JP6901269B2 - 発光素子パッケージ及びこれを備えた発光装置 - Google Patents

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Description

実施例は、発光素子パッケージに関するものである。
実施例は、サイド方向に発光する発光素子パッケージに関するものである。
実施例は、発光素子パッケージを有する発光装置に関するものである。
発光素子は、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）を含み、前記発光ダイオードは、電気エネルギーを光に変換する半導体素子の一種で、既存の蛍光灯、白熱灯を代替して次世代の光源として脚光を浴びている。
発光ダイオードは、半導体素子を用いて光を生成するので、タングステンを加熱して光を発生する白熱灯や、または高圧放電を介して生成された紫外線を蛍光体に衝突させて光を生成する蛍光灯に比べて非常に低い電力のみを消耗する。
また、発光ダイオードは、半導体素子の電位ギャップを利用して光を生成するので、既存の光源に比べて応答特性が早く、長寿命、環境に優しい特徴を有する。
これによって、既存の光源を発光ダイオードに代替するための多くの研究が行われており、発光ダイオードは、室内外で使用される各種のランプ、液晶表示装置、電光掲示板、街灯などの照明装置の光源として使用が増加している。
実施例は、サイドビュータイプの発光素子パッケージを提供する。
実施例は、胴体の底面とリードフレームのボンディング部との間の間隔を縮めることができる発光素子パッケージを提供する。
実施例は、胴体の浮き上がりを防止することができる発光素子パッケージを提供する。
実施例は、リードフレームと前記胴体の外側に提供された多段傾斜した面にリードフレームのボンディング部から折り曲げられた放熱部が密着するようにした発光素子を提供する。
実施例に係る発光素子パッケージは、第１側面部、前記第１側面部の反対側である第２側面部、前記第１及び第２側面部に隣接し、互いに反対側である第３及び第４側面部、及びキャビティが配置された第５側面部及び前記第５側面部の反対側である第６側面部を含む胴体と、前記キャビティの底に配置された第１リード部、前記第１リード部に連結され、前記胴体の第１側面部の第１外郭領域に折り曲げられた第１ボンディング部、前記第１ボンディング部から前記第３側面部の第１リセスに折り曲げられた第１放熱部を有する第１リードフレームと、前記キャビティの底に第２リード部、前記第２リード部に連結され、前記胴体の第１側面部の第２外郭領域に折り曲げられた第２ボンディング部、前記第２ボンディング部から前記第４側面部の第２リセスに折り曲げられた第２放熱部を有する第２リードフレームと、前記キャビティの底に配置された第１リードフレームの第１リード部及び第２リードフレームの第２リード部のうち少なくとも一つの上に配置された発光チップと、を含み、前記第１及び第２リセスは、前記第５側面部より前記第６側面部に隣接し、前記第１及び第２リセスは、前記第３及び第４側面部から第１角度で傾斜した第１及び第２領域と、前記第１及び第２領域から第２角度で傾斜した第３及び第４領域と、を含み、前記第１角度は、前記第３及び第４側面部から延長された直線と前記第１及び第２領域の傾斜した面との間の角度であり、前記第２角度は、前記直線と前記第３及び第４領域の傾斜した面との間の角度であり、前記第２角度は前記第１角度より小さく、前記第１リードフレームの第１放熱部は、前記第３側面部の第３領域上に配置され、前記第２リードフレームの第２放熱部は、前記第４側面部の第４領域上に配置される。
実施例に係る発光素子パッケージは、第２軸方向の長さより第１軸方向の長さが長いキャビティを有する胴体と、前記キャビティの底に配置された第１及び第２リードフレームと、前記第１及び第２リードフレームのうち少なくとも一つの上に配置された発光チップと、を含み、前記胴体は、前記第２軸方向に互いに反対側に位置した第１側面部及び第２側面部、前記第１軸方向に互いに反対側に位置した第３及び第４側面部、及び前記キャビティが配置された第５側面部及び前記第５側面部の反対側である第６側面部を含み、前記胴体は、前記第３側面部に互いに異なる角度で傾斜した第１リセス及び前記第４側面部に互いに異なる角度で傾斜した領域を有する第２リセスを含み、前記第１リードフレームは、前記キャビティの底に配置された第１リード部、前記胴体の第１側面部の第１外郭領域に配置された第１ボンディング部、及び前記第１ボンディング部から前記第３側面部の第１リセスに折り曲げられた第１放熱部を含み、前記第２リードフレームは、前記キャビティの底に第２リード部、前記胴体の第１側面部の第２外郭領域に配置された第２ボンディング部、及び前記第２ボンディング部から前記第４側面部の第２リセスに折り曲げられた第２放熱部を含み、前記第１及び第２リセスは、前記第５側面部より前記第６側面部に隣接し、前記第１及び第２リセスは、前記第３及び第４側面部から第１角度で傾斜した第１及び第２領域と、前記第１及び第２領域から第２角度で傾斜した第３及び第４領域と、を含み、前記第１角度は、前記第３及び第４側面部から延長された直線と前記第１及び第２領域の傾斜した面との間の角度であり、前記第２角度は、前記直線と前記第３及び第４領域の傾斜した面との間の角度であり、前記第２角度は前記第１角度より小さく、前記第１リードフレームの第１放熱部は、前記第３側面部の第３領域上に配置され、前記第２リードフレームの第２放熱部は、前記第４側面部の第４領域上に配置される。
実施例によれば、前記第１及び第２角度は鋭角を有し、前記第１及び第３領域の間の角度は鈍角を有することができる。
実施例によれば、前記第３及び第４側面部の第３及び第４領域は、前記第１及び第２領域より前記第６側面部に隣接する。
実施例によれば、前記第１及び第２領域は、前記第３及び第４側面部から延長された直線から第１深さを有し、前記第３及び第４領域は、前記第１及び第２領域との境界地点に垂直な直線から第２深さを有し、前記第１深さは第２深さより深い。
実施例によれば、前記第１側面部は、前記第６側面部に隣接し、前記第６側面部方向に水平に延長された複数のフラット領域を含み、前記フラット領域は、前記第１放熱部及び第２放熱部と等しい間隔を有することができる。
実施例によれば、前記複数のフラット領域は、前記キャビティ内に配置された第１リードフレームの第１リード部と前記胴体の厚さ方向に重なる。
実施例によれば、前記第１側面部は、前記第６側面部に隣接した第１部領域を含み、前記第１部領域は、前記キャビティと前記胴体の厚さ方向に重ならず、前記第１側面部の表面から段差を有し、平らな平面を有することができる。
実施例によれば、前記胴体の第３及び第４側面部に、前記第１及び第２リード部に対応する方向に凹んだ凹部を含むことができる。
実施例によれば、前記胴体の第１軸方向の長さは、前記胴体の厚さの３倍以上であり、前記キャビティの底のうちのセンター領域は一定の幅を有し、前記第３及び第４側面部に隣接した第１及び第２サイド領域は、前記センター領域の幅より小さい幅を有することができる。
実施例によれば、前記発光チップは前記第１リード部上に配置され、前記キャビティの底に配置された第１リード部の面積は前記第２リード部の面積より大きい。
実施例によれば、前記キャビティの内側面は、傾斜した面及び前記胴体の第５側面部から垂直な段差を有する領域を含むことができる。
実施例によれば、前記胴体の第３及び第４側面部に、前記第１及び第２リード部に対応する方向に凹んだ凹部を含み、前記第１及び第２領域は、前記凹部と第３軸方向に重なる。
実施例によれば、前記第１角度は鋭角を有し、前記第１及び第３領域の間の角度は鈍角を有し、前記第２及び第４領域の間の角度は鈍角を有することができる。
実施例によれば、前記第１リセスは、前記第６側面部に隣接するほど前記第３側面部に延長された直線から徐々に深くなる深さを有し、前記第２リセスは、前記第６側面部に隣接するほど前記第４側面部に延長された直線から徐々に深くなる深さを有することができる。
実施例によれば、第３及び第４側面部の第３及び第４領域は、前記第１及び第２領域より前記第６側面部に隣接し、前記第１軸方向に前記第１及び第２領域の幅は、前記第３及び第４領域の幅より大きい。
実施例によれば、前記胴体は、前記キャビティが配置された第１胴体部、及び前記第１胴体部と前記第６側面部との間の第２胴体部を含み、前記第１側面部は、前記第２胴体部上に前記第６側面部方向に水平に延長された複数のフラット領域を含み、前記複数のフラット領域は、前記第１及び第２ボンディング部の間に配置される。
実施例によれば、前記フラット領域は、前記キャビティ内に配置された前記第１リードフレームの第１リード部と前記胴体の厚さ方向に重なり、前記フラット領域は、前記第１ボンディング部に隣接した第１フラット領域と、前記第２ボンディング部に隣接した第２フラット領域と、を含み、前記第１ボンディング部と前記第１フラット領域との間の間隔は、前記第１及び第２フラット領域の間の間隔と等しいか大きく、前記第１及び第２フラット領域の第１軸方向の長さは、第２軸方向の長さより長い。
実施例に係る発光素子パッケージを示した平面図である。 図１の胴体を説明するための図である。 図１の発光素子パッケージのＡ−Ａ側断面図である。 図３の胴体を説明するための図である。 図１の発光素子パッケージのＢ−Ｂ側断面図である。 図１の発光素子パッケージの底面図である。 図６の部分拡大図である。 図７の発光素子パッケージのＣ−Ｃ側断面図である。 図１の発光素子パッケージの一側面図である。 図１の発光素子パッケージの他の側面図である。 図１の発光素子パッケージの背面図である。 実施例に係る図１の発光素子パッケージの他の例として、ノッチを有するリードフレーム及びそのベンディング過程を説明した図である。 実施例に係る図１の発光素子パッケージの他の例として、ノッチを有するリードフレーム及びそのベンディング過程を説明した図である。 実施例に係る図１の発光素子パッケージの他の例として、ノッチを有するリードフレーム及びそのベンディング過程を説明した図である。 実施例に係る図１の発光素子パッケージの他の例として、ノッチを有するリードフレーム及びそのベンディング過程を説明した図である。 実施例に係る発光素子パッケージを有する発光装置を示した側面図である。 図１５の発光装置の他の側面図である。 実施例に係る発光素子パッケージの発光チップの例を示した図である。 実施例に係る発光素子パッケージを有する表示装置を示した斜視図である。
