JP2002373953A - 気密封止icパッケージの製造方法 - Google Patents

気密封止icパッケージの製造方法

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Takashi Hosaka
俊 保坂
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Seiko Instruments Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 気密封止ICパッケージの生産性を上げ製造
費用を低減する製造方法を提供する。 【解決手段】 外部電極と内部電極配線を有する基板に
ICチップを搭載する領域とICチップとワイヤで接続
する基板内の内部電極配線の領域にマスクをかけ、マス
クのない領域に絶縁ペーストを塗布し、印刷法を用いて
ICチップを搭載しワイヤを接続する領域以外の領域に
絶縁性ペーストを形成する。熱処理を行い絶縁性ペース
トを固化する。絶縁性ペーストのない領域の所望の位置
に多数のチップを搭載し、基板の内部電極配線とICチ
ップの電極とをワイヤで接続する。ICチップのまわり
を囲んだ絶縁性ペーストの枠の上に板状のふたを接着す
る。その後で絶縁性ペーストの中間位置で切断し1個1
個のICパッケージとする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は気密封止ICパッケ
ージの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】これまでの気密封止ICパッケージは図
に示すように、枠47を有する個片の基板41にICチ
ップ45をのせワイヤ46をはり、枠47にあわせるよ
うに板状のふた49をのせていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来の気密封止ICパ
ッケージは、1個1個別別に製造されているため生産性
が著しく低く、それゆえ非常に高価なものとなってい
た。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ために、本発明は複数以上のICチップを載せられる基
板を用い、マスクを用いて絶縁ペーストを所望の形状に
形成した後、絶縁ペーストのない領域にICチップを搭
載しワイヤ配線をはる。次に板状のふたを被せた後で、
基板を切断することにより1個1個のICパッケージに
する。
【0005】
【発明の実施の形態】本発明は、ICチップの表面を空
気などの気体で取り囲んだ気体封止型のパッケージの製
造方法に関するものである。以下にこの発明の実施例を
図面に基づいて説明する。
【0006】図1は、本発明の製造方法の工程順を示す
ICパッケージの断面図を示す。図1(a)に示すよう
に、外部電極12と内部電極配線13を有する基板11
が用意される。この基板11内には複数以上のたくさん
のICチップが搭載され、最終的に個片にされる。従っ
て基板のサイズは大型であり、最終的に1個1個のIC
パッケージになるような外部電極12も内部電極配線1
3も繰り返しのパターンとなっている。基板11の材料
は、セラミックやガラスエポキシやポリイミドやガラス
などが挙げられる。
【0007】次に図1(b)に示すように、ICチップを
搭載する領域およびICチップの電極とワイヤで接続す
る内部配線の領域をマスク14で被う。このマスク14
は普通メタルマスクであるが、他の材料でも良い。この
後で絶縁ペーストを塗布した時にマスクで被われた領域
にはペーストが塗布しないように完全なマスクとなるこ
とが必要である。マスク14の高さは、固化後の高さが
後で形成されるワイヤの最高点よりも高くなるように設
計されなければならない。
【0008】次に図1(c)に示すように、絶縁ペースト
17を基板全体に塗布する。この時にはマスク14で被
われていない領域はもちろんのことマスク14の上にも
絶縁ペースト17が塗布されている。絶縁ペーストの材
料は、エポキシ樹脂やセラミックやポリイミドなどであ
る。
【0009】次に図1(d)に示すように、ローラー18
でレベル出しを行い、マスクで被われていない領域に充
分絶縁ペースト17がゆき渡りかつマスクの上の絶縁ペ
ースト17をはき出す。ここではローラー18を用いた
場合を示しているが、はけなどを使うこともできる。
【0010】はきだされた状態が図1(e)である。マス
ク14のない領域は絶縁ペースト17が充填されマスク
14の領域にはマスク14の上も含め絶縁ペースト17
がない。絶縁ペースト17はマスク14の高さと同じ程
度の厚みを有する。
【0011】次に図1(f)に示すように、マスク14を
取り外すことにより、絶縁ペースト17のない領域と絶
縁ペースト17が壁状に形成されている領域ができる。
これを熱処理することにより、絶縁ペースト17はさら
に強固になる。この熱処理により絶縁ペースト17は縮
小する場合があるが、縮小して高さが低くなってもワイ
ヤの最高点よりも絶縁ペースト17を高くするようにし
なければならない。この所望のパターンに形成された絶
縁ペースト17はICチップを搭載する領域およびワイ
ヤを接続する領域を取り囲んでいる。
【0012】次に図1(g)に示すように、ICチップ1
5を内部電極配線13の所望の位置に接着する。つまり
絶縁性ペースト17にはさまれた絶縁ペースト17のな
い領域の中でICチップを載せるべき位置にICチップ
15を接着する。尚、ICチップ15の接着する位置に
は、内部電極配線13はなくて良い場合もある。たとえ
ば、ICチップ15の表面をできるだけ低くする必要が
ある場合や、ICチップ15を電気的に導通する必要が
ない場合や、ICチップ15を放熱する必要があまりな
い場合などである。
【0013】次にICチップ15の表面の電極と内部電
極配線13とをワイヤ16で接続する。このワイヤの材
料として、金(Au)、金合金、アルミニウム(Al)、ア
ルミニウム合金、銅(Cu)、銅合金などの金属が使われ
る。ワイヤは一般にワイヤボンダで接続されるので、キ
ャピラリを動かせる程度には、絶縁性ペースト17と内
部電極配線13との距離を取る必要がある。尚、ICチ
ップ15の搭載は絶縁性ペースト17を形成した後で行
うので、絶縁性ペースト17の形成処理がICチップ1
5にダメッジを与えることはない。
【0014】次に図1(h)に示すように、板状のふた1
9を接着する。この場合、絶縁性ペースト17の上に接
着材料を付着してからふた19を接着する方法、あるい
はふた19の方に絶縁性ペースト17が来る位置に接着
材を塗布してからふた19を接着する方法、あるいは絶
縁性ペースト17とふた19を熱処理で接着する方法な
どがある。この板状のふた19として、光を通すことが
必要であればガラスや透明プラスチックなどのその光に
透明な物質からなる材料にする。光を通す必要がなけれ
ば、セラミックやガラスエポキシやポリイミドなどの材
料を用いることができる。またテープ状のシートでも用
途によって使うこともできる。
【0015】次に図1(i)に示すように、絶縁性ペース
ト17の中間地点で基板を切断する。この切断の方法と
して、ダイシング装置を用いて行う方法やワイヤーソー
を用いて行う方法やレーザーや高圧水を用いて切断する
方法がある。また、ダイシングで行う場合、最初比較的
幅の広いブレードを用いて浅く切断しその後幅の狭いブ
レードで切断することで、切断面にクラックが入ること
を防止する方法を用いることもできる。
【0016】このようにして、図1(j)に示すように、
ICチップ15が基板11および絶縁ペースト17およ
びふた19で完全に被われ、気体で封止されたICパッ
ケージを得る。
【0017】さて、ICパッケージの電気特性の測定方
法として、従来と同じく1個のパッケージになった後で
測定することはもちろん可能である。そのほかに、図1
(i)で基板を切断する前に測定することもできる。すな
わち、基板の電極に合せてプローブカードを作成しウエ
ハ測定の時と同じ方法で測定できる。従って多数のIC
パッケージを1回のプロービングで測定することも可能
である。
【0018】図2は、図1(g)の平面図を示す。基板2
1内に多数のICチップ25が搭載されている。ICチ
ップ25およびワイヤ26は露出している。ICチップ
25の間には絶縁性ペースト27が壁状に形成されてい
る。マスクを用いた印刷法を用いているので絶縁ペース
ト27は精度良くパターニングされている。
【0019】図3は、図1(i)の平面図を示す。点線で
示す位置で切断される。絶縁ペースト37のほぼ中間位
置で切断される。
【0020】
【発明の効果】以上、説明したように基板内に多数のI
Cパッケージを一挙に作り込み、最後に切断して1個1
個のICパッケージにするので、生産性が大幅に向上し
製造費も大幅に低減する。また、切断する前に1枚の基
板になっている時に電気特性を測定できるので、ウエハ
プローバーと同様の思想で多数のICの電気特性を一挙
に測定できることになり、テストに要する費用を大幅に
削減できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のICパッケージの製造方法を示す図で
ある。
【図2】図1(g)の平面図を示す図である。
【図3】図1(i)の平面図を示す図である。
【図4】従来のICパッケージを示す図である。 11,21,31,41 半導体基板 12,42 外部電極 13,23,33,43 内部電極配線 15、25,35,45 ICチップ 16,26,36,46 ワイヤ 17,27,37 絶縁ペースト 18 マスク 19,49 ふた 47 枠

