JP2013251417A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】発光素子と波長変換部材とを備えた発光装置において、発光色のバラツキの少ない発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１０は、青色光を発光する半導体発光素子３と、光取り出し面である半導体発光素子３の裏面側に、半導体発光素子３が発光する青色光を吸収し、黄色光に変換する蛍光体を含有する樹脂からなる蛍光層５とを備える。また、発光装置１０は、半導体発光素子３のその他の面である表面及び側面が、反射材を含有した樹脂からなる反射層６で被覆されている。これにより、半導体発光素子３が発光した青色光は、厚さが精度よく形成された蛍光層５を通過して外部に取り出されることになり、蛍光層５によって波長変換されて取り出される黄色光と、波長変換されずに取り出される青色光との割合の、チップ同士でのバラツキを抑制し、発光色のバラツキを低減することができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光素子と波長変換部材とを備えた発光装置に関する。

青色光を高輝度に発光可能な発光素子である窒化物半導体を利用したＬＥＤ（発光ダイオード）チップを用い、このＬＥＤチップ上にＬＥＤチップから放出された青色光の一部を吸収して黄色光を発光する蛍光体を含有する樹脂層を設け、ＬＥＤチップが発光する青色光とこの樹脂層による黄色光とを混色させることにより、白色光を出力する発光装置が知られている。

例えば、特許文献１及び特許文献２には、基板上に複数のＬＥＤが形成されたウェーハ上に各ＬＥＤのコンタクトに電気的に接触する脚柱を形成し、燐光体を添加した接着剤などの被覆により、ＬＥＤ、コンタクト、及び脚柱を埋設し、その被覆を平坦化且つ薄層化して脚柱の上面を露出させた後、ウェーハを個々のＬＥＤチップに個片化することで製作されるＬＥＤチップが記載されている。

また、特許文献３には、多数個のＬＥＤチップを備えたＬＥＤ素材板をエキスパンションシートに貼付けた後、ＬＥＤチップごとに分割し、エキスパンションシートを延伸して各ＬＥＤチップの間隔を広げ、その間に蛍光物質を含む合成樹脂層を形成し、この合成樹脂層のうち各ＬＥＤチップの間の部分を、各ＬＥＤチップの側面に合成樹脂層の一部を残してダイシングすることで製造されるＬＥＤ素子が記載されている。

また、特許文献４には、フリップチップ構造のＬＥＤチップを、シートの上面に対して、当該ＬＥＤチップのｎ電極及びｐ電極が密着するように多数個縦横方向に並べて剥離可能に接着し、蛍光物質の粉末を含む光透過性合成樹脂を液体の状態で各ＬＥＤチップの全体が埋設するようにシートの上面に充填し硬化させて樹脂板を形成し、樹脂板のうち各ＬＥＤチップの間の部分を各ＬＥＤチップにおける側面間の間隔寸法よりも狭い切削幅でダイシングすることで製造されるＬＥＤ素子が記載されている。

また、特許文献５には、複数の光学素子（ＬＥＤ素子）を備える光学素子シートを、配線パターンが形成された基板シートにフリップチップ実装により一括して接合した後、光学素子シートをダイシングして光学素子同士を分離し、基板シートに積層し且つ光学素子の側面を覆う反射性樹脂層を形成し、更に光学素子及び反射樹脂層に積層し且つ蛍光体を含有する樹脂からなる光透過樹脂層を形成した後、樹脂層及び基板シートを一括してダイシングすることで製造される光学装置が記載されている。

また、特許文献６には、透明基板上に、複数個のＬＥＤを形成できるように、ｎ型及びｐ型窒化物半導体層を形成し、各半導体層上にｎ側電極及びｐ側電極とその各電極の部分に貫通孔を有する絶縁層を形成し、その貫通穴に金属層を形成し該金属層に接続する外部接続用電極を絶縁層の表面に形成した後、透明基板が露出する程度までの溝をＬＥＤの外周を囲むように設け、その溝に白色顔料を混入した反射性樹脂を充填し、更に透明基板の表面にＹＡＧ蛍光粒子を混入した蛍光樹脂を形成し、溝に充填した反射性樹脂の真上から、その溝幅よりも狭幅のブレードで個々のＬＥＤを分離することで製造されるフリップチップ実装型ＬＥＤが記載されている。

特表２０１０−５１７２８９号公報 特表２０１０−５１７２９０号公報 特開２００５−５６０４号公報 特開２００５−３２７７８６号公報 特開２０１１−６６１９３号公報 特開２０１１−９５７２号公報 特開２００２−１１８２９３号公報 特開２００３−７９２９号公報

しかしながら、特許文献１及び特許文献２に記載されＬＥＤチップにおいては、ウェーハの面内の部位に依存して発光波長が違うため、燐光体を添加した接着剤などの被覆をすべてのＬＥＤチップに均一に形成した場合、最終的に個片化されたＬＥＤチップの発光色に大きなバラツキが生じることとなる。

また、特許文献３及び特許文献４に記載されたＬＥＤ素子においては、シート上のＬＥＤチップの間隔に大きなバラツキが生じ、それによりＬＥＤチップの側面に形成される蛍光物質を含む合成樹脂層の厚さに大きなバラツキが生じるため、ＬＥＤ素子の発光色に大きなバラツキが生じることとなる。

特許文献５に記載された光学装置においては、光学シートは基板シートに接合された状態でダイシングされ、特定の発光波長の光学素子を選別して蛍光体を含有する光透過樹脂層を形成することができない。このため、特許文献１及び特許文献２と同様に、光学シートの面内の部位による発光波長の違いにより、光学装置の発光色に大きなバラツキが生じることとなる。また、この光学装置は、蛍光体を含有する光透過樹脂層を有する光学素子が予め配線基板に実装された形態で形成される。

特許文献６に記載されたフリップチップ実装型ＬＥＤにおいては、特許文献１及び特許文献２と同様に、透明基板上における半導体層の面内の部位による発光波長の違いにより、個々のＬＥＤの発光色に大きなバラツキが生じることとなる。また、このフリップチップ実装型ＬＥＤは、透明基板及び絶縁層の側面には反射性樹脂層が形成されるが、下面側については、ｎ側電極及びｐ側電極と外部接続用電極とによって光を反射するため、必ずしも十分な光取り出し効率が得られない。

本発明は、かかる問題に鑑みて創案されたものであり、発光素子と波長変換部材とを備えた発光装置において、発光色のバラツキの少ない発光装置を提供することを課題とする。

前記した課題を解決するために、第１の発明に係る発光装置は、基板と、前記基板上にｎ型半導体層とｐ側半導体層とが積層された発光素子構造とを備えた発光素子を有し、前記発光素子の前記発光素子構造を有する面側に、前記ｎ型半導体層と電気的に接続されたｎ側外部接続用電極と、前記ｐ型半導体層と電気的に接続されたｐ側外部接続用電極とが配置され、前記発光素子からの光取り出し面である前記発光素子の一方の面上に、前記発光素子が発光する光の少なくとも一部を、異なる波長の光に変換して出射する波長変換部材を備えた発光装置であって、前記発光素子の他方の面を被覆するとともに、前記発光素子の側面を包囲するように設けられた光反射性の反射部材を有し、前記ｎ側外部接続用電極及び前記ｐ側外部接続用電極の外部と接続するための接続面が、前記発光素子の前記発光素子構造を備える側の面上に設けられた前記波長変換部材又は前記反射部材から露出しているように構成した。

かかる構成によれば、発光装置は、ｎ側外部接続用電極及びｐ側外部接続用電極の接続面が、発光素子構造を備える側の面上に設けられた波長変換部材又は反射部材から露出した、実装基板に実装可能な発光装置である。発光装置は、半導体発光素子が発光した光（例えば、青色光）を、光取り出し面側に設けられた波長変換部材を通過する際に、少なくとも一部が異なる波長の光（例えば、黄色光）に変換されて外部に取り出される。また、半導体発光素子内を横方向又は下方向に進行する光は、反射部材によって反射され、光取り出し面側に設けられた波長変換部材を通過して外部に取り出される。このとき、外部に取り出される光の大部分、好ましくは実質的にそのすべてが、波長変換部材を通過する。そして、波長変換部材を通過する際に波長変換されて取り出される光と波長変換されずに取り出される光とが混色した色調の光（例えば、白色光）が、発光装置から出力される。

第２の発明に係る発光装置は、前記発光素子の側面を包囲するように設けられた反射部材が、前記発光素子の側面に接して設けられることが好ましい。

かかる構成によれば、発光素子の側面に接して設けられた反射部材は、発光素子内を横方向に進行して発光素子との界面に到達した光を、直接反射して光取り出し面方向に導くことができる。

第３の発明に係る発光装置は、前記発光素子の側面を包囲するように設けられた反射部材が、前記波長変換部材の側面を被覆することが好ましい。

かかる構成によれば、反射部材は、波長変換部材内を横方向に進行する光を反射し、光取り出し面方向に導く。これによって、発光装置は、実質的に光取り出し面である上面又は下面のみから光を取り出すことができる。

第４の発明に係る発光装置は、前記波長変換部材が、前記発光素子の前記一方の面及び側面を被覆し、前記反射部材が、前記発光素子の側面を被覆する波長変換部材の側面を被覆することが好ましい。

かかる構成によれば、波長変換部材は、発光素子の一方の面及び側面と密着して形成され、更にその側面を、外側から反射部材によって被覆される。また、反射部材は、発光素子の他方の面及び波長変換部材の側面と密着して形成される。これによって、反射部材及び波長変換部材の発光装置からの剥離が抑制される。

第５の発明に係る発光装置は、前記波長変換部材が、前記発光素子の側面を被覆する前記反射部材の側面を被覆することが好ましい。

かかる構成によれば、反射部材は、発光素子の他方の面及び側面と密着して形成され、更にその側面を、外側から波長変換部材によって被覆される。また、波長変換部材は、発光素子の一方の面及び反射部材の側面と密着して形成される。これによって、反射部材及び波長変換部材の発光装置からの剥離が抑制される。

第６の発明に係る発光装置は、前記ｎ側外部接続用電極及び前記ｐ側外部接続用電極が、前記発光素子の前記他方の面側に設けられ、前記接続面が前記反射部材から露出していることが好ましい。

かかる構成によれば、発光装置は、フェイスダウン実装型の発光装置となる。このため、活性層からの光は、ｎ側外部接続用電極及びｐ側外部接続用電極に遮蔽されることを回避しながら、光取り出し面である基板側から外部に取り出される。また、活性層が発光装置の他方の面側に位置するため、基板を介して波長変換部材に均一に光を入射しやすい。更に、外部接続用電極の接続面が発光装置の実装面に設けられるため、発光素子から発する熱を外部接続用電極を介して効率的に放熱することができる。

第１の発明に係る発光装置によれば、外部に取り出される光の大部分、好ましくは実質的にそのすべてが、波長変換部材を通過するように構成されている。このため、光取り出し面上に設けられた波長変換部材の厚さを高精度に作製して発光素子同士のバラツキを抑制することで、発光装置の発光色のバラツキを低減することができる。
また、第２の発明に係る発光装置によれば、発光素子の側面に接して設けられた反射部材によって、発光素子内を横方向に進行する光を直接反射して光取り出し面に導くことができるため、光取り出し効率が向上する。
また、第３の発明に係る発光装置によれば、発光装置は、実質的に光取り出し面である上面又は下面のみから光を取り出すことができるため、発光色の配光分布のむら、すなわち色むらの少ない発光をすることができる。
また、第４の発明又は第５の発明に係る発光装置によれば、波長変換部材及び反射部材が発光装置から剥離しにくく構成されているため、安定した発光色や出力で発光することができる。
また、第６の発明に係る発光装置によれば、フェイスダウン実装型の発光装置となるため、光取り出し面側における外部接続用電極による遮光を回避して、効率的に光を外部に取り出すことができる。また、外部接続用電極を介して効率的に放熱するため、放熱性に優れた発光装置とすることができる。

本発明の第１実施形態に係る発光装置の構造を示す模式的断面図であり、（ａ）は発光装置の全体、（ｂ）は半導体発光素子を示す。 本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。 本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造工程を説明するための図であり、（ａ）から（ｊ）は、各工程における模式的断面図である。 本発明の第１実施形態に係る発光装置のバンプの例を示す模式的断面図であり、（ａ）はバンプを形成した様子、（ｂ）は研磨によりバンプの上部が延伸した様子を示す。 本発明の第１実施形態に係る発光装置において、外部接続用拡張電極の例を示し、（ａ）は模式的平面図、（ｂ）は模式的断面図、（ｃ）は他の例の模式的断面図を示す。 本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例を示す模式的断面図である。 本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造方法の他の変形例を示す模式的断面図であり、（ａ）は上金型に凹部を設けた例、（ｂ）は上金型に微小凹部を設けた例、（ｃ）は上金型に仕切部を設けた例を示す。 本発明の第２実施形態に係る発光装置の構造を示す模式的断面図である。 本発明の第２実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。 本発明の第２実施形態に係る発光装置の製造工程を説明するための図であり、（ａ）から（ｋ）は、各工程における模式的断面図である。 本発明の第３実施形態に係る発光装置の構造を示す模式的断面図である。 本発明の第３実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。 本発明の第３実施形態に係る発光装置の製造工程を説明するための図であり、（ａ）から（ｋ）は、各工程における模式的断面図である。 本発明の第４実施形態に係る発光装置の構造を示す模式的断面図である。 本発明の第４実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。 本発明の第４実施形態に係る発光装置の製造工程を説明するための図であり、（ａ）から（ｊ）は、各工程における模式的断面図である。 本発明の第５実施形態に係る発光装置の構造を示す模式的断面図である。 本発明の第５実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。 本発明の第５実施形態に係る発光装置の製造工程を説明するための図であり、（ａ）から（ｊ）は、各工程における模式的断面図である。 本発明の第６実施形態に係る発光装置の構造を示す模式的断面図である。 本発明の第６実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。 本発明の第６実施形態に係る発光装置の製造工程を説明するための図であり、（ａ）から（ｋ）は、各工程における模式的断面図である。 本発明の第７実施形態に係る発光装置の構造を示す模式的断面図である。 本発明の第７実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。 本発明の第７実施形態に係る発光装置の製造工程を説明するための図であり、（ａ）から（ｋ）は、各工程における模式的断面図である。 本発明の第８実施形態に係る発光装置の構造を示す模式的断面図である。 本発明の第８実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。 本発明の第８実施形態に係る発光装置の製造工程を説明するための図であり、（ａ）から（ｊ）は、各工程における模式的断面図である。 本発明の実施形態の変形例に係る発光装置の構造を示す模式的断面図である。 本発明の効果を説明するためのシミュレーションに用いた発光装置の構造を示す模式的断面図であり、（ａ）は半導体発光素子が中央に配置された実施例に係る発光装置、（ｂ）は半導体発光素子が中央に配置された比較例に係る発光装置、（ｃ）は半導体発光素子が左寄りに配置された実施例に係る発光装置、（ｄ）は半導体発光素子が左寄りに配置された比較例に係る発光装置、をそれぞれ示す。 本発明の効果を説明するためのシミュレーション結果を示す図であり、（ａ）は半導体発光素子が中央に配置された場合、（ｂ）は半導体発光素子が左寄りに配置された場合、をそれぞれ示す。

以下、本発明における発光装置及びこの発光装置の製造方法について説明する。

＜第１実施形態＞
〔発光素子の構造〕
本発明の第１実施形態における発光装置の構造を、図１を参照して説明する。本発明の第１実施形態に係る発光装置１０はＬＥＤであり、基板１と、基板１上（図１において下側）に積層された半導体発光素子構造（発光素子構造）２とを備えた半導体発光素子（発光素子）３と、半導体発光素子３のｎ側電極２_ｎ及びｐ側電極２_ｐと外部の実装基板と電気的接続するためのバンプ（外部接続用電極）４_ｎ（４）、４_ｐ（４）と、光取り出し面である半導体発光素子３の上面（基板１側）に形成された蛍光層５と、半導体発光素子３の側面（すなわち、基板１の側面及び半導体発光素子構造２の側面）及び下面（半導体発光素子構造２側）を被覆する反射層６と、を備えて構成されている。

