JP6217711B2 - 発光装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本開示は、発光装置の製造方法に関する。
電子機器の表示パネルのバックライト光源として、ＬＥＤ（発光ダイオード）が使用されている。特に近年では、電子機器の薄型化や大画面化の進展に伴い、表示パネルや導光板も薄型化や大画面化が要求されており、ＬＥＤにおいても、薄型化や高出力化が要求されるようになってきている。
例えば特許文献１には、端子部材が埋設され、前方に開口する反射ケースの凹部内に発光素子を実装する発光装置の製造方法が記載されている。この反射ケースは、金型で端子部材を挟み込み、樹脂成型することで形成される。
特開２００６−２５３５５１号公報
特許文献１に記載されているような発光装置の製造方法では、小型の反射ケース、特に凹部の壁部を樹脂成型することが難しいという問題があった。
本開示に係る実施形態は、小型の発光装置を製造可能な発光装置の製造方法を提供することを課題とする。
本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法は、実装基板上に、所定の溶剤に溶解する材料を用いて溶解性部材を形成する溶解性部材形成工程と、樹脂を用いて、前記溶解性部材の側面を被覆する遮光性部材を形成する遮光性部材形成工程と、前記遮光性部材形成工程の後に、前記所定の溶剤を用いて、前記溶解性部材を除去する溶解性部材除去工程と、前記溶解性部材除去工程により露出した前記遮光性部材の側面を側壁とする凹部内に、発光素子を実装する発光素子実装工程と、を含むように構成される。
本開示に係る実施形態によれば、遮光性部材の凹部を精度よく形成できるため、小型の発光装置を製造することができる。
第１実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す斜視図である。 第１実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す平面図である。 第１実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図であり、図１ＢのＩＣ−ＩＣ線における断面を示す。 第１実施形態に係る発光装置に用いられる半導体発光素子の構成例を模式的に示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における実装基板準備工程で準備される実装基板の構成を模式的に示す平面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における実装基板準備工程で準備される実装基板の構成を模式的に示す断面図であり、図４ＡのＩＶＢ−ＩＶＢ線における断面を示す。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における溶解性部材形成工程を模式的に示す平面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における溶解性部材形成工程を模式的に示す断面図であり、図５ＡのＶＢ−ＶＢ線における断面を示す。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における遮光性部材形成工程を模式的に示す平面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における遮光性部材形成工程を模式的に示す断面図であり、図６ＡのＶＩＢ−ＶＩＢ線における断面を示す。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における溶解性部材除去工程を模式的に示す平面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における溶解性部材除去工程を模式的に示す断面図であり、図７ＡのＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線における断面を示す。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子実装工程を模式的に示す平面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子実装成工程を模式的に示す断面図であり、図８ＡのＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ線における断面を示す。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における封止部材形成工程を模式的に示す平面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における封止部材形成工程を模式的に示す断面図であり、図９ＡのＩＸＢ−ＩＸＢ線における断面を示す。 第１実施形態の変形例に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図である。 第１実施形態の他の変形例に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す平面図である。
以下、実施形態に係る発光装置及び発光装置の製造方法について説明する。
なお、以下の説明において参照する図面は、実施形態を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、平面図とその断面図において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。
＜第１実施形態＞
［発光装置の構成］
まず、第１実施形態に係る発光装置の構成について、図１Ａ〜図１Ｃを参照して説明する。
第１実施形態に係る発光装置１００は、半導体発光素子１（以下、適宜「発光素子」と呼ぶ）と、遮光性部材２と、封止部材３と、実装基板（サブマウント）４と、を備えて構成されている。
実装基板４の上面には、当該上面側に開口する凹部２ａを有する遮光性部材２が設けられている。凹部２ａ内には、半田などの導電性の接合部材４３を用いて、発光素子１がフリップチップ型で実装されている。また、凹部２ａ内には透光性を有する封止部材３が設けられ、発光素子１の上面及び側面が被覆されている。発光素子１が発した光は、封止部材３を通って、遮光性部材２の凹部２ａの開口から外部に取り出されるように構成されている。
次に、発光装置１００の各部の構成について順次に詳細に説明する。
発光素子１は、平面視で横長の長方形である略直方体形状を有する。ｎ側電極１３及びｐ側電極１５が一方の面側に設けられ、サブマウントである実装基板４の配線電極４２ｎ，４２ｐと、導電性の接合部材４３を介して接合されるフリップチップ型の実装に適した構成を有するＬＥＤチップである。
発光素子１は、実装基板４の上面を底面とし、遮光性部材２を側壁とするキャビティである凹部２ａ内に実装されている。また、発光素子１は、凹部２ａ内に設けられた封止部材３によって、封止されている。
ここで、発光素子１の構成例の詳細について、図２を参照して説明する。なお、図２においては、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５が設けられた面が上方となるように示しており、図１Ｃとは上下を逆に示している。また、図１Ａ〜図１Ｃ及び後記する図８Ａ〜図１０Ｂでは、発光素子１の構成は簡略化して示している。
発光素子１は、基板１１と、半導体積層体１２と、ｎ側電極１３と、全面電極１４と、ｐ側電極１５と、絶縁膜１６とを備えている。発光素子１は、基板１１の一方の主面上に、ｎ型半導体層１２ｎと活性層１２ａとｐ型半導体層１２ｐとを積層したＬＥＤ構造を有する半導体積層体１２を備えている。半導体積層体１２は、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５に外部電源を接続して通電することにより発光するようになっている。
