CN103608939A - 具有受屏蔽硅衬底的发光装置 - Google Patents

具有受屏蔽硅衬底的发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN103608939A
CN103608939A CN201380001657.3A CN201380001657A CN103608939A CN 103608939 A CN103608939 A CN 103608939A CN 201380001657 A CN201380001657 A CN 201380001657A CN 103608939 A CN103608939 A CN 103608939A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
luminous component
phosphor
silicon substrate
sidewall
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201380001657.3A
Other languages
English (en)
Inventor
S·D·莱斯特
L·杨
C-K·林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Bridgelux Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Bridgelux Inc filed Critical Bridgelux Inc
Publication of CN103608939A publication Critical patent/CN103608939A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0025—Processes relating to coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/42—Transparent materials

Abstract

一种发光装置包括发光部件，例如具有由硅衬底支撑的活性材料层的GaN LED，其中该衬底可以为生长衬底或附着的衬底。磷光体可以相对于该发光部件设置以吸收主要发射光并产生次要发射光，其中可以相对调整或选择该次要发射光使两者的组合能产生所期望光谱的光，例如呈现白色的光。该硅衬底具有暴露的侧壁，其可以相对于衬底的平坦表面具有一角度，而具有漫射性质的材料等反光材料涂布于所述侧壁。该反射材料对于该主要与次要发射光不透光。若该硅衬底的其他暴露部分存在且曝露在主要或次要发射光之下，则可用该反光材料涂布这些其他暴露部分。

