CN107017324B - 发光器件封装 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种发光器件封装。该发光器件封装包括具有第一到第六侧表面部和在第一侧表面部上的腔体的本体；在腔体的底部上的第一和第二引线框架；以及在第一和第二引线框架中的至少一个上的发光芯片。第一和第二引线框架具有在本体的第一和第二外侧区域上的第一和第二结合部和从第一和第二结合部弯曲的第一和第二热辐射部。第一和第二凹部包括以第一角度倾斜的上区域和从上区域以第二角度倾斜的下区域并且第二角度小于第一角度，以及第一和第二引线框架的第一和第二热辐射部被置放在下区域上。

Description

发光器件封装
技术领域
在这里公开了一种发光器件封装和具有该发光器件封装的发光设备。
背景技术
实施例涉及一种发光器件封装。
实施例涉及一种在侧向发射光的发光器件封装。
实施例涉及一种具有发光器件封装的发光设备。
一种发光器件包括例如发光二极管(LED)，并且发光二极管是一种将电能转换成光的半导体器件，并且作为替代传统荧光灯和白炽灯的下一代光源已经受到关注。
因为发光二极管通过使用半导体器件产生光，所以与通过加热钨产生光的白炽灯或者使得通过高压放电产生的紫外线与荧光体碰撞而产生光的荧光灯相比较，它消耗非常低的电力。
此外，因为发光二极管通过使用半导体器件的位势差产生光，所以与传统的光源相比，它具有更长的寿命、更快的响应特性和环境友好特性。
相应地，已经进行了大量的研究以将传统光源更换为发光二极管，并且发光二极管已经越来越多地被用作诸如在室内和室外使用的各种灯、液晶显示器设备、电子招牌和路灯的光设备的光源。
发明内容
实施例提供一种侧视型发光器件封装。
实施例提供一种可以减小本体的底表面和引线框架的结合部之间的间隙的发光器件封装。
实施例提供一种可以防止本体抬升的发光器件封装。
实施例提供一种允许从引线框架的结合部弯曲的热辐射部与设置在引线框架上和本体外侧的多阶梯形的倾斜表面紧密接触的发光器件。
根据实施例的一种发光器件封装包括：本体，该本体包括第一侧表面部、与第一侧表面部相对的第二侧表面部、邻近于第一和第二侧表面部并且彼此相对的第三和第四侧表面部、其中置放腔体(cavity)的第五侧表面部以及与第五侧表面部相对的第六侧表面部；第一引线框架，该第一引线框架具有置放在腔体的底部上的第一引线部、连接到第一引线部并且在本体的第一侧表面部的第一外侧区域处弯曲的第一结合部和从第一结合部弯曲到第三侧表面部的第一凹部(recess)的第一热辐射部；第二引线框架，该第二引线框架具有置放在腔体的底部上的第二引线部、连接到第二引线部并且弯曲到本体的第一侧表面部的第二外侧区域的第二结合部、以及从第二结合部弯曲到第四侧表面部的第二凹部的第二热辐射部；以及发光芯片，该发光芯片被置放在腔体的底部上置放的第一引线框架的第一引线部和第二引线框架的第二引线部中的至少一个上，其中与第五侧表面部相比，第一和第二凹部更加邻近于第六侧表面部，并且第一和第二凹部包括从第三和第四侧表面部以第一角度倾斜的第一和第二区域和从第一和第二区域以第二角度倾斜的第三和第四区域，并且第一角度是从第三和第四侧表面部延伸的直线和第一和第二区域的倾斜表面之间的角度，并且第二角度是该直线和第三和第四区域的倾斜表面之间的角度，并且第二角度小于第一角度，并且第一引线框架的第一热辐射部被置放在第三侧表面部的第三区域上，并且第二引线框架的第二热辐射部被置放在第四侧表面部的第四区域上。
根据实施例的发光器件封装包括：本体，本体具有腔体，该腔体具有比在第二轴线方向上的长度更长的、在第一轴线方向上的长度；置放在腔体的底部上的第一和第二引线框架；以及置放在第一和第二引线框架中的至少一个上的发光芯片，其中本体包括在第二轴线方向上位于相对侧上的第一和第二侧表面部、以及在第一轴线方向上位于相对侧上的第三和第四侧表面部、其中置放腔体的第五侧表面部、以及与第五侧表面部相对的第六侧表面部，并且本体在第四侧表面部上包括以与第三侧表面部不同的角度倾斜的第一凹部和具有处于不同角度的倾斜区域的第二凹部，并且第一引线框架包括置放在腔体的底部处的第一引线部、置放在本体的第一侧表面部的第一外侧区域中的第一结合部和从第一结合部弯曲到第三侧表面部的第一凹部的第一热辐射部，并且第二引线框架包括在腔体的底部上的第二引线部、置放在本体的第一侧表面部的第二外侧区域中的第二结合部和从第二结合部弯曲到第四侧表面部的第二凹部的第二热辐射部，并且其中与第五侧表面部相比，第一和第二凹部更加邻近于第六侧表面部，并且第一和第二凹部包括从第三和第四侧表面部以第一角度倾斜的第一和第二区域和从第一和第二区域以第二角度倾斜的第三和第四区域，并且第一角度是从第三和第四侧表面部延伸的直线和第一和第二区域的倾斜表面之间的角度，并且第二角度是该直线和第三和第四区域的倾斜表面之间的角度，并且第二角度小于第一角度，以及第一引线框架的第一热辐射部被置放在第三侧表面部的第三区域上，并且第二引线框架的第二热辐射部被置放在第四侧表面部的第四区域上。
根据实施例，第一角度可以具有锐角，并且在第一和第三区域之间的角度可以具有钝角。
根据实施例，与第一和第二区域相比，第三和第四侧表面部的第三和第四区域可以进一步更加靠近第六侧表面部。
根据实施例，从自第三和第四侧表面部延伸的直线，第一和第二区域可以具有第一深度，并且从垂直于与第一和第二区域的边界点的直线，第三和第四区域可以具有第二深度，并且第一深度可以比第二深度更深。
根据实施例，第一侧表面部可以包括邻近于第六侧表面部并且在第六侧表面部的方向上水平地延伸的多个平坦区域，并且这些平坦区域可以具有与第一热辐射部和第二热辐射部相同的间隔。
根据实施例，该多个平坦区域可以在本体的厚度方向上与置放在腔体中的第一引线框架重叠。
根据实施例，第一侧表面部可以包括邻近于第六侧表面部的第一部分区域，并且第一部分区域可以具有从第一侧表面部的表面呈阶梯形而不在本体的厚度方向与腔体重叠的平坦表面。
根据实施例，可以在本体的第三和第四侧表面部中包括在与第一和第二引线部相对应的方向上凹进的凹陷部(depression part)。
根据实施例，在本体的第一轴线方向上的长度可以至少三倍地大于本体的厚度，并且腔体的底部的中心区域可以具有恒定宽度，并且邻近于第三和第四侧表面部的第一和第二侧区域可以具有小于中心区域的宽度的宽度。
根据实施例，发光芯片可以被置放在第一引线部上，并且置放在腔体的底部上的第一引线部的区域可以大于第二引线部的区域。
根据实施例，腔体的内侧表面可以包括倾斜表面和从本体的第五侧表面部呈垂直阶梯形的区域。
根据实施例，可以在本体的第三和第四侧表面部中包括在与第一和第二引线部相对应的方向上凹进的凹陷部，并且第一和第二区域可以在第三轴线方向上与凹陷部重叠。
根据实施例，第一和第二角度可以具有锐角，并且在第一和第三区域之间的角度可以具有钝角，并且在第二和第四区域之间的角度可以具有钝角。
根据实施例，第一凹部可以具有从自第三侧表面部延伸的直线朝向第六侧表面部逐渐地变深的深度，并且第二凹部可以具有从自第四侧表面部延伸的直线朝向第六侧表面部逐渐地变深的深度。
根据实施例，与第一和第二区域相比，第三和第四侧表面部的第三和第四区域可以更加靠近第六侧表面部，并且第一和第二区域在第一轴线方向上的宽度可以大于第三和第四区域的宽度。
根据实施例，本体可以包括其中置放腔体的第一本体部和在第一本体部和第六侧表面部之间的第二本体部，并且第一侧表面部可以包括在第二本体部上的在第六侧表面部的方向上水平地延伸的多个平坦区域，并且该多个平坦区域可以被置放在第一和第二结合部之间。
根据实施例，平坦区域可以在本体的厚度方向上与置放在腔体中的第一引线框架的第一引线部重叠，并且平坦区域可以包括邻近于第一结合部的第一平坦区域、以及邻近于第二结合部的第二平坦区域，并且第一结合部和第一平坦区域之间的距离可以等于或者大于第一和第二平坦区域之间的距离，并且第一和第二平坦区域在第一轴线方向上的长度可以大于在第二轴线方向上的长度。
