JP2017504206A

JP2017504206A - 反射側壁を有する発光デバイス

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Publication number: JP2017504206A
Application number: JP2016544867A
Authority: JP
Inventors: ドーンシュリッカー，エイプリル; ケヴィンマイ，キム; ジュードモラン，ブレンダン
Original assignee: Koninklijke Philips NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 2014-01-09
Filing date: 2015-01-02
Publication date: 2017-02-02
Anticipated expiration: 2035-01-02
Also published as: CN105874615B; KR20160106697A; WO2015104648A1; US20190189857A1; US10211374B2; EP3092664B1; CN105874615A; JP6749240B2; US11404608B2; US20160365487A1; KR102318355B1; CN110890449B; CN110890449A; EP3092664A1

Abstract

本発明の実施形態は、基板と、発光層を含む半導体構造と、を含んだ発光デバイスを含む。上記発光デバイスを第１の反射層が取り囲んでいる。上記発光デバイスの上に波長変換素子が配設されている。上記波長変換素子の第１の側壁に隣接して、第２の反射層が配設されている。

Description

本発明は、反射側壁を有する発光デバイスに関する。

現在利用可能な最も効率的な光源の中に、発光ダイオード（ＬＥＤ）、共振器型（resonant cavity）発光ダイオード（ＲＣＬＥＤ）、垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）及び端面発光レーザを含む半導体発光デバイスがある。可視スペクトルで動作可能な高輝度発光デバイスの製造において現在関心ある材料系は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体、特に、ＩＩＩ族窒化物材料とも呼ばれる、ガリウム、アルミニウム、インジウム、及び窒素の二元、三元、及び四元合金を含む。典型的に、ＩＩＩ族窒化物発光デバイスは、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）又はその他のエピタキシャル技術により、サファイア、炭化シリコン、ＩＩＩ族窒化物若しくは複合材の基板、又はその他の好適な基板の上に、異なる組成及びドーパント濃度の複数の半導体層のスタック（積層体）をエピタキシャル成長することによって製造される。スタックは、しばしば、基板上に形成された、例えばＳｉでドープされた１つ以上のｎ型層と、該１つ以上のｎ型層上に形成された活性領域内の１つ以上の発光層と、活性領域上に形成された、例えばＭｇでドープされた１つ以上のｐ型層とを含んでいる。これらｎ型領域及びｐ型領域の上に、電気コンタクトが形成される。

光の大部分がデバイスの頂面を通じて取り出されるＬＥＤは、光が側面から漏れ出ることを防止するために、デバイスの側面の周りに反射材料を成形することによって形成されることがある。特許文献１（ＵＳ２０１１／００１８０１７Ａ）に更に詳細に記述されている成形を図１に示す。図１は、サブマウントウエハ３６０と、サブマウントに取り付けられたＬＥＤ１００とを例示している。個片化のためにウエハ３６０が後にソーイングあるいは破断されることになるところで、ウエハ３６０上に線が引かれている。

チェイスとしても知られる金型４００が窪み（インデンテーション）４２０を有しており、窪み４２０は好ましくは、各窪み４３０の平坦な底面に対してＬＥＤの頂面が接触する又は非常に接近することを確保するように浅いものである。窪み４２０はＬＥＤ１００よりも僅かに幅広であり、その差が、ＬＥＤ１００の側面を覆う成形材料の厚さとなる。粘性のあるシリコーンとＴｉＯ_２との混合物４４０が、窪み４２０を充たすとともに窪み４２０同士の間に薄い層を作り出すように、金型４００の上に正確にディスペンスされる。ＬＥＤ１００が混合物４４０内に浸漬されるように、サブマウントウエハ３６０と金型４００とが圧力下でくっつけられる。ＬＥＤ１００の頂部が窪み４２０の底とちょうど接触するとき、圧力が維持されて、例えば加熱によってシリコーンがキュアされる。その後、ウエハ３６０と金型４００とが離され、硬くなったシリコーン／ＴｉＯ_２４４０が、加熱又はＵＶによって更にキュアされ得る。そして、ソーイング又は破断によって、サブマウントウエハ３６０が線に沿って個片化される。

ＬＥＤ１００の側面を覆う比較的厚いシリコーン／ＴｉＯ_２の層が、ＬＥＤ側方光の実質的に全て（例えば、少なくとも７５％）を反射する。シリコーン／ＴｉＯ_２側壁での反射後、反射された光の一部が、ＬＥＤ１００の頂面（図１に示した向きでは、ＬＥＤ１００の頂面は下を向いている）を通じて最終的に出て行くことになる。