Description

具有受屏蔽硅衬底的发光装置
技术领域
以下涉及诸如发光二极管装置及组件的发光部件，而在一个特定方面，涉及具有由硅衬底支撑的氮化镓型活性区的装置。
背景技术
一般来说，氮化镓活性区通常形成于蓝宝石衬底或碳化硅衬底上。氮化镓活性区可以被调整成输出不同频率的光，例如可以被调整成发射蓝光(例如460nm)。蓝光源可以用来作为光子源，以激发一个或多个产生其他频率的光的磷光体。从LED与磷光体发射的光混合时可呈现白光，例如冷白光或暖白光。
改善的发光装置技术例如可以实现较高效率、较低操作成本或较低生产成本。
发明内容
在一示例中，一种发光装置包括具有硅衬底的发光部件。所述硅衬底包括顶表面、底表面以及侧壁。在示例中，发光区域形成于所述顶表面，所述发光区域可以与所述衬底共同延伸或者可以未完全覆盖该衬底。所述衬底可以为生长衬底或贴附的衬底，而该生长衬底会被移除。
反光层形成于该硅衬底的至少一部分侧壁上；并且可以完全覆盖所述侧壁。该反射层也可以覆盖该衬底暴露的顶表面。用于形成该反射层的材料可以为金属，并且可以通过溅镀或蒸镀而形成，例如铝溅镀。涂层可以为包括反射粒子的基质，例如钛的氧化物。
磷光体形成于所述发光部件的至少一部分上。在示例中，该发光部件包括氮化物化合物半导体，以下列公式表示：Ini Gaj Alk N，其中0≤i，0≤j，0≤k而i+j+k=1。
该磷光体能够吸收一部分所述发光部件发射的光、发射波长不同于所吸收的光的波长的光，并且反射一部分该发光部件所发射的光。
该反光层防止其所覆盖的该部分衬底侧壁吸收以下所述的一项或两线：该发光部件所发射且为该磷光体所反射的光的一部分，以及该磷光体所发射的光的一部分。
在一种方案中，该反光层包括硅酮以及钛的氧化物。该发光装置可以安装在固定器内。该磷光体可以包括钇铝石榴石磷光体和以铈活化的镥铝石榴石磷光体中的一种或多种。该磷光体可以包括Se、La、Gd和Sm中的任一种或多种，部分替代钇，以及Ga和In中的任一种或多种，部分替代铝。
在另一方面中，制造发光装置的方法包括在硅衬底上形成发光部件。该硅衬底包括顶表面、底表面以及侧壁。磷光体，例如磷光体涂层，形成于该发光部件的至少一部分上，该磷光体能够：吸收一部分该发光部件发射的光、发射波长不同于所吸收的光的波长的光、反射一部分该发光部件所发射的光。
一种反光层形成于该硅衬底的至少一部分侧壁上，该反光层防止其所覆盖的该部分衬底侧壁吸收至少1)部分该发光部件所发射且为该磷光体所反射的光，以及2)部分该磷光体所发射的光。在一个示例中，移除用于成形的硅衬底，并且将不同的硅衬底附着至该发光部分。
附图说明
结合附图来参照下列详细说明，将会更清楚了解本发明的各种特征与方面，其中：
图1-5示意性描绘了硅衬底上的发光部件层的示例结构，可将其切割成制造发光部件；
图6描绘用于在硅晶圆衬底上制造含GaN发光部件的晶圆的一组示例工艺步骤；
图7A描绘了晶圆之俯视图，从该晶圆可以分割出发光部件；
图7B描绘图6A中具有包括切割道的发光部件的晶圆的局部俯视图；
图8图描绘图6B的俯视图所示发光部件的截面图，其中硅衬底通常与部件的其他层共同延伸；
图9描绘图7B的俯视图所示发光部件的另一截面图示例，其中硅衬底大于该部件的其他层；
图10描绘将反射层涂覆于图8的部件的示例；
图11描绘将反射层涂覆于图9的部件的示例；
图12描绘贴附至次载具（sub-mount）的发光部件的俯视图；
图13-15描绘可以用来遮蔽图12所示发光部件部分区域的示例掩模；
图16描绘结合至图7A的晶圆的载体；
图17描绘切割或以其他方式切割该晶圆以暴露所述发光部件的硅衬底的侧壁的方面；
图18描绘在部件衬底的侧壁上遮蔽并沉积反射涂层；
图19描绘所产生的发光部件的俯视图；
图20描绘图18的发光部件的截面图；
图21A、图21B图和图22描绘根据本发明分割发光部件以及提供反射层的示例方法；以及
图23描绘根据本发明分割发光部件以及提供反射层的另一示例方法；
图24描绘发光部件的含磷光体封装示例；
图25描绘根据本发明安装发光部件以及在所安装发光部件上设有磷光体层的示例方式；
图26描绘将根据本发明发光部件安装阵列嵌入含磷光体树脂的示例；
图27描绘根据本发明已安装发光部件上共形磷光体涂层的示例；
图28描绘硅衬底的截面图，该硅衬底具有经处理之LED装置设置于分割用伸展带上；
图29描绘将蚀刻掩模沉积于图28的截面图所描绘的硅衬底上；
图30以截面图描绘在LED装置间产生倾斜侧壁的定向蚀刻；
图31描绘蚀刻处理后于衬底暴露的表面上沉积涂层；
图32A和32B针对图31的涂层分别描绘绝缘涂层以及在涂布绝缘涂层后涂布金属涂层；以及
图33描绘之后可以通过(例如)将该带子展开而分离LED装置。
具体实施方式