附图简要说明
将参考以下附图详细描述实施例，其中类似的附图标记指代类似的元件，并且其中：
图1是图示根据实施例的发光器件封装的平面视图；
图2是解释图1的本体的视图；
图3是图1的发光器件封装的A-A侧截面视图；
图4是解释图3的本体的视图；
图5是图1的发光器件封装的B-B侧截面视图；
图6是图1的发光器件封装的底视图；
图7是图6的发光器件封装的部分放大视图；
图8是图7的发光器件封装的C-C侧截面视图；
图9是图1的发光器件封装的侧视图；
图10是图1的发光器件封装的另一个侧视图；
图11是图1的发光器件封装的后视图；
图12和13是图示作为根据该实施例的图1的发光器件封装的另一个示例的具有凹口的引线框架及其弯曲工艺的视图；
图14和15是图示作为根据该实施例的图1的发光器件封装的另一个示例的具有凹口的引线框架及其弯曲工艺的视图；
图16是图示具有根据该实施例的发光器件封装的发光设备的侧视图；
图17是图15的发光设备的另一个侧视图；
图18是图示根据该实施例的发光器件封装的发光芯片的示例的视图；以及
图19是图示具有根据该实施例的发光器件封装的显示设备的透视图。
具体实施方式
在下文中，将通过附图和实施例的说明更加清楚地示出实施例。在实施例的说明中，在每一个层(膜)、区域、图案或者结构被描述为在每一个层(膜)、区域、焊盘(pad)或者图案“上”或者“下”形成的情形中，“上”和“下”包括“直接地”和“间接地”形成这两者。此外，将基于这些图描述用于确定在每一个层“上”或者“下”的基准。
因为在本说明书中示出的实施例和在附图中示出的配置是本发明的优选实施例，而不代表本发明的全部技术思想，所以在提交本申请时可以存在可以取代这些实施例的各种等价和修改示例。贯穿本说明书，“向前”或者“前表面”指的是从Z轴线方向观察封装的方向，并且“向后”或者“后表面”指的是从–Z轴线方向观察封装的方向，并且“左侧”和“右侧”可以被用于示出从–X轴线方向和X轴线方向观察封装的方向。
在下文中，将参考附图描述根据实施例的一种发光器件封装。
图1是图示根据实施例的发光器件封装的平面视图，图2是用于解释图1的本体的视图，图3是图1的发光器件封装的A-A侧截面视图，图4是用于解释图3的本体的视图，图5是图1的发光器件封装的B-B侧截面视图，图6是图1的发光器件封装的底视图，图7是图6的发光器件封装的部分放大视图，图8是图7的发光器件封装的C-C侧截面视图，图9是图1的发光器件封装的侧视图，图10是图1的发光器件封装的另一个侧视图并且图11是图1的发光器件封装的后视图。
参考图1到11，发光器件封装100包括具有腔体20的本体10、腔体20中的多个引线框架30和40和置放在该多个引线框架30和40中的至少一个上的发光芯片71。发光器件封装100可以作为侧视或者侧表面发光型封装实现，并且可以被应用于诸如移动电话和便携式计算机的液晶显示设备、各种照明领域和指向设备。
参考图1和2，发光器件封装100中的第一轴线方向是X轴线方向或者横向方向，并且第二轴线方向是Y轴线方向或者高度或者厚度方向，并且第三轴线方向可以是Z轴线方向或者纵向方向。第一和第二轴线方向是相互正交的方向，并且第三轴线方向可以正交于第一和第二轴线的方向。发光器件封装100的X、Y和Z轴线的每一条的方向可被以应用于本体10或者引线框架30和40。
发光器件封装100可以被设置成侧视封装从而腔体20被置放成具有大于第二轴线Y方向的高度的第一轴线X方向的长度。
在发光器件封装100中，第一轴线X方向的长度D1可以是第二轴线Y方向的厚度T1的其三倍或者四倍以上。在第一轴线X方向上的长度D1范围可以是从2.5mm或者更大例如2.7mm到4.5mm。因为发光器件封装100的第一轴线X方向的长度D1被设置成更长，所以当发光器件封装100在第一轴线X方向上被布置在电路板上时，布置在电路板上的发光器件封装100的数目可以减小。发光器件封装100的厚度T1可以被设置成小于图3的长度D1和高度H1，并且因此具有发光器件封装100的光单元的厚度可以减小。发光器件封装100的厚度T1可以小于或者等于1mm。
发光器件封装100在第一轴线X方向上的长度D1可以大于本体10的长度D2，并且厚度T1可以等于本体10的厚度，例如，本体10的第二轴线Y方向的厚度。本体10的长度D2可以是本体10的厚度的三倍或者更大。
本体10包括在其底部处具有引线框架30和40被暴露于的腔体的第一本体部10A，和支撑第一本体部10A的第二本体部10B。第一本体部10A可以是上部本体或者前部本体，并且第二本体部10B可以是下部本体或者后部本体。第一本体部10A可以是基于引线框架30和40的前部区域，并且第二本体部10B可以是基于引线框架30和40的后部区域。第一本体部10A可以被置放在暴露于腔体20的引线框架30和40的下表面和本体10的第五侧表面部15之间，并且第二本体部10B可以被置放在暴露于腔体20的引线框架30和40的下表面和本体10的第六侧表面部16之间。第一和第二本体部10A和10B可以一体地形成。诸如第一引线框架30和第二引线框架40的多个引线框架30和40被耦接到本体10。
本体10可以由绝缘材料形成。本体10可以由反射材料形成。本体10可以由关于从发光芯片71发射的波长具有高于透射率的反射率的材料例如具有70％或者更大的反射率的材料形成。在反射率是70％或者更大的情形中，本体10可以被定义为非透明材料或者反射材料。本体10可以由树脂基绝缘材料例如诸如聚邻苯二甲酰胺(PPA)的树脂材料形成。本体10可以由包括硅树脂基、环氧基或者塑性材料的热固性树脂，或者具有高的耐热性和高耐光性(light resistance)的材料形成。本体10包括基于白色基(white-based)树脂。在本体10中，可以选择性地添加酸酐、抗氧化剂、脱模剂、光反射剂、无机填料、固化催化剂、光稳定剂、润滑剂和二氧化钛。本体10可以由选自由环氧树脂、改性环氧树脂、硅树脂、改性硅树脂、丙烯酸树脂和聚氨基甲酸酯树脂组成的组的至少一种形成。例如，在环氧树脂中，作为固化剂的1，8-二氮杂二环(5，4，0)、十一碳烯-7(DBU)、作为助催化剂的乙二醇、氧化钛色素和玻璃纤维被添加到由异氰尿酸三缩水甘油酯、氢化双酚缩水甘油醚等构成的环氧树脂和由六氢苯酐、3甲基六氢邻苯二甲酸酐、4甲基六氢邻苯二甲酸酐等构成的酸酐，并且因此可以使用通过加热部分地固化并且B态(B stated)的固体环氧树脂组合物，但是本发明不限于此。可以通过在热固性树脂中适当地混合选自由分散剂、色素、荧光材料、反射材料、光屏蔽材料、光稳定剂和润滑剂组成的组的至少一种而形成本体10。
本体10可以包括反射材料，诸如其中添加金属氧化物的树脂材料，并且金属氧化物可以包括TiO2、SiO2和Al2O3中的至少一种。这种本体10可以有效地反射入射光。作为另一个实例，本体10可以由具有转换入射光的波长的半透明树脂材料或者荧光体材料的树脂材料形成。
参考图1和2，本体10的侧表面可以包括第一侧表面部11和与第一侧表面部11相对的第二侧表面部12，以及邻近于第一和第二侧表面部11和12并且彼此相对地置放的第三和第四侧表面部13和14。第一和第二侧表面部11和12关于本体10的第二轴线Y方向彼此相对，并且第三和第四侧表面部13和14可以关于第一轴线X方向彼此相对。本体10包括第五侧表面部15和第六侧表面部16，并且第五和第六侧表面部15和16可以关于本体10的第三轴线Z方向彼此相对。
第一侧表面部11可以是本体10的底部，第二侧表面部12可以是本体10的上表面，第一和第二侧表面部11和12可以是具有本体10的长度D2的长侧表面，并且第三和第四侧表面部13和14可以是具有小于本体10的厚度T1的厚度T2的短侧表面。第一侧表面部11可以是对应于电路板的侧表面。