半導体積層体１２には、ｐ型半導体層１２ｐ及び活性層１２ａが部分的に存在しない領域、つまりｎ型半導体層１２ｎが半導体積層体１２の電極形成面である上面側に露出した領域である露出部１２ｂを有している。露出部１２ｂにはｎ側電極１３が設けられ、ｎ型半導体層１２ｎと電気的に接続されている。また、ｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面には、良好な導電性と遮光性とを有する全面電極１４が設けられている。また、半導体積層体１２の表面は、直接又は全面電極１４を介して、露出部１２ｂの上面の一部及び全面電極１４の上面の一部を除き絶縁膜１６によって被覆されている。
半導体積層体１２（ｎ型半導体層１２ｎ、活性層１２ａ及びｐ型半導体層１２ｐ）は、ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）で表される窒化物半導体を好適に用いることができる。また、基板１１、ｎ側電極１３、全面電極１４、ｐ側電極１５、絶縁膜１６は、前記した半導体積層体１２とともに、この分野で好適に用いられる材料が適宜に選択される。
なお、図２に示した発光素子１は、一例を示したものであり、外形形状や、露出部１２ｂ、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５の配置領域などは適宜に変更することが可能である。
また、発光素子１は、電極形成面側に樹脂などの支持層を設け、更にｎ側電極１３及びｐ側電極１５上に金属バンプやポスト電極などの外部接続用の金属端子を設けた、ＣＳＰ（Chip Size Package又はChip Scale Package）型の発光素子１であってもよい。その際に、発光素子１の電極形成面側に設ける支持層として、光反射性物質を含有した樹脂部材を設けることが好ましい。これによって、電極形成面側からの漏れ光を、反対の面側に反射させて、発光素子１からの光取り出し効率を向上させることができる。
また、発光素子１は、基板１１を有さない構成であってもよい。
図１Ａ〜図１Ｃに戻って、発光装置１００の構成について説明を続ける。
遮光性部材２は、実装基板４の上面に設けられ、発光素子１を実装するための、凹部２ａを有している。凹部２ａは、上面側に開口を有し、発光素子１の外形よりも広く形成されている。このため、発光素子１は、凹部２ａ内に設けられた封止部材３によって、上面だけでなく側面も被覆されるように構成されている。
遮光性部材２は、光を透過せずに遮光する部材であり、光を反射することで遮光する光反射性材料、又は、光を吸収することで遮光する光吸収性材料を用いることができる。
遮光性部材２に光反射性材料を用いる場合は、遮光性部材２は、発光素子１の上面及び側面から、封止部材３を透過して出射する光を反射して、凹部２ａの開口に集中させて外部に取り出すように機能する。これによって、発光装置１００の上面側の発光輝度を向上させることができる。
また、遮光性部材２に光吸収性材料を用いる場合は、遮光性部材２は、発光素子１の側面から出射して遮光性部材２に入射する光を吸収する。このため、発光装置１００の上面のみから光を出射させることができる。
また、光反射性材料又は光吸収性材料の何れを用いる場合であっても、遮光性部材２を設けることで、発光装置１００からの光の出射が遮光性部材２の開口２ａに限定されるため、発光領域と非発光領域とのコントラストが高い、「見切り性」の良好な発光装置１００とすることができる。
本実施形態の発光装置を、バックライト装置や照明装置などに用いると、以下のような利点がある。
導光板を用いた端面入光型バックライト装置に発光装置を用いる場合には、発光装置１００の正面輝度が高くなるため、導光板の端面からの入光効率が高くなり、バックライト照明光として利用される光の効率を高めることができる。
また、導光板を用いない直下型バックライト装置に発光装置を用いる場合には、発光装置１００の発光面積を小さくできるため、二次レンズを用いた配光制御が容易になる。そのため、バックライト照明光の輝度ムラや色ムラを低減することができる。
また、一般的な照明装置に発光装置を用いる場合には、発光装置１００の発光面積を小さくできるため、レンズを用いた配光制御が容易になる。このため、複数の発光装置１００を狭ピッチで実装したときに、発光装置１００が発する光が、隣接する発光装置１００に照射されて、吸収されたり、遮光されたりすることが低減される。すなわち、発光装置１００が発する光が、隣接する発光装置１００の影響を受け難くなる。その結果、照明装置の光の利用効率が、発光装置１００の外形を構成する遮光性部材２の基材の光反射率の影響を受け難いため、当該基材の材料の選択肢を広げることができる。
光反射性材料としては、良好な透光性及び絶縁性を有する樹脂に、光反射性物質の粒子を含有させて光反射性を付与した樹脂材料を用いることができる。樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などを好適に用いることができる。また、光反射性物質としては、例えば、ＴｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＺｒＯ２，ＭｇＯなどを好適に用いることができる。
また、光吸収性材料としては、前記した光反射性材料と同様の樹脂に、光吸収性物質の粒子を含有させて光吸収性を付与された樹脂材料を用いることができる。光吸収性物質としては、黒色顔料を用いることができ、その中でもカーボンブラックやグラファイトなどの炭素系顔料を好適に用いることができる。
遮光性部材２は、光反射性物質を含有することで光反射性を付与された樹脂材料、又は光吸収性物質を含有することで光吸収性を付与された樹脂材料を用いて、金型を用いたトランスファーモールド法、射出成形法、圧縮成形法などの成形法、スクリーン印刷法などの塗布法などによって形成することができる。
遮光性部材２に光反射性材料を用いる場合は、発光素子１からの光を効率的に外部に取り出すことができる。また、遮光性部材２に光吸収性材料を用いる場合は、樹脂の成形性に優れるため、発光装置１００の信頼性を高めることができる。
なお、詳細は後記するが、遮光性部材２は、凹部２ａが設けられる予定の領域を所定の溶剤で溶解される材料からなる溶解性部材でマスクし、溶解性部材を被覆するように遮光性部材２を形成した後に、所定の溶剤で溶解性部材を溶解して除去することで、凹部２ａの形状を精度よく形成することができる。
封止部材３は、図１Ａ〜図１Ｃに示すように、凹部２ａ内に設けられ、発光素子１を封止する部材である。封止部材３は透光性を有する材料を用いて形成され、発光素子１からの光の出射面である上面及び側を被覆するように設けられている。また、封止部材３の外側面は、遮光性部材２と接している。
なお、図１Ｃにおいて、封止部材３は、発光素子１の下面側にも設けられているが、発光素子１の下面側には設けないようにしてもよい。発光素子１の下面側には全面電極１４及びｎ側電極１３が設けられており、発光素子１の下面側からの漏れ光は少なくなっている。従って、封止部材３は、少なくとも、発光素子１から光が出射される面である基板１１の上面及び側面並びに半導体積層体１２の側面を被覆するように設けられていればよい。
封止部材３として、例えば、透光性を有する樹脂に、発光素子１が発する光を異なる波長の光に変換する波長変換物質を含有させた波長変換部材を用いることができる。また、封止部材３として、透光性を有する樹脂に、発光素子１の上面及び側面から出射される光を拡散する光拡散性物質を含有させた光拡散性部材を用いることもできる。また、封止部材３として、単に透光性を有する樹脂を用いて封止することで、発光素子１を保護するようにしてもよい。
波長変換物質である蛍光体材料としては、当該分野で公知のものを使用することができる。例えば、緑〜黄色に発光するセリウムで賦活されたＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体、緑色に発光するセリウムで賦活されたＬＡＧ（ルテチウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体、緑〜赤色に発光するユーロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２）系蛍光体、青〜赤色に発光するユーロピウムで賦活されたシリケート（（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４）系蛍光体、緑色に発光するβサイアロン（ＳｉＡｌＯＮ）蛍光体、赤色に発光するＣＡＳＮ系又はＳＣＡＳＮ系蛍光体などの窒化物系蛍光体、赤色に発光するＫＳＦ（Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）系蛍光体、緑色又は赤色に発光する硫化物系蛍光体などが挙げられる。
