JP2019134187A - 発光装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
また、特許文献2には、樹脂に46重量%以上の光反射性フィラーを含有させた樹脂材料を用いてパッケージを形成し、パッケージの凹部にLEDを搭載した発光装置が記載されている。
また、白色樹脂で十分な反射率を得るためには、例えば、特許文献2に記載された樹脂材料のように、光反射性フィラーを高含有率で添加する必要がある。しかしながら、光反射性フィラーを高含有率で添加すると、樹脂材料の流動性が低下して固くなるため、成形性が悪くなり、また成形品が脆くなるため、成形品の信頼性が低下する。
このため、樹脂材料を用いて半導体発光素子の側面に、光反射性が良好で、かつ信頼性が高い反射層(光反射部材)を形成するのは難しかった。
また、本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法によれば、正面方向の輝度が高く、信頼性の高い発光装置を製造することができる。
なお、以下の説明において参照する図面は、本発明の実施形態を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、平面図とその断面図において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。
[発光装置の構成]
まず、図1及び図2を参照して、本発明の第1実施形態に係る発光装置の構成について説明する。
図1に示すように、本実施形態に係る発光装置100は、半導体発光素子1(以下、適宜「発光素子」と呼ぶ)と、光反射部材2と、波長変換部材3と、実装基板(サブマウント)9と、を備えて構成されている。
発光素子1は、半田などの導電性を有する接着部材93を介して、実装基板9にフリップチップ実装されている。また、発光素子1の側面には、第1層21及び第2層22を有する光反射部材2が設けられ、発光素子1の上面側からの光取り出し効率の向上が図られている。また、発光素子1の上面には、波長変換部材3が設けられており、発光素子1が発する光の少なくとも一部を異なる波長の光に変換して出射するように構成されている。
発光素子1は、平面視で横長の長方形である略直方体形状を有しており、n側電極13及びp側電極15が一方の面側に設けられるとともに、サブマウントである実装基板9の配線用電極92n,92pと、導電性の接着部材93を介して接合されるフリップチップ実装に適した構成を有するLEDチップである。
ここで、図2を参照して、発光素子1の構成例について説明する。なお、図2においては、n側電極13及びp側電極15が設けられた面が上方となるように示しており、図1(b)とは上下が逆に示している。また、図1及び後記する図6などでは、発光素子1の構成は簡略化して示している。
発光素子1は、成長基板11の一方の面上に、n型半導体層12nとp型半導体層12pとを積層した半導体積層体12を備えている。半導体積層体12は、n側電極13及びp側電極15間に外部電源を接続して通電することにより発光するようになっており、n型半導体層12nとp型半導体層12pとの間に活性層12aを備えることが好ましい。
また、n側電極13及びp側電極15は、絶縁膜16を介して、全面電極14上の広範囲に延在するように設けられている。
絶縁膜16としては、金属酸化物や金属窒化物を用いることができ、例えば、Si、Ti、Zr、Nb、Ta、Alからなる群より選択された少なくとも一種の金属の酸化物又は窒化物を好適に用いることができる。
光反射部材2は、発光素子1の側面を被覆するように設けられ、発光素子1の側面から出射する光を発光素子1内に反射させるものである。ここで、光反射部材2は、光が伝播する部材である半導体積層体12及び成長基板11の側面に設けられる。これによって、光取り出し面である発光素子1の上面の発光輝度を向上させることができる。
第1層21及び第2層22は、透光性を有する樹脂に、光反射性物質の粒子を含有させた層として形成される。
また、このような光反射部材2を備えることで、発光装置100の光取り出し面方向である正面方向の発光輝度と、発光装置100の信頼性とを向上させることができる。
良好な反射性が得られるように、第1層21の光反射性物質の含有率は、60質量%以上とすることが好ましく、90質量%以上とすることがより好ましい。また、光反射性物質の粒子同士の十分な結着性が得られるように、第1層21の光反射性物質の含有率は、99質量%以下することが好ましい。
なお、第1層21と発光素子1の側面との間に十分な密着性が得られれば、第1層21の光反射性物質の含有率が99質量%を超えてもよい。