図１に示すように、発光装置１０において、反射層６は、断面視で開口が上向きであるＵ字状に形成され、半導体発光素子３の表面である下面を被覆するとともに、側面を包囲するように被覆している。反射層６は、半導体発光素子３の下面及び側面と密着しているため、発光装置１０から剥離しにくい構造となっている。また、反射層６は、一体的な樹脂層として形成されている。つまり、反射層６は、その内部に界面を含まない。従って、反射層６は、半導体発光素子３の下面側に設けられる領域と、半導体発光素子３の側面の周囲に設けられる領域と、の間などに界面を含む場合に比べて、発光装置１０から剥離しにくい。また、蛍光層５は、平板状に形成され、半導体発光素子３の上面及び反射層６の半導体発光素子３の側面を被覆する部分の上面と密着している。

なお、本実施形態で「Ｕ字状」とは、すべての断面でＵ字状となる場合に限定されず、図１（ａ）に示すように、反射層６を貫通して設けられたバンプ４が含まれる断面において、反射層６の一部が分断される場合においても、他の断面で「Ｕ字状」となる場合は、反射層６は断面視で「Ｕ字状」に形成されているものとする。また、後記する他の実施形態においても同様であり、蛍光層５がバンプ４によって一部分断される場合（例えば、図２０参照）も同様である。

また、発光装置１０は、半導体発光素子構造２側の面を実装基板側に対向させて実装するフェイスダウン実装型のＬＥＤである。

本明細書において、「半導体発光素子構造」とは、図１（ｂ）に示すように、ｎ型半導体層２ａとｐ型半導体層２ｃとが積層された（好ましくは、その間に活性層２ｂを挟んだ）積層構造体を含む発光素子として機能する基本的な構造体のことをいう。また、この半導体発光素子構造２は、基板１の同じ面側にｎ型半導体層２ａと電気的に接続するｎ側電極２_ｎと、ｐ型半導体層２ｂと電気的に接続するｐ側電極２_ｐとを有する構造を備えているものである。

また、本明細書において、第１実施形態及び他の実施形態において、上下の方向は、原則として各実施形態を説明する説明する図面に示した通りとする。例えば、図１（ａ）に示す第１実施形態に係る発光装置１０の上面は、蛍光層５の上面であり、発光装置１０の下面は、反射層６の下面及びバンプ４の下面である。また、図２５に示す第８実施形態に係る発光装置１０Ｇの上面は、蛍光層５の上面及びバンプ４の上面であり、発光装置１０Ｇの下面は、反射層６の下面である。
また、底面視での形状とは下方から見た形状をいい、平面視での形状とは上方から見た形状をいう。

また、本明細書において、半導体発光素子３について、半導体発光素子構造２が形成された側の面を表面と呼び、基板１側を裏面と呼ぶこととする。基板１についても同様に、半導体発光素子構造２が形成された側の面を表面と呼び、反対側の面を裏面と呼ぶ。また、図１（ａ）において、本実施形態の発光装置１０は、フェイスダウン実装型のＬＥＤであるため、基板１に対して、半導体発光素子構造２は、下側に設けられているが、便宜上、半導体発光素子構造２の積層構造を説明する際には、基板面から離れる方向を「上」ということがある。

また、本実施形態に係る発光装置１０は、半導体発光素子３として、透光性の基板１に窒化物半導体からなる半導体発光素子構造２が積層された青色発光ダイオードを用い、蛍光層５として、半導体発光素子３が発光する青色光を吸収し、黄色光を発光する蛍光体を含有する樹脂層を用い、半導体発光素子３が発光する青色光と、蛍光層５が発光する黄色光とを混色して、白色光を出力する白色発光ダイオードを例として説明する。

なお、本実施形態は、本発明の適用範囲を限定するものではなく、例えば、半導体発光素子構造２が発光する光は、青色光に限定されず、紫色光や紫外光や、更に他の光色であってもよい。また、蛍光層５は、黄色光に変換するものに限定されず、赤色光又は緑色光に変換するものであってもよく、赤色光及び緑色光に変換する複数種類の蛍光体を含有するようにしてもよい。また、混色した出力光は、白色光に限定されず、有彩色光であってもよい。また、半導体発光素子構造２は、窒化物半導体に限定されず、他の半導体材料を用いたものでもよい。

以下、発光装置１０の構成各部について詳細に説明する。

（基板）
基板１は、窒化物半導体をエピタキシャル成長させることができる基板材料で形成されればよく、大きさや厚さ等は特に限定されない。このような基板材料としては、Ｃ面、Ｒ面、Ａ面のいずれかを主面とするサファイアやスピネル（ＭｇＡ１₂Ｏ₄）のような絶縁性基板、また炭化ケイ素（ＳｉＣ）、シリコン、ＺｎＳ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ダイヤモンド、及び窒化物半導体と格子接合するニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジウム等の酸化物基板が挙げられる。また、本実施形態における発光装置１０は、フェイスダウン実装をするため、発光装置１０の上面側となる半導体発光素子３の裏面側（基板１側）が光取り出し面となる。従って、半導体発光素子構造２で発光した光は、基板１を透過して光取り出し面から出射されるため、基板１は、少なくとも、この光の波長に対して透明であることが好ましい。

（半導体発光素子構造（発光素子構造））
半導体発光素子構造２は、例えば窒化ガリウム系の化合物半導体からなるｎ型半導体層２ａと活性層２ｂとｐ型導体層２ｃとが積層された積層構造体を含む発光素子として機能する基本的な構造体のことである。本実施形態においては、半導体発光素子構造２は、ｐ型半導体層２_ｐ上（図１において下側）に全面電極２ｄと、カバー電極２ｅとが積層され、基板１の同じ平面側にｎ型半導体層２ａと電気的に接続するｎ側電極２_ｎと、ｐ型半導体層２ｃと電気的に接続するカバー電極２ｅの上面にｐ側電極２_ｐとを有するＬＥＤを構成している。

なお、全面電極２ｄは、ｐ型半導体層２ｃ上に、ｐ型半導体層２ｃの略全面を覆うように設けられ、ｐ側電極２_ｐ及びカバー電極２ｅを介して供給される電流を、ｐ型半導体層２ｃの全面に均一に拡散するための電極である。また、フェイスダウン実装をする本実施形態における発光装置１０においては、活性層２ｂで発光した光を光取り出し面である発光装置１０の上面側（基板１の裏面側）に反射するための反射層としての機能も有する。

また、全面電極２ｄは、ｐ型半導体層２ｃと電気的に良好に接続できるオーミック電極であることが好ましく、また、少なくとも活性層２ｂで発光する光の波長に対して、良好な反射率を有することが好ましい。したがって、全面電極２ｄとしては、光の反射率の高いＡｇの単層膜、Ａｇを最下層とするＮｉ、Ｔｉなどとの多層膜を好適に用いることができる。より好ましくは、Ａｇを最下層（ｐ型半導体層２ｃ側）とするＡｇ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ｐｔの多層膜を用いることができ、この多層膜の膜厚は、例えば、それぞれ１０００ｎｍ程度とすることができる。全面電極２ｄは、これらの材料を、例えば、スパッタリングや蒸着により、順次積層して形成することができる。

カバー電極２ｅは、全面電極２ｄの上面及び側面を覆い、ｐ側電極２_ｐを全面電極２ｄから遮蔽し、全面電極２ｄの構成材料の、特にＡｇのマイグレーションを防止するためのバリア層として機能する。

カバー電極２ｅとしては、例えば、Ｔｉ、Ａｕ、Ｗなどの金属の単層膜やこれらの金属の多層膜を用いることができる。好ましくは、Ｔｉを最下層（全面電極２ｄ側）とするＴｉ（最下層）／Ａｕ／Ｗ／Ｔｉの多層膜を用いることができ、この多層膜の膜厚は、例えば、下層側からそれぞれ２ｎｍ、１７００ｎｍ、１２０ｎｍ、３ｎｍとすることができる。

なお、本実施形態では、全面電極２ｄ及びカバー電極２ｅをｐ型半導体層２ｃ上にのみ設けるようにしたが、ｎ型半導体層２ａ上にも全面電極２ｄ及びカバー電極２ｅを設けるようにしてもよい。

また、ｎ側電極２_ｎはｎ型半導体層２ａに、ｐ側電極２ｐはカバー電極２ｅ及び全面電極２ｄを介してｐ型半導体層２ｃに、それぞれ電気的に接続して、発光装置１０に外部から電流を供給するためのパッド電極である。ｎ側電極２_ｎは、半導体発光素子構造２のｎ型半導体層２ａの露出面に設けられる。ｐ側電極２_ｐは、半導体発光素子構造２のカバー電極２ｅの上面に設けられる。ｎ側電極２_ｎ及びｐ側電極２_ｐの上面には、それぞれバンプ４_ｎ及びバンプ４_ｐが設けられている。

ｎ側電極２_ｎ及びｐ側電極２_ｐとしては、電気抵抗が低い材料が好ましく、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｐｔなどの金属やこれらの合金の単層、又は多層膜を用いることができる。ｎ側電極２_ｎ及びｐ側電極２_ｐは、例えば、Ｃｕ単層又はＣｕ／Ｎｉ積層膜を下層（ｎ型半導体層２ａ、カバー電極２ｅ側）とし、Ａｕ又はＡｕＳｎ合金を上層とする多層膜とすることができる。

また、ｎ側電極２_ｎとｎ型半導体層２ａとの良好な電気的コンタクトを得るために、ｎ側電極２_ｎの最下層（ｎ型半導体層２ａ側）はＴｉ、Ａｌ、ＡｌＣｕＳｉ合金などを用いることが好ましく、左端を最下層として、Ｔｉ／Ａｕ、Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕ、Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、ＡｌＣｕＳｉ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕなどの多層膜を用いることができる。また、ＡｌＣｕＳｉ合金を最下層として、ＡｌＣｕＳｉ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの多層膜とする場合は、各層の膜厚は、例えば、それぞれ５００ｎｍ、１５０ｎｍ、５０ｎｍ、７００ｎｍとすることができる。

（バンプ（外部接続用電極））
バンプ（ｎ側外部接続用電極）４_ｎ及びバンプ（ｐ側外部接続用電極）４_ｐは、それぞれｎ側電極２_ｎ及びｐ側電極２_ｐに電気的に接続されており、実装基板などの外部回路と接続するための外部接続用電極である。
バンプ４_ｎ及びバンプ４_ｐは、基板１の同じ面側に配設され、反射層６を貫通して、外部回路との接続面である下面が露出している。

バンプ４_ｎ及びバンプ４_ｐ（以下、適宜バンプ４と略す）は、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ又はこれらの金属を含む合金の単層膜、又はこれらの多層膜を用いることができる。Ａｕは、電気抵抗及び接触抵抗が低く好ましいが、安価なＳｎとの合金であるＡｕＳｎ合金を用いることができる。

バンプ４は、単層構造の場合は、前記した材料の線材を用いて、ワイヤボンダにより形成することができる。また、単層構造又は多層構造の場合は、電解メッキや無電解メッキなどのメッキ処理により形成することもできる。

（蛍光層（波長変換部材））
蛍光層５は、光取り出し面である発光装置１０の上面側、すなわち基板１の裏面側に設けられ、半導体発光素子構造２が発光する波長の光の一部を吸収し、異なる波長の光に変換して発光する蛍光体を含有する樹脂層によって構成される波長変換部材である。
また、蛍光層５は、バインダーとなる樹脂に蛍光体を含有して形成される。また、蛍光体の他に、拡散剤を含有して構成されてもよい。更に、蛍光層５は、単層構造だけでなく、多層構造とすることもでき、異なる種類の蛍光体を含有する複数の層で構成されてもよい。また、蛍光層５の上に、拡散剤を含有する層や表面に凹凸を有する層、及び／又は凸レンズなどの透光性部材を積層してもよい。

蛍光層５の厚さは、蛍光体の含有量、半導体発光素子構造２が発光する光と、波長変換後の光との混色後の色調などによって定めることができるが、例えば、１μｍ以上かつ１０００μｍ以下とすることができ、５μｍ以上かつ５００μｍ以下とすることが好ましく、１０μｍ以上かつ２００μｍ以下とすることがより好ましい。

（蛍光体）
蛍光層５に含有される蛍光体としては、窒化物半導体を活性層とする半導体発光素子３が発光する光により励起されて発光可能な、Ｃｅ（セリウム）で付活されたイットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光体をベースとしたものを用いることができる。具体的なイットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光体としては、ＹＡｌＯ_３：Ｃｅ、Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２Ｙ：Ｃｅ（ＹＡＧ：Ｃｅ）やＹ_４Ａｌ_２Ｏ_９：Ｃｅ、更にはこれらの混合物などが挙げられる。イットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光体にＢａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎの少なくとも一種が含有されていてもよい。また、Ｓｉを含有させることによって、結晶成長の反応を抑制し蛍光体の粒子を揃えることができる。

他にも青色、青緑色や緑色を吸収して赤色が発光可能な蛍光体としては、Ｅｕ及び／又はＣｒで付活されたサファイア（酸化アルミニウム）蛍光体やＥｕ及び／又はＣｒで付活された窒素含有Ｃａ−Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２蛍光体（オキシナイトライド蛍光硝子）等が挙げられる。これらの蛍光体を利用して発光素子からの光と蛍光体からの光の混色により白色光を得ることもできる。

また、前記したＣｅで付活されたＹＡＧ系蛍光体とＥｕ及び／又はＣｒで付活された窒素含有Ｃａ-Ａｌ-Ｓｉ-Ｏ-Ｎ系オキシナイトライド蛍光硝子とを組み合わせることにより青色系が発光可能な半導体発光素子３を利用してＲＧＢ（赤色、緑色、青色）成分を高輝度に含む極めて演色性の高い白色発光ダイオードを形成させることもできる。このため、所望の顔料を添加するだけで任意の中間色も極めて簡単に形成させることができる。

（拡散剤）
拡散剤は、半導体発光素子３及び蛍光体の発する光を効率良く拡散するために添加されるものである。具体的には、酸化チタン、酸化ケイ素、中空酸化ケイ素、酸化アルミニウム、チタン酸カリウム、酸化亜鉛、窒化硼素を用いることができる。また、シリコーンパウダーなどの樹脂の粉末を用いてもよい。拡散剤の平均粒径は、例えば０．００１μｍ以上かつ１００μｍ以下とすることができ、０．００５μｍ以上かつ５０μｍ以下とすることが好ましい。

（バインダー（樹脂））
バインダーは、前記した蛍光体や拡散剤を、蛍光層５として半導体発光素子３の光取り出し面に結着させるための樹脂である。バインダーとなる樹脂としては、熱硬化性樹脂が好ましい。例えば、ジメチル系シリコーン樹脂、フェニル系シリコーン樹脂、ジメチル／フェニルのハイブリッドシリコーン樹脂、エポキシ／シリコーンのハイブリッド樹脂、フッ素樹脂、アダマンタン樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ハイブリッドエポキシ樹脂、ウレタン樹脂などを用いることができる。特に、耐熱、耐光性、透過率の高い、シリコーン樹脂、フッ素樹脂が好ましい。また、バインダーに、硬度を上げるために、ガラス成分を配合させてもよい。また、半導体発光素子３との密着性を向上させるために、密着性付与剤を加えてもよい。密着性付与剤としては、例えば、シラン系カップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤などを用いることができる。

（反射層（反射部材））
反射層６は、半導体発光素子３が発光し、横方向又は下方向に進行する光を、光取り出し面である蛍光層５側に反射するための部材である。本実施形態では、反射層６は、半導体発光素子３の下面（半導体発光素子構造２側）を被覆するとともに、側面を包囲するように被覆し、反射材を含有する樹脂層であり、バインダーとなる樹脂に、反射材の他に、充填剤を含有して構成されてもよい。

反射層６は、半導体発光素子３の光取り出し面を露出させて設けられるため、半導体発光素子３が発光した光は、光取り出し面に設けられた蛍光層５を通過して外部に取り出される。

このとき、蛍光層５を通過する光の一部は、蛍光層５に含有される蛍光体により長波長の光に変換されて外部に取り出され、また、他の光は、半導体発光素子３が発光したそのままの波長の光で蛍光層５を透過して外部に取り出される。そして、蛍光体により波長変換されて取り出される光（黄色光）と、波長変換されずに取り出される光（青色光）とが混色された光（白色光）が、発光装置１０から出力される。

ここで、蛍光層５は、高い精度で厚さが調整され、チップ同士における厚さのバラツキが抑制されている。また、発光装置１０から外部に取り出される光の大部分、好ましくは実質的にそのすべては、この蛍光層５を通過することになる。このとき、蛍光層５を通過する光の一部が波長変換されて外部に取り出される。このため、発光装置１０から出力される光の混色の割合の発光素子同士でのバラツキが少ない。従って、発光装置１０の発光色のバラツキを低減することができる。

また、反射層６の厚さは、半導体発光素子３が発光した光を反射するのに十分な厚さであることが好ましい。半導体発光素子３の表面（半導体発光素子構造２側）に形成された反射層６の厚さは、例えば、１μｍ以上かつ５００μｍ以下とすることができ、５μｍ以上かつ２００μｍ以下とすることが好ましく、１０μｍ以上かつ１００μｍ以下とすることがより好ましい。また、反射層６の半導体発光素子３の側面側の厚さは、例えば、１μｍ以上かつ２０００μｍ以下とすることができ、５μｍ以上かつ１０００μｍ以下とすることが好ましく、１０μｍ以上かつ５００μｍ以下とすることがより好ましい。

なお、特に半導体発光素子３の側面側の反射層６の厚さに、ある程度のバラツキが生じることを考慮して、反射材の添加量などを調整することが好ましい。すなわち、反射層６の厚さが、このバラツキの範囲内で最小の厚さの場合に、厚さや反射材の添加量などによって定まる反射層６の反射率が、反射層６に入射する光を、実質的にすべて反射するだけの反射率となるように、前記した反射材の添加量などを調整して反射層６を形成することが好ましい。

（バインダー（樹脂））
バインダーは、前記した反射材や充填剤を、反射層６として半導体発光素子３の側面及び表面（半導体発光素子構造２側）に結着させるための樹脂である。バインダーとなる樹脂としては、前記した蛍光層５に用いるバインダーと同じものを用いることができる。

（反射材）
反射材は、半導体発光素子３が発光した光を反射する部材である。反射材としては、前記した蛍光層５に用いる拡散剤と同じものを用いることができる。

（充填剤）
充填剤は、樹脂層である反射層６の強度を上げるため、及び反射層６の熱伝導率を上げるために添加されるものである。充填剤としては、ガラス繊維、ウィスカー、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、窒化硼素、酸化亜鉛、窒化アルミニウムなどを用いることができる。

〔発光装置の動作〕
図１に示した本発明の第１実施形態に係る発光装置１０は、ｎ側電極及びｐ側電極と、それぞれ電気的に接続するバンプ４_ｎ及びバンプ４_ｐを介して、実装基板の配線電極（不図示）を通して電流が供給されると、半導体発光素子３が青色光を発光する。半導体発光素子３が発光した青色光は、直接に、又は反射層６、ｎ側電極２_ｎ、ｐ側電極２_ｐ、全面電極２ｄなどによって反射されて、基板１側（図１の上方向）から蛍光層５を通過して取り出される。このとき、蛍光層５を通過する青色光の一部は、蛍光層５に含有される蛍光体によって吸収され、波長の長い黄色光に変換されて取り出される。そして、発光装置１０からは、蛍光層５を波長変換されずに通過する青色光と、蛍光層５で波長変換された黄色光とが混色された白色光が出力される。

このとき、基板１の裏面を被覆する蛍光層５の厚さは精度よく形成され、発光装置同士のバラツキが抑制されている。また、半導体発光素子３内を横方向に進行する光は、反射層６により、光取り出し面方向に反射される。ここで、反射層６の厚さがバラツキの範囲内における最小の場合でも、反射層６に入射する光を、実質的にすべて反射するだけの反射率が得られるように反射材の添加量などを調整して反射層６を形成することによって、反射層６の厚さのバラツキは、発光装置１０の発光色に影響しない。すなわち、半導体発光素子３が発光し、外部に取り出される光の大部分、好ましくは実質的にそのすべての光は、厚さが精度よく調整された蛍光層５を通過することになる。従って、蛍光層５を通過する光の、波長変換される光と波長変換されない光の割合の発光装置同士でのバラツキが少なくなるため、発光装置１０から混色して出力される白色光の色調のバラツキを低減することができる。

〔発光装置の製造方法〕
本発明の第１実施形態における発光装置の製造方法について、図２を参照して説明する。

図２に示すように、第１実施形態における発光装置の製造方法は、発光素子構造形成工程Ｓ１００と、バンプ形成工程Ｓ１０１と、第１個片化工程Ｓ１０２と、チップ選別工程Ｓ１０３と、第１キャリア貼付工程Ｓ１０４と、反射層形成工程Ｓ１０５と、反射層厚さ調整工程Ｓ１０６と、清浄化工程Ｓ１０７と、第２キャリア貼付工程Ｓ１０８と、蛍光層形成工程Ｓ１０９と、蛍光層厚さ調整工程Ｓ１１０と、第２個片化工程Ｓ１１１と、が順次行われる。

以下、図３を参照（適宜図１及び図２参照）して、各工程について詳細に説明する。
なお、本実施形態では、基板１上に窒化物半導体を積層した半導体発光素子構造２がマトリクス状に配列されて形成されたウエハ状態の半導体発光素子３は、公知の方法で製造するものとし、半導体発光素子３の製造工程より後の工程について図面を参照して説明する。

（発光素子構造形成工程：Ｓ１００）
基板１上に半導体発光素子構造２を形成する発光素子構造形成工程Ｓ１００について具体的に説明すれば、まず、サファイアなどからなる基板１上に、ＭＯＶＰＥ法（有機金属気相成長法）を用いて、例えば、窒化ガリウム系などの化合物半導体からなる、ｎ型半導体層２ａ、活性層２ｂ及びｐ型半導体層２ｃを構成するそれぞれの半導体層を成長させる。

次に、ｎ側電極２_ｎを形成するために、ｎ型半導体層２ａの一部を露出させる。ウエハ上にフォトレジストにて所定の形状のマスクを形成して、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）にて、ｐ型半導体層２ｃ及び活性層２ｂ、更にｎ型半導体層２ａの一部を除去して、ｎ型半導体層２ａを露出させる。エッチングの後、レジストを除去する。

次に、ウエハの全面に、全面電極２ｄとして、例えば、Ａｇ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ｐｔを順次積層してなる多層膜をスパッタリングにて成膜する。そして、フォトリソグラフィ法により所定形状の全面電極２ｄを形成する。その後、カバー電極２ｅとして、例えば、Ｔｉ／Ａｕ／Ｗ／Ｔｉを順次積層してなる多層膜をスパッタリングにて成膜する。そして、フォトリソグラフィ法により全面電極２ｄを遮蔽する所定形状のカバー電極２ｅを形成する。
以上により、基板１上に半導体発光素子構造２が形成された半導体発光素子３が得られる。

また、半導体発光素子構造２の表面全体に、例えば、スパッタリングにより、絶縁性のＳｉＯ_２などを積層して保護層を形成してもよい。

（バンプ形成工程（外部接続用電極形成工程）：Ｓ１０１）
次に、バンプ形成工程Ｓ１０１において、図３（ａ）に示すように、半導体発光素子構造２の上面にバンプ４を形成する。バンプ４として、ｎ側電極２_ｎ及びｐ側電極２_ｐ（図１（ｂ）参照）上に、それぞれ、バンプ４_ｎ及びバンプ４_ｐが形成される。

バンプ４は、ｎ側電極２_ｎ及びｐ側電極２_ｐ（図１（ｂ）参照）上に、ワイヤボンダを用いて形成することができる。ここで、図４を参照して、ワイヤボンダを用いたバンプ４の形成方法について説明する。

図４（ａ）は、Ａｕ（金）などの線材（ボンディングワイヤ）を、ワイヤボンダを用いて、半導体発光素子構造２（のｎ側電極２_ｎ又はｐ側電極２_ｐ（図１（ｂ）参照）上に接続した様子を示している。図４（ａ）に示すように、ワイヤボンダにより半導体発光素子構造２上に接続されたボンディングワイヤの端部には、球状の金属の塊が形成される。この金属塊の上部でボンディングワイヤを切断し、残った金属塊がバンプ４となる。なお、形成した金属塊上に、同様の操作によって、金属塊を積層することもできる。

また、バンプ４の形成方法はこれに限定されず、例えば、フォトレジストを用いてバンプ形成領域に開口を有するマスクパターンを形成し、電解メッキや無電解メッキによって金属のバンプを形成することもできる。

（第１個片化工程：Ｓ１０２）
図３に戻って、次に、第１個片化工程Ｓ１０２において、図３（ｂ）に示すように、バンプ４を形成した半導体発光素子３をダイシングシート（不図示）に貼付し、ダイシングにより素子構造の境界線２０に沿って切断し、チップ１１に個片化する。

（チップ選別工程：Ｓ１０３）
次に、チップ選別工程Ｓ１０３において、個片化された各チップ１１について、半導体発光素子構造２のｎ側電極２_ｎ上及びｐ側電極２_ｐ（図１（ｂ）参照）上に形成されたバンプ４に電源装置を接続してチップ１１を発光させ、発光波長を測定する。そして、発光波長が所定の範囲にあるチップ１１を選別する。

（第１キャリア貼付工程（配列工程）：Ｓ１０４）
次に、第１キャリア貼付工程Ｓ１０４において、チップ選別工程Ｓ１０３で選別したチップ１１を、バンプ４を上側にして、所定の間隔を空けて粘着シート４０が貼付されたキャリア３０上に配列する。キャリア３０上に配列されたチップ１１は、粘着シート４０によってキャリア３０に貼付され、その位置が保持される。

なお、第１キャリア貼付工程Ｓ１０４において、チップ１１を、例えば、コレットを用いて１個ずつチップ１１を吸着し、キャリア３０上に配列することができる。このとき、チップ１１の間隔は、ある程度のバラツキが許容される。

ここで、キャリア（平板状の治具）３０は、チップ１１の配列を保持する板状の治具である。キャリア３０は、剛性を有するセラミックス、ガラス、金属、プラスチックなどの板状部材を用いることができる。

（反射層形成工程（反射部材形成工程）：Ｓ１０５）
次に、反射層形成工程Ｓ１０５において、図３（ｄ）に示すように、キャリア３０に貼付されたチップ１１の表面（半導体発光素子構造２側）及び側面に反射層６を形成する。具体的には、キャリア３０を下金型５０上に載置し、反射材を含有した樹脂をチップ１１を配列した面上に塗布し、上金型５１で挟み込む。そして、上金型５１から離型できる強度が得られるまで加熱して硬化（一次硬化）させる。その後、キャリア３０を上下金型５０，５１から取り出し、オーブンに投入して、反射層６の樹脂を十分に硬化（二次硬化）させる。

なお、前記した例では、樹脂をチップ１１上に塗布した後で上金型５１を下げ、圧縮成形するようにしたが、成形方法はこれに限定されるものではない。例えば、上下金型５０，５１を所定の位置に設置し、上下金型５０，５１の隙間から樹脂を注入するトランスファー成形を行うようにしてもよい。

（反射層厚さ調整工程：Ｓ１０６）
次に、反射層厚さ調整工程Ｓ１０６において、図３（ｅ）に示すように、反射層６の表面（図３（ｅ）において下側の面）を、研磨機６０を用いて、研磨（又は研削）して、バンプ４を露出させるとともに、予め定めておいた研磨線６１まで研磨（又は研削）して、反射層６を所定の厚さに調整する。

（清浄化工程：Ｓ１０７）
次に、清浄化工程Ｓ１０７において、図３（ｆ）に示すように、反射層６で一体化されたチップ１１をキャリア３０から剥離し、研磨により生じたバリや、ごみ等を除去する。

清浄化の方法としては、ウォータージェットを用いることができる。他の清浄化の方法としては、例えば、プラズマ照射、レーザ照射、ブラストなどを用いることができる。

（第２キャリア貼付工程：Ｓ１０８）
次に、第２キャリア貼付工程Ｓ１０８において、図３（ｇ）に示すように、反射層６で一体化されているチップ１１を、基板１が上側になるように、粘着シート４０が貼付されたキャリア３０に貼付する。なお、本工程で用いるキャリア３０及び粘着シート４０は、第１キャリア貼付工程Ｓ１０４で用いたものと同様のものを用いることができる。

（蛍光層形成工程（波長変換部材形成工程）：Ｓ１０９）
次に、蛍光層形成工程Ｓ１０９において、図３（ｈ）に示すように、チップ１１の基板１側の面に、蛍光層５を形成する。具体的には、キャリア３０を下金型５０上に載置し、蛍光体を含有した樹脂をチップ１１の裏面上に塗布し、上金型５１で挟み込んで、上金型５１から離型できる強度が得られるまで加熱して硬化（一次硬化）させる。その後、キャリア３０を上下金型５０，５１から取り出し、オーブンに投入して、蛍光層５の樹脂を十分に硬化（二次硬化）させる。

なお、本工程も、前記した反射層形成工程Ｓ１０５と同様に、圧縮成形に限定されず、トランスファー成形など他の成形方法を用いるようにしてもよい。

（蛍光層厚さ調整工程：Ｓ１１０）
次に、蛍光層厚さ調整工程Ｓ１１０において、図３（ｉ）に示すように、蛍光層５の下面（図３（ｉ）において下側の面）を、研磨機６０を用いて、予め定めておいた研磨線６２まで研磨（又は研削）して、蛍光層５を所定の厚さに調整する。これにより、発光装置１０の発光色の色調を調整することができる。

（第２個片化工程：Ｓ１１１）
最後に、第２個片化工程Ｓ１１１において、図３（ｊ）に示すように、反射層６及び蛍光層５により一体化されている発光装置１０をダイシングシート（不図示）に貼付し、ダイシングにより発光装置１０の境界線２１に沿って切断して個片化する。以上の工程により、図１に示した発光装置１０を製造することができる。

＜発光装置の変形例＞
次に、図５を参照（適宜図１参照）して、第１実施形態に係る発光装置の変形例について説明する。

図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、第１変形例における発光装置１０は、図１に示した第１実施形態に係る発光装置１０に対して、バンプ４_ｎ，４_ｐ（４）と電気的に接続する引出電極７（引出電極（ｎ側外部接続用拡張電極）７_ｎ、引出電極（ｐ側外部接続用拡張電極）７_ｐ）を、更に備えたものである。図５（ａ）に示すように、底面視で、バンプ４_ｎ，４_ｐ（４）の間隔よりも広く引き出された部位を有し、またバンプ４の下面の面積よりも広い面積の引出電極７_ｎ，７_ｐ（７）が反射層６の面上に設けられており、実装基板との接続が容易に行えるようになっている。また、本実施形態では、引出電極７は、反射層６を介して設けられているため、引出電極７に半導体発光素子３が発光した光が伝搬して吸収されることを抑制又は回避することができる。そのため、大きな面積の引出電極７を設けても、高い光取り出し効率を維持することができる。