また、光拡散性物質としては、前記した光反射性物質と同様の材料を用いることができる。
更にまた、透光性を有する樹脂に、複数種類の波長変換物質や光拡散性物質などを混在させた材料を用いて封止部材３を形成してもよい。
封止部材３は、凹部２ａ内に、前記した波長変換物質や光拡散性物質などの各種機能を付与するための粒子を含有した樹脂材料を充填することで形成される。なお、前記した粒子を含有しない樹脂材料を用いてもよい。
封止部材３の形成方法としては、スプレー法、スクリーン印刷法、ポッティング法（滴下法）などの塗布法や、射出成形法、トランスファーモールド法、圧縮成形法などの金型を用いた成型法などを用いることができる。
また、波長変換物質などの機能性物質には、例えば、ＫＳＦ蛍光体のように脆いものがある。このような脆い蛍光体の粒子を用いる場合は、スプレー法のように塗布時に蛍光体の粒子に衝撃が加えられる手法や、スクリーン印刷法のように蛍光体の粒子に圧力が加えられる手法を用いると、蛍光体の粒子が損傷する恐れがある。
そのため、脆い粒子を含有する樹脂材料を用いて封止部材３を形成する場合は、ポッティング法を用いることが好ましい。ポッティング法によれば、蛍光体の粒子を含有するスラリーを塗布する際に、当該蛍光体の粒子に大きな衝撃や圧力を加えられないため、蛍光体の粒子を損傷する恐れを大きく低減することができる。
また、本実施形態では、封止部材３は、遮光性部材２によって区画された凹部２ａ内に設けられる。このため、ポッティング法によってスラリーや液状の樹脂を塗布する場合においても、配置位置の精度や形状の精度を良好に、封止部材３を形成することができる。
実装基板４は、発光素子１を実装してパッケージ化するためのサブマウントである。図１Ａ〜図１Ｃに示した実装基板４は、平面視で横長の長方形であり平板状の基体４１と、基体４１の長手方向の左右のそれぞれに、基体４１の上面から裏面にかけて、側面を経由して連続して設けられた配線電極４２ｎ，４２ｐとで構成されている。
実装基板４の上面には、遮光性部材２が設けられ、遮光性部材２の凹部２ａ内に発光素子１が実装され、更に凹部２ａ内に発光素子１を封止する封止部材３が設けられている。
基体４１は、絶縁性材料を用いることができるが、温度変化に対する線膨張率が、発光素子１の半導体積層体１２と同程度に低い材料を用いることが好ましい。基体４１に低線膨張率材料を用いることで、リフロー法で発光素子１をフリップチップ実装した際に、発光素子１に掛かる応力を低減して発光素子１の損傷を防止することができる。
低線膨張率材料としては、エポキシ樹脂などの樹脂にガラス繊維やガラス布を内包させた樹脂材料や、セラミックス材料を好適に用いることができる。
配線電極４２ｎ，４２ｐは、それぞれ負極及び正極に対応して、基体４１の表面に設けられた配線パターンであり、発光素子１を実装するための領域である素子実装部４２ｎａ，４２ｐａを有している。素子実装部４２ｎａと素子実装部４２ｐａとは、基体４１の上面の中央領域において、端部が互いに対向し、凹部２ａの底面において遮光性部材２から露出するように設けられている。つまり、素子実装部４２ｎａ，４２ｐａは、発光素子１を凹部２ａ内にフリップチップ実装するのに適した形状を有している。
実装基板４は、平面視で、発光素子１を囲む遮光性部材２が包含されるような大きさで形成されている。配線電極４２ｎは素子実装部４２ｎａにおいてｎ側電極１３と、配線電極４２ｐは素子実装部４２ｐａにおいてｐ側電極１５と、それぞれ導電性を有する半田などの接合部材４３を用いて接合されている。
また、配線電極４２ｎ，４２ｐの遮光性部材２の外側に設けられた領域は、発光装置１００を外部の回路基板などに半田などの接合部材を用いて二次実装するために用いられる。
なお、配線電極４２ｎ，４２ｐは、基体４１の上面側から側面を経由して下面側に配線されるものの他に、基体４１にスルーホールを設け、スルーホール内に導電性材料を充填することで、上面側のパターンと下面側のパターンとを接続するようにしてもよく、上面側のみに設けるようにしてもよい。
［発光装置の動作］
次に、第１実施形態に係る発光装置１００の動作について、図１Ａ〜図１Ｃを参照して説明する。
本実施形態において、発光素子１は青色光を発光し、封止部材３は青色光を吸収して黄色光を発光する蛍光体（波長変換物質）の粒子を含有しているものである。
発光装置１００は、外部電源から実装基板４の配線電極４ｎ，４ｐを介してｎ側電極１３及びｐ側電極１５間に電流が供給されると、発光素子１が青色光を発光する。
発光素子１が発光した青色光の一部は、発光素子１の半導体積層体１２及び基板１１内を伝播して、発光素子１の上面及び側面から封止部材３に入射する。また、発光素子１内を電極形成面側に向かって下方向に伝播する光は、全面電極１４やｎ側電極１３などによって上方に反射され、発光素子１の上面又は側面から封止部材３に入射する。
封止部材３に入射した青色光の一部は、封止部材３に含有される蛍光体に吸収され、黄色光に波長変換されて発光装置１００の外部に取り出される。また、封止部材３に入射した青色光の他の少なくとも一部は、蛍光体に吸収されることなく青色光のまま発光装置１００の外部に取り出される。
なお、遮光性部材２に光反射性材料を用いる場合は、封止部材３内を横方向に伝播する光は、凹部２ａの内側面、すなわち遮光性部材２によって反射され、封止部材３の上面から又は再度発光素子１を経由して外部に取り出される。
また、遮光性部材２に光吸収性材料を用いる場合は、封止部材３内を横方向に伝播する光の一部は封止部材３と遮光性部材２との界面で反射されるが、他の部分は遮光性部材２に吸収される。
そして遮光性部材２の凹部２ａの上面側に設けられた開口からは、白色光が外部に取り出される。
なお、封止部材３に蛍光体を含有させないことで、発光素子１が発した光を、波長変換せずに発光装置１００から外部に取り出すこともできる。また、封止部材３に多量の蛍光体を含有させることで、発光素子１が発した光の全てを、異なる波長に変換して発光装置１００から外部に取り出すこともできる。
また、発光素子１が発した光は、上面に設けられた封止部材３だけでなく、側面に設けられた封止部材３にも入射する。このため、多量の蛍光体の粒子を封止部材３に含有させても、発光素子１の表面の広い領域に配置できるため、光を効率よく波長変換して、また、効率よく外部に取り出すことができる。特に、複数種類の蛍光体を含有させることで、蛍光体の含有量が多くなる場合でも、出射光量の多い、すなわち明るい発光装置１００とすることができる。
［発光装置の製造方法］
次に、第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法について、図３〜図９Ｂを参照して説明する。
本実施形態に係る発光装置１００の製造方法は、発光素子準備工程Ｓ１０１と、実装基板準備工程Ｓ１０２と、溶解性部材形成工程Ｓ１０３と、遮光性部材形成工程Ｓ１０４と、溶解性部材除去工程Ｓ１０５と、発光素子実装工程Ｓ１０６と、封止部材形成工程Ｓ１０７と、個片化工程Ｓ１０８と、を含んでいる。
まず、発光素子準備工程Ｓ１０１において、例えば、図２に示した構成の個片化された発光素子１を準備する。以下に、発光素子１を製造する工程例について説明するが、市販の発光素子１を入手することで当該発光素子準備工程Ｓ１０１としてもよい。
具体的には、まず、サファイアなどからなる基板１１上に、前記した半導体材料を用いて、ｎ型半導体層１２ｎ、活性層１２ａ及びｐ型半導体層１２ｐを順次積層した半導体積層体１２を形成する。その後、半導体積層体１２の上面の一部の領域について、ｐ型半導体層１２ｐ及び活性層１２ａの全部をエッチングにより除去してｎ型半導体層１２ｎが上面側に露出した露出部１２ｂを形成する。なお、その後の工程において、基板１１は除去されても構わない。
次に、ｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面を覆うように、光反射性を有する全面電極１４を形成する。
次に、ｎ側電極１３とｎ型半導体層１２ｎとが接続される領域、及びｐ側電極１５と全面電極１４とが接続される領域に、開口部１６ｎ，１６ｐを有するように、ウエハの表面に、ＳｉＯ２などで絶縁膜１６を形成する。