米国特許出願公開第２０１１／００１８０１７号明細書

本発明の１つの目的は、反射材料の配置に融通の利く反射側壁を有する発光デバイスを提供することである。

本発明の実施形態に従った一方法は、発光デバイスをマウントに取り付けることを含む。上記発光デバイスの側壁に隣接して、第１の反射層が形成される。上記発光デバイスの上に波長変換素子が配設される。上記波長変換素子の側壁に隣接して、第２の反射層が形成される。

ＬＥＤを覆って反射材料を成形することを例示している。ＩＩＩ族窒化物ＬＥＤの一例を示している。自動車のヘッドランプを例示している。図３のヘッドランプ内のＬＥＤの断面図である。図３のヘッドランプ内のＬＥＤの断面図である。マウントに取り付けられたＬＥＤを例示している。ＬＥＤを覆って反射層を形成した後の図６の構造を例示している。ＬＥＤの頂部上の反射材料を除去した後の図７の構造を例示している。ＬＥＤの上に波長変換層を配設した後の図８の構造を例示している。波長変換層の側面を覆って更なる反射層を形成した後の図９の構造を例示している。

本発明の実施形態においては、発光デバイスを覆って反射材料が成形され、発光デバイスの上に波長変換素子が配設され、次いで、波長変換素子の少なくとも一部を覆って、更なる反射層が形成される。本発明の実施形態は、反射材料の位置における融通性を提供する。これは、図１に例示した方法では得ることのできないものである。

図３は、自動車用のヘッドランプの一例を示している。ヘッドランプ３０は、５つの光源３４を含んでいる。光源３４は、ロービームのヘッドライトとして且つ／或いは日中走行用ライトとして用いられることが多いが、光源３４は適切な如何なる用途で用いられてもよい。光源３４は、本発明の実施形態において、波長変換式のＩＩＩ族窒化物ＬＥＤである。光源３４は基板３１上に配置されている。基板上のボンドパッド３２が、光源３４への電気接続を形成するために使用される。光源３４は、基板３１の内部又は表面上に形成された配線又は導電ビア（図３に示されず）を介して、ボンドパッド３２に電気的に接続され得る。

ここに記載される例では、半導体発光デバイスは、青色光又はＵＶ光を発するＩＩＩ族窒化物ＬＥＤであるが、例えばレーザダイオードなどの、ＬＥＤ以外の半導体発光デバイスや、例えばその他のＩＩＩ−Ｖ族材料、ＩＩＩ族リン化物、ＩＩＩ族ヒ化物、ＩＩ−ＶＩ族材料、ＺｎＯ、又はＳｉ系材料などの、その他の材料系からなる半導体発光デバイスが使用されてもよい。

図２は、本発明の実施形態で使用され得るＩＩＩ族窒化物ＬＥＤ１を例示している。如何なる好適な半導体発光デバイスが使用されてもよく、本発明の実施形態は、図２に例示されるデバイスに限定されない。図２のデバイスは、技術的に知られているように、成長基板１０上にＩＩＩ族窒化物半導体構造を成長させることによって形成される。成長基板は、サファイアであることが多いが、例えばＳｉＣ、Ｓｉ、ＧａＮ又は複合基板など、如何なる好適基板であってもよい。ＩＩＩ族窒化物半導体構造が上に成長される成長基板の表面は、成長前にパターン加工、粗面加工、又はテクスチャ加工されてもよく、そうすることはデバイスからの光取り出しを向上させ得る。成長表面とは反対側の成長基板の表面（すなわち、フリップチップ構成において光の大部分がそれを通して取り出される表面）は、成長の前又は後にパターン加工、粗面加工、又はテクスチャ加工されてもよく、そうすることはデバイスからの光取り出しを向上させ得る。

半導体構造は、ｎ型領域とｐ型領域との間に挟まれた発光領域又は活性領域を含む。先ずｎ型領域１６が成長され得る。ｎ型領域１６は、異なる組成及びドーパント濃度の複数の層を含み得る。該複数の層は、例えば、ｎ型あるいは意図的にはドープされないものとし得るバッファ層若しくは核生成層などのプリパレーション層及び／又は成長基板の除去を容易にするように設計される層と、発光領域が効率的に発光するのに望ましい特定の光学特性、材料特性若しくは電気特性に合わせて設計されるｎ型、若しくはｐ型であってもよい、デバイス層とを含み得る。ｎ型領域の上に、発光領域又は活性領域１８が成長される。好適な発光領域の例は、単一の厚い若しくは薄い発光層、又はバリア層によって分離された複数の薄い若しくは厚い発光層を含んだマルチ量子井戸発光領域を含む。次いで、発光領域の上に、ｐ型領域２０が成長され得る。ｎ型領域と同様に、ｐ型領域は、異なる組成、厚さ及びドーパント濃度の複数の層を含むことができ、該複数の層は、意図的にはドープされていない層又はｎ型層を含んでいてもよい。