また、第1層21は、第2層22による補強によって形状が維持可能な範囲で、厚い膜厚で形成することが好ましい。このために、第1層21は、膜厚を30μm以下とすることが好ましい。
第2層22の光反射性物質の含有率は、10質量%以上60質量%以下とすることが好ましく、20質量%以上50質量%以下とすることがより好ましい。
なお、第1層21が十分に高い光反射率(例えば、90%以上)とすることができる場合は、第2層22に含有させる光反射性物質の含有率は、1質量%程度としてもよく、含有させないようにしてもよい。
また、第2層22は、第1層21の形状を維持可能に十分に補強できる膜厚で形成することが好ましい。このために、第2層22は、膜厚を30μm以上とすることが好ましい。
なお、第1層21に用いる樹脂材料と第2層22に用いる樹脂材料とは、異なる材料を用いてもよいが、同種の材料を用いることで、より高い密着性で第1層21と第2層22とを接合させることができる。また、第2層22の成形の際に、粘度や流動性を調整するために、前記したスラリーにシリカなどを添加するようにしてもよい。
このような光反射性物質としては、屈折率が、例えば1.8以上であって、光を効率的に散乱し高い光取り出し効率を得るためには、2.0以上であることが好ましく、2.5以上であることがより好ましい。樹脂材料との屈折率差は、例えば0.4以上であって、光を効率的に散乱し高い光取り出し効率を得るためには、0.7以上であることが好ましく、0.9以上であることがより好ましい。また、光反射性物質の粒子の平均粒径(メジアン径)は、高い効率で光散乱効果を得られるように、0.08μm以上10μm以下であることが好ましく、0.1μm以上5μm以下であることがより好ましい。
また、より良好な反射性を得るために、発光素子1が発する光が可視光の場合には、光反射性物質としてTiO2を用いることが好ましく、紫外光の場合には、光反射性物質としてAl2O3を用いることが好ましい。
本実験では、光反射性物質として、平均粒径(メジアン径)が0.2μmのTiO2の粒子を用い、透光性の樹脂材料として、シリコーン樹脂を用いて反射膜を形成した。第1層21を想定して、TiO2の含有率が95質量%(白丸「○」でプロット)、60質量%(黒丸「●」でプロット)の場合について、スプレー法(SP)で反射膜を作製した。また、第2層22を想定して、TiO2の含有率が60質量%(白四角「□」でプロット)、40質量%(黒四角「■」でプロット)の場合について、トランスファーモールド法(TM)で反射膜を作製した、
図3に示すように、光反射性物質であるTiO2の含有率が高くなるほど、また膜厚が厚くなるほど光反射率が高くなることが分かる。
なお、実験例1,2の反射膜はスプレー法で形成し、実験例3の反射膜はトランスファーモールド法で形成した。また、表1に示した実験結果として示した実験例1〜3は、第1層21に相当する膜厚の反射膜のみを設けて実験したものである。
波長変換部材3は、発光素子1の光取り出し面である上面側に設けられており、発光素子1が発する光を異なる波長の光に変換する波長変換物質を含有する層である。
波長変換物質とは蛍光体であり、波長変換部材3は、例えば、蛍光体の粒子を含有した透光性の樹脂を用いて形成することができる。樹脂材料としては、前記した光反射部材2に用いる樹脂と同様のものを用いることができる。また、波長変換部材3に光拡散性を付与するために、光拡散性物質の粒子を含有させるようにしてもよい。光拡散性物質としては、前記した光反射性物質を用いることができる。
なお、蛍光体の平均粒径の値は、空気透過法又はF.S.S.S.No(Fisher−SubSieve−Sizers−No.)によるものとする(いわゆるDバー(Dの上にバー)で表される値)。
実装基板9は、平面視で、発光素子1が包含されるような大きさで形成されている。配線用電極92nはn側電極13と、配線用電極92pはp側電極15と、それぞれ導電性を有する半田などの接着部材93を用いて接合されている。
また、実装基板9の上面には、発光素子1の側面を被覆する光反射部材2が、その下面が密着するように設けられている。また、配線用電極92n,92pの露出部が、外部との接続端子として用いられる。
次に、図1を参照(適宜図2参照)して、発光装置100の動作について説明する。
なお、説明の便宜上、発光素子1は青色光を発光し、波長変換部材3は青色光を吸収して黄色光を発光するものとして説明する。
発光素子1の活性層12aが発光した青色光は、発光素子1の半導体積層体12及び成長基板11内を伝播して、発光素子1の上面から波長変換部材3に入射される。また、発光素子1内を横方向に伝播する光は光反射部材2によって発光素子1内に反射され、下方向に伝播する光は、全面電極14などによって上方に反射され、光取り出し面である発光素子1の成長基板11側から波長変換部材3に入射される。
