装置は、発光素子が素子収容器に収容され一対のリード電極と電気的に接続され且つ封止部材により封止されて構成される。発光装置は、例えば「発光ダイオード(LED)」等と呼ばれるものであってよい。また、発光装置は、側面発光型だけでなく、上面発光型(トップビュー型)も含む。
発光装置は、発光素子が素子収容器に収容され一対のリード電極と電気的に接続され且つ封止部材により封止されて構成される。発光装置は、例えば「発光ダイオード(LED)」等と呼ばれるものであってよい。また、発光装置は、側面発光型だけでなく、上面発光型(トップビュー型)も含む。
(素子収容器10)
素子収容器は、発光素子を収容し、その発光素子に外部から給電するための電極(端子)を有する容器である。素子収容器は、少なくとも、一対のリード電極と、成形体と、により構成される。素子収容器は、例えば「パッケージ」等と呼ばれるものであってよい。また、側面発光型発光装置用の素子収容器だけでなく、上面発光型(トップビュー型)発光装置用の素子収容器も含む。
素子収容器は、発光素子を収容し、その発光素子に外部から給電するための電極(端子)を有する容器である。素子収容器は、少なくとも、一対のリード電極と、成形体と、により構成される。素子収容器は、例えば「パッケージ」等と呼ばれるものであってよい。また、側面発光型発光装置用の素子収容器だけでなく、上面発光型(トップビュー型)発光装置用の素子収容器も含む。
(リード電極11,12)
一対のリード電極は、素子収容器における正負一対の電極(端子)を構成する。1つの素子収容器において、リード電極は、少なくとも一対あればよいが、複数対あってもよい。リード電極は、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル、コバルト、モリブデン、又はこれらの合金の平板に、プレス(打ち抜き含む)、エッチング、圧延など各種の加工を施したものが母体となる。リード電極は、これらの金属又は合金の積層体で構成されてもよいが、単層で構成されるのが簡便で良い。特に、銅を主成分とする銅合金(燐青銅、鉄入り銅など)が好ましい。また、その表面に、銀、アルミニウム、ロジウム又はこれらの合金などの光反射膜が設けられていてもよく、なかでも光反射性に優れる銀又は銀合金が好ましい。特に、硫黄系光沢剤を用いた銀又は銀合金の膜(例えばめっき膜)は、膜の表面が平滑で、極めて高い光反射性が得られる。なお、この光沢剤中の硫黄及び/又は硫黄化合物は、銀又は銀合金の結晶粒中及び/又は結晶粒界に散在することになる(硫黄の含有量としては例えば50ppm以上300ppm以下)。光反射膜の光沢度は、特に限定されないが、1.5以上であることが好ましく、1.8以上であることがより好ましい。なお、この光沢度は、GAM(Graphic Arts Manufacturing)社製のdigital densitometer Model 144を用いて測定される値とする。リード電極の厚さは、特に限定されないが、例えば0.05mm以上1mm以下が挙げられ、0.07mm以上0.3mm以下が好ましく、0.1mm以上0.2mm以下がより好ましい。リード電極は、例えばリードフレームの小片であってもよい。
一対のリード電極は、素子収容器における正負一対の電極(端子)を構成する。1つの素子収容器において、リード電極は、少なくとも一対あればよいが、複数対あってもよい。リード電極は、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル、コバルト、モリブデン、又はこれらの合金の平板に、プレス(打ち抜き含む)、エッチング、圧延など各種の加工を施したものが母体となる。リード電極は、これらの金属又は合金の積層体で構成されてもよいが、単層で構成されるのが簡便で良い。特に、銅を主成分とする銅合金(燐青銅、鉄入り銅など)が好ましい。また、その表面に、銀、アルミニウム、ロジウム又はこれらの合金などの光反射膜が設けられていてもよく、なかでも光反射性に優れる銀又は銀合金が好ましい。特に、硫黄系光沢剤を用いた銀又は銀合金の膜(例えばめっき膜)は、膜の表面が平滑で、極めて高い光反射性が得られる。なお、この光沢剤中の硫黄及び/又は硫黄化合物は、銀又は銀合金の結晶粒中及び/又は結晶粒界に散在することになる(硫黄の含有量としては例えば50ppm以上300ppm以下)。光反射膜の光沢度は、特に限定されないが、1.5以上であることが好ましく、1.8以上であることがより好ましい。なお、この光沢度は、GAM(Graphic Arts Manufacturing)社製のdigital densitometer Model 144を用いて測定される値とする。リード電極の厚さは、特に限定されないが、例えば0.05mm以上1mm以下が挙げられ、0.07mm以上0.3mm以下が好ましく、0.1mm以上0.2mm以下がより好ましい。リード電極は、例えばリードフレームの小片であってもよい。
(成形体15)
成形体は、素子収容器における容器の母体をなす。成形体は、光反射性の観点から、発光素子の発光ピーク波長における光反射率が、75%以上であることが好ましく、90%以上であることがより好ましい。さらに、成形体は、白色であることが好ましい。成形体は、硬化前には流動性を有する状態つまり液状(ゾル状又はスラリー状を含む)を経る。成形体は、射出成形法、トランスファ成形法などにより成形することができる。
