CN107004749A - 发光模块 - Google Patents

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Abstract

一个实施例中公开的发光模块包括：电路板；被布置在电路板上的发光二极管；被布置在发光二极管上的光学透镜；被布置在光学透镜和电路板之间的反射片；以及被布置在反射片和电路板之间的粘合层，其中光学透镜包括：在发光二极管上具有凹陷部分的入射表面；用于反射在入射表面上入射的光的反射表面；以及被布置在其外圆周上的发光表面，其中反射片包括布置发光二极管的敞开区域并且敞开区域具有比发光二极管的宽度宽并且比光学透镜的入射表面的宽度窄的宽度。

Description

发光模块
技术领域
本发明涉及一种发光模块。
背景技术
例如，发光器件，例如，发光二极管(LED)，作为一种将电能转换成光的半导体器件，作为下一代光源替代传统的荧光灯、白炽灯等等，已经引起关注。
因为通过使用半导体器件发光二极管产生光，所以与通过加热钨丝产生光的白炽灯或者通过允许通过高压放电产生的紫外线与荧光体碰撞产生光的荧光灯相比较，发光二极管仅消耗非常低的功率。
另外，因为通过使用半导体器件的位势差发光二极管产生光，所以与传统的光源相比较，发光二极管具有更长的寿命，更快的响应特性，并且具有更加环保的特征。
因此，已经进行许多的研究以将现有的光源替换成发光二极管。发光二极管日益被用作在室内或者室外使用的各种照明设备的光源，诸如灯、显示设备、电子标识牌以及街灯。
发明内容
技术问题
实施例提供一种新颖的透镜和包括其的发光模块。
实施例提供一种发光模块，该发光模块能够将被设置在光学透镜下面的发光器件的侧光反射到光学透镜的入射表面。
实施例提供一种发光模块，其中设置有发光器件的反射片的敞开区域被设置为小于光学构件的入射表面。
实施例提供一种发光模块，该发光模块用于允许从发光器件的顶表面和横向表面发射的光被入射在光学透镜的入射表面上。
实施例提供一种发光模块，其中允许被设置在光学透镜下面和发光器件周围的反射片使用粘合层被粘附到电路板。
实施例提供一种发光模块，该发光模块能够通过允许设置在发光器件周围的反射片被设置为大于光学透镜的底表面来改进光的分布。
技术方案
实施例提供一种发光模块，该发光模块包括：电路板；发光器件，该发光器件被布置在电路板上；光学透镜，该光学透镜被布置在发光器件上；反射片，该反射片被布置在光学透镜和电路板之间；以及粘合层，该粘合层被布置在反射片和电路板之间，其中光学透镜包括在发光器件上具有凹陷部分的入射表面、用于反射在入射表面上入射的光的反射表面、以及被布置在外圆周处的出射表面，其中反射片包括其中发光器件被布置的敞开区域，并且其中反射片的敞开区域具有比发光器件的宽度宽并且比光学透镜的入射表面的宽度窄的宽度。
实施例提供一种发光模块，该发光模块包括：电路板；发光器件，该发光器件被布置在电路板上；光学透镜，该光学透镜被布置在发光器件上；反射片，该反射片被布置在光学透镜和电路板之间；以及粘合层，该粘合层被布置在反射片和电路板之间，其中光学透镜包括在发光器件上具有凹陷部分的入射表面和用于发射在入射表面上入射的光的出射表面，以及其中反射片具有面向在凹陷部分下面的发光器件的横向表面的内侧。
有益效果
如上所述，根据本发明，由于从光学透镜提取的光，所以实施例可以减少噪声，诸如热点。
实施例可以通过改变被设置在光学透镜下面的发光器件的侧光的路径来改进光的分布。
实施例可以通过允许在电路板上的反射片被设置为大于光学透镜来增加光的均匀性。
实施例可以提高具有光学透镜的发光模块的可靠性。
实施例可以提高具有光学透镜的灯单元的可靠性。
实施例可以提高具有光学透镜的照明系统的可靠性。
附图说明
图1是根据实施例的发光模块的平面图。
图2是图1的发光模块的侧面横截面图。
图3是图2的部分放大视图。
图4是示出在图2中的发光器件和电路板。
图5至图13是示出根据实施例的反射片的敞开区域的示例的视图。
图14是图2中的光学透镜的侧面横截面图。
图15和图16是示出从图2中的发光器件发射的光的提取路径的视图。
图17至图20是示出和图示根据实施例的光学透镜的入射表面的示例的视图。
图21是在图2中的发光模块的光学透镜的透视图。
图22是图12中的光学透镜的侧视图。
图23是示出在图2中的发光模块的发光器件的另一示例的视图。
图24是示出图2中的发光模块的发光器件的另一示例的视图。
图25是示出具有图1中的发光模块的显示设备的视图。
图26是示出在实施例和比较示例之间的光强度的比较的曲线图。
图27A和图27B是示出在实施例和比较示例之间的热点现象的比较的视图。
具体实施方式
将会参考附图和实施例的下面的描述明确地理解下面的实施例。在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或者膜)、区域、图案或者结构被称作在基板、另一层(膜)、另一区域、另一焊盘、或者其他图案“上”或者“下”时，每个能够“直接地”或者“间接地”在另一层(或者膜)、区域、焊盘、或者图案上，或者也可以存在一个或者多个中间层。将会参考附图描述各个层的这样的位置。
在下文中，将会参考附图描述根据实施例的发光模块。
图1是根据实施例的发光模块的平面图；图2是图1的发光模块的侧面横截面图；图3是图2的部分放大视图；并且图4是示出图2中的发光器件和电路板的视图。
参考图1至图4，发光模块101包括：发光器件100；光学透镜300，该光学透镜300被布置在发光器件100上；电路板400，该电路板400被布置在发光器件100下面；以及反射片600，该反射片600被布置在发光器件100周围并且被布置在光学透镜300和电路板400之间。
如在图1中所示，在发光模块101中，多个光学透镜300可以以预先确定的间隔被布置在电路板400上。发光器件100和反射片600被布置在电路板400和各个光学透镜300之间。多个反射片600可以被布置在各个光学透镜300和电路板400之间，并且可以被布置成相互分开。反射片600的宽度(X2)被布置为比电路板400的宽度(X1)宽并且比光学透镜300的宽度(W1)宽。因此，反射片600可以有效地反射入射在光学透镜300的圆周上的光。反射片600的外形可以是圆形、椭圆形、或者多边形，但是不限于此。
发光器件100通过接收来自于电路板400的电力操作。光学透镜300可以接收从发光器件100发射的光，改变光的路径，并且然后将光提取到外部。
如在图2和图3中所示，发光器件100可以包括LED芯片，该LED芯片具有化合物半导体，例如，紫外光(UV)LED芯片、蓝光LED芯片、绿光LED芯片、白光LED芯片、以及红光LED芯片中的至少一个。发光器件100可以包含II-VI族化合物半导体和III-V族化合物半导体中的至少一个或者全部。发光器件100可以发射蓝、绿、蓝、UV或者白光中的至少一个。
光学透镜300可以包含透明材料。光学透镜300可以包含聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、硅树脂或者环氧树脂、或者玻璃中的至少一个。光学透镜300可以包含具有处于1.4至1.7的范围中的折射率的透明材料。