在一示例中，本发明的发光部件包括发光二极管(LED)。为了方便说明，在示范性公开中使用术语LED；不过应该了解，根据本发明的发光部件并不需要包括二极管。本发明的一个特定示例为基于氮化镓活性区的发光部件，该发光部件形成于硅(Si)衬底上或由其支撑。这种发光部件可以包括GaNLED。使用硅为衬底可以提供相当可观的成本优势，因为硅晶圆要比蓝宝石衬底便宜许多。另外，硅上GaN可以扩大成较大晶圆尺寸，例如直径6、8、12或14寸的晶圆；相较之下，蓝宝石衬底的直径通常为2或4寸。因此，硅上GaN发光部件的每一有用光输出的平均成本预期低于许多其他光源。
图1-5描绘可以执行来产生硅上GaN发光部件的工艺的精简示例。
图1描绘了硅衬底12，其可以为例如8寸晶圆。图2描绘了移除层13设在衬底12与GaN LED叠置体14之间。
在一个示例中，GaN LED叠置体14为层叠半导体结构，包括氮化镓型半导体层。叠置体14可以包括缓冲层以及位在该缓冲层上的硅掺杂GaN层。叠置体14可以包括以下所列的部分或全部：超晶格结构，其包括形成于该缓冲层上的硅掺杂GaN和/或InGaN层；活性区；未掺杂InAlGaN层；另一超晶格；掺杂有p型杂质的AlGaN层；也掺杂有p型杂质的接触层。在一些方法中，第二硅掺杂GaN层可以设于GaN层与超晶格之间。缓冲层可以为n型AlGaN并且可以掺杂有Si。缓冲层上的GaN层也可以掺杂有Si。
GaN LED叠置体14的活性区可以包括单个或多量子阱结构，并且可以为单个或双异质接面型。多量子阱结构可以包括由阻挡层分隔的多个InGaN量子阱层。所形成的阻挡层可以包含铟。在一些方法中，阻挡层中的铟掺杂量比量子阱层少，造成阻挡层较高的能隙。阻挡层可以具有硅掺杂。在一个示例中，发光的峰值能量发生在420与490nm之间，例如可以发生在约450nm或460nm。
阻挡层也可以包含铝。这种阻挡层可以具有更紧密匹配量子阱层的结晶结构，从而实现改善所述量子阱层中的结晶品质，这能够提高装置的发光效率。可以改变量子阱中的铟含量来调整所发射光线的波长。
请参照图2，移除层13可以是由具有相当低熔化或软化温度的材料所形成的层。
在图3中，反射层16设置于GaN LED叠置体14上，而第二硅衬底15可以设置于反射层16上。图4描绘了GaN LED叠置体14可以通过移除层13与硅衬底12分离。图5描绘透明导体层20，例如氧化铟锡(ITO)，其可以被设置于GaN LED叠置体14上。图5中经处理的晶圆可以用于下述进一步处理步骤。
图6描绘了顶部发射器LED的制造流程，一般接在图1至图5所描绘的流程之后。图6描绘在步骤306，移除层可以设置于Si衬底(生长衬底)上，而在步骤308，GaN LED叠置体可以形成于移除层上。在步骤310，反射层可以形成在GaN LED叠置体上。在步骤312，第二Si衬底可以附着于反射层(即，与该生长衬底相对)。在步骤314，可以分离生长衬底。在步骤316，透明导体层可以形成在此时暴露的GaN LED叠置体上。
此外，在步骤318，可以暴露GaN LED叠置体中的N型层，而在步骤320，N和P层金属触点或键合焊盘可以设置于个别表面上。例如，在下面图8中描绘了这些结构的截面示例。
图7A描绘了晶圆35而图7B描绘了切割道41环绕的芯片40。截面标记43标出图8与图9将描绘的截面。
图8描绘芯片40于截面43的第一示例结构，其大体而言采用传统模型，使LED的P掺杂区暴露用于发光，并且使一部分P区移除，以暴露用于触点的N型材料。图8也描绘衬底15，衬底15和形成于其上的层大体上一致(相较之下，图9所描绘的衬底15比形成于其上的层大)。提供图8和图9来显示所揭示的方面可实施的相关条件，而非完整揭示如何全面组建装置。因此，是以概述的方式说明装置的各种方面。特别是，文中并未详述可包括多量子阱活性区22、其他超晶格以及缓冲层等各种复杂结构的GaN叠置体14。
硅衬底15支撑反射层16，反射层16上设置GaN LED叠置体14。N触点21与GaN LED叠置体14的N掺杂层17进行欧姆接触。利用一种或多种化学湿法或干法蚀刻、反应离子蚀刻等方式，可以使此N掺杂层17暴露。P触点23与透明导体20进行欧姆接触，透明导体20又接触P掺杂层18。活性区22设置于所描绘的P与N掺杂层18与17之间。
图9描绘N掺杂层17和P掺杂层相对配置的层配置，与图8的层配置相反。另外，在图8中，硅衬底15大体上与所描绘的其他层共同延伸，而在图9中，硅衬底延伸超出其他所描绘的层的边界。在图8与图9中，N触点21和P触点23可在分割之前形成。一些具体实施例可以省略透明导体20。例如，在图9中，若接触的层的导电性足够，则可省略透明导体20。为清楚描述反射涂层的特定方面以及其与衬底侧壁的关系，图8和图9中省略或减缩许多层。例如，并未详述GaN叠置体14中复杂的层结构。
图10以截面图形式描绘设置反射层50以覆盖安装于次载具45上的芯片40的硅衬底15的侧壁52。反射层50可以大体上覆盖硅衬底15所有暴露的侧壁。