成形体は、素子収容器における容器の母体をなす。成形体は、光反射性の観点から、発光素子の発光ピーク波長における光反射率が、75%以上であることが好ましく、90%以上であることがより好ましい。さらに、成形体は、白色であることが好ましい。成形体は、硬化前には流動性を有する状態つまり液状(ゾル状又はスラリー状を含む)を経る。成形体は、射出成形法、トランスファ成形法などにより成形することができる。
(成形体の母材16)
成形体の母材である不飽和ポリエステル系樹脂は、不飽和ポリエステル樹脂、並びにその変性樹脂及びハイブリッド樹脂のうちの少なくとも1つを用いることができる。具体的には、特開2013−153144号公報、特開2014−207304号公報、特開2014−123672号公報等に記載されている樹脂が挙げられる。成形体は、光反射性、機械的強度、熱伸縮性などの観点から、母材中に、以下のような白色顔料と充填剤を含有することが好ましいが、これに限定されない。
成形体の母材である不飽和ポリエステル系樹脂は、不飽和ポリエステル樹脂、並びにその変性樹脂及びハイブリッド樹脂のうちの少なくとも1つを用いることができる。具体的には、特開2013−153144号公報、特開2014−207304号公報、特開2014−123672号公報等に記載されている樹脂が挙げられる。成形体は、光反射性、機械的強度、熱伸縮性などの観点から、母材中に、以下のような白色顔料と充填剤を含有することが好ましいが、これに限定されない。
(白色顔料)
白色顔料は、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム、チタン酸バリウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムなどが挙げられる。白色顔料は、これらのうちの1種を単独で、又はこれらのうちの2種以上を組み合わせて用いることができる。なかでも、酸化チタンは、屈折率が比較的高く、光隠蔽性に優れるため、好ましい。白色顔料の形状は、特に限定されず、不定形(破砕状)でもよいが、流動性の観点では球状が好ましい。白色顔料の粒径(以下「粒径」は例えば平均粒径D50で定義される)は、特に限定されず、例えば0.01μm以上1μm以下であり、好ましくは0.1μm以上0.5μm以下である。成形体中の白色顔料の含有量は、特に限定されず、成形体の光反射性の観点では多いほうが良いが、流動性への影響を考慮して、20wt%以上70wt%以下が好ましく、30wt%以上60wt%以下がより好ましい。なお、「wt%」は、重量パーセントであり、全構成材料の総重量に対する各材料の重量の比率を表す。
白色顔料は、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム、チタン酸バリウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムなどが挙げられる。白色顔料は、これらのうちの1種を単独で、又はこれらのうちの2種以上を組み合わせて用いることができる。なかでも、酸化チタンは、屈折率が比較的高く、光隠蔽性に優れるため、好ましい。白色顔料の形状は、特に限定されず、不定形(破砕状)でもよいが、流動性の観点では球状が好ましい。白色顔料の粒径(以下「粒径」は例えば平均粒径D50で定義される)は、特に限定されず、例えば0.01μm以上1μm以下であり、好ましくは0.1μm以上0.5μm以下である。成形体中の白色顔料の含有量は、特に限定されず、成形体の光反射性の観点では多いほうが良いが、流動性への影響を考慮して、20wt%以上70wt%以下が好ましく、30wt%以上60wt%以下がより好ましい。なお、「wt%」は、重量パーセントであり、全構成材料の総重量に対する各材料の重量の比率を表す。
(成形体の充填剤)
充填剤は、シリカ、酸化アルミニウム、ガラス、チタン酸カリウム、珪酸カルシウム(ワラストナイト)、マイカ、タルクなどが挙げられる。充填剤は、これらのうちの1種を単独で、又はこれらのうちの2種以上を組み合わせて用いることができる。但し、充填剤は、上記の白色顔料とは異なるものとする。特に、成形体の熱膨張係数の低減剤としては、シリカ(粒径は例えば5μm以上100μm以下、好ましくは5μm以上30μm以下)が好ましい。強化剤としては、ガラス、チタン酸カリウム、珪酸カルシウム(ワラストナイト)が好ましい。中でも、珪酸カルシウム(ワラストナイト)、又はチタン酸カリウムは比較的径が小さく、薄型又は小型の成形体に好適である。具体的には、強化剤の平均繊維径は、特に限定されず、例えば0.05μm以上100μm以下であり、0.1μm以上50μm以下が好ましく、1μm以上30μm以下がより好ましく、2μm以上15μm以下がよりいっそう好ましい。強化剤の平均繊維長は、特に限定されず、例えば0.1μm以上1mm以下であり、1μm以上200μm以下が好ましく、3μm以上100μm以下がより好ましく、5μm以上50μm以下がよりいっそう好ましい。強化剤の平均アスペクト比(平均繊維長/平均繊維径)は、特に限定されず、例えば2以上300以下であり、2以上100以下が好ましく、3以上50以下がより好ましく、5以上30以下がよりいっそう好ましい。充填剤の形状は、特に限定されず、不定形(破砕状)でもよいが、強化剤としての機能の観点では繊維状(針状)又は板状(鱗片状)が好ましく、流動性の観点では球状が好ましい。成形体中の充填剤の含有量は、特に限定されず、成形体の熱膨張係数、機械的強度等を考慮して適宜決めればよいが、10wt%以上80wt%以下が好ましく、30wt%以上60wt%以下がより好ましい(うち強化剤は5wt%以上30wt%以下が好ましく、5wt%以上20wt%以下がより好ましい)。