以下、本発明の実施例は添付された図面及び実施例に対する説明を通じて明白に現われるようになるであろう。実施例の説明において、各層（膜）、領域、パターンまたは構造物が基板、各層（膜）、領域、パッドまたはパターンらの“上（ｏｎ）”にまたは“下（ｕｎｄｅｒ）”に形成されると記載される場合において、“上（ｏｎ）”と“下（ｕｎｄｅｒ）”は“直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）”または“他の層を介して（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）”形成されることを全て含む。また、各層の上または下に対する基準は図面を基準で説明する。
本明細書に記載された実施例と図面に示された構成は本発明の好ましい実施例であり、本発明の技術的思想を全て代弁するものではないので、本出願時点でこれらを代替することができる多様な均等物や変形例があり得る。本明細書全体に渡って“前方”または“前面”はＺ軸方向からパッケージを見た方向を表し、“後方”または“後面”は−Ｚ軸方向からパッケージを見た方向を表し、“左側”及び“右側”は−Ｘ軸方向からパッケージを見た方向及びＸ軸方向からパッケージを見た方向を表すのに用いられる。
以下、添付された図面を参照して実施例に係る発光素子パッケージを説明する。
図１は実施例に係る発光素子パッケージを示した平面図であり、図２は図１の胴体を説明するための図であり、図３は図１の発光素子パッケージのＡ−Ａ側断面図であり、図４は図３の胴体を説明するための図であり、図５は図１の発光素子パッケージのＢ−Ｂ側断面図であり、図６は図１の発光素子パッケージの底面図であり、図７は図６の部分拡大図であり、 図８は図７の発光素子パッケージのＣ−Ｃ側断面図であり、図９は図１の発光素子パッケージの一側面図であり、図１０は図１の発光素子パッケージの他の側面図であり、図１１は図１の発光素子パッケージの背面図である。
図１ないし図１０を参照すると、発光素子パッケージ１００は、キャビティ２０を有する胴体１０、前記キャビティ２０内に複数のリードフレーム３０、４０、及び前記複数のリードフレーム３０、４０のうち少なくとも一つの上に配置された発光チップ７１を含む。このような発光素子パッケージ１００は、サイドビューまたは側面発光型パッケージで具現され、携帯電話と携帯コンピュータなどの液晶表示装置、各種の照明分野、及び指示装置などに適用することができる。
図１及び図２を参照すると、前記発光素子パッケージ１００において第１軸方向はＸ軸方向または横方向であり、第２軸方向はＹ軸方向または高さや厚さ方向であり、第３軸方向はＺ軸方向または縦方向である。前記第１及び第２軸方向は互いに直交する方向であり、前記第３軸方向は前記第１及び第２軸方向と直交することができる。前記発光素子パッケージ１００の各軸（Ｘ、Ｙ、Ｚ）方向は、前記胴体１０やリードフレーム３０、４０に適用することができる。
前記発光素子パッケージ１００は、前記キャビティ２０が、第１軸Ｘ方向の長さが第２軸Ｙ方向の高さより大きい長さを有して配置され、サイドビューパッケージで提供される。
前記発光素子パッケージ１００において第１軸Ｘ方向の長さＤ１は、第２軸Ｙ方向の厚さＴ１より３倍以上、例えば、４倍以上である。前記第１軸Ｘ方向の長さＤ１は２．５ｍｍ以上、例えば、２．７ｍｍないし４．５ｍｍの範囲である。前記発光素子パッケージ１００は、第１軸Ｘ方向の長さＤ１を長く提供することで、第１軸Ｘ方向に前記発光素子パッケージ１００が回路基板上に配列されるとき、前記回路基板に配列される発光素子パッケージ１００の個数を減らすことができる。前記発光素子パッケージ１００の厚さＴ１は、前記長さＤ１と高さ（図３のＨ１）より小さく提供することができ、前記発光素子パッケージ１００を有するライトユニットの厚さを減少させることができる。前記発光素子パッケージ１００の厚さＴ１は１ｍｍ以下である。
前記発光素子パッケージ１００の第１軸Ｘ方向の長さＤ１は、前記胴体１０の長さＤ２より長く、厚さＴ１は前記胴体１０の厚さ、例えば、胴体１０の第２軸Ｙ方向の厚さと等しい。前記胴体１０の長さＤ２は、前記胴体１０の厚さに比べて３倍以上である。
前記胴体１０は、底にリードフレーム３０、４０が露出したキャビティ２０を有する第１胴体部１０Ａ、前記第１胴体部１０Ａを支持する第２胴体部１０Ｂを含む。前記第１胴体部１０Ａは上部胴体または前方胴体であり、前記第２胴体部１０Ｂは下部胴体または後方胴体である。前記第１胴体部１０Ａはリードフレーム３０、４０を基準に前方領域であり、前記第２胴体部１０Ｂはリードフレーム３０、４０を基準に後方領域である。前記第１胴体部１０Ａは、前記キャビティ２０に露出したリードフレーム３０、４０の下面と前記胴体１０の第５側面部１５との間に配置され、前記第２胴体部１０Ｂは、前記キャビティ２０に露出した前記リードフレーム３０、４０の下面と前記胴体１０の第６側面部１６との間に配置される。前記第１及び第２胴体部１０Ａ、１０Ｂは一体に形成される。前記胴体１０には、複数のリードフレーム３０、４０、例えば、第１リードフレーム３０及び第２リードフレーム４０が結合される。
前記胴体１０は絶縁材質で形成される。前記胴体１０は反射材質で形成される。前記胴体１０は、発光チップ７１から放出された光の波長に対して、反射率が透過率より高い物質、例えば、７０％以上の反射率を有する材質で形成される。前記胴体１０は、反射率が７０％以上である場合、非透光性の材質または反射材質として定義することができる。前記胴体１０は樹脂系列の絶縁物質、例えば、ポリフタルアミド（ＰＰＡ：Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ）のような樹脂材質で形成される。前記胴体１０はシリコン系列、またはエポキシ系列、またはプラスチック材質を含む熱硬化性樹脂、または高耐熱性、高耐光性材質で形成される。前記胴体１０は白色系列の樹脂を含む。前記胴体１０内には酸無水物、酸化防止剤、離型剤、光反射材、無機充填材、硬化触媒、光安定剤、潤滑剤、二酸化チタンのうちから選択的に添加されて含有している。前記胴体１０は、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコン樹脂、変性シリコン樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂からなる群から選択される少なくとも１種によって成形される。例えば、トリグリシジルイソシヌレート、水素化ビスフェノールＡジグリシジルエーテルなどからなるエポキシ樹脂と、ヘキサヒドロ無水フタル酸、３−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸などからなる酸無水物を、エポキシ樹脂に硬化促進剤としてＤＢＵ（１,８−Ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ（５,４,０）ｕｎｄｅｃｅｎｅ−７）、助触媒としてエチレングリコール、酸化チタン顔料、ガラス繊維を添加し、加熱によって部分的に硬化反応させてＢステージ化した固形状エポキシ樹脂組成物を使用することができ、これに限定されるものではない。前記胴体１０は熱硬化性樹脂に拡散剤、顔料、蛍光物質、反射性物質、遮光性物質、光安定剤、潤滑剤からなる群から選択される少なくとも１種を適切に混合してもよい。
前記胴体１０は反射物質、例えば、金属酸化物が添加された樹脂材質を含むことができ、前記金属酸化物はＴｉＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３のうち少なくとも一つを含むことができる。このような胴体１０は、入射する光を効果的に反射させることができる。他の例として、前記胴体１０は、透光性の樹脂物質または入射光の波長を変換させる蛍光体を有する樹脂物質で形成することができる。
図１及び図２を参照して前記胴体１０の側面を見ると、第１側面部１１及び前記第１側面部１１と反対側の第２側面部１２、前記第１及び第２側面部１１、１２に隣接し、互いに反対側に配置された第３及び第４側面部１３、１４を含むことができる。前記第１及び第２側面部１１、１２は、前記胴体１０の第２軸Ｙ方向に対して互いに反対側面であり、第３及び第４側面部１３、１４は、第１軸Ｘ方向に対して互いに反対側面である。前記胴体１０は、第５側面部１５及び第６側面部１６を含み、前記第５及び第６側面部１５、１６は、胴体１０の第３軸Ｚ方向に対して互いに反対側面である。
前記第１側面部１１は前記胴体１０の底であり、前記第２側面部１２は前記胴体１０の上面であり、前記第１及び第２側面部１１、１２は胴体１０の長さＤ２を有する長側面であり、前記第３及び第４側面部１３、１４は前記胴体１０の厚さＴ１より薄い厚さＴ２を有する短側面である。前記胴体１０の第１側面部１１は回路ボードと対応する側面である。
前記胴体１０は図３及び図４のように、第５側面部１５と第６側面部１６を備えることができ、前記第５側面部１５は前記キャビティ２０が配置される面であり、光が出射する面である。前記第５側面部１５は前記胴体１０の前面部である。前記第６側面部１６は前記第５側面部１５の反対側面である。前記第６側面部１６は前記胴体１０の後面部である。前記第６側面部１６は第１部１６Ａ及び第２部１６Ｂを含み、前記第１部１６Ａと第２部１６Ｂとの間にゲート（ｇａｔｅ）部１６Ｃを含むことができる。前記ゲート部１６Ｃは、前記第１及び第２部１６Ａ、１６Ｂの間から前記第１及び第２部１６Ａ、１６Ｂよりキャビティ方向に凹む。