类似图3和4，本体10可以包括第五侧表面部15和第六侧表面部16，并且第五侧表面部15可以是其中置放腔体20的表面，并且可以是从其发射光的表面。第五侧表面部15可以是本体10的前表面部。第六侧表面部16可以是与第五侧表面部15相对的侧表面。第六侧表面部16可以是本体10的后表面部。第六侧表面部16可以包括第一部16A、第二部16B，以及在第一部16A和第二部16B之间的凹陷部16C。与第一和第二部16A和16B相比，凹陷部16C可以在腔体方向在第一和第二部16A和16B之间凹进。
参考图5，本体10的第一侧表面部11的第一部分区域11-1是与第五侧表面部15相比更加靠近第六侧表面部16的区域，可以被置放在平坦区域中，并且可以平行于第一侧表面部11的水平平面置放。第一部分区域11-1可以是在第一侧表面部11的区域中与引线框架30和40的下表面相比进一步在向后方向上置放的后部区域。因为第一侧表面部11和第一部分区域11-1被设置成平坦表面，所以能够防止本体10的第五侧表面部15被第一侧表面部11抬升的问题。这里，第一部分区域11-1可以从第一侧表面部11以0.05mm或者更低的高度呈阶梯形，并且可以被设置在平面中。
本体10的第二侧表面部12的第二部分区域12-1可以被置放在平坦区域中，并且第二部分区域12-1是与第五侧表面部15相比更加靠近第六侧表面部16的区域，并且可以对应于第一侧表面部11的第一部分区域11-1。第二部分区域12-1可以被与第二侧表面部12的水平平面平行地置放。第二部分区域12-1可以是在第二侧表面部12的区域中比引线框架30和40的下表面进一步在向后方向上置放的后区域。因为第二侧表面部12和第二部分区域12-1被设置成平坦表面，所以能够防止置放在第二侧表面部12上的其它结构在水平方向上受到影响。
第一侧表面部11的第一部分区域11-1和第二侧表面部12的第二部分区域12-1可以是在本体10的区域中与第一和第二引线框架30和40的第一和第二引线部31和41相比更加邻近于第六侧表面部16的区域。第一和第二部分区域11-1和12-1可以是在本体10的厚度方向上不与腔体20重叠的区域。第一和第二部分区域11-1和12-1可以不在本体10的厚度方向上与第一和第二引线部31和41重叠。
实施例可以防止在本体10的底部区域中由于第五和第六侧表面部15和16的高度差异引起的抬升。第一侧表面部11的第一部分区域11-1和第二侧表面部12的第二部分区域12-1的宽度B0(在图4中B1+B2)可以是在本体10的第五和第六侧表面部15和16之间的距离，例如，本体10的宽度(图3中的H1)的50％或者更低，例如45％到50％的范围。在第一侧表面部11的第一部分区域11-1和第二侧表面部12的第二部分区域12-1小于以上范围的情形中，难以确保第一和第二引线框架30和40的第一和第二结合部32和42的结合区域，并且在大于以上范围的情形中，可以发生本体10的第五侧表面部15被抬升的问题。实施例可以防止如在图16和17中所示置放在电路板201上的发光器件封装100的出射侧第五侧表面部15的一个部分被抬升的问题。
第一引线框架30包括置放在腔体20的底部处的第一引线部31、置放在本体10的第一侧表面部11的第一外侧区域11A和11C上的第一结合部32，和置放在本体10的第三侧表面部13上的第一热辐射部33。第一结合部32从置放在本体10中的第一引线部31弯曲并且突出到第一侧表面部11的第一外侧区域11A和11C，并且第一热辐射部33可以从第一结合部32在第三侧表面部13的方向上弯曲。第一侧表面部11的第一外侧区域11A和11C可以是邻近于本体10的第三侧表面部13的区域。第一侧表面部11的第一外侧区域11A和11C可以被置放在第一侧表面部11的中心区域和第三侧表面部13之间。第一侧表面部11的中心区域可以是在第一和第二侧表面部11和12之间具有恒定距离的区域，并且第一外侧区域11A和11C可以是其中在第一和第二侧表面部11和12之间的距离减小或者具有比厚度T1更小的距离的区域。
第二引线框架40包括置放在腔体20的底部上的第二引线部41、置放在本体10的第一侧表面部11的第二外侧区域11B和11D上的第二结合部42，和置放在本体10的第四侧表面部14上的第二热辐射部43。第二结合部42从置放在本体10中的第二引线部41弯曲并且可以突出到第一侧表面部11的第二外侧区域11B和11D。第二热辐射部43可以从第二结合部42弯曲。第一侧表面部11的第二外侧区域11B和11D可以是邻近于本体10的第四侧表面部14的区域。第一侧表面部11的第三外侧区域11C和11D可以被置放在第一侧表面部11的中心区域和第三侧表面部13之间。第二外侧区域11B和11D可以是其中在第一和第二侧表面部11和12之间的距离减小或者是小于厚度T1的距离的区域。
第一外侧区域11A和11C与第二外侧区域11B和11D可以具有倾斜区域11A和11B与平坦区域11C和11D，并且第一和第二引线框架30和40的第一和第二结合部32和42可以通过倾斜区域11A和11B突出，但是本发明不限于此。倾斜区域11A和11B可以允许第一和第二结合部32和42在其中本体10的厚度不太薄的区域中突出。
第一引线框架30的第一引线部31和第二引线框架40的第二引线部41可以被置放在腔体20的底部上。分离部17被置放在腔体20的底部上并且可以被置放在第一和第二引线部31和41之间。分离部17可以由本体10的材料形成并且可以是与腔体20的底部相同的水平表面或者可以突出，但是本发明不限于此。
这里，发光芯片71可以被置放在第一和第二引线框架30和40中的至少一个上。发光芯片71可以被置放在第一和第二引线部31和41中的至少一个上。发光芯片71可以例如被置放在第一引线框架30的第一引线部31上。从腔体20的底部第一引线框架30的第一引线部31的区域可以大于第二引线部41的区域，并且发光芯片71可以被置放在第一引线部31上，并且因此通过发光芯片71产生的端头(head)可以被有效地辐射。
发光芯片71可以被导线72和73连接到第一和第二引线部31和41。作为另一个示例，发光芯片71可以以粘结方式连接到第一引线部31并且被导线连接到第二引线部41。发光芯片71可以是水平芯片、垂直芯片，或者具有过孔结构的芯片。发光芯片71可以被以倒装芯片方式安装。发光芯片71可以在紫外线到可见光的波长范围内选择性地发射光。发光芯片71例如可以发射紫外光或者蓝色峰值波长。发光芯片71可以包括II-VI族化合物和III-V族化合物中的至少一种。发光芯片71可以由选自由GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、GaP、AlN、GaAs、AlGaAs、InP及其混合物组成的组的化合物形成。
类似图2、3和5，在腔体20的内侧表面中，围绕腔体20置放的第一、第二、第三和第四内侧表面21、22、23和24可以相对于引线框架30和40的上表面的水平直线倾斜。邻近于第一侧表面部11的第一内侧表面21和邻近于第二侧表面部12的第二内侧表面22相对于腔体20的底部倾斜一定的角度，并且邻近于第三侧表面部13的第三内侧表面23和邻近于第四侧表面部14的第四内侧表面24可以以小于第一和第二内侧表面21和22的倾斜角度的角度倾斜。相应地，第一和第二内侧表面21和22朝向第二轴线Y方向反射入射光的传播，并且第三和第四内侧表面23和24可以在第一轴线X方向上漫射入射光。
类似图3和5，内侧表面21、22、23和24可以具有从本体10的第五侧表面部15垂直地呈阶梯形的区域25。阶梯形区域25可以被置放成在本体10的第五侧表面部15与内侧表面21、22、23和24之间呈阶梯形。阶梯形区域25可以控制通过腔体20发射的光的指向特性。参考图2，当观察腔体20的底部时，在X轴线方向上的长度D4是在第三和第四内侧表面23和24之间的最小距离，并且在Y轴线方向上的宽度T3可以是在第一和第二内侧表面21和22之间的最大距离。第一内侧表面21和第二内侧表面22可以在腔体20中面对彼此。第一内侧表面21对应于第一侧表面部11，第二内侧表面22对应于第二侧表面部12，第三内侧表面23的一部分对应于第三侧表面部13，并且第四内侧表面24的一部分可以对应于第四侧表面部14。
