JP2017123393A - 発光装置の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】小型の発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】発光装置の製造方法は、第1の溶剤に溶解する材料を用いて、発光素子の側面を被覆する溶解性部材を形成する工程S13と、前記第1の溶剤への溶解性が前記溶解性部材よりも低く、かつ、遮光性を有する樹脂を用いて、前記溶解性部材の側面を被覆する遮光性部材を形成する工程S15と、前記第1の溶剤を用いて、前記溶解性部材を除去する工程S17と、前記溶解性部材が除去されることで形成される部分に、第1の透光性部材を形成する工程S18と、を含む。【選択図】図3

Description

本開示は、発光装置の製造方法に関する。
従来、透明絶縁基板とその下面に形成された半導体層とを有する半導体発光素子と、マザー基板との接続を取るための接続電極と、を備え、半導体発光素子から出射する光の一部を波長変換する半導体発光装置がある。例えば、特許文献1では、このような半導体発光装置において、半導体発光素子の側部を覆う白色反射部材と、透明絶縁基板の半導体層とは反対側に配置されて透明絶縁基板及び白色反射部材を覆う蛍光体シートと、蛍光体シートと透明絶縁基板とを接着する接着層と、を備え、接着材は半導体発光素子の側面に付着し、フィレットを形成している半導体発光装置が提案されている。
特開2012−227470号公報
特許文献1に記載された発光装置のように、半導体発光素子の側面に透光性のフィレットを設けることで、LED素子の側方に出射する光をフィレットと白色反射部材の界面で反射し、最終的にLED装置の上方に出射することができる。しかし、フィレットの形状によっては、発光装置の十分な小型化が困難になるおそれがある。
そこで、本開示に係る実施形態は、小型の発光装置の製造方法を提供することを課題とする。
本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法は、第1の溶剤に溶解する材料を用いて、発光素子の側面を被覆する溶解性部材を形成する工程と、前記第1の溶剤への溶解性が前記溶解性部材よりも低く、かつ、遮光性を有する樹脂を用いて、前記溶解性部材の側面を被覆する遮光性部材を形成する工程と、前記第1の溶剤を用いて、前記溶解性部材を除去する工程と、前記溶解性部材が除去されることで形成される部分に、第1の透光性部材を形成する工程と、を含む。
本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法によれば、小型の発光装置を製造することができる。
第1実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す平面図である。 第1実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図であり、図1AのIB−IB線における断面を示す。 第1実施形態に係る発光装置に用いられる半導体発光素子の構成例を模式的に示す断面図である。 第1実施形態に係る発光装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。 第1実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子配置工程を模式的に示す断面図である。 第1実施形態に係る発光装置の製造方法における溶解性部材配置工程を模式的に示す断面図である。 第1実施形態に係る発光装置の製造方法における溶解性部材成形工程を模式的に示す断面図である。 第1実施形態に係る発光装置の製造方法における転写工程を模式的に示す断面図である。 第1実施形態に係る発光装置の製造方法における遮光性部材配置工程を模式的に示す断面図である。 第1実施形態に係る発光装置の製造方法における研削工程を模式的に示す断面図である。 第1実施形態に係る発光装置の製造方法における支持部材除去工程を模式的に示す断面図である。 第1実施形態に係る発光装置の製造方法における溶解性部材除去工程を模式的に示す断面図である。 第1実施形態に係る発光装置の製造方法における第1の透光性部材形成工程を模式的に示す断面図である。 第1実施形態に係る発光装置の製造方法における個片化工程を模式的に示す断面図である。 第2実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す平面図である。 第2実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図であり、図5AのVB−VB線における断面を示す。 第2実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子配置工程を模式的に示す断面図である。 第2実施形態に係る発光装置の製造方法における溶解性部材配置工程を模式的に示す断面図である。 第2実施形態に係る発光装置の製造方法における溶解性部材成形工程を模式的に示す断面図である。 第2実施形態に係る発光装置の製造方法における転写工程を模式的に示す断面図である。 第2実施形態に係る発光装置の製造方法における遮光性部材配置工程を模式的に示す断面図である。 第2実施形態に係る発光装置の製造方法における研削工程を模式的に示す断面図である。 第2実施形態に係る発光装置の製造方法における支持部材除去工程を模式的に示す断面図である。 第2実施形態に係る発光装置の製造方法における溶解性部材除去工程を模式的に示す断面図である。 第2実施形態に係る発光装置の製造方法における第1の透光性部材形成工程を模式的に示す断面図である。 第2実施形態に係る発光装置の製造方法における個片化工程を模式的に示す断面図である。 第3実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す平面図である。 第3実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図であり、図7AのVIIB−VIIB線における断面を示す。 第3実施形態に係る発光装置の製造方法における第2の透光性部材形成工程を模式的に示す断面図である。 第4実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す平面図である。 第4実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図であり、図9AのIXB−IXB線における断面を示す。 第4実施形態に係る発光装置の製造方法における第1の透光性部材形成工程を模式的に示す断面図である。 第4実施形態に係る発光装置の製造方法における第2の透光性部材形成工程を模式的に示す断面図である。 第4実施形態の変形例に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図である。 第4実施形態の変形例に係る発光装置の製造方法における第1の透光性部材形成工程を模式的に示す断面図である。 第4実施形態の変形例に係る発光装置の製造方法における第2の透光性部材形成工程を模式的に示す断面図である。 第5実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す平面図である。 第5実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図であり、図13AのXIIIB−XIIIB線における断面を示す。 第6実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す平面図である。
以下、実施形態に係る発光装置及び発光装置の製造方法について説明する。
なお、以下の説明において参照する図面は、実施形態を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、平面図とその断面図において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。
<第1実施形態>
[発光装置の構成]
まず、第1実施形態に係る発光装置の構成について、図1A及び図1Bを参照して説明する。
本実施形態に係る発光装置100は、平面視での形状が横長の略長方形である略直方体の外形形状を有している。発光装置100は、平面視での形状が横長の略長方形である半導体発光素子1(以下、適宜「発光素子」と呼ぶ)と、発光素子1の側面を囲むように設けられた第1の透光性部材3と、発光素子1の底面及び第1の透光性部材3の側面を被覆するように設けられた遮光性部材2と、を備えて構成されている。
発光装置100は、上面側が光取り出し面であり、発光素子1が発した光は、発光素子1の上面から、及び第1の透光性部材3を通ってその上面から、外部に取り出される。また、発光装置100は、下面側が実装面であり、発光素子1の一対のパッド電極であるn側電極13及びp側電極15の下面が接続用端子として露出している。
なお、発光装置100や発光素子1の平面視形状は長方形に限らず、正方形や他の多角形、円形、楕円形などであってもよい。また、発光装置100の平面視形状と発光素子1の平面視形状とが相似形又は相似形に近い関係に限られるものではない。
次に、本実施形態に係る発光装置100の各部の構成について順次に詳細に説明する。