次に、開口部１６ｎから絶縁膜１６の上面にかけて延在するようにｎ側電極１３を形成するとともに、開口部１６ｐから絶縁膜１６の上面にかけて延在するようにｐ側電極１５を形成する。
以上により、ウエハ状態の発光素子１が形成される。
次に、ダイシング法、スクライブ法などにより、ウエハ状態の発光素子１を所定の分割領域で割断することにより個片化された発光素子１を作製することができる。
なお、ウエハを割断する前に、基板１１の裏面を研磨して薄肉化したり、基板１１を除去したり、前記した金属バンプやポスト電極を形成したりしてもよい。
次に、実装基板準備工程Ｓ１０２において、図４Ａ及び図４Ｂに示すような実装基板４を準備する。図４Ａ及び図４Ｂに示した例では、複数の実装基板４の基体４１が連続して形成された集合基板４０の状態で準備されている。また、本実施形態では、個片化工程Ｓ１０８で個片化されるまで、複数の発光装置１００が、この集合基板４０上に同時に形成される。
なお、本実施形態では、複数の発光装置１００を同時に製造するものとするが、１個ずつ独立して製造するものであってもよい。
本実施形態において、集合基板４０は、縦方向に６個、横方向に３個の実装基板４が連結された状態で構成されている。図４Ａ及び図４Ｂにおいて、個々の発光装置１００に対応する実装基板４の領域を、仮想線である境界線７１及び境界線７２で区画して示している。また、集合基板４０には、境界線７２に沿って、基体４１を厚さ方向に貫通する溝４１ａが形成されており、実装基板４は横方向には予め分離されている。また、基体４１の上面から溝４１ａを介して下面側にまで延在するように、個々の実装基板４に対応して、それぞれ一対の配線電極４２ｎ，４２ｐが設けられている。基体４１の上面側の中央部に設けられた配線電極４２ｎ，４２ｐのそれぞれの矩形の領域が、発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１５と接続して発光素子１を実装するための素子実装部４２ｎａ，４２ｐａである。
また、配線電極４２ｎ，４２ｐの基体４１の長手方向の両端部に設けられた領域が、発光装置１００を二次実装する際に外部の回路基板などと接続するための領域となる。
なお、発光素子準備工程Ｓ１０１と、実装基板準備工程Ｓ１０２とは、何れを先に行ってもよく、並行して行うようにしてもよい。また、実装基板４としては、集合基板４０の状態ではなく、個片化された状態で準備するようにしてもよい。また、実装基板４の配線電極４２ｎ，４２ｐは、基体４１の上面と下面とに設けられる領域が、基体４１の厚さ方向に貫通するスルーホールを介して電気的に接続されるようにしてもよい。更にまた、実装基板４の配線電極４２ｎ，４２ｐを、基体４１の上面側にのみ設けるようにしてもよい。
次に、溶解性部材形成工程Ｓ１０３において、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、各実装基板４の上面の、遮光性部材２の凹部２ａが設けられる予定の領域に、所定の溶剤に溶解する溶解性材料を用いて溶解性部材５を形成する。
溶解性部材５は、次工程である遮光性部材形成工程Ｓ１０４において、遮光性部材２を形成する際に、予め凹部２ａとなる領域に遮光性の材料が充填されないようにするためのマスク部材である。従って、凹部２ａの形状は、溶解性部材５の形状によって定められる。例えば、溶解性部材５の側面に段差を設けておくことで、凹部２ａの内側面に段差を設けることができる。また、溶解性部材５の側面を粗面とすることにより、凹部２ａの内側面を粗面とすることができる。
溶解性材料としては、所定の溶剤によって溶解するものが用いられる。詳細は後記するが、遮光性部材２として、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂などが好適に用いられる。所定の溶剤としては、好ましくは、このような遮光性部材２に用いられる材料を溶解しない溶剤が用いられる。
例えば、溶解性材料として、ネガ型やポジ型のフォトレジスト材料を用いることができる。その中でも現像や剥離工程において、前記した遮光性の材料、基材のメッキ材料、ソルダーレジストなどにダメージを与えない溶剤を使用できるフォトレジスト材料が好ましい。フォトレジストの剥離には、例えば、硫酸と過酸化水素の混合溶媒、オゾン水、炭酸ソーダや有機アルカリなどの弱アルカリ液、オゾン含有酢酸液などの水系溶媒、アミン系、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、ＥＣ（エチレンカーボネート）などの有機溶媒を用いることができるが、前記した基材へのダメージを考慮すると、有機溶媒や弱アルカリ液で現像・剥離可能なフォトレジスト材料を用いることが好ましい。
溶解性材料に対する所定の溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系の溶剤、水、温水、アルカリ性水溶液などの水系の溶剤を挙げることができる。
弱アルカリ液に溶解するネガ型のフォトレジスト材料としては、例えば、ポリ桂皮酸ビニルを主成分とする材料や、環化ゴムと芳香族ビスアジドの混合物を主成分とする材料、ポリメチルイソプロポニルケトンと芳香族ビスアジドの混合物を主成分とする材料、ポリビニルフェノール樹脂と芳香族ジアジドの混合物などが挙げられる。ネガ型のフォトレジスト材料を用いて凹部２ａを形成する方法としては、例えば、次のような方法が挙げられる。まず実装基板４上にこれらの液状の状態のフォトレジスト材料をスピンコートする、又はフィルム状のフォトレジスト材料を貼りつけるなどして、フォトレジスト材料を実装基板４上に広く配置する。次に、遮光性部材２の凹部２ａが設けられる予定の領域にｉ線などの紫外線を光照射し、フォトレジスト材料を硬化させる。次に、弱アルカリ液で現像して余剰の部分を溶解させ、凹部２ａとなる領域に硬化させたフォトレジスト材料からなる凸部を形成する。そして、フォトレジスト材料からなる凸部の外周部に、遮光性部材２を形成した後、フォトレジスト材料を溶解除去する。
弱アルカリ液に溶解するポジ型のフォトレジスト材料としては、例えば、アルカリ可溶性フェノール樹脂とナフトキノンジアジドの混合物を主成分とする材料が挙げられる。アルカリ可溶性フェノール樹脂としてはクレゾールノボラック樹脂が挙げられる。ポジ型のフォトレジス材料を用いて凹部２ａを形成する場合は、前記したネガ型フォトレジストを用いる場合と同様の方法で、実装基板４上にフォトレジスト材料を配置した後、遮光性部材２が形成される部分のフォトレジスト材料にｇ線などの紫外線を光照射し、その部分を可溶性にする。次に、弱アルカリ液で現像してフォトレジスト材料を溶解させて除去し、フォトレジスト材料からなる凸部を形成する。次に、凸部の外周部に遮光性材料２を形成した後、弱アルカリ液を用いてフォトレジスト材料からなる凸部を溶解除去する。ポジ型フォトレジスト材料は光照射により溶剤に可溶性となるため、凸部を溶解除去する前に凸部に再度光照射することで、溶解除去をし易くすることができて好ましい。更にポジ型フォトレジストは、現像液で膨潤し難い点や、光に対する感度が急峻（つまり、高コントラスト）であるなど、精度の良い凸部の形状（つまり、凹部２ａ及び遮光性部材２の形状）を得やすいという利点を有する。
凹部２ａ及び遮光性部材２の形状の精度を高めるために、これらのフォトレジスト材料とともに、ニトロンや芳香族ジアゾ化合物と水溶性高分子材料からなるコントラスト増強剤を使用してもよい。
また、アルカリ性水溶液に溶解する溶解性材料としては、半導体製造に用いられるノボラック樹脂系やポリヒドロキシスチレン系などのポジ型フォトレジスト材料も用いることができる。
また、前記した材料以外にも、短波長紫外線で露光可能なＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル）などの材料もフォトレジスト材料として使用することができる。
ケトン系の溶剤に溶解する溶解性材料としては、（Ａ）ガラス転移点（Ｔｇ）が４０〜８０℃で、エポキシ樹脂と反応する官能基を有するアクリル樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂、（Ｃ）フェノール樹脂、及び、（Ｄ）テトラフェニルホスホニウムテトラ（ｐ−トリル）ボレートからなる樹脂フィルムを挙げることができる。