図５を参照すると、前記胴体１０の第１側面部１１の第１部領域１１−１は、前記第５側面部１５より第６側面部１６に隣接した領域として、平らな領域として配置され、前記第１側面部１１の水平な平面と平行に配置される。前記第１部領域１１−１は、前記第１側面部１１の領域のうち前記リードフレーム３０、４０の下面より後方向に配置された後方領域である。これは、第１側面部１１及びその第１部領域１１−１が平坦な面で提供されることで、第１側面部１１によって胴体１０の第５側面部１５が浮き上がる問題を防止することができる。ここで、前記第１部領域１１−１は、第１側面部１１から０．０５ｍｍ以下の高さで段差を有し、平面で提供される。
前記胴体１０の第２側面部１２の第２部領域１２−１は、平坦な領域で配置され、前記第２部領域１２−１は、前記第５側面部１５よりは前記第６側面部１６に隣接した領域であり、前記第１側面部１１の第１部領域１１−１と対応する。前記第２部領域１２−１は第２側面部１２の水平な平面と平行に配置される。前記第２部領域１２−１は、前記第２側面部１２の領域のうち前記リードフレーム３０、４０の下面より後方向に配置された後方領域である。前記第２側面部１２及びその第２部領域１２−１が平坦な面で提供されることで、第２側面部１２上に配置される他の構造物に水平に影響を与えることを防止することができる。
前記第１側面部１１の第１部領域１１−１及び前記第２側面部１２の第２部領域１２−１は、前記胴体１０の領域のうち前記第１及び第２リードフレーム３０、４０の第１及び第２リード部３１、４１より第６側面部１６に隣接した領域である。前記第１及び第２部領域１１−１、１２−１は、前記胴体１０の厚さ方向に前記キャビティ２０と重ならない領域である。前記第１及び第２部領域１１−１、１２−１は、前記第１及び第２リード部３１、４１と前記胴体１０の厚さ方向に重ならない。
実施例は、前記胴体１０の底領域での第５及び第６側面部１５、１６の高さの差による浮き上がりを防止することができる。前記第１側面部１１の第１部領域１１−１及び前記第２側面部１２の第２部領域１２−１の幅Ｂ０（図４のＢ１＋Ｂ２）は、前記胴体１０の第５側面部１５と第６側面部１６との間の距離、例えば、胴体の幅（図３のＨ１）の５０％以下、例えば、４０％ないし５０％の範囲である。前記第１側面部１１の第１部領域１１−１と前記第２側面部１２の第２部領域１２−１が前記範囲より小さい場合、第１及び第２リードフレーム３０、４０の第１及び第２ボンディング部３２、４２のボンディング面積を確保することが難しく、前記範囲より大きい場合、胴体１０の第５側面部１５が浮き上がる問題が発生し得る。実施例は図１６及び図１７のように、回路ボード２０１上に配置された発光素子パッケージ１００の出射側第５側面部１５部分が上に浮き上がる問題が発生することを防止することができる。
前記第１リードフレーム３０は、前記キャビティ２０の底に配置された第１リード部３１、前記胴体１０の第１側面部１１の第１外郭領域１１Ａ、１１Ｃに配置された第１ボンディング部３２、前記胴体１０の第３側面部１３上に配置された第１放熱部３３を含む。前記第１ボンディング部３２は、前記胴体１０内に配置された前記第１リード部３１から折り曲げられ、前記第１側面部１１の第１外郭領域１１Ａ、１１Ｃに突出し、前記第１放熱部３３は、前記第１ボンディング部３２から第３側面部１３方向に折り曲げられる。前記第１側面部１１の第１外郭領域１１Ａ、１１Ｃは前記胴体１０の第３側面部１３に隣接した領域である。前記第１側面部１１の第１外郭領域１１Ａ、１１Ｃは、前記第１側面部１１のセンター領域と第３側面部１３との間の領域に配置される。前記第１側面部１１のセンター領域は、第１及び第２側面部１１、１２の間の距離が一定の領域であり、前記第１外郭領域１１Ａ、１１Ｃは、前記第１及び第２側面部１１、１２の間の距離が小さくなるか、前記厚さＴ１より小さい距離を有する領域である。
前記第２リードフレーム４０は、前記キャビティ２０の底に配置された第２リード部４１、前記胴体１０の第１側面部１１の第２外郭領域１１Ｂ、１１Ｄに配置された第２ボンディング部４２、前記胴体１０の第４側面部１４に配置された第２放熱部４３を含む。前記第２ボンディング部４２は、前記胴体１０内に配置された前記第２リード部４１から折り曲げられ、前記第１側面部１１の第２外郭領域１１Ｂ、１１Ｄに突出する。前記第２放熱部４３は、前記第２ボンディング部４２から折り曲げられる。前記第１側面部１１の第２外郭領域１１Ｂ、１１Ｄは、前記胴体１０の第４側面部１４に隣接した領域である。前記第１側面部１１の第２外各領域１１ Ｂ、１１Ｄは、前記第１側面部１１のセンター領域と第３側面部１３との間の領域に配置される。前記第２外郭領域１１Ｂ、１１Ｄは、前記第１及び第２側面部１１、１２の間の距離が小さくなるか、前記厚さＴ１より小さい距離を有する領域である。
前記第１外郭領域１１Ａ、１１Ｃと第２外郭領域１１Ｂ、１１Ｄは、傾斜した領域１１Ａ、１１Ｂと平坦な領域１１Ｃ、１１Ｄを有することができ、前記傾斜した領域１１Ａ、１１Ｂを介して第１及び第２リードフレーム３０、４０の第１及び第２ボンディング部３２、４２が突出するが、これに限定されるものではない。前記傾斜した領域１１Ａ、１１Ｂは、前記胴体１０の厚さが薄すぎない領域から第１及び第２ボンディング部３２、４２を突出させることができる。
前記キャビティ２０の底には、第１リードフレーム３０の第１リード部３１と第２リードフレーム４０の第２リード部４１が配置される。分離部１７は、前記キャビティ２０の底に配置され、前記第１及び第２リード部３１、４１の間に配置される。前記分離部１７は、前記胴体１０の材質で形成され、前記キャビティ２０の底と同一の水平面であってもよく、突出してもよいが、これに限定されるものではない。
ここで、前記発光チップ７１は、第１及び第２リードフレーム３０、４０のうち少なくとも一つの上に配置される。前記発光チップ７１は、第１及び第２リード部３１、４１のうち少なくとも一つの上に配置される。前記発光チップ７１は、例えば、第１リードフレーム３０の第１リード部３１の上に配置される。前記キャビティ２０の底で前記第１リードフレーム３０の第１リード部３１の面積は前記第２リード部４１の面積より大きく、このような第１リード部３１上に発光チップ７１が配置されるので、前記発光チップ７１を介して発生した熱を効果的に放熱することができる。
前記発光チップ７１は、前記第１及び第２リード部３１、４１にワイヤ７２、７３で連結される。他の例として、前記発光チップ７１は第１リード部３１に接着剤で連結され、第２リード部４１にワイヤで連結される。このような発光チップ７１は、水平型チップ、垂直型チップ、ビア構造を有するチップであってもよい。前記発光チップ７１はフリップチップ方式で搭載される。前記発光チップ７１は、紫外線ないし可視光線の波長範囲内で選択的に発光することができる。前記発光チップ７１は、例えば、紫外線または青色ピーク波長を発光することができる。前記発光チップ７１は、ＩＩ−ＶＩ族化合物及びＩＩＩ−Ｖ族化合物のうち少なくとも一つを含むことができる。前記発光チップ７１は、例えば、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ、ＧａＰ、ＡｌＮ、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＰ及びこれらの混合物からなる群から選択される化合物で形成される。
図２、図３及び図５のように、前記キャビティ２０の内側面を見ると、前記キャビティ２０の周りに配置された第１及び第２、３、４内側面２１、２２、２３、２４は、リードフレーム３０、４０の上面の水平な直線に対して傾斜する。前記第１側面部１１に隣接した第１内側面２１と前記第２側面部１２に隣接した第２内側面２２は、前記キャビティ２０の底に対して角度で傾斜し、前記第３側面部１３に隣接した第３内側面２３と前記第４側面部１４に隣接した第４内側面２４は傾斜するが、前記第１及び第２内側面２１、２２の傾斜角度より小さい角度で傾斜する。これにより、前記第１及び第２内側面２１、２２は、入射する光の第２軸Ｙ方向への進行を反射し、前記第３及び第４内側面２３、２４は、入射する光を第１軸Ｘ方向に拡散させることができる。
前記キャビティ２０の内側面２１、２２、２３、２４は図３及び図５のように、胴体１０の第５側面部１５から垂直な段差を有する領域２５を備えることができる。前記段差を有する領域２５は、胴体１０の第５側面部１５と内側面２１、２２、２３、２４との間に段差を有するように配置される。前記段差を有する領域２５は、前記キャビティ２０を介して放出された光の指向特性を制御することができる。図２を参照して前記キャビティ２０の底をみると、Ｘ軸方向の長さＤ４は第３及び第４内側面２３、２４の間の最小距離であり、Ｙ軸方向の幅Ｔ３は第１及び第２内側面２１、２２の間の最小距離である。前記キャビティ２０で第１内側面２１と第２内側面２２は互いに対面することができる。前記第３及び第４内側面２３、２４は互いに対面することができる。前記第１内側面２１は第１側面部１１と対応し、第２内側面２２は第２側面部１２と対応し、第３内側面２３の一部は第３側面部１３と対応し、第４内側面２４の一部は第４側面部１４と対応することができる。
Ｙ軸方向に前記キャビティ２０のセンター領域Ａ１の幅Ｔ３は、第１及び第２サイド領域Ａ２、Ａ３の幅よりは広い。前記キャビティ２０の底でセンター領域Ａ１は、Ｙ軸方向に一定の幅Ｔ３を有しているので、発光チップ７１の大きさを増加させることができる。前記第１及び第２サイド領域Ａ２、Ａ３は、第３及び第４側面部１３、１４に隣接した領域であり、前記第３及び第４側面部１３、１４に隣接した領域であるほど幅が狭くなる。前記第１及び第２サイド領域Ａ２、Ａ３は、前記幅Ｔ３より狭い幅を有してもよく、徐々に狭くなってもよく、または曲線を有する領域を含んでもよい。ここで、前記キャビティ２０でセンター領域Ａ１の直線区間は、キャビティ２０の第２内側面２２が第１内側面２１より長く提供され、これは、第２内側面２２の方向に進行する光は遮断し、第１内側面２１方向に進行する光は側方向にガイドされる。