本実施形態の発光素子1は、LEDなどの半導体発光素子を好適に用いることができる。本実施形態における発光素子1は、平面視で横長の略長方形である略直方体形状を有する。一方の面側にn側電極13及びp側電極15が設けられ、フリップチップ実装に適した構成を有している。
ここで、発光素子1の構成例について、図2を参照して説明する。なお、図2においては、n側電極13及びp側電極15が設けられた面が上方となるように示しており、図1Bとは上下を逆に示している。また、図1A、図1B、後記する図4A〜図5B、及び図6A〜図6Jでは、発光素子1の構成は簡略化して示している。
発光素子1は、素子基板11と、半導体積層体12と、n側電極13と、全面電極14と、p側電極15と、絶縁膜16とを備えている。
発光素子1は、素子基板11の一方の主面上に、n型半導体層12nと活性層12aとp型半導体層12pとを積層したLED構造を有する半導体積層体12を備えている。また、半導体積層体12は、n側電極13及びp側電極15に外部電源を接続して通電することにより発光するようになっている。
素子基板11は、半導体積層体12を支持する部材である。具体的な材料としては、サファイアやSiCのような材料を用いることができる。また、素子基板11は、例えば、半導体積層体12をエピタキシャル成長させる成長基板であってもよい。例えば、半導体積層体12をGaN(窒化ガリウム)などの窒化物半導体を用いて形成する場合には、サファイアを好適に用いることができる。
なお、素子基板11上に半導体積層体12を形成後に、レーザ・リフト・オフ(LLO)法などにより素子基板11を除去し、半導体積層体12の電極形成面と反対側の面を光取り出し面としてもよい。この場合は、電極形成面側に樹脂などの支持層を設けることで発光素子1の機械的強度を向上させてから素子基板11を剥離することが好ましい。
図2に示すように、半導体積層体12は、素子基板11の上面である一方の主面上に、n型半導体層12n、活性層12a及びp型半導体層12pが積層されている。
半導体積層体12には、p型半導体層12p及び活性層12aが部分的に存在しない領域、つまりn型半導体層12nが半導体積層体12の上面側に露出した領域である露出部12bを有する。露出部12bにはn側電極13が設けられ、n型半導体層12nと電気的に接続されている。なお、露出部12bは、n側電極13及び絶縁膜16で被覆されているが、便宜的に「露出部」と呼ぶ。
半導体積層体12(n型半導体層12n、活性層12a及びp型半導体層12p)は、InAlGa1−X−YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)で表される窒化物半導体を好適に用いることができる。また、これらの半導体層は、それぞれが単層構造でもよいが、組成及び膜厚などの異なる層の積層構造としてもよく、一部に超格子構造を有するものなどであってもよい。特に、活性層12aは、量子効果が生ずる薄膜を積層した単一量子井戸又は多重量子井戸構造であることが好ましい。
n側電極13は、半導体積層体12の露出部12bの上面において、絶縁膜16の開口部16n内でn型半導体層12nと電気的に接続されるように設けられている。
全面電極14は、p型半導体層12pの上面の略全面に設けられ、また、p側電極15は、全面電極14の上面において、絶縁膜16の開口部16p内で全面電極14と電気的に接続されるように設けられている。
また、n側電極13及びp側電極15は、絶縁膜16を介して、全面電極14上の広範囲に延在するように設けられている。
n側電極13及びp側電極15としては、金属材料を用いることができ、例えば、Ag、Al、Ni、Rh、Au、Cu、Ti、Pt、Pd、Mo、Cr、Wなどの単体金属又はこれらの金属を主成分とする合金を好適に用いることができる。また、n側電極13及びp側電極15は、これらの金属材料を単層で、又は積層したものを利用することができる。
絶縁膜16は、半導体積層体12及び全面電極14の上面及び側面を被覆する膜である。絶縁膜16は、露出部12bの底面の一部に開口部16nを有し、全面電極14の上面の一部に開口部16pを有している。また、絶縁膜16の上面の広範囲には、n側電極13及びp側電極15が相補的に延在するように設けられている。絶縁膜16としては、例えば、SiO、TiO、Alなどの酸化物、Siなどの窒化物、MgFなどのフッ化物を好適に用いることができる。
また、発光素子1は、電極形成面側に樹脂などの支持層を設け、更にn側電極13及びp側電極15上に金属バンプ、ポスト電極などの外部接続用の金属端子を設けた、Chip Size Package又はChip Scale Package(CSP)型の発光素子であってもよい。これによって、発光装置を小型化することができる。また、前記したように、発光素子1は、素子基板11を有さない構成であってもよい。
図1に戻って、発光装置100の構成について説明を続ける。
遮光性部材2は、第1の透光性部材3を介して発光素子1の側面を囲み、上面が発光素子1の上面と同じ高さとなるように設けられている。そのため、発光素子1の側面と遮光性部材2の内側面との間に凹部2aが形成されている。この凹部2a内には、第1の透光性部材3が設けられている。言い換えれば、遮光性部材2は、第1の透光性部材3の側面を被覆するように設けられている。
遮光性部材2は、光を透過せずに遮光する部材であり、光を反射することで遮光する光反射性材料、又は、光を吸収することで遮光する光吸収性材料を用いることができる。
遮光性部材2に光反射性材料を用いる場合は、遮光性部材2は、発光素子1の側面から出射して、第1の透光性部材3を伝播する光を第1の透光性部材3内に戻すように機能する。これによって、発光装置100の上面の発光輝度を向上させることができる。
また、遮光性部材2に光吸収性材料を用いる場合は、遮光性部材2は、発光素子1の側面から出射して、第1の透光性部材3を透過して遮光性部材2に入射する光を吸収する。このため、発光装置100の上面のみから光を出射させることができる。
また、光反射性材料又は光吸収性材料の何れを遮光性部材2に用いる場合であっても、このような遮光性部材2を設けることで、発光装置100からの光の出射が発光素子1の上面及び第1の透光性部材3の上面に限定されるため、発光領域と非発光領域とのコントラストが高い、いわゆる「見切り性」の良好な発光装置100とすることができる。
見切り性の良好な発光装置を、バックライト装置や照明装置などに用いると、以下のような利点がある。
導光板を用いた端面入光型バックライト装置にこのような発光装置を用いる場合には、発光装置100の正面輝度が高くなるため、導光板の端面からの入光効率が高くなり、バックライト照明光として利用される光の効率を高めることができる。
また、導光板を用いない直下型バックライト装置にこのような発光装置を用いる場合には、発光装置100の発光面積を小さくできるため、二次レンズを用いた配光制御が容易になる。そのため、バックライト照明光の輝度ムラや色ムラを低減することができる。
また、一般的な照明装置にこのような発光装置を用いる場合には、発光装置100の発光面積を小さくできるため、レンズを用いた配光制御が容易になる。このため、複数の発光装置100を比較的狭い間隔で実装したときに、発光装置100が発する光が、隣接する発光装置100に照射されて、吸収されたり、遮光されたりすることが低減される。すなわち、発光装置100が発する光が、隣接する発光装置100の影響を受け難くなる。その結果、照明装置の光の利用効率が、発光装置100の外形を構成する遮光性部材2の基材の光反射率の影響を受け難いため、当該基材の材料の選択肢を広げることができる。
なお、本実施形態に係る発光装置100において、第1の透光性部材3は、発光素子1の周囲を囲むように、発光素子1の4面ある側面の全領域を被覆するように設けられているが、当該4つの側面の少なくとも一部を被覆するように設けられていればよい。また、発光素子1の側面の内で、第1の透光性部材3が設けられない領域がある場合は、当該領域は、遮光性部材2が発光素子1の側面に接して設けられる。
ここで、光反射性材料を用いて遮光性部材2を構成したときは、発光素子1と遮光性部材2との界面で反射された光は、発光素子1内に戻され、発光素子1内を伝播して上面から外部に取り出される。また、光吸収性材料を用いて遮光性部材2を構成したときは、発光素子1と遮光性部材2との界面に入射した光は、一部は界面で反射されるが、他の部分は遮光性部材2に吸収されて外部に取り出され難くなる。
光反射性材料としては、良好な透光性及び絶縁性を有する樹脂に、光反射性物質の粒子を含有させて光反射性を付与された樹脂材料を用いることができる。樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などを好適に用いることができる。また、光反射性物質としては、例えば、TiO,Al,ZrO,MgOなどを好適に用いることができる。
また、光吸収性材料としては、前記した光反射性材料と同様の樹脂に、光吸収性物質の粒子を含有させて光吸収性を付与された材料を用いることができる。光吸収性物質としては、黒色顔料を用いることができ、カーボンブラックやグラファイトなどの炭素系顔料を好適に用いることができる。
遮光性部材2は、光反射性物質を含有することで光反射性を付与された樹脂材料、又は光吸収性物質を含有することで光吸収性を付与された樹脂材料を用いて、金型を用いたトランスファーモールド法、射出成形法、圧縮成形法などの成形法、スクリーン印刷法などの塗布法などによって形成することができる。