ここで、前記（Ａ）アクリル樹脂が、前記エポキシ樹脂と反応する官能基として水酸基を有し、前記（Ｂ）エポキシ樹脂が、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂および脂肪族型エポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一つであり、前記（Ｂ）エポキシ樹脂の含有量が、前記（Ａ）アクリル樹脂１００質量部に対して、５〜５０質量部であり、前記（Ｃ）フェノール樹脂が、テルペンフェノール樹脂、ビスフェノールＡ型フェノール樹脂、ビスフェノールＦ型フェノール樹脂及びノボラック型フェノール樹脂からなる群から選択される少なくとも一つであり、前記（Ｃ）フェノール樹脂の含有量が、前記（Ａ）アクリル樹脂１００質量部に対して、１０〜３５質量部である。
なお、この溶解性材料については、例えば、特許第４９４４２６９号公報に詳しい開示があるため、詳細な説明は省略する。
また、水又は温水に溶解する溶解性材料としては、ポリビニルアルコールや水溶性ポリエステル、オブラート（デンプン）などを挙げることができる。
このように、溶解性材料は、凹部を形成するために使用される。例えば、逆に凸部（言い換えれば、遮光性部材）の形成に溶解性材料を用いる場合は、発光素子を実装基板上に搭載した状態で、溶解性材料を一面に設けて、適宜にパターニングするなどして遮光性部材が形成される部分を溶解性部材で形成した後に、発光素子を覆うように波長変換物質を含有する封止部材を形成する必要がある。この場合、不要な溶解性部材が後の工程や発光装置に残留するおそれや、溶解性部材の影響により封止部材の硬化不良が発生するおそれがある。
一方、本実施形態のように、溶解性部材を凹部形成のために使用すると、溶解性部材の残留や、封止部材の硬化不良の懸念を低減することが可能となる。
溶解性部材５は、例えば、実装基板４の上面に、シート状の溶解性材料を貼付し、カッターやダイサーなどを用いて所定の形状に形成（パターニング）することで形成することができる。
また、シート状の溶解性部材５の貼付に代えて、溶解性材料を溶融又は溶剤に溶解した状態で実装基板４の上面に塗布することで溶解性部材５を設けるようにしてもよい。
また、フィルム状の溶解性材料を裁断するなどして、予め個々の凹部２ａに対応した形状に形成した溶解性部材５を、実装基板４の上面の所定位置に貼付するようにしてもよい。また、溶解性部材５として、フォトレジスト材料を用いる場合は、フォトリソグラフィ法によってパターニングするようにしてもよい。
また、溶解性部材５は、遮光性部材２の厚さに相当する膜厚で形成され、例えば、溶解性部材５の膜厚は、数μｍから１ｍｍ程度とすることができる。
なお、パターニング後の溶解性部材５の形状は、遮光性部材２の凹部２ａの形状を定めるものである。また、凹部２ａは、発光素子１が実装される領域である。従って、後記する発光素子実装工程Ｓ１０６において、凹部２ａ内に発光素子１を載置できるサイズで当該凹部２ａを形成する必要がある。また、凹部２ａ内に波長変換物質を含有する封止部材３を形成する場合は、所望の出力光の色調に応じて、波長変換に必要な量の封止部材３を充填できるサイズで凹部２ａを形成する必要がある。
但し、溶解性部材５の残留による後の工程への悪影響が懸念されたり、工程を短縮するために、実装基板４に予め発光素子１を実装しておいてもよい。また、発光素子の下面側に、発光素子の下面と略同じ大きさ及び形状の電極を有する構造の発光素子を用いると、発光素子１の下面の略全面が実装基板４と接合されるため、発光素子１の下方に溶解性部材が残留する懸念が比較的少なくなり、好ましい。
発光素子１の実装性の観点からは、凹部２ａの形状、すなわち溶解性部材５の形状は、平面視での発光素子１の対応する方向の長さ（矩形の場合は、縦方向の長さ及び横方向の長さ）が、それぞれ発光素子１の１１０％以上であり、高さが発光素子１の５００％以下であることが好ましい。なお、溶解性部材５の形状は、平面視での対応する方向によって、発光素子１に対する長さの比が異なるようにしてもよい。
また、波長変換の効率の観点からは、溶解性部材５の形状は、平面視での長さが発光素子１の１２０％以上であり、高さが発光素子１の１００％以上５００％以下とすることが好ましい。
なお、溶解性部材５の平面視での長さの上限は特に制限されないが、発光装置１００が大きくなり過ぎないように、例えば、発光素子１の対応する長さの３００％以下程度とすることが好ましい。
次に、遮光性部材形成工程Ｓ１０４において、図６Ａ及び図６Ｂに示すように、溶解性部材５の側面を被覆するように、遮光性部材２を形成する。遮光性部材２は、光反射性を付与された白色樹脂又は光吸収性を付与された黒色樹脂を用いて、例えば、トランスファーモールド法などによって形成することができる。
なお、遮光性部材２を、溶解性部材５の上面が被覆される高さまで形成して、溶解性部材５の上面を露出させるために、遮光性部材２を上面側から研削する工程が行われてもよい。
また、遮光性部材２は、複数の発光装置１００に対応して、複数の溶解性部材５が行列状に設けられた領域について、複数の溶解性部材５の側面を連続して被覆するように形成することが好ましい。本実施形態では、縦方向に配列されている６個の溶解性部材５ごとに、連続して遮光性部材２を形成している。特に、平面視において、凹部２ａの横方向に延伸する側壁のように、肉厚が薄い部分は、境界線７１を挟んで連続して形成することが好ましい。これによって、量産性が高まるとともに、樹脂成形時の該当箇所の肉厚が、切り代を含めると２倍以上となる。このため、光反射性物質の含有量が多く光反射率が高いが流動性の低い樹脂材料を用いても、良好に遮光性部材２を成形することができる。
つまり、遮光性部材２の光反射性を高めるために、樹脂に含有される光反射性物質の量を多くすると、成形時の樹脂の流動性が低下する場合がある。この場合、樹脂成形時に樹脂の充填不良が発生するおそれがあるため、遮光性部材２の厚み、特に凹部２ａの側壁の肉厚を薄くすることが困難となる場合がある。しかし、前記したように連続して樹脂を成形した後に、切断するなどで分離して凹部２ａの側壁を形成することで、該当箇所の肉厚を個別に成形するよりも厚くすることができ、遮光性部材５の充填不良などが発生するおそれを低減することができる。
また、横方向に配列されている３個の溶解性部材５ごとに連続して、又は縦方向及び横方向に配列されている全ての溶解性部材５を連続して被覆するように遮光性部材２を形成するようにしてもよい。また、樹脂成型後に、例えば、境界線７２に沿った領域に形成された不要な遮光性部材２を切削するなどして除去すればよい。
なお、本実施形態では、実装基板４の左右方向の端部は、遮光性部材２を設けないようにしたが、実装基板４の上面の左右方向の端部まで遮光性部材２を設けるようにしてもよい。この場合は、前記した樹脂成型後の切削は不要である。
次に、溶解性部材除去工程Ｓ１０５において、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、例えば前記した所定の溶剤を用いて、溶解性部材５を除去する。これによって、遮光性部材２の内側面が露出し、当該内側面を内壁とする凹部２ａが形成される。また、溶解性部材５が除去されることで、凹部２ａの底面において、実装基板４の素子実装部４２ｎａ，４２ｐａが露出する。
次に、発光素子実装工程Ｓ１０６において、図８Ａ及び図８Ｂに示すように、実装基板４の上面に形成された各凹部２ａ内に、発光素子１を実装する。発光素子１の実装方法は、リフロー法を用いた半田によるフリップチップ実装が好ましい。この工法によれば、パッド電極であるｎ側電極１３及びｐ側電極１５の実装面である下面側に、接合部材４３として適量の半田ペーストを塗布し、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５が実装基板４の素子実装部４２ｎａ，４２ｐａと対向するように、発光素子１を凹部２ａ内に載置する。そして、リフロー炉で加熱して半田を溶融させることで、発光素子１が接合部材４３によって実装基板４に接合される。
発光素子１と配線電極４２ｎ，４２ｐとの接続に金属ワイヤを用いる場合や、超音波振動を利用したバンプボンダーを用いたフリップチップ型の実装の場合は、発光素子１を実装するために、ワイヤボンダー又はバンプボンダーのヘッダー部を挿入できる広さの開口が凹部２ａに必要となる。これに対して、リフロー法を用いたフリップチップ実装では、半田ペーストを塗布した発光素子１を凹部２ａ内に配置可能な広さの開口があればよい。