図３のように、前記キャビティ２０の深さＨ２は、前記第５側面部１５から前記キャビティ２０の底までの距離として、前記胴体１０の幅Ｈ１の１／３以下、例えば、０．３ｍｍ±０．０５ｍｍの範囲である。前記キャビティ２０の深さＨ２が前記範囲未満である場合、光の指向角制御が難しく、前記範囲を超過する場合、胴体１０の幅Ｈ１が増加するか、または光指向角が狭くなる問題がある。
ここで、前記胴体１０の幅Ｈ１はＺ軸方向の長さとして、胴体１０の第５側面部１５と第６側面部１６との間の間隔である。ここで、前記胴体１０の幅Ｈ１は前記胴体１０の厚さＴ１より大きく、前記胴体１０の幅Ｈ１と厚さＴ１の差は０．０５ｍｍ以上、例えば、０．０５ｍｍないし０．５ｍｍの範囲であり、前記胴体１０の厚さＴ１が前記差の範囲より厚い場合、ライトユニットの厚さを増加させることができ、前記差の範囲より薄い場合、リードフレーム３０、４０が有する放熱面積が減少する。
図２のように、前記胴体１０のＹ軸方向の厚さを見ると、胴体１０のセンター領域の厚さＴ１よりは第３及び第４側面部１３、１４に隣接した領域の厚さＴ２が薄い。これは、胴体１０の第１側面部１１のうち前記第３及び第４側面部１３、１４に隣接した領域は、第１及び第２リードフレーム３０、４０の第１及び第２ボンディング部３２、４２を配置できるようにリセスされる。
前記胴体１０の第３及び第４側面部１３、１４には、内側に凹んだ凹部３５、４５を有することができ、前記凹部３５、４５は、胴体１０の射出過程で前記胴体１０を支持するフィンガー（ｆｉｎｇｅｒ）が挿入される。前記凹部３５、４５はＸ軸方向に前記胴体１０の互いに反対側から前記リード部３１、４１方向に凹む。前記凹部３５、４５は、前記第１及び第２リードフレーム３０、４０の第１及び第２リード部３１、４１と水平に延長される延長線上に配置される。前記凹部３５、４５は前記第１及び第２リード部３１、４１から離隔するように配置される。前記凹部３５、４５と前記第１及び第２リード部３１、４１との間の間隔は、前記凹部３５、４５の深さと等しいか小さい。前記凹部３５、４５の深さは、前記凹部３５、４５の一部領域が前記キャビティ２０、例えば、前記キャビティ２０の一部と垂直方向にオーバーラップすることができる深さで形成されるが、これに限定されるものではない。
図６及び図７を参照すると、前記胴体１０の第１側面部１１には、前記第１リードフレーム３０の第１ボンディング部３２と前記第２リードフレーム４０の第２ボンディング部４２との間にフラット（ｆｌａｔ）領域１８、１９が配置される。前記フラット領域１８、１９は、前記第リードフレーム３０、４０の第１及び第２リード部３１、４１の水平な延長線Ｌ１より後方に配置され、前記第１側面部１１の平面が水平に延長される。前記フラット領域１８、１９は、複数個が互いに離隔したフラット領域、例えば、第１フラット領域１８と第２フラット領域１９を含み、前記第１フラット領域１８は、第１ボンディング部３２と第２フラット領域１９との間に配置され、前記第２フラット領域１９は、第２ボンディング部４２と第１フラット領域１８との間に配置される。前記フラット領域１８、１９は前記第１側面部１１の第１部領域１１−１上に延長される。前記第１及び第２フラット領域１８、１９は前記第１側面部１１の水平な平面と同一平面であり、前記第１側面部１１の後方向に前記胴体１０がティルトすることを防止することができる。前記第１及び第２フラット領域１８、１９は、長さＤ５が幅Ｄ６より大きく、例えば、長さＤ５は０．４ｍｍ以上、例えば、０．４ｍｍないし０．６ｍｍの範囲であり、幅Ｄ６は０．１５ｍｍ以上、例えば、０．１７ｍｍ以上ないし０．２１ｍｍの範囲である。ここで、前記第１及び第２フラット領域１８、１９の長さＤ５はＸ軸方向の長さであり、前記幅Ｄ６はＺ軸方向の長さである。
前記第１及び第２フラット領域１８、１９が前記範囲より小さい場合、発光素子パッケージ１００の第５側面部１５部分が浮き上がることになって光指向特性が変更され、前記範囲より大きい場合、改善程度が微々である。前記第１及び第２フラット領域１８、１９の長さＤ５は、前記第１及び第２ボンディング部３２、４２の幅Ｐ２よりは大きく形成されて、胴体１０の底のセンター領域の均衡をとることができる。前記フラット領域１８、１９は、前記第１側面部１１の領域でキャビティ２０に配置された第１リード部３１と対応し、第２リード部４１から離隔する。前記第１及び第２フラット領域１８、１９は、前記第１リード部３１と前記胴体１０の厚さ方向に重なる。
前記第１及び第２フラット領域１８、１９間の間隔Ｇ３は、前記第１フラット領域１８と第１ボンディング部３２との間の間隔Ｇ２、または前記第２フラット領域１９と第２ボンディング部４２との間の間隔Ｇ２が等しい。このような間隔Ｇ２、Ｇ３を有する第１及び第２ボンディング部３２、４２、及び第１及び第２フラット領域１８、１９は、胴体１０の底面がティルトすることを防止することができる。ここで、前記胴体１０の第１側面部１１での前記間隔Ｇ２、Ｇ３の比率を見ると、Ｇ２：Ｇ３は１：１ないし２：１の範囲または前記Ｇ３≦Ｇ２の関係を満足することができる。このような第１及び第２フラット領域１８、１９間の間隔Ｇ３は、前記第１及び第２フラット領域１８、１９の長さＤ５が増加すると減少し、前記ボンディング部３２、４２との間隔Ｇ２は、ボンディング部３２、４２の位置、構造及び幅によって変更が容易ではない。前記第１及び第２フラット領域１８、１９の長さＤ５は、前記間隔Ｇ２、Ｇ３よりは大きく、例えば、長さＤ５は間隔（Ｇ２またはＧ３）に比べて１５０％以上大きい。前記第１及び第２フラット領域１８、１９は、長さＤ５が前記間隔Ｇ２、Ｇ３に比べて大きく配置されることで、前記第１及び第２ボンディング部３２、４２の間の両領域で平らな支持部として機能することができる。前記第１及び第２フラット領域１８、１９の長さＤ５の合計は、胴体１０の長さ（図１のＤ２）の２５％以上、例えば、３０％以上に配置されて、胴体１０の第１側面部１１のセンター領域での均衡をとることができる。
前記第１及び第２フラット領域１８、１９は、前記胴体１０の第１側面部１１のセンター領域に更に隣接するように配置され、前記胴体１０の第１側面部１１上において第１及び第２リードフレーム３０、４０の第１及び第２ボンディング部３２、４２の間の領域にフラットな平面で配置されるので、前記胴体１０の後方に傾くことを防止することができる。
前記第１及び第２リードフレーム３０、４０の第１及び第２ボンディング部３２、４２においてフラットな領域の長さＰ１は、Ｚ軸方向の長さとして、０．２５ｍｍ以上、例えば、０．２６ｍｍ以上に配置される。このような長さＰ１を有する第１及び第２ボンディング部３２、４２は、前記胴体１０の第１側面部１１の後方を支持することができ、胴体１０の第５側面部１５が浮き上がることを防止して、光の指向特性低下及び輝度低下問題を改善することができる。
前記胴体１０の第１側面部１１を見ると、第１部領域１１−１の外側に第１及び第２リードフレーム３０、４０の第１及び第２ボンディング部３２、４２が置かれる第１及び第２ボンディング領域１１Ｇ、１１Ｉが配置され、前記第１及び第２ボンディング領域１１Ｇ、１１Ｉと平らな第１部領域１１−１との間には、傾斜した領域１１Ｅ、１１Ｆが配置される。
図８は図７の発光素子パッケージのＣ−Ｃ側断面図である。図７及び図８を参照して、第１リードフレーム３０の第１ボンディング部３２及び第１放熱部３３に対して説明し、第２リードフレーム４０の第２ボンディング部４２及び第２放熱部４３は、第１リードフレーム３０の説明を参照することにする。
図７及び図８のように、前記第１リードフレーム３０の第１ボンディング部３２は、前記第１リード部３１から所定の角度、例えば、８８度ないし９１度の範囲の角度で折り曲げられる。前記第１ボンディング部３２の内側は、前記胴体１０の第１側面部１１の第１ボンディング領域１１Ｇから所定のギャップＧ６を有して離隔し、例えば、０．０３ｍｍ以下に密着する。前記胴体１０の第１ボンディング領域１１Ｇと前記第１ボンディング部３２との間のギャップＧ６が０．３ｍｍを超過する場合、前記第１ボンディング部３２が傾斜するように配置されており、これによって前記胴体１０がティルトする問題が発生し、第１放熱部３３も胴体１０に密着しない。前記第１リードフレーム３０の第１放熱部３３は、前記第１ボンディング部３２から折り曲げられて胴体１０の第３側面部１３に延長される。前記第１放熱部３３は、前記第１ボンディング部３２から８９度ないし９１度の角度θ７で折り曲げられて、前記第３側面部１３に密着する。
図４、図６、図７のように、前記胴体１０の第３及び第４側面部１３、１４のうち前記第６側面部１６に隣接した領域には、前記第１及び第２リードフレーム３０、４０の第１及び第２放熱部３３、４３が配置される第１及び第２リセス１３−１、１４−１が配置される。図４のように、前記第１リセス１３−１は、前記第３側面部１３の領域のうち前記第６側面部１６に隣接して凹んだ領域である。前記第２リセス１４−１は、前記第４側面部１４のうち前記第６側面部１６に隣接して凹んだ領域である。前記第１リセス１３−１は、前記第３側面部１３のうち前記第２胴体部１０Ｂの外側に配置され、前記第２リセス１４−１は、前記第４側面部１４のうち前記第２胴体部１０Ｂの外側に配置される。前記第１リセス１３−１には、前記第１リードフレーム３０の第１放熱部３３が配置され、前記第２リセス１４−１には、前記第２リードフレーム４０の第２放熱部４３が配置される。前記第１リセス１３−１は、垂直な直線から前記第６側面部１６に隣接するほど徐々に深くなる深さを有し、前記第２リセス１４−１は、垂直な直線から前記第６側面部１６に隣接するほど徐々に深くなる深さを有することができる。