遮光性部材2に光反射性材料を用いる場合は、発光素子1からの光を効率的に外部に取り出すことができる。また、遮光性部材2に光吸収性材料を用いる場合は、例えば、耐光性などの性能を考慮せずに樹脂の材料を選択することができるため、耐光性は低いが成形性に優れた樹脂や安価な樹脂を用いることが可能になるなど、樹脂の材料の選択の自由度を高めることができる。これにより、例えば、発光装置100の量産性や信頼性を高めることができる。
第1の透光性部材3は、凹部2a内に設けられ、外側面が遮光性部材2によって被覆されている。このため、発光素子1の側面から出射した光は、第1の透光性部材3を通って、その上面から外部に取り出される。
第1の透光性部材3としては、例えば、透光性を有する樹脂に、発光素子1が発する光を異なる波長の光に変換する波長変換物質を含有させた波長変換部材を用いることができる。また、第1の透光性部材3として、透光性を有する樹脂に、発光素子1の側面から出射される光を拡散する光拡散性物質を含有させた光拡散部材を用いることもできる。また、第1の透光性部材3として、波長変換物質や光拡散物質を含有していない樹脂を用いて、単に発光素子1からの光取り出しの経路を増やすようにしてもよい。
波長変換物質である蛍光体材料としては、当該分野で公知のものを使用することができる。例えば、緑〜黄色に発光するセリウムで賦活されたYAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)系蛍光体、緑色に発光するセリウムで賦活されたLAG(ルテチウム・アルミニウム・ガーネット)系蛍光体、緑〜赤色に発光するユーロピウム及び/又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム(CaO−Al−SiO)系蛍光体、青〜赤色に発光するユーロピウムで賦活されたシリケート((Sr,Ba)SiO)系蛍光体、緑色に発光するβサイアロン蛍光体、赤色に発光するCASN系又はSCASN系蛍光体などの窒化物系蛍光体、赤色に発光するKSF(KSiF:Mn)系蛍光体、緑色又は赤色に発光する硫化物系蛍光体、量子ドット蛍光体などが挙げられる。
また、光拡散性物質としては、前記した光反射性物質と同様の材料を用いることができる。
更にまた、透光性を有する樹脂に、複数種類の波長変換物質や光拡散性物質などを混在させた材料を用いて第1の透光性部材3を形成してもよい。
第1の透光性部材3は、凹部2a内に、前記した波長変換物質や光拡散性物質などの各種機能を付与するための材料を含有した樹脂材料を充填することで形成できる。なお、前記した材料を含有しない樹脂材料を用いてもよい。
第1の透光性部材3の形成方法としては、スプレー法、スクリーン印刷法、ポッティング法(滴下法)などの塗布法や、射出成形法、トランスファーモールド法、圧縮成形法などの金型を用いた成型法などを用いることができる。
また、波長変換物質などの機能性物質には、例えば、KSF蛍光体のように脆いものがある。このような脆い材料の粒子を用いる場合は、スプレー法のように塗布時に蛍光体の粒子に衝撃が加えられる手法や、スクリーン印刷法のように蛍光体の粒子に圧力が加えられる手法を用いると、蛍光体の粒子が損傷する恐れがある。
そのため、脆い粒子を含有する樹脂材料を用いて第1の透光性部材3を形成する場合は、ポッティング法を用いることが好ましい。ポッティング法によれば、蛍光体の粒子を含有するスラリーを塗布する際に、当該蛍光体の粒子に大きな衝撃や圧力が加わり難いため、蛍光体の粒子を損傷する恐れを大きく低減することができる。
また、本実施形態では、第1の透光性部材3は、遮光性部材2によって区画された凹部2a内に設けられる。このため、ポッティング法によってスラリーや液状の樹脂を塗布する場合においても、配置位置の精度や形状精度を良好に、第1の透光性部材3を形成することができる。
また、発光装置100における第1の透光性部材3は、平面視の形状が上下方向に変化しない柱状形状であるが、厚さ方向について光取り出し面方向である上方ほど、平面視の形状が大きくなるように傾斜した外側面を有する逆錐体又は逆錐台形状とすることが好ましい。このように、外側面を傾斜面とすることで、発光素子1の側面から出射する光を当該外側面で上方に反射させて、より効率的に外部に取り出すことができる。
言い換えれば、凹部2aの内壁である遮光性部材2の内側面の傾斜角度は、発光装置100を小型化する観点からは垂直が好ましいが、上方向に向かって広がるものであってもよい。
[発光装置の動作]
次に、第1実施形態に係る発光装置100の動作について、図1A及び図1Bを参照して説明する。
本実施形態において、発光素子1は青色光を発光し、第1の透光性部材3は青色光を吸収して黄色光を発光する蛍光体(波長変換物質)の粒子を含有しているものである。
発光装置100は、外部電源からn側電極13及びp側電極15間に電流が供給されると、発光素子1が青色光を発光する。
発光素子1が発光した青色光は、その一部は、発光素子1の半導体積層体12及び素子基板11内を伝播して、発光素子1の上面から外部に取り出される。また、発光素子1内を横方向に伝播する光は第1の透光性部材3に入射し、少なくともその一部が、波長変換物質によって黄色光に波長変換される。第1の透光性部材3内を伝播する黄色光及び青色光は、第1の透光性部材3の上面から外部に取り出される。
なお、遮光性部材2に光吸収性材料を用いる場合は、第1の透光性部材3と遮光性部材2との界面で、光の一部は反射されるが、他の部分は遮光性部材2に吸収される。
発光装置100は、発光素子1の側面から出射する青色光を第1の透光性部材3によって黄色光に変換して取り出されるとともに、発光素子1の上面から青色光のまま外部に取り出される。このため、青色光の光量を十分に確保することができる。
なお、第1の透光性部材3に波長変換物質を含有させない場合は、発光素子1が発した光を、波長変換せずに発光装置100から効率よく外部に取り出すことができる。
[発光装置の製造方法]
次に、第1実施形態に係る発光装置100の製造方法について、図3〜図4Jを参照して説明する。
発光装置100の製造方法は、例えば、発光素子準備工程S11と、発光素子配置工程S12と、溶解性部材形成工程S13と、転写工程S14と、遮光性部材形成工程S15と、支持部材除去工程S16と、溶解性部材除去工程S17と、第1の透光性部材形成工程S18と、個片化工程S19と、を含んでいる。
また、溶解性部材形成工程S13は、溶解性部材配置工程S131と溶解性部材成形工程S132とを含み、遮光性部材形成工程S15は、遮光性部材配置工程S151と研削工程S152とを含んでいる。
まず、発光素子準備工程S11において、例えば、図2に示した構成の、個片化された発光素子1を準備する。以下に、発光素子1を製造する工程例について説明するが、市販の発光素子1を入手することで当該発光素子準備工程S11としてもよい。
具体的には、まず、サファイアなどからなる素子基板11上に、前記した半導体材料を用いて、n型半導体層12n、活性層12a及びp型半導体層12pを順次積層した半導体積層体12を形成する。その後、半導体積層体12の上面の一部の領域について、p型半導体層12p及び活性層12aの全部、並びにn型半導体層12nの一部をエッチングにより除去してn型半導体層12nが上面側に露出した露出部12bを形成する。
次に、p型半導体層12pの上面の略全面を覆うように、光反射性を有する全面電極14を形成する。
次に、n側電極13とn型半導体層12nとが接続される領域、及びp側電極15と全面電極14とが接続される領域に、開口部16n,16pを有するように、ウエハの表面に、SiOなどで絶縁膜16を形成する。
次に、開口部16nから絶縁膜16の上面にかけて延在するように、パッド電極であるn側電極13を形成する。また、開口部16pから絶縁膜16の上面にかけて延在するように、パッド電極であるp側電極15を形成する。
以上により、ウエハ状態の発光素子1が形成される。
次に、ダイシング法、スクライブ法などにより、ウエハ状態の発光素子1を所定の分割領域で割断することにより個片化された発光素子1を作製することができる。
なお、ウエハを割断する前に、素子基板11の裏面を研磨して薄肉化したり、素子基板11を除去したり、前記した金属バンプやポスト電極を形成したりしてもよい。
次に、発光素子配置工程(発光素子を配置する工程)S12において、例えば、図4Aに示すように、支持部材61上に、n側電極13及びp側電極15が設けられた電極形成面が支持部材61と対向するように下向きに発光素子1を配置する。支持部材61は、平板状の基体61aの上面に粘着層61bを有していることが好ましい。この粘着層61bは、n側電極13及びp側電極15の厚さと比べて十分な厚さを有している。このため、発光素子1は、凸状のn側電極13及びp側電極15が粘着層61bに埋もれ、粘着層61bが発光素子1のn側電極13及びp側電極15を有する下面全体と密着して支持部材61に保持される。
なお、粘着層61bは、溶解性部材配置工程S131において、液状の溶解性材料が発光素子1の下面側へ侵入しない程度に発光素子1の下面と密着すればよい。
支持部材61の基体61aとしては、樹脂、金属、セラミックスなどの平板を用いることができ、粘着層61bとしては、弾性変形又は塑性変形するポリエステルなどの樹脂材料を用いることができる。また、支持部材61は、後工程である転写工程S14において、遮光性部材2によって互いに連結された発光素子1から剥離しやすいように、可撓性を有することが好ましい。