成長後、ｐ型領域の表面上にｐコンタクトが形成される。ｐコンタクト２１は、しばしば、例えば反射メタル及びガードメタルなどの複数の導電層を含む。ガードメタルは、反射メタルのエレクトロマイグレーションを防止あるいは抑制し得る。反射メタルは銀であることが多いが、如何なる好適な１つ以上の材料が使用されてもよい。ｐコンタクト２１を形成した後、ｎコンタクト２２が上に形成されるｎ型領域１６の部分を露出させるよう、ｐコンタクト２１、ｐ型領域２０及び活性領域１８の一部が除去される。ｎコンタクト２２とｐコンタクト２１は、例えばシリコンの酸化物又はその他の好適材料などの誘電体２４で充填され得る間隙２５によって、互いに電気的に分離（アイソレート）される。複数のｎコンタクトビアが形成されてもよく、ｎコンタクト２２及びｐコンタクト２１は、図２に例示される構成に限定されない。ｎ及びｐコンタクトは、技術的に知られているように、誘電体／金属スタックを有するボンドパッドを形成するように再分配されてもよい。

ＬＥＤ１への電気接続を形成するため、１つ以上のインターコネクト２６及び２８が、ｎコンタクト２２及びｐコンタクト２１の上に形成され、あるいはそれらに電気的に接続される。図２では、インターコネクト２６がｎコンタクト２２に電気的に接続されている。インターコネクト２８がｐコンタクト２１に電気的に接続されている。インターコネクト２６及び２８は、誘電体層２４及び間隙２７によって、ｎ及びｐコンタクト２２及び２１から電気的に分離されるとともに互いから電気的に分離される。インターコネクト２６及び２８は、例えば、はんだ、スタッドバンプ、金層、又はその他の好適構造とし得る。

多数の個々のＬＥＤが、単一のウエハ上に形成され、その後、デバイスのウエハからダイシングされる。以降の図においては、基板１０を除いて、半導体構造、ｎコンタクト２２及びｐコンタクト２１、並びにインターコネクト２６及び２８は、ブロック１２によって表される。

図３に戻るに、ＬＥＤ３４は、ヘッドランプの頂部３６に置かれており、故に、ドライバー（運転者）に対して最も近い光源である。従って、眩しい光（グレア）がドライバーの目に入ることを起こさせないようにするため、頂部３６に近い側のＬＥＤ３４のエッジを避けるように光を導くことが望ましい。ヘッドランプ３０の頂部３６を避けて光を導くようにリフレクタ層が形成される。図４は、軸３８に沿って取られたＬＥＤ３４の断面を例示している。図５は、軸４０に沿って取られたＬＥＤ３４の断面を例示している。

図４及び５において、図２に示したデバイス又はその他の好適デバイスとし得るＬＥＤ１が、マウント４２Ａに電気的且つ物理的に接続されている。ＬＥＤ１は、基板１０を通して光が取り出されるように、半導体構造及びコンタクトを下にしてマウント４２Ａに取り付けられる。ＬＥＤ１の４つの側壁に隣接して反射材料４４が形成される。反射材料４４は、例えば、シリコーン又はシリコーン成形コンパウンドなどの透明材料内に置かれた、ＴｉＯ_２などの反射粒子とし得る。反射材料４４は、ＬＥＤ１の基板１０の頂部まで延在している。反射材料４４は、一部の実施形態において少なくとも９０％反射するものであり、一部の実施形態において少なくとも９５％反射するものである。

ＬＥＤ１の基板１０の上に波長変換層４６が配設される。波長変換層４６は、後述するように、接着することによって基板１０に取り付けられ得る。一部の実施形態において、反射材料４４のクラック形成又はその他の信頼性問題を引き起こし得るものである反射材料４４と接着剤との相互作用を抑制あるいは排除するために、反射材料４４の頂面は基板１０の頂面よりも下にある。