前記第１及び第２放熱部３３、４３は、前記第１及び第２ボンディング部３２、４２から前記第１及び第２リセス１３−１、１４−１に延長されて放熱効率を改善させることができる。前記胴体１０の第３及び第４側面部１３、１４の第１及び第２リセス１３−１、１４−１のそれぞれには、複数の傾斜した領域、例えば、２つ以上が互いに異なる角度で傾斜した領域が配置される。前記第１及び第２リセス１３−１、１４−１の傾斜した領域は、第１及び第２ボンディング部３２、４２が配置される平面と異なる側面上に位置し、前記第１及び第２放熱部３３、４３が配置される領域である。
前記胴体１０の第３及び第４側面部１３、１４の第１及び第２リセス１３−１、１４−１を見ると、第３側面部１３及び第４側面部１４から傾斜した第１及び第２領域１３Ａ、１４Ａ、前記第１及び第２領域１３Ａ、１４Ａから傾斜した第３及び第４領域１３Ｂ、１４Ｂを含む。前記第１及び第２領域１３Ａ、１４Ａは、前記第３側面部１３及び第４側面部１４のＺ軸方向の直線から凹んだ領域であり、前記第３及び第４領域１３Ｂ、１４Ｂは、第１及び第２領域１３Ａ、１４Ａと第６側面部１６の第１部１６Ａ及び第２部１６Ｂとの間の領域である。前記第１及び第２領域１３Ａ、１４Ａの傾斜した面は、垂直な直線に対して鋭角の第１角度θ２で配置され、前記第３及び第４領域１３Ｂ、１４Ｂの傾斜した面は、垂直な直線に対して鋭角の第２角度θ３で配置される。前記第１角度θ２は、前記第３及び第４側面部１３、１４から延長された直線または第３軸方向と前記第１及び第２領域１３Ａ、１４Ａの傾斜した面との間の角度である。前記第２角度θ３は、前記直線または第３軸方向と前記第３及び第４領域１３Ｂ、１４Ｂの傾斜した面との間の角度である。前記第１及び第２領域１３Ａ、１４Ａは、前記胴体１０の第３及び第４側面部１３、１４に垂直な直線に対して傾斜し、前記第３及び第４領域１３Ｂ、１４Ｂは、前記第１及び第２領域１３Ａ、１４Ａから第６側面部１６の表面まで延長される。
前記第１領域１３Ａと第３領域１３Ｂとの間の角度または前記第２領域１４Ａと第４領域１４Ｂとの間の角度θ１は鈍角である。前記角度θ１は、例えば、１５５±５度の範囲であり、前記第１及び第２領域１３Ａ、１４Ａの傾斜した第１角度θ２は、前記第３及び第４領域１３Ｂ、１４Ｂの傾斜した第２角度（θ３＜θ２）より大きい。前記第１及び第２領域１３Ａ、１４Ａの第１角度θ２は５０度以下、例えば、４０度以下であり、前記第３及び第４領域１３Ｂ、１４Ｂの第２角度θ３は２０度以下、例えば、１５度以下である。前記第３及び第４領域１３Ｂ、１４Ｂが前記第１及び第２領域１３Ａ、１４Ａから上記した角度で傾斜することで、前記第３及び第４領域１３Ｂ、１４Ｂ上に配置される第１及び第２放熱部３３、４３が折り曲げられた後、第３及び第４領域１３Ｂ、１４Ｂに密着する。
前記第３及び第４側面部１３、１４の第１及び第２リセス１３−１、１４−１は、前記胴体１０の後方、例えば、前記第１部領域１１−１及び第２部領域１２−１の外側に配置される。前記第１及び第２領域１３Ａ、１４Ａの傾斜した角度は、第３及び第４領域１３Ｂ、１４Ｂの傾斜した角度より大きい角度で傾斜することになって、前記第３及び第４領域１３Ｂ、１４Ｂ上に配置される第１及び第２放熱部３３、３４を密着させることができる。前記第１及び第２領域１３Ａ、１４Ａと第３及び第４領域１３Ｂ、１４Ｂは、傾斜した面を提供することで、胴体１０の射出成形時に成形型からの分離が容易である。
前記第１及び第２領域１３Ａ、１４Ａの深さＢ３は、前記第３及び第４領域１３Ｂ、１４Ｂの深さＢ４より大きい。前記第１及び第２領域１３Ａ、１４Ａの第１深さＢ３は、第３及び第４側面部１３、１４のＺ軸方向または垂直な直線から０．１３ｍｍ±０．０２ｍｍの範囲であり、前記第３及び第４領域１３Ｂ、１４Ｂの第２深さＢ４は、前記第１及び第２領域１３Ａ、１４Ａとの境界領域の垂直な直線（Ｚ軸方向）から０．０５ｍｍ±０．０２ｍｍの範囲である。前記第１及び第２領域１３Ａ、１４Ａと前記第３及び第４領域１３Ｂ、１４Ｂが、上記した第１及び第２深さＢ３、Ｂ４を有することになるので、第１及び第２リードフレーム３０、４０の第１及び第２放熱部３３、４３を密着収納することができる。第１及び第２リードフレーム３０、４０の第１及び第２放熱部３３、４３は、外側部が図１のように胴体１０の第３及び第４側面部１３、１４上に突出した構造で結合される。前記第１及び第２領域１３Ａ、１４Ａは、上記した第１深さを有して傾斜するように配置されることで、前記第３及び第４領域１３Ｂ、１４Ｂに前記第１及び第２放熱部３３、４３が密着する。
前記第１及び第２領域１３Ａ、１４Ａは、前記第３及び第４側面部１３、１４の凹部３５、４５と第３軸方向に重なるように配置される。前記第１及び第２領域１３Ａ、１４Ａは、前記凹部３５、４５と隣接するように配置される。前記第１及び第２リセス１３−１、１４−１は、第１軸方向に前記胴体１０の互いに反対側に凹むように位置することができる。
前記第３及び第４領域１３Ｂ、１４Ｂの高さＢ２は、前記第１及び第２領域１３Ａ、１４Ａの高さＢ１より大きい。前記第１及び第２領域１３Ａ、１４Ａの高さＢ１は、第１及び第２リード部３１、４１の後面から０．１５ｍｍ±０．０２ｍｍの範囲で離隔し、前記第３及び第４領域１３Ｂ、１４Ｂの高さＢ２は０．２５ｍｍ±０．０４ｍｍの範囲で離隔する。前記第１及び第２領域１３Ａ、１４Ａと第３及び第４領域１３Ｂ、１４Ｂとの間の境界部分は、胴体１０の第６側面部１６から０．２５ｍｍ±０．０４ｍｍの範囲で離隔する。前記第３及び第４領域１３Ｂ、１４Ｂの高さＢ２は、第１及び第２領域１３Ａ、１４Ａの高さ（Ｂ１＜Ｂ２）より少なくとも０．１ｍｍ以上大きく、図４に示された胴体１０の第１部領域１１−１及び第２部領域１２−１の幅Ｂ０の５０％以上に配置される。前記第３及び第４領域１３Ｂ、１４Ｂの高さＢ２が大きく、第２深さＢ４が低くて小さい角度で傾斜することで、第１及び第２放熱部３３、３４が前記第３及び第４領域１３Ｂ、１４Ｂ上に密着し、これによって、第１及び第２放熱部３３、４３によって第１及び第２ボンディング部３２、４２に影響を与えることを遮断することができる。また、前記第３及び第４領域１３Ｂ、１４Ｂに配置される第１及び第２リードフレーム３０、４０の第１及び第２放熱部３３、４３の幅も増加して、放熱効率も改善させることができる。
前記胴体１０の第３及び第４側面部１３、１４の凹んだ第１及び第２リセス１３−１、１４−１は、少なくとも２段に傾斜した構造を提供することで、１段に傾斜した構造（図７のＬ２線）に比べて前記第１及び第２ボンディング部３２、４２と第１及び第２放熱部３３、４３を胴体１０に更に密着させることができる。また、前記少なくとも２段に傾斜した第１及び第２領域１３Ａ、１４Ａと第３及び第４領域１３Ｂ、１４Ｂの境界地点を基準に、前記第１及び第２放熱部３３、４３が折り曲げられることで、前記第１及び第２放熱部３３、４３を前記第１及び第２ボンディング部３２、４２から直角または直角に近いほどに第３及び第４領域１３Ｂ、１４Ｂに密着させることができる。これによって、第１及び第２ボンディング部３２、４２が均一な水平面で配置される。ここで、図７のＬ２線のように、第３側面部１３の後方領域が１段に傾斜する場合、第１放熱部３３と後方領域間の間隔は更に広がり、この時、第１放熱部３３が密着しないため、第１放熱部３３の折り曲げ後、第１ボンディング部３２の均一な平面に影響を与える問題がある。
図９を参照すると、前記第３側面部１３の第１リセス１３−１において第１及び第３領域１３Ａ、１３Ｂの間の境界部分は、前記第１放熱部３３より上に配置される。前記第１放熱部３３は、前記第１及び第３領域１３Ａ、１３Ｂの間の境界部分から所定のギャップＧ５、例えば、０．０２ｍｍ±０．０１ｍｍの範囲で離隔する。前記第１放熱部３３が前記第１及び第３領域１３Ａ、１３Ｂの境界部分から前記範囲より離隔する場合、第１放熱部３３の密着効果が減少し、放熱面積も減少する。
図１０を参照すると、前記第２リードフレーム４０の第２ボンディング部４２は、前記胴体１０の第１側面部１１の第２ボンディング領域１１Ｉから所定のギャップＧ６を有して離隔し、例えば、０．０３ｍｍ以下に密着する。前記胴体１０の第２ボンディング領域１１Ｉと前記第２ボンディング部４２との間のギャップＧ６が０．３ｍｍを超過する場合、前記第２ボンディング部４２が傾斜するように配置されており、これによって前記胴体１０がティルトする問題が発生し、第２放熱部４３も胴体１０に密着しない。前記第４側面部１４の第２リセス１４−１において第２及び第４領域１４Ａ、１４Ｂの間の境界部分は、前記第２放熱部４３より上に配置される。前記第２放熱部４３は、前記第２及び第４領域１４Ａ、１４Ｂの間の境界部分から所定のギャップＧ５、例えば、０．０２ｍｍ±０．０１ｍｍの範囲で離隔する。前記第２放熱部４３が前記第２及び第４領域１４Ａ、１４Ｂの境界部分から前記範囲より離隔する場合、第２放熱部４３の密着効果が減少し、放熱面積も減少する。
図１１を参照すると、前記胴体１０の第３及び第４側面部１３、１４の第３及び第４領域１３Ｂ、１４Ｂと前記第１及び第２放熱部３３、４３との間の最大間隔Ｇ４は０．１ｍｍ以下、例えば、０．０８ｍｍ以下に配置される。このような第３及び第４領域１３Ｂ、１４Ｂに前記第１及び第２放熱部３３、４３が密着することで、前記第１及び第２放熱部３３、４３に連結された第１及び第２ボンディング部３２、４２と胴体１０とのギャップＧ６が減少し、第１及び第２ボンディング部３２、４２が均一な水平面で提供される。
前記第２リードフレーム４０は、前記第１リードフレーム３０の説明を参照することにする。前記第２リードフレーム４０の第２放熱部４３は、前記第４側面部１４の第４領域１４Ｂ上に密着配置されることで、第２放熱部４３が均一な水平面を提供することができる。