なお、本実施形態では、複数の発光装置100を同時に製造するため、複数の発光素子1を、側面が露出するように互いに所定の間隔を開けて配置する。ここで所定の間隔は、発光素子1の側面に設けられる第1の透光性部材3及び遮光性部材2の厚さ、並びに溶解性部材成形工程S132において切り代として必要な幅に基づいて定められる。
次に、溶解性部材形成工程(溶解性部材を形成する工程)S13において、発光素子1の側面を被覆する溶解性部材4を形成する。
そのために、まず、溶解性部材配置工程S131において、例えば、図4Bに示すように、支持部材61上の複数の発光素子1が配置された間の領域に、発光素子1の側面を被覆するように溶解性部材4を配置する。溶解性部材4は、具体的には、後記する溶解性材料を溶融又は溶剤に溶解させた状態で、スピンコート法、スプレー法、ポッティング法などの塗布方法で塗布することで形成することができる。
なお、溶解性材料を、支持部材61上の発光素子1間の隙間に発光素子1の上端と同じ高さに塗布することが好ましいが、発光素子1の上面を被覆する高さに形成し、その後に、発光素子1の上面が露出するように溶解性部材4を研削するようにしてもよい。
ここで溶解性部材4は、第1の溶剤に溶解する溶解性材料で形成された部材である。詳細は後記するが、遮光性部材2として、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂などが好適に用いられる。第1の溶剤としては、このような遮光性部材2に用いられる材料を溶解しない溶剤が用いられる。
このような第1の溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系の有機溶剤、水、温水、アルカリ性水溶液などの水系の溶剤を挙げることができる。
ケトン系の溶剤に溶解する溶解性材料としては、(A)ガラス転移点(Tg)が40〜80℃で、エポキシ樹脂と反応する官能基を有するアクリル樹脂、(B)エポキシ樹脂、(C)フェノール樹脂、及び、(D)テトラフェニルホスホニウムテトラ(p−トリル)ボレートからなる樹脂フィルムを挙げることができる。
ここで、前記(A)アクリル樹脂が、前記エポキシ樹脂と反応する官能基として水酸基を有し、前記(B)エポキシ樹脂が、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂および脂肪族型エポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一つであり、前記(B)エポキシ樹脂の含有量が、前記(A)アクリル樹脂100質量部に対して、5〜50質量部であり、前記(C)フェノール樹脂が、テルペンフェノール樹脂、ビスフェノールA型フェノール樹脂、ビスフェノールF型フェノール樹脂及びノボラック型フェノール樹脂からなる群から選択される少なくとも一つであり、前記(C)フェノール樹脂の含有量が、前記(A)アクリル樹脂100質量部に対して、10〜35質量部である。
なお、この溶解性材料については、例えば、特許第4944269号公報に詳しいため、詳細な説明は省略する。
また、水又は温水に溶解する溶解性材料としては、ポリビニルアルコールや水溶性ポリエステル、オブラート(デンプン)などを挙げることができる。
また、アルカリ性水溶液に溶解する溶解性材料としては、例えば、半導体製造に用いられる、ノボラック樹脂系やポリヒドロキシスチレン系などのポジ型フォトレジスト材料を挙げることができる。
次に、溶解性部材成形工程S132において、図4Cに示すように、例えば、ダイサー71を用いて、境界線91に沿った所定幅の領域に設けられている溶解性部材4を除去することで、発光素子1の側面を被覆する溶解性部材4を所定の膜厚に成形(パターニング)する。本工程によって成形された溶解性部材4が、第1の透光性部材3となる領域である。
溶解性部材4は、第1の透光性部材3の厚さに相当する膜厚で形成される。従って、溶解性部材4の膜厚(発光素子1の側面に垂直な方向の膜厚)は、第1の透光性部材3に要求される機能に応じて定められ、例えば、数μmから1mm程度とすることができる。
なお、本工程において、例えば、先端がテーパー形状を有するダイサー71を用いることで、溶解性部材4の外側面を傾斜面とすることができる。従って、後記する第1の透光性部材形成工程S110において外側面が傾斜した第1の透光性部材3を形成することができる。
また、溶解性部材4が、感光性を有するフォトレジスト材料で形成されている場合は、フォトリソグラフィ法によってパターニングを行ってもよい。
次に、転写工程S14において、例えば、図4Dに示すように、発光素子1の支持部材61が設けられている面と反対側の面に、他の支持部材62を貼付し、その後に支持部材61を発光素子1から剥離する。すなわち、側面に溶解性部材4が設けられた複数の発光素子1を、その配置状態を維持したまま、支持部材61から支持部材62に転写する。支持部材62は、支持部材61と同様のものを用いることができる。
なお、例えば、粘着層61bとして紫外線硬化型の樹脂を用いている場合は、支持部材61の下面側から紫外光を照射することで粘着層61bの粘着力を消失させることができ、容易に発光素子1から支持部材61を剥離することができる。
次に、遮光性部材形成工程(遮光性部材を形成する工程)S15において、溶解性部材4の側面を被覆するように、遮光性部材2を形成する。
そのために、まず、遮光性部材配置工程S151において、例えば、図4Eに示すように、溶解性部材4の側面及び発光素子1の電極形成面が被覆されるように、遮光性部材2を形成する。遮光性部材2は、光反射性を付与された白色樹脂又は光吸収性を付与された黒色樹脂を用いて、例えば、トランスファーモールド法などによって形成することができる。遮光性部材2は、発光素子1のn側電極13及びp側電極15の上面が埋もれる高さに形成されている。
なお、図4Eでは、発光素子1の電極形成面が上方を向くように配置しているが、下向きのままで本工程を行うようにしてもよい。
次に、研削工程S152において、例えば、遮光性部材2を、上面側から研削線92の高さまで研削することで、図4Fに示すように、発光素子1のn側電極13及びp側電極15の上面を露出させる。ここで、研削線92の高さは、発光素子1のn側電極13及びp側電極15の上面の高さと同じか、これよりも低い高さに設定されている。
なお、遮光性部材配置工程S151において、遮光性部材2が、n側電極13及びp側電極15の上面が露出する高さで形成される場合には、研削工程S152は省略することができる。
次に、支持部材除去工程S16において、例えば、図4Gに示すように、溶解性部材4及び遮光性部材2が設けられた発光素子1から、支持部材62を除去する。これによって、溶解性部材4の支持部材62と密着していた面が露出する。支持部材62の除去は、前記した転写工程S14における支持部材61の除去と同様にして行うことができる。
なお、複数の発光素子1は、遮光性部材2によって互いに連結されているため、支持部材62を除去しても、一体的に取り扱うことができる。
なお、遮光性部材2だけでは一体的に取り扱うための強度が不足する場合は、支持部材62が設けられた面と反対側の面に他の支持部材を貼付してから支持部材62を除去するようにしてもよい。すなわち、溶解性部材4及び遮光性部材2が設けられた発光素子1を、支持部材62から他の支持部材に転写するようにしてもよい。また、このとき用いる他の支持部材は、支持部材61,62と同様のものを用いることができるが、発光素子1を実装する実装基板であってもよい。他の支持部材として実装基板を用いる場合は、発光素子1を半田などの接合部材を用いて当該実装基板に接合することができる。また、後工程である個片化工程S111において、遮光性部材2とともに実装基板も切断することで、実装基板付きの発光装置として個片化することができる。
次に、溶解性部材除去工程(溶解性部材を除去する工程)S17において、図4Hに示すように、溶解性部材4を、その材料に対応する第1の溶剤を用いて溶解させて除去する。これによって、発光素子1の側面と遮光性部材2の側面との間に隙間が形成される。すなわち、溶解性部材4が除去されることで形成される部分として、遮光性部材2を底面とし、遮光性部材2の内側面及び発光素子1の側面を内側面とする凹部2aが形成される。
次に、第1の透光性部材形成工程(第1の透光性部材を形成する工程)S18において、例えば、図4Iに示すように、ディスペンサ81を用いて、凹部2a内に透光性を有する樹脂材料を充填し、その後に当該樹脂材料を硬化させることで第1の透光性部材3を形成する。樹脂材料としては、熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。本工程によって、遮光性部材2で互いに連結された状態の発光装置100が形成される。
なお、第1の透光性部材形成工程S18は、液状の樹脂材料が溢れないように、凹部2aの開口が上方を向くように配置して行うことが好ましい。
充填される樹脂材料が波長変換物質(蛍光体)などの固形粒子を含有するスラリーである場合は、ポッティング法を用いることで、当該スラリーに含まれる固形粒子に大きな衝撃や圧力を加えることなく、凹部2a内に滴下して充填することができる。従って、前記したKSFのような脆い固形粒子を含有する第1の透光性部材3に損傷を与えることなく、第1の透光性部材3を良好な信頼性で形成することができる。また、第1の透光性部材3が形成される領域は凹部2aによって区画されているため、ポッティング法を用いても、形状精度よく第1の透光性部材3を形成することができる。