次に、封止部材形成工程Ｓ１０７において、図９Ａ及び図９Ｂに示すように、ディスペンサー６１を用いて、凹部２ａ内に透光性を有する樹脂材料を充填し、その後に当該樹脂材料を硬化させることで、発光素子１を封止する封止部材３を形成する。樹脂材料としては、熱硬化性樹脂を用いることができる。
なお、封止部材形成工程Ｓ１０７は、ポッティング法の他に、スプレー法、スクリーン印刷法などの他の塗布法で行うようにしてもよい。
充填される樹脂材料が蛍光体などの固形粒子を含有するスラリーである場合は、ポッティング法を用いることで、当該スラリーに含まれる固形粒子に大きな衝撃や圧力を加えることなく、凹部２ａ内に滴下して充填することができる。従って、前記したＫＳＦのような脆い固形粒子を含有する樹脂材料を用いる場合でも、固形粒子に損傷を与えることなく、封止部材３を形成することができる。また、封止部材３が形成される領域は凹部２ａによって区画されているため、ポッティング法を用いても、封止部材３の形状を精度よく形成することができる。
また、本実施形態では、凹部２ａの形状は溶解性部材５の形状に対応するため、精度よく定められる。このため、金型を用いて凹部２ａの形状を含めた遮光性部材２を形成する場合と比べて、凹部２ａを必要最小限の大きさで安定して形成することができる。このため、凹部２ａを小型化することができ、遮光性部材２、ひいては発光装置１００を小型に形成することができる。
また、凹部２ａの形状を精度よく形成することができるため、封止部材３の形状も精度よく形成できる。これによって、封止部材３に波長変換物質の粒子を含有させる場合において、波長変換物質の量が安定するため、製造される発光装置１００の発光色の色調のばらつきを低減することができる。
また、発光装置を、より小型化するために、例えば、実装基板４上に発光素子１をフリップチップ実装し、発光素子の側面に接して遮光性部材２を形成し、発光素子１の上面に接して波長変換物質の粒子を含有する封止部材３を形成する発光装置の製造方法が知られている。
一方、発光装置の演色性を高めるため、複数種類の波長変換物質の粒子を含有させた封止部材を設けることが考えられる。複数種類の波長変換物質を用いると、波長変換物質として、特に発光効率の高いＹＡＧ系蛍光体のみを用いる場合に比べて、必要な波長変換物質の総量が増大する。このため、発光素子の上面側のみに波長変換物質を含有する封止部材を設けると、封止部材が厚膜となり、光の透過性が低下して、発光装置の輝度が低下することとなる。
そこで、本実施形態のように、発光素子１の上面に加えて、側面にも波長変換物質を含有する封止部材３を設けることで、封止部材３の膜厚が増大することを抑制して、多量の波長変換物質を用いることができる。その結果、波長変換物質を多量に用いても、輝度の高い発光装置１００を製造することができる。
また、凹部２ａ内に滴下するスラリーにおいて、波長変換物質の粒子の比重が樹脂の比重よりも大きくなるように樹脂を選択し、スラリーを滴下後に、波長変換物質の粒子を沈降させてから樹脂を硬化させるようにしてもよい。これによって、波長変換物質の粒子を十分な厚さの樹脂層で被覆することができるため、当該波長変換物質の粒子を外気中の水分やガスなどから良好に保護することができる。特に、ＫＳＦ蛍光体や量子ドット蛍光体を用いる場合に好ましい。
次に、個片化工程Ｓ１０８において、例えばダイサーを用いて、集合基板４０及び遮光性部材２を境界線７１に沿って切断することで、発光装置１００を個片化する。本実施形態では、集合基板４０は、溝４１ａによって横方向の境界線７２に沿って既に分離されているため、個片化工程Ｓ１０８において、横方向には切断する必要がない。
なお、集合基板４０に溝４１ａが設けられていない場合は、集合基板を４０を境界線７１に沿った切断に加えて、境界線７２に沿った切断を行うことで、発光装置１００を個片化する。
以上の工程を行うことによって、発光装置１００を製造することができる。
＜変形例＞
次に、第１実施形態の変形例に係る発光装置について、図１０Ａ及び図１０Ｂを参照して説明する。
図１Ｃに示した発光装置１００は、遮光性部材２の凹部２ａの内側面は、実装基板４の上面に対して垂直な面で構成されているが、凹部２ａの内側面を傾斜面で構成されるテーパー形状としてもよい。このとき、凹部２ａは、平面視で、横方向の内側面のみ又は縦方向の内側面のみを傾斜を設けるようにしてもよく、横方向の内側面と縦方向の内側面とで傾斜角が異なるようにしてもよい。
例えば、図１０Ａに示した第１実施形態の変形例に係る発光装置１００Ａは、遮光性部材２に代えて、凹部２Ａａの内側面が上方ほど広がるように傾斜させた形状を有する遮光性部材２Ａを備えるものである。凹部２Ａａの内側面を上方ほど広がるように傾斜させた形状とすることで、発光装置１００Ａの光取り出し効率を向上させることができる。
また、凹部２Ａａの内側面を逆テーパー形状とすることで、発光素子１を実装する際に、発光素子１を凹部２Ａａ内に容易に挿入することができる。
また、図１０Ｂに示した第１実施形態の他の変形例に係る発光装置１００Ｂは、遮光性部材２に代えて、凹部２Ｂａの内側面が上方ほど狭まるように傾斜させた形状を有する遮光性部材２Ｂを備えるものである。凹部２Ｂａの内側面を上方ほど狭まるように傾斜させた形状とすることで、凹部２Ｂａの開口から出射される光の方向が上方向に集中する配光特性とできる。このため、発光装置１００Ｂの、発光領域と非発光領域とのコントラストの高さを示す「見切り性」を向上させることができる。
なお、発光装置１００Ａ，１００Ｂは、凹部２Ａａ，２Ｂａの形状が異なること以外は発光装置１００と同様であるから、他の構成及び動作については説明を省略する。
また、発光装置１００Ａ，１００Ｂは、発光装置１００の製造方法の溶解性部材形成工程Ｓ１０３において、溶解性部材５を、凹部２Ａａ，２Ｂａの形状に形成し、他の工程を発光装置１００の製造方法と同様に行うことで製造することができる。
溶解性部材形成工程Ｓ１０３において、凹部２Ａａ，２Ｂａのように、内側面がテーパーを有するように形成するには、溶解性部材５の側面が、当該凹部２Ａａ，２Ｂａの内側面と一致するように、実装基板４に上面に垂直な方向ついて、上方に向かって先細り又は上方に向かって先太りするテーパーを有するように形成する。
また、凹部２Ａａ，２Ｂａのように、内側面がテーパーを有する場合は、当該凹部２Ａａ，２Ｂａの平面視における形状の長さは、凹部２Ａａ，２Ｂａの開口の上端における形状が、発光装置１００の凹部２ａについて前記した長さとなるように定めることが好ましい。
溶解性部材５の側面は、溶解性部材５をパターニングする際に、シート状の溶解性部材５を、例えば、機械的にカッターやダイサーを用いて所望の角度で斜めに切断することで、順傾斜又は逆傾斜した傾斜面とすることができる。また、実装基板４の上面に溶解性部材５を成膜した後に、ダイサーやカッターなどを用いて、側面が傾斜するように切り出したり削り出したりしてもよい。また、溶解性部材５としてフォトレジストを使用する場合、露光に使用するレンズの収差を利用して斜光になるように露光を行ったり、ガルバノスキャナを用いた露光や光源に角度を付けた露光を行うことによりテーパー形状を形成してもよい。
なお、前記したように、他の工程は、発光装置１００の製造方法と同様であるから説明を省略する。
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る発光装置の構成について、図１１を参照して説明する。
第２実施形態に係る発光装置１００Ｃは、遮光性部材２の凹部２ａ内に、複数（５個）の発光素子１を実装したものである。第２実施形態に係る発光装置１００Ｃは、凹部２ａ内に複数の発光素子１を実装しており、実装基板４に代えて、複数の発光素子１の実装に対応した実装基板４Ｃを備えている。発光装置１００Ｃの他の構成については、発光装置１００と同様であるから、詳細な説明は省略する。
発光装置１００Ｃは、複数の発光素子１を一列に直線状に配置することで、線状の光源としての使用に適した形状を有している。