図１２及び図１３を参照すると、第１リードフレーム３０は、第１放熱部３３と第１ボンディング部３２との間の境界領域にノッチ３２Ａを有し、前記ノッチ３２Ａに沿って第１放熱部３３を第１ボンディング部３２から折り曲げることができる。前記ノッチ方向は垂直な方向に配置される。このようなノッチ３２Ａによって、前記第１放熱部３３は第３領域１３Ｂにより密着し、第１ボンディング部３２に影響を与えない。
前記第１リードフレーム３０は、第１リード部と第１ボンディング部との間の折り曲げ部分にノッチを更に有することができ、これに限定されるものではない。前記第２リードフレーム４０にも折り曲げ部分にノッチを有することができ、これに限定されるものではない。図１２及び図１３のリードフレームの構成は、上記に開示された図１ないし図１１に構成及び説明を適用することができる。
図１４及び図１５を参照すると、第１リードフレーム３０は、第１放熱部３３と第１ボンディング部３２との間の境界領域にノッチ３２Ｂを有し、前記ノッチ３２Ｂに沿って第１放熱部３３を第１ボンディング部３２から折り曲げることができる。前記ノッチ方向は、前記胴体１０の第３側面部１３の第３領域１３Ｂの傾斜した方向に配置される。このようなノッチ３２Ｂによって、前記第１放熱部３３は第３領域１３Ｂにより密着し、第１ボンディング部３２に影響を与えない。ここで、前記第１放熱部３３は、ノッチによって水平な直線に対して９０度未満の角度θ４で折り曲げられる。前記第１リードフレーム３０は、第１リード部と第１ボンディング部との間の折り曲げ部分にノッチを更に有することができ、これに限定されるものではない。前記第２リードフレーム４０にも折り曲げ部分にノッチを有することができ、これに限定されるものではない。図１４及び図１５のリードフレームの構成は、上記に開示された図１ないし図１１に開示された構成及び説明を適用することができる。
実施例に係る発光素子パッケージ１００のキャビティ２０内に配置された発光チップ７１は、一つまたは複数に配置される。前記発光チップ７１は、例えば、レッドＬＥＤチップ、ブルーＬＥＤチップ、グリーンＬＥＤチップ、イエローグリーン（ｙｅｌｌｏｗ ｇｒｅｅｎ）ＬＥＤチップのうちから選択される。
図３ないし図５のように、前記胴体１０のキャビティ２０にはモールディング部材８１が配置され、前記モールディング部材８１はシリコンまたはエポキシのような透光性樹脂を含み、単層または多層に形成される。前記モールディング部材８１または前記発光チップ７１上には、放出される光の波長を変化させるための蛍光体を含むことができ、前記蛍光体は発光チップ７１から放出される光の一部を励起させて他の波長の光を放出することになる。前記蛍光体は、量子点、ＹＡＧ、ＴＡＧ、Ｓｉｌｉｃａｔｅ、Ｎｉｔｒｉｄｅ、Ｏｘｙ−ｎｉｔｒｉｄｅ系物質のうちから選択的に形成される。前記蛍光体は、赤色蛍光体、黄色蛍光体、緑色蛍光体のうち少なくとも一つを含むことができ、これに限定されるものではない。前記モールディング部材８１の表面はフラット形状、凹形状、凸形状などで形成されるが、これに限定されるものではない。他の例として、前記キャビティ２０上に蛍光体を有する透光性フィルムが配置されるが、これに限定されるものではない。
前記胴体１０の上部にはレンズを更に形成することができ、前記レンズは凹または／及び凸レンズの構造を含むことができ、発光素子パッケージ１００が放出する光の配光（ｌｉｇｈｔ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ）を調節することができる。
前記胴体１０またはいずれか一つのリードフレーム上には、受光素子、保護素子などの半導体素子が搭載され、前記保護素子は、サイリスタ、ツェナーダイオード、またはＴＶＳ（Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ ｖｏｌｔａｇｅ ｓｕｐｐｒｅｓｓｉｏｎ）で具現され、前記ツェナーダイオードは、前記発光チップをＥＳＤ（ｅｌｅｃｔｒｏ ｓｔａｔｉｃ ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）から保護することになる。
図１６及び図１７は、図１の発光素子パッケージを有する発光モジュールを示した図である。
図１６及び図１７を参照すると、発光モジュールは発光装置として、回路ボード２０１上に少なくとも一つまたは複数個が配置された発光素子パッケージ１００を含む。
前記回路ボード２０１は、絶縁層上に回路パターンが印刷されたボードを含み、例えば、樹脂系列の印刷回路基板（ＰＣＢ：Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）、メタルコア（Ｍｅｔａｌ Ｃｏｒｅ）ＰＣＢ、軟性（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ）ＰＣＢ、セラミックＰＣＢ、ＦＲ−４基板を含むことができる。
前記回路ボード２０１は、メタルコアＰＣＢを含み、前記メタルコアＰＣＢは、他の樹脂系列の基板より放熱効率が良い金属層を更に備えることになる。例えば、メタルコアＰＣＢは金属層、前記金属層上に絶縁層、前記絶縁層上に配線層を有する積層構造を含み、前記金属層は、熱伝導性が良い金属層の厚さを０．３ｍｍ以上厚く形成して放熱効率を増大させることになる。
前記発光素子パッケージ１００の第１及び第２リード部３１、４１は、前記回路ボード２０１の電極パターン２１３、２１５に伝導性接着部材２０３、２０５である半田または伝導性テープでボンディングされる。
図１８は図１の発光素子パッケージの発光チップを示した図である。
図１８を参照すると、発光チップ７１は、基板１１１、バッファ層１１３、低伝導層１１５、第１導電型半導体層１１７、活性層１１９、第２クラッド層１２１、及び第２導電型半導体層１２３を含むことができる。
前記基板１１１は、透光性、絶縁性または導電性材質の基板を用いることができ、例えば、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＰ、ＩｎＰ、Ｇｅ、Ｇａ２Ｏ３、ＬｉＧａＯ３のうち少なくとも一つを用いることができる。前記基板１１１の上面には複数の突出部１１２が形成され、前記複数の突出部１１２は、前記成長基板１１１のエッチングを介して形成するか、別途のラフネスのような光抽出構造で形成することができる。前記突出部１１２は、ストライプ形状、半球形状、またはドーム（ｄｏｍｅ）形状を含むことができる。前記基板１１１の厚さは３０μｍ〜１５０μｍの範囲で形成されるが、これに限定されるものではない。
前記基板１１１の上には複数の化合物半導体層が成長し、前記複数の化合物半導体層の成長装備は電子ビーム蒸着器、ＰＶＤ（ｐｈｙｓｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＰＬＤ（ｐｌａｓｍａ ｌａｓｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、二重型の熱蒸着器（ｄｕａｌ−ｔｙｐｅ ｔｈｅｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ）スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、ＭＯＣＶＤ（ｍｅｔａｌ ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などによって形成することができ、このような装備に限定されるものではない。
前記基板１１１の上にはバッファ層１１３が形成され、前記バッファ層１１３はＩＩ族ないしＶＩ族化合物半導体を用いて、少なくとも一層で形成される。前記バッファ層１１３は、ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体層を含み、例えば、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体として、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮなどのような化合物半導体のうち少なくとも一つを含む。前記バッファ層１１３は、互いに異なる半導体層を交互に配置して超格子構造で形成することができる。
前記バッファ層１１３は、前記基板１１１と窒化物系列の半導体層との格子定数の差を緩和させるために形成され、欠陥制御層として定義することができる。前記バッファ層１１３は、前記基板１１１と窒化物系列の半導体層との間の格子定数の間の値を有することができる。前記バッファ層１１３はＺｎＯ層のような酸化物で形成されるが、これに限定されるものではない。前記バッファ層１１３は３０〜５００ｎｍの範囲で形成されるが、これに限定されるものではない。
前記バッファ層１１３の上に低伝導層１１５が形成され、前記低伝導層１１５はアンドープ半導体層として、第１導電型半導体層１１７より低い電気伝導性を有する。前記低伝導層１１５は、ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体を用いたＧａＮ系半導体で具現され、このようなアンドープ半導体層は、意図的に導電型ドーパントをドーピングしなくても第１導電型特性を有することになる。前記アンドープ半導体層は形成しなくてもよく、これに限定されるものではない。前記低伝導層１１５は複数の第１導電型半導体層１１７の間に形成される。
前記低伝導層１１５の上には第１導電型半導体層１１７が形成される。前記第１導電型半導体層１１７は、第１導電型ドーパントがドーピングされたＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体で具現され、例えば、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料で形成される。前記第１導電型半導体層１１７がｎ型半導体層である場合、前記第１導電型のドーパントはｎ型ドーパントとして、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅを含む。