图11描绘衬底15暴露的部分53为反射层51所覆盖。在此示例中，反射层51包覆衬底15暴露的顶表面部分。反射层50和51可以根据多种工艺与方法来设置，以下将进一步说明。在一些方法中，反射层50和51可以为沉积步骤期间提供的共形层。以下会更详细说明示例方法。在一个实施例中，包覆衬底15的部分所暴露的顶表面的反射层51在衬底15顶部具有等于或小于反射层16的厚度。在衬底15侧部上的反射层51的厚度也可以等于、小于或大于衬底15顶部上反射层51的厚度。
在一些实施例中，反射层51沿着侧壁可以具有一致的厚度。在其他实施例，反射层51沿着侧壁可以具有不同厚度。例如，反射层51的厚度可以具有变化率，在侧壁底部较厚，而在顶部较薄。涂层的厚度大体上足以避免光穿透进入硅衬底。反射层51的厚度可在侧壁中间深度点最厚，并且朝顶端与底表面变薄。本发明衬底的周边可以大致上呈多边形，例如三角形、四方形、长方形、平行四边形、梯形、六角形等。在一个示例中，单个发光部件可以在单个衬底部分上形成；在其他示例中，多个发光部件可以在单个衬底上形成。
在一些示例中，侧壁的某些部分或一些衬底的某些侧壁不会暴露于经反射的光线下。例如，侧壁可以与另一衬底或封装壁相邻。在这种情况下，该侧壁或其部分可以不用涂上反射材料。因此，在任何特定应用中，经涂布的侧壁部分、侧壁本身或这两者产生所要的封装。
图12描绘次载具45的一部分以及包括芯片41且安装至次载具45的一组芯片。图12描绘掩模60，其可用于屏蔽安装至次载具45的芯片的部分区域，以便限制反射材料的沉积。例如，外框61使得反射材料能沉积在阴影区域内。图14和图15分别描绘可以在反射材料沉积期间使用的掩模62和63的其他示例。因此，图12-15显示将晶圆分割成发光部件、可以安装一个或多个部件，然后可以涂覆反射材料以覆盖发光部件的侧壁的方法。
图16-20描绘晶圆35被安装至载体75、分割，且直到反射涂布材料沉积在发光部件的侧壁上之后才与载体75分离的方法。图17描绘晶圆35的局部分解图，其中明确标识出芯片79(发光部件)并显示使发光部件彼此分离的切割图案80。图18显示芯片79的外形。遮蔽区81覆盖芯片79的中央部分，暴露芯片79的侧壁。反射材料沉积的图案82涂覆在随后会移除的掩模上。如图19所描绘，接着将发光部件从载体75移除。图中描绘的截面标记84用于图23。
图20描绘反射涂层51沉积在硅衬底15的侧壁上的示例截面图。
图21描绘产生其侧壁为反光涂层涂布的经分割的发光部件的示例工艺，大体上与图10-15一致。在图21中，在步骤322，晶圆附着于载体(相关示例请参阅上述附图)。在步骤324，在设于形成在晶圆上的发光部件之间的裁切道进行切割，使芯片尽管还附着在载体但实体上是彼此物理分离的。
在步骤332，芯片与载体分离。在步骤334，芯片设置在上述固定器上，例如次载具。在步骤328，遮蔽芯片的一些区域，例如键合焊盘区域，以及要发射光线的区域。在步骤330，反射涂层沉积在芯片衬底暴露的侧壁上。
反射涂层可以使用多种技术沉积，包括但不限于以下将进一步详述的喷涂、刷涂、丝网印刷，以及化学气相沉积、电镀、蒸镀、物理气相沉积等。另外，反射涂层可以沉积成与衬底侧壁共形，以及与反射层可能覆盖的衬底任何顶部部分共形。也可沉积反射层以覆盖所有侧壁，或在一些实施例中只覆盖部分侧壁。反射涂层的厚度范围可以从几纳米到数微米。在一些实施例中，反射层沿着侧壁可以具有一致的厚度。在其他实施例中，反射层沿着侧壁可以具有不同的厚度。例如，反射层的厚度可以具有变化率，在侧壁底部较厚，而在顶端较薄。反射涂层以及衬底配置的各种其他示例都在具体实施例的范畴内，例如上述揭示的示例。
在步骤336，通过引线键合或另一种适合所要进行电接触类型的程序等方式电连接芯片(在此电连接不表示连接至例如电势源，而是完成将此电势供应至芯片的机制)。在步骤338，提供含磷光体封装或围封物，如此已安装的芯片所发射的至少一些光会撞击磷光体，使该磷光体发射次要发射光(以下有更详尽的说明)。
图21B描绘与图17-20大体上一致的工艺。特别是，图22描绘在步骤352，晶圆附着至载体。在一个示例中，附着晶圆并使LED芯片暴露(“面向上”)。在步骤354，沿着裁切道切割晶圆，以分割晶圆内的芯片。在步骤358，遮蔽不应有反射涂层的芯片部分。一些实施可以在切割之前进行遮蔽。在步骤360，反射涂层沉积在芯片衬底暴露的侧壁上。
图22描绘另一变化例，其中涂层由反射金属材料形成。例如，反射涂层可以包含金属，例如铝、金、铂、铬、铼或其组合。反射涂层可以由多层形成。例如，若使用金属反射层，首先在衬底上设置位于下方的绝缘层，然后在绝缘体上形成金属。
在图22中，在芯片经由如图21A的步骤332分离(例如分割)之后，在步骤370将已分离的芯片倒置在带子上。在步骤372，金属溅镀或蒸镀在倒置芯片的衬底暴露的侧壁上。可以涂布衬底的背面。在一个示例中，将300-600纳米的铝溅镀或蒸镀到硅衬底的侧壁上。在步骤374，芯片可以与支撑物分离，而在步骤376，可以电连接、封装或以其他方式使用这些芯片。