充填剤は、シリカ、酸化アルミニウム、ガラス、チタン酸カリウム、珪酸カルシウム(ワラストナイト)、マイカ、タルクなどが挙げられる。充填剤は、これらのうちの1種を単独で、又はこれらのうちの2種以上を組み合わせて用いることができる。但し、充填剤は、上記の白色顔料とは異なるものとする。特に、成形体の熱膨張係数の低減剤としては、シリカ(粒径は例えば5μm以上100μm以下、好ましくは5μm以上30μm以下)が好ましい。強化剤としては、ガラス、チタン酸カリウム、珪酸カルシウム(ワラストナイト)が好ましい。中でも、珪酸カルシウム(ワラストナイト)、又はチタン酸カリウムは比較的径が小さく、薄型又は小型の成形体に好適である。具体的には、強化剤の平均繊維径は、特に限定されず、例えば0.05μm以上100μm以下であり、0.1μm以上50μm以下が好ましく、1μm以上30μm以下がより好ましく、2μm以上15μm以下がよりいっそう好ましい。強化剤の平均繊維長は、特に限定されず、例えば0.1μm以上1mm以下であり、1μm以上200μm以下が好ましく、3μm以上100μm以下がより好ましく、5μm以上50μm以下がよりいっそう好ましい。強化剤の平均アスペクト比(平均繊維長/平均繊維径)は、特に限定されず、例えば2以上300以下であり、2以上100以下が好ましく、3以上50以下がより好ましく、5以上30以下がよりいっそう好ましい。充填剤の形状は、特に限定されず、不定形(破砕状)でもよいが、強化剤としての機能の観点では繊維状(針状)又は板状(鱗片状)が好ましく、流動性の観点では球状が好ましい。成形体中の充填剤の含有量は、特に限定されず、成形体の熱膨張係数、機械的強度等を考慮して適宜決めればよいが、10wt%以上80wt%以下が好ましく、30wt%以上60wt%以下がより好ましい(うち強化剤は5wt%以上30wt%以下が好ましく、5wt%以上20wt%以下がより好ましい)。
(発光素子20)
発光素子は、LED素子などの半導体発光素子を用いることができる。発光素子は、多くの場合に基板を有するが、少なくとも、種々の半導体で構成される素子構造と、正負(pn)一対の電極と、を有するものであればよい。特に、紫外〜可視域の発光が可能な窒化物半導体(InxAlyGa1−x−yN、0≦x、0≦y、x+y≦1)の発光素子が好ましい。発光素子の発光ピーク波長は、発光効率、他の光源の光との混色関係、波長変換物質の励起効率などの観点から、445nm以上465nm以下の範囲が好ましい。このほか、緑色〜赤色発光のガリウム砒素系、ガリウム燐系半導体の発光素子を含んでいてもよい。正負一対の電極が同一面側に設けられている発光素子の場合、各電極をワイヤで一対のリード電極と接続される(フェイスアップ実装)。また、各電極を導電性接着剤で一対のリード電極と接続されてもよい(フリップチップ実装(フェイスダウン実装))。正負一対の電極が互いに反対の面に各々設けられている対向電極構造の発光素子の場合、下面電極が導電性接着剤で一方のリード電極に接着され、上面電極がワイヤで他方のリード電極と接続される。1つの素子収容器に搭載される発光素子の個数は1つでも複数でもよい。複数の発光素子は、ワイヤにより直列又は並列に接続することができる。また、1つの素子収容器に、例えば青色・緑色・赤色発光の3つの発光素子が搭載されてもよい。
発光素子は、LED素子などの半導体発光素子を用いることができる。発光素子は、多くの場合に基板を有するが、少なくとも、種々の半導体で構成される素子構造と、正負(pn)一対の電極と、を有するものであればよい。特に、紫外〜可視域の発光が可能な窒化物半導体(InxAlyGa1−x−yN、0≦x、0≦y、x+y≦1)の発光素子が好ましい。発光素子の発光ピーク波長は、発光効率、他の光源の光との混色関係、波長変換物質の励起効率などの観点から、445nm以上465nm以下の範囲が好ましい。このほか、緑色〜赤色発光のガリウム砒素系、ガリウム燐系半導体の発光素子を含んでいてもよい。正負一対の電極が同一面側に設けられている発光素子の場合、各電極をワイヤで一対のリード電極と接続される(フェイスアップ実装)。また、各電極を導電性接着剤で一対のリード電極と接続されてもよい(フリップチップ実装(フェイスダウン実装))。正負一対の電極が互いに反対の面に各々設けられている対向電極構造の発光素子の場合、下面電極が導電性接着剤で一方のリード電極に接着され、上面電極がワイヤで他方のリード電極と接続される。1つの素子収容器に搭載される発光素子の個数は1つでも複数でもよい。複数の発光素子は、ワイヤにより直列又は並列に接続することができる。また、1つの素子収容器に、例えば青色・緑色・赤色発光の3つの発光素子が搭載されてもよい。
(封止部材30)
封止部材は、発光素子を封止して、埃や水分、外力などから保護する部材である。封止部材は、電気的絶縁性を有し、発光素子から出射される光に対して透光性(好ましくは発光素子の発光ピーク波長における光透過率が70%以上、より好ましくは85%以上)を有する部材であればよい。封止部材は、これらの母材中に、少なくとも波長変換物質を含有することが好ましいが、これに限定されない。
封止部材は、発光素子を封止して、埃や水分、外力などから保護する部材である。封止部材は、電気的絶縁性を有し、発光素子から出射される光に対して透光性(好ましくは発光素子の発光ピーク波長における光透過率が70%以上、より好ましくは85%以上)を有する部材であればよい。封止部材は、これらの母材中に、少なくとも波長変換物質を含有することが好ましいが、これに限定されない。
(封止部材の母材31)