腔体20的中心区域A1在Y轴线方向上的宽度T3可以比第一和第二侧区域A2和A3的宽度更宽。在腔体20的底部处的中心区域A1在Y轴线方向上具有恒定的宽度T3，并且发光芯片71的尺寸可以增加。第一和第二侧区域A2和A3邻近于第三和第四侧表面部13和14，并且在邻近于第三和第四侧表面部13和14的区域中宽度可以更窄。第一和第二侧区域A2和A3可以具有比宽度T3更窄或者逐渐地变窄的宽度，或者可以包括具有曲线的区域。这里，可以设置在腔体20中的中心区域A1的笔直片段从而腔体20的第二内侧表面22比第一内侧表面21更长，并且这防止了光在第二内侧表面22的方向上传播并且在第一内侧表面21的方向上传播的光可以被在侧向上引导。
类似图3，腔体20的深度H2是从第五侧表面部15到腔体20的底部的距离并且它不大于本体10的宽度H1的1/3，例如可以在0.3mm±0.05mm的范围中。在腔体20的深度H2小于以上范围的情形中，难以控制光的指向角度，并且在超过以上范围的情形中，存在以下问题，即，本体10的宽度H1增加或者光指向角度变窄。
这里，本体10的宽度H1是在Z轴线方向上的长度，并且它可以是在本体10的第五侧表面部15和第六侧表面部16之间的间隙。这里，本体10的宽度H1可以大于本体10的厚度T1，并且在本体10的宽度H1和厚度T1之间的差可以是0.05mm或者更大，例如0.05mm到0.5mm，并且在本体10的厚度T1大于该差的情形中，光单元的厚度可以增加，并且在小于以上范围的情形中，引线框架30和40的热辐射区域可以减小。
类似图2，当观察本体10在Y轴线方向上的厚度时，邻近于第三和第四侧表面部13和14的区域的厚度T2可以比本体10的中心区域的厚度T1更薄。邻近于本体10的第一侧表面部11的第三和第四侧表面部13和14的区域可以凹进从而第一和第二引线框架30和40的第一和第二结合部32和42得以定位。
本体10的第三和第四侧表面部13和14可以具有向内凹进的凹陷部35和45，并且在本体10的注入过程期间支撑本体10的指部可以插入凹陷部35和45中。凹陷部35和45可以从本体10在X轴线方向上的相对侧朝向引线部31和41的方向凹进。凹陷部35和45可以被置放在与第一和第二引线框架30和40的第一和第二引线部31和41平行地延伸的延伸线上。凹陷部35和45可以被置放成与第一和第二引线部31和41隔开。凹陷部35和45与第一和第二引线部31和41之间的距离可以等于或者小于凹陷部35和45的深度。凹陷部35和45的深度可以以通过其凹陷部35和45的一部分可以与腔体20例如腔体20在竖直方向上的一部分重叠的深度形成，但是它不限于此。
参考图6和7，在本体10的第一侧表面部11中，平坦区域18和19可以被置放在第一引线框架30的第一结合部32和第二引线框架40的第二结合部42之间。与引线框架30和40的第一和第二引线部31和41的水平延伸线L1相比，平坦区域18和19可以被向后置放，并且第一侧表面部11的平面表面可以水平地延伸。平坦区域18和19包括相互隔开的多个平坦区域，例如，第一平坦区域18和第二平坦区域19，并且第一平坦区域18被置放在第一结合部32和第二平坦区域19之间，并且第二平坦区域19被置放在第二结合部42和第一平坦区域18之间。平坦区域18和19可以在第一侧表面部11的第一部分区域11-1上延伸。第一和第二平坦区域18和19可以是与第一侧表面部11的水平平面表面相同的平面表面，并且可以防止本体10在第一侧表面部11的向后方向上倾斜。第一和第二平坦区域18和19的长度D5可以大于宽度D6，并且例如长度D5可以是0.4mm或者更大，例如在0.4mm到0.6mm的范围中，并且宽度D6可以等于或者大于0.15mm，例如在0.17mm到0.21mm的范围中。这里，第一和第二平坦区域18和19的长度D5是在X轴线方向上的长度，并且宽度D6可以是在Z轴线方向上的长度。
在第一和第二平坦区域18和19小于以上范围的情形中，发光器件封装100的第五侧表面部15的一部分被抬升并且光指向特性可以被改变，并且在超过以上范围的情形中，改进程度可能是不显著的。第一和第二平坦区域18和19的长度D5大于第一和第二结合部32和42的宽度P并且它可以平衡本体10的底部中心区域。平坦区域18和19对应于在第一侧表面部11的区域中置放在腔体20上的第一引线部31并且可以与第二引线部41隔开。第一和第二平坦区域18和19可以在本体10的厚度方向上与第一引线部31重叠。
第一和第二平坦区域18和19之间的间隙G3可以等于第一平坦区域18和第二结合部32之间的间隙G2或者第二平坦区域19和第二结合部42之间的间隙G2。具有间隙G2和G3的第一和第二结合部32和42与第一和第二平坦区域18和19可以防止本体10的底表面倾斜。这里，当考虑在本体10的第一侧表面部11中的间隙G2和G3的比率时，G2：G3处于1：1到2：1的范围中或者可以满足关系G3≤G2。当第一和第二平坦区域18和19的长度D5增加时，在第一和第二平坦区域18和19之间的间隙G3可以减小，并且由于结合部32和42的位置、结构和宽度，在结合部32和42之间的间隙G2可能不易改变。第一和第二平坦区域18和19的长度D5可以大于间隙G2和G3，例如，长度D5可以比间隙G2或者G3大150％或者以上。因为第一和第二平坦区域18和19的长度D5被置放成大于间隙G2和G3，所以第一和第二平坦区域18和19可以在第一和第二结合部32和42之间的两个区域中在功能上被用作平坦支撑部。第一和第二平坦区域18和19的长度D5的和被置放成本体10的长度(图1中的D2)的25％或者更大，例如等于或者大于30％，并且因此第一和第二平坦区域18和19可以平衡本体10的第一侧表面部11的中心区域。
因为第一和第二平坦区域18和19被进一步邻近于本体10的第一侧表面部11的中心区域置放并且在本体10的第一侧表面部11上在第一和第二引线框架30和40的第一和第二结合部32和42之间的区域中被置放成平坦表面，所以能够防止本体10向后倾斜。
从第一和第二引线框架30和40的第一和第二结合部32和42平坦区域的长度P1是在Z轴线方向上的长度，并且可以被置放成0.25mm或者更大，例如0.26mm或者更大。具有这种长度P1的第一和第二结合部32和42可以支撑本体10的第一侧表面部11的后部，并且防止了本体10的第五侧表面部15被抬升，并且光的指向特性降低和亮度降低的问题可以得到解决。
在本体10的第一侧表面部11中，其中放置第一和第二引线框架30和40的第一和第二结合部32和42的第一和第二结合区域11G和11I被置放在第一部分区域11-1的外侧上，并且倾斜区域11E和11F可以被置放在第一和第二结合区域11G和11I与平坦的第一部分区域11-1之间。
图8是图7的发光器件封装的C-C侧截面视图。参考图7和8，将描述第一引线框架30的第一结合部32和第一热辐射部33，并且将参考第一引线框架30的说明描述第二引线框架40的第二结合部42和第二热辐射部43。
如在图7和8中所示，第一引线框架30的第一结合部32可以从第一引线部31以预定角度例如范围从88度到91度的角度弯曲。第一结合部32的内侧可以以例如0.03mm或者更小的预定间隙G6与本体10的第一侧表面部11的第一结合区域11G隔开。在本体10的第一结合区域11G和第一结合部32之间的间隙G6超过0.3mm的情形中，第一结合部32被置放成是倾斜的，并且相应地产生了本体10倾斜的问题，并且第一热辐射部33可以不与本体10紧密接触。第一引线框架30的第一热辐射部33从第一结合部32弯曲并且可以延伸到本体10的第三侧表面部13。第一热辐射部33从第一结合部32以89度到91度的角度θ7弯曲并且可以与第三侧表面部13紧密接触。