また、図５（ｃ）に示すように、第２変形例における発光装置１０は、引出電極７が、反射層６に埋め込まれるように形成されており、反射層６の下面と、引出電極７の下面とは略同じ面となるように形成されている。なお、第２変形例における発光装置１０の底面視の形状は、第１変形例における発光装置１０の底面視の形状と同じである。

これらの変形例における引出電極７は、例えば、図３（ｇ）に示した工程において、引出電極７の形状にパターン化された金属箔を、予めキャリア３０に貼付しておき、反射層５により一体化されたチップ１１（図３（ｆ）参照）をキャリア３０上に重ね、超音波接合法、常温接合法、共晶や銀ペーストを用いた接合法などにより、バンプ４と引出電極７とを接合して形成することができる。

また、引出電極７は、公知のフォトリソグラフィ法により、図３（ｊ）に示した工程において、個片化する前に、発光装置１０の裏面に金属層を積層し、パターニングすることで形成することもできる。

なお、引出電極７は、後記する他の実施形態に係るフェイスダウン実装型の発光素子に対しても適用することができる。

次に、図４を参照（適宜図１参照）して、第１実施形態に係る発光装置１０におけるバンプ４の変形例について説明する。

前記したように、図４（ａ）に示したバンプ４は、ワイヤボンダを用いて形成された球状の金属塊からなるバンプである。図４（ａ）に示したバンプ４は、下面（半導体発光素子構造２との接続面）の断面視における幅Ａが、バンプ４の最も膨らんだ部分の幅Ｂよりも狭くなっている。このため、バンプ４を球状に形成することで、バンプ４の側面を取り囲むようにして形成された反射層６は、バンプ４によるアンカー効果のため、剥離しにくくなる。

また、反射層６を、バンプ４の側面の幅が幅Ｂとなる位置よりも上方（例えば幅Ｃとなる位置（但し、Ｃ＜Ｂである））となる位置）まで形成することにより、バンプ４は、反射層６によるアンカー効果により、剥離しにくくなる。

また、図４（ｂ）に示したバンプ４は、図３（ｅ）に示した反射層厚さ調整工程Ｓ１０６において、研磨機６０により、上部４ａが延伸したものである。特に、バンプ４としてＡｕなどの延性の高い材料を用いた場合に顕著である。
この上部４ａは、研磨機６０による研磨方向、すなわち側方に延伸する。また、研磨機６０により、バンプ４と共に反射層６も研磨される。反射層６を構成する樹脂は、バンプ４を構成する金属よりも柔らかいため、研磨によりバンプ４はその上部４ａが延伸しながら反射層６の上面と略同一の高さとなる。すなわち、研磨後の、反射層６の上面とバンプ４の上面とは、略同一面となる。

このように、バンプ４の上部４ａが延伸することにより、アンカー効果により反射層６を剥離しにくくすることができる。

＜製造方法の変形例＞
次に、図６を参照して、図３（ｄ）に示した反射層形成工程Ｓ１０５の変形例について説明する。図６に示したように、本変形例では、上金型５１の下面側に弾性を有する離型シート７０が貼付されており、バンプ４の上面が離型シート７０の面と接するか、離型シート７０に食い込むように上金型５１を配置する。そして、反射層６となる樹脂を上下金型５０，５１内に注入して反射層６を成形する。これによって、バンプ４の上面を反射層６から露出させて反射層６を形成することができるため、バンプ４の上面を露出させるための研磨工程（反射層高さ調整工程Ｓ１０６）を省略することができる。

なお、離型シート７０を用いる形成方法は、後記する他の実施形態において、バンプ４を形成した半導体発光素子３の表面に樹脂層（反射層６又は蛍光層５）を形成する工程に適用することができる。

次に、図７（ａ）及び図７（ｂ）を参照して、図３（ｈ）に示した蛍光層形成工程Ｓ１０９の変形例について説明する。図７（ａ）に示した変形例では、上金型５１に代えて、各素子に対応して１つの凹部５２ａを有する上金型５２を用いて蛍光層５を形成するものである。凹部５２ａの形状は、図示する例の砲弾型のほか、半球状などが挙げられる。蛍光層５の外形を砲弾型とすれば、正面光度の高い発光装置が得られやすい。蛍光層５の外形を半球状とすれば、光取り出し効率の高い発光装置が得られやすい。

また、図７（ｂ）に示した変形例では、上金型５１に代えて、各素子に対応して複数の凹部５３ａを有する上金型５３を用いて蛍光層５を形成するものである。複数の凹部５３ａは、不規則に配置されてもよいが、好ましい配光特性を得るためには、規則的に配列されることが好ましい。凹部５３ａの形状は、半球状、円錐状、角錐状、角錐台状などが挙げられる。このような上金型５３を用いることで、例えば蛍光層５の表面を光散乱面とすることができ、発光色度や光度の分布を均一化することができる。このように、上金型５１（５２，５３）の形状を変えることにより、様々な外形の蛍光層５を形成することができる。

また、蛍光層形成工程Ｓ１０９において、蛍光層５の形成を、金型を用いた樹脂成形に代えて、板状ないしシート状の、蛍光体を含有する樹脂部材を予め作製しておき、この樹脂部材を半導体発光素子３の裏面側に貼付して形成することもできる。このとき、樹脂部材と半導体発光素子３の間を加圧することにより、必要に応じてチップやバンプを樹脂部材に埋め込んだり、突き破るようにしたりすることもできる。

更にまた、蛍光層形成工程Ｓ１０９において、金型を用いずに、蛍光体を含有する樹脂を半導体発光素子３の裏面側に所定の厚さで塗布し、加熱して硬化させることで、蛍光層５を形成するようにしてもよい。

なお、これらの変形例は、後記する他の実施形態において、蛍光層５を形成する工程に適用することができる。

次に、本発明の他の実施形態について説明する。なお、他の実施形態に係る発光素子において、第１実施形態に係る発光装置１０と同様の機能を有する構成については、同じ符号を付して示し、用いる材料など共通する構成については詳細な説明を適宜省略する。また、製造方法についても、同様の工程については、同じ工程名を付して詳細な説明は適宜省略する。

＜第２実施形態＞
〔発光装置の構造〕
次に、図８を参照して、本発明の第２実施形態に係る発光装置について説明する。図８に示した第２実施形態に係る発光装置１０Ａは、図１に示した第１実施形態に係る発光装置１０に対して、蛍光層５が、光取り出し面である半導体発光素子３の上面（基板１側）に加えて、反射層６の側面を被覆することが異なる。また、発光装置１０Ａは、図１に示した発光装置１０と同様に、フェイスダウン実装型のＬＥＤである。

図８に示すように、発光装置１０Ａにおいて、反射層６は、断面視で開口が上向きのＵ字形状に形成され、半導体発光素子３の表面である下面を被覆するとともに、側面を包囲するように被覆している。反射層６は、半導体発光素子３の下面及び側面と密着しているため、発光装置１０Ａから剥離しにくい構造となっている。また、反射層６は、一体的な樹脂層として形成されている。つまり、反射層６は、その内部に界面を含まない。従って、反射層６は、半導体発光素子３の下面側に設けられる領域と、半導体発光素子３の側面の周囲に設けられる領域と、の間などに界面を含む場合に比べて、発光装置１０Ａから剥離しにくい。また、蛍光層５は、断面視で開口が下向きの逆Ｕ字形状に形成され、一体的な樹脂層として半導体発光素子３の表面である下面と、反射層６の半導体発光素子３の側面を被覆する部分の上面と、を被覆するとともに、反射層６の側面を包囲するように被覆している。蛍光層５は、半導体発光素子３の上面である基板１の裏面及び反射層６の半導体発光素子３の側面を被覆する部分の上面との平面的な密着に加え、反射層６の側面とも密着するため、発光装置１０Ａから剥離しにくい構造となっている。

なお、反射層６の側面に形成された蛍光層５は、反射層６の外側にあり、実質的に半導体発光素子３が発光した光は通過しないため、波長変換部材としては機能しない。

〔発光装置の動作〕
図８に示した本発明の第２実施形態に係る発光装置１０Ａは、ｎ側電極及びｐ側電極と、それぞれ電気的に接続するバンプ４_ｎ及びバンプ４_ｐを介して、実装基板の配線電極（不図示）を通して電流が供給されると、半導体発光素子３が青色光を発光する。半導体発光素子３が発光した青色光は、直接に、又は反射層６、ｎ側電極、ｐ側電極、全面電極などによって反射されて、基板１の裏面側（図８の上方向）を被覆する蛍光層５を通過して取り出される。このとき、蛍光層５を通過する青色光の一部は、蛍光層５に含有される蛍光体によって吸収され、波長の長い黄色光に変換されて取り出される。そして、発光装置１０Ａからは、蛍光層５を波長変換されずに通過する青色光と、蛍光層５で波長変換された黄色光とが混色された白色光が出力される。

このとき、基板１の裏面を被覆する蛍光層５の厚さは精度よく形成され、発光装置同士のバラツキが抑制されている。また、側面の蛍光層５は、反射層６の外側であるため、波長変換部材としては機能しない。このため、蛍光層５の側面の厚さのバラツキは発光装置１０Ａの出力光の色調に影響しない。また、半導体発光素子３内を横方向に進行する光は、反射層６により、光取り出し面方向に反射される。ここで、反射層６の厚さがバラツキの範囲内における最小の場合でも、反射層６に入射する光を、実質的にすべて反射するだけの反射率が得られるように反射材の添加量などを調整して反射層６を形成することによって、反射層６の厚さのバラツキは発光装置１０Ａの出力光の色調に影響しない。すなわち、半導体発光素子３が発光し、外部に取り出される光の大部分、好ましくは実質的にそのすべての光は、厚さが精度よく調整された蛍光層５を通過することになる。従って、蛍光層５を通過する光の、波長変換される光と波長変換されない光の割合の発光装置同士でのバラツキが少なくなるため、発光装置１０Ａから混色して出力される白色光の色調のバラツキを低減することができる。

〔発光装置の製造方法〕
本発明の第２実施形態に係る発光装置の製造方法について、図９を参照して説明する。

図９に示すように、第２実施形態に係る発光装置の製造方法は、発光素子構造形成工程Ｓ２００と、バンプ形成工程Ｓ２０１と、第１個片化工程Ｓ２０２と、チップ選別工程Ｓ２０３と、第１キャリア貼付工程Ｓ２０４と、反射層形成工程Ｓ２０５と、反射層厚さ調整工程Ｓ２０６と、清浄化工程Ｓ２０７と、第２個片化工程Ｓ２０８と、第２キャリア貼付工程Ｓ２０９と、蛍光層形成工程Ｓ２１０と、蛍光層厚さ調整工程Ｓ２１１と、第３個片化工程Ｓ２１２と、が順次行われる。

ここで、第２実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子構造形成工程Ｓ２００から清浄化工程Ｓ２０７までは、図２に示した第１実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子構造形成工程Ｓ１００から清浄化工程Ｓ１０７までと同様であるから、説明は省略する。

以下、図１０を参照（適宜図８及び図９参照）して、各工程について説明する。

（第２個片化工程：Ｓ２０８）
第１実施形態に係る発光装置の製造方法と同様にして、清浄化工程Ｓ２０７（図１０（ｆ）参照）の後、第２個片化工程Ｓ２０８において、図１０（ｇ）に示すように、反射層６により一体化されたチップ１１（図１０（ｆ）参照）を、反射層６を加えた素子構造の境界線２１に沿って、ダイシングして切断し、チップ１２に個片化する。

（第２キャリア貼付工程（第２配列工程）：Ｓ２０９）
次に、第２キャリア貼付工程Ｓ２０９において、図１０（ｈ）に示すように、個片化されたチップ１２を、バンプ４が下側になるように、粘着シート４０が貼付されたキャリア３０に貼付する。このとき、チップ１２が所定の間隔を空けて配列されるように配置する。

（蛍光層形成工程（波長変換部材形成工程）：Ｓ２１０）
次に、蛍光層形成工程Ｓ２１０において、図１０（ｉ）に示すように、チップ１１の基板１側の面及び側面に、蛍光層５を形成する。

（蛍光層厚さ調整工程：Ｓ２１１）
次に、蛍光層厚さ調整工程Ｓ２１１において、図１０（ｊ）に示すように、蛍光層５の下面（図１０（ｊ）において下側の面）を、研磨機６０を用いて、予め定めておいた研磨線６２まで研磨（又は研削）して、蛍光層５を所定の厚さに調整する。これにより、発光装置１０Ａの発光色の色調を調整することができる。

（第３個片化工程：Ｓ２１２）
最後に、第３個片化工程Ｓ２１２において、図１０（ｋ）に示すように、発光装置１０Ａを、ダイシングにより発光装置１０Ａの境界線２２に沿って切断し、個片化する。以上の工程により、図８に示した発光装置１０Ａを製造することができる。

＜第３実施形態＞
〔発光装置の構造〕
次に、図１１を参照して、本発明の第３実施形態に係る発光装置について説明する。図１１に示した第３実施形態に係る発光装置１０Ｂは、図１に示した第１実施形態に係る発光装置１０に対して、蛍光層５が、光取り出し面である半導体発光素子３の裏面側に加えて、側面まで一体化された樹脂層で被覆するように構成され、更に、反射層６が、半導体発光素子３の下面（半導体発光素子構造２側）と、蛍光層５の側面及び半導体発光素子３の側面を被覆する部分の下面と、を外側から被覆することが異なる。また、発光装置１０Ｂは、図１に示した発光装置１０と同様に、フェイスダウン実装型のＬＥＤである。

図１１に示すように、発光装置１０Ｂは、蛍光層５が、断面視で開口が下向きの逆Ｕ字状に形成され、一体的な樹脂層として半導体発光素子３の裏面である上面を被覆するとともに、側面を包囲するように被覆している。蛍光層５は、半導体発光素子３の上面及び側面と密着しているため、発光装置１０Ｂから剥離しにくい構造となっている。また、反射層６は、断面視で開口が上向きのＵ字状に形成され、半導体発光素子３の表面である下面と、蛍光層５の側面及び半導体発光素子３の側面を被覆する部分の下面と、を被覆している。反射層６は、半導体発光素子３の下面と、蛍光層５の側面及び半導体発光素子３の側面を被覆する部分の下面と密着しているため、発光装置１０Ｂから剥離しにくい構造となっている。また、反射層６は、一体的な樹脂層として形成されている。つまり、反射層６は、その内部に界面を含まない。従って、反射層６は、半導体発光素子３の下面側に設けられる領域と、半導体発光素子３の側面の周囲に設けられる領域と、の間などに界面を含む場合に比べて、発光装置１０Ｂから剥離しにくい。

〔発光装置の動作〕
図１１に示した本発明の第３実施形態に係る発光装置１０Ｂは、ｎ側電極及びｐ側電極と、それぞれ電気的に接続するバンプ４_ｎ及びバンプ４_ｐを介して、実装基板の配線電極（不図示）を通して電流が供給されると、半導体発光素子３が青色光を発光する。半導体発光素子３が発光した青色光は、直接に、又は反射層６、ｎ側電極、ｐ側電極、全面電極などによって反射されて、基板１の裏面側（図１１の上方向）を被覆する蛍光層５を通過して取り出される。このとき、蛍光層５を通過する青色光の一部は、蛍光層５に含有される蛍光体によって吸収され、波長の長い黄色光に変換されて取り出される。また、半導体発光素子３内を横方向に進行する光は、側面に形成された反射層６によって反射されるが、この反射の前後に側面に形成された蛍光層５を通過することにより、青色光の一部が黄色光に波長変換される。そして、発光装置１０Ｂからは、蛍光層５を透過する青色光と、蛍光層５で波長変換された黄色光とが混色された白色光が出力される。