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 外部電極と内部電極配線とを有する基板
    にICチップを搭載する領域およびICチップの電極と
    ワイヤで接続する基板内の電極配線の領域をマスクを用
    いて被いマスクで被われていない領域に印刷法を用い絶
    縁性ペーストを塗布する工程とマスクをはずし絶縁ペー
    ストのない領域にICチップを載せてICチップ内の電
    極と前記内部電極配線とをワイヤで接続する工程と板状
    のふたを前記絶縁ペーストに接着する工程と前記絶縁ペ
    ーストの中間地点で切断する工程とからなることを特徴
    とする気密封止ICパッケージの製造方法
  2. 【請求項2】 前記マスクで被われた領域以外の前記絶
    縁ペーストを熱処理を行い固化する工程を付加すること
    を特徴とする請求項1記載のICパッケージの製造方法
  3. 【請求項3】 前記外部電極と前記内部電極配線とを有
    する前記基板はガラスエポキシ材料であることを特徴と
    する請求項1記載のICパッケージの製造方法
  4. 【請求項4】 前記外部電極と前記内部電極配線とを有
    する前記基板はセラミック材料であることを特徴とする
    請求項1記載のICパッケージの製造方法
  5. 【請求項5】 前記板状のふたは、ガラス板であること
    を特徴とする請求項1記載のICパッケージの製造方法
  6. 【請求項6】 前記板状のふたは、セラミック板である
    ことを特徴とする請求項1記載のICパッケージの製造
    方法
  7. 【請求項7】 前記絶縁ペーストの硬化後の厚みは前記
    ワイヤの最高点より大きいことを特徴とする請求項1記
    載のICパッケージの製造方法
  8. 【請求項8】 前記板状のふたは、テープ状のシートで
    あることを特徴とする請求項1記載のICパッケージの
    製造方法
  9. 【請求項9】 前記基板を切断する前に、前記ICパッ
    ケージの電気特性を基板全体を用いて測定する工程を含
    むことを特徴とする請求項1記載のICパッケージの製
    造方法
  10. 【請求項10】 プローブカード状の治具を用いて電気
    特性を測定することを特徴とする請求項9記載のICパ
    ッケージの製造方法
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009065205A (ja) * 2003-10-30 2009-03-26 Kyocera Corp 電子装置の製造方法
JP2017123393A (ja) * 2016-01-07 2017-07-13 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US9728689B2 (en) 2015-08-21 2017-08-08 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009065205A (ja) * 2003-10-30 2009-03-26 Kyocera Corp 電子装置の製造方法
US9728689B2 (en) 2015-08-21 2017-08-08 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device
JP2017123393A (ja) * 2016-01-07 2017-07-13 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

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