封止部材の母材であるフェニル基を含むシリコーン系樹脂は、メチル・フェニルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂、並びにその変性樹脂及びハイブリッド樹脂のうちの少なくとも1つを用いることができる。フェニル基を含むシリコーン系樹脂中のケイ素原子に結合した全有機基のうちフェニル基の含有率は、例えば5mol%以上80mol%以下であり、20mol%以上70mol%以下であることが好ましく、30mol%以上60mol%以下であることがより好ましい。
封止部材の母材であるフェニル基を含むシリコーン系樹脂は、メチル・フェニルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂、並びにその変性樹脂及びハイブリッド樹脂のうちの少なくとも1つを用いることができる。フェニル基を含むシリコーン系樹脂中のケイ素原子に結合した全有機基のうちフェニル基の含有率は、例えば5mol%以上80mol%以下であり、20mol%以上70mol%以下であることが好ましく、30mol%以上60mol%以下であることがより好ましい。
(波長変換物質40)
波長変換物質は、発光素子から出射される一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を出射する。これにより、可視波長の一次光及び二次光の混色光(例えば白色光)を出射する発光装置とすることができる。波長変換物質は、以下に示す具体例のうちの1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
波長変換物質は、発光素子から出射される一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を出射する。これにより、可視波長の一次光及び二次光の混色光(例えば白色光)を出射する発光装置とすることができる。波長変換物質は、以下に示す具体例のうちの1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
(第1蛍光体41)
第1蛍光体は、緑色光乃至黄色光を発する。第1蛍光体の発光ピーク波長は、発光効率、他の光源の光との混色関係などの観点から、緑色域(500nm以上560nm以下の範囲)が好ましく、520nm以上560nm以下の範囲がより好ましい。具体的には、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばY3(Al,Ga)5O12:Ce)、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばLu3(Al,Ga)5O12:Ce)、シリケート系蛍光体(例えば(Ba,Sr)2SiO4:Eu)、クロロシリケート系蛍光体(例えばCa8Mg(SiO4)4Cl2:Eu)、βサイアロン系蛍光体(例えばSi6−zAlzOzN8−z:Eu(0<Z<4.2))などが挙げられる。
第1蛍光体は、緑色光乃至黄色光を発する。第1蛍光体の発光ピーク波長は、発光効率、他の光源の光との混色関係などの観点から、緑色域(500nm以上560nm以下の範囲)が好ましく、520nm以上560nm以下の範囲がより好ましい。具体的には、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばY3(Al,Ga)5O12:Ce)、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばLu3(Al,Ga)5O12:Ce)、シリケート系蛍光体(例えば(Ba,Sr)2SiO4:Eu)、クロロシリケート系蛍光体(例えばCa8Mg(SiO4)4Cl2:Eu)、βサイアロン系蛍光体(例えばSi6−zAlzOzN8−z:Eu(0<Z<4.2))などが挙げられる。
(第2蛍光体42)
第2蛍光体は、赤色光を発する。第2蛍光体の発光ピーク波長は、発光効率、他の光源の光との混色関係などの観点から、620nm以上670nm以下の範囲が好ましい。具体的には、窒素含有アルミノ珪酸カルシウム(CASN又はSCASN)系蛍光体(例えば(Sr,Ca)AlSiN3:Eu)などが挙げられる。また、マンガンで賦活されたフッ化物蛍光体は、一般式A2[M1−aMnaF6]で表される蛍光体である(但し、上記一般式(I)中、Aは、K、Li、Na、Rb、Cs及びNH4からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、Mは、第4族元素及び第14族元素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、aは0<a<0.2を満たす)。このフッ化物蛍光体の代表例としては、フッ化珪酸カリウム系蛍光体(例えばK2SiF6:Mn)がある。
第2蛍光体は、赤色光を発する。第2蛍光体の発光ピーク波長は、発光効率、他の光源の光との混色関係などの観点から、620nm以上670nm以下の範囲が好ましい。具体的には、窒素含有アルミノ珪酸カルシウム(CASN又はSCASN)系蛍光体(例えば(Sr,Ca)AlSiN3:Eu)などが挙げられる。また、マンガンで賦活されたフッ化物蛍光体は、一般式A2[M1−aMnaF6]で表される蛍光体である(但し、上記一般式(I)中、Aは、K、Li、Na、Rb、Cs及びNH4からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、Mは、第4族元素及び第14族元素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、aは0<a<0.2を満たす)。このフッ化物蛍光体の代表例としては、フッ化珪酸カリウム系蛍光体(例えばK2SiF6:Mn)がある。