発光装置１００Ｃは、５個の発光素子１と、当該５個の発光素子１を、長手方向に一列に直線状に配列して実装できる長さの長尺形状の実装基板４Ｃとを備えている。実装基板４Ｃは、外部と接続するための配線電極４２ｎ，４２ｐに加えて、中継用の４個の配線電極４２ａを有している。４個の配線電極４２ａは、基体４１の上面において、配線電極４２ｎ，４２ｐ間に、互いに離間して長手方向に一列に配置されている。隣接して配置されている一対の配線電極４２ｎ，４２ａ，４２ｐ毎に、１個の発光素子１が配置されている。従って、５個の発光素子１は、中継用の配線電極４２ａによって直列に電気接続されている。また、実装基板４Ｃの上面に設けられる遮光性部材２は、内部に５個の発光素子１を一列に配置することができる大きさの凹部２ａを有している。凹部２ａ内には、発光素子１を被覆する封止部材３が設けられている。
また、本実施形態における凹部２ａの大きさ、すなわち製造の際に形成される溶解性部材５の形状は、端部に配置される発光素子１と凹部２ａの内側面との隙間が、第１実施形態について説明した凹部２ａの内側面と発光素子１との隙間と同程度となるように定めることができる。
なお、発光素子１の平面視形状は長方形だけでなく、正方形やその他の多角形、円形、楕円形などであってもよい。また、一つの凹部２ａ内に実装する発光素子１の個数は特に限定されず、配置態様も短手方向に配列したり、２次元に配列したりしてもよい。また、実装される複数の発光素子１は、直列接続だけでなく、並列接続や直列接続と並列接続とを組み合わせた接続であってもよい。
また、凹部２ａの形状は、第１実施形態に係る変形例のように、傾斜した内側面を有するように構成してもよい。
発光装置１００Ｃは、実装基板４Ｃの配線電極４２ｎ，４２ｐ，４２ａを介して複数の発光素子１に電力が供給されて発光することが異なるだけで、発光装置１００と同様に動作するため、動作についての詳細な説明は省略する。
また、発光装置１００Ｃは、第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法の実装基板準備工程Ｓ１０２において、複数の発光素子１の実装に対応した形状及び配線電極４２ｎ，４２ｐ，４２ａを備える実装基板４Ｃを準備することと、発光素子実装工程Ｓ１０６において、複数の発光素子１を実装することとが異なるだけで、他の工程は、第１実施形態と同様に行うことができるため、製造方法についての詳細な説明は省略する。
以上、本開示に係る発光装置の製造方法について、発明を実施するための形態により具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。
本開示の実施形態に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内などの各種表示装置、更には、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナなどにおける画像読取装置、プロジェクタ装置など、種々の光源に利用することができる。
１ 発光素子
１１ 基板
１２ 半導体積層体
１２ｎ ｎ型半導体層
１２ａ 活性層
１２ｐ ｐ型半導体層
１２ｂ 露出部
１３ ｎ側電極
１４ 全面電極
１５ ｐ側電極
１６ 絶縁膜
１６ｎ，１６ｐ 開口部
２，２Ａ，２Ｂ 遮光性部材
２ａ，２Ａａ，２Ｂａ 凹部
３ 封止部材
４，４Ｃ 実装基板
４０ 集合基板
４１ 基体
４１ａ 溝
４２ｎ，４２ｐ 配線電極
４２ｎａ，４２ｐａ 素子実装部
４３ 接合部材
５ 溶解性部材
６１ ディスペンサー
７１，７２ 境界線
１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ 発光装置

Claims (11)

  1. 実装基板上に、所定の溶剤に溶解する材料を用いて溶解性部材を形成する溶解性部材形成工程と、
    樹脂を用いて、前記溶解性部材の側面及び上面を被覆する遮光性部材を形成する遮光性部材形成工程と、
    前記遮光性部材を上面側から研削し、前記溶解性部材の上面を露出させる溶解性部材露出工程と、
    前記遮光性部材形成工程の後に、前記所定の溶剤を用いて、前記溶解性部材を除去する溶解性部材除去工程と、
    前記溶解性部材除去工程により露出した前記遮光性部材の側面を側壁とする凹部内に、発光素子を実装する発光素子実装工程と、を含む発光装置の製造方法。
  2. 前記発光素子実装工程の後に、前記凹部内に封止部材を形成する封止部材形成工程を含む請求項１に記載の発光装置の製造方法。
  3. 前記封止部材は、前記発光素子が発する光を異なる波長の光に変換する波長変換物質の粒子が、透光性を有する樹脂に含有されている、請求項２に記載の発光装置の製造方法。
  4. 前記封止部材形成工程は、前記波長変換物質の粒子が液状の樹脂に含有されたスラリーを、前記凹部内に滴下して、その後に前記スラリーを硬化させることで前記封止部材を形成する請求項３に記載の発光装置の製造方法。
  5. 前記所定の溶剤は、水系の溶剤、又はアセトン、メチルエチルケトン若しくはその他のケトン系の有機溶剤である請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
  6. 前記所定の溶剤に溶解する材料は、感光性を有する樹脂であり、
    前記溶解性部材形成工程において、前記溶解性部材がフォトリソグラフィ法によって形成される請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
  7. 前記実装基板は、ガラス繊維を内包するエポキシ樹脂からなる基体の表面に、前記発光素子が実装される電極が設けられており、
    前記発光素子実装工程において、前記発光素子が前記実装基板にリフロー法によってフリップチップ実装される請求項１乃至請求項６の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
  8. 前記溶解性部材形成工程において、複数の前記溶解性部材が行列状に設けられ、
    前記遮光性部材形成工程において、前記遮光性部材は、複数の前記溶解性部材の側面を連続して被覆する請求項１乃至請求項７の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
  9. 前記溶解性部材の側面が、前記実装基板の上面に垂直な方向について、上方に向かって先細り又は上方に向かって先太りするテーパーを有する請求項１乃至請求項８の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
  10. 平面視において、前記溶解性部材の長さは、前記発光素子の対応する方向の長さの１１０％以上３００％以下である請求項１乃至請求項９の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
  11. 前記溶解性部材の高さは、前記発光素子の高さの１００％以上５００％以下である請求項１乃至請求項１０の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017123393A (ja) * 2016-01-07 2017-07-13 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6418200B2 (ja) * 2016-05-31 2018-11-07 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6696521B2 (ja) * 2017-05-12 2020-05-20 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
CN108878625B (zh) 2017-05-12 2023-05-05 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
CN108987556A (zh) * 2017-06-01 2018-12-11 晶能光电（江西）有限公司 一种白光芯片
CN108987549A (zh) * 2017-06-01 2018-12-11 晶能光电（江西）有限公司 一种白光芯片制备方法
JP7066991B2 (ja) * 2017-07-24 2022-05-16 大日本印刷株式会社 植物育成用のｌｅｄ照明装置
JP6647267B2 (ja) * 2017-11-09 2020-02-14 古河電気工業株式会社 半導体チップの製造方法
JP6912730B2 (ja) * 2018-07-09 2021-08-04 日亜化学工業株式会社 発光モジュールの製造方法