このとき、基板１の裏面を被覆する蛍光層５の厚さは精度よく形成され、発光装置同士のバラツキが抑制されている。ここで、側面の蛍光層５は、厚さにバラツキがあると、黄色光に波長変換される光の割合が変化することとなる。しかし、側面部に形成された蛍光層５の更に外側は反射層６で被覆されているため、側面から光が取り出されることはない。このため、光取り出し面である基板１の裏面側から取り出される光は、青色光と黄色光とが平均的に混色されることとなる。従って、発光装置１０Ｂの観察方向の違いによる色むらを低減することができる。なお、反射層６の厚さがバラツキの範囲内における最小の場合でも、反射層６に入射する光を、実質的にすべて反射するだけの反射率が得られるように反射材の添加量などを調整して反射層６を形成することによって、反射層６の厚さのバラツキは、発光装置１０Ｂの出力光の色調に影響しない。

なお、蛍光層５の側面を被覆する反射層６の上面は、蛍光層５の上面と略同一面となるように設けられることが好ましい。これによって、蛍光層５の側面から光が出射するのを抑制して、実質的に厚さが精度よく形成された蛍光層５の上面からのみ光が取り出されるようにすることができるため、観察方向の違いによる色むらをより低減することができる。

〔発光装置の製造方法〕
本発明の第３実施形態に係る発光装置の製造方法について、図１２を参照して説明する。

図１２に示すように、第３実施形態に係る発光装置の製造方法は、発光素子構造形成工程Ｓ３００と、第１個片化工程Ｓ３０１と、チップ選別工程Ｓ３０２と、第１キャリア貼付工程Ｓ３０３と、蛍光層形成工程Ｓ３０４と、蛍光層厚さ調整工程Ｓ３０５と、清浄化工程Ｓ３０６と、バンプ形成工程Ｓ３０７と、第２個片化工程Ｓ３０８と、第２キャリア貼付工程Ｓ３０９と、反射層形成工程Ｓ３１０と、反射層厚さ調整工程Ｓ３１１と、第３個片化工程Ｓ３１２と、が順次行われる。

ここで、第３実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子構造形成工程Ｓ３００は、図２に示した第１実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子構造形成工程Ｓ１００と同様であるから、説明は省略する。

以下、図１３を参照（適宜図１１及び図１２参照）して、各工程について説明する。

（第１個片化工程：Ｓ３０１）
発光素子構造形成工程Ｓ３００の後、第１個片化工程Ｓ３０１において、図１３（ａ）に示すように、ダイシングにより素子構造の境界線２０に沿って、チップ１１に個片化する。

（チップ選別工程：Ｓ３０２）
次に、チップ選別工程Ｓ３０２において、個片化された各チップ１１について、半導体発光素子構造２のｎ側電極及びｐ側電極に電源装置を接続してチップ１１を発光させ、発光波長を測定する。そして、発光波長が所定の範囲にあるチップ１１を選別する。

（第１キャリア貼付工程（配列工程）：Ｓ３０３）
次に、第１キャリア貼付工程Ｓ３０３において、図１３（ｂ）に示すように、チップ選別工程Ｓ３０２で選別したチップ１１を、半導体発光素子構造２を下側にして、所定の間隔を空けて粘着シート４０が貼付されたキャリア３０上に配列する。キャリア３０上に配列されたチップ１１は、粘着シート４０によってキャリア３０に貼付され、その位置が保持される。

（蛍光層形成工程（波長変換部材形成工程）：Ｓ３０４）
次に、蛍光層形成工程Ｓ３０４において、図１３（ｃ）に示すように、キャリア３０に貼付されたチップ１１の基板１側の面及び側面に蛍光層５を形成する。

（蛍光層厚さ調整工程：Ｓ３０５）
次に、蛍光層厚さ調整工程Ｓ３０５において、図１３（ｄ）に示すように、蛍光層５の上面（図１３（ｄ）において下側の面）を、研磨機６０を用いて、研磨（又は研削）して、予め定めておいた研磨線６１まで研磨（又は研削）して、蛍光層５を所定の厚さに調整する。これにより、発光装置１０Ｂの発光色の色調を調整することができる。

（清浄化工程：Ｓ３０６）
次に、清浄化工程Ｓ３０６において、図１３（ｅ）に示すように、蛍光層５で一体化されたチップ１１をキャリア３０から剥離し、研磨により生じたバリや、ごみ等を除去する。

（バンプ形成工程（外部接続用電極形成工程）：Ｓ３０７）
次に、バンプ形成工程Ｓ３０７において、図１３（ｆ）に示すように、半導体発光素子構造２の上面にバンプ４を形成する。バンプ４として、不図示のｎ側電極及びｐ側電極上に、それぞれ、バンプ４_ｎ及びバンプ４_ｐが形成される。

（第２個片化工程：Ｓ３０８）
次に、第２個片化工程Ｓ３０８において、図１３（ｇ）に示すように、蛍光層５により一体化されたチップ１１（図１３（ｆ）参照）を、蛍光層５を加えた素子構造の境界線２１に沿って、ダイシングして切断し、チップ１２に個片化する。

（第２キャリア貼付工程（第２配列工程）：Ｓ３０９）
次に、第２キャリア貼付工程Ｓ３０９において、図１３（ｈ）に示すように、個片化されたチップ１２を、バンプ４が上側になるように、粘着シート４０が貼付されたキャリア３０に貼付する。このとき、チップ１２が所定の間隔を空けて配列されるように配置する。

（反射層形成工程（反射部材形成工程）：Ｓ３１０）
次に、反射層形成工程Ｓ３１０において、図１３（ｉ）に示すように、チップ１２の表面（半導体発光素子３の表面側）及び側面に、反射層６を形成する。

（反射層厚さ調整工程：Ｓ３１１）
次に、反射層厚さ調整工程Ｓ３１１において、図１３（ｊ）に示すように、反射層６の上面（図１３（ｊ）において下側の面）を、研磨機６０を用いて、バンプ４を露出させるとともに、予め定めておいた研磨線６２まで研磨（又は研削）して、反射層６を所定の厚さに調整する。

（第３個片化工程：Ｓ３１２）
最後に、第３個片化工程Ｓ３１２において、図１３（ｋ）に示すように、発光装置１０Ｂを、ダイシングにより発光装置１０Ｂの境界線２２に沿って切断し、個片化する。以上の工程により、図１１に示した発光装置１０Ｂを製造することができる。

＜製造方法の変形例＞
次に、図７（ｃ）を参照（適宜図１２及び図１３参照）して、本実施形態に係る発光装置の製造方法における反射層形成工程Ｓ３１０の変形例について説明する。

反射層形成工程Ｓ３１０において、上金型５１（図１３（ｉ）参照）に代えて、図７（ｃ）に示すような、素子構造の境界線２２（図１３（ｋ）参照）に仕切部５４ａを有する上金型５４を用いて反射層６を形成することにより、チップ１２（図１３（ｉ）参照）は互いに分離した状態で、又は凹部により仕切られて分離しやすい状態で形成される。従って、反射層厚さ調整工程Ｓ３１１の後、チップ１２をキャリア３０から剥離することにより、ダイシングによる個片化工程を省略又は簡略化して、個片化された発光装置１０Ｂを得ることができる。なお、図７（ｃ）においては、蛍光層５の記載は省略している。

また、前記した仕切部５４ａを有する上金型５４を用いた樹脂層（反射層６又は蛍光層５）の形成工程は、後記する第４実施形態、第５実施形態及び第７実施形態における反射層形成工程、並びに第６実施形態における蛍光層形成工程などに適用することができる。

＜第４実施形態＞
〔発光装置の構造〕
次に、図１４を参照して、本発明の第４実施形態に係る発光装置について説明する。図１４に示した第４実施形態に係る発光装置１０Ｃは、図１に示した第１実施形態に係る発光装置１０に対して、蛍光層５が、光取り出し面である半導体発光素子３の上面（基板１側）を被覆するように設けられ、反射層６が、半導体発光素子３の下面（半導体発光素子構造２側）及び側面に加えて、蛍光層５の側面を被覆することが異なる。また、発光装置１０Ｃは、図１に示した発光装置１０と同様に、フェイスダウン実装型のＬＥＤである。

図１４に示すように、発光装置１０Ｃは、蛍光層５が、平板状に形成され、半導体発光素子３の上面（基板１側）と密着しているとともに、側面が反射層６と密着している。すなわち、蛍光層５は、その下面と側面で他の部材と密着しているため、発光装置１０Ｃから剥離しにくい構造となっている。更に、反射層６は、断面視でＵ字状に形成され、半導体発光素子３の下面を被覆するとともに、半導体発光素子３の側面と、蛍光層５の側面と、を包囲するように被覆している。反射層６は、半導体発光素子３の下面及び側面と、蛍光層５の側面と、密着しているため、発光装置１０Ｃから剥離しにくい構造となっている。また、反射層６は、一体的な樹脂層として形成されている。つまり、反射層６は、その内部に界面を含まない。従って、反射層６は、半導体発光素子３の下面側に設けられる領域と、半導体発光素子３の側面の周囲に設けられる領域と、の間などに界面を含む場合に比べて、発光装置１０Ｃから剥離しにくい。

〔発光装置の動作〕
図１４に示した本発明の第３実施形態に係る発光装置１０Ｃは、ｎ側電極及びｐ側電極と、それぞれ電気的に接続するバンプ４_ｎ及びバンプ４_ｐを介して、実装基板の配線電極（不図示）を通して電流が供給されると、半導体発光素子３が青色光を発光する。半導体発光素子３が発光した青色光は、直接に、又は反射層６、ｎ側電極、ｐ側電極、全面電極などによって反射されて、基板１の裏面側（図１４の上方向）を被覆する蛍光層５を通過して取り出される。このとき、蛍光層５を通過する青色光の一部は、蛍光層５に含有される蛍光体によって吸収され、波長の長い黄色光に変換されて取り出される。そして、発光装置１０Ｃからは、蛍光層５を波長変換されずに通過する青色光と、蛍光層５で波長変換された黄色光とが混色された白色光が出力される。

このとき、基板１の裏面を被覆する蛍光層５の厚さは精度よく形成され、発光装置同士のバラツキが抑制されている。また、側面には蛍光層５が設けられておらず、半導体発光素子３内を横方向に進行する光は、反射層６により、光取り出し面方向に反射される。ここで、反射層６の厚さがバラツキの範囲内における最小の場合でも、反射層６に入射する光を、実質的にすべて反射するだけの反射率が得られるように反射材の添加量などを調整して反射層６を形成することによって、反射層６の厚さのバラツキは、発光装置１０の発光色に影響しない。すなわち、半導体発光素子３が発光し、外部に取り出される光の大部分、好ましくは実質的にそのすべての光は、厚さが精度よく調整された蛍光層５を通過することになる。従って、蛍光層５を通過する光の、波長変換される光と波長変換されない光の割合の発光装置同士でのバラツキが少なくなるため、発光装置１０Ｃから混色して出力される白色光の色調のバラツキを低減することができる。

なお、蛍光層５の側面を被覆する反射層６の上面は、第３実施形態と同様に、蛍光層５の上面と略同一面となるように設けられることが好ましい。これによって、蛍光層５の側面から光が出射するのを抑制して、実質的に厚さが精度よく形成された蛍光層５の上面からのみ光が取り出されるようにすることができるため、観察方向の違いによる色むらをより低減することができる。

〔発光装置の製造方法〕
本発明の第４実施形態に係る発光装置の製造方法について、図１５を参照して説明する。

図１５に示すように、第４実施形態に係る発光装置の製造方法は、発光素子構造形成工程Ｓ４００と、第１キャリア貼付工程Ｓ４０１と、蛍光層形成工程Ｓ４０２と、蛍光層厚さ調整工程Ｓ４０３と、清浄化工程Ｓ４０４と、バンプ形成工程Ｓ４０５と、第１個片化工程Ｓ４０６と、チップ選別工程Ｓ４０７と、第２キャリア貼付工程Ｓ４０８と、反射層形成工程Ｓ４０９と、反射層厚さ調整工程Ｓ４１０と、第２個片化工程Ｓ４１１と、が順次行われる。

ここで、第４実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子構造形成工程Ｓ４００は、図２に示した第１実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子構造形成工程Ｓ１００と同様であるから、説明は省略する。

以下、図１６を参照（適宜図１４及び図１５参照）して、各工程について説明する。

（第１キャリア貼付工程：Ｓ４０１）
発光素子構造形成工程Ｓ４００の後、第１キャリア貼付工程Ｓ４０１において、図１６（ａ）に示すように、ウエハ状態の半導体発光素子３を、基板１が上側になるように、粘着シート４０が貼付されたキャリア３０に貼付する。

（蛍光層形成工程（波長変換部材形成工程）：Ｓ４０２）
次に、蛍光層形成工程Ｓ４０２において、図１６（ｂ）に示すように、キャリア３０に貼付された半導体発光素子３の裏面（基板１側）に蛍光層５を形成する。

（蛍光層厚さ調整工程：Ｓ４０３）
次に、蛍光層厚さ調整工程Ｓ４０３において、図１６（ｃ）に示すように、蛍光層５の下面（図１６（ｃ）において下側の面）を、研磨機６０を用いて、研磨（又は研削）して、予め定めておいた研磨線６１まで研磨（又は研削）して、蛍光層５を所定の厚さに調整する。これにより、発光装置１０Ｃの発光色の色調を調整することができる。

（清浄化工程：Ｓ４０４）
次に、清浄化工程Ｓ４０４において、図１６（ｄ）に示すように、蛍光層５で一体化されたチップ１１をキャリア３０から剥離し、研磨により生じたバリや、ごみ等を除去する。

（バンプ形成工程（外部接続用電極形成工程）：Ｓ４０５）
次に、バンプ形成工程Ｓ４０５において、図１６（ｅ）に示すように、半導体発光素子構造２の上面にバンプ４を形成する。バンプ４として、不図示のｎ側電極及びｐ側電極上に、それぞれ、バンプ４_ｎ及びバンプ４_ｐが形成される。

（第１個片化工程：Ｓ４０６）
次に、第１個片化工程Ｓ４０６において、図１６（ｆ）に示すように、素子構造の境界線２０に沿って、ダイシングして切断し、チップ１１に個片化する。

（チップ選別工程：Ｓ４０７）
次に、チップ選別工程Ｓ４０７において、個片化された各チップ１１について、半導体発光素子構造２のｎ側電極上及びｐ側電極上に形成されたバンプ４に電源装置を接続してチップ１１を発光させ、発光波長を測定する。そして、発光波長が所定の範囲にあるチップ１１を選別する。

（第２キャリア貼付工程（配列工程）：Ｓ４０８）
次に、第２キャリア貼付工程Ｓ４０８において、図１６（ｇ）に示すように、チップ選別工程Ｓ４０７で選別したチップ１１を、バンプ４を上側にして、所定の間隔を空けて粘着シート４０が貼付されたキャリア３０上に配列する。キャリア３０上に配列されたチップ１１は、粘着シート４０によってキャリア３０に貼付され、その位置が保持される。

（反射層形成工程（反射部材形成工程）：Ｓ４０９）
次に、反射層形成工程Ｓ４０９において、図１６（ｈ）に示すように、チップ１１の上面（半導体発光素子構造２側）及び側面に、反射層６を形成する。

（反射層厚さ調整工程：Ｓ４１０）
次に、反射層厚さ調整工程Ｓ４１０において、図１６（ｉ）に示すように、反射層６の下面（図１６（ｉ）において下側の面）を、研磨機６０を用いて、バンプ４を露出させるとともに、予め定めておいた研磨線６２まで研磨（又は研削）して、反射層６を所定の厚さに調整する。

（第２個片化工程：Ｓ４１１）
最後に、第２個片化工程Ｓ４１１において、図１６（ｊ）に示すように、発光装置１０Ｃを、ダイシングにより発光装置１０Ｃの境界線２１に沿って切断し、個片化する。以上の工程により、図１４に示した発光装置１０Ｃを製造することができる。