光学透镜300包括具有在从底表面312开始的光学轴(Y0)的方向中具有凹进部分315的入射表面320、被布置在与底表面312和入射表面320相对的侧面上的反射表面330、以及在通过其发射光的外圆周处的出射表面335。
光学透镜300的底表面312可以被布置为平坦的表面或者不平坦的表面。当底表面312被布置为不平坦的表面时，光的行进路径可以被改变。
光学透镜300的入射表面320包括在底表面312的中心区域中凹进的凹进部分315，并且凹进部分315在反射表面330的方向中凹进并且可以具有朝向入射表面320的中心区域的更深的深度。从发光器件100发射的光被入射在入射表面320上。凹进部分315的外形可以包括圆形或者多边形。
入射表面320的宽度W3可以是凹进部分315的宽度，并且可以被布置为比发光器件100的宽度D1宽。入射表面320和凹进部分315具有在其上从发光器件100发射的光可以被容易地入射的大小。发光器件100的顶表面的整个区域被布置为在垂直方向上与凹进部分315的区域重叠。
反射表面330可以用作总反射表面，并且在入射表面320的方向上从光学透镜300的顶表面凹进。当与发光器件100相邻时，反射表面330具有更深的结构。反射表面330被布置在光学透镜300的顶表面的整个区域中或者比凹进部分315宽的区域中，使得通过入射表面320折射的光可以被反射到出射表面334。反射表面330可以不被形成。
出射表面335被布置在光学透镜300的主体310的外圆周上，并且通过入射表面320入射的光和由反射表面330反射的光透射出射表面335。光学透镜300可以被定义为在侧面方向中反射从发光器件100发射的光的侧反射透镜。
光学透镜300包括突出结构340。突出结构340可以比光学透镜300的出射表面335下面的出射表面335更进一步向外突出。突出结构340可以突出到出射表面335的下圆周的多个区域或者所有区域。这样的突出结构340可以被用于在光学透镜300的注入工艺中支撑注入成型产品。
光学透镜300包括被布置在下面的支撑突起350。支撑突起350从光学透镜300的底表面312，即，朝向电路板400向下突出。多个支撑突起350被相互分开以通过反射片600被固定到电路板400上，并且可以防止光学透镜300的倾斜。支撑突起350被插入到的突出孔可以被布置在反射片600中。
一个或者多个发光器件100被布置在电路板400上，并且电路板400可以包括被电连接到发光器件100的电路层。电路板400可以包含树脂材料的PCB、金属核PCB(MCPCB)、以及柔性PCB(FPCB)中的至少一种，但是不限于此。
反射片600被布置在电路板400和光学透镜300之间。反射片600包括敞开区域506，并且发光器件100被布置在敞开区域605中。另外，通过发光器件100的横向表面发射的光可以被反射片600的内侧反射以被入射在入射表面320上。
反射片600可以是由例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、或者聚氯乙烯(PVC)树脂形成，但是不限于此。
如在图2中所示，通过发光器件100的顶表面发射的光L被入射在光学透镜300的入射表面320上，由反射表面330反射，并且被提取到出射表面335。通过被布置在光学透镜300的外圆周处的出射表面335提取由反射表面330反射的光，从而增加光的视角分布。
如在图3中所示，通过发光器件100的横向表面发射的光L4、L5以及L6可以通过反射片600的内表面在反射片600的敞开区域605中被反射或者由电路板400的顶表面反射，入射在光学透镜300的入射表面320上，由反射表面330反射，并且然后被提取到外部。
如在图3和图4中所示，反射片600可以通过粘附层610粘附到电路板400。粘附层610可以包含绝缘材料，例如，树脂材料，诸如硅树脂或环氧树脂，或者可以包括双面胶带。粘附层610可以比反射片600的厚度T2更薄，并且例如，粘附层610的厚度可以处于30μm至50μm的范围内或者是反射片600的厚度的1/5或者更少。如果粘附层610的厚度比上述范围厚，则通过粘附层610的光的损耗可能出现。如果粘附层610的厚度比上述范围薄，则粘附效果可能下降。
如在图2中所示，反射片600的敞开区域605的宽度D2可以被布置为比发光芯片100A的宽度D1宽。敞开区域605的顶视图形状或者外形可以与发光器件100的外形相同或者不同。反射片的敞开区域605的宽度D2可以被布置为小于入射表面320的宽度W3或者光学透镜300的凹陷部分315的宽度。反射片600的敞开区域605可以被布置为在垂直方向上与光学透镜的入射表面320的区域重叠。反射片600的敞开区域605的顶视图形状或者外形可以包括圆形、多边形、或者弯曲形状中的至少一个。反射片600的内侧可以至少面向发光器件100的一个横向表面或者所有的横向表面。反射片600的内侧可以被布置在发光器件100的周围。反射片600的内侧部分可以被布置在凹陷部分315的下面。反射片600的外部可以被布置为比光学透镜300的入射表面320更加向外。在反射片600的敞开区域605中，气腔(airspace)可以被布置在发光器件100与反射片600的内侧之间的空间中，使得反射片600的内侧可以通过气腔面向发光器件100的横向表面。
反射片600的敞开区域605被布置在光学透镜300的入射表面320下面，使得反射片600可以将通过敞开区域605行进的光反射到光学透镜300的入射表面320。另外，保护层475的一部分(在图4中)被布置在反射片600的敞开区域605下面，并且保护层475的部分可以部分地反射行进到敞开区域605的光。反射片600防止被发射到发光器件100的横向表面的光的损失，从而改善发光器件100的外围中的热点现象。反射片600反射被发射到发光器件100的横向表面的光或者通过光学透镜300的底表面312入射的光。
关于反射片600的敞开区域605，反射片600可以与发光器件100隔开预先确定的间隔G1。间隔G1可以是用于安装发光器件100的工艺裕量，但是不限于此。在反射片600和发光器件100之间的间隔G1可以处于从70μm或者更多到小于凹陷部分315的宽度W3的范围。如果间隔G1比上述范围窄，则发光器件100可能难以安装，并且如果间隔G1比上述范围宽，则通过发光器件100的横向表面发射的光的路径可能难以控制或者光可以被入射到除了入射表面320之外的区域。
如果反射片600没有被布置在发光器件100的周围，则通过发光器件100的横向表面发射的光L7和L8被反射在电路板400上或者在如在图3中所示的不同路径中行进，不能提供光的均匀分布。即，行进到发光器件100的横向表面的光的路径难以控制，并且因此，在不想要的区域中可能出现热点现象。在实施例中，导线没有被连接到发光器件100，并且因此，敞开区域605的外形被布置为与发光器件100的外形相同的形状或者可以被布置在预先确定的区域内。