如在图4、6和7中所示，在本体10的第三和第四侧表面部13和14中，在邻近于第六侧表面部16的区域中，可以置放在其中置放第一和第二引线框架30和40的第一和第二热辐射部33和43的第一和第二凹部13-1和14-1。如在图4中所示，第一凹部13-1可以是第三侧表面部13的区域的、邻近于第六侧表面部16的凹进区域。第二凹部14-1可以是第四侧表面部14的、邻近于第六侧表面部16的凹进区域。在第三侧表面部13中第一凹部13-1被置放在第二本体部10B外侧，并且第二凹部14-1可以被置放在第四侧表面部14的第二本体部10B外侧。第一引线框架30的第一热辐射部33可以被置放在第一凹部13-1上，并且第二引线框架40的第二热辐射部43可以被置放在第二凹部14-1上。第一凹部13-1可以具有从垂直直线朝向第六侧表面部16逐渐地变深的深度，并且第二凹部14-1可以具有从垂直直线朝向第六侧表面部16逐渐地变深的深度。
第一和第二热辐射部33和43从第一和第二结合部32和42延伸到第一和第二凹部13-1和14-1并且可以提高热辐射效率。多个倾斜区域，例如，以相互不同的角度倾斜的两个或者更多区域可以被置放在本体10的第三和第四侧表面部13和14的第一和第二凹部13-1和14-1中的每一个上。第一和第二凹部13-1和14-1的倾斜区域位于不同于在其中置放第一和第二结合部32和42的平面的侧表面上，并且可以是在其中置放第一和第二热辐射部33和43的区域。
如在本体10的第三和第四侧表面部13和14的第一和第二凹部13-1和14-1中所示，包括了从第三侧表面部13和第四侧表面部14倾斜的第一和第二区域13A和14A，和从第一和第二区域13A和14A倾斜的第三和第四区域13B和14B。第一和第二区域13A和14A是第三侧表面部13和第四侧表面部14从在Z轴线方向上的直线开始的凹形区域，并且第三和第四区域13B和14B可以是在第一和第二区域13A和14A与第六侧表面部16的第一部16A和第二部16B之间的区域。第一和第二区域13A和14A的倾斜表面可以相对于垂直线被以是锐角的第一角度θ2置放，并且第三和第四区域13B和14B的倾斜区域可以相对于该垂直线被以是锐角的第二角度θ3置放。第一角度θ2是在从第三和第四侧表面部13和14延伸的直线或者第三轴线方向和第一和第二区域13A和14A的倾斜表面之间的角度。第二角度θ3是在直线或者第三轴线方向和第三和第四区域13B和14B的倾斜表面之间的角度。第一和第二区域13A和14A相对于垂直于本体10的第三和第四侧表面部13和14的直线倾斜，并且第三和第四区域13B和14B可以从第一和第二区域13A和14A延伸到第六侧表面部16的表面。
在第一区域13A和第三区域13B之间的角度或者在第二区域13B和第四区域14B之间的角度θ1可以是钝角。角度θ1可以例如在155±5度的范围中，并且第一和第二区域13A和14A的倾斜的第一角度θ2可以大于第三和第四区域13B和14B的倾斜的第二角度(θ3<θ2)。第一和第二区域13A和14A的第一角度θ2可以是50度或者更小，例如40度或者更小，并且第三和第四区域13B和14B的第二角度θ3可以是20度或者更小，例如15度或者更小。因为第三和第四区域13B和14B区域从第一和第二区域13A和14A以以上角度倾斜，所以在被弯曲之后，置放在第三和第四区域13B和14B上的第一和第二热辐射部33和43可以与第三和第四区域13B和14B紧密接触。
第三和第四侧表面部13和14的第一和第二凹部13-1和14-1可以被置放在本体10的后部上，例如第一部分区域11-1和第二部分区域12-1外侧。因为第一和第二区域13A和14A的倾斜角度以大于第三和第四区域13B和14B的倾斜角度的角度倾斜，所以置放在第三和第四区域13B和14B上的第一和第二热辐射部33和43可以紧密接触。因为第一和第二区域13A和14A与第三和第四区域13B和14B提供倾斜表面，所以在本体10的注入模制期间从模制框架的分离可以被容易地实现。
第一和第二区域13A和14A的深度B3可以大于第三和第四区域13B和14B的深度B4。在第三和第四侧表面部13和14的Z轴线方向上或者从其垂直直线，第一和第二区域13A和14A的第一深度B3在0.13mm±0.02mm的范围中，并且从与第一和第二区域13A和14A的边界区域的垂直直线(Z轴线方向)起，第三和第四区域13B和14B的第二深度B4可以在0.05mm±0.02mm的范围中。因为第一和第二区域13A和14A与第三和第四区域13B和14B具有第一和第二深度B3和B4，所以第一和第二引线框架30和40的第一和第二热辐射部33和43可以被紧密地容纳。第一和第二引线框架30和40的第一和第二热辐射部33和43可以利用其中其外侧部从本体10的第三和第四侧表面部13和14突出的结构耦接。因为第一和第二区域13A和14A被置放成倾斜以具有第一深度，所以第一和第二热辐射部33和43可以与第三和第四区域13B和14B紧密接触。
第一和第二区域13A和14A可以被置放成在第三轴线方向上与第三和第四侧表面部13和14的凹陷部35和45重叠。第一和第二区域13A和14A可以被邻近于凹陷部35和45置放。第一和第二凹部13-1和14-1可以位于本体10在第一轴线方向上彼此相对的侧面上。
第三和第四区域13B和14B的高度B2可以大于第一和第二区域13A和14A的高度B1。第一和第二区域13A和14A的高度B1以0.15mm±0.02mm与第一和第二引线部31和41的后表面隔开，并且第三和第四区域13B和14B的高度B2可以在0.25mm±0.04mm的范围中隔开。在第一和第二区域13A和14A与第三和第四区域13B和14B之间的边界部分可以在0.25mm±0.04mm的范围中与本体10的第六侧表面部16隔开。第三和第四区域13B和14B的高度B2至少0.1mm或者更大地大于第一和第二区域13A和14A的高度(B1<B2)，并且可以被置放成大于图4所示本体10的第一部分区域11-1和第二部分区域12-1的宽度B0的50％。因为第三和第四区域13B和14B的高度B2是大的并且第二深度B4是低的并且以小的角度倾斜，所以第一和第二热辐射部33和43可以在第三和第四区域13B和14B上紧密接触，并且相应地，可以防止第一和第二热辐射部33和43影响第一和第二结合部32和42。置放在第三和第四区域13B和14B中的第一和第二引线框架30和40的第一和第二热辐射部33和43的宽度可以增加，并且因此，热辐射效率还可以提高。
因为本体10的第三和第四侧表面部13和14的凹形的第一和第二凹部13-1和14-1提供至少在两个阶段中倾斜的结构，所以如与在一个阶段中倾斜的结构(图7中的L2线)相比较，第一和第二结合部32和42与第一和第二热辐射部33和43可以进一步与本体10紧密接触。此外，因为第一和第二热辐射部33和43基于第一和第二区域13A和14A与第三和第四区域13B和14B之间的边界点被弯曲，所以第一和第二热辐射部33和43可以从第一和第二结合部32和42以直角或者接近直角的角度与第三和第四区域13B和14B紧密接触。相应地，第一和第二结合部32和42能够被置放在一致地水平的平面中。这里，在第三侧表面部13的后区域在一个阶段中倾斜的情形中，类似图7的L2线，在第一热辐射部33和后区域之间的距离能够进一步增加，并且此时，因为第一热辐射部33不处于紧密接触中，所以存在以下问题，即，在第一热辐射部33被弯曲之后，第一结合部32的均匀的平面可以受到影响。
参考图9，在第三侧表面部13的第一凹部13-1与第一和第三区域13A和13B之间的边界部分可以被置放在第一热辐射部33上方。第一热辐射部33可以以预定间隙G5例如0.02mm±0.01mm与第一和第三区域13A和13B之间的边界部分隔开。当第一热辐射部33大于以上范围与第一和第三区域13A和13B的边界部分隔开时，第一热辐射部33的紧密接触效果可能降低并且热辐射区域也可能减小。