また、本実施形態では、凹部2aの形状、すなわち第1の透光性部材3の形状が、溶解性部材4の形状によって精度よく定められる。このため、第1の透光性部材3を先に形成した後に、その側面に遮光性部材2を設ける製造方法と比べて、第1の透光性部材3の外縁を精度よく形成することができる。このため、より容易に見切り性の良好な発光装置100を製造することができる。
なお、凹部2a内に滴下するスラリーにおいて、波長変換物質の粒子の比重が樹脂の比重よりも大きくなるように樹脂を選択し、スラリーを滴下後に、波長変換物質の粒子を沈降させてから樹脂を硬化させるようにしてもよい。これによって、波長変換物質の粒子を十分な厚さの樹脂層で被覆することができるため、当該波長変換物質の粒子を外気中の水分やガスなどから良好に保護することができる。そのため、特に、KSF蛍光体や量子ドット蛍光体を用いる場合、本実施形態の構成を好ましく適用することができる。
次に、個片化工程S19において、図4Jに示すように、例えば、ダイサー72を用いて、境界線91に沿った所定幅の領域に設けられている遮光性部材2を除去することで、発光装置100を個片化する。このとき、溶解性部材4の側面を被覆する遮光性部材2は、所定の膜厚に成形(パターニング)される。
以上の工程を行うことにより、発光装置100を製造することができる。
なお、発光素子配置工程S12において、支持部材61上に、発光素子1をn側電極13及びp側電極15の下面で密着させるようにしてもよい。この場合は、発光素子1の下面側のn側電極13及びp側電極15の周りにも溶解性部材4が形成される。そして、溶解性部材4を除去することで凹部2aを、発光素子1の上面からn側電極13及びp側電極15に至る深さに形成することができる。このように凹部2aを深く形成することで、凹部2a内に配置できる波長変換物質の量を増加させることができ、発光装置100の平面積や厚みを増やすことなく、発光装置100を小型化することができる。また、これによって、KSF蛍光体などのように、比較的多くの量を必要とする波長変換物質も用いることができる。
<第2実施形態>
[発光装置の構成]
第2実施形態に係る発光装置の構成について、図5A及び図5Bを参照して説明する。
第2実施形態に係る発光装置100Aは、第1実施形態に係る発光装置100において、発光素子1の側面を被覆するように設けられた第1の透光性部材3に代えて、発光素子1の側面及び上面を被覆するように設けられた第1の透光性部材3Aを備える。また、発光装置100Aは、遮光性部材2に代えて、第1の透光性部材3Aの側面を上端まで被覆する遮光性部材2Aを備えている。従って、発光装置100Aは、第1の透光性部材3Aの上面が光取り出し面、すなわち発光面である。言い換えれば、発光装置100Aにおいて、外部に取り出される略全ての光は、第1の透光性部材3Aを通って取り出される。
発光装置100Aは、第1の透光性部材3Aが、発光素子1の側面に加えて上面を被覆するように設けられる。これによって、第1の透光性部材3Aに波長変換物質を含有させる場合は、より多くの波長変換物質を含有させることができ、発光素子1が発する光に対する波長変換効率を高めたり、多種類の波長変換物質を含有させることができる。
発光装置100Aのその他の構成は、発光装置100と略同様であるから説明は省略する。また、発光装置100Aは、発光素子1の上面から出射される光も、第1の透光性部材3Aを通って外部に取り出されること以外は、発光装置100と略同様であるから、動作についての説明も省略する。
[発光装置の製造方法]
次に、第2実施形態に係る発光装置100Aの製造方法について、図3及び図6A〜図6Jを参照して説明する。
第2実施形態に係る発光装置100Aの製造方法は、図3に示した第1実施形態に係る発光装置100の製造方法と、同じ手順で行われる。図6A〜図6Jは、第1実施形態における各工程を示した図4A〜図4Jに対応するものである。第2実施形態における各工程について、主として第1実施形態と相違する点を説明し、第1実施形態と共通する点は適宜に説明を省略する。特に断らない限り、第2実施形態における各工程は、第1実施形態の対応する工程と同様の方法で行うことができ、第1実施形態と同様に変形した手法を適用することができる。
発光素子準備工程S11は、第1実施形態と同様に行われる。
発光素子配置工程S12は、図6Aに示すように、第1実施形態と同様に行われる。
溶解性部材配置工程S131において、例えば、図6Bに示すように、溶解性部材4Aを、発光素子1の側面に加えて上面まで連続して被覆するように形成する。溶解性部材配置工程S131は、第1実施形態と同様の手法を用いて行うことができる。例えば、スピンコート法を用いて溶解性材料を塗布する場合は、側面のみを被覆する場合よりも、用いる溶解性材料の粘度を高くしたりスピンの回転速度を遅くしたりして調整することで、塗布後に発光素子1の上面も溶解性材料で被覆されるようにすることができる。
また、溶解性材料を塗布する際に、溶解性部材4Aの膜厚が所定の膜厚以上となるように形成し、硬化させた後に溶解性部材4Aを上面側から研削して、所定の膜厚となるように成形するようにしてもよい。これによって、発光素子1の上面における溶解性部材4Aを精度よい膜厚に形成することができる。
また、例えば、溶解性部材4Aを複数回に分けて形成してもよい。つまり、まず発光素子1の側面を被覆するように溶解性部材4Aの一部を設けた後に、発光素子1の上面を被覆するよう溶解性部材4Aの他の部分を設けてもよい。
溶解性部材成形工程S132において、図6Cに示すように、例えば、ダイサー71を用いて、境界線91に沿った所定幅の領域に設けられている溶解性部材4Aを除去することで、発光素子1の側面を被覆する溶解性部材4を、発光素子1の側面に垂直な方向に所定の膜厚に成形(パターニング)する。
第1実施形態と同様に、溶解性部材4Aは、第1の透光性部材3Aの厚さに相当する膜厚で形成される。従って、溶解性部材4Aの膜厚は、第1の透光性部材3に要求される機能に応じて定められ、例えば、数μmから1mm程度とすることができる。また、溶解性部材4Aは、発光素子1の側面に設けられる部分の膜厚(発光素子1の側面に垂直な方向の膜厚)と、発光素子1の上面に設けられる部分の膜厚(発光素子1の上面に垂直な方向の膜厚)とが、異なるように形成してもよい。
例えば、発光素子1の側面に設けられる部分の膜厚を厚く形成し、発光素子1の上面に設けられる部分の膜厚を薄く形成するようにしてもよい。このような溶解性部材4Aと同じ形状で形成される第1の透光性部材3Aに波長変換物質を含有させる場合、発光素子1の側面から出射する光は、その殆ど全てを波長変換して外部に取り出すことができる。また、発光素子1の上面から出射する光は、その一部を波長変換し、他の部分を波長変換しないで外部に取り出すことができる。すなわち、発光素子1の側面と上面とにおける溶解性部材4Aの膜厚(従って、第1の透光性部材3Aの膜厚)を、それぞれ調整することで、発光装置100から取り出される光の色調を調整することができる。
転写工程S14において、例えば、図6Dに示すように、溶解性部材4Aが設けられる発光素子1を、支持部材61から支持部材62に転写する。
遮光性部材配置工程S151において、例えば、図6Eに示すように、溶解性部材4Aの側面及び発光素子1の電極形成面が被覆されるように、遮光性部材2Aを形成する。遮光性部材2Aは、発光素子1のn側電極13及びp側電極15の上面が埋もれる高さに形成されている。
研削工程S152において、例えば、遮光性部材2Aを、上面側から研削線92の高さまで研削することで、図6Fに示すように、発光素子1のn側電極13及びp側電極15の上面を露出させる。
支持部材除去工程S16において、例えば、図6Gに示すように、溶解性部材4A及び遮光性部材2Aが設けられた発光素子1から、支持部材62を除去する。これによって、溶解性部材4Aの支持部材62と密着していた面が露出する。
溶解性部材除去工程S17において、例えば、図6Hに示すように、溶解性部材4Aを、その材料に対応する第1の溶剤を用いて溶解させて除去する。これによって、遮光性部材2A及び発光素子1で囲まれた凹部2Aaが形成される。凹部2Aaは、第1実施形態における凹部2aと異なり、凹部2Aaの側壁となる遮光性部材2Aの上端が、発光素子1の上面よりも高くなるように形成されている。
第1の透光性部材形成工程S18において、例えば、図6Iに示すように、ディスペンサ81を用いて、凹部2Aa内に透光性を有する樹脂材料を充填し、その後に当該樹脂材料を硬化させることで第1の透光性部材3Aを形成する。このとき、樹脂材料は、発光素子1の上面を被覆する高さまで充填する。
個片化工程S19において、図6Jに示すように、例えば、ダイサー72を用いて、境界線91に沿った所定幅の領域に設けられている遮光性部材2を除去することで、発光装置100Aを個片化する。
以上の工程を行うことにより、発光装置100Aを製造することができる。
<第3実施形態>
[発光装置の構成]
第3実施形態に係る発光装置の構成について、図7A及び図7Bを参照して説明する。
第3実施形態に係る発光装置100Bは、第1実施形態に係る発光装置100において、発光装置100の上面である発光素子1の上面、第1の透光性部材3の上面及び遮光性部材2の上面を被覆するように、第2の透光性部材5を更に備えるものである。