反射片600的顶表面的高度T1可以被设置为足以覆盖从发光器件100的侧面发射的光的高度。反射片600的顶表面的高度T1可以是从电路板400的顶表面到反射片600的顶表面的直线距离。反射片600的顶表面的高度T1可以等于或者大于如在图4中所示的发光芯片100A的顶表面的高度T3。如在图4中所示，反射片600的顶表面的高度T1可以与发光芯片100A的顶表面的高度T3隔开预先确定的间隔T4。
当反射片600的顶表面的高度T1低于发光芯片100A的顶表面的高度时，光通过在反射片600的顶表面和光学构件300之间的区域泄漏，产生热点现象。因此，反射片600的顶表面的高度T1被定位在发光芯片100A的顶表面处或者发光芯片100A的顶表面上方，使得反射片600可以反射通过发光芯片100A的横向表面发射的光。
反射片600的顶表面的高度T1可以被布置为具有离发光芯片100A的顶表面的间隔T4为100μm或者更少。反射片600的顶表面的高度T1可以处于从350μm到400μm的范围。如果反射片600的顶表面的高度T1小于上述范围，则热点现象可能通过在反射片600和光学透镜300的底表面312之间行进的光出现，并且如果反射片600的顶表面的高度T1大于上述范围，则直接地入射在光学透镜300的入射表面320上的光可能被阻挡。
另外，在发光器件100中，荧光层150可以被布置在如在图4中所示的发光芯片100A上。反射片600的顶表面的高度T1可以高于发射芯片100A的顶表面的高度T3并且可以等于或者小于荧光体层150的顶表面的高度。如果反射片600的顶表面的高度T1高于荧光体层150的顶表面的高度，则反射片600阻挡可以被直接地入射在光学透镜300的入射表面320上的光，并且因此，难以设计光学透镜300。
如在图5中所示，反射片600的敞开区域605的顶视图形状或者外形可以具有多边形，例如，正方形。被布置在反射片600的敞开区域605中的发光器件100的外形，可以具有多边形，例如，正方形。敞开区域605的拐角区域可以被布置在面向发光器件100的拐角区域的位置处。在发光器件100和反射片600之间的间隔G1可以彼此相等。在此，在发光器件100和反射片600之间的间隔G1彼此相等的含义可以是发光器件100的四个横向表面和反射片600的四个内侧表面之间的间隔中的至少两个具有相同的距离。因为发光器件100的外形和敞开区域605的外形彼此相同，所以由穿过光学透镜300的光导致的热点的出现可以被防止，并且光的均匀分布可以被布置。作为另一示例，敞开区域605的角部分可以具有弯曲的表面，但是不限于此。
如在图6中所示，反射片600的敞开区域605可以具有不同于发光器件100的外形的形状，例如，弯曲形状，例如，圆形。发光器件100的外形包括多边形，例如，正方形。敞开区域605的宽度或者直径可以比发光器件100的对角线长度D11宽。在反射片600和发光器件100之间的间隔在发光器件100的各个横向表面的中心处可以是最大的，并且朝向其拐角处可能是最窄的。因为弯曲表面，即，反射片600的内弯曲表面被布置在发光器件100的横向表面处，所以这样的敞开区域605可以将发光器件100的侧光反射到不同的路径。因为反射片600的敞开区域605具有大于发光器件100的底表面的区域，所以容易安装发光器件。
图7是示出根据实施例的发光模块的视图，并且图8是示出图7中的反射片600的详细视图。
参考图7和图8，反射片600被布置在电路板400上，并且发光器件100被布置在反射片600的敞开区域605中。光学透镜300被布置在反射片600上。
反射片600的敞开区域605被布置在发光器件100周围，并且被布置在光学透镜300的入射表面320的区域之下。因此，通过发光器件100的横向表面发射的光可以通过反射片600被反射到入射表面320。
反射片600的敞开区域605的圆周表面包括相对于反射片600的顶表面的倾斜表面603。入射表面603的角θ1可以相对于反射片600的顶表面被布置在45°到89°的范围中。如果角θ1小于上述范围，则光的损失可能出现，而如果角θ1大于上述范围，则在发光器件100的方向上再次反射的光可以增加。倾斜的表面603可以相对于反射片600和粘合层610的整个厚度或者反射片600的整个厚度被布置。
参考图9和图10，在反射片600中，相对于反射片600的顶表面的倾斜表面603可以被布置在敞开区域605周围。倾斜区域603可以朝着敞开区域605逐渐地变薄。倾斜区域603可以以对应于光学透镜300的凹陷部分315的大小或者小于凹陷部分315的大小被布置。倾斜区域603可以以与反射表面600的顶表面成1°至30°的范围内的角被布置。如果角θ2大于上述范围，则光可以被反射到光学透镜300的凹陷部分之外的区域，并且如果角θ2小于上述范围，则光可以被入射在光学透镜300和反射片600之间的区域上，造成光的损失。倾斜区域603可以被布置成使用反射片600厚度的一部分，而不是整体，例如，反射片600的上部分的厚度倾斜。在此，反射片600的上部分的厚度可以是反射片600的厚度的1/3或者更多，但是不限于此。
参考图11，反射片600包括在敞开区域605周围的台阶结构604。台阶结构604可以被布置使得敞开区域605的上部分的宽度比敞开区域605的下部分的宽度宽。反射片600的台阶结构604的下部分的高度T5可以被布置为低于图4中示出的有源层117的高度。因此，在来自于发光器件100的横向表面与反射片600的内侧之间的间隔G1和G11之间形成差别并且从发光器件100的横向表面发射的光可以通过由间隔G1和G11形成的不同的路径被反射。即，台阶结构604可以增加反射片600的内侧的反射面积。
参考图12，反射片600可以包括第一层601和第二层602。第一和第二层601和602被布置在发光器件100周围并且可以由相同的材料形成。粘合剂(未示出)可以进一步被布置在第一和第二层601和602之间，但是不限于此。
反射片600的顶表面高度T11可以被布置为高于发光器件100的顶表面，并且可以被设置在反射片600不接触图4中的光学透镜300的底表面312的高度处。另外，反射片600的敞开区域605的宽度D2可以与图4中的光学透镜300的入射表面320的宽度W3相同。
因为光学透镜300的底表面和反射片600的顶表面被布置为彼此相邻，所以可以防止通过发光器件100的横向表面发射的光穿过在反射片600的顶表面和光学透镜300的底表面之间的区域。
参考图13，反射片600的敞开区域605包括具有不同的曲率的多个弯曲表面605A和605B。敞开区域605的圆周包括具有与发光器件100的横向表面相对应的第一曲率的第一弯曲表面605A和具有与发光器件100的拐角区域相对应的第二曲率的第二弯曲表面605B。
第一弯曲表面605A的第一曲率可以大于第二弯曲表面605B的第二曲率。具有不同的曲率的第一和第二弯曲表面605A和605B被布置在发光器件100的外圆周周围，使得在发光器件100的横向表面和反射片600的内侧之间的间隔G2和G3可以不在产生大的差别。因此，可以通过反射片600的敞开区域605减少在光的分布中的变化。第一和第二弯曲表面605A和605B的形状可以包括半球形或者椭圆形，但是不限于此。