参考图10，第二引线框架40的第二结合部42可以与本体10的第一侧表面部11的第二结合区域11I具有预定间隙G6并且例如它可以以0.03mm或者更小的距离紧密接触。当在本体10的第二结合区域11I和第二结合部42之间的间隙G6超过0.3mm时，第二结合部42被置放成是倾斜的并且本体10可以倾斜并且第二热辐射部43可以不与本体10紧密接触。第四侧表面部14的第二凹部14-1与第二和第四区域14A和14B之间的边界部分可以被置放在第二热辐射部43上方。第二热辐射部43可以以例如在0.02mm±0.01mm的范围中的预定间隙G5与第二和第四区域14A和14B之间的边界部分隔开。在第二热辐射部43大于以上范围与第二和第四区域14A和14B之间的边界部分隔开的情形中，第二热辐射部43的附着效果可能降低并且热辐射区域也可能减小。
参考图11，本体10的第三和第四侧表面部13和14的第三和第四区域13B和14B与第一和第二热辐射部33和43之间的最大距离G4可以被置放在0.1mm或者更小例如0.08mm或者更小的距离处。因为第一和第二热辐射部33和43与第三和第四区域13B和14B紧密接触，所以连接到第一和第二热辐射部33和43的第一和第二结合部32和42与本体10之间的间隙G6可以减小，并且第一和第二结合部32和42可以被设置在一致的水平平面中。
将参考第一引线框架30描述第二引线框架40。第二引线框架40的第二热辐射部43被紧密地置放在第四侧表面部14的第四区域14B上从而第二热辐射部43可以提供一致地水平的平面。
参考图12和13，第一引线框架30可以在第一热辐射部33和第一结合部32之间的边界区域中具有凹口32A并且可以沿着凹口32A从第一结合部32弯曲第一热辐射部33。凹口的方向可以被竖直地布置。由于这种凹口32A，第一热辐射部33可以进一步与第三区域13B紧密接触并且可以不影响第一结合部32。
第一引线框架30可以进一步在第一引线部31和第一结合部32之间的弯曲部分处具有凹口，但是本发明不限于此。第二引线框架40也可以在弯曲部分处具有凹口，但是本发明不限于此。图12和13的引线框架结构可以应用于上述图1到11的结构和说明。
参考图14和15，第一引线框架30可以在第一热辐射部33和第一结合部32之间的边界区域中具有凹口32B，并且可以沿着凹口32B从第一结合部32弯曲第一热辐射部33。凹口方向可以被在本体10的第三侧表面部13的第三区域13B的倾斜方向上置放。第一热辐射部33可以利用凹口32B更加紧密地接触到第三区域13B并且可以不影响第一结合部32。这里，第一热辐射部33可以利用凹口相对于水平直线被以小于90度的角度θ4弯曲。第一引线框架30可以进一步在第一引线部31和第一结合部32之间的弯曲部分处具有凹口，但是本发明不限于此。第二引线框架40也可以在弯曲部分处具有凹口，但是本发明不限于此。图14和15的引线框架结构可以应用于在上述图1到11中公开的结构和说明。
置放在根据该实施例的发光器件封装100的腔体20中的发光芯片71可以被设置一个或者多个。可以从例如红光LED芯片、蓝光LED芯片、绿光LED芯片和黄绿光LED芯片选择发光芯片71。
如在图3到5中所示，模制构件81被置放在本体10的腔体20中，并且模制构件81包括光透射树脂，诸如硅树脂或者环氧树脂，并且可以形成为单层或者多个层。可以在模制构件81或者发光芯片71上包括荧光体以改变出射光的波长，并且荧光体激发从发光芯片71发射的光的一个部分并且作为具有不同波长的光发射激发光。荧光体可以选择性地从量子点、YAG、TAG、硅酸盐、氮化物和氮氧化物基材料形成。荧光体可以包括红光荧光体、黄光荧光体和绿光荧光体中的至少一种，但是本发明不限于此。模制构件61的表面可以形成为平坦形状、凹形形状、凸形形状等，但是不限于此。作为另一个实例，具有荧光体的半透明膜可以被置放在腔体20上，但是本发明不限于此。
透镜可以进一步在本体10上形成，并且该透镜可以包括凹透镜和/或凸透镜结构并且可以调节从发光器件封装100发射的光的光分布。
半导体器件诸如光接收器件或者保护器件可以被安装在本体10或者引线框架中的任何一个上，并且保护器件可以作为晶闸管、齐纳二极管或者TVS(瞬态电压抑制)实现，并且齐纳二极管保护发光芯片71免受静电放电(ESD)影响。
图16和17是图示具有图1的发光器件封装的发光模块的视图。
参考图16和17，作为一种发光设备，该发光模块包括置放在电路板201上的至少一个或者多个发光器件封装100。
电路板201包括在绝缘层上印刷电路图案的板，并且可以包括例如树脂基印刷电路板(PCB)、金属芯PCB、柔性PCB、陶瓷PCB和FR-4基板。
电路板201包括金属芯PCB，并且金属芯PCB进一步包括具有比其它树脂基基板更高的热辐射效率的金属层。例如，金属芯PCB包括金属层、金属层上的绝缘层，和绝缘层上的布线层的堆叠结构，并且金属层被形成为具有0.3mm或者更大的金属厚度，该金属具有良好的导热率以增加热辐射效率。
发光器件封装100的第一和第二引线部31和41利用是导电结合构件203和205的焊料或者导电带粘接到电路板201的电极图形213和215。
图18是图示图1的发光器件封装的发光芯片的视图。
参考图18，发光芯片71可以包括衬底111、缓冲层113、低导电率层115、第一导电型半导体层117、有源层119、第二覆盖层121，和第二导电型半导体层123。
衬底111可以使用透明、绝缘或者导电衬底例如蓝宝石(Al2O3)、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge、Ga2O3和LiGaO3中的至少一种。多个突起部112可以在衬底111的上表面上形成，并且该多个突起部112可以通过生长衬底111的蚀刻而形成或者可以以诸如单独的粗糙度(separate roughness)的光提取结构形成。突起部112可以包括条状、半球状或者圆顶状。衬底111的厚度范围可以从30μm到150μm，但是不限于此。
多个化合物半导体层可以在衬底111上生长。该多个化合物半导体层的生长设备可以由电子束蒸发器、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体激光沉积(PLD)、双型热蒸发器溅射、金属有机化学气相沉积(MOCVD)等形成，但是本发明不限于此。
缓冲层113可以在衬底111上形成并且缓冲层113可以通过使用II到VI族化合物半导体由至少一个层形成。缓冲层113包括使用III-V族化合物半导体的半导体层，并且作为具有构成公式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的半导体包括例如化合物半导体诸如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN中的至少一种。通过交替地置放不同的半导体层，缓冲层113可以以超晶格结构形成。
缓冲层113可以被形成为减轻在衬底111和氮化物基半导体层之间的晶格常数的差异，并且可以被定义为缺陷控制层。缓冲层113可以具有在衬底111和氮化物基半导体层之间的晶格常数之间的值。缓冲层113可以由氧化物诸如ZnO层形成，但是不限于此。缓冲层113可以在30到500nm的范围中形成，但是不限于此。
低导电率层115在缓冲层113上形成。低导电率层115是非掺杂半导体层并且具有比第一导电型半导体层117更低的导电性。低导电率层115可以由使用III-V族化合物半导体的GaN基半导体形成，并且在不有意地掺杂导电型掺质时，非掺杂半导体层可以具有第一导电类型性质。可以不形成非掺杂半导体层，但是本发明不限于此。低导电率层115可以在多个第一导电型半导体层117之间形成。