図５に例示するように、波長変換層４６の側面を覆って、更なる反射材料４８が配設される。更なる反射材料４８は、波長変換層４６の少なくとも１つの側面から放射される光の量を減らし得る。更なる反射材料４８は、ドライバーに見えるグレアを抑制するために、ヘッドランプ３０の頂部３６に隣接して位置付けられ得る。更なる反射材料４８は、ヘッドランプ３０の頂部に近接しない波長変換層のその他の側壁上には形成されない。更なる反射材料４８は、一部の実施形態において少なくとも９０％反射するものであり、一部の実施形態において少なくとも９５％反射するものである。他の例では、更なる反射材料４８は反射材料４４の一部とし得る。例えば、反射材料４４が、基板１０よりも高く形成され、その後に選択的に除去され得る。

図４及び５に例示したＬＥＤは、以下に図６、７、８、９、及び１０に例示するプロセスによって形成され得る。２つのＬＥＤのみを示すが、多数のＬＥＤが、又は一部のケースでは単一のＬＥＤのみが、単一のマウントウエハ４２上でまとめて処理され得る。

図６にて、ＬＥＤ１Ａ、１Ｂが、タイル又はマウントウエハ４２に取り付けられる。（図６−１０では、マウントのウエハを単一の連続構造として示している。図６−１０に例示する処理の後に、図１０に例示するように各々が単一のＬＥＤに対応する個々のマウント４２Ａ、４２Ｂへと、ウエハが例えばダイシングされる。）マウントウエハ４２は、例えば、シリコン、金属、セラミック、又はその他の好適材料とし得る。マウントウエハ４２は、集積された回路を含んでいてもよい。ＬＥＤ１は、マウントウエハ４２に、金スタッドバンプ、金レイヤ、はんだ、サーモソニックボンディング、超音波ボンディング、又はその他の好適な方法若しくは材料によって取り付けられ得る。一部の実施形態において、ＬＥＤ１Ａ、１Ｂは、マウントウエハ４２の頂面に配置された金属コンタクトパッドに取り付けられる。これらのコンタクトパッドは、例えば、マウントの中及び／又は表面上に形成された配線によって、マウントウエハ４２の底面の金属コンタクトパッドに接続される。これらの底面コンタクトパッドを用いて、ＬＥＤ１Ａ、１Ｂを、図３のヘッドランプ３０内の光源３２及び３４を支持する例えばＰＣボード又はその他の基板などの好適な構造体に接続し得る。マウント上の頂面及び底面のコンタクトは、技術的に知られており、図６には示していない。

一部の実施形態において、ＬＥＤ１とマウントウエハ４２との間にアンダーフィルが注入される。アンダーフィルは、ＬＥＤ１を支持し、且つ／或いはＬＥＤ１を汚染に対して封止し得る。余分なアンダーフィルは、例えばマイクロビーズブラスティングなどの好適技術によって除去され得る。アンダーフィルの使用及び除去は技術的に知られている。

図７にて、ＬＥＤ１Ａ、１Ｂを覆って反射材料４４が成形される。例えば、上にＬＥＤ１Ａ、１Ｂがマウントされたマウントウエハ４２の上に、金型が配置され得る。必ずしも必要ではないが、金型は、ＬＥＤ１Ａ、１Ｂの形状に対応する窪み（インデンテーション）を含み得る。マトリクス材（シリコーン、エポキシ又はガラスであることが多いが、如何なる好適材料が使用されてもよい）と反射粒子（ＴｉＯ_２であることが多いが、如何なる好適材料が使用されてもよい）との粘性混合物である成形コンパウンドが、金型を充たして金型上に配される。ＬＥＤ１Ａ、１Ｂが線形コンパウンド内に浸漬されるように、マウントウエハ４２及びＬＥＤ１Ａ、１Ｂと、金型とが圧力下でくっつけられる。金型とマウントウエハとの間に真空が作り出されてもよい。成形コンパウンドが例えば加熱によってキュアされる。その後、マウントウエハと金型とが離される。硬くなった成形コンパウンドが、例えば加熱又は紫外線放射への曝露によって更にキュアされ得る。キュア後、成形コンパウンドは、概して反射性であり、白色で不透明である。

以上の記載では、透明材料は、成形される熱硬化性成形コンパウンドであるが、反射粒子を支持し且つＬＥＤ１Ａ、１Ｂの周りに置かれることが可能な如何なる材料が使用されてもよい。一部の実施形態において、成形コンパウンドではなく、ゾルゲル材料が使用される。そのような実施形態においては、反射粒子とゾルゲル液との混合物がＬＥＤ１Ａ、１Ｂを覆ってディスペンスされ、次いで、ゾルゲル液から水が蒸発されることで、本質的にガラスであるケイ酸塩の網であって、このケイ酸塩の網の中に反射粒子が埋め込まれたものが残り得る。