発光装置100Bにおいて、発光素子1の上面及び第1の透光性部材3の上面から出射する光は、第2の透光性部材5を通って外部に取り出される。従って、発光装置100Bは、第2の透光性部材5の上面が光取り出し面、すなわち発光面である。
第2の透光性部材5は、第1の透光性部材3と同様の樹脂材料を用いて形成することができる。第2の透光性部材5は、平板状の部材であるが、上面側をレンズ状にしたり、上面側にレンズを設けるようにしてもよい。
また、第2の透光性部材5に、波長変換物質や光拡散性物質、その他のフィラーを含有させるようにしてもよい。第2の透光性部材5に含有させる材料は、第1の透光性部材3に含有されているものと同じものでもよく、異なるものでもよい。例えば、第2の透光性部材5に含有させる波長変換物質の発光色と、第1の透光性部材3に含有させる波長変換物質の発光色とが異なるようにしてもよい。
また、第1の透光性部材3に波長変換物質を含有させず、第2の透光性部材5に波長変換物質を含有させてもよい。このようにすることで、第1の透光性部材3内での光の散乱を低減でき、発光素子1の側面から出射される光が発光素子1側に戻って吸収されることを低減することができる。これにより、光取り出し効率の高い発光装置100Bとすることができる。
また、第2の透光性部材5に、第1の透光性部材3に用いる樹脂材料よりもガスバリア性の高い樹脂材料を用いることで、第1の透光性部材3及び/又は第1の透光性部材3に含有されている波長変換物質などが変質するおそれを低減することができる。
また、第2の透光性部材5の材料として、第1の透光性部材3よりも粘着性の低い樹脂を用いる、もしくはフィラーを第1の透光性部材3よりも多く含有させることで、発光装置100Bの発光面のタック性を低減させることができる。これにより、製造や取り扱いが容易な発光装置100Bとすることができる。
発光装置100Bのその他の構成は、発光装置100と同様であるから説明は省略する。
また、発光装置100Bは、発光素子1の上面及び第1の透光性部材3の上面から光が出射されるところまでは、発光装置100と略同様に動作する。発光装置100Bは、発光素子1の上面及び第1の透光性部材3の上面から出射される光を、第2の透光性部材5を通して外部に取り出す。このため、第2の透光性部材5に、例えば、波長変換物質を含有している場合は、第2の透光性部材5に入射される光の一部又は全部は、波長変換されて外部に取り出される。
[発光装置の製造方法]
次に、第3実施形態に係る発光装置100Bの製造方法について、図3及び図8を参照して説明する。
第3実施形態に係る発光装置100Bは、第1実施形態に係る発光装置100の製造方法において、第1の透光性部材形成工程S18の後、かつ、個片化工程S19の前に、第2の透光性部材形成工程(第2の透光性部材を形成する工程)を行うことで製造することができる。
第2の透光性部材形成工程において、図4Iに示した第1の透光性部材形成工程S18の後で、図8に示すように、発光素子1の上面、第1の透光性部材3の上面及び遮光性部材2の上面を連続して被覆するように、第2の透光性部材5を形成する。第2の透光性部材5は、例えば、ディスペンサ82やスプレーを用いて樹脂材料を塗布し、その後に当該樹脂材料を硬化させることで形成することができる。
なお、第2の透光性部材5に波長変換物質を含有させる場合において、樹脂材料を塗布後に、波長変換物質の粒子が沈降するのを待ってから樹脂材料を硬化させるようにしてもよい。波長変換物質を沈降させることで、第2の透光性部材5の外表面である上面から波長変換物質までの距離が長くなるため、波長変換物質が外気などによって変質するおそれを低減することができる。
次に、個片化工程S19において、境界線91に沿った所定幅の領域に設けられている第2の透光性部材5及び遮光性部材2を、例えば、ダイサーを用いて除去することで、発光装置100Bを個片化する。
他の工程を第1実施形態と同様に行うことで、発光装置100Bを製造することができる。
なお、第1実施形態に係る発光装置100に代えて、第2実施形態に係る発光装置100Aの上面に、すなわち、第1の透光性部材3Aの上面及び遮光性部材2Aの上面を連続して被覆するように第2の透光性部材5を設けた発光装置を構成することもできる。
<第4実施形態>
[発光装置の構成]
第4実施形態に係る発光装置の構成について、図9A及び図9Bを参照して説明する。
第4実施形態に係る発光装置100Cは、第2実施形態に係る発光装置100Aにおいて、第1の透光性部材3Aの上面を被覆するように、第2の透光性部材5を更に備えるものである。第1の透光性部材3Aは蛍光体を含有せず、第2の透光性部材5は蛍光体を含有している。発光素子の上面や側面を被覆する第1の透光性部材3Aに蛍光体を含有させず、第1の透光性部材3Aの上面を被覆する第2の透光性部材5に蛍光体を含有させることで、第1の透光性部材3内での光の散乱を低減でき、発光素子1の側面及び上面から出射される光が発光素子1側に戻って吸収されることを低減することができる。
発光装置100Cにおいて、第1の透光性部材3Aの上面から出射する光は、第2の透光性部材5を通って外部に取り出される。従って、発光装置100Cは、第2の透光性部材5の上面が光取り出し面、すなわち発光領域である。また、本実施形態における第2の透光性部材5は、その側面に遮光性部材2Aが設けられている。第2の透光性部材5の側面にまで遮光性部材2Aを設けることにより、発光領域と非発光領域とのコントラストをより高めることができる。
第4実施形態における第2の透光性部材5は、第3実施形態における第2の透光性部材5と、同様の樹脂材料及び用途に応じて同様の部材を用いて形成することができる。
なお、発光素子1の上面に設けられる第1の透光性部材3Aの厚さ、及び第2の透光性部材5の厚さは、それぞれの部材の機能や含有される材料に応じて、適宜に定めることができる。
なお、発光装置100Cのその他の構成は、第2実施形態に係る発光装置100Aと同様であるから、説明は省略する。
[発光装置の製造方法]
次に、第4実施形態に係る発光装置100Cの製造方法について、図3並びに図10A及び図10Bを参照して説明する。
第4実施形態に係る発光装置100Cは、第2実施形態に係る発光装置100Aの製造方法において、第1の透光性部材形成工程S18において形成する第1の透光性部材3Aの上面の高さを調整し、個片化工程S19よりも前に、第2の透光性部材形成工程を行うことで製造することができる。
第4実施形態では、第1の透光性部材形成工程S18において、図10Aに示すように、ディスペンサ81を用いて、凹部2Aa内に透光性を有する樹脂材料を充填し、その後に当該樹脂材料を硬化させることで第1の透光性部材3Aを形成する。このとき、樹脂材料は、発光素子1の上面を被覆し、かつ、遮光性部材2Aの上面よりも低い高さまで充填する。このように第1の透光性部材3を形成することで、第1の透光性部材3の上面に、凹部2Aaの空間を残しておく。
次に、第2の透光性部材形成工程において、図10Bに示すように、第1の透光性部材3の上面を被覆するように、第2の透光性部材5を形成する。第2の透光性部材5は、ディスペンサ82を用いて樹脂材料を塗布し、その後に当該樹脂材料を硬化させることで形成することができる。このとき、樹脂材料は、第1の透光性部材形成工程S18において残されていた凹部2Aaの空間を充填するように塗布される。
また、他の工程を第2実施形態と略同様に行うことで、発光装置100Cを製造することができる。
<変形例>
[発光装置の構成]
第4実施形態の変形例に係る発光装置の構成について、図11を参照して説明する。
第4実施形態の変形例に係る発光装置100Dは、平面視形状は、図9Aに示した発光装置100Cと略同様であるが、第1の透光性部材3が、発光素子1の側面側のみに設けられ、発光素子1の上面側に設けられていない。このため、第2の透光性部材5は、発光素子1の上面及び第1の透光性部材3の上面に接して設けられている。また、第2の透光性部材5は、側面に遮光性部材2Aが設けられ、上面が遮光性部材2Aの上面と同じ高さとなるように設けられている。
また、発光装置100Dは、第3実施形態に係る発光装置100Bにおいて、第2の透光性部材5が、平面視で、発光素子1及び第1の透光性部材3が設けられた領域と同じ領域に設けられ、その側面が遮光性部材2で被覆されるように構成されたものと見ることもできる。
発光素子1が発した光は、一部が第1の透光性部材3及び第2の透光性部材5を通って外部に取り出され、他の部分が第1の透光性部材3を介さずに第2の透光性部材5を通って外部に取り出される。このため、第1の透光性部材3と、第2の透光性部材5とにそれぞれ異なる発光色の波長変換物質を含有させる場合に、発光装置100Dの発光色の色調を調整しやすくなる。
また、第2実施形態に係る発光装置100Bと同様に、第1の透光性部材3に波長変換物質を含有させず、第2の透光性部材5に波長変換物質を含有させてもよい。このようにすることで、第1の透光性部材3内での光の散乱を低減でき、発光素子1の側面から出射される光が発光素子1側に戻って吸収されることを低減することができる。これにより、光取り出し効率の高い発光装置100Dとすることができる。
[発光装置の製造方法]
次に、第4実施形態の変形例に係る発光装置100Dの製造方法について、図3、図12A及び図12Bを参照して説明する。
本変形例に係る発光装置100Dは、第4実施形態に係る発光装置100Cの製造方法において、第1の透光性部材形成工程S18を以下のように変更することで製造することができる。