反射涂层可以使用多种技术沉积，其包括但不限于以下将进一步详述的喷涂、刷涂、网印，以及化学气相沉积、电镀、蒸镀、物理气相沉积等。另外，反射涂层可以沉积成与衬底侧壁共形，以及与反射层可能覆盖的衬底任何顶端部分共形。也可沉积反射层以覆盖所有侧壁，或者在一些实施例中只覆盖部分侧壁。反射涂层的厚度范围可从几埃到数纳米。在一些实施例中，反射层沿着侧壁可以具有一致的厚度。在其他实施例中，反射层沿着侧壁可以具有不同的厚度。例如，反射层的厚度可以具有变化率，在侧壁底部较厚，而在顶端较薄。反射涂层以及衬底配置的各种其他示例都在具体实施例的范畴内，例如上述揭示的示例。在步骤362，芯片与载体分离。
在步骤364，芯片设置在固定器上，例如次载具。在步骤366，连接安装在固定器内的芯片，使得可以在操作期间供应电势源。在步骤368，封装、包装芯片或以其他方式将含磷光体层或围封物设于芯片，例如根据上述揭示示例。关于图21和图22的示例工艺，应了解，从任何特定晶圆取出的芯片并不需要立即安装或用于封装，或者从同一晶圆取出的芯片需要一起使用。更确切地说，所述芯片可以进行分离、存储或进一步处理、分割、分级或任何其他工艺。
示例工艺是用于说明而非限制可以用来产生本发明具有衬底侧壁涂层的芯片的方式。例如，可以采用任何合适的分割方式，可以使用或不使用载体，而且提供涂层本身的工艺可以改变。
图23描绘含磷光体，例如磷光体层120，的外壳106中具有反射涂层50的已安装发光部件105的示意示例。图中描绘示例光发射与反射，从发光部件105发射的主要光子122激发从磷光体层120发射的次要光子，且反射磷光体层120或另一表面所反射的主要/次要光子126，使得引导其沿着会撞击硅衬底15侧壁的路径。反射涂层50反射该光子，使其不为硅衬底15吸收。以下将进一步说明相关示例磷光体组合以及相对于一个或多个发光部件的配置。
图24描绘发光部件的另一示例，其中反射涂层50屏蔽硅衬底15，使其侧壁无法吸收光子。图23描绘导电次载具160通过过孔161作为进入活性区(未单独识别)的电流路径的示例。
图25描绘封装的另一示例，其中LED阵列设于外壳205中，磷光体层207设置于所描绘的发光部件之上。图26描绘另一示例，其中可以使用树脂/磷光体基质210来填充外壳205。如同某些先前示例的讨论，图26和图27的发光部件具有侧壁为反射材料50涂布的硅衬底。
图27描绘为共形磷光体沉积215所覆盖的发光部件的示例。
图28-33描绘与分割前涂布衬底15相关的另一示例，如图16-20所介绍。图28描绘具有形成于其上且安装至拉伸带91(图16载体75的示例)的LED装置(例如装置40)的硅衬底15(请参阅图7的晶圆35)的截面图。请参阅图8和图9的示例装置，每一LED装置都有许多构成部件。图29描绘蚀刻图案掩模92设置在硅衬底15暴露的表面上。图30描绘进行定向湿法蚀刻，其在暴露硅衬底15的(111)结晶面时停止。该定向湿法蚀刻使倾斜侧壁(例如侧壁94)形成于硅衬底15。虽然这些附图描绘截面图，应了解该角度图案在衬底15的平面上延伸，如此一来倾斜的衬底侧壁围绕所描绘的LED装置。使用湿法蚀刻来形成倾斜侧壁是用于产生这种倾斜侧壁的工艺的示例实施，另一示例方式为使用倾斜裁切，例如锯切，来限定倾斜侧壁。也可以使用不同工艺的组合，例如裁切与蚀刻。
图31描绘了移除掩模部分，而涂层设置在硅衬底15经处理的表面上。图32A描绘该涂层可以包括绝缘反射涂层95；图32B描绘该涂层可以包括绝缘涂层96，以及位于该绝缘涂层上的反射金属层97。在图32B中，绝缘体96由于具有反射金属83设置其上，所以不需要同时作为反射板。尽管图32A描绘绝缘反射涂层的示例，且图32B描绘位于绝缘体上的反射金属涂层的示例，另一示例为与衬底15导电而非绝缘的反射导电材料(例如金属)。
图33描绘可以拉伸带子91，从而沿着其倾斜侧壁上此时覆有涂层的衬底15的较弱部份进行分割。
一般而言，上述工艺为例示，在特定实施当中可以提供各种其他处理步骤或替代的处理步骤。例如：可以用裁切技术代替拉伸；可以用UV光、激光或通过机械手段进行裁切。在某些情况下，可使用多种分割技术。使用倾斜的衬底侧壁有助于形成形状更一致的该反射层或多层的沉积(反射氧化物或氧化物与反射金属)。使用湿法蚀刻也有助于硅衬底做好接收涂层的准备。该蚀刻的定向性质提供利用调整掩模范围来调整蚀刻深度的机会。例如，覆盖衬底15范围越大的掩模会留下较厚的芯片要在拉伸期间断开。
在上述说明的示例中，移除蚀刻掩模。不过依所使用的蚀刻掩模性质，蚀刻掩模可以留在原地，并且在其上设置绝缘体82或84。
例示发光部件的构成部件及其组合包括用于在硅衬底侧壁上形成反射涂层的反射材料。在某些示例中，这些反射涂层为漫射性质。这些反射涂层对发光部件与所使用的磷光体发射的光的波长不透明。
例如，反射涂层可以用由含钛的氧化物的糊状或树脂基质形成的涂层，例如共形涂层，来涂覆。
尽管任何具有漫射性质且满足所揭示参数的高反射率材料都可以使用，不过可以使用的反射材料示例包括氧化钛或其他氧化物相或组成物，例如二氧化钛与三氧化钛。漫射比由随机结晶方位所提供。可以用提供漫射比的其他种粒子取代或加入上述揭露事项。