将会参考图4描述发光器件100。发光器件100包括发光芯片100A。发光器件100可以包括发光芯片100A和被布置在发光芯片100A上的荧光体层150。荧光体层150包括至少一个或者多个蓝色、绿色、黄色、以及红色荧光体，并且可以被布置为单层或者多层。在荧光体层150中，荧光体被添加在透明树脂材料中。透明树脂材料可以包括材料，诸如硅树脂或者环氧树脂，并且荧光体可以由YAG、TAG、硅酸盐、氮化物、以及氮氧化物材料选择性地形成。
荧光体层150可以被布置在发光芯片100A的顶表面上，或者可以被布置在发光芯片100A的顶表面和横向表面上。荧光体层150可以被布置在发光芯片100A的表面的光发射区域上，以转换光的波长。
荧光体层150可以包括单个或者不同的荧光体层。在不同的荧光体层中，第一层可以具有红色、黄色、以及绿色荧光体中的至少一种，并且第二层可以被形成在第一层上并且可以具有红色、黄色以及绿色荧光体当中的不同于第一层的荧光体。作为另一示例，不同的荧光体层可以包括三个或者更多个荧光体层，但是不限于此。
作为另一示例，荧光体层150可以包括薄膜型。因为薄膜型荧光体层提供均匀的厚度，所以由于波长的转换的颜色分布可以是均匀的。
对于发光芯片100A，发光芯片100A可以包括基板111、第一半导体层113、发光结构120、电极层131、绝缘层133、第一电极135、第二电极137、第二连接电极141、第二连接电极143、以及支撑层140。
对于基板111，透明的、绝缘的、或者导电基板可以被使用，并且例如，蓝宝石(Al2O3)、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge、以及Ga2O3中的至少一个可以被使用。基板111的顶表面和底表面中的至少一个或者两者可以具有多个凸起部分(未示出)，从而增加光提取的效率。每个凸起部分的侧面横截面图形状可以包括半球形、半椭圆形、或者多边形中的至少一个。在此，基板111可以在发光芯片100A中被去除，并且在这样的情况下，第一半导体层113或者第一导电类型半导体层115可以被布置为发光芯片100A的顶层。
第一半导体层113可以被形成在基板111下面。可以使用II至V族元素的化合物半导体形成第一半导体层113。第一半导体层113可以被形成在使用II至V族元素的化合物半导体的至少一个层或者多个层中。第一半导体层113可以包括使用例如，III-V族元素化合物半导体，例如，GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP、以及GaP中的至少一种的半导体层。第一半导体层113具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式，并且可以被形成为缓冲层和未被掺杂的半导体层中的至少一个。缓冲层可以减少在基板和氮化物半导体层之间的晶格常数差，并且未被掺杂的半导体层可以改进半导体的结晶质量。在此，第一半导体层113不可以被形成。
发光结构120可以被形成在第一半导体层113下面。发光结构120是由II至V族元素和III-V族元素的化合物半导体选择性地形成的，并且可以发射在从紫外线带到可视光带的波长范围内的预先确定的峰值波长。
发光结构120包括第一导电类型半导体层115、第二导电类型半导体层119、以及被形成在第一导电类型半导体层115和第二导电类型半导体层119之间的有源层117。另一半导体层可以进一步被布置在各个层115、117以及119的上面和下面中的至少一处，但是不限于此。
第一导电类型半导体层115可以被布置在第一半导体层下面，并且可以被实现为被掺杂有第一导电类型掺杂物的半导体，例如，n型半导体层。第一导电类型半导体层115包括InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式。可以从III-V族元素的化合物半导体，例如，GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP中选择第一导电类型半导体层115。第一导电类型掺杂物是n型掺杂物，并且包括诸如Si、Ge、Sn、Se或者Te的掺杂物。
有源层117被布置在第一导电类型半导体层114下面，并且选择性地包括单量子阱、多量子阱(MQW)、量子线结构、或者量子点结构，并且包括阱层和势垒层的周期。阱层/势垒层的周期包括例如，InGaN/GaN、GaN/AlGaN、AlGaN/AlGaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN、AlGaAs/GaA、InGaAs/GaAs、InGaP/GaP、AlInGaP/InGaP、以及InP/GaAs对中的至少一个。
第二导电类型半导体层119被布置在有源层117下面。第二导电类型半导体层119包括被掺杂有第二导电类型掺杂物，例如，InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的半导体的组成式。第二导电类型半导体层119可以是由化合物半导体，诸如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP中的至少一个形成。第二导电类型半导体层119可以是p型半导体层，并且第一导电类型掺杂物可以是p型掺杂物并且包括Mg、Zn、Ca、Sr、以及Ba。
作为发光结构120的另一示例，第一导电类型半导体层115可以被实现为p型半导体层并且第二导电类型半导体层119可以被实现为n型半导体层。具有与第二导电类型的相反的极性的第三导电类型半导体层可以被形成在第二导电类型半导体层119上。另外，发光结构120可以在n-p结结构、p-n结结构、n-p-n结结构、以及p-n-p结结构中的任意一个的结构中被实现。
电极层131被形成在第二导电类型半导体层119下面。电极层131可以包括反射层。电极层131可以包括与发光结构120的第二导电类型半导体层119接触的欧姆接触层。可以从具有70％或者更多的反射率的材料，例如，诸如Al、Ag、Ru、Pd、Rh、Pt以及Ir的金属和两个或者多个金属的合金中选择反射层。发射层的金属可以接触第二导电类型半导体层119的下部分。可以从透明材料、金属或者非金属材料中选择欧姆接触层。
电极层131可以包括透明电极层/反射层的堆叠结构。透明电极层可以是由例如，铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、以及其选择性组合形成。金属材料的反射层可以被布置在透明电极层下面，并且可以是由从例如Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf以及其选择性组合中选择的材料形成。作为另一示例，反射层可以以其中具有不同的折射率的两个层被交替地布置的分布式布拉格反射(DBR)结构形成。
光提取结构，诸如粗糙度，可以被形成在第二导电类型半导体层119和电极层131中的至少一个的表面上，并且这样的光提取结构改变入射光的临界角，从而提高光提取的效率。
绝缘层133被布置在电极层131下面，并且可以被布置在第二导电类型半导体层119的底表面、第二导电类型半导体层119和有源层117的侧表面和第一导电类型半导体层115的部分区域上。绝缘层133被形成在从发光结构120的下部分的区域排除电极层131、第一电极135、以及第二电极137的区域中，从而电气地保护发光结构120的下部分。