このほか、波長変換物質は量子ドットを含んでもよい。量子ドットは、粒径1nm以上100nm以下程度の粒子であり、粒径によって発光波長を変えることができる。量子ドットは、例えば、セレン化カドミウム、テルル化カドミウム、硫化亜鉛、硫化カドミウム、硫化鉛、セレン化鉛、又はテルル化カドミウム・水銀などが挙げられる。
(封止部材の充填剤)
封止部材の充填剤は、シリカ、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛などが挙げられる。封止部材の充填剤は、これらのうちの1種を単独で、又はこれらのうちの2種以上を組み合わせて用いることができる。特に、封止部材の熱膨張係数の低減剤としては、シリカが好ましい。封止部材の充填剤の形状は、特に限定されず、不定形(破砕状)でもよいが、流動性の観点では球状が好ましい。封止部材中の充填剤の含有量は、特に限定されず、封止部材の熱膨張係数、流動性等を考慮して適宜決めればよいが、0.1wt%以上50wt%以下が好ましく、1wt%以上30wt%以下がより好ましい。また、封止部材の充填剤として、ナノ粒子(粒径が1nm以上100nm以下の粒子)を用いることで、発光素子の青色光など短波長の光の散乱(レイリー散乱を含む)を増大させ、波長変換物質の使用量を低減することもできる。このナノ粒子の充填剤としては、例えばシリカ又は酸化ジルコニウムが好ましい。
封止部材の充填剤は、シリカ、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛などが挙げられる。封止部材の充填剤は、これらのうちの1種を単独で、又はこれらのうちの2種以上を組み合わせて用いることができる。特に、封止部材の熱膨張係数の低減剤としては、シリカが好ましい。封止部材の充填剤の形状は、特に限定されず、不定形(破砕状)でもよいが、流動性の観点では球状が好ましい。封止部材中の充填剤の含有量は、特に限定されず、封止部材の熱膨張係数、流動性等を考慮して適宜決めればよいが、0.1wt%以上50wt%以下が好ましく、1wt%以上30wt%以下がより好ましい。また、封止部材の充填剤として、ナノ粒子(粒径が1nm以上100nm以下の粒子)を用いることで、発光素子の青色光など短波長の光の散乱(レイリー散乱を含む)を増大させ、波長変換物質の使用量を低減することもできる。このナノ粒子の充填剤としては、例えばシリカ又は酸化ジルコニウムが好ましい。
(接着剤)
接着剤は、発光素子をリード電極に接着する部材である。絶縁性接着剤は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、又はこれらの変性樹脂若しくはハイブリッド樹脂などを用いることができる。導電性接着剤としては、銀、金、パラジウムなどの導電性ペーストや、錫−ビスマス系、錫−銅系、錫−銀系、金−錫系の半田などを用いることができる。
接着剤は、発光素子をリード電極に接着する部材である。絶縁性接着剤は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、又はこれらの変性樹脂若しくはハイブリッド樹脂などを用いることができる。導電性接着剤としては、銀、金、パラジウムなどの導電性ペーストや、錫−ビスマス系、錫−銅系、錫−銀系、金−錫系の半田などを用いることができる。
(ワイヤ50)
ワイヤは、発光素子の電極と、リード電極と、を接続する導線である。具体的には、金、銅、銀、白金、アルミニウム、パラジウム又はこれらの合金の金属線(ここでいう「金属」は合金を含む)を用いることができる。ワイヤの線径は、特に限定されないが、例えば5μm以上50μm以下が挙げられ、10μm以上40μm以下が好ましく、15μm以上30μm以下がより好ましい。
ワイヤは、発光素子の電極と、リード電極と、を接続する導線である。具体的には、金、銅、銀、白金、アルミニウム、パラジウム又はこれらの合金の金属線(ここでいう「金属」は合金を含む)を用いることができる。ワイヤの線径は、特に限定されないが、例えば5μm以上50μm以下が挙げられ、10μm以上40μm以下が好ましく、15μm以上30μm以下がより好ましい。
以下、本発明に係る実施例について詳述する。なお、本発明は以下に示す実施例のみに限定されないことは言うまでもない。
<実施例1>
実施例1の発光装置は、図1(a)〜(c)に示す例の発光装置100の構造を有する側面発光型のLEDである。この発光装置(素子収容器)の大きさは、横幅(左右方向の幅)3.0mm、奥行き(前後方向の幅)0.85mm、厚さ(上下方向の幅)0.4mmである。
実施例1の発光装置は、図1(a)〜(c)に示す例の発光装置100の構造を有する側面発光型のLEDである。この発光装置(素子収容器)の大きさは、横幅(左右方向の幅)3.0mm、奥行き(前後方向の幅)0.85mm、厚さ(上下方向の幅)0.4mmである。