前記低伝導層１１５と前記第１導電型半導体層１１７のうち少なくとも一層には、互いに異なる第１層と第２層が交互に配置された超格子構造で形成される。
前記第１導電型半導体層１１７と前記活性層１１９との間には、第１クラッド層（図示せず）を形成することができ、前記第１クラッド層はＧａＮ系半導体で形成することができる。このような第１クラッド層はキャリアを拘束させる役割をする。他の例として、前記第１クラッド層（図示せず）は、ＩｎＧａＮ層またはＩｎＧａＮ／ＧａＮ超格子構造で形成することができ、これに限定されるものではない。前記第１クラッド層はｎ型または／及びｐ型ドーパントを含むことができ、例えば、第１導電型または低伝導性の半導体層で形成することができる。
前記第１導電型半導体層１１７の上には活性層１１９が形成される。前記活性層１１９は単一井戸、単一量子井戸、多重井戸、多重量子井戸（ＭＱＷ）、量子線、量子点構造のうち少なくとも一つで形成される。前記活性層１１９は、井戸層と障壁層が交互に配置され、前記井戸層はエネルギー準位が連続的な井戸層である。また、前記井戸層は、エネルギー準位が量子化された量子井戸（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）である。前記井戸層は量子井戸層として定義することができ、前記障壁層は量子障壁層として定義することができる。前記井戸層と前記障壁層のペアは２〜３０周期で形成される。前記井戸層は、例えば、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料で形成される。前記障壁層は、前記井戸層のバンドギャップより広いバンドギャップを有する半導体層として、例えば、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料で形成される。前記井戸層と障壁層のペアは、例えば、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ、ＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮのうち少なくとも一つを含む。
前記活性層１１９は、紫外線帯域から可視光線帯域の波長範囲内で選択的に発光することができ、例えば、４２０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲のピーク波長を発光することができる。
前記活性層１１９の上には、第２クラッド層１２１が形成され、前記第２クラッド層１２１は、前記活性層１１９の障壁層のバンドギャップより高いバンドギャップを有し、ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体、例えば、ＧａＮ系半導体で形成される。例えば、前記第２クラッド層１２１は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ超格子構造などを含むことができる。前記第２クラッド層１２１は、ｎ型または／及びｐ型ドーパントを含むことができ、例えば、第２導電型または低伝導性の半導体層で形成される。
前記第２クラッド層１２１の上には、第２導電型半導体層１２３が形成され、前記第２導電型半導体層１２３は、第２導電型のドーパントを含む。前記第２導電型半導体層１２３はＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体、例えば、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮなどのような化合物半導体のうち少なくとも一つからなり、単層または多層を含む。前記第２導電型半導体層１２３がｐ型半導体層である場合、前記第２導電型ドーパントはｐ型ドーパントとして、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどを含むことができる。
発光構造物１５０の層の伝導性タイプは反対に形成することができ、例えば、前記第２導電型半導体層１２３はｎ型半導体層、前記第１導電型半導体層１１７はｐ型半導体層で具現される。また、前記第２導電型半導体層１２３の上には、前記第２導電型と反対の極性を有する第３導電型半導体層であるｎ型半導体層を更に形成することもできる。前記発光チップ７１は、前記第１導電型半導体層１１７、活性層１１９及び前記第２導電型半導体層１２３を発光構造物１５０として定義することができ、前記発光構造物１５０はｎ−ｐ接合構造、ｐ−ｎ接合構造、ｎ−ｐ−ｎ接合構造、ｐ−ｎ−ｐ接合構造のうち少なくとも一つの構造を含むことができる。前記ｎ−ｐ及びｐ−ｎ接合は２つの層の間に活性層が配置され、ｎ−ｐ−ｎ接合またはｐ−ｎ−ｐ接合は３つの層の間に少なくとも一つの活性層を含むことになる。
発光構造物１５０の上に電極層１４１及び第２電極１４５が形成され、前記第１導電型半導体層１１７の上に第１電極１４３が形成される。
前記電極層１４１は電流拡散層として、透過性及び電気伝導性を有する物質で形成される。前記電極層１４１は、化合物半導体層の屈折率より低い屈折率で形成される。
前記電極層１４１は、第２導電型半導体層１２３の上面に形成され、その物質は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（ａｎｔｉｍｏｎｙ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＮｉＯなどのうちから選択され、少なくとも一層で形成される。前記電極層１４１は反射電極層で形成され、その物質は、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ及びこれらのうち２以上の合金から選択的に形成される。
前記第２電極１４５は、前記第２導電型半導体層１２３及び／または前記電極層１４１の上に形成され、電極パッドを含むことができる。前記第２電極１４５はアーム（ａｒｍ）構造またはフィンガー（ｆｉｎｇｅｒ）構造の電流拡散パターンを更に形成することができる。前記第２電極１４５はオーミック接触、接着層、ボンディング層の特性を有する金属として、非透光性からなり、これに限定されるものではない。
前記第１導電型半導体層１１７の一部には第１電極１４３が形成される。前記第１電極１４３と前記第２電極１４５は、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｇ及びＡｕとこれらの選択的な合金のうちから選択される。
前記発光チップ７１の表面に絶縁層を更に形成することができ、前記絶縁層は発光構造物１５０の層間ショート（ｓｈｏｒｔ）を防止し、湿気浸透を防止することができる。
前記発光チップは、水平型電極構造を有するチップで具現したが、前記基板１１１を除去するか、または前記基板１１１に溝を配置して電極を配置した垂直型構造を利用することができる。
上記に開示された実施例に係る発光モジュールまたは基板は、ライトユニットに適用することができる。前記ライトユニットは、複数の発光素子または発光素子パッケージがアレイされた構造を含み、図１９に示された表示装置、他の照明灯、信号灯、車両ヘッドライト、電光掲示板などを含むことができる。
図１９は実施例に係る表示装置の分解斜視図である。
図１９を参照すると、表示装置１０００は導光板１０４１と、前記導光板１０４１に光を提供する発光モジュール３００と、前記導光板１０４１の下に反射部材１０２２と、前記導光板１０４１の上に光学シート１０５１と、前記光学シート１０５１の上に表示パネル１０６１と、前記導光板１０４１、発光モジュール３００及び反射部材１０２２を収納するボトムカバー１０１１を含むことができるが、これに限定されるものではない。
前記ボトムカバー１０１１、反射シート１０２２、導光板１０４１、光学シート１０５１は、ライトユニット１０５０として定義することができる。
前記導光板１０４１は、前記発光モジュール３００から提供された光を拡散させて面光源化させる役割をする。前記導光板１０４１は透明な材質からなり、例えば、ＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ ｍｅｔａａｃｒｙｌａｔｅ）のようなアクリル樹脂系列、ＰＥＴ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈｌａｔｅ）、ＰＣ（ｐｏｌｙ ｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ＣＯＣ（ｃｙｃｌｏｏｌｅｆｉｎ ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）及びＰＥＮ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）樹脂のうち一つを含むことができる。
前記発光モジュール３００は、前記導光板１０４１の少なくとも一側面に配置さされて、前記導光板１０４１の少なくとも一側面に光を提供し、究極的には表示装置の光源として作用することになる。
前記発光モジュール３００は、前記ボトムカバー１０１１内に少なくとも一つが配置され、前記導光板１０４１の一側面で直接または間接的に光を提供することができる。前記発光モジュール３００は、前記ボード２０１の間に配置された実施例に係る発光素子パッケージ１００を含み、前記発光素子パッケージ１００は、前記ボード２０１上に所定の間隔でアレイされる。前記発光素子パッケージ１００は、前記ボトムカバー１０１１の側面または放熱プレート上に搭載される場合、前記ボードは除去することができる。
前記複数の発光素子パッケージ１００は、前記ボード２０１上に配置され、光が放出される光出射面が前記導光板１０４１と所定の距離に離隔するように搭載されるが、これに限定されるものではない。前記発光素子パッケージ１００は、前記導光板１０４１の一側面である入光部に光を直接または間接的に提供することができ、これに限定されるものではない。