绝缘层133包括绝缘材料或者由具有Al、Cr、Si、Ti、Zn、以及Zr中的至少一种的氧化物、氮化物、氟化物以及硫化物中的至少一个形成的绝缘树脂。绝缘层133可以从例如SiO2、Si3N4、Al2O3、以及TiO2中被选择性地形成。绝缘层133可以以单层或者多层被形成，但是不限于此。绝缘层133被形成以当用于倒装焊接的金属结构被形成在发光结构120下面时防止发光结构120的层间短路。
绝缘层133可以以其中具有不同的折射率的第一和第二层被交替地布置地分布式布拉格反射器(DBR)结构。第一层可以由SiO2、Si3N4、Al2O3、以及TiO2中的一个形成，并且第二层可以是由除了用于第一层的材料之外的材料中的任意一个形成，但是不限于此。可替选地，第一层和第二层可以由相同的材料形成或者可以是具有三个或者更多个层的一对。在这样的情况下，电极层不可以被形成。
第一电极135可以被布置在第一导电类型半导体层115的一部分的下面，并且第二电极137可以被布置在电极层131的一部分下面。第一连接电极141被布置在第一电极135下面，并且第二连接电极143被布置在第二电极137下面。
第一电极135被电连接到第一导电类型半导体层115和第一连接电极141，并且第二电极137可以通过电极层131被电连接到第二导电类型半导体层119和第二连接电极143。
第一电极135和第二电极137可以由Cr、Ti、Co、Ni、V、Hf、Ag、Al、Ru、Rh、Pt、Pd、Ta、Mo、以及W或者其合金中的至少一种形成，或者可以被形成为单层或者多层。第一电极135和第二电极137可以以相同的堆叠结构或者不同的堆叠结构形成。第一电极135和第二电极137中的至少一个可以具有电流扩散图案，诸如手臂或者手指结构。另外，第一电极135和第二电极137可以被形成为一个或者多个电极，但是不限于此。第一和第二连接电极141和143中的至少一个可以被布置为多个电极，但是不限于此。
第一连接电极141和第二连接电极143提供用于提供电力的引线功能和散热路径。第一连接电极141和第二连接电极143可以包括诸如圆形、多边形、圆柱体、以及多角柱的形状中的至少一个。第一连接电极141和第二连接电极143可以由金属粉末材料，例如，Ag、Al、Au、Cr、Co、Cu、Fe、Hf、In、Mo、Ni、Si、Sn、Ta、Ti、W、以及这些材料的选择性合金中的任意一个形成。第一连接电极141和第二连接电极143可以被电镀有用于与第一电极135和第二电极137的粘附强度的增强的In、Sn、Ni、Cu以及其选择性合金中的任意一种金属。
支撑层140包括导热材料，并且可以被设置在第一电极135、第二电极137、第一连接电极141、以及第二连接电极143周围。在此，第一和第二连接电极141和143的底表面可以被暴露于支撑层140的底表面。
支撑层140被用作用于支撑发光器件100的层。支撑层140由绝缘材料形成，并且绝缘材料由诸如硅树脂或者环氧树脂的树脂层形成。作为另一示例，绝缘材料可以包括浆(paste)或者绝缘油墨。绝缘材料的种类可以包括聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰氨树脂、聚酰氨树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚类树脂(PPE)、聚环氧丙烷树脂(PPO)、聚苯硫醚树脂、氰酸酯树脂、苯并环丁烯(BCB)、聚酰胺-胺树状聚合物(PAMAM)、聚丙烯亚胺、树状聚合物(PPI)、以及具有PAMAM的内部结构和有机硅的外表面的PAMAM-有机硅(OS)单独或者其组合。支撑层140可以由不同于绝缘层133的材料形成。
具有Al、Cr、Si、Ti、Zn、以及Zr中的至少一个的诸如氧化物、氮化物、氟化物以及硫化物的化合物中的至少一种可以被添加到支撑层140中。在此，被添加在支撑层140中的化合物可以是热扩散剂，并且热扩散剂可以被用作具有预先确定的大小的粉末颗粒、小颗粒(granules)、填充剂、或者添加剂。热扩散剂包括陶瓷材料，并且陶瓷材料包括低温共烧陶瓷(LTCC)、高温共烧陶瓷(HTCC)、氧化铝、石英、锆酸钙、硅酸镁石、碳化硅(SiC)、石墨、石英玻璃、莫来石、堇青石、氧化锆、氧化铍、以及氮化铝中的至少一种。陶瓷材料可以是由具有在诸如氮化物或者氧化物的绝缘材料当中的具有比氮化物或者氧化物高的导热性的金属氮化物形成。金属氮化物可以包括具有例如，140W/mK或者更高的导热性的材料。陶瓷材料可以包括诸如SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、BN、Si3N4、SiC(SiC-BeO)、BeO、CeO、以及AlN的陶瓷基材料。导热性材料可以包括碳(C)成分(金刚石或者碳纳米管(CNT))。
发光芯片100A以倒装方式被安装在电路板400上。电路板400包括具有金属层471的电路层(未示出)、金属层471上的绝缘层472、以及在绝缘层472和用于保护电路层的保护层475上的多个引线电极473和474。金属层471，是散热层，包含具有高导热性的金属，诸如Cu或者Cu合金，并且可以被形成为单层或者多层结构。
绝缘层472在金属层471和电路层之间绝缘。绝缘层可以包括诸如环氧树脂、硅树脂、玻璃纤维、预浸料、聚邻苯二甲酰胺(PPA)、液晶聚合物(LCP)以及聚酰胺9T中的至少一种。另外，添加剂，例如，金属氧化物，诸如TiO2、SiO2、或者Al2O3可以被添加在绝缘层472中，但是不限于此。作为另一示例，可以通过将诸如石墨烯的材料添加到诸如硅树脂或者环氧树脂的绝缘材料使用绝缘层472，但是不限于此。
绝缘层472可以是通过金属层471的阳极氧化工艺形成的阳极氧化的区域。在此，金属层471可以是由铝形成，并且阳极氧化的区域可以是由诸如Al2O3的材料形成。
第一和第二引线电极473和474被电连接到发光芯片100A的第一和第二连接电极141和143。导电粘合剂461和462可以被布置在第一和第二引线电极473和474和发光芯片100A的连接电极141和143之间。导电粘合剂461和462可以包含金属材料，诸如焊料材料。第一引线电极473和第二引线电极474，是电路图案，供应电力。
保护层475可以被布置在电路层上。保护层475包含反射材料，并且可以由诸如白色或者绿色抗蚀剂材料的抗蚀剂材料形成，但是不限于此。保护层475可以用作反射层，并且可以由其反射率高于吸收率的材料形成。保护层475的一部分可以被暴露于反射片600的敞开区域605以反射入射光。作为另一示例，保护层475可以是由光吸收材料形成。光吸收材料可以包含黑色抗蚀剂材料，并且吸收通过敞开区域605入射的光，从而防止对光的均匀度的影响。
将会参考图14至图22描述光学透镜300的示例。
参考图14，光学透镜300的高度h1与在反射表面330的最高点和最低点之间的高度差h2的比率可以是1:0.7以低于1:1。光学透镜330的高度h1是从光学透镜300的底表面312到光学透镜300的反射表面330的最高点的垂直距离，并且反射表面300的最高点和最低点之间的高度差h2可以是在反射表面330凹进的深度，具体地，可以是垂直方向中的从反射表面330的最高点到最低点的距离。