从上述揭露内容应了解，可以使用不同方法将层106涂覆至硅衬底侧壁。一般而言，涂覆方法包括例如喷涂、刷涂以及丝网印刷。用于喷涂的合适化合物包括由聚合物基质、二氧化钛填充剂以及额外的流变添加剂(调整糊状物流变特性)组成的二氧化钛糊状物组成物。这些额外的流变添加剂包括例如硅石、矾土、氧化锌、氧化镁、滑石和本领域技艺人士已知的其他添加剂，其可以单独或结合使用。组成成分，例如聚合物选择、颗粒尺寸、载量（loading level）等，都可调整，使糊状物的流变性遵循拟塑性行为，但仍附着于侧壁而不过度下滑或脱落。
在一方面中，聚合物基质包可以包含任何确保二氧化钛糊状物与硅衬底表面结合良好的可固化硅胶。可以选择具有氢化物、氢氧基或其他反应性官能团等具有优异结合特性的示例聚合物。二氧化钛填充剂可以包括平均大小介于l00纳米至20微米之间的颗粒，且视二氧化钛颗粒的特定表面积，载量可以介于10%至75%之间。流变添加剂的颗粒尺寸与载量经过选择，以便如上文所述调整流变特性。
涂覆有这种涂层的衬底可以依固化工艺而固化。固化工艺可以包括使用处于相对低温状态，例如摄氏110度，的炉子加热一段适当时间，例如1-2小时，接着进入一段较高温度，例如摄氏150度，的烘烤间隔。若为使涂层和经处理的芯片具有特定特性，可以存在更多的烘烤间隔。
有关磷光体，可以使用的示例磷光体为以铈活化的钇铝石榴石荧光材料(YAG荧光材料)(YAG:Ce)。YAG:Ce具有石榴石结构。YAG:Ce由蓝光及/或UV光(例如接近450nm和460nm的光)激发。可调整YAG:Ce以发射范围从绿光到红光，例如540nm、600nm，的不同光波长，或者甚至超过700nm的波长。
通过以GA置换YAG:Ce石榴石结构中的一部分Al，可以让发光装置所发射光的波长转换成较短波长。通过以Gd或La置换YAG:Ce石榴石组成物中Y的部分，可以让所发射光的波长向较长波长方向转换。根据发光效率的考量来控制Al/Ga与Y/(Gd或La)比例的限制，其中Gd或La含量较低表示从磷光体组成物中输出的红光波长减小，而相对较高的Gd或La置换率在牺牲亮度的情况下会增加红光输出。也可以使用以铈活化但不具有石榴石结构的镥铝磷光体。组成的磷光体成分的峰值能量输出可以介于例如530nm与580nm之间，以与蓝光光谱范围的峰值主要发射光结合。可以加入较长波长光(例如600nm或650nm以上)的成分，以通过加入带红色的色调降低组合光的色温。
可以将多种不同组成的磷光体混合在一起，形成本发明所使用的磷光体。不同组成的磷光体可以用于多层或异质组合。
可以将磷光体材料混入树脂或其他载体基质，该树脂或载体基质可以用于涂布或形成层于发光二极管、透镜、发光部件的封装组件或所述部件的阵列上或使之嵌入其中。
图式中描绘的各方面可能未按照比例绘制。反而是，为了清楚表示而可能放大或缩小各种特征的尺寸。此外，为了清楚表示可能简化某些附图。因此，附图可能并未描绘出呈现的设备(例如装置)或方法的所有部件。
各方面参照示意与概念性质的附图来做说明。因此，由于例如制造技术、公差等因素而与所描绘的形状、相对方位和尺寸有所差别与差异是可预期的。因此揭示内容所呈现的各方面，不应被理解为限于文中所例示和说明的元件(例如区域、层、区段、衬底等)的特定形状，而是包括例如起因于制造的形状偏差。举例来说，例示或说明为矩形的元件，在其边缘可以具有圆形或弯曲的特征及/或连续程度的变化，而非自元件不连续地改变至另一元件。因此，附图中描绘的元件本质上是示意性的，且其形状并非用于例示该元件的精确形状，且不欲限制这些结构的实施。
应该了解，当提到区域、层、区段、衬底等元件“在”另一元件“上”时，其可直接在所述另一元件上，或者亦可存在介于其间的元件。相对而言，当提到一个元件“直接在”另一元件“上”时，不存在介于其间的元件。将进一步了解，提到元件“形成于”另一元件上时，其可在该另一元件或介于其间的元件上生长、沉积、蚀刻、附着、连接、耦合，或者准备或制造。
此外，文中可能使用如“下”或“底部”以及“上”或“顶部”这些相对位置词汇来说明附图所描绘的元件与另一元件的关系。应该了解，除了图示中描绘的方位之外，相对位置词汇是用以涵盖设备的不同方位。举例来说，若翻转附图中的设备，则原本描述为在其他元件“下”侧的元件，将随后定向为在其他元件“上”侧。因此，根据该设备的特定方位，“下”一词可涵盖“下”与“上”。同样地，若翻转附图中的设备，则原本描述为在其他元件“下方”或“下面”的元件，将随后定向为在所述其他元件“上方”。因此，“下方”或“下面”等词涵盖上方与下方的方位。
如于文中所使用，除非上下文明确指出，否则单数形式“一”和“该”也包括复数形式。将更进一步了解，本说明书中的用语“包括”和/或“包含”明确说明所述特征、整体、步骤、操作、元件及/或组件的存在，但是不排除存在或附加一个或多个其他特征、步骤、操作、元件、组件及/或其群组。“和/或”一词包括一个或多个相关列出项目的任何与所有组合。