前記導光板１０４１の下には、前記反射部材１０２２が配置される。前記反射部材１０２２は、前記導光板１０４１の下面に入射した光を反射させて前記表示パネル１０６１に供給することで、前記表示パネル１０６１の輝度を向上させることができる。前記反射部材１０２２は、例えば、ＰＥＴ、ＰＣ、ＰＶＣレジンなどで形成されるが、これに限定されるものではない。前記反射部材１０２２は、前記ボトムカバー１０１１の上面であってもよいが、これに限定されるものではない。
前記ボトムカバー１０１１は、前記導光板１０４１、発光モジュール３００及び反射部材１０２２などを収納することができる。このために、前記ボトムカバー１０１１は、上面が開口したボックス（ｂｏｘ）形状を有する収納部１０２１を備えることができ、これに限定されるものではない。前記ボトムカバー１０１１はトップカバー（図示せず）と結合することができ、これに限定されるものではない。
前記ボトムカバー１０１１は、金属材質または樹脂材質で形成され、プレス成形または圧出成形などの工程を利用して製造される。また、前記ボトムカバー１０１１は、熱伝導性が良い金属または非金属材料を含むことができ、これに限定されるものではない。
前記表示パネル１０６１は、例えば、ＬＣＤパネルとして、互いに対向する透明な材質の第１及び第２基板、そして第１及び第２基板の間に介在された液晶層を含む。前記表示パネル１０６１の少なくとも一面には偏光板が付着され、このような偏光板の付着構造に限定しない。前記表示パネル１０６１は、前記発光モジュール３００から提供された光を透過または遮断させて情報を表示することになる。このような表示装置１０００は各種の携帯端末、ノートパソコンのモニタ、ラップトップコンピュータのモニタ、テレビなどのような映像表示装置に適用することができる。
前記光学シート１０５１は、前記表示パネル１０６１と前記導光板１０４１との間に配置され、少なくとも一枚以上の透光性シートを含む。前記光学シート１０５１は、例えば、拡散シート（ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｓｈｅｅｔ）、水平及び垂直プリズムシート（ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ／ｖｅｒｔｉｃａｌ ｐｒｉｓｍ ｓｈｅｅｔ）、及び輝度強化シート（ｂｒｉｇｈｔｎｅｓｓ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｓｈｅｅｔ）などのようなシートのうち少なくとも一つを含むことができる。前記拡散シートは、入射する光を拡散させ、前記水平または/及び垂直プリズムシートは、入射する光を前記表示パネル１０６１に集光させ、前記輝度強化シートは、損失される光を再使用して輝度を向上させる。また、前記表示パネル１０６１の上には保護シートを配置することができ、これに限定されるものではない。
前記発光モジュール３００の光経路上には光学部材として、前記導光板１０４１、及び光学シート１０５１を含むことができ、これに限定されるものではない。
実施例は、発光素子パッケージにおいて胴体の浮き上がりを防止することができる。
実施例は、発光素子パッケージ及びこれを備えた発光装置の輝度低下を改善することができる。
実施例は、発光素子パッケージ及びこれを備えた発光装置の信頼性を改善させることができる。
以上で実施例に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも一つの実施例に含まれ、必ず一つの実施例にのみ限定されるものではない。ひいては、各実施例で例示された特徴、構造、効果などは、実施例に属する分野の通常の知識を有する者によって他の実施例に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に係る内容は本発明の範囲に含まれるものとして解釈されるべきである。
また、以上で実施例を中心に説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するものでなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば本実施例の本質的な特性を逸脱しない範囲内で以上に例示されていない多様な変形と応用が可能であることが分かる。例えば、実施例に具体的に示された各構成要素は変形して実施することができる。そして、このような変形と応用に係る差異点は添付した特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解析されるべきである。

Claims (5)

  1. 第１側面部、前記第１側面部の反対側である第２側面部、前記第１及び第２側面部に隣接し、互いに反対側である第３及び第４側面部、及びキャビティが配置された第５側面部及び前記第５側面部の反対側である第６側面部を含む胴体と、
    前記キャビティの底に配置された第１リード部、前記第１リード部に連結され、前記胴体の第１側面部の第１外郭領域に折り曲げられた第１ボンディング部、前記第１ボンディング部から前記第３側面部の第１リセスに折り曲げられた第１放熱部を有する第１リードフレームと、
    前記キャビティの底に第２リード部、前記第２リード部に連結され、前記胴体の第１側面部の第２外郭領域に折り曲げられた第２ボンディング部、前記第２ボンディング部から前記第４側面部の第２リセスに折り曲げられた第２放熱部を有する第２リードフレームと、
    前記キャビティの底に配置された第１リードフレームの第１リード部及び第２リードフレームの第２リード部のうち少なくとも一つの上に配置された発光チップと、
    を含み、
    前記第１及び第２リセスは、前記第５側面部より前記第６側面部に隣接し、
    前記第１及び第２リセスは、前記第３及び第４側面部から第１角度で傾斜した第１及び第２領域と、前記第１及び第２領域から第２角度で傾斜した第３及び第４領域と、を含み、
    前記第１角度は、前記第３及び第４側面部から延長された直線と前記第１及び第２領域の傾斜した面との間の角度であり、
    前記第２角度は、前記直線と前記第３及び第４領域の傾斜した面との間の角度であり、
    前記第２角度は前記第１角度より小さく、
    前記第１リードフレームの第１放熱部は、前記第３側面部の第３領域上に配置され、
    前記第２リードフレームの第２放熱部は、前記第４側面部の第４領域上に配置され、
    前記第１及び第２角度は鋭角を有し、前記第１及び第３領域の間の角度は鈍角を有し、
    前記第１側面部は、前記第６側面部に隣接し、前記第６側面部方向に水平に延長された複数のフラット領域を含み、
    前記複数のフラット領域は、前記第１及び第２ボンディング部の間に配置され、
    前記複数のフラット領域は、前記キャビティ内に配置された第１リードフレームの第１リード部と前記胴体の厚さ方向に重なり、
    前記複数のフラット領域は、前記胴体の材質で形成され、
    前記フラット領域は、前記第１ボンディング部に隣接した第１フラット領域と、前記第２ボンディング部に隣接した第２フラット領域と、を含み、
    前記第１ボンディング部と前記第１フラット領域との間の間隔は、前記第１及び第２フラット領域の間の間隔と等しいか大きく、
    前記第１及び第２フラット領域の第１軸方向の長さは、第２軸方向の長さより長く、
    前記第１軸方向は、前記胴体の第３側面部から前記第４側面部に向かう方向であり、
    前記第２軸方向は、前記胴体の第５側面部から第６側面部に向かう方向であり、
    前記第１側面部は、前記第６側面部に隣接した第１部領域を含み、
    前記第１部領域は、前記キャビティと前記胴体の厚さ方向に重ならず、前記第１側面部の表面から段差を有し、前記第１側面部の水平な平面と平行で平らな平面を有することを特徴とする、
    発光素子パッケージ。
  2. 前記第１フラット領域及び前記第２フラット領域の長さの合計は、前記第３側面部から前記第４側面部への方向における前記第１側面部の長さである前記胴体の長さの３０％以上の長さで配置される、
    請求項１に記載の発光素子パッケージ。
  3. 前記第３及び第４側面部の第３及び第４領域は、前記第１及び第２領域より前記第６側面部に隣接し、
    前記第１及び第２領域は、前記第３及び第４側面部から延長された直線から第１深さを有し、前記第３及び第４領域は、前記第１及び第２領域との境界地点に垂直な直線から第２深さを有し、
    前記第１深さは第２深さより深いことを特徴とする、請求項１または２に記載の発光素子パッケージ。
  4. 前記複数のフラット領域は、前記第１放熱部と前記第２放熱部との間隔が互いに等しい、
    請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光素子パッケージ。
  5. 前記胴体の第３及び第４側面部に、前記第１及び第２リード部に対応する方向に凹んだ凹部を含み、
    前記胴体の第１軸方向の長さは、前記胴体の厚さの３倍以上であり、
    前記キャビティの底のうちのセンター領域は一定の幅を有し、前記第３及び第４側面部に隣接した第１及び第２サイド領域は、前記センター領域の幅より小さい幅を有し、
    前記発光チップは、前記第１リード部上に配置され、
    前記キャビティの底に配置された第１リード部の面積は、前記第２リード部の面積より大きく、
    前記キャビティにモールディング部材を含み、
    前記キャビティの内側面は、傾斜した面及び前記胴体の第５側面部から垂直な段差を有する領域を含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
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