如果光学透镜300的高度h1与反射表面330的最高点和最低点之间的高度差h2的比率低于1:0.7，则在通过入射表面320入射的光当中的通过反射表面330全反射的光的量可以被减少。
如果光学透镜300的高度h1与反射表面330的最高点和最低点之间的高度差h2的比率低于1:1，则光学透镜330的反射表面330可以是平坦的，并且如果比率大于1:1，则光学透镜300的反射表面330的中间部分可以是凸起的，使得通过反射表面330发射入射光或者通过反射表面330反射的光被会聚在光学透镜300的外围区域处。
光学透镜300的突出结构340从出射表面335的下部分向外地突出，并且可以被布置在多个区域中或者下圆周周围。突出结构340可以是用于在光学透镜300的注入工艺中支撑注入成型的产品的结构，或者可以允许底表面312的外部被进一步延伸。被形成在光学透镜300或者入射表面320下面的凹陷部分315的宽度W3可以大于发光器件100的宽度。
参考图14和图15，在其上从光学透镜300入射光的入射表面320可以是凹陷部分315的表面，并且可以包括面向发光器件100的中心的第一区域R1，在边缘处的第三区域R3、以及在第一区域R1和第三区域R3之间的第二区域R2。第一区域R1、第二区域R2、以及第三区域R3的曲率可以相互不同。
如在图15和图16中所示，当连接来自于发光器件100的反射表面330的中心的垂直线被指定为中心轴Y0时，由第一区域R1和中心轴Y0形成的角θa可以处于0°到45°的范围中，由第二区域R2和中心轴形成的角θb可以处于30°至80°的范围内，并且由第三区域R3和中心轴Y0形成的角θc可以处于60°至90°的范围内。
被入射在第一至第三区域R1、R2以及R3的光L1、L2以及L3可以被折射以行进。穿过第一区域R1的光L1、穿过第二区域R2的光L2、以及穿过第三区域R3的光L3的折射角可以相互不同。
在从发光器件100发射的光当中，穿过第一区域R1的光L1在中心轴Y0的方向上被折射，并且在折射之后由穿过第一区域R1的光L1和中心轴形成的角θa1可以小于在折射之前由穿过第一区域R1的光L1和中心轴形成的角θa。
另外，在从发光器件100发射的光当中，穿过第二区域R2的光L2在中心轴Y0的方向上被折射，并且在折射之后由穿过第二区域R2的光L2和中心轴形成的角θb1可以小于在折射之前由穿过第二区域R2的光L2和中心轴形成的角θb。
另外，在从发光器件100发射的光当中，穿过第三区域R3的光L3在中心轴Y0的方向上被折射，并且在折射之后由穿过第三区域R3的光L3和中心轴形成的角θc1可以小于在折射之前由穿过第三区域R3的光L3和中心轴形成的角θc。
当通过折射角定义在折射之前和之后之间由前述的光L1、L2以及L3和中心轴Y0形成的各个角的变化时，从光源出射穿过第二区域R2的光可以具有最大的折射角，并且从光源出射穿过第三区域R3的光可以具有最小的折射角。
同时，第一区域R1、第二区域R2、以及第三区域R3中的至少一个可以具有正曲率或者负曲率，或者第一区域R1、第二区域R2、以及第三区域R3可以具有正曲率和负曲率，但是不限于此。例如，第一区域R1、第二区域R2以及第三区域R3的全部可以具有如在图7中所示的正曲率，或者全部可以具有如在图18中所示的负曲率。可替选地，第一区域R1和第三区域R3可以具有正曲率并且第二区域R2可以具有如在图19中所示的负曲率，以及第一区域R1和第三区域R3可以具有负曲率并且第二区域R2可以具有如在图20中所示的正曲率。负曲率和正曲率被选择性地布置在光学透镜的入射表面上，使得通过接收从反射片的敞开区域反射的光能够控制光的路径。
如在图21中所示，光学透镜300的反射表面330可以具有顶部分的中心凹陷的形状，并且例如，光学透镜300可以朝着反射表面300的中心凹陷更深的深度。
如在图22和图1中所示，在光学透镜300的下部分中示出三个支撑突起350，但是也可以提供两个或者四个支撑突起。三个支撑突起350可以以三角形或者另一形状被布置。
将会参考图23描述发光模块的发光器件的另一示例。参考图23，发光器件100的发光芯片100B和电路板400可以经由连接电极161和162被相互连接，并且连接电极161和162可以包括导电泵，即，焊料泵。在此，一个或者多个导电泵可以被布置在各个电极135和137下面，但是不限于此。
将会参考图24描述发光器件的另一示例。
参考图24，发光器件100包括被连接到电路板400的发光芯片200A。发光器件100可以包括被设置在发光芯片200A的表面上的荧光体层250。荧光体层250转换入射光的波长。如在图4中所示，光学透镜(图4中的300)被布置在发光器件100上以控制从发光芯片200A发射的光的方向性特性。
发光芯片200A包括发光结构225和多个焊盘245和247。发光结构225可以由II至VI族元素的化合物半导体层形成，例如，III-V族元素的化合物半导体层，或者II-VI族元素的化合物半导体层。多个焊盘245和247被选择性地连接到发光结构225的半导体层以供应电力。
发光结构225包括第一导电类型半导体层222、有源层223、以及第二导电类型半导体层224。发光芯片200A可以包括基板221。基板221被设置在发光结构225上。基板221可以是，例如，透明基板、绝缘基板、或者导电基板。这样的配置指的是图4中的发光结构和基板的描述。
焊盘245和247被设置在发光芯片200A下面，并且焊盘245和247包括第一和第二焊盘245和247。第一和第二焊盘245和247在发光芯片200A下面被相互隔开。第一焊盘245被电连接到第一导电类型半导体层222，并且第二焊盘247被电连接到第二导电类型半导体层224。第一和第二焊盘245和247的底部形状可以是多边形或者圆形，或者可以被形成对应于电路板400的第一和第二引线电极415和417的形状。第一和第二焊盘245和247中的每个的底表面的面积可以被形成为具有对应于例如第一和第二引线电极415和417中的每个的顶表面的大小的大小。
发光芯片200A可以包括在基板221和发光结构225之间的未被掺杂的半导体层(未示出)和缓冲层(未示出)中的至少一个。缓冲层是用于减少在基板221和半导体层之间的晶格常数差的层，并且可以由II至VI族化合物半导体选择性地形成。未被掺杂的III-V族化合物半导体层可以进一步被形成在缓冲层下面，但是不限于此。基板221可以被去除。当基板221被去除时，荧光体层250可以接触第一导电类型半导体层222的顶表面或者另一半导体层的顶表面。
发光芯片200A包括第一和第二电极层241和242、第三电极层243、以及绝缘层231和233。第一和第二电极层241和242中的每个可以被形成为单层或者多层，并且可以用作电流扩散层。第一和第二电极层241和242可以包括：第一电极层241，该第一电极层241被设置在发光结构225下面；和第二电极层242，该第二电极层242被设置在第一电极层241下面。第一电极层241扩散电流并且第二电极层241反射入射光。