なお、発光素子1の側面に向かって伝播する光は、主として光反射部材2の第1層21によって効率よく反射される。また、第1層21を透過した光も第2層22によって反射される。
次に、図4から図8を参照して、図1に示した第1実施形態に係る発光装置100の製造方法について説明する。
図4に示すように、発光装置100の製造方法は、半導体発光素子準備工程S101と、実装基板準備工程S102と、半導体発光素子実装工程S103と、第1層形成工程S104と、第2層形成工程S105と、光反射部材除去工程S106と、波長変換部材形成工程S107と、個片化工程S108と、を含んでいる。なお、第1層形成工程S104と第2層形成工程S105と光反射部材除去工程S106とで、光反射部材形成工程が構成されている。
半導体積層体12が形成されると、半導体積層体12の表面の一部の領域について、p型半導体層12p及び活性層12aの全部、並びにn型半導体層12nの一部をエッチングにより除去してn型半導体層12nが底面に露出した段差部12bを形成する。
次に、n側電極13とn型半導体層12nとが接続される領域、及びp側電極15と全面電極14とが接続される領域に、開口部16n,16pを有するように、ウエハの表面全体に、例えば、スパッタリング法により、SiO2などの絶縁膜16を形成する。
次に、開口部16nから絶縁膜16の上面にかけて延在するように、パッド電極であるn側電極13を形成する。また、開口部16pから絶縁膜16の上面にかけて延在するように、パッド電極であるp側電極15を形成する。
次に、ダイシング法、スクライブ法などにより、ウエハ状態の発光素子1を所定の分割領域で割断することにより個片化された発光素子1を作製することができる。
なお、ウエハを割断する前に、成長基板11の裏面を研磨して薄肉化するようにしてもよい。これにより、容易に割断することができる。
図5に示すように、集合基板90は、縦方向に6個、横方向に3個の実装基板9が配列して構成されている。図5において、個々の実装基板9の領域を、境界線81及び境界線82で区画して示している。また、集合基板90には、境界線82に沿って、基体91を厚さ方向に貫通する溝91aが形成されており、実装基板9は横方向には予め分離されている。また、基体91の上面から溝91aを介して下面側にまで延在するように、個々の実装基板9に対応して、それぞれ一対の配線用電極92n,92pが設けられている。基体91の上面側の中央部に設けられた配線用電極92n,92pのそれぞれの矩形領域が、発光素子1のn側電極13及びp側電極15と接続するための接続部92na,92paである。
また、配線用電極92n,92pの基体91の長手方向の両端部に設けられた領域が、2次実装時に外部と接続するための領域となる。
図6に示すように、半田などの導電性の接着部材93を用いて、n側電極13と配線用電極92nの接続部92naとを接合するとともに、p側電極15と配線用電極92pの接続部92paとを接合することで、発光素子1を実装基板9にフリップチップ実装する。
なお、図7(a)は、図6(a)のIII−III線に相当する位置における断面を示したものである。図7(b)から図7(d)も同様である。
なお、本工程では、発光素子1の側面の他に、発光素子1の上面及び発光素子1の近傍の実装基板9の上面の一部にも塗膜が形成される。
テープ63は、前記したスラリーに用いられる溶剤などに対して耐薬品性を有し、剥離又は適宜な薬剤による溶解などで除去可能なものであれば特に限定されない。
パルススプレー法では、噴射量を少なくすることができるため、1回のスプレー塗布による塗布量を低減して薄膜を形成することができる。そして、スプレー塗布を複数回繰り返すことにより、塗布膜を精度のよい膜厚で形成することができる。また、樹脂材料として熱硬化性樹脂を用い、複数回のスプレー塗布の間に、1回の塗布ごと又は所定回数(例えば、3回)の塗布ごとに熱硬化性樹脂の仮硬化処理を行うことにより、液垂れなどにより膜厚が不均一となることを防止し、均一性の高い良好な膜厚精度で、塗布膜を形成することができる。
なお、ここで仮硬化とは、熱硬化性樹脂の硬化温度よりも低い温度で加熱することで、熱硬化性樹脂を含有するスラリーの流動性を消失させる程度に硬化させることをいう。
なお、熱硬化性樹脂としては、前記した樹脂材料を用いることができる。また、溶剤としては、n−ヘキサン、n−ヘプタン、トルエン、アセトンなどの有機溶剤を用いることができる。
(参考文献1)特開昭61−161175号公報