第1の透光性部材形成工程S18において、図12Aに示すように、ディスペンサ81を用いて、樹脂材料を凹部2Aa内の発光素子1の側面と遮光性部材2Aの内側面との間の空間に充填する。樹脂材料を発光素子1の上面の高さまで充填することで、発光素子1の側面のみを被覆するように第1の透光性部材3を形成することができる。
次に、第2の透光性部材形成工程において、図12Bに示すように、凹部2Aa内の残された空間に、ディスペンサ82を用いて樹脂材料を充填し、その後、樹脂材料を硬化させることで、第2の透光性部材5を形成することができる。
他の工程を発光装置100Cの製造方法と同様に行うことで、発光装置100Dを製造することができる。
<第5実施形態>
[発光装置の構成]
第5実施形態に係る発光装置の構成について、図13A及び図13Bを参照して説明する。
第5実施形態に係る発光装置100Eは、第4実施形態の変形例に係る発光装置100Dを、平面視で発光素子1の長手方向に2個連結した構成を有するものである。すなわち、発光装置100Eは、複数の発光素子1を備える。
発光装置100Eは、複数の発光素子1を一方向に、特に発光素子1の長手方向に並べて配列することで、幅が狭くて長い発光面を構成することができる。このような長尺の発光面を有する発光装置100Eは、例えば、導光板の側面から光を入射する方式のバックライト装置の光源として好適に用いることができる。
[発光装置の製造方法]
第5実施形態に係る発光装置100Eは、第4実施形態の変形例に係る発光装置100Dの製造方法において、個片化工程S19で個片化する際に、発光素子1の長手方向の境界線91(発光素子1の長手方向に垂直な方向に延伸する境界線)に沿って、1本おきに切断することで製造することができる。なお、平面視で発光素子1の短手方向の境界線91(発光素子1の長手方向に平行な方向に延伸する境界線)については、全て切断する。
<第6実施形態>
[発光装置の構成]
第6実施形態に係る発光装置の構成について、図14を参照して説明する。
第6実施形態に係る発光装置100Fは、第5実施形態に係る発光装置100Eと同様に複数の発光素子1を備えるが、発光素子1の平面視形状が略正方形であることが異なっている。第1の透光性部材3は、発光素子1の形状に合わせて、発光素子1の側面を被覆するように設けられている。第2の透光性部材5は、発光素子1及び第1の透光性部材3の上面を被覆するように、平面視形状が略正方形となるように設けられている。略正方形の発光面が広い発光素子1を2個配列することで、発光装置100Fの照明範囲を、例えば、カメラの撮影範囲に適合させることができる。
従って、このような形状の発光面を有する発光装置100Fは、例えば、スマートフォンなどに搭載されているカメラ用のフラッシュランプの光源として好適に用いることができる。
[発光装置の製造方法]
第6実施形態に係る発光装置100Fは、第5実施形態に係る発光装置100Eとは、発光素子1の平面視形状が異なるが、発光装置100Eと同様にして製造することができるため、製造方法についての説明は省略する。
<その他の変形例>
第5実施形態に係る発光装置100E及び第6実施形態に係る発光装置100Fは、第4実施形態の変形例に係る発光装置100Dを横方向に2個配列した構成であるが、3個以上の発光装置100Dを1次元に配列してもよく、また、縦方向に1次元に配列するようにしてもよい。更にまた、4個以上の発光装置100Dを平面視で縦方向及び横方向の2次元に配列するように構成してもよい。
また、発光装置100Dに代えて、複数個の発光装置100〜発光装置100Cを配列した構成の発光装置とすることもできる。
このような構成の発光装置は、前記した発光装置100〜発光装置100Dの製造方法の個片化工程S19において、1個おき、2個おきなどのように、切断する境界線91を配列する個数に合わせて定めることで製造することができる。
また、各実施形態及びその変形例において、第1の透光性部材3,3A及び/又は第2の透光性部材5に含有させる波長変換物質の種類や量を調整することで、任意の発光色を実現することができる。例えば、電球色の発光装置は、一般の照明装置に適している。また、白色の発光装置と電球色の発光装置とを組み合わせることで、スマートフォンなどに搭載されているカメラ用のフラッシュランプの光源として好適に用いることができる。
各実施形態に示すように、発光素子1の平面視形状は、長方形や正方形に限らず、正六角形、長六角形、その他の多角形であってもよい。例えば正方形や正六角形とすることで、発光面の形状が円形に近づくため、前記したフラッシュランプの光源に適した発光装置とすることができる。
以上、本発明に係る発光装置の製造方法について、発明を実施するための形態により具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。
本開示の実施形態に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内などの各種表示装置、更には、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナなどにおける画像読取装置、プロジェクタ装置など、種々の光源に利用することができる。
1 発光素子(半導体発光素子)
11 素子基板
12 半導体積層体
12n n型半導体層
12a 活性層
12p p型半導体層
12b 露出部
13 n側電極
14 全面電極
15 p側電極
16 絶縁膜
16n,16p 開口部
2,2A 遮光性部材
2a,2Aa 凹部(溶解性部材が除去されることで形成される部分)
3,3A 第1の透光性部材
4,4A 溶解性部材
5 第2の透光性部材
61,62 支持部材
61a 基体
61b 粘着層
71,72 ダイサー
81,82 ディスペンサ
91 境界線
92 研削線
100,100A,100B,100C,100D,100E,100F 発光装置

Claims (7)

  1. 第1の溶剤に溶解する材料を用いて、発光素子の側面を被覆する溶解性部材を形成する工程と、
    前記第1の溶剤への溶解性が前記溶解性部材よりも低く、かつ、遮光性を有する樹脂を用いて、前記溶解性部材の側面を被覆する遮光性部材を形成する工程と、
    前記第1の溶剤を用いて、前記溶解性部材を除去する工程と、
    前記溶解性部材が除去されることで形成される部分に、第1の透光性部材を形成する工程と、を含む発光装置の製造方法。
  2. 前記溶解性部材は、更に前記発光素子の上面を被覆するように形成され、前記溶解性部材を除去する工程において除去される、請求項1に記載の発光装置の製造方法。
  3. 第2の透光性部材を、前記発光素子の上面に形成する請求項1又は請求項2に記載の発光装置の製造方法。
  4. 前記第1の透光性部材又は前記第2の透光性部材は、波長変換物質を含有する請求項1又は請求項2に記載の発光装置の製造方法。
  5. 前記第1の透光性部材を形成する工程において、前記波長変換物質を液状の樹脂に含有させたスラリーを前記溶解性部材が除去されることで形成される部分に滴下する請求項4に記載の発光装置の製造方法。
  6. 前記波長変換物質が沈降してから前記スラリーを硬化させることで前記第1の透光性部材を形成する請求項5に記載の発光装置の製造方法。
  7. 前記第1の溶剤は、アセトン、メチルエチルケトン若しくはその他のケトン系の有機溶剤、又は水である請求項1乃至請求項6の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021125484A (ja) * 2020-01-31 2021-08-30 日亜化学工業株式会社 面状光源の製造方法
JP7506318B2 (ja) 2020-09-28 2024-06-26 日亜化学工業株式会社 波長変換部材及び発光装置

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108231974B (zh) * 2016-12-21 2022-09-02 日亚化学工业株式会社 发光装置的制造方法
WO2018143014A1 (ja) * 2017-02-02 2018-08-09 日立化成株式会社 電子部品の製造方法、仮保護用樹脂組成物及び仮保護用樹脂フィルム
US10224358B2 (en) * 2017-05-09 2019-03-05 Lumileds Llc Light emitting device with reflective sidewall
DE112017007283T5 (de) * 2017-08-11 2019-12-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
JP2019046949A (ja) * 2017-08-31 2019-03-22 豊田合成株式会社 発光素子の製造方法
WO2019042564A1 (en) * 2017-09-01 2019-03-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh SURFACE MOUNTABLE OPTOELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SURFACE MOUNT OPTOELECTRONIC DEVICE