第一和第二电极层241和242可以由不同的材料形成。第一电极层241可以由透明材料，例如，金属氧化物或者金属氮化物形成。第一电极层可以由例如铟锡氧化物(ITO)、ITO氮化物(ITON)、铟锌氧化物(IZO)、IZO氮化物(IZON)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、以及镓锌氧化物(GZO)选择性地形成。第二电极层242接触第一电极层241的底表面，并且可以用作反射电极层。第二电极242可以包含诸如Ag、Au、或者Al的金属。当第一电极层241的部分区域被去除时第二电极层242可以部分接触发光结构225的底表面。
作为另一示例，第一和第二电极层241和242的结构可以被堆叠成全向反射镜层(ODR)结构。全向反射结构可以以具有低折射率的第一电极层241和接触第一电极层241的第二电极层242的堆叠结构形成并且由高反射性金属材料形成。电极层241和242可以以例如ITO/Ag的堆叠结构形成。因此，在第一电极层241和第二电极层242之间的接口处的全反射角可以被改进。
作为另一示例，第二电极层242可以被去除，并且可以被形成为另一材料的反射层。反射层可以以分布式布拉格反射镜(DBR)结构形成。分布式布拉格反射镜结构包括其中具有不同的折射率的两个介电层被交替地布置的结构，并且两个介电层均包括例如，SiO2层、Si3N4层、TiO2层、Al2O3层、以及MgO层中的任意不同的一个。作为另一示例，电极层241和242可以包括分散的布拉格反射结构和全向反射结构两者。在这样的情况下，具有98％或者更多的光反射率的发光芯片200A能够被提供。通过基板221发射从第二电极层242反射的光，并且因此，以倒装类型安装的发光芯片200A能够在垂直向上方向上发射大多数光。通过发光芯片200A的横向表面发射的光可以通过反射片600被反射到光学透镜的入射表面的区域。
第三电极层243被布置在第二电极层242下面，并且与第一和第二电极层241和242电绝缘。第三电极层243包含金属，例如，钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铬(Cr)、钽(Ta)、铂(Pt)、锡(Sn)、银(Ag)以及磷(P)中的至少一种。第一焊盘245和第二焊盘247被布置在第三电极层243下面。绝缘层231和233防止在第一和第二电极层241和242、第三电极层243、第一和第二焊盘245和247、以及发光结构225的层之间的不必要的接触。绝缘层231和233包括第一和第二绝缘层231和233。第一绝缘层231被布置在第三电极层243和第二电极层242之间。第二绝缘层233被布置在第三电极层243和第一和第二焊盘245和247之间。第一和第二焊盘245和247可以包含与第一和第二引线电极415和417相同的材料。
第三电极层243被连接到第一导电类型半导体层222。第三电极层243的连接部分244通过第一和第二电极层241和242和发光结构225的下部分在通孔结构中突出，并且接触第一导电类型半导体层225。连接部分244可以被布置为多个连接部分。第一绝缘层231的部分232被延伸在第三电极层243的连接部分244周围以阻挡在第三电极层243和第一和第二电极层241和242之间以及在第二导电类型半导体层224和有源层223之间的电连接。绝缘层可以被布置在发光结构225的侧表面上，用于侧表面的保护，但是不限于此。
第二焊盘247被布置在第二绝缘层233下面，并且接触或者通过第二绝缘层233的敞开区域被连接到第一和第二电极层241和242中的至少一个。第一焊盘245被布置在第二绝缘层233下面，并且通过第二绝缘层233的敞开区域被连接到第三电极层243。因此，第一焊盘247的突起248通过第一和第二电极层241和242被电连接到第二导电类型半导体层224，并且第二焊盘245的突起246通过第三电极层243被电连接到第一导电类型半导体层222。
第一和第二焊盘245和247在发光芯片200A下面被相互隔开，并且面向电路板400的第一和第二引线电极415和417。第一和第二焊盘245和247可以包括多边形凹槽271和273，并且凹槽271和273被形成以在发光结构225的方向中是凸起的。凹槽271和273可以被形成为具有等于或者小于第一和第二焊盘245和247的厚度。凹槽271和273的深度可以增加第一和第二焊盘245和247的表面面积。
焊接构件255和257被布置在第一焊盘245和第一引线电极415之间的区域以及在第二焊盘247和第二引线电极417之间的区域中。焊接构件255和257可以包含导电材料，并且焊接构件255和257的部分被布置在凹槽271和273中。相对于第一和第二焊盘215和217，焊接构件255和257被布置在凹槽271和273中，从而增加在焊接构件255和257与第一和第二焊盘245和247之间的焊接面积。因此，第一和第二焊盘245和247被焊接到第一和第二引线电极415和417，从而提高发光芯片200A的电可靠性和散热效率。
焊接构件255和257可以包含焊膏材料。焊膏材料包括金(Au)、锡(Sn)、铅(Pb)、铜(Cu)、铋(Bi)、铟(In)以及银(Ag)中的至少一种。因为焊接构件255和257将热直接地传导到电路板400，所以与使用封装的结构相比较，导热效率能够被提高。另外，焊接构件255和257由在热膨胀系数方面具有与发光芯片200A的第一和第二焊盘245和247小的差异的材料形成，从而提高导热效率。
作为另一示例，焊接构件255和257可以包括导电膜，并且导电膜包括绝缘膜中的一个或者多个导电颗粒。导电颗粒可以包含例如金属、金属合金、以及碳中的至少一个。导电颗粒可以包含镍、银、金、铝、铬、铜、以及碳中的至少一个。导电膜可以包括各向异性导电膜或者各向异性导电粘合剂。
粘合构件，例如，导热膜可以被包括在发光芯片200A和电路板400之间。对于导热膜，诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二酯、以及聚萘二甲酸丁二醇酯的聚酯树脂；聚酰亚胺树脂；丙烯酸树脂；诸如聚苯乙烯和丙乙轻苯乙烯的苯乙烯基树脂；聚碳酸酯树脂；聚乳酸树脂；聚氨酯树脂等等可以被使用。而且，导热膜可以包括：诸如聚乙烯、聚丙烯、以及乙烯—丙烯共聚物的聚烯烃树脂；诸如聚氯乙烯和聚偏二氯乙烯的乙烯基树脂；聚酰胺树脂；砜基树脂；聚醚酮树脂；烯丙基树脂；或者上述树脂的混合物。
发光芯片200A通过电路板400的表面和发光结构225的侧表面和顶表面发射光，从而提高光提取的效率。发光芯片200A可以被直接地粘结到电路板400上，从而简化工艺。另外，发光芯片200A的散热被改进，使得发光芯片200A可以在照明领域等等中被有利地利用。
图25是示出具有根据实施例的发光模块的显示设备的侧面截面图。
参考图25，显示设备包括发光模块101，该发光模块101被布置在底盖710上；光学片712、713以及714；以及在发光模块101上的显示面板715。底盖710可以包含用于散热的金属或者导热树脂材料，并且发光模块101可以被布置在底盖710上的一个或者多行中。发光模块101可以通过发光器件100发射白光，但是不限于此。