US11073654B2 (en) * 2018-12-28 2021-07-27 Nichia Corporation Light emitting module with recesses in light guide plate
JP6717421B1 (ja) * 2018-12-28 2020-07-01 日亜化学工業株式会社 発光モジュール
KR20200119444A (ko) * 2019-04-09 2020-10-20 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조 방법
JP7244771B2 (ja) * 2020-04-02 2023-03-23 日亜化学工業株式会社 面状光源の製造方法
WO2022173005A1 (ja) * 2021-02-12 2022-08-18 味の素株式会社 発光素子パッケージ及びその製造方法
US11791434B2 (en) * 2021-11-09 2023-10-17 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Electronic package, optoelectronic package and method of manufacturing the same

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3143307B2 (ja) * 1993-02-03 2001-03-07 キヤノン株式会社 インクジェット記録ヘッドの製造方法
TWI224715B (en) * 1998-08-05 2004-12-01 Toyo Gosei Kogyo Kk Photosensitive resin derived from saponified poly(vinyl acetate)
JP2002373953A (ja) 2001-06-15 2002-12-26 Seiko Instruments Inc 気密封止ｉｃパッケージの製造方法
JP4298414B2 (ja) * 2002-07-10 2009-07-22 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッドの製造方法
TWI237409B (en) 2004-10-08 2005-08-01 Kingbright Electronics Co Ltd Method of fabricating light emitting diode (LED)
JP4830321B2 (ja) 2005-03-14 2011-12-07 パナソニック株式会社 半導体発光装置
JP2007201361A (ja) 2006-01-30 2007-08-09 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US20080292993A1 (en) * 2006-12-22 2008-11-27 Canon Kabushiki Kaisha Photo-cationic polymerizable epoxy resin composition, liquid discharge head, and manufacturing method thereof
JP2009081346A (ja) 2007-09-27 2009-04-16 Panasonic Corp 光学デバイスおよびその製造方法
CN102124574B (zh) * 2008-06-16 2013-07-17 丰田合成株式会社 半导体发光元件、其电极及制造方法以及灯
JP5495623B2 (ja) * 2008-06-18 2014-05-21 キヤノン株式会社 基板の加工方法、液体吐出ヘッド用基板の製造方法および液体吐出ヘッドの製造方法
DE102008030815A1 (de) 2008-06-30 2009-12-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Bauelementen
JP5372653B2 (ja) * 2009-08-07 2013-12-18 電気化学工業株式会社 発光素子搭載用基板および発光装置
US9142568B2 (en) * 2010-09-10 2015-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting display device
US8486724B2 (en) * 2010-10-22 2013-07-16 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Wafer level reflector for LED packaging
US20120098006A1 (en) * 2010-10-22 2012-04-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Light emitting diode package with photoresist reflector and method of manufacturing
WO2012132232A1 (ja) * 2011-03-31 2012-10-04 パナソニック株式会社 半導体発光装置
JP5619680B2 (ja) 2011-06-03 2014-11-05 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光素子の製造方法
JP5753446B2 (ja) * 2011-06-17 2015-07-22 株式会社東芝 半導体発光装置の製造方法
JP2013033910A (ja) 2011-06-29 2013-02-14 Hitachi Cable Ltd 発光素子搭載用基板、ｌｅｄパッケージ、及びｌｅｄパッケージの製造方法
CN102856468B (zh) * 2011-06-30 2015-02-04 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
JP4944269B1 (ja) 2011-09-08 2012-05-30 ナミックス株式会社 樹脂フィルム
JP5683507B2 (ja) * 2012-01-30 2015-03-11 株式会社沖データ 発光デバイス及びその製造方法
US8968586B2 (en) * 2012-02-15 2015-03-03 Jsr Corporation Pattern-forming method
CN103311378A (zh) * 2012-03-06 2013-09-18 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装结构的制造方法
JP5756054B2 (ja) 2012-04-16 2015-07-29 信越化学工業株式会社 Ｌｅｄのリフレクター用熱硬化性樹脂組成物並びにこれを用いたｌｅｄ用リフレクター及び光半導体装置
JP6127468B2 (ja) 2012-11-22 2017-05-17 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6299176B2 (ja) * 2013-11-22 2018-03-28 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法ならびにこの発光装置を備える照明装置
JP6187201B2 (ja) * 2013-11-29 2017-08-30 日亜化学工業株式会社 発光装置用反射膜、並びに、それを備えるリードフレーム、配線基板、ワイヤ、及び発光装置
JP5855194B2 (ja) 2014-09-09 2016-02-09 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017123393A (ja) * 2016-01-07 2017-07-13 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

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