＜第５実施形態＞
〔発光装置の構造〕
次に、図１７を参照して、本発明の第５実施形態に係る発光装置について説明する。図１７に示した第５実施形態に係る発光装置１０Ｄは、図１に示した第１実施形態に係る発光装置１０がフェイスダウン実装型のＬＥＤであるのに対して、半導体発光素子構造２が形成された面を光取り出し面とする、フェイスアップ実装型のＬＥＤである。なお、本実施形態は、フェイスアップ実装型のＬＥＤであるため、半導体発光素子３のｐ側半導体層上に形成される全面電極は、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）などの透光性の導電材料を用いて形成され、半導体発光素子３の表面から光が取り出されるように構成されている。

図１７に示すように、発光装置１０Ｄは、バンプ４が設けられた半導体発光素子３の上面（半導体発光素子構造２側）に蛍光層５が平板状に形成されている。また、バンプ４は、蛍光層５を貫通し、その上面が露出している。また、反射層６は、断面視でＵ字状に形成され、半導体発光素子３の下面（基板１側）を被覆するとともに、半導体発光素子３の側面と、蛍光層５の側面と、を包囲するように被覆している。

蛍光層５は、半導体発光素子３の上面（半導体発光素子構造２側）と密着するとともに、その側面は反射層６と密着しているため、発光装置１０Ｄから剥離しにくい構造となっている。また、反射層６は、半導体発光素子３の下面及び側面とともに、蛍光層５の側面とも密着しているため、発光装置１０Ｄから剥離しにくい構造となっている。また、反射層６は、一体的な樹脂層として形成されている。つまり、反射層６は、その内部に界面を含まない。従って、反射層６は、半導体発光素子３の下面側に設けられる領域と、半導体発光素子３の側面の周囲に設けられる領域と、の間などに界面を含む場合に比べて、発光装置１０Ｄから剥離しにくい。

〔発光装置の動作〕
図１７に示した本発明の第５実施形態に係る発光装置１０Ｄは、ｎ側電極及びｐ側電極と、それぞれ電気的に接続するバンプ４_ｎ及びバンプ４_ｐを介し、更にボンディングワイヤ（不図示）を介して実装基板の配線電極（不図示）を通して電流が供給されると、半導体発光素子３が青色光を発光する。半導体発光素子３が発光した青色光は、直接に、又は反射層６によって反射されて、光取り出し面である半導体発光素子３の表面側（図１７の上方向）を被覆する蛍光層５を通過して取り出される。このとき、蛍光層５を通過する青色光の一部は、蛍光層５に含有される蛍光体によって吸収され、波長の長い黄色光に変換されて取り出される。そして、発光装置１０Ｄからは、蛍光層５で波長変換されずに通過する青色光と、蛍光層５で波長変換された黄色光とが混色された白色光が出力される。

このとき、半導体発光素子３の表面を被覆する蛍光層５の厚さは精度よく形成され、発光装置同士のバラツキが抑制されている。また、側面には蛍光層５が設けられておらず、半導体発光素子３内を横方向に進行する光は、反射層６により、光取り出し面方向に反射される。ここで、反射層６の厚さがバラツキの範囲内における最小の場合でも、反射層６に入射する光を、実質的にすべて反射するだけの反射率が得られるように反射材の添加量などを調整して反射層６を形成することによって、反射層６の厚さのバラツキは、発光装置１０Ｄの出力光の色調に影響しない。すなわち、半導体発光素子３が発光し、外部に取り出される光の大部分、好ましくは実質的にそのすべての光は、厚さが精度よく調整された蛍光層５を通過することになる。従って、蛍光層５を通過する光の、波長変換される光と波長変換されない光の割合の発光装置同士でのバラツキが少なくなるため、発光装置１０Ｄから混色して出力される白色光の色調のバラツキを低減することができる。

なお、蛍光層５の側面を被覆する反射層６の上面は、第３実施形態と同様に、蛍光層５の上面と略同一面となるように設けられることが好ましい。これによって、蛍光層５の側面から光が出射するのを抑制して、実質的に厚さが精度よく形成された蛍光層５の上面からのみ光が取り出されるようにすることができるため、観察方向の違いによる色むらをより低減することができる。

〔発光装置の製造方法〕
本発明の第５実施形態に係る発光装置の製造方法について、図１８を参照して説明する。

図１８に示すように、第５実施形態に係る発光装置の製造方法は、発光素子構造形成工程Ｓ５００と、バンプ形成工程Ｓ５０１と、第１キャリア貼付工程Ｓ５０２と、蛍光層形成工程Ｓ５０３と、蛍光層厚さ調整工程Ｓ５０４と、清浄化工程Ｓ５０５と、第１個片化工程Ｓ５０６と、チップ選別工程Ｓ５０７と、第２キャリア貼付工程Ｓ５０８と、反射層形成工程Ｓ５０９と、反射層厚さ調整工程Ｓ５１０と、第２個片化工程Ｓ５１１と、が順次行われる。

ここで、第５実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子構造形成工程Ｓ５００は、図２に示した第１実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子構造形成工程Ｓ１００とは、ｐ型半導体層上に設ける全面電極として、ＩＴＯなどからなる透明電極を用いて形成すること以外は同様であるから、詳細な説明は省略する。

以下、図１９を参照（適宜図１７及び図１８参照）して、各工程について説明する。

（バンプ形成工程（外部接続用電極形成工程）：Ｓ５０１）
発光素子構造形成工程Ｓ５００の後、バンプ形成工程Ｓ５０１において、図１９（ａ）に示すように、半導体発光素子構造２の上面にバンプ４を形成する。バンプ４として、不図示のｎ側電極及びｐ側電極上に、それぞれ、バンプ４_ｎ及びバンプ４_ｐが形成される。

（第１キャリア貼付工程：Ｓ５０２）
次に、第１キャリア貼付工程Ｓ５０２において、図１９（ｂ）に示すように、バンプ４が形成されたウエハ状態の半導体発光素子３を、バンプ４が上側になるように、粘着シート４０が貼付されたキャリア３０に貼付する。

（蛍光層形成工程（波長変換部材形成工程）：Ｓ５０３）
次に、蛍光層形成工程Ｓ５０３において、図１９（ｃ）に示すように、キャリア３０に貼付された半導体発光素子３の表面に蛍光層５を形成する。

（蛍光層厚さ調整工程：Ｓ５０４）
次に、蛍光層厚さ調整工程Ｓ５０４において、図１９（ｄ）に示すように、蛍光層５の下面（図１９（ｄ）において下側の面）を、研磨機６０を用いて、研磨（又は研削）して、バンプ４を露出させるとともに、予め定めておいた研磨線６１まで研磨（又は研削）して、蛍光層５を所定の厚さに調整する。これにより、発光装置１０Ｄの発光色の色調を調整することができる。

（清浄化工程：Ｓ５０５）
次に、清浄化工程Ｓ５０５において、図１９（ｅ）に示すように、蛍光層５が形成されたウエハ状態の半導体発光素子３をキャリア３０から剥離し、研磨により生じたバリや、ごみ等を除去する。

（第１個片化工程：Ｓ５０６）
次に、第１個片化工程Ｓ５０６において、図１９（ｆ）に示すように、ウエハ状態の半導体発光素子３を、素子構造の境界線２０に沿って、ダイシングして切断し、チップ１１に個片化する。

（チップ選別工程：Ｓ５０７）
次に、チップ選別工程Ｓ５０７において、個片化された各チップ１１について、半導体発光素子構造２のｎ側電極上及びｐ側電極上に形成されたバンプ４に電源装置を接続してチップ１１を発光させ、発光波長を測定する。そして、発光波長が所定の範囲にあるチップ１１を選別する。

（第２キャリア貼付工程（配列工程）：Ｓ５０８）
次に、第２キャリア貼付工程Ｓ５０８において、図１９（ｇ）に示すように、チップ選別工程Ｓ５０７で選別したチップ１１を、基板１を上側にして、所定の間隔を空けて粘着シート４０が貼付されたキャリア３０上に配列する。キャリア３０上に配列されたチップ１１は、粘着シート４０によってキャリア３０に貼付され、その位置が保持される。

（反射層形成工程（反射部材形成工程）：Ｓ５０９）
次に、反射層形成工程Ｓ５０９において、図１９（ｈ）に示すように、チップ１１の基板１側の面及び側面に、反射層６を形成する。

（反射層厚さ調整工程：Ｓ５１０）
次に、反射層厚さ調整工程Ｓ５１０において、図１９（ｉ）に示すように、反射層６の下面（図１９（ｉ）において下側の面）を、研磨機６０を用いて、予め定めておいた研磨線６２まで研磨（又は研削）して、反射層６を所定の厚さに調整する。

（第２個片化工程：Ｓ５１１）
最後に、第２個片化工程Ｓ５１１において、図１９（ｊ）に示すように、発光装置１０Ｄを、ダイシングにより発光装置１０Ｄの境界線２１に沿って切断し、個片化する。以上の工程により、図１７に示した発光装置１０Ｄを製造することができる。

＜第６実施形態＞
〔発光装置の構造〕
次に、図２０を参照して、本発明の第６実施形態に係る発光装置について説明する。図２０に示した第６実施形態に係る発光装置１０Ｅは、図１７に示した第５実施形態に係る発光装置１０Ｄと同様に、フェイスアップ実装型のＬＥＤである。なお、本実施形態は、フェイスアップ実装型のＬＥＤであるため、半導体発光素子３のｐ側半導体層上に形成される全面電極は、ＩＴＯなどの透光性の導電材料を用いて形成され、半導体発光素子３の表面から光が取り出されるように構成されている。

図２０に示すように、発光装置１０Ｅは、反射層６が、断面視で開口が上向きのＵ字状に形成され、半導体発光素子３の下面（基板１側）を被覆するとともに、側面を包囲するように被覆している。また、蛍光層５は、断面視で開口が下向きの逆Ｕ字状に形成され、一体的な樹脂層としてバンプ４が設けられた半導体発光素子３の上面側（半導体発光素子構造２側）に加えて、反射層６の半導体発光素子３の側面に形成された部分の上面を被覆するとともに、反射層６の側面を包囲するように被覆している。また、バンプ４は、蛍光層５を貫通し、その上面が露出している。

なお、反射層６の側面に形成された蛍光層５は、反射層６の外側にあり、半導体発光素子３が発光した光は通過しないため、波長変換部材としては機能しない。

反射層６は、半導体発光素子３の下面及び側面と密着しているため、発光装置１０Ｅから剥離しにくい構造となっている。また、反射層６は、一体的な樹脂層として形成されている。つまり、反射層６は、その内部に界面を含まない。従って、反射層６は、半導体発光素子３の下面側に設けられる領域と、半導体発光素子３の側面の周囲に設けられる領域と、の間などに界面を含む場合に比べて、発光装置１０Ｅから剥離しにくい。また、蛍光層５は、半導体発光素子３の上面と密着しているとともに、反射層６の側面及び半導体発光素子３の側面に形成された部分の上面と密着しているため、蛍光層５は、発光装置１０Ｅから剥離しにくい構造となっている。

〔発光装置の動作〕
図２０に示した本発明の第６実施形態に係る発光装置１０Ｅは、ｎ側電極及びｐ側電極と、それぞれ電気的に接続するバンプ４_ｎ及びバンプ４_ｐを介し、更にボンディングワイヤ（不図示）を介して実装基板の配線電極（不図示）を通して電流が供給されると、半導体発光素子３が青色光を発光する。半導体発光素子３が発光した青色光は、直接に、又は反射層６によって反射されて、光取り出し面である半導体発光素子３の表面側（図２０の上方向）を被覆する蛍光層５を通過して取り出される。このとき、蛍光層５を通過する青色光の一部は、蛍光層５に含有される蛍光体によって吸収され、波長の長い黄色光に変換されて取り出される。そして、発光装置１０Ｅからは、蛍光層５で波長変換されずに通過する青色光と、蛍光層５で波長変換された黄色光とが混色された白色光が出力される。

このとき、半導体発光素子３の表面を被覆する蛍光層５の厚さは精度よく形成され、発光装置同士のバラツキが抑制されている。また、側面の蛍光層５は、反射層６の外側であるため、波長変換部材としては機能しない。このため、蛍光層５の側面の厚さのバラツキは発光装置１０Ａの出力光の色調に影響しない。また、半導体発光素子３内を横方向に進行する光は、反射層６により、光取り出し面方向に反射される。ここで、反射層６の厚さがバラツキの範囲内における最小の場合でも、反射層６に入射する光を、実質的にすべて反射するだけの反射率が得られるように反射材の添加量などを調整して反射層６を形成することによって、反射層６の厚さのバラツキは、発光装置１０Ｅの出力光の色調に影響しない。すなわち、半導体発光素子３が発光し、外部に取り出される光の大部分、好ましくは実質的にそのすべての光は、厚さが精度よく調整された蛍光層５を通過することになる。従って、蛍光層５を通過する光の、波長変換される光と波長変換されない光の割合の発光装置同士でのバラツキが少なくなるため、発光装置１０Ｅから混色して出力される白色光の色調のバラツキを低減することができる。

〔発光装置の製造方法〕
本発明の第６実施形態に係る発光装置の製造方法について、図２１を参照して説明する。

図２１に示すように、第６実施形態に係る発光装置の製造方法は、発光素子構造形成工程Ｓ６００と、第１個片化工程Ｓ６０１と、チップ選別工程Ｓ６０２と、第１キャリア貼付工程Ｓ６０３と、反射層形成工程Ｓ６０４と、反射層厚さ調整工程Ｓ６０５と、清浄化工程Ｓ６０６と、バンプ形成工程Ｓ６０７と、第２個片化工程Ｓ６０８と、第２キャリア貼付工程Ｓ６０９と、蛍光層形成工程Ｓ６１０と、蛍光層厚さ調整工程Ｓ６１１と、第３個片化工程Ｓ６１２と、が順次行われる。

ここで、第６実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子構造形成工程Ｓ６００は、図１８に示した第５実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子構造形成工程Ｓ５００と同様に、ｐ型半導体層上に設ける全面電極として、ＩＴＯなどからなる透明電極を用いて形成するものであるから、詳細な説明は省略する。

以下、図２２を参照（適宜図２０及び図２１参照）して、各工程について説明する。

（第１個片化工程：Ｓ６０１）
発光素子構造形成工程Ｓ６００の後、第１個片化工程Ｓ６０１において、図２２（ａ）に示すように、ウエハ状態の半導体発光素子３を、素子構造の境界線２０に沿って、ダイシングして切断し、チップ１１に個片化する。

（チップ選別工程：Ｓ６０２）
次に、チップ選別工程Ｓ６０２において、個片化された各チップ１１について、半導体発光素子構造２のｎ側電極及びｐ側電極に電源装置を接続してチップ１１を発光させ、発光波長を測定する。そして、発光波長が所定の範囲にあるチップ１１を選別する。

（第１キャリア貼付工程（第１配列工程）：Ｓ６０３）
次に、第１キャリア貼付工程Ｓ６０３において、図２２（ｂ）に示すように、チップ選別工程Ｓ６０２で選別したチップ１１を、基板１を上側にして、所定の間隔を空けて粘着シート４０が貼付されたキャリア３０上に配列する。キャリア３０上に配列されたチップ１１は、粘着シート４０によってキャリア３０に貼付され、その位置が保持される。

（反射層形成工程（反射部材形成工程）：Ｓ６０４）
次に、反射層形成工程Ｓ６０４において、図２２（ｃ）に示すように、チップ１１の基板１側の面及び側面に、反射層６を形成する。

（反射層厚さ調整工程：Ｓ６０５）
次に、反射層厚さ調整工程Ｓ６０５において、図２２（ｄ）に示すように、反射層６の下面（図２２（ｄ）において下側の面）を、研磨機６０を用いて、予め定めておいた研磨線６１まで研磨（又は研削）して、反射層６を所定の厚さに調整する。