素子収容器10は、成形体15が第1リード電極11(負極)及び第2リード電極12(正極)と一体に成形されて成っている。素子収容器10は、前面に横2.2mm、縦0.29mm(左右幅狭部0.19mm)、深さ0.3mmの凹部10aを有している。成形体15は、不飽和ポリエステル樹脂の母材16中に、酸化チタンの白色顔料(40wt%)と、球状のシリカ(25wt%)及び繊維状のガラス(10wt%)の充填剤を含有している。成形体15は、射出成形法により成形されており、(後方成形部の)後面の略中心にゲート痕を有している。第1リード電極11及び第2リード電極12は、銅合金の母体上に硫黄系光沢剤を用いた銀めっきが施された厚さ0.11mmの金属小片である。凹部10aの側面は成形体15の表面で構成され、凹部10aの底面は成形体15の表面と、第1リード電極11及び第2リード電極12の表面で構成されている。この凹部10aの底面を構成する第1リード電極11及び第2リード電極12の部位は、第1素子実装部11a及び第2素子実装部12aである。また、第1リード電極11及び第2リード電極12は、成形体15の外側にある部位として、第1外部接続端子部11b及び第2外部接続端子部12bを有している。第1外部接続端子部11b及び第2外部接続端子部12bは、成形体15の外側面の1つ(実装側主面:ここでは下面)から延出しその外側面に沿うように折り曲げられ、更に別の外側面(左/右端面)に沿うように折り曲げられている。そして、この第1外部接続端子部11b及び第2外部接続端子部12bの最下面は、成形体15の最下面より0.015mm下位にある。
素子収容器の凹部10a内には、1個の発光素子20が収容されている。この発光素子20は、サファイア基板上に、窒化物半導体のn型層、活性層、p型層が順次積層された、青色(発光ピーク波長約455nm)発光可能な、縦0.18mm、横0.8mm、厚さ0.12mmの略直方体のLEDチップである。発光素子20は、第1素子実装部11a上に接着剤で接着され、そのn電極及びp電極が第1素子実装部11a及び第2素子実装部12aとワイヤ50により各々接続されている。接着剤は、ジメチルシリコーン樹脂である。ワイヤ50は、線径25μmの銀−金合金線(銀約80%/金約20%)である。
素子収容器の凹部10a内には、封止部材30が発光素子20を被覆するように充填されている。封止部材30は、メチル・フェニルシリコーン樹脂を母材31とし、その中にβサイアロン系蛍光体である緑色(発光ピーク波長約540nm)発光可能な第1蛍光体41とフッ化珪酸カリウム系蛍光体である赤色(発光ピーク波長約630nm)発光可能な第2蛍光体42からなる波長変換物質40と、シリカの充填剤(0.4wt%)と、を含有している。封止部材30の前面は、成形体15の前面と略同一面(硬化収縮により若干の凹面)となっている。波長変換物質40は、封止部材30中において、凹部10aの底面側に多く存在している。
以上のように構成された実施例1の発光装置は、実施の形態1の発光装置100と同様の効果を奏することができる。
本発明の一実施の形態に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト装置、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、プロジェクタ装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置などに利用することができる。
10…素子収容器(10a…凹部、11,12…リード電極(11a,12a…素子実装部、11b,12b…外部接続端子部)、15…成形体(15a…ゲート痕、16…母材))
20…発光素子
30…封止部材(31…母材、40…波長変換物質(41…第1蛍光体、42…第2蛍光体))
50…ワイヤ
100…発光装置
20…発光素子
30…封止部材(31…母材、40…波長変換物質(41…第1蛍光体、42…第2蛍光体))
50…ワイヤ
100…発光装置
Claims (4)
- 一対のリード電極と、前記一対のリード電極と一体に成形された成形体と、を含み、側面に凹部を有する素子収容器と、
前記一対のリード電極と電気的に接続され前記凹部内に収容された発光素子と、
前記発光素子が発する光を異なる波長の光に変換する波長変換物質を含有し前記凹部内に充填された封止部材と、を備え、
前記一対のリード電極が前記成形体の下面に沿うように折り曲げられた外部接続端子部を有する側面発光型の発光装置であって、
前記成形体の母材は、不飽和ポリエステル系樹脂であり、
前記発光素子は、青色光を発し、
前記封止部材の母材は、フェニル基を含むシリコーン系樹脂であり、
前記波長変換物質は、緑色光乃至黄色光を発する第1蛍光体と、赤色光を発する第2蛍光体と、を含み、
前記第2蛍光体は、マンガンで賦活されたフッ化物蛍光体を含む発光装置。 - 前記成形体の最下面は、前記外部接続端子部の最下面より0.03mm以内の範囲で上位にある請求項1に記載の発光装置。
- 当該発光装置の厚さは、0.8mm以下である請求項1又は2に記載の発光装置。
- 前記一対のリード電極の少なくとも一方と前記発光素子を接続するワイヤを備え、
前記ワイヤは、銀を含む請求項1乃至3のいずれか一項に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015027949A JP2016152276A (ja) | 2015-02-16 | 2015-02-16 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015027949A JP2016152276A (ja) | 2015-02-16 | 2015-02-16 | 発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016152276A true JP2016152276A (ja) | 2016-08-22 |
Family
ID=56696798