一部の実施形態において、例えば透明材料及び／又は反射粒子よりも高い熱伝導率を有するといった、高い熱伝導率を有する材料が、上記混合物に付加され得る。例えば、高い熱伝導率を有する材料は、およそ０．１−０．２Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有し得るものである一般的なシリコーン材料のそれよりも高い熱伝導率を有し得る。

図７では、ＬＥＤ１Ａ、１Ｂの頂面を覆って反射材料５０が配設され得る。図８にて、ＬＥＤの上の反射材料５０が除去される。この余分な反射材料５０は、湿式ビーズブラスティング又はその他の好適技術によって除去され得る。余分な反射材料を除去した後、反射材料４４の頂面は、図８に例示するようにＬＥＤ１Ａ、１Ｂの頂面と同じ高さにあり得るが、これは必ずしも必要とされず、反射材料４４の頂面はＬＥＤ１Ａ、１Ｂの頂面よりも高くてもよいし、低くてもよい。

図９にて、ＬＥＤ１Ａ、１Ｂの上に波長変換素子４６が配設される。波長変換素子は、一部の実施形態において、接着剤４５の層によってＬＥＤ１Ａ、１Ｂに取り付けられるプリフォームされた素子とし得る。接着剤４５はシリコーンであることが多いが、如何なる好適材料が使用されてもよい。プリフォームされた波長変換素子４６の例は、粉末蛍光体がセラミックシートへと焼結若しくはその他方法で形成され、その後に単一のＬＥＤのサイズのプレートレットへと個片化されたもの、又は、例えばシリコーン又はガラスなどの透明材料内に配された粉末蛍光体が、シートへとロール、キャスト、若しくはその他の方法で形成され、その後に個々のプレートレットへと個片化されたものを含む。波長変換素子４６は、一部の実施形態において、プリフォームされた素子である必要はなく、ラミネーション、成形、スプレイコーティング、スピンコーティング、又はスクリーン印刷を含む何らかの好適技術によって形成されてもよい。

波長変換素子４６は、例えばコンベンショナルな蛍光体、有機蛍光体、量子ドット、有機半導体、ＩＩ−ＶＩ族若しくはＩＩＩ−Ｖ族半導体、ＩＩ−ＶＩ族若しくはＩＩＩ−Ｖ族半導体量子ドット若しくはナノ結晶、染料、ポリマー、又は発光するその他の材料とし得る波長変換材料を含んでいる。波長変換材料は、ＬＥＤによって発せられた光を吸収して、１つ以上の異なる波長の光を発する。ＬＥＤによって発せられた未変換の光が、この構造から取り出される光の最終的なスペクトルの一部をなすことが多いが、必ずしもそうである必要はない。一般的な組み合わせの例は、黄色発光の波長変換材料と組み合わされた青色発光のＬＥＤ、緑色発光及び赤色発光の波長変換材料と組み合わされた青色発光のＬＥＤ、青色発光及び黄色発光の波長変換材料と組み合わされたＵＶ発光のＬＥＤ、並びに青色発光、緑色発光及び赤色発光の波長変換材料と組み合わされたＵＶ発光のＬＥＤを含む。構造から発せられる光のスペクトルを調整するために、他の色の光を発する波長変換材料が追加されてもよい。

図９に例示するように、波長変換素子４６の頂面は、しばしば、反射材料４４の頂面よりも高い。一部の実施形態において、反射材料４４は、波長変換素子４６の側壁の如何なる部分も覆わない。

図１０にて、ＬＥＤ１Ａ、１Ｂの波長変換素子４６の少なくとも１つの側面上に、更なる反射材料４８が配設される。図３に例示したヘッドランプにおいて、ＬＥＤ３４（これらは例えば、個片化されたＬＥＤ１Ａ、１Ｂである）は、ヘッドランプの頂部３６の方を向いた当該ＬＥＤ３４の１つの側面上に、追加量の反射材料４８を配設されている。その他の用途では、更なる反射材料４８がＬＥＤ１Ａ、１Ｂの２つ以上の側面に配設され得る。