导光层711可以被布置在光学片712、713以及714和发光模块101之间的区域中。导光层711可以是由树脂材料，诸如硅树脂或者环氧树脂形成，并且可以导向和分散入射光。导光层711可以不被形成。光学片712、713以及714可以包括用于收集被分散的光的棱镜片712和713以及用于通过棱镜片712和713重新扩散被会聚的光的扩散片714。
显示面板715可以被布置在光学片712、713以及714上。显示面板715可以通过光显示图像。
图26是示出在实施例和比较示例1和2当中的光分布的比较的曲线图。
在图26中，比较示例1具有如下结构：光学透镜被布置在具有发光芯片的发光器件封装上，并且仅通过发光器件封装的顶表面，而不是侧表面提取光。比较示例2具有从图2中的结构中去除反射片的结构。示例的发光器件是五个边的发光器件并且通过顶表面和侧表面发射光，并且与比较示例1和2相比较能够将从中心区域到外围区域的光调节成均匀的强度。
图27A是示出根据示例的图像的视图，并且图27B是示出根据比较示例的图像的视图。比较示例提供从图2中的结构去除反射片的结构。
可以看到在图27(A)中减少了如在图27(B)中所示的在图像的中心区域的外围中出现的热点现象。由于通过电路板的顶表面从发光器件的横向表面产生的光的反射出现这样的热点现象。在示例中，通过反射片反射发光器件的侧面光，使得可以布置不具有热点现象的图像。
另外，在下面的表1中示出根据示例的发光器件和不具有反射片(比较示例)的光通量和颜色坐标。
[表1]
光通量(lm) Cx Cy
参考 100％ 0.000 0.000
示例 96.1％ +0.004 +0.005
可以看到，与参考发光器件相比较，在根据示例的发光器件发射的光的光通量和颜色坐标中基本没有不同。
根据示例的发光模块可以被应用于灯单元。灯单元包括具有一个或者多个发光模块的结构，并且可以包括三维显示器、各种照明灯、交通灯、车辆大灯、电子标识牌等等。
在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”等的任何引用意指在本发明的至少一个实施例中包括与实施例相结合地描述的特定特征、结构或特性。在说明书中的各个位置中的这样的短语的出现不必然全部指示相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特征、结构或特性时，认为结合其他实施例来实现这样的特征、结构或特性在本领域的技术人员的认识范围内。
虽然已经参考其多个说明性实施例描述了本发明的实施例，但是应当理解，本领域内的技术人员可以设计落在本公开的原理的精神和范围内的多个其他变型和实施例。更具体地，在本公开、附图和所附的权利要求的范围内的主题组合布置中的组成部件和/或布置中，各种变体和变型是可能的。除了在组成部件和/或布置中的变体和变型之外，替代的应用对于本领域内的技术人员也是显而易见的。
工业实用性
实施例能够提高光学透镜和具有光学透镜的发光模块的可靠性。
实施例可以被应用于诸如使用发光模块的三维显示器、各种照明灯、交通灯、车辆大灯、以及电子标识牌的照明设备。

Claims (20)

1.一种发光模块，包括：
电路板；
发光器件，所述发光器件被布置在所述电路板上；
光学透镜，所述光学透镜被布置在所述发光器件上；
反射片，所述反射片被布置在所述光学透镜和所述电路板上；以及
粘合层，所述粘合层被布置在所述反射片和所述电路板之间，
其中，所述光学透镜包括在所述发光器件上具有凹陷部分的入射表面、用于反射在所述入射表面上入射的光的反射表面、以及被布置在外圆周处的出射表面，
其中，所述反射片包括布置所述发光器件的敞开区域，以及
其中，所述反射片的敞开区域具有比所述发光器件的宽度宽并且比所述光学透镜的入射表面的宽度窄的宽度。
2.根据权利要求1所述的发光模块，其中，所述反射片的敞开区域具有与所述发光器件的外形相同的外形。
3.根据权利要求1所述的发光模块，其中，所述反射片的敞开区域包括圆形。
4.根据权利要求1所述的发光模块，其中，所述反射片的敞开区域包括具有相互不同的曲率的多个弯曲表面。
5.根据权利要求1所述的发光模块，其中，所述反射片具有离所述发光器件的至少两个横向表面的相同间隔。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的发光模块，其中，所述反射片包括在所述敞开区域周围的台阶结构。
7.根据权利要求1至5中的任一项所述的发光器件，其中，所述反射片包括相对于在所述敞开区域周围的反射片的顶表面的倾斜表面。
8.根据权利要求1至5中的任一项所述的发光模块，其中，所述发光器件包括发光芯片，所述发光芯片具有发光结构、在所述发光结构上的基板以及在所述发光结构下面的反射电极层，所述发光结构具有有源层；，以及
其中，所述反射片的顶表面的高度高于所述发光芯片的顶表面的高度。
9.根据权利要求8所述的发光模块，其中，所述发光器件包括荧光体层，所述荧光体层被布置在所述发光芯片的表面上，以及
其中，所述反射片的顶表面的高度等于或者低于所述荧光体层的顶表面高度的高度。
10.根据权利要求9所述的发光模块，其中，所述荧光体层被布置在所述发光芯片的顶表面和横向表面上。
11.根据权利要求9所述的发光模块，其中，所述反射片具有比所述光学透镜的底表面的宽度宽并且比所述电路板的宽度宽的宽度。
12.根据权利要求9所述的发光模块，其中，所述电路板被布置在所述发光芯片下面并且包括第一和第二引线电极，所述第一和第二引线电极被电连接到所述发光芯片的第一和第二连接电极。
13.根据权利要求12所述的发光模块，其中，所述电路板包括反射材料的保护层，所述反射材料的保护层被布置在所述反射片的敞开区域下面。
14.根据权利要求12所述的发光模块，其中，多个光学透镜和多个反射片被布置在所述电路板上。
15.根据权利要求1至5中的任一项所述的发光模块，其中，所述反射片的内侧通过气腔面向所述发光芯片的多个横向表面。
16.一种发光模块，包括：
电路板；
发光器件，所述发光器件被布置在电路板上；
光学透镜，所述光学透镜被布置在所述发光器件上；
反射片，所述反射片被布置在所述光学透镜和所述电路板之间；以及
粘合层，所述粘合层被布置在所述反射片和所述电路板之间，
其中，所述光学透镜包括在所述发光器件上具有凹陷部分的入射表面和用于发射在所述入射表面上入射的光的出射表面，以及
其中，所述反射片具有面向所述凹陷部分下面的发光器件的横向表面的内侧。
17.根据权利要求16所述的发光模块，其中，所述反射片的内侧分别面向所述发光器件的多个横向表面。
18.根据权利要求16或者17所述的发光模块，其中，在所述发光器件和所述反射片的内侧之间的区域是空气区域。
19.根据权利要求16或者17所述的发光模块，其中，所述反射片的外部从所述光学透镜的入射表面向外布置。
20.根据权利要求16或者17所述的发光模块，其中，所述光学透镜包括支撑突起，以及
其中，所述反射片具有所述支撑突起被插入的突起孔。
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