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015027949A Pending JP2016152276A (ja) | 2015-02-16 | 2015-02-16 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2016152276A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019129323A (ja) * | 2018-01-23 | 2019-08-01 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクスデバイス |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005229048A (ja) * | 2004-02-16 | 2005-08-25 | Stanley Electric Co Ltd | 白色発光ダイオード |
JP2008166535A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 表面実装型側面発光装置及びその製造方法 |
JP2009177093A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Nichia Corp | 射出成形用金型及びこれによって成形される半導体パッケージ並びに半導体パッケージの製造方法 |
JP2010045328A (ja) * | 2008-07-18 | 2010-02-25 | Sharp Corp | 発光装置および発光装置の製造方法 |
JP2010093132A (ja) * | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Sharp Corp | 半導体発光装置およびそれを用いた画像表示装置、液晶表示装置 |
JP2010123746A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Toshiba Corp | 光半導体装置と、照明装置および表示装置 |
JP2011127011A (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-30 | Sekisui Chem Co Ltd | 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置 |
JP2013153144A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-08-08 | Panasonic Corp | Ledリフレクター用不飽和ポリエステル樹脂組成物とそれを用いた粒状物、タブレット、ledリフレクター、表面実装型led発光装置、led照明器具 |
US20130270602A1 (en) * | 2012-04-16 | 2013-10-17 | Lextar Electronics Corporation | Light-emitting diode package |
WO2013183219A1 (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | 日本ユピカ株式会社 | Led反射板用結晶性不飽和ポリエステル樹脂組成物、前記組成物からなる粒状物、及び前記粒状物を成形してなるled反射板、表面実装型発光装置、並びに該発光装置を備えた、照明装置及び画像表示装置 |
JP2014195046A (ja) * | 2013-02-28 | 2014-10-09 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びそれを備える照明装置 |
JP2015028148A (ja) * | 2013-07-03 | 2015-02-12 | 日亜化学工業株式会社 | フッ化物蛍光体及びそれを用いた発光装置並びに蛍光体の製造方法 |
-
2015
- 2015-02-16 JP JP2015027949A patent/JP2016152276A/ja active Pending
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005229048A (ja) * | 2004-02-16 | 2005-08-25 | Stanley Electric Co Ltd | 白色発光ダイオード |
JP2008166535A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 表面実装型側面発光装置及びその製造方法 |
JP2009177093A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Nichia Corp | 射出成形用金型及びこれによって成形される半導体パッケージ並びに半導体パッケージの製造方法 |
JP2010045328A (ja) * | 2008-07-18 | 2010-02-25 | Sharp Corp | 発光装置および発光装置の製造方法 |
JP2010093132A (ja) * | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Sharp Corp | 半導体発光装置およびそれを用いた画像表示装置、液晶表示装置 |
JP2010123746A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Toshiba Corp | 光半導体装置と、照明装置および表示装置 |