更なる反射材料４８は、例えば、シリコーンなどの透明材料内に配されたＴｉＯ_２粒子などの反射材料とし得る。如何なる好適な反射材料及び透明材料が使用されてもよい。更なる反射材料４８は、例えば、波長変換素子４６の側壁を覆ってジェットディスペンスし（噴き付け）、次いで、例えば加熱又はその他の好適技術によって更なる反射材料４８を硬化させるなど、如何なる好適技術によって形成されてもよい。一部の実施形態において、更なる反射材料４８及び反射層４４は、相異なる技術によって形成される。更なる反射材料４８は、反射層４４と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。

他の例では、更なる反射材料４８は反射層４４の一部とし得る。更なる反射材料４８がＬＥＤ１Ａ、１Ｂの１つの側面にもっと残るように、図８に示したような除去が、マスキング工程を介するものにされ得る。

図１０に例示するデバイスにおいて、更なる反射材料４８は、波長変換素子４６の側壁５６に向けて放たれた光の大部分が波長変換素子へと反射され返される一方で、波長変換素子４６の側壁５４に向けて放たれた光の大部分が波長変換素子から取り出されるように配置されている。更なる反射材料４８は、波長変換素子４６の単一の表面に限られる必要はなく、ＬＥＤ１Ａ、１Ｂが使用される用途に適した何れの表面にも形成され得る。

その後、個々のＬＥＤ１Ａ、１Ｂ又はＬＥＤ１Ａ、１Ｂのグループが、例えば領域５２においてマウントウエハ４２及び反射材料４４を切断することによって、ウエハから分離され得る。

そして、ＬＥＤ１Ａ、１Ｂは、図３のヘッドランプ３０又はその他の好適装置に組み込まれる準備が整う。なお、図６、７、８、９、及び１０は、図３、４、及び５に例示したデバイス３４を製造することを例示するものである。従って、デバイス上の更なる反射材料４８の向きは、図１０に例示した製造ウエハ上では、図３のヘッドランプ３０においてとは異なっている。

本発明を詳細に説明したが、当業者が認識するように、本開示を所与として、ここに記載の発明概念の精神を逸脱することなく、本発明に変更が為され得る。故に、本発明の範囲は、図示して説明した特定の実施形態に限定されるものではない。

Claims

基板と、発光層を有する半導体構造と、を有する発光デバイスと、
前記発光デバイスを取り囲む第１の反射層と、
前記発光デバイスの上に配設された波長変換素子と、
前記波長変換素子の第１の側壁に隣接して配設された第２の反射層と、
を有するデバイス。
前記第１の反射層の頂面は前記基板の頂面よりも高くない、請求項１に記載のデバイス。
前記波長変換素子は、前記発光デバイスとは別個に形成されて、接着剤によって前記発光デバイスに取り付けられている、請求項１に記載のデバイス。
如何なる反射層も前記波長変換素子の第２の側壁を覆っていない、請求項１に記載のデバイス。
前記第２の反射層は、前記第１の側壁に向けて放たれた光の大部分が前記波長変換素子内に反射され、且つ前記波長変換素子の第２の側壁に向けて放たれた光の大部分が前記波長変換素子から取り出されるように配設されている、請求項１に記載のデバイス。
前記第１の反射層は、少なくとも９５％反射する、請求項１に記載のデバイス。
前記第１の反射層は、透明な成形コンパウンド内に配された反射粒子を有し、且つ
前記第１の反射層は、前記発光デバイスを覆って成形される、
請求項１に記載のデバイス。
前記第２の反射層は、前記波長変換素子の単一の側壁のみに隣接して配設されている、請求項１に記載のデバイス。
前記第２の反射層は、少なくとも９５％反射する、請求項１に記載のデバイス。
発光デバイスをマウントに取り付け、
前記発光デバイスの側壁に隣接させて第１の反射層を形成し、
前記発光デバイスの上に波長変換素子を配設し、且つ
前記波長変換素子の側壁に隣接させて第２の反射層を形成する、
ことを有する方法。
前記第２の反射層を形成することは、前記第１の反射層を形成することの後に行われる、請求項１０に記載の方法。
前記第１の反射層を形成することは成形することを有し、前記第２の反射層を形成することは噴き付けることを有する、請求項１０に記載の方法。
前記第１の反射層を形成することは、前記第２の反射層を形成することとは異なる技術によって前記第１の反射層を形成することを有する、請求項１０に記載の方法。
前記発光デバイスの上に前記波長変換素子を配設することは、プリフォームされた波長変換素子を前記発光デバイスの頂面に接着することを有する、請求項１０に記載の方法。
前記第２の反射層は、少なくとも９５％反射するものである、請求項１０に記載の方法。