（清浄化工程：Ｓ６０６）
次に、清浄化工程Ｓ６０６において、図２２（ｅ）に示すように、反射層６により一体化されたチップ１１をキャリア３０から剥離し、研磨により生じたバリや、ごみ等を除去する。

（バンプ形成工程（外部接続用電極形成工程）：Ｓ６０７）
次に、バンプ形成工程Ｓ６０７において、図２２（ｆ）に示すように、半導体発光素子構造２の上面にバンプ４を形成する。バンプ４として、不図示のｎ側電極及びｐ側電極上に、それぞれ、バンプ４_ｎ及びバンプ４_ｐが形成される。

（第２個片化工程：Ｓ６０８）
次に、第２個片化工程Ｓ６０８において、図２２（ｇ）に示すように、反射層６により一体化されている素子構造を、反射層６を加えた素子構造の境界線２１に沿って、ダイシングして切断し、チップ１２に個片化する。

（第２キャリア貼付工程（第２配列工程）：Ｓ６０９）
次に、第２キャリア貼付工程Ｓ６０９において、図２２（ｈ）に示すように、チップ１２を、バンプ４が上側になるように、粘着シート４０が貼付されたキャリア３０に貼付する。

（蛍光層形成工程（波長変換部材形成工程）：Ｓ６１０）
次に、蛍光層形成工程Ｓ６１０において、図２２（ｉ）に示すように、キャリア３０に貼付されたチップ１２の表面及び側面に蛍光層５を形成する。

（蛍光層厚さ調整工程：Ｓ６１１）
次に、蛍光層厚さ調整工程Ｓ６１１において、図２２（ｊ）に示すように、蛍光層５の下面（図２２（ｊ）において下側の面）を、研磨機６０を用いて、研磨（又は研削）して、バンプ４を露出させるとともに、予め定めておいた研磨線６２まで研磨（又は研削）して、蛍光層５を所定の厚さに調整する。これにより、発光装置１０Ｅの発光色の色調を調整することができる。

（第３個片化工程：Ｓ６１２）
最後に、第３個片化工程Ｓ６１２において、図２２（ｋ）に示すように、発光装置１０Ｅを、ダイシングにより発光装置１０Ｅの境界線２２に沿って切断し、個片化する。以上の工程により、図２０に示した発光装置１０Ｅを製造することができる。

＜第７実施形態＞
〔発光装置の構造〕
次に、図２３を参照して、本発明の第７実施形態に係る発光装置について説明する。図２３に示した第７実施形態に係る発光装置１０Ｆは、図１７に示した第５実施形態に係る発光装置１０Ｄと同様に、フェイスアップ実装型のＬＥＤである。なお、本実施形態は、フェイスアップ実装型のＬＥＤであるため、半導体発光素子３のｐ側半導体層上に形成される全面電極は、ＩＴＯなどの透光性の導電材料を用いて形成され、半導体発光素子３の表面から光が取り出されるように構成されている。

図２３に示すように、発光装置１０Ｆは、蛍光層５が、断面視で開口が下向きの逆Ｕ字状に形成され、一体的な樹脂層として半導体発光素子３の上面を被覆するとともに、側面を包囲するように被覆している。また、バンプ４は、蛍光層５を貫通し、その上面が露出している。反射層６は、断面視で開口が上向きのＵ字状に形成され、半導体発光素子３の下面と、蛍光層５の半導体発光素子３の側面を被覆する部分の下面と、を被覆するとともに、蛍光層５の側面を包囲するように被覆している。

蛍光層５は、半導体発光素子３の上面及び側面と密着しているため、発光装置１０Ｆから剥離しにくい構造となっている。また、反射層６は、半導体発光素子３の下面と密着しているとともに、蛍光層５の側面及び半導体発光素子３の側面を被覆する部分の下面と密着しているため、発光装置１０Ｆから剥離しにくい構造となっている。また、反射層６は、一体的な樹脂層として形成されている。つまり、反射層６は、その内部に界面を含まない。従って、反射層６は、半導体発光素子３の下面側に設けられる領域と、半導体発光素子３の側面の周囲に設けられる領域と、の間などに界面を含む場合に比べて、発光装置１０Ｆから剥離しにくい。

なお、蛍光層５の側面を被覆する反射層６の上面は、第３実施形態と同様に、蛍光層５の上面と略同一面となるように設けられることが好ましい。これによって、蛍光層５の側面から光が出射するのを抑制して、実質的に厚さが精度よく形成された蛍光層５の上面からのみ光が取り出されるようにすることができるため、観察方向の違いによる色むらをより低減することができる。

〔発光装置の動作〕
図２３に示した本発明の第７実施形態に係る発光装置１０Ｆは、ｎ側電極及びｐ側電極と、それぞれ電気的に接続するバンプ４_ｎ及びバンプ４_ｐを介し、更にボンディングワイヤ（不図示）を介して実装基板の配線電極（不図示）を通して電流が供給されると、半導体発光素子３が青色光を発光する。半導体発光素子３が発光した青色光は、直接に、又は反射層６によって反射されて、光取り出し面である半導体発光素子３の表面側（図２３の上方向）を被覆する蛍光層５を通過して取り出される。また、半導体発光素子３内を横方向に進行する光は、側面に形成された反射層６によって反射されるが、この反射の前後に側面に形成された蛍光層５を通過することにより、青色光の一部が黄色光に波長変換される。このとき、蛍光層５を通過する青色光の一部は、蛍光層５に含有される蛍光体によって吸収され、波長の長い黄色光に変換されて取り出される。そして、発光装置１０Ｆからは、蛍光層５で波長変換されずに通過する青色光と、蛍光層５で波長変換された黄色光とが混色された白色光が出力される。

このとき、半導体発光素子３の表面を被覆する蛍光層５の厚さは精度よく形成され、発光装置同士のバラツキが抑制されている。ここで、側面の蛍光層５は、厚さにバラツキがあると、黄色光に波長変換される光の割合が変化することとなる。しかし、側面部に形成された蛍光層５の更に外側は反射層６で被覆されているため、側面から光が取り出されることはない。このため、光取り出し面である蛍光層５の表面から取り出される光は、青色光と黄色光とが平均的に混色されることとなる。従って、発光装置１０Ｆの観察方向の違いによる色むらを低減することができる。なお、反射層６の厚さがバラツキの範囲内における最小の場合でも、反射層６に入射する光を、実質的にすべて反射するだけの反射率が得られるように反射材の添加量などを調整して反射層６を形成することによって、反射層６の厚さのバラツキは、発光装置１０Ｆの出力光の色調に影響しない。

〔発光装置の製造方法〕
本発明の第７実施形態に係る発光装置の製造方法について、図２４を参照して説明する。

図２４に示すように、第７実施形態に係る発光装置の製造方法は、発光素子構造形成工程Ｓ７００と、バンプ形成工程Ｓ７０１と、第１個片化工程Ｓ７０２と、チップ選別工程Ｓ７０３と、第１キャリア貼付工程Ｓ７０４と、蛍光層形成工程Ｓ７０５と、蛍光層厚さ調整工程Ｓ７０６と、清浄化工程Ｓ７０７と、第２個片化工程Ｓ７０８と、第２キャリア貼付工程Ｓ７０９と、反射層形成工程Ｓ７１０と、反射層厚さ調整工程Ｓ７１１と、第３個片化工程Ｓ７１２と、が順次行われる。

ここで、第７実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子構造形成工程Ｓ７００は、図１８に示した第５実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子構造形成工程Ｓ５００と同様に、ｐ型半導体層上に設ける全面電極として、ＩＴＯなどからなる透明電極を用いて形成するものであるから、詳細な説明は省略する。

以下、図２５を参照（適宜図２３及び図２４参照）して、各工程について説明する。

（バンプ形成工程（外部接続用電極形成工程）：Ｓ７０１）
発光素子構造形成工程Ｓ７００の後、バンプ形成工程Ｓ７０１において、図２５（ａ）に示すように、半導体発光素子構造２の上面にバンプ４を形成する。バンプ４として、不図示のｎ側電極及びｐ側電極上に、それぞれ、バンプ４_ｎ及びバンプ４_ｐが形成される。

（第１個片化工程：Ｓ７０２）
次に、第１個片化工程Ｓ７０２において、図２５（ｂ）に示すように、バンプ４が形成されたウエハ状態の半導体発光素子３を、素子構造の境界線２０に沿って、ダイシングして切断し、チップ１１に個片化する。

（チップ選別工程：Ｓ７０３）
次に、チップ選別工程Ｓ７０３において、個片化された各チップ１１について、半導体発光素子構造２のｎ側電極上及びｐ側電極上に形成されたバンプ４に電源装置を接続してチップ１１を発光させ、発光波長を測定する。そして、発光波長が所定の範囲にあるチップ１１を選別する。

（第１キャリア貼付工程（配列工程）：Ｓ７０４）
次に、第１キャリア貼付工程Ｓ７０４において、図２５（ｃ）に示すように、チップ選別工程Ｓ７０３で選別したチップ１１を、バンプ４が上側になるように、所定の間隔を空けて粘着シート４０が貼付されたキャリア３０上に配列する。キャリア３０上に配列されたチップ１１は、粘着シート４０によってキャリア３０に貼付され、その位置が保持される。

（蛍光層形成工程（波長変換部材形成工程）：Ｓ７０５）
次に、蛍光層形成工程Ｓ７０５において、図２５（ｄ）に示すように、チップ１１の半導体発光素子構造２側の面及び側面に、蛍光層５を形成する。

（蛍光層厚さ調整工程：Ｓ７０６）
次に、蛍光層厚さ調整工程Ｓ７０６において、図２５（ｅ）に示すように、蛍光層５の下面（図２５（ｅ）において下側の面）を、研磨機６０を用いて、バンプ４を露出させるとともに、予め定めておいた研磨線６１まで研磨（又は研削）して、蛍光層５を所定の厚さに調整する。これにより、発光装置１０Ｆの発光色の色調を調整することができる。

（清浄化工程：Ｓ７０７）
次に、清浄化工程Ｓ７０７において、図２５（ｆ）に示すように、蛍光層５により一体化されたチップ１１をキャリア３０から剥離し、研磨により生じたバリや、ごみ等を除去する。

（第２個片化工程：Ｓ７０８）
次に、第２個片化工程Ｓ７０８において、図２５（ｇ）に示すように、蛍光層５により一体化されている素子構造を、蛍光層５を加えた素子構造の境界線２１に沿って、ダイシングして切断し、チップ１２に個片化する。

（第２キャリア貼付工程（第２配列工程）：Ｓ７０９）
次に、第２キャリア貼付工程Ｓ７０９において、図２５（ｈ）に示すように、チップ１２を、基板１が上側になるように、所定の間隔を空けて粘着シート４０が貼付されたキャリア３０上に配列する。キャリア３０上に配列されたチップ１１は、粘着シート４０によってキャリア３０に貼付され、その位置が保持される。

（反射層形成工程（反射部材形成工程）：Ｓ７１０）
次に、反射層形成工程Ｓ７１０において、図２５（ｉ）に示すように、キャリア３０に貼付されたチップ１２の基板１側の面及び側面に反射層６を形成する。

（反射層厚さ調整工程：Ｓ７１１）
次に、蛍光層厚さ調整工程Ｓ７１１において、図２５（ｊ）に示すように、反射層６の下面（図２５（ｊ）において下側の面）を、研磨機６０を用いて、研磨（又は研削）して、予め定めておいた研磨線６２まで研磨（又は研削）して、反射層６を所定の厚さに調整する。

（第３個片化工程：Ｓ７１２）
最後に、第３個片化工程Ｓ７１２において、図２５（ｋ）に示すように、発光装置１０Ｆを、ダイシングにより発光装置１０Ｆの境界線２２に沿って切断し、個片化する。以上の工程により、図２３に示した発光装置１０Ｆを製造することができる。

＜第８実施形態＞
〔発光装置の構造〕
次に、図２６を参照して、本発明の第８実施形態に係る発光装置について説明する。図２６に示した第８実施形態に係る発光装置１０Ｇは、図１７に示した第５実施形態に係る発光装置１０Ｄと同様に、フェイスアップ実装型のＬＥＤである。なお、本実施形態は、フェイスアップ実装型のＬＥＤであるため、半導体発光素子３のｐ側半導体層上に形成される全面電極は、ＩＴＯなどの透光性の導電材料を用いて形成され、半導体発光素子３の表面から光が取り出されるように構成されている。

図２６に示すように、発光装置１０Ｇにおいて、反射層６は、断面視でＵ字状に形成され、半導体発光素子３の下面（基板２側）を被覆するとともに、側面を包囲するように被覆している。また、蛍光層５は、平板状に形成され、バンプ４が設けられた半導体発光素子３の上面（半導体発光素子構造２側）及び反射層６の半導体発光素子３の側面を被覆する部分の上面を被覆している。また、バンプ４は、蛍光層５を貫通し、その上面が露出している。

反射層６は、半導体発光素子３の下面及び側面と密着しているため、発光装置１０Ｇから剥離しにくい構造となっている。また、反射層６は、一体的な樹脂層として形成されている。つまり、反射層６は、その内部に界面を含まない。従って、反射層６は、半導体発光素子３の下面側に設けられる領域と、半導体発光素子３の側面の周囲に設けられる領域と、の間などに界面を含む場合に比べて、発光装置１０Ｇから剥離しにくい。また、蛍光層５は、半導体発光素子３の上面と密着するとともに、反射層６の半導体発光素子３の側面を被覆する部分の上面とも密着し、発光装置１０Ｅから剥離しにくい構造となっている。

〔発光装置の動作〕
図２６に示した本発明の第８実施形態に係る発光装置１０Ｇは、ｎ側電極及びｐ側電極と、それぞれ電気的に接続するバンプ４_ｎ及びバンプ４_ｐを介し、更にボンディングワイヤ（不図示）を介して実装基板の配線電極（不図示）を通して電流が供給されると、半導体発光素子３が青色光を発光する。半導体発光素子３が発光した青色光は、直接に、又は反射層６によって反射されて、光取り出し面である半導体発光素子３の表面側（図２０の上方向）を被覆する蛍光層５を通過して取り出される。このとき、蛍光層５を通過する青色光の一部は、蛍光層５に含有される蛍光体によって吸収され、波長の長い黄色光に変換されて取り出される。そして、発光装置１０Ｇからは、蛍光層５で波長変換されずに通過する青色光と、蛍光層５で波長変換された黄色光とが混色された白色光が出力される。

このとき、半導体発光素子３の表面を被覆する蛍光層５の厚さは精度よく形成され、発光装置同士のバラツキが抑制されている。また、側面には蛍光層５が設けられておらず、半導体発光素子３内を横方向に進行する光は、反射層６により、光取り出し面方向に反射される。ここで、反射層６の厚さがバラツキの範囲内における最小の場合でも、反射層６に入射する光を、実質的にすべて反射するだけの反射率が得られるように反射材の添加量などを調整して反射層６を形成することによって、反射層６の厚さのバラツキは、発光装置１０Ｇの出力光の色調に影響しない。すなわち、半導体発光素子３が発光し、外部に取り出される光の大部分、好ましくは実質的にそのすべての光は、厚さが精度よく調整された蛍光層５を通過することになる。従って、蛍光層５を通過する光の、波長変換される光と波長変換されない光の割合の発光素子同士でのバラツキが少なくなるため、発光装置１０Ｇから混色して出力される白色光の色調のバラツキを低減することができる。