CN109980070B (zh) * 2017-12-22 2024-03-19 海迪科(南通)光电科技有限公司 一种晶圆级芯片级csp封装结构及其制备方法
CN110112123A (zh) * 2018-02-01 2019-08-09 晶元光电股份有限公司 发光装置及其制造方法
US11333320B2 (en) 2018-10-22 2022-05-17 American Sterilizer Company Retroreflector LED spectrum enhancement method and apparatus
EP3905317B1 (en) * 2018-12-26 2022-10-05 NISSAN MOTOR Co., Ltd. Semiconductor device
CN111477117A (zh) * 2019-01-24 2020-07-31 深圳光峰科技股份有限公司 Led显示屏及其制备方法
CN109671600B (zh) * 2019-01-31 2023-10-20 南京工程学院 一种波长可调的AlGaAs光电阴极
DE102019106546A1 (de) * 2019-03-14 2020-09-17 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen und optoelektronisches halbleiterbauteil
CN113707768B (zh) * 2020-05-22 2022-08-26 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种微元件回收方法及其回收系统

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002373953A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Seiko Instruments Inc 気密封止icパッケージの製造方法
JP2006245020A (ja) * 2005-02-28 2006-09-14 Sharp Corp 発光ダイオード素子とその製造方法
JP2007201361A (ja) * 2006-01-30 2007-08-09 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US20120098006A1 (en) * 2010-10-22 2012-04-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Light emitting diode package with photoresist reflector and method of manufacturing
US20120256215A1 (en) * 2011-04-11 2012-10-11 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Package having light-emitting element and fabrication method thereof
JP2012227470A (ja) * 2011-04-22 2012-11-15 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
JP2013536592A (ja) * 2010-08-27 2013-09-19 クォークスター・エルエルシー 全般照明用の固体光シートまたはストリップ
JP2013251417A (ja) * 2012-06-01 2013-12-12 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
WO2014091914A1 (ja) * 2012-12-10 2014-06-19 シチズンホールディングス株式会社 Led装置及びその製造方法
WO2015001037A1 (de) * 2013-07-03 2015-01-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
JP2015513213A (ja) * 2012-02-02 2015-04-30 ザ プロクター アンド ギャンブルカンパニー 二方向性光シート
JP2015103632A (ja) * 2013-11-22 2015-06-04 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法ならびにこの発光装置を備える照明装置
JP6217711B2 (ja) * 2015-08-21 2017-10-25 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6288009B2 (ja) * 2015-08-31 2018-03-07 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5619680B2 (ja) 2011-06-03 2014-11-05 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光素子の製造方法
US8564004B2 (en) * 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002373953A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Seiko Instruments Inc 気密封止icパッケージの製造方法
JP2006245020A (ja) * 2005-02-28 2006-09-14 Sharp Corp 発光ダイオード素子とその製造方法
JP2007201361A (ja) * 2006-01-30 2007-08-09 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2013536592A (ja) * 2010-08-27 2013-09-19 クォークスター・エルエルシー 全般照明用の固体光シートまたはストリップ
US20120098006A1 (en) * 2010-10-22 2012-04-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Light emitting diode package with photoresist reflector and method of manufacturing
US20120256215A1 (en) * 2011-04-11 2012-10-11 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Package having light-emitting element and fabrication method thereof
JP2012227470A (ja) * 2011-04-22 2012-11-15 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
JP2015513213A (ja) * 2012-02-02 2015-04-30 ザ プロクター アンド ギャンブルカンパニー 二方向性光シート
JP2013251417A (ja) * 2012-06-01 2013-12-12 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
WO2014091914A1 (ja) * 2012-12-10 2014-06-19 シチズンホールディングス株式会社 Led装置及びその製造方法
WO2015001037A1 (de) * 2013-07-03 2015-01-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
JP2015103632A (ja) * 2013-11-22 2015-06-04 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法ならびにこの発光装置を備える照明装置
JP6217711B2 (ja) * 2015-08-21 2017-10-25 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6288009B2 (ja) * 2015-08-31 2018-03-07 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021125484A (ja) * 2020-01-31 2021-08-30 日亜化学工業株式会社 面状光源の製造方法
JP7117684B2 (ja) 2020-01-31 2022-08-15 日亜化学工業株式会社 面状光源の製造方法
US11699689B2 (en) 2020-01-31 2023-07-11 Nichia Corporation Method for manufacturing planar light source
JP7506318B2 (ja) 2020-09-28 2024-06-26 日亜化学工業株式会社 波長変換部材及び発光装置

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