(参考文献2)特開2003−300000号公報
ここで、本硬化とは、熱硬化性樹脂の硬化温度以上で加熱することで、熱硬化性樹脂を完全に硬化させることをいう。
なお、スプレー法により波長変換部材3を形成する場合は、発光素子1及び光反射部材2の上面を除き、例えば、マスキング用のテープで被覆しておくことが好ましい。
[発光装置の構成]
次に、図9を参照して、第2実施形態に係る発光装置について説明する。
図9に示すように、第2実施形態に係る発光装置100Aは、図1に示した第1実施形態に係る発光装置100に対して、波長変換部材3が発光素子1の上面にのみ設けられていることと、波長変換部材3の上面に透明層7が設けられていることと、光反射部材2が波長変換部材3及び透明層7の側面を被覆する高さまで設けられていることと、が異なる。
発光装置100Aは、波長変換部材3が平面視で発光素子1の上面と同じ領域に設けられ、更に側面が光反射部材2によって被覆されているため、正面方向(図9の上方向)の発光輝度をより高くすることができる。
透明層7は、光反射部材除去工程S206(図10参照)において、光反射部材2の上部を除去する際に、波長変換部材3に損傷を与えずに、波長変換部材3を光学的に露出させるための膜である。当該工程の詳細については後記する。
次に、図10及び図11を参照して、図9に示した第2実施形態に係る発光装置100Aの製造方法について説明する。
図10に示すように、発光装置100Aの製造方法は、半導体発光素子準備工程S201と、実装基板準備工程S202と、半導体発光素子実装工程S203と、第1層形成工程S204と、第2層形成工程S205と、光反射部材除去工程S206と、個片化工程S207と、を含んでいる。
本実施形態では、波長変換部材3を形成する工程は、半導体発光素子準備工程S201に含まれる。以下、図11を参照して、主として第1実施形態と異なる工程について詳細に説明する。
実装基板準備工程S202は、第1実施形態における実装基板準備工程S102と同様であるから説明は省略する。
なお、透明層7の膜厚は、切削の加工精度に応じて、当該加工精度よりも厚くなるように定めることができる。
以上により、図9に示した発光装置100Aが形成される。
[発光装置の構成]
次に、図12を参照して、第3実施形態に係る発光装置について説明する。
図12に示すように、第3実施形態に係る発光装置100Bは、図1に示した第1実施形態に係る発光装置100に対して、光反射部材2に代えて光反射部材2Bを備えることが異なる。光反射部材2Bは、第1層21Bが樹脂リッチ層23を介して発光素子1の側面に設けられている。
発光装置100Bは、第1実施形態に係る発光装置100の製造方法において、半導体発光素子実装工程S103の後に、かつ、第1層形成工程S104を行う前に、樹脂リッチ層23を形成し、他の工程を同様に行うことで製造することができる。
具体的には、第1層形成工程S104において第1層21Bを形成する前に、スプレー法などによって、発光素子1の表面を被覆するように、樹脂リッチ層23を形成する。
以上により、図12に示した発光装置100Bが形成される。
[発光装置の構成]
次に、図13を参照して、本発明の第4実施形態に係る発光装置の構成について説明する。
図13に示すように、第4実施形態に係る発光装置100Cは、発光素子1Cと、光反射部材2Cと、波長変換部材3と、透光性部材4と、支持部材5と、外部接続用電極6n,6pと、を備えて構成されている。
発光装置100Cは、図1に示した発光装置100とは、発光素子1Cの側面に設けられる透光性部材4を備え、光反射部材2Cが、透光性部材4を介して発光素子1Cの側面を被覆するように設けられていることが異なる。
発光装置100Cは、サブマウントである実装基板9に代えて、外部接続用電極6n,6pと支持部材5とを備え、CSP型のパッケージを構成している。また、発光装置100Cで用いられる発光素子1Cは、平面視形状が略正方形をしている。
なお、発光装置100と同様の構成要素については、同じ符号を付して説明は適宜に省略する。
また、発光素子1Cの側面である半導体積層体12及び成長基板11(図2参照)の側面には透光性部材4が設けられている。
また、発光素子1Cの下面側には、n側電極13と電気的に接続される外部接続用電極6nと、p側電極15と電気的に接続される外部接続用電極6pと、平面視で外部接続用電極6n,6pの周囲を囲むように設けられた支持部材5と、が設けられている。
図13(b)に示した例では、透光性部材4の外側面は、その断面形状が直線となるように平面で構成されているが、これに限定されるものではなく、下に凸状に、又は上に凸状に湾曲した外側面としてもよい。