〔発光装置の製造方法〕
本発明の第８実施形態に係る発光装置の製造方法について、図２７を参照して説明する。

図２７に示すように、第８実施形態に係る発光装置の製造方法は、発光素子構造形成工程Ｓ８００と、第１個片化工程Ｓ８０１と、チップ選別工程Ｓ８０２と、第１キャリア貼付工程Ｓ８０３と、反射層形成工程Ｓ８０４と、反射層厚さ調整工程Ｓ８０５と、清浄化工程Ｓ８０６と、バンプ形成工程Ｓ８０７と、第２キャリア貼付工程Ｓ８０８と、蛍光層形成工程Ｓ８０９と、蛍光層厚さ調整工程Ｓ８１０と、第２個片化工程Ｓ８１１と、が順次行われる。

ここで、第８実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子構造形成工程Ｓ８００からバンプ形成工程Ｓ８０７までの工程は、図２１に示した第６実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子構造形成工程Ｓ６００からバンプ形成工程Ｓ６０７までの工程と同様であるから、説明は省略する。

以下、図２８を参照（適宜図２６及び図２７参照）して、第２キャリア貼付工程Ｓ８０８以降の各工程について説明する。

（第２キャリア貼付工程：Ｓ８０８）
バンプ形成工程Ｓ８０７において反射層６により一体化されたチップ１１にバンプ４を形成した後（図２８（ｆ）参照）、第２キャリア貼付工程Ｓ８０８において、図２８（ｇ）に示すように、チップ１１を、バンプ４が上側になるように、粘着シート４０が貼付されたキャリア３０に貼付する。

（蛍光層形成工程（波長変換部材形成工程）：Ｓ８０９）
次に、蛍光層形成工程Ｓ８０９において、図２８（ｈ）に示すように、キャリア３０に貼付されたチップ１１の表面及び反射層６の上面に蛍光層５を形成する。

（蛍光層厚さ調整工程：Ｓ８１０）
次に、蛍光層厚さ調整工程Ｓ８１０において、図２８（ｉ）に示すように、蛍光層５の下面（図２８（ｉ）において下側の面）を、研磨機６０を用いて、研磨（又は研削）して、バンプ４を露出させるとともに、予め定めておいた研磨線６２まで研磨（又は研削）して、蛍光層５を所定の厚さに調整する。これにより、発光装置１０Ｇの発光色の色調を調整することができる。

（第２個片化工程：Ｓ８１１）
最後に、第２個片化工程Ｓ８１１において、図２８（ｊ）に示すように、発光装置１０Ｇを、ダイシングにより発光装置１０Ｇの境界線２１に沿って切断し、個片化する。以上の工程により、図２６に示した発光装置１０Ｇを製造することができる。

＜発光装置の変形例＞
次に、本発明における発光装置の変形例について説明する。
本変形例に係る発光装置は、前記した各実施形態に係る発光装置１０から発光装置１０Ｇにおいて、基板１、蛍光層５及び／又は反射層６について、被覆部材である蛍光層５又は反射層６により被覆される面に、凹凸を形成するようにするものである。これによって、凹凸が形成された面上に形成される被覆部材である蛍光層５又は反射層６の密着性が向上し、剥離しにくくすることができる。このような凹凸は、ブラスト加工、レーザ照射、プラズマ照射などにより形成することができ、特にブラスト加工が効果的な凹凸を簡便に形成しやすい。

また、第１実施形態から第４実施形態に係るフェイスダウン実装型の発光装置１０から発光装置１０Ｃにおいて、基板２の蛍光層５により被覆される面の凹凸形成による光拡散効果により、色むらを低減することができる。
なお、被覆部材により被覆されるすべての面に凹凸を形成してもよいが、その内の一部に凹凸を形成するようにしてもよい。

更にまた、各実施形態に係る発光装置１０から発光装置１０Ｇにおいて、光取り出し面となる蛍光層５の表面に凹凸を形成するようにしてもよい。これによって、外部への光取り出し効率を向上することができる。

ここで、図２９を参照して、基板、蛍光層及び反射層に凹凸を形成した発光装置の例について説明する。

図２９に示した発光装置１０Ｈは、図１（ａ）に示した第１実施形態の発光装置１０において、基板１の裏面１ａ及び側面１ｂ、反射層６の上面６ａ、並びに光取り出し面である蛍光層５の上面５ａに凹凸を形成した例である。なお、この例では、基板１の側面１ｂに加えて、半導体発光素子構造２の側面にも凹凸が形成されている。

本変形例に係る発光装置１０Ｈは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法において、次のように凹凸形成処理を追加することで製造することができる。

基板１の側面１ｂの凹凸形成は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法における第１キャリア貼付工程Ｓ１０４（図２参照）において、図３（ｃ）に示した状態で行うことができる。凹凸形成処理の際は、凹凸の形成を避けるべき半導体発光素子構造２の上面は、適宜にマスキング処理を施すものとする。

また、基板１の裏面１ａ及び反射層６の上面６ａの凹凸形成は、第２キャリア貼付工程Ｓ１０８（図２参照）において、図３（ｇ）に示した状態で行うことができる。
更に、蛍光層５の上面５ａの凹凸形成は、蛍光層厚さ調整工程Ｓ１１０（図２参照）において、図３（ｉ）に示した状態で、蛍光層５の厚さ調整を行った後に行うことができる。

他の実施形態に係る発光装置についても、反射層形成工程を行う前、及び蛍光層形成工程を行う前に、適宜にそれぞれ工程で形成される被覆部材である反射層６又は蛍光層５が被覆する領域に凹凸を形成する処理を追加することができる。

次に、本発明による発光装置の色むら低減の効果を確認するために、実施例として、図３０（ａ）に示す構成の発光装置１０及び図３０（ｃ）に示す構成の発光装置１０Ｌについて、発光色の配光特性のシミュレーションを行った。また、比較例として、図３０（ｂ）に示す構成の発光装置１１０及び図３０（ｄ）に示す構成の発光装置１１０Ｌについて、発光色の配光特性のシミュレーションを行った。

図３０（ａ）に示すように、実施例に係る発光装置１０は、フェイスダウン実装した半導体発光素子３を備え、図１（ａ）に示した第１実施形態に係る発光装置１０と同様の構成を有するものである。図３０（ａ）に示した発光装置１０は、発光装置１０の幅がＷ１、半導体発光素子３の幅がＷ３である。また、図３０（ａ）における横方向について、反射層６の半導体発光素子３から左側の厚さ（幅）はＷ２Ｌ、反射層６の半導体発光素子３から右側の厚さ（幅）はＷ２Ｒである。図３０（ａ）における横方向において、半導体発光素子３は、発光装置１０の中央に配置されており、Ｗ２Ｌ＝Ｗ２Ｒである。なお、発光装置１０及び半導体発光素子３の平面視の形状は、正方形である。
また、反射層６の縦方向の厚さはＨ２であり、半導体発光素子３の縦方向の厚さはＨ３であり、反射層６の上面と半導体発光素子３の上面とは同一面である。また、蛍光層５は、半導体発光素子３及び反射層６の上面の全体を覆うように設けられ、厚さはＨ１である。

図３０（ｂ）に示すように、比較例に係る発光装置１１０は、発光装置１１０の幅がＷ１であり、半導体発光素子３の厚さがＨ３である。また、蛍光層１０５は、半導体発光素子３の上面及び側面を被覆するように設けられている。ここで、図３０（ｂ）における横方向について、蛍光層１０５の半導体発光素子３から左側の厚さ（幅）はＷ２Ｌ、蛍光層１０５の半導体発光素子３から右側の厚さ（幅）はＷ２Ｒである。図３０（ｂ）における横方向において、半導体発光素子３は、発光装置１１０の中央に配置されており、Ｗ２Ｌ＝Ｗ２Ｒである。なお、発光装置１１０及び半導体発光素子３の平面視の形状は、正方形である。
また、蛍光層５の、半導体発光素子３の上面における厚さはＨ１であり、蛍光層５の上面は反射層１０５の上面に平行な平面である。

図３０（ｃ）に示した発光装置１０Ｌは、図３０（ａ）に示した発光装置１０において、半導体発光素子３を左寄りに配置したものである。従って、発光装置１０Ｌにおいて、Ｗ２Ｌ＜Ｗ２Ｒである。半導体発光素子３を左寄りに配置したこと以外は、図３０（ａ）に示した発光装置１０と同様である。

図３０（ｄ）に示した発光装置１１０Ｌは、図３０（ｂ）に示した発光装置１１０において、半導体発光素子３を左寄りに配置したものである。従って、発光装置１１０Ｌにおいて、Ｗ２Ｌ＜Ｗ２Ｒである。半導体発光素子３を左寄りに配置したこと以外は、図３０（ｂ）に示した発光装置１１０と同様である。

ここで、半導体発光素子３は、中心波長が４４２[ｎｍ]、光出力１［Ｗ］の青色光を発光するものとした。なお、半導体発光素子３の最下層には、反射率９２％のＡｇの反射膜を設けている。
また、蛍光層５、１０５は、ＹＡＧ系の蛍光体を含有したシリコーン樹脂を用いて構成され、反射層６は、拡散材としてＴｉＯ_２を含有したシリコーン樹脂を用いて構成されるものとした。また、この蛍光体は、粒径７［μｍ］、最大励起波長４５０［ｎｍ］における光吸収率が９５％であって、中心波長が５５５[ｎｍ]の黄色光を発光するものとした。なお、実施例と比較例の発光装置を略同等の発光色度で比較するために、蛍光体の密度は、実施例に係る蛍光層５では２×１０^６［個／ｍｍ^３］とし、比較例に係る蛍光層１０５では１×１０^６［個／ｍｍ^３］とした。また、拡散剤は、平均粒径が０．２［μｍ］、密度が１．５×１０^１１［個／ｍｍ^３］であるものとした。

なお、発光装置１０、１０Ｌにおいて、Ｈ２＝１７０［ｎｍ］とした。また、各発光装置において、発光装置の幅Ｗ１、半導体発光素子の幅Ｗ３、厚さＨ３、及び蛍光層５、１０５の厚さＨ１は同一とし、Ｗ１＝１０００［μｍ］、Ｗ３＝５００［μｍ］、Ｈ３＝１２０［μｍ］、Ｈ１＝５０［μｍ］とした。

また、発光装置１０及び発光装置１１０において、Ｗ２Ｌ＝Ｗ２Ｒ＝２５０［μｍ］とし、発光装置１０Ｌ及び発光装置１１０Ｌにおいて、Ｗ２Ｌ＝１５０［μｍ］、Ｗ２Ｒ＝３５０［μｍ］とした。

図３１にシミュレーション結果を示す。
図３１（ａ）は、半導体発光素子３が発光装置の中央に配置された発光装置１０及び発光装置１１０のシミュレーション結果である。ここで、実線で示したＡが、本発明の実施例に係る発光装置１０の配光特性であり、破線で示したＢが、比較例に係る発光装置１１０の配光特性である。図３１（ａ）において、横軸は、発光装置１０及び発光装置１１０の横方向の中央位置において、真上方向（蛍光層５の面に垂直方向）を０°とし、右側の真横方向を９０°、左側の真横方向を−９０°とする観察方向を示す。また、図３１（ａ）において、横軸は、白色光である出力光の色温度を示す。
なお、発光装置の真横方向には光がほとんど出力されないため、−７５°〜＋７５°の範囲についてシミュレーション結果を示した。

図３１（ａ）に示すように、半導体発光素子３が発光装置１０，１１０の中央に配置されているため、何れの発光装置も略左右対称の配光特性を示している。また、観察方向の違いによる色温度の変化が少なく、色むらの少ない発光装置であることが分かる。

図３１（ｂ）は、半導体発光素子３が左寄りに配置された発光装置１０Ｌ及び発光装置１１０Ｌのシミュレーション結果である。ここで、実線で示したＡが、本発明の実施例に係る発光装置１０Ｌの配光特性であり、破線で示したＢが、比較例に係る発光装置１１０Ｌの配光特性である。図３１（ｂ）において、横軸及び縦軸は、図３１（ａ）と同様に、観察方向及び色温度を示す。

図３１（ｂ）に示すように、実施例に係る発光装置１０Ｌの配光特性は、略左右対称であり、図３１（ａ）に示した発光装置１０の配光特性と大きな違いがない。
一方、比較例に係る発光装置１１０Ｌの配光特性は、左右対称性が大きく崩れ、左側の色温度が非常に高くなっている。発光装置１１０Ｌは、蛍光層１０５の半導体発光素子３から左側の厚さが小さくなっており、蛍光層１０５で青色光が十分に色変換されることなく出射されるため、青色光成分が多い色温度の高い光が出力されることが分かる。
なお、図示は省略するが、実施例に係る発光装置１０、１０Ｌの輝度の配光特性は、ほぼランバーシアンとなる。

図３１（ａ）及び図３１（ｂ）に示したように、本発明による発光装置によれば、半導体発光素子３から見た蛍光層５の左右の厚さに差が生じた場合でも、発光装置の配光特性が大きく変化することなく、また、観察方向の違いによる色温度の変化、すなわち色むらが少ないことが分かる。
すなわち、本発明による発光装置は、１つの発光装置における観察方向の違いによる色むらが低減されるとともに、発光装置間の配光特性の差も低減されることが分かる。

１ 基板
２ 半導体発光素子構造（発光素子構造）
２ａ ｎ型半導体層
２ｂ 活性層
２ｃ ｐ型半導体層
２ｄ 全面電極
２ｅ カバー電極
２_ｎ ｎ側電極
２_ｐ ｐ側電極
３ 半導体発光素子（発光素子）
４ バンプ（外部接続用電極）
４ａ 上部
４_ｎ バンプ（ｎ側外部接続用電極）
４_ｐ バンプ（ｐ側外部接続用電極）
５ 蛍光層（波長変換部材）
６ 反射層
７ 引出電極（外部接続用拡張電極）
７_ｎ 引出電極（ｎ側外部接続用拡張電極）
７_ｐ 引出電極（ｐ側外部接続用拡張電極）
１０ 発光装置
１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ、１０Ｆ、１０Ｇ、１０Ｈ 発光装置
１１、１２ チップ（個片）
２０、２１、２２ 境界線
３０ キャリア（平板状の治具）
４０ 粘着シート
５０ 下金型
５１ 上金型
５２、５３、５４ 上金型
５２ａ 凹部
５３ａ 凹部
５４ａ 仕切部
６０ 研磨機
６１、６２ 研磨線
７０ 離型シート

Claims (6)

1. 基板と、前記基板上にｎ型半導体層とｐ型半導体層とが積層された発光素子構造と、を備えた発光素子を有し、
   前記発光素子の前記発光素子構造を有する面側に、前記ｎ型半導体層と電気的に接続されたｎ側外部接続用電極と、前記ｐ型半導体層と電気的に接続されたｐ側外部接続用電極と、が配置され、
   前記発光素子からの光取り出し面である前記発光素子の一方の面上に、前記発光素子が発光する光の少なくとも一部を、異なる波長の光に変換して出射する波長変換部材を備えた発光装置であって、
   前記発光素子の他方の面を被覆するとともに、前記発光素子の側面を包囲するように設けられた光反射性の反射部材を有し、
   前記ｎ側外部接続用電極及び前記ｐ側外部接続用電極の外部と接続するための接続面が、前記発光素子の前記発光素子構造を備える側の面上に設けられた前記波長変換部材又は前記反射部材から露出していることを特徴とする発光装置。
2. 前記発光素子の側面を包囲するように設けられた反射部材は、前記発光素子の側面に接して設けられたことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記発光素子の側面を包囲するように設けられた反射部材は、前記波長変換部材の側面を被覆することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光装置。
4. 前記波長変換部材は、前記発光素子の前記一方の面及び側面を被覆し、前記反射部材は、前記発光素子の側面を被覆する波長変換部材の側面を被覆することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
5. 前記波長変換部材は、前記発光素子の側面を被覆する前記反射部材の側面を被覆することを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
6. 前記ｎ側外部接続用電極及び前記ｐ側外部接続用電極が、前記発光素子の前記他方の面側に設けられ、前記接続面が前記反射部材から露出していることを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の発光装置。

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