Claims (40)

1.一种发光装置，包括：
包括硅衬底的发光部件，所述硅衬底包括顶表面、底表面以及侧壁；
反光层，所述反光层形成于所述硅衬底的所述侧壁的至少一部分上；
磷光体，所述磷光体形成于所述发光部件的至少一部分上，其中所述磷光体能够：
吸收由所述发光部件发射的光的一部分，
发射波长不同于所吸收的光的波长的光，
反射由所述发光部件所发射的光的一部分；并且
其中所述反光层防止由其所覆盖的所述衬底的所述侧壁的所述一部分吸收以下所述的一项或两项：所述发光部件所发射且通过所述磷光体所反射的光的一部分，以及由所述磷光体所发射的光的一部分。
2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述硅衬底的所述侧壁相对于所述顶表面和所述底表面中的一个或多个成角度。
3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述反光层对可见光光谱来说是不透明的。
4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述反光层包括金属层。
5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述反光层包括绝缘层以及形成于所述绝缘层上的金属层。
6.如权利要求1所述的发光装置，其中所述反光层包括硅酮以及钛的氧化物。
7.如权利要求1所述的发光装置，其中所述反光层覆盖所述硅衬底的所有侧壁。
8.如权利要求1所述的发光装置，进一步包括固定器，其中所述发光装置被安装在所述固定器上，并且所述反光层形成于所述硅衬底的所有侧壁上但未形成于所述固定器上。
9.如权利要求1所述的发光装置，进一步包括固定器，其中所述发光装置被安装在所述固定器上，并且所述反光层形成于1)所述硅衬底的所有侧壁上，以及2)所述固定器的一部分上。
10.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发光部件形成于所述硅衬底上。
11.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发光部件附着至所述硅衬底。
12.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发光部件包括氮化物化合物半导体，所述氮化物化合物半导体具有由以下列公式表示的组成成分：Ini Gaj Alk N，其中0≤i，0≤j，0≤k并且i+j+k=1。
13.如权利要求10所述的发光装置，其中所述磷光体包含石榴石荧光材料，所述石榴石荧光材料以铈活化并且包括1)从由Y、Lu、Se、La、Gd和Sm所构成的组选择的至少一种元素，以及2)从由Al、Ga和In所构成的组选择的至少一种元素。
14.如权利要求1所述的发光装置，其中所述磷光体为多种不同磷光体的混合物，所述多种不同磷光体的混合物包括：石榴石荧光材料，其能够发射具有介于530nm与580nm之间的峰值能量输出的光；以及能够发射红光的第二磷光体。
15.如权利要求1所述的发光装置，其中所述磷光体为多种不同磷光体的混合物，选择所述混合物以使得来自所述发光部件与所述磷光体的组合光产生预定颜色。
16.如权利要求1所述的发光装置，其中所述磷光体包括钇铝石榴石磷光体和镥铝石榴石磷光体中的一种或多种。
17.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发光部件发射具有介于420nm与490nm之间的峰值能量的光。
18.一种制造发光装置的方法，包括：
在硅衬底的第一表面上形成发光部件，所述硅衬底包括第二表面以及界定所述第一表面和所述第二表面的范围的侧壁；
在所述发光部件的至少一部分上形成磷光体，其中所述磷光体能够：
吸收由所述发光部件发射的光的一部分，
发射波长不同于所吸收的光的波长的光，
反射由所述发光部件所发射的光的一部分；以及
在所述硅衬底的所述侧壁的至少一部分上形成反光层，所述反光层防止由其所覆盖的所述衬底的所述侧壁的所述一部分吸收至少1)由所述发光部件发射并且由所述磷光体反射的光的一部分，以及2)由所述磷光体所发射的光的一部分。
19.如权利要求18所述的方法，其中形成发光部件包括将其上形成有多个发光部件的晶圆设置于载体上，并且在形成所述反光层之后分割所述发光部件。
20.如权利要求19所述的方法，其中分割所述发光部件包括在所述硅衬底上执行掩模式湿法蚀刻，以形成所述发光部件的具有角度的侧壁。
21.如权利要求20所述的方法，其中所述分割通过如下方式来完成：拉伸所述载体，以沿着所述发光部件的所述具有角度的侧壁的交接线所界定的边缘断开所述晶圆。
22.如权利要求20所述的方法，其中形成所述反光层包括在所述发光部件的所述具有角度的侧壁上沉积反射材料。
23.如权利要求22所述的方法，其中沉积反射绝缘材料包括在所述第一表面硅衬底或所述第二表面硅衬底的全部上沉积所述反射材料。
24.如权利要求22所述的方法，其中沉积所述反射材料包括沉积绝缘体层以及在所述绝缘体层上沉积金属材料层。
25.如权利要求18所述的方法，其中形成所述反光层包括形成不透明层。
26.如权利要求18所述的方法，其中形成所述反光层包括形成金属层。
27.如权利要求18所述的方法，其中形成所述反光层包括形成包括硅酮与TiO2的层。
28.如权利要求18所述的方法，其中形成所述反光层包括覆盖所述硅衬底的所有所述侧壁。
29.如权利要求18所述的方法，进一步包括将所述发光装置安装至固定器，其中所述反光层形成在所述衬底的所有所述侧壁上但未形成于所述固定器上。
30.如权利要求18所述的方法，其中形成所述磷光体进一步包括形成石榴石荧光材料，所述石榴石荧光材料以铈活化并且包括1)从由Y、Lu、Se、La、Gd和Sm所构成的组选择的至少一种元素，以及2)从由Al、Ga和In所构成的组选择的至少一种元素。
31.如权利要求18所述的方法，其中形成所述磷光体进一步包括形成石榴石荧光材料，所述石榴石荧光材料以铈活化并且包括1)从由Y、Lu、Se、La、Gd和Sm所构成的组选择的至少一种元素，以及2)从由Al、Ga和In所构成的组选择的至少一种元素。
32.一种制造发光装置的方法，包括：
提供发光部件；
将所述发光部件附着至硅衬底，所述硅衬底包括顶表面、底表面以及侧壁；
在所述硅衬底的所述侧壁的至少一部分上形成反光层；
在所述发光部件的至少一部分上形成磷光体，其中所述磷光体能够：
吸收由所述发光部件发射的光的一部分，
发射波长不同于所吸收的光的波长的光，
反射由所述发光部件所发射的光的一部分；并且
其中所述反光层防止由其所覆盖的所述衬底的所述侧壁的所述一部分吸收1)由所述发光部件发射且由所述磷光体反射的光的一部分，以及2)由所述磷光体发射的光的一部分。
33.如权利要求32所述的方法，其中形成所述反光层包括形成含硅酮与TiO2的层。
34.如权利要求32所述的方法，其中形成所述反光层包括利用金属覆盖所有所述侧壁。
35.如权利要求32所述的方法，其中形成所述反光层包括覆盖所述硅衬底的所有所述侧壁。
36.如权利要求32所述的方法，进一步包括将所述发光装置安装至固定器，其中所述反光层形成于所述硅衬底的所有所述侧壁上但未形成于所述固定器上。
37.如权利要求32所述的方法，进一步包括将所述发光装置安装至固定器，其中所述反光层形成于1)所述衬底的所有所述侧壁上，以及2)所述固定器的一部分上。
38.如权利要求32所述的方法，进一步包括在第二硅衬底上形成所述发光部件。
39.如权利要求32所述的方法，其中形成所述磷光体进一步包括形成石榴石荧光材料，所述石榴石荧光材料以铈活化并且包括1)从由Y、Lu、Se、La、Gd和Sm所构成的组选择的至少一种元素，以及2)从由Al、Ga和In所构成的组选择的至少一种元素。
40.如权利要求32所述的方法，其中形成所述磷光体进一步包括形成石榴石荧光材料，所述石榴石荧光材料以铈活化并且包括1)从由Y、Lu、Se、La、Gd和Sm所构成的组选择的至少一种元素，以及2)从由Al、Ga和In所构成的组选择的至少一种元素。
CN201380001657.3A 2012-04-11 2013-03-11 具有受屏蔽硅衬底的发光装置 Pending CN103608939A (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261622710P 2012-04-11 2012-04-11
US61/622,710 2012-04-11
US201261661982P 2012-06-20 2012-06-20
US61/661,982 2012-06-20
PCT/US2013/030281 WO2013154715A1 (en) 2012-04-11 2013-03-11 Light emitting devices having shielded silicon substrates