また、透光性部材4は、液状又はペースト状の樹脂材料を、例えば、ディスペンサを用いて発光素子1Cの側面に供給し、その後に硬化させることで形成することができる。
また、図13(b)に示した例では、光反射部材2Cの下面は、支持部材5の下面と同じ高さとなるように設けられている。
なお、第1層21C及び第2層22Cは、それぞれ第1実施形態の第1層21及び第2層22と同様の材料を用いて、同様の方法で形成することができる。
外部接続用電極6n,6pは、例えば、電解メッキによるメッキポストとして形成することができる。また、外部接続用電極6n,6pは、金属ワイヤを用いて形成することもできる。外部接続用電極6n,6pとしては、例えば、Cu、Auなどの導電性及び熱伝導性の良好な金属材料を用いることが好ましい。
次に、図13を参照(適宜図2参照)して、発光装置100Cの動作について説明する。
なお、説明の便宜上、発光素子1Cは青色光を発光し、波長変換部材3は青色光を吸収して黄色光を発光するものとして説明する。
発光素子1Cの活性層12aが発光した青色光は、発光素子1Cの半導体積層体12及び成長基板11内を伝播して、発光素子1Cの上面から波長変換部材3を介して外部に取り出される。また、発光素子1C内を横方向に伝播する光は透光性部材4に入射され、外側に光反射部材2Cが設けられた外側面で上方向に反射され、波長変換部材3を介して外部に取り出される。また、発光素子1C内を下方向に伝播する光は、全面電極14などによって上方に反射され、波長変換部材3を介して外部に取り出される。
次に、図14を参照して、図13に示した第4実施形態に係る発光装置100Cの製造方法について説明する。
図14に示すように、発光装置100Cの製造方法は、半導体発光素子準備工程S301と、半導体発光素子載置工程S302と、透光性部材形成工程S303と、第1層形成工程S304と、第2層形成工程S305と、光反射部材除去工程S306と、シート除去工程S307と、波長変換部材形成工程S308と、個片化工程S309と、を含んでいる。なお、第1層形成工程S304と第2層形成工程S305と光反射部材除去工程S306とで、光反射部材形成工程が構成されている。
そのために、まず、第1実施形態における半導体発光素子準備工程S101(図4参照)と同様の手順で、発光素子1Cを形成する。
次に、発光素子1Cの電極形成面側に、フォトレジストを用いて、フォトリソグラフィ法によって支持部材5を形成する。このとき、支持部材5は、外部接続用電極6n,6pが形成される領域に開口部を有するようにパターニングされる。
次に、前記した開口部内を含めて、支持部材5上に、例えばスパッタリング法などによって、電解メッキのシード層となる金属膜を形成する。
次に、このシード層を電流経路とする電解メッキを行うことで、支持部材5の開口部内に、外部接続用電極6n,6pとして金属メッキ層を形成する。
次に、支持部材5及び金属メッキ層の上面を、所定の高さに切削することで、支持部材5及び外部接続用電極6n,6pが設けられた発光素子1Cが形成される。
なお、支持部材5及び外部接続用電極6n,6pの形成までをウエハレベルプロセスで行い、これらの部材を形成後に、発光素子1Cを個片化するようにしてもよい。
また、図15(a)において、個々の発光装置100Cを区画する領域を、境界線81,82で示している。
透光性部材4は、例えば、透光性を有する樹脂材料を、ディスペンサなどを用いて発光素子1Cの側面に接するように供給し、その後に樹脂材料を硬化させることで形成することができる。透光性部材4は、外側面が、平面視で光取り出し方向(図16(b)において発光素子1Cの下面側)ほど外側となるように傾斜した傾斜面とすることが好ましい。このような形状は、発光素子1Cの成長基板11の下面とシート66の上面とがなす角部に、適宜な粘度を有する樹脂材料を供給し、重力により下方ほど広がった形状として硬化させることで形成することができる。また、金型を用いて外側面の形状を成型して硬化させるようにしてもよい。
なお、図17(a)は、図15(a)のV−V線に相当する位置における断面を示すものである。図17(b)の他の図及び図18の各図も同様である。
第2層22Cの形成方法としては、第1実施形態と同様の方法を用いることができるため、説明は省略する。
また、波長変換部材3は、第1実施形態と同様にして形成することができるため、詳細な説明は省略する。
以上により、図13に示した発光装置100Cが形成される。
[発光装置の構成]
次に、図19を参照して、本発明の第5実施形態に係る発光装置の構成について説明する。
図19に示すように、第5実施形態に係る発光装置100Dは、図13に示した第4実施形態に係る発光装置100Cに対して、透光性部材4に代えて、透光性部材4Dを備えることが異なる。