第一导电型半导体层117可以在低导电率层115上形成。第一导电型半导体层117可以由掺杂有第一导电型掺质的III-V族化合物半导体形成，并且例如可以由具有组成式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的半导体材料形成。在第一导电型半导体层117是n型半导体层的情形中，第一导电型掺质是包括Si、Ge、Sn、Se和Te的n型掺质。
低导电率层115和第一导电型半导体层117中的至少一个可以具有其中相互不同的第一层和第二层被交替地布置的超晶格结构。
第一覆盖层(未示出)可以在第一导电型半导体层117和有源层119之间形成，并且第一覆盖层可以由GaN基半导体形成。第一覆盖层用于约束载流子。作为另一个示例，第一覆盖层(未示出)可以由InGaN层或者InGaN/GaN超晶格结构形成，但是不限于此。第一覆盖层可以包括n型或者p型掺质，并且可以由例如第一导电或者低导电率型的半导体层形成。
有源层119在第一导电型半导体层117上形成。有源层119可以由单阱、单量子阱、多阱、多量子阱(MQW)、量子线和量子点结构中的至少一种形成。有源层119具有在其中交替地布置的阱层和势垒层并且阱层可以是具有连续能级的阱层。此外，阱层可以是其中能级被量化的量子阱。阱层可以被定义为量子阱层，并且势垒层可以被定义为量子势垒层。该一对阱层和势垒层可以以2到30个周期形成。阱层可以由具有组成式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的半导体材料形成。势垒层是具有比阱层的带隙更宽的带隙的半导体层，并且例如可以由具有组成式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的半导体材料形成。该一对阱层和势垒层例如包括InGaN/GaN、GaN/AlGaN、InGaN/AlGaN和InGaN/InGaN中的至少一种。
有源层119可以在从紫外线带到可见光带的波长范围内选择性地发射光，并且可以发射例如在420nm到450nm的范围中的峰值波长。
第二覆盖层121在有源层119上形成。第二覆盖层121具有比有源层119的势垒层的带隙更高的带隙，并且可以由III-V族化合物半导体例如GaN基半导体形成。例如，第二覆盖层121可以包括GaN、AlGaN、InAlGaN、InAlGaN超晶格结构等。第二覆盖层121可以包括n型或者p型掺质，并且可以由第二导电类型或者低导电率类型半导体层形成。
第二导电型半导体层123在第二覆盖层121上形成并且第二导电型半导体层123包括第二导电型的掺质。第二导电型半导体层123可以由III-V族化合物半导体例如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN中的至少一种形成，并且包括单层或者多个层。在第二导电型半导体层123是p型半导体层的情形中，第二导电掺质可以包括Mg、Zn、Ca、Sr或者Ba作为p型掺质。
发光结构150的层的导电类型可以被形成为是颠倒的，并且例如第二导电型半导体层123可以被实现为n型半导体层，并且第一导电型半导体层117可以被实现为p型半导体层。此外，是具有与第二导电性的极性相反的极性的第三导电型半导体层的n型半导体层可以进一步在第二导电型半导体层123上形成。发光芯片71可以被定义为具有第一导电型半导体层117、有源层119和第二导电型半导体层123的发光结构150，并且发光结构150可以包括n-p结结构、p-n结结构、n-p-n结结构和p-n-p结结构中的至少一种。在n-p和p-n结中，有源层被置放在两个层之间，并且n-p-n结或者p-n-p结在三个层之间包括至少一个有源层。
电极层141和第二电极145在发光结构150上形成并且第一电极143在第一导电型半导体层117上形成。
电极层141可以作为电流扩散层由具有磁导率和电导率的材料形成。电极层141可以被形成为具有低于化合物半导体层的折射率。
电极层141在第二导电型半导体层123的上表面上形成，并且该材料选自铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、ZnO、IrOx、RuOx和NiO并且可以由至少一个层形成。电极层141可以由反射电极层形成，并且例如该材料可以选择性地由Al、Ag、Pd、Rh、Pt、Ir或者其两种或者更多种的合金形成。
第二电极145可以在第二导电型半导体层123和/或电极层141上形成，并且可以包括电极焊盘。第二电极145可以进一步具有臂结构或者指结构的电流扩散图案。第二电极145可以由具有欧姆接触特性的金属、粘合层和结合层制成，并且可以使其是非透明的，但是它不限于此。
第一电极143在第一导电型半导体层117的一个部分上形成。第一电极143和第二电极145可以由诸如Ti、Ru、Rh、Ir、Mg、Zn、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag和Au的金属以及在其中选择的合金形成。
绝缘层可以进一步在发光芯片71的表面上形成。绝缘层可以防止在发光结构150的层之间的短路并且防止水分渗透。
虽然发光芯片71被实现为具有水平电极结构的芯片，但是可以使用其中通过移除衬底111或者在衬底111中置放凹槽来置放电极的垂直电极结构。
根据上述实施例(一个或者多个)的发光模块或者基板可以被应用于光单元。光单元包括其中排列了多个发光器件或者发光器件封装的结构，并且可以包括图19所示显示设备、另一个照明灯、信号灯、车辆前灯、电子招牌等。
图19是根据实施例的显示设备的分解透视图。
参考图19，显示设备1000可以包括光导板1041、向光导板1041提供光的发光模块300、在光导板1041下面的反射构件1022、在光导板1041上的光学薄板1051、在光学薄板1051上的显示面板1061以及容纳光导板1041、发光模块300和反射构件1022的底盖1011，但是不限于此。
底盖1011、反射构件1022、光导板1041和光学薄板1051可以被定义为光单元1050。
光导板1041用于漫射从发光模块300提供的光以将光转换成面光源。光导板1041可以由透明材料制成，并且可以包括例如诸如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PC(聚碳酸酯)、COC(环烯烃共聚物)和PEN(聚邻苯二甲酸酯)树脂的丙烯酸树脂之一。
发光模块300被置放在光导板1041的至少一个侧表面上以向至少一侧提供光，并且最终用作显示器件的光源。
至少一个发光模块300被置放在底盖1011中并且可以直接地或者间接地从光导板1041的一侧提供光。发光模块300包括根据该实施例的、置放在板201之间的发光器件封装100。发光器件封装100可以被以预定间隔布置在板201上。在发光器件封装100被安装在底盖1011的侧表面上或者热辐射板上的情形中，板201可以被移除。
该多个发光器件封装100可以被安装在板201上从而通过其发射光的发光表面可以以预定距离与光导板1041隔开，但是不限于此。发光器件封装100可以直接地或者间接地向是光导板1041的一侧的光入射部分提供光，但是本发明不限于此。
反射构件1022可以被置放在光导板1041下面。反射构件1022反射在光导板1041的下表面上入射的光并且向显示面板1061供应反射光以提升显示面板1061的亮度。反射构件1022可以由例如PET、PC或者PVC树脂形成，但是不限于此。反射构件1022可以是底盖1011的上表面，但是不限于此。
底盖1011可以容纳光导板1041、发光模块300、反射构件1022等。为此，底盖1011可以设置有带有打开的顶表面的、具有盒子形状的外罩部1012，但是本发明不限于此。底盖1011可以被耦接到顶盖(未示出)，但是不限于此。
底盖1011可以由金属材料或者树脂材料形成，并且可以通过使用诸如压制成型或者挤压成型的工艺制造。另外，底盖1011可以包括具有良好的导热率的金属或者非金属材料，但是本发明不限于此。