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103608939A true CN103608939A (zh) 2014-02-26

Family

ID=49328015

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380001657.3A Pending CN103608939A (zh) 2012-04-11 2013-03-11 具有受屏蔽硅衬底的发光装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20140054638A1 (zh)
JP (1) JP2015516682A (zh)
KR (1) KR20150004246A (zh)
CN (1) CN103608939A (zh)
TW (1) TWI548111B (zh)
WO (1) WO2013154715A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104934520A (zh) * 2014-03-19 2015-09-23 株式会社东芝 半导体发光装置

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI616489B (zh) * 2013-02-18 2018-03-01 可應用於發光二極體元件之聚矽氧烷組合物、基座配方及其發光二極體元件
JP2014179469A (ja) * 2013-03-14 2014-09-25 Toshiba Corp 半導体発光素子、発光装置及び半導体発光素子の製造方法
JP6749240B2 (ja) 2014-01-09 2020-09-02 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 反射側壁を有する発光デバイス
DE102014110071A1 (de) * 2014-07-17 2016-01-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
KR102282141B1 (ko) 2014-09-02 2021-07-28 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
DE102015113692A1 (de) * 2014-09-11 2016-03-24 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Wellenlängen-Umwandlungs-Element, Licht-emittierende Vorrichtung, Projektor und Verfahren zur Herstellung eines Wellenlängen-Umwandlungs-Elements
KR20180018659A (ko) * 2015-06-08 2018-02-21 코닝 인코포레이티드 전달이 없는 마이크로엘이디 디스플레이
KR102641716B1 (ko) * 2015-08-03 2024-02-29 루미리즈 홀딩 비.브이. 반사성 측면 코팅을 가지는 반도체 발광 디바이스
KR102551354B1 (ko) 2018-04-20 2023-07-04 삼성전자 주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
JP7089204B2 (ja) * 2020-06-09 2022-06-22 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002026382A (ja) * 2000-07-12 2002-01-25 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
US20060055309A1 (en) * 2004-09-14 2006-03-16 Masato Ono Light emitting device
US20100244065A1 (en) * 2009-03-30 2010-09-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor light emitting device grown on an etchable substrate
US20110140150A1 (en) * 2009-09-11 2011-06-16 Soraa, Inc. System and Method for LED Packaging
WO2011099384A1 (ja) * 2010-02-09 2011-08-18 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2142176C1 (ru) * 1997-06-10 1999-11-27 Карпович Нина Васильевна Источник света
JP2004055816A (ja) * 2002-07-19 2004-02-19 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物化合物半導体発光素子及びその製造方法
WO2005022654A2 (en) * 2003-08-28 2005-03-10 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device
JP2010192835A (ja) * 2009-02-20 2010-09-02 Showa Denko Kk 発光ダイオード及びその製造方法、並びに発光ダイオードランプ
TWI464916B (zh) * 2009-03-05 2014-12-11 Epistar Corp 發光裝置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002026382A (ja) * 2000-07-12 2002-01-25 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
US20060055309A1 (en) * 2004-09-14 2006-03-16 Masato Ono Light emitting device
US20100244065A1 (en) * 2009-03-30 2010-09-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor light emitting device grown on an etchable substrate
US20110140150A1 (en) * 2009-09-11 2011-06-16 Soraa, Inc. System and Method for LED Packaging
WO2011099384A1 (ja) * 2010-02-09 2011-08-18 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104934520A (zh) * 2014-03-19 2015-09-23 株式会社东芝 半导体发光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015516682A (ja) 2015-06-11
WO2013154715A1 (en) 2013-10-17
TW201349555A (zh) 2013-12-01
KR20150004246A (ko) 2015-01-12
TWI548111B (zh) 2016-09-01
US20140054638A1 (en) 2014-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103608939A (zh) 具有受屏蔽硅衬底的发光装置
US9287479B2 (en) Luminous devices, packages and systems containing the same, and fabricating methods thereof
JP5836122B2 (ja) ナノ構造のｌｅｄ
CN103137838B (zh) 半导体发光器件及其制造方法
US8759841B2 (en) Light emitting device package and lighting system
CN102130260B (zh) 发光装置及其制造方法
CN104953016A (zh) 半导体发光装置
US20160087149A1 (en) Semiconductor light-emitting device
CN107004749A (zh) 发光模块
CN103117347A (zh) 发光器件以及具有该发光器件的发光装置
CN104518064A (zh) 发光器件和具有该发光器件的发光器件封装
CN105762237A (zh) 半导体发光器件封装件及其制造方法
CN104040716A (zh) 以大角度发射光的半导体发光器件灯
CN103779469B (zh) 发光器件
TW201025680A (en) Optoelectronic semiconductor body
CN104051582A (zh) 半导体发光元件、发光装置及制造半导体发光元件的方法
US20140199796A1 (en) Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
KR20090113223A (ko) 발광 장치, 이를 포함하는 패키지와 시스템, 및 이들의 제조 방법
CN102263180A (zh) 发光器件、制造发光器件的方法以及发光器件封装
CN104952985A (zh) 半导体发光装置及其制造方法
KR20160007196A (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 발광 모듈
KR102066621B1 (ko) 발광 소자
KR20130053591A (ko) 발광 소자 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: TOSHIBA K.K.

Free format text: FORMER OWNER: TOSHIBA TECHNOLOGY CENTER CO., LTD.

Effective date: 20140611

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20140611

Address after: Tokyo, Japan

Applicant after: Toshiba Corp

Address before: Kanagawa, Japan

Applicant before: Bridgelux Inc

C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20140226