他の構成は、第4実施形態に係る発光装置100Cと同様であるから説明は省略する。
次に、図20及び図21を参照して、図19に示した第5実施形態に係る発光装置100Dの製造方法について説明する。
図20に示すように、発光装置100Dの製造方法は、半導体発光素子準備工程S401と、透光性部材塗布工程S402と、半導体発光素子載置工程S403と、第1層形成工程S404と、第2層形成工程S405と、光反射部材除去工程S406と、シート除去工程S407と、波長変換部材形成工程S408と、個片化工程S409と、を含んでいる。なお、第1層形成工程S404と第2層形成工程S405と光反射部材除去工程S406とで、光反射部材形成工程が構成されている。
また、発光素子1Cが透光性部材4Dによって下面及び側面を被覆された状態で、透光性部材4Dを硬化させる。なお、透光性部材4Dとして熱硬化性樹脂を用いる場合は、自然乾燥又は/及び加熱により硬化させることができる。
なお、図21(c)において、シート除去工程S407の後の発光素子1Cは、透光性部材4Dが設けられた面が上方となるように配置されている。
以上により、図19に示した発光装置100Dが形成される。
図1に示した発光装置100では、光反射部材2は、第1層21と第2層22とを積層した2層構成の反射層であるが、第1層21と第2層22とを、交互に複数組を積層して構成するようにしてもよい。これによって、より反射率の高い光反射部材2を構成することができる。また、この場合においても、第1層21に用いられる樹脂材料として、第2層に用いられる樹脂材料よりも屈折率が高くなるように構成することが好ましい。これによって、スネルの法則に基づく界面反射を利用でき、光反射部材2の反射率を更に向上させることができる。
11 成長基板
12 半導体積層体
12n n型半導体層
12a 活性層
12p p型半導体層
12b 段差部
13 n側電極
14 全面電極
15 p側電極
16 絶縁膜
2,2B,2C 光反射部材
21,21B,21C 第1層
22,22C 第2層
23 樹脂リッチ層
3 波長変換部材
4,4D 透光性部材
5 支持部材
6n,6p 外部接続用電極
7 透明層
9 実装基板(基板)
90 集合基板
91 基体
92n,92p 配線用電極
92na,92pa 接続部
93 接着部材
61,64 スプレー装置
62,65 スプレー
63 テープ
66 シート
71,72,73 切削線
81,82 境界線
100,100A,100B,100C,100D 発光装置
Claims (8)
- 上面に一対の配線用電極が設けられた基板と、
前記基板の上面上に実装された発光素子と、
前記発光素子の上面上に設けられた波長変換部材と、
前記波長変換部材の上面上に設けられた透明層と、
前記発光素子、前記波長変換部材及び前記透明層の各側面に設けられるとともに、前記透明層の上面上に設けられた光反射部材と、
を含む構造を準備する工程と、
前記光反射部材の上面側から前記透明層の上面と底面との間に位置する部分まで、前記光反射部材の一部及び前記透明層の一部を除去する工程と、を含む発光装置の製造方法。 - 前記光反射部材の一部及び前記透明層の一部を除去した後の前記透明層の厚さは、前記波長変換部材の厚さよりも薄い請求項1に記載の発光装置の製造方法。
- 前記光反射部材の一部及び前記透明層の一部を除去する工程において、前記光反射部材の一部及び前記透明層の一部は、前記光反射部材の上面が前記透明層の上面と同一平面となるように除去される請求項1又は請求項2に記載の発光装置の製造方法。
- 前記光反射部材は、シリコーン樹脂とTiO2とを含む請求項1乃至請求項3の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記波長変換部材は、赤色に発光する蛍光体と緑色に発光する蛍光体とを含む請求項1乃至請求項4の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記赤色に発光する蛍光体はKSF系蛍光体であり、前記緑色に発光する蛍光体はβサイアロン蛍光体である請求項5に記載の発光装置の製造方法。
- 前記発光素子と前記波長変換部材との間に透光性部材を更に備える請求項1乃至請求項6の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記透光性部材は、前記発光素子の上面と前記発光素子の側面の一部とを覆っている請求項7に記載の発光装置の製造方法。
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