显示面板1061包括例如作为LCD面板的、面对彼此的第一和第二透明基板，和置入第一和第二基板之间的液晶层。偏振板可以附着到显示面板1061的至少一个表面，但是本发明不限于此。显示面板1061透射或者阻挡从发光模块300提供的光以显示信息。显示设备1000可以应用于图像显示设备，诸如便携式终端、笔记本计算机的监视器、膝上型计算机的监视器和电视机。
光学薄板1051被置放在显示面板1061和光导板1041之间并且包括至少一个光透射薄板。光学薄板1051可以包括诸如漫射薄板、水平/竖直棱镜薄板和亮度增强薄板中的至少一个薄板。漫射薄板漫射入射光，并且水平和/或竖直棱镜薄板将入射光会聚到显示面板1061，并且亮度增强薄板重用损失的光以改进亮度。此外，保护薄板可以被置放在显示板1061上，但是本发明不限于此。
可以在发光模块300的光路上作为光学构件包括光导板1041和光学薄板1051，但是本发明不限于此。
实施例能够防止发光器件封装的本体的抬升。
实施例可以改进发光器件封装和具有该发光器件封装的发光设备的亮度的降低。
实施例可以提升发光器件封装和具有该发光器件封装的发光设备的可靠性。
在该说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的任何提及均意味着在本发明的至少一个实施例中包括结合实施例描述的具体特征、结构或者特性。在说明书中的各种场合中出现这些短语不一定非每次均指的是相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述了具体特征、结构或者特性时，认为结合其它实施例影响这种特征、结构或者特性是在本领域技术人员的能力范围内。
本发明的以上说明仅仅是示例。本领域普通技术人员将会清楚，本发明可以在不改变其技术思想或者基本特征时容易地以很多不同的形式实施。例如，在这里描述的示例性实施例的元素可以被修改和实现。此外，应该在由所附权利要求限定的本发明的范围中包括与这种修改和应用有关的差别。

Claims (12)

1.一种发光器件封装，包括：
本体，所述本体包括第一侧表面部、与所述第一侧表面部相对的第二侧表面部、邻近于所述第一和第二侧表面部并且彼此相对的第三和第四侧表面部、其中置放腔体的第五侧表面部以及与所述第五侧表面部相对的第六侧表面部；
第一引线框架，所述第一引线框架具有第一引线部、第一结合部以及第一热辐射部，所述第一引线部被置放在所述腔体的底部上，所述第一结合部被连接到所述第一引线部并且弯曲到所述本体的第一侧表面部的第一外侧区域，所述第一热辐射部从所述第一结合部弯曲到所述第三侧表面部的第一凹部；
第二引线框架，所述第二引线框架具有第二引线部、第二结合部以及第二热辐射部，所述第二引线部被置放在所述腔体的底部上，所述第二结合部被连接到所述第二引线部并且弯曲到所述本体的第一侧表面部的第二外侧区域，所述第二热辐射部从所述第二结合部弯曲到所述第四侧表面部的第二凹部；以及
发光芯片，所述发光芯片被置放在所述腔体的底部上置放的第一引线框架的第一引线部和所述第二引线框架的第二引线部中的至少一个上，
其中，所述第一和第二侧表面部关于所述本体的第二轴线方向彼此相对，所述第三和第四侧表面部关于第一轴线方向彼此相对，以及所述第五和第六侧表面部关于所述本体的第三轴线方向彼此相对，
其中，所述第三轴线方向正交于所述第一和第二轴线方向，
其中，与所述第五侧表面部相比，所述第一和第二凹部被置放成更加靠近于所述第六侧表面部，
所述第一和第二凹部包括从所述第三和第四侧表面部以第一角度倾斜的第一和第二区域和从所述第一和第二区域以第二角度倾斜的第三和第四区域，
所述第一角度是从所述第三和第四侧表面部延伸的直线与所述第一和第二区域的倾斜表面之间的角度，
所述第二角度是所述直线与所述第三和第四区域的倾斜表面之间的角度，
所述第二角度小于所述第一角度，
所述第一引线框架的第一热辐射部被置放在所述第三侧表面部的第三区域上，以及
所述第二引线框架的第二热辐射部被置放在所述第四侧表面部的第四区域上，
其中，所述第一侧表面部包括多个平坦区域，所述多个平坦区域被置放成比所述第五侧表面部更加靠近于所述第六侧表面部，
其中，所述多个平坦区域在朝向所述第六侧表面部的方向上水平地延伸，
其中，所述多个平坦区域被置放在所述第一结合部和所述第二结合部之间，
其中，所述多个平坦区域包括第一平坦区域和第二平坦区域，
其中，所述第一平坦区域被置放在所述第一结合部和所述第二平坦区域之间，
其中，所述第二平坦区域被置放在所述第二结合部和所述第一平坦区域之间，
其中，所述第一和第二平坦区域之间的间隙等于或大于在所述第一平坦区域与所述第一结合部之间的间隙和在所述第二平坦区域与所述第二结合部之间的间隙，
其中，所述第一平坦区域和所述第一结合部之间的间隙与所述第二平坦区域和所述第二结合部之间的间隙相同，
其中，在第一轴线方向上，所述第一和第二平坦区域中的每个的长度大于所述间隙，
其中，所述第一和第二平坦区域中的每个的宽度小于所述第一和第二平坦区域中的每个的长度，以及
其中，在所述第一轴线方向上，所述第一和第二平坦区域中的每个的长度大于所述第一和第二结合部中的每个的宽度。
2.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一和第二角度具有锐角，并且在所述第一和第三区域之间的角度具有钝角。
3.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，与所述第一和第二区域相比，所述第三和第四侧表面部的第三和第四区域被置放成更靠近于所述第六侧表面部。
4.根据权利要求3所述的发光器件封装，其中，从自所述第三和第四侧表面部延伸的直线，所述第一和第二区域具有第一深度，并且从垂直于所述第一和第二区域的边界点的直线，所述第三和第四区域具有第二深度，以及所述第一深度比所述第二深度更深。
5.根据权利要求2至4中任何一项所述的发光器件封装，其中，所述第一和第二引线框架在所述第一热辐射部与所述第一结合部之间以及在所述第二热辐射部与所述第二结合部之间的边界区域中具有凹口。
6.根据权利要求5所述的发光器件封装，其中，所述多个平坦区域在所述本体的第二轴线方向上与置放在所述腔体中的第一引线框架的第一引线部重叠，以及
其中，所述凹口的长度方向被置放在所述本体的第三侧表面部的第三区域的倾斜方向上。
7.根据权利要求5所述的发光器件封装，其中，所述第一侧表面部包括邻近于所述第六侧表面部的第一部分区域，并且所述第一部分区域具有不在所述本体的第二轴线方向上与所述腔体重叠并且从所述第一侧表面部的表面呈阶梯形的平坦表面。
8.根据权利要求2至4中任何一项所述的发光器件封装，其中，凹陷部在与所述第一和第二引线部相对应的方向上在所述本体的第三和第四侧表面部中凹进。
9.根据权利要求2至4中任何一项所述的发光器件封装，其中，在所述本体的所述第一轴线方向上的所述长度是所述本体的厚度的三倍或者更多倍，
其中，在所述第一轴线方向上的所述腔体的长度比在所述第二轴线方向上的腔体的长度长，以及
其中，在所述第一轴线方向上，所述第一和第二平坦区域的长度的和被置放成所述本体的长度25％或者更大。
10.根据权利要求2至4中任何一项所述的发光器件封装，其中，所述腔体的底部的中心区域具有恒定的宽度，并且邻近于所述第三和第四侧表面部的第一和第二侧区域具有比所述中心区域的宽度更小的宽度。
11.根据权利要求2至4中任何一项所述的发光器件封装，其中，所述发光芯片被置放在所述第一引线部上，并且在所述腔体的底部上置放的第一引线部的区域比所述第二引线部的区域宽，并且模制构件被包括在所述腔体中。
12.根据权利要求2至4中任何一项所述的发光器件封装，其中，所述腔体的内侧表面包括倾斜表面和从所述本体的第五侧表面部呈垂直阶梯形的区域。
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