JP2011127011A (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-30 | Sekisui Chem Co Ltd | 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置 |
JP2013153144A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-08-08 | Panasonic Corp | Ledリフレクター用不飽和ポリエステル樹脂組成物とそれを用いた粒状物、タブレット、ledリフレクター、表面実装型led発光装置、led照明器具 |
US20130270602A1 (en) * | 2012-04-16 | 2013-10-17 | Lextar Electronics Corporation | Light-emitting diode package |
WO2013183219A1 (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | 日本ユピカ株式会社 | Led反射板用結晶性不飽和ポリエステル樹脂組成物、前記組成物からなる粒状物、及び前記粒状物を成形してなるled反射板、表面実装型発光装置、並びに該発光装置を備えた、照明装置及び画像表示装置 |
JP2014195046A (ja) * | 2013-02-28 | 2014-10-09 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びそれを備える照明装置 |
JP2015028148A (ja) * | 2013-07-03 | 2015-02-12 | 日亜化学工業株式会社 | フッ化物蛍光体及びそれを用いた発光装置並びに蛍光体の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019129323A (ja) * | 2018-01-23 | 2019-08-01 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクスデバイス |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6374339B2 (ja) | 発光装置 | |
EP3561885B1 (en) | Light emitting device | |
JP6583247B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2007273562A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP6191667B2 (ja) | 発光装置 | |
TWI720969B (zh) | 發光裝置 | |
US8030835B2 (en) | Light emitting device | |
JP6874288B2 (ja) | 発光装置及びバックライト光源 | |
JP6524624B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5200471B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP2008140934A (ja) | 発光ダイオード装置及び照明装置 | |
JP5849694B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
US10424699B2 (en) | Light emitting device | |
JP6308286B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6326830B2 (ja) | 発光装置及びそれを備える照明装置 | |
JP2007116116A (ja) | 発光装置 | |
US10283489B2 (en) | Light emitting device | |
JP2007116107A (ja) | 発光装置 | |
JP2017224731A (ja) | 発光装置 | |
JP2011249856A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP6607036B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2016152276A (ja) | 発光装置 | |
JP6521017B2 (ja) | 発光装置 | |
JP7460911B2 (ja) | 発光装置及びそれを用いたディスプレイ | |
US9997503B2 (en) | Composite substrate and light emitting device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180116 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180919 